JP2021043016A - 圧力センサ素子 - Google Patents
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- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 97
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 97
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 29
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 11
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 28
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 229910000975 Carbon steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000669 Chrome steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001374 Invar Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010962 carbon steel Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005489 elastic deformation Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000007373 indentation Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
- G01L19/14—Housings
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
- G01L19/14—Housings
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- G01L19/143—Two part housings
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- G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
- G01L9/02—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means by making use of variations in ohmic resistance, e.g. of potentiometers, electric circuits therefor, e.g. bridges, amplifiers or signal conditioning
- G01L9/04—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means by making use of variations in ohmic resistance, e.g. of potentiometers, electric circuits therefor, e.g. bridges, amplifiers or signal conditioning of resistance-strain gauges
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
- G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
- G01L9/0042—Constructional details associated with semiconductive diaphragm sensors, e.g. etching, or constructional details of non-semiconductive diaphragms
- G01L9/0047—Diaphragm with non uniform thickness, e.g. with grooves, bosses or continuously varying thickness
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
- G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
- G01L9/0042—Constructional details associated with semiconductive diaphragm sensors, e.g. etching, or constructional details of non-semiconductive diaphragms
- G01L9/0048—Details about the mounting of the diaphragm to its support or about the diaphragm edges, e.g. notches, round shapes for stress relief
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
- G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
- G01L9/0051—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance
- G01L9/0052—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance of piezoresistive elements
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Abstract
Description
金属板と、
前記金属板の一方の表面である第1表面に、前記第1表面が被覆される被覆領域と前記第1表面が露出する露出領域とを形成するように設けられる絶縁膜と、
前記絶縁膜によって前記第1表面に対して絶縁されるように、前記絶縁膜に形成される圧力検出回路と、を有する。
前記溶接部は、前記凸部に形成されていてもよい。
前記溶接部は、前記傾斜面に形成されていてもよい。
前記金属板における前記第1表面とは反対側の表面である第2表面には、中央側から前記外周縁部にかけて段差状になっている段差部が形成されていてもよく、
前記溶接部は、前記段差部に形成されていてもよい。
図1は、本発明の第1実施形態に係る圧力センサ素子10を含む圧力センサユニット60の概略断面図である。圧力センサユニット60は、圧力センサ素子10の他に、ハウジング50、プリント基板52、コネクタ54、カバー部材55などを有する。
図5は、第2実施形態に係る圧力センサ素子110を上方から見た平面図である。第2実施形態に係る圧力センサ素子110は、絶縁膜130の形状が異なることを除き、第1実施形態に係る圧力センサ素子10(図2参照)と同様である。圧力センサ素子110の説明では、圧力センサ素子10との相違点のみ説明し、圧力センサ素子10との共通点については、説明を省略する。
図6は、第3実施形態に係る圧力センサ素子210の概略断面図である。第3実施形態に係る圧力センサ素子210は、金属板220における第2表面224の形状が異なることを除き、第1実施形態に係る圧力センサ素子10(図2参照)と同様である。圧力センサ素子210の説明では、圧力センサ素子10との相違点のみ説明し、圧力センサ素子10との共通点については、説明を省略する。
図7は、第4実施形態に係る圧力センサ素子310の概略断面図である。第4実施形態に係る圧力センサ素子310は、金属板320の形状が異なることを除き、第1実施形態に係る圧力センサ素子10(図2参照)と同様である。圧力センサ素子310の説明では、圧力センサ素子10との相違点のみ説明し、圧力センサ素子10との共通点については、説明を省略する。
図8は、第5実施形態に係る圧力センサ素子410の概略断面図である。第5実施形態に係る圧力センサ素子410は、金属板420における第2表面424の形状が異なることを除き、第1実施形態に係る圧力センサ素子10(図2参照)と同様である。圧力センサ素子410の説明では、圧力センサ素子10との相違点のみ説明し、圧力センサ素子10との共通点については、説明を省略する。
図9は、第6実施形態に係る圧力センサ素子510の概略断面図である。第6実施形態に係る圧力センサ素子510は、金属板520の形状が異なることを除き、第1実施形態に係る圧力センサ素子10(図2参照)と同様である。圧力センサ素子510の説明では、圧力センサ素子10との相違点のみ説明し、圧力センサ素子10との共通点については、説明を省略する。
以下、実施例を示して、本発明に係る圧力センサ素子についてさらに詳細に説明を行う。ただし、本発明はこれらの実施例のみには限定されない。
20、220、420、520…金属板
20a…中央
20b…外周
22、122、522…第1表面
22a、122a…被覆領域
22b、122b…露出領域
24、224、424、524…第2表面
24a…受圧領域
24b…溶接部
30、130…絶縁膜
40…圧力検出回路
41…ひずみゲージ
42…電極部
50…ハウジング
50a…流路
50b…上端面
51…配線部
52…プリント基板
54…コネクタ
55…カバー部材
60…圧力センサユニット
70…溶接用電極
224c…くぼみ部
324f…段差部
328…外周縁部
424e…傾斜面
522d…凹部
524d…凸部
Claims (9)
- 金属板と、
前記金属板の一方の表面である第1表面に、前記第1表面が被覆される被覆領域と前記第1表面が露出する露出領域とを形成するように設けられる絶縁膜と、
前記絶縁膜によって前記第1表面に対して絶縁されるように、前記絶縁膜に形成される圧力検出回路と、を有する圧力センサ素子。 - 前記金属板における前記第1表面とは反対側の表面である第2表面は、ハウジングに溶接される溶接部を有する請求項1に記載の圧力センサ素子。
- 前記第1表面に直交する方向からみて、前記溶接部の少なくとも一部は、前記露出領域に重なることを特徴とする請求項2に記載の圧力センサ素子。
- 前記露出領域は、前記被覆領域において前記圧力検出回路が形成される部分を囲うように、周方向に連続していることを特徴とする請求項1から請求項3までのいずれかに記載の圧力センサ素子。
- 前記露出領域は、前記第1表面の外周に沿って連続していることを特徴とする請求項4に記載の圧力センサ素子。
- 前記金属板における前記第1表面とは反対側の表面である第2表面には、前記第1表面側へ凹むくぼみ部が形成されている請求項1から請求項5までのいずれかに記載の圧力センサ素子。
- 前記金属板における前記第1表面とは反対側の表面である第2表面には、前記第1表面側とは反対側に突出する凸部が形成されており、
前記溶接部は、前記凸部に形成されていることを特徴とする請求項2に記載の圧力センサ素子。 - 前記金属板における前記第1表面とは反対側の表面である第2表面には、中央側から外周側へ向かって前記第1表面側へ傾斜する傾斜面が形成されており、
前記溶接部は、前記傾斜面に形成されていることを特徴とする請求項2に記載の圧力センサ素子。 - 前記金属板は中央側に比べて厚みの薄い外周縁部を含み、
前記金属板における前記第1表面とは反対側の表面である第2表面には、中央側から前記外周縁部にかけて段差状になっている段差部が形成されており、
前記溶接部は、前記段差部に形成されていることを特徴とする請求項2に記載の圧力センサ素子。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019164000A JP7451907B2 (ja) | 2019-09-09 | 2019-09-09 | 圧力センサ素子 |
EP20863744.7A EP4030159A4 (en) | 2019-09-09 | 2020-08-28 | PRESSURE SENSOR ELEMENT |
PCT/JP2020/032661 WO2021049328A1 (ja) | 2019-09-09 | 2020-08-28 | 圧力センサ素子 |
US17/639,167 US20220291068A1 (en) | 2019-09-09 | 2020-08-28 | Pressure sensor device |
CN202080061192.0A CN114303047A (zh) | 2019-09-09 | 2020-08-28 | 压力传感器元件 |
JP2023223560A JP2024024038A (ja) | 2019-09-09 | 2023-12-28 | 圧力センサ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019164000A JP7451907B2 (ja) | 2019-09-09 | 2019-09-09 | 圧力センサ素子 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2023223560A Division JP2024024038A (ja) | 2019-09-09 | 2023-12-28 | 圧力センサ素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021043016A true JP2021043016A (ja) | 2021-03-18 |
JP7451907B2 JP7451907B2 (ja) | 2024-03-19 |
Family
ID=74863864
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019164000A Active JP7451907B2 (ja) | 2019-09-09 | 2019-09-09 | 圧力センサ素子 |
JP2023223560A Pending JP2024024038A (ja) | 2019-09-09 | 2023-12-28 | 圧力センサ素子 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2023223560A Pending JP2024024038A (ja) | 2019-09-09 | 2023-12-28 | 圧力センサ素子 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20220291068A1 (ja) |
EP (1) | EP4030159A4 (ja) |
JP (2) | JP7451907B2 (ja) |
CN (1) | CN114303047A (ja) |
WO (1) | WO2021049328A1 (ja) |
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-
2019
- 2019-09-09 JP JP2019164000A patent/JP7451907B2/ja active Active
-
2020
- 2020-08-28 US US17/639,167 patent/US20220291068A1/en active Pending
- 2020-08-28 CN CN202080061192.0A patent/CN114303047A/zh active Pending
- 2020-08-28 EP EP20863744.7A patent/EP4030159A4/en active Pending
- 2020-08-28 WO PCT/JP2020/032661 patent/WO2021049328A1/ja unknown
-
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JP7451907B2 (ja) | 2024-03-19 |
EP4030159A4 (en) | 2023-10-04 |
JP2024024038A (ja) | 2024-02-21 |
CN114303047A (zh) | 2022-04-08 |
US20220291068A1 (en) | 2022-09-15 |
EP4030159A1 (en) | 2022-07-20 |
WO2021049328A1 (ja) | 2021-03-18 |
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