JP2021027186A5 - - Google Patents

Claims (8)

1. シリコン単結晶の接合基板上に窒化物半導体膜が形成された電子デバイス用基板であって、
   前記接合基板は、少なくとも、シリコン単結晶からなるベースウェーハ上にシリコン単結晶からなるボンドウェーハを接合した基板であって、
   前記ベースウェーハは、抵抗率が０．１Ωｃｍ以下、結晶方位が＜１００＞のＣＺシリコンからなり、
   前記ボンドウェーハは、結晶方位が＜１１１＞、抵抗率が０．１Ωｃｍ以下のＣＺシリコン基板であることを特徴とする電子デバイス用基板。
2. シリコン単結晶の接合基板上に窒化物半導体膜が形成された電子デバイス用基板であって、
   前記接合基板は、少なくとも、シリコン単結晶からなるベースウェーハ上にシリコン単結晶からなるボンドウェーハを接合した基板であって、
   前記ベースウェーハは、抵抗率が０．１Ωｃｍ以下、結晶方位が＜１００＞のＣＺシリコンからなり、
   前記ボンドウェーハは、結晶方位が＜１１１＞、抵抗率が１０００Ωｃｍ以上、窒素濃度が１×１０^１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上であるＣＺシリコン基板であることを特徴とする電子デバイス用基板。
3. シリコン単結晶の接合基板上に窒化物半導体膜が形成された電子デバイス用基板であって、
   前記接合基板は、少なくとも、シリコン単結晶からなるベースウェーハ上にシリコン単結晶からなるボンドウェーハを接合した基板であって、
   前記ベースウェーハは、抵抗率が０．１Ωｃｍ以下、結晶方位が＜１００＞のＣＺシリコンからなり、
   前記ボンドウェーハは、結晶方位が＜１１１＞、抵抗率が１０００Ωｃｍ以上、窒素濃度８×１０^１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上のＦＺシリコン基板であることを特徴とする電子デバイス用基板。
4. 前記接合基板は、前記ベースウェーハと前記ボンドウェーハとがＳｉＯ_２膜を介して接合されたものであることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の電子デバイス用基板。
5. シリコン単結晶基板上に窒化物半導体膜を形成する電子デバイス用基板の製造方法であって、
   シリコン単結晶からなるベースウェーハ上にシリコン単結晶からなるボンドウェーハを接合して接合基板とする工程と、
   前記接合基板の前記ボンドウェーハ上に窒化物半導体をエピタキシャル成長させる工程とを含み、
   前記ベースウェーハとして、抵抗率が０．１Ωｃｍ以下、結晶方位が＜１００＞のＣＺシリコンからなるものを用い、
   前記ボンドウェーハとして、結晶方位が＜１１１＞、抵抗率が０．１Ωｃｍ以下のＣＺシリコン基板を用いることを特徴とする電子デバイス用基板の製造方法。
6. シリコン単結晶基板上に窒化物半導体膜を形成する電子デバイス用基板の製造方法であって、
   シリコン単結晶からなるベースウェーハ上にシリコン単結晶からなるボンドウェーハを接合して接合基板とする工程と、
   前記接合基板の前記ボンドウェーハ上に窒化物半導体をエピタキシャル成長させる工程とを含み、
   前記ベースウェーハとして、抵抗率が０．１Ωｃｍ以下、結晶方位が＜１００＞のＣＺシリコンからなるものを用い、
   前記ボンドウェーハとして、結晶方位が＜１１１＞、抵抗率が１０００Ωｃｍ以上、窒素濃度が１×１０^１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上であるＣＺシリコン基板を用いることを特徴とする電子デバイス用基板の製造方法。
7. シリコン単結晶基板上に窒化物半導体膜を形成する電子デバイス用基板の製造方法であって、
   シリコン単結晶からなるベースウェーハ上にシリコン単結晶からなるボンドウェーハを接合して接合基板とする工程と、
   前記接合基板の前記ボンドウェーハ上に窒化物半導体をエピタキシャル成長させる工程とを含み、
   前記ベースウェーハとして、抵抗率が０．１Ωｃｍ以下、結晶方位が＜１００＞のＣＺシリコンからなるものを用い、
   前記ボンドウェーハとして、結晶方位が＜１１１＞、抵抗率が１０００Ωｃｍ以上、窒素濃度８×１０^１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上のＦＺシリコン基板を用いることを特徴とする電子デバイス用基板の製造方法。
8. 前記接合基板とする工程において、前記ベースウェーハと前記ボンドウェーハとをＳｉＯ_２膜を介して接合することを特徴とする請求項５から請求項７のいずれか一項に記載の電子デバイス用基板の製造方法。