JP2009545169A - 半導体バッファ構造体内の歪み層 - Google Patents

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Abstract

基板10と、前記基板上へ形成される傾斜部分を含む緩和バッファ層14、18と、前記緩和バッファ層14、18の傾斜部分内部の少なくとも1つの歪み遷移層16とを含む半導体ワークピースと、その製造方法。少なくとも1つの歪み遷移層16は、緩和バッファ層14、18と基板10との間の熱膨張収縮係数の差分に起因するワークピースの反りの量を低減する。
【選択図】図2B

Description

本発明は、概して半導体製造分野に関し、より具体的には、半導体緩和バッファ構造体の製造に関する。
歪み半導体材料は、緩和半導体材料よりも向上した電気キャリア移動特性を有利にもたらし、よって、半導体回路が動作できる速度を上げる。半導体層は、少なくとも1つの次元において基底材料の格子構造と同じであるが層材料の固有の格子定数とは異なる格子構造を有するように制約される場合に、「歪んでいる」とされる。格子歪みは、堆積される膜内の原子が、通常、一致する格子構造を有する基底構造体上に材料が堆積される場合に占有される位置から外れることに起因して発生する。歪みの程度は、堆積される層の厚さ、及び、堆積される材料と基底構造体との間の格子不整合の度合いを含む幾つかの要因に関連する。
歪み半導体層は、シリコンゲルマニウム(SiGe)バッファ層上にシリコン(Si)をエピタキシャル堆積することによって形成されることが可能である。シリコンゲルマニウム膜は、マイクロ電子機器製造の場合等の広範な半導体アプリケーションにおいて使用される。SiGeはシリコンより大きい格子定数を有することから、シリコン上にエピタキシャルSiGe堆積が発生すると(シリコンウェーハ上の堆積の間等)、エピタキシャル堆積されるSiGeはより小さい基底のシリコン格子に「歪まされる」。SiGe層上に歪みシリコン層が堆積されるものとすると、SiGeバッファ層は、まず、その上に堆積されるシリコン層が歪まされるように「緩和」されるべきである。具体的には、歪みSiGe層は基底のシリコン格子の大きさを有することから、歪みSiGe層上に堆積されるシリコン層は歪まされない。これに対して、「緩和された」SiGe層上に堆積されるシリコン層は、より大きい基底のSiGe格子へ適合するために歪まされる。このように、歪みシリコン層は、緩和SiGe層上にシリコンをエピタキシャル堆積することによって製造されることが可能である。シリコン上に緩和SiGe層を形成する手法が多く存在する。
ある手法では、SiGe層は「臨界厚さ」以上に堆積される。歪みSiGe層の厚さが所定の臨界厚さを超えて増大するにつれて、歪みSiGe層の結晶構造内に欠陥が現れ、これにより緩和が誘導される。緩和の発生後、SiGe層内に存在する歪みの度合いは、層の弾性エネルギーと転位核生成及び滑り(gliding)の起動エネルギーとの関数である、緩和の間に層内に発生される不整合転位の程度に関連する。臨界厚さは、成長速度、成長温度、ゲルマニウム濃度及びSiGe層下の基底層内の欠陥の数を含む様々な要素に依存する。またSiGeは、堆積後のワークピースのアニーリングによって、例えば巨視的な膨脹に起因して緩和されることも可能である。
典型的には、SiGe緩和バッファ層は、基底のシリコン基板から緩和バッファ層の上面へとゲルマニウム濃度が増大(または「傾斜」)されて堆積される。例えば、ゲルマニウムの濃度は、約0%から、約20%および40%の間にまで増大することが可能である。SiGe層のゲルマニウム濃度を傾斜して基板からの距離と共に格子定数を徐々に増大することは緩和を促進し、かつ貫通転位の生成及び貫通転位のパイルアップ(「パイルアップ」)を最小限に抑えることができる。
特定の実施の形態では、半導体ワークピースは、基板と、該基板上に形成された傾斜部分を含む緩和バッファ層と、緩和バッファ層の傾斜部分内部の少なくとも1つの歪み遷移層とを備える。
特定の実施の形態では、半導体ワークピースは、基板と、該基板上に形成された緩和バッファ層と、緩和バッファ層内部の少なくとも1つの歪み遷移層とを備え、少なくとも1つの歪み遷移層は、緩和バッファ層の上面付近の貫通転位密度を約10/cm未満まで下げるように構成される。
特定の実施の形態では、集積回路は、基板と、該基板上に形成された傾斜部分を含む緩和バッファ層と、緩和バッファ層の傾斜部分内部の少なくとも1つの歪み遷移層とを備える。
特定の実施の形態では、半導体ワークピースの製造方法は、基板を準備するステップと、該基板上に緩和バッファ層を堆積するステップと、緩和バッファ層の堆積の間に、緩和バッファ層の上面付近の貫通転位密度を約10/cm未満に下げるように構成される少なくとも1つの歪み遷移層を堆積するステップを含む。
特定の実施の形態では、半導体ワークピースの製造方法は、基板を準備するステップと、シリコン前駆体及びゲルマニウム前駆体を流しながら緩和バッファ層の成長する第1の部分のゲルマニウム濃度を上げることにより基板上に緩和バッファ層の第1の部分を堆積するステップと、緩和バッファ層の第1の部分の堆積後、シリコン前駆体を流し続けながらゲルマニウム前駆体を流すことを停止するステップと、ゲルマニウム前駆体を流すことを停止した後、ゲルマニウム前駆体を流すことを再開しかつ緩和バッファ層の成長する第2の部分のゲルマニウム濃度を上げることにより緩和バッファ層の第2の部分を堆積するステップを含む。
以上、本発明及び、先行技術を凌いで達成される優位点を概説する目的で本発明の特定の目的及び優位点を記述した。当然ながら、このような目的または優位点の必ずしも全てが本発明の任意の具体的な実施の形態に従って達成されなくてもよいことは理解されるべきである。従って、例えば、当業者には、本明細書において教示または示唆されている通りの1つの優位点または優位点グループを達成または最適化して、必ずしも本明細書において教示または示唆される他の目的または優位点を達成しないような方法で本発明が具体化または実行されてもよいことが認識されるであろう。
これらの実施の形態は全て、本明細書に開示されている発明の範囲内にあることが意図される。添付の図面を参照している好適な実施の形態に関する以下の詳細な説明から、当業者には、これらの実施の形態または他の実施の形態が容易に明らかとなるであろう。但し、本発明は、開示されている任意の具体的な好適な実施の形態に限定されない。
以下、例示を目的とし本発明の限定を意図するものではない好適な実施の形態の図面を参照して、本明細書に開示している発明の上記の、及び他の特徴、態様及び優位点について説明する。
緩和バッファ層に起因するワークピースの反りを略示している図である。 緩和バッファ層に起因するワークピースの反りを略示している図である。 緩和バッファ層中のゲルマニウム濃度プロフィールの一例の実施の形態を略示している図。 緩和バッファ層中のゲルマニウム濃度プロフィールの一例の実施の形態を略示している図。 緩和バッファ層中のゲルマニウム濃度プロフィールの一例の実施の形態を略示している図。 緩和バッファ層中のゲルマニウム濃度プロフィールの一例の実施の形態を略示している図。 緩和バッファ層中のゲルマニウム濃度プロフィールの一例の実施の形態を略示している図。 緩和バッファ層中のゲルマニウム濃度プロフィールの一例の実施の形態を略示している図。 緩和バッファ層中のゲルマニウム濃度プロフィールの一例の実施の形態を略示している図。 緩和バッファ層の概略断面図である。 1つの歪み遷移層を有する緩和バッファ層の概略断面図である。 4つの歪み遷移層を有する緩和バッファ層の概略断面図である。 歪み層の移動プロセスの概略的な実施の形態例を略示している図である。 歪み層の移動プロセスの概略的な実施の形態例を略示している図である。 歪み層の移動プロセスの概略的な実施の形態例を略示している図である。 歪み層の移動プロセスの概略的な実施の形態例を略示している図である。
以下、所定の好適な実施の形態及び例を開示するが、当業者には、本発明は具体的に開示される本発明の実施の形態及び/または使用法並びにそれらの自明な修正及び均等物を越えて及ぶことが理解されるであろう。従って、本明細書に開示される本発明の範囲は後述する具体的な実施の形態によって限定されるべきでないことが意図される。
基板上に高温で成長した緩和バッファ層は、少なくとも部分的に緩和バッファ層とバルク基板との熱膨張係数の差に起因して、冷却時にワークピースの反り、捻れを生じさせる可能性のある引張り歪みまたは圧縮歪み状態にワークピースを置くことができる。緩和バッファ層は、ワークピースが堆積温度(例えば、900℃)から(例えば、室温まで)冷却されると、緩和バッファ層とバルク基板との互いの熱膨張係数による収縮量の相違に起因して反りを生じる可能性がある。ワークピースは、ワークピースが安定温度(即ち、その温度より低温であれば熱膨張係数の差に起因する応力によって実質的にさらなる反りは生じない温度)を下回れば反って捻れた状態に留まる。捻れは、基準平面に対するワークピース表面の最大及び最小ズレの尺度である。反りは、ワークピース表面がその中心点においてその縁部からどの程度(例えば、図1Aが示すような)凹形または(例えば、図1Bが示すような)凸形に変形しているかを示す、厚さ変動とは独立した尺度である。図1Aにおいて、基板10と緩和バッファ層12とを備えるワークピースは冷却後に圧縮歪みを印加され、上向きの反り(例えば、シリコンより大きい熱膨張係数を有する緩和SiGeバッファ層に起因する)が生じている。図1Bでは、基板10と緩和バッファ層12とを備えるワークピースは冷却後に引張り歪みを印加され、下向きの反りが生じている。本明細書では、ワークピースの反りを詳述しているが、開示している実施の形態はワークピースの捻れにも同様に当てはめることができる。式1は、基板と基板上に成長される層との熱膨張係数の差に起因するワークピースの反りを、熱膨張係数がほぼ温度とは独立する温度領域に関して、例えば比較的一定した温度における一次近似として数学的に記述したものである。
Figure 2009545169
式1の記述にあるように、ワークピースの反り(b)は、成長した層の厚さ(H)、基板直径(d)の基板厚さ(H)に対する割合の二乗、基板と成長した層との熱膨張係数の差(Δα=α−α)、及び、堆積温度と安定温度との差(ΔT)、それに反りの初期量(b)に比例する。
概して、バルク基板の物理パラメータは一定である。例えば、ベア基板は、基板上に異なる熱膨張係数を有する緩和層等のその反りの原因となるものが存在しないため、典型的にはゼロに近い(例えば、300mmシリコン基板で約−5μmから約+5μmの)初期の反りを有する(即ち、b≒0)。1つまたは複数の堆積温度は、プロセスパラメータから分かる。安定温度は、それより低温では基板と成長した層との熱膨張係数の差に起因して著しい膨脹差または収縮差が生じない温度である。安定温度は典型的には室温(例えば、25℃)であるが、約400℃〜500℃の範囲内であってもよい。
基板の直径(d)は、典型的には約50〜450ミリメートルであり、基板の熱膨張係数(α)は実質的に興味のある温度範囲における温度には依存しない。基板のバルク厚さ(H)は、典型的には、直径が大きいワークピースのほど厚い。例えば、200mmの基板の厚さは概して約725ミクロン(μm)であり、300mmの基板の厚さは概して約750μmである。基板の直径の増加または基板の厚さの低減は、二乗の比例関係に起因してワークピースの反りに測定可能な影響を与える。例えば、他の全ての変数(H、Δα、ΔT)を一定に維持してワークピースを直径200mm及び厚さ725μmから直径300mm及び厚さ750μmに変えると、反りを210%増大させることができる。
ウェーハの反り及び捻れは、後続のプロセスステップ(例えば、ワークピースを室温に冷却した後のステップ)においてワークピースの歩留まりを低減させうる幾つかの問題点を呈することがある。アラインメントを実行するプロセスツールは、ウェーハを間違った方向に方向づける場合があり、ウェーハ間及び各ウェーハ内部におけるプロセスの均一性を低下させる原因になる。例えば、フォトリソグラフィーツールは、位置外れの画像を形成する場合がある。また、反り及び捻れは、フォトリソグラフィーツールがワークピース上に正しくないパターンを形成し得る焦点外れの画像を生成する原因となる場合がある。真空ハンドリングを使用する幾つかのプロセスツールは、全ての真空ポイントにおいてウェーハと接触できない場合があり、結果的にハンドリング障害が生じる。また、反りは、ダイの研磨プロセスの間にダイシングの一様性を減じる応力を発生させる可能性もある。例えば後述する歪みシリコンオンインシュレータ(SSOI)プロセスである2つのワークピースの上面に関連するプロセスでは、反りがドナー側のワークピースと受入れ側のワークピースとの弱い結合をもたらす場合がある。従って、本明細書において後述する方法は、ワークピースが直径300mmの基板に結合可能であるように、反りを好適には約50μm未満に、より好適には約25μm未満に、さらにより好適には約5μm未満に低減させる。
反り及び捻れは、複数層の堆積に起因して不都合に増大する場合がある。例えば、基板上の緩和バッファ層上への歪み活性層の堆積は、緩和バッファ層と基板との間、及び歪み活性層と緩和バッファ層との間の熱膨張係数の差に起因して歪みを、よって、反り及び捻れを生じさせる場合がある。このような複数層によって生じる反りは、式2によって数学的に記述されることが可能である。
Figure 2009545169
反り(bfn)は、基板直径(d)の基板厚さ(H)に対する割合の二乗、成長した層の成長温度と安定温度との差(ΔT)、及び、バルク基板の熱膨張係数(α)と成長したn層の各々の厚さ(Hfn)の合計との積から成長したn層の厚さ(Hfn)と成長したn層の熱膨張係数(αfn)との積の合計を減算したもの、それに反りの初期量(b)をプラスしたものに等しい。式1と比較すると、熱膨張係数の差が層の相加効果を表すために層の厚さと組み合わせて表現されている。成長した単一の層に関しては、式2が式1に帰することは認識されるであろう。実施の形態によっては、成長した複数層が上述の反り及び捻れに起因する問題点を悪化させる場合がある。
SiGe緩和バッファ層の熱膨張係数(α)は、室温に近い温度に関して式3及び式4により記述されるように、ゲルマニウム濃度xに伴って変わる。式3は、概して0%から85%までのゲルマニウム濃度(即ち、0<x<0.85)について正確であり、式4は、概して85%から100%までのゲルマニウム濃度(即ち、0.85<x<1)について正確である。これらの式が他の温度範囲では異なる場合がある点は認識されるであろう。
Figure 2009545169
Figure 2009545169
式3及び式4の式1または式2への挿入は、より高いゲルマニウム濃度が熱膨張係数の差に起因するワークピースの反りをより大きくし得ることを示す。シリコン基板の場合、他の全ての変数が一定のままであると仮定すると、基板の熱膨張係数(α)と堆積層の熱膨張係数(α)との差はゲルマニウム濃度の増大につれて大きくなる。例えば、ゲルマニウム濃度が10%であるとき、式1を適用すると熱膨張係数(α0.10)は2.86×10−6/Kになり、ゲルマニウム濃度が40%であるとき、式1を適用すると熱膨張係数(α0.40)は3.62×10−6/Kになる。従って、成長した単一の緩和SiGe層の場合、その熱膨張係数(α)と2.6×10−6/Kであるシリコン基板との熱膨張係数の差(Δα)は10%ゲルマニウムでは0.26×10−6/Kになるが、40%ゲルマニウムでは1.02×10−6/Kになり、よって、ワークピースの反り(b)の大きさはゲルマニウム濃度が10%から40%に増大すると約400%増大される。 特定の実施の形態では、緩和バッファ層の特性を変えると、ワークピースにおける反りの大きさを変えることができる。例えば、他の変数を一定に保ちながら緩和バッファ層の厚さ(H)が増大すれば、ワークピースにおける反りの大きさは増大する。シリコン基板上に堆積されるSiGe緩和バッファ層は、基板と緩和バッファ層との間の境界において、緩和バッファ層の結晶構造が基板の結晶構造に実質的に類似するに足る低さのゲルマニウム濃度を含んでもよい。ゲルマニウムの比率は、基板から緩和バッファ層の傾斜部分の上面へ至る緩和バッファ層の傾斜部分の厚さにわたって徐々に(例えば、図2A及び2Bに示すように直線的に、図2Cに示すように段階的に、図2Dに示すように曲線的に、これらの組合せで、または他の任意の適切な増加で)増大してもよい。但し、ゲルマニウムの比率の増大は、緩和バッファ層の結晶構造がその厚さ全体にわたって歪まされないほど低いものである。図2Eから図2Gは、緩和バッファ層から歪み遷移層までのゲルマニウム濃度の変化が直線的(immediate)である必要はなく、(例えば、図2E及び図2Fにおける歪み遷移層2が示すように)テーパ状であっても、また、(例えば、図2Eから図2Gにおける歪み遷移層1及び図2Gにおける歪み遷移層2が示すように)曲線状などであってもよいことを示している。先に述べたように、緩和バッファ層は、図2A〜図2Gにおいて各[Ge]で実質的に平らな濃度として描かれている非傾斜部分(例えば、約1〜3μmの範囲)を含んでもよい。
図3は、基板10と、ゲルマニウム濃度が0%〜40%まで増大する緩和バッファ層12とを備える一例のワークピースの概略部分断面図を示す。基板10は、直径が200mm、厚さが725μm、また、熱膨張係数が2.6×10−6/Kのシリコンウェーハである。緩和バッファ層12は、6.14μmの厚さ、900℃(1173K)の成長温度及び500℃(773K)の安定温度を有する。図3に示す実施の形態に式1を適用すると、反りは約75μmになる。
緩和バッファ層12が7.5μmの厚さを有していれば、式3の適用によって反りは約92μmになる。即ち、ワークピースの反りは、緩和バッファ層の厚さ(Hfn)が増大すると増大する。基板境界から緩和バッファ層の上面まで徐々に増大するゲルマニウム濃度を有する緩和バッファ層を製造するために、緩和バッファ層は通常、複数の中間のゲルマニウム濃度の結果として生じる複数の中間の結晶構造における緩和を可能にするに足る厚さを有する。例えば、Si0.6Ge0.4緩和バッファ層は、典型的にはSi0.8Ge0.2緩和バッファ層より厚く、よって、最終的な所望される(例えば、上面の)ゲルマニウム濃度への穏やかな傾斜を可能にして緩和の間に垂直に伝搬する欠陥形成を最小限に抑える。実施の形態によっては、上面に20%のゲルマニウムを含む緩和バッファ層は約3〜5μmの範囲の厚さを有する。実施の形態によっては、上面に30%のゲルマニウムを含む緩和バッファ層は約4〜6μmの範囲の厚さを有する。実施の形態によっては、上面に40%のゲルマニウムを含む緩和バッファ層は約5〜7μmの範囲の厚さを有する。実施の形態によっては、上面に60%のゲルマニウムを含む緩和バッファ層は約6〜8μmの範囲の厚さを有する。実施の形態によっては、上面に80%のゲルマニウムを含む緩和バッファ層は約7〜9μmの範囲の厚さを有する。実施の形態によっては、上面に100%のゲルマニウムを含む緩和バッファ層は約8〜10μmの範囲の厚さを有する。
実施の形態によっては、緩和バッファ層は、緩和バッファ層の傾斜部分の頂部上に堆積される実質的に一定のゲルマニウム濃度を有するシリコン及びゲルマニウムを備える非傾斜緩和バッファセグメントまたはセクションを備える。非傾斜緩和バッファセグメントは、該非傾斜セグメント層が実質的に緩和されるように、概して、緩和バッファ層の傾斜部分の上面におけるゲルマニウム濃度に一致するゲルマニウム濃度を有する。非傾斜バッファ層の厚さは、ミクロン級であってもよい。例えば、緩和バッファ層に関して先に提示した厚さは、約1〜3μmの範囲(例えば、約2μm)の非傾斜バッファセグメントを含んでもよい。
より高いゲルマニウム濃度の使用は、結晶構造がシリコンの本来の結晶構造とはさらに異なることから、緩和バッファ層の頂部上に堆積される歪み活性層をさらに望ましく歪ませることができ、これにより、歪み活性層内に形成されるデバイスの速度を増大させることができる。このように、デバイス速度の増大は緩和バッファ層におけるより高いゲルマニウム濃度を望ましく使用する場合があるが、より高いゲルマニウム濃度は、より大きい熱膨張係数の差及びより大きい緩和SiGeバッファ層の厚さの双方に起因するワークピースの反りという望ましくない結果をもたらす場合もある。また、緩和バッファ層は、後に詳述するように、緩和バッファ層が好適には分離するに足る厚さを有することから、歪み活性層を別のワークピースへ移動するプロセスではより厚くなる場合がある。好適には、緩和バッファ層の非傾斜部分は、分離するのに十分な厚さ(例えば、但し限定的でなく、少なくとも2μm)を有する。
基板10が300mmの直径及び750μmの厚さを有し、かつ緩和バッファ層12が6.14μmの厚さを有していれば、式1の適用により、反りは約158μmになる。即ち、その反りは、直径が200mmであるワークピースの反りの約210%と高くなる。半導体製造は歴史的にはますます増大する直径を有する基板を使用する傾向にあることから、ワークピースの反りに関連するこれらの問題点はますます重大となる可能性がある。例えば、基板直径が450mmまで増大し、かつ基板厚さが800μmまで増大すると、結果的に生じるワークピースの反りは、図3の構造で約312μm(即ち、直径200mmの基板の反りの417%の高さ)になる。
特定の実施の形態では、緩和バッファ層の傾斜部分内における少なくとも1つの歪み遷移層の形成は、安定温度以下に冷却した時点の基板と緩和バッファ層との熱膨張係数の差に起因するワークピースの反りを低減する、またはこれに対抗することができる。本明細書において使用している「対抗する」という用語は、拮抗しかつ反対方向へ作用することを含む、但しこれらに限定されないその最も広義な意味を与えられるものとする。即ち、歪み遷移層は反りの大きさをゼロまで減らす必要はないが、好適には、反りの大きさを最終的にワークピースがさらなる処理に適するものになるに足る値まで低減させる。実施の形態によっては、歪み遷移層は、好適には、先に述べたようにSSOIプロセスを行えるほど十分に小さい値の反りとなるまで反りに対抗する。実施の形態によっては、歪み遷移層は、約25%、50%、75%で、または如何なる大きさであれワークピースを後続処理に適するものにする大きさで反りに対抗する。歪み遷移層は、基板と同じ物質、緩和バッファ層の頂部上に堆積される歪み活性層と同じ物質、または別の物質を含んでもよい。例えば、シリコン基板上へSiGe緩和バッファ層が堆積される実施の形態では、歪み遷移層は歪みシリコンまたは別の物質を含んでもよい。歪み遷移層の数、厚さ及び配置の構成は、緩和バッファ層の全体的な厚さ及び濃度及びワークピースの直径に基づいて決定されてもよい。
再度図2Aを参照すると、ゲルマニウム濃度は、緩和バッファ層の傾斜部分の厚さにわたって[Ge]から[Ge]まで漸増する。歪み遷移層1、2(例えば、歪みシリコン)は、本開示に従って、例えば図2Bから図2Dに略示されているように緩和バッファ層の傾斜部分内に形成されることが可能である。図2Bでは、ゲルマニウム濃度は[Ge]から[Ge]まで、歪み遷移層1、2において[Ge]までの低下を有しつつ直線的に増大する。図2Cでは、ゲルマニウム濃度は[Ge]から[Ge]まで、歪み遷移層1、2において[Ge]までの低下を有しつつ段階的に増大する。図2Dでは、ゲルマニウム濃度は[Ge]から[Ge]まで、歪み遷移層1、2において[Ge]までの低下を有しつつ曲線的に増大する。所定の好適な実施の形態では、[Ge]はゼロである(即ち、緩和バッファ層と基板との間の境界に、または歪み遷移層1、2内にゲルマニウムは存在しない)が、[Ge]が非ゼロである可能性もあり、かつ歪み遷移層1、2の何れか、または双方における濃度が緩和バッファ層の初期濃度[Ge]とは異なる可能性もあることは認識されるであろう。
実施の形態によっては、歪み遷移層の底面における緩和バッファ層の傾斜部分のゲルマニウム濃度は、実質的に歪み遷移層の上面における緩和バッファ層の傾斜部分のゲルマニウム濃度と同じである。例えば、図2B及び図2Dにおいて、緩和バッファ層の傾斜部分における濃度[Ge]は、歪み遷移層1の直上及び直下で同じであり、また、緩和バッファ層の傾斜部分における濃度[Ge]は、歪み遷移層2の直上及び直下で同じである。実施の形態によっては、歪み遷移層の底面における緩和バッファ層の傾斜部分におけるゲルマニウム濃度は、歪み遷移層の上面における緩和バッファ層の傾斜部分におけるゲルマニウム濃度とは異なる。例えば、図2Cにおいて、歪み遷移層1より下の緩和バッファ層の傾斜部分における濃度[Ge]1aは、歪み遷移層1より上の緩和バッファ層の傾斜部分における濃度[Ge]1bとは異なり、また、歪み遷移層2より下の緩和バッファ層の傾斜部分における濃度[Ge]2aは、歪み遷移層2より上の緩和バッファ層の傾斜部分における濃度[Ge]2bとは異なる。図2Cにおける歪み遷移層1、2の直上及び直下のゲルマニウム濃度の差は、緩和バッファ層の傾斜部分が遷移層の両側で緩和され続けるほど小さいことは認識されるであろう。
緩和バッファ層及び歪み遷移層におけるゲルマニウム濃度は、歪み遷移層におけるゲルマニウム濃度がその歪み遷移層の上面及び底面上の緩和バッファ層の傾斜部分におけるゲルマニウム濃度より低いように(即ち、歪み遷移層が歪まされるように)任意の適切なプロフィールを有してもよい。例えば、図2B〜図2Dにおける歪み遷移層1、2の一方または双方におけるゲルマニウム濃度は、[Ge]より上または下であってもよい。
特定の実施の形態では、歪み層の数は、上面において約1%〜100%の範囲のゲルマニウム濃度を有する緩和バッファ層で約1〜11の間である。従って、シリコン対ゲルマニウム比は、約99:1〜0:100の間である。特定の実施の形態では、歪み層の数は、上面において約15%〜25%間のゲルマニウム濃度を有する緩和バッファ層で約1または2である。従って、シリコン対ゲルマニウム比は、約85:15〜75:25の間である。特定の実施の形態では、歪み遷移層の数は、緩和バッファ層の上面において約25%〜35%間のゲルマニウム濃度を有する緩和バッファ層で約2または3である。従って、シリコン対ゲルマニウム比は、約75:25〜65:35の間である。特定の実施の形態では、歪み遷移層の数は、緩和バッファ層の上面において約35%〜45%間のゲルマニウム濃度を有する緩和バッファ層で約3〜5の間である。従って、シリコン対ゲルマニウム比は、約65:35〜55:45の間である。特定の実施の形態では、歪み遷移層の数は、緩和バッファ層の上面において約45%〜55%間のゲルマニウム濃度を有する緩和バッファ層で約4〜6の間である。従って、シリコン対ゲルマニウム比は、約55:45〜45:55の間である。特定の実施の形態では、歪み遷移層の数は、緩和バッファ層の上面において約55%〜65%間のゲルマニウム濃度を有する緩和バッファ層で約5〜7の間である。従って、シリコン対ゲルマニウム比は、約45:55〜35:65の間である。特定の実施の形態では、歪み遷移層の数は、緩和バッファ層の上面において約65%〜75%間のゲルマニウム濃度を有する緩和バッファ層で約6〜8の間である。従って、シリコン対ゲルマニウム比は、約35:65〜25:75の間である。特定の実施の形態では、歪み遷移層の数は、緩和バッファ層の上面において約75%〜85%間のゲルマニウム濃度を有する緩和バッファ層で約7〜9の間である。従って、シリコン対ゲルマニウム比は、約25:75〜15:85の間である。特定の実施の形態では、歪み遷移層の数は、緩和バッファ層の上面において約85%〜95%間のゲルマニウム濃度を有する緩和バッファ層で約9〜11の間である。従って、シリコン対ゲルマニウム比は、約15:85〜5:95の間である。緩和バッファ層が他の元素を含んでいれば、シリコン対ゲルマニウム比が異なる場合があることは認識されるであろう。
歪み遷移層の数は、より大きい直径を有する基板においてより多く存在してもよい。例えば、上述の数は、200mmの直径を有するワークピースの場合に適切であってもよいが、300mmの直径を有するワークピースでは1つの歪み遷移層が追加して形成されてもよく、また、450mmの直径を有するワークピースでは2つの歪み遷移層が追加して形成されてもよい。さらに、歪み遷移層の数は、緩和バッファ層の厚さ及び/または堆積温度に基づいて選択されることも可能である。
歪み遷移層の厚さは、概して緩和バッファ層の厚さに比べて薄い。堆積に伴って、バッファ層は緩和されるが、これは、異なるゲルマニウム濃度に起因する内部格子応力の変化が漸次的であってバッファ層が堆積の間に複数の濃度変化の各々において緩和できるためである。しかしながら、遷移層は、急激な変化(例えば、[Ge]へ戻る変化)に起因する内部格子応力の差が遷移層の緩和を許容しないことから歪まされる。即ち、遷移層はそれが形成される基底の層の結晶格子を取り入れる。また、歪み遷移層の頂部上に形成されるバッファ層も、それが形成される基底の層の結晶格子を取り入れ、よってこのバッファ層も、歪み遷移層の結晶格子がその下の緩和バッファ層(例えば、[Ge])に一致することから緩和される。
SiGe緩和バッファ層における所定のゲルマニウム濃度の場合、歪みシリコン遷移層の臨界厚さは、SiGe緩和バッファ層の堆積温度の上昇と共に低減する。SiGe緩和バッファ層の所定の堆積温度の場合、歪みシリコン遷移層の臨界厚さは、SiGe緩和バッファ層におけるゲルマニウム濃度の増加と共に低減する。歪み遷移層の厚さが臨界厚さより大きいものであれば、歪み遷移層と緩和バッファ層との間の上部及び/または底部境界において欠陥が生じる場合があり、これにより緩和が誘導される。従って、高温(例えば、900℃)で高いゲルマニウム濃度を有して成長したSiGe緩和バッファ層における歪み遷移層の臨界厚さは小さい。実施の形態によっては、歪みシリコン遷移層の臨界厚さは100Å(0.01μm、10nm)未満、80Å(0.008μm、8nm)未満、50Å(0.005μm、5nm)未満、または20Å(0.002μm、2nm)未満である。実施の形態によっては、歪み遷移層の好適な厚さは、約10Å(0.001μm、1nm)〜100Å(0.01μm、10nm)の間、約40Å(0.004μm、4nm)〜90Å(0.009μm、9nm)の間、または約60Å(0.006μm、6nm)〜80Å(0.008μm、8nm)の間である。
歪み遷移層の配置も、緩和バッファ層の傾斜部分の厚さ及び濃度に依存する。特定の実施の形態では、歪み遷移層は、緩和バッファ層の傾斜部分の厚さにわたってほぼ均等に離隔されて配置される。実施の形態によっては、歪み遷移層は、緩和バッファ層の傾斜部分におけるゲルマニウム濃度に比例して変わる。特定の実施の形態では、歪み遷移層は、緩和バッファ層の傾斜部分内に可変間隔で形成される。例えば、緩和バッファ層の傾斜部分が6.14μmの厚さであれば、基板から約3.07μmに単一の歪み遷移層が配置されてもよい。別の例の場合、緩和バッファ層の傾斜部分が6.14μmの厚さであれば、4つの歪み遷移層がそれぞれ基板から約1.0μm、2.1μm、3.1μm及び3.7μmに配置されてもよい。
先に述べたように、SiGe緩和バッファ層内に堆積される歪み遷移層の臨界厚さは、部分的にゲルマニウム濃度に依存する。プロセスパラメータは、歪み遷移層の制御可能な厚さを限定し得るため、より低いゲルマニウム濃度での歪み遷移層の形成が結果的にプロセス制御を増大させることができる。所定の好適な実施の形態では、歪み遷移層は緩和バッファ層の傾斜部分の頂部に近接して配置されない。
図4は、緩和バッファ層及び歪み遷移層が約900℃(1173K)で堆積される、本発明によるワークピースの一実施の形態を示す。本ワークピースは、基板10と、ゲルマニウム濃度が基板10に隣接するところの0%から緩和バッファ層の第1の部分14の上面における20%まで線形的に増加するSiGe緩和バッファ層の第1の部分14と、歪みシリコン遷移層16と、ゲルマニウム濃度が歪み遷移層16に隣接するところの20%から緩和バッファ層の第2の部分18の上面における40%まで線形的に増加するSiGe緩和バッファ層の第2の部分18とを備える。SiGe緩和バッファ層の第1の部分14は、基板10から歪み遷移層16まで3.07μmの厚さを有する。歪み遷移層16は、40Å(0.004μm、4nm)の厚さを有する。SiGe緩和バッファ層の第2の部分18は、歪み遷移層16からSiGe緩和バッファ層の上面まで3.07μmの厚さを有する。SiGe緩和バッファ層内への歪みシリコン遷移層の包含は、ワークピースの反りの大きさを約55μmに減らす。他の構成は、ワークピースの反りの大きさを約20μm以下に減らすことができる。先に述べたように、傾斜の方法は線形的以外であることも可能である。
図5は、緩和バッファ層及び歪み遷移層が約900℃(1173K)で堆積される、本発明によるワークピースの別の実施の形態を示す。本ワークピースは、基板10と、ゲルマニウム濃度が基板10に隣接するところの0%から緩和バッファ層の第1の部分20の上面における6.5%まで線形的に増加するSiGe緩和バッファ層の第1の部分20と、第1の歪み遷移層22と、ゲルマニウム濃度が第1の歪み遷移層22に隣接するところの6.5%から緩和バッファ層の第2の部分24の上面における13.7%まで線形的に増加するSiGe緩和バッファ層の第2の部分24と、第2の歪み遷移層26と、ゲルマニウム濃度が第2の歪み遷移層26に隣接するところの13.7%から緩和バッファ層の第3の部分28の上面における20.2%まで線形的に増加するSiGe緩和バッファ層の第3の部分28と、第3の歪み遷移層30と、ゲルマニウム濃度が第3の歪み遷移層30に隣接するところの20.2%から緩和バッファ層の第4の部分32の上面における24.1%まで線形的に増加するSiGe緩和バッファ層の第4の部分32と、第4の歪み遷移層34と、ゲルマニウム濃度が第4の歪み遷移層34に隣接するところの24.1%から緩和バッファ層の第5の部分36の上面における40%まで線形的に増加するSiGe緩和バッファ層の第5の部分36と、を備える。SiGe緩和バッファ層の第1の部分20は、基板10から第1の歪み遷移層22まで1.0μmの厚さを有する。第1の歪み遷移層22は、65Å(0.0065μm、6.5nm)の厚さを有する。SiGe緩和バッファ層の第2の部分24は、第1の歪み遷移層22から第2の歪み遷移層26まで1.07μmの厚さを有する。第2の歪み遷移層26は、78Å(0.0078μm、7.8nm)の厚さを有する。SiGe緩和バッファ層の第3の部分28は、第2の歪み遷移層26から第3の歪み遷移層30まで1.02μmの厚さを有する。第3の歪み遷移層30は、73Å(0.0073μm、7.3nm)の厚さを有する。SiGe緩和バッファ層の第4の部分32は、第3の歪み遷移層30から第4の歪み遷移層34まで0.63μmの厚さを有する。第4の歪み遷移層34は、69Å(0.0069μm、6.9nm)の厚さを有する。SiGe緩和バッファ層の第5の部分36は、第4の歪み遷移層34からSiGe緩和バッファ層の上面まで2.42μmの厚さを有する。SiGe緩和バッファ層内への4つの歪みシリコン遷移層の堆積は、ワークピースの反りの大きさを約20μmに減らす。また、他の構成は、ワークピースの反りの大きさを約10μmに減らすことができる。
ある好適な実施の形態では、緩和バッファ層は、例えばアリゾナ州フェニックス所在のASM America社から市販されているEpsilon(登録商標)3000(300mmワークピース用)のようなシングルウェーハエピタキシャル堆積反応器内で成長する。より好適には、歪み遷移層を含む緩和バッファ層がエピタキシャル堆積反応器内で成長する。緩和バッファ層がSiGeを含む特定の実施の形態では、ゲルマニウム濃度は堆積パラメータを調整することによって緩和バッファ層の各部分(または「セグメント」)内で線形的に高められてもよい。例えば、堆積の温度が調整されてもよく、かつ/または、より好適にはシリコン前駆体を含む反応物質の流れが低減されても、また、ゲルマニウム前駆体を含む反応物質の流れが増大されてもよい。シリコン前駆体を含む反応物質の例には、シラン、ジシラン、トリシラン、クロロシラン及びジクロロシランが含まれるが、この限りではない。ゲルマニウム前駆体を含む反応物質の例には、ゲルマン、ジゲルマン、クロロゲルマン及びジクロロゲルマンが含まれるが、この限りではない。堆積が高温で行われ、よって先に述べたように、より高い反りが誘導される実施の形態では、塩素を含む前駆体が好適である。
緩和バッファ層がSiGeを含みかつ歪み遷移層が歪みシリコンを含む特定の実施の形態では、歪みシリコン遷移層は、エピタキシャル堆積反応器内で、ゲルマニウム前駆体を含む反応物質を流すことを停止することにより、例えば、ゲルマニウム前駆体を含む反応物質を分路して排出すること、またはゲルマニウム前駆体を含む反応物質の流れを止めることにより、インサイチュで形成されることが可能である。特定の実施の形態では、ゲルマニウム前駆体を含む反応物質を流すことを「停止」しても、例えばゲルマニウム前駆体を含む反応物質の流れが比較的弱い、またはゲルマニウム前駆体を含む反応物質のある程度の量が反応物質ライン内に留まっていることに起因して、シリコンゲルマニウムの堆積は依然として可能である。特定の実施の形態では、歪み遷移層の堆積持続時間は好適には約0.1から10秒までの間であり、より好適には約0.5から5秒までの間である。実施の形態によっては、歪み遷移層の堆積持続時間は、堆積チャンバ内でワークピースを保持する回転可能なサセプタの少なくとも1回転分(例えば、整数の回転数)である。特定の実施の形態では、例えば歪み遷移層の堆積の前後で同じ堆積パラメータを使用することにより、緩和バッファ層の傾斜部分におけるゲルマニウム濃度が、歪み遷移層の底部の近くでは、歪み遷移層の頂部の近くの緩和バッファ層の傾斜部分におけるゲルマニウム濃度と実質的に同じになる。既存の半導体処理機器を使用する歪み遷移層の堆積は、望ましいことに低い集積化コストを示し、歪み遷移層のインサイチュでの堆積は実質的に反応器のスループットに影響せず、またはワークピースのコストを増大しない。
緩和バッファ層の表面上には、歪み活性層が堆積されてもよい。図6Aは、基板10と、共に基板10からの距離に伴ってゲルマニウム濃度が高まるSiGe緩和バッファ層部分14、18と、歪みシリコン遷移層16と、歪み活性層42とを備える一例のワークピースの部分的な概略断面図を示す。SiGe緩和バッファ層部分14、18及び歪み遷移層16は合わせて、バッファ層構造体39を形成する。特定の実施の形態では、歪み活性層42は、ドナー側のワークピースから受入れ側のワークピース(または「ハンドルウェーハ」)44へ移動される。歪み活性層42が堆積された後、ドナー側のワークピースには、例えば水素(例えば、H、H )を特定の深さまで埋め込むことによって脆弱な領域が生成されることができる。図6Aは、緩和バッファ層18内の脆弱領域40を示す。しかしながら、脆弱領域はドナー側ワークピース内のどこにあってもよく、例えば限定的でなく緩和バッファ層14、歪み遷移層16及び基板10内にあってもよい。実施の形態によっては、結合に先立って歪み活性層42上へさらなる層(例えば、SiO、テトラエチルオルソシリケート(TEOS)、窒化珪素(例えば、Si)、酸窒化珪素(SiO)を含む絶縁層)(図示せず)が堆積される。歪み活性層42の堆積後、ドナー側ワークピースは、(例えば、図6Bに示すような)複合構造体を形成すべく受入れ側ワークピース44に関連づけられる(または「結合される」)ことが可能である。脆弱領域40は、複合構造体の分割を容易にするために構成される。複合構造体は、緩和バッファ層18内の脆弱領域40において分割されることが可能であり、その結果、(例えば、図6Cに示すように)緩和バッファ層18の一部を備えるドナー側ワークピースと、歪み活性層42を有する受入れ側基板44とが形成される。受入れ側基板44が受入れ側基板44上に緩和バッファ層18の幾分かを有していれば、研磨、エッチバックまたは他の適切なプロセスを使用して(例えば、図6Dに示すように)歪み活性層42のみを残してもよい。脆弱領域40は緩和バッファ層18内に存在することが好適である。それは、(例えば、第2の脆弱領域の生成後に)残りの緩和バッファ層18上へ第2の歪み活性層を堆積する実施の形態ではドナー側ワークピースを再使用できるためである。絶縁層を含む実施の形態によっては、絶縁体はSSOIデバイスの絶縁部分となるように残存する。絶縁層を含む他の実施の形態によっては、絶縁体は、脆弱領域40の形成中にワークピースの表面を保護し、そして、接着の前に除去される。脆弱領域を生成し、ドナー側ワークピースを受入れ側基板へ結合し、かつ複合構造体を分割するためのSSOIプロセスは、参照によりその全体が本明細書に取り入れられる2005年10月11日に発行された「歪み半導体物質層の移動プロセス」と題する米国特許第6,953,736号に詳述されている。
特定の実施の形態では、反り及び捻れは、歪み活性層を備えるドナー側ワークピースと受入れ側基板とを関連づけようとする際に問題を呈する。受入れ側基板における反りの量が約0μmであると仮定すると、直径300mmの基板の場合、ドナー側ワークピースにおける反りの量は好適には50μm未満であり、より好適には25μm未満、さらにより好適には5μm未満である。一例として、(図3に示すように)上面にSi0.6Ge0.4を含む6.14μmの緩和バッファ層を備えるドナー側ワークピースは約75μmの反りを有しうるが、よって、受入れ側基板との結合には不適である。本明細書に記述している実施の形態に従った、少なくとも1つの歪み遷移層の形成は、反りの大きさを有利に低減させることができ、よって、ドナー側ワークピースを受入れ側基板との結合に適するものにする。
さらに、埋込みは、概してワークピース内にワークピース表面から一定の距離まで貫通する。少なくとも1つの歪み遷移層の形成は、ワークピース内にその表面から一定の距離まで貫通する脆弱部位を生成しかつワークピースに反り及び捻れを与えない実質的により平坦である埋込みの深度の均一性に有利に影響することができる。よって歪み活性層16は、脆弱領域40周辺に埋込み種(例えば、水素)を集中させる手助けをすることが可能となり、これにより、分割後のより小さい表面粗さを導くことができる。より小さい表面粗さは、受入れ側基板44から残留SiGeを除去するように設計される後続エッチング(例えば、選択的エッチング)の効果を高めることができる。特定の実施の形態では、歪み遷移層16の位置及び埋込みエネルギーは、埋め込まれる種(例えば、水素)が歪み遷移層16の位置の周囲に集中するように選択される。
特定の実施の形態では、少なくとも1つの歪み遷移層は、例えば、限定的でなく、本明細書に記述している特定の実施の形態に従って処理されるワークピースから切断された後に集積回路内に存在する。一例として、特定の実施の形態では、集積回路は、基板と、該基板上に形成された傾斜部分を含む緩和バッファ層と、緩和バッファ層の傾斜部分内部の少なくとも1つの歪み遷移層とを備える。実施の形態によっては、例えば歪み遷移層がSSOIによって移動される場合、緩和バッファ層及び/または歪み遷移層の一部は、ワークピースのその後の処理の前に(例えば、エッチバック、研磨などによって)除去されてもよい。
従来の緩和バッファ層における欠陥は、緩和バッファ層における約10/cmから10/cmまでの間の貫通転位密度(TDD)に繋がる可能性がある。特定の実施の形態では、本明細書に記述している少なくとも1つの歪み遷移層は、緩和バッファ層の上面近くのTDDを10/cm未満に減らす手助けをする。実施の形態によっては、少なくとも1つの歪み遷移層は、緩和バッファ層の上面近くのTDDを1桁減らす(例えば、約4×10/cm未満に減らす)手助けをする。例えば、300mmのウェーハ上でSi0.8Ge0.2を含む緩和バッファ層内に3つの歪み遷移層を堆積すると、緩和バッファ層内に結果的に生じるTDDはほぼ10/cmを下回ることが可能である。別の例では、200mmのウェーハ上でSi0.8Ge0.2を含む緩和バッファ層内に2つの歪み遷移層を堆積すると、緩和バッファ層内に結果的に生じるTDDはほぼ10/cmを下回ることができる。TDDが低い緩和バッファ層を覆って堆積される歪み活性層は、歪み活性層がほぼその臨界厚さより少ない場合、実質的に同様の欠陥レベルを有するになる点は認識されるであろう。例えば、Si0.8Ge0.2を含む緩和バッファ層上へ歪み活性層を堆積しかつ300mmのウェーハ上へ3つの歪み遷移層を堆積すると、結果的に歪み活性層におけるTDDはほぼ10/cmを下回ることが可能である。別の例では、Si0.8Ge0.2を含む緩和バッファ層上へ歪み活性層を堆積しかつ200mmのウェーハ上へ2つの歪み遷移層を堆積すると、結果的に歪み活性層におけるTDDはほぼ10/cmを下回ることが可能である。従って、歪み遷移層の挿入は、ひどい悪影響をもたらすほど反り及び/または捻れのないワークピース(例えば、低ゲルマニウム濃度のワークピース)における欠陥を減少させる上でも有益である。
以上、本発明を所定の好適な実施の形態及び実施例の文脈において開示したが、当業者には、本発明が具体的に開示されている実施の形態を越えて本発明の他の代替実施の形態及び/または使用法並びにその自明な修正及び均等物まで及ぶことは理解されるであろう。さらに、本発明の幾つかの変形例を詳細に示しかつ記述したが、当業者には、この開示内容を基礎として、本発明の範囲内にある他の修正が容易に明らかとなるであろう。また、これらの実施の形態の具体的な特徴及び態様の様々な組合せまたはサブ組合せを行ってもよく、これらがやはり本発明の範囲に含まれることも意図される。開示されている実施の形態の様々な特徴及び態様は、開示されている発明の様々なモードを形成するために互いに組み合わされ得る、または置換され得ることは理解されるべきである。従って、本明細書に開示されている本発明の範囲はこれまでに記述、開示された具体的な実施の形態によって限定されるべきではなく、添付のクレームを公正に読み取ることのみによって決定されるべきであることが意図される。

Claims (70)

  1. 基板と、
    前記基板上に形成された、傾斜部分を含む緩和バッファ層と、
    前記緩和バッファ層の前記傾斜部分内部の少なくとも1つの歪み遷移層とを備える、半導体ワークピース。
  2. 少なくとも1つの前記歪み遷移層が、
    前記緩和バッファ層の熱膨張収縮係数と前記基板の熱膨張収縮係数との差分に起因する前記ワークピースの反りの大きさを低減する、請求項1記載のワークピース。
  3. 少なくとも1つの前記歪み遷移層が、
    前記緩和バッファ層の熱膨張収縮係数と前記基板の熱膨張収縮係数との差分に起因するワークピース内の応力の一部に対抗する傾向がある、請求項1記載のワークピース。
  4. 前記緩和バッファ層が、2〜10μm間の厚さを有する、請求項1記載のワークピース。
  5. 前記歪み遷移層が、1〜10nm間の厚さを有する、請求項1記載のワークピース。
  6. 前記歪み遷移層が、6〜8nm間の厚さを有する、請求項1記載のワークピース。
  7. 前記歪み遷移層が、歪みシリコンを含む、請求項1記載のワークピース。
  8. 前記歪み遷移層が、歪みシリコンゲルマニウムを含む、請求項1記載のワークピース。
  9. 前記緩和バッファ層が、シリコン及びゲルマニウムを含む、請求項1記載のワークピース。
  10. 前記緩和バッファ層内の最高ゲルマニウム濃度が、15%〜25%間である、請求項9記載のワークピース。
  11. 前記緩和バッファ層の前記傾斜部分内部に1つまたは2つの前記歪み遷移層を備える、請求項10記載のワークピース。
  12. 前記緩和バッファ層の前記傾斜部分が、
    前記基板上に形成された、前記緩和バッファ層の第1の部分と、
    前記緩和バッファ層の前記第1の部分の前記基板から遠位の表面上に形成された第1の歪み遷移層と、
    前記第1の歪み遷移層上に形成された、前記緩和バッファ層の第2の部分と、を備え、
    前記緩和バッファ層の前記第1の部分内部のゲルマニウム濃度が、前記基板から遠位の表面において前記基板に隣接する表面における濃度より高く、
    前記緩和バッファ層の前記第2の部分内部のゲルマニウム濃度が、前記第1の歪み遷移層から遠位の表面において前記第1の歪み遷移層に隣接する表面における濃度より高い、請求項10記載のワークピース。
  13. 前記緩和バッファ層の前記傾斜部分が、さらに、
    前記緩和バッファ層の前記第2の部分の、前記第1の歪み遷移層から遠位の表面上に形成される第2の歪み遷移層と、
    前記第2の歪み遷移層上に形成される前記緩和バッファ層の第3の部分と、を備え、
    前記緩和バッファ層の前記第3の部分内部のゲルマニウム濃度が、前記第2の歪み遷移層から遠位の表面において前記第2の歪み遷移層に隣接する表面における濃度より高い、請求項12記載のワークピース。
  14. 前記緩和バッファ層内の最高ゲルマニウム濃度が、25%〜35%間である、請求項9記載のワークピース。
  15. 前記緩和バッファ層の前記傾斜部分内部に2つまたは3つの歪み遷移層を備える、請求項14記載のワークピース。
  16. 前記緩和バッファ層内の最高ゲルマニウム濃度が、35%〜45%間である、請求項9記載のワークピース。
  17. 前記緩和バッファ層の前記傾斜部分内部に3つ〜5つの歪み遷移層を備える、請求項16記載のワークピース。
  18. 前記緩和バッファ層の前記傾斜部分内の少なくとも1つの前記歪み遷移層の前記基板に近位の表面におけるゲルマニウム濃度が、前記歪み遷移層の前記基板から遠位の表面におけるゲルマニウム濃度と同じである、請求項9記載のワークピース。
  19. 少なくとも1つの前記歪み遷移層が、前記緩和バッファ層の上面付近の貫通転位密度を10/cm未満に下げるように構成される、請求項1記載のワークピース。
  20. 少なくとも1つの前記歪み遷移層が、前記緩和バッファ層の上面付近の貫通転位密度を4×10/cm未満に下げるように構成される、請求項1記載のワークピース。
  21. 前記緩和バッファ層上に形成された歪み活性層をさらに備える、請求項1記載のワークピース。
  22. 前記歪み活性層が、シリコンを含む、請求項21記載のワークピース。
  23. 前記歪み活性層の上面付近の貫通転位密度が、10/cm未満である、請求項21記載のワークピース。
  24. 前記歪み活性層の上面付近の貫通転位密度が、4×10/cm未満である、請求項21記載のワークピース。
  25. 前記緩和バッファ層が、脆弱領域を備え
    前記脆弱領域が、前記ワークピースの分割を容易にするように構成される、請求項1記載のワークピース。
  26. 前記脆弱領域が、水素でドープされる、請求項25記載のワークピース。
  27. 基板と、
    前記基板上に形成された、傾斜部分を含む緩和バッファ層と、
    前記緩和バッファ層の前記傾斜部分内部の少なくとも1つの歪み遷移層とを備える集積回路。
  28. 基板と、
    前記基板上に形成された緩和バッファ層と、
    前記緩和バッファ層内部の少なくとも1つの歪み遷移層とを備え、
    少なくとも1つの前記歪み遷移層が、前記緩和バッファ層の上面付近の貫通転位密度を10/cm未満に下げるように構成される半導体ワークピース。
  29. 前記緩和バッファ層上に形成された歪み活性層をさらに備え、
    前記歪み活性層の上面付近の貫通転位密度が、10/cm未満である、請求項28記載のワークピース。
  30. 基板を準備する工程と、
    前記基板上に緩和バッファ層を堆積する工程と、
    前記緩和バッファ層を堆積する間に、前記緩和バッファ層の上面付近の貫通転位密度を10/cm未満に下げるように構成される少なくとも1つの歪み遷移層を堆積する工程と、を含む半導体ワークピースの製造方法。
  31. 前記ワークピースを冷却する工程をさらに含み、
    少なくとも1つの前記歪み遷移層が、冷却の間に、前記緩和バッファ層と前記基板との熱収縮の差分に起因するワークピースの反りの大きさを低減するように構成される、請求項30記載の方法。
  32. 前記ワークピースを冷却する工程をさらに含み、
    少なくとも1つの前記歪み遷移層が、冷却の間に、前記緩和バッファ層の熱膨張収縮係数と前記基板の熱膨張収縮係数との差分に起因するワークピース内の応力の一部に対抗する傾向がある、請求項30記載の方法。
  33. 前記緩和バッファ層を堆積する前記工程が、
    シリコン及びゲルマニウムをエピタキシャル堆積反応器内で堆積する工程を含む、請求項30記載の方法。
  34. 少なくとも1つの前記歪み遷移層を堆積する前記工程が、
    前記エピタキシャル堆積反応器内でシリコンを堆積する工程を含む、請求項33記載の方法。
  35. 少なくとも1つの前記歪み遷移層を堆積する前記工程が、
    前記エピタキシャル堆積反応器内でシリコン及びゲルマニウムを堆積する工程を含み、
    前記ゲルマニウム濃度が、少なくとも1つの前記歪み遷移層において、前記歪み遷移層に隣接する前記緩和バッファ層の表面における濃度よりも低い、請求項33記載の方法。
  36. 前記緩和バッファ層内の最高ゲルマニウム濃度が、15%〜25%間である、請求項33記載のワークピース。
  37. 前記緩和バッファ層を堆積する前記工程が、1つまたは2つの前期歪み遷移層を堆積する工程を含む、請求項36記載の方法。
  38. 前記緩和バッファ層を堆積する前記工程が、
    シリコン前駆体及びゲルマニウム前駆体を流すことによって前記緩和バッファ層の第1の部分を堆積する工程と、
    前記緩和バッファ層の前記第1の部分の堆積後、前記ゲルマニウム前駆体を流すことを停止して第1の歪み遷移層を堆積する工程と、
    前記第1の歪み遷移層の堆積後、前記ゲルマニウム前駆体を流すことを再開して前記緩和バッファ層の第2の部分を堆積する工程と、を含み、
    前記緩和バッファ層の前記第1の部分内のゲルマニウム濃度が、前記緩和バッファ層の前記第1の部分が堆積されるにつれて高くなり、
    前記緩和バッファ層の前記第2の部分内のゲルマニウム濃度が、前記緩和バッファ層の前記第2の部分が堆積されるにつれて高くなる、請求項36記載の方法。
  39. 前記緩和バッファ層を堆積する前記工程が、さらに、
    前記緩和バッファ層の前記第2の部分の堆積後、前記ゲルマニウム前駆体を流すことを停止して第2の歪み遷移層を堆積する工程と、
    前記第2の歪み遷移層の堆積後、前記ゲルマニウム前駆体を流すことを再開して前記緩和バッファ層の第3の部分を堆積する工程とを含み、
    前記緩和バッファ層の前記第3の部分内のゲルマニウム濃度が、前記緩和バッファ層の前記第3の部分が堆積されるにつれて高くなる、請求項38記載の方法。
  40. 前記緩和バッファ層内の最高ゲルマニウム濃度が、25%〜35%間である、請求項33記載のワークピース。
  41. 前記緩和バッファ層を堆積する前記工程が、2つまたは3つの前記歪み遷移層を堆積する工程を含む、請求項40記載の方法。
  42. 前記緩和バッファ層内の最高ゲルマニウム濃度が、35%〜45%間である、請求項33記載のワークピース。
  43. 前記緩和バッファ層を堆積する前記工程が、3つ〜5つの前記歪み遷移層を堆積する工程を含む、請求項40記載の方法。
  44. 少なくとも1つの前記歪み遷移層が、貫通転位密度を4×10/cm未満に下げるように構成される、請求項30記載の方法。
  45. 前記緩和バッファ層上に歪み活性層を堆積する工程をさらに含む、請求項30記載の方法。
  46. 前記歪み活性層がシリコンを含む、請求項45記載の方法。
  47. 前記歪み活性層が、10/cm未満の貫通転位密度を有する、請求項45記載の方法。
  48. 前記歪み活性層が、4×10/cm未満の貫通転位密度を有する、請求項45記載の方法。
  49. 前記歪み活性層を受入れ側基板へ移動する工程をさらに含む、請求項45記載の方法。
  50. 前記歪み活性層を受入れ側基板へ移動する前記工程が、
    前記歪み活性層の堆積後、ワークピースの分割を容易にするように構成される脆弱領域を前記緩和バッファ層内に形成する工程と、
    前記歪み活性層の堆積後、受入れ側基板を歪み活性層に関連づけて複合構造体を形成する工程と、
    前記複合構造体を、前記緩和バッファ層内の前記脆弱領域において分割する工程を含む、請求項49記載の方法。
  51. 前記緩和バッファ層内に前記脆弱領域を形成する前記工程が、水素を埋め込む工程を含む、請求項50記載の方法。
  52. 前記緩和バッファ層を堆積する前記工程が、
    少なくとも1つの前記歪み遷移層の底面付近の前記緩和バッファ層内に濃縮ゲルマニウムを堆積する工程と、
    少なくとも1つの前記歪み遷移層の上面付近の前記緩和バッファ層内に前記濃縮ゲルマニウムを堆積する工程と、を含む、請求項33記載の方法。
  53. 請求項30記載の方法により製造される集積回路。
  54. 半導体ワークピースの製造方法であって、
    基板を準備する工程と、
    シリコン前駆体及びゲルマニウム前駆体を流しながら前記緩和バッファ層の成長する第1の部分内のゲルマニウム濃度を高めることによって前記基板上に前記緩和バッファ層の前記第1の部分を堆積する工程と、
    前記緩和バッファ層の前記第1の部分の堆積後、前記ゲルマニウム前駆体を流すことを停止すると同時に前記シリコン前駆体を流し続ける工程と、
    前記ゲルマニウム前駆体を流すことを停止した後、前記ゲルマニウム前駆体を流すことを再開しかつ前記緩和バッファ層の成長する第2の部分内のゲルマニウム濃度を高めることによって前記緩和バッファ層の前記第2の部分を堆積する工程を含む製造方法。
  55. 前記緩和バッファ層の成長する前記第1の部分内の前記ゲルマニウム濃度を高める前記工程が、前記シリコン前駆体を流すことを減らす工程を含む、請求項54記載の方法。
  56. 前記緩和バッファ層の成長する前記第1の部分内の前記ゲルマニウム濃度を高める前記工程が、前記ゲルマニウム前駆体を流すことを増やす工程を含む、請求項54記載の方法。
  57. 前記ゲルマニウム前駆体を流すことを停止する持続時間が、0.1〜10秒間である、請求項54記載の方法。
  58. 前記ゲルマニウム前駆体を流すことを停止する持続時間が、0.5〜5秒間である、請求項54記載の方法。
  59. 前記ゲルマニウム前駆体を流すことを停止する持続時間が、前記ワークピースを保持する回転可能なサセプタが少なくとも1回転する時間である、請求項54記載の方法。
  60. 前記ゲルマニウム前駆体を流すことを停止する前記工程が、歪みシリコンを堆積する工程を含む、請求項54記載の方法。
  61. 堆積される前記歪みシリコンの厚さが、1〜10nm間である、請求項60記載の方法。
  62. 堆積される前記歪みシリコンの厚さが、6〜8nm間である、請求項60記載の方法。
  63. 前記ゲルマニウム前駆体を流すことを停止する前記工程が、歪みシリコンゲルマニウムを堆積する工程を含む、請求項54記載の方法。
  64. 前記緩和バッファ層上に歪み活性層を堆積する工程をさらに含む、請求項54記載の方法。
  65. 前記歪み活性層が、シリコンを含む、請求項64記載の方法。
  66. 前記歪み活性層を受入れ側基板へ移動する工程をさらに含む、請求項64記載の方法。
  67. 前記歪み活性層を前記受入れ側基板へ移動する前記工程が、
    前記歪み活性層を堆積する前に、前記ワークピースの分割を容易にするように構成される脆弱領域を前記緩和バッファ層内に生成する工程と、
    前記歪み活性層の堆積後、前記受入れ側基板を前記歪み活性層に関連づけて複合構造体を形成する工程と、
    前記複合構造体を、前記緩和バッファ層内の前記脆弱領域において分割する工程を含む、請求項66記載の方法。
  68. 前記緩和バッファ層内に前記脆弱領域を生成する前記工程が、水素を埋め込む工程を含む、請求項67記載の方法。
  69. 前記緩和バッファ層の前記第2の部分を堆積する前記工程が、前記歪み遷移層の底面に近接する前記緩和バッファ層の前記第1の部分内のゲルマニウム濃度が、前記歪み遷移層の上面に近接する前記緩和バッファ層の前記第2の部分内のゲルマニウム濃度と同じであるようにゲルマニウム前駆体を流す工程を含む、請求項54記載の方法。
  70. 請求項54記載の方法により製造される集積回路。
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