JP2020523432A - 均一に封入されたナノ粒子及びその使用 - Google Patents

均一に封入されたナノ粒子及びその使用 Download PDF

Info

Publication number
JP2020523432A
JP2020523432A JP2019566669A JP2019566669A JP2020523432A JP 2020523432 A JP2020523432 A JP 2020523432A JP 2019566669 A JP2019566669 A JP 2019566669A JP 2019566669 A JP2019566669 A JP 2019566669A JP 2020523432 A JP2020523432 A JP 2020523432A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
years
months
oxide
nanoparticles
days
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2019566669A
Other languages
English (en)
Inventor
プトミス，マーク
ダミコ，ミシェル
クンツマン，アレクシス
リン，ユ−プ
カオ，エドガー
Original Assignee
ネクスドット
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ネクスドット filed Critical ネクスドット
Publication of JP2020523432A publication Critical patent/JP2020523432A/ja
Priority to JP2023003519A priority Critical patent/JP2023055727A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/02—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/02—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor
    • C09K11/025—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor non-luminescent particle coatings or suspension media
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/06—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing organic luminescent materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/0883—Arsenides; Nitrides; Phosphides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/56—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing sulfur
    • C09K11/562—Chalcogenides
    • C09K11/565—Chalcogenides with zinc cadmium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/70—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing phosphorus
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/70—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing phosphorus
    • C09K11/701—Chalcogenides
    • C09K11/703—Chalcogenides with zinc or cadmium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/88—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing selenium, tellurium or unspecified chalcogen elements
    • C09K11/881—Chalcogenides
    • C09K11/883—Chalcogenides with zinc or cadmium
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • H01L33/504—Elements with two or more wavelength conversion materials
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/52—PV systems with concentrators

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)
  • Manufacturing Of Micro-Capsules (AREA)
  • Optical Filters (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)

Abstract

本発明は、無機材料（２）に封入され、前記無機材料（２）に均一に分散している複数のナノ粒子（３）を含む複合粒子（１）に関する。本発明はまた、発光材料、少なくとも１種の複合粒子（１）及び／又は発光材料を支持する支持体、並びに少なくとも１種の複合粒子（１）及び／又は発光材料を含む光電子装置に関する。【選択図】図１

Description

発明の分野
本発明は、無機物質に封入され、均一に分散している複数のナノ粒子を含む複合粒子に関する。特に、本発明は、蛍光複合粒子に関する。
発明の背景
全ての様々な色を表現するために、典型的には、少なくとも３つの補色、特に、赤、緑及び青の加算合成を行う。色度図において、これら３色を異なる割合で混合することによって得られる利用可能な色のサブセットは、赤、緑及び青の３色に関連付けられた３つの座標によって形成される三角形によって形成される。このサブセットは、色域と呼ばれるものを構成する。カラー表示装置の大部分は、この３色の原理に基づいて動作し、各画素は、１つの赤、１つの緑及び１つの青の３つのサブ画素からなり、強度が異なるそれらの混合物はカラフルな印象を再現することができる。
コンピュータＬＣＤ画面などの発光又はバックライト付きディスプレイは、正確な色の再現のために可能な限り広い色域を提供しなければならない。このために、構成するサブ画素は、可能な限り広い色域を説明するために、可能な限り最も飽和した色でなければならない。単色に近い場合、サブ画素は飽和色を有する。スペクトルの観点から、これは、供給源が放つ光が、単一の狭い蛍光波長バンドで構成されていることを意味する。より高飽和の影が鮮やかな強い色を有する一方で、より低飽和の影は、むしろ穏やかなグレーに見える。
したがって、その発光スペクトルが狭く、色が飽和したサブ画素を有することが重要である。
一般に「量子ドット」と呼ばれる発光性無機ナノ粒子、特に、半導体ナノ粒子は、発光材料として知られている。半導体ナノ粒子は、半値全幅が約３０ｎｍの狭い蛍光スペクトルを有し、紫外線中の単一の励起源と共に、全可視スペクトル並びに赤外で発光する可能性を提供する。発光性無機ナノ粒子、特に、半導体ナノ粒子は、現在、蛍光体として表示装置で使用されている。
しかしながら、高い光子束の下、時間及び温度における高い安定性を有する、表示装置及び照明装置で使用される材料が本当に必要とされている。加えて、ダイオード、又は発光ダイオード（ＬＥＤ）上に堆積させた場合、長期使用に高い安定性を有する材料が必要とされている。
高い長期安定性を確実するために、使用中に、ナノ粒子の表面と環境悪化種、例えば、水、酸素、又は他の有害な化合物との間のさらなる化学反応を防止しなければならない。しかしながら、量子ドットの表面を官能化するために一般に使用される配位子は、悪化種又は有害な化合物との反応に対して前記表面を効率的に保護せず、そのため、表示装置又は照明装置に要求される長期性能を可能にしない。
悪化種又は有害な化合物が前記ナノ粒子の表面に到達するのを防止するために、保護シェルでナノ粒子をコーティングすること、すなわち、別の物質にナノ粒子を封入することが知られている。シリカは、ナノ粒子のための絶縁保護材料であることが知られている。さらに、絶縁保護材料でコーティングされたナノ粒子を含む粒子は、サブ画素中の散乱体として作用することができる。これは、サブ画素の全ての部分で光源が放つ光の散乱をもたらし、次に、サブ画素が放つ光の散乱をもたらし、その結果、前記光は、全方向に放たれ得る。
例えば、米国特許第９，４２５，３６５号は、逆ミセル法を用いた、メソ多孔性シリカにナノ結晶コア及びナノ結晶シェルを含む量子ドットの封入を開示している。得られた粒子は、各々が１つの量子ドットを含むメソ多孔性シリカナノ粒子である。しかしながら、前記粒子はメソ多孔性であり、水、酸素、又は他の有害な化合物のような悪化種が量子ドット表面に近づくのを可能にする多孔性シリカネットワークを含むことを意味する。そのため、前記表面の保護は、効果がなく、時間及び温度の長期安定性を可能にしない。
Ｇｕｉらは、塩基触媒化ソルゲル法を用いた、複数のＰｂＳｅ量子ドットのシリカ粒子への封入を開示している（Ａｎａｌｙｓｔ，２０１３，１３８，５９５６）。しかしながら、前記ＰｂＳｅ量子ドットは、シリカ粒子中で凝集し、光発光量子収率が低下する。シリカ粒子は、多孔性で、水、酸素、又は他の有害な化合物のような悪化種が量子ドット表面に近づくのを可能にする。
そのため、封入により特有の粒子内で複数のナノ粒子が凝集すると、前記ナノ粒子の特性が劇的に低下する。発光ナノ粒子の場合、これは、光発光量子収率が減少する。
特許出願ＫＲ２０１３００４３４４２は、エアロゾルを用いてシリカに封入される量子ドットを開示している。しかしながら、生じる粒子は、十分に定義されておらず、凝集し、量子ドットを含むシリカマトリクス様材料をもたらす。前記材料は、サブ画素としての適用を考慮して、ホスト材料での良好な懸濁を可能にしない。
したがって、本発明の目的は、無機材料に封入され、均一に分散している複数のナノ粒子を含む複合粒子を提供することである。前記複合粒子は、以下の利点：同じ複合粒子に封入された異なるナノ粒子の特性をカップリングすること；封入されたナノ粒子の特性の低下を防ぐこと；温度、環境変動並びに水及び酸素、又は他の有害な化合物のような環境悪化種の攻撃に対する安定性の向上；発光複合粒子の場合、光源が放つ光及び前記複合粒子の励起から生じる光の散乱、光発光量子収率の向上、光退色に対する耐性の向上並びに光子束に対する耐性の向上を可能にすること、のうちの１以上を有する。
本発明は、無機材料に封入され、前記無機材料に均一に分散している複数のナノ粒子を含む複合粒子に関する。一実施形態において、複数のナノ粒子の各ナノ粒子は、その隣接ナノ粒子から平均最小距離だけ離間している。一実施形態において、平均最小距離は、少なくとも２ｎｍである。本発明は、熱伝導性材料である無機材料に封入された複数のナノ粒子を含む複合粒子に関する。一実施形態において、該無機材料は、０．１〜４５０Ｗ／（ｍ．Ｋ）の範囲の標準的な条件での熱伝導性を有する。本発明は、分子種、気体又は液体に不透過性であり、無機材料に封入された複数のナノ粒子を含む複合粒子に関する。一実施形態において、該複合粒子は、１０−１１ｃｍ２以下の流体に固有の透過性を有する。一実施形態において、該無機材料は、前記無機材料への外部分子種若しくは流体（液体若しくは気体）の拡散を制限又は防止する。一実施形態において、該ナノ粒子は発光性であり、好ましくは、該発光ナノ粒子は、半導体ナノ結晶である。一実施形態において、該半導体ナノ結晶は、式ＭｘＮｙＥｚＡｗの材料を含むコアを含み、式中、Ｍは、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｈｇ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｍｎ、Ｔｃ、Ｒｅ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｖ、Ｎｄ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｃｓ又はそれらの混合物からなる群から選択され；Ｎは、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｈｇ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｍｎ、Ｔｃ、Ｒｅ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｖ、Ｎｄ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｃｓ又はそれらの混合物からなる群から選択され；Ｅは、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｃ、Ｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、又はそれらの混合物からなる群から選択され；Ａは、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｃ、Ｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、又はそれらの混合物からなる群から選択され；ｘ、ｙ、ｚ及びｗは、独立して０〜５の１０進数であり；ｘ、ｙ、ｚ及びｗは、同時に０であることはなく；ｘ及びｙは、同時に０であることはなく；ｚ及びｗは、同時に０でなくてもよい。一実施形態において、該半導体ナノ結晶は、式ＭｘＮｙＥｚＡｗの材料を含む少なくとも１つのシェルを含み、式中、Ｍは、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｈｇ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｍｎ、Ｔｃ、Ｒｅ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｖ、Ｎｄ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｃｓ又はそれらの混合物からなる群から選択され；Ｎは、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｈｇ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｍｎ、Ｔｃ、Ｒｅ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｖ、Ｎｄ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｃｓ又はそれらの混合物からなる群から選択され；Ｅは、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｃ、Ｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、又はそれらの混合物からなる群から選択され；Ａは、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｃ、Ｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、又はそれらの混合物からなる群から選択され；ｘ、ｙ、ｚ及びｗは、独立して０〜５の１０進数であり；ｘ、ｙ、ｚ及びｗは、同時に０であることはなく；ｘ及びｙは、同時に０であることはなく；ｚ及びｗは、同時に０でなくてもよい。一実施形態において、該半導体ナノ結晶は、式ＭｘＮｙＥｚＡｗの材料を含む少なくとも１つのクラウンを含み、式中、Ｍは、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｈｇ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｍｎ、Ｔｃ、Ｒｅ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｖ、Ｎｄ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｃｓ又はそれらの混合物からなる群から選択され；Ｎは、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｈｇ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｍｎ、Ｔｃ、Ｒｅ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｖ、Ｎｄ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｃｓ又はそれらの混合物からなる群から選択され；Ｅは、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｃ、Ｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、又はそれらの混合物からなる群から選択され；Ａは、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｃ、Ｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、又はそれらの混合物からなる群から選択され；ｘ、ｙ、ｚ及びｗは、独立して０〜５の１０進数であり；ｘ、ｙ、ｚ及びｗは、同時に０であることはなく；ｘ及びｙは、同時に０であることはなく；ｚ及びｗは、同時に０でなくてもよい。一実施形態において、該半導体ナノ結晶は、半導体ナノプレートレットである。一実施形態において、該無機材料は、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化銅、酸化鉄、酸化銀、酸化鉛、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化亜鉛、酸化錫、酸化ベリリウム、酸化ジルコニウム、酸化ニオブ、酸化セリウム、酸化イリジウム、酸化スカンジウム、酸化ニッケル、酸化ナトリウム、酸化バリウム、酸化カリウム、酸化バナジウム、酸化テルル、酸化マンガン、酸化ホウ素、酸化リン、酸化ゲルマニウム、酸化オスミウム、酸化レニウム、酸化白金、酸化ヒ素、酸化タンタル、酸化リチウム、酸化ストロンチウム、酸化イットリウム、酸化ハフニウム、酸化タングステン、酸化モリブデン、酸化クロム、酸化テクネチウム、酸化ロジウム、酸化ルテニウム、酸化コバルト、酸化パラジウム、酸化カドミウム、酸化水銀、酸化タリウム、酸化ガリウム、酸化インジウム、酸化ビスマス、酸化アンチモン、酸化ポロニウム、酸化セレン、酸化セシウム、酸化ランタン、酸化プラセオジム、酸化ネオジム、酸化サマリウム、酸化ユウロピウム、酸化テルビウム、酸化ジスプロシウム、酸化エルビウム、酸化ホルミウム、酸化ツリウム、酸化イッテルビウム、酸化ルテチウム、酸化ガドリニウム、混合酸化物、それらの混合酸化物、例えば、Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２、Ｙ３Ｆｅ２（ＦｅＯ４）３、Ｙ３Ｆｅ５Ｏ１２、Ｙ４Ａｌ２Ｏ９、ＹＡｌＯ３、Ｆｅ３Ａｌ２（ＳｉＯ４）３、Ｍｇ３Ａｌ２（ＳｉＯ４）３、Ｍｎ３Ａｌ２（ＳｉＯ４）３、Ｃａ３Ｆe２（ＳｉＯ４）３、Ｃａ３Ａｌ２（ＳｉＯ４）３、Ｃａ３Ｃｒ２（ＳｉＯ４）３、Ａｌ５Ｌｕ３Ｏ１２、ＧＡＬ、ＧａＹＡＧ又はそれらの混合物などのガーネットを含むが、これらに限定されない材料を含む。本発明はまた、ホスト材料及び少なくとも１種の複合粒子を含む発光材料に関し、前記少なくとも１種の複合粒子は、ホスト材料内に分散している。一実施形態において、該ホスト材料は、無機材料、コポリマー、ブロックコポリマー、又はシリコーン系ポリマーなどのポリマー、エポキシ樹脂などの樹脂又はそれらの混合物を含む。一実施形態において、該ホスト材料は、熱伝導体である。一実施形態において、該ホスト材料は、少なくとも０．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）の標準的な条件での熱伝導性を有する。一実施形態において、該発光材料は、さらに、複数の複合粒子を含み、該複数の複合粒子は、ホスト材料に均一に分散している。本発明はまた、少なくとも１種の複合粒子又は発光材料を支持する支持体に関し、好ましくは、該支持体は、ＬＥＤチップ又はマイクロサイズ化ＬＥＤである。本発明はまた、少なくとも１種の複合粒子又は発光材料を含む光電子装置に関する。
定義
本発明において、以下の用語は、以下の意味を有する：
「コア」は、粒子内の最も内側の空間を指す。
「シェル」は、部分的に又は完全にコアをコーティングする材料の少なくとも１つの単層を指す。
「封入」は、複数のナノ粒子をコーティングするか、囲むか、埋め込むか、含有するか、含むか、覆うか、パッキングするか、又は包み込む材料を指す。
「均一に分散する」は、凝集せず、触れず、接触しておらず、かつ無機材料によって分離される粒子を指す。各ナノ粒子は、その隣接ナノ粒子から平均最小距離だけ離間している。
「コロイド」は、粒子が分散し、懸濁していて、かつ沈降しないか、又は沈降するのに非常に長い時間かかる物質であるが、前記物質に溶解しない物質を指す。
「コロイド粒子」は、別の物質、典型的には水性溶媒又は有機溶媒に分散し、懸濁しており、かつ沈降しないか、又は沈降するのに非常に長い時間がかかり、前記物質に溶解しない粒子を指す。「コロイド粒子」は、物質上で成長する粒子を指さない。
「不透過性」は、前記材料への外部分子種若しくは流体（液体若しくは気体）の拡散を制限又は防止する材料を指す。
「透過性」は、前記材料への外部分子種若しくは流体（液体若しくは気体）の拡散を可能にする材料を指す。
「外部分子種若しくは流体（液体若しくは気体）」は、外側の材料又は粒子から生じる分子種若しくは流体（液体若しくは気体）を指す。
「隣接ナノ粒子」は、前記隣接ナノ粒子間に他のナノ粒子を含まない、空間内又は体積中の隣り合わせのナノ粒子を指す。
「パッキング率」は、空間への物体の集合によって充填された体積と前記空間の体積の間の体積比を指す。用語パッキング率、パッキング密度及びパッキング係数は、本発明において交換可能である。
「充填率（ｌｏａｄｉｎｇ ｃｈａｒｇｅ）」は、空間に含まれる物体の集合の質量と前記空間の質量の間の質量比を指す。
「粒子の集団」は、同一の最大発光波長を有する粒子の統計セットを指す。
「統計セット」は、厳密に同じプロセスによって得られる少なくとも２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１５、１６、１７、１８、１９、２０、３０、４０、５０、６０、７０、８０、９０、１００、１５０、２００、２５０、３００、３５０、４００、４５０、５００、５５０、６００、６５０、７００、７５０、８００、８５０、９００、９５０、又は１０００個の物体の集合を指す。物体のそのような統計セットは、前記物体の平均的特徴、例えば、それらの平均サイズ、それらの平均粒度分布又はそれらの間の平均距離を決定することを可能にする。
「界面活性剤を含まない」とは、いかなる界面活性剤も含まない、かつ界面活性剤の使用を含む方法によって合成されなかった粒子を指す。
「光学的に透明」は、２００ｎｍ〜５０μｍ、２００ｎｍ〜１０μｍ、２００ｎｍ〜２５００ｎｍ、２００ｎｍ〜２０００ｎｍ、２００ｎｍ〜１５００ｎｍ、２００ｎｍ〜１０００ｎｍ、２００ｎｍ〜８００ｎｍ、４００ｎｍ〜７００ｎｍ、４００ｎｍ〜６００ｎｍ、又は４００ｎｍ〜４７０ｎｍの波長の光の１０％、５％、２．５％、１％、０．９９％、０．９８％、０．９７％、０．９６％、０．９５％、０．９４％、０．９３％、０．９２％、０．９１％、０．９％、０．８９％、０．８８％、０．８７％、０．８６％、０．８５％、０．８４％、０．８３％、０．８２％、０．８１％、０．８％、０．７９％、０．７８％、０．７７％、０．７６％、０．７５％、０．７４％、０．７３％、０．７２％、０．７１％、０．７％、０．６９％、０．６８％、０．６７％、０．６６％、０．６５％、０．６４％、０．６３％、０．６２％、０．６１％、０．６％、０．５９％、０．５８％、０．５７％、０．５６％、０．５５％、０．５４％、０．５３％、０．５２％、０．５１％、０．５％、０．４９％、０．４８％、０．４７％、０．４６％、０．４５％、０．４４％、０．４３％、０．４２％、０．４１％、０．４％、０．３９％、０．３８％、０．３７％、０．３６％、０．３５％、０．３４％、０．３３％、０．３２％、０．３１％、０．３％、０．２９％、０．２８％、０．２７％、０．２６％、０．２５％、０．２４％、０．２３％、０．２２％、０．２１％、０．２％、０．１９％、０．１８％、０．１７％、０．１６％、０．１５％、０．１４％、０．１３％、０．１２％、０．１１％、０．１％、０．０９％、０．０８％、０．０７％、０．０６％、０．０５％、０．０４％、０．０３％、０．０２％、０．０１％、０．００９％、０．００８％、０．００７％、０．００６％、０．００５％、０．００４％、０．００３％、０．００２％、０．００１％、０．０００９％、０．０００８％、０．０００７％、０．０００６％、０．０００５％、０．０００４％、０．０００３％、０．０００２％、０．０００１％、又は０％未満を吸収する材料を指す。
「粗さ」は、粒子の表面状態を指す。表面の凹凸は、粒子の表面に存在することができ、平均粒子表面に関する相対的位置に応じて、ピーク又は空洞として定義される。全ての前記凹凸は、粒子の粗さを構成している。前記粗さは、表面上の最高ピークと最も深い空洞の間の高さの差として定義される。粒子の表面は、前記表面上に凹凸がない場合に滑らかであり、すなわち、粗さは、前記粒子の最大寸法の０％、０．０００１％、０．０００２％、０．０００３％、０．０００４％、０．０００５％、０．０００６％、０．０００７％、０．０００８％、０．０００９％、０．００１％、０．００２％、０．００３％、０．００４％、０．００５％、０．００６％、０．００７％、０．００８％、０．００９％、０．０１％、０．０２％、０．０３％、０．０４％、０．０５％、０．０６％、０．０７％、０．０８％、０．０９％、０．１％、０．１１％、０．１２％、０．１３％、０．１４％、０．１５％、０．１６％、０．１７％、０．１８％、０．１９％、０．２％、０．２１％、０．２２％、０．２３％、０．２４％、０．２５％、０．２６％、０．２７％、０．２８％、０．２９％、０．３％、０．３１％、０．３２％、０．３３％、０．３４％、０．３５％、０．３６％、０．３７％、０．３８％、０．３９％、０．４％、０．４１％、０．４２％、０．４３％、０．４４％、０．４５％、０．４６％、０．４７％、０．４８％、０．４９％、０．５％、１％、１．５％、２％、２．５％、３％、３．５％、４％、４．５％、又は５％に等しい。
「多分散」は、サイズ差が２０％以上である多様なサイズの粒子又は液滴を指す。
「単分散」は、サイズ差が２０％、１５％、１０％、好ましくは、５％よりも劣っている粒子又は液滴を指す。
「狭い粒度分布」は、平均サイズの１％、２％、３％、４％、５％、６％、７％、８％、９％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、又は４０％未満の粒子の統計セットの粒度分布を指す。
「部分的」は、不完全を意味する。配位子交換の場合には、部分的は、粒子の表面で配位子の５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％が正常に交換されたことを意味する。
用語「膜」、「層」又は「シート」は、本発明において交換可能である。
「ナノプレートレット」は、前記ナノプレートレットの最小寸法が、前記ナノプレートレットの最大寸法よりも少なくとも１．５、少なくとも２、少なくとも２．５、少なくとも３、少なくとも３．５、少なくとも４、少なくとも４．５、少なくとも５、少なくとも５．５、少なくとも６、少なくとも６．５、少なくとも７、少なくとも７．５、少なくとも８、少なくとも８．５、少なくとも９、少なくとも９．５又は少なくとも１０倍（縦横比）小さい２Ｄ形状のナノ粒子を指す。
「酸素を含まない」は、酸素分子Ｏ２を含まない製剤、溶液、膜、又は組成物を指し、すなわち、酸素分子は、重量で約１０ｐｐｍ、５ｐｐｍ、４ｐｐｍ、３ｐｐｍ、２ｐｐｍ、１ｐｐｍ、５００ｐｐｂ、３００ｐｐｂ未満の量又は約１００ｐｐｂ未満の量で前記製剤、溶液、膜、又は組成物中に存在し得る。
「水を含まない」は、水分子Ｈ２Ｏを含まない製剤、溶液、膜、又は組成物を指し、すなわち、水分子は、重量で約１００ｐｐｍ、５０ｐｐｍ、１０ｐｐｍ、５ｐｐｍ、４ｐｐｍ、３ｐｐｍ、２ｐｐｍ、１ｐｐｍ、５００ｐｐｂ、３００ｐｐｂ未満の量又は約１００ｐｐｂ未満の量で前記製剤、溶液、膜、又は組成物中に存在し得る。
「画素ピッチ」は、画素の中心から次の画素の中心までの距離を指す。
「曲率」は、半径の逆数を指す。
「ＲＯＨＳ準拠」は、電気及び電子機器における特定の有害物質の使用の制限に関する、欧州議会の指令２０１１／６５／ＥＵ及び２０１１年６月８日の協議会の指令に準拠した材料を指す。
「水性溶媒」は、前記水性溶媒に含有される他の化学種に対してモル比換算で、及び／又は質量換算で、及び／又は体積換算で、水が主な化学種である特有な相溶剤として定義される。水性溶媒には、水、水と混和性の有機溶媒、例えば、メタノール、エタノール、アセトン、テトラヒドロフラン、ｎ−メチルホルムアミド、ｎ，ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド又はそれらの混合物と混合された水が含まれるが、これに限定されない。
「蒸気」は、気体状態の物質を指し、前記物質は、標準的な圧力条件及び温度条件で液体又は固体状態にある。
「反応蒸気」は、気体状態の物質を指し、前記物質は、標準的な圧力条件及び温度条件で液体又は固体状態にあり、それと共に、化学反応が別の化学種の存在下で生じ得る。
「気体」は、標準的な圧力条件及び温度条件で気体の状態の物質を指す。
「標準的な条件」は、温度及び圧力の標準的な条件、すなわち、それぞれ２７３．１５Ｋ及び１０５Ｐａを指す。
「二次光」は、励起に応答して材料が放つ光を指す。前記励起は、一般に光源によって提供され、すなわち励起は入射光である。例えば、二次光は、前記複合粒子に含まれるナノ粒子の励起に応答して複合粒子、発光材料又は色変換層が放つ光を指す。
「生じる光」は、二次光の入射光及び放射による励起後に、材料によって供給される光を指す。例えば、生じる光は、複合粒子、発光材料又は色変換層によって供給される光を指し、入射光及び二次光の一部の組み合わせである。
「表示装置」は、画像信号を表示する装置又は器具を指す。表示装置又は表示器具は、限定されないが、ＬＣＤディスプレイ、テレビ、プロジェクター、コンピューターモニター、パーソナルデジタルアシスタント、携帯電話、ラップトップコンピューター、タブレットＰＣ、ＭＰ３プレーヤー、ＣＤプレーヤー、ＤＶＤプレーヤー、ブルーレイプレーヤー、ヘッドマウントディスプレイ、ガラス、ヘルメット、ヘッドギア、ヘッドウエア、スマートウォッチ、ウォッチフォン又はスマート装置などの、画像、連続する写真又はビデオを表示する全ての装置を含む。
「アルキル」は、１〜１２個の炭素原子、好ましくは、１〜６個の炭素原子を有する任意の飽和直鎖状又は分枝状炭化水素鎖、及びより好ましくは、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、ｓｅｃ−ブチル、イソブチル及びｔｅｒｔ−ブチルを指す。アルキル基は、飽和又は不飽和のアリール基で置換され得る。
接尾辞「エン」（「アルキレン」）が、アルキル基と組み合わせて使用される場合、これは、他の基への結合点として２つの単結合を有すると本明細書で定義されるアルキル基を意味することが意図される。用語「アルキレン」には、メチレン、エチレン、メチルメチレン、プロピレン、エチルエチレン、及び１，２−ジメチルエチレンが含まれる。
「アルケニル」は、２〜１２個の炭素原子、好ましくは、２〜６個の炭素原子の少なくとも１つの二重結合を有する任意の直鎖状又は分枝状炭化水素鎖を指す。アルケニル基は置換され得る。アルケニル基の例としては、エテニル、２−プロペニル、２−ブテニル、３−ブテニル、２−ペンテニル及びその異性体、２−ヘキセニル及びその異性体、並びに２，４−ペンタジエニルなどが挙げられる。アルケニル基は、飽和又は不飽和のアリール基で置換され得る。
「アルキニル」は、２〜１２個の炭素原子、及び、好ましくは２〜６個の炭素原子の少なくとも１つの３重結合を有する任意の直鎖状又は分枝状炭化水素鎖を指す。
用語「アルケニレン」は、他の基への結合点として２つの単結合を有する上記で定義したアルケニル基を意味する。
「アリール」は、フェニル基、ビフェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、テトラヒドロナフチル基、インダニル基及びビナフチル基を挙げることが可能であるもののうち、１以上の芳香環（２個の環が存在する場合には、それはビアリールと呼ばれる）を有する５〜２０、好ましくは、６〜１２個の炭素原子の単環系又は多環系を指す。用語アリールはまた、酸素、窒素又は硫黄原子から選択される少なくとも１個のヘテロ原子を含む任意の芳香環を意味する。アリール基は、ヒドロキシル基、１、２、３、４、５又は６個の炭素原子を含む直鎖若しくは分岐状アルキル基、特に、メチル、エチル、プロピル、ブチル、アルコキシ基又はハロゲン原子、特に、臭素、塩素及びヨウ素、ニトロ基、シアノ基、アジド基、アルデヒド基、ボロネート基、フェニル、ＣＦ３、メチレンジオキシ、エチレンジオキシ、ＳＯ２ＮＲＲ’、ＮＲＲ’、ＣＯＯＲ（Ｒ及びＲ’は、それぞれ独立して、Ｈ及びアルキルからなる群から選択される）のうち、互いに独立して選択される１〜３個の置換基により置換することができ、第２のアリール基は上記のように置換され得る。アリールの非限定的な例には、フェニル、ビフェニリル、ビフェニレニル、５−テトラリニル又は６−テトラリニル、ナフタレン１−イル又はナフタレン−２−イル、４−インデニル、５−インデニル、６−インデニル又は７−インデニル、１−アセナフチレニル、２−アセナフチレニル、３−アセナフチレニル、４−アセナフチレニル又は５−アセナフチレニル、３−アセナフテニル、４−アセナフテニル又は５−アセナフテニル、１−ペンタレニル又は２−ペンタレニル、４−インダニル又は５−インダニル、５−テトラヒドロナフチル、６−テトラヒドロナフチル、７−テトラヒドロナフチル又は８−テトラヒドロナフチル、１，２，３、４−テトラヒドロナフチル、１，４−ジヒドロナフチル、１−ピレニル、２−ピレニル、３−ピレニル、４−ピレニル又は５−ピレニルが含まれる。
本明細書で使用する用語「アリーレン」は、フェニレン、ビフェニリレン、ナフチレン、インデニレン、ペンタレニレン、及びアズレニレンなどの二価の炭素環式芳香環系を含むことが意図される。
「環」は、飽和、部分不飽和又は不飽和の環式基を指す。
「複素環」は、少なくともヘテロ原子上に含む飽和、部分的不飽和又は不飽和の環状基を指す。
「ハロゲン」は、フルオロ、クロロ、ブロモ、又はヨードを意味する。好ましいハロ基は、フルオロ及びクロロである。
「アルコキシ」は、任意のＯ−アルキル基、好ましくは、アルキル基が１〜６個の炭素原子を有するＯ−アルキル基を指す。
「アリールオキシ」は、任意のＯ−アリール基を指す。
「アリールアルキル」は、例えば、フェニルメチル基などのアリール基で置換されたアルキル基を指す。
「アリールアルコキシ」は、アリール基で置換されたアルコキシ基を指す。
「アミン」は、１個以上の水素原子が有機基で置換された、アンモニアＮＨ３に由来する任意の基を指す。
「アジド」は−Ｎ３基を指す。
「酸性官能基」は、−ＣＯＯＨ基を指す。
「活性化酸性官能基」は、−ＯＨが良好な脱離基で置き換えられている酸性官能基を指す。
「活性化アルコール官能基」は、良好な脱離基になるように修飾されたアルコール官能基を指す。
詳細な説明
以下の詳細な説明は、図面と併せて読むと、より良く理解される。図の説明の目的のために、該粒子は、好ましい実施形態で示されている。しかしながら、適用が、示される正確な配置、構造、特徴、実施形態、及び態様に限定されないことを理解されたい。図面は縮尺通りに描かれておらず、特許請求の範囲を描写される実施形態に限定することを意図しない。したがって、添付の特許請求の範囲に述べられた特徴に参照符号が続く場合、そのような符号は、単に、特許請求の範囲の理解度を高める目的のために含まれ、決して特許請求の範囲を限定するものでないことを理解されたい。
本発明の第一の目的は、無機材料２に封入された複数のナノ粒子３を含む複合粒子１に関し、複数のナノ粒子３は、前記無機材料２に均一に分散している（図１に示されるとおり）。
無機材料２内での複数のナノ粒子３の均一な分散は、前記ナノ粒子３の凝集を防止し、それによって、その特性の分解を防止する。例えば、無機蛍光ナノ粒子の場合、均一な分散は、前記ナノ粒子の光学特性が保存されるのを可能にし、消光を避けることができる。
選択される無機材料２に依存してＲＯＨＳ要件に容易に準拠することができるので、本発明の複合粒子１も特に興味深い。次いで、ＲＯＨＳ準拠粒子を有する一方で、それ自体、ＲＯＨＳに準拠し得ないナノ粒子３の特性を保持することが可能である。
一実施形態によれば、複合粒子１は、空気処理可能である。この実施形態は、特に、前記複合粒子１の操作又は輸送に、かつ光電子装置などの装置における前記複合粒子１の使用に都合がよい。
一実施形態によれば、複合粒子１は、標準的なリソグラフィープロセスに適合する。この実施形態は、特に、光電子装置などの装置における前記複合粒子１の使用に都合がよい。一実施形態によれば、複合粒子１は、少なくとも５ｎｍ、１０ｎｍ、２０ｎｍ、３０ｎｍ、４０ｎｍ、５０ｎｍ、６０ｎｍ、７０ｎｍ、８０ｎｍ、１００ｎｍ、１１０ｎｍ、１２０ｎｍ、１３０ｎｍ、１４０ｎｍ、１５０ｎｍ、１６０ｎｍ、１７０ｎｍ、１８０ｎｍ、１９０ｎｍ、２００ｎｍ、２１０ｎｍ、２２０ｎｍ、２３０ｎｍ、２４０ｎｍ、２５０ｎｍ、２６０ｎｍ、２７０ｎｍ、２８０ｎｍ、２９０ｎｍ、３００ｎｍ、３５０ｎｍ、４００ｎｍ、４５０ｎｍ、５００ｎｍ、５５０ｎｍ、６００ｎｍ、６５０ｎｍ、７００ｎｍ、７５０ｎｍ、８００ｎｍ、８５０ｎｍ、９００ｎｍ、９５０ｎｍ、１μｍ、１．５μｍ、２．５μｍ、３μｍ、３．５μｍ、４μｍ、４．５μｍ、５μｍ、５．５μｍ、６μｍ、６．５μｍ、７μｍ、７．５μｍ、８μｍ、８．５μｍ、９μｍ、９．５μｍ、１０μｍ、１０．５μｍ、１１μｍ、１１．５μｍ、１２μｍ、１２．５μｍ、１３μｍ、１３．５μｍ、１４μｍ、１４．５μｍ、１５μｍ、１５．５μｍ、１６μｍ、１６．５μｍ、１７μｍ、１７．５μｍ、１８μｍ、１８．５μｍ、１９μｍ、１９．５μｍ、２０μｍ、２０．５μｍ、２１μｍ、２１．５μｍ、２２μｍ、２２．５μｍ、２３μｍ、２３．５μｍ、２４μｍ、２４．５μｍ、２５μｍ、２５．５μｍ、２６μｍ、２６．５μｍ、２７μｍ、２７．５μｍ、２８μｍ、２８．５μｍ、２９μｍ、２９．５μｍ、３０μｍ、３０．５μｍ、３１μｍ、３１．５μｍ、３２μｍ、３２．５μｍ、３３μｍ、３３．５μｍ、３４μｍ、３４．５μｍ、３５μｍ、３５．５μｍ、３６μｍ、３６．５μｍ、３７μｍ、３７．５μｍ、３８μｍ、３８．５μｍ、３９μｍ、３９．５μｍ、４０μｍ、４０．５μｍ、４１μｍ、４１．５μｍ、４２μｍ、４２．５μｍ、４３μｍ、４３．５μｍ、４４μｍ、４４．５μｍ、４５μｍ、４５．５μｍ、４６μｍ、４６．５μｍ、４７μｍ、４７．５μｍ、４８μｍ、４８．５μｍ、４９μｍ、４９．５μｍ、５０μｍ、５０．５μｍ、５１μｍ、５１．５μｍ、５２μｍ、５２．５μｍ、５３μｍ、５３．５μｍ、５４μｍ、５４．５μｍ、５５μｍ、５５．５μｍ、５６μｍ、５６．５μｍ、５７μｍ、５７．５μｍ、５８μｍ、５８．５μｍ、５９μｍ、５９．５μｍ、６０μｍ、６０．５μｍ、６１μｍ、６１．５μｍ、６２μｍ、６２．５μｍ、６３μｍ、６３．５μｍ、６４μｍ、６４．５μｍ、６５μｍ、６５．５μｍ、６６μｍ、６６．５μｍ、６７μｍ、６７．５μｍ、６８μｍ、６８．５μｍ、６９μｍ、６９．５μｍ、７０μｍ、７０．５μｍ、７１μｍ、７１．５μｍ、７２μｍ、７２．５μｍ、７３μｍ、７３．５μｍ、７４μｍ、７４．５μｍ、７５μｍ、７５．５μｍ、７６μｍ、７６．５μｍ、７７μｍ、７７．５μｍ、７８μｍ、７８．５μｍ、７９μｍ、７９．５μｍ、８０μｍ、８０．５μｍ、８１μｍ、８１．５μｍ、８２μｍ、８２．５μｍ、８３μｍ、８３．５μｍ、８４μｍ、８４．５μｍ、８５μｍ、８５．５μｍ、８６μｍ、８６．５μｍ、８７μｍ、８７．５μｍ、８８μｍ、８８．５μｍ、８９μｍ、８９．５μｍ、９０μｍ、９０．５μｍ、９１μｍ、９１．５μｍ、９２μｍ、９２．５μｍ、９３μｍ、９３．５μｍ、９４μｍ、９４．５μｍ、９５μｍ、９５．５μｍ、９６μｍ、９６．５μｍ、９７μｍ、９７．５μｍ、９８μｍ、９８．５μｍ、９９μｍ、９９．５μｍ、１００μｍ、２００μｍ、２５０μｍ、３００μｍ、３５０μｍ、４００μｍ、４５０μｍ、５００μｍ、５５０μｍ、６００μｍ、６５０μｍ、７００μｍ、７５０μｍ、８００μｍ、８５０μｍ、９００μｍ、９５０μｍ、又は１ｍｍの最大寸法を有する。
一実施形態によれば、複合粒子１は、少なくとも５ｎｍ、１０ｎｍ、２０ｎｍ、３０ｎｍ、４０ｎｍ、５０ｎｍ、６０ｎｍ、７０ｎｍ、８０ｎｍ、１００ｎｍ、１１０ｎｍ、１２０ｎｍ、１３０ｎｍ、１４０ｎｍ、１５０ｎｍ、１６０ｎｍ、１７０ｎｍ、１８０ｎｍ、１９０ｎｍ、２００ｎｍ、２１０ｎｍ、２２０ｎｍ、２３０ｎｍ、２４０ｎｍ、２５０ｎｍ、２６０ｎｍ、２７０ｎｍ、２８０ｎｍ、２９０ｎｍ、３００ｎｍ、３５０ｎｍ、４００ｎｍ、４５０ｎｍ、５００ｎｍ、５５０ｎｍ、６００ｎｍ、６５０ｎｍ、７００ｎｍ、７５０ｎｍ、８００ｎｍ、８５０ｎｍ、９００ｎｍ、９５０ｎｍ、１μｍ、１．５μｍ、２．５μｍ、３μｍ、３．５μｍ、４μｍ、４．５μｍ、５μｍ、５．５μｍ、６μｍ、６．５μｍ、７μｍ、７．５μｍ、８μｍ、８．５μｍ、９μｍ、９．５μｍ、１０μｍ、１０．５μｍ、１１μｍ、１１．５μｍ、１２μｍ、１２．５μｍ、１３μｍ、１３．５μｍ、１４μｍ、１４．５μｍ、１５μｍ、１５．５μｍ、１６μｍ、１６．５μｍ、１７μｍ、１７．５μｍ、１８μｍ、１８．５μｍ、１９μｍ、１９．５μｍ、２０μｍ、２０．５μｍ、２１μｍ、２１．５μｍ、２２μｍ、２２．５μｍ、２３μｍ、２３．５μｍ、２４μｍ、２４．５μｍ、２５μｍ、２５．５μｍ、２６μｍ、２６．５μｍ、２７μｍ、２７．５μｍ、２８μｍ、２８．５μｍ、２９μｍ、２９．５μｍ、３０μｍ、３０．５μｍ、３１μｍ、３１．５μｍ、３２μｍ、３２．５μｍ、３３μｍ、３３．５μｍ、３４μｍ、３４．５μｍ、３５μｍ、３５．５μｍ、３６μｍ、３６．５μｍ、３７μｍ、３７．５μｍ、３８μｍ、３８．５μｍ、３９μｍ、３９．５μｍ、４０μｍ、４０．５μｍ、４１μｍ、４１．５μｍ、４２μｍ、４２．５μｍ、４３μｍ、４３．５μｍ、４４μｍ、４４．５μｍ、４５μｍ、４５．５μｍ、４６μｍ、４６．５μｍ、４７μｍ、４７．５μｍ、４８μｍ、４８．５μｍ、４９μｍ、４９．５μｍ、５０μｍ、５０．５μｍ、５１μｍ、５１．５μｍ、５２μｍ、５２．５μｍ、５３μｍ、５３．５μｍ、５４μｍ、５４．５μｍ、５５μｍ、５５．５μｍ、５６μｍ、５６．５μｍ、５７μｍ、５７．５μｍ、５８μｍ、５８．５μｍ、５９μｍ、５９．５μｍ、６０μｍ、６０．５μｍ、６１μｍ、６１．５μｍ、６２μｍ、６２．５μｍ、６３μｍ、６３．５μｍ、６４μｍ、６４．５μｍ、６５μｍ、６５．５μｍ、６６μｍ、６６．５μｍ、６７μｍ、６７．５μｍ、６８μｍ、６８．５μｍ、６９μｍ、６９．５μｍ、７０μｍ、７０．５μｍ、７１μｍ、７１．５μｍ、７２μｍ、７２．５μｍ、７３μｍ、７３．５μｍ、７４μｍ、７４．５μｍ、７５μｍ、７５．５μｍ、７６μｍ、７６．５μｍ、７７μｍ、７７．５μｍ、７８μｍ、７８．５μｍ、７９μｍ、７９．５μｍ、８０μｍ、８０．５μｍ、８１μｍ、８１．５μｍ、８２μｍ、８２．５μｍ、８３μｍ、８３．５μｍ、８４μｍ、８４．５μｍ、８５μｍ、８５．５μｍ、８６μｍ、８６．５μｍ、８７μｍ、８７．５μｍ、８８μｍ、８８．５μｍ、８９μｍ、８９．５μｍ、９０μｍ、９０．５μｍ、９１μｍ、９１．５μｍ、９２μｍ、９２．５μｍ、９３μｍ、９３．５μｍ、９４μｍ、９４．５μｍ、９５μｍ、９５．５μｍ、９６μｍ、９６．５μｍ、９７μｍ、９７．５μｍ、９８μｍ、９８．５μｍ、９９μｍ、９９．５μｍ、１００μｍ、２００μｍ、２５０μｍ、３００μｍ、３５０μｍ、４００μｍ、４５０μｍ、５００μｍ、５５０μｍ、６００μｍ、６５０μｍ、７００μｍ、７５０μｍ、８００μｍ、８５０μｍ、９００μｍ、９５０μｍ、又は１ｍｍの最小寸法を有する。
一実施形態によれば、複合粒子１とナノ粒子３のサイズ比は、１．２５〜１０００、好ましくは、２〜５００、より好ましくは、５〜２５０、さらにより好ましくは、５〜１００の範囲である。
一実施形態によれば、複合粒子１の最小寸法は、前記複合粒子１の最大寸法よりも少なくとも１．５、少なくとも２、少なくとも２．５、少なくとも３、少なくとも３．５、少なくとも４、少なくとも４．５、少なくとも５、少なくとも５．５、少なくとも６、少なくとも６．５、少なくとも７、少なくとも７．５、少なくとも８、少なくとも８．５、少なくとも９、少なくとも９．５、少なくとも１０、少なくとも１０．５、少なくとも１１、少なくとも１１．５、少なくとも１２、少なくとも１２．５、少なくとも１３、少なくとも１３．５、少なくとも１４、少なくとも１４．５、少なくとも１５、少なくとも１５．５、少なくとも１６、少なくとも１６．５、少なくとも１７、少なくとも１７．５、少なくとも１８、少なくとも１８．５、少なくとも１９、少なくとも１９．５、少なくとも２０、少なくとも２５、少なくとも３０、少なくとも３５、少なくとも４０、少なくとも４５、少なくとも５０、少なくとも５５、少なくとも６０、少なくとも６５、少なくとも７０、少なくとも７５、少なくとも８０、少なくとも８５、少なくとも９０、少なくとも９５、少なくとも１００、少なくとも１５０、少なくとも２００、少なくとも２５０、少なくとも３００、少なくとも３５０、少なくとも４００、少なくとも４５０、少なくとも５００、少なくとも５５０、少なくとも６００、少なくとも６５０、少なくとも７００、少なくとも７５０、少なくとも８００、少なくとも８５０、少なくとも９００、少なくとも９５０、又は少なくとも１０００倍（縦横比）小さい。
一実施形態によれば、複合粒子１は、少なくとも５ｎｍ、１０ｎｍ、２０ｎｍ、３０ｎｍ、４０ｎｍ、５０ｎｍ、６０ｎｍ、７０ｎｍ、８０ｎｍ、１００ｎｍ、１１０ｎｍ、１２０ｎｍ、１３０ｎｍ、１４０ｎｍ、１５０ｎｍ、１６０ｎｍ、１７０ｎｍ、１８０ｎｍ、１９０ｎｍ、２００ｎｍ、２１０ｎｍ、２２０ｎｍ、２３０ｎｍ、２４０ｎｍ、２５０ｎｍ、２６０ｎｍ、２７０ｎｍ、２８０ｎｍ、２９０ｎｍ、３００ｎｍ、３５０ｎｍ、４００ｎｍ、４５０ｎｍ、５００ｎｍ、５５０ｎｍ、６００ｎｍ、６５０ｎｍ、７００ｎｍ、７５０ｎｍ、８００ｎｍ、８５０ｎｍ、９００ｎｍ、９５０ｎｍ、１μｍ、１．５μｍ、２．５μｍ、３μｍ、３．５μｍ、４μｍ、４．５μｍ、５μｍ、５．５μｍ、６μｍ、６．５μｍ、７μｍ、７．５μｍ、８μｍ、８．５μｍ、９μｍ、９．５μｍ、１０μｍ、１０．５μｍ、１１μｍ、１１．５μｍ、１２μｍ、１２．５μｍ、１３μｍ、１３．５μｍ、１４μｍ、１４．５μｍ、１５μｍ、１５．５μｍ、１６μｍ、１６．５μｍ、１７μｍ、１７．５μｍ、１８μｍ、１８．５μｍ、１９μｍ、１９．５μｍ、２０μｍ、２０．５μｍ、２１μｍ、２１．５μｍ、２２μｍ、２２．５μｍ、２３μｍ、２３．５μｍ、２４μｍ、２４．５μｍ、２５μｍ、２５．５μｍ、２６μｍ、２６．５μｍ、２７μｍ、２７．５μｍ、２８μｍ、２８．５μｍ、２９μｍ、２９．５μｍ、３０μｍ、３０．５μｍ、３１μｍ、３１．５μｍ、３２μｍ、３２．５μｍ、３３μｍ、３３．５μｍ、３４μｍ、３４．５μｍ、３５μｍ、３５．５μｍ、３６μｍ、３６．５μｍ、３７μｍ、３７．５μｍ、３８μｍ、３８．５μｍ、３９μｍ、３９．５μｍ、４０μｍ、４０．５μｍ、４１μｍ、４１．５μｍ、４２μｍ、４２．５μｍ、４３μｍ、４３．５μｍ、４４μｍ、４４．５μｍ、４５μｍ、４５．５μｍ、４６μｍ、４６．５μｍ、４７μｍ、４７．５μｍ、４８μｍ、４８．５μｍ、４９μｍ、４９．５μｍ、５０μｍ、５０．５μｍ、５１μｍ、５１．５μｍ、５２μｍ、５２．５μｍ、５３μｍ、５３．５μｍ、５４μｍ、５４．５μｍ、５５μｍ、５５．５μｍ、５６μｍ、５６．５μｍ、５７μｍ、５７．５μｍ、５８μｍ、５８．５μｍ、５９μｍ、５９．５μｍ、６０μｍ、６０．５μｍ、６１μｍ、６１．５μｍ、６２μｍ、６２．５μｍ、６３μｍ、６３．５μｍ、６４μｍ、６４．５μｍ、６５μｍ、６５．５μｍ、６６μｍ、６６．５μｍ、６７μｍ、６７．５μｍ、６８μｍ、６８．５μｍ、６９μｍ、６９．５μｍ、７０μｍ、７０．５μｍ、７１μｍ、７１．５μｍ、７２μｍ、７２．５μｍ、７３μｍ、７３．５μｍ、７４μｍ、７４．５μｍ、７５μｍ、７５．５μｍ、７６μｍ、７６．５μｍ、７７μｍ、７７．５μｍ、７８μｍ、７８．５μｍ、７９μｍ、７９．５μｍ、８０μｍ、８０．５μｍ、８１μｍ、８１．５μｍ、８２μｍ、８２．５μｍ、８３μｍ、８３．５μｍ、８４μｍ、８４．５μｍ、８５μｍ、８５．５μｍ、８６μｍ、８６．５μｍ、８７μｍ、８７．５μｍ、８８μｍ、８８．５μｍ、８９μｍ、８９．５μｍ、９０μｍ、９０．５μｍ、９１μｍ、９１．５μｍ、９２μｍ、９２．５μｍ、９３μｍ、９３．５μｍ、９４μｍ、９４．５μｍ、９５μｍ、９５．５μｍ、９６μｍ、９６．５μｍ、９７μｍ、９７．５μｍ、９８μｍ、９８．５μｍ、９９μｍ、９９．５μｍ、１００μｍ、２００μｍ、２５０μｍ、３００μｍ、３５０μｍ、４００μｍ、４５０μｍ、５００μｍ、５５０μｍ、６００μｍ、６５０μｍ、７００μｍ、７５０μｍ、８００μｍ、８５０μｍ、９００μｍ、９５０μｍ、又は１ｍｍの平均サイズを有する。
１μｍ未満の平均サイズを有する複合粒子１は、同じ数のナノ粒子３を含むより大きい粒子と比較して、いくつかの利点：ｉ）より大きな粒子と比較して光散乱を増加させること；ｉｉ）それらが溶媒に分散している場合、より大きな粒子と比較してより安定なコロイド懸濁液が得られること；ｉｉｉ）少なくとも１００ｎｍの画素に適合するサイズを有すること、を有する。
１μｍより大きな平均サイズを有する複合粒子１は、同じ数のナノ粒子３を含むより小さな粒子と比較していくつかの利点：ｉ）より小さな粒子と比較して光散乱を低減すること；ｉｉ）ウィスパリングギャラリー波モード（ｗｈｉｓｐｅｒｉｎｇ−ｇａｌｌｅｒｙ ｗａｖｅ ｍｏｄｅ）を有すること；ｉｉｉ）１μｍ以上の画素に適合するサイズを有すること；ｉｖ）前記複合粒子１に含まれるナノ粒子３の間の平均距離を増加させ、より良好な熱放散をもたらすこと；ｖ）前記複合粒子１に含まれるナノ粒子３と前記複合粒子１の表面の間の平均距離を増加させ、ひいては、酸化に対してナノ粒子３をより良好に保護するか、又は前記複合粒子１の外側空間由来の化学種との化学反応から生じる酸化を遅延させること；ｖｉ）より小さな複合粒子１と比較して、複合粒子１と前記複合粒子１中に含まれるナノ粒子３の間の質量比を増加させ、ひいては、ＲＯＨＳ規格の対象となる化学元素の質量濃度を低下させ、ＲＯＨＳ要件に適合するのをより容易にすること、を有する
一実施形態によれば、複合粒子１は、ＲＯＨＳに準拠している。
一実施形態によれば、複合粒子１は、カドミウムを重量で１０ｐｐｍ未満、２０ｐｐｍ未満、３０ｐｐｍ未満、４０ｐｐｍ未満、５０ｐｐｍ未満、１００ｐｐｍ未満、１５０ｐｐｍ未満、２００ｐｐｍ未満、２５０ｐｐｍ未満、３００ｐｐｍ未満、３５０ｐｐｍ未満、４００ｐｐｍ未満、４５０ｐｐｍ未満、５００ｐｐｍ未満、５５０ｐｐｍ未満、６００ｐｐｍ未満、６５０ｐｐｍ未満、７００ｐｐｍ未満、７５０ｐｐｍ未満、８００ｐｐｍ未満、８５０ｐｐｍ未満、９００ｐｐｍ未満、９５０ｐｐｍ未満、１０００ｐｐｍ未満含む。
一実施形態によれば、複合粒子１は、鉛を重量で１０ｐｐｍ未満、２０ｐｐｍ未満、３０ｐｐｍ未満、４０ｐｐｍ未満、５０ｐｐｍ未満、１００ｐｐｍ未満、１５０ｐｐｍ未満、２００ｐｐｍ未満、２５０ｐｐｍ未満、３００ｐｐｍ未満、３５０ｐｐｍ未満、４００ｐｐｍ未満、４５０ｐｐｍ未満、５００ｐｐｍ未満、５５０ｐｐｍ未満、６００ｐｐｍ未満、６５０ｐｐｍ未満、７００ｐｐｍ未満、７５０ｐｐｍ未満、８００ｐｐｍ未満、８５０ｐｐｍ未満、９００ｐｐｍ未満、９５０ｐｐｍ未満、１０００ｐｐｍ未満、２０００ｐｐｍ未満、３０００ｐｐｍ未満、４０００ｐｐｍ未満、５０００ｐｐｍ未満、６０００ｐｐｍ未満、７０００ｐｐｍ未満、８０００ｐｐｍ未満、９０００ｐｐｍ未満、１００００ｐｐｍ未満含む。
一実施形態によれば、複合粒子１は、水銀を重量で１０ｐｐｍ未満、２０ｐｐｍ未満、３０ｐｐｍ未満、４０ｐｐｍ未満、５０ｐｐｍ未満、１００ｐｐｍ未満、１５０ｐｐｍ未満、２００ｐｐｍ未満、２５０ｐｐｍ未満、３００ｐｐｍ未満、３５０ｐｐｍ未満、４００ｐｐｍ未満、４５０ｐｐｍ未満、５００ｐｐｍ未満、５５０ｐｐｍ未満、６００ｐｐｍ未満、６５０ｐｐｍ未満、７００ｐｐｍ未満、７５０ｐｐｍ未満、８００ｐｐｍ未満、８５０ｐｐｍ未満、９００ｐｐｍ未満、９５０ｐｐｍ未満、１０００ｐｐｍ未満、２０００ｐｐｍ未満、３０００ｐｐｍ未満、４０００ｐｐｍ未満、５０００ｐｐｍ未満、６０００ｐｐｍ未満、７０００ｐｐｍ未満、８０００ｐｐｍ未満、９０００ｐｐｍ未満、１００００ｐｐｍ未満含む。
一実施形態によれば、複合粒子１は、無機材料２に存在する主な化学元素より重い化学元素を含む。この実施形態において、複合粒子１中の前記重い化学元素は、ＲＯＨＳ規格に従って化学元素の質量濃度を下げ、前記複合粒子１がＲＯＨＳに準拠するのを可能にする。
一実施形態によれば、重い化学元素の例には、Ｂ、Ｃ、Ｎ、Ｆ、Ｎａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｐ、Ｓ、Ｃｌ、Ｋ、Ｃａ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ａｓ、Ｓｅ、Ｂｒ、Ｒｂ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｉ、Ｃｓ、Ｂａ、Ｌａ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｈｇ、Ｔｌ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｐｏ、Ａｔ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ又はそれらの混合物が含まれるが、これらに限定されない。
一実施形態によれば、複合粒子１は、少なくとも２００μｍ−１、１００μｍ−１、６６．６μｍ−１、５０μｍ−１、３３．３μｍ−１、２８．６μｍ−１、２５μｍ−１、２０μｍ−１、１８．２μｍ−１、１６．７μｍ−１、１５．４μｍ−１、１４．３μｍ−１、１３．３μｍ−１、１２．５μｍ−１、１１．８μｍ−１、１１．１μｍ−１、１０．５μｍ−１、１０μｍ−１、９．５μｍ−１、９．１μｍ−１、８．７μｍ−１、８．３μｍ−１、８μｍ−１、７．７μｍ−１、７．４μｍ−１、７．１μｍ−１、６．９μｍ−１、６．７μｍ−１、５．７μｍ−１、５μｍ−１、４．４μｍ−１、４μｍ−１、３．６μｍ−１、３．３μｍ−１、３．１μｍ−１、２．９μｍ−１、２．７μｍ−１、２．５μｍ−１、２．４μｍ−１、２．２μｍ−１、２．１μｍ−１、２μｍ−１、１．３３３３μｍ−１、０．８μｍ−１、０．６６６６μｍ−１、０．５７１４μｍ−１、０．５μｍ−１、０．４４４４μｍ−１、０．４μｍ−１、０．３６３６μｍ−１、０．３３３３μｍ−１、０．３０８０μｍ−１、０．２８５７μｍ−１、０．２６６７μｍ−１、０．２５μｍ−１、０．２３５３μｍ−１、０．２２２２μｍ−１、０．２１０５μｍ−１、０．２μｍ−１、０．１９０５μｍ−１、０．１８１８μｍ−１、０．１７３９μｍ−１、０．１６６７μｍ−１、０．１６μｍ−１、０．１５３８μｍ−１、０．１４８１μｍ−１、０．１４２９μｍ−１、０．１３７９μｍ−１、０．１３３３μｍ−１、０．１２９０μｍ−１、０．１２５μｍ−１、０．１２１２μｍ−１、０．１１７６μｍ−１、０．１１７６μｍ−１、０．１１４３μｍ−１、０．１１１１μｍ−１、０．１８８１μｍ−１、０．１０５３μｍ−１、０．１０２６μｍ−１、０．１μｍ−１、０．０９７６μｍ−１、０．９５２４μｍ−１、０．０９３０μｍ−１、０．０９０９μｍ−１、０．０８８９μｍ−１、０．８７０μｍ−１、０．０８５１μｍ−１、０．０８３３μｍ−１、０．０８１６μｍ−１、０．０８μｍ−１、０．０７８４μｍ−１、０．０７６９μｍ−１、０．０７５５μｍ−１、０．０７４１μｍ−１、０．０７２７μｍ−１、０．０７１４μｍ−１、０．０７０２μｍ−１、０．０６９０μｍ−１、０．０６７８μｍ−１、０．０６６７μｍ−１、０．０６５６μｍ−１、０．０６４５μｍ−１、０．０６３５μｍ−１、０．０６２５μｍ−１、０．０６１５μｍ−１、０．０６０６μｍ−１、０．０５９７μｍ−１、０．０５８８μｍ−１、０．０５８０μｍ−１、０．０５７１μｍ−１、０．０５６３μｍ−１、０．０５５６μｍ−１、０．０５４８μｍ−１、０．０５４１μｍ−１、０．０５３３μｍ−１、０．０５２６μｍ−１、０．０５１９μｍ−１、０．０５１３μｍ−１、０．０５０６μｍ−１、０．０５μｍ−１、０．０４９４μｍ−１、０．０４８８μｍ−１、０．０４８２μｍ−１、０．０４７６μｍ−１、０．０４７１μｍ−１、０．０４６５μｍ−１、０．０４６０μｍ−１、０．０４５５μｍ−１、０．０４５０μｍ−１、０．０４４４μｍ−１、０．０４４０μｍ−１、０．０４３５μｍ−１、０．０４３０μｍ−１、０．０４２６μｍ−１、０．０４２１μｍ−１、０．０４１７μｍ−１、０．０４１２μｍ−１、０．０４０８μｍ−１、０．０４０４μｍ−１、０．０４μｍ−１、０．０３９６μｍ−１、０．０３９２μｍ−１、０．０３８８μｍ−１、０．０３８５μｍ−１、０．０３８１μｍ−１、０．０３７７μｍ−１、０．０３７４μｍ−１、０．０３７μｍ−１、０．０３６７μｍ−１、０．０３６４μｍ−１、０．０３６０μｍ−１、０．０３５７μｍ−１、０．０３５４μｍ−１、０．０３５１μｍ−１、０．０３４８μｍ−１、０．０３４５μｍ−１、０．０３４２μｍ−１、０．０３３９μｍ−１、０．０３３６μｍ−１、０．０３３３μｍ−１、０．０３３１μｍ−１、０．０３２８μｍ−１、０．０３２５μｍ−１、０．０３２３μｍ−１、０．０３２μｍ−１、０．０３１７μｍ−１、０．０３１５μｍ−１、０．０３１２μｍ−１、０．０３１μｍ−１、０．０３０８μｍ−１、０．０３０５μｍ−１、０．０３０３μｍ−１、０．０３０１μｍ−１、０．０３μｍ−１、０．０２９９μｍ−１、０．０２９６μｍ−１、０．０２９４μｍ−１、０．０２９２μｍ−１、０．０２９μｍ−１、０．０２８８μｍ−１、０．０２８６μｍ−１、０．０２８４μｍ−１、０．０２８２μｍ−１、０．０２８μｍ−１、０．０２７８μｍ−１、０．０２７６μｍ−１、０．０２７４μｍ−１、０．０２７２μｍ−１、０．０２７０μｍ−１、０．０２６８μｍ−１、０．０２６６７μｍ−１、０．０２６５μｍ−１、０．０２６３μｍ−１、０．０２６１μｍ−１、０．０２６μｍ−１、０．０２５８μｍ−１、０．０２５６μｍ−１、０．０２５５μｍ−１、０．０２５３μｍ−１、０．０２５２μｍ−１、０．０２５μｍ−１、０．０２４８μｍ−１、０．０２４７μｍ−１、０．０２４５μｍ−１、０．０２４４μｍ−１、０．０２４２μｍ−１、０．０２４１μｍ−１、０．０２４μｍ−１、０．０２３８μｍ−１、０．０２３７μｍ−１、０．０２３５μｍ−１、０．０２３４μｍ−１、０．０２３３μｍ−１、０．２３１μｍ−１、０．０２３μｍ−１、０．０２２９μｍ−１、０．０２２７μｍ−１、０．０２２６μｍ−１、０．０２２５μｍ−１、０．０２２３μｍ−１、０．０２２２μｍ−１、０．０２２１μｍ−１、０．０２２μｍ−１、０．０２１９μｍ−１、０．０２１７μｍ−１、０．０２１６μｍ−１、０．０２１５μｍ−１、０．０２１４μｍ−１、０．０２１３μｍ−１、０．０２１２μｍ−１、０．０２１１μｍ−１、０．０２１μｍ−１、０．０２０９μｍ−１、０．０２０８μｍ−１、０．０２０７μｍ−１、０．０２０６μｍ−１、０．０２０５μｍ−１、０．０２０４μｍ−１、０．０２０３μｍ−１、０．０２０２μｍ−１、０．０２０１μｍ−１、０．０２μｍ−１、又は０．００２μｍ−１の最小曲率を有する。
一実施形態によれば、複合粒子１は、少なくとも２００μｍ−１、１００μｍ−１、６６．６μｍ−１、５０μｍ−１、３３．３μｍ−１、２８．６μｍ−１、２５μｍ−１、２０μｍ−１、１８．２μｍ−１、１６．７μｍ−１、１５．４μｍ−１、１４．３μｍ−１、１３．３μｍ−１、１２．５μｍ−１、１１．８μｍ−１、１１．１μｍ−１、１０．５μｍ−１、１０μｍ−１、９．５μｍ−１、９．１μｍ−１、８．７μｍ−１、８．３μｍ−１、８μｍ−１、７．７μｍ−１、７．４μｍ−１、７．１μｍ−１、６．９μｍ−１、６．７μｍ−１、５．７μｍ−１、５μｍ−１、４．４μｍ−１、４μｍ−１、３．６μｍ−１、３．３μｍ−１、３．１μｍ−１、２．９μｍ−１、２．７μｍ−１、２．５μｍ−１、２．４μｍ−１、２．２μｍ−１、２．１μｍ−１、２μｍ−１、１．３３３３μｍ−１、０．８μｍ−１、０．６６６６μｍ−１、０．５７１４μｍ−１、０．５μｍ−１、０．４４４４μｍ−１、０．４μｍ−１、０．３６３６μｍ−１、０．３３３３μｍ−１、０．３０８０μｍ−１、０．２８５７μｍ−１、０．２６６７μｍ−１、０．２５μｍ−１、０．２３５３μｍ−１、０．２２２２μｍ−１、０．２１０５μｍ−１、０．２μｍ−１、０．１９０５μｍ−１、０．１８１８μｍ−１、０．１７３９μｍ−１、０．１６６７μｍ−１、０．１６μｍ−１、０．１５３８μｍ−１、０．１４８１μｍ−１、０．１４２９μｍ−１、０．１３７９μｍ−１、０．１３３３μｍ−１、０．１２９０μｍ−１、０．１２５μｍ−１、０．１２１２μｍ−１、０．１１７６μｍ−１、０．１１７６μｍ−１、０．１１４３μｍ−１、０．１１１１μｍ−１、０．１８８１μｍ−１、０．１０５３μｍ−１、０．１０２６μｍ−１、０．１μｍ−１、０．０９７６μｍ−１、０．９５２４μｍ−１、０．０９３０μｍ−１、０．０９０９μｍ−１、０．０８８９μｍ−１、０．８７０μｍ−１、０．０８５１μｍ−１、０．０８３３μｍ−１、０．０８１６μｍ−１、０．０８μｍ−１、０．０７８４μｍ−１、０．０７６９μｍ−１、０．０７５５μｍ−１、０．０７４１μｍ−１、０．０７２７μｍ−１、０．０７１４μｍ−１、０．０７０２μｍ−１、０．０６９０μｍ−１、０．０６７８μｍ−１、０．０６６７μｍ−１、０．０６５６μｍ−１、０．０６４５μｍ−１、０．０６３５μｍ−１、０．０６２５μｍ−１、０．０６１５μｍ−１、０．０６０６μｍ−１、０．０５９７μｍ−１、０．０５８８μｍ−１、０．０５８０μｍ−１、０．０５７１μｍ−１、０．０５６３μｍ−１、０．０５５６μｍ−１、０．０５４８μｍ−１、０．０５４１μｍ−１、０．０５３３μｍ−１、０．０５２６μｍ−１、０．０５１９μｍ−１、０．０５１３μｍ−１、０．０５０６μｍ−１、０．０５μｍ−１、０．０４９４μｍ−１、０．０４８８μｍ−１、０．０４８２μｍ−１、０．０４７６μｍ−１、０．０４７１μｍ−１、０．０４６５μｍ−１、０．０４６０μｍ−１、０．０４５５μｍ−１、０．０４５０μｍ−１、０．０４４４μｍ−１、０．０４４０μｍ−１、０．０４３５μｍ−１、０．０４３０μｍ−１、０．０４２６μｍ−１、０．０４２１μｍ−１、０．０４１７μｍ−１、０．０４１２μｍ−１、０．０４０８μｍ−１、０．０４０４μｍ−１、０．０４μｍ−１、０．０３９６μｍ−１、０．０３９２μｍ−１、０．０３８８μｍ−１、０．０３８５μｍ−１、０．０３８１μｍ−１、０．０３７７μｍ−１、０．０３７４μｍ−１、０．０３７μｍ−１、０．０３６７μｍ−１、０．０３６４μｍ−１、０．０３６０μｍ−１、０．０３５７μｍ−１、０．０３５４μｍ−１、０．０３５１μｍ−１、０．０３４８μｍ−１、０．０３４５μｍ−１、０．０３４２μｍ−１、０．０３３９μｍ−１、０．０３３６μｍ−１、０．０３３３μｍ−１、０．０３３１μｍ−１、０．０３２８μｍ−１、０．０３２５μｍ−１、０．０３２３μｍ−１、０．０３２μｍ−１、０．０３１７μｍ−１、０．０３１５μｍ−１、０．０３１２μｍ−１、０．０３１μｍ−１、０．０３０８μｍ−１、０．０３０５μｍ−１、０．０３０３μｍ−１、０．０３０１μｍ−１、０．０３μｍ−１、０．０２９９μｍ−１、０．０２９６μｍ−１、０．０２９４μｍ−１、０．０２９２μｍ−１、０．０２９μｍ−１、０．０２８８μｍ−１、０．０２８６μｍ−１、０．０２８４μｍ−１、０．０２８２μｍ−１、０．０２８μｍ−１、０．０２７８μｍ−１、０．０２７６μｍ−１、０．０２７４μｍ−１、０．０２７２μｍ−１、０．０２７０μｍ−１、０．０２６８μｍ−１、０．０２６６７μｍ−１、０．０２６５μｍ−１、０．０２６３μｍ−１、０．０２６１μｍ−１、０．０２６μｍ−１、０．０２５８μｍ−１、０．０２５６μｍ−１、０．０２５５μｍ−１、０．０２５３μｍ−１、０．０２５２μｍ−１、０．０２５μｍ−１、０．０２４８μｍ−１、０．０２４７μｍ−１、０．０２４５μｍ−１、０．０２４４μｍ−１、０．０２４２μｍ−１、０．０２４１μｍ−１、０．０２４μｍ−１、０．０２３８μｍ−１、０．０２３７μｍ−１、０．０２３５μｍ−１、０．０２３４μｍ−１、０．０２３３μｍ−１、０．２３１μｍ−１、０．０２３μｍ−１、０．０２２９μｍ−１、０．０２２７μｍ−１、０．０２２６μｍ−１、０．０２２５μｍ−１、０．０２２３μｍ−１、０．０２２２μｍ−１、０．０２２１μｍ−１、０．０２２μｍ−１、０．０２１９μｍ−１、０．０２１７μｍ−１、０．０２１６μｍ−１、０．０２１５μｍ−１、０．０２１４μｍ−１、０．０２１３μｍ−１、０．０２１２μｍ−１、０．０２１１μｍ−１、０．０２１μｍ−１、０．０２０９μｍ−１、０．０２０８μｍ−１、０．０２０７μｍ−１、０．０２０６μｍ−１、０．０２０５μｍ−１、０．０２０４μｍ−１、０．０２０３μｍ−１、０．０２０２μｍ−１、０．０２０１μｍ−１、０．０２μｍ−１、又は０．００２μｍ−１の最大曲率を有する。
一実施形態によれば、複合粒子１は、多分散である。
一実施形態によれば、複合粒子１は、単分散である。
一実施形態によれば、複合粒子１は、狭い粒度分布を有する。
一実施形態によれば、複合粒子１は、凝集していない。
一実施形態によれば、複合粒子１の表面の粗さは、前記複合粒子１の最大寸法の０％、０．０００１％、０．０００２％、０．０００３％、０．０００４％、０．０００５％、０．０００６％、０．０００７％、０．０００８％、０．０００９％、０．００１％、０．００２％、０．００３％、０．００４％、０．００５％、０．００６％、０．００７％、０．００８％、０．００９％、０．０１％、０．０２％、０．０３％、０．０４％、０．０５％、０．０６％、０．０７％、０．０８％、０．０９％、０．１％、０．１１％、０．１２％、０．１３％、０．１４％、０．１５％、０．１６％、０．１７％、０．１８％、０．１９％、０．２％、０．２１％、０．２２％、０．２３％、０．２４％、０．２５％、０．２６％、０．２７％、０．２８％、０．２９％、０．３％、０．３１％、０．３２％、０．３３％、０．３４％、０．３５％、０．３６％、０．３７％、０．３８％、０．３９％、０．４％、０．４１％、０．４２％、０．４３％、０．４４％、０．４５％、０．４６％、０．４７％、０．４８％、０．４９％、０．５％、１％、１．５％、２％、２．５％、３％、３．５％、４％、４．５％、又は５％以下であり、前記複合粒子１の表面が完全に滑らかであることを意味する。
一実施形態によれば、複合粒子１の表面の粗さは、前記複合粒子１の最大寸法の０．５％以下であり、前記複合粒子１の表面が完全に滑らかであることを意味する。
一実施形態によれば、複合粒子１は、球形、卵形、円盤形、円筒形、ファセット形状、六角形状、三角形状、立方体形状、又はプレートレット形状を有する。
一実施形態によれば、複合粒子１は、ラズベリー形状、プリズム形状、多面体形状、雪片形状、花の形状、とげの形状、半球形、円錐形、ウニの形状、繊維状の形状、両凹円板状の形状、虫の形状、木の形状、樹状突起の形状、ネックレスの形状、鎖の形状、又は低木の形状を有する。
一実施形態によれば、複合粒子１は球形を有するか、又は複合粒子１はビーズである。
一実施形態によれば、複合粒子１は中空であり、すなわち、複合粒子１は中空ビーズである。
一実施形態によれば、複合粒子１は、コア／シェル構造を有していない。
一実施形態によれば、複合粒子１は、以下に記載のコア／シェル構造を有する。
一実施形態によれば、複合粒子１は、繊維ではない。
一実施形態によれば、複合粒子１は、不定形状のマトリクスではない。
一実施形態によれば、複合粒子１は、肉眼で見えるガラス片ではない。この実施形態において、ガラス片は、例えば、切断することによってより大きなガラス実体から得られるガラス、又は型を使用して得られたガラスを指す。一実施形態において、ガラス片は、１ｍｍを超える少なくとも１つの寸法を有する。
一実施形態によれば、複合粒子１は、無機材料２のサイズを低下させることによって得られない。例えば、複合粒子１は、無機材料２片を粉砕することによっても、それを切断することによっても、粒子、原子若しくは電子のような発射体と共にそれを焼成することによっても、又は任意の他の方法によっても得られない。
一実施形態によれば、複合粒子１は、より大きな粒子を製粉するか、又は粉末を噴霧することによって得られない。
一実施形態によれば、複合粒子１は、ナノ粒子３がドープされたナノメートルの細孔ガラス片ではない。
一実施形態によれば、複合粒子１は、ガラスモノリスではない。
一実施形態によれば、球状複合粒子１は、少なくとも５ｎｍ、１０ｎｍ、２０ｎｍ、３０ｎｍ、４０ｎｍ、５０ｎｍ、６０ｎｍ、７０ｎｍ、８０ｎｍ、１００ｎｍ、１１０ｎｍ、１２０ｎｍ、１３０ｎｍ、１４０ｎｍ、１５０ｎｍ、１６０ｎｍ、１７０ｎｍ、１８０ｎｍ、１９０ｎｍ、２００ｎｍ、２１０ｎｍ、２２０ｎｍ、２３０ｎｍ、２４０ｎｍ、２５０ｎｍ、２６０ｎｍ、２７０ｎｍ、２８０ｎｍ、２９０ｎｍ、３００ｎｍ、３５０ｎｍ、４００ｎｍ、４５０ｎｍ、５００ｎｍ、５５０ｎｍ、６００ｎｍ、６５０ｎｍ、７００ｎｍ、７５０ｎｍ、８００ｎｍ、８５０ｎｍ、９００ｎｍ、９５０ｎｍ、１μｍ、１．５μｍ、２．５μｍ、３μｍ、３．５μｍ、４μｍ、４．５μｍ、５μｍ、５．５μｍ、６μｍ、６．５μｍ、７μｍ、７．５μｍ、８μｍ、８．５μｍ、９μｍ、９．５μｍ、１０μｍ、１０．５μｍ、１１μｍ、１１．５μｍ、１２μｍ、１２．５μｍ、１３μｍ、１３．５μｍ、１４μｍ、１４．５μｍ、１５μｍ、１５．５μｍ、１６μｍ、１６．５μｍ、１７μｍ、１７．５μｍ、１８μｍ、１８．５μｍ、１９μｍ、１９．５μｍ、２０μｍ、２０．５μｍ、２１μｍ、２１．５μｍ、２２μｍ、２２．５μｍ、２３μｍ、２３．５μｍ、２４μｍ、２４．５μｍ、２５μｍ、２５．５μｍ、２６μｍ、２６．５μｍ、２７μｍ、２７．５μｍ、２８μｍ、２８．５μｍ、２９μｍ、２９．５μｍ、３０μｍ、３０．５μｍ、３１μｍ、３１．５μｍ、３２μｍ、３２．５μｍ、３３μｍ、３３．５μｍ、３４μｍ、３４．５μｍ、３５μｍ、３５．５μｍ、３６μｍ、３６．５μｍ、３７μｍ、３７．５μｍ、３８μｍ、３８．５μｍ、３９μｍ、３９．５μｍ、４０μｍ、４０．５μｍ、４１μｍ、４１．５μｍ、４２μｍ、４２．５μｍ、４３μｍ、４３．５μｍ、４４μｍ、４４．５μｍ、４５μｍ、４５．５μｍ、４６μｍ、４６．５μｍ、４７μｍ、４７．５μｍ、４８μｍ、４８．５μｍ、４９μｍ、４９．５μｍ、５０μｍ、５０．５μｍ、５１μｍ、５１．５μｍ、５２μｍ、５２．５μｍ、５３μｍ、５３．５μｍ、５４μｍ、５４．５μｍ、５５μｍ、５５．５μｍ、５６μｍ、５６．５μｍ、５７μｍ、５７．５μｍ、５８μｍ、５８．５μｍ、５９μｍ、５９．５μｍ、６０μｍ、６０．５μｍ、６１μｍ、６１．５μｍ、６２μｍ、６２．５μｍ、６３μｍ、６３．５μｍ、６４μｍ、６４．５μｍ、６５μｍ、６５．５μｍ、６６μｍ、６６．５μｍ、６７μｍ、６７．５μｍ、６８μｍ、６８．５μｍ、６９μｍ、６９．５μｍ、７０μｍ、７０．５μｍ、７１μｍ、７１．５μｍ、７２μｍ、７２．５μｍ、７３μｍ、７３．５μｍ、７４μｍ、７４．５μｍ、７５μｍ、７５．５μｍ、７６μｍ、７６．５μｍ、７７μｍ、７７．５μｍ、７８μｍ、７８．５μｍ、７９μｍ、７９．５μｍ、８０μｍ、８０．５μｍ、８１μｍ、８１．５μｍ、８２μｍ、８２．５μｍ、８３μｍ、８３．５μｍ、８４μｍ、８４．５μｍ、８５μｍ、８５．５μｍ、８６μｍ、８６．５μｍ、８７μｍ、８７．５μｍ、８８μｍ、８８．５μｍ、８９μｍ、８９．５μｍ、９０μｍ、９０．５μｍ、９１μｍ、９１．５μｍ、９２μｍ、９２．５μｍ、９３μｍ、９３．５μｍ、９４μｍ、９４．５μｍ、９５μｍ、９５．５μｍ、９６μｍ、９６．５μｍ、９７μｍ、９７．５μｍ、９８μｍ、９８．５μｍ、９９μｍ、９９．５μｍ、１００μｍ、２００μｍ、２５０μｍ、３００μｍ、３５０μｍ、４００μｍ、４５０μｍ、５００μｍ、５５０μｍ、６００μｍ、６５０μｍ、７００μｍ、７５０μｍ、８００μｍ、８５０μｍ、９００μｍ、９５０μｍ、又は１ｍｍの直径を有する。
一実施形態によれば、球状複合粒子１の統計セットは、少なくとも５ｎｍ、１０ｎｍ、２０ｎｍ、３０ｎｍ、４０ｎｍ、５０ｎｍ、６０ｎｍ、７０ｎｍ、８０ｎｍ、１００ｎｍ、１１０ｎｍ、１２０ｎｍ、１３０ｎｍ、１４０ｎｍ、１５０ｎｍ、１６０ｎｍ、１７０ｎｍ、１８０ｎｍ、１９０ｎｍ、２００ｎｍ、２１０ｎｍ、２２０ｎｍ、２３０ｎｍ、２４０ｎｍ、２５０ｎｍ、２６０ｎｍ、２７０ｎｍ、２８０ｎｍ、２９０ｎｍ、３００ｎｍ、３５０ｎｍ、４００ｎｍ、４５０ｎｍ、５００ｎｍ、５５０ｎｍ、６００ｎｍ、６５０ｎｍ、７００ｎｍ、７５０ｎｍ、８００ｎｍ、８５０ｎｍ、９００ｎｍ、９５０ｎｍ、１μｍ、１．５μｍ、２．５μｍ、３μｍ、３．５μｍ、４μｍ、４．５μｍ、５μｍ、５．５μｍ、６μｍ、６．５μｍ、７μｍ、７．５μｍ、８μｍ、８．５μｍ、９μｍ、９．５μｍ、１０μｍ、１０．５μｍ、１１μｍ、１１．５μｍ、１２μｍ、１２．５μｍ、１３μｍ、１３．５μｍ、１４μｍ、１４．５μｍ、１５μｍ、１５．５μｍ、１６μｍ、１６．５μｍ、１７μｍ、１７．５μｍ、１８μｍ、１８．５μｍ、１９μｍ、１９．５μｍ、２０μｍ、２０．５μｍ、２１μｍ、２１．５μｍ、２２μｍ、２２．５μｍ、２３μｍ、２３．５μｍ、２４μｍ、２４．５μｍ、２５μｍ、２５．５μｍ、２６μｍ、２６．５μｍ、２７μｍ、２７．５μｍ、２８μｍ、２８．５μｍ、２９μｍ、２９．５μｍ、３０μｍ、３０．５μｍ、３１μｍ、３１．５μｍ、３２μｍ、３２．５μｍ、３３μｍ、３３．５μｍ、３４μｍ、３４．５μｍ、３５μｍ、３５．５μｍ、３６μｍ、３６．５μｍ、３７μｍ、３７．５μｍ、３８μｍ、３８．５μｍ、３９μｍ、３９．５μｍ、４０μｍ、４０．５μｍ、４１μｍ、４１．５μｍ、４２μｍ、４２．５μｍ、４３μｍ、４３．５μｍ、４４μｍ、４４．５μｍ、４５μｍ、４５．５μｍ、４６μｍ、４６．５μｍ、４７μｍ、４７．５μｍ、４８μｍ、４８．５μｍ、４９μｍ、４９．５μｍ、５０μｍ、５０．５μｍ、５１μｍ、５１．５μｍ、５２μｍ、５２．５μｍ、５３μｍ、５３．５μｍ、５４μｍ、５４．５μｍ、５５μｍ、５５．５μｍ、５６μｍ、５６．５μｍ、５７μｍ、５７．５μｍ、５８μｍ、５８．５μｍ、５９μｍ、５９．５μｍ、６０μｍ、６０．５μｍ、６１μｍ、６１．５μｍ、６２μｍ、６２．５μｍ、６３μｍ、６３．５μｍ、６４μｍ、６４．５μｍ、６５μｍ、６５．５μｍ、６６μｍ、６６．５μｍ、６７μｍ、６７．５μｍ、６８μｍ、６８．５μｍ、６９μｍ、６９．５μｍ、７０μｍ、７０．５μｍ、７１μｍ、７１．５μｍ、７２μｍ、７２．５μｍ、７３μｍ、７３．５μｍ、７４μｍ、７４．５μｍ、７５μｍ、７５．５μｍ、７６μｍ、７６．５μｍ、７７μｍ、７７．５μｍ、７８μｍ、７８．５μｍ、７９μｍ、７９．５μｍ、８０μｍ、８０．５μｍ、８１μｍ、８１．５μｍ、８２μｍ、８２．５μｍ、８３μｍ、８３．５μｍ、８４μｍ、８４．５μｍ、８５μｍ、８５．５μｍ、８６μｍ、８６．５μｍ、８７μｍ、８７．５μｍ、８８μｍ、８８．５μｍ、８９μｍ、８９．５μｍ、９０μｍ、９０．５μｍ、９１μｍ、９１．５μｍ、９２μｍ、９２．５μｍ、９３μｍ、９３．５μｍ、９４μｍ、９４．５μｍ、９５μｍ、９５．５μｍ、９６μｍ、９６．５μｍ、９７μｍ、９７．５μｍ、９８μｍ、９８．５μｍ、９９μｍ、９９．５μｍ、１００μｍ、２００μｍ、２５０μｍ、３００μｍ、３５０μｍ、４００μｍ、４５０μｍ、５００μｍ、５５０μｍ、６００μｍ、６５０μｍ、７００μｍ、７５０μｍ、８００μｍ、８５０μｍ、９００μｍ、９５０μｍ、又は１ｍｍの平均直径を有する。
一実施形態によれば、球状複合粒子１の統計セットの平均直径は、０．０１％、０．０２％、０．０３％、０．０４％、０．０５％、０．０６％、０．０７％、０．０８％、０．０９％、０．１％、０．２％、０．３％、０．４％、０．５％、０．６％、０．７％、０．８％、０．９％、１％、１．１％、１．２％、１．３％、１．４％、１．５％、１．６％、１．７％、１．８％、１．９％、２％、２．１％、２．２％、２．３％、２．４％、２．５％、２．６％、２．７％、２．８％、２．９％、３％、３．１％、３．２％、３．３％、３．４％、３．５％、３．６％、３．７％、３．８％、３．９％、４％、４．１％、４．２％、４．３％、４．４％、４．５％、４．６％、４．７％、４．８％、４．９％、５％、５．１％、５．２％、５．３％、５．４％、５．５％、５．６％、５．７％、５．８％、５．９％、６％、６．１％、６．２％、６．３％、６．４％、６．５％、６．６％、６．７％、６．８％、６．９％、７％、７．１％、７．２％、７．３％、７．４％、７．５％、７．６％、７．７％、７．８％、７．９％、８％、８．１％、８．２％、８．３％、８．４％、８．５％、８．６％、８．７％、８．８％、８．９％、９％、９．１％、９．２％、９．３％、９．４％、９．５％、９．６％、９．７％、９．８％、９．９％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、８５％、９０％、９５％、１００％、１０５％、１１０％、１１５％、１２０％、１２５％、１３０％、１３５％、１４０％、１４５％、１５０％、１５５％、１６０％、１６５％、１７０％、１７５％、１８０％、１８５％、１９０％、１９５％、又は２００％以下の偏差を有し得る。
一実施形態によれば、球状複合粒子１は、少なくとも２００μｍ−１、１００μｍ−１、６６．６μｍ−１、５０μｍ−１、３３．３μｍ−１、２８．６μｍ−１、２５μｍ−１、２０μｍ−１、１８．２μｍ−１、１６．７μｍ−１、１５．４μｍ−１、１４．３μｍ−１、１３．３μｍ−１、１２．５μｍ−１、１１．８μｍ−１、１１．１μｍ−１、１０．５μｍ−１、１０μｍ−１、９．５μｍ−１、９．１μｍ−１、８．７μｍ−１、８．３μｍ−１、８μｍ−１、７．７μｍ−１、７．４μｍ−１、７．１μｍ−１、６．９μｍ−１、６．７μｍ−１、５．７μｍ−１、５μｍ−１、４．４μｍ−１、４μｍ−１、３．６μｍ−１、３．３μｍ−１、３．１μｍ−１、２．９μｍ−１、２．７μｍ−１、２．５μｍ−１、２．４μｍ−１、２．２μｍ−１、２．１μｍ−１、２μｍ−１、１．３３３３μｍ−１、０．８μｍ−１、０．６６６６μｍ−１、０．５７１４μｍ−１、０．５μｍ−１、０．４４４４μｍ−１、０．４μｍ−１、０．３６３６μｍ−１、０．３３３３μｍ−１、０．３０８０μｍ−１、０．２８５７μｍ−１、０．２６６７μｍ−１、０．２５μｍ−１、０．２３５３μｍ−１、０．２２２２μｍ−１、０．２１０５μｍ−１、０．２μｍ−１、０．１９０５μｍ−１、０．１８１８μｍ−１、０．１７３９μｍ−１、０．１６６７μｍ−１、０．１６μｍ−１、０．１５３８μｍ−１、０．１４８１μｍ−１、０．１４２９μｍ−１、０．１３７９μｍ−１、０．１３３３μｍ−１、０．１２９０μｍ−１、０．１２５μｍ−１、０．１２１２μｍ−１、０．１１７６μｍ−１、０．１１７６μｍ−１、０．１１４３μｍ−１、０．１１１１μｍ−１、０．１８８１μｍ−１、０．１０５３μｍ−１、０．１０２６μｍ−１、０．１μｍ−１、０．０９７６μｍ−１、０．９５２４μｍ−１、０．０９３０μｍ−１、０．０９０９μｍ−１、０．０８８９μｍ−１、０．８７０μｍ−１、０．０８５１μｍ−１、０．０８３３μｍ−１、０．０８１６μｍ−１、０．０８μｍ−１、０．０７８４μｍ−１、０．０７６９μｍ−１、０．０７５５μｍ−１、０．０７４１μｍ−１、０．０７２７μｍ−１、０．０７１４μｍ−１、０．０７０２μｍ−１、０．０６９０μｍ−１、０．０６７８μｍ−１、０．０６６７μｍ−１、０．０６５６μｍ−１、０．０６４５μｍ−１、０．０６３５μｍ−１、０．０６２５μｍ−１、０．０６１５μｍ−１、０．０６０６μｍ−１、０．０５９７μｍ−１、０．０５８８μｍ−１、０．０５８０μｍ−１、０．０５７１μｍ−１、０．０５６３μｍ−１、０．０５５６μｍ−１、０．０５４８μｍ−１、０．０５４１μｍ−１、０．０５３３μｍ−１、０．０５２６μｍ−１、０．０５１９μｍ−１、０．０５１３μｍ−１、０．０５０６μｍ−１、０．０５μｍ−１、０．０４９４μｍ−１、０．０４８８μｍ−１、０．０４８２μｍ−１、０．０４７６μｍ−１、０．０４７１μｍ−１、０．０４６５μｍ−１、０．０４６０μｍ−１、０．０４５５μｍ−１、０．０４５０μｍ−１、０．０４４４μｍ−１、０．０４４０μｍ−１、０．０４３５μｍ−１、０．０４３０μｍ−１、０．０４２６μｍ−１、０．０４２１μｍ−１、０．０４１７μｍ−１、０．０４１２μｍ−１、０．０４０８μｍ−１、０．０４０４μｍ−１、０．０４μｍ−１、０．０３９６μｍ−１、０．０３９２μｍ−１、０．０３８８μｍ−１、０．０３８５μｍ−１、０．０３８１μｍ−１、０．０３７７μｍ−１、０．０３７４μｍ−１、０．０３７μｍ−１、０．０３６７μｍ−１、０．０３６４μｍ−１、０．０３６０μｍ−１、０．０３５７μｍ−１、０．０３５４μｍ−１、０．０３５１μｍ−１、０．０３４８μｍ−１、０．０３４５μｍ−１、０．０３４２μｍ−１、０．０３３９μｍ−１、０．０３３６μｍ−１、０．０３３３μｍ−１、０．０３３１μｍ−１、０．０３２８μｍ−１、０．０３２５μｍ−１、０．０３２３μｍ−１、０．０３２μｍ−１、０．０３１７μｍ−１、０．０３１５μｍ−１、０．０３１２μｍ−１、０．０３１μｍ−１、０．０３０８μｍ−１、０．０３０５μｍ−１、０．０３０３μｍ−１、０．０３０１μｍ−１、０．０３μｍ−１、０．０２９９μｍ−１、０．０２９６μｍ−１、０．０２９４μｍ−１、０．０２９２μｍ−１、０．０２９μｍ−１、０．０２８８μｍ−１、０．０２８６μｍ−１、０．０２８４μｍ−１、０．０２８２μｍ−１、０．０２８μｍ−１、０．０２７８μｍ−１、０．０２７６μｍ−１、０．０２７４μｍ−１、０．０２７２μｍ−１、０．０２７０μｍ−１、０．０２６８μｍ−１、０．０２６６７μｍ−１、０．０２６５μｍ−１、０．０２６３μｍ−１、０．０２６１μｍ−１、０．０２６μｍ−１、０．０２５８μｍ−１、０．０２５６μｍ−１、０．０２５５μｍ−１、０．０２５３μｍ−１、０．０２５２μｍ−１、０．０２５μｍ−１、０．０２４８μｍ−１、０．０２４７μｍ−１、０．０２４５μｍ−１、０．０２４４μｍ−１、０．０２４２μｍ−１、０．０２４１μｍ−１、０．０２４μｍ−１、０．０２３８μｍ−１、０．０２３７μｍ−１、０．０２３５μｍ−１、０．０２３４μｍ−１、０．０２３３μｍ−１、０．２３１μｍ−１、０．０２３μｍ−１、０．０２２９μｍ−１、０．０２２７μｍ−１、０．０２２６μｍ−１、０．０２２５μｍ−１、０．０２２３μｍ−１、０．０２２２μｍ−１、０．０２２１μｍ−１、０．０２２μｍ−１、０．０２１９μｍ−１、０．０２１７μｍ−１、０．０２１６μｍ−１、０．０２１５μｍ−１、０．０２１４μｍ−１、０．０２１３μｍ−１、０．０２１２μｍ−１、０．０２１１μｍ−１、０．０２１μｍ−１、０．０２０９μｍ−１、０．０２０８μｍ−１、０．０２０７μｍ−１、０．０２０６μｍ−１、０．０２０５μｍ−１、０．０２０４μｍ−１、０．０２０３μｍ−１、０．０２０２μｍ−１、０．０２０１μｍ−１、０．０２μｍ−１、又は０．００２μｍ−１の特有の曲率を有する。
一実施形態によれば、球状複合粒子１の統計セットは、少なくとも２００μｍ−１、１００μｍ−１、６６．６μｍ−１、５０μｍ−１、３３．３μｍ−１、２８．６μｍ−１、２５μｍ−１、２０μｍ−１、１８．２μｍ−１、１６．７μｍ−１、１５．４μｍ−１、１４．３μｍ−１、１３．３μｍ−１、１２．５μｍ−１、１１．８μｍ−１、１１．１μｍ−１、１０．５μｍ−１、１０μｍ−１、９．５μｍ−１、９．１μｍ−１、８．７μｍ−１、８．３μｍ−１、８μｍ−１、７．７μｍ−１、７．４μｍ−１、７．１μｍ−１、６．９μｍ−１、６．７μｍ−１、５．７μｍ−１、５μｍ−１、４．４μｍ−１、４μｍ−１、３．６μｍ−１、３．３μｍ−１、３．１μｍ−１、２．９μｍ−１、２．７μｍ−１、２．５μｍ−１、２．４μｍ−１、２．２μｍ−１、２．１μｍ−１、２μｍ−１、１．３３３３μｍ−１、０．８μｍ−１、０．６６６６μｍ−１、０．５７１４μｍ−１、０．５μｍ−１、０．４４４４μｍ−１、０．４μｍ−１、０．３６３６μｍ−１、０．３３３３μｍ−１、０．３０８０μｍ−１、０．２８５７μｍ−１、０．２６６７μｍ−１、０．２５μｍ−１、０．２３５３μｍ−１、０．２２２２μｍ−１、０．２１０５μｍ−１、０．２μｍ−１、０．１９０５μｍ−１、０．１８１８μｍ−１、０．１７３９μｍ−１、０．１６６７μｍ−１、０．１６μｍ−１、０．１５３８μｍ−１、０．１４８１μｍ−１、０．１４２９μｍ−１、０．１３７９μｍ−１、０．１３３３μｍ−１、０．１２９０μｍ−１、０．１２５μｍ−１、０．１２１２μｍ−１、０．１１７６μｍ−１、０．１１７６μｍ−１、０．１１４３μｍ−１、０．１１１１μｍ−１、０．１８８１μｍ−１、０．１０５３μｍ−１、０．１０２６μｍ−１、０．１μｍ−１、０．０９７６μｍ−１、０．９５２４μｍ−１、０．０９３０μｍ−１、０．０９０９μｍ−１、０．０８８９μｍ−１、０．８７０μｍ−１、０．０８５１μｍ−１、０．０８３３μｍ−１、０．０８１６μｍ−１、０．０８μｍ−１、０．０７８４μｍ−１、０．０７６９μｍ−１、０．０７５５μｍ−１、０．０７４１μｍ−１、０．０７２７μｍ−１、０．０７１４μｍ−１、０．０７０２μｍ−１、０．０６９０μｍ−１、０．０６７８μｍ−１、０．０６６７μｍ−１、０．０６５６μｍ−１、０．０６４５μｍ−１、０．０６３５μｍ−１、０．０６２５μｍ−１、０．０６１５μｍ−１、０．０６０６μｍ−１、０．０５９７μｍ−１、０．０５８８μｍ−１、０．０５８０μｍ−１、０．０５７１μｍ−１、０．０５６３μｍ−１、０．０５５６μｍ−１、０．０５４８μｍ−１、０．０５４１μｍ−１、０．０５３３μｍ−１、０．０５２６μｍ−１、０．０５１９μｍ−１、０．０５１３μｍ−１、０．０５０６μｍ−１、０．０５μｍ−１、０．０４９４μｍ−１、０．０４８８μｍ−１、０．０４８２μｍ−１、０．０４７６μｍ−１、０．０４７１μｍ−１、０．０４６５μｍ−１、０．０４６０μｍ−１、０．０４５５μｍ−１、０．０４５０μｍ−１、０．０４４４μｍ−１、０．０４４０μｍ−１、０．０４３５μｍ−１、０．０４３０μｍ−１、０．０４２６μｍ−１、０．０４２１μｍ−１、０．０４１７μｍ−１、０．０４１２μｍ−１、０．０４０８μｍ−１、０．０４０４μｍ−１、０．０４μｍ−１、０．０３９６μｍ−１、０．０３９２μｍ−１、０．０３８８μｍ−１、０．０３８５μｍ−１、０．０３８１μｍ−１、０．０３７７μｍ−１、０．０３７４μｍ−１、０．０３７μｍ−１、０．０３６７μｍ−１、０．０３６４μｍ−１、０．０３６０μｍ−１、０．０３５７μｍ−１、０．０３５４μｍ−１、０．０３５１μｍ−１、０．０３４８μｍ−１、０．０３４５μｍ−１、０．０３４２μｍ−１、０．０３３９μｍ−１、０．０３３６μｍ−１、０．０３３３μｍ−１、０．０３３１μｍ−１、０．０３２８μｍ−１、０．０３２５μｍ−１、０．０３２３μｍ−１、０．０３２μｍ−１、０．０３１７μｍ−１、０．０３１５μｍ−１、０．０３１２μｍ−１、０．０３１μｍ−１、０．０３０８μｍ−１、０．０３０５μｍ−１、０．０３０３μｍ−１、０．０３０１μｍ−１、０．０３μｍ−１、０．０２９９μｍ−１、０．０２９６μｍ−１、０．０２９４μｍ−１、０．０２９２μｍ−１、０．０２９μｍ−１、０．０２８８μｍ−１、０．０２８６μｍ−１、０．０２８４μｍ−１、０．０２８２μｍ−１、０．０２８μｍ−１、０．０２７８μｍ−１、０．０２７６μｍ−１、０．０２７４μｍ−１、０．０２７２μｍ−１、０．０２７０μｍ−１、０．０２６８μｍ−１、０．０２６６７μｍ−１、０．０２６５μｍ−１、０．０２６３μｍ−１、０．０２６１μｍ−１、０．０２６μｍ−１、０．０２５８μｍ−１、０．０２５６μｍ−１、０．０２５５μｍ−１、０．０２５３μｍ−１、０．０２５２μｍ−１、０．０２５μｍ−１、０．０２４８μｍ−１、０．０２４７μｍ−１、０．０２４５μｍ−１、０．０２４４μｍ−１、０．０２４２μｍ−１、０．０２４１μｍ−１、０．０２４μｍ−１、０．０２３８μｍ−１、０．０２３７μｍ−１、０．０２３５μｍ−１、０．０２３４μｍ−１、０．０２３３μｍ−１、０．２３１μｍ−１、０．０２３μｍ−１、０．０２２９μｍ−１、０．０２２７μｍ−１、０．０２２６μｍ−１、０．０２２５μｍ−１、０．０２２３μｍ−１、０．０２２２μｍ−１、０．０２２１μｍ−１、０．０２２μｍ−１、０．０２１９μｍ−１、０．０２１７μｍ−１、０．０２１６μｍ−１、０．０２１５μｍ−１、０．０２１４μｍ−１、０．０２１３μｍ−１、０．０２１２μｍ−１、０．０２１１μｍ−１、０．０２１μｍ−１、０．０２０９μｍ−１、０．０２０８μｍ−１、０．０２０７μｍ−１、０．０２０６μｍ−１、０．０２０５μｍ−１、０．０２０４μｍ−１、０．０２０３μｍ−１、０．０２０２μｍ−１、０．０２０１μｍ−１、０．０２μｍ−１、又は０．００２μｍ−１の特有の平均曲率を有する。
一実施形態によれば、球状複合粒子１の曲率は、偏差を有しておらず、前記複合粒子１が完全な球形を有することを意味する。完全な球形は、散乱光の強度の変動を防止する。
一実施形態によれば、球状複合粒子１の特有の曲率は、前記複合粒子１の表面に沿って０．０１％、０．０２％、０．０３％、０．０４％、０．０５％、０．０６％、０．０７％、０．０８％、０．０９％、０．１％、０．２％、０．３％、０．４％、０．５％、０．６％、０．７％、０．８％、０．９％、１％、１．１％、１．２％、１．３％、１．４％、１．５％、１．６％、１．７％、１．８％、１．９％、２％、２．１％、２．２％、２．３％、２．４％、２．５％、２．６％、２．７％、２．８％、２．９％、３％、３．１％、３．２％、３．３％、３．４％、３．５％、３．６％、３．７％、３．８％、３．９％、４％、４．１％、４．２％、４．３％、４．４％、４．５％、４．６％、４．７％、４．８％、４．９％、５％、５．１％、５．２％、５．３％、５．４％、５．５％、５．６％、５．７％、５．８％、５．９％、６％、６．１％、６．２％、６．３％、６．４％、６．５％、６．６％、６．７％、６．８％、６．９％、７％、７．１％、７．２％、７．３％、７．４％、７．５％、７．６％、７．７％、７．８％、７．９％、８％、８．１％、８．２％、８．３％、８．４％、８．５％、８．６％、８．７％、８．８％、８．９％、９％、９．１％、９．２％、９．３％、９．４％、９．５％、９．６％、９．７％、９．８％、９．９％、１０％以下の偏差を有し得る。
一実施形態によれば、複合粒子１は、発光性である。
一実施形態によれば、複合粒子１は、蛍光性である。
一実施形態によれば、複合粒子１は、燐光である。
一実施形態によれば、複合粒子１は、電子発光である。
一実施形態によれば、複合粒子１は、化学発光である。
一実施形態によれば、複合粒子１は、摩擦発光である。
一実施形態によれば、複合粒子１の発光の特徴は、外部圧力変動を感知できる。この実施形態において、「感知」は、発光の特徴が外部圧力変動によって変更され得ることを意味する。
一実施形態によれば、複合粒子１の波長発光ピークは、外部圧力変動を感知できる。この実施形態において、「感知」は、波長発光ピークが外部圧力変動によって変更され得る、すなわち、外部圧力変動は、波長シフトを低減することができることを意味する。
一実施形態によれば、複合粒子１のＦＷＨＭは、外部圧力変動を感知できる。この実施形態において、「感知」は、ＦＷＨＭが外部圧力変動によって変更され得る、すなわち、ＦＷＨＭは、波長シフトは、低下又は増加され得ることを意味する。
一実施形態によれば、複合粒子１のＰＬＱＹは、外部圧力変動を感知できる。この実施形態において、「感知」は、ＰＬＱＹが外部圧力変動によって変更され得る、すなわち、ＰＬＱＹは、低下又は増加され得ることを意味する。
一実施形態によれば、複合粒子１の発光の特徴は、外部温度変動を感知できる。
一実施形態によれば、複合粒子１の波長発光ピークは、外部温度変動を感知できる。この実施形態において、「感知」は、波長発光ピークが外部温度変動によって変更され得る、すなわち、外部温度変動は、波長シフトを低減することができることを意味する。
一実施形態によれば、複合粒子１のＦＷＨＭは、外部温度変動を感知できる。この実施形態において、「感知」は、ＦＷＨＭが外部温度変動によって変更され得る、すなわち、ＦＷＨＭは、低下又は増加され得ることを意味する。
一実施形態によれば、複合粒子１のＰＬＱＹは、外部温度変動を感知できる。この実施形態において、「感知」は、ＰＬＱＹが外部温度変動によって変更され得る、すなわち、ＰＬＱＹは、低下又は増加され得ることを意味する。
一実施形態によれば、複合粒子１の発光の特徴は、外部ｐＨ変動を感知できる。
一実施形態によれば、複合粒子１の波長発光ピークは、外部ｐＨ変動を感知できる。この実施形態において、「感知」は、波長発光ピークが外部ｐＨ変動によって変更され得る、すなわち、外部ｐＨ変動は、波長シフトを低減することができることを意味する。
一実施形態によれば、複合粒子１のＦＷＨＭは、外部ｐＨ変動を感知できる。この実施形態において、「感知」は、ＦＷＨＭが外部ｐＨ変動によって変更され得る、すなわち、ＦＷＨＭは、低下又は増加され得ることを意味する。
一実施形態によれば、複合粒子１のＰＬＱＹは、外部ｐＨ変動を感知できる。この実施形態において、「感知」は、ＰＬＱＹが外部ｐＨ変動によって変更され得る、すなわち、ＰＬＱＹは、低下又は増加され得ることを意味する。
一実施形態によれば、複合粒子１は、少なくとも１種のナノ粒子３を含み、波長発光ピークは、外部温度変動を感知でき；少なくとも１種のナノ粒子３の波長発光ピークは、外部温度変動を感知できないか、又はあまり感知できない。この実施形態において、「感知」は、波長発光ピークが外部温度変動によって変更され得る、すなわち、波長発光ピークは、低下又は増加され得ることを意味する。この実施形態は、特に、温度センサーの適用に都合がよい。
一実施形態によれば、複合粒子１は、少なくとも１つの発光ピークを有する発光スペクトルを示し、前記発光ピークは、４００ｎｍ〜５０μｍの範囲の最大発光波長を有する。
一実施形態によれば、複合粒子１は、少なくとも１つの発光ピークを有する発光スペクトルを示し、前記発光ピークは、４００ｎｍ〜５００ｎｍの範囲の最大発光波長を有する。この実施形態において、複合粒子１は、青色光を放つ。
一実施形態によれば、複合粒子１は、少なくとも１つの発光ピークを有する発光スペクトルを示し、前記発光ピークは、５００ｎｍ〜５６０ｎｍの範囲、より好ましくは、５１５ｎｍ〜５４５ｎｍの範囲の最大発光波長を有する。この実施形態において、複合粒子１は、緑色の光を放つ。
一実施形態によれば、複合粒子１は、少なくとも１つの発光ピークを有する発光スペクトルを示し、前記発光ピークは、５６０ｎｍ〜５９０ｎｍの範囲の最大発光波長を有する。この実施形態において、複合粒子１は、黄色の光を放つ。
一実施形態によれば、複合粒子１は、少なくとも１つの発光ピークを有する発光スペクトルを示し、前記発光ピークは、５９０ｎｍ〜７５０ｎｍの範囲、より好ましくは、６１０ｎｍ〜６５０ｎｍの範囲の最大発光波長を有する。この実施形態において、複合粒子１は、赤色の光を放つ。
一実施形態によれば、複合粒子１は、少なくとも１つの発光ピークを有する発光スペクトルを示し、前記発光ピークは、７５０ｎｍ〜５０μｍの範囲の最大発光波長を有する。この実施形態において、複合粒子１は、近赤外、中赤外、又は赤外光を放つ。
一実施形態によれば、複合粒子１は、磁性である。
一実施形態によれば、複合粒子１は、強磁性である。
一実施形態によれば、複合粒子１は、常磁性である。
一実施形態によれば、複合粒子１は、超常磁性である。
一実施形態によれば、複合粒子１は、反磁性である。
一実施形態によれば、複合粒子１は、プラズモンである。
一実施形態によれば、複合粒子１は、触媒特性を有する。
一実施形態によれば、複合粒子１は、光起電力特性を有する。
一実施形態によれば、複合粒子１は、圧電性である。
一実施形態によれば、複合粒子１は、焦電性である。
一実施形態によれば、複合粒子１は、強誘電性である。
一実施形態によれば、複合粒子１は、特徴付けられた薬物送達である。
一実施形態によれば、複合粒子１は、光散乱体である。
一実施形態によれば、複合粒子１は、５０μｍ、４０μｍ、３０μｍ、２０μｍ、１０μｍ、１μｍ、９５０ｎｍ、９００ｎｍ、８５０ｎｍ、８００ｎｍ、７５０ｎｍ、７００ｎｍ、６５０ｎｍ、６００ｎｍ、５５０ｎｍ、５００ｎｍ、４５０ｎｍ、４００ｎｍ、３５０ｎｍ以上、３００ｎｍ以下、２５０ｎｍよりも低い、又は２００ｎｍよりも低い波長の入射光を吸収する。
一実施形態によれば、複合粒子１は、電気絶縁体である。この実施形態において、電子輸送によるものである場合に、無機材料２内に封入された蛍光ナノ粒子３の蛍光特性の消光は防止される。この実施形態において、複合粒子１は、無機材料２内に封入されたナノ粒子３と同じ特性を示す電気絶縁材料として使用され得る。
一実施形態によれば、複合粒子１は、電気伝導体である。この実施形態は、光起電力又はＬＥＤにおける複合粒子１の適用に特に都合がよい。
一実施形態によれば、複合粒子１は、１×１０−２０〜１０７Ｓ／ｍ、好ましくは、１×１０−１５〜５Ｓ／ｍ、より好ましくは、１×１０−７〜１Ｓ／ｍの範囲の標準的な条件下で電気伝導性を有する。
一実施形態によれば、複合粒子１は、少なくとも１×１０−２０Ｓ／ｍ、０．５×１０−１９Ｓ／ｍ、１×１０−１９Ｓ／ｍ、０．５×１０−１８Ｓ／ｍ、１×１０−１８Ｓ／ｍ、０．５×１０−１７Ｓ／ｍ、１×１０−１７Ｓ／ｍ、０．５×１０−１６Ｓ／ｍ、１×１０−１６Ｓ／ｍ、０．５×１０−１５Ｓ／ｍ、１×１０−１５Ｓ／ｍ、０．５×１０−１４Ｓ／ｍ、１×１０−１４Ｓ／ｍ、０．５×１０−１３Ｓ／ｍ、１×１０−１３Ｓ／ｍ、０．５×１０−１２Ｓ／ｍ、１×１０−１２Ｓ／ｍ、０．５×１０−１１Ｓ／ｍ、１×１０−１１Ｓ／ｍ、０．５×１０−１０Ｓ／ｍ、１×１０−１０Ｓ／ｍ、０．５×１０−９Ｓ／ｍ、１×１０−９Ｓ／ｍ、０．５×１０−８Ｓ／ｍ、１×１０−８Ｓ／ｍ、０．５×１０−７Ｓ／ｍ、１×１０−７Ｓ／ｍ、０．５×１０−６Ｓ／ｍ、１×１０−６Ｓ／ｍ、０．５×１０−５Ｓ／ｍ、１×１０−５Ｓ／ｍ、０．５×１０−４Ｓ／ｍ、１×１０−４Ｓ／ｍ、０．５×１０−３Ｓ／ｍ、１×１０−３Ｓ／ｍ、０．５×１０−２Ｓ／ｍ、１×１０−２Ｓ／ｍ、０．５×１０−１Ｓ／ｍ、１×１０−１Ｓ／ｍ、０．５Ｓ／ｍ、１Ｓ／ｍ、１．５Ｓ／ｍ、２Ｓ／ｍ、２．５Ｓ／ｍ、３Ｓ／ｍ、３．５Ｓ／ｍ、４Ｓ／ｍ、４．５Ｓ／ｍ、５Ｓ／ｍ、５．５Ｓ／ｍ、６Ｓ／ｍ、６．５Ｓ／ｍ、７Ｓ／ｍ、７．５Ｓ／ｍ、８Ｓ／ｍ、８．５Ｓ／ｍ、９Ｓ／ｍ、９．５Ｓ／ｍ、１０Ｓ／ｍ、５０Ｓ／ｍ、１０２Ｓ／ｍ、５×１０２Ｓ／ｍ、１０３Ｓ／ｍ、５×１０３Ｓ／ｍ、１０４Ｓ／ｍ、５×１０４Ｓ／ｍ、１０５Ｓ／ｍ、５×１０５Ｓ／ｍ、１０６Ｓ／ｍ、５×１０６Ｓ／ｍ、又は１０７Ｓ／ｍの標準的な条件下で電気伝導性を有する。
一実施形態によれば、複合粒子１の電気伝導性は、例えば、インピーダンス分光計を用いて測定することができる。
一実施形態によれば、複合粒子１は、熱絶縁体である。
一実施形態によれば、無機材料２は、難分解性材料を含む。
一実施形態によれば、複合粒子１は、熱伝導体である。この実施形態において、複合粒子１は、無機材料２に封入されたナノ粒子３から、又は環境から生じる熱を放出することが可能である。
一実施形態によれば、複合粒子１は、０．１〜４５０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、好ましくは、１〜２００Ｗ／（ｍ．Ｋ）、より好ましくは、１０〜１５０Ｗ／（ｍ．Ｋ）の範囲の標準的な条件での熱伝導性を有する。
一実施形態によれば、複合粒子１は、少なくとも０．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、０．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、０．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、０．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、０．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、０．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、０．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、０．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、０．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、４．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、４．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、４．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、４．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、４．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、４．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、４．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、４．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、４．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、５．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、５．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、５．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、５．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、５．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、５．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、５．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、５．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、５．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、６．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、６．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、６．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、６．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、６．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、６．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、６．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、６．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、６．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、７．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、７．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、７．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、７．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、７．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、７．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、７．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、７．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、７．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、８．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、８．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、８．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、８．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、８．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、８．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、８．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、８．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、８．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、９．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、９．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、９．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、９．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、９．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、９．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、９．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、９．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、９．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１０．１／（ｍ．Ｋ）、１０．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１０．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１０．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１０．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１０．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１０．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１０．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１０．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１１．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１１．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１１．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１１．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１１．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１１．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１１．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１１．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１１．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１２．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１２．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１２．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１２．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１２．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１２．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１２．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１２．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１２．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１３．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１３．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１３．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１３．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１３．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１３．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１３．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１３．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１３．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１４．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１４．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１４．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１４．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１４．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１４．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１４．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１４．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１４．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１５．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１５．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１５．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１５．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１５．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１５．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１５．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１５．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１５．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１６．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１６．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１６．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１６．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１６．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１６．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１６．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１６．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１６．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１７．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１７．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１７．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１７．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１７．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１７．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１７．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１７．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１７．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１８．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１８．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１８．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１８．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１８．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１８．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１８．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１８．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１８．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１９．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１９．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１９．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１９．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１９．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１９．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１９．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１９．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１９．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２０．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２０．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２０．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２０．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２０．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２０．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２０．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２０．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２０．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２１．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２１．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２１．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２１．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２１．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２１．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２１．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２１．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２１．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２２．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２２．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２２．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２２．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２２．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２２．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２２．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２２．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２２．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２３．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２３．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２３．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２３．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２３．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２３．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２３．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２３．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２３．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２４．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２４．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２４．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２４．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２４．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２４．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２４．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２４．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２４．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、４０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、５０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、６０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、７０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、８０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、９０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１００Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１１０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１２０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１３０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１４０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１５０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１６０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１７０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１８０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１９０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２００Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２１０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２２０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２３０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２４０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２５０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２６０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２７０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２８０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２９０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３００Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３１０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３２０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３３０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３４０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３５０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３６０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３７０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３８０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３９０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、４００Ｗ／（ｍ．Ｋ）、４１０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、４２０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、４３０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、４４０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、又は４５０Ｗ／（ｍ．Ｋ）の標準的な条件での熱伝導性を有する。
一実施形態によれば、複合粒子１の熱伝導性は、例えば、定常状態の方法又は一過性の方法によって測定され得る。
一実施形態によれば、複合粒子１は、局所高温加熱システムである。
一実施形態によれば、複合粒子１は、疎水性である。
一実施形態によれば、複合粒子１は、親水性である。
一実施形態によれば、複合粒子１は、水性溶媒、有機溶媒及び／又はそれらの混合物に分散可能である。
一実施形態によれば、複合粒子１は、半値全幅が９０ｎｍ、８０ｎｍ、７０ｎｍ、６０ｎｍ、５０ｎｍ、４０ｎｍ、３０ｎｍ、２５ｎｍ、２０ｎｍ、１５ｎｍ、又は１０ｎｍよりも低い少なくとも１つの発光ピークを有する発光スペクトルを示す。
一実施形態によれば、複合粒子１は、厳密に半値全幅が９０ｎｍ、８０ｎｍ、７０ｎｍ、６０ｎｍ、５０ｎｍ、４０ｎｍ、３０ｎｍ、２５ｎｍ、２０ｎｍ、１５ｎｍ、又は１０ｎｍよりも低い少なくとも１つの発光ピークを有する発光スペクトルを示す。
一実施形態によれば、複合粒子１は、１／４値全幅が９０ｎｍ、８０ｎｍ、７０ｎｍ、６０ｎｍ、５０ｎｍ、４０ｎｍ、３０ｎｍ、２５ｎｍ、２０ｎｍ、１５ｎｍ、又は１０ｎｍよりも低い少なくとも１つの発光ピークを有する発光スペクトルを示す。
一実施形態によれば、複合粒子１は、厳密に１／４値全幅が９０ｎｍ、８０ｎｍ、７０ｎｍ、６０ｎｍ、５０ｎｍ、４０ｎｍ、３０ｎｍ、２５ｎｍ、２０ｎｍ、１５ｎｍ、又は１０ｎｍよりも低い少なくとも１つの発光ピークを有する発光スペクトルを示す。
一実施形態によれば、複合粒子１は、少なくとも５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％又は１００％の光発光量子収率（ＰＬＱＹ）を有する。
一実施形態によれば、複合粒子１は、光照明下で少なくとも３００、４００、５００、６００、７００、８００、９００、１０００、２０００、３０００、４０００、５０００、６０００、７０００、８０００、９０００、１００００、１１０００、１２０００、１３０００、１４０００、１５０００、１６０００、１７０００、１８０００、１９０００、２００００、２１０００、２２０００、２３０００、２４０００、２５０００、２６０００、２７０００、２８０００、２９０００、３００００、３１０００、３２０００、３３０００、３４０００、３５０００、３６０００、３７０００、３８０００、３９０００、４００００、４１０００、４２０００、４３０００、４４０００、４５０００、４６０００、４７０００、４８０００、４９０００、又は５００００時間後に、８０％、７０％、６０％、５０％、４０％、３０％、２５％、２０％、１５％、１０％、５％、４％、３％、２％、１％、又は０％未満の光発光量子収率（ＰＬＱＹ）の減少を示す。
一実施形態によれば、該光照明は、レーザ、ダイオード、蛍光灯若しくはキセノンアークランプなどの青色、緑色、赤色、又はＵＶの光源によって提供される。一実施形態によれば、照明の光子束又は平均ピークパルス力は、１ｍＷ．ｃｍ−２〜１００ｋＷ．ｃｍ−２、より好ましくは、１０ｍＷ．ｃｍ−２〜１００Ｗ．ｃｍ−２、さらにより好ましくは、１０ｍＷ．ｃｍ−２〜３０Ｗ．ｃｍ−２に含まれる。
一実施形態によれば、照明の光子束又は平均ピークパルス力は、少なくとも１ｍＷ．ｃｍ−２、５０ｍＷ．ｃｍ−２、１００ｍＷ．ｃｍ−２、５００ｍＷ．ｃｍ−２、１Ｗ．ｃｍ−２、５Ｗ．ｃｍ−２、１０Ｗ．ｃｍ−２、２０Ｗ．ｃｍ−２、３０Ｗ．ｃｍ−２、４０Ｗ．ｃｍ−２、５０Ｗ．ｃｍ−２、６０Ｗ．ｃｍ−２、７０Ｗ．ｃｍ−２、８０Ｗ．ｃｍ−２、９０Ｗ．ｃｍ−２、１００Ｗ．ｃｍ−２、１１０Ｗ．ｃｍ−２、１２０Ｗ．ｃｍ−２、１３０Ｗ．ｃｍ−２、１４０Ｗ．ｃｍ−２、１５０Ｗ．ｃｍ−２、１６０Ｗ．ｃｍ−２、１７０Ｗ．ｃｍ−２、１８０Ｗ．ｃｍ−２、１９０Ｗ．ｃｍ−２、２００Ｗ．ｃｍ−２、３００Ｗ．ｃｍ−２、４００Ｗ．ｃｍ−２、５００Ｗ．ｃｍ−２、６００Ｗ．ｃｍ−２、７００Ｗ．ｃｍ−２、８００Ｗ．ｃｍ−２、９００Ｗ．ｃｍ−２、１ｋＷ．ｃｍ−２、５０ｋＷ．ｃｍ−２、又は１００ｋＷ．ｃｍ−２である。
一実施形態によれば、本明細書に記載の光照明は、連続照明を提供する。
一実施形態によれば、本明細書に記載の光照明は、パルス光を提供する。この実施形態は、ナノ粒子３からの熱及び／又は電荷の排出を可能にするので、特に都合がよい。この実施形態はまた、パルス光を用いて、ナノ粒子３、ひいては、複合粒子１のより長い寿命を可能にするので、特に都合がよく、実際、連続光の下で、ナノ粒子３はパルス光下よりも速く分解する。
一実施形態によれば、本明細書に記載の光照明は、パルス光を提供する。この実施形態において、連続光は、前記材料が照明から任意に取り除かれる間、定期的に材料を照射し、前記光はパルス光とみなされ得る。この実施形態は、ナノ粒子３からの熱及び／又は電荷の排出を可能にするので、特に都合がよい。
一実施形態によれば、前記パルス光は、少なくとも１マイクロ秒、２マイクロ秒、３マイクロ秒、４マイクロ秒、５マイクロ秒、６マイクロ秒、７マイクロ秒、８マイクロ秒、９マイクロ秒、１０マイクロ秒のオフ時間（又は照明無し時間）を有することを特徴とします、１１マイクロ秒、１２マイクロ秒、１３マイクロ秒、１４マイクロ秒、１５マイクロ秒、１６マイクロ秒、１７マイクロ秒、１８マイクロ秒、１９マイクロ秒、２０マイクロ秒、２１マイクロ秒、２２マイクロ秒、２３マイクロ秒、２４マイクロ秒、２５マイクロ秒、２６マイクロ秒、２７マイクロ秒、２８マイクロ秒、２９マイクロ秒、３０マイクロ秒、３１マイクロ秒、３２マイクロ秒、３３マイクロ秒、３４マイクロ秒、３５マイクロ秒、３６マイクロ秒、３７マイクロ秒、３８マイクロ秒、３９マイクロ秒、４０マイクロ秒、４１マイクロ秒、４２マイクロ秒、４３マイクロ秒、 ４４マイクロ秒、４５マイクロ秒、４６マイクロ秒、４７マイクロ秒、４８マイクロ秒、４９マイクロ秒、５０マイクロ秒、１００マイクロ秒、１５０マイクロ秒、２００マイクロ秒、２５０マイクロ秒、３００マイクロ秒、３５０マイクロ秒、４００マイクロ秒、４５０マイクロ秒、５００マイクロ秒、５５０マイクロ秒、６００マイクロ秒、６５０マイクロ秒、７００マイクロ秒、７５０マイクロ秒、８００マイクロ秒、８５０マイクロ秒、９００マイクロ秒、９５０マイクロ秒、１ミリ秒、２ミリ秒、３ミリ秒、４ミリ秒、５ミリ秒、６ミリ秒、７ミリ秒 、８ミリ秒、９ミリ秒、１０ミリ秒、１１ミリ秒、１２ミリ秒、１３ミリ秒、１４ミリ秒、１５ミリ秒、１６ミリ秒、１７ミリ秒、１８ミリ秒、１９ミリ秒、２０ミリ秒、２１ミリ秒、２２ミリ秒、２３ミリ秒、２４ミリ秒、２５ミリ秒、２６ミリ秒、２７ミリ秒、２８ミリ秒、２９ミリ秒、３０ミリ秒、３１ミリ秒、３２ミリ秒、３３ミリ秒、３４ミリ秒、３５ミリ秒、３６ミリ秒、３７ミリ秒、３８ミリ秒、３９ミリ秒、４０ミリ秒、 ４１ミリ秒、４２ミリ秒、４３ミリ秒、４４ミリ秒、４５ミリ秒、４６ミリ秒、４７ミリ秒、４８ミリ秒、４９ミリ秒、又は５０ミリ秒、７５０マイクロ秒、８００マイクロ秒、８５０マイクロ秒、９００マイクロ秒、９５０マイクロ秒、１ミリ秒、２ミリ秒、３ミリ秒、４ミリ秒、５ミリ秒、６ミリ秒、７ミリ秒、８ミリ秒、９ミリ秒、１０ミリ秒、１１ミリ秒、１２ミリ秒 、１３ミリ秒、１４ミリ秒、１５ミリ秒、１６ミリ秒、１７ミリ秒、１８ミリ秒、１９ミリ秒、２０ミリ秒、２１ミリ秒、２２ミリ秒、２３ミリ秒、２４ミリ秒、２５ミリ秒、２６ミリ秒、２７ミリ秒、２８ミリ秒、２９ミリ秒、３０ミリ秒、３１ミリ秒、３２ミリ秒、３３ミリ秒、３４ミリ秒、３５ミリ秒、３６ミリ秒、３７ミリ秒、３８ミリ秒、３９ミリ秒、４０ミリ秒、４１ミリ秒、４２ミリ秒、４３ミリ秒、４４ミリ秒、４５ミリ秒、 ４６ミリ秒、４７ミリ秒、４８ミリ秒、４９ミリ秒、又は５０ミリ秒、７５０マイクロ秒、８００マイクロ秒、８５０マイクロ秒、９００マイクロ秒、９５０マイクロ秒、１ミリ秒、２ミリ秒、３ミリ秒、４ミリ秒、５ミリ秒、６ミリ秒、７ミリ秒、８ミリ秒、９ミリ秒、１０ミリ秒、１１ミリ秒、１２ミリ秒 、１３ミリ秒、１４ミリ秒、１５ミリ秒、１６ミリ秒、１７ミリ秒、１８ミリ秒、１９ミリ秒、２０ミリ秒、２１ミリ秒、２２ミリ秒、２３ミリ秒、２４ミリ秒、２５ミリ秒、２６ミリ秒、２７ミリ秒、２８ミリ秒、２９ミリ秒、３０ミリ秒、３１ミリ秒、３２ミリ秒、３３ミリ秒、３４ミリ秒、３５ミリ秒、３６ミリ秒、３７ミリ秒、３８ミリ秒、３９ミリ秒、４０ミリ秒、４１ミリ秒、４２ミリ秒、４３ミリ秒、４４ミリ秒、４５ミリ秒、 ４６ミリ秒、４７ミリ秒、４８ミリ秒、４９ミリ秒、又は５０ミリ秒、８ミリ秒、９ミリ秒、１０ミリ秒、１１ミリ秒、１２ミリ秒、１３ミリ秒、１４ミリ秒、１５ミリ秒、１６ミリ秒、１７ミリ秒、１８ミリ秒、１９ミリ秒、２０ミリ秒、２１ミリ秒、２２ミリ秒、２３ミリ秒、２４ミリ秒 、２５ミリ秒、２６ミリ秒、２７ミリ秒、２８ミリ秒、２９ミリ秒、３０ミリ秒、３１ミリ秒、３２ミリ秒、３３ミリ秒、３４ミリ秒、３５ミリ秒、３６ミリ秒、３７ミリ秒、３８ミリ秒、３９ミリ秒、４０ミリ秒、４１ミリ秒、４２ミリ秒、４３ミリ秒、４４ミリ秒、４５ミリ秒、４６ミリ秒、４７ミリ秒、４８ミリ秒、４９ミリ秒、又は５０ミリ秒、８ミリ秒、９ミリ秒、１０ミリ秒、１１ミリ秒、１２ミリ秒、１３ミリ秒、１４ミリ秒、１５ミリ秒、１６ミリ秒、１７ミリ秒、１８ミリ秒、１９ミリ秒、２０ミリ秒、２１ミリ秒、２２ミリ秒、２３ミリ秒、２４ミリ秒 、２５ミリ秒、２６ミリ秒、２７ミリ秒、２８ミリ秒、２９ミリ秒、３０ミリ秒、３１ミリ秒、３２ミリ秒、３３ミリ秒、３４ミリ秒、３５ミリ秒、３６ミリ秒、３７ミリ秒、３８ミリ秒、３９ミリ秒、４０ミリ秒、４１ミリ秒、４２ミリ秒、４３ミリ秒、４４ミリ秒、４５ミリ秒、４６ミリ秒、４７ミリ秒、４８ミリ秒、４９ミリ秒、又は５０ミリ秒、３１ミリ秒、３２ミリ秒、３３ミリ秒、３４ミリ秒、３５ミリ秒、３６ミリ秒、３７ミリ秒、３８ミリ秒、３９ミリ秒、４０ミリ秒、４１ミリ秒、４２ミリ秒、４３ミリ秒、４４ミリ秒、４５ミリ秒、４６ミリ秒、４７ミリ秒 、４８ミリ秒、４９ミリ秒、又は５０ミリ秒、３１ミリ秒、３２ミリ秒、３３ミリ秒、３４ミリ秒、３５ミリ秒、３６ミリ秒、３７ミリ秒、３８ミリ秒、３９ミリ秒、４０ミリ秒、４１ミリ秒、４２ミリ秒、４３ミリ秒、４４ミリ秒、４５ミリ秒、４６ミリ秒、４７ミリ秒 、４８ミリ秒、４９ミリ秒、又は５０ミリ秒のタイムオフ（又は照射のない時間）を有する。
一実施形態によれば、前記パルス光は、少なくとも０．１ナノ秒、０．２ナノ秒、０．３ナノ秒、０．４ナノ秒、０．５ナノ秒、０．６ナノ秒、０．７ナノ秒、０．８ナノ秒、０．９ナノ秒、１ナノ秒、２ナノ秒、３ナノ秒、４ナノ秒、５ナノ秒、６ナノ秒、７ナノ秒、８ナノ秒、９ナノ秒、１０ナノ秒、１１ナノ秒、１２ナノ秒、１３ナノ秒、１４ナノ秒、１５ナノ秒、１６ナノ秒、１７ナノ秒、１８ナノ秒、１９ナノ秒、２０ナノ秒、２１ナノ秒、２２ナノ秒、２３ナノ秒、２４ナノ秒、２５ナノ秒、２６ナノ秒、２７ナノ秒、２８ナノ秒、２９ナノ秒、３０ナノ秒、３１ナノ秒、３２ナノ秒、３３ナノ秒、３４ナノ秒、３５ナノ秒、３６ナノ秒、３７ナノ秒、３８ナノ秒、３９ナノ秒、４０ナノ秒、４１ナノ秒、４２ナノ秒、４３ナノ秒、４４ナノ秒、４５ナノ秒、４６ナノ秒、４７ナノ秒、４８ナノ秒、４９ナノ秒、５０ナノ秒、１００ナノ秒、１５０ナノ秒、２００ナノ秒、２５０ナノ秒、３００ナノ秒、３５０ナノ秒、４００ナノ秒、４５０ナノ秒、５００ナノ秒、５５０ナノ秒、６００ナノ秒、６５０ナノ秒、７００ナノ秒、７５０ナノ秒、８００ナノ秒、８５０ナノ秒、９００ナノ秒、９５０ナノ秒、１マイクロ秒、２マイクロ秒、３マイクロ秒、４マイクロ秒、５マイクロ秒、６マイクロ秒、７マイクロ秒、８マイクロ秒、９マイクロ秒、１０マイクロ秒、１１マイクロ秒、１２マイクロ秒、１３マイクロ秒、１４マイクロ秒、１５マイクロ秒、１６マイクロ秒、１７マイクロ秒、１８マイクロ秒、１９マイクロ秒、２０マイクロ秒、２１マイクロ秒、２２マイクロ秒、２３マイクロ秒、２４マイクロ秒、２５マイクロ秒、２６マイクロ秒、２７マイクロ秒、２８マイクロ秒、２９マイクロ秒、３０マイクロ秒、３１マイクロ秒、３２マイクロ秒、３３マイクロ秒、３４マイクロ秒、３５マイクロ秒、３６マイクロ秒、３７マイクロ秒、３８マイクロ秒、３９マイクロ秒、４０マイクロ秒、４１マイクロ秒、４２マイクロ秒、４３マイクロ秒、 ４４マイクロ秒、４５マイクロ秒、４６マイクロ秒、４７マイクロ秒、４８マイクロ秒、４９マイクロ秒、又は５０マイクロ秒のタイムオン（又は照射のある時間）を有する。
一実施形態によれば、前記パルス光は、少なくとも１０Ｈｚ、１１Ｈｚ、１２Ｈｚ、１３Ｈｚ、１４Ｈｚ、１５Ｈｚ、１６Ｈｚ、１７Ｈｚ、１８Ｈｚ、１９Ｈｚ、２０Ｈｚ、２１Ｈｚ、２２Ｈｚ、２３Ｈｚ、２４Ｈｚ、２５Ｈｚ、２６Ｈｚ、２７Ｈｚ、２８Ｈｚ、２９Ｈｚ、３０Ｈｚ、３１Ｈｚ、３２Ｈｚ、３３Ｈｚ、３４Ｈｚ、３５Ｈｚ、３６Ｈｚ、３７Ｈｚ、３８Ｈｚ、３９Ｈｚ、４０Ｈｚ、４１Ｈｚ、４２Ｈｚ、４３Ｈｚ、４４Ｈｚ、４５Ｈｚ、４６Ｈｚ、４７Ｈｚ、４８Ｈｚ、４９Ｈｚ、５０Ｈｚ、１００Ｈｚ、１５０Ｈｚ、２００Ｈｚ、２５０Ｈｚ、３００Ｈｚ、３５０Ｈｚ、４００Ｈｚ、４５０Ｈｚ、５００Ｈｚ、５５０Ｈｚ、６００Ｈｚ、６５０Ｈｚ、７００Ｈｚ、７５０Ｈｚ、８００Ｈｚ、８５０Ｈｚ、９００Ｈｚ、９５０Ｈｚ、１ｋＨｚ、２ｋＨｚ、３ｋＨｚ、４ｋＨｚ、５ｋＨｚ、６ｋＨｚ、７ｋＨｚ、８ｋＨｚ、９ｋＨｚ、１０ｋＨｚ、１１ｋＨｚ、１２ｋＨｚ、１３ｋＨｚ、１４ｋＨｚ、１５ｋＨｚ、１６ＫＨｚ、１７ｋＨｚ、１８ｋＨｚ、１９ｋＨｚ、２０ｋＨｚ、２１ｋＨｚ、２２ｋＨｚ、２３ｋＨｚ、２４ｋＨｚ、２５ｋＨｚ、２６ｋＨｚ、２７ｋＨｚ、２８ｋＨｚ、２９ｋＨｚ、３０ｋＨｚ、３１ｋＨｚ、３２ｋＨｚ、３３ｋＨｚ、３４ｋＨｚ、３５ｋＨｚ、３６ｋＨｚ、３７ｋＨｚ、３８ｋＨｚ、３９ｋＨｚ、４０ｋＨｚ、４１ｋＨｚ、４２ｋＨｚ、４３ｋＨｚ、４４ｋＨｚ、４５ｋＨｚ、４６ ｋＨｚ、４７ｋＨｚ、４８ｋＨｚ、４９ｋＨｚ、５０ｋＨｚ、１００ｋＨｚ、１５０ｋＨｚ、２００ｋＨｚ、２５０ｋＨｚ、３００ｋＨｚ、３５０ｋＨｚ、４００ｋＨｚ、４５０ｋＨｚ、５００ｋＨｚ、５５０ｋＨｚ、６００ｋＨｚ、６５０ｋＨｚ、７００ｋＨｚ、７５０ｋＨｚ、８００ｋＨｚ、８５０ｋＨｚ、９００ｋＨｚ、９５０ｋＨｚ、１ＭＨｚ、２ＭＨｚ、３ＭＨｚ、４ＭＨｚ、５ＭＨｚ、６ＭＨｚ、７ＭＨｚ、８ＭＨｚ、９ＭＨｚ、１０ＭＨｚ、１１ ＭＨｚ、１２ＭＨｚ、１３ＭＨｚ、１４ＭＨｚ、１５ＭＨｚ、１６ＭＨｚ、１７ＭＨｚ、１８ＭＨｚ、１９ＭＨｚ、２０ＭＨｚ、２１ＭＨｚ、２２ＭＨｚ、２３ＭＨｚ、２４ＭＨｚ、２５ＭＨｚ、２６ＭＨｚ、２７ＭＨｚ、２８ＭＨｚ、２９ＭＨｚ、３０ＭＨｚ、３１ＭＨｚ、３２ＭＨｚ、３３ＭＨｚ、３４ＭＨｚ、３５ＭＨｚ、３６ＭＨｚ、３７ＭＨｚ、３８ＭＨｚ、３９ＭＨｚ、４０ＭＨｚ、４１ＭＨｚ、４２ＭＨｚ、４３ＭＨｚ、４４ＭＨｚ、４５ＭＨｚ、４６ＭＨｚ、４７ＭＨｚ、４８ＭＨｚ、４９ＭＨｚ、５０ＭＨｚ、又は１００ＭＨｚの周波数を有する。
一実施形態によれば、複合粒子１、ナノ粒子３及び／又は発光材料７を照射する光のスポット面積は、少なくとも１０μｍ２、２０μｍ２、３０μｍ２、４０μｍ２、５０μｍ２、６０μｍ２、７０μｍ２、８０μｍ２、９０μｍ２、１００μｍ２、２００μｍ２、３００μｍ２、４００μｍ２、５００μｍ２、６００μｍ２、７００μｍ２、８００μｍ２、９００μｍ２、１０３μｍ２、１０４μｍ２、１０５μｍ２、１ｍｍ２、１０ｍｍ２、２０ｍｍ２、３０ｍｍ２、４０ｍｍ２、５０ｍｍ２、６０ｍｍ２、７０ｍｍ２、８０ｍｍ２、９０ｍｍ２、１００ｍｍ２、２００ｍｍ２、３００ｍｍ２、４００ｍｍ２、５００ｍｍ２、６００ｍｍ２、７００ｍｍ２、８００ｍｍ２、９００ｍｍ２、１０３ｍｍ２、１０４ｍｍ２、１０５ｍｍ２、１ｍ２、１０ｍ２、２０ｍ２、３０ｍ２、４０ｍ２、５０ｍ２、６０ｍ２、７０ｍ２、８０ｍ２、９０ｍ２、又は１００ｍ２である。
一実施形態によれば、複合粒子１、ナノ粒子３及び／又は発光材料７の発光飽和は、少なくとも１Ｗ．ｃｍ−２、５Ｗ．ｃｍ−２、１０Ｗ．ｃｍ−２、２０Ｗ．ｃｍ−２、３０Ｗ．ｃｍ−２、４０Ｗ．ｃｍ−２、５０Ｗ．ｃｍ−２、６０Ｗ．ｃｍ−２、７０Ｗ．ｃｍ−２、８０Ｗ．ｃｍ−２、９０Ｗ．ｃｍ−２、１００Ｗ．ｃｍ−２、１１０Ｗ．ｃｍ−２、１２０Ｗ．ｃｍ−２、１３０Ｗ．ｃｍ−２、１４０Ｗ．ｃｍ−２、１５０Ｗ．ｃｍ−２、１６０Ｗ．ｃｍ−２、１７０Ｗ．ｃｍ−２、１８０Ｗ．ｃｍ−２、１９０Ｗ．ｃｍ−２、２００Ｗ．ｃｍ−２、３００Ｗ．ｃｍ−２、４００Ｗ．ｃｍ−２、５００Ｗ．ｃｍ−２、６００Ｗ．ｃｍ−２、７００Ｗ．ｃｍ−２、８００Ｗ．ｃｍ−２、９００Ｗ．ｃｍ−２、１ＫＷ．ｃｍ−２、５０ＫＷ．ｃｍ−２、１００ＫＷ．ｃｍ−２、２００ＫＷ．ｃｍ−２、３００ＫＷ．ｃｍ−２、４００ＫＷ．ｃｍ−２、５００ＫＷ．ｃｍ−２、６００ＫＷ．ｃｍ−２、７００ＫＷ．ｃｍ−２、８００ＫＷ．ｃｍ−２、９００ＫＷ．ｃｍ−２、又は１ｍＷ．ｃｍ−２のピークパルス力でのパルス光下で到達する。
一実施形態によれば、複合粒子１、ナノ粒子３及び／又は発光材料７の発光飽和は、連続照明下で、少なくとも１Ｗ．ｃｍ−２、５Ｗ．ｃｍ−２、１０Ｗ．ｃｍ−２、２０Ｗ．ｃｍ−２、３０Ｗ．ｃｍ−２、４０Ｗ．ｃｍ−２、５０Ｗ．ｃｍ−２、６０Ｗ．ｃｍ−２、７０Ｗ．ｃｍ−２、８０Ｗ．ｃｍ−２、９０Ｗ．ｃｍ−２、１００Ｗ．ｃｍ−２、１１０Ｗ．ｃｍ−２、１２０Ｗ．ｃｍ−２、１３０Ｗ．ｃｍ−２、１４０Ｗ．ｃｍ−２、１５０Ｗ．ｃｍ−２、１６０Ｗ．ｃｍ−２、１７０Ｗ．ｃｍ−２、１８０Ｗ．ｃｍ−２、１９０Ｗ．ｃｍ−２、２００Ｗ．ｃｍ−２、３００Ｗ．ｃｍ−２、４００Ｗ．ｃｍ−２、５００Ｗ．ｃｍ−２、６００Ｗ．ｃｍ−２、７００Ｗ．ｃｍ−２、８００Ｗ．ｃｍ−２、９００Ｗ．ｃｍ−２、１ＫＷ．ｃｍ−２、５０ＫＷ．ｃｍ−２、１００ＫＷ．ｃｍ−２、２００ＫＷ．ｃｍ−２、３００ＫＷ．ｃｍ−２、４００ＫＷ．ｃｍ−２、５００ＫＷ．ｃｍ−２、６００ＫＷ．ｃｍ−２、７００ＫＷ．ｃｍ−２、８００ＫＷ．ｃｍ−２、９００ＫＷ．ｃｍ−２、又は１ｍＷ．ｃｍ−２のピークパルス力で到達する。所定の光子束での照明下での粒子の発光飽和は、前記粒子がより多くの光子を発光することができない場合に生じる。言い換えると、光子束が高くないほど、前記粒子が放つ光子の数は多くなる。
一実施形態によれば、照射される複合粒子１、ナノ粒子３及び／又は発光材料７のＦＣＥ（周波数変換効率）は、少なくとも１％、２％、３％、４％、５％、６％、７％、８％、９％、１０％、１５％、１６％、１７％、１８％、１８％、１９％、２０％、２１％、２２％、２３％、２４％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は１００％のものである。この実施形態において、該ＦＣＥは、４８０ｎｍで測定された。
一実施形態において、複合粒子１は、少なくとも１ｍＷ．ｃｍ−２、５０ｍＷ．ｃｍ−２、１００ｍＷ．ｃｍ−２、５００ｍＷ．ｃｍ−２、１Ｗ．ｃｍ−２、５Ｗ．ｃｍ−２、１０Ｗ．ｃｍ−２、２０Ｗ．ｃｍ−２、３０Ｗ．ｃｍ−２、４０Ｗ．ｃｍ−２、５０Ｗ．ｃｍ−２、６０Ｗ．ｃｍ−２、７０Ｗ．ｃｍ−２、８０Ｗ．ｃｍ−２、９０Ｗ．ｃｍ−２、１００Ｗ．ｃｍ−２、１１０Ｗ．ｃｍ−２、１２０Ｗ．ｃｍ−２、１３０Ｗ．ｃｍ−２、１４０Ｗ．ｃｍ−２、１５０Ｗ．ｃｍ−２、１６０Ｗ．ｃｍ−２、１７０Ｗ．ｃｍ−２、１８０Ｗ．ｃｍ−２、１９０Ｗ．ｃｍ−２、２００Ｗ．ｃｍ−２、３００Ｗ．ｃｍ−２、４００Ｗ．ｃｍ−２、５００Ｗ．ｃｍ−２、６００Ｗ．ｃｍ−２、７００Ｗ．ｃｍ−２、８００Ｗ．ｃｍ−２、９００Ｗ．ｃｍ−２、１ｋＷ．ｃｍ−２、５０ｋＷ．ｃｍ−２、又は１００ｋＷ．ｃｍ−２の光子束又は平均ピークパルス力での光照明下で、少なくとも３００、４００、５００、６００、７００、８００、９００、１０００、２０００、３０００、４０００、５０００、６０００、７０００、８０００、９０００、１００００、１１０００、１２０００、１３０００、１４０００、１５０００、１６０００、１７０００、１８０００、１９０００、２００００、２１０００、２２０００、２３０００、２４０００、２５０００、２６０００、２７０００、２８０００、２９０００、３００００、３１０００、３２０００、３３０００、３４０００、３５０００、３６０００、３７０００、３８０００、３９０００、４００００、４１０００、４２０００、４３０００、４４０００、４５０００、４６０００、４７０００、４８０００、４９０００、又は５００００時間後に、８０％、７０％、６０％、５０％、４０％、３０％、２５％、２０％、１５％、１０％、５％、４％、３％、２％、１％、又は０％未満のその光発光量子収率（ＰＱＬＹ）の減少を示す。
一実施形態において、複合粒子１は、少なくとも１ｍＷ．ｃｍ−２、５０ｍＷ．ｃｍ−２、１００ｍＷ．ｃｍ−２、５００ｍＷ．ｃｍ−２、１Ｗ．ｃｍ−２、５Ｗ．ｃｍ−２、１０Ｗ．ｃｍ−２、２０Ｗ．ｃｍ−２、３０Ｗ．ｃｍ−２、４０Ｗ．ｃｍ−２、５０Ｗ．ｃｍ−２、６０Ｗ．ｃｍ−２、７０Ｗ．ｃｍ−２、８０Ｗ．ｃｍ−２、９０Ｗ．ｃｍ−２、１００Ｗ．ｃｍ−２、１１０Ｗ．ｃｍ−２、１２０Ｗ．ｃｍ−２、１３０Ｗ．ｃｍ−２、１４０Ｗ．ｃｍ−２、１５０Ｗ．ｃｍ−２、１６０Ｗ．ｃｍ−２、１７０Ｗ．ｃｍ−２、１８０Ｗ．ｃｍ−２、１９０Ｗ．ｃｍ−２、２００Ｗ．ｃｍ−２、３００Ｗ．ｃｍ−２、４００Ｗ．ｃｍ−２、５００Ｗ．ｃｍ−２、６００Ｗ．ｃｍ−２、７００Ｗ．ｃｍ−２、８００Ｗ．ｃｍ−２、９００Ｗ．ｃｍ−２、１ｋＷ．ｃｍ−２、５０ｋＷ．ｃｍ−２、又は１００ｋＷ．ｃｍ−２の光子束又は平均ピークパルス力での光照明下で、少なくとも３００、４００、５００、６００、７００、８００、９００、１０００、２０００、３０００、４０００、５０００、６０００、７０００、８０００、９０００、１００００、１１０００、１２０００、１３０００、１４０００、１５０００、１６０００、１７０００、１８０００、１９０００、２００００、２１０００、２２０００、２３０００、２４０００、２５０００、２６０００、２７０００、２８０００、２９０００、３００００、３１０００、３２０００、３３０００、３４０００、３５０００、３６０００、３７０００、３８０００、３９０００、４００００、４１０００、４２０００、４３０００、４４０００、４５０００、４６０００、４７０００、４８０００、４９０００、又は５００００時間後に、８０％、７０％、６０％、５０％、４０％、３０％、２５％、２０％、１５％、１０％、５％、４％、３％、２％、１％、又は０％未満のＦＣＥの減少を示す。
一実施形態によれば、複合粒子１は、少なくとも０．１ナノ秒、０．２ナノ秒、０．３ナノ秒、０．４ナノ秒、０．５ナノ秒、０．６ナノ秒、０．７ナノ秒、０．８ナノ秒、０．９ナノ秒、１ナノ秒、２ナノ秒、３ナノ秒、４ナノ秒、５ナノ秒、６ナノ秒、７ナノ秒、８ナノ秒、９ナノ秒、１０ナノ秒、１１ナノ秒、１２ナノ秒、１３ナノ秒、１４ナノ秒、１５ナノ秒、１６ナノ秒、１７ナノ秒、１８ナノ秒、１９ナノ秒、２０ナノ秒、２１ナノ秒、２２ナノ秒、２３ナノ秒、２４ナノ秒、２５ナノ秒、２６ナノ秒、２７ナノ秒、２８ナノ秒、２９ナノ秒、３０ナノ秒、３１ナノ秒、３２ナノ秒、３３ナノ秒、３４ナノ秒、３５ナノ秒、３６ナノ秒、３７ナノ秒、３８ナノ秒、３９ナノ秒、４０ナノ秒、４１ナノ秒、４２ナノ秒、４３ナノ秒、４４ナノ秒、４５ナノ秒、４６ナノ秒、４７ナノ秒、４８ナノ秒、４９ナノ秒、５０ナノ秒、１００ナノ秒、１５０ナノ秒、２００ナノ秒、２５０ナノ秒、３００ナノ秒、３５０ナノ秒、４００ナノ秒、４５０ナノ秒、５００ナノ秒、５５０ナノ秒、６００ナノ秒、６５０ナノ秒、７００ナノ秒、７５０ナノ秒、８００ナノ秒、８５０ナノ秒、９００ナノ秒、９５０ナノ秒、又は１マイクロ秒の平均蛍光寿命を有する。
一実施形態において、複合粒子１は、少なくとも１ｍＷ．ｃｍ−２、５０ｍＷ．ｃｍ−２、１００ｍＷ．ｃｍ−２、５００ｍＷ．ｃｍ−２、１Ｗ．ｃｍ−２、５Ｗ．ｃｍ−２、１０Ｗ．ｃｍ−２、２０Ｗ．ｃｍ−２、３０Ｗ．ｃｍ−２、４０Ｗ．ｃｍ−２、５０Ｗ．ｃｍ−２、６０Ｗ．ｃｍ−２、７０Ｗ．ｃｍ−２、８０Ｗ．ｃｍ−２、９０Ｗ．ｃｍ−２、１００Ｗ．ｃｍ−２、１１０Ｗ．ｃｍ−２、１２０Ｗ．ｃｍ−２、１３０Ｗ．ｃｍ−２、１４０Ｗ．ｃｍ−２、１５０Ｗ．ｃｍ−２、１６０Ｗ．ｃｍ−２、１７０Ｗ．ｃｍ−２、１８０Ｗ．ｃｍ−２、１９０Ｗ．ｃｍ−２、２００Ｗ．ｃｍ−２、３００Ｗ．ｃｍ−２、４００Ｗ．ｃｍ−２、５００Ｗ．ｃｍ−２、６００Ｗ．ｃｍ−２、７００Ｗ．ｃｍ−２、８００Ｗ．ｃｍ−２、９００Ｗ．ｃｍ−２、１ｋＷ．ｃｍ−２、５０ｋＷ．ｃｍ−２、又は１００ｋＷ．ｃｍ−２の平均ピークパルス力でのパルス光下で、少なくとも３００、４００、５００、６００、７００、８００、９００、１０００、２０００、３０００、４０００、５０００、６０００、７０００、８０００、９０００、１００００、１１０００、１２０００、１３０００、１４０００、１５０００、１６０００、１７０００、１８０００、１９０００、２００００、２１０００、２２０００、２３０００、２４０００、２５０００、２６０００、２７０００、２８０００、２９０００、３００００、３１０００、３２０００、３３０００、３４０００、３５０００、３６０００、３７０００、３８０００、３９０００、４００００、４１０００、４２０００、４３０００、４４０００、４５０００、４６０００、４７０００、４８０００、４９０００、又は５００００時間後に、８０％、７０％、６０％、５０％、４０％、３０％、２５％、２０％、１５％、１０％、５％、４％、３％、２％、１％、又は０％未満のその光発光量子収率（ＰＱＬＹ）の減少を示す。この実施形態において、複合粒子１は、好ましくは、量子ドット、半導体ナノ粒子、半導体ナノ結晶、又は半導体ナノプレートレットを含む。
一実施形態において、複合粒子１は、少なくとも１ｍＷ．ｃｍ−２、５０ｍＷ．ｃｍ−２、１００ｍＷ．ｃｍ−２、５００ｍＷ．ｃｍ−２、１Ｗ．ｃｍ−２、５Ｗ．ｃｍ−２、１０Ｗ．ｃｍ−２、２０Ｗ．ｃｍ−２、３０Ｗ．ｃｍ−２、４０Ｗ．ｃｍ−２、５０Ｗ．ｃｍ−２、６０Ｗ．ｃｍ−２、７０Ｗ．ｃｍ−２、８０Ｗ．ｃｍ−２、９０Ｗ．ｃｍ−２、１００Ｗ．ｃｍ−２、１１０Ｗ．ｃｍ−２、１２０Ｗ．ｃｍ−２、１３０Ｗ．ｃｍ−２、１４０Ｗ．ｃｍ−２、１５０Ｗ．ｃｍ−２、１６０Ｗ．ｃｍ−２、１７０Ｗ．ｃｍ−２、１８０Ｗ．ｃｍ−２、１９０Ｗ．ｃｍ−２、２００Ｗ．ｃｍ−２、３００Ｗ．ｃｍ−２、４００Ｗ．ｃｍ−２、５００Ｗ．ｃｍ−２、６００Ｗ．ｃｍ−２、７００Ｗ．ｃｍ−２、８００Ｗ．ｃｍ−２、９００Ｗ．ｃｍ−２、１ｋＷ．ｃｍ−２、５０ｋＷ．ｃｍ−２、又は１００ｋＷ．ｃｍ−２の平均ピークパルス力若しくは光子束でのパルス光又は連続光下で、少なくとも３００、４００、５００、６００、７００、８００、９００、１０００、２０００、３０００、４０００、５０００、６０００、７０００、８０００、９０００、１００００、１１０００、１２０００、１３０００、１４０００、１５０００、１６０００、１７０００、１８０００、１９０００、２００００、２１０００、２２０００、２３０００、２４０００、２５０００、２６０００、２７０００、２８０００、２９０００、３００００、３１０００、３２０００、３３０００、３４０００、３５０００、３６０００、３７０００、３８０００、３９０００、４００００、４１０００、４２０００、４３０００、４４０００、４５０００、４６０００、４７０００、４８０００、４９０００、又は５００００時間後に、２５％、２０％、１５％、１０％、５％、４％、３％、２％、１％、又は０％未満の光発光量子収率（ＰＱＬＹ）の減少を示す。
一実施形態において、複合粒子１は、少なくとも１ｍＷ．ｃｍ−２、５０ｍＷ．ｃｍ−２、１００ｍＷ．ｃｍ−２、５００ｍＷ．ｃｍ−２、１Ｗ．ｃｍ−２、５Ｗ．ｃｍ−２、１０Ｗ．ｃｍ−２、２０Ｗ．ｃｍ−２、３０Ｗ．ｃｍ−２、４０Ｗ．ｃｍ−２、５０Ｗ．ｃｍ−２、６０Ｗ．ｃｍ−２、７０Ｗ．ｃｍ−２、８０Ｗ．ｃｍ−２、９０Ｗ．ｃｍ−２、１００Ｗ．ｃｍ−２、１１０Ｗ．ｃｍ−２、１２０Ｗ．ｃｍ−２、１３０Ｗ．ｃｍ−２、１４０Ｗ．ｃｍ−２、１５０Ｗ．ｃｍ−２、１６０Ｗ．ｃｍ−２、１７０Ｗ．ｃｍ−２、１８０Ｗ．ｃｍ−２、１９０Ｗ．ｃｍ−２、２００Ｗ．ｃｍ−２、３００Ｗ．ｃｍ−２、４００Ｗ．ｃｍ−２、５００Ｗ．ｃｍ−２、６００Ｗ．ｃｍ−２、７００Ｗ．ｃｍ−２、８００Ｗ．ｃｍ−２、９００Ｗ．ｃｍ−２、１ｋＷ．ｃｍ−２、５０ｋＷ．ｃｍ−２、又は１００ｋＷ．ｃｍ−２の平均ピークパルス力でのパルス光下で、少なくとも３００、４００、５００、６００、７００、８００、９００、１０００、２０００、３０００、４０００、５０００、６０００、７０００、８０００、９０００、１００００、１１０００、１２０００、１３０００、１４０００、１５０００、１６０００、１７０００、１８０００、１９０００、２００００、２１０００、２２０００、２３０００、２４０００、２５０００、２６０００、２７０００、２８０００、２９０００、３００００、３１０００、３２０００、３３０００、３４０００、３５０００、３６０００、３７０００、３８０００、３９０００、４００００、４１０００、４２０００、４３０００、４４０００、４５０００、４６０００、４７０００、４８０００、４９０００、又は５００００時間後に、８０％、７０％、６０％、５０％、４０％、３０％、２５％、２０％、１５％、１０％、５％、４％、３％、２％、１％、又は０％未満のＦＣＥの減少を示す。この実施形態において、複合粒子１は、好ましくは、量子ドット、半導体ナノ粒子、半導体ナノ結晶、又は半導体ナノプレートレットを含む。
一実施形態において、複合粒子１は、少なくとも１ｍＷ．ｃｍ−２、５０ｍＷ．ｃｍ−２、１００ｍＷ．ｃｍ−２、５００ｍＷ．ｃｍ−２、１Ｗ．ｃｍ−２、５Ｗ．ｃｍ−２、１０Ｗ．ｃｍ−２、２０Ｗ．ｃｍ−２、３０Ｗ．ｃｍ−２、４０Ｗ．ｃｍ−２、５０Ｗ．ｃｍ−２、６０Ｗ．ｃｍ−２、７０Ｗ．ｃｍ−２、８０Ｗ．ｃｍ−２、９０Ｗ．ｃｍ−２、１００Ｗ．ｃｍ−２、１１０Ｗ．ｃｍ−２、１２０Ｗ．ｃｍ−２、１３０Ｗ．ｃｍ−２、１４０Ｗ．ｃｍ−２、１５０Ｗ．ｃｍ−２、１６０Ｗ．ｃｍ−２、１７０Ｗ．ｃｍ−２、１８０Ｗ．ｃｍ−２、１９０Ｗ．ｃｍ−２、２００Ｗ．ｃｍ−２、３００Ｗ．ｃｍ−２、４００Ｗ．ｃｍ−２、５００Ｗ．ｃｍ−２、６００Ｗ．ｃｍ−２、７００Ｗ．ｃｍ−２、８００Ｗ．ｃｍ−２、９００Ｗ．ｃｍ−２、１ｋＷ．ｃｍ−２、５０ｋＷ．ｃｍ−２、又は１００ｋＷ．ｃｍ−２の平均ピークパルス力若しくは光子束でのパルス光又は連続光下で、少なくとも３００、４００、５００、６００、７００、８００、９００、１０００、２０００、３０００、４０００、５０００、６０００、７０００、８０００、９０００、１００００、１１０００、１２０００、１３０００、１４０００、１５０００、１６０００、１７０００、１８０００、１９０００、２００００、２１０００、２２０００、２３０００、２４０００、２５０００、２６０００、２７０００、２８０００、２９０００、３００００、３１０００、３２０００、３３０００、３４０００、３５０００、３６０００、３７０００、３８０００、３９０００、４００００、４１０００、４２０００、４３０００、４４０００、４５０００、４６０００、４７０００、４８０００、４９０００、又は５００００時間後に、２５％、２０％、１５％、１０％、５％、４％、３％、２％、１％、又は０％未満のＦＣＥの減少を示す。
一実施形態によれば、複合粒子１は、界面活性剤を含まない。この実施形態において、複合粒子１の表面は、前記表面が任意の界面活性剤分子によってブロックされないように官能化することは容易である。
一実施形態によれば、複合粒子１は、界面活性剤を含まない。
一実施形態によれば、複合粒子１は、非晶質である。
一実施形態によれば、複合粒子１は、結晶である。
一実施形態によれば、複合粒子１は、完全に結晶である。
一実施形態によれば、複合粒子１は、部分的に結晶である。
一実施形態によれば、複合粒子１は、単結晶である。
一実施形態によれば、複合粒子１は、多結晶である。この実施形態において、複合粒子１は、少なくとも１種の結晶粒界を含む。
一実施形態によれば、複合粒子１は、コロイド粒子である。
一実施形態によれば、複合粒子１は、球状多孔質ビーズを含まず、好ましくは、複合粒子１は、中央球状多孔質ビーズを含まない。
一実施形態によれば、複合粒子１は、球状多孔質ビーズを含まず、ナノ粒子３は、前記球状多孔質ビーズの表面に結合している。
一実施形態によれば、複合粒子１は、反対の電荷を有するビーズ及びナノ粒子３を含まない。
一実施形態によれば、複合粒子１は、多孔質である。
一実施形態によれば、複合粒子１は、ブルナウアー・エメット・テラー（ＢＥＴ）理論において窒素の吸脱によって決定される、複合粒子１が吸着する量が６５０ｍｍＨｇ、好ましくは７００ｍｍＨｇの窒素圧で２０ｃｍ３／ｇ、１５ｃｍ３／ｇ、１０ｃｍ３／ｇ、５ｃｍ３／ｇを超える場合に、複合粒子１は、多孔質であると考えられる。
一実施形態によれば、複合粒子１の多孔性構成は、六方晶系、蠕虫状又は立方晶系であり得る。
一実施形態によれば、構成される複合粒子１の多孔性は、少なくとも１ｎｍ、１．５ｎｍ、２ｎｍ、２．５ｎｍ、３ｎｍ、３．５ｎｍ、４ｎｍ、４．５ｎｍ、５ｎｍ、５．５ｎｍ、６ｎｍ、６．５ｎｍ、７ｎｍ、７．５ｎｍ、８ｎｍ、８．５ｎｍ、９ｎｍ、９．５ｎｍ、１０ｎｍ、１１ｎｍ、１２ｎｍ、１３ｎｍ、１４ｎｍ、１５ｎｍ、１６ｎｍ、１７ｎｍ、１８ｎｍ、１９ｎｍ、２０ｎｍ、２１ｎｍ、２２ｎｍ、２３ｎｍ、２４ｎｍ、２５ｎｍ、２６ｎｍ、２７ｎｍ、２８ｎｍ、２９ｎｍ、３０ｎｍ、３１ｎｍ、３２ｎｍ、３３ｎｍ、３４ｎｍ、３５ｎｍ、３６ｎｍ、３７ｎｍ、３８ｎｍ、３９ｎｍ、４０ｎｍ、４１ｎｍ、４２ｎｍ、４３ｎｍ、４４ｎｍ、４５ｎｍ、４６ｎｍ、４７ｎｍ、４８ｎｍ、４９ｎｍ、又は５０ｎｍの細孔サイズを有する。
一実施形態によれば、複合粒子１は、多孔質ではない。
一実施形態によれば、複合粒子１は、ブルナウアー・エメット・テラー（ＢＥＴ）理論において窒素の吸脱によって決定される、前記複合粒子１が吸着する量が６５０ｍｍＨｇ、好ましくは７００ｍｍＨｇの窒素圧で２０ｃｍ３／ｇ、１５ｃｍ３／ｇ、１０ｃｍ３／ｇ、５ｃｍ３／ｇ未満である場合に、複合粒子１は、非多孔質であると考えられる。
一実施形態によれば、複合粒子１は、細孔又は空洞を含まない。
一実施形態によれば、複合粒子１は、透過性である。
一実施形態によれば、透過性複合粒子１は、１０−１１ｃｍ２、１０−１０ｃｍ２、１０−９ｃｍ２、１０−８ｃｍ２、１０−７ｃｍ２、１０−６ｃｍ２、１０−５ｃｍ２、１０−４ｃｍ２、又は１０−３ｃｍ２以上の流体に固有の透過性を有する。
一実施形態によれば、複合粒子１は、外部分子種、気体又は液体に対して不透過性である。この実施形態において、外部分子種、気体又は液体は、前記複合粒子１の外部の分子種、気体又は液体を指す。
一実施形態によれば、不透過性複合粒子１は、１０−１１ｃｍ２、１０−１２ｃｍ２、１０−１３ｃｍ２、１０−１４ｃｍ２、１０−１５ｃｍ２以下の流体に固有の透過性を有する。
一実施形態によれば、複合粒子１は、室温で、１日あたり１０−７〜１０ｃｍ３／ｍ２、好ましくは、１日あたり１０−７〜１ｃｍ３／ｍ２、より好ましくは、１日あたり１０−７〜１０−１ｃｍ３／ｍ２、さらにより好ましくは、１日あたり１０−７〜１０−４ｃｍ３／ｍ２の範囲の酸素透過率を有する。
一実施形態によれば、複合粒子１は、室温で、１日あたり１０−７〜１０ｇ／ｍ２、好ましくは、１日あたり１０−７〜１ｇ／ｍ２、より好ましくは、１日あたり１０−７〜１０−１ｇ／ｍ２、さらにより好ましくは、１日あたり１０−７〜１０−４ｇ／ｍ２の範囲の水蒸気透過率を有する。１日あたり１０−６ｇ／ｍ２の水蒸気透過率が、ＬＥＤでの使用に、特に適切である。
一実施形態によれば、複合粒子１は、少なくとも１日、５日、１０日、１５日、２０日、２５日、１ヶ月、２ヶ月、３ヶ月、４ヶ月、５ヶ月、６ヶ月、７ヶ月、８ヶ月、９ヶ月、１０ヶ月、１１ヶ月、１２ヶ月、１８ヶ月、２年、２．５年、３年、３．５年、４年、４．５年、５年、５．５年、６年、６．５年、７年、７．５年、８年、８．５年、９年、９．５年、又は１０年後に、１００％、９０％、８０％、７０％、６０％、５０％、４０％、３０％、２５％、２０％、１０％、５％、４％、３％、２％、１％、又は０％未満のその特異的性質の劣化を示す。
一実施形態によれば、複合粒子１は、少なくとも１日、５日、１０日、１５日、２０日、２５日、１ヶ月、２ヶ月、３ヶ月、４ヶ月、５ヶ月、６ヶ月、７ヶ月、８ヶ月、９ヶ月、１０ヶ月、１１ヶ月、１２ヶ月、１８ヶ月、２年、２．５年、３年、３．５年、４年、４．５年、５年、５．５年、６年、６．５年、７年、７．５年、８年、８．５年、９年、９．５年、又は１０年の貯蔵寿命を示す。
一実施形態によれば、複合粒子１は、０℃、１０℃、２０℃、３０℃、４０℃、５０℃、６０℃、７０℃、８０℃、９０℃、１００℃、１２５℃、１５０℃、１７５℃、２００℃、２２５℃、２５０℃、２７５℃、又は３００℃下で、１００％、９０％、８０％、７０％、６０％、５０％、４０％、３０％、２５％、２０％、１０％、５％、４％、３％、２％、１％、又は０％未満のその特異的性質の劣化を示す。
一実施形態によれば、複合粒子１は、０％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は９９％の湿度の下で、１００％、９０％、８０％、７０％、６０％、５０％、４０％、３０％、２５％、２０％、１０％、５％、４％、３％、２％、１％、又は０％未満のその特異的性質の劣化を示す。
一実施形態によれば、複合粒子１は、０℃、１０℃、２０℃、３０℃、４０℃、５０℃、６０℃、７０℃、８０℃、９０℃、１００℃、１２５℃、１５０℃、１７５℃、２００℃、２２５℃、２５０℃、２７５℃、又は３００℃下で、かつ０％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は９９％の湿度の下で、１００％、９０％、８０％、７０％、６０％、５０％、４０％、３０％、２５％、２０％、１０％、５％、４％、３％、２％、１％、又は０％未満のその特異的性質の劣化を示す。
一実施形態によれば、複合粒子１は、０％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は９９％の湿度の下で、少なくとも１日、５日、１０日、１５日、２０日、２５日、１ヶ月、２ヶ月、３ヶ月、４ヶ月、５ヶ月、６ヶ月、７ヶ月、８ヶ月、９ヶ月、１０ヶ月、１１ヶ月、１２ヶ月、１８ヶ月、２年、２．５年、３年、３．５年、４年、４．５年、５年、５．５年、６年、６．５年、７年、７．５年、８年、８．５年、９年、９．５年、又は１０年後に、１００％、９０％、８０％、７０％、６０％、５０％、４０％、３０％、２５％、２０％、１０％、５％、４％、３％、２％、１％、又は０％未満のその特異的性質の劣化を示す。
一実施形態によれば、複合粒子１は、０℃、１０℃、２０℃、３０℃、４０℃、５０℃、６０℃、７０℃、８０℃、９０℃、１００℃、１２５℃、１５０℃、１７５℃、２００℃、２２５℃、２５０℃、２７５℃、又は３００℃下で、少なくとも１日、５日、１０日、１５日、２０日、２５日、１ヶ月、２ヶ月、３ヶ月、４ヶ月、５ヶ月、６ヶ月、７ヶ月、８ヶ月、９ヶ月、１０ヶ月、１１ヶ月、１２ヶ月、１８ヶ月、２年、２．５年、３年、３．５年、４年、４．５年、５年、５．５年、６年、６．５年、７年、７．５年、８年、８．５年、９年、９．５年、又は１０年後に、１００％、９０％、８０％、７０％、６０％、５０％、４０％、３０％、２５％、２０％、１０％、５％、４％、３％、２％、１％、又は０％未満のその特異的性質の劣化を示す。
一実施形態によれば、複合粒子１は、０℃、１０℃、２０℃、３０℃、４０℃、５０℃、６０℃、７０℃、８０℃、９０℃、１００℃、１２５℃、１５０℃、１７５℃、２００℃、２２５℃、２５０℃、２７５℃、又は３００℃下で、かつ０％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は９９％の湿度の下で、少なくとも１日、５日、１０日、１５日、２０日、２５日、１ヶ月、２ヶ月、３ヶ月、４ヶ月、５ヶ月、６ヶ月、７ヶ月、８ヶ月、９ヶ月、１０ヶ月、１１ヶ月、１２ヶ月、１８ヶ月、２年、２．５年、３年、３．５年、４年、４．５年、５年、５．５年、６年、６．５年、７年、７．５年、８年、８．５年、９年、９．５年、又は１０年後に、１００％、９０％、８０％、７０％、６０％、５０％、４０％、３０％、２５％、２０％、１０％、５％、４％、３％、２％、１％、又は０％未満のその特異的性質の劣化を示す。
一実施形態によれば、複合粒子１は、０％、５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は１００％のＯ２分子下で、少なくとも１日、５日、１０日、１５日、２０日、２５日、１ヶ月、２ヶ月、３ヶ月、４ヶ月、５ヶ月、６ヶ月、７ヶ月、８ヶ月、９ヶ月、１０ヶ月、１１ヶ月、１２ヶ月、１８ヶ月、２年、２．５年、３年、３．５年、４年、４．５年、５年、５．５年、６年、６．５年、７年、７．５年、８年、８．５年、９年、９．５年、又は１０年後に、１００％、９０％、８０％、７０％、６０％、５０％、４０％、３０％、２５％、２０％、１０％、５％、４％、３％、２％、１％、又は０％未満のその特異的性質の劣化を示す。
一実施形態によれば、複合粒子１は、０％、５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は１００％のＯ２分子下で、０℃、１０℃、２０℃、３０℃、４０℃、５０℃、６０℃、７０℃、８０℃、９０℃、１００℃、１２５℃、１５０℃、１７５℃、２００℃、２２５℃、２５０℃、２７５℃、又は３００℃下で、少なくとも１日、５日、１０日、１５日、２０日、２５日、１ヶ月、２ヶ月、３ヶ月、４ヶ月、５ヶ月、６ヶ月、７ヶ月、８ヶ月、９ヶ月、１０ヶ月、１１ヶ月、１２ヶ月、１８ヶ月、２年、２．５年、３年、３．５年、４年、４．５年、５年、５．５年、６年、６．５年、７年、７．５年、８年、８．５年、９年、９．５年、又は１０年後に、１００％、９０％、８０％、７０％、６０％、５０％、４０％、３０％、２５％、２０％、１０％、５％、４％、３％、２％、１％、又は０％未満のその特異的性質の劣化を示す。
一実施形態によれば、複合粒子１は、０％、５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は１００％のＯ２分子下で、０％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は９９％の湿度の下で、少なくとも１日、５日、１０日、１５日、２０日、２５日、１ヶ月、２ヶ月、３ヶ月、４ヶ月、５ヶ月、６ヶ月、７ヶ月、８ヶ月、９ヶ月、１０ヶ月、１１ヶ月、１２ヶ月、１８ヶ月、２年、２．５年、３年、３．５年、４年、４．５年、５年、５．５年、６年、６．５年、７年、７．５年、８年、８．５年、９年、９．５年、又は１０年後に、１００％、９０％、８０％、７０％、６０％、５０％、４０％、３０％、２５％、２０％、１０％、５％、４％、３％、２％、１％、又は０％未満のその特異的性質の劣化を示す。
一実施形態によれば、複合粒子１は、０％、５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は１００％のＯ２分子下で、０℃、１０℃、２０℃、３０℃、４０℃、５０℃、６０℃、７０℃、８０℃、９０℃、１００℃、１２５℃、１５０℃、１７５℃、２００℃、２２５℃、２５０℃、２７５℃、又は３００℃下で、かつ０％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は９９％の湿度の下で、少なくとも１日、５日、１０日、１５日、２０日、２５日、１ヶ月、２ヶ月、３ヶ月、４ヶ月、５ヶ月、６ヶ月、７ヶ月、８ヶ月、９ヶ月、１０ヶ月、１１ヶ月、１２ヶ月、１８ヶ月、２年、２．５年、３年、３．５年、４年、４．５年、５年、５．５年、６年、６．５年、７年、７．５年、８年、８．５年、９年、９．５年、又は１０年後に、１００％、９０％、８０％、７０％、６０％、５０％、４０％、３０％、２５％、２０％、１０％、５％、４％、３％、２％、１％、又は０％未満のその特異的性質の劣化を示す。
一実施形態によれば、複合粒子１の特異的性質は、以下：蛍光、燐光、化学発光、増加する局所電磁場の容量、吸光度、磁化、保磁力、触媒収率、触媒特性、光起電力率、電気分極、熱伝導性、電気伝導性、酸素分子に対する透過性、水分子に対する透過性、又は任意の他の性質のうちの１以上を含む。
一実施形態によれば、複合粒子１は、少なくとも１日、５日、１０日、１５日、２０日、２５日、１ヶ月、２ヶ月、３ヶ月、４ヶ月、５ヶ月、６ヶ月、７ヶ月、８ヶ月、９ヶ月、１０ヶ月、１１ヶ月、１２ヶ月、１８ヶ月、２年、２．５年、３年、３．５年、４年、４．５年、５年、５．５年、６年、６．５年、７年、７．５年、８年、８．５年、９年、９．５年、又は１０年後に、９０％、８０％、７０％、６０％、５０％、４０％、３０％、２５％、２０％、１０％、５％、４％、３％、２％、１％、又は０％未満のその光発光の劣化を示す。
光発光は、蛍光及び／又は燐光を指す。
一実施形態によれば、複合粒子１は、０℃、１０℃、２０℃、３０℃、４０℃、５０℃、６０℃、７０℃、８０℃、９０℃、１００℃、１２５℃、１５０℃、１７５℃、２００℃、２２５℃、２５０℃、２７５℃、又は３００℃下で、９０％、８０％、７０％、６０％、５０％、４０％、３０％、２５％、２０％、１０％、５％、４％、３％、２％、１％、又は０％未満のその光発光の劣化を示す。
一実施形態によれば、複合粒子１は、０％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は９９％の湿度の下で、９０％、８０％、７０％、６０％、５０％、４０％、３０％、２５％、２０％、１０％、５％、４％、３％、２％、１％、又は０％未満のその光発光の劣化を示す。
一実施形態によれば、複合粒子１は、０℃、１０℃、２０℃、３０℃、４０℃、５０℃、６０℃、７０℃、８０℃、９０℃、１００℃、１２５℃、１５０℃、１７５℃、２００℃、２２５℃、２５０℃、２７５℃、又は３００℃下で、かつ０％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は９９％の湿度の下で、９０％、８０％、７０％、６０％、５０％、４０％、３０％、２５％、２０％、１０％、５％、４％、３％、２％、１％、又は０％未満のその光発光の劣化を示す。
一実施形態によれば、複合粒子１は、０％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は９９％の湿度の下で、少なくとも１日、５日、１０日、１５日、２０日、２５日、１ヶ月、２ヶ月、３ヶ月、４ヶ月、５ヶ月、６ヶ月、７ヶ月、８ヶ月、９ヶ月、１０ヶ月、１１ヶ月、１２ヶ月、１８ヶ月、２年、２．５年、３年、３．５年、４年、４．５年、５年、５．５年、６年、６．５年、７年、７．５年、８年、８．５年、９年、９．５年、又は１０年後に、９０％、８０％、７０％、６０％、５０％、４０％、３０％、２５％、２０％、１０％、５％、４％、３％、２％、１％、又は０％未満のその光発光の劣化を示す。
一実施形態によれば、複合粒子１は、０℃、１０℃、２０℃、３０℃、４０℃、５０℃、６０℃、７０℃、８０℃、９０℃、１００℃、１２５℃、１５０℃、１７５℃、２００℃、２２５℃、２５０℃、２７５℃、又は３００℃下で、少なくとも１日、５日、１０日、１５日、２０日、２５日、１ヶ月、２ヶ月、３ヶ月、４ヶ月、５ヶ月、６ヶ月、７ヶ月、８ヶ月、９ヶ月、１０ヶ月、１１ヶ月、１２ヶ月、１８ヶ月、２年、２．５年、３年、３．５年、４年、４．５年、５年、５．５年、６年、６．５年、７年、７．５年、８年、８．５年、９年、９．５年、又は１０年後に、９０％、８０％、７０％、６０％、５０％、４０％、３０％、２５％、２０％、１０％、５％、４％、３％、２％、１％、又は０％未満のその光発光の劣化を示す。
一実施形態によれば、複合粒子１は、０℃、１０℃、２０℃、３０℃、４０℃、５０℃、６０℃、７０℃、８０℃、９０℃、１００℃、１２５℃、１５０℃、１７５℃、２００℃、２２５℃、２５０℃、２７５℃、又は３００℃下で、かつ０％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は９９％の湿度の下で、少なくとも１日、５日、１０日、１５日、２０日、２５日、１ヶ月、２ヶ月、３ヶ月、４ヶ月、５ヶ月、６ヶ月、７ヶ月、８ヶ月、９ヶ月、１０ヶ月、１１ヶ月、１２ヶ月、１８ヶ月、２年、２．５年、３年、３．５年、４年、４．５年、５年、５．５年、６年、６．５年、７年、７．５年、８年、８．５年、９年、９．５年、又は１０年後に、９０％、８０％、７０％、６０％、５０％、４０％、３０％、２５％、２０％、１０％、５％、４％、３％、２％、１％、又は０％未満のその光発光の劣化を示す。
一実施形態によれば、複合粒子１は、０％、５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は１００％のＯ２分子下で、少なくとも１日、５日、１０日、１５日、２０日、２５日、１ヶ月、２ヶ月、３ヶ月、４ヶ月、５ヶ月、６ヶ月、７ヶ月、８ヶ月、９ヶ月、１０ヶ月、１１ヶ月、１２ヶ月、１８ヶ月、２年、２．５年、３年、３．５年、４年、４．５年、５年、５．５年、６年、６．５年、７年、７．５年、８年、８．５年、９年、９．５年、又は１０年後に、９０％、８０％、７０％、６０％、５０％、４０％、３０％、２５％、２０％、１０％、５％、４％、３％、２％、１％、又は０％未満のその光発光の劣化を示す。
一実施形態によれば、複合粒子１は、０％、５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は１００％のＯ２分子下で、かつ０℃、１０℃、２０℃、３０℃、４０℃、５０℃、６０℃、７０℃、８０℃、９０℃、１００℃、１２５℃、１５０℃、１７５℃、２００℃、２２５℃、２５０℃、２７５℃、又は３００℃下で、少なくとも１日、５日、１０日、１５日、２０日、２５日、１ヶ月、２ヶ月、３ヶ月、４ヶ月、５ヶ月、６ヶ月、７ヶ月、８ヶ月、９ヶ月、１０ヶ月、１１ヶ月、１２ヶ月、１８ヶ月、２年、２．５年、３年、３．５年、４年、４．５年、５年、５．５年、６年、６．５年、７年、７．５年、８年、８．５年、９年、９．５年、又は１０年後に、９０％、８０％、７０％、６０％、５０％、４０％、３０％、２５％、２０％、１０％、５％、４％、３％、２％、１％、又は０％未満のその光発光の劣化を示す。
一実施形態によれば、複合粒子１は、０％、５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は１００％のＯ２分子下で、０％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は９９％の湿度の下で、少なくとも１日、５日、１０日、１５日、２０日、２５日、１ヶ月、２ヶ月、３ヶ月、４ヶ月、５ヶ月、６ヶ月、７ヶ月、８ヶ月、９ヶ月、１０ヶ月、１１ヶ月、１２ヶ月、１８ヶ月、２年、２．５年、３年、３．５年、４年、４．５年、５年、５．５年、６年、６．５年、７年、７．５年、８年、８．５年、９年、９．５年、又は１０年後に、９０％、８０％、７０％、６０％、５０％、４０％、３０％、２５％、２０％、１０％、５％、４％、３％、２％、１％、又は０％未満のその光発光の劣化を示す。
一実施形態によれば、複合粒子１は、０％、５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は１００％のＯ２分子下で、０℃、１０℃、２０℃、３０℃、４０℃、５０℃、６０℃、７０℃、８０℃、９０℃、１００℃、１２５℃、１５０℃、１７５℃、２００℃、２２５℃、２５０℃、２７５℃、又は３００℃下で、かつ０％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は９９％の湿度の下で、少なくとも１日、５日、１０日、１５日、２０日、２５日、１ヶ月、２ヶ月、３ヶ月、４ヶ月、５ヶ月、６ヶ月、７ヶ月、８ヶ月、９ヶ月、１０ヶ月、１１ヶ月、１２ヶ月、１８ヶ月、２年、２．５年、３年、３．５年、４年、４．５年、５年、５．５年、６年、６．５年、７年、７．５年、８年、８．５年、９年、９．５年、又は１０年後に、９０％、８０％、７０％、６０％、５０％、４０％、３０％、２５％、２０％、１０％、５％、４％、３％、２％、１％、又は０％未満のその光発光の劣化を示す。
一実施形態によれば、複合粒子１は、少なくとも１日、５日、１０日、１５日、２０日、２５日、１ヶ月、２ヶ月、３ヶ月、４ヶ月、５ヶ月、６ヶ月、７ヶ月、８ヶ月、９ヶ月、１０ヶ月、１１ヶ月、１２ヶ月、１８ヶ月、２年、２．５年、３年、３．５年、４年、４．５年、５年、５．５年、６年、６．５年、７年、７．５年、８年、８．５年、９年、９．５年、又は１０年後に、９０％、８０％、７０％、６０％、５０％、４０％、３０％、２５％、２０％、１０％、５％、４％、３％、２％、１％、又は０％未満のその光発光量子収率（ＰＬＱＹ）の劣化を示す。
一実施形態によれば、複合粒子１は、０℃、１０℃、２０℃、３０℃、４０℃、５０℃、６０℃、７０℃、８０℃、９０℃、１００℃、１２５℃、１５０℃、１７５℃、２００℃、２２５℃、２５０℃、２７５℃、又は３００℃下で、９０％、８０％、７０％、６０％、５０％、４０％、３０％、２５％、２０％、１０％、５％、４％、３％、２％、１％、又は０％未満のその光発光量子収率（ＰＬＱＹ）の劣化を示す。
一実施形態によれば、複合粒子１は、０％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は９９％の湿度の下で、９０％、８０％、７０％、６０％、５０％、４０％、３０％、２５％、２０％、１０％、５％、４％、３％、２％、１％、又は０％未満のその光発光量子収率（ＰＬＱＹ）の劣化を示す。
一実施形態によれば、複合粒子１は、０℃、１０℃、２０℃、３０℃、４０℃、５０℃、６０℃、７０℃、８０℃、９０℃、１００℃、１２５℃、１５０℃、１７５℃、２００℃、２２５℃、２５０℃、２７５℃、又は３００℃下で、かつ０％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は９９％の湿度の下で、９０％、８０％、７０％、６０％、５０％、４０％、３０％、２５％、２０％、１０％、５％、４％、３％、２％、１％、又は０％未満のその光発光量子収率（ＰＬＱＹ）の劣化を示す。
一実施形態によれば、複合粒子１は、０％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は９９％の湿度の下で、少なくとも１日、５日、１０日、１５日、２０日、２５日、１ヶ月、２ヶ月、３ヶ月、４ヶ月、５ヶ月、６ヶ月、７ヶ月、８ヶ月、９ヶ月、１０ヶ月、１１ヶ月、１２ヶ月、１８ヶ月、２年、２．５年、３年、３．５年、４年、４．５年、５年、５．５年、６年、６．５年、７年、７．５年、８年、８．５年、９年、９．５年、又は１０年後に、９０％、８０％、７０％、６０％、５０％、４０％、３０％、２５％、２０％、１０％、５％、４％、３％、２％、１％、又は０％未満のその光発光量子収率（ＰＬＱＹ）の劣化を示す。
一実施形態によれば、複合粒子１は、０℃、１０℃、２０℃、３０℃、４０℃、５０℃、６０℃、７０℃、８０℃、９０℃、１００℃、１２５℃、１５０℃、１７５℃、２００℃、２２５℃、２５０℃、２７５℃、又は３００℃下で、少なくとも１日、５日、１０日、１５日、２０日、２５日、１ヶ月、２ヶ月、３ヶ月、４ヶ月、５ヶ月、６ヶ月、７ヶ月、８ヶ月、９ヶ月、１０ヶ月、１１ヶ月、１２ヶ月、１８ヶ月、２年、２．５年、３年、３．５年、４年、４．５年、５年、５．５年、６年、６．５年、７年、７．５年、８年、８．５年、９年、９．５年、又は１０年後に、９０％、８０％、７０％、６０％、５０％、４０％、３０％、２５％、２０％、１０％、５％、４％、３％、２％、１％、又は０％未満のその光発光量子収率（ＰＬＱＹ）の劣化を示す。
一実施形態によれば、複合粒子１は、０℃、１０℃、２０℃、３０℃、４０℃、５０℃、６０℃、７０℃、８０℃、９０℃、１００℃、１２５℃、１５０℃、１７５℃、２００℃、２２５℃、２５０℃、２７５℃、又は３００℃下で、０％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は９９％の湿度の下で、少なくとも１日、５日、１０日、１５日、２０日、２５日、１ヶ月、２ヶ月、３ヶ月、４ヶ月、５ヶ月、６ヶ月、７ヶ月、８ヶ月、９ヶ月、１０ヶ月、１１ヶ月、１２ヶ月、１８ヶ月、２年、２．５年、３年、３．５年、４年、４．５年、５年、５．５年、６年、６．５年、７年、７．５年、８年、８．５年、９年、９．５年、又は１０年後に、９０％、８０％、７０％、６０％、５０％、４０％、３０％、２５％、２０％、１０％、５％、４％、３％、２％、１％、又は０％未満のその光発光量子収率（ＰＬＱＹ）の劣化を示す。
一実施形態によれば、複合粒子１は、０％、５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は１００％のＯ２分子下で、少なくとも１日、５日、１０日、１５日、２０日、２５日、１ヶ月、２ヶ月、３ヶ月、４ヶ月、５ヶ月、６ヶ月、７ヶ月、８ヶ月、９ヶ月、１０ヶ月、１１ヶ月、１２ヶ月、１８ヶ月、２年、２．５年、３年、３．５年、４年、４．５年、５年、５．５年、６年、６．５年、７年、７．５年、８年、８．５年、９年、９．５年、又は１０年後に、９０％、８０％、７０％、６０％、５０％、４０％、３０％、２５％、２０％、１０％、５％、４％、３％、２％、１％、又は０％未満のその光発光量子収率（ＰＬＱＹ）の劣化を示す。
一実施形態によれば、複合粒子１は、０％、５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は１００％のＯ２分子下で、０℃、１０℃、２０℃、３０℃、４０℃、５０℃、６０℃、７０℃、８０℃、９０℃、１００℃、１２５℃、１５０℃、１７５℃、２００℃、２２５℃、２５０℃、２７５℃、又は３００℃下で、少なくとも１日、５日、１０日、１５日、２０日、２５日、１ヶ月、２ヶ月、３ヶ月、４ヶ月、５ヶ月、６ヶ月、７ヶ月、８ヶ月、９ヶ月、１０ヶ月、１１ヶ月、１２ヶ月、１８ヶ月、２年、２．５年、３年、３．５年、４年、４．５年、５年、５．５年、６年、６．５年、７年、７．５年、８年、８．５年、９年、９．５年、又は１０年後に、９０％、８０％、７０％、６０％、５０％、４０％、３０％、２５％、２０％、１０％、５％、４％、３％、２％、１％、又は０％未満のその光発光量子収率（ＰＬＱＹ）の劣化を示す。
一実施形態によれば、複合粒子１は、０％、５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は１００％のＯ２下で、０％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は９９％の湿度の下で、少なくとも１日、５日、１０日、１５日、２０日、２５日、１ヶ月、２ヶ月、３ヶ月、４ヶ月、５ヶ月、６ヶ月、７ヶ月、８ヶ月、９ヶ月、１０ヶ月、１１ヶ月、１２ヶ月、１８ヶ月、２年、２．５年、３年、３．５年、４年、４．５年、５年、５．５年、６年、６．５年、７年、７．５年、８年、８．５年、９年、９．５年、又は１０年後に、９０％、８０％、７０％、６０％、５０％、４０％、３０％、２５％、２０％、１０％、５％、４％、３％、２％、１％、又は０％未満のその光発光量子収率（ＰＬＱＹ）の劣化を示す。
一実施形態によれば、複合粒子１は、０％、５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は１００％のＯ２分子下で、０℃、１０℃、２０℃、３０℃、４０℃、５０℃、６０℃、７０℃、８０℃、９０℃、１００℃、１２５℃、１５０℃、１７５℃、２００℃、２２５℃、２５０℃、２７５℃、又は３００℃下で、０％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は９９％の湿度の下で、少なくとも１日、５日、１０日、１５日、２０日、２５日、１ヶ月、２ヶ月、３ヶ月、４ヶ月、５ヶ月、６ヶ月、７ヶ月、８ヶ月、９ヶ月、１０ヶ月、１１ヶ月、１２ヶ月、１８ヶ月、２年、２．５年、３年、３．５年、４年、４．５年、５年、５．５年、６年、６．５年、７年、７．５年、８年、８．５年、９年、９．５年、又は１０年後に、９０％、８０％、７０％、６０％、５０％、４０％、３０％、２５％、２０％、１０％、５％、４％、３％、２％、１％、又は０％未満のその光発光量子収率（ＰＬＱＹ）の劣化を示す。
一実施形態によれば、複合粒子１は、少なくとも１日、５日、１０日、１５日、２０日、２５日、１ヶ月、２ヶ月、３ヶ月、４ヶ月、５ヶ月、６ヶ月、７ヶ月、８ヶ月、９ヶ月、１０ヶ月、１１ヶ月、１２ヶ月、１８ヶ月、２年、２．５年、３年、３．５年、４年、４．５年、５年、５．５年、６年、６．５年、７年、７．５年、８年、８．５年、９年、９．５年、又は１０年後に、９０％、８０％、７０％、６０％、５０％、４０％、３０％、２５％、２０％、１０％、５％、４％、３％、２％、１％、又は０％未満のそのＦＣＥの劣化を示す。
一実施形態によれば、複合粒子１は、０℃、１０℃、２０℃、３０℃、４０℃、５０℃、６０℃、７０℃、８０℃、９０℃、１００℃、１２５℃、１５０℃、１７５℃、２００℃、２２５℃、２５０℃、２７５℃、又は３００℃下で、９０％、８０％、７０％、６０％、５０％、４０％、３０％、２５％、２０％、１０％、５％、４％、３％、２％、１％、又は０％未満のそのＦＣＥの劣化を示す。
一実施形態によれば、複合粒子１は、０％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は９９％の湿度の下で、９０％、８０％、７０％、６０％、５０％、４０％、３０％、２５％、２０％、１０％、５％、４％、３％、２％、１％、又は０％未満のそのＦＣＥの劣化を示す。
一実施形態によれば、複合粒子１は、０℃、１０℃、２０℃、３０℃、４０℃、５０℃、６０℃、７０℃、８０℃、９０℃、１００℃、１２５℃、１５０℃、１７５℃、２００℃、２２５℃、２５０℃、２７５℃、又は３００℃下で、かつ０％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は９９％の湿度の下で、９０％、８０％、７０％、６０％、５０％、４０％、３０％、２５％、２０％、１０％、５％、４％、３％、２％、１％、又は０％未満のそのＦＣＥの劣化を示す。
一実施形態によれば、複合粒子１は、０％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は９９％の湿度の下で、少なくとも１日、５日、１０日、１５日、２０日、２５日、１ヶ月、２ヶ月、３ヶ月、４ヶ月、５ヶ月、６ヶ月、７ヶ月、８ヶ月、９ヶ月、１０ヶ月、１１ヶ月、１２ヶ月、１８ヶ月、２年、２．５年、３年、３．５年、４年、４．５年、５年、５．５年、６年、６．５年、７年、７．５年、８年、８．５年、９年、９．５年、又は１０年後に、９０％、８０％、７０％、６０％、５０％、４０％、３０％、２５％、２０％、１０％、５％、４％、３％、２％、１％、又は０％未満のそのＦＣＥの劣化を示す。
一実施形態によれば、複合粒子１は、０℃、１０℃、２０℃、３０℃、４０℃、５０℃、６０℃、７０℃、８０℃、９０℃、１００℃、１２５℃、１５０℃、１７５℃、２００℃、２２５℃、２５０℃、２７５℃、又は３００℃下で、少なくとも１日、５日、１０日、１５日、２０日、２５日、１ヶ月、２ヶ月、３ヶ月、４ヶ月、５ヶ月、６ヶ月、７ヶ月、８ヶ月、９ヶ月、１０ヶ月、１１ヶ月、１２ヶ月、１８ヶ月、２年、２．５年、３年、３．５年、４年、４．５年、５年、５．５年、６年、６．５年、７年、７．５年、８年、８．５年、９年、９．５年、又は１０年後に、９０％、８０％、７０％、６０％、５０％、４０％、３０％、２５％、２０％、１０％、５％、４％、３％、２％、１％、又は０％未満のそのＦＣＥの劣化を示す。
一実施形態によれば、複合粒子１は、０℃、１０℃、２０℃、３０℃、４０℃、５０℃、６０℃、７０℃、８０℃、９０℃、１００℃、１２５℃、１５０℃、１７５℃、２００℃、２２５℃、２５０℃、２７５℃、又は３００℃下で、かつ０％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は９９％の湿度の下で、少なくとも１日、５日、１０日、１５日、２０日、２５日、１ヶ月、２ヶ月、３ヶ月、４ヶ月、５ヶ月、６ヶ月、７ヶ月、８ヶ月、９ヶ月、１０ヶ月、１１ヶ月、１２ヶ月、１８ヶ月、２年、２．５年、３年、３．５年、４年、４．５年、５年、５．５年、６年、６．５年、７年、７．５年、８年、８．５年、９年、９．５年、又は１０年後に、９０％、８０％、７０％、６０％、５０％、４０％、３０％、２５％、２０％、１０％、５％、４％、３％、２％、１％、又は０％未満のそのＦＣＥの劣化を示す。
一実施形態によれば、複合粒子１は、０％、５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は１００％のＯ２分子下で、少なくとも１日、５日、１０日、１５日、２０日、２５日、１ヶ月、２ヶ月、３ヶ月、４ヶ月、５ヶ月、６ヶ月、７ヶ月、８ヶ月、９ヶ月、１０ヶ月、１１ヶ月、１２ヶ月、１８ヶ月、２年、２．５年、３年、３．５年、４年、４．５年、５年、５．５年、６年、６．５年、７年、７．５年、８年、８．５年、９年、９．５年、又は１０年後に、９０％、８０％、７０％、６０％、５０％、４０％、３０％、２５％、２０％、１０％、５％、４％、３％、２％、１％、又は０％未満のそのＦＣＥの劣化を示す。
一実施形態によれば、複合粒子１は、０％、５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は１００％のＯ２分子下で、０℃、１０℃、２０℃、３０℃、４０℃、５０℃、６０℃、７０℃、８０℃、９０℃、１００℃、１２５℃、１５０℃、１７５℃、２００℃、２２５℃、２５０℃、２７５℃、又は３００℃下で、少なくとも１日、５日、１０日、１５日、２０日、２５日、１ヶ月、２ヶ月、３ヶ月、４ヶ月、５ヶ月、６ヶ月、７ヶ月、８ヶ月、９ヶ月、１０ヶ月、１１ヶ月、１２ヶ月、１８ヶ月、２年、２．５年、３年、３．５年、４年、４．５年、５年、５．５年、６年、６．５年、７年、７．５年、８年、８．５年、９年、９．５年、又は１０年後に、９０％、８０％、７０％、６０％、５０％、４０％、３０％、２５％、２０％、１０％、５％、４％、３％、２％、１％、又は０％未満のそのＦＣＥの劣化を示す。
一実施形態によれば、複合粒子１は、０％、５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は１００％のＯ２下で、０％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は９９％の湿度の下で、少なくとも１日、５日、１０日、１５日、２０日、２５日、１ヶ月、２ヶ月、３ヶ月、４ヶ月、５ヶ月、６ヶ月、７ヶ月、８ヶ月、９ヶ月、１０ヶ月、１１ヶ月、１２ヶ月、１８ヶ月、２年、２．５年、３年、３．５年、４年、４．５年、５年、５．５年、６年、６．５年、７年、７．５年、８年、８．５年、９年、９．５年、又は１０年後に、９０％、８０％、７０％、６０％、５０％、４０％、３０％、２５％、２０％、１０％、５％、４％、３％、２％、１％、又は０％未満のそのＦＣＥの劣化を示す。
一実施形態によれば、複合粒子１は、０％、５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は１００％のＯ２分子下で、０℃、１０℃、２０℃、３０℃、４０℃、５０℃、６０℃、７０℃、８０℃、９０℃、１００℃、１２５℃、１５０℃、１７５℃、２００℃、２２５℃、２５０℃、２７５℃、又は３００℃下で、０％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は９９％の湿度の下で、少なくとも１日、５日、１０日、１５日、２０日、２５日、１ヶ月、２ヶ月、３ヶ月、４ヶ月、５ヶ月、６ヶ月、７ヶ月、８ヶ月、９ヶ月、１０ヶ月、１１ヶ月、１２ヶ月、１８ヶ月、２年、２．５年、３年、３．５年、４年、４．５年、５年、５．５年、６年、６．５年、７年、７．５年、８年、８．５年、９年、９．５年、又は１０年後に、９０％、８０％、７０％、６０％、５０％、４０％、３０％、２５％、２０％、１０％、５％、４％、３％、２％、１％、又は０％未満のそのＦＣＥの劣化を示す。
一実施形態によれば、複合粒子１は、光学的に透明であり、すなわち、複合粒子１は、２００ｎｍ〜５０μｍ、２００ｎｍ〜１０μｍ、２００ｎｍ〜２５００ｎｍ、２００ｎｍ〜２０００ｎｍ、２００ｎｍ〜１５００ｎｍ、２００ｎｍ〜１０００ｎｍ、２００ｎｍ〜８００ｎｍ、４００ｎｍ〜７００ｎｍ、４００ｎｍ〜６００ｎｍ、又は４００ｎｍ〜４７０ｎｍの波長で透明である。
一実施形態によれば、各ナノ粒子３は、無機材料２によって完全に囲まれるか、又は無機材料２に封入される。
一実施形態によれば、各ナノ粒子３は、無機材料２によって部分的に囲まれるか、又は無機材料２に封入される。
一実施形態によれば、複合粒子１は、その表面上に少なくとも９５％、９０％、８５％、８０％、７５％、７０％、６５％、６０％、５５％、５０％、４５％、４０％、３５％、３０％、２５％、２０％、１５％、１０％、５％、１％又は０％のナノ粒子３を含む。
一実施形態によれば、複合粒子１は、その表面上にナノ粒子３を含まない。この実施形態において、前記ナノ粒子３は、無機材料２によって完全に囲まれている。
一実施形態によれば、ナノ粒子３の少なくとも１００％、９５％、９０％、８５％、８０％、７５％、７０％、６５％、６０％、５５％、５０％、４５％、４０％、３５％、３０％、２５％、２０％、１５％、１０％、５％、又１％が、無機材料２に含まれる。この実施形態において、前記ナノ粒子３の各々は、無機材料２によって完全に囲まれている。
一実施形態によれば、複合粒子１は、前記複合粒子１の表面に位置する少なくとも１種のナノ粒子３を含む。この実施形態は、前記ナノ粒子３が無機材料２に分散している場合よりも、少なくとも１種のナノ粒子３が、入射光によってより良好に励起されるので、都合がよい。
一実施形態によれば、複合粒子１は、無機材料２に分散している、すなわち、前記無機材料２によって完全に囲まれているナノ粒子３を含み、かつ、少なくとも１種のナノ粒子３は、前記発光粒子１の表面上に位置している。
一実施形態によれば、複合粒子１は、無機材料２に分散しているナノ粒子３を含み、前記ナノ粒子３は、５００〜５６０ｎｍの範囲の波長で発光し、少なくとも１種のナノ粒子３は、前記複合粒子１の表面上に位置しており、前記少なくとも１種のナノ粒子３は、６００〜２５００ｎｍの範囲の波長で発光する。
一実施形態によれば、複合粒子１は、無機材料２に分散しているナノ粒子３を含み、前記ナノ粒子３は、６００〜２５００ｎｍの範囲の波長で発光し、少なくとも１種のナノ粒子３は、前記複合粒子１の表面上に位置しており、前記少なくとも１種のナノ粒子３は、５００〜５６０ｎｍの範囲の波長で発光する。
一実施形態によれば、前記複合粒子１の表面に位置する少なくとも１種のナノ粒子３は、前記表面上で化学的に又は物理的に吸収され得る。
一実施形態によれば、前記複合粒子１の表面に位置する少なくとも１種のナノ粒子３は、前記表面上で吸収され得る。
一実施形態によれば、前記複合粒子１の表面に位置する少なくとも１種のナノ粒子３は、前記表面上でセメントと共に吸収され得る。
一実施形態によれば、セメントの例には、ポリマー、シリコーン、酸化物、又はそれらの混合物が含まれるが、これらに限定されない。
一実施形態によれば、前記複合粒子１の表面に位置する少なくとも１種のナノ粒子３は、前記無機材料２に捕捉されたその体積の少なくとも１％、２％、３％、４％、５％、６％、７％、８％、９％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は１００％を有し得る。
一実施形態によれば、複数のナノ粒子３は、複合粒子１の表面上で均一に離間している。
一実施形態によれば、複数のナノ粒子３の各ナノ粒子３は、その隣接ナノ粒子３から平均最小距離だけ間隔をあけており、前記平均最小距離は上記のとおりである。
一実施形態によれば、複合粒子１は、ホモ構造である。
一実施形態によれば、複合粒子１は、コア／シェル構造ではなく、該コアはナノ粒子３を含まず、該シェルはナノ粒子３を含む。
一実施形態によれば、複合粒子１は、コア１１及び少なくとも１つのシェル１２を含むヘテロ構造である。
一実施形態によれば、コア／シェル複合粒子１のシェル１２は、無機材料２１を含むか、又はそれからなる。この実施形態において、前記無機材料２１は、コア／シェル複合粒子１のコア１１に含まれる無機材料２と同じ又は異なる。
一実施形態によれば、コア／シェル複合粒子１のコア１１は、本明細書に記載のナノ粒子３を含み、コア／シェル複合粒子１のシェル１２はナノ粒子３を含まない。
一実施形態によれば、コア／シェル複合粒子１のコア１１は、本明細書に記載のナノ粒子３を含み、コア／シェル複合粒子１のシェル１２はナノ粒子３を含む。
一実施形態によれば、コア／シェル複合粒子１のコア１１に含まれるナノ粒子３は、コア／シェル複合粒子１のシェル１２に含まれるナノ粒子３と同一である。
図１２に示される一実施形態によれば、コア／シェル複合粒子１のコア１１に含まれるナノ粒子３は、コア／シェル複合粒子１のシェル１２に含まれるナノ粒子３と異なる。この実施形態において、得られるコア／シェル複合粒子１は、異なる特性を示す。
一実施形態によれば、コア／シェル複合粒子１のコア１１は少なくとも１種の発光ナノ粒子を含み、コア／シェル複合粒子１のシェル１２は、磁性ナノ粒子、プラズモンナノ粒子、誘電体ナノ粒子、圧電ナノ粒子、焦電ナノ粒子、強誘電体ナノ粒子、光散乱ナノ粒子、電気絶縁ナノ粒子、断熱ナノ粒子、又は触媒ナノ粒子の群から選択される少なくとも１種のナノ粒子３を含む。
好ましい実施形態によれば、コア／シェル複合粒子１のコア１１及びコア／シェル複合粒子１のシェル１２は、少なくとも２種の異なる発光ナノ粒子を含み、前記発光ナノ粒子は、異なる発光波長を有する。これは、コア１１が少なくとも１種の発光ナノ粒子を含み、シェル１２は少なくとも１種の発光ナノ粒子を含み、前記発光ナノ粒子は、異なる発光波長を有することを意味する。
好ましい実施形態によれば、コア／シェル複合粒子１のコア１１及びコア／シェル複合粒子１のシェル１２は、少なくとも２種の異なる発光ナノ粒子を含み、少なくとも１種の発光ナノ粒子は５００〜５６０ｎｍの範囲の波長で発光し、少なくとも１種の発光ナノ粒子は、６００〜２５００ｎｍの範囲の波長で発光する。この実施形態において、コア／シェル複合粒子１のコア１１及びコア／シェル複合粒子１のシェル１２は、可視スペクトルの緑色領域で発光する少なくとも１種の発光ナノ粒子及び可視スペクトルの赤色領域で発光する少なくとも１種の発光ナノ粒子を含み、ひいては、青色ＬＥＤとペアの複合粒子１は、白色光エミッタである。
好ましい実施形態によれば、コア／シェル複合粒子１のコア１１及びコア／シェル複合粒子１のシェル１２は、少なくとも２種の異なる発光ナノ粒子を含み、少なくとも１種の発光ナノ粒子は４００〜４９０ｎｍの範囲の波長で発光し、少なくとも１種の発光ナノ粒子は、６００〜２５００ｎｍの範囲の波長で発光する。この実施形態において、コア／シェル複合粒子１のコア１１及びコア／シェル複合粒子１のシェル１２は、可視スペクトルの青色領域で発光する少なくとも１種の発光ナノ粒子及び可視スペクトルの赤色領域で発光する少なくとも１種の発光ナノ粒子を含み、ひいては、複合粒子１は白色光エミッタである。
好ましい実施形態によれば、コア／シェル複合粒子１のコア１１及びコア／シェル複合粒子１のシェル１２は、少なくとも２種の異なる発光ナノ粒子を含み、少なくとも１種の発光ナノ粒子は４００〜４９０ｎｍの範囲の波長で発光し、少なくとも１種の発光ナノ粒子は、５００〜５６０ｎｍの範囲の波長で発光する。この実施形態において、コア／シェル複合粒子１のコア１１及びコア／シェル複合粒子１のシェル１２は、可視スペクトルの青色領域で発光する少なくとも１種の発光ナノ粒子及び可視スペクトルの緑色領域で発光する少なくとも１種の発光ナノ粒子を含む。
一実施形態によれば、コア／シェル複合粒子１のコア１１は少なくとも１種の磁性ナノ粒子を含み、コア／シェル複合粒子１のシェル１２は、発光ナノ粒子、プラズモンナノ粒子、誘電体ナノ粒子、圧電ナノ粒子、焦電ナノ粒子、強誘電体ナノ粒子、光散乱ナノ粒子、電気絶縁ナノ粒子、断熱ナノ粒子、又は触媒ナノ粒子の群から選択される少なくとも１種のナノ粒子３を含む。
一実施形態によれば、コア／シェル複合粒子１のコア１１は少なくとも１種のプラズモンナノ粒子を含み、コア／シェル複合粒子１のシェル１２は、発光ナノ粒子、磁性ナノ粒子、誘電体ナノ粒子、圧電ナノ粒子、焦電ナノ粒子、強誘電体ナノ粒子、光散乱ナノ粒子、電気絶縁ナノ粒子、断熱ナノ粒子、又は触媒ナノ粒子の群から選択される少なくとも１種のナノ粒子３を含む。
好ましい実施形態によれば、コア／シェル複合粒子１のコア１１は少なくとも１種のプラズモンナノ粒子を含み、コア／シェル複合粒子１のシェル１２は、光の可視スペクトル中で発光する少なくとも１種の発光ナノ粒子を含む。
一実施形態によれば、コア／シェル複合粒子１のコア１１は少なくとも１種の誘電体ナノ粒子を含み、コア／シェル複合粒子１のシェル１２は、発光ナノ粒子、磁性ナノ粒子、プラズモンナノ粒子、圧電ナノ粒子、焦電ナノ粒子、強誘電体ナノ粒子、光散乱ナノ粒子、電気絶縁ナノ粒子、断熱ナノ粒子、又は触媒ナノ粒子の群から選択される少なくとも１種のナノ粒子を含む。
一実施形態によれば、コア／シェル複合粒子１のコア１１は少なくとも１種の圧電ナノ粒子を含み、コア／シェル複合粒子１のシェル１２は、発光ナノ粒子、磁性ナノ粒子、誘電体ナノ粒子、プラズモンナノ粒子、焦電ナノ粒子、強誘電体ナノ粒子、光散乱ナノ粒子、電気絶縁ナノ粒子、断熱ナノ粒子、又は触媒ナノ粒子の群から選択される少なくとも１種のナノ粒子３を含む。
一実施形態によれば、コア／シェル複合粒子１のコア１１は少なくとも１種の焦電ナノ粒子を含み、コア／シェル複合粒子１のシェル１２は、発光ナノ粒子、磁性ナノ粒子、誘電体ナノ粒子、プラズモンナノ粒子、圧電ナノ粒子、強誘電体ナノ粒子、光散乱ナノ粒子、電気絶縁ナノ粒子、断熱ナノ粒子、又は触媒ナノ粒子の群から選択される少なくとも１種のナノ粒子３を含む。
一実施形態によれば、コア／シェル複合粒子１のコア１１は少なくとも１種の強誘電体ナノ粒子を含み、コア／シェル複合粒子１のシェル１２は、発光ナノ粒子、磁性ナノ粒子、誘電体ナノ粒子、プラズモンナノ粒子、圧電ナノ粒子、焦電ナノ粒子、光散乱ナノ粒子、電気絶縁ナノ粒子、断熱ナノ粒子、又は触媒ナノ粒子の群から選択される少なくとも１種のナノ粒子３を含む。
一実施形態によれば、コア／シェル複合粒子１のコア１１は少なくとも１種の光散乱ナノ粒子を含み、コア／シェル複合粒子１のシェル１２は、発光ナノ粒子、磁性ナノ粒子、誘電体ナノ粒子、プラズモンナノ粒子、圧電ナノ粒子、焦電ナノ粒子、強誘電体ナノ粒子、電気絶縁ナノ粒子、断熱ナノ粒子、又は触媒ナノ粒子の群から選択される少なくとも１種のナノ粒子３を含む。
一実施形態によれば、コア／シェル複合粒子１のコア１１は少なくとも１種の電気絶縁ナノ粒子を含み、コア／シェル複合粒子１のシェル１２は、発光ナノ粒子、磁性ナノ粒子、誘電体ナノ粒子、プラズモンナノ粒子、圧電ナノ粒子、焦電ナノ粒子、強誘電体ナノ粒子、光散乱ナノ粒子、断熱ナノ粒子、又は触媒ナノ粒子の群から選択される少なくとも１種のナノ粒子３を含む。
一実施形態によれば、コア／シェル複合粒子１のコア１１は少なくとも１種の断熱ナノ粒子を含み、コア／シェル複合粒子１のシェル１２は、発光ナノ粒子、磁性ナノ粒子、誘電体ナノ粒子、プラズモンナノ粒子、圧電ナノ粒子、焦電ナノ粒子、強誘電体ナノ粒子、光散乱ナノ粒子、電気絶縁ナノ粒子、又は触媒ナノ粒子の群から選択される少なくとも１種のナノ粒子３を含む。
一実施形態によれば、コア／シェル複合粒子１のコア１１は少なくとも１種の触媒ナノ粒子を含み、コア／シェル複合粒子１のシェル１２は、発光ナノ粒子、磁性ナノ粒子、誘電体ナノ粒子、プラズモンナノ粒子、圧電ナノ粒子、焦電ナノ粒子、強誘電体ナノ粒子、光散乱ナノ粒子、電気絶縁ナノ粒子、又は断熱ナノ粒子の群から選択される少なくとも１種のナノ粒子３を含む。
一実施形態によれば、複合粒子１のシェル１２は、少なくとも０．１ｎｍ、０．２ｎｍ、０．３ｎｍ、０．４ｎｍ、０．５ｎｍ、１ｎｍ、１．５ｎｍ、２ｎｍ、２．５ｎｍ、３ｎｍ、３．５ｎｍ、４ｎｍ、４．５ｎｍ、５ｎｍ、５．５ｎｍ、６ｎｍ、６．５ｎｍ、７ｎｍ、７．５ｎｍ、８ｎｍ、８．５ｎｍ、９ｎｍ、９．５ｎｍ、１０ｎｍ、１０．５ｎｍ、１１ｎｍ、１１．５ｎｍ、１２ｎｍ、１２．５ｎｍ、１３ｎｍ、１３．５ｎｍ、１４ｎｍ、１４．５ｎｍ、１５ｎｍ、１５．５ｎｍ、１６ｎｍ、１６．５ｎｍ、１７ｎｍ、１７．５ｎｍ、１８ｎｍ、１８．５ｎｍ、１９ｎｍ、１９．５ｎｍ、２０ｎｍ、３０ｎｍ、４０ｎｍ、５０ｎｍ、６０ｎｍ、７０ｎｍ、８０ｎｍ、１００ｎｍ、１１０ｎｍ、１２０ｎｍ、１３０ｎｍ、１４０ｎｍ、１５０ｎｍ、１６０ｎｍ、１７０ｎｍ、１８０ｎｍ、１９０ｎｍ、２００ｎｍ、２１０ｎｍ、２２０ｎｍ、２３０ｎｍ、２４０ｎｍ、２５０ｎｍ、２６０ｎｍ、２７０ｎｍ、２８０ｎｍ、２９０ｎｍ、３００ｎｍ、３５０ｎｍ、４００ｎｍ、４５０ｎｍ、５００ｎｍ、５５０ｎｍ、６００ｎｍ、６５０ｎｍ、７００ｎｍ、７５０ｎｍ、８００ｎｍ、８５０ｎｍ、９００ｎｍ、９５０ｎｍ、１μｍ、１．５μｍ、２．５μｍ、３μｍ、３．５μｍ、４μｍ、４．５μｍ、５μｍ、５．５μｍ、６μｍ、６．５μｍ、７μｍ、７．５μｍ、８μｍ、８．５μｍ、９μｍ、９．５μｍ、１０μｍ、１０．５μｍ、１１μｍ、１１．５μｍ、１２μｍ、１２．５μｍ、１３μｍ、１３．５μｍ、１４μｍ、１４．５μｍ、１５μｍ、１５．５μｍ、１６μｍ、１６．５μｍ、１７μｍ、１７．５μｍ、１８μｍ、１８．５μｍ、１９μｍ、１９．５μｍ、２０μｍ、２０．５μｍ、２１μｍ、２１．５μｍ、２２μｍ、２２．５μｍ、２３μｍ、２３．５μｍ、２４μｍ、２４．５μｍ、２５μｍ、２５．５μｍ、２６μｍ、２６．５μｍ、２７μｍ、２７．５μｍ、２８μｍ、２８．５μｍ、２９μｍ、２９．５μｍ、３０μｍ、３０．５μｍ、３１μｍ、３１．５μｍ、３２μｍ、３２．５μｍ、３３μｍ、３３．５μｍ、３４μｍ、３４．５μｍ、３５μｍ、３５．５μｍ、３６μｍ、３６．５μｍ、３７μｍ、３７．５μｍ、３８μｍ、３８．５μｍ、３９μｍ、３９．５μｍ、４０μｍ、４０．５μｍ、４１μｍ、４１．５μｍ、４２μｍ、４２．５μｍ、４３μｍ、４３．５μｍ、４４μｍ、４４．５μｍ、４５μｍ、４５．５μｍ、４６μｍ、４６．５μｍ、４７μｍ、４７．５μｍ、４８μｍ、４８．５μｍ、４９μｍ、４９．５μｍ、５０μｍ、５０．５μｍ、５１μｍ、５１．５μｍ、５２μｍ、５２．５μｍ、５３μｍ、５３．５μｍ、５４μｍ、５４．５μｍ、５５μｍ、５５．５μｍ、５６μｍ、５６．５μｍ、５７μｍ、５７．５μｍ、５８μｍ、５８．５μｍ、５９μｍ、５９．５μｍ、６０μｍ、６０．５μｍ、６１μｍ、６１．５μｍ、６２μｍ、６２．５μｍ、６３μｍ、６３．５μｍ、６４μｍ、６４．５μｍ、６５μｍ、６５．５μｍ、６６μｍ、６６．５μｍ、６７μｍ、６７．５μｍ、６８μｍ、６８．５μｍ、６９μｍ、６９．５μｍ、７０μｍ、７０．５μｍ、７１μｍ、７１．５μｍ、７２μｍ、７２．５μｍ、７３μｍ、７３．５μｍ、７４μｍ、７４．５μｍ、７５μｍ、７５．５μｍ、７６μｍ、７６．５μｍ、７７μｍ、７７．５μｍ、７８μｍ、７８．５μｍ、７９μｍ、７９．５μｍ、８０μｍ、８０．５μｍ、８１μｍ、８１．５μｍ、８２μｍ、８２．５μｍ、８３μｍ、８３．５μｍ、８４μｍ、８４．５μｍ、８５μｍ、８５．５μｍ、８６μｍ、８６．５μｍ、８７μｍ、８７．５μｍ、８８μｍ、８８．５μｍ、８９μｍ、８９．５μｍ、９０μｍ、９０．５μｍ、９１μｍ、９１．５μｍ、９２μｍ、９２．５μｍ、９３μｍ、９３．５μｍ、９４μｍ、９４．５μｍ、９５μｍ、９５．５μｍ、９６μｍ、９６．５μｍ、９７μｍ、９７．５μｍ、９８μｍ、９８．５μｍ、９９μｍ、９９．５μｍ、１００μｍ、２００μｍ、２５０μｍ、３００μｍ、３５０μｍ、４００μｍ、４５０μｍ、５００μｍ、５５０μｍ、６００μｍ、６５０μｍ、７００μｍ、７５０μｍ、８００μｍ、８５０μｍ、９００μｍ、９５０μｍ、又は１ｍｍの厚さを有する。
一実施形態によれば、複合粒子１のシェル１２は、最初からコア１１に沿って均一な厚さを有する、すなわち、複合粒子１のシェル１２は、最初からコア１１に沿って同じ厚さを有する。
一実施形態によれば、複合粒子１のシェル１２は、コア１１に沿って不均一な厚さを有する、すなわち、前記厚さは、コア１１に沿って変化する。
一実施形態によれば、複合粒子１は、コアが金属粒子の凝集物であり、シェルが無機材料２を含むコア／シェル粒子ではない。一実施形態によれば、複合粒子１は、コアが溶媒で充填されており、シェルが無機材料２内に分散しているナノ粒子３を含むコア／シェル粒子であり、すなわち、前記複合粒子１は、溶媒充填コアを有する中空ビーズである。
一実施形態によれば、無機材料２は、様々な条件下で物理的及び化学的に安定である。この実施形態において、無機材料２は、複合粒子１が共される条件に耐えるのに十分に堅牢である。
一実施形態によれば、無機材料２は、少なくとも１日、５日、１０日、１５日、２０日、２５日、１ヶ月、２ヶ月、３ヶ月、４ヶ月、５ヶ月、６ヶ月、７ヶ月、８ヶ月、９ヶ月、１０ヶ月、１１ヶ月、１２ヶ月、１８ヶ月、２年、２．５年、３年、３．５年、４年、４．５年、５年、５．５年、６年、６．５年、７年、７．５年、８年、８．５年、９年、９．５年、又は１０年間、０℃、１０℃、２０℃、３０℃、４０℃、５０℃、６０℃、７０℃、８０℃、９０℃、１００℃、１２５℃、１５０℃、１７５℃、２００℃、２２５℃、２５０℃、２７５℃、又は３００℃下で物理的及び化学的に安定である。この実施形態において、無機材料２は、複合粒子１が共される条件に耐えるのに十分に堅牢である。
一実施形態によれば、無機材料２は、少なくとも１日、５日、１０日、１５日、２０日、２５日、１ヶ月、２ヶ月、３ヶ月、４ヶ月、５ヶ月、６ヶ月、７ヶ月、８ヶ月、９ヶ月、１０ヶ月、１１ヶ月、１２ヶ月、１８ヶ月、２年、２．５年、３年、３．５年、４年、４．５年、５年、５．５年、６年、６．５年、７年、７．５年、８年、８．５年、９年、９．５年、又は１０年間、０％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は９９％の湿度の下で物理的及び化学的に安定である。この実施形態において、無機材料２は、複合粒子１が共される条件に耐えるのに十分に堅牢である。
一実施形態によれば、無機材料２は、少なくとも１日、５日、１０日、１５日、２０日、２５日、１ヶ月、２ヶ月、３ヶ月、４ヶ月、５ヶ月、６ヶ月、７ヶ月、８ヶ月、９ヶ月、１０ヶ月、１１ヶ月、１２ヶ月、１８ヶ月、２年、２．５年、３年、３．５年、４年、４．５年、５年、５．５年、６年、６．５年、７年、７．５年、８年、８．５年、９年、９．５年、又は１０年間、０％、５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は１００％のＯ２分子下で物理的及び化学的に安定である。この実施形態において、無機材料２は、複合粒子１が共される条件に耐えるのに十分に堅牢である。
一実施形態によれば、無機材料２は、少なくとも１日、５日、１０日、１５日、２０日、２５日、１ヶ月、２ヶ月、３ヶ月、４ヶ月、５ヶ月、６ヶ月、７ヶ月、８ヶ月、９ヶ月、１０ヶ月、１１ヶ月、１２ヶ月、１８ヶ月、２年、２．５年、３年、３．５年、４年、４．５年、５年、５．５年、６年、６．５年、７年、７．５年、８年、８．５年、９年、９．５年、又は１０年間、０℃、１０℃、２０℃、３０℃、４０℃、５０℃、６０℃、７０℃、８０℃、９０℃、１００℃、１２５℃、１５０℃、１７５℃、２００℃、２２５℃、２５０℃、２７５℃、又は３００℃下で、かつ０％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は９９％の湿度の下で物理的及び化学的に安定である。この実施形態において、無機材料２は、複合粒子１が共される条件に耐えるのに十分に堅牢である。
一実施形態によれば、無機材料２は、少なくとも１日、５日、１０日、１５日、２０日、２５日、１ヶ月、２ヶ月、３ヶ月、４ヶ月、５ヶ月、６ヶ月、７ヶ月、８ヶ月、９ヶ月、１０ヶ月、１１ヶ月、１２ヶ月、１８ヶ月、２年、２．５年、３年、３．５年、４年、４．５年、５年、５．５年、６年、６．５年、７年、７．５年、８年、８．５年、９年、９．５年、又は１０年間、０％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は９９％の湿度の下で、かつ０％、５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は１００％のＯ２分子下で物理的及び化学的に安定である。この実施形態において、無機材料２は、複合粒子１が共される条件に耐えるのに十分に堅牢である。
一実施形態によれば、無機材料２は、少なくとも１日、５日、１０日、１５日、２０日、２５日、１ヶ月、２ヶ月、３ヶ月、４ヶ月、５ヶ月、６ヶ月、７ヶ月、８ヶ月、９ヶ月、１０ヶ月、１１ヶ月、１２ヶ月、１８ヶ月、２年、２．５年、３年、３．５年、４年、４．５年、５年、５．５年、６年、６．５年、７年、７．５年、８年、８．５年、９年、９．５年、又は１０年間、０℃、１０℃、２０℃、３０℃、４０℃、５０℃、６０℃、７０℃、８０℃、９０℃、１００℃、１２５℃、１５０℃、１７５℃、２００℃、２２５℃、２５０℃、２７５℃、又は３００℃下で、かつ０％、５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は１００％のＯ２分子下で物理的及び化学的に安定である。この実施形態において、無機材料２は、複合粒子１が共される条件に耐えるのに十分に堅牢である。
一実施形態によれば、無機材料２は、酸性条件下、すなわち、ｐＨ７以下で安定である。この実施形態において、無機材料２は酸性条件に耐えるのに十分に堅牢であり、複合粒子１の特性が前記条件下で維持されることを意味する。
一実施形態によれば、無機材料２は、塩基性条件下、すなわち、ｐＨ７以上で安定である。この実施形態において、無機材料２は塩基性条件に耐えるのに十分に堅牢であり、複合粒子１の特性が前記条件下で維持されることを意味する。
一実施形態によれば、無機材料２は、ナノ粒子３の酸化に対する障壁として作用する。
一実施形態によれば、無機材料２は、熱伝導性である。
一実施形態によれば、無機材料２は、０．１〜４５０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、好ましくは、１〜２００Ｗ／（ｍ．Ｋ）、より好ましくは、１０〜１５０Ｗ／（ｍ．Ｋ）の範囲の標準的な条件での熱伝導性を有する。
一実施形態によれば、無機材料２は、少なくとも０．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、０．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、０．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、０．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、０．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、０．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、０．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、０．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、０．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、４．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、４．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、４．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、４．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、４．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、４．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、４．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、４．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、４．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、５．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、５．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、５．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、５．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、５．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、５．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、５．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、５．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、５．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、６．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、６．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、６．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、６．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、６．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、６．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、６．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、６．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、６．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、７．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、７．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、７．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、７．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、７．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、７．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、７．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、７．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、７．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、８．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、８．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、８．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、８．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、８．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、８．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、８．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、８．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、８．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、９．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、９．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、９．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、９．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、９．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、９．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、９．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、９．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、９．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１０．１／（ｍ．Ｋ）、１０．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１０．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１０．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１０．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１０．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１０．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１０．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１０．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１１．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１１．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１１．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１１．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１１．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１１．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１１．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１１．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１１．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１２．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１２．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１２．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１２．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１２．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１２．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１２．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１２．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１２．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１３．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１３．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１３．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１３．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１３．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１３．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１３．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１３．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１３．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１４．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１４．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１４．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１４．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１４．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１４．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１４．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１４．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１４．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１５．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１５．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１５．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１５．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１５．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１５．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１５．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１５．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１５．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１６．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１６．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１６．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１６．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１６．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１６．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１６．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１６．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１６．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１７．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１７．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１７．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１７．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１７．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１７．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１７．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１７．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１７．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１８．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１８．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１８．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１８．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１８．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１８．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１８．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１８．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１８．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１９．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１９．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１９．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１９．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１９．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１９．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１９．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１９．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１９．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２０．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２０．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２０．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２０．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２０．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２０．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２０．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２０．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２０．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２１．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２１．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２１．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２１．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２１．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２１．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２１．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２１．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２１．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２２．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２２．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２２．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２２．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２２．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２２．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２２．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２２．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２２．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２３．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２３．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２３．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２３．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２３．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２３．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２３．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２３．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２３．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２４．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２４．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２４．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２４．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２４．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２４．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２４．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２４．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２４．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、４０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、５０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、６０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、７０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、８０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、９０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１００Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１１０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１２０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１３０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１４０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１５０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１６０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１７０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１８０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１９０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２００Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２１０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２２０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２３０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２４０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２５０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２６０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２７０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２８０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２９０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３００Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３１０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３２０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３３０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３４０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３５０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３６０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３７０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３８０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３９０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、４００Ｗ／（ｍ．Ｋ）、４１０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、４２０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、４３０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、４４０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、又は４５０Ｗ／（ｍ．Ｋ）の標準的な条件での熱伝導性を有する。
一実施形態によれば、無機材料２の熱伝導性は、例えば、定常状態の方法又は一過性の方法によって測定され得る。
一実施形態によれば、無機材料２は、熱伝導性ではない。
一実施形態によれば、無機材料２は、耐火材料を含む。
一実施形態によれば、無機材料２は電気絶縁体である。この実施形態において、無機材料２に封入される蛍光ナノ粒子の蛍光特性の消光は、電子輸送によるものである場合に防止される。この実施形態において、複合粒子１は、無機材料２に封入されるナノ粒子３と同様の特性を示す電気絶縁材料として使用され得る。
一実施形態によれば、無機材料２は、電気伝導性である。この実施形態は、光起電力又はＬＥＤにおける複合粒子１の適用に特に都合がよい。
一実施形態によれば、無機材料２は、１×１０−２０〜１０７Ｓ／ｍ、好ましくは、１×１０−１５〜５Ｓ／ｍ、より好ましくは、１×１０−７〜１Ｓ／ｍの範囲の標準的な条件下で電気伝導性を有する。
一実施形態によれば、無機材料２は、少なくとも１×１０−２０Ｓ／ｍ、０．５×１０−１９Ｓ／ｍ、１×１０−１９Ｓ／ｍ、０．５×１０−１８Ｓ／ｍ、１×１０−１８Ｓ／ｍ、０．５×１０−１７Ｓ／ｍ、１×１０−１７Ｓ／ｍ、０．５×１０−１６Ｓ／ｍ、１×１０−１６Ｓ／ｍ、０．５×１０−１５Ｓ／ｍ、１×１０−１５Ｓ／ｍ、０．５×１０−１４Ｓ／ｍ、１×１０−１４Ｓ／ｍ、０．５×１０−１３Ｓ／ｍ、１×１０−１３Ｓ／ｍ、０．５×１０−１２Ｓ／ｍ、１×１０−１２Ｓ／ｍ、０．５×１０−１１Ｓ／ｍ、１×１０−１１Ｓ／ｍ、０．５×１０−１０Ｓ／ｍ、１×１０−１０Ｓ／ｍ、０．５×１０−９Ｓ／ｍ、１×１０−９Ｓ／ｍ、０．５×１０−８Ｓ／ｍ、１×１０−８Ｓ／ｍ、０．５×１０−７Ｓ／ｍ、１×１０−７Ｓ／ｍ、０．５×１０−６Ｓ／ｍ、１×１０−６Ｓ／ｍ、０．５×１０−５Ｓ／ｍ、１×１０−５Ｓ／ｍ、０．５×１０−４Ｓ／ｍ、１×１０−４Ｓ／ｍ、０．５×１０−３Ｓ／ｍ、１×１０−３Ｓ／ｍ、０．５×１０−２Ｓ／ｍ、１×１０−２Ｓ／ｍ、０．５×１０−１Ｓ／ｍ、１×１０−１Ｓ／ｍ、０．５Ｓ／ｍ、１Ｓ／ｍ、１．５Ｓ／ｍ、２Ｓ／ｍ、２．５Ｓ／ｍ、３Ｓ／ｍ、３．５Ｓ／ｍ、４Ｓ／ｍ、４．５Ｓ／ｍ、５Ｓ／ｍ、５．５Ｓ／ｍ、６Ｓ／ｍ、６．５Ｓ／ｍ、７Ｓ／ｍ、７．５Ｓ／ｍ、８Ｓ／ｍ、８．５Ｓ／ｍ、９Ｓ／ｍ、９．５Ｓ／ｍ、１０Ｓ／ｍ、５０Ｓ／ｍ、１０２Ｓ／ｍ、５×１０２Ｓ／ｍ、１０３Ｓ／ｍ、５×１０３Ｓ／ｍ、１０４Ｓ／ｍ、５×１０４Ｓ／ｍ、１０５Ｓ／ｍ、５×１０５Ｓ／ｍ、１０６Ｓ／ｍ、５×１０６Ｓ／ｍ、又は１０７Ｓ／ｍの標準的な条件下で電気伝導性を有する。
一実施形態によれば、無機材料２の電気伝導度は、例えば、インピーダンス分光計を用いて測定され得る。
一実施形態によれば、無機材料２は、３ｅＶより優れているか、又は３ｅＶと等しいバンドギャップを有する。
３ｅＶより優れているか、又は３ｅＶと等しいバンドギャップを有するので、無機材料２は、ＵＶ及び青色光に光学的に透明である。
一実施形態によれば、無機材料２は、少なくとも３．０ｅＶ、３．１ｅＶ、３．２ｅＶ、３．３ｅＶ、３．４ｅＶ、３．５ｅＶ、３.６ｅＶ、３．７ｅＶ、３．８ｅＶ、３．９ｅＶ、４．０ｅＶ、４．１ｅＶ、４．２ｅＶ、４．３ｅＶ、４．４ｅＶ、４．５ｅＶ、４．６ｅＶ、４．７ｅＶ、４．８ｅＶ、４．９ｅＶ、５．０ｅＶ、５．１ｅＶ、５．２ｅＶ、５．３ｅＶ、５．４ｅＶ又は５．５ｅＶのバンドギャップを有する。
一実施形態によれば、無機材料２は、４６０ｎｍで１５×１０−５以下の減衰係数を有する。
一実施形態によれば、減衰係数は、吸光分光法などの吸光測定技術又は当技術分野で知られている任意の他の方法によって測定される。
一実施形態によれば、減衰係数は、吸光測定値を、試料を通過する光路の長さで割ることによって測定される。
一実施形態によれば、無機材料２は、非晶質である。
一実施形態によれば、無機材料２は、結晶である。
一実施形態によれば、無機材料２は、完全に結晶である。
一実施形態によれば、無機材料２は、部分的に結晶である。
一実施形態によれば、無機材料２は、単結晶である。
一実施形態によれば、無機材料２は、多結晶である。この実施形態において、無機材料２は、少なくとも１種の結晶粒界を含む。
一実施形態によれば、無機材料２は、疎水性である。
一実施形態によれば、無機材料２は、親水性である。
一実施形態によれば、無機材料２は、多孔質である。
一実施形態によれば、無機材料２は、ブルナウアー・エメット・テラー（ＢＥＴ）理論において窒素の吸脱によって決定される、複合粒子１が吸着する量が６５０ｍｍＨｇ、好ましくは７００ｍｍＨｇの窒素圧で２０ｃｍ３／ｇ、１５ｃｍ３／ｇ、１０ｃｍ３／ｇ、５ｃｍ３／ｇを超える場合に、無機材料２は、多孔質であると考えられる。
一実施形態によれば、無機材料２の多孔性構成は、六方晶系、蠕虫状又は立方晶系であり得る。
一実施形態によれば、構成される無機材料２の多孔性は、少なくとも１ｎｍ、１．５ｎｍ、２ｎｍ、２．５ｎｍ、３ｎｍ、３．５ｎｍ、４ｎｍ、４．５ｎｍ、５ｎｍ、５．５ｎｍ、６ｎｍ、６．５ｎｍ、７ｎｍ、７．５ｎｍ、８ｎｍ、８．５ｎｍ、９ｎｍ、９．５ｎｍ、１０ｎｍ、１１ｎｍ、１２ｎｍ、１３ｎｍ、１４ｎｍ、１５ｎｍ、１６ｎｍ、１７ｎｍ、１８ｎｍ、１９ｎｍ、２０ｎｍ、２１ｎｍ、２２ｎｍ、２３ｎｍ、２４ｎｍ、２５ｎｍ、２６ｎｍ、２７ｎｍ、２８ｎｍ、２９ｎｍ、３０ｎｍ、３１ｎｍ、３２ｎｍ、３３ｎｍ、３４ｎｍ、３５ｎｍ、３６ｎｍ、３７ｎｍ、３８ｎｍ、３９ｎｍ、４０ｎｍ、４１ｎｍ、４２ｎｍ、４３ｎｍ、４４ｎｍ、４５ｎｍ、４６ｎｍ、４７ｎｍ、４８ｎｍ、４９ｎｍ、又は５０ｎｍの細孔サイズを有する。
一実施形態によれば、無機材料２は、多孔質ではない。
一実施形態によれば、ブルナウアー・エメット・テラー（ＢＥＴ）理論において窒素の吸脱によって決定される、複合粒子１が吸着する量が６５０ｍｍＨｇ、好ましくは７００ｍｍＨｇの窒素圧で２０ｃｍ３／ｇ、１５ｃｍ３／ｇ、１０ｃｍ３／ｇ、５ｃｍ３／ｇ未満である場合に、無機材料２は、非多孔質であると考えられる。
一実施形態によれば、無機材料２は、細孔又は空洞を含まない。
一実施形態によれば、無機材料２は、透過性である。この実施形態において、無機材料２への外部分子種、気体又は液体の浸透は可能である。
一実施形態によれば、該透過性無機材料２は、１０−２０ｃｍ２、１０−１９ｃｍ２、１０−１８ｃｍ２、１０−１７ｃｍ２、１０−１６ｃｍ２、１０−１５ｃｍ２、１０−１４ｃｍ２、１０−１３ｃｍ２、１０−１２ｃｍ２、１０−１１ｃｍ２、１０−１０ｃｍ２、１０−９ｃｍ２、１０−８ｃｍ２、１０−７ｃｍ２、１０−６ｃｍ２、１０−５ｃｍ２、１０−４ｃｍ２、又は１０−３ｃｍ２以上の流体に固有の透過性を有する。
一実施形態によれば、無機材料２は、分子種、気体又は液体に対して不透過性である。この実施形態において、無機材料２は、酸素分子、オゾン、水及び／又は高温からの無機ナノ粒子３の化学的及び物理的特性の劣化を制限又は防止する。
一実施形態によれば、不透過性無機材料２は、１０−１１ｃｍ２、１０−１２ｃｍ２、１０−１３ｃｍ２、１０−１４ｃｍ２、１０−１５ｃｍ２、１０−１６ｃｍ２、１０−１７ｃｍ２、１０−１８ｃｍ２、１０−１９ｃｍ２、又は１０−２０ｃｍ２以下の流体に固有の透過性を有する。
一実施形態によれば、無機材料２は、前記無機材料２への外部分子種若しくは流体（液体若しくは気体）の拡散を制限又は防止する。
一実施形態によれば、ナノ粒子３の特異的性質は、複合粒子１に封入された後に維持される。
一実施形態によれば、ナノ粒子３の光発光は、複合粒子１に封入された後に維持される。
一実施形態によれば、無機材料２は、１〜１０ｇ／ｃｍ３の範囲の密度を有し、好ましくは、無機材料２は、３〜１０ｇ／ｃｍ３の範囲の密度を有する。
一実施形態によれば、無機材料２中のナノ粒子３は、少なくとも１日、５日、１０日、１５日、２０日、２５日、１ヶ月、２ヶ月、３ヶ月、４ヶ月、５ヶ月、６ヶ月、７ヶ月、８ヶ月、９ヶ月、１０ヶ月、１１ヶ月、１２ヶ月、１８ヶ月、２年、２．５年、３年、３．５年、４年、４．５年、５年、５．５年、６年、６．５年、７年、７．５年、８年、８．５年、９年、９．５年、又は１０年後に、９０％、８０％、７０％、６０％、５０％、４０％、３０％、２５％、２０％、１０％、５％、４％、３％、２％、１％、又は０％未満のその特異的性質の劣化を示す。
一実施形態によれば、無機材料２中のナノ粒子３は、０℃、１０℃、２０℃、３０℃、４０℃、５０℃、６０℃、７０℃、８０℃、９０℃、１００℃、１２５℃、１５０℃、１７５℃、２００℃、２２５℃、２５０℃、２７５℃、又は３００℃下で、少なくとも１日、５日、１０日、１５日、２０日、２５日、１ヶ月、２ヶ月、３ヶ月、４ヶ月、５ヶ月、６ヶ月、７ヶ月、８ヶ月、９ヶ月、１０ヶ月、１１ヶ月、１２ヶ月、１８ヶ月、２年、２．５年、３年、３．５年、４年、４．５年、５年、５．５年、６年、６．５年、７年、７．５年、８年、８．５年、９年、９．５年、又は１０年後に、９０％、８０％、７０％、６０％、５０％、４０％、３０％、２５％、２０％、１０％、５％、４％、３％、２％、１％、又は０％未満のその特異的性質の劣化を示す。
一実施形態によれば、無機材料２中のナノ粒子３は、０％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は９９％の湿度の下で、少なくとも１日、５日、１０日、１５日、２０日、２５日、１ヶ月、２ヶ月、３ヶ月、４ヶ月、５ヶ月、６ヶ月、７ヶ月、８ヶ月、９ヶ月、１０ヶ月、１１ヶ月、１２ヶ月、１８ヶ月、２年、２．５年、３年、３．５年、４年、４．５年、５年、５．５年、６年、６．５年、７年、７．５年、８年、８．５年、９年、９．５年、又は１０年後に、９０％、８０％、７０％、６０％、５０％、４０％、３０％、２５％、２０％、１０％、５％、４％、３％、２％、１％、又は０％未満のその特異的性質の劣化を示す。
一実施形態によれば、無機材料２中のナノ粒子３は、０℃、１０℃、２０℃、３０℃、４０℃、５０℃、６０℃、７０℃、８０℃、９０℃、１００℃、１２５℃、１５０℃、１７５℃、２００℃、２２５℃、２５０℃、２７５℃、又は３００℃下で、かつ０％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は９９％の湿度の下で、少なくとも１日、５日、１０日、１５日、２０日、２５日、１ヶ月、２ヶ月、３ヶ月、４ヶ月、５ヶ月、６ヶ月、７ヶ月、８ヶ月、９ヶ月、１０ヶ月、１１ヶ月、１２ヶ月、１８ヶ月、２年、２．５年、３年、３．５年、４年、４．５年、５年、５．５年、６年、６．５年、７年、７．５年、８年、８．５年、９年、９．５年、又は１０年後に、９０％、８０％、７０％、６０％、５０％、４０％、３０％、２５％、２０％、１０％、５％、４％、３％、２％、１％、又は０％未満のその特異的性質の劣化を示す。
一実施形態によれば、無機材料２中のナノ粒子３は、０％、５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は１００％のＯ２分子下で、少なくとも１日、５日、１０日、１５日、２０日、２５日、１ヶ月、２ヶ月、３ヶ月、４ヶ月、５ヶ月、６ヶ月、７ヶ月、８ヶ月、９ヶ月、１０ヶ月、１１ヶ月、１２ヶ月、１８ヶ月、２年、２．５年、３年、３．５年、４年、４．５年、５年、５．５年、６年、６．５年、７年、７．５年、８年、８．５年、９年、９．５年、又は１０年後に、９０％、８０％、７０％、６０％、５０％、４０％、３０％、２５％、２０％、１０％、５％、４％、３％、２％、１％、又０％未満のその特異的性質の劣化を示す。
一実施形態によれば、無機材料２中のナノ粒子３は、０％、５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は１００％のＯ２分子下で、０℃、１０℃、２０℃、３０℃、４０℃、５０℃、６０℃、７０℃、８０℃、９０℃、１００℃、１２５℃、１５０℃、１７５℃、２００℃、２２５℃、２５０℃、２７５℃、又は３００℃下で、少なくとも１日、５日、１０日、１５日、２０日、２５日、１ヶ月、２ヶ月、３ヶ月、４ヶ月、５ヶ月、６ヶ月、７ヶ月、８ヶ月、９ヶ月、１０ヶ月、１１ヶ月、１２ヶ月、１８ヶ月、２年、２．５年、３年、３．５年、４年、４．５年、５年、５．５年、６年、６．５年、７年、７．５年、８年、８．５年、９年、９．５年、又は１０年後に、９０％、８０％、７０％、６０％、５０％、４０％、３０％、２５％、２０％、１０％、５％、４％、３％、２％、１％、又０％未満のその特異的性質の劣化を示す。
一実施形態によれば、無機材料２中のナノ粒子３は、０％、５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は１００％のＯ２分子下で、０％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は９９％の湿度の下で、少なくとも１日、５日、１０日、１５日、２０日、２５日、１ヶ月、２ヶ月、３ヶ月、４ヶ月、５ヶ月、６ヶ月、７ヶ月、８ヶ月、９ヶ月、１０ヶ月、１１ヶ月、１２ヶ月、１８ヶ月、２年、２．５年、３年、３．５年、４年、４．５年、５年、５．５年、６年、６．５年、７年、７．５年、８年、８．５年、９年、９．５年、又は１０年後に、９０％、８０％、７０％、６０％、５０％、４０％、３０％、２５％、２０％、１０％、５％、４％、３％、２％、１％、又０％未満のその特異的性質の劣化を示す。
一実施形態によれば、無機材料２中のナノ粒子３は、０％、５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は１００％のＯ２分子下で、０℃、１０℃、２０℃、３０℃、４０℃、５０℃、６０℃、７０℃、８０℃、９０℃、１００℃、１２５℃、１５０℃、１７５℃、２００℃、２２５℃、２５０℃、２７５℃、又は３００℃下で、かつ０％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は９９％の湿度の下で、少なくとも１日、５日、１０日、１５日、２０日、２５日、１ヶ月、２ヶ月、３ヶ月、４ヶ月、５ヶ月、６ヶ月、７ヶ月、８ヶ月、９ヶ月、１０ヶ月、１１ヶ月、１２ヶ月、１８ヶ月、２年、２．５年、３年、３．５年、４年、４．５年、５年、５．５年、６年、６．５年、７年、７．５年、８年、８．５年、９年、９．５年、又は１０年後に、９０％、８０％、７０％、６０％、５０％、４０％、３０％、２５％、２０％、１０％、５％、４％、３％、２％、１％、又０％未満のその特異的性質の劣化を示す。
一実施形態によれば、ナノ粒子３の特異的性質は、以下：蛍光、燐光、化学発光、増加する局所電磁場の容量、吸光度、磁化、保磁力、触媒収率、光起電力率、電気分極、熱伝導性、電気伝導性、酸素分子に対する透過性、水分子に対する透過性、又は任意の他の性質のうちの１以上を含む。
一実施形態によれば、無機材料２中のナノ粒子３は、少なくとも１日、５日、１０日、１５日、２０日、２５日、１ヶ月、２ヶ月、３ヶ月、４ヶ月、５ヶ月、６ヶ月、７ヶ月、８ヶ月、９ヶ月、１０ヶ月、１１ヶ月、１２ヶ月、１８ヶ月、２年、２．５年、３年、３．５年、４年、４．５年、５年、５．５年、６年、６．５年、７年、７．５年、８年、８．５年、９年、９．５年、又は１０年後に、９０％、８０％、７０％、６０％、５０％、４０％、３０％、２５％、２０％、１０％、５％、４％、３％、２％、１％、又０％未満のその光発光の劣化を示す。
一実施形態によれば、無機材料２中のナノ粒子３は、０℃、１０℃、２０℃、３０℃、４０℃、５０℃、６０℃、７０℃、８０℃、９０℃、１００℃、１２５℃、１５０℃、１７５℃、２００℃、２２５℃、２５０℃、２７５℃、又は３００℃下で、少なくとも１日、５日、１０日、１５日、２０日、２５日、１ヶ月、２ヶ月、３ヶ月、４ヶ月、５ヶ月、６ヶ月、７ヶ月、８ヶ月、９ヶ月、１０ヶ月、１１ヶ月、１２ヶ月、１８ヶ月、２年、２．５年、３年、３．５年、４年、４．５年、５年、５．５年、６年、６．５年、７年、７．５年、８年、８．５年、９年、９．５年、又は１０年後に、９０％、８０％、７０％、６０％、５０％、４０％、３０％、２５％、２０％、１０％、５％、４％、３％、２％、１％、又０％未満のその光発光の劣化を示す。
一実施形態によれば、無機材料２中のナノ粒子３は、０％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は９９％の湿度の下で、少なくとも１日、５日、１０日、１５日、２０日、２５日、１ヶ月、２ヶ月、３ヶ月、４ヶ月、５ヶ月、６ヶ月、７ヶ月、８ヶ月、９ヶ月、１０ヶ月、１１ヶ月、１２ヶ月、１８ヶ月、２年、２．５年、３年、３．５年、４年、４．５年、５年、５．５年、６年、６．５年、７年、７．５年、８年、８．５年、９年、９．５年、又は１０年後に、９０％、８０％、７０％、６０％、５０％、４０％、３０％、２５％、２０％、１０％、５％、４％、３％、２％、１％、又は０％未満のその光発光の劣化を示す。
一実施形態によれば、無機材料２中のナノ粒子３は、０℃、１０℃、２０℃、３０℃、４０℃、５０℃、６０℃、７０℃、８０℃、９０℃、１００℃、１２５℃、１５０℃、１７５℃、２００℃、２２５℃、２５０℃、２７５℃、又は３００℃下で、かつ０％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は９９％の湿度の下で、少なくとも１日、５日、１０日、１５日、２０日、２５日、１ヶ月、２ヶ月、３ヶ月、４ヶ月、５ヶ月、６ヶ月、７ヶ月、８ヶ月、９ヶ月、１０ヶ月、１１ヶ月、１２ヶ月、１８ヶ月、２年、２．５年、３年、３．５年、４年、４．５年、５年、５．５年、６年、６．５年、７年、７．５年、８年、８．５年、９年、９．５年、又は１０年後に、９０％、８０％、７０％、６０％、５０％、４０％、３０％、２５％、２０％、１０％、５％、４％、３％、２％、１％、又は０％未満のその光発光の劣化を示す。
一実施形態によれば、無機材料２中のナノ粒子３は、０％、５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は１００％のＯ２分子下で、少なくとも１日、５日、１０日、１５日、２０日、２５日、１ヶ月、２ヶ月、３ヶ月、４ヶ月、５ヶ月、６ヶ月、７ヶ月、８ヶ月、９ヶ月、１０ヶ月、１１ヶ月、１２ヶ月、１８ヶ月、２年、２．５年、３年、３．５年、４年、４．５年、５年、５．５年、６年、６．５年、７年、７．５年、８年、８．５年、９年、９．５年、又は１０年後に、９０％、８０％、７０％、６０％、５０％、４０％、３０％、２５％、２０％、１０％、５％、４％、３％、２％、１％、又は０％未満のその光発光の劣化を示す。
一実施形態によれば、無機材料２中のナノ粒子３は、０％、５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は１００％のＯ２分子下で、かつ０℃、１０℃、２０℃、３０℃、４０℃、５０℃、６０℃、７０℃、８０℃、９０℃、１００℃、１２５℃、１５０℃、１７５℃、２００℃、２２５℃、２５０℃、２７５℃、又は３００℃下で、少なくとも１日、５日、１０日、１５日、２０日、２５日、１ヶ月、２ヶ月、３ヶ月、４ヶ月、５ヶ月、６ヶ月、７ヶ月、８ヶ月、９ヶ月、１０ヶ月、１１ヶ月、１２ヶ月、１８ヶ月、２年、２．５年、３年、３．５年、４年、４．５年、５年、５．５年、６年、６．５年、７年、７．５年、８年、８．５年、９年、９．５年、又は１０年後に、９０％、８０％、７０％、６０％、５０％、４０％、３０％、２５％、２０％、１０％、５％、４％、３％、２％、１％、又は０％未満のその光発光の劣化を示す。
一実施形態によれば、無機材料２中のナノ粒子３は、０％、５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は１００％のＯ２分子下で、０％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は９９％の湿度の下で、少なくとも１日、５日、１０日、１５日、２０日、２５日、１ヶ月、２ヶ月、３ヶ月、４ヶ月、５ヶ月、６ヶ月、７ヶ月、８ヶ月、９ヶ月、１０ヶ月、１１ヶ月、１２ヶ月、１８ヶ月、２年、２．５年、３年、３．５年、４年、４．５年、５年、５．５年、６年、６．５年、７年、７．５年、８年、８．５年、９年、９．５年、又は１０年後に、９０％、８０％、７０％、６０％、５０％、４０％、３０％、２５％、２０％、１０％、５％、４％、３％、２％、１％、又は０％未満のその光発光の劣化を示す。
一実施形態によれば、無機材料２中のナノ粒子３は、０％、５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は１００％のＯ２分子下で、０℃、１０℃、２０℃、３０℃、４０℃、５０℃、６０℃、７０℃、８０℃、９０℃、１００℃、１２５℃、１５０℃、１７５℃、２００℃、２２５℃、２５０℃、２７５℃、又は３００℃下で、かつ０％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は９９％の湿度の下で、少なくとも１日、５日、１０日、１５日、２０日、２５日、１ヶ月、２ヶ月、３ヶ月、４ヶ月、５ヶ月、６ヶ月、７ヶ月、８ヶ月、９ヶ月、１０ヶ月、１１ヶ月、１２ヶ月、１８ヶ月、２年、２．５年、３年、３．５年、４年、４．５年、５年、５．５年、６年、６．５年、７年、７．５年、８年、８．５年、９年、９．５年、又は１０年後に、９０％、８０％、７０％、６０％、５０％、４０％、３０％、２５％、２０％、１０％、５％、４％、３％、２％、１％、又は０％未満のその光発光の劣化を示す。
一実施形態によれば、無機材料２中のナノ粒子３は、少なくとも１日、５日、１０日、１５日、２０日、２５日、１ヶ月、２ヶ月、３ヶ月、４ヶ月、５ヶ月、６ヶ月、７ヶ月、８ヶ月、９ヶ月、１０ヶ月、１１ヶ月、１２ヶ月、１８ヶ月、２年、２．５年、３年、３．５年、４年、４．５年、５年、５．５年、６年、６．５年、７年、７．５年、８年、８．５年、９年、９．５年、又は１０年後に、９０％、８０％、７０％、６０％、５０％、４０％、３０％、２５％、２０％、１０％、５％、４％、３％、２％、１％、又は０％未満のその光発光量子収率（ＰＬＱＹ）の劣化を示す。
一実施形態によれば、無機材料２中のナノ粒子３は、０℃、１０℃、２０℃、３０℃、４０℃、５０℃、６０℃、７０℃、８０℃、９０℃、１００℃、１２５℃、１５０℃、１７５℃、２００℃、２２５℃、２５０℃、２７５℃、又は３００℃下で、少なくとも１日、５日、１０日、１５日、２０日、２５日、１ヶ月、２ヶ月、３ヶ月、４ヶ月、５ヶ月、６ヶ月、７ヶ月、８ヶ月、９ヶ月、１０ヶ月、１１ヶ月、１２ヶ月、１８ヶ月、２年、２．５年、３年、３．５年、４年、４．５年、５年、５．５年、６年、６．５年、７年、７．５年、８年、８．５年、９年、９．５年、又は１０年後に、９０％、８０％、７０％、６０％、５０％、４０％、３０％、２５％、２０％、１０％、５％、４％、３％、２％、１％、又は０％未満のその光発光量子収率（ＰＬＱＹ）の劣化を示す。
一実施形態によれば、無機材料２中のナノ粒子３は、０％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は９９％の湿度の下で、少なくとも１日、５日、１０日、１５日、２０日、２５日、１ヶ月、２ヶ月、３ヶ月、４ヶ月、５ヶ月、６ヶ月、７ヶ月、８ヶ月、９ヶ月、１０ヶ月、１１ヶ月、１２ヶ月、１８ヶ月、２年、２．５年、３年、３．５年、４年、４．５年、５年、５．５年、６年、６．５年、７年、７．５年、８年、８．５年、９年、９．５年、又は１０年後に、９０％、８０％、７０％、６０％、５０％、４０％、３０％、２５％、２０％、１０％、５％、４％、３％、２％、１％、又は０％未満のその光発光量子収率（ＰＬＱＹ）の劣化を示す。
一実施形態によれば、無機材料２中のナノ粒子３は、０℃、１０℃、２０℃、３０℃、４０℃、５０℃、６０℃、７０℃、８０℃、９０℃、１００℃、１２５℃、１５０℃、１７５℃、２００℃、２２５℃、２５０℃、２７５℃、又は３００℃下で、かつ０％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は９９％の湿度の下で、少なくとも１日、５日、１０日、１５日、２０日、２５日、１ヶ月、２ヶ月、３ヶ月、４ヶ月、５ヶ月、６ヶ月、７ヶ月、８ヶ月、９ヶ月、１０ヶ月、１１ヶ月、１２ヶ月、１８ヶ月、２年、２．５年、３年、３．５年、４年、４．５年、５年、５．５年、６年、６．５年、７年、７．５年、８年、８．５年、９年、９．５年、又は１０年後に、９０％、８０％、７０％、６０％、５０％、４０％、３０％、２５％、２０％、１０％、５％、４％、３％、２％、１％、又は０％未満のその光発光量子収率（ＰＬＱＹ）の劣化を示す。
一実施形態によれば、無機材料２中のナノ粒子３は、０％、５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は１００％のＯ２分子下で、少なくとも１日、５日、１０日、１５日、２０日、２５日、１ヶ月、２ヶ月、３ヶ月、４ヶ月、５ヶ月、６ヶ月、７ヶ月、８ヶ月、９ヶ月、１０ヶ月、１１ヶ月、１２ヶ月、１８ヶ月、２年、２．５年、３年、３．５年、４年、４．５年、５年、５．５年、６年、６．５年、７年、７．５年、８年、８．５年、９年、９．５年、又は１０年後に、９０％、８０％、７０％、６０％、５０％、４０％、３０％、２５％、２０％、１０％、５％、４％、３％、２％、１％、又は０％未満のその光発光量子収率（ＰＬＱＹ）の劣化を示す。
一実施形態によれば、無機材料２中のナノ粒子３は、０％、５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は１００％のＯ２分子下で、０℃、１０℃、２０℃、３０℃、４０℃、５０℃、６０℃、７０℃、８０℃、９０℃、１００℃、１２５℃、１５０℃、１７５℃、２００℃、２２５℃、２５０℃、２７５℃、又は３００℃下で、少なくとも１日、５日、１０日、１５日、２０日、２５日、１ヶ月、２ヶ月、３ヶ月、４ヶ月、５ヶ月、６ヶ月、７ヶ月、８ヶ月、９ヶ月、１０ヶ月、１１ヶ月、１２ヶ月、１８ヶ月、２年、２．５年、３年、３．５年、４年、４．５年、５年、５．５年、６年、６．５年、７年、７．５年、８年、８．５年、９年、９．５年、又は１０年後に、９０％、８０％、７０％、６０％、５０％、４０％、３０％、２５％、２０％、１０％、５％、４％、３％、２％、１％、又は０％未満のその光発光量子収率（ＰＬＱＹ）の劣化を示す。
一実施形態によれば、無機材料２中のナノ粒子３は、０％、５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は１００％のＯ２分子下で、０％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は９９％の湿度の下で、少なくとも１日、５日、１０日、１５日、２０日、２５日、１ヶ月、２ヶ月、３ヶ月、４ヶ月、５ヶ月、６ヶ月、７ヶ月、８ヶ月、９ヶ月、１０ヶ月、１１ヶ月、１２ヶ月、１８ヶ月、２年、２．５年、３年、３．５年、４年、４．５年、５年、５．５年、６年、６．５年、７年、７．５年、８年、８．５年、９年、９．５年、又は１０年後に、９０％、８０％、７０％、６０％、５０％、４０％、３０％、２５％、２０％、１０％、５％、４％、３％、２％、１％、又は０％未満のその光発光量子収率（ＰＬＱＹ）の劣化を示す。
一実施形態によれば、無機材料２中のナノ粒子３は、０％、５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は１００％のＯ２分子下で、０℃、１０℃、２０℃、３０℃、４０℃、５０℃、６０℃、７０℃、８０℃、９０℃、１００℃、１２５℃、１５０℃、１７５℃、２００℃、２２５℃、２５０℃、２７５℃、又は３００℃下で、かつ０％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は９９％の湿度の下で、少なくとも１日、５日、１０日、１５日、２０日、２５日、１ヶ月、２ヶ月、３ヶ月、４ヶ月、５ヶ月、６ヶ月、７ヶ月、８ヶ月、９ヶ月、１０ヶ月、１１ヶ月、１２ヶ月、１８ヶ月、２年、２．５年、３年、３．５年、４年、４．５年、５年、５．５年、６年、６．５年、７年、７．５年、８年、８．５年、９年、９．５年、又は１０年後に、９０％、８０％、７０％、６０％、５０％、４０％、３０％、２５％、２０％、１０％、５％、４％、３％、２％、１％、又は０％未満のその光発光量子収率（ＰＬＱＹ）の劣化を示す。
一実施形態によれば、無機材料２中のナノ粒子３は、少なくとも１日、５日、１０日、１５日、２０日、２５日、１ヶ月、２ヶ月、３ヶ月、４ヶ月、５ヶ月、６ヶ月、７ヶ月、８ヶ月、９ヶ月、１０ヶ月、１１ヶ月、１２ヶ月、１８ヶ月、２年、２．５年、３年、３．５年、４年、４．５年、５年、５．５年、６年、６．５年、７年、７．５年、８年、８．５年、９年、９．５年、又は１０年後に、９０％、８０％、７０％、６０％、５０％、４０％、３０％、２５％、２０％、１０％、５％、４％、３％、２％、１％、又０％未満のそのＦＣＥの劣化を示す。
一実施形態によれば、無機材料２中のナノ粒子３は、０℃、１０℃、２０℃、３０℃、４０℃、５０℃、６０℃、７０℃、８０℃、９０℃、１００℃、１２５℃、１５０℃、１７５℃、２００℃、２２５℃、２５０℃、２７５℃、又は３００℃下で、少なくとも１日、５日、１０日、１５日、２０日、２５日、１ヶ月、２ヶ月、３ヶ月、４ヶ月、５ヶ月、６ヶ月、７ヶ月、８ヶ月、９ヶ月、１０ヶ月、１１ヶ月、１２ヶ月、１８ヶ月、２年、２．５年、３年、３．５年、４年、４．５年、５年、５．５年、６年、６．５年、７年、７．５年、８年、８．５年、９年、９．５年、又は１０年後に、９０％、８０％、７０％、６０％、５０％、４０％、３０％、２５％、２０％、１０％、５％、４％、３％、２％、１％、又０％未満のそのＦＣＥの劣化を示す。
一実施形態によれば、無機材料２中のナノ粒子３は、０％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は９９％の湿度の下で、少なくとも１日、５日、１０日、１５日、２０日、２５日、１ヶ月、２ヶ月、３ヶ月、４ヶ月、５ヶ月、６ヶ月、７ヶ月、８ヶ月、９ヶ月、１０ヶ月、１１ヶ月、１２ヶ月、１８ヶ月、２年、２．５年、３年、３．５年、４年、４．５年、５年、５．５年、６年、６．５年、７年、７．５年、８年、８．５年、９年、９．５年、又は１０年後に、９０％、８０％、７０％、６０％、５０％、４０％、３０％、２５％、２０％、１０％、５％、４％、３％、２％、１％、又は０％未満のそのＦＣＥの劣化を示す。
一実施形態によれば、無機材料２中のナノ粒子３は、０℃、１０℃、２０℃、３０℃、４０℃、５０℃、６０℃、７０℃、８０℃、９０℃、１００℃、１２５℃、１５０℃、１７５℃、２００℃、２２５℃、２５０℃、２７５℃、又は３００℃下で、かつ０％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は９９％の湿度の下で、少なくとも１日、５日、１０日、１５日、２０日、２５日、１ヶ月、２ヶ月、３ヶ月、４ヶ月、５ヶ月、６ヶ月、７ヶ月、８ヶ月、９ヶ月、１０ヶ月、１１ヶ月、１２ヶ月、１８ヶ月、２年、２．５年、３年、３．５年、４年、４．５年、５年、５．５年、６年、６．５年、７年、７．５年、８年、８．５年、９年、９．５年、又は１０年後に、９０％、８０％、７０％、６０％、５０％、４０％、３０％、２５％、２０％、１０％、５％、４％、３％、２％、１％、又は０％未満のそのＦＣＥの劣化を示す。
一実施形態によれば、無機材料２中のナノ粒子３は、０％、５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は１００％のＯ２分子下で、少なくとも１日、５日、１０日、１５日、２０日、２５日、１ヶ月、２ヶ月、３ヶ月、４ヶ月、５ヶ月、６ヶ月、７ヶ月、８ヶ月、９ヶ月、１０ヶ月、１１ヶ月、１２ヶ月、１８ヶ月、２年、２．５年、３年、３．５年、４年、４．５年、５年、５．５年、６年、６．５年、７年、７．５年、８年、８．５年、９年、９．５年、又は１０年後に、９０％、８０％、７０％、６０％、５０％、４０％、３０％、２５％、２０％、１０％、５％、４％、３％、２％、１％、又は０％未満のそのＦＣＥの劣化を示す。
一実施形態によれば、無機材料２中のナノ粒子３は、０％、５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は１００％のＯ２分子下で、かつ０℃、１０℃、２０℃、３０℃、４０℃、５０℃、６０℃、７０℃、８０℃、９０℃、１００℃、１２５℃、１５０℃、１７５℃、２００℃、２２５℃、２５０℃、２７５℃、又は３００℃下で、少なくとも１日、５日、１０日、１５日、２０日、２５日、１ヶ月、２ヶ月、３ヶ月、４ヶ月、５ヶ月、６ヶ月、７ヶ月、８ヶ月、９ヶ月、１０ヶ月、１１ヶ月、１２ヶ月、１８ヶ月、２年、２．５年、３年、３．５年、４年、４．５年、５年、５．５年、６年、６．５年、７年、７．５年、８年、８．５年、９年、９．５年、又は１０年後に、９０％、８０％、７０％、６０％、５０％、４０％、３０％、２５％、２０％、１０％、５％、４％、３％、２％、１％、又は０％未満のそのＦＣＥの劣化を示す。
一実施形態によれば、無機材料２中のナノ粒子３は、０％、５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は１００％のＯ２分子下で、０％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は９９％の湿度の下で、少なくとも１日、５日、１０日、１５日、２０日、２５日、１ヶ月、２ヶ月、３ヶ月、４ヶ月、５ヶ月、６ヶ月、７ヶ月、８ヶ月、９ヶ月、１０ヶ月、１１ヶ月、１２ヶ月、１８ヶ月、２年、２．５年、３年、３．５年、４年、４．５年、５年、５．５年、６年、６．５年、７年、７．５年、８年、８．５年、９年、９．５年、又は１０年後に、９０％、８０％、７０％、６０％、５０％、４０％、３０％、２５％、２０％、１０％、５％、４％、３％、２％、１％、又は０％未満のそのＦＣＥの劣化を示す。
一実施形態によれば、無機材料２中のナノ粒子３は、０％、５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は１００％のＯ２分子下で、０℃、１０℃、２０℃、３０℃、４０℃、５０℃、６０℃、７０℃、８０℃、９０℃、１００℃、１２５℃、１５０℃、１７５℃、２００℃、２２５℃、２５０℃、２７５℃、又は３００℃下で、かつ０％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は９９％の湿度の下で、少なくとも１日、５日、１０日、１５日、２０日、２５日、１ヶ月、２ヶ月、３ヶ月、４ヶ月、５ヶ月、６ヶ月、７ヶ月、８ヶ月、９ヶ月、１０ヶ月、１１ヶ月、１２ヶ月、１８ヶ月、２年、２．５年、３年、３．５年、４年、４．５年、５年、５．５年、６年、６．５年、７年、７．５年、８年、８．５年、９年、９．５年、又は１０年後に、９０％、８０％、７０％、６０％、５０％、４０％、３０％、２５％、２０％、１０％、５％、４％、３％、２％、１％、又は０％未満のそのＦＣＥの劣化を示す。
一実施形態によれば、無機材料２は、光学的に透明であり、すなわち、無機材料２は、２００ｎｍ〜５０μｍ、２００ｎｍ〜１０μｍ、２００ｎｍ〜２５００ｎｍ、２００ｎｍ〜２０００ｎｍ、２００ｎｍ〜１５００ｎｍ、２００ｎｍ〜１０００ｎｍ、２００ｎｍ〜８００ｎｍ、４００ｎｍ〜７００ｎｍ、４００ｎｍ〜６００ｎｍ、又は４００ｎｍ〜４７０ｎｍの波長で透明である。この実施形態において、無機材料２は、全ての入射光を吸収せず、ナノ粒子３が全ての入射光を吸収することを可能にし、かつ／又は無機材料２は、ナノ粒子３が放つ光を吸収せず、前記放たれる光が無機材料２を透過するのを可能にする。
一実施形態によれば、無機材料２は、光学的に不透明であり、すなわち、無機材料２は、２００ｎｍ〜５０μｍ、２００ｎｍ〜１０μｍ、２００ｎｍ〜２５００ｎｍ、２００ｎｍ〜２０００ｎｍ、２００ｎｍ〜１５００ｎｍ、２００ｎｍ〜１０００ｎｍ、２００ｎｍ〜８００ｎｍ、４００ｎｍ〜７００ｎｍ、４００ｎｍ〜６００ｎｍ、又は４００ｎｍ〜４７０ｎｍの波長で光を吸収する。この実施形態において、無機材料２は、入射光の一部を吸収し、ナノ粒子３が入射光の一部のみを吸収することを可能にし、かつ／又は無機材料２は、ナノ粒子３が放つ光の一部を吸収し、前記放たれる光が無機材料２を部分的に透過するのを可能にする。
一実施形態によれば、無機材料２は、入射光の少なくとも５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は１００％を透過させる。
一実施形態によれば、無機材料２は、入射光の一部を透過させ、少なくとも１種の二次光を放射する。この実施形態において、生じた光は、残りの透過入射光の組み合わせである。
一実施形態によれば、無機材料２は、５０μｍ、４０μｍ、３０μｍ、２０μｍ、１０μｍ、１μｍ、９５０ｎｍ、９００ｎｍ、８５０ｎｍ、８００ｎｍ、７５０ｎｍ、７００ｎｍ、６５０ｎｍ、６００ｎｍ、５５０ｎｍ、５００ｎｍ、４５０ｎｍ、４００ｎｍ、３５０ｎｍ以上、３００ｎｍ以下、２５０ｎｍよりも低い、又は２００ｎｍよりも低い波長の入射光を吸収する。
一実施形態によれば、無機材料２は、４６０ｎｍよりも低い波長の入射光を吸収する。
一実施形態によれば、無機材料２は、４６０ｎｍで１×１０−５、１．１×１０−５、１．２×１０−５、１．３×１０−５、１．４×１０−５、１.５×１０−５、１．６×１０−５、１．７×１０−５、１．８×１０−５、１．９×１０−５、２×１０−５、３×１０−５、４×１０−５、５×１０−５、６×１０−５、７×１０−５、８×１０−５、９×１０−５、１０×１０−５、１１×１０−５、１２×１０−５、１３×１０−５、１４×１０−５、１５×１０−５、１６×１０−５、１７×１０−５、１８×１０−５、１９×１０−５、２０×１０−５、２１×１０−５、２２×１０−５、２３×１０−５、２４×１０−５、又は２５×１０−５以下の消衰係数を有する。
一実施形態によれば、無機材料２は、４６０ｎｍで１×１０−２ｃｍ−１、１×１０−１ｃｍ−１、０．５×１０−１ｃｍ−１、０．１ｃｍ−１、０．２ｃｍ−１、０．３ｃｍ−１、０．４ｃｍ−１、０．５ｃｍ−１、０．６ｃｍ−１、０．７ｃｍ−１、０．８ｃｍ−１、０．９ｃｍ−１、１ｃｍ−１、１．１ｃｍ−１、１．２ｃｍ−１、１．３ｃｍ−１、１．４ｃｍ−１、１．５ｃｍ−１、１．６ｃｍ−１、１．７ｃｍ−１、１．８ｃｍ−１、１．９ｃｍ−１、２．０ｃｍ−１、２．５ｃｍ−１、３．０ｃｍ−１、３．５ｃｍ−１、４．０ｃｍ−１、４．５ｃｍ−１、５．０ｃｍ−１、５．５ｃｍ−１、６．０ｃｍ−１、６．５ｃｍ−１、７．０ｃｍ−１、７．５ｃｍ−１、８．０ｃｍ−１、８．５ｃｍ−１、９．０ｃｍ−１、９．５ｃｍ−１、１０ｃｍ−１、１５ｃｍ−１、２０ｃｍ−１、２５ｃｍ−１、又は３０ｃｍ−１以下の減衰係数を有する。
一実施形態によれば、無機材料２は、４５０ｎｍで１×１０−２ｃｍ−１、１×１０−１ｃｍ−１、０．５×１０−１ｃｍ−１、０．１ｃｍ−１、０．２ｃｍ−１、０．３ｃｍ−１、０．４ｃｍ−１、０．５ｃｍ−１、０．６ｃｍ−１、０．７ｃｍ−１、０．８ｃｍ−１、０．９ｃｍ−１、１ｃｍ−１、１．１ｃｍ−１、１．２ｃｍ−１、１．３ｃｍ−１、１．４ｃｍ−１、１．５ｃｍ−１、１．６ｃｍ−１、１．７ｃｍ−１、１．８ｃｍ−１、１．９ｃｍ−１、２．０ｃｍ−１、２．５ｃｍ−１、３．０ｃｍ−１、３．５ｃｍ−１、４．０ｃｍ−１、４．５ｃｍ−１、５．０ｃｍ−１、５．５ｃｍ−１、６．０ｃｍ−１、６．５ｃｍ−１、７．０ｃｍ−１、７．５ｃｍ−１、８．０ｃｍ−１、８．５ｃｍ−１、９．０ｃｍ−１、９．５ｃｍ−１、１０ｃｍ−１、１５ｃｍ−１、２０ｃｍ−１、２５ｃｍ−１、又は３０ｃｍ−１以下の減衰係数を有する。
一実施形態によれば、無機材料２は、４６０ｎｍで１．１０−３５ｃｍ２、１．１０−３４ｃｍ２、１．１０−３３ｃｍ２、１．１０−３２ｃｍ２、１．１０−３１ｃｍ２、１．１０−３０ｃｍ２、１．１０−２９ｃｍ２、１．１０−２８ｃｍ２、１．１０−２７ｃｍ２、１．１０−２６ｃｍ２、１．１０−２５ｃｍ２、１．１０−２４ｃｍ２、１．１０−２３ｃｍ２、１．１０−２２ｃｍ２、１．１０−２１ｃｍ２、１．１０−２０ｃｍ２、１．１０−１９ｃｍ２、１．１０−１８ｃｍ２、１．１０−１７ｃｍ２、１．１０−１６ｃｍ２、１．１０−１５ｃｍ２、１．１０−１４ｃｍ２、１．１０−１３ｃｍ２、１．１０−１２ｃｍ２、１．１０−１１ｃｍ２、１．１０−１０ｃｍ２、１．１０−９ｃｍ２、１．１０−８ｃｍ２、１．１０−７ｃｍ２、１．１０−６ｃｍ２、１．１０−５ｃｍ２、１．１０−４ｃｍ２、１．１０−３ｃｍ２、１．１０−２ｃｍ２又は１．１０−１ｃｍ２以下の光吸収断面積を有する。
一実施形態によれば、無機材料２は、有機分子、有機基又はポリマー鎖を含まない。
一実施形態によれば、無機材料２は、ポリマーを含まない。
一実施形態によれば、無機材料２は、無機ポリマーを含む。
一実施形態によれば、無機材料２は、金属、ハライド、カルコゲナイド、リン化物、硫化物、半金属、金属合金、セラミック、例えば、酸化物、炭化物、窒化物、ガラス、エナメル、セラミック、石、宝石、顔料、セメント及び／又は無機ポリマーの群から選択される材料で構成されている。前記無機材料２は、当業者に知られるプロトコルを用いて調製される。
一実施形態によれば、無機材料２は、金属、ハライド、カルコゲナイド、リン化物、硫化物、半金属、金属合金、セラミック、例えば、酸化物、炭化物、窒化物、エナメル、セラミック、石、宝石、顔料、及び／又はセメントの群から選択される材料で構成されている。前記無機材料２は、当業者に知られるプロトコルを用いて調製される。
一実施形態によれば、無機材料２は、酸化物材料、半導体材料、ワイドバンドギャップ半導体材料又はそれらの混合物からなる群から選択される。
一実施形態によれば、半導体材料の例には、ＩＩＩ−Ｖ半導体、ＩＩ−ＶＩ半導体、又はそれらの混合物が含まれるが、これらに限定されない。
一実施形態によれば、ワイドバンドギャップ半導体材料の例には、炭化ケイ素ＳｉＣ、窒化アルミニウムＡｌＮ、窒化ガリウムＧａＮ、窒化ホウ素ＢＮ、又はそれらの混合物が含まれるが、これらに限定されない。
一実施形態によれば、無機材料２は、ＺｒＯ２／ＳｉＯ２混合物：ＳｉｘＺｒ１−ｘＯ２（式中、０≦ｘ≦１）を含むか、又はそれらからなる。この実施形態において、最初の無機材料２は、０〜１４の範囲のいずれのｐＨにも抵抗することができる。これは、ナノ粒子３のより良好な保護を可能にする。
一実施形態によれば、無機材料２は、Ｓｉ０．８Ｚｒ０．２Ｏ２を含むか、又はそれからなる。
一実施形態によれば、無機材料２は、混合物：ＳｉｘＺｒ１−ｘＯｚ（式中、０＜ｘ≦１及び０＜ｚ≦３）を含むか、又はそれからなる。
一実施形態によれば、無機材料２は、ＨｆＯ２／ＳｉＯ２混合物：ＳｉｘＨｆ１−ｘＯ２（式中、０＜ｘ≦１及び０＜ｚ≦３）を含むか、又はそれからなる。
一実施形態によれば、無機材料２は、Ｓｉ０．８Ｈｆ０．２Ｏ２を含むか、又はそれからなる。
一実施形態によれば、カルコゲナイドは、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｐｏの群から選択される少なくとも１種のカルコゲン陰イオン、及び少なくとも１以上の電気陽性元素からなる化合物である。
一実施形態によれば、金属無機材料２は、金、銀、銅、バナジウム、白金、パラジウム、ルテニウム、レニウム、イットリウム、水銀、カドミウム、オスミウム、クロム、タンタル、マンガン、亜鉛、ジルコニウム、ニオブ、モリブデン、ロジウム、タングステン、イリジウム、ニッケル、鉄、又はコバルトの群から選択される。
一実施形態によれば、炭化無機材料２の例には、ＳｉＣ、ＷＣ、ＢＣ、ＭｏＣ、ＴｉＣ、Ａｌ４Ｃ３、ＬａＣ２、ＦｅＣ、ＣｏＣ、ＨｆＣ、ＳｉｘＣｙ、ＷｘＣｙ、ＢｘＣｙ、ＭｏｘＣｙ、ＴｉｘＣｙ、ＡｌｘＣｙ、ＬａｘＣｙ、ＦｅｘＣｙ、ＣｏｘＣｙ、ＨｆｘＣｙ、又はそれらの混合物が含まれるが、これらに限定されない；ｘ及びｙは、ｘ及びｙが同時に０ではなく、かつｘは０ではないという条件で、独立して、０〜５の１０進数である。
一実施形態によれば、酸化物無機材料２の例には、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、ＺｎＯ、ＭｇＯ、ＳｎＯ２、Ｎｂ２Ｏ５、ＣｅＯ２、ＢｅＯ、ＩｒＯ２、ＣａＯ、Ｓｃ２Ｏ３、ＮｉＯ、Ｎａ２Ｏ、ＢａＯ、Ｋ２Ｏ、ＰｂＯ、Ａｇ２Ｏ、Ｖ２Ｏ５、ＴｅＯ２、ＭｎＯ、Ｂ２Ｏ３、Ｐ２Ｏ５、Ｐ２Ｏ３、Ｐ４Ｏ７、Ｐ４Ｏ８、Ｐ４Ｏ９、Ｐ２Ｏ６、ＰＯ、ＧｅＯ２、Ａｓ２Ｏ３、Ｆｅ２Ｏ３、Ｆｅ３Ｏ４、Ｔａ２Ｏ５、Ｌｉ２Ｏ、ＳｒＯ、Ｙ２Ｏ３、ＨｆＯ２、ＷＯ２、ＭｏＯ２、Ｃｒ２Ｏ３、Ｔｃ２Ｏ７、ＲｅＯ２、ＲｕＯ２、Ｃｏ３Ｏ４、ＯｓＯ、ＲｈＯ２、Ｒｈ２Ｏ３、ＰｔＯ、ＰｄＯ、ＣｕＯ、Ｃｕ２Ｏ、ＣｄＯ、ＨｇＯ、Ｔｌ２Ｏ、Ｇａ２Ｏ３、Ｉｎ２Ｏ３、Ｂｉ２Ｏ３、Ｓｂ２Ｏ３、ＰｏＯ２、ＳｅＯ２、Ｃｓ２Ｏ、Ｌａ２Ｏ３、Ｐｒ６Ｏ１１、Ｎｄ２Ｏ３、Ｌａ２Ｏ３、Ｓｍ２Ｏ３、Ｅｕ２Ｏ３、Ｔｂ４Ｏ７、Ｄｙ２Ｏ３、Ｈｏ２Ｏ３、Ｅｒ２Ｏ３、Ｔｍ２Ｏ３、Ｙｂ２Ｏ３、Ｌｕ２Ｏ３、Ｇｄ２Ｏ３、又はそれらの混合物が含まれるが、これらに限定されない。
一実施形態によれば、酸化物無機材料２の例には、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化銅、酸化鉄、酸化銀、酸化鉛、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化亜鉛、酸化錫、酸化ベリリウム、酸化ジルコニウム、酸化ニオブ、酸化セリウム、酸化イリジウム、酸化スカンジウム、酸化ニッケル、酸化ナトリウム、酸化バリウム、酸化カリウム、酸化バナジウム、酸化テルル、酸化マンガン、酸化ホウ素、酸化リン、酸化ゲルマニウム、酸化オスミウム、酸化レニウム、酸化白金、酸化ヒ素、酸化タンタル、酸化リチウム、酸化ストロンチウム、酸化イットリウム、酸化ハフニウム、酸化タングステン、酸化モリブデン、酸化クロム、酸化テクネチウム、酸化ロジウム、酸化ルテニウム、酸化コバルト、酸化パラジウム、酸化カドミウム、酸化水銀、酸化タリウム、酸化ガリウム、酸化インジウム、酸化ビスマス、酸化アンチモン、酸化ポロニウム、酸化セレン、酸化セシウム、酸化ランタン、酸化プラセオジム、酸化ネオジム、酸化サマリウム、酸化ユウロピウム、酸化テルビウム、酸化ジスプロシウム、酸化エルビウム、酸化ホルミウム、酸化ツリウム、酸化イッテルビウム、酸化ルテチウム、酸化ガドリニウム、混合酸化物、それらの混合酸化物又はそれらの混合物が含まれるが、これらに限定されない。
一実施形態によれば、窒化物無機材料２の例には、ＴｉＮ、Ｓｉ３Ｎ４、ＭｏＮ、ＶＮ、ＴａＮ、Ｚｒ３Ｎ４、ＨｆＮ、ＦｅＮ、ＮｂＮ、ＧａＮ、ＣｒＮ、ＡｌＮ、ＩｎＮ、ＴｉｘＮｙ、ＳｉｘＮｙ、ＭｏｘＮｙ、ＶｘＮｙ、ＴａｘＮｙ、ＺｒｘＮｙ、ＨｆｘＮｙ、ＦｅｘＮｙ、ＮｂｘＮｙ、ＧａｘＮｙ、ＣｒｘＮｙ、ＡｌｘＮｙ、ＩｎｘＮｙ、又はそれらの混合物が含まれるが、これらに限定されない；ｘ及びｙは、ｘ及びｙが同時に０ではなく、かつｘは０ではないという条件で、独立して０〜５の１０進数である。
一実施形態によれば、硫化物無機材料２の例には、ＳｉｙＳｘ、ＡｌｙＳｘ、ＴｉｙＳｘ、ＺｒｙＳｘ、ＺｎｙＳｘ、ＭｇｙＳｘ、ＳｎｙＳｘ、ＮｂｙＳｘ、ＣｅｙＳｘ、ＢｅｙＳｘ、ＩｒｙＳｘ、ＣａｙＳｘ、ＳｃｙＳｘ、ＮｉｙＳｘ、ＮａｙＳｘ、ＢａｙＳｘ、ＫｙＳｘ、ＰｂｙＳｘ、ＡｇｙＳｘ、ＶｙＳｘ、ＴｅｙＳｘ、ＭｎｙＳｘ、ＢｙＳｘ、ＰｙＳｘ、ＧｅｙＳｘ、ＡｓｙＳｘ、ＦｅｙＳｘ、ＴａｙＳｘ、ＬｉｙＳｘ、ＳｒｙＳｘ、ＹｙＳｘ、ＨｆｙＳｘ、ＷｙＳｘ、ＭｏｙＳｘ、ＣｒｙＳｘ、ＴｃｙＳｘ、ＲｅｙＳｘ、ＲｕｙＳｘ、ＣｏｙＳｘ、ＯｓｙＳｘ、ＲｈｙＳｘ、ＰｔｙＳｘ、ＰｄｙＳｘ、ＣｕｙＳｘ、ＡｕｙＳｘ、ＣｄｙＳｘ、ＨｇｙＳｘ、ＴｌｙＳｘ、ＧａｙＳｘ、ＩｎｙＳｘ、ＢｉｙＳｘ、ＳｂｙＳｘ、ＰｏｙＳｘ、ＳｅｙＳｘ、ＣｓｙＳｘ、混合硫化物、それらの混合硫化物又はそれらの混合物が含まれるが、これらに限定されない；ｘ及びｙは、ｘ及びｙが同時に０ではなく、かつｘは０ではないという条件で、独立して０〜１０の１０進数である。
一実施形態によれば、ハライド無機材料２の例には、ＢａＦ２、ＬａＦ３、ＣｅＦ３、ＹＦ３、ＣａＦ２、ＭｇＦ２、ＰｒＦ３、ＡｇＣｌ、ＭｎＣｌ２、ＮｉＣｌ２、Ｈｇ２Ｃｌ２、ＣａＣｌ２、ＣｓＰｂＣｌ３、ＡｇＢｒ、ＰｂＢｒ３、ＣｓＰｂＢｒ３、ＡｇＩ、ＣｕＩ、ＰｂＩ、ＨｇＩ２、ＢｉＩ３、ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＩ３、ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＣｌ３、ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＢｒ３、ＣｓＰｂＩ３、ＦＡＰｂＢｒ３（ＦＡホルムアミジニウムを有する）、又はそれらの混合物が含まれるが、これらに限定されない。
一実施形態によれば、カルコゲナイド無機材料２の例には、ＣｄＯ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＺｎＯ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＨｇＯ、ＨｇＳ、ＨｇＳｅ、ＨｇＴｅ、ＣｕＯ、Ｃｕ２Ｏ、ＣｕＳ、Ｃｕ２Ｓ、ＣｕＳｅ、ＣｕＴｅ、Ａｇ２Ｏ、Ａｇ２Ｓ、Ａｇ２Ｓｅ、Ａｇ２Ｔｅ、Ａｕ２Ｓ、ＰｄＯ、ＰｄＳ、Ｐｄ４Ｓ、ＰｄＳｅ、ＰｄＴｅ、ＰｔＯ、ＰｔＳ、ＰｔＳ２、ＰｔＳｅ、ＰｔＴｅ、ＲｈＯ２、Ｒｈ２Ｏ３、ＲｈＳ２、Ｒｈ２Ｓ３、ＲｈＳｅ２、Ｒｈ２Ｓｅ３、ＲｈＴｅ２、ＩｒＯ２、ＩｒＳ２、Ｉｒ２Ｓ３、ＩｒＳｅ２、ＩｒＴｅ２、ＲｕＯ２、ＲｕＳ２、ＯｓＯ、ＯｓＳ、ＯｓＳｅ、ＯｓＴｅ、ＭｎＯ、ＭｎＳ、ＭｎＳｅ、ＭｎＴｅ、ＲｅＯ２、ＲｅＳ２、Ｃｒ２Ｏ３、Ｃｒ２Ｓ３、ＭｏＯ２、ＭｏＳ２、ＭｏＳｅ２、ＭｏＴｅ２、ＷＯ２、ＷＳ２、ＷＳｅ２、Ｖ２Ｏ５、Ｖ２Ｓ３、Ｎｂ２Ｏ５、ＮｂＳ２、ＮｂＳｅ２、ＨｆＯ２、ＨｆＳ２、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、ＺｒＳ２、ＺｒＳｅ２、ＺｒＴｅ２、Ｓｃ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３、Ｙ２Ｓ３、ＳｉＯ２、ＧｅＯ２、ＧｅＳ、ＧｅＳ２、ＧｅＳｅ、ＧｅＳｅ２、ＧｅＴｅ、ＳｎＯ２、ＳｎＳ、ＳｎＳ２、ＳｎＳｅ、ＳｎＳｅ２、ＳｎＴｅ、ＰｂＯ、ＰｂＳ、ＰｂＳｅ、ＰｂＴｅ、ＭｇＯ、ＭｇＳ、ＭｇＳｅ、ＭｇＴｅ、ＣａＯ、ＣａＳ、ＳｒＯ、Ａｌ２Ｏ３、Ｇａ２Ｏ３、Ｇａ２Ｓ３、Ｇａ２Ｓｅ３、Ｉｎ２Ｏ３、Ｉｎ２Ｓ３、Ｉｎ２Ｓｅ３、Ｉｎ２Ｔｅ３、Ｌａ２Ｏ３、Ｌａ２Ｓ３、ＣｅＯ２、ＣｅＳ２、Ｐｒ６Ｏ１１、Ｎｄ２Ｏ３、ＮｄＳ２、Ｌａ２Ｏ３、Ｔｌ２Ｏ、Ｓｍ２Ｏ３、ＳｍＳ２、Ｅｕ２Ｏ３、ＥｕＳ２、Ｂｉ２Ｏ３、Ｓｂ２Ｏ３、ＰｏＯ２、ＳｅＯ２、Ｃｓ２Ｏ、Ｔｂ４Ｏ７、ＴｂＳ２、Ｄｙ２Ｏ３、Ｈｏ２Ｏ３、Ｅｒ２Ｏ３、ＥｒＳ２、Ｔｍ２Ｏ３、Ｙｂ２Ｏ３、Ｌｕ２Ｏ３、ＣｕＩｎＳ２、ＣｕＩｎＳｅ２、ＡｇＩｎＳ２、ＡｇＩｎＳｅ２、Ｆｅ２Ｏ３、Ｆｅ３Ｏ４、ＦｅＳ、ＦｅＳ２、Ｃｏ３Ｓ４、ＣｏＳｅ、Ｃｏ３Ｏ４、ＮｉＯ、ＮｉＳｅ２、ＮｉＳｅ、Ｎｉ３Ｓｅ４、Ｇｄ２Ｏ３、ＢｅＯ、ＴｅＯ２、Ｎａ２Ｏ、ＢａＯ、Ｋ２Ｏ、Ｔａ２Ｏ５、Ｌｉ２Ｏ、Ｔｃ２Ｏ７、Ａｓ２Ｏ３、Ｂ２Ｏ３、Ｐ２Ｏ５、Ｐ２Ｏ３、Ｐ４Ｏ７、Ｐ４Ｏ８、Ｐ４Ｏ９、Ｐ２Ｏ６、ＰＯ、又はそれらの混合物が含まれるが、これらに限定されない。
一実施形態によれば、リン化物無機材料２の例には、ＩｎＰ、Ｃｄ３Ｐ２、Ｚｎ３Ｐ２、ＡｌＰ、ＧａＰ、ＴｌＰ、又はそれらの混合物が含まれるが、これらに限定されない。
一実施形態によれば、半金属無機材料２の例には、Ｓｉ、Ｂ、Ｇｅ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｔｅ、又はそれらの混合物が含まれるが、これらに限定されない。
一実施形態によれば、金属合金無機材料２の例には、Ａｕ−Ｐｄ、Ａｕ−Ａｇ、Ａｕ−Ｃｕ、Ｐｔ−Ｐｄ、Ｐｔ−Ｎｉ、Ｃｕ−Ａｇ、Ｃｕ−Ｓｎ、Ｒｕ−Ｐｔ、Ｒｈ−Ｐｔ、Ｃｕ−Ｐｔ、Ｎｉ−Ａｕ、Ｐｔ−Ｓｎ、Ｐｄ−Ｖ、Ｉｒ−Ｐｔ、Ａｕ−Ｐｔ、Ｐｄ−Ａｇ、Ｃｕ−Ｚｎ、Ｃｒ−Ｎｉ、Ｆｅ−Ｃｏ、Ｃｏ−Ｎｉ、Ｆｅ−Ｎｉ又はそれらの混合物が含まれるが、これらに限定されない。
一実施形態によれば、無機材料２は、ガーネットを含む。
一実施形態によれば、ガーネットの例には、Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２、Ｙ３Ｆｅ２（ＦｅＯ４）３、Ｙ３Ｆｅ５Ｏ１２、Ｙ４Ａｌ２Ｏ９、ＹＡｌＯ３、Ｆｅ３Ａｌ２（ＳｉＯ４）３、Ｍｇ３Ａｌ２（ＳｉＯ４）３、Ｍｎ３Ａｌ２（ＳｉＯ４）３、Ｃａ３Ｆｅ２（ＳｉＯ４）３、Ｃａ３Ａｌ２（ＳｉＯ４）３、Ｃａ３Ｃｒ２（ＳｉＯ４）３、Ａｌ５Ｌｕ３Ｏ１２、ＧＡＬ、ＧａＹＡＧ、又はそれらの混合物が含まれるが、これらに限定されない。
一実施形態によれば、セラミックは、結晶又は非結晶セラミックである。一実施形態によれば、セラミックは、酸化物セラミック及び／又は非酸化物セラミックから選択される。一実施形態によれば、セラミックは、陶器、レンガ、タイル、セメント及び／又はガラスから選択される。
一実施形態によれば、石は、メノウ、アクアマリン、アマゾナイト、琥珀、アメジスト、アメトリン、アンジェライト、アパタイト、アラゴナイト、銀、アストロフィライト、アベンチュリン、アズライト、ベリック、珪化木、ブロンサイト、カルセドニー、方解石、セレスティン、チャクラ、チャロアイト、チアストライト、クリソコラ、クリソプレーゼ、シトリン、サンゴ、コーナライト、ロッククリスタル、天然銅、シアン石、ダンブライト、ダイヤモンド、ジオプターゼ、ドロマイト、デュモライト、エメラルド、蛍石、葉、ガレン、ガーネット、ヘリオトロープヘマタイト、ヘミモルファイト、ハウライト、ハイパーシーン、アイオライト、ヒスイ、ジェット、ジャスパー、クンツァイト、ラブラドライト、ラズリラズリ、ラリマー、溶岩、レピドライト、マグネティスト（ｍａｇｎｅｔｉｓｔ）、マグネタイト、アラカイト、白鉄鉱、隕石、モカイト、モルダバイト、モルガナイト、マザーオブパール、黒曜石、アイホーク、アイアンアイ、ブルズアイ、タイガーアイ、オニキスツリー、ブラックオニキス、オパール、ゴールド、ペリドット、ムーンストーン、スターストーン、サンストーン、ピーターサイト、プレナイト、黄鉄鉱、ブルークォーツ、スモーキークォーツ、クォーツ、クォーツヘマタイト、ミルキークォーツ、ローズクォーツ、ルチルクォーツ、ロードクロサイト、ロードナイト、流紋岩、ルビー、サファイア、岩塩、亜セレン酸、セラフィナイト、サーペンタイン、シャッタカイト、シヴァリンガム、シュンガイト、フリント、スミソナイト、ソーダライト、ステアライト、ストロマトライト、スギライト、タンザナイト、トパーズ、ウォーターメロントルマリン、ブラックトルマリン、ターコイズ、ウレキサイト、ウナカイト、バリサイト、ゾイサイトから選択される。
一実施形態によれば、無機材料２は、熱伝導性材料を含むか又はそれからなり、前記熱伝導性材料には、ＡｌｙＯｘ、ＡｇｙＯｘ、ＣｕｙＯｘ、ＦｅｙＯｘ、ＳｉｙＯｘ、ＰｂｙＯｘ、ＣａｙＯｘ、ＭｇｙＯｘ、ＺｎｙＯｘ、ＳｎｙＯｘ、ＴｉｙＯｘ、ＢｅｙＯｘ、ＣｄＳ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＣｄＺｎＳ、ＣｄＺｎＳｅ、ＡＵ、Ｎａ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｇ、Ｍｇ、混合酸化物、それらの混合酸化物又はそれらの混合物が含まれるが、これらに限定されない；ｘ及びｙは、ｘ及びｙが同時に０ではなく、かつｘは０ではないという条件で、独立して０〜１０の１０進数である。
一実施形態によれば、無機材料２は、熱伝導性材料を含むか又はそれからなり、前記熱伝導性材料には、Ａｌ２Ｏ３、Ａｇ２Ｏ、Ｃｕ２Ｏ、ＣｕＯ、Ｆｅ３Ｏ４、ＦｅＯ、ＳｉＯ２、ＰｂＯ、ＣａＯ、ＭｇＯ、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、ＴｉＯ２、ＢｅＯ、ＣｄＳ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＣｄＺｎＳ、ＣｄＺｎＳｅ、Ａｕ、Ｎａ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｇ、Ｍｇ、混合酸化物、それらの混合酸化物又はそれらの混合物が含まれるが、これらに限定されない。
一実施形態によれば、無機材料２は、熱伝導性材料を含むか又はそれからなり、前記熱伝導性材料には、酸化アルミニウム、酸化銀、酸化銅、酸化鉄、酸化ケイ素、酸化鉛、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化亜鉛、酸化錫、酸化チタン、酸化ベリリウム、硫化亜鉛、硫化カドミウム、亜鉛セレン、カドミウム亜鉛セレン、硫化亜鉛カドミウム、金、ナトリウム、鉄、銅、アルミニウム、銀、マグネシウム、混合酸化物、それらの混合酸化物又はそれらの混合物が含まれるが、これらに限定されない。
一実施形態によれば、無機材料２は、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化銅、酸化鉄、酸化銀、酸化鉛、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化亜鉛、酸化錫、酸化ベリリウム、酸化ジルコニウム、酸化ニオブ、酸化セリウム、酸化イリジウム、酸化スカンジウム、酸化ニッケル、酸化ナトリウム、酸化バリウム、酸化カリウム、酸化バナジウム、酸化テルル、酸化マンガン、酸化ホウ素、酸化リン、酸化ゲルマニウム、酸化オスミウム、酸化レニウム、酸化白金、酸化ヒ素、酸化タンタル、酸化リチウム、酸化ストロンチウム、酸化イットリウム、酸化ハフニウム、酸化タングステン、酸化モリブデン、酸化クロム、酸化テクネチウム、酸化ロジウム、酸化ルテニウム、酸化コバルト、酸化パラジウム、酸化カドミウム、酸化水銀、酸化タリウム、酸化ガリウム、酸化インジウム、酸化ビスマス、酸化アンチモン、酸化ポロニウム、酸化セレン、酸化セシウム、酸化ランタン、酸化プラセオジム、酸化ネオジム、酸化サマリウム、酸化ユーロピウム、酸化テルビウム、酸化ジスプロシウム、酸化エルビウム、酸化ホルミウム、酸化ツリウム、酸化イッテルビウム、酸化ルテチウム、酸化ガドリニウム、混合酸化物、それらの混合酸化物、例えば、Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２、Ｙ３Ｆｅ２（ＦｅＯ４）３、Ｙ３Ｆｅ５Ｏ１２、Ｙ４Ａｌ２Ｏ９、ＹＡｌＯ３、Ｆｅ３Ａｌ２（ＳｉＯ４）３、Ｍｇ３Ａｌ２（ＳｉＯ４）３、Ｍｎ３Ａｌ２（ＳｉＯ４）３、Ｃａ３Ｆe２（ＳｉＯ４）３、Ｃａ３Ａｌ２（ＳｉＯ４）３、Ｃａ３Ｃｒ２（ＳｉＯ４）３、Ａｌ５Ｌｕ３Ｏ１２、ＧＡＬ、ＧａＹＡＧ、又はそれらの混合物などのガーネットを含むが、これらに限定されない材料を含む。
一実施形態によれば、無機材料２は、前記無機材料２の大多数の元素に対して、０モル％、１モル％、５モル％、１０モル％、１５モル％、２０モル％、２５モル％、３０モル％、３５モル％、４０モル％、４５モル％、５０モル％、５５モル％、６０モル％、６５モル％、７０モル％、７５モル％、８０モル％の少量で有機分子を含む。
一実施形態によれば、無機材料２は、ＳｉＯ２を含まない。
一実施形態によれば、無機材料２は、純粋なＳｉＯ２、すなわち、１００％のＳｉＯ２からならない。
一実施形態によれば、無機材料２は、ＳｉＯ２を少なくとも１％、２％、３％、４％、５％、６％、７％、８％、９％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は１００％含む。
一実施形態によれば、無機材料２は、ＳｉＯ２を１％、２％、３％、４％、５％、６％、７％、８％、９％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は１００％未満含む。
一実施形態によれば、無機材料２は、ＳｉＯ２前駆体を少なくとも１％、２％、３％、４％、５％、６％、７％、８％、９％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は１００％含む。
一実施形態によれば、無機材料２は、ＳｉＯ２前駆体を１％、２％、３％、４％、５％、６％、７％、８％、９％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は１００％未満含む。
一実施形態によれば、ＳｉＯ２前駆体の例には、テトラメチルオルトシリケート、テトラエチルオルトシリケート、ポリジエチオキシシラン（ｐｏｌｙｄｉｅｔｈｙｏｘｙｓｉｌａｎｅ）、例えば、ｎ−ブチルトリメトキシシラン、ｎ−オクチルトリメトキシシラン、ｎ−ドデシルトリメトキシシラン、ｎ−オクタデシルトリメトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、１１−メルカプトウンデシルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、１１−アミノウンデシルトリメトキシシラン、３−（２−（２−アミノエチルアミノ）エチルアミノ）プロピルトリメトキシシラン、３−（トリメトキシシリル）プロピルメタクリレート、３−（アミノプロピル）トリメトキシシランなどのアルキルトリメトキシシラン、又はそれらの混合物が含まれるが、これらに限定されない。
一実施形態によれば、無機材料２は、純粋なＡｌ２Ｏ３、すなわち、１００％のＳｉＯ２からならない。
一実施形態によれば、無機材料２は、Ａｌ２Ｏ３を少なくとも１％、２％、３％、４％、５％、６％、７％、８％、９％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は１００％含む。
一実施形態によれば、無機材料２は、Ａｌ２Ｏ３を１％、２％、３％、４％、５％、６％、７％、８％、９％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は１００％未満含む。
一実施形態によれば、無機材料２は、Ａｌ２Ｏ３前駆体を少なくとも１％、２％、３％、４％、５％、６％、７％、８％、９％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は１００％含む。
一実施形態によれば、無機材料２は、Ａｌ２Ｏ３前駆体を１％、２％、３％、４％、５％、６％、７％、８％、９％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は１００％未満含む。
一実施形態によれば、無機材料２は、ＴｉＯ２を含まない。
一実施形態によれば、無機材料２は、純粋なＴｉＯ２、すなわち、１００％のＴｉＯ２からならない。
一実施形態によれば、無機材料２は、ゼオライトを含まない。
一実施形態によれば、無機材料２は、純粋なゼオライト、すなわち、１００％のゼオライトからならない。
一実施形態によれば、無機材料２は、ガラスを含まない。
一実施形態によれば、無機材料２は、ビトリファイドガラスを含まない。
一実施形態によれば、無機ポリマーは、炭素を含まないポリマーである。
一実施形態によれば、無機ポリマーは、ポリシラン、ポリシロキサン（又はシリコーン）、ポリチアジル、ポリアルミノケイ酸塩、ポリゲルマン、ポリスタンナン、ポリボラジレン、ポリホスファゼン、ポリジクロロホスファゼン、ポリスルフィド、ポリ硫黄及び／又は窒化物から選択される。一実施形態によれば、無機ポリマーは、液体結晶ポリマーである。
一実施形態によれば、無機ポリマーは、天然又は合成のポリマーである。一実施形態によれば、無機ポリマーは、無機反応、ラジカル重合、重縮合、重付加、又は開環重合（ＲＯＰ）によって合成される。一実施形態によれば、無機ポリマーは、ホモポリマー又はコポリマーである。一実施形態によれば、無機ポリマーは、線形、分岐であり、かつ／又は架橋されている。一実施形態によれば、無機ポリマーは、アモルファス、半結晶又は結晶である。
一実施形態によれば、無機ポリマーは、２０００ｇ／ｍｏｌ〜５．１０６ｇ／ｍｏｌ、好ましくは、５０００ｇ／ｍｏｌ〜４．１０６ｇ／ｍｏｌ、６０００〜４．１０６、７０００〜４．１０６、８０００〜４．１０６、９０００〜４．１０６、１００００〜４．１０６、１５０００〜４．１０６、２００００〜４．１０６、２５０００〜４．１０６、３００００〜４．１０６、３５０００〜４．１０６、４００００〜４．１０６、４５０００〜４．１０６、５００００〜４．１０６、５５０００〜４．１０６、６００００〜４．１０６、６５０００〜４．１０６、７００００〜４．１０６、７５０００〜４．１０６、８００００〜４．１０６、８５０００〜４．１０６、９００００〜４．１０６、９５０００〜４．１０６、１０００００〜４．１０６、２０００００〜４．１０６、３０００００〜４．１０６、４０００００〜４．１０６、５０００００〜４．１０６、６０００００〜４．１０６、７０００００〜４．１０６、８０００００〜４.１０６、９０００００〜４．１０６、１．１０６〜４．１０６、２．１０６〜４．１０６、３．１０６ｇ／ｍｏｌ〜４．１０６ｇ／ｍｏｌの範囲の平均分子量を有する。
一実施形態によれば、無機材料２は、追加のヘテロ元素を含み、前記追加のヘテロ元素には、Ｃｄ、Ｓ、Ｓｅ、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｔｅ、Ｈｇ、Ｓｎ、Ｃｕ、Ｎ、Ｇａ、Ｓｂ、Ｔｌ、Ｍｏ、Ｐｄ、Ｃｅ、Ｗ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｂ、Ｐ、Ａｌ、Ａｓ、Ｆｅ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｉ、Ｃａ、Ｎａ、Ｂａ、Ｋ、Ｍｇ、Ｐｂ、Ａｇ、Ｖ、Ｂｅ、Ｉｒ、Ｓｃ、Ｎｂ、Ｔａ、又はそれらの混合物が含まれるが、これらに限定されない。この実施形態において、ヘテロ元素は、加熱工程中に複合粒子１に拡散することができる。それらは、複合粒子１内部にナノクラスターを形成し得る。これらの元素は、加熱工程中に前記複合粒子１の特異的性質の劣化を制限し、かつ／又は良好な熱伝導体であれば、熱を放出し、かつ／又は電荷を排出することができる。
一実施形態によれば、無機材料２は、前記無機材料２の大多数の元素に対して、０モル％、１モル％、５モル％、１０モル％、１５モル％、２０モル％、２５モル％、３０モル％、３５モル％、４０モル％、４５モル％、５０モル％の少量で追加のヘテロ元素を含む。
一実施形態によれば、無機材料２は、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＭｇＯ、ＺｎＯ、ＺｒＯ２、ＴｉＯ２、ＩｒＯ２、ＳｎＯ２、ＢａＯ、ＢａＳＯ４、ＢｅＯ、ＣａＯ、ＣｅＯ２、ＣｕＯ、Ｃｕ２Ｏ、ＤｙＯ３、Ｆｅ２Ｏ３、Ｆｅ３Ｏ４、ＧｅＯ２、ＨｆＯ２、Ｌｕ２Ｏ３、Ｎｂ２Ｏ５、Ｓｃ２Ｏ３、ＴａＯ５、ＴｅＯ２、又はＹ２Ｏ３の追加のナノ粒子を含む。これらの追加のナノ粒子は、良好な熱伝導体であれば、熱を放出し、かつ／又は電荷を排出し、かつ／又は入射光を散乱させることができる。
一実施形態によれば、無機材料２は、複合粒子１と比較して、重量で少なくとも１００ｐｐｍ、２００ｐｐｍ、３００ｐｐｍ、４００ｐｐｍ、５００ｐｐｍ、６００ｐｐｍ、７００ｐｐｍ、８００ｐｐｍ、９００ｐｐｍ、１０００ｐｐｍ、１１００ｐｐｍ、１２００ｐｐｍ、１３００ｐｐｍ、１４００ｐｐｍ、１５００ｐｐｍ、１６００ｐｐｍ、１７００ｐｐｍ、１８００ｐｐｍ、１９００ｐｐｍ、２０００ｐｐｍ、２１００ｐｐｍ、２２００ｐｐｍ、２３００ｐｐｍ、２４００ｐｐｍ、２５００ｐｐｍ、２６００ｐｐｍ、２７００ｐｐｍ、２８００ｐｐｍ、２９００ｐｐｍ、３０００ｐｐｍ、３１００ｐｐｍ、３２００ｐｐｍ、３３００ｐｐｍ、３４００ｐｐｍ、３５００ｐｐｍ、３６００ｐｐｍ、３７００ｐｐｍ、３８００ｐｐｍ、３９００ｐｐｍ、４０００ｐｐｍ、４１００ｐｐｍ、４２００ｐｐｍ、４３００ｐｐｍ、４４００ｐｐｍ、４５００ｐｐｍ、４６００ｐｐｍ、４７００ｐｐｍ、４８００ｐｐｍ、４９００ｐｐｍ、５０００ｐｐｍ、５１００ｐｐｍ、５２００ｐｐｍ、５３００ｐｐｍ、５４００ｐｐｍ、５５００ｐｐｍ、５６００ｐｐｍ、５７００ｐｐｍ、５８００ｐｐｍ、５９００ｐｐｍ、６０００ｐｐｍ、６１００ｐｐｍ、６２００ｐｐｍ、６３００ｐｐｍ、６４００ｐｐｍ、６５００ｐｐｍ、６６００ｐｐｍ、６７００ｐｐｍ、６８００ｐｐｍ、６９００ｐｐｍ、７０００ｐｐｍ、７１００ｐｐｍ、７２００ｐｐｍ、７３００ｐｐｍ、７４００ｐｐｍ、７５００ｐｐｍ、７６００ｐｐｍ、７７００ｐｐｍ、７８００ｐｐｍ、７９００ｐｐｍ、８０００ｐｐｍ、８１００ｐｐｍ、８２００ｐｐｍ、８３００ｐｐｍ、８４００ｐｐｍ、８５００ｐｐｍ、８６００ｐｐｍ、８７００ｐｐｍ、８８００ｐｐｍ、８９００ｐｐｍ、９０００ｐｐｍ、９１００ｐｐｍ、９２００ｐｐｍ、９３００ｐｐｍ、９４００ｐｐｍ、９５００ｐｐｍ、９６００ｐｐｍ、９７００ｐｐｍ、９８００ｐｐｍ、９９００ｐｐｍ、１００００ｐｐｍ、１０５００ｐｐｍ、１１０００ｐｐｍ、１１５００ｐｐｍ、１２０００ｐｐｍ、１２５００ｐｐｍ、１３０００ｐｐｍ、１３５００ｐｐｍ、１４０００ｐｐｍ、１４５００ｐｐｍ、１５０００ｐｐｍ、１５５００ｐｐｍ、１６０００ｐｐｍ、１６５００ｐｐｍ、１７０００ｐｐｍ、１７５００ｐｐｍ、１８０００ｐｐｍ、１８５００ｐｐｍ、１９０００ｐｐｍ、１９５００ｐｐｍ、２００００ｐｐｍ、３００００ｐｐｍ、４００００ｐｐｍ、５００００ｐｐｍ、６００００ｐｐｍ、７００００ｐｐｍ、８００００ｐｐｍ、９００００ｐｐｍ、１０００００ｐｐｍ、１１００００ｐｐｍ、１２００００ｐｐｍ、１３００００ｐｐｍ、１４００００ｐｐｍ、１５００００ｐｐｍ、１６００００ｐｐｍ、１７００００ｐｐｍ、１８００００ｐｐｍ、１９００００ｐｐｍ、２０００００ｐｐｍ、２１００００ｐｐｍ、２２００００ｐｐｍ、２３００００ｐｐｍ、２４００００ｐｐｍ、２５００００ｐｐｍ、２６００００ｐｐｍ、２７００００ｐｐｍ、２８００００ｐｐｍ、２９００００ｐｐｍ、３０００００ｐｐｍ、３１００００ｐｐｍ、３２００００ｐｐｍ、３３００００ｐｐｍ、３４００００ｐｐｍ、３５００００ｐｐｍ、３６００００ｐｐｍ、３７００００ｐｐｍ、３８００００ｐｐｍ、３９００００ｐｐｍ、４０００００ｐｐｍ、４１００００ｐｐｍ、４２００００ｐｐｍ、４３００００ｐｐｍ、４４００００ｐｐｍ、４５００００ｐｐｍ、４６００００ｐｐｍ、４７００００ｐｐｍ、４８００００ｐｐｍ、４９００００ｐｐｍ、又は５０００００ｐｐｍのレベルの少量で追加のナノ粒子を含む。
一実施形態によれば、無機材料２は、４５０ｎｍで１．０〜３．０、１．２〜２．６、１．４〜２．０の範囲の屈折率を有する。
一実施形態によれば、無機材料２は、４５０ｎｍで少なくとも１．０、１．１、１．２、１．３、１．４、１．５、１．６、１．７、１．８、１．９、２．０、２．１、２．２、２．３、２．４、２．５、２．６、２．７、２．８、２．９、又は３．０の屈折率を有する。
一実施形態によれば、ナノ粒子３は、５０μｍ、４０μｍ、３０μｍ、２０μｍ、１０μｍ、１μｍ、９５０ｎｍ、９００ｎｍ、８５０ｎｍ、８００ｎｍ、７５０ｎｍ、７００ｎｍ、６５０ｎｍ、６００ｎｍ、５５０ｎｍ、５００ｎｍ、４５０ｎｍ、４００ｎｍ、３５０ｎｍ、３００ｎｍ、２５０ｎｍよりも低い、又は２００ｎｍよりも低い波長を有する入射光を吸収する。
一実施形態によれば、ナノ粒子３は、発光ナノ粒子である。
一実施形態によれば、該発光ナノ粒子は、蛍光ナノ粒子である。
一実施形態によれば、該発光ナノ粒子は、燐光ナノ粒子である。
一実施形態によれば、該発光ナノ粒子は、化学発光ナノ粒子である。
一実施形態によれば、該発光ナノ粒子は、摩擦発光ナノ粒子である。
一実施形態によれば、該発光ナノ粒子は、少なくとも１つの発光ピークを有する発光スペクトルを示し、前記発光ピークは、４００ｎｍ〜５０μｍの範囲の最大発光波長を有する。
一実施形態によれば、該発光ナノ粒子は、少なくとも１つの発光ピークを有する発光スペクトルを示し、前記発光ピークは、４００ｎｍ〜５００ｎｍの範囲の最大発光波長を有する。この実施形態において、該発光ナノ粒子は、青色光を放つ。
一実施形態によれば、該発光ナノ粒子は、少なくとも１つの発光ピークを有する発光スペクトルを示し、前記発光ピークは、５００ｎｍ〜５６０ｎｍの範囲、より好ましくは、５１５ｎｍ〜５４５ｎｍの範囲の最大発光波長を有する。この実施形態において、該発光ナノ粒子は、緑色の光を放つ。
一実施形態によれば、該発光ナノ粒子は、少なくとも１つの発光ピークを有する発光スペクトルを示し、前記発光ピークは、５６０ｎｍ〜５９０ｎｍの範囲の最大発光波長を有する。この実施形態において、該発光ナノ粒子は、黄色光を放つ。
一実施形態によれば、該発光ナノ粒子は、少なくとも１つの発光ピークを有する発光スペクトルを示し、前記発光ピークは、５９０ｎｍ〜７５０ｎｍの範囲、より好ましくは、６１０ｎｍ〜６５０ｎｍの範囲の波長の最大発光波長を有する。この実施形態において、該発光ナノ粒子は、赤色光を放つ。
一実施形態によれば、該発光ナノ粒子は、少なくとも１つの発光ピークを有する発光スペクトルを示し、前記発光ピークは、７５０ｎｍ〜５０μｍの範囲の最大発光波長を有する。この実施形態において、該発光ナノ粒子は、近赤外、中赤外、又は赤外光を放つ。
一実施形態によれば、該発光ナノ粒子は、半値全幅が９０ｎｍ、８０ｎｍ、７０ｎｍ、６０ｎｍ、５０ｎｍ、４０ｎｍ、３０ｎｍ、２５ｎｍ、２０ｎｍ、１５ｎｍ、又は１０ｎｍよりも低い少なくとも１つの発光ピークを有する発光スペクトルを示す。
一実施形態によれば、該発光ナノ粒子は、１／４値全幅が９０ｎｍ、８０ｎｍ、７０ｎｍ、６０ｎｍ、５０ｎｍ、４０ｎｍ、３０ｎｍ、２５ｎｍ、２０ｎｍ、１５ｎｍ、又は１０ｎｍよりも低い少なくとも１つの発光ピークを有する発光スペクトルを示す。
一実施形態によれば、該発光ナノ粒子は、厳密に４０ｎｍ、３０ｎｍ、２５ｎｍ、２０ｎｍ、１５ｎｍ、又は１０ｎｍよりも低い半値全幅を有する少なくとも１つの発光ピークを有する発光スペクトルを示す。
一実施形態によれば、該発光ナノ粒子は、厳密に４０ｎｍ、３０ｎｍ、２５ｎｍ、２０ｎｍ、１５ｎｍ、又は１０ｎｍよりも低い１／４値全幅を有する少なくとも１つの発光ピークを有する発光スペクトルを示す。
一実施形態によれば、該発光ナノ粒子は、少なくとも５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、又は１００％の光発光量子収率（ＰＬＱＹ）を有する。
一実施形態によれば、該発光ナノ粒子は、少なくとも０．１ナノ秒、０．２ナノ秒、０．３ナノ秒、０．４ナノ秒、０．５ナノ秒、０．６ナノ秒、０．７ナノ秒、０．８ナノ秒、０．９ナノ秒、１ナノ秒、２ナノ秒、３ナノ秒、４ナノ秒、５ナノ秒、６ナノ秒、７ナノ秒、８ナノ秒、９ナノ秒、１０ナノ秒、１１ナノ秒、１２ナノ秒、１３ナノ秒、１４ナノ秒、１５ナノ秒、１６ナノ秒、１７ナノ秒、１８ナノ秒、１９ナノ秒、２０ナノ秒、２１ナノ秒、２２ナノ秒、２３ナノ秒、２４ナノ秒、２５ナノ秒、２６ナノ秒、２７ナノ秒、２８ナノ秒、２９ナノ秒、３０ナノ秒、３１ナノ秒、３２ナノ秒、３３ナノ秒、３４ナノ秒、３５ナノ秒、３６ナノ秒、３７ナノ秒、３８ナノ秒、３９ナノ秒、４０ナノ秒、４１ナノ秒、４２ナノ秒、４３ナノ秒、４４ナノ秒、４５ナノ秒、４６ナノ秒、４７ナノ秒、４８ナノ秒、４９ナノ秒、５０ナノ秒、１００ナノ秒、１５０ナノ秒、２００ナノ秒、２５０ナノ秒、３００ナノ秒、３５０ナノ秒、４００ナノ秒、４５０ナノ秒、５００ナノ秒、５５０ナノ秒、６００ナノ秒、６５０ナノ秒、７００ナノ秒、７５０ナノ秒、８００ナノ秒、８５０ナノ秒、９００ナノ秒、９５０ナノ秒、又は１マイクロ秒の平均蛍光寿命を有する。
一実施形態によれば、該発光ナノ粒子は、半導体ナノ粒子である。
一実施形態によれば、該発光ナノ粒子は、半導体ナノ結晶である。
一実施形態によれば、ナノ粒子３は、プラズモンナノ粒子である。
一実施形態によれば、ナノ粒子３は、磁性ナノ粒子である。
一実施形態によれば、ナノ粒子３は、強磁性ナノ粒子である。
一実施形態によれば、ナノ粒子３は、常磁性ナノ粒子である。
一実施形態によれば、ナノ粒子３は、超常磁性ナノ粒子である。
一実施形態によれば、ナノ粒子３は、反磁性ナノ粒子である。
一実施形態によれば、ナノ粒子３は、触媒特性ナノ粒子である。
一実施形態によれば、ナノ粒子３は、光起電力特性を有する。
一実施形態によれば、ナノ粒子３は、焦電ナノ粒子である。
一実施形態によれば、ナノ粒子３は、強誘電体ナノ粒子である。
一実施形態によれば、ナノ粒子３は、光散乱ナノ粒子である。
一実施形態によれば、ナノ粒子３は、電気絶縁性である。
一実施形態によれば、ナノ粒子３は、電気伝導性である。
一実施形態によれば、ナノ粒子３は、１×１０−２０〜１０７Ｓ／ｍ、好ましくは、１×１０−１５〜５Ｓ／ｍ、より好ましくは、１×１０−７〜１Ｓ／ｍの範囲の標準的な条件での電気伝導性を有する。
一実施形態によれば、ナノ粒子３は、少なくとも１×１０−２０Ｓ／ｍ、０．５×１０−１９Ｓ／ｍ、１×１０−１９Ｓ／ｍ、０．５×１０−１８Ｓ／ｍ、１×１０−１８Ｓ／ｍ、０．５×１０−１７Ｓ／ｍ、１×１０−１７Ｓ／ｍ、０．５×１０−１６Ｓ／ｍ、１×１０−１６Ｓ／ｍ、０．５×１０−１５Ｓ／ｍ、１×１０−１５Ｓ／ｍ、０．５×１０−１４Ｓ／ｍ、１×１０−１４Ｓ／ｍ、０．５×１０−１３Ｓ／ｍ、１×１０−１３Ｓ／ｍ、０．５×１０−１２Ｓ／ｍ、１×１０−１２Ｓ／ｍ、０．５×１０−１１Ｓ／ｍ、１×１０−１１Ｓ／ｍ、０．５×１０−１０Ｓ／ｍ、１×１０−１０Ｓ／ｍ、０．５×１０−９Ｓ／ｍ、１×１０−９Ｓ／ｍ、０．５×１０−８Ｓ／ｍ、１×１０−８Ｓ／ｍ、０．５×１０−７Ｓ／ｍ、１×１０−７Ｓ／ｍ、０．５×１０−６Ｓ／ｍ、１×１０−６Ｓ／ｍ、０．５×１０−５Ｓ／ｍ、１×１０−５Ｓ／ｍ、０．５×１０−４Ｓ／ｍ、１×１０−４Ｓ／ｍ、０．５×１０−３Ｓ／ｍ、１×１０−３Ｓ／ｍ、０．５×１０−２Ｓ／ｍ、１×１０−２Ｓ／ｍ、０．５×１０−１Ｓ／ｍ、１×１０−１Ｓ／ｍ、０．５Ｓ／ｍ、１Ｓ／ｍ、１．５Ｓ／ｍ、２Ｓ／ｍ、２．５Ｓ／ｍ、３Ｓ／ｍ、３．５Ｓ／ｍ、４Ｓ／ｍ、４．５Ｓ／ｍ、５Ｓ／ｍ、５．５Ｓ／ｍ、６Ｓ／ｍ、６．５Ｓ／ｍ、７Ｓ／ｍ、７．５Ｓ／ｍ、８Ｓ／ｍ、８．５Ｓ／ｍ、９Ｓ／ｍ、９．５Ｓ／ｍ、１０Ｓ／ｍ、５０Ｓ／ｍ、１０２Ｓ／ｍ、５×１０２Ｓ／ｍ、１０３Ｓ／ｍ、５×１０３Ｓ／ｍ、１０４Ｓ／ｍ、５×１０４Ｓ／ｍ、１０５Ｓ／ｍ、５×１０５Ｓ／ｍ、１０６Ｓ／ｍ、５×１０６Ｓ／ｍ、又は１０７Ｓ／ｍの標準的な条件下で電気伝導性を有する。
一実施形態によれば、ナノ粒子３の電気伝導性は、例えば、インピーダンス分光計を用いて測定され得る。
一実施形態によれば、ナノ粒子３は、熱伝導性である。
一実施形態によれば、ナノ粒子３は、０．１〜４５０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、好ましくは、１〜２００Ｗ／（ｍ．Ｋ）、より好ましくは、１０〜１５０Ｗ／（ｍ．Ｋ）の範囲の標準的な条件での熱伝導性を有する。
一
一実施形態によれば、ナノ粒子３は、少なくとも０．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、０．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、０．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、０．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、０．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、０．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、０．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、０．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、０．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、４．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、４．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、４．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、４．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、４．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、４．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、４．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、４．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、４．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、５．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、５．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、５．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、５．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、５．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、５．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、５．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、５．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、５．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、６．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、６．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、６．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、６．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、６．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、６．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、６．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、６．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、６．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、７．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、７．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、７．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、７．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、７．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、７．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、７．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、７．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、７．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、８．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、８．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、８．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、８．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、８．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、８．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、８．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、８．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、８．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、９．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、９．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、９．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、９．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、９．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、９．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、９．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、９．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、９．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１０．１／（ｍ．Ｋ）、１０．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１０．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１０．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１０．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１０．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１０．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１０．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１０．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１１．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１１．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１１．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１１．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１１．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１１．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１１．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１１．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１１．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１２．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１２．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１２．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１２．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１２．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１２．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１２．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１２．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１２．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１３．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１３．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１３．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１３．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１３．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１３．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１３．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１３．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１３．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１４．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１４．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１４．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１４．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１４．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１４．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１４．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１４．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１４．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１５．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１５．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１５．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１５．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１５．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１５．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１５．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１５．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１５．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１６．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１６．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１６．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１６．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１６．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１６．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１６．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１６．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１６．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１７．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１７．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１７．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１７．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１７．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１７．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１７．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１７．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１７．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１８．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１８．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１８．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１８．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１８．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１８．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１８．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１８．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１８．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１９．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１９．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１９．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１９．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１９．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１９．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１９．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１９．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１９．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２０．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２０．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２０．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２０．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２０．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２０．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２０．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２０．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２０．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２１．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２１．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２１．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２１．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２１．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２１．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２１．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２１．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２１．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２２．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２２．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２２．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２２．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２２．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２２．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２２．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２２．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２２．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２３．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２３．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２３．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２３．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２３．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２３．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２３．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２３．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２３．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２４．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２４．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２４．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２４．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２４．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２４．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２４．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２４．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２４．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、４０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、５０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、６０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、７０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、８０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、９０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１００Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１１０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１２０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１３０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１４０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１５０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１６０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１７０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１８０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１９０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２００Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２１０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２２０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２３０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２４０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２５０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２６０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２７０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２８０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２９０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３００Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３１０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３２０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３３０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３４０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３５０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３６０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３７０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３８０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３９０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、４００Ｗ／（ｍ．Ｋ）、４１０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、４２０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、４３０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、４４０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、又は４５０Ｗ／（ｍ．Ｋ）の標準的な条件での熱伝導性を有する。
一実施形態によれば、ナノ粒子３の熱伝導性は、定常状態の方法又は一過性の方法によって測定され得る。
一実施形態によれば、ナノ粒子３は、断熱されている。
一実施形態によれば、ナノ粒子３は、局所高温加熱システムである。
一実施形態によれば、ナノ粒子３は、誘電体ナノ粒子である。
一実施形態によれば、ナノ粒子３は、圧電ナノ粒子である。
一実施形態によれば、ナノ粒子３の表面に付着している配位子は、無機材料２と接触している。この実施形態において、前記ナノ粒子３は無機材料２に結合しており、前記ナノ粒子３から電荷を排出することができる。これは、電荷に起因し得るナノ粒子３の表面での反応を防止する。
一実施形態によれば、ナノ粒子３は疎水性である。
一実施形態によれば、ナノ粒子３は親水性である。
一実施形態によれば、ナノ粒子３は、水性溶媒、有機溶媒及び／又はそれらの混合物に分散可能である。
一実施形態によれば、ナノ粒子３は、少なくとも０．５ｎｍ、１ｎｍ、２ｎｍ、３ｎｍ、４ｎｍ、５ｎｍ、６ｎｍ、７ｎｍ、８ｎｍ、９ｎｍ、１０ｎｍ、１１ｎｍ、１２ｎｍ、１３ｎｍ、１４ｎｍ、１５ｎｍ、１６ｎｍ、１７ｎｍ、１８ｎｍ、１９ｎｍ、２０ｎｍ、２１ｎｍ、２２ｎｍ、２３ｎｍ、２４ｎｍ、２５ｎｍ、２６ｎｍ、２７ｎｍ、２８ｎｍ、２９ｎｍ、３０ｎｍ、３１ｎｍ、３２ｎｍ、３３ｎｍ、３４ｎｍ、３５ｎｍ、３６ｎｍ、３７ｎｍ、３８ｎｍ、３９ｎｍ、４０ｎｍ、４１ｎｍ、４２ｎｍ、４３ｎｍ、４４ｎｍ、４５ｎｍ、４６ｎｍ、４７ｎｍ、４８ｎｍ、４９ｎｍ、５０ｎｍ、５５ｎｍ、６０ｎｍ、６５ｎｍ、７０ｎｍ、７５ｎｍ、８０ｎｍ、８５ｎｍ、９０ｎｍ、９５ｎｍ、１００ｎｍ、１０５ｎｍ、１１０ｎｍ、１１５ｎｍ、１２０ｎｍ、１２５ｎｍ、１３０ｎｍ、１３５ｎｍ、１４０ｎｍ、１４５ｎｍ、１５０ｎｍ、２００ｎｍ、２１０ｎｍ、２２０ｎｍ、２３０ｎｍ、２４０ｎｍ、２５０ｎｍ、２６０ｎｍ、２７０ｎｍ、２８０ｎｍ、２９０ｎｍ、３００ｎｍ、３５０ｎｍ、４００ｎｍ、４５０ｎｍ、５００ｎｍ、５５０ｎｍ、６００ｎｍ、６５０ｎｍ、７００ｎｍ、７５０ｎｍ、８００ｎｍ、８５０ｎｍ、９００ｎｍ、９５０ｎｍ、１μｍ、１．５μｍ、２．５μｍ、３μｍ、３．５μｍ、４μｍ、４．５μｍ、５μｍ、５．５μｍ、６μｍ、６．５μｍ、７μｍ、７．５μｍ、８μｍ、８．５μｍ、９μｍ、９．５μｍ、１０μｍ、１０．５μｍ、１１μｍ、１１．５μｍ、１２μｍ、１２．５μｍ、１３μｍ、１３．５μｍ、１４μｍ、１４．５μｍ、１５μｍ、１５．５μｍ、１６μｍ、１６．５μｍ、１７μｍ、１７．５μｍ、１８μｍ、１８．５μｍ、１９μｍ、１９．５μｍ、２０μｍ、２０．５μｍ、２１μｍ、２１．５μｍ、２２μｍ、２２．５μｍ、２３μｍ、２３．５μｍ、２４μｍ、２４．５μｍ、２５μｍ、２５．５μｍ、２６μｍ、２６．５μｍ、２７μｍ、２７．５μｍ、２８μｍ、２８．５μｍ、２９μｍ、２９．５μｍ、３０μｍ、３０．５μｍ、３１μｍ、３１．５μｍ、３２μｍ、３２．５μｍ、３３μｍ、３３．５μｍ、３４μｍ、３４．５μｍ、３５μｍ、３５．５μｍ、３６μｍ、３６．５μｍ、３７μｍ、３７．５μｍ、３８μｍ、３８．５μｍ、３９μｍ、３９．５μｍ、４０μｍ、４０．５μｍ、４１μｍ、４１．５μｍ、４２μｍ、４２．５μｍ、４３μｍ、４３．５μｍ、４４μｍ、４４．５μｍ、４５μｍ、４５．５μｍ、４６μｍ、４６．５μｍ、４７μｍ、４７．５μｍ、４８μｍ、４８．５μｍ、４９μｍ、４９．５μｍ、５０μｍ、５０．５μｍ、５１μｍ、５１．５μｍ、５２μｍ、５２．５μｍ、５３μｍ、５３．５μｍ、５４μｍ、５４．５μｍ、５５μｍ、５５．５μｍ、５６μｍ、５６．５μｍ、５７μｍ、５７．５μｍ、５８μｍ、５８．５μｍ、５９μｍ、５９．５μｍ、６０μｍ、６０．５μｍ、６１μｍ、６１．５μｍ、６２μｍ、６２．５μｍ、６３μｍ、６３．５μｍ、６４μｍ、６４．５μｍ、６５μｍ、６５．５μｍ、６６μｍ、６６．５μｍ、６７μｍ、６７．５μｍ、６８μｍ、６８．５μｍ、６９μｍ、６９．５μｍ、７０μｍ、７０．５μｍ、７１μｍ、７１．５μｍ、７２μｍ、７２．５μｍ、７３μｍ、７３．５μｍ、７４μｍ、７４．５μｍ、７５μｍ、７５．５μｍ、７６μｍ、７６．５μｍ、７７μｍ、７７．５μｍ、７８μｍ、７８．５μｍ、７９μｍ、７９．５μｍ、８０μｍ、８０．５μｍ、８１μｍ、８１．５μｍ、８２μｍ、８２．５μｍ、８３μｍ、８３．５μｍ、８４μｍ、８４．５μｍ、８５μｍ、８５．５μｍ、８６μｍ、８６．５μｍ、８７μｍ、８７．５μｍ、８８μｍ、８８．５μｍ、８９μｍ、８９．５μｍ、９０μｍ、９０．５μｍ、９１μｍ、９１．５μｍ、９２μｍ、９２．５μｍ、９３μｍ、９３．５μｍ、９４μｍ、９４．５μｍ、９５μｍ、９５．５μｍ、９６μｍ、９６．５μｍ、９７μｍ、９７．５μｍ、９８μｍ、９８．５μｍ、９９μｍ、９９．５μｍ、１００μｍ、２００μｍ、２５０μｍ、３００μｍ、３５０μｍ、４００μｍ、４５０μｍ、５００μｍ、５５０μｍ、６００μｍ、６５０μｍ、７００μｍ、７５０μｍ、８００μｍ、８５０μｍ、９００μｍ、９５０μｍ、又は１ｍｍの平均サイズを有する。
一実施形態によれば、ナノ粒子３の最大寸法は、少なくとも５ｎｍ、１０ｎｍ、１５ｎｍ、２０ｎｍ、２５ｎｍ、３０ｎｍ、３５ｎｍ、４０ｎｍ、４５ｎｍ、５０ｎｍ、５５ｎｍ、６０ｎｍ、６５ｎｍ、７０ｎｍ、７５ｎｍ、８０ｎｍ、８５ｎｍ、９０ｎｍ、９５ｎｍ、１００ｎｍ、１０５ｎｍ、１１０ｎｍ、１１５ｎｍ、１２０ｎｍ、１２５ｎｍ、１３０ｎｍ、１３５ｎｍ、１４０ｎｍ、１４５ｎｍ、１５０ｎｍ、２００ｎｍ、２１０ｎｍ、２２０ｎｍ、２３０ｎｍ、２４０ｎｍ、２５０ｎｍ、２６０ｎｍ、２７０ｎｍ、２８０ｎｍ、２９０ｎｍ、３００ｎｍ、３５０ｎｍ、４００ｎｍ、４５０ｎｍ、５００ｎｍ、５５０ｎｍ、６００ｎｍ、６５０ｎｍ、７００ｎｍ、７５０ｎｍ、８００ｎｍ、８５０ｎｍ、９００ｎｍ、９５０ｎｍ、１μｍ、１．５μｍ、２．５μｍ、３μｍ、３．５μｍ、４μｍ、４．５μｍ、５μｍ、５．５μｍ、６μｍ、６．５μｍ、７μｍ、７．５μｍ、８μｍ、８．５μｍ、９μｍ、９．５μｍ、１０μｍ、１０．５μｍ、１１μｍ、１１．５μｍ、１２μｍ、１２．５μｍ、１３μｍ、１３．５μｍ、１４μｍ、１４．５μｍ、１５μｍ、１５．５μｍ、１６μｍ、１６．５μｍ、１７μｍ、１７．５μｍ、１８μｍ、１８．５μｍ、１９μｍ、１９．５μｍ、２０μｍ、２０．５μｍ、２１μｍ、２１．５μｍ、２２μｍ、２２．５μｍ、２３μｍ、２３．５μｍ、２４μｍ、２４．５μｍ、２５μｍ、２５．５μｍ、２６μｍ、２６．５μｍ、２７μｍ、２７．５μｍ、２８μｍ、２８．５μｍ、２９μｍ、２９．５μｍ、３０μｍ、３０．５μｍ、３１μｍ、３１．５μｍ、３２μｍ、３２．５μｍ、３３μｍ、３３．５μｍ、３４μｍ、３４．５μｍ、３５μｍ、３５．５μｍ、３６μｍ、３６．５μｍ、３７μｍ、３７．５μｍ、３８μｍ、３８．５μｍ、３９μｍ、３９．５μｍ、４０μｍ、４０．５μｍ、４１μｍ、４１．５μｍ、４２μｍ、４２．５μｍ、４３μｍ、４３．５μｍ、４４μｍ、４４．５μｍ、４５μｍ、４５．５μｍ、４６μｍ、４６．５μｍ、４７μｍ、４７．５μｍ、４８μｍ、４８．５μｍ、４９μｍ、４９．５μｍ、５０μｍ、５０．５μｍ、５１μｍ、５１．５μｍ、５２μｍ、５２．５μｍ、５３μｍ、５３．５μｍ、５４μｍ、５４．５μｍ、５５μｍ、５５．５μｍ、５６μｍ、５６．５μｍ、５７μｍ、５７．５μｍ、５８μｍ、５８．５μｍ、５９μｍ、５９．５μｍ、６０μｍ、６０．５μｍ、６１μｍ、６１．５μｍ、６２μｍ、６２．５μｍ、６３μｍ、６３．５μｍ、６４μｍ、６４．５μｍ、６５μｍ、６５．５μｍ、６６μｍ、６６．５μｍ、６７μｍ、６７．５μｍ、６８μｍ、６８．５μｍ、６９μｍ、６９．５μｍ、７０μｍ、７０．５μｍ、７１μｍ、７１．５μｍ、７２μｍ、７２．５μｍ、７３μｍ、７３．５μｍ、７４μｍ、７４．５μｍ、７５μｍ、７５．５μｍ、７６μｍ、７６．５μｍ、７７μｍ、７７．５μｍ、７８μｍ、７８．５μｍ、７９μｍ、７９．５μｍ、８０μｍ、８０．５μｍ、８１μｍ、８１．５μｍ、８２μｍ、８２．５μｍ、８３μｍ、８３．５μｍ、８４μｍ、８４．５μｍ、８５μｍ、８５．５μｍ、８６μｍ、８６．５μｍ、８７μｍ、８７．５μｍ、８８μｍ、８８．５μｍ、８９μｍ、８９．５μｍ、９０μｍ、９０．５μｍ、９１μｍ、９１．５μｍ、９２μｍ、９２．５μｍ、９３μｍ、９３．５μｍ、９４μｍ、９４．５μｍ、９５μｍ、９５．５μｍ、９６μｍ、９６．５μｍ、９７μｍ、９７．５μｍ、９８μｍ、９８．５μｍ、９９μｍ、９９．５μｍ、１００μｍ、２００μｍ、２５０μｍ、３００μｍ、３５０μｍ、４００μｍ、４５０μｍ、５００μｍ、５５０μｍ、６００μｍ、６５０μｍ、７００μｍ、７５０μｍ、８００μｍ、８５０μｍ、９００μｍ、９５０μｍ、又は１ｍｍである。
一実施形態によれば、ナノ粒子３の最小寸法は、０．５ｎｍ、１ｎｍ、１．５ｎｍ、２ｎｍ、２．５ｎｍ、３ｎｍ、３．５ｎｍ、４ｎｍ、４．５ｎｍ、５ｎｍ、５．５ｎｍ、６ｎｍ、６．５ｎｍ、７ｎｍ、７．５ｎｍ、８ｎｍ、８．５ｎｍ、９ｎｍ、９．５ｎｍ、１０ｎｍ、１０．５ｎｍ、１１ｎｍ、１１．５ｎｍ、１２ｎｍ、１２．５ｎｍ、１３ｎｍ、１３．５ｎｍ、１４ｎｍ、１４．５ｎｍ、１５ｎｍ、１５．５ｎｍ、１６ｎｍ、１６．５ｎｍ、１７ｎｍ、１７．５ｎｍ、１８ｎｍ、１８．５ｎｍ、１９ｎｍ、１９．５ｎｍ、２０ｎｍ、３０ｎｍ、４０ｎｍ、５０ｎｍ、６０ｎｍ、７０ｎｍ、８０ｎｍ、９０ｎｍ、１００ｎｍ、１１０ｎｍ、１２０ｎｍ、１３０ｎｍ、１４０ｎｍ、１５０ｎｍ、１６０ｎｍ、１７０ｎｍ、１８０ｎｍ、１９０ｎｍ、２００ｎｍ、２１０ｎｍ、２２０ｎｍ、２３０ｎｍ、２４０ｎｍ、２５０ｎｍ、２６０ｎｍ、２７０ｎｍ、２８０ｎｍ、２９０ｎｍ、３００ｎｍ、３５０ｎｍ、４００ｎｍ、４５０ｎｍ、５００ｎｍ、５５０ｎｍ、６００ｎｍ、６５０ｎｍ、７００ｎｍ、７５０ｎｍ、８００ｎｍ、８５０ｎｍ、９００ｎｍ、９５０ｎｍ、１μｍ、１．５μｍ、２．５μｍ、３μｍ、３．５μｍ、４μｍ、４．５μｍ、５μｍ、５．５μｍ、６μｍ、６．５μｍ、７μｍ、７．５μｍ、８μｍ、８．５μｍ、９μｍ、９．５μｍ、１０μｍ、１０．５μｍ、１１μｍ、１１．５μｍ、１２μｍ、１２．５μｍ、１３μｍ、１３．５μｍ、１４μｍ、１４．５μｍ、１５μｍ、１５．５μｍ、１６μｍ、１６．５μｍ、１７μｍ、１７．５μｍ、１８μｍ、１８．５μｍ、１９μｍ、１９．５μｍ、２０μｍ、２０．５μｍ、２１μｍ、２１．５μｍ、２２μｍ、２２．５μｍ、２３μｍ、２３．５μｍ、２４μｍ、２４．５μｍ、２５μｍ、２５．５μｍ、２６μｍ、２６．５μｍ、２７μｍ、２７．５μｍ、２８μｍ、２８．５μｍ、２９μｍ、２９．５μｍ、３０μｍ、３０．５μｍ、３１μｍ、３１．５μｍ、３２μｍ、３２．５μｍ、３３μｍ、３３．５μｍ、３４μｍ、３４．５μｍ、３５μｍ、３５．５μｍ、３６μｍ、３６．５μｍ、３７μｍ、３７．５μｍ、３８μｍ、３８．５μｍ、３９μｍ、３９．５μｍ、４０μｍ、４０．５μｍ、４１μｍ、４１．５μｍ、４２μｍ、４２．５μｍ、４３μｍ、４３．５μｍ、４４μｍ、４４．５μｍ、４５μｍ、４５．５μｍ、４６μｍ、４６．５μｍ、４７μｍ、４７．５μｍ、４８μｍ、４８．５μｍ、４９μｍ、４９．５μｍ、５０μｍ、５０．５μｍ、５１μｍ、５１．５μｍ、５２μｍ、５２．５μｍ、５３μｍ、５３．５μｍ、５４μｍ、５４．５μｍ、５５μｍ、５５．５μｍ、５６μｍ、５６．５μｍ、５７μｍ、５７．５μｍ、５８μｍ、５８．５μｍ、５９μｍ、５９．５μｍ、６０μｍ、６０．５μｍ、６１μｍ、６１．５μｍ、６２μｍ、６２．５μｍ、６３μｍ、６３．５μｍ、６４μｍ、６４．５μｍ、６５μｍ、６５．５μｍ、６６μｍ、６６．５μｍ、６７μｍ、６７．５μｍ、６８μｍ、６８．５μｍ、６９μｍ、６９．５μｍ、７０μｍ、７０．５μｍ、７１μｍ、７１．５μｍ、７２μｍ、７２．５μｍ、７３μｍ、７３．５μｍ、７４μｍ、７４．５μｍ、７５μｍ、７５．５μｍ、７６μｍ、７６．５μｍ、７７μｍ、７７．５μｍ、７８μｍ、７８．５μｍ、７９μｍ、７９．５μｍ、８０μｍ、８０．５μｍ、８１μｍ、８１．５μｍ、８２μｍ、８２．５μｍ、８３μｍ、８３．５μｍ、８４μｍ、８４．５μｍ、８５μｍ、８５．５μｍ、８６μｍ、８６．５μｍ、８７μｍ、８７．５μｍ、８８μｍ、８８．５μｍ、８９μｍ、８９．５μｍ、９０μｍ、９０．５μｍ、９１μｍ、９１．５μｍ、９２μｍ、９２．５μｍ、９３μｍ、９３．５μｍ、９４μｍ、９４．５μｍ、９５μｍ、９５．５μｍ、９６μｍ、９６．５μｍ、９７μｍ、９７．５μｍ、９８μｍ、９８．５μｍ、９９μｍ、９９．５μｍ、１００μｍ、２００μｍ、２５０μｍ、３００μｍ、３５０μｍ、４００μｍ、４５０μｍ、５００μｍ、５５０μｍ、６００μｍ、６５０μｍ、７００μｍ、７５０μｍ、８００μｍ、８５０μｍ、９００μｍ、９５０μｍ又は１ｍｍである。
一実施形態によれば、ナノ粒子３の最小寸法は、前記ナノ粒子３の最大寸法よりも少なくとも１．５、少なくとも２、少なくとも２．５、少なくとも３、少なくとも３．５、少なくとも４、少なくとも４．５、少なくとも５、少なくとも５．５、少なくとも６、少なくとも６．５、少なくとも７、少なくとも７．５、少なくとも８、少なくとも８．５、少なくとも９、少なくとも９．５、少なくとも１０、少なくとも１０．５、少なくとも１１、少なくとも１１．５、少なくとも１２、少なくとも１２．５、少なくとも１３、少なくとも１３．５、少なくとも１４、少なくとも１４．５、少なくとも１５、少なくとも１５．５、少なくとも１６、少なくとも１６．５、少なくとも１７、少なくとも１７．５、少なくとも１８、少なくとも１８．５、少なくとも１９、少なくとも１９．５、少なくとも２０、少なくとも２５、少なくとも３０、少なくとも３５、少なくとも４０、少なくとも４５、少なくとも５０、少なくとも５５、少なくとも６０、少なくとも６５、少なくとも７０、少なくとも７５、少なくとも８０、少なくとも８５、少なくとも９０、少なくとも９５、少なくとも１００、少なくとも１５０、少なくとも２００、少なくとも２５０、少なくとも３００、少なくとも３５０、少なくとも４００、少なくとも４５０、少なくとも５００、少なくとも５５０、少なくとも６００、少なくとも６５０、少なくとも７００、少なくとも７５０、少なくとも８００、少なくとも８５０、少なくとも９００、少なくとも９５０、又は少なくとも１０００倍（縦横比）小さい。
一実施形態によれば、ナノ粒子３は、多分散性である。
一実施形態によれば、ナノ粒子３は、単分散である。
一実施形態によれば、ナノ粒子３は、狭い粒度分布を有する。
一実施形態によれば、ナノ粒子３の統計セットの最小寸法の粒度分布は、前記最小寸法の１％、２％、３％、４％、５％、６％、７％、８％、９％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、又は４０％よりも劣っている。
一実施形態によれば、ナノ粒子３の統計セットの最大寸法の粒度分布は、前記最大寸法の１％、２％、３％、４％、５％、６％、７％、８％、９％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、又は４０％よりも劣っている。
一実施形態によれば、ナノ粒子３は、中空である。
一実施形態によれば、ナノ粒子３は、中空ではない。
一実施形態によれば、ナノ粒子３は、等方性である。
一実施形態によれば、等方性のナノ粒子３の形状の例には、球体３１（図２に示すように）、ファセット球、プリズム、多面体、又は立方体の形状が含まれるが、これらに限定されない。
一実施形態によれば、ナノ粒子３は、球形ではない。
一実施形態によれば、ナノ粒子３は、異方性である。
一実施形態によれば、異方性のナノ粒子３の形状の例には、ロッド、ワイヤ、針、棒、ベルト、コーン、又は多面体の形状が含まれるが、これらに限定されない。
一実施形態によれば、異方性のナノ粒子３の分岐形状の例には、モノポッド、バイポッド、トリポッド、テトラポッド、星、又はオクトポッドの形状が含まれるが、これらに限定されない。
一実施形態によれば、異方性のナノ粒子３の複雑な形状の例には、スノーフレーク、花、とげ、半球、円錐、ウニ、糸状粒子、両凹形状の円盤状、ワーム、木、樹状突起、ネックレス、又はチェーンが含まれるが、これらに限定されない。
一実施形態によれば、図３に示すように、ナノ粒子３は、２Ｄ形状３２を有する。
一実施形態によれば、２Ｄナノ粒子３２の形状の例には、シート、プレートレット、プレート、リボン、壁、プレートの三角形、四角形、五角形、六角形、ディスク、又はリングが含まれるが、これらに限定されない。
一実施形態によれば、ナノプレートレットは、ナノディスクと異なる。
一実施形態によれば、ナノプレートレットは、ディスク又はナノディスクと異なる。
一実施形態によれば、ナノシート及びナノプレートレットは、ディスク又はナノディスクではない。この実施形態において、前記ナノシート又はナノプレートレットの厚さ以外の寸法（幅、長さ）に沿った断面は、正方形又は長方形であるが、ディスク若しくはナノディスクについては円形又は卵形である。
一実施形態によれば、ナノシート及びナノプレートレットは、ディスク又はナノディスクではない。この実施形態において、前記ナノシート及びナノプレートレットの寸法のいずれも直径として定義することはできず、ディスク又はナノディスクに対して半長軸及び半短軸のサイズも同様である。
一実施形態によれば、ナノシート及びナノプレートレットは、ディスク又はナノディスクではない。この実施形態において、前記ナノシート又はナノプレートレットの厚さ以外の寸法（長さ、幅）に沿った全ての点における曲率は、１０μｍ-１未満であり、ディスク又はナノディスクの曲率は少なくとも１点上で優れている。
一実施形態によれば、ナノシート及びナノプレートレットは、ディスク又はナノディスクではない。この実施形態において、前記ナノシート又はナノプレートレットの厚さ以外の寸法（長さ、幅）に沿った少なくとも１点における曲率は、１０μｍ-１未満であり、ディスク又はナノディスクの曲率は、全ての点上で１０μｍ-１よりも優れている。
一実施形態によれば、ナノプレートレットは、量子ドット、又は球状のナノ結晶と異なる。量子ドットは、球状であるため、３Ｄ形状を有し、全３つの空間次元での励起子の閉じ込めを可能にするが、ナノプレートレットは、２Ｄ形状を有し、一次元での励起子の閉じ込めを可能にし、他の２つの次元で自由な伝搬を可能にする。これは、別々の電子的及び光学的特性をもたらし、例えば、半導体プレートレットの典型的な光発光減衰時間は、球状量子ドットの減衰時間より１桁速く、該半導体プレートレットはまた、球状量子ドットよりもはるかに低い半値全幅（ＦＷＨＭ）を有する非常に狭い光機能を示す。
一実施形態によれば、ナノプレートレットは、ナノロッド又はナノワイヤと異なる。ナノロッド（又はナノワイヤ）は、１Ｄ形状を有し、２つの空間次元に励起子の閉じ込めを可能にするが、該ナノプレートレットは、２Ｄ形状を有し、一次元での励起子の閉じ込めを可能にし、他の２つの次元で自由な伝搬を可能にする。これは、別々の電子的及び光学的特性をもたらす。
一実施形態によれば、ＲＯＨＳ準拠複合粒子１を得るために、前記複合粒子１は、半導体量子ドットよりもむしろ半導体ナノプレートレットを含む。実際、直径がｄである半導体量子ドット及び厚さがｄ／２である半導体ナノプレートレットについて、同じ発光ピーク位置が得られる。したがって、同じ発光ピーク位置のために、半導体ナノプレートレットは、半導体量子ドットよりもカドミウム重量が少ない。さらに、ＣｄＳコアがコア／シェル量子ドット又はコア／シェル（又はコア／クラウン）ナノプレートレットに含まれている場合、コア／シェル（又はコア／クラウン）ナノプレートレットの場合に、カドミウムを含まないシェル層の可能性が高くなり、ひいては、ＣｄＳコアを有するコア／シェル（又はコア／クラウン）ナノプレートレットは、ＣＤＳコアを有するコア／シェル量子ドットよりもカドミウムの重量が少ない場合がある。ＣＤＳシェルと非カドミウムシェルの間の格子の違いは、量子ドットにとってとても重要であるため、維持できない。最後に、半導体ナノプレートレットは、半導体量子ドットよりも優れた吸収特性を有し、ひいては、半導体ナノプレートレットに必要なカドミウムの重量が少なくなる。
一実施形態によれば、ナノ粒子３は、原子レベルで平坦である。この実施形態において、原子レベルで平坦なナノ粒子３は、透過型電子顕微鏡又は蛍光走査顕微鏡、エネルギー分散型Ｘ線分光法（ＥＤＳ）、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）、ＵＶ光電子分光法（ＵＰＳ）、電子エネルギー損失分光法（ＥＥＬＳ）、光発光、又は当業者に公知の任意の他の特徴付け手段によって証明され得る。
一実施形態によれば、図５Ａに示すように、ナノ粒子３は、シェルを含まないコアナノ粒子３３である。
一実施形態によれば、ナノ粒子３は、少なくとも１個の原子レベルで平坦なナノ粒子を含む。この実施形態において、原子レベルで平坦なコアは、透過型電子顕微鏡又は蛍光走査顕微鏡、エネルギー分散型Ｘ線分光法（ＥＤＳ）、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）、ＵＶ光電子分光法（ＵＰＳ）、電子エネルギー損失分光法（ＥＥＬＳ）、光発光、又は当業者に公知の任意の他の特徴付け手段によって証明され得る。
一実施形態によれば、ナノ粒子３は、コア３３／シェル３４ナノ粒子であり、コア３３は、材料の少なくとも１層を含む少なくとも１つのシェル３４で部分的に又は完全に覆われている。
一実施形態によれば、図５Ｂ〜Ｃ及び図５Ｆ〜Ｇに示すように、ナノ粒子３は、コア３３／シェル３４ナノ粒子であり、コア３３は、少なくとも１つのシェル（３４、３５）で覆われている。
一実施形態によれば、該少なくとも１種のシェル（３４、３５）は、少なくとも０．１ｎｍ、０．２ｎｍ、０．３ｎｍ、０．４ｎｍ、０．５ｎｍ、１ｎｍ、１．５ｎｍ、２ｎｍ、２．５ｎｍ、３ｎｍ、３．５ｎｍ、４ｎｍ、４．５ｎｍ、５ｎｍ、５．５ｎｍ、６ｎｍ、６．５ｎｍ、７ｎｍ、７．５ｎｍ、８ｎｍ、８．５ｎｍ、９ｎｍ、９．５ｎｍ、１０ｎｍ、１０．５ｎｍ、１１ｎｍ、１１．５ｎｍ、１２ｎｍ、１２．５ｎｍ、１３ｎｍ、１３．５ｎｍ、１４ｎｍ、１４．５ｎｍ、１５ｎｍ、１５．５ｎｍ、１６ｎｍ、１６．５ｎｍ、１７ｎｍ、１７．５ｎｍ、１８ｎｍ、１８．５ｎｍ、１９ｎｍ、１９．５ｎｍ、２０ｎｍ、３０ｎｍ、４０ｎｍ、５０ｎｍ、６０ｎｍ、７０ｎｍ、８０ｎｍ、１００ｎｍ、１１０ｎｍ、１２０ｎｍ、１３０ｎｍ、１４０ｎｍ、１５０ｎｍ、１６０ｎｍ、１７０ｎｍ、１８０ｎｍ、１９０ｎｍ、２００ｎｍ、２１０ｎｍ、２２０ｎｍ、２３０ｎｍ、２４０ｎｍ、２５０ｎｍ、２６０ｎｍ、２７０ｎｍ、２８０ｎｍ、２９０ｎｍ、３００ｎｍ、３５０ｎｍ、４００ｎｍ、４５０ｎｍ、又は５００ｎｍの厚さを有する。
一実施形態によれば、ナノ粒子３は、コア３３／シェル３４ナノ粒子であり、コア１３３及びシェル３４は、同じ材料で構成されている。
一実施形態によれば、ナノ粒子３は、コア３３／シェル３４ナノ粒子であり、コア３３及びシェル３４は、少なくとも２つの異なる材料で構成されている。
一実施形態によれば、ナノ粒子３は、コア３３／シェル３４ナノ粒子であり、コア３３は、磁性材料、プラズモン材料、誘電材料、圧電材料、焦電材料、強誘電材料、光散乱材料、電気絶縁材料、断熱材料、又は触媒材料の群から選択される少なくとも１種のシェル３４で覆われた発光性コアである。
一実施形態によれば、ナノ粒子３は、コア３３／シェル３４ナノ粒子であり、コア３３は、発光性材料、プラズモン材料、誘電材料、圧電材料、焦電材料、強誘電材料、光散乱材料、電気絶縁材料、断熱材料、又は触媒材料の群から選択される少なくとも１種のシェル３４で覆われた磁性コアである。
一実施形態によれば、ナノ粒子３は、コア３３／シェル３４ナノ粒子であり、コア３３は、磁性材料、発光性材料、誘電材料、圧電材料、焦電材料、強誘電材料、光散乱材料、電気絶縁材料、断熱材料、又は触媒材料の群から選択される少なくとも１種のシェル３４で覆われたプラズモンコアである。
一実施形態によれば、ナノ粒子３は、コア３３／シェル３４ナノ粒子であり、コア３３は、磁性材料、プラズモン材料、発光性材料、圧電材料、焦電材料、強誘電材料、光散乱材料、電気絶縁材料、断熱材料、又は触媒材料の群から選択される少なくとも１種のシェル３４で覆われた誘電コアである。
一実施形態によれば、ナノ粒子３は、コア３３／シェル３４ナノ粒子であり、コア３３は、磁性材料、プラズモン材料、誘電材料、発光性材料、焦電材料、強誘電材料、光散乱材料、電気絶縁材料、断熱材料、又は触媒材料の群から選択される少なくとも１種のシェル３４で覆われた圧電コアである。
一実施形態によれば、ナノ粒子３は、コア３３／シェル３４ナノ粒子であり、コア３３は、磁性材料、プラズモン材料、誘電材料、発光性材料、圧電材料、強誘電材料、光散乱材料、電気絶縁材料、断熱材料、又は触媒材料の群から選択される少なくとも１種のシェル３４で覆われた焦電コアである。
一実施形態によれば、ナノ粒子３は、コア３３／シェル３４ナノ粒子であり、コア３３は、磁性材料、プラズモン材料、誘電材料、発光性材料、圧電材料、焦電材料、光散乱材料、電気絶縁材料、断熱材料、又は触媒材料の群から選択される少なくとも１種のシェル３４で覆われた強誘電コアである。
一実施形態によれば、ナノ粒子３は、コア３３／シェル３４ナノ粒子であり、コア３３は、磁性材料、プラズモン材料、誘電材料、発光性材料、圧電材料、焦電材料、強誘電材料、電気絶縁材料、断熱材料、又は触媒材料の群から選択される少なくとも１種のシェル３４で覆われた光散乱コアである。
一実施形態によれば、ナノ粒子３は、コア３３／シェル３４ナノ粒子であり、コア３３は、磁性材料、プラズモン材料、誘電材料、発光性材料、圧電材料、焦電材料、強誘電材料、光散乱材料、断熱材料、又は触媒材料の群から選択される少なくとも１種のシェル３４で覆われた電気絶縁コアである。
一実施形態によれば、ナノ粒子３は、コア３３／シェル３４ナノ粒子であり、コア３３は、磁性材料、プラズモン材料、誘電材料、発光性材料、圧電材料、焦電材料、強誘電材料、光散乱材料、電気絶縁材料、又は触媒材料の群から選択される少なくとも１種のシェル３４で覆われた断熱コアである。
一実施形態によれば、ナノ粒子３は、コア３３／シェル３４ナノ粒子であり、コア３３は、磁性材料、プラズモン材料、誘電材料、発光性材料、圧電材料、焦電材料、強誘電材料、光散乱材料、電気絶縁材料、又は断熱材料の群から選択される少なくとも１種のシェル３４で覆われた触媒コアである。
一実施形態によれば、ナノ粒子３は、コア３３／シェル３６ナノ粒子であり、コア３３は、絶縁体シェル３６で覆われている。この実施形態において、絶縁体シェル３６は、コア３３の凝集を防止する。
一実施形態によれば、絶縁体シェル３６は、少なくとも０．１ｎｍ、０．２ｎｍ、０．３ｎｍ、０．４ｎｍ、０．５ｎｍ、１ｎｍ、１．５ｎｍ、２ｎｍ、２．５ｎｍ、３ｎｍ、３．５ｎｍ、４ｎｍ、４．５ｎｍ、５ｎｍ、５．５ｎｍ、６ｎｍ、６．５ｎｍ、７ｎｍ、７．５ｎｍ、８ｎｍ、８．５ｎｍ、９ｎｍ、９．５ｎｍ、１０ｎｍ、１０．５ｎｍ、１１ｎｍ、１１．５ｎｍ、１２ｎｍ、１２．５ｎｍ、１３ｎｍ、１３．５ｎｍ、１４ｎｍ、１４．５ｎｍ、１５ｎｍ、１５．５ｎｍ、１６ｎｍ、１６．５ｎｍ、１７ｎｍ、１７．５ｎｍ、１８ｎｍ、１８．５ｎｍ、１９ｎｍ、１９．５ｎｍ、２０ｎｍ、３０ｎｍ、４０ｎｍ、５０ｎｍ、６０ｎｍ、７０ｎｍ、８０ｎｍ、１００ｎｍ、１１０ｎｍ、１２０ｎｍ、１３０ｎｍ、１４０ｎｍ、１５０ｎｍ、１６０ｎｍ、１７０ｎｍ、１８０ｎｍ、１９０ｎｍ、２００ｎｍ、２１０ｎｍ、２２０ｎｍ、２３０ｎｍ、２４０ｎｍ、２５０ｎｍ、２６０ｎｍ、２７０ｎｍ、２８０ｎｍ、２９０ｎｍ、３００ｎｍ、３５０ｎｍ、４００ｎｍ、４５０ｎｍ、又は５００ｎｍの厚さを有する。
一実施形態によれば、図５Ｄ及び図５Ｈに示すように、ナノ粒子３は、コア３３／シェル（３４、３５、３６）ナノ粒子であり、コア３３は、少なくとも１種のシェル（３４、３５）及び絶縁体シェル３６で覆われている。
一実施形態によれば、ナノ粒子３のコア３３を覆っているシェル（３４、３５、３６）は、同じ材料で構成され得る。
一実施形態によれば、ナノ粒子３のコア３３を覆っているシェル（３４、３５、３６）は、少なくとも２つの異なる材料で構成され得る。
一実施形態によれば、ナノ粒子３のコア３３を覆っているシェル（３４、３５、３６）は、同じ厚さを有し得る。
一実施形態によれば、ナノ粒子３のコア３３を覆っているシェル（３４、３５、３６）は、異なる厚さを有し得る。
一実施形態によれば、ナノ粒子３のコア３３を覆っている各シェル（３４、３５、３６）は、最初からコア３３に沿って均一な厚さを有し、すなわち、各シェル（３４、３５、３６）は、最初からコア３３に沿って同じ厚さを有する。
一実施形態によれば、ナノ粒子３のコア３３を覆っている各シェル（３４、３５、３６）は、最初からコア３３に沿って均一な厚さを有し、すなわち、前記厚さは、コア３３に沿って変化する。
一実施形態によれば、ナノ粒子３は、コア３３／絶縁体シェル３６ナノ粒子であり、絶縁体シェル３６の例には、非多孔性ＳｉＯ２、メソ多孔性ＳｉＯ２、非多孔性ＭｇＯ、メソ多孔性ＭｇＯ、非多孔性ＺｎＯ、メソ多孔性ＺｎＯ、非多孔性Ａｌ２Ｏ３、メソ多孔性Ａｌ２Ｏ３、非多孔性ＺｒＯ２、メソ多孔性ＺｒＯ２、非多孔性ＴｉＯ２、メソ多孔性ＴｉＯ２、非多孔性ＳｎＯ２、メソ多孔性ＳｎＯ２、又はそれらの混合物が含まれるが、これらに限定されない。前記絶縁体シェル３６は、酸化に対する補助的障壁として作用し、良好な熱伝導体であれば、熱を放出することができる。
一実施形態によれば、図５Ｅに示すように、ナノ粒子３は、２Ｄ構造を有するコア３３／クラウン３７ナノ粒子であり、コア３３は、少なくとも１種のクラウン３７で覆われている。
一実施形態によれば、ナノ粒子３はコア３３／クラウン３７ナノ粒子であり、コア３３は、材料の少なくとも１層を含むクラウン３７で覆われている。
一実施形態によれば、ナノ粒子３はコア３３／クラウン３７ナノ粒子であり、コア３３及びクラウン３７は、同じ材料で構成されている。
一実施形態によれば、ナノ粒子３はコア３３／クラウン３７ナノ粒子であり、コア３３及びクラウン３７は、少なくとも２つの異なる材料で構成されている。
一実施形態によれば、ナノ粒子３はコア３３／クラウン３７ナノ粒子であり、コア３３は、磁性材料、プラズモン材料、誘電材料、圧電材料、焦電材料、強誘電材料、光散乱材料、電気絶縁材料、断熱材料、又は触媒材料の群から選択される少なくとも１種のクラウン３７で覆われた発光性コアである。
一実施形態によれば、ナノ粒子３は、コア３３／クラウン３７ナノ粒子であり、コア３３は、発光性材料、プラズモン材料、誘電材料、圧電材料、焦電材料、強誘電材料、光散乱材料、電気絶縁材料、断熱材料、又は触媒材料の群から選択される少なくとも１種のクラウン３７で覆われた磁性コアである。
一実施形態によれば、ナノ粒子３は、コア３３／クラウン３７ナノ粒子であり、コア３３は、磁性材料、発光性材料、誘電材料、圧電材料、焦電材料、強誘電材料、光散乱材料、電気絶縁材料、断熱材料、又は触媒材料の群から選択される少なくとも１種のクラウン３７で覆われたプラズモンコアである。
一実施形態によれば、ナノ粒子３は、コア３３／クラウン３７ナノ粒子であり、コア３３は、磁性材料、プラズモン材料、発光性材料、圧電材料、焦電材料、強誘電材料、光散乱材料、電気絶縁材料、断熱材料、又は触媒材料の群から選択される少なくとも１種のクラウン３７で覆われた誘電コアである。
一実施形態によれば、ナノ粒子３は、コア３３／クラウン３７ナノ粒子であり、コア３３は、磁性材料、プラズモン材料、誘電材料、発光性材料、焦電材料、強誘電材料、光散乱材料、電気絶縁材料、断熱材料、又は触媒材料の群から選択される少なくとも１種のクラウン３７で覆われた圧電コアである。
一実施形態によれば、ナノ粒子３は、コア３３／クラウン３７ナノ粒子であり、コア３３は、磁性材料、プラズモン材料、誘電材料、発光性材料、圧電材料、強誘電材料、光散乱材料、電気絶縁材料、断熱材料、又は触媒材料の群から選択される少なくとも１種のクラウン３７で覆われた焦電コアである。
一実施形態によれば、ナノ粒子３は、コア３３／クラウン３７ナノ粒子であり、コア３３は、磁性材料、プラズモン材料、誘電材料、発光性材料、圧電材料、焦電材料、光散乱材料、電気絶縁材料、断熱材料、又は触媒材料の群から選択される少なくとも１種のクラウン３７で覆われた強誘電コアである。
一実施形態によれば、ナノ粒子３は、コア３３／クラウン３７ナノ粒子であり、コア３３は、磁性材料、プラズモン材料、誘電材料、発光性材料、圧電材料、焦電材料、強誘電材料、電気絶縁材料、断熱材料、又は触媒材料の群から選択される少なくとも１種のクラウン３７で覆われた光散乱コアである。
一実施形態によれば、ナノ粒子３は、コア３３／クラウン３７ナノ粒子であり、コア３３は、磁性材料、プラズモン材料、誘電材料、発光性材料、圧電材料、焦電材料、強誘電材料、光散乱材料、断熱材料、又は触媒材料の群から選択される少なくとも１種のクラウン３７で覆われた電気絶縁コアである。
一実施形態によれば、ナノ粒子３は、コア３３／クラウン３７ナノ粒子であり、コア３３は、磁性材料、プラズモン材料、誘電材料、発光性材料、圧電材料、焦電材料、強誘電材料、光散乱材料、電気絶縁材料、又は触媒材料の群から選択される少なくとも１種のクラウン３７で覆われた断熱コアである。
一実施形態によれば、ナノ粒子３は、コア３３／クラウン３７ナノ粒子であり、コア３３は、磁性材料、プラズモン材料、誘電材料、発光性材料、圧電材料、焦電材料、強誘電材料、光散乱材料、電気絶縁材料、又は断熱材料の群から選択される少なくとも１種のクラウン３７で覆われた触媒コアである。
一実施形態によれば、ナノ粒子３は、コア３３／クラウン３７ナノ粒子であり、コア３３は、絶縁体クラウンで覆われている。この実施形態において、絶縁体クラウンは、コア３３の凝集を防止する。
一実施形態によれば、図４に示すように、複合粒子１は、少なくとも２種の異なるナノ粒子の組み合わせを含む（３１、３２）。この実施形態において、得られる複合粒子１は、異なる特性を示す。
一実施形態によれば、複合粒子１は、磁性ナノ粒子、プラズモンナノ粒子、誘電体ナノ粒子、圧電ナノ粒子、焦電ナノ粒子、強誘電体ナノ粒子、光散乱ナノ粒子、電気絶縁ナノ粒子、断熱ナノ粒子、又は触媒ナノ粒子の群から選択される少なくとも１種の発光ナノ粒子及び少なくとも１種のナノ粒子３を含む。
好ましい実施形態において、複合粒子１は、少なくとも２種の異なる発光ナノ粒子を含み、前記発光ナノ粒子は、異なる発光波長を有する。
好ましい実施形態において、複合粒子１は、少なくとも２種の異なる発光ナノ粒子を含み、少なくとも１種の発光ナノ粒子は５００〜５６０ｎｍの範囲の波長で発光し、少なくとも１種の発光ナノ粒子は、６００〜２５００ｎｍの範囲の波長で発光する。この実施形態において、複合粒子１は、可視スペクトルの緑色領域で発光する少なくとも１種の発光ナノ粒子及び可視スペクトルの赤色領域で発光する少なくとも１種の発光ナノ粒子を含み、ひいては、青色ＬＥＤとペアの複合粒子１は、白色光エミッタである。
好ましい実施形態において、複合粒子１は、少なくとも２種の異なる発光ナノ粒子を含み、少なくとも１種の発光ナノ粒子は４００〜４９０ｎｍの範囲の波長で発光し、少なくとも１種の発光ナノ粒子は、６００〜２５００ｎｍの範囲の波長で発光する。この実施形態において、複合粒子１は、可視スペクトルの緑色領域で発光する少なくとも１種の発光ナノ粒子及び可視スペクトルの赤色領域で発光する少なくとも１種の発光ナノ粒子を含み、ひいては、複合粒子１は、白色光エミッタである。
好ましい実施形態において、複合粒子１は、少なくとも２種の異なる発光ナノ粒子を含み、少なくとも１種の発光ナノ粒子は４００〜４９０ｎｍの範囲の波長で発光し、少なくとも１種の発光ナノ粒子は、５００〜５６０ｎｍの範囲の波長で発光する。この実施形態において、複合粒子１は、可視スペクトルの青色領域で発光する少なくとも１種の発光ナノ粒子及び可視スペクトルの緑色領域で発光する少なくとも１種の発光ナノ粒子を含む。
好ましい実施形態において、複合粒子１は、３種の異なる発光ナノ粒子を含み、前記発光ナノ粒子は、異なる発光波長又は色を放つ。
好ましい実施形態において、複合粒子１は、少なくとも３種の異なる発光ナノ粒子を含み、少なくとも１種の発光ナノ粒子は、４００〜４９０ｎｍの範囲の波長で発光し、少なくとも１種の発光ナノ粒子は、５００〜５６０ｎｍの範囲の波長で発光し、少なくとも１種の発光ナノ粒子は、６００〜２５００ｎｍの範囲の波長で発光する。この実施形態において、複合粒子１は、可視スペクトルの青色領域で発光する少なくとも１種の発光ナノ粒子、可視スペクトルの緑色領域で発光する少なくとも１種の発光ナノ粒子及び可視スペクトルの赤色領域で発光する少なくとも１種の発光ナノ粒子を含む。
一実施形態によれば、複合粒子１は、少なくとも１種の磁性ナノ粒子、及び発光ナノ粒子、プラズモンナノ粒子、誘電体ナノ粒子、圧電ナノ粒子、焦電ナノ粒子、強誘電体ナノ粒子、光散乱ナノ粒子、電気絶縁ナノ粒子、断熱ナノ粒子、又は触媒ナノ粒子の群から選択される少なくとも１種のナノ粒子３を含む。
一実施形態によれば、複合粒子１は、少なくとも１種のプラズモンナノ粒子、及び発光ナノ粒子、磁性ナノ粒子、誘電体ナノ粒子、圧電ナノ粒子、焦電ナノ粒子、強誘電体ナノ粒子、光散乱ナノ粒子、電気絶縁ナノ粒子、断熱ナノ粒子、又は触媒ナノ粒子の群から選択される少なくとも１種のナノ粒子３を含む。
一実施形態によれば、複合粒子１は、少なくとも１種の誘電体ナノ粒子、及び発光ナノ粒子、磁性ナノ粒子、プラズモンナノ粒子、圧電ナノ粒子、焦電ナノ粒子、強誘電体ナノ粒子、光散乱ナノ粒子、電気絶縁ナノ粒子、断熱ナノ粒子、又は触媒ナノ粒子の群から選択される少なくとも１種のナノ粒子３を含む。
一実施形態によれば、複合粒子１は、少なくとも１種の圧電ナノ粒子、及び発光ナノ粒子、磁性ナノ粒子、誘電体ナノ粒子、プラズモンナノ粒子、焦電ナノ粒子、強誘電体ナノ粒子、光散乱ナノ粒子、電気絶縁ナノ粒子、断熱ナノ粒子、又は触媒ナノ粒子の群から選択される少なくとも１種のナノ粒子３を含む。
一実施形態によれば、複合粒子１は、少なくとも１種の焦電ナノ粒子、及び発光ナノ粒子、磁性ナノ粒子、誘電体ナノ粒子、プラズモンナノ粒子、圧電ナノ粒子、強誘電体ナノ粒子、光散乱ナノ粒子、電気絶縁ナノ粒子、断熱ナノ粒子、又は触媒ナノ粒子の群から選択される少なくとも１種のナノ粒子３を含む。
一実施形態によれば、複合粒子１は、少なくとも１種の強誘電体ナノ粒子、及び発光ナノ粒子、磁性ナノ粒子、誘電体ナノ粒子、プラズモンナノ粒子、圧電ナノ粒子、焦電ナノ粒子、光散乱ナノ粒子、電気絶縁ナノ粒子、断熱ナノ粒子、又は触媒ナノ粒子の群から選択される少なくとも１種のナノ粒子３を含む。
一実施形態によれば、複合粒子１は、少なくとも１種の光散乱ナノ粒子、及び発光ナノ粒子、磁性ナノ粒子、誘電体ナノ粒子、プラズモンナノ粒子、圧電ナノ粒子、焦電ナノ粒子、強誘電体ナノ粒子、電気絶縁ナノ粒子、断熱ナノ粒子、又は触媒ナノ粒子の群から選択される少なくとも１種のナノ粒子３を含む。
一実施形態によれば、複合粒子１は、少なくとも１種の電気絶縁ナノ粒子、及び発光ナノ粒子、磁性ナノ粒子、誘電体ナノ粒子、プラズモンナノ粒子、圧電ナノ粒子、焦電ナノ粒子、強誘電体ナノ粒子、光散乱ナノ粒子、断熱ナノ粒子、又は触媒ナノ粒子の群から選択される少なくとも１種のナノ粒子を３含む。
一実施形態によれば、複合粒子１は、少なくとも１種の断熱ナノ粒子、及び発光ナノ粒子、磁性ナノ粒子、誘電体ナノ粒子、プラズモンナノ粒子、圧電ナノ粒子、焦電ナノ粒子、強誘電体ナノ粒子、光散乱ナノ粒子、電気絶縁ナノ粒子、又は触媒ナノ粒子の群から選択される少なくとも１種のナノ粒子３を含む。
一実施形態によれば、複合粒子１は、少なくとも１種の触媒ナノ粒子、及び発光ナノ粒子、磁性ナノ粒子、誘電体ナノ粒子、プラズモンナノ粒子、圧電ナノ粒子、焦電ナノ粒子、強誘電体ナノ粒子、光散乱ナノ粒子、電気絶縁ナノ粒子、又は断熱ナノ粒子の群から選択される少なくとも１種のナノ粒子３を含む。
一実施形態によれば、複合粒子１は、シェルを含まない少なくとも１種のナノ粒子３、及びコア３３／シェル３４ナノ粒子３及びコア３３／絶縁体シェル３６ナノ粒子３の群から選択される少なくとも１種のナノ粒子３を含む。
一実施形態によれば、複合粒子１は、少なくとも１種のコア３３／シェル３４ナノ粒子３、並びにシェルを含まないナノ粒子３及びコア３３／絶縁体シェル３６ナノ粒子３の群から選択される少なくとも１種のナノ粒子３を含む。
一実施形態によれば、複合粒子１は、少なくとも１種のコア３３／絶縁体シェル３６ナノ粒子３、並びにシェルを含まないナノ粒子３及びコア３３／シェル３４ナノ粒子３の群から選択される少なくとも１種のナノ粒子３を含む。
一実施形態によれば、複合粒子１は、少なくとも２種のナノ粒子３を含む。
一実施形態によれば、複合粒子１は、１１種以上のナノ粒子３を含む。
一実施形態によれば、複合粒子１は、少なくとも１１、少なくとも１２、少なくとも１３、少なくとも１４、少なくとも１５、少なくとも１６、少なくとも１７、少なくとも１８、少なくとも１９、少なくとも２０によれば、少なくとも２１、少なくとも２２、少なくとも２３、少なくとも２４、少なくとも２５、少なくとも２６、少なくとも２７、少なくとも２８、少なくとも２９、少なくとも３０、少なくとも３１、少なくとも３２、少なくとも３３、少なくとも３４、少なくとも３５、少なくとも３６、少なくとも３７、少なくとも３８、少なくとも３９、少なくとも４０、少なくとも４１、少なくとも４２、少なくとも４３、少なくとも４４、少なくとも４５、少なくとも４６、少なくとも４７、少なくとも４８、少なくとも４９、少なくとも５０、少なくとも５１、少なくとも５２、少なくとも５３、少なくとも５４、少なくとも５５、少なくとも５６、少なくとも５７、少なくとも５８、少なくとも５９、少なくとも６０、少なくとも６１、少なくとも６２、少なくとも６３、少なくとも６４、少なくとも６５、少なくとも６６、少なくとも６７、少なくとも６８、少なくとも６９、少なくとも７０、少なくとも７１、少なくとも７２、少なくとも７３、少なくとも７４、少なくとも７５、少なくとも７６、少なくとも７７、少なくとも７８、少なくとも７９、少なくとも８０、少なくとも８１、少なくとも８２、少なくとも８３、少なくとも８４、少なくとも８５、少なくとも８６、少なくとも８７、少なくとも８８、少なくとも８９、少なくとも９０、少なくとも９１、少なくとも９２、少なくとも９３、少なくとも９４、少なくとも９５、少なくとも９６、少なくとも９７、少なくとも９８、少なくとも９９、少なくとも１００、少なくとも２００、少なくとも３００、少なくとも４００、少なくとも５００、少なくとも６００、少なくとも７００、少なくとも８００、少なくとも９００、少なくとも１０００年、少なくとも１５００、少なくとも２０００、少なくとも２５００、少なくとも３０００、少なくとも３５００、少なくとも４０００、少なくとも４５００、少なくとも５０００、少なくとも５５００、少なくとも６０００、少なくとも６５００、少なくとも７０００、少なくとも７５００、少なくとも８０００、少なくとも８５００、少なくとも９０００、少なくとも９５００、少なくとも１００００、少なくとも１５０００、少なくとも２００００、少なくとも２５０００、少なくとも３００００、少なくとも３５０００、少なくとも４００００、少なくとも４５０００、少なくとも５００００、少なくとも５５０００、少なくとも６００００、少なくとも６５０００、少なくとも７００００、少なくとも７５０００、少なくとも８００００、少なくとも８５０００、少なくとも９００００、少なくとも９５０００、又は、少なくとも１０００００ナノ粒子３を含む。
好ましい実施形態において、複合粒子１は、少なくとも１種の発光ナノ粒子及び少なくとも１種のプラズモンナノ粒子を含む。
一実施形態によれば、複合粒子１に含まれるナノ粒子３の数は、無機材料２を生成できる化学種とナノ粒子３の間のモル比又は質量比に主に依存する。
一実施形態によれば、ナノ粒子３は、複合粒子１の重量で少なくとも０．０１％、０．０５％、０．１％、０．１５％、０．２％、０．２５％、０．３％、０．３５％、０．４％、０．４５％、０．５％、０．５５％、０．６％、０．６５％、０．７％、０．７５％、０．８％、０．８５％、０．９％、０．９５％、１％、２％、３％、４％、５％、６％、７％、８％、９％、１０％、１１％、１２％、１３％、１４％、１５％、１６％、１７％、１８％、１９％、２０％、２１％、２２％、２３％、２４％、２５％、２６％、２７％、２８％、２９％、３０％、３１％、３２％、３３％、３４％、３５％、３６％、３７％、３８％、３９％、４０％、４１％、４２％、４３％、４４％、４５％、４６％、４７％、４８％、４９％、５０％、５１％、５２％、５３％、５４％、５５％、５６％、５７％、５８％、５９％、６０％、６１％、６２％、６３％、６４％、６５％、６６％、６７％、６８％、６９％、７０％、７１％、７２％、７３％、７４％、７５％、７６％、７７％、７８％、７９％、８０％、８１％、８２％、８３％、８４％、８５％、８６％、８７％、８８％、８９％、９０％、９１％、９２％、９３％、９４％、９５％、９６％、９７％、９８％、又は９９％に相当する。
一実施形態によれば、複合粒子１中のナノ粒子３の充填率は、少なくとも０．０１％、０．０５％、０．１％、０．１５％、０．２％、０．２５％、０．３％、０．３５％、０．４％、０．４５％、０．５％、０．５５％、０．６％、０．６５％、０．７％、０．７５％、０．８％、０．８５％、０．９％、０．９５％、１％、２％、３％、４％、５％、６％、７％、８％、９％、１０％、１１％、１２％、１３％、１４％、１５％、１６％、１７％、１８％、１９％、２０％、２１％、２２％、２３％、２４％、２５％、２６％、２７％、２８％、２９％、３０％、３１％、３２％、３３％、３４％、３５％、３６％、３７％、３８％、３９％、４０％、４１％、４２％、４３％、４４％、４５％、４６％、４７％、４８％、４９％、５０％、５１％、５２％、５３％、５４％、５５％、５６％、５７％、５８％、５９％、６０％、６１％、６２％、６３％、６４％、６５％、６６％、６７％、６８％、６９％、７０％、７１％、７２％、７３％、７４％、７５％、７６％、７７％、７８％、７９％、８０％、８１％、８２％、８３％、８４％、８５％、８６％、８７％、８８％、８９％、９０％、９１％、９２％、９３％、９４％、９５％、９６％、９７％、９８％、又は９９％である。
一実施形態によれば、複合粒子１中のナノ粒子３の充填率は、０．０１％、０．０５％、０．１％、０．１５％、０．２％、０．２５％、０．３％、０．３５％、０．４％、０．４５％、０．５％、０．５５％、０．６％、０．６５％、０．７％、０．７５％、０．８％、０．８５％、０．９％、０．９５％、１％、２％、３％、４％、５％、６％、７％、８％、９％、１０％、１１％、１２％、１３％、１４％、１５％、１６％、１７％、１８％、１９％、２０％、２１％、２２％、２３％、２４％、２５％、２６％、２７％、２８％、２９％、３０％、３１％、３２％、３３％、３４％、３５％、３６％、３７％、３８％、３９％、４０％、４１％、４２％、４３％、４４％、４５％、４６％、４７％、４８％、４９％、５０％、５１％、５２％、５３％、５４％、５５％、５６％、５７％、５８％、５９％、６０％、６１％、６２％、６３％、６４％、６５％、６６％、６７％、６８％、６９％、７０％、７１％、７２％、７３％、７４％、７５％、７６％、７７％、７８％、７９％、８０％、８１％、８２％、８３％、８４％、８５％、８６％、８７％、８８％、８９％、９０％、９１％、９２％、９３％、９４％、９５％、９６％、９７％、９８％、又は９９％未満である。
一実施形態によれば、ナノ粒子３は、物理的捕捉又は静電引力を介して複合粒子１中に封入されない。
一実施形態によれば、ナノ粒子３及び無機材料２は、静電引力若しくは官能化シラン系カップリング剤により結合又は連結されない。一実施形態によれば、複合粒子１に含まれるナノ粒子３は凝集しない。
一実施形態によれば、複合粒子１に含まれるナノ粒子３は、少なくとも０．０１％、０．０５％、０．１％、０．１５％、０．２％、０．２５％、０．３％、０．３５％、０．４％、０．４５％、０．５％、０．５５％、０．６％、０．６５％、０．７％、０．７５％、０．８％、０．８５％、０．９％、０．９５％、１％、２％、３％、４％、５％、６％、７％、８％、９％、１０％、１１％、１２％、１３％、１４％、１５％、１６％、１７％、１８％、１９％、２０％、２１％、２２％、２３％、２４％、２５％、２６％、２７％、２８％、２９％、３０％、３１％、３２％、３３％、３４％、３５％、３６％、３７％、３８％、３９％、４０％、４１％、４２％、４３％、４４％、４５％、４６％、４７％、４８％、４９％、５０％、５１％、５２％、５３％、５４％、５５％、５６％、５７％、５８％、５９％、６０％、６１％、６２％、６３％、６４％、６５％、６６％、６７％、６８％、６９％、７０％、７１％、７２％、７３％、７４％、７５％、７６％、７７％、７８％、７９％、８０％、８１％、８２％、８３％、８４％、８５％、８６％、８７％、８８％、８９％、９０％、又は９５％のパッキング率を有する。
一実施形態によれば、複合粒子１に含まれるナノ粒子３は、触れておらず、接触していない。
一実施形態によれば、複合粒子１に含まれるナノ粒子３は、無機材料２によって分離されている。
一実施形態によれば、複合粒子１に含まれるナノ粒子３は、個別に証明することができる。
一実施形態によれば、複合粒子１に含まれるナノ粒子３は、透過型電子顕微鏡又は蛍光走査顕微鏡、又は当業者に公知の任意の他の特徴付け手段によって個別に証明することができる。
一実施形態によれば、複合粒子１に含まれるナノ粒子３は、前記複合粒子１に含まれる無機材料２の中で均一に分散している。
一実施形態によれば、複合粒子１に含まれるナノ粒子３は、前記複合粒子１に含まれる無機材料２内に均一に分散している。
一実施形態によれば、複合粒子１に含まれるナノ粒子３は、前記複合粒子１に含まれる無機材料２内に分散している。
一実施形態によれば、複合粒子１に含まれるナノ粒子３は、前記複合粒子１に含まれる無機材料２内に均一かつ均等に分散している。
一実施形態によれば、複合粒子１に含まれるナノ粒子３は、前記複合粒子１に含まれる無機材料２内に均等に分散している。
一実施形態によれば、複合粒子１に含まれるナノ粒子３は、前記複合粒子１に含まれる無機材料２内に均質に分散している。
一実施形態によれば、無機材料２中のナノ粒子３の分散は、リングの形状、又は単層を有していない。
一実施形態によれば、複数のナノ粒子の各ナノ粒子３は、その隣接ナノ粒子３から平均最小距離だけ離間している
一実施形態によれば、ナノ粒子３間の平均最小距離は制御されている。
一実施形態によれば、該平均最小距離は、少なくとも１ｎｍ、２ｎｍ、２．５ｎｍ、３ｎｍ、３．５ｎｍ、４ｎｍ、４．５ｎｍ、５ｎｍ、５．５ｎｍ、６ｎｍ、６．５ｎｍ、７ｎｍ、７．５ｎｍ、８ｎｍ、８．５ｎｍ、９ｎｍ、９．５ｎｍ、１０ｎｍ、１０．５ｎｍ、１１ｎｍ、１１．５ｎｍ、１２ｎｍ、１２．５ｎｍ、１３ｎｍ、１３．５ｎｍ、１４ｎｍ、１４．５ｎｍ、１５ｎｍ、１５．５ｎｍ、１６ｎｍ、１６．５ｎｍ、１７ｎｍ、１７．５ｎｍ、１８ｎｍ、１８．５ｎｍ、１９ｎｍ、１９．５ｎｍ、２０ｎｍ、３０ｎｍ、４０ｎｍ、５０ｎｍ、６０ｎｍ、７０ｎｍ、８０ｎｍ、１００ｎｍ、１１０ｎｍ、１２０ｎｍ、１３０ｎｍ、１４０ｎｍ、１５０ｎｍ、１６０ｎｍ、１７０ｎｍ、１８０ｎｍ、１９０ｎｍ、２００ｎｍ、２１０ｎｍ、２２０ｎｍ、２３０ｎｍ、２４０ｎｍ、２５０ｎｍ、２６０ｎｍ、２７０ｎｍ、２８０ｎｍ、２９０ｎｍ、３００ｎｍ、３５０ｎｍ、４００ｎｍ、４５０ｎｍ、５００ｎｍ、５５０ｎｍ、６００ｎｍ、６５０ｎｍ、７００ｎｍ、７５０ｎｍ、８００ｎｍ、８５０ｎｍ、９００ｎｍ、９５０ｎｍ、１μｍ、１．５μｍ、２．５μｍ、３μｍ、３．５μｍ、４μｍ、４．５μｍ、５μｍ、５．５μｍ、６μｍ、６．５μｍ、７μｍ、７．５μｍ、８μｍ、８．５μｍ、９μｍ、９．５μｍ、１０μｍ、１０．５μｍ、１１μｍ、１１．５μｍ、１２μｍ、１２．５μｍ、１３μｍ、１３．５μｍ、１４μｍ、１４．５μｍ、１５μｍ、１５．５μｍ、１６μｍ、１６．５μｍ、１７μｍ、１７．５μｍ、１８μｍ、１８．５μｍ、１９μｍ、１９．５μｍ、２０μｍ、２０．５μｍ、２１μｍ、２１．５μｍ、２２μｍ、２２．５μｍ、２３μｍ、２３．５μｍ、２４μｍ、２４．５μｍ、２５μｍ、２５．５μｍ、２６μｍ、２６．５μｍ、２７μｍ、２７．５μｍ、２８μｍ、２８．５μｍ、２９μｍ、２９．５μｍ、３０μｍ、３０．５μｍ、３１μｍ、３１．５μｍ、３２μｍ、３２．５μｍ、３３μｍ、３３．５μｍ、３４μｍ、３４．５μｍ、３５μｍ、３５．５μｍ、３６μｍ、３６．５μｍ、３７μｍ、３７．５μｍ、３８μｍ、３８．５μｍ、３９μｍ、３９．５μｍ、４０μｍ、４０．５μｍ、４１μｍ、４１．５μｍ、４２μｍ、４２．５μｍ、４３μｍ、４３．５μｍ、４４μｍ、４４．５μｍ、４５μｍ、４５．５μｍ、４６μｍ、４６．５μｍ、４７μｍ、４７．５μｍ、４８μｍ、４８．５μｍ、４９μｍ、４９．５μｍ、５０μｍ、５０．５μｍ、５１μｍ、５１．５μｍ、５２μｍ、５２．５μｍ、５３μｍ、５３．５μｍ、５４μｍ、５４．５μｍ、５５μｍ、５５．５μｍ、５６μｍ、５６．５μｍ、５７μｍ、５７．５μｍ、５８μｍ、５８．５μｍ、５９μｍ、５９．５μｍ、６０μｍ、６０．５μｍ、６１μｍ、６１．５μｍ、６２μｍ、６２．５μｍ、６３μｍ、６３．５μｍ、６４μｍ、６４．５μｍ、６５μｍ、６５．５μｍ、６６μｍ、６６．５μｍ、６７μｍ、６７．５μｍ、６８μｍ、６８．５μｍ、６９μｍ、６９．５μｍ、７０μｍ、７０．５μｍ、７１μｍ、７１．５μｍ、７２μｍ、７２．５μｍ、７３μｍ、７３．５μｍ、７４μｍ、７４．５μｍ、７５μｍ、７５．５μｍ、７６μｍ、７６．５μｍ、７７μｍ、７７．５μｍ、７８μｍ、７８．５μｍ、７９μｍ、７９．５μｍ、８０μｍ、８０．５μｍ、８１μｍ、８１．５μｍ、８２μｍ、８２．５μｍ、８３μｍ、８３．５μｍ、８４μｍ、８４．５μｍ、８５μｍ、８５．５μｍ、８６μｍ、８６．５μｍ、８７μｍ、８７．５μｍ、８８μｍ、８８．５μｍ、８９μｍ、８９．５μｍ、９０μｍ、９０．５μｍ、９１μｍ、９１．５μｍ、９２μｍ、９２．５μｍ、９３μｍ、９３．５μｍ、９４μｍ、９４．５μｍ、９５μｍ、９５．５μｍ、９６μｍ、９６．５μｍ、９７μｍ、９７．５μｍ、９８μｍ、９８．５μｍ、９９μｍ、９９．５μｍ、１００μｍ、２００μｍ、３００μｍ、４００μｍ、５００μｍ、６００μｍ、７００μｍ、８００μｍ、９００μｍ、又は１ｍｍである。
一実施形態によれば、同じ複合粒子１中の２つのナノ粒子３間の平均距離は、少なくとも１ｎｍ、１．５ｎｍ、２ｎｍ、２．５ｎｍ、３ｎｍ、３．５ｎｍ、４ｎｍ、４．５ｎｍ、５ｎｍ、５．５ｎｍ、６ｎｍ、６．５ｎｍ、７ｎｍ、７．５ｎｍ、８ｎｍ、８．５ｎｍ、９ｎｍ、９．５ｎｍ、１０ｎｍ、１０．５ｎｍ、１１ｎｍ、１１．５ｎｍ、１２ｎｍ、１２．５ｎｍ、１３ｎｍ、１３．５ｎｍ、１４ｎｍ、１４．５ｎｍ、１５ｎｍ、１５．５ｎｍ、１６ｎｍ、１６．５ｎｍ、１７ｎｍ、１７．５ｎｍ、１８ｎｍ、１８．５ｎｍ、１９ｎｍ、１９．５ｎｍ、２０ｎｍ、３０ｎｍ、４０ｎｍ、５０ｎｍ、６０ｎｍ、７０ｎｍ、８０ｎｍ、１００ｎｍ、１１０ｎｍ、１２０ｎｍ、１３０ｎｍ、１４０ｎｍ、１５０ｎｍ、１６０ｎｍ、１７０ｎｍ、１８０ｎｍ、１９０ｎｍ、２００ｎｍ、２１０ｎｍ、２２０ｎｍ、２３０ｎｍ、２４０ｎｍ、２５０ｎｍ、２６０ｎｍ、２７０ｎｍ、２８０ｎｍ、２９０ｎｍ、３００ｎｍ、３５０ｎｍ、４００ｎｍ、４５０ｎｍ、５００ｎｍ、５５０ｎｍ、６００ｎｍ、６５０ｎｍ、７００ｎｍ、７５０ｎｍ、８００ｎｍ、８５０ｎｍ、９００ｎｍ、９５０ｎｍ、１μｍ、１．５μｍ、２．５μｍ、３μｍ、３．５μｍ、４μｍ、４．５μｍ、５μｍ、５．５μｍ、６μｍ、６．５μｍ、７μｍ、７．５μｍ、８μｍ、８．５μｍ、９μｍ、９．５μｍ、１０μｍ、１０．５μｍ、１１μｍ、１１．５μｍ、１２μｍ、１２．５μｍ、１３μｍ、１３．５μｍ、１４μｍ、１４．５μｍ、１５μｍ、１５．５μｍ、１６μｍ、１６．５μｍ、１７μｍ、１７．５μｍ、１８μｍ、１８．５μｍ、１９μｍ、１９．５μｍ、２０μｍ、２０．５μｍ、２１μｍ、２１．５μｍ、２２μｍ、２２．５μｍ、２３μｍ、２３．５μｍ、２４μｍ、２４．５μｍ、２５μｍ、２５．５μｍ、２６μｍ、２６．５μｍ、２７μｍ、２７．５μｍ、２８μｍ、２８．５μｍ、２９μｍ、２９．５μｍ、３０μｍ、３０．５μｍ、３１μｍ、３１．５μｍ、３２μｍ、３２．５μｍ、３３μｍ、３３．５μｍ、３４μｍ、３４．５μｍ、３５μｍ、３５．５μｍ、３６μｍ、３６．５μｍ、３７μｍ、３７．５μｍ、３８μｍ、３８．５μｍ、３９μｍ、３９．５μｍ、４０μｍ、４０．５μｍ、４１μｍ、４１．５μｍ、４２μｍ、４２．５μｍ、４３μｍ、４３．５μｍ、４４μｍ、４４．５μｍ、４５μｍ、４５．５μｍ、４６μｍ、４６．５μｍ、４７μｍ、４７．５μｍ、４８μｍ、４８．５μｍ、４９μｍ、４９．５μｍ、５０μｍ、５０．５μｍ、５１μｍ、５１．５μｍ、５２μｍ、５２．５μｍ、５３μｍ、５３．５μｍ、５４μｍ、５４．５μｍ、５５μｍ、５５．５μｍ、５６μｍ、５６．５μｍ、５７μｍ、５７．５μｍ、５８μｍ、５８．５μｍ、５９μｍ、５９．５μｍ、６０μｍ、６０．５μｍ、６１μｍ、６１．５μｍ、６２μｍ、６２．５μｍ、６３μｍ、６３．５μｍ、６４μｍ、６４．５μｍ、６５μｍ、６５．５μｍ、６６μｍ、６６．５μｍ、６７μｍ、６７．５μｍ、６８μｍ、６８．５μｍ、６９μｍ、６９．５μｍ、７０μｍ、７０．５μｍ、７１μｍ、７１．５μｍ、７２μｍ、７２．５μｍ、７３μｍ、７３．５μｍ、７４μｍ、７４．５μｍ、７５μｍ、７５．５μｍ、７６μｍ、７６．５μｍ、７７μｍ、７７．５μｍ、７８μｍ、７８．５μｍ、７９μｍ、７９．５μｍ、８０μｍ、８０．５μｍ、８１μｍ、８１．５μｍ、８２μｍ、８２．５μｍ、８３μｍ、８３．５μｍ、８４μｍ、８４．５μｍ、８５μｍ、８５．５μｍ、８６μｍ、８６．５μｍ、８７μｍ、８７．５μｍ、８８μｍ、８８．５μｍ、８９μｍ、８９．５μｍ、９０μｍ、９０．５μｍ、９１μｍ、９１．５μｍ、９２μｍ、９２．５μｍ、９３μｍ、９３．５μｍ、９４μｍ、９４．５μｍ、９５μｍ、９５．５μｍ、９６μｍ、９６．５μｍ、９７μｍ、９７．５μｍ、９８μｍ、９８．５μｍ、９９μｍ、９９．５μｍ、１００μｍ、２００μｍ、３００μｍ、４００μｍ、５００μｍ、６００μｍ、７００μｍ、８００μｍ、９００μｍ、又は１ｍｍである。
一実施形態によれば、同じ複合粒子１中の２つのナノ粒子３間の平均距離は、０．０１％、０．０２％、０．０３％、０．０４％、０．０５％、０．０６％、０．０７％、０．０８％、０．０９％、０．１％、０．２％、０．３％、０．４％、０．５％、０．６％、０．７％、０．８％、０．９％、１％、１．１％、１．２％、１．３％、１．４％、１．５％、１．６％、１．７％、１．８％、１．９％、２％、２．１％、２．２％、２．３％、２．４％、２．５％、２．６％、２．７％、２．８％、２．９％、３％、３．１％、３．２％、３．３％、３．４％、３．５％、３．６％、３．７％、３．８％、３．９％、４％、４．１％、４．２％、４．３％、４．４％、４．５％、４．６％、４．７％、４．８％、４．９％、５％、５．１％、５．２％、５．３％、５．４％、５．５％、５．６％、５．７％、５．８％、５．９％、６％、６．１％、６．２％、６．３％、６．４％、６．５％、６．６％、６．７％、６．８％、６．９％、７％、７．１％、７．２％、７．３％、７．４％、７．５％、７．６％、７．７％、７．８％、７．９％、８％、８．１％、８．２％、８．３％、８．４％、８．５％、８．６％、８．７％、８．８％、８．９％、９％、９．１％、９．２％、９．３％、９．４％、９．５％、９．６％、９．７％、９．８％、９．９％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、又は５０％以下の偏差を有し得る。
一実施形態によれば、ナノ粒子３は、ＲＯＨＳ準拠である。
一実施形態によれば、ナノ粒子３は、カドミウムを重量で１０ｐｐｍ未満、２０ｐｐｍ未満、３０ｐｐｍ未満、４０ｐｐｍ未満、５０ｐｐｍ未満、１００ｐｐｍ未満、１５０ｐｐｍ未満、２００ｐｐｍ未満、２５０ｐｐｍ未満、３００ｐｐｍ未満、３５０ｐｐｍ未満、４００ｐｐｍ未満、４５０ｐｐｍ未満、５００ｐｐｍ未満、５５０ｐｐｍ未満、６００ｐｐｍ未満、６５０ｐｐｍ未満、７００ｐｐｍ未満、７５０ｐｐｍ未満、８００ｐｐｍ未満、８５０ｐｐｍ未満、９００ｐｐｍ未満、９５０ｐｐｍ未満、１０００ｐｐｍ未満含む。
一実施形態によれば、ナノ粒子３は、鉛を重量で１０ｐｐｍ未満、２０ｐｐｍ未満、３０ｐｐｍ未満、４０ｐｐｍ未満、５０ｐｐｍ未満、１００ｐｐｍ未満、１５０ｐｐｍ未満、２００ｐｐｍ未満、２５０ｐｐｍ未満、３００ｐｐｍ未満、３５０ｐｐｍ未満、４００ｐｐｍ未満、４５０ｐｐｍ未満、５００ｐｐｍ未満、５５０ｐｐｍ未満、６００ｐｐｍ未満、６５０ｐｐｍ未満、７００ｐｐｍ未満、７５０ｐｐｍ未満、８００ｐｐｍ未満、８５０ｐｐｍ未満、９００ｐｐｍ未満、９５０ｐｐｍ未満、１０００ｐｐｍ未満、２０００ｐｐｍ未満、３０００ｐｐｍ未満、４０００ｐｐｍ未満、５０００ｐｐｍ未満、６０００ｐｐｍ未満、７０００ｐｐｍ未満、８０００ｐｐｍ未満、９０００ｐｐｍ未満、１００００ｐｐｍ未満含む。
一実施形態によれば、ナノ粒子３は、水銀を重量で１０ｐｐｍ未満、２０ｐｐｍ未満、３０ｐｐｍ未満、４０ｐｐｍ未満、５０ｐｐｍ未満、１００ｐｐｍ未満、１５０ｐｐｍ未満、２００ｐｐｍ未満、２５０ｐｐｍ未満、３００ｐｐｍ未満、３５０ｐｐｍ未満、４００ｐｐｍ未満、４５０ｐｐｍ未満、５００ｐｐｍ未満、５５０ｐｐｍ未満、６００ｐｐｍ未満、６５０ｐｐｍ未満、７００ｐｐｍ未満、７５０ｐｐｍ未満、８００ｐｐｍ未満、８５０ｐｐｍ未満、９００ｐｐｍ未満、９５０ｐｐｍ未満、１０００ｐｐｍ未満、２０００ｐｐｍ未満、３０００ｐｐｍ未満、４０００ｐｐｍ未満、５０００ｐｐｍ未満、６０００ｐｐｍ未満、７０００ｐｐｍ未満、８０００ｐｐｍ未満、９０００ｐｐｍ未満、１００００ｐｐｍ未満含む。
一実施形態によれば、ナノ粒子３は、コロイドナノ粒子である。
一実施形態によれば、ナノ粒子３は、帯電ナノ粒子である。
一実施形態によれば、ナノ粒子３は、帯電ナノ粒子ではない。
一実施形態によれば、ナノ粒子３は、正に帯電したナノ粒子ではない。
一実施形態によれば、ナノ粒子３は、負に帯電したナノ粒子ではない。
一実施形態によれば、ナノ粒子３は、有機ナノ粒子である。
一実施形態によれば、該有機ナノ粒子は、カーボンナノチューブ、グラフェン及びその化学的誘導体、グラフィン（ｇｒａｐｈｙｎｅ）、フラーレン、ナノダイヤモンド、窒化ホウ素ナノチューブ、窒化ホウ素ナノシート、ホスホレン及びＳｉ２ＢＮの群から選択される材料で構成されている。
一実施形態によれば、該有機ナノ粒子は、有機材料を含む。
一実施形態によれば、該有機材料は、ポリアクリレート、ポリメタクリレート、ポリアクリルアミド、ポリエステル、ポリエーテル、ポリオレフィン（又はポリアルケン）、多糖類、ポリアミド、又はそれらの混合物から選択される。好ましい有機材料は、有機ポリマーである。
一実施形態によれば、該有機材料は、炭素を含有する任意の要素及び／又は材料、好ましくは、少なくとも１つの炭素−水素結合を含有する任意の要素及び／又は材料を指す。
一実施形態によれば、該有機材料は、天然又は合成であり得る。
一実施形態によれば、該有機材料は、小さな有機化合物又は有機ポリマーである。
一実施形態によれば、該有機ポリマーは、ポリアクリレート、ポリメタクリレート、ポリアクリルアミド、ポリアミド、ポリエステル、ポリエーテル、ポリオレフィン、多糖類、ポリウレタン（又はポリカルバメート）、ポリスチレン、ポリアクリロニトリル−ブタジエン−スチレン（ＡＢＳ）、ポリカーボネート、ポリ（スチレンアクリロニトリル）、ポリ塩化ビニルなどのビニルポリマー、ポリビニルアルコール、ポリビニルアセテート、ポリビニルピロリドン、ポリビニルピリジン、ポリビニルイミダゾール、ポリ（ｐ−フェニレンオキシド）、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリエチレンイミン、ポリフェニルスルホン、ポリ（アクリロニトリルスチレンアクリレート）、ポリエポキシド、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリアニリン、ポリアリールエーテルケトン、ポリフラン、ポリイミド、ポリイミダゾール、ポリエーテルイミド、ポリケトン、ポリヌクレオチド、ポリスチレンスルホネート、ポリエーテルイミン、ポリアミン酸、又はそれらの組み合わせ及び／又は誘導体及び／又はコポリマーから選択される。
一実施形態によれば、該有機ポリマーは、好ましくは、ポリ（メチルアクリレート）、ポリ（エチルアクリレート）、ポリ（プロピルアクリレート）、ポリ（ブチルアクリレート）、ポリ（ペンチルアクリレート）、及びポリ（ヘキシルアクリレート）から選択されるポリアクリレートである。
一実施形態によれば、該有機ポリマーは、好ましくは、ポリ（メチルメタクリレート）、ポリ（エチルメタクリレート）、ポリ（プロピルメタクリレート）、ポリ（ブチルメタクリレート）、ポリ（ペンチルメタクリレート）、及びポリ（ヘキシルメタクリレート）から選択されるポリメタクリレートである。一実施形態によれば、該有機ポリマーは、ポリ（メチルメタクリレート）（ＰＭＭＡ）である。
一実施形態によれば、該有機ポリマーは、好ましくは、ポリ（アクリルアミド）、ポリ（メチルアクリルアミド）、ポリ（ジメチルアクリルアミド）、ポリ（エチルアクリルアミド）、ポリ（ジエチルアクリルアミド）、ポリ（プロピルアクリルアミド）、ポリ（イソプロピルアクリルアミド）、ポリ（ブチルアクリルアミド）、ポリ（ｔｅｒｔ−ブチルアクリルアミド）から選択されるポリアクリルアミドである。
一実施形態によれば、該有機ポリマーは、好ましくは、ポリ（グリコール酸）（ＰＧＡ）、ポリ（乳酸）（ＰＬＡ）、ポリ（カプロラクトン）（ＰＣＬ）、ポリヒドロキシアルカノエート（ＰＨＡ）、ポリヒドロキシブチレート（ＰＨＢ）、ポリエチレンアジペート、ポリブチレンサクシネート、ポリ（エチレンテレフタレート）、ポリ（ブチレンテレフタレート）、ポリ（トリメチレンテレフタレート）、ポリアリレート又はそれらの任意の組み合わせから選択されるポリエステルである。
一実施形態によれば、該有機ポリマーは、好ましくは、ポリ（グリコールエーテル）又は芳香族ポリエーテルなどの脂肪族ポリエーテルから選択されるポリエーテルである。一実施形態によれば、該ポリエーテル、ポリ（メチレンオキシド）、ポリ（エチレングリコール）／ポリ（エチレンオキシド）、ポリ（プロピレングリコール）及びポリ（テトラヒドロフラン）から選択される。
一実施形態によれば、該有機ポリマーは、好ましくは、ポリ（エチレン）、ポリ（プロピレン）、ポリ（ブタジエン）、ポリ（メチルペンテン）、ポリ（ブタン）及びポリ（イソブチレン）から選択されるポリオレフィン（又はポリアルケン）である。
一実施形態によれば、該有機ポリマーは、キトサン、デキストラン、ヒアルロン酸、アミロース、アミロペクチン、プルラン、ヘパリン、キチン、セルロース、デキストリン、澱粉、ペクチン、アルギン酸塩、カラギーナン、フカン、カードラン、キシラン、ポリグルロン酸、キサンタン、アラビナン、ポリマンヌロン酸及びそれらの誘導体から選択される多糖類である。
一実施形態によれば、該有機ポリマーは、好ましくは、ポリカプロラクタム、ポリアウロアミド（ｐｏｌｙａｕｒｏａｍｉｄｅ）、ポリウンデカンアミド、ポリテトラメチレンアジパミド、ポリヘキサメチレンアジパミド（ナイロンとも呼ばれる）、ポリヘキサメチレンノナンジアミド、ポリヘキサメチレンセバカミド、ポリヘキサメチレンドデカンジアミド、ポリデカメチレンセバカミド、ポリヘキサメチレンイソフタルアミド、ポリメタキシリレンアジパミド、ポリメタフェニレンイソフタルアミド、ポリパラフェニレンテレフタルアミド、ポリフタルイミドから選択されるポリアミドである。
一実施形態によれば、該有機ポリマーは、天然又は合成のポリマーである。
一実施形態によれば、該有機ポリマーは、有機反応、ラジカル重合、重縮合、重付加、又は開環重合（ＲＯＰ）によって合成される。
一実施形態によれば、該有機ポリマーは、ホモポリマー又はコポリマーである。一実施形態によれば、該有機ポリマーは、直鎖状、分枝状であり、かつ／又は架橋される。一実施形態によれば、分岐状有機ポリマーは、ブラシポリマー（又は櫛型ポリマーとも呼ばれる）であるか、又はデンドリマーである。
一実施形態によれば、該有機ポリマーは、非晶質、半結晶又は結晶である。一実施形態によれば、該有機ポリマーは、熱可塑性ポリマー又はエラストマーである。
一実施形態によれば、該有機ポリマーは、高分子電解質ではない。
一実施形態によれば、該有機ポリマーは、親水性ポリマーではない。
一実施形態によれば、該有機ポリマーは、２０００ｇ／ｍｏｌ〜５．１０６ｇ／ｍｏｌ、好ましくは、５０００ｇ／ｍｏｌ〜４．１０６ｇ／ｍｏｌ、６０００〜４．１０６、７０００〜４．１０６、８０００〜４．１０６、９０００〜４．１０６、１００００〜４．１０６、１５０００〜４．１０６、２００００〜４．１０６、２５０００〜４．１０６、３００００〜４．１０６、３５０００〜４．１０６、４００００〜４．１０６、４５０００〜４．１０６、５００００〜４．１０６、５５０００〜４．１０６、６００００〜４．１０６、６５０００〜４．１０６、７００００〜４．１０６、７５０００〜４．１０６、８００００〜４．１０６、８５０００〜４．１０６、９００００〜４．１０６、９５０００〜４．１０６、１０００００〜４．１０６、２０００００〜４．１０６、３０００００〜４．１０６、４０００００〜４．１０６、５０００００〜４．１０６、６０００００〜４．１０６、７０００００〜４．１０６、８０００００〜４.１０６、９０００００〜４．１０６、１．１０６〜４．１０６、２．１０６〜４．１０６、３．１０６ｇ／ｍｏｌ〜４．１０６ｇ／ｍｏｌの範囲の平均分子量を有する。
一実施形態によれば、ナノ粒子３は、無機ナノ粒子である。
一実施形態によれば、ナノ粒子３は無機材料を含む。前記無機材料は、無機材料２と同じであるか、又は異なる。
一実施形態によれば、複合粒子１は、少なくとも１種の無機ナノ粒子及び少なくとも１種の有機ナノ粒子を含む。
一実施形態によれば、ナノ粒子３は、ＺｎＯナノ粒子ではない。
一実施形態によれば、ナノ粒子３は、金属ナノ粒子ではない。
一実施形態によれば、複合粒子１は、唯一金属ナノ粒子を含まない。
一実施形態によれば、複合粒子１は、唯一磁性ナノ粒子を含まない。
一実施形態によれば、該無機ナノ粒子は、コロイドナノ粒子である。
一実施形態によれば、該無機ナノ粒子は、非晶質である。
一実施形態によれば、該無機ナノ粒子は、結晶である。
一実施形態によれば、該無機ナノ粒子は、完全に結晶である。
一実施形態によれば、該無機ナノ粒子は、部分的に結晶である。
一実施形態によれば、該無機ナノ粒子は、単結晶である。
一実施形態によれば、該無機ナノ粒子は、多結晶である。この実施形態において、各該無機ナノ粒子は、少なくとも１種の結晶粒界を含む。
一実施形態によれば、該無機ナノ粒子は、ナノ結晶である。
一実施形態によれば、該無機ナノ粒子は、半導体ナノ結晶である。
一実施形態によれば、該無機ナノ粒子は、金属、ハライド、カルコゲナイド、リン化物、硫化物、半金属、金属合金、セラミック、例えば、酸化物、炭化物、若しくは窒化物の群から選択される材料で構成されている。前記無機ナノ粒子は、当業者に知られるプロトコルを用いて調製される。
一実施形態によれば、該無機ナノ粒子は、金属ナノ粒子、ハライドナノ粒子、カルコゲナイドナノ粒子、リン化物ナノ粒子、硫化物ナノ粒子、半金属ナノ粒子、金属合金ナノ粒子、蛍光ナノ粒子、ペロブスカイトナノ粒子、セラミックナノ粒子、例えば、酸化物ナノ粒子、炭化物ナノ粒子、窒化物ナノ粒子、又はそれらの混合物の群から選択される。前記ナノ粒子は、当業者に知られているプロトコルを使用して調製される。
一実施形態によれば、該無機ナノ粒子は、金属ナノ粒子、ハライドナノ粒子、カルコゲニドナノ粒子、リン化物ナノ粒子、硫化物ナノ粒子、半金属ナノ粒子、金属合金ナノ粒子、蛍光ナノ粒子、ペロブスカイトナノ粒子、セラミックナノ粒子、例えば、酸化物ナノ粒子、炭化物ナノ粒子、窒化物ナノ粒子など、又はそれらの混合物から選択され、好ましくは、半導体ナノ結晶である。
一実施形態によれば、カルコゲナイドは、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｐｏの群から選択される少なくとも１種のカルコゲン陰イオン、及び少なくとも１以上の電気陽性元素からなる化合物である。
一実施形態によれば、金属ナノ粒子は、金ナノ粒子、銀ナノ粒子、銅ナノ粒子、バナジウムナノ粒子、白金ナノ粒子、パラジウムナノ粒子、ルテニウムナノ粒子、レニウムナノ粒子、イットリウムナノ粒子、水銀ナノ粒子、カドミウムナノ粒子、オスミウムナノ粒子、クロムナノ粒子、タンタルナノ粒子、マンガンナノ粒子、亜鉛ナノ粒子、ジルコニウムナノ粒子、ニオブナノ粒子、モリブデンナノ粒子、ロジウムナノ粒子、タングステンナノ粒子、イリジウムナノ粒子、ニッケルナノ粒子、鉄ナノ粒子、又はコバルトナノ粒子の群から選択される。
一実施形態によれば、炭化物ナノ粒子の例には、ＳｉＣ、ＷＣ、ＢＣ、ＭｏＣ、ＴｉＣ、Ａｌ４Ｃ３、ＬａＣ２、ＦｅＣ、ＣｏＣ、ＨｆＣ、ＳｉｘＣｙ、ＷｘＣｙ、ＢｘＣｙ、ＭｏｘＣｙ、ＴｉｘＣｙ、ＡｌｘＣｙ、ＬａｘＣｙ、ＦｅｘＣｙ、ＣｏｘＣｙ、ＨｆｘＣｙ、又はそれらの混合物が含まれるが、これらに限定されない；ｘ及びｙは、ｘ及びｙが同時に０ではなく、かつｘは０ではないという条件で、独立して、０〜５の１０進数である。
一実施形態によれば、酸化物ナノ粒子の例には、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、ＺｎＯ、ＭｇＯ、ＳｎＯ２、Ｎｂ２Ｏ５、ＣｅＯ２、ＢｅＯ、ＩｒＯ２、ＣａＯ、Ｓｃ２Ｏ３、ＮｉＯ、Ｎａ２Ｏ、ＢａＯ、Ｋ２Ｏ、ＰｂＯ、Ａｇ２Ｏ、Ｖ２Ｏ５、ＴｅＯ２、ＭｎＯ、Ｂ２Ｏ３、Ｐ２Ｏ５、Ｐ２Ｏ３、Ｐ４Ｏ７、Ｐ４Ｏ８、Ｐ４Ｏ９、Ｐ２Ｏ６、ＰＯ、ＧｅＯ２、Ａｓ２Ｏ３、Ｆｅ２Ｏ３、Ｆｅ３Ｏ４、Ｔａ２Ｏ５、Ｌｉ２Ｏ、ＳｒＯ、Ｙ２Ｏ３、ＨｆＯ２、ＷＯ２、ＭｏＯ２、Ｃｒ２Ｏ３、Ｔｃ２Ｏ７、ＲｅＯ２、ＲｕＯ２、Ｃｏ３Ｏ４、ＯｓＯ、ＲｈＯ２、Ｒｈ２Ｏ３、ＰｔＯ、ＰｄＯ、ＣｕＯ、Ｃｕ２Ｏ、ＣｄＯ、ＨｇＯ、Ｔｌ２Ｏ、Ｇａ２Ｏ３、Ｉｎ２Ｏ３、Ｂｉ２Ｏ３、Ｓｂ２Ｏ３、ＰｏＯ２、ＳｅＯ２、Ｃｓ２Ｏ、Ｌａ２Ｏ３、Ｐｒ６Ｏ１１、Ｎｄ２Ｏ３、Ｌａ２Ｏ３、Ｓｍ２Ｏ３、Ｅｕ２Ｏ３、Ｔｂ４Ｏ７、Ｄｙ２Ｏ３、Ｈｏ２Ｏ３、Ｅｒ２Ｏ３、Ｔｍ２Ｏ３、Ｙｂ２Ｏ３、Ｌｕ２Ｏ３、Ｇｄ２Ｏ３、又はそれらの混合物が含まれるが、これらに限定されない。
一実施形態によれば、酸化物ナノ粒子の例には、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化銅、酸化鉄、酸化銀、酸化鉛、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化亜鉛、酸化錫、酸化ベリリウム、酸化ジルコニウム、酸化ニオブ、酸化セリウム、酸化イリジウム、酸化スカンジウム、酸化ニッケル、酸化ナトリウム、酸化バリウム、酸化カリウム、酸化バナジウム、酸化テルル、酸化マンガン、酸化ホウ素、酸化リン、酸化ゲルマニウム、酸化オスミウム、酸化レニウム、酸化白金、酸化ヒ素、酸化タンタル、酸化リチウム、酸化ストロンチウム、酸化イットリウム、酸化ハフニウム、酸化タングステン、酸化モリブデン、酸化クロム、酸化テクネチウム、酸化ロジウム、酸化ルテニウム、酸化コバルト、酸化パラジウム、酸化カドミウム、酸化水銀、酸化タリウム、酸化ガリウム、酸化インジウム、酸化ビスマス、酸化アンチモン、酸化ポロニウム、酸化セレン、酸化セシウム、酸化ランタン、酸化プラセオジム、酸化ネオジム、酸化サマリウム、酸化ユウロピウム、酸化テルビウム、酸化ジスプロシウム、酸化エルビウム、酸化ホルミウム、酸化ツリウム、酸化イッテルビウム、酸化ルテチウム、酸化ガドリニウム、混合酸化物、それらの混合酸化物又はそれらの混合物が含まれるが、これらに限定されない。
一実施形態によれば、窒化物ナノ粒子の例には、ＴｉＮ、Ｓｉ３Ｎ４、ＭｏＮ、ＶＮ、ＴａＮ、Ｚｒ３Ｎ４、ＨｆＮ、ＦｅＮ、ＮｂＮ、ＧａＮ、ＣｒＮ、ＡｌＮ、ＩｎＮ、ＴｉｘＮｙ、ＳｉｘＮｙ、ＭｏｘＮｙ、ＶｘＮｙ、ＴａｘＮｙ、ＺｒｘＮｙ、ＨｆｘＮｙ、ＦｅｘＮｙ、ＮｂｘＮｙ、ＧａｘＮｙ、ＣｒｘＮｙ、ＡｌｘＮｙ、ＩｎｘＮｙ、又はそれらの混合物が含まれるが、これらに限定されない；ｘ及びｙは、ｘ及びｙが同時に０ではなく、かつｘは０ではないという条件で、独立して０〜５の１０進数である。
一実施形態によれば、硫化物ナノ粒子の例には、ＳｉｙＳｘ、ＡｌｙＳｘ、ＴｉｙＳｘ、ＺｒｙＳｘ、ＺｎｙＳｘ、ＭｇｙＳｘ、ＳｎｙＳｘ、ＮｂｙＳｘ、ＣｅｙＳｘ、ＢｅｙＳｘ、ＩｒｙＳｘ、ＣａｙＳｘ、ＳｃｙＳｘ、ＮｉｙＳｘ、ＮａｙＳｘ、ＢａｙＳｘ、ＫｙＳｘ、ＰｂｙＳｘ、ＡｇｙＳｘ、ＶｙＳｘ、ＴｅｙＳｘ、ＭｎｙＳｘ、ＢｙＳｘ、ＰｙＳｘ、ＧｅｙＳｘ、ＡｓｙＳｘ、ＦｅｙＳｘ、ＴａｙＳｘ、ＬｉｙＳｘ、ＳｒｙＳｘ、ＹｙＳｘ、ＨｆｙＳｘ、ＷｙＳｘ、ＭｏｙＳｘ、ＣｒｙＳｘ、ＴｃｙＳｘ、ＲｅｙＳｘ、ＲｕｙＳｘ、ＣｏｙＳｘ、ＯｓｙＳｘ、ＲｈｙＳｘ、ＰｔｙＳｘ、ＰｄｙＳｘ、ＣｕｙＳｘ、ＡｕｙＳｘ、ＣｄｙＳｘ、ＨｇｙＳｘ、ＴｌｙＳｘ、ＧａｙＳｘ、ＩｎｙＳｘ、ＢｉｙＳｘ、ＳｂｙＳｘ、ＰｏｙＳｘ、ＳｅｙＳｘ、ＣｓｙＳｘ、混合硫化物、それらの混合硫化物又はそれらの混合物が含まれるが、これらに限定されない；ｘ及びｙは、ｘ及びｙが同時に０ではなく、かつｘは０ではないという条件で、独立して０〜１０の１０進数である。
一実施形態によれば、ハライドナノ粒子の例には、ＢａＦ２、ＬａＦ３、ＣｅＦ３、ＹＦ３、ＣａＦ２、ＭｇＦ２、ＰｒＦ３、ＡｇＣｌ、ＭｎＣｌ２、ＮｉＣｌ２、Ｈｇ２Ｃｌ２、ＣａＣｌ２、ＣｓＰｂＣｌ３、ＡｇＢｒ、ＰｂＢｒ３、ＣｓＰｂＢｒ３、ＡｇＩ、ＣｕＩ、ＰｂＩ、ＨｇＩ２、ＢｉＩ３、ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＩ３、ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＣｌ３、ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＢｒ３、ＣｓＰｂＩ３、ＦＡＰｂＢｒ３（ＦＡホルムアミジニウムを有する）、又はそれらの混合物が含まれるが、これらに限定されない。
一実施形態によれば、カルコゲナイドナノ粒子の例には、ＣｄＯ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＺｎＯ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＨｇＯ、ＨｇＳ、ＨｇＳｅ、ＨｇＴｅ、ＣｕＯ、Ｃｕ２Ｏ、ＣｕＳ、Ｃｕ２Ｓ、ＣｕＳｅ、ＣｕＴｅ、Ａｇ２Ｏ、Ａｇ２Ｓ、Ａｇ２Ｓｅ、Ａｇ２Ｔｅ、Ａｕ２Ｓ、ＰｄＯ、ＰｄＳ、Ｐｄ４Ｓ、ＰｄＳｅ、ＰｄＴｅ、ＰｔＯ、ＰｔＳ、ＰｔＳ２、ＰｔＳｅ、ＰｔＴｅ、ＲｈＯ２、Ｒｈ２Ｏ３、ＲｈＳ２、Ｒｈ２Ｓ３、ＲｈＳｅ２、Ｒｈ２Ｓｅ３、ＲｈＴｅ２、ＩｒＯ２、ＩｒＳ２、Ｉｒ２Ｓ３、ＩｒＳｅ２、ＩｒＴｅ２、ＲｕＯ２、ＲｕＳ２、ＯｓＯ、ＯｓＳ、ＯｓＳｅ、ＯｓＴｅ、ＭｎＯ、ＭｎＳ、ＭｎＳｅ、ＭｎＴｅ、ＲｅＯ２、ＲｅＳ２、Ｃｒ２Ｏ３、Ｃｒ２Ｓ３、ＭｏＯ２、ＭｏＳ２、ＭｏＳｅ２、ＭｏＴｅ２、ＷＯ２、ＷＳ２、ＷＳｅ２、Ｖ２Ｏ５、Ｖ２Ｓ３、Ｎｂ２Ｏ５、ＮｂＳ２、ＮｂＳｅ２、ＨｆＯ２、ＨｆＳ２、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、ＺｒＳ２、ＺｒＳｅ２、ＺｒＴｅ２、Ｓｃ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３、Ｙ２Ｓ３、ＳｉＯ２、ＧｅＯ２、ＧｅＳ、ＧｅＳ２、ＧｅＳｅ、ＧｅＳｅ２、ＧｅＴｅ、ＳｎＯ２、ＳｎＳ、ＳｎＳ２、ＳｎＳｅ、ＳｎＳｅ２、ＳｎＴｅ、ＰｂＯ、ＰｂＳ、ＰｂＳｅ、ＰｂＴｅ、ＭｇＯ、ＭｇＳ、ＭｇＳｅ、ＭｇＴｅ、ＣａＯ、ＣａＳ、ＳｒＯ、Ａｌ２Ｏ３、Ｇａ２Ｏ３、Ｇａ２Ｓ３、Ｇａ２Ｓｅ３、Ｉｎ２Ｏ３、Ｉｎ２Ｓ３、Ｉｎ２Ｓｅ３、Ｉｎ２Ｔｅ３、Ｌａ２Ｏ３、Ｌａ２Ｓ３、ＣｅＯ２、ＣｅＳ２、Ｐｒ６Ｏ１１、Ｎｄ２Ｏ３、ＮｄＳ２、Ｌａ２Ｏ３、Ｔｌ２Ｏ、Ｓｍ２Ｏ３、ＳｍＳ２、Ｅｕ２Ｏ３、ＥｕＳ２、Ｂｉ２Ｏ３、Ｓｂ２Ｏ３、ＰｏＯ２、ＳｅＯ２、Ｃｓ２Ｏ、Ｔｂ４Ｏ７、ＴｂＳ２、Ｄｙ２Ｏ３、Ｈｏ２Ｏ３、Ｅｒ２Ｏ３、ＥｒＳ２、Ｔｍ２Ｏ３、Ｙｂ２Ｏ３、Ｌｕ２Ｏ３、ＣｕＩｎＳ２、ＣｕＩｎＳｅ２、ＡｇＩｎＳ２、ＡｇＩｎＳｅ２、Ｆｅ２Ｏ３、Ｆｅ３Ｏ４、ＦｅＳ、ＦｅＳ２、Ｃｏ３Ｓ４、ＣｏＳｅ、Ｃｏ３Ｏ４、ＮｉＯ、ＮｉＳｅ２、ＮｉＳｅ、Ｎｉ３Ｓｅ４、Ｇｄ２Ｏ３、ＢｅＯ、ＴｅＯ２、Ｎａ２Ｏ、ＢａＯ、Ｋ２Ｏ、Ｔａ２Ｏ５、Ｌｉ２Ｏ、Ｔｃ２Ｏ７、Ａｓ２Ｏ３、Ｂ２Ｏ３、Ｐ２Ｏ５、Ｐ２Ｏ３、Ｐ４Ｏ７、Ｐ４Ｏ８、Ｐ４Ｏ９、Ｐ２Ｏ６、ＰＯ、又はそれらの混合物が含まれるが、これらに限定されない。
一実施形態によれば、リン化物ナノ粒子の例には、ＩｎＰ、Ｃｄ３Ｐ２、Ｚｎ３Ｐ２、ＡｌＰ、ＧａＰ、ＴｌＰ、又はそれらの混合物が含まれるが、これらに限定されない。
一実施形態によれば、半金属ナノ粒子の例には、Ｓｉ、Ｂ、Ｇｅ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｔｅ、又はそれらの混合物が含まれるが、これらに限定されない。
一実施形態によれば、金属合金ナノ粒子の例には、Ａｕ−Ｐｄ、Ａｕ−Ａｇ、Ａｕ−Ｃｕ、Ｐｔ−Ｐｄ、Ｐｔ−Ｎｉ、Ｃｕ−Ａｇ、Ｃｕ−Ｓｎ、Ｒｕ−Ｐｔ、Ｒｈ−Ｐｔ、Ｃｕ−Ｐｔ、Ｎｉ−Ａｕ、Ｐｔ−Ｓｎ、Ｐｄ−Ｖ、Ｉｒ−Ｐｔ、Ａｕ−Ｐｔ、Ｐｄ−Ａｇ、Ｃｕ−Ｚｎ、Ｃｒ−Ｎｉ、Ｆｅ−Ｃｏ、Ｃｏ−Ｎｉ、Ｆｅ−Ｎｉ又はそれらの混合物が含まれるが、これらに限定されない。
一実施形態によれば、ナノ粒子３は、例えば、蛍光体材料又はシンチレータ材料などの吸湿性材料を含むナノ粒子である。
一実施形態によれば、ナノ粒子３は、ペロブスカイトナノ粒子である。
一実施形態によれば、ペロブスカイトは、材料ＡｍＢｎＸ３Ｐを含み、式中、ＡはＢａ、Ｂ、Ｋ、Ｐｂ、Ｃｓ、Ｃａ、Ｃｅ、Ｎａ、Ｌａ、Ｓｒ、Ｔｈ、ＦＡ（ホルムアミジニウムＣＮ２Ｈ＋５）、又はそれらの混合物からなる群から選択され、Ｂは、Ｆｅ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｐｂ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ｂｉ、Ｚｒ、又はそれらの混合物からなる群から選択され、Ｘは、Ｏ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、シアン化物、チオシアン酸塩、又はそれらの混合物からなる群から選択され、ｍ、ｎ及びｐは、独立して０〜５の１０進数であり、ｍ、ｎ及びｐは同時に０ではなく、かつｍ及びｎは同時に０ではない。
一実施形態によれば、ｍ、ｎ及びｐは０ではない。
一実施形態によれば、ペロブスカイトの例には、Ｃｓ３Ｂｉ２Ｉ９、Ｃｓ３Ｂｉ２Ｃｌ９、Ｃｓ３Ｂｉ２Ｂｒ９、ＢＦｅＯ３、ＫＮｂＯ３、ＢａＴｉＯ３、ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＩ３、ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＣｌ３、ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＢｒ３、ＦＡＰｂＢｒ３（ＦＡホルムアミジニウムを有する）、ＦＡＰｂＣｌ３、ＦＡＰｂＩ３、ＣｓＰｂＣｌ３、ＣｓＰｂＢｒ３、ＣｓＰｂＩ３、ＣｓＳｎＩ３、ＣｓＳｎＣｌ３、ＣｓＳｎＢｒ３、ＣｓＧｅＣｌ３、ＣｓＧｅＢｒ３、ＣｓＧｅＩ３、ＦＡＰｂＣｌｘＢｒｙＩｚ（ｘ、ｙ及びｚは、独立して０〜５の１０進数であり、同時に０ではない）が含まれるが、これらに限定されない。
一実施形態によれば、ナノ粒子３は、蛍光体ナノ粒子である
一実施形態によれば、無機ナノ粒子は、蛍光体ナノ粒子である。
一実施形態によれば、蛍光体ナノ粒子の例には、以下のものが含まれるが、これらに限定されない：
−希土類でドーピングしたガーネット又は例えば、Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２、Ｙ３Ｇａ５Ｏ１２、Ｙ３Ｆｅ２（ＦｅＯ４）３、Ｙ３Ｆｅ５Ｏ１２、Ｙ４Ａｌ２Ｏ９、ＹＡｌＯ３、ＲＥ３−ｎＡｌ５Ｏ１２：Ｃｅｎ（ＲＥ＝Ｙ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｌｕ）、Ｇｄ３Ａｌ５Ｏ１２、Ｇｄ３Ｇａ５Ｏ１２、Ｌｕ３Ａｌ５Ｏ１２、Ｆｅ３Ａｌ２（ＳｉＯ４）３、（Ｌｕ（１−ｘ−ｙ）ＡｘＣｅｙ）３ＢｚＡｌ５Ｏ１２Ｃ２Ｚ（式中、Ａ＝Ｓｃ、Ｌａ、Ｇｄ、Ｔｂのうちの少なくとも１つ又はそれらの混合物、Ｂ＝Ｍｇ、Ｓｒ、Ｃａ、Ｂａのうちの少なくとも１つ又はそれらの混合物、Ｃ＝Ｆ、Ｃ、Ｂｒ、Ｉのうちの少なくとも１つ又はそれらの混合物、０≦ｘ≦０．５、０．００１≦ｙ≦０．２、及び０．００１≦ｚ≦０．５）、（Ｌｕ０．９０Ｇｄ０．０７Ｃｅ０．０３）３Ｓｒ０．３４Ａｌ５Ｏ１２Ｆ０．６８、Ｍｇ３Ａｌ２（ＳｉＯ４）３、Ｍｎ３Ａｌ２（ＳｉＯ４）３、Ｃａ３Ｆｅ２（ＳｉＯ４）３、Ｃａ３Ａｌ２（ＳｉＯ４）３、Ｃａ３Ｃｒ２（ＳｉＯ４）３、Ａｌ５Ｌｕ３Ｏ１２、ＧＡＬ、ＧａＹＡＧ、ＴＡＧ、ＧＡＬ、ＬｕＡＧ、ＹＡＧなどのガーネット；
−ユーロピウムをドーピングしたＣａＡｌＳｉＮ３、Ｓｒ（ＬｉＡｌ３Ｎ４）：Ｅｕ、ＳｒＭｇ３ＳｉＮ４：Ｅｕ、Ｌａ３Ｓｉ６Ｎ１１：Ｃｅ、Ｌａ３Ｓｉ６Ｎ１１：Ｃｅ、（Ｃａ,Ｓｒ）ＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ、（Ｃａ０．２Ｓｒ０．８）ＡｌＳｉＮ３、（Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ）２Ｓｉ５Ｎ８：Ｅｕなどのドーピング窒化物；
−例えば、ＣａＳ：Ｅｕ２＋、ＳｒＳ：Ｅｕ２＋などのスルフィド系蛍光体；
−Ａ２（ＭＦ６）：Ｍｎ４＋（式中、ＡはＮａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、又はＮＨ４を含み、ＭはＳｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、又はＭｎを含む）、例えば、Ｍｎ４＋ドーピングケイフッ化カリウム（ＰＦＳ）、Ｋ２（ＳｉＦ６）：Ｍｎ４＋又はＫ２（ＴｉＦ６）：Ｍｎ４＋、Ｎａ２ＳｎＦ６：Ｍｎ４＋、Ｃｓ２ＳｎＦ６：Ｍｎ４＋、Ｎａ２ＳｉＦ６：Ｍｎ４＋、Ｎａ２ＧｅＦ６：Ｍｎ４＋など；
−例えば、ユーロピウムをドーピングした（Ｌｉ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｙ）−α−ＳｉＡｌＯＮ、ＳｒＡｌ２Ｓｉ３ＯＮ６：Ｅｕ、ＥｕｘＳｉ６−ｚＡｌｚＯｙＮ８−ｙ（ｙ＝ｚ−２ｘ）、Ｅｕ０．０１８Ｓｉ５．７７Ａｌ０．２３Ｏ０．１９４Ｎ７．８０６、ＳｒＳｉ２Ｏ２Ｎ２：Ｅｕ２＋、Ｐｒ３＋活性化β−ＳｉＡｌＯＮ：Ｅｕなどのオキシ窒化物；
−例えば、Ａ２Ｓｉ（ＯＤ）４：Ｅｕ（式中、Ａ＝Ｓｒ、Ｂａ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｚｎ又はそれらの混合物、Ｄ＝Ｆ、Ｃｌ、Ｓ、Ｎ、Ｂｒ又はそれらの混合物、（ＳｒＢａＣａ）２ＳｉＯ４：Ｅｕ、Ｂａ２ＭｇＳｉ２Ｏ７：Ｅｕ、Ｂａ２ＳｉＯ４：Ｅｕ、Ｓｒ３ＳｉＯ５、（Ｃａ,Ｃｅ）３（Ｓｃ,Ｍｇ）２Ｓｉ３Ｏ１２などのケイ酸；
−例えば、Ｙ２Ｓｉ４Ｎ６Ｃ、ＣｓＬｎＳｉ（ＣＮ２）４：Ｅｕ（式中、Ｌｎ＝Ｙ、Ｌａ又はＧｄ）などの炭窒化物；
−例えば、Ｓｒ２Ｓｉ５Ｎ８−［（４ｘ／３）＋ｚ］ＣｘＯ３ｚ／２（式中、０≦ｘ≦５．０、０．０６＜ｚ≦０．１、及びｘ≠３ｚ／２などの炭窒酸化物
−例えば、ＥｕＡｌ６Ｏ１０、ＥｕＡｌ２Ｏ４などのユーロピウムアルミン酸塩；
−例えば、Ｂａ０．９３Ｅｕ０．０７Ａｌ２Ｏ４などのバリウム酸化物；
−例えば、（ＢａＭｇＡｌ１０Ｏ１７：Ｅｕ）、Ｓｒ５（ＰＯ４）３Ｃｌ：Ｅｕ、ＡｌＮ：Ｅｕ、ＬａＳｉ３Ｎ５：Ｃｅ、ＳｒＳｉ９Ａｌ１９ＯＮ３１：Ｅｕ、ＳｒＳｉ６−ｘＡｌｘＯ１＋ｘＮ８−ｘ：Ｅｕなどの青色蛍光体；
−例えば、（Ｌｕ１−ａ−ｂ−ｃＹａＴｂｂＡｃ）３（Ａｌ１−ｄＢｄ）５（Ｏ１−ｅＣｅ）１２：Ｃｅ、Ｅｕ（式中、ＡはＭｇ、Ｓｒ、Ｃａ、Ｂａ又はそれらの混合物からなる群から選択され；ＢはＧａ、Ｉｎ又はそれらの混合物からなる群から選択され；Ｃは、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ又はそれらの混合物からなる群から選択され；かつ０≦ａ≦１；０≦ｂ≦１；０＜ｃ≦０．５；０≦ｄ≦１；及び０＜ｅ≦０．２）；
−（（Ｓｒ１−ｚＭｚ）１−（ｘ＋ｗ）ＡｗＣｅｘ）３（Ａｌ１−ｙＳｉｙ）Ｏ４＋ｙ＋３（ｘ−ｗ）Ｆ１−ｙ−３（ｘ−ｗ）’（式中、０＜ｘ≦０．１０、０≦ｙ≦０．５、０≦ｚ≦０．５、０≦ｗ≦ｘ、ＡはＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ又はそれらの混合物を含み；ＭはＣａ、Ｂａ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｓｎ又はそれらの混合物を含み、（Ｓｒ０．９８Ｎａ０．０１Ｃｅ０．０１）３（Ａｌ０．９Ｓｉ０．１）Ｏ４．１Ｆ０．９、（Ｓｒ０.５９５Ｃａ０．４Ｃｅ０．００５）３（Ａｌ０．６Ｓｉ０．４）Ｏ４．４１５Ｆ０．５８５を含み；
−希土類でドーピングされたナノ粒子；
−ドーピングされたナノ粒子；
−当業者に公知の任意の蛍光体；
−又はそれらの混合物。
一実施形態によれば、蛍光体ナノ粒子の例には、以下のものが含まれるが、これらに限定されない：
−例えば、ＢａＭｇＡｌ１０Ｏ１７：Ｅｕ２＋又はＣｏ２＋、Ｓｒ５（ＰＯ４）３Ｃｌ：Ｅｕ２＋、ＡｌＮ：Ｅｕ２＋、ＬａＳｉ３Ｎ５：Ｃｅ３＋、ＳｒＳｉ９Ａｌ１９ＯＮ３１：Ｅｕ２＋、ＳｒＳｉ６−ｘＡｌｘＯ１＋ｘＮ８−ｘ：Ｅｕ２＋などの青色蛍光体；
−例えば、Ｍｎ４＋でドーピングしたケイフッ化カリウム（ＰＦＳ）、炭窒化物、窒化物、硫化物（ＣａＳ）、ＣａＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ３＋、（Ｃａ,Ｓｒ）ＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ３＋、（Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ）２Ｓｉ５Ｎ８：Ｅｕ３＋、ＳｒＬｉＡｌ３Ｎ４：Ｅｕ３＋、ＳｒＭｇ３ＳｉＮ４：Ｅｕ３＋、赤色発光ケイ酸塩などの赤色蛍光体；
−例えば、オレンジ発光ケイ酸塩、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｃａ、又はＹドーピングα−ＳｉＡｌＯＮなどのオレンジ蛍光体；
−例えば、酸窒化物、炭窒化物、緑色発光ケイ酸塩、ＬｕＡＧ、緑ＧＡＬ、緑ＹＡＧ、緑ＧａＹＡＧ、β−ＳｉＡｌＯＮ：Ｅｕ２＋、ＳｒＳｉ２Ｏ２Ｎ２：Ｅｕ２＋などの緑色蛍光体；及び
−例えば、黄色発光ケイ酸塩、ＴＡＧ、黄色ＹＡＧ、Ｌａ３Ｓｉ６Ｎ１１：Ｃｅ３＋（ＬＳＮ）、黄色ＧＡＬなどの黄色蛍光体。
一実施形態によれば、蛍光体ナノ粒子の例には、青色蛍光体、赤色蛍光体、オレンジ色蛍光体、緑色蛍光体及び黄色蛍光体が含まれるが、これらに限定されない。
一実施形態によれば、蛍光体ナノ粒子は、少なくとも０．５ｎｍ、１ｎｍ、２ｎｍ、３ｎｍ、４ｎｍ、５ｎｍ、６ｎｍ、７ｎｍ、８ｎｍ、９ｎｍ、１０ｎｍ、１１ｎｍ、１２ｎｍ、１３ｎｍ、１４ｎｍ、１５ｎｍ、１６ｎｍ、１７ｎｍ、１８ｎｍ、１９ｎｍ、２０ｎｍ、２１ｎｍ、２２ｎｍ、２３ｎｍ、２４ｎｍ、２５ｎｍ、２６ｎｍ、２７ｎｍ、２８ｎｍ、２９ｎｍ、３０ｎｍ、３１ｎｍ、３２ｎｍ、３３ｎｍ、３４ｎｍ、３５ｎｍ、３６ｎｍ、３７ｎｍ、３８ｎｍ、３９ｎｍ、４０ｎｍ、４１ｎｍ、４２ｎｍ、４３ｎｍ、４４ｎｍ、４５ｎｍ、４６ｎｍ、４７ｎｍ、４８ｎｍ、４９ｎｍ、５０ｎｍ、５５ｎｍ、６０ｎｍ、６５ｎｍ、７０ｎｍ、７５ｎｍ、８０ｎｍ、８５ｎｍ、９０ｎｍ、９５ｎｍ、１００ｎｍ、１０５ｎｍ、１１０ｎｍ、１１５ｎｍ、１２０ｎｍ、１２５ｎｍ、１３０ｎｍ、１３５ｎｍ、１４０ｎｍ、１４５ｎｍ、１５０ｎｍ、２００ｎｍ、２１０ｎｍ、２２０ｎｍ、２３０ｎｍ、２４０ｎｍ、２５０ｎｍ、２６０ｎｍ、２７０ｎｍ、２８０ｎｍ、２９０ｎｍ、３００ｎｍ、３５０ｎｍ、４００ｎｍ、４５０ｎｍ、５００ｎｍ、５５０ｎｍ、６００ｎｍ、６５０ｎｍ、７００ｎｍ、７５０ｎｍ、８００ｎｍ、８５０ｎｍ、９００ｎｍ、９５０ｎｍ、１μｍ、１．５μｍ、２．５μｍ、３μｍ、３．５μｍ、４μｍ、４．５μｍ、５μｍ、５．５μｍ、６μｍ、６．５μｍ、７μｍ、７．５μｍ、８μｍ、８．５μｍ、９μｍ、９．５μｍ、１０μｍ、１０．５μｍ、１１μｍ、１１．５μｍ、１２μｍ、１２．５μｍ、１３μｍ、１３．５μｍ、１４μｍ、１４．５μｍ、１５μｍ、１５．５μｍ、１６μｍ、１６．５μｍ、１７μｍ、１７．５μｍ、１８μｍ、１８．５μｍ、１９μｍ、１９．５μｍ、２０μｍ、２０．５μｍ、２１μｍ、２１．５μｍ、２２μｍ、２２．５μｍ、２３μｍ、２３．５μｍ、２４μｍ、２４．５μｍ、２５μｍ、２５．５μｍ、２６μｍ、２６．５μｍ、２７μｍ、２７．５μｍ、２８μｍ、２８．５μｍ、２９μｍ、２９．５μｍ、３０μｍ、３０．５μｍ、３１μｍ、３１．５μｍ、３２μｍ、３２．５μｍ、３３μｍ、３３．５μｍ、３４μｍ、３４．５μｍ、３５μｍ、３５．５μｍ、３６μｍ、３６．５μｍ、３７μｍ、３７．５μｍ、３８μｍ、３８．５μｍ、３９μｍ、３９．５μｍ、４０μｍ、４０．５μｍ、４１μｍ、４１．５μｍ、４２μｍ、４２．５μｍ、４３μｍ、４３．５μｍ、４４μｍ、４４．５μｍ、４５μｍ、４５．５μｍ、４６μｍ、４６．５μｍ、４７μｍ、４７．５μｍ、４８μｍ、４８．５μｍ、４９μｍ、４９．５μｍ、５０μｍ、５０．５μｍ、５１μｍ、５１．５μｍ、５２μｍ、５２．５μｍ、５３μｍ、５３．５μｍ、５４μｍ、５４．５μｍ、５５μｍ、５５．５μｍ、５６μｍ、５６．５μｍ、５７μｍ、５７．５μｍ、５８μｍ、５８．５μｍ、５９μｍ、５９．５μｍ、６０μｍ、６０．５μｍ、６１μｍ、６１．５μｍ、６２μｍ、６２．５μｍ、６３μｍ、６３．５μｍ、６４μｍ、６４．５μｍ、６５μｍ、６５．５μｍ、６６μｍ、６６．５μｍ、６７μｍ、６７．５μｍ、６８μｍ、６８．５μｍ、６９μｍ、６９．５μｍ、７０μｍ、７０．５μｍ、７１μｍ、７１．５μｍ、７２μｍ、７２．５μｍ、７３μｍ、７３．５μｍ、７４μｍ、７４．５μｍ、７５μｍ、７５．５μｍ、７６μｍ、７６．５μｍ、７７μｍ、７７．５μｍ、７８μｍ、７８．５μｍ、７９μｍ、７９．５μｍ、８０μｍ、８０．５μｍ、８１μｍ、８１．５μｍ、８２μｍ、８２．５μｍ、８３μｍ、８３．５μｍ、８４μｍ、８４．５μｍ、８５μｍ、８５．５μｍ、８６μｍ、８６．５μｍ、８７μｍ、８７．５μｍ、８８μｍ、８８．５μｍ、８９μｍ、８９．５μｍ、９０μｍ、９０．５μｍ、９１μｍ、９１．５μｍ、９２μｍ、９２．５μｍ、９３μｍ、９３．５μｍ、９４μｍ、９４．５μｍ、９５μｍ、９５．５μｍ、９６μｍ、９６．５μｍ、９７μｍ、９７．５μｍ、９８μｍ、９８．５μｍ、９９μｍ、９９．５μｍ、１００μｍ、２００μｍ、２５０μｍ、３００μｍ、３５０μｍ、４００μｍ、４５０μｍ、５００μｍ、５５０μｍ、６００μｍ、６５０μｍ、７００μｍ、７５０μｍ、８００μｍ、８５０μｍ、９００μｍ、９５０μｍ、又は１ｍｍの平均サイズを有する。
一実施形態によれば、蛍光体ナノ粒子は、０．１μｍ〜５０μｍの範囲の平均サイズを有する。
一実施形態によれば、複合粒子１は、１つの蛍光体ナノ粒子を含む。
一実施形態によれば、ナノ粒子３はシンチレータナノ粒子である。
一実施形態によれば、シンチレータナノ粒子の例には、ＮａＩ（Ｔｌ）（タリウムをドーピングしたヨウ化ナトリウム）、ＣｓＩ（Ｔｌ）、ＣｓＩ（Ｎａ）、ＣｓＩ（純水）、ＣｓＦ、ＫＩ（Ｔｌ）、ＬｉＩ（Ｅｕ）、ＢａＦ２、ＣａＦ２（Ｅｕ）、ＺｎＳ（Ａｇ）、ＣａＷＯ４、ＣｄＷＯ４、ＹＡＧ（Ｃｅ）（Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２（Ｃｅ））、ＧＳＯ、ＬＳＯ、ＬａＣｌ３（Ｃｅ）（セリウムをドーピングした塩化ランタン）、ＬａＢｒ３（Ｃｅ）（セリウムをドーピングした臭化ランタン）、ＬＹＳＯ（Ｌｕ１．８Ｙ０.２ＳｉＯ５（Ｃｅ））、又はそれらの混合物が含まれるが、これらに限定されない。
一実施形態によれば、ナノ粒子３は、金属ナノ粒子（金、銀、アルミニウム、マグネシウム、又は銅、合金）である。
一実施形態によれば、ナノ粒子３は、有機化合物でコーティングすることができる無機半導体又は絶縁体である。
一実施形態によれば、無機半導体又は絶縁体は、例えば、ＩＶ族半導体（例えば、炭素、ケイ素、ゲルマニウム）、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体（例えば、窒化ガリウム、リン化インジウム、ガリウム砒素）、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体（例えば、セレン化カドミウム、セレン化亜鉛、硫化カドミウム、水銀テルル）、無機酸化物（例えば、インジウム錫酸化物、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化ケイ素）、及び他のカルコゲナイドであり得る。
一実施形態によれば、該半導体ナノ結晶は、式ＭｘＮｙＥｚＡｗの材料を含み、式中、Ｍは、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｈｇ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｍｎ、Ｔｃ、Ｒｅ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｖ、Ｎｄ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｃｓ又はそれらの混合物からなる群から選択され、Ｎは、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｈｇ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｍｎ、Ｔｃ、Ｒｅ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｖ、Ｎｄ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｃｓ又はそれらの混合物からなる群から選択され、Ｅは、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｃ、Ｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、又はそれらの混合物からなる群から選択され、Ａは、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｃ、Ｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、又はそれらの混合物からなる群から選択され、ｘ、ｙ、ｚ及びｗは、独立して０〜５の１０進数であり；ｘ、ｙ、ｚ及びｗは、同時に０であることはなく；ｘ及びｙは、同時に０であることはなく；ｚ及びｗは、同時に０でなくてもよい。
一実施形態によれば、該半導体ナノ結晶は、式ＭｘＮｙＥｚＡｗの材料を含むコアを含み、式中、Ｍは、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｈｇ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｍｎ、Ｔｃ、Ｒｅ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｖ、Ｎｄ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｃｓ又はそれらの混合物からなる群から選択され、Ｎは、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｈｇ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、ＣＯ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｍｎ、Ｔｃ、Ｒｅ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｖ、Ｎｄ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｃｓ又はそれらの混合物からなる群から選択され、Ｅは、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｃ、Ｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、又はそれらの混合物からなる群から選択され、Ａは、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｃ、Ｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ又はそれらの混合物からなる群から選択され、ｘ、ｙ、ｚ及びｗは、独立して０〜５の１０進数であり；ｘ、ｙ、ｚ及びｗは、同時に０であることはなく；ｘ及びｙは、同時に０であることはなく；ｚ及びｗは、同時に０でなくてもよい。
一実施形態によれば、該半導体ナノ結晶は、式ＭｘＮｙＥｚＡｗの材料を含み、式中、Ｍ及び／又はＮは、Ｉｂ、ＩＩａ、ＩＩｂ、ＩＩＩａ、ＩＩＩｂ、ＩＶａ、ＩＶｂ、Ｖａ、Ｖｂ、ＶＩｂ、ＶＩＩｂ、ＶＩＩＩ、又はそれらの混合物からなる群から選択され、Ｅ及び／又はＡは、Ｖａ、ＶＩａ、ＶＩＩａ、又はそれらの混合物からなる群から選択され、ｘ、ｙ、ｚ及びｗは、独立して０〜５の１０進数であり；ｘ、ｙ、ｚ及びｗは、同時に０であることはなく；ｘ及びｙは、同時に０であることはなく；ｚ及びｗは、同時に０でなくてもよい。
一実施形態によれば、該半導体ナノ結晶は、式ＭｘＥｙの材料を含み、式中、Ｍは、Ｃｄ、Ｚｎ、Ｈｇ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｆｅ、Ｉｎ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｍｇ、Ｇａ、Ｔｌ、Ｍｏ、Ｐｄ、Ｗ、Ｃｓ、Ｐｂ、又はそれらの混合物からなる群から選択され、ｘ及びｙは、独立して０〜５の１０進数であり、ただし、ｘ及びｙは、同時に０であることはなく、かつｘは０ではない。
一実施形態によれば、ｗ、ｘ、ｙ及びｚは、独立して０〜５の１０進数であり、ただし、ｗが０である時、ｘ、ｙ及びｚは０ではなく；ｘが０である時、ｗ、ｙ及びｚは０ではなく、ｙが０である時、ｗ、ｘ及びｚは０ではなく、ｚが０である時、ｗ、ｘ及びｙは０ではない。
一実施形態によれば、該半導体ナノ結晶は、式ＭｘＥｙの材料を含み、式中、Ｅは、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｏ、Ｐ、Ｃ、Ｎ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、又はそれらの混合物からなる群から選択され、ｘ及びｙは、独立して０〜５の１０進数であり、ただし、ｘ及びｙは、同時に０であることはなく、かつｘは０ではない。
一実施形態によれば、該半導体ナノ結晶は、ＩＩｂ−ＶＩａ、ＩＶａ−ＶＩａ、Ｉｂ−ＩＩＩａ−ＶＩａ、ＩＩｂ−ＩＶａ−Ｖａ、Ｉｂ−ＶＩａ、ＶＩＩＩ−ＶＩａ、ＩＩｂ−Ｖａ、ＩＩＩａ−ＶＩａ、ＩＶｂ−ＶＩａ、ＩＩａ−ＶＩａ、ＩＩＩａ−Ｖａ、ＩＩＩａ−ＶＩａ、ＶＩｂ−ＶＩａ、及びＶａ−ＶＩａ半導体からなる群から選択される。
一実施形態によれば、該半導体ナノ結晶は、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＨｇＳ、ＨｇＳｅ、ＨｇＴｅ、ＨｇＯ、ＧｅＳ、ＧｅＳｅ、ＧｅＴｅ、ＳｎＳ、ＳｎＳｅ、ＳｎＴｅ、ＰｂＳ、ＰｂＳｅ、ＰｂＴｅ、ＧｅＳ２、ＧｅＳｅ２、ＳｎＳ２、ＳｎＳｅ２、ＣｕＩｎＳ２、ＣｕＩｎＳｅ２、ＡｇＩｎＳ２、ＡｇＩｎＳｅ２、ＣｕＳ、Ｃｕ２Ｓ、Ａｇ２Ｓ、Ａｇ２Ｓｅ、Ａｇ２ｔｅ、ＦｅＳ、ＦｅＳ２、ＩｎＰ、Ｃｄ３Ｐ２、Ｚｎ３Ｐ２、ＣｄＯ、ＺｎＯ、ＦｅＯ、Ｆｅ２Ｏ３、Ｆｅ３Ｏ４、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＭｇＯ、ＭｇＳ、ＭｇＳｅ、ＭｇＴｅ、ＡｌＮ、ＡｌＰ、ＡｌＡｓ、ＡｌＳｂ、ＧａＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＳｂ、ＩｎＮ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、ＩｎＳｂ、ＴｌＮ、ＴｌＰ、ＴｌＡｓ、ＴｌＳｂ、ＭｏＳ２、ＰｄＳ、Ｐｄ４Ｓ、ＷＳ２、ＣｓＰｂＣｌ３、ＰｂＢｒ３、ＣｓＰｂＢｒ３、ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＩ３、ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＣｌ３、ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＢｒ３、ＣｓＰｂＩ３、ＦＡＰｂＢｒ３（ＦＡホルムアミジニウムを有する）、又はそれらの混合物からなる群から選択される材料ＭｘＮｙＥｚＡｗを含む。
一実施形態によれば、該無機ナノ粒子は、半導体ナノプレートレット、ナノシート、ナノリボン、ナノワイヤ、ナノディスク、ナノキューブ、ナノリング、マジックサイズクラスタ、又は例えば、量子ドットなどの球である。
一実施形態によれば、該無機ナノ粒子は、半導体ナノプレートレット、ナノシート、ナノリボン、ナノワイヤ、ナノディスク、ナノキューブ、マジックサイズクラスタ、又はナノリングである。
一実施形態によれば、該無機ナノ粒子は、最初のナノ結晶を含む。
一実施形態によれば、該無機ナノ粒子は、最初のコロイドナノ結晶を含む。
一実施形態によれば、該無機ナノ粒子は、最初のナノプレートレットを含む。
一実施形態によれば、該無機ナノ粒子は、最初のコロイドナノプレートレットを含む。
一実施形態によれば、該無機ナノ粒子はコアナノ粒子であり、各コアは、無機材料の少なくとも１層を含む少なくとも１つのシェルで部分的に又は完全に覆われていない。
一実施形態によれば、該無機ナノ粒子はコア３３ナノ結晶であり、各コア３３は、無機材料の少なくとも１層を含む少なくとも１つのシェルで部分的に又は完全に覆われていない。
一実施形態によれば、該無機ナノ粒子はコア／シェルナノ粒子であり、各コアは、無機材料の少なくとも１層を含む少なくとも１つのシェルで部分的に又は完全に覆われている。
一実施形態によれば、該無機ナノ粒子はコア３３／シェル３４ナノ結晶であり、各コア３３は、無機材料の少なくとも１層を含む少なくとも１つのシェル３４で部分的に又は完全に覆われている。
一実施形態によれば、該コア／シェル半導体ナノ結晶は、式ＭｘＮｙＥｚＡｗの材料を含む少なくとも１つのシェル３４を含み、式中、Ｍは、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｈｇ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｍｎ、Ｔｃ、Ｒｅ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｖ、Ｎｄ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｃｓ又はそれらの混合物からなる群から選択され、Ｎは、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｈｇ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｍｎ、Ｔｃ、Ｒｅ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｖ、Ｎｄ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｃｓ又はそれらの混合物からなる群から選択され、Ｅは、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｃ、Ｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、又はそれらの混合物からなる群から選択され、Ａは、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｃ、Ｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ又はそれらの混合物からなる群から選択され、ｘ、ｙ、ｚ及びｗは、独立して０〜５の１０進数であり；ｘ、ｙ、ｚ及びｗは、同時に０であることはなく；ｘ及びｙは、同時に０であることはなく；ｚ及びｗは、同時に０でなくてもよい。
一実施形態によれば、シェル３４は、コア３３の材料とは異なる材料を含む。
一実施形態によれば、シェル３４は、コア３３の材料と同じ材料を含む。
一実施形態によれば、該コア／シェル半導体ナノ結晶は、式ＭｘＮｙＥｚＡｗの材料を含む２つのシェル（３４、３５）を含み、式中、Ｍは、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｈｇ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｍｎ、Ｔｃ、Ｒｅ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｖ、Ｎｄ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｃｓ又はそれらの混合物からなる群から選択され、Ｎは、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｈｇ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｍｎ、Ｔｃ、Ｒｅ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｖ、Ｎｄ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｃｓ又はそれらの混合物からなる群から選択され、Ｅは、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｃ、Ｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、又はそれらの混合物からなる群から選択され、Ａは、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｃ、Ｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ又はそれらの混合物からなる群から選択され、ｘ、ｙ、ｚ及びｗは、独立して０〜５の１０進数であり；ｘ、ｙ、ｚ及びｗは、同時に０であることはなく；ｘ及びｙは、同時に０であることはなく；ｚ及びｗは、同時に０でなくてもよい。
一実施形態によれば、シェル（３４、３５）は異なる材料を含む。
一実施形態によれば、シェル（３４、３５）は同じ材料を含む。
一実施形態によれば、該コア／シェル半導体ナノ結晶は、式ＭｘＮｙＥｚＡｗの材料を含む少なくとも１つのシェルを含み、式中、Ｍ、Ｎ、Ｅ及びＡは、上記のとおりである。
一実施形態によれば、コア／シェル半導体ナノ結晶の例には、ＣｄＳｅ／ＣｄＳ、ＣｄＳｅ／ＣｄｘＺｎ１−ｘＳ、ＣｄＳｅ／ＣｄＳ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅ／ＺｎＳ／ＣｄＳ、ＣｄＳｅ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅ／ＣｄｘＺｎ１−ｘＳ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅ／ＺｎＳ／ＣｄｘＺｎ１−ｘＳ、ＣｄＳｅ／ＣｄＳ／ＣｄｘＺｎ１−ｘＳ、ＣｄＳｅ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅ／ＺｎＳｅ／ＣｄｘＺｎ１−ｘＳ、ＣｄＳｅｘＳ１−ｘ／ＣｄＳ、ＣｄＳｅｘＳ１−ｘ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＳｅｘＳ１−ｘ／ＣｄＳ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅｘＳ１−ｘ／ＺｎＳ／ＣｄＳ、ＣｄＳｅｘＳ１−ｘ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅｘＳ１−ｘ／ＣｄｘＺｎ１−ｘＳ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅｘＳ１−ｘ／ＺｎＳ／ＣｄｘＺｎ１−ｘＳ、ＣｄＳｅｘＳ１−ｘ／ＣｄＳ／ＣｄｘＺｎ１−ｘＳ、ＣｄＳｅｘＳ１−ｘ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅｘＳ１−ｘ／ＺｎＳｅ／ＣｄｘＺｎ１−ｘＳ、ＩｎＰ／ＣｄＳ、ＩｎＰ／ＣｄＳ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＣｄｘＺｎ１−ｘＳ、ＩｎＰ／ＣｄＳ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳ／ＣｄＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＣｄｘＺｎ１−ｘＳ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳ／ＣｄｘＺｎ１−ｘＳ、ＩｎＰ／ＣｄＳ／ＣｄｘＺｎ１−ｘＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳｅ、ＩｎＰ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳｅ／ＣｄｘＺｎ１−ｘＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳｅｘＳ１−ｘ、ＩｎＰ／ＧａＰ／ＺｎＳ、ＩｎｘＺｎ１−ｘＰ／ＺｎＳ、ＩｎｘＺｎ１−ｘＰ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＧａＰ／ＺｎＳｅ、ＩｎＰ／ＺｎＳ／ＺｎＳｅ、ＩｎＰ／ＧａＰ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ（式中、ｘは０〜１の１０進数である）が含まれるが、これらに限定されない。
一実施形態によれば、該コア／シェル半導体ナノ結晶はＺｎＳに富み、すなわち、シェルの最後の単層はＺｎＳ単層である。
一実施形態によれば、該コア／シェル半導体ナノ結晶はＣｄＳに富み、すなわち、シェルの最後の単層はＣｄＳ単層である。
一実施形態によれば、該コア／シェル半導体ナノ結晶はＣｄｘＺｎ１−ｘＳに富み、すなわち、シェルの最後の単層はＣｄｘＺｎ１−ｘＳ単層であり、式中、ｘは０〜１の１０進数である。
一実施形態によれば、該半導体ナノ結晶の最後の原子層は、カドミウム、亜鉛、又はインジウムの陽イオンに富む単層である。
一実施形態によれば、該半導体ナノ結晶の最後の原子層は、硫黄、セレン又はリンの陰イオンに富む単層である。
一実施形態によれば、該無機ナノ粒子は、コア／クラウン半導体ナノ結晶である。
一実施形態によれば、コア／クラウン半導体ナノ結晶は、式ＭｘＮｙＥｚＡｗの材料を含む少なくとも１つのクラウン３７を含み、式中、Ｍは、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｈｇ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｍｎ、Ｔｃ、Ｒｅ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｖ、Ｎｄ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｃｓ又はそれらの混合物からなる群から選択され、Ｎは、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｈｇ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｍｎ、Ｔｃ、Ｒｅ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｖ、Ｎｄ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｃｓ又はそれらの混合物からなる群から選択され、Ｅは、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｃ、Ｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、又はそれらの混合物からなる群から選択され、Ａは、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｃ、Ｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ又はそれらの混合物からなる群から選択され、ｘ、ｙ、ｚ及びｗは、独立して０〜５の１０進数であり；ｘ、ｙ、ｚ及びｗは、同時に０であることはなく；ｘ及びｙは、同時に０であることはなく；ｚ及びｗは、同時に０でなくてもよい。
一実施形態によれば、コア／クラウン半導体ナノ結晶は、式ＭｘＮｙＥｚＡｗの材料を含む少なくとも１つのクラウン３７を含み、式中、Ｍ、Ｎ、Ｅ及びＡは上記のとおりである。
一実施形態によれば、クラウン３７は、コア３３の材料とは異なる材料を含む。
一実施形態によれば、クラウン３７は、コア３３の材料と同じ材料を含む。
一実施形態によれば、該半導体ナノ結晶は、原子レベルで平坦である。この実施形態において、原子レベルで平坦な半導体ナノ結晶は、透過型電子顕微鏡又は蛍光走査顕微鏡、エネルギー分散型Ｘ線分光法（ＥＤＳ）、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）、ＵＶ光電子分光法（ＵＰＳ）、電子エネルギー損失分光法（ＥＥＬＳ）、光発光、又は当業者に公知の任意の他の特徴付け手段によって証明され得る。
一実施形態によれば、ナノ粒子３は、半導体ナノプレートレットを少なくとも１％、５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は１００％含む。
一実施形態によれば、該無機ナノ粒子は、半導体ナノプレートレットを少なくとも１％、５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は１００％含む。
一実施形態によれば、該半導体ナノ結晶は、半導体ナノプレートレットを少なくとも１％、５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は１００％含む。
一実施形態によれば、複合粒子１は、半導体ナノプレートレットを少なくとも１％、５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は１００％含む。
一実施形態によれば、該半導体ナノ結晶は、原子レベルで平坦なコアを含む。この実施形態において、原子レベルで平坦なコアは、透過型電子顕微鏡又は蛍光走査顕微鏡、エネルギー分散型Ｘ線分光法（ＥＤＳ）、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）、ＵＶ光電子分光法（ＵＰＳ）、電子エネルギー損失分光法（ＥＥＬＳ）、光発光、又は当業者に公知の任意の他の特徴付け手段によって証明され得る。
一実施形態によれば、該半導体ナノ結晶は、最初のナノプレートレットを含む。
一実施形態によれば、該半導体ナノ結晶は、最初のコロイドナノプレートレットを含む。
一実施形態によれば、該半導体ナノ結晶は、半導体ナノプレートレットである。
一実施形態によれば、該半導体ナノプレートレットは、原子レベルで平坦である。この実施形態において、原子レベルで平坦な半導体ナノプレートレットは、透過型電子顕微鏡又は蛍光走査顕微鏡、エネルギー分散型Ｘ線分光法（ＥＤＳ）、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）、ＵＶ光電子分光法（ＵＰＳ）、電子エネルギー損失分光法（ＥＥＬＳ）、光発光、又は当業者に公知の任意の他の特徴付け手段によって証明され得る。
一実施形態によれば、該半導体ナノプレートレットは、原子レベルで平坦なコアを含む。この実施形態において、原子レベルで平坦なコアは、透過型電子顕微鏡又は蛍光走査顕微鏡、エネルギー分散型Ｘ線分光法（ＥＤＳ）、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）、ＵＶ光電子分光法（ＵＰＳ）、電子エネルギー損失分光法（ＥＥＬＳ）、光発光、又は当業者に公知の任意の他の特徴付け手段によって証明され得る。
一実施形態によれば、該半導体ナノプレートレットは、疑似２Ｄである。
一実施形態によれば、該半導体ナノプレートレットは、２Ｄ形状である。
一実施形態によれば、該半導体ナノプレートレットは、原子レベルで調整された厚さを有する。
一実施形態によれば、該半導体ナノプレートレットは、最初のナノ結晶を含む。
一実施形態によれば、該半導体ナノプレートレットは、最初のコロイドナノ結晶を含む。
一実施形態によれば、該半導体ナノプレートレットは、最初のナノプレートレットを含む。
一実施形態によれば、該半導体ナノプレートレットは、最初のコロイドナノプレートレットを含む。
一実施形態によれば、該半導体ナノプレートレットのコア３３は、最初のナノプレートレットである。
一実施形態によれば、該最初のナノプレートレットは、式ＭｘＮｙＥｚＡｗの材料を含み、式中、Ｍ、Ｎ、Ｅ及びＡは上記のとおりである。
一実施形態によれば、該最初のナノプレートレットの厚さは、Ｍ及びＥの原子層を交互に含む。
一実施形態によれば、該最初のナノプレートレットの厚さは、Ｍ、Ｎ、Ａ及びＥの原子層を交互に含む。
一実施形態によれば、半導体ナノプレートレットは、追加の材料の少なくとも１層で部分的に又は完全に覆われた最初のナノプレートレットを含む。
一実施形態によれば、追加の材料の少なくとも１層は、式ＭｘＮｙＥｚＡｗの材料を含み、式中、Ｍ、Ｎ、Ｅ及びＡは上記のとおりである。
一実施形態によれば、半導体ナノプレートレットは、追加の材料の少なくとも１層によって、少なくとも１つの面上で部分的に又は完全に覆われた最初のナノプレートレットを含む。
いくつかの層が最初のナノプレートレットの全て又は一部を覆っている一実施形態において、これらの層は、同じ材料で構成されるか、又は異なる材料で構成され得る。
いくつかの層が最初のナノプレートレットの全て又は一部を覆っている一実施形態において、これらの層は、材料の勾配を形成するように構成され得る。
一実施形態において、最初のナノプレートレットは、無機コロイドナノプレートレットである。
一実施形態において、半導体ナノプレートレットに含まれる最初のナノプレートレットは、その２Ｄ構造を維持している。
一実施形態において、最初のナノプレートレットを覆っている材料は、無機である。
一実施形態において、半導体ナノプレートレットの少なくとも一部は、最初のナノプレートレットの厚さを上回る厚さを有する。
一実施形態において、該半導体ナノプレートレットは、材料の少なくとも１層で完全に覆われた最初のナノプレートレットを含む。
一実施形態において、半導体ナノプレートレットは、材料の第１の層で完全に覆われた最初のナノプレートレットを含み、前記第１の層は、材料の少なくとも第２の層で部分的に又は完全に覆われている。
一実施形態において、最初のナノプレートレットは、少なくとも０．３ｎｍ、０．４ｎｍ、０．５ｎｍ、０．６ｎｍ、０．７ｎｍ、０．８ｎｍ、０.９ｎｍ、１．０ｎｍ、１．１ｎｍ、１．２ｎｍ、１．３ｎｍ、１．４ｎｍ、１．５ｎｍ、２ｎｍ、２．５ｎｍ、３ｎｍ、３．５ｎｍ、４ｎｍ、４．５ｎｍ、５ｎｍ、５．５ｎｍ、６ｎｍ、６．５ｎｍ、７ｎｍ、７．５ｎｍ、８ｎｍ、８．５ｎｍ、９ｎｍ、９．５ｎｍ、１０ｎｍ、１０．５ｎｍ、１１ｎｍ、１１．５ｎｍ、１２ｎｍ、１２．５ｎｍ、１３ｎｍ、１３．５ｎｍ、１４ｎｍ、１４．５ｎｍ、１５ｎｍ、１５．５ｎｍ、１６ｎｍ、１６．５ｎｍ、１７ｎｍ、１７．５ｎｍ、１８ｎｍ、１８．５ｎｍ、１９ｎｍ、１９．５ｎｍ、２０ｎｍ、３０ｎｍ、４０ｎｍ、５０ｎｍ、６０ｎｍ、７０ｎｍ、８０ｎｍ、９０ｎｍ、１００ｎｍ、１１０ｎｍ、１２０ｎｍ、１３０ｎｍ、１４０ｎｍ、１５０ｎｍ、１６０ｎｍ、１７０ｎｍ、１８０ｎｍ、１９０ｎｍ、２００ｎｍ、２１０ｎｍ、２２０ｎｍ、２３０ｎｍ、２４０ｎｍ、２５０ｎｍ、２６０ｎｍ、２７０ｎｍ、２８０ｎｍ、２９０ｎｍ、３００ｎＭ、３５０ｎｍ、４００ｎｍ、４５０ｎｍ、又は５００ｎｍの厚さを有する。
一実施形態によれば、最初のナノプレートレットの厚さは、最初のナノプレートレットの横方向の寸法（長さ又は幅）の少なくとも１つよりも少なくとも１．５、少なくとも２、少なくとも２．５、少なくとも３、少なくとも３．５、少なくとも４、少なくとも４．５、少なくとも５、少なくとも５．５、少なくとも６、少なくとも６．５、少なくとも７、少なくとも７．５、少なくとも８、少なくとも８．５、少なくとも９、少なくとも９．５、少なくとも１０、少なくとも１０．５、少なくとも１１、少なくとも１１．５、少なくとも１２、少なくとも１２．５、少なくとも１３、少なくとも１３．５、少なくとも１４、少なくとも１４．５、少なくとも１５、少なくとも１５．５、少なくとも１６、少なくとも１６．５、少なくとも１７、少なくとも１７．５、少なくとも１８、少なくとも１８．５、少なくとも１９、少なくとも１９．５、少なくとも２０、少なくとも２５、少なくとも３０、少なくとも３５、少なくとも４０、少なくとも４５、少なくとも５０、少なくとも５５、少なくとも６０、少なくとも６５、少なくとも７０、少なくとも７５、少なくとも８０、少なくとも８５、少なくとも９０、少なくとも９５、少なくとも１００、少なくとも１５０、少なくとも２００、少なくとも２５０、少なくとも３００、少なくとも３５０、少なくとも４００、少なくとも４５０、少なくとも５００、少なくとも５５０、少なくとも６００、少なくとも６５０、少なくとも７００、少なくとも７５０、少なくとも８００、少なくとも８５０、少なくとも９００、少なくとも９５０、又は少なくとも１０００倍（アスペクト比）小さい。
一実施形態において、最初のナノプレートレットは、少なくとも２ｎｍ、３ｎｍ、４ｎｍ、５ｎｍ、６ｎｍ、７ｎｍ、８ｎｍ、９ｎｍ、１０ｎｍ、１５ｎｍ、２０ｎｍ、２５ｎｍ、３０ｎｍ、３５ｎｍ、４０ｎｍ、４５ｎｍ、４６ｎｍ、４７ｎｍ、４８ｎｍ、４９ｎｍ、５０ｎｍ、５５ｎｍ、６０ｎｍ、６５ｎｍ、７０ｎｍ、７５ｎｍ、８０ｎｍ、８５ｎｍ、９０ｎｍ、９５ｎｍ、１００ｎｍ、１０５ｎｍ、１１０ｎｍ、１１５ｎｍ、１２０ｎｍ、１２５ｎｍ、１３０ｎｍ、１３５ｎｍ、１４０ｎｍ、１４５ｎｍ、１５０ｎｍ、２００ｎｍ、２１０ｎｍ、２２０ｎｍ、２３０ｎｍ、２４０ｎｍ、２５０ｎｍ、２６０ｎｍ、２７０ｎｍ、２８０ｎｍ、２９０ｎｍ、３００ｎｍ、３５０ｎｍ、４００ｎｍ、４５０ｎｍ、５００ｎｍ、５５０ｎｍ、６００ｎｍ、６５０ｎｍ、７００ｎｍ、７５０ｎｍ、８００ｎｍ、８５０ｎｍ、９００ｎｍ、９５０ｎｍ、１μｍ、１．５μｍ、２．５μｍ、３μｍ、３．５μｍ、４μｍ、４．５μｍ、５μｍ、５．５μｍ、６μｍ、６．５μｍ、７μｍ、７．５μｍ、８μｍ、８．５μｍ、９μｍ、９．５μｍ、１０μｍ、１０．５μｍ、１１μｍ、１１．５μｍ、１２μｍ、１２．５μｍ、１３μｍ、１３．５μｍ、１４μｍ、１４．５μｍ、１５μｍ、１５．５μｍ、１６μｍ、１６．５μｍ、１７μｍ、１７．５μｍ、１８μｍ、１８．５μｍ、１９μｍ、１９．５μｍ、２０μｍ、２０．５μｍ、２１μｍ、２１．５μｍ、２２μｍ、２２．５μｍ、２３μｍ、２３．５μｍ、２４μｍ、２４．５μｍ、２５μｍ、２５．５μｍ、２６μｍ、２６．５μｍ、２７μｍ、２７．５μｍ、２８μｍ、２８．５μｍ、２９μｍ、２９．５μｍ、３０μｍ、３０．５μｍ、３１μｍ、３１．５μｍ、３２μｍ、３２．５μｍ、３３μｍ、３３．５μｍ、３４μｍ、３４．５μｍ、３５μｍ、３５．５μｍ、３６μｍ、３６．５μｍ、３７μｍ、３７．５μｍ、３８μｍ、３８．５μｍ、３９μｍ、３９．５μｍ、４０μｍ、４０．５μｍ、４１μｍ、４１．５μｍ、４２μｍ、４２．５μｍ、４３μｍ、４３．５μｍ、４４μｍ、４４．５μｍ、４５μｍ、４５．５μｍ、４６μｍ、４６．５μｍ、４７μｍ、４７．５μｍ、４８μｍ、４８．５μｍ、４９μｍ、４９．５μｍ、５０μｍ、５０．５μｍ、５１μｍ、５１．５μｍ、５２μｍ、５２．５μｍ、５３μｍ、５３．５μｍ、５４μｍ、５４．５μｍ、５５μｍ、５５．５μｍ、５６μｍ、５６．５μｍ、５７μｍ、５７．５μｍ、５８μｍ、５８．５μｍ、５９μｍ、５９．５μｍ、６０μｍ、６０．５μｍ、６１μｍ、６１．５μｍ、６２μｍ、６２．５μｍ、６３μｍ、６３．５μｍ、６４μｍ、６４．５μｍ、６５μｍ、６５．５μｍ、６６μｍ、６６．５μｍ、６７μｍ、６７．５μｍ、６８μｍ、６８．５μｍ、６９μｍ、６９．５μｍ、７０μｍ、７０．５μｍ、７１μｍ、７１．５μｍ、７２μｍ、７２．５μｍ、７３μｍ、７３．５μｍ、７４μｍ、７４．５μｍ、７５μｍ、７５．５μｍ、７６μｍ、７６．５μｍ、７７μｍ、７７．５μｍ、７８μｍ、７８．５μｍ、７９μｍ、７９．５μｍ、８０μｍ、８０．５μｍ、８１μｍ、８１．５μｍ、８２μｍ、８２．５μｍ、８３μｍ、８３．５μｍ、８４μｍ、８４．５μｍ、８５μｍ、８５．５μｍ、８６μｍ、８６．５μｍ、８７μｍ、８７．５μｍ、８８μｍ、８８．５μｍ、８９μｍ、８９．５μｍ、９０μｍ、９０．５μｍ、９１μｍ、９１．５μｍ、９２μｍ、９２．５μｍ、９３μｍ、９３．５μｍ、９４μｍ、９４．５μｍ、９５μｍ、９５．５μｍ、９６μｍ、９６．５μｍ、９７μｍ、９７．５μｍ、９８μｍ、９８．５μｍ、９９μｍ、９９．５μｍ、１００μｍ、２００μｍ、２５０μｍ、３００μｍ、３５０μｍ、４００μｍ、４５０μｍ、５００μｍ、５５０μｍ、６００μｍ、６５０μｍ、７００μｍ、７５０μｍ、８００μｍ、８５０μｍ、９００μｍ、９５０μｍ、又は１ｍｍの横寸法を有する。
一実施形態によれば、該半導体ナノプレートレットは、少なくとも０．３ｎｍ、０．４ｎｍ、０．５ｎｍ、０．６ｎｍ、０．７ｎｍ、０．８ｎｍ、０．９ｎｍ、１．０ｎｍ、１．１ｎｍ、１．２ｎｍ、１．３ｎｍ、１．４ｎｍ、１．５ｎｍ、２ｎｍ、２．５ｎｍ、３ｎｍ、３．５ｎｍ、４ｎｍ、４．５ｎｍ、５ｎｍ、５．５ｎｍ、６ｎｍ、６．５ｎｍ、７ｎｍ、７．５ｎｍ、８ｎｍ、８．５ｎｍ、９ｎｍ、９．５ｎｍ、１０ｎｍ、１０．５ｎｍ、１１ｎｍ、１１．５ｎｍ、１２ｎｍ、１２．５ｎｍ、１３ｎｍ、１３．５ｎｍ、１４ｎｍ、１４．５ｎｍ、１５ｎｍ、１５．５ｎｍ、１６ｎｍ、１６．５ｎｍ、１７ｎｍ、１７．５ｎｍ、１８ｎｍ、１８．５ｎｍ、１９ｎｍ、１９．５ｎｍ、２０ｎｍ、３０ｎｍ、４０ｎｍ、５０ｎｍ、６０ｎｍ、７０ｎｍ、８０ｎｍ、１００ｎｍ、１１０ｎｍ、１２０ｎｍ、１３０ｎｍ、１４０ｎｍ、１５０ｎｍ、１６０ｎｍ、１７０ｎｍ、１８０ｎｍ、１９０ｎｍ、２００ｎｍ、２１０ｎｍ、２２０ｎｍ、２３０ｎｍ、２４０ｎｍ、２５０ｎｍ、２６０ｎｍ、２７０ｎｍ、２８０ｎｍ、２９０ｎｍ、３００ｎｍ、３５０ｎｍ、４００ｎｍ、４５０ｎｍ、又は５００ｎｍの厚さを有する。
一実施形態によれば、該半導体ナノプレートレットは、少なくとも２ｎｍ、３ｎｍ、４ｎｍ、５ｎｍ、６ｎｍ、７ｎｍ、８ｎｍ、９ｎｍ、１０ｎｍ、１５ｎｍ、２０ｎｍ、２５ｎｍ、３０ｎｍ、３５ｎｍ、４０ｎｍ、４５ｎｍ、４６ｎｍ、４７ｎｍ、４８ｎｍ、４９ｎｍ、５０ｎｍ、５５ｎｍ、６０ｎｍ、６５ｎｍ、７０ｎｍ、７５ｎｍ、８０ｎｍ、８５ｎｍ、９０ｎｍ、９５ｎｍ、１００ｎｍ、１０５ｎｍ、１１０ｎｍ、１１５ｎｍ、１２０ｎｍ、１２５ｎｍ、１３０ｎｍ、１３５ｎｍ、１４０ｎｍ、１４５ｎｍ、１５０ｎｍ、２００ｎｍ、２１０ｎｍ、２２０ｎｍ、２３０ｎｍ、２４０ｎｍ、２５０ｎｍ、２６０ｎｍ、２７０ｎｍ、２８０ｎｍ、２９０ｎｍ、３００ｎｍ、３５０ｎｍ、４００ｎｍ、４５０ｎｍ、５００ｎｍ、５５０ｎｍ、６００ｎｍ、６５０ｎｍ、７００ｎｍ、７５０ｎｍ、８００ｎｍ、８５０ｎｍ、９００ｎｍ、９５０ｎｍ、１μｍ、１．５μｍ、２．５μｍ、３μｍ、３．５μｍ、４μｍ、４．５μｍ、５μｍ、５．５μｍ、６μｍ、６．５μｍ、７μｍ、７．５μｍ、８μｍ、８．５μｍ、９μｍ、９．５μｍ、１０μｍ、１０．５μｍ、１１μｍ、１１．５μｍ、１２μｍ、１２．５μｍ、１３μｍ、１３．５μｍ、１４μｍ、１４．５μｍ、１５μｍ、１５．５μｍ、１６μｍ、１６．５μｍ、１７μｍ、１７．５μｍ、１８μｍ、１８．５μｍ、１９μｍ、１９．５μｍ、２０μｍ、２０．５μｍ、２１μｍ、２１．５μｍ、２２μｍ、２２．５μｍ、２３μｍ、２３．５μｍ、２４μｍ、２４．５μｍ、２５μｍ、２５．５μｍ、２６μｍ、２６．５μｍ、２７μｍ、２７．５μｍ、２８μｍ、２８．５μｍ、２９μｍ、２９．５μｍ、３０μｍ、３０．５μｍ、３１μｍ、３１．５μｍ、３２μｍ、３２．５μｍ、３３μｍ、３３．５μｍ、３４μｍ、３４．５μｍ、３５μｍ、３５．５μｍ、３６μｍ、３６．５μｍ、３７μｍ、３７．５μｍ、３８μｍ、３８．５μｍ、３９μｍ、３９．５μｍ、４０μｍ、４０．５μｍ、４１μｍ、４１．５μｍ、４２μｍ、４２．５μｍ、４３μｍ、４３．５μｍ、４４μｍ、４４．５μｍ、４５μｍ、４５．５μｍ、４６μｍ、４６．５μｍ、４７μｍ、４７．５μｍ、４８μｍ、４８．５μｍ、４９μｍ、４９．５μｍ、５０μｍ、５０．５μｍ、５１μｍ、５１．５μｍ、５２μｍ、５２．５μｍ、５３μｍ、５３．５μｍ、５４μｍ、５４．５μｍ、５５μｍ、５５．５μｍ、５６μｍ、５６．５μｍ、５７μｍ、５７．５μｍ、５８μｍ、５８．５μｍ、５９μｍ、５９．５μｍ、６０μｍ、６０．５μｍ、６１μｍ、６１．５μｍ、６２μｍ、６２．５μｍ、６３μｍ、６３．５μｍ、６４μｍ、６４．５μｍ、６５μｍ、６５．５μｍ、６６μｍ、６６．５μｍ、６７μｍ、６７．５μｍ、６８μｍ、６８．５μｍ、６９μｍ、６９．５μｍ、７０μｍ、７０．５μｍ、７１μｍ、７１．５μｍ、７２μｍ、７２．５μｍ、７３μｍ、７３．５μｍ、７４μｍ、７４．５μｍ、７５μｍ、７５．５μｍ、７６μｍ、７６．５μｍ、７７μｍ、７７．５μｍ、７８μｍ、７８．５μｍ、７９μｍ、７９．５μｍ、８０μｍ、８０．５μｍ、８１μｍ、８１．５μｍ、８２μｍ、８２．５μｍ、８３μｍ、８３．５μｍ、８４μｍ、８４．５μｍ、８５μｍ、８５．５μｍ、８６μｍ、８６．５μｍ、８７μｍ、８７．５μｍ、８８μｍ、８８．５μｍ、８９μｍ、８９．５μｍ、９０μｍ、９０．５μｍ、９１μｍ、９１．５μｍ、９２μｍ、９２．５μｍ、９３μｍ、９３．５μｍ、９４μｍ、９４．５μｍ、９５μｍ、９５．５μｍ、９６μｍ、９６．５μｍ、９７μｍ、９７．５μｍ、９８μｍ、９８．５μｍ、９９μｍ、９９．５μｍ、１００μｍ、２００μｍ、２５０μｍ、３００μｍ、３５０μｍ、４００μｍ、４５０μｍ、５００μｍ、５５０μｍ、６００μｍ、６５０μｍ、７００μｍ、７５０μｍ、８００μｍ、８５０μｍ、９００μｍ、９５０μｍ、又は１ｍｍの横寸法を有する。
一実施形態によれば、該半導体ナノプレートレットの厚さは、該半導体ナノプレートレットの横方向の寸法（長さ又は幅）の少なくとも１つよりも少なくとも１．５、少なくとも２、少なくとも２．５、少なくとも３、少なくとも３．５、少なくとも４、少なくとも４．５、少なくとも５、少なくとも５．５、少なくとも６、少なくとも６．５、少なくとも７、少なくとも７．５、少なくとも８、少なくとも８．５、少なくとも９、少なくとも９．５、少なくとも１０、少なくとも１０．５、少なくとも１１、少なくとも１１．５、少なくとも１２、少なくとも１２．５、少なくとも１３、少なくとも１３．５、少なくとも１４、少なくとも１４．５、少なくとも１５、少なくとも１５．５、少なくとも１６、少なくとも１６．５、少なくとも１７、少なくとも１７．５、少なくとも１８、少なくとも１８．５、少なくとも１９、少なくとも１９．５、少なくとも２０、少なくとも２５、少なくとも３０、少なくとも３５、少なくとも４０、少なくとも４５、少なくとも５０、少なくとも５５、少なくとも６０、少なくとも６５、少なくとも７０、少なくとも７５、少なくとも８０、少なくとも８５、少なくとも９０、少なくとも９５、少なくとも１００、少なくとも１５０、少なくとも２００、少なくとも２５０、少なくとも３００、少なくとも３５０、少なくとも４００、少なくとも４５０、少なくとも５００、少なくとも５５０、少なくとも６００、少なくとも６５０、少なくとも７００、少なくとも７５０、少なくとも８００、少なくとも８５０、少なくとも９００、少なくとも９５０、又は少なくとも１０００倍（アスペクト比）小さい。
一実施形態によれば、該半導体ナノプレートレットは、少なくとも１つの最初のナノプレートレットの表面上での材料の膜若しくは層の堆積による少なくとも１つの最初のナノプレートレットの少なくとも一方の面の厚さの成長のプロセスによって、又は少なくとも１つの最初のナノプレートレットの表面上での材料の膜若しくは層の堆積による少なくとも１つの最初のナノプレートレットの少なくとも一方の面の横方向の成長のプロセスによって、又は当業者に公知の任意の方法によって得られる。
一実施形態において、該半導体ナノプレートレットは、最初のナノプレートレット及び最初のナノプレートレットの全て又は一部を覆っている１、２、３、４、５又はそれ以上の層を含み、前記層は、最初のナノプレートレットと同じ組成であるか、又は最初のナノプレートレットと異なる組成であるか、又は互いに異なる組成である。
一実施形態において、該半導体ナノプレートレットは、最初のナノプレートレット及び少なくとも１、２、３、４、５又はそれ以上の層を含み、その中の第１の堆積層は、最初のナノプレートレットの全部又は一部を覆っており、少なくとも第２の堆積層は前の堆積層の全部又は一部を覆っており、前記層は、最初のナノプレートレットと同じ組成であるか、又は最初のナノプレートレットと異なる組成であり、かつ互いに異なる組成である可能性がある。
一実施形態によれば、該半導体ナノプレートレットは、ＭｘＮｙＥｚＡｗ（式中、Ｍ、Ｎ、Ｅ、及びＡは上記のとおりである）単層によって定量化された厚さを有する。
一実施形態によれば、該半導体ナノプレートレットのコア３３は、少なくとも１つのＭｘＮｙＥｚＡｗ単層、少なくとも２つのＭｘＮｙＥｚＡｗ単層、少なくとも３つのＭｘＮｙＥｚＡｗ単層、少なくとも４つのＭｘＮｙＥｚＡｗ単層、少なくとも５つのＭｘＮｙＥｚＡｗ単層の厚さを有する（式中、Ｍ、Ｎ、Ｅ、及びＡは上記のとおりである）。
一実施形態によれば、該半導体ナノプレートレットのシェル３４は、ＭｘＮｙＥｚＡｗ（式中、Ｍ、Ｎ、Ｅ、及びＡは上記のとおりである）単層によって定量化された厚さを有する（式中、Ｍ、Ｎ、Ｅ、及びＡは上記のとおりである）。
一実施形態によれば、複合粒子１は、さらに、無機材料２中に分散している少なくとも１つの高密度粒子９を含む。この実施形態において、前記少なくとも１つの高密度粒子９は、無機材料２の密度よりも優れた密度を有する高密度材料を含む。
一実施形態によれば、該高密度材料は、３ｅＶより優れているか、又は３ｅＶと等しいバンドギャップを有する。
一実施形態によれば、高密度材料の例には、例えば、酸化錫、酸化ケイ素、酸化ゲルマニウム、酸化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化ハフニウム（ｈａｆｍｉｕｍ ｏｘｉｄｅ）、酸化チタン、酸化タンタル、酸化イッテルビウム、酸化ジルコニウム、酸化イットリウム、酸化トリウム、酸化亜鉛、酸化ランタニド、酸化アクチニド、アルカリ土類金属酸化物、混合酸化物、それらの混合酸化物；金属硫化物；炭化物；窒化物；又はそれらの混合物が含まれるが、これらに限定されない。
一実施形態によれば、少なくとも１つの高密度粒子９は、７０％、６０％、５０％、４０％、３０％、２０％、１０％又は１％の最大充填率を有する。
一実施形態によれば、少なくとも１つの高密度粒子９は、少なくとも３、４、５、６、７、８、９、又は１０の密度を有する。
好ましい実施形態によれば、複合粒子１の例には、無機材料に封入された半導体ナノ粒子、無機材料に封入された半導体ナノ結晶、無機材料に封入された半導体ナノプレートレット、無機材料に封入されたペロブスカイトナノ粒子、無機材料に封入された蛍光体ナノ粒子、グリースでコーティングされ、次いで、無機材料に封入された半導体ナノプレートレット、例えば、Ａｌ２Ｏ３など、又はそれらの混合物が含まれるが、これらに限定されない。この実施形態において、グリースは、例えば、長鎖無極性炭素鎖分子などの脂質；帯電した末端基を保有するリン脂質分子；ポリマーの１つの部分が、長鎖無極性炭素鎖のドメイン、骨格の一部又はポリマー側鎖の一部のいずれかを有するブロックコポリマー又はコポリマーなどのポリマー；又はカルボキシレート、スルフェート、ホスホネート若しくはチオールを含む末端官能基を有する長鎖炭化水素鎖を指すことができる。
好ましい実施形態によれば、複合粒子１の例には、ＣｄＳｅ／ＣｄＺｎＳ＠ＳｉＯ２、ＣｄＳｅ／ＣｄＺｎＳ＠ＳｉｘＣｄｙＺｎｚＯｗ、ＣｄＳｅ／ＣｄＺｎｓ＠Ａｌ２Ｏ３、ＩｎＰ／ＺｎＳ＠Ａｌ２Ｏ３、ＣＨ５Ｎ２−ＰｂＢｒ３＠Ａｌ２Ｏ３、ＣｄＳｅ／ＣｄＺｎＳ−Ａｕ＠ＳｉＯ２、Ｆｅ３Ｏ４＠Ａｌ２Ｏ３−ＣｄＳｅ／ＣｄＺｎＳ＠ＳｉＯ２、ＣｄＳ／ＺｎＳ＠Ａｌ２Ｏ３、ＣｄＳｅＳ／ＣｄＺｎＳ＠Ａｌ２Ｏ３、ＣｄＳｅ／ＣｄＳ／ＺｎＳ＠Ａｌ２Ｏ３,＾ ＩｎＰ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ＠Ａｌ２Ｏ３、ＣｕＩｎＳ２／ＺｎＳ＠Ａｌ２Ｏ３、ＣｕＩｎＳｅ２／ＺｎＳ＠Ａｌ２Ｏ３、ＣｄＳｅ／ＣｄＳ／ＺｎＳ＠ＳｉＯ２、ＣｄＳｅＳ／ＺｎＳ＠Ａｌ２Ｏ３,＾ ＣｄＳｅＳ／ＣｄＺｎｓ＠ＳｉＯ２、ＩｎＰ／ＺｎＳ＠ＳｉＯ２、ＣｄＳｅＳ／ＣｄＺｎＳ＠ＳｉＯ２、ＩｎＰ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ＠ＳｉＯ２、Ｆｅ３Ｏ４＠Ａｌ２Ｏ３、ＣｄＳｅ／ＣｄＺｎＳ＠ＺｎＯ、ＣｄＳｅ／ＣｄＺｎＳ＠ＺｎＯ、ＣｄＳｅ／ＣｄＺｎＳ＠Ａｌ２Ｏ３＠ＭｇＯ、ＣｄＳｅ／ＣｄＺｎＳ−Ｆｅ３Ｏ４＠ＳｉＯ２、ｐｈｏｓｐｈｏｒ ｎａｎｏｐａｒｔｉｃｌｅｓ＠Ａｌ２Ｏ３、ｐｈｏｓｐｈｏｒ ｎａｎｏｐａｒｔｉｃｌｅｓ＠ＺｎＯ、ｐｈｏｓｐｈｏｒ ｎａｎｏｐａｒｔｉｃｌｅｓ＠ ＳｉＯ２、ｐｈｏｓｐｈｏｒ ｎａｎｏｐａｒｔｉｃｌｅｓ＠ＨｆＯ２、ＣｄＳｅ／ＣｄＺｎＳ＠ＨｆＯ２、ＣｄＳｅＳ／ＣｄＺｎＳ＠ＨｆＯ２、ＩｎＰ／ＺｎＳ＠ＨｆＯ２、ＣｄＳｅＳ／ＣｄＺｎＳ＠ＨｆＯ２、ＩｎＰ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ＠ＨｆＯ２、ＣｄＳｅ／ＣｄＺｎＳ−Ｆｅ３Ｏ４＠ＨｆＯ２、ＣｄＳｅ／ＣｄＳ／ＺｎＳ＠ＳｉＯ２、又はそれらの混合物；式中、蛍光体ナノ粒子には、イットリウムアルミニウムガーネット粒子（ＹＡＧ、Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２）、（Ｃａ,Ｙ）−α−ＳｉＡｌＯＮ：Ｅｕ粒子、（（Ｙ,Ｇｄ）３（Ａｌ,Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ）粒子、ＣａＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ粒子、硫化物系蛍光体粒子、ＰＦＳ：Ｍｎ４＋粒子（ケイフッ化カリウム）が含まれるが、これらに限定されない。
一実施形態によれば、複合粒子１は、ＴｉＯ２に封入された量子ドット、ＴｉＯ２に封入された半導体ナノ結晶、又はＴｉＯ２に封入された半導体ナノプレートレットを含まない。
一実施形態によれば、複合粒子１は、ナノ粒子３と無機材料２の間にスペーサー層を含まない。
一実施形態によれば、複合粒子１は１種のコア／シェルナノ粒子を含まず、該コアは、発光性で、赤色光を放ち、該シェルは、ナノ粒子３と無機材料２の間のスペーサー層である。
一実施形態によれば、複合粒子１は、コア／シェルナノ粒子及び複数のナノ粒子３を含まず、該コアは、発光性で、赤色光を放ち、該シェルは、ナノ粒子３と無機材料２の間のスペーサー層である。
一実施形態によれば、複合粒子１は、少なくとも１種の発光性コア、スペーサー層、封入層及び複数の量子ドットを含まず、該発光性コアは赤色光を放ち、該スペーサー層は、前記発光性コアと無機材料２の間に位置している。
一実施形態によれば、複合粒子１は、スペーサー層によって囲まれ、赤色光を放つ発光性コアを含まない。
一実施形態によれば、複合粒子１は、発光性コアを覆うか、又は囲んでいるナノ粒子を含まない。
一実施形態によれば、複合粒子１は、赤色光を放つ発光性コアを覆うか、又は囲んでいるナノ粒子を含まない。
一実施形態によれば、複合粒子１は、ケイ酸塩蛍光体、アルミン酸塩蛍光体、リン酸塩蛍光体、硫化物蛍光体、窒化物蛍光体、窒素酸化物蛍光体、及び上述の２種以上の材料の組み合わせからなる群から選択された特定の材料によって作られた発光性コアを含まず、前記発光性コアは、スペーサー層によって覆われている。
本発明の別の目的は、本発明の複合粒子１であり、前記複合粒子１は官能化されている。
官能化複合粒子１は、その後、さらなる使用のためにホスト材料中に分散させることができる。
一実施形態によれば、該ホスト材料は、酢酸塩、炭酸塩、塩化物、クエン酸塩、シアン化物、フッ化物、硝酸塩、亜硝酸塩、リン酸塩、又は硫酸塩に基づくイオン結晶を含み得る。
一部の用途、例えば、生物学的用途では、粒子を、例えば、生体適合性物質で官能化する必要がある。
一実施形態によれば、本発明の複合粒子１は、特異的結合成分で官能化されており、前記特異的結合成分には、抗原、ステロイド、ビタミン、薬物、ハプテン、代謝産物、毒素、環境汚染物質、アミノ酸、ペプチド、タンパク質、抗体、多糖類、ヌクレオチド、ヌクレオシド、オリゴヌクレオチド、ソラレン、ホルモン、核酸、核酸ポリマー、炭水化物、脂質、リン脂質、リポタンパク質、リポ多糖、リポソーム、親油性ポリマー、合成ポリマー、ポリマー微粒子、生物細胞、ウイルス及びそれらの組み合わせが含まれるが、これらに限定されない。好ましいペプチドには、神経ペプチド、サイトカイン、毒素、プロテアーゼ基質、及びタンパク質キナーゼ基質が含まれるが、これらに限定されない。好ましいタンパク質コンジュゲートには、酵素、抗体、レクチン、糖タンパク質、ヒストン、アルブミン、リポタンパク質、アビジン、ストレプトアビジン、プロテインＡ、プロテインＧ、フィコビリンタンパク質及び他の蛍光タンパク質、ホルモン、毒素及び成長因子が含まれる。好ましい核酸ポリマーは、一本鎖又は多重鎖の、天然若しくは合成のＤＮＡ又はＲＮＡオリゴヌクレオチド、又はＤＮＡ／ＲＮＡハイブリッドであるか、又はモルホリン誘導体化リン化物などの稀なリンカー、又はＮ−（２−アミノエチル）グリシン単位などのペプチド核酸を取り込み、該核酸は、５０個未満のヌクレオチド、より典型的には２５個未満のヌクレオチドを含有する。本発明の複合粒子１の官能化は、当技術分野で公知の技術を用いて作製することができる。
本発明の別の目的は、少なくとも１つのホスト材料７１及び本発明の少なくとも１種の複合粒子１を含む発光材料７に関し、前記少なくとも１種の複合粒子１は、少なくとも１つのホスト材料７１中に分散している（図６Ａに示すように）。
発光材料７は、少なくとも１つのホスト材料７１によって、分子酸素、オゾン、水及び／又は高温からの複合粒子１の保護を可能にする。したがって、前記発光材料７上での補助保護層の堆積は必須ではなく、時間、費用及び発光損失をセーブすることができる。
一実施形態によれば、ホスト材料７１は、少なくとも１種の複合粒子１を部分的に又は完全に取り囲み、封入し、かつ／又は覆っている。
一実施形態によれば、発光材料７は、さらに複数の複合粒子１を含む。
一実施形態によれば、発光材料７は、少なくとも２種のホスト材料７１を含む。この実施形態において、該ホスト材料は、異なっていても、又は同一でもよい。
一実施形態によれば、発光材料７は、複数のホスト材料７１を含む。
一実施形態によれば、複数の複合粒子１は、ホスト材料７１中に均一に分散している。
一実施形態によれば、ホスト材料７１中の複合粒子１の充填率は、少なくとも０．０１％、０．０５％、０．１％、０．１５％、０．２％、０．２５％、０．３％、０．３５％、０．４％、０．４５％、０．５％、０．５５％、０．６％、０．６５％、０．７％、０．７５％、０．８％、０．８５％、０．９％、０．９５％、１％、２％、３％、４％、５％、６％、７％、８％、９％、１０％、１１％、１２％、１３％、１４％、１５％、１６％、１７％、１８％、１９％、２０％、２１％、２２％、２３％、２４％、２５％、２６％、２７％、２８％、２９％、３０％、３１％、３２％、３３％、３４％、３５％、３６％、３７％、３８％、３９％、４０％、４１％、４２％、４３％、４４％、４５％、４６％、４７％、４８％、４９％、５０％、５１％、５２％、５３％、５４％、５５％、５６％、５７％、５８％、５９％、６０％、６１％、６２％、６３％、６４％、６５％、６６％、６７％、６８％、６９％、７０％、７１％、７２％、７３％、７４％、７５％、７６％、７７％、７８％、７９％、８０％、８１％、８２％、８３％、８４％、８５％、８６％、８７％、８８％、８９％、９０％、９１％、９２％、９３％、９４％、９５％、９６％、９７％、９８％、又は９９％である。
一実施形態によれば、ホスト材料７１中の複合粒子１の充填率は、０．０１％、０．０５％、０．１％、０．１５％、０．２％、０．２５％、０．３％、０．３５％、０．４％、０．４５％、０．５％、０．５５％、０．６％、０．６５％、０．７％、０．７５％、０．８％、０．８５％、０．９％、０．９５％、１％、２％、３％、４％、５％、６％、７％、８％、９％、１０％、１１％、１２％、１３％、１４％、１５％、１６％、１７％、１８％、１９％、２０％、２１％、２２％、２３％、２４％、２５％、２６％、２７％、２８％、２９％、３０％、３１％、３２％、３３％、３４％、３５％、３６％、３７％、３８％、３９％、４０％、４１％、４２％、４３％、４４％、４５％、４６％、４７％、４８％、４９％、５０％、５１％、５２％、５３％、５４％、５５％、５６％、５７％、５８％、５９％、６０％、６１％、６２％、６３％、６４％、６５％、６６％、６７％、６８％、６９％、７０％、７１％、７２％、７３％、７４％、７５％、７６％、７７％、７８％、７９％、８０％、８１％、８２％、８３％、８４％、８５％、８６％、８７％、８８％、８９％、９０％、９１％、９２％、９３％、９４％、９５％、９６％、９７％、９８％、又は９９％未満である。
一実施形態によれば、ホスト材料７１中に分散している複合粒子１は、少なくとも０．０１％、０．０５％、０．１％、０．１５％、０．２％、０．２５％、０．３％、０．３５％、０．４％、０．４５％、０．５％、０．５５％、０．６％、０．６５％、０．７％、０．７５％、０．８％、０．８５％、０．９％、０．９５％、１％、２％、３％、４％、５％、６％、７％、８％、９％、１０％、１１％、１２％、１３％、１４％、１５％、１６％、１７％、１８％、１９％、２０％、２１％、２２％、２３％、２４％、２５％、２６％、２７％、２８％、２９％、３０％、３１％、３２％、３３％、３４％、３５％、３６％、３７％、３８％、３９％、４０％、４１％、４２％、４３％、４４％、４５％、４６％、４７％、４８％、４９％、５０％、５１％、５２％、５３％、５４％、５５％、５６％、５７％、５８％、５９％、６０％、６１％、６２％、６３％、６４％、６５％、６６％、６７％、６８％、６９％、７０％、７１％、７２％、７３％、７４％、７５％、７６％、７７％、７８％、７９％、８０％、８１％、８２％、８３％、８４％、８５％、８６％、８７％、８８％、８９％、９０％、又は９５％のパッキング率を有する。
一実施形態によれば、ホスト材料７１中に分散している複合粒子１は、０．０１％、０．０５％、０．１％、０．１５％、０．２％、０．２５％、０．３％、０．３５％、０．４％、０．４５％、０．５％、０．５５％、０．６％、０．６５％、０．７％、０．７５％、０．８％、０．８５％、０．９％、０．９５％、１％、２％、３％、４％、５％、６％、７％、８％、９％、１０％、１１％、１２％、１３％、１４％、１５％、１６％、１７％、１８％、１９％、２０％、２１％、２２％、２３％、２４％、２５％、２６％、２７％、２８％、２９％、３０％、３１％、３２％、３３％、３４％、３５％、３６％、３７％、３８％、３９％、４０％、４１％、４２％、４３％、４４％、４５％、４６％、４７％、４８％、４９％、５０％、５１％、５２％、５３％、５４％、５５％、５６％、５７％、５８％、５９％、６０％、６１％、６２％、６３％、６４％、６５％、６６％、６７％、６８％、６９％、７０％、７１％、７２％、７３％、７４％、７５％、７６％、７７％、７８％、７９％、８０％、８１％、８２％、８３％、８４％、８５％、８６％、８７％、８８％、８９％、９０％、又は９５％未満のパッキング率を有する。
一実施形態によれば、複合粒子１は隣接しており、接触している。
一実施形態によれば、複合粒子１は、触れておらず、接触していない。
一実施形態によれば、同じホスト材料７１において、複合粒子１は、触れておらず、接触していない。
一実施形態によれば、複合粒子１は、ホスト材料７１によって分離されている。
一実施形態によれば、複合粒子１は、例えば、従来の顕微鏡、透過型電子顕微鏡、走査型透過電子顕微鏡、走査型電子顕微鏡、又は蛍光走査顕微鏡により個々に証明することができる
一実施形態によれば、複数の複合粒子１の各複合粒子１は、平均最小距離だけその隣接する複合粒子１から離間している。
一実施形態によれば、２個の複合粒子１の間の平均最小距離は制御されている。
一実施形態によれば、ホスト材料７１中の又は複合粒子１の統計セット中の２個の複合粒子１の間の平均最小距離は、少なくとも１ｎｍ、２ｎｍ、２．５ｎｍ、３ｎｍ、３．５ｎｍ、４ｎｍ、４．５ｎｍ、５ｎｍ、５．５ｎｍ、６ｎｍ、６．５ｎｍ、７ｎｍ、７．５ｎｍ、８ｎｍ、８．５ｎｍ、９ｎｍ、９．５ｎｍ、１０ｎｍ、１０．５ｎｍ、１１ｎｍ、１１．５ｎｍ、１２ｎｍ、１２．５ｎｍ、１３ｎｍ、１３．５ｎｍ、１４ｎｍ、１４．５ｎｍ、１５ｎｍ、１５．５ｎｍ、１６ｎｍ、１６．５ｎｍ、１７ｎｍ、１７．５ｎｍ、１８ｎｍ、１８．５ｎｍ、１９ｎｍ、１９．５ｎｍ、２０ｎｍ、３０ｎｍ、４０ｎｍ、５０ｎｍ、６０ｎｍ、７０ｎｍ、８０ｎｍ、１００ｎｍ、１１０ｎｍ、１２０ｎｍ、１３０ｎｍ、１４０ｎｍ、１５０ｎｍ、１６０ｎｍ、１７０ｎｍ、１８０ｎｍ、１９０ｎｍ、２００ｎｍ、２１０ｎｍ、２２０ｎｍ、２３０ｎｍ、２４０ｎｍ、２５０ｎｍ、２６０ｎｍ、２７０ｎｍ、２８０ｎｍ、２９０ｎｍ、３００ｎｍ、３５０ｎｍ、４００ｎｍ、４５０ｎｍ、５００ｎｍ、５５０ｎｍ、６００ｎｍ、６５０ｎｍ、７００ｎｍ、７５０ｎｍ、８００ｎｍ、８５０ｎｍ、９００ｎｍ、９５０ｎｍ、１μｍ、１．５μｍ、２．５μｍ、３μｍ、３．５μｍ、４μｍ、４．５μｍ、５μｍ、５．５μｍ、６μｍ、６．５μｍ、７μｍ、７．５μｍ、８μｍ、８．５μｍ、９μｍ、９．５μｍ、１０μｍ、１０．５μｍ、１１μｍ、１１．５μｍ、１２μｍ、１２．５μｍ、１３μｍ、１３．５μｍ、１４μｍ、１４．５μｍ、１５μｍ、１５．５μｍ、１６μｍ、１６．５μｍ、１７μｍ、１７．５μｍ、１８μｍ、１８．５μｍ、１９μｍ、１９．５μｍ、２０μｍ、２０．５μｍ、２１μｍ、２１．５μｍ、２２μｍ、２２．５μｍ、２３μｍ、２３．５μｍ、２４μｍ、２４．５μｍ、２５μｍ、２５．５μｍ、２６μｍ、２６．５μｍ、２７μｍ、２７．５μｍ、２８μｍ、２８．５μｍ、２９μｍ、２９．５μｍ、３０μｍ、３０．５μｍ、３１μｍ、３１．５μｍ、３２μｍ、３２．５μｍ、３３μｍ、３３．５μｍ、３４μｍ、３４．５μｍ、３５μｍ、３５．５μｍ、３６μｍ、３６．５μｍ、３７μｍ、３７．５μｍ、３８μｍ、３８．５μｍ、３９μｍ、３９．５μｍ、４０μｍ、４０．５μｍ、４１μｍ、４１．５μｍ、４２μｍ、４２．５μｍ、４３μｍ、４３．５μｍ、４４μｍ、４４．５μｍ、４５μｍ、４５．５μｍ、４６μｍ、４６．５μｍ、４７μｍ、４７．５μｍ、４８μｍ、４８．５μｍ、４９μｍ、４９．５μｍ、５０μｍ、５０．５μｍ、５１μｍ、５１．５μｍ、５２μｍ、５２．５μｍ、５３μｍ、５３．５μｍ、５４μｍ、５４．５μｍ、５５μｍ、５５．５μｍ、５６μｍ、５６．５μｍ、５７μｍ、５７．５μｍ、５８μｍ、５８．５μｍ、５９μｍ、５９．５μｍ、６０μｍ、６０．５μｍ、６１μｍ、６１．５μｍ、６２μｍ、６２．５μｍ、６３μｍ、６３．５μｍ、６４μｍ、６４．５μｍ、６５μｍ、６５．５μｍ、６６μｍ、６６．５μｍ、６７μｍ、６７．５μｍ、６８μｍ、６８．５μｍ、６９μｍ、６９．５μｍ、７０μｍ、７０．５μｍ、７１μｍ、７１．５μｍ、７２μｍ、７２．５μｍ、７３μｍ、７３．５μｍ、７４μｍ、７４．５μｍ、７５μｍ、７５．５μｍ、７６μｍ、７６．５μｍ、７７μｍ、７７．５μｍ、７８μｍ、７８．５μｍ、７９μｍ、７９．５μｍ、８０μｍ、８０．５μｍ、８１μｍ、８１．５μｍ、８２μｍ、８２．５μｍ、８３μｍ、８３．５μｍ、８４μｍ、８４．５μｍ、８５μｍ、８５．５μｍ、８６μｍ、８６．５μｍ、８７μｍ、８７．５μｍ、８８μｍ、８８．５μｍ、８９μｍ、８９．５μｍ、９０μｍ、９０．５μｍ、９１μｍ、９１．５μｍ、９２μｍ、９２．５μｍ、９３μｍ、９３．５μｍ、９４μｍ、９４．５μｍ、９５μｍ、９５．５μｍ、９６μｍ、９６．５μｍ、９７μｍ、９７．５μｍ、９８μｍ、９８．５μｍ、９９μｍ、９９．５μｍ、１００μｍ、２００μｍ、３００μｍ、４００μｍ、５００μｍ、６００μｍ、７００μｍ、８００μｍ、９００μｍ、又は１ｍｍである。
一実施形態によれば、ホスト材料７１中の又は複合粒子１の統計セット中の２個の複合粒子１の間の平均距離は、少なくとも１ｎｍ、１．５ｎｍ、２ｎｍ、２．５ｎｍ、３ｎｍ、３．５ｎｍ、４ｎｍ、４．５ｎｍ、５ｎｍ、５．５ｎｍ、６ｎｍ、６．５ｎｍ、７ｎｍ、７．５ｎｍ、８ｎｍ、８．５ｎｍ、９ｎｍ、９．５ｎｍ、１０ｎｍ、１０．５ｎｍ、１１ｎｍ、１１．５ｎｍ、１２ｎｍ、１２．５ｎｍ、１３ｎｍ、１３．５ｎｍ、１４ｎｍ、１４．５ｎｍ、１５ｎｍ、１５．５ｎｍ、１６ｎｍ、１６．５ｎｍ、１７ｎｍ、１７．５ｎｍ、１８ｎｍ、１８．５ｎｍ、１９ｎｍ、１９．５ｎｍ、２０ｎｍ、３０ｎｍ、４０ｎｍ、５０ｎｍ、６０ｎｍ、７０ｎｍ、８０ｎｍ、１００ｎｍ、１１０ｎｍ、１２０ｎｍ、１３０ｎｍ、１４０ｎｍ、１５０ｎｍ、１６０ｎｍ、１７０ｎｍ、１８０ｎｍ、１９０ｎｍ、２００ｎｍ、２１０ｎｍ、２２０ｎｍ、２３０ｎｍ、２４０ｎｍ、２５０ｎｍ、２６０ｎｍ、２７０ｎｍ、２８０ｎｍ、２９０ｎｍ、３００ｎｍ、３５０ｎｍ、４００ｎｍ、４５０ｎｍ、５００ｎｍ、５５０ｎｍ、６００ｎｍ、６５０ｎｍ、７００ｎｍ、７５０ｎｍ、８００ｎｍ、８５０ｎｍ、９００ｎｍ、９５０ｎｍ、１μｍ、１．５μｍ、２．５μｍ、３μｍ、３．５μｍ、４μｍ、４．５μｍ、５μｍ、５．５μｍ、６μｍ、６．５μｍ、７μｍ、７．５μｍ、８μｍ、８．５μｍ、９μｍ、９．５μｍ、１０μｍ、１０．５μｍ、１１μｍ、１１．５μｍ、１２μｍ、１２．５μｍ、１３μｍ、１３．５μｍ、１４μｍ、１４．５μｍ、１５μｍ、１５．５μｍ、１６μｍ、１６．５μｍ、１７μｍ、１７．５μｍ、１８μｍ、１８．５μｍ、１９μｍ、１９．５μｍ、２０μｍ、２０．５μｍ、２１μｍ、２１．５μｍ、２２μｍ、２２．５μｍ、２３μｍ、２３．５μｍ、２４μｍ、２４．５μｍ、２５μｍ、２５．５μｍ、２６μｍ、２６．５μｍ、２７μｍ、２７．５μｍ、２８μｍ、２８．５μｍ、２９μｍ、２９．５μｍ、３０μｍ、３０．５μｍ、３１μｍ、３１．５μｍ、３２μｍ、３２．５μｍ、３３μｍ、３３．５μｍ、３４μｍ、３４．５μｍ、３５μｍ、３５．５μｍ、３６μｍ、３６．５μｍ、３７μｍ、３７．５μｍ、３８μｍ、３８．５μｍ、３９μｍ、３９．５μｍ、４０μｍ、４０．５μｍ、４１μｍ、４１．５μｍ、４２μｍ、４２．５μｍ、４３μｍ、４３．５μｍ、４４μｍ、４４．５μｍ、４５μｍ、４５．５μｍ、４６μｍ、４６．５μｍ、４７μｍ、４７．５μｍ、４８μｍ、４８．５μｍ、４９μｍ、４９．５μｍ、５０μｍ、５０．５μｍ、５１μｍ、５１．５μｍ、５２μｍ、５２．５μｍ、５３μｍ、５３．５μｍ、５４μｍ、５４．５μｍ、５５μｍ、５５．５μｍ、５６μｍ、５６．５μｍ、５７μｍ、５７．５μｍ、５８μｍ、５８．５μｍ、５９μｍ、５９．５μｍ、６０μｍ、６０．５μｍ、６１μｍ、６１．５μｍ、６２μｍ、６２．５μｍ、６３μｍ、６３．５μｍ、６４μｍ、６４．５μｍ、６５μｍ、６５．５μｍ、６６μｍ、６６．５μｍ、６７μｍ、６７．５μｍ、６８μｍ、６８．５μｍ、６９μｍ、６９．５μｍ、７０μｍ、７０．５μｍ、７１μｍ、７１．５μｍ、７２μｍ、７２．５μｍ、７３μｍ、７３．５μｍ、７４μｍ、７４．５μｍ、７５μｍ、７５．５μｍ、７６μｍ、７６．５μｍ、７７μｍ、７７．５μｍ、７８μｍ、７８．５μｍ、７９μｍ、７９．５μｍ、８０μｍ、８０．５μｍ、８１μｍ、８１．５μｍ、８２μｍ、８２．５μｍ、８３μｍ、８３．５μｍ、８４μｍ、８４．５μｍ、８５μｍ、８５．５μｍ、８６μｍ、８６．５μｍ、８７μｍ、８７．５μｍ、８８μｍ、８８．５μｍ、８９μｍ、８９．５μｍ、９０μｍ、９０．５μｍ、９１μｍ、９１．５μｍ、９２μｍ、９２．５μｍ、９３μｍ、９３．５μｍ、９４μｍ、９４．５μｍ、９５μｍ、９５．５μｍ、９６μｍ、９６．５μｍ、９７μｍ、９７．５μｍ、９８μｍ、９８．５μｍ、９９μｍ、９９．５μｍ、１００μｍ、２００μｍ、３００μｍ、４００μｍ、５００μｍ、６００μｍ、７００μｍ、８００μｍ、９００μｍ、又は１ｍｍである。
一実施形態によれば、ホスト材料７１中の又は複合粒子１の統計セット中の２個の複合粒子１の間の平均距離は、０．０１％、０．０２％、０．０３％、０．０４％、０．０５％、０．０６％、０．０７％、０．０８％、０．０９％、０．１％、０．２％、０．３％、０．４％、０．５％、０．６％、０．７％、０．８％、０．９％、１％、１．１％、１．２％、１．３％、１．４％、１．５％、１．６％、１．７％、１．８％、１．９％、２％、２．１％、２．２％、２．３％、２．４％、２．５％、２．６％、２．７％、２．８％、２．９％、３％、３．１％、３．２％、３．３％、３．４％、３．５％、３．６％、３．７％、３．８％、３．９％、４％、４．１％、４．２％、４．３％、４．４％、４．５％、４．６％、４．７％、４．８％、４．９％、５％、５．１％、５．２％、５．３％、５．４％、５．５％、５．６％、５．７％、５．８％、５．９％、６％、６．１％、６．２％、６．３％、６．４％、６．５％、６．６％、６．７％、６．８％、６．９％、７％、７．１％、７．２％、７．３％、７．４％、７．５％、７．６％、７．７％、７．８％、７．９％、８％、８．１％、８．２％、８．３％、８．４％、８．５％、８．６％、８．７％、８．８％、８．９％、９％、９．１％、９．２％、９．３％、９．４％、９．５％、９．６％、９．７％、９．８％、９．９％、又は１０％以下の偏差を有し得る。
一実施形態によれば、発光材料７は、光学的に透明な空隙領域を含まない。
一実施形態によれば、発光材料７は、少なくとも１種の複合粒子１の周囲に空隙領域を含まない。
一実施形態によれば、図６Ｂに示すように、発光材料７は、さらに、無機材料２１を含む少なくとも１個の粒子、及び複数のナノ粒子を含み、前記無機材料２１は、本発明の複合粒子に含まれる無機材料２と異なっている。この実施形態において、無機材料２１を含む前記少なくとも１個の粒子は、空であり、すなわち、ナノ粒子を含まない。
一実施形態によれば、発光材料７は、さらに無機材料２１を含む少なくとも１個の粒子、及び複数のナノ粒子を含み、前記無機材料２１は、本発明の複合粒子に含まれる無機材料２と同じである。この実施形態において、無機材料２１を含む前記少なくとも１個の粒子は、空であり、すなわち、ナノ粒子を含まない。
一実施形態によれば、発光材料７は、さらに無機材料２１を含む少なくとも１個の粒子を含み、前記無機材料２１は、本発明の複合粒子に含まれる無機材料２と同じである。この実施形態において、無機材料２１を含む前記少なくとも１個の粒子は、空であり、すなわち、ナノ粒子を含まない。
一実施形態によれば、発光材料７は、さらに無機材料２１を含む少なくとも１個の粒子を含み、前記無機材料２１は、本発明の複合粒子に含まれる無機材料２と異なる。この実施形態において、無機材料２１を含む前記少なくとも１個の粒子は、空であり、すなわち、ナノ粒子を含まない。
一実施形態によれば、発光材料７は、さらに、無機材料２１を含む粒子を重量で少なくとも１％、２％、３％、４％、５％、６％、７％、８％、９％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、又は９５％含む。
一実施形態によれば、無機材料２１を含む粒子は、少なくとも１種の複合粒子１とは異なるサイズを有する。
一実施形態によれば、無機材料２１を含む粒子は、少なくとも１種の複合粒子１と同じサイズを有する。
一実施形態によれば、発光材料７は、さらに複数のナノ粒子を含む。この実施形態において、前記ナノ粒子は、少なくとも１種の複合粒子１に含まれるナノ粒子３とは異なる。
一実施形態によれば、発光材料７は、さらに複数のナノ粒子を含む。この実施形態において、前記ナノ粒子は、少なくとも１種の複合粒子１に含まれるナノ粒子３と同じである。
一実施形態によれば、発光材料７は、さらに、ナノ粒子を重量で少なくとも１％、２％、３％、４％、５％、６％、７％、８％、９％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、又は９５％含み、前記ナノ粒子は、少なくとも１種の複合粒子１に含まれない。
一実施形態によれば、発光材料７は、酸素を含まない。
一実施形態によれば、発光材料７は、水を含まない。
別の実施形態において、発光材料７は、さらに、少なくとも１つの溶媒を含み得る。
別の実施形態において、発光材料７は、溶媒を含まない。
別の実施形態において、発光材料７は、さらに、１−メトキシ−２−プロパノール、２−ピロリジノン、Ｃ４〜Ｃ８の１，２−アルカンジオール、脂肪族又は脂環式ケトン、メチルエチルケトン、Ｃ１〜Ｃ４アルカノール、例えば、メタノール、エタノール、メタノールプロパノール、又はイソプロパノール、ケトン類、エステル類など、エチレングリコール又はプロピレングリコールのエーテル、アセタール、アクリル樹脂、ポリビニルアセテート、ポリビニルアルコール、ポリアミド樹脂、ポリウレタン樹脂、エポキシ樹脂、アルキドエステル、ニトロ化セルロース、エチルセルロース、カルボキシメチルセルロースナトリウム、アルキド類、マレイン酸物質、セルロース誘導体、ホルムアルデヒド、ゴム系樹脂、フェノール類、プロピルアセテート、グリコールエーテル、脂肪族炭化水素、酢酸塩、エステル、アクリル、セルロースエステル、ニトロセルロース、変性樹脂、アルコキシル化アルコール、２−ピロリドン、２−ピロリドンのホモログ、グリコール、水、又はそれらの混合物を含むが、これらに限定されない液体を含み得る。
一実施形態によれば、発光材料７は、発光材料７の総重量と比較して、重量で少なくとも１％、２％、３％、４％、５％、６％、７％、８％、９％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、又は９５％のレベルで液体を含む。
一実施形態によれば、発光材料７は、さらに、ホスト材料７１中に分散した散乱粒子を含む。散乱粒子の例には、ＳｉＯ２、ＺｒＯ２、ＺｎＯ、ＭｇＯ、ＳｎＯ２、ＴｉＯ２、Ａｇ、Ａｕ、アルミナ、硫酸バリウム、ＰＴＦＥ、及びチタン酸バリウムなどが含まれるが、これらに限定されない。前記散乱粒子は、発光材料７の内部で散乱する光を増加させるのに役立ち得、その結果、光子と散乱粒子の間の相互作用が増し、したがって、粒子によってより多くの光が吸収される。
一実施形態において、発光材料７は、さらに、ホスト材料７１中に分散した熱伝導体粒子を含む。熱伝導体粒子の例には、ＳｉＯ２、ＺｒＯ２、ＺｎＯ、ＭｇＯ、ＳｎＯ２、ＴｉＯ２、ＣａＯ、アルミナ、硫酸バリウム、ＰＴＦＥ、及びチタン酸バリウムなどが含まれるが、これらに限定されない。この実施形態において、ホスト材料７１の熱伝導率は増加する。
一実施形態によれば、発光材料７は、少なくとも１つの発光ピークを有する発光スペクトルを示し、前記発光ピークは、４００ｎｍ〜５０μｍの範囲の最大発光波長を有する。
一実施形態によれば、発光材料７は、少なくとも１つの発光ピークを有する発光スペクトルを示し、前記発光ピークは、４００ｎｍ〜５００ｎｍの範囲の最大発光波長を有する。この実施形態において、発光材料７は、青色光を放つ。
一実施形態によれば、発光材料７は、少なくとも１つの発光ピークを有する発光スペクトルを示し、前記発光ピークは、５００ｎｍ〜５６０ｎｍの範囲、より好ましくは、５１５ｎｍ〜５４５ｎｍの範囲の最大発光波長を有する。この実施形態において、発光材料７は、緑色の光を放つ。
一実施形態によれば、発光材料７は、少なくとも１つの発光ピークを有する発光スペクトルを示し、前記発光ピークは、５６０ｎｍ〜５９０ｎｍの範囲の最大発光波長を有する。この実施形態において、発光材料７は、黄色の光を放つ。
一実施形態によれば、発光材料７は、少なくとも１つの発光ピークを有する発光スペクトルを示し、前記発光ピークは、５９０ｎｍ〜７５０ｎｍの範囲、より好ましくは、６１０ｎｍ〜６５０ｎｍの範囲の最大発光波長を有する。この実施形態において、発光材料７は、赤色の光を放つ。
一実施形態によれば、発光材料７は、少なくとも１つの発光ピークを有する発光スペクトルを示し、前記発光ピークは、７５０ｎｍ〜５０μｍの範囲の最大発光波長を有する。この実施形態において、発光材料７は、近赤外光、中赤外光、又は赤外光を放つ。
一実施形態によれば、発光材料７は、半値全幅が９０ｎｍ、８０ｎｍ、７０ｎｍ、６０ｎｍ、５０ｎｍ、４０ｎｍ、３０ｎｍ、２５ｎｍ、２０ｎｍ、１５ｎｍ、又は１０ｎｍよりも低い少なくとも１つの発光ピークを有する発光スペクトルを示す。
一実施形態によれば、発光材料７は、１／４値全幅が９０ｎｍ、８０ｎｍ、７０ｎｍ、６０ｎｍ、５０ｎｍ、４０ｎｍ、３０ｎｍ、２５ｎｍ、２０ｎｍ、１５ｎｍ、又は１０ｎｍよりも低い少なくとも１つの発光ピークを有する発光スペクトルを示す。
一実施形態によれば、発光材料７は、少なくとも５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％又は１００％の光発光量子収率（ＰＬＱＹ）を有する。
一実施形態によれば、発光材料７は、光照明下で少なくとも３００、４００、５００、６００、７００、８００、９００、１０００、２０００、３０００、４０００、５０００、６０００、７０００、８０００、９０００、１００００、１１０００、１２０００、１３０００、１４０００、１５０００、１６０００、１７０００、１８０００、１９０００、２００００、２１０００、２２０００、２３０００、２４０００、２５０００、２６０００、２７０００、２８０００、２９０００、３００００、３１０００、３２０００、３３０００、３４０００、３５０００、３６０００、３７０００、３８０００、３９０００、４００００、４１０００、４２０００、４３０００、４４０００、４５０００、４６０００、４７０００、４８０００、４９０００、又は５００００時間後に、８０％、７０％、６０％、５０％、４０％、３０％、２５％、２０％、１５％、１０％、５％、４％、３％、２％、１％、又は０％未満の光発光量子収率（ＰＬＱＹ）の減少を示す。
一実施形態によれば、該光照明は、レーザ、ダイオード、蛍光灯若しくはキセノンアークランプなどの青色、緑色、赤色、又はＵＶの光源によって提供される。一実施形態によれば、照明の光子束又は平均ピークパルス力は、１ｍＷ．ｃｍ−２〜１００ｋＷ．ｃｍ−２、より好ましくは、１０ｍＷ．ｃｍ−２〜１００Ｗ．ｃｍ−２、さらにより好ましくは、１０ｍＷ．ｃｍ−２〜３０Ｗ．ｃｍ−２に含まれる。
一実施形態によれば、照明の光子束又は平均ピークパルス力は、少なくとも１ｍＷ．ｃｍ−２、５０ｍＷ．ｃｍ−２、１００ｍＷ．ｃｍ−２、５００ｍＷ．ｃｍ−２、１Ｗ．ｃｍ−２、５Ｗ．ｃｍ−２、１０Ｗ．ｃｍ−２、２０Ｗ．ｃｍ−２、３０Ｗ．ｃｍ−２、４０Ｗ．ｃｍ−２、５０Ｗ．ｃｍ−２、６０Ｗ．ｃｍ−２、７０Ｗ．ｃｍ−２、８０Ｗ．ｃｍ−２、９０Ｗ．ｃｍ−２、１００Ｗ．ｃｍ−２、１１０Ｗ．ｃｍ−２、１２０Ｗ．ｃｍ−２、１３０Ｗ．ｃｍ−２、１４０Ｗ．ｃｍ−２、１５０Ｗ．ｃｍ−２、１６０Ｗ．ｃｍ−２、１７０Ｗ．ｃｍ−２、１８０Ｗ．ｃｍ−２、１９０Ｗ．ｃｍ−２、２００Ｗ．ｃｍ−２、３００Ｗ．ｃｍ−２、４００Ｗ．ｃｍ−２、５００Ｗ．ｃｍ−２、６００Ｗ．ｃｍ−２、７００Ｗ．ｃｍ−２、８００Ｗ．ｃｍ−２、９００Ｗ．ｃｍ−２、１ｋＷ．ｃｍ−２、５０ｋＷ．ｃｍ−２、又は１００ｋＷ．ｃｍ−２である。
一実施形態によれば、発光材料７は、少なくとも１ｍＷ．ｃｍ−２、５０ｍＷ．ｃｍ−２、１００ｍＷ．ｃｍ−２、５００ｍＷ．ｃｍ−２、１Ｗ．ｃｍ−２、５Ｗ．ｃｍ−２、１０Ｗ．ｃｍ−２、２０Ｗ．ｃｍ−２、３０Ｗ．ｃｍ−２、４０Ｗ．ｃｍ−２、５０Ｗ．ｃｍ−２、６０Ｗ．ｃｍ−２、７０Ｗ．ｃｍ−２、８０Ｗ．ｃｍ−２、９０Ｗ．ｃｍ−２、１００Ｗ．ｃｍ−２、１１０Ｗ．ｃｍ−２、１２０Ｗ．ｃｍ−２、１３０Ｗ．ｃｍ−２、１４０Ｗ．ｃｍ−２、１５０Ｗ．ｃｍ−２、１６０Ｗ．ｃｍ−２、１７０Ｗ．ｃｍ−２、１８０Ｗ．ｃｍ−２、１９０Ｗ．ｃｍ−２、２００Ｗ．ｃｍ−２、３００Ｗ．ｃｍ−２、４００Ｗ．ｃｍ−２、５００Ｗ．ｃｍ−２、６００Ｗ．ｃｍ−２、７００Ｗ．ｃｍ−２、８００Ｗ．ｃｍ−２、９００Ｗ．ｃｍ−２、１ｋＷ．ｃｍ−２、５０ｋＷ．ｃｍ−２、又は１００ｋＷ．ｃｍ−２の光子束又は平均ピークパルス力での光照明下で、少なくとも３００、４００、５００、６００、７００、８００、９００、１０００、２０００、３０００、４０００、５０００、６０００、７０００、８０００、９０００、１００００、１１０００、１２０００、１３０００、１４０００、１５０００、１６０００、１７０００、１８０００、１９０００、２００００、２１０００、２２０００、２３０００、２４０００、２５０００、２６０００、２７０００、２８０００、２９０００、３００００、３１０００、３２０００、３３０００、３４０００、３５０００、３６０００、３７０００、３８０００、３９０００、４００００、４１０００、４２０００、４３０００、４４０００、４５０００、４６０００、４７０００、４８０００、４９０００、又は５００００時間後に、８０％、７０％、６０％、５０％、４０％、３０％、２５％、２０％、１５％、１０％、５％、４％、３％、２％、１％、又は０％未満の光発光量子収率（ＰＱＬＹ）の減少を示す。
一実施形態において、発光材料７は、少なくとも１ｍＷ．ｃｍ−２、５０ｍＷ．ｃｍ−２、１００ｍＷ．ｃｍ−２、５００ｍＷ．ｃｍ−２、１Ｗ．ｃｍ−２、５Ｗ．ｃｍ−２、１０Ｗ．ｃｍ−２、２０Ｗ．ｃｍ−２、３０Ｗ．ｃｍ−２、４０Ｗ．ｃｍ−２、５０Ｗ．ｃｍ−２、６０Ｗ．ｃｍ−２、７０Ｗ．ｃｍ−２、８０Ｗ．ｃｍ−２、９０Ｗ．ｃｍ−２、１００Ｗ．ｃｍ−２、１１０Ｗ．ｃｍ−２、１２０Ｗ．ｃｍ−２、１３０Ｗ．ｃｍ−２、１４０Ｗ．ｃｍ−２、１５０Ｗ．ｃｍ−２、１６０Ｗ．ｃｍ−２、１７０Ｗ．ｃｍ−２、１８０Ｗ．ｃｍ−２、１９０Ｗ．ｃｍ−２、２００Ｗ．ｃｍ−２、３００Ｗ．ｃｍ−２、４００Ｗ．ｃｍ−２、５００Ｗ．ｃｍ−２、６００Ｗ．ｃｍ−２、７００Ｗ．ｃｍ−２、８００Ｗ．ｃｍ−２、９００Ｗ．ｃｍ−２、１ｋＷ．ｃｍ−２、５０ｋＷ．ｃｍ−２、又は１００ｋＷ．ｃｍ−２の光子束又は平均ピークパルス力での光照明下で、少なくとも３００、４００、５００、６００、７００、８００、９００、１０００、２０００、３０００、４０００、５０００、６０００、７０００、８０００、９０００、１００００、１１０００、１２０００、１３０００、１４０００、１５０００、１６０００、１７０００、１８０００、１９０００、２００００、２１０００、２２０００、２３０００、２４０００、２５０００、２６０００、２７０００、２８０００、２９０００、３００００、３１０００、３２０００、３３０００、３４０００、３５０００、３６０００、３７０００、３８０００、３９０００、４００００、４１０００、４２０００、４３０００、４４０００、４５０００、４６０００、４７０００、４８０００、４９０００、又は５００００時間後に、８０％、７０％、６０％、５０％、４０％、３０％、２５％、２０％、１５％、１０％、５％、４％、３％、２％、１％、又は０％未満のＦＣＥの減少を示す。
一実施形態において、発光材料７は、少なくとも１ｍＷ．ｃｍ−２、５０ｍＷ．ｃｍ−２、１００ｍＷ．ｃｍ−２、５００ｍＷ．ｃｍ−２、１Ｗ．ｃｍ−２、５Ｗ．ｃｍ−２、１０Ｗ．ｃｍ−２、２０Ｗ．ｃｍ−２、３０Ｗ．ｃｍ−２、４０Ｗ．ｃｍ−２、５０Ｗ．ｃｍ−２、６０Ｗ．ｃｍ−２、７０Ｗ．ｃｍ−２、８０Ｗ．ｃｍ−２、９０Ｗ．ｃｍ−２、１００Ｗ．ｃｍ−２、１１０Ｗ．ｃｍ−２、１２０Ｗ．ｃｍ−２、１３０Ｗ．ｃｍ−２、１４０Ｗ．ｃｍ−２、１５０Ｗ．ｃｍ−２、１６０Ｗ．ｃｍ−２、１７０Ｗ．ｃｍ−２、１８０Ｗ．ｃｍ−２、１９０Ｗ．ｃｍ−２、２００Ｗ．ｃｍ−２、３００Ｗ．ｃｍ−２、４００Ｗ．ｃｍ−２、５００Ｗ．ｃｍ−２、６００Ｗ．ｃｍ−２、７００Ｗ．ｃｍ−２、８００Ｗ．ｃｍ−２、９００Ｗ．ｃｍ−２、１ｋＷ．ｃｍ−２、５０ｋＷ．ｃｍ−２、又は１００ｋＷ．ｃｍ−２の平均ピークパルス力でのパルス光下で、少なくとも３００、４００、５００、６００、７００、８００、９００、１０００、２０００、３０００、４０００、５０００、６０００、７０００、８０００、９０００、１００００、１１０００、１２０００、１３０００、１４０００、１５０００、１６０００、１７０００、１８０００、１９０００、２００００、２１０００、２２０００、２３０００、２４０００、２５０００、２６０００、２７０００、２８０００、２９０００、３００００、３１０００、３２０００、３３０００、３４０００、３５０００、３６０００、３７０００、３８０００、３９０００、４００００、４１０００、４２０００、４３０００、４４０００、４５０００、４６０００、４７０００、４８０００、４９０００、又は５００００時間後に、８０％、７０％、６０％、５０％、４０％、３０％、２５％、２０％、１５％、１０％、５％、４％、３％、２％、１％、又は０％未満の光発光量子収率（ＰＱＬＹ）の減少を示す。
好ましい一実施形態において、発光材料７は、少なくとも１ｍＷ．ｃｍ−２、５０ｍＷ．ｃｍ−２、１００ｍＷ．ｃｍ−２、５００ｍＷ．ｃｍ−２、１Ｗ．ｃｍ−２、５Ｗ．ｃｍ−２、１０Ｗ．ｃｍ−２、２０Ｗ．ｃｍ−２、３０Ｗ．ｃｍ−２、４０Ｗ．ｃｍ−２、５０Ｗ．ｃｍ−２、６０Ｗ．ｃｍ−２、７０Ｗ．ｃｍ−２、８０Ｗ．ｃｍ−２、９０Ｗ．ｃｍ−２、１００Ｗ．ｃｍ−２、１１０Ｗ．ｃｍ−２、１２０Ｗ．ｃｍ−２、１３０Ｗ．ｃｍ−２、１４０Ｗ．ｃｍ−２、１５０Ｗ．ｃｍ−２、１６０Ｗ．ｃｍ−２、１７０Ｗ．ｃｍ−２、１８０Ｗ．ｃｍ−２、１９０Ｗ．ｃｍ−２、２００Ｗ．ｃｍ−２、３００Ｗ．ｃｍ−２、４００Ｗ．ｃｍ−２、５００Ｗ．ｃｍ−２、６００Ｗ．ｃｍ−２、７００Ｗ．ｃｍ−２、８００Ｗ．ｃｍ−２、９００Ｗ．ｃｍ−２、１ｋＷ．ｃｍ−２、５０ｋＷ．ｃｍ−２、又は１００ｋＷ．ｃｍ−２の平均ピークパルス力若しくは光子束でのパルス光又は連続光下で、少なくとも３００、４００、５００、６００、７００、８００、９００、１０００、２０００、３０００、４０００、５０００、６０００、７０００、８０００、９０００、１００００、１１０００、１２０００、１３０００、１４０００、１５０００、１６０００、１７０００、１８０００、１９０００、２００００、２１０００、２２０００、２３０００、２４０００、２５０００、２６０００、２７０００、２８０００、２９０００、３００００、３１０００、３２０００、３３０００、３４０００、３５０００、３６０００、３７０００、３８０００、３９０００、４００００、４１０００、４２０００、４３０００、４４０００、４５０００、４６０００、４７０００、４８０００、４９０００、又は５００００時間後に、２５％、２０％、１５％、１０％、５％、４％、３％、２％、１％、又は０％未満の光発光量子収率（ＰＱＬＹ）の減少を示す。
一実施形態において、発光材料７は、少なくとも１ｍＷ．ｃｍ−２、５０ｍＷ．ｃｍ−２、１００ｍＷ．ｃｍ−２、５００ｍＷ．ｃｍ−２、１Ｗ．ｃｍ−２、５Ｗ．ｃｍ−２、１０Ｗ．ｃｍ−２、２０Ｗ．ｃｍ−２、３０Ｗ．ｃｍ−２、４０Ｗ．ｃｍ−２、５０Ｗ．ｃｍ−２、６０Ｗ．ｃｍ−２、７０Ｗ．ｃｍ−２、８０Ｗ．ｃｍ−２、９０Ｗ．ｃｍ−２、１００Ｗ．ｃｍ−２、１１０Ｗ．ｃｍ−２、１２０Ｗ．ｃｍ−２、１３０Ｗ．ｃｍ−２、１４０Ｗ．ｃｍ−２、１５０Ｗ．ｃｍ−２、１６０Ｗ．ｃｍ−２、１７０Ｗ．ｃｍ−２、１８０Ｗ．ｃｍ−２、１９０Ｗ．ｃｍ−２、２００Ｗ．ｃｍ−２、３００Ｗ．ｃｍ−２、４００Ｗ．ｃｍ−２、５００Ｗ．ｃｍ−２、６００Ｗ．ｃｍ−２、７００Ｗ．ｃｍ−２、８００Ｗ．ｃｍ−２、９００Ｗ．ｃｍ−２、１ｋＷ．ｃｍ−２、５０ｋＷ．ｃｍ−２、又は１００ｋＷ．ｃｍ−２の平均ピークパルス力でのパルス光下で、少なくとも３００、４００、５００、６００、７００、８００、９００、１０００、２０００、３０００、４０００、５０００、６０００、７０００、８０００、９０００、１００００、１１０００、１２０００、１３０００、１４０００、１５０００、１６０００、１７０００、１８０００、１９０００、２００００、２１０００、２２０００、２３０００、２４０００、２５０００、２６０００、２７０００、２８０００、２９０００、３００００、３１０００、３２０００、３３０００、３４０００、３５０００、３６０００、３７０００、３８０００、３９０００、４００００、４１０００、４２０００、４３０００、４４０００、４５０００、４６０００、４７０００、４８０００、４９０００、又は５００００時間後に、８０％、７０％、６０％、５０％、４０％、３０％、２５％、２０％、１５％、１０％、５％、４％、３％、２％、１％、又は０％未満のＦＣＥの減少を示す。
一実施形態において、発光材料７は、少なくとも１ｍＷ．ｃｍ−２、５０ｍＷ．ｃｍ−２、１００ｍＷ．ｃｍ−２、５００ｍＷ．ｃｍ−２、１Ｗ．ｃｍ−２、５Ｗ．ｃｍ−２、１０Ｗ．ｃｍ−２、２０Ｗ．ｃｍ−２、３０Ｗ．ｃｍ−２、４０Ｗ．ｃｍ−２、５０Ｗ．ｃｍ−２、６０Ｗ．ｃｍ−２、７０Ｗ．ｃｍ−２、８０Ｗ．ｃｍ−２、９０Ｗ．ｃｍ−２、１００Ｗ．ｃｍ−２、１１０Ｗ．ｃｍ−２、１２０Ｗ．ｃｍ−２、１３０Ｗ．ｃｍ−２、１４０Ｗ．ｃｍ−２、１５０Ｗ．ｃｍ−２、１６０Ｗ．ｃｍ−２、１７０Ｗ．ｃｍ−２、１８０Ｗ．ｃｍ−２、１９０Ｗ．ｃｍ−２、２００Ｗ．ｃｍ−２、３００Ｗ．ｃｍ−２、４００Ｗ．ｃｍ−２、５００Ｗ．ｃｍ−２、６００Ｗ．ｃｍ−２、７００Ｗ．ｃｍ−２、８００Ｗ．ｃｍ−２、９００Ｗ．ｃｍ−２、１ｋＷ．ｃｍ−２、５０ｋＷ．ｃｍ−２、又は１００ｋＷ．ｃｍ−２の平均ピークパルス力若しくは光子束でのパルス光又は連続光下で、少なくとも３００、４００、５００、６００、７００、８００、９００、１０００、２０００、３０００、４０００、５０００、６０００、７０００、８０００、９０００、１００００、１１０００、１２０００、１３０００、１４０００、１５０００、１６０００、１７０００、１８０００、１９０００、２００００、２１０００、２２０００、２３０００、２４０００、２５０００、２６０００、２７０００、２８０００、２９０００、３００００、３１０００、３２０００、３３０００、３４０００、３５０００、３６０００、３７０００、３８０００、３９０００、４００００、４１０００、４２０００、４３０００、４４０００、４５０００、４６０００、４７０００、４８０００、４９０００、又は５００００時間後に、２５％、２０％、１５％、１０％、５％、４％、３％、２％、１％、又は０％未満のＦＣＥの減少を示す。
一実施形態によれば、ホスト材料７１は、酸素を含まない。
一実施形態によれば、ホスト材料７１は、水を含まない。
一実施形態によれば、ホスト材料７１は、分子酸素、オゾン、水及び／又は高温からの少なくとも１種の複合粒子１の化学的及び物理的特性の劣化を制限又は防止する。
別の実施形態によれば、ホスト材料７１は、２００ｎｍ〜５０μｍ、２００ｎｍ〜１０μｍ、２００ｎｍ〜２５００ｎｍ、２００ｎｍ〜２０００ｎｍ、２００ｎｍ〜１５００ｎｍ、２００ｎｍ〜１０００ｎｍ、２００ｎｍ〜８００ｎｍ、４００ｎｍ〜７００ｎｍ、４００ｎｍ〜６００ｎｍ、又は４００ｎｍ〜４７０ｎｍの波長で光学的に透明である。
一実施形態によれば、ホスト材料７１は、４５０ｎｍで１．０〜３．０、１．２〜２．６、１．４〜２．０の範囲の屈折率を有する。
一実施形態によれば、ホスト材料７１は、４５０ｎｍで少なくとも１．０、１．１、１．２、１．３、１．４、１．５、１．６、１．７、１．８、１．９、２．０、２．１、２．２、２．３、２．４、２．５、２．６、２．７、２．８、２．９、又は３．０の屈折率を有する。
一実施形態によれば、ホスト材料７１は、少なくとも１種の複合粒子１に含まれる無機材料２の屈折率又は複合粒子１の屈折率とは異なる屈折率を有する。この実施形態は、光のより広い散乱を可能にする。この実施形態はまた、放たれる光の波長よりも励起光の波長が低いので、特に、放たれる光の散乱に対して励起光の散乱を増大させるために、波長の関数として光散乱の違いを有することを可能にする。
一実施形態によれば、ホスト材料７１は、少なくとも１種の複合粒子１に含まれる無機材料２の屈折率又は少なくとも０．０２、０．０２５、０.０３、０．０３５、０．０４、０．０４５、０．０５、０．０５５、０．０６、０．０６５、０．０７、０．０７５、０．０８、０．０８５、０．０９、０．０９５、０．１、０．１１、０．１１５、０．１２、０．１２５、０．１３、０．１３５、０．１４、０．１４５、０．１５、０．１５５、０．１６、０．１６５、０．１７、０．１７５、０．１８、０．１８５、０．１９、０．１９５、０．２、０．２５、０．３、０．３５、０．４、０．４５、０．５、０．５５、０．６、０．６５、０．７、０．７５、０．８、０.８５、０．９、０．９５、１、１．１、１．１５、１．２、１．２５、１．３、１．３５、１．４、１．４５、１．５、１．５５、１．６、１．６５、１．７、１．７５、１．８、１．８５、１．９、１．９５、又は２の複合粒子１の屈折率との屈折率の差を有する。
一実施形態によれば、ホスト材料７１は、０．０２〜２の範囲、０．０２〜１．５の範囲、０．０３〜１．５の範囲、０．０４〜１．５の範囲、０．０５〜１．５の範囲、０．０２〜１．２の範囲、０．０３〜１．２の範囲、０．０４〜１．２の範囲、０．０５〜１．２の範囲、０．０５〜１の範囲、０．１〜１の範囲、０．２〜１の範囲、０．３〜１の範囲、０．５〜１の範囲、０．０５〜２の範囲、０．１〜２の範囲、０．２〜２の範囲、０．３〜２の範囲、又は０．５〜２の範囲の少なくとも１種の複合粒子１に含まれる無機材料２との屈折率の差を有する。
屈折率の差は、４５０ｎｍで測定した。
一実施形態によれば、ホスト材料７１は、無機材料２の屈折率より優れているか、又は同等の屈折率を有する。
一実施形態によれば、ホスト材料７１は、無機材料２の屈折率よりも劣っている屈折率を有する。
一実施形態によれば、ホスト材料７１に少なくとも１種の複合粒子１は、光を散乱するように構成されている。
一実施形態によれば、発光材料７は、１％〜１００％の範囲のヘイズ率を有する。
一実施形態によれば、発光材料７は、少なくとも１％、２％、３％、４％、５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は１００％のヘイズ率を有する。
ヘイズ率は、光源で照射されたときに、視野角を超えて材料が散乱する光の強度と材料が送達する全強度の比によって算出される。
一実施形態によれば、ヘイズ率範囲を測定するために使用される視野角は、０°〜２０°の範囲である。
一実施形態によれば、ヘイズ率を測定するために使用される視野角は、少なくとも０°、１°、２°、３°、４°、５°、６°、７°、８°、９°、１０°、１１°、１２°、１３°、１４°、１５°、１６°、１７°、１８°、１９°、又は２０°である。
一実施形態によれば、ホスト材料７１中の少なくとも１種の複合粒子１は、導波路として機能するように構成されている。この実施形態において、少なくとも１種の複合粒子１の屈折率は、ホスト材料７１の屈折率よりも高い。
一実施形態によれば、複合粒子１は、球形を有する。球形は、導波路として動作するように、前記複合粒子を残すことなく、光が複合粒子１中を循環するのを可能にすることができる。球形は、光がウィスパリングギャラリー波モードを有するのを可能にすることができる。さらに、完全な球形は、散乱光の強度の変動を防止する。
一実施形態によれば、ホスト材料７１中の少なくとも１種の複合粒子１は、前記複合粒子１内の光の多重反射をもたらすように構成されている。
一実施形態によれば、ホスト材料７１は、少なくとも１種の複合粒子１に含まれる無機材料２の屈折率に等しい屈折率を有する。この実施形態において、光の散乱は防止される。
一実施形態によれば、ホスト材料７１は、熱絶縁体である。
一実施形態によれば、ホスト材料７１は、熱伝導体である。
一実施形態によれば、ホスト材料７１は、０．１〜４５０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、好ましくは、１〜２００Ｗ／（ｍ．Ｋ）、より好ましくは、１０〜１５０Ｗ／（ｍ．Ｋ）の範囲の標準的な条件での熱伝導性を有する。
一実施形態によれば、ホスト材料７１は、少なくとも０．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、０．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、０．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、０．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、０．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、０．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、０．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、０．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、０．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、４．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、４．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、４．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、４．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、４．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、４．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、４．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、４．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、４．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、５．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、５．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、５．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、５．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、５．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、５．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、５．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、５．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、５．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、６．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、６．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、６．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、６．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、６．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、６．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、６．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、６．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、６．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、７．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、７．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、７．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、７．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、７．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、７．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、７．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、７．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、７．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、８．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、８．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、８．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、８．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、８．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、８．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、８．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、８．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、８．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、９．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、９．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、９．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、９．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、９．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、９．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、９．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、９．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、９．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１０．１／（ｍ．Ｋ）、１０．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１０．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１０．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１０．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１０．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１０．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１０．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１０．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１１．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１１．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１１．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１１．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１１．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１１．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１１．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１１．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１１．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１２．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１２．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１２．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１２．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１２．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１２．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１２．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１２．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１２．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１３．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１３．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１３．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１３．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１３．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１３．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１３．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１３．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１３．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１４．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１４．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１４．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１４．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１４．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１４．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１４．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１４．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１４．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１５．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１５．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１５．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１５．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１５．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１５．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１５．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１５．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１５．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１６．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１６．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１６．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１６．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１６．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１６．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１６．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１６．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１６．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１７．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１７．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１７．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１７．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１７．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１７．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１７．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１７．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１７．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１８．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１８．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１８．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１８．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１８．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１８．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１８．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１８．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１８．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１９．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１９．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１９．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１９．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１９．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１９．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１９．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１９．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１９．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２０．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２０．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２０．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２０．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２０．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２０．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２０．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２０．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２０．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２１．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２１．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２１．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２１．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２１．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２１．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２１．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２１．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２１．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２２．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２２．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２２．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２２．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２２．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２２．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２２．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２２．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２２．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２３．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２３．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２３．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２３．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２３．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２３．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２３．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２３．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２３．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２４．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２４．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２４．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２４．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２４．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２４．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２４．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２４．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２４．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、４０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、５０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、６０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、７０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、８０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、９０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１００Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１１０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１２０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１３０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１４０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１５０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１６０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１７０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１８０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１９０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２００Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２１０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２２０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２３０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２４０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２５０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２６０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２７０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２８０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２９０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３００Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３１０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３２０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３３０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３４０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３５０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３６０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３７０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３８０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３９０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、４００Ｗ／（ｍ．Ｋ）、４１０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、４２０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、４３０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、４４０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、又は４５０Ｗ／（ｍ．Ｋ）の標準的な条件での熱伝導性を有する。
一実施形態によれば、ホスト材料７１は、電気絶縁体である。
一実施形態によれば、ホスト材料７１は、導電性である。
一実施形態によれば、ホスト材料７１は、１×１０−２０〜１０７Ｓ／ｍ、好ましくは、１×１０−１５〜５Ｓ／ｍ、より好ましくは、１×１０−７〜１Ｓ／ｍの範囲の標準的な条件での熱伝導性を有する。
一実施形態によれば、ホスト材料７１は、少なくとも１×１０−２０Ｓ／ｍ、０．５×１０−１９Ｓ／ｍ、１×１０−１９Ｓ／ｍ、０．５×１０−１８Ｓ／ｍ、１×１０−１８Ｓ／ｍ、０．５×１０−１７Ｓ／ｍ、１×１０−１７Ｓ／ｍ、０．５×１０−１６Ｓ／ｍ、１×１０−１６Ｓ／ｍ、０．５×１０−１５Ｓ／ｍ、１×１０−１５Ｓ／ｍ、０．５×１０−１４Ｓ／ｍ、１×１０−１４Ｓ／ｍ、０．５×１０−１３Ｓ／ｍ、１×１０−１３Ｓ／ｍ、０．５×１０−１２Ｓ／ｍ、１×１０−１２Ｓ／ｍ、０．５×１０−１１Ｓ／ｍ、１×１０−１１Ｓ／ｍ、０．５×１０−１０Ｓ／ｍ、１×１０−１０Ｓ／ｍ、０．５×１０−９Ｓ／ｍ、１×１０−９Ｓ／ｍ、０．５×１０−８Ｓ／ｍ、１×１０−８Ｓ／ｍ、０．５×１０−７Ｓ／ｍ、１×１０−７Ｓ／ｍ、０．５×１０−６Ｓ／ｍ、１×１０−６Ｓ／ｍ、０．５×１０−５Ｓ／ｍ、１×１０−５Ｓ／ｍ、０．５×１０−４Ｓ／ｍ、１×１０−４Ｓ／ｍ、０．５×１０−３Ｓ／ｍ、１×１０−３Ｓ／ｍ、０．５×１０−２Ｓ／ｍ、１×１０−２Ｓ／ｍ、０．５×１０−１Ｓ／ｍ、１×１０−１Ｓ／ｍ、０．５Ｓ／ｍ、１Ｓ／ｍ、１．５Ｓ／ｍ、２Ｓ／ｍ、２．５Ｓ／ｍ、３Ｓ／ｍ、３．５Ｓ／ｍ、４Ｓ／ｍ、４．５Ｓ／ｍ、５Ｓ／ｍ、５．５Ｓ／ｍ、６Ｓ／ｍ、６．５Ｓ／ｍ、７Ｓ／ｍ、７．５Ｓ／ｍ、８Ｓ／ｍ、８．５Ｓ／ｍ、９Ｓ／ｍ、９．５Ｓ／ｍ、１０Ｓ／ｍ、５０Ｓ／ｍ、１０２Ｓ／ｍ、５×１０２Ｓ／ｍ、１０３Ｓ／ｍ、５×１０３Ｓ／ｍ、１０４Ｓ／ｍ、５×１０４Ｓ／ｍ、１０５Ｓ／ｍ、５×１０５Ｓ／ｍ、１０６Ｓ／ｍ、５×１０６Ｓ／ｍ、又は１０７Ｓ／ｍの標準的な条件で電気伝導性を有する。
一実施形態によれば、ホスト材料７１の電気伝導性は、例えば、インピーダンス分光計を用いて測定され得る。
一実施形態によれば、ホスト材料７１は、膜の形状に硬化させ、それによって、膜を生成することができる。
一実施形態によれば、ホスト材料７１は、ポリマーである。
一実施形態によれば、ホスト材料７１は、後述するように、有機材料を含む。
一実施形態によれば、ホスト材料７１は、後述するように、有機ポリマーを含む。
一実施形態によれば、ホスト材料７１は、それを加熱することによって、かつ／又はＵＶ光に曝すことによって重合することができる。
一実施形態によれば、高分子ホスト材料７１には、シリコーン系ポリマー、ポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）、ポリエチレンテレフタレート、ポリエステル、ポリアクリレート、ポリメタクリレート、ポリカーボネート、ポリ（ビニルアルコール）、ポリビニルピロリドン、ポリビニルピリジン、多糖類、ポリ（エチレングリコール）、メラミン樹脂、フェノール樹脂、アルキル樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、マレイン酸樹脂、ポリアミド樹脂、アルキル樹脂、マレイン樹脂、テルペン系樹脂、アクリル系樹脂又はＰＭＭＡなどのアクリル系樹脂、樹脂を形成するコポリマー、コポリマー、ブロックコポリマー、ＵＶ開始剤又は保温開始剤を含む重合性モノマー、又はそれらの混合物が含まれるが、これに限定されない。
一実施形態によれば、高分子ホスト材料７１には、熱硬化性樹脂、光感受性樹脂、フォトレジスト樹脂、光硬化性樹脂、又は乾燥硬化性樹脂が含まれるが、これに限定されない。熱硬化性樹脂及び光硬化性樹脂は、それぞれ、熱及び光を用いて硬化される。乾燥硬質樹脂の使用のために、樹脂は、少なくとも１種の複合粒子１が分散している溶媒に熱を加えることによって硬化される。
熱硬化性樹脂又は光硬化性樹脂が使用される場合には、生じた発光材料７の組成は、発光材料７の原料の組成に等しい。しかしながら、乾燥硬化性樹脂が使用される場合には、生じる発光材料７の組成は、発光材料７の原料の組成と異なっていてよい。熱による乾燥硬化中に、溶媒は部分的に蒸発する。そのため、発光材料７の原料中の複合粒子１の体積比は、生じる発光材料７中の複合粒子１の体積比よりも低くてよい。
樹脂の硬化の際に、体積収縮が生じる。一実施形態によれば、収縮の少なくとも２％、３％、４％、５％、６％、７％、８％、９％、１０％、１５％、又は２０％が、熱硬化性樹脂又は光硬化性樹脂から生じる。一実施形態によれば、乾燥硬化性樹脂は、少なくとも０．１％、０．２％、０．３％、０．４％、０．５％、０．６％、０．７％、０．８％、０．９％、１％、１.５％、２％、２．５％、３％、３．５％、４％、４．５％、５％、５．５％、６％、６．５％、７％、７．５％、８％、８.５％、９％、９．５％、１０％、１５％、又は２０％まで収縮する。樹脂の収縮は、複合粒子１の移動を引き起こし得、発光材料７中の複合粒子１の分散度を低下させ得る。しかしながら、本発明の実施形態は、前記発光材料７に他の粒子を導入することにより複合粒子１の移動を防止することによって、高い分散性を維持することができる。
一実施形態において、ホスト材料７１は、モノマー、オリゴマー、ポリマー、又はそれらの混合物を含むことができる重合性配合物であり得る。
一実施形態において、該重合性配合物は、さらに、架橋剤、散乱剤、光開始剤又は熱開始剤を含み得る。
一実施形態において、該重合性配合物には、アルキルメタクリレート若しくはアルキルアクリレート、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、アクリロニトリル、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシで置換されたアクリル酸エステル、及び類似の誘導体、例えば、メチルアクリレート、エチルアクリレート、プロピルアクリレート、ブチルアクリレート、イソブチルアクリレート、ラウリルアクリレート、ノルボルニルアクリレート、２−エチルヘキシルアクリレート、２−ヒドロキシエチルアクリレート、４−ヒドロキシブチルアクリレート、ベンジルアクリレート、フェニルアクリレート、イソボルニルアクリレート、ヒドロキシプロピルアクリレート、フッ素化アクリルモノマー、塩素化アクリルモノマー、メタクリル酸、メチルメタクリレート、ｎ−ブチルメタクリレート、イソブチルメタクリレート、２−エチルヘキシルメタクリレート、２−ヒドロキシエチルメタクリレート、４−ヒドロキシブチルメタクリレート、ベンジルメタクリレート、フェニルメタクリレート、ラウリルメタクリレート、ノルボルニルメタクリレート、イソボルニルメタクリレート、ヒドロキシプロピルメタクリレート、フッ素化メタクリルモノマー、塩素化メタクリルモノマー、アルキルクロトネート、アリルクロトネート、グリシジルメタクリレート及び関連エステルから作られたモノマー、オリゴマー又はポリマーが含まれるが、これらに限定されない。
別の実施形態において、該重合性配合物には、アルキルアクリルアミド又はアルキルメタクリルアミド、例えば、アクリルアミド、アルキルアクリルアミド、Ｎ−ｔｅｒｔ−ブチルアクリルアミド、ジアセトンアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアクリルアミド、Ｎ−（イソブトキシメチル）アクリルアミド、Ｎ−（３−メトキシプロピル）アクリルアミド、Ｎ−ジフェニルメチルアクリルアミド、Ｎ−エチルアクリルアミド、Ｎ−ヒドロキシエチルアクリルアミド、Ｎ−（イソブトキシメチル）アクリルアミド、Ｎ−イソプロピルアクリルアミド、Ｎ−（３−メトキシプロピル）アクリルアミド、Ｎ−フェニルアクリルアミド、Ｎ−［トリス（ヒドロキシメチル）メチル］アクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルメタクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルアミド、Ｎ−［３−（ジメチルアミノ）プロピル]メタクリルアミド、Ｎ−（ヒドロキシメチル）アクリルアミド、２−ヒドロキシプロピルメタクリルアミド、Ｎ−イソプロピルメタクリルアミド、メタクリルアミド、Ｎ−（トリフェニルメチル）メタクリルアミド、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）、ポリ（エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）、ポリアニリン／カンファースルホン酸（ＰＡＮＩ／ＣＳＡ）の水溶液、ＰＴＰＤＥＳ、Ｅｔ−ＰＩＴ−ＤＥＫ、ＰＰＢＡ、及び類似の誘導体などから作られたモノマー、オリゴマー又はポリマーが含まれるが、これらに限定されない。
一実施形態において、該重合性配合物には、アルファオレフィン、ブタジエン及びクロロプレンなどのジエン類；スチレン、及びアルファメチルスチレンなど；ヘテロ原子置換アルファオレフィン、例えば、酢酸ビニル、ビニルアルキルエーテル、例えば、エチルビニルエーテル、ビニルトリメチルシラン、塩化ビニル、テトラフルオロエチレン、クロロトリフルオロエチレン、環状及び多環式オレフィン化合物、例えば、シクロペンテン、シクロヘキセン、シクロヘプテン、シクロオクテン、及びＣ２０までの環状誘導体；多環式誘導体、例えば、ノルボルネン、及びＣ２０までの類似の誘導体；環状ビニルエーテル、例えば、２，３−ジヒドロフラン、３，４−ジヒドロピラン、及び類似の誘導体；アリルアルコール誘導体、例えば、ビニルエチレンカーボネート、マレイン酸及びフマル酸化合物などの二置換オレフィン、例えば、無水マレイン酸及びジエチルフマレートなど、並びにそれらの混合物などから作られたモノマー、オリゴマー又はポリマーが含まれるが、これらに限定されない。
一実施形態において、架橋剤の例には、ジアクリレート、トリアクリレート、テトラアクリレート、ジメタクリレート、トリメタクリレート及びテトラメタクリレートモノマーの誘導体などが含まれるが、これらに限定されない。架橋剤の別の例には、アリルメタクリレート、ジアリルマレエート、１，３−ブタンジオールジメタクリレート、１，４−ブタンジオールジメタクリレート、１，６−ヘキサンジオールジメタクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、エチレングリコールジメタクリレート、トリエチレングリコールジメタクリレート、Ｎ，Ｎ−メチレンビス（アクリルアミド）、Ｎ，Ｎ'−ヘキサメチレンビス（メタクリルアミド）、及びジビニルベンゼンなどのジ官能性又はトリ官能性モノマーから作られたモノマー、オリゴマー又はポリマーが含まれるが、これらに限定されない
一実施形態において、該重合性配合物は、さらに、散乱粒子を含み得る。散乱粒子の例には、ＳｉＯ２、ＺｒＯ２、ＺｎＯ、ＭｇＯ、ＳｎＯ２、ＴｉＯ２、Ａｇ、Ａｕ、アルミナ、硫酸バリウム、ＰＴＦＥ、及びチタン酸バリウムなどが含まれるが、これらに限定されない。
一実施形態において、該重合性配合物は、さらに、熱伝導体を含み得る。熱伝導体の例には、ＳｉＯ２、ＺｒＯ２、ＺｎＯ、ＭｇＯ、ＳｎＯ２、ＴｉＯ２、ＣａＯ、アルミナ、硫酸バリウム、ＰＴＦＥ、及びチタン酸バリウムなどが含まれるが、これらに限定されない。この実施形態において、ホスト材料７１の熱伝導率は高くなる。
一実施形態において、該重合性配合物は、さらに、光開始剤を含み得る。光開始剤の例には、α−ヒドロキシケトン、フェニルグリオキシレート、ベンジルジメチルケタール、α−アミノケトン、モノアシルホスフィンオキシド、ビスアシルホスフィンオキシド、ホスフィンオキシド、ベンゾフェノン及び誘導体、ポリビニル桂皮酸、メタロセン又はヨードニウム塩の誘導体などが含まれるが、これらに限定されない。光開始剤の別の例には、Ｉｒｇａｃｕｒｅ（登録商標）光開始剤及びＥｓａｃｕｒｅ（登録商標）光開始剤などが含まれる。
一実施形態において、該重合性配合物は、さらに、熱開始剤を含み得る。熱開始剤の例には、アゾビスイソブチロニトリル（ＡＩＢＮ）及び４，４−アゾビス（４−シアノ吉草酸）、過硫酸カリウム及び過硫酸アンモニウム、ｔｅｒｔ−ブチルペルオキシド、及び過酸化ベンゾイルなどの過酸化物、アゾ化合物が含まれるが、これらに限定されない。
一実施形態において、ポリマーホスト材料７１は、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、アクリロニトリル、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシで置換されたアクリル酸エステル類、及び類似の誘導体、例えば、メチルアクリレート、エチルアクリレート、プロピルアクリレート、ブチルアクリレート、イソブチルアクリレート、ラウリルアクリレート、ノルボルニルアクリレート、２−エチルヘキシルアクリレート、２−ヒドロキシエチルアクリレート、４−ヒドロキシブチルアクリレート、ベンジルアクリレート、フェニルアクリレート、イソボルニルアクリレート、ヒドロキシプロピルアクリレート、フッ素化アクリルモノマー、塩素化アクリルモノマー、メタクリル酸、メチルメタクリレート、ｎ−ブチルメタクリレート、イソブチルメタクリレート、２−エチルヘキシルメタクリレート、２−ヒドロキシエチルメタクリレート、４−ヒドロキシブチルメタクリレート、ベンジルメタクリレート、フェニルメタクリレート、ラウリルメタクリレート、ノルボルニルメタクリレート、イソボルニルメタクリレート、ヒドロキシプロピルメタクリレート、フッ素化メタクリル酸モノマー、塩素化メタクリル酸モノマー、アルキルクロトネート、アリルクロトネート、グリシジルメタクリレート及び関連エステルなどのアルキルメタクリレート又はアルキルアクリレートから作られた重合固体であり得る。
一実施形態において、ポリマーホスト材料７１は、アルキルアクリルアミド又はアルキルメタクリルアミド、例えば、アクリルアミド、アルキルアクリルアミド、Ｎ−ｔｅｒｔ−ブチルアクリルアミド、ジアセトンアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアクリルアミド、Ｎ−イソブトキシメチル）アクリルアミド、Ｎ−（３−メトキシプロピル）アクリルアミド、Ｎ−ジフェニルメチルアクリルアミド、Ｎ−エチルアクリルアミド、Ｎ−ヒドロキシエチルアクリルアミド、Ｎ−（イソブトキシメチル）アクリルアミド、Ｎ−イソプロピルアクリルアミド、Ｎ−（３−メトキシプロピル）アクリルアミド、Ｎ−フェニルアクリルアミド、Ｎ−[トリス（ヒドロキシメチル）メチル]アクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルメタクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルアミド、Ｎ−[３−（ジメチルアミノ）プロピル]メタクリルアミド、Ｎ−（ヒドロキシメチル）アクリルアミド、２−ヒドロキシプロピルメタクリルアミド、Ｎ−イソプロピルメタクリルアミド、メタクリルアミド、Ｎ−（トリフェニルメチル）メタクリルアミド、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）、ポリ（エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）、ポリアニリン／カンファースルホン酸（ＰＡＮＩ／ＣＳＡ）、ＰＴＰＤＥＳ、Ｅｔ−ＰＩＴ−ＤＥＫ、ＰＰＢＡの水溶液、及び類似の誘導体から作られた重合固体であり得る。
一実施形態において、ポリマーホスト材料７１は、α−オレフィン、ブタジエン及びクロロプレンなどのジエン類；スチレン、及びアルファメチルスチレンなど；ヘテロ原子置換アルファオレフィン、例えば、酢酸ビニル、ビニルアルキルエーテル、例えば、エチルビニルエーテル、ビニルトリメチルシラン、塩化ビニル、テトラフルオロエチレン、クロロトリフルオロエチレン、環状及び多環式オレフィン化合物、例えば、シクロペンテン、シクロヘキセン、シクロヘプテン、シクロオクテン、及びＣ２０までの環状誘導体；多環式誘導体、例えば、ノルボルネン、及びＣ２０までの類似の誘導体；環状ビニルエーテル、例えば、２，３−ジヒドロフラン、３，４−ジヒドロピラン、及び類似の誘導体；アリルアルコール誘導体、例えば、ビニルエチレンカーボネート、マレイン酸及びフマル酸化合物などの二置換オレフィン、例えば、無水マレイン酸、ジエチルフマレートなど、及びそれらの混合物から作られた重合固体であり得る。
一実施形態において、ポリマーホスト材料７１は、ＰＭＭＡ、ポリ（ラウリルメタクリレート）、グリコール化ポリ（エチレンテレフタレート）、ポリ（無水マレイン酸−ａｌｔ−オクタデセン）、又はそれらの混合物であり得る。
別の実施形態において、発光材料７は、さらに、少なくとも１つの溶媒を含み得る。この実施形態によれば、溶媒は、本発明の複合粒子１及びポリマーホスト材料７１の可溶化を可能にするもの、例えば、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、１，２−ヘキサンジオール、１，５−ペンタンジオール、シクロヘキサン、石油エーテル、トルエン、ベンゼン、キシレン、クロロベンゼン、四塩化炭素、クロロホルム、ジクロロメタン、１，２−ジクロロエタン、ＴＨＦ（テトラヒドロフラン）、アセトニトリル、アセトン、エタノール、メタノール、酢酸エチル、エチレングリコール、ジグリム（ジエチレングリコールジメチルエーテル）、ジエチルエーテル、ＤＭＥ（１，２−ジメトキシエタン、グライム）、ＤＭＦ（ジメチルホルムアミド）、ＮＭＦ（Ｎ−メチルホルムアミド）、ＦＡ（ホルムアミド）、ＤＭＳＯ（ジメチルスルホキシド）、１，４−ジオキサン、トリエチルアミン、アルコキシアルコール、アルキルアルコール、アルキルベンゼン、アルキルベンゾエート、アルキルナフタレン、オクタン酸アミル、アニソール、アリールアルコール、ベンジルアルコール、ブチルベンゼン、ブチロフェノン、シスデカリン、ジプロピレングリコールメチルエーテル、ドデシルベンゼン、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、メシチレン、メトキシプロパノール、安息香酸メチル、メチルナフタレン、メチルピロリジノン、フェノキシエタノール、１，３−プロパンジオール、ピロリジノン、トランスデカリン、バレロフェノン、又はそれらの混合物である。
一実施形態によれば、発光材料７は、上記の少なくとも２種の溶媒を含む。この実施形態において、溶媒は共に混和性である。
一実施形態によれば、発光材料７は、上記の溶媒の配合物を含む。この実施形態において、溶媒は共に混和性である。
一実施形態によれば、発光材料７は、上記の複数の溶媒を含む。この実施形態において、溶媒は共に混和性である。
一実施形態によれば、発光材料７に含まれる溶媒は、水と混和性である。
別の実施形態において、発光材料７は、溶媒の配合物、例えば、ベンジルアルコールとブチルベンゼンの配合物、ベンジルアルコールとアニソールの配合物、ベンジルアルコールとメシチレンの配合物、ブチルベンゼンとアニソールの配合物、ブチルベンゼンとメシチレンの配合物、アニソールとメシチレンの配合物、ドデシルベンゼンとシスデカリンの配合物、ドデシルベンゼンとベンジルアルコールの配合物、ドデシルベンゼンとブチルベンゼンの配合物、ドデシルベンゼンとアニソールの配合物、ドデシルベンゼンとメシチレンの配合物、シスデカリンとベンジルアルコールの配合物、シスデカリンとブチルベンゼンの配合物、シスデカリンとアニソールの配合物、シスデカリンとメシチレンの配合物、トランスデカリンとベンジルアルコールの配合物、トランスデカリンとブチルベンゼンの配合物、トランスデカリンとアニソールの配合物、トランスデカリンとメシチレンの配合物、メチルピロリジノンとアニソールの配合物、安息香酸メチルとアニソールの配合物、メチルピロリジノンとメチルナフタレンの配合物、メチルピロリジノンとメトキシプロパノールの配合物、メチルピロリジノンとフェノキシエタノールの配合物、メチルピロリジノンとアミルオクタノエートの配合物、メチルピロリジノンとトランスデカリンの配合物、メチルピロリジノンとメシチレンの配合物、メチルピロリジノンとブチルベンゼンの配合物、メチルピロリジノンとドデシルベンゼンの配合物、メチルピロリジノンとベンジルアルコールの配合物、アニソールとメチルナフタレンの配合物、アニソールとメトキシプロパノールの配合物、アニソールとフェノキシエタノールの配合物、アニソールとアミルオクタノエートの配合物、安息香酸メチルとメチルナフタレンの配合物、安息香酸メチルとメトキシプロパノールの配合物、安息香酸メチルとフェノキシエタノールの配合物、安息香酸メチルとアミルオクタノエートの配合物、安息香酸メチルとシスデカリンの配合物、安息香酸メチルとトランスデカリンの配合物、安息香酸メチルとメシチレンの配合物、安息香酸メチルとブチルベンゼンの配合物、安息香酸メチルとドデシルベンゼンの配合物、安息香酸メチルとベンジルアルコールの配合物、メチルナフタレンとメトキシプロパノールの配合物、メチルナフタレンとフェノキシエタノールの配合物、メチルナフタレンとアミルオクタノエートの配合物、メチルナフタレンとシスデカリンの配合物、メチルナフタレンとトランスデカリンの配合物、メチルナフタレンとメシチレンの配合物、メチルナフタレンとブチルベンゼンの配合物、メチルナフタレンとドデシルベンゼンの配合物、メチルナフタレンとベンジルアルコールの配合物、メトキシプロパノールとフェノキシエタノールの配合物、メトキシプロパノールとアミルオクタノエートの配合物、メトキシプロパノールとシスデカリンの配合物、メトキシプロパノールとトランスデカリンの配合物、メトキシプロパノールとメシチレンの配合物、メトキシプロパノールとブチルベンゼンの配合物、メトキシプロパノールとドデシルベンゼンの配合物、メトキシプロパノールとベンジルアルコールの配合物、フェノキシエタノールとアミルオクタノエートの配合物、フェノキシプロパノールとメシチレンの配合物、フェノキシプロパノールとブチルベンゼンの配合物、フェノキシプロパノールとドデシルベンゼンの配合物、フェノキシプロパノールとベンジルアルコールの配合物、アミルオクタノエートとシスデカリンの配合物、アミルオクタノエートとトランスデカリンの配合物、アミルオクタノエートとメシチレンの配合物、アミルオクタノエートとブチルベンゼンの配合物、アミルオクタノエートとドデシルベンゼンの配合物、アミルオクタノエートとベンジルアルコールの配合物、又はそれらの組み合わせなどを含む。
一実施形態によれば、発光材料７は、バレロフェノンとジプロピレングリコールメチルエーテルの配合物、バレロフェノンとブチロフェノンの配合物、ジプロピレングリコールメチルエーテルとブチロフェノンの配合物、ジプロピレングリコールメチルエーテルと１，３−プロパンジオールの配合物、ブチロフェノンと１，３−プロパンジオールの配合物、ジプロピレングリコールメチルエーテルと１，３−プロパンジオールと水の配合物、又はそれらの組み合わせを含む。
一実施形態によれば、発光材料７は、ビヒクルに使用することができる３つ、４つ、５つ、又はそれ以上の溶媒の配合物を含む。例えば、該ビヒクルは、ピロリジノン、メチルピロリジノン、アニソール、アルキルベンゾエート、安息香酸メチル、アルキルナフタレン、メチルナフタレン、アルコキシアルコール、メトキシプロパノール、フェノキシエタノール、アミルオクタノエート、シスデカリン、トランスデカリン、メシチレン、アルキルベンゼン、ブチルベンゼン、ドデシルベンゼン、アルキルアルコール、アリールアルコール、ベンジルアルコール、ブチロフェノン、ジプロピレングリコールメチルエーテル、バレロフェノン、及び１，３−プロパンジオールから選択される３つ、４つ、５つ、又はそれ以上の溶媒の配合物を含むことができる。一実施形態によれば、発光材料７は、シスデカリン、トランスデカリン、ベンジルアルコール、ブチルベンゼン、アニソール、メシチレン、及びドデシルベンゼンから選択される３種以上の溶媒を含む。
いくつかの実施形態において、上記配合物の各々の中の溶媒の各々は、ホスト材料７１の総重量に基づいて少なくとも５重量％、例えば、少なくとも１０重量％、少なくとも１５重量％、少なくとも２０重量％、少なくとも２５重量％、少なくとも３０重量％、少なくとも３５重量％、又は少なくとも４０重量％の量で存在する。いくつかの実施形態において、列挙した配合物の各々の中の溶媒の各々は、発光材料７の総重量に基づいて発光材料７の５０重量％を含むことができる。
一実施形態によれば、ホスト材料７１は、膜形成材料を含む。この実施形態において、膜形成材料は、上記のポリマー又は無機材料である。
一実施形態によれば、ホスト材料７１は、膜形成材料を重量で、少なくとも１％、２％、３％、４％、５％、６％、７％、８％、９％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は１００％含む。
一実施形態によれば、膜形成材料はポリマーであり、すなわち、上記のポリマー及び／若しくはモノマーを含むか、又はそれらからなる。
一実施形態によれば、膜形成材料は無機であり、すなわち、それは、上記の無機材料を含むか、又はそれらからなる。
別の実施形態において、発光材料７は、本発明の複合粒子１及びポリマーホスト材料７１を含み、溶媒を含まない。この実施形態において、複合粒子１及びホスト材料７１は、押出成形によって混合することができる。
別の実施形態によれば、ホスト材料７１は、無機である。
一実施形態によれば、ホスト材料７１は、ガラスを含まない。
一実施形態によれば、ホスト材料７１は、ビトリファイドガラスを含まない。
一実施形態によれば、無機ホスト材料７１の例には、ゾル−ゲル法により得られる材料、例えば、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、ＺｎＯ、ＭｇＯ、ＳｎＯ２、ＩｒＯ２などの金属酸化物、又はそれらの混合物が含まれるが、これらに限定されない。前記ホスト材料７１は、酸化に対する補助的障壁として作用し、それが良好な熱伝導体であれば、熱を放出することができる。
一実施形態によれば、ホスト材料７１は、金属、ハライド、カルコゲナイド、リン化物、硫化物、半金属、金属合金、セラミック、例えば、酸化物、炭化物、又は窒化物などの群から選択される材料で構成される。前記無機材料７１は、当業者に公知のプロトコルを用いて調製される。
一実施形態によれば、カルコゲナイドは、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｐｏの群から選択される少なくとも１種のカルコゲンアニオン、及び少なくとも１以上の電気陽性元素からなる化合物である。
一実施形態によれば、金属ホスト材料７１は、金、銀、銅、バナジウム、白金、パラジウム、ルテニウム、レニウム、イットリウム、水銀、カドミウム、オスミウム、クロム、タンタル、マンガン、亜鉛、ジルコニウム、ニオブ、モリブデン、ロジウム、タングステン、イリジウム、ニッケル、鉄、又はコバルトの群から選択される。
一実施形態によれば、炭化ホスト材料７１の例には、ＳｉＣ、ＷＣ、ＢＣ、ＭｏＣ、ＴｉＣ、Ａｌ４Ｃ３、ＬａＣ２、ＦｅＣ、ＣｏＣ、ＨｆＣ、ＳｉｘＣｙ、ＷｘＣｙ、ＢｘＣｙ、ＭｏｘＣｙ、ＴｉｘＣｙ、ＡｌｘＣｙ、ＬａｘＣｙ、ＦｅｘＣｙ、ＣｏｘＣｙ、ＨｆｘＣｙ、又はそれらの混合物が含まれるが、これらに限定されない；ｘ及びｙは、ｘ及びｙが同時に０ではなく、かつｘは０ではないという条件で、独立して、０〜５の１０進数である。
一実施形態によれば、酸化物ホスト材料７１の例には、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、ＺｎＯ、ＭｇＯ、ＳｎＯ２、Ｎｂ２Ｏ５、ＣｅＯ２、ＢｅＯ、ＩｒＯ２、ＣａＯ、Ｓｃ２Ｏ３、ＮｉＯ、Ｎａ２Ｏ、ＢａＯ、Ｋ２Ｏ、ＰｂＯ、Ａｇ２Ｏ、Ｖ２Ｏ５、ＴｅＯ２、ＭｎＯ、Ｂ２Ｏ３、Ｐ２Ｏ５、Ｐ２Ｏ３、Ｐ４Ｏ７、Ｐ４Ｏ８、Ｐ４Ｏ９、Ｐ２Ｏ６、ＰＯ、ＧｅＯ２、Ａｓ２Ｏ３、Ｆｅ２Ｏ３、Ｆｅ３Ｏ４、Ｔａ２Ｏ５、Ｌｉ２Ｏ、ＳｒＯ、Ｙ２Ｏ３、ＨｆＯ２、ＷＯ２、ＭｏＯ２、Ｃｒ２Ｏ３、Ｔｃ２Ｏ７、ＲｅＯ２、ＲｕＯ２、Ｃｏ３Ｏ４、ＯｓＯ、ＲｈＯ２、Ｒｈ２Ｏ３、ＰｔＯ、ＰｄＯ、ＣｕＯ、Ｃｕ２Ｏ、ＣｄＯ、ＨｇＯ、Ｔｌ２Ｏ、Ｇａ２Ｏ３、Ｉｎ２Ｏ３、Ｂｉ２Ｏ３、Ｓｂ２Ｏ３、ＰｏＯ２、ＳｅＯ２、Ｃｓ２Ｏ、Ｌａ２Ｏ３、Ｐｒ６Ｏ１１、Ｎｄ２Ｏ３、Ｌａ２Ｏ３、Ｓｍ２Ｏ３、Ｅｕ２Ｏ３、Ｔｂ４Ｏ７、Ｄｙ２Ｏ３、Ｈｏ２Ｏ３、Ｅｒ２Ｏ３、Ｔｍ２Ｏ３、Ｙｂ２Ｏ３、Ｌｕ２Ｏ３、Ｇｄ２Ｏ３、又はそれらの混合物が含まれるが、これらに限定されない。
一実施形態によれば、酸化物ホスト材料７１の例には、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化銅、酸化鉄、酸化銀、酸化鉛、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化亜鉛、酸化錫、酸化ベリリウム、酸化ジルコニウム、酸化ニオブ、酸化セリウム、酸化イリジウム、酸化スカンジウム、酸化ニッケル、酸化ナトリウム、酸化バリウム、酸化カリウム、酸化バナジウム、酸化テルル、酸化マンガン、酸化ホウ素、酸化リン、酸化ゲルマニウム、酸化オスミウム、酸化レニウム、酸化白金、酸化ヒ素、酸化タンタル、酸化リチウム、酸化ストロンチウム、酸化イットリウム、酸化ハフニウム、酸化タングステン、酸化モリブデン、酸化クロム、酸化テクネチウム、酸化ロジウム、酸化ルテニウム、酸化コバルト、酸化パラジウム、酸化カドミウム、酸化水銀、酸化タリウム、酸化ガリウム、酸化インジウム、酸化ビスマス、酸化アンチモン、酸化ポロニウム、酸化セレン、酸化セシウム、酸化ランタン、酸化プラセオジム、酸化ネオジム、酸化サマリウム、酸化ユウロピウム、酸化テルビウム、酸化ジスプロシウム、酸化エルビウム、酸化ホルミウム、酸化ツリウム、酸化イッテルビウム、酸化ルテチウム、酸化ガドリニウム、混合酸化物、それらの混合酸化物又はそれらの混合物が含まれるが、これらに限定されない。
一実施形態によれば、窒化物ホスト材料７１の例には、ＴｉＮ、Ｓｉ３Ｎ４、ＭｏＮ、ＶＮ、ＴａＮ、Ｚｒ３Ｎ４、ＨｆＮ、ＦｅＮ、ＮｂＮ、ＧａＮ、ＣｒＮ、ＡｌＮ、ＩｎＮ、ＴｉｘＮｙ、ＳｉｘＮｙ、ＭｏｘＮｙ、ＶｘＮｙ、ＴａｘＮｙ、ＺｒｘＮｙ、ＨｆｘＮｙ、ＦｅｘＮｙ、ＮｂｘＮｙ、ＧａｘＮｙ、ＣｒｘＮｙ、ＡｌｘＮｙ、ＩｎｘＮｙ、又はそれらの混合物が含まれるが、これらに限定されない；ｘ及びｙは、ｘ及びｙが同時に０ではなく、かつｘは０ではないという条件で、独立して、０〜５の１０進数である。。
一実施形態によれば、硫化物ホスト材料７１の例には、ＳｉｙＳｘ、ＡｌｙＳｘ、ＴｉｙＳｘ、ＺｒｙＳｘ、ＺｎｙＳｘ、ＭｇｙＳｘ、ＳｎｙＳｘ、ＮｂｙＳｘ、ＣｅｙＳｘ、ＢｅｙＳｘ、ＩｒｙＳｘ、ＣａｙＳｘ、ＳｃｙＳｘ、ＮｉｙＳｘ、ＮａｙＳｘ、ＢａｙＳｘ、ＫｙＳｘ、ＰｂｙＳｘ、ＡｇｙＳｘ、ＶｙＳｘ、ＴｅｙＳｘ、ＭｎｙＳｘ、ＢｙＳｘ、ＰｙＳｘ、ＧｅｙＳｘ、ＡｓｙＳｘ、ＦｅｙＳｘ、ＴａｙＳｘ、ＬｉｙＳｘ、ＳｒｙＳｘ、ＹｙＳｘ、ＨｆｙＳｘ、ＷｙＳｘ、ＭｏｙＳｘ、ＣｒｙＳｘ、ＴｃｙＳｘ、ＲｅｙＳｘ、ＲｕｙＳｘ、ＣｏｙＳｘ、ＯｓｙＳｘ、ＲｈｙＳｘ、ＰｔｙＳｘ、ＰｄｙＳｘ、ＣｕｙＳｘ、ＡｕｙＳｘ、ＣｄｙＳｘ、ＨｇｙＳｘ、ＴｌｙＳｘ、ＧａｙＳｘ、ＩｎｙＳｘ、ＢｉｙＳｘ、ＳｂｙＳｘ、ＰｏｙＳｘ、ＳｅｙＳｘ、ＣｓｙＳｘ、混合硫化物、それらの混合硫化物又はそれらの混合物が含まれるが、これらに限定されない；ｘ及びｙは、ｘ及びｙが同時に０ではなく、かつｘは０ではないという条件で、独立して、０〜１０の１０進数である。
一実施形態によれば、ハライドホスト材料７１の例には、ＢａＦ２、ＬａＦ３、ＣｅＦ３、ＹＦ３、ＣａＦ２、ＭｇＦ２、ＰｒＦ３、ＡｇＣｌ、ＭｎＣｌ２、ＮｉＣｌ２、Ｈｇ２Ｃｌ２、ＣａＣｌ２、ＣｓＰｂＣｌ３、ＡｇＢｒ、ＰｂＢｒ３、ＣｓＰｂＢｒ３、ＡｇＩ、ＣｕＩ、ＰｂＩ、ＨｇＩ２、ＢｉＩ３、ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＩ３、ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＣｌ３、ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＢｒ３、ＣｓＰｂＩ３、ＦＡＰｂＢｒ３（ＦＡホルムアミジニウムを有する）、又はそれらの混合物が含まれるが、これらに限定されない。
一実施形態によれば、カルコゲナイドホスト材料７１の例には、ＣｄＯ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＺｎＯ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＨｇＯ、ＨｇＳ、ＨｇＳｅ、ＨｇＴｅ、ＣｕＯ、Ｃｕ２Ｏ、ＣｕＳ、Ｃｕ２Ｓ、ＣｕＳｅ、ＣｕＴｅ、Ａｇ２Ｏ、Ａｇ２Ｓ、Ａｇ２Ｓｅ、Ａｇ２Ｔｅ、Ａｕ２Ｓ、ＰｄＯ、ＰｄＳ、Ｐｄ４Ｓ、ＰｄＳｅ、ＰｄＴｅ、ＰｔＯ、ＰｔＳ、ＰｔＳ２、ＰｔＳｅ、ＰｔＴｅ、ＲｈＯ２、Ｒｈ２Ｏ３、ＲｈＳ２、Ｒｈ２Ｓ３、ＲｈＳｅ２、Ｒｈ２Ｓｅ３、ＲｈＴｅ２、ＩｒＯ２、ＩｒＳ２、Ｉｒ２Ｓ３、ＩｒＳｅ２、ＩｒＴｅ２、ＲｕＯ２、ＲｕＳ２、ＯｓＯ、ＯｓＳ、ＯｓＳｅ、ＯｓＴｅ、ＭｎＯ、ＭｎＳ、ＭｎＳｅ、ＭｎＴｅ、ＲｅＯ２、ＲｅＳ２、Ｃｒ２Ｏ３、Ｃｒ２Ｓ３、ＭｏＯ２、ＭｏＳ２、ＭｏＳｅ２、ＭｏＴｅ２、ＷＯ２、ＷＳ２、ＷＳｅ２、Ｖ２Ｏ５、Ｖ２Ｓ３、Ｎｂ２Ｏ５、ＮｂＳ２、ＮｂＳｅ２、ＨｆＯ２、ＨｆＳ２、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、ＺｒＳ２、ＺｒＳｅ２、ＺｒＴｅ２、Ｓｃ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３、Ｙ２Ｓ３、ＳｉＯ２、ＧｅＯ２、ＧｅＳ、ＧｅＳ２、ＧｅＳｅ、ＧｅＳｅ２、ＧｅＴｅ、ＳｎＯ２、ＳｎＳ、ＳｎＳ２、ＳｎＳｅ、ＳｎＳｅ２、ＳｎＴｅ、ＰｂＯ、ＰｂＳ、ＰｂＳｅ、ＰｂＴｅ、ＭｇＯ、ＭｇＳ、ＭｇＳｅ、ＭｇＴｅ、ＣａＯ、ＣａＳ、ＳｒＯ、Ａｌ２Ｏ３、Ｇａ２Ｏ３、Ｇａ２Ｓ３、Ｇａ２Ｓｅ３、Ｉｎ２Ｏ３、Ｉｎ２Ｓ３、Ｉｎ２Ｓｅ３、Ｉｎ２Ｔｅ３、Ｌａ２Ｏ３、Ｌａ２Ｓ３、ＣｅＯ２、ＣｅＳ２、Ｐｒ６Ｏ１１、Ｎｄ２Ｏ３、ＮｄＳ２、Ｌａ２Ｏ３、Ｔｌ２Ｏ、Ｓｍ２Ｏ３、ＳｍＳ２、Ｅｕ２Ｏ３、ＥｕＳ２、Ｂｉ２Ｏ３、Ｓｂ２Ｏ３、ＰｏＯ２、ＳｅＯ２、Ｃｓ２Ｏ、Ｔｂ４Ｏ７、ＴｂＳ２、Ｄｙ２Ｏ３、Ｈｏ２Ｏ３、Ｅｒ２Ｏ３、ＥｒＳ２、Ｔｍ２Ｏ３、Ｙｂ２Ｏ３、Ｌｕ２Ｏ３、ＣｕＩｎＳ２、ＣｕＩｎＳｅ２、ＡｇＩｎＳ２、ＡｇＩｎＳｅ２、Ｆｅ２Ｏ３、Ｆｅ３Ｏ４、ＦｅＳ、ＦｅＳ２、Ｃｏ３Ｓ４、ＣｏＳｅ、Ｃｏ３Ｏ４、ＮｉＯ、ＮｉＳｅ２、ＮｉＳｅ、Ｎｉ３Ｓｅ４、Ｇｄ２Ｏ３、ＢｅＯ、ＴｅＯ２、Ｎａ２Ｏ、ＢａＯ、Ｋ２Ｏ、Ｔａ２Ｏ５、Ｌｉ２Ｏ、Ｔｃ２Ｏ７、Ａｓ２Ｏ３、Ｂ２Ｏ３、Ｐ２Ｏ５、Ｐ２Ｏ３、Ｐ４Ｏ７、Ｐ４Ｏ８、Ｐ４Ｏ９、Ｐ２Ｏ６、ＰＯ、又はそれらの混合物が含まれるが、これらに限定されない。
一実施形態によれば、リン化物ホスト材料７１の例には、ＩｎＰ、Ｃｄ３Ｐ２、Ｚｎ３Ｐ２、ＡｌＰ、ＧａＰ、ＴｌＰ、又はそれらの混合物が含まれるが、これらに限定されない。
一実施形態によれば、半金属ホスト材料７１の例には、Ｓｉ、Ｂ、Ｇｅ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｔｅ、又はそれらの混合物が含まれるが、これらに限定されない。
一実施形態によれば、金属合金ホスト材料７１の例には、Ａｕ−Ｐｄ、Ａｕ−Ａｇ、Ａｕ−Ｃｕ、Ｐｔ−Ｐｄ、Ｐｔ−Ｎｉ、Ｃｕ−Ａｇ、Ｃｕ−Ｓｎ、Ｒｕ−Ｐｔ、Ｒｈ−Ｐｔ、Ｃｕ−Ｐｔ、Ｎｉ−Ａｕ、Ｐｔ−Ｓｎ、Ｐｄ−Ｖ、Ｉｒ−Ｐｔ、Ａｕ−Ｐｔ、Ｐｄ−Ａｇ、Ｃｕ−Ｚｎ、Ｃｒ−Ｎｉ、Ｆｅ−Ｃｏ、Ｃｏ−Ｎｉ、Ｆｅ−Ｎｉ又はそれらの混合物が含まれるが、これらに限定されない。
一実施形態によれば、ホスト材料７１は、ガーネットを含む。
一実施形態によれば、ガーネットの例には、Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２、Ｙ３Ｆｅ２（ＦｅＯ４）３、Ｙ３Ｆｅ５Ｏ１２、Ｙ４Ａｌ２Ｏ９、ＹＡｌＯ３、Ｆｅ３Ａｌ２（ＳｉＯ４）３、Ｍｇ３Ａｌ２（ＳｉＯ４）３、Ｍｎ３Ａｌ２（ＳｉＯ４）３、Ｃａ３Ｆｅ２（ＳｉＯ４）３、Ｃａ３Ａｌ２（ＳｉＯ４）３、Ｃａ３Ｃｒ２（ＳｉＯ４）３、Ａｌ５Ｌｕ３Ｏ１２、ＧＡＬ、ＧａＹＡＧ、又はそれらの混合物が含まれるが、これらに限定されない。
一実施形態によれば、ホスト材料７１は、熱伝導性材料を含むか又はそれからなり、前記熱伝導性材料には、ＡｌｙＯｘ、ＡｇｙＯｘ、ＣｕｙＯｘ、ＦｅｙＯｘ、ＳｉｙＯｘ、ＰｂｙＯｘ、ＣａｙＯｘ、ＭｇｙＯｘ、ＺｎｙＯｘ、ＳｎｙＯｘ、ＴｉｙＯｘ、ＢｅｙＯｘ、ＣｄＳ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＣｄＺｎＳ、ＣｄＺｎＳｅ、ＡＵ、Ｎａ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｇ、Ｍｇ、混合酸化物、それらの混合酸化物又はそれらの混合物が含まれるが、これらに限定されない；ｘ及びｙは、ｘ及びｙが同時に０ではなく、かつｘは０ではないという条件で、独立して、０〜１０の１０進数である。
一実施形態によれば、ホスト材料７１は、熱伝導性材料を含むか又はそれからなり、前記熱伝導性材料には、Ａｌ２Ｏ３、Ａｇ２Ｏ、Ｃｕ２Ｏ、ＣｕＯ、Ｆｅ３Ｏ４、ＦｅＯ、ＳｉＯ２、ＰｂＯ、ＣａＯ、ＭｇＯ、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、ＴｉＯ２、ＢｅＯ、ＣｄＳ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＣｄＺｎＳ、ＣｄＺｎＳｅ、Ａｕ、Ｎａ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｇ、Ｍｇ、混合酸化物、それらの混合酸化物又はそれらの混合物が含まれるが、これらに限定されない。
一実施形態によれば、ホスト材料７１は、熱伝導性材料を含むか又はそれからなり、前記熱伝導性材料には、酸化アルミニウム、酸化銀、酸化銅、酸化鉄、酸化ケイ素、酸化鉛、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化亜鉛、酸化錫、酸化チタン、酸化ベリリウム、硫化亜鉛、硫化カドミウム、亜鉛セレン、カドミウム亜鉛セレン、硫化亜鉛カドミウム、金、ナトリウム、鉄、銅、アルミニウム、銀、マグネシウム、混合酸化物、それらの混合酸化物又はそれらの混合物が含まれるが、これらに限定されない。
一実施形態によれば、ホスト材料７１は、前記ホスト材料７１の大多数の元素に対して、０モル％、１モル％、５モル％、１０モル％、１５モル％、２０モル％、２５モル％、３０モル％、３５モル％、４０モル％、４５モル％、５０モル％、５５モル％、６０モル％、６５モル％、７０モル％、７５モル％、８０モル％の少量で有機分子を含む。
一実施形態によれば、ホスト材料７１は、上記のポリマーホスト材料、上記の無機ホスト材料、又はそれらの混合物を含む。
一実施形態によれば、発光材料７は、少なくとも１種のホスト材料７１を含む。
一実施形態によれば、発光材料７は、少なくとも２種のホスト材料７１を含む。この実施形態において、該ホスト材料は、互いに同一であるか、又は異なり得る。
一実施形態によれば、発光材料７は、複数のホスト材料７１を含む。この実施形態において、該ホスト材料は、互いに同一であるか、又は異なり得る。
一実施形態において、本発明の発光材料７は、複合粒子１の少なくとも１つの集団を含む。一実施形態において、複合粒子１の集団は、最大発光波長によって定義される。
一実施形態において、発光材料７は、異なる色又は波長を発する複合粒子１の２つの集団を含む。
一実施形態において、発光材料７に含まれ、異なる色又は波長を発する複合粒子１の少なくとも２つの集団の濃度は、入射光による励起後に、複合粒子１の少なくとも２つの集団の各々が放つ各二次光の光強度を予め決定するように制御される。
一実施形態において、発光材料７は、青色光源のダウンコンバージョン時に緑色光及び赤色光を放つ複合粒子１を含む。この実施形態において、発光材料７は、光源からの所定の強度の青色光を透過し、所定の強度の緑色及び赤色の二次光を放つように構成され、生じた三色白色光を放つことが可能になる。
一実施形態によれば、発光材料７は、青色光源のダウンコンバージョン時に緑色の光を放つ少なくとも１種のナノ粒子３を含む少なくとも１種の複合粒子１を含む。
一実施形態によれば、発光材料７は、青色光源のダウンコンバージョン時にオレンジ光を放つ少なくとも１種のナノ粒子３を含む少なくとも１種の複合粒子１を含む。
一実施形態によれば、発光材料７は、青色光源のダウンコンバージョン時に黄色光を放つ少なくとも１種のナノ粒子３を含む少なくとも１種の複合粒子１を含む。
一実施形態によれば、発光材料７は、青色光源のダウンコンバージョン時に紫色の光を放つ少なくとも１種のナノ粒子３を含む少なくとも１種の複合粒子１を含む。
一実施形態において、発光材料７は、複合粒子１の２つの集団を含み、第１の集団は、５００ｎｍ〜５６０ｎｍ、より好ましくは、５１５ｎｍ〜５４５ｎｍの最大発光波長を有し、第２の集団は、６００ｎｍ〜２５００ｎｍ、より好ましくは、６１０ｎｍ〜６５０ｎｍの最大発光波長を有する。
一実施形態において、発光材料７は、複合粒子１の３つの集団を含み、複合粒子１の第１の集団は、４４０ｎｍ〜４９９ｎｍ、より好ましくは、４５０ｎｍ〜４９５ｎｍの最大発光波長を有し、複合粒子１の第２の集団は、５００ｎｍ〜５６０ｎｍ、より好ましくは、５１５ｎｍ〜５４５ｎｍの最大発光波長を有し、複合粒子１の第３の集団は、６００ｎｍ〜２５００ｎｍ、より好ましくは、６１０ｎｍ〜６５０ｎｍの最大発光波長を有する。
一実施形態において、発光材料７は、いくつかの領域に分割され、それらのそれぞれは、異なる色又は波長を発する複合粒子１の異なる集団を含む。
一実施形態において、発光材料７は、膜の形状を有する。
一実施形態において、発光材料７は膜である。
一実施形態において、発光材料７は、押出によって処理される。
一実施形態において、発光材料７は、光パターンである。この実施形態において、前記パターンは、本明細書に記載の支持体上に形成され得る。
一実施形態において、本明細書に記載の支持体は、外部のシステムによって加熱又は冷却することができる。
一実施形態において、発光材料７は、集光パターンである。この実施形態において、前記パターンは、本明細書に記載の支持体上に形成され得る。
一実施形態において、発光材料７は、光拡散パターンである。この実施形態において、前記パターンは、本明細書に記載の支持体上に形成され得る。一実施形態において、発光材料７は、二枚の膜の積み重ねで作られ、それらの各々は、異なる色又は波長を発する複合粒子１の異なる集団を含む。
一実施形態において、発光材料７は、複数の膜の積み重ねで作られ、それらの各々は、異なる色又は波長を発する複合粒子１の異なる集団を含む。
一実施形態によれば、発光材料７は、３０ｎｍ〜１０ｃｍ、より好ましくは１００ｎｍ〜１ｃｍ、さらにより好ましくは、１００ｎｍ〜１ｍｍの厚さを有する。
一実施形態によれば、発光材料７は、少なくとも３０ｎｍ、４０ｎｍ、５０ｎｍ、６０ｎｍ、７０ｎｍ、８０ｎｍ、１００ｎｍ、１１０ｎｍ、１２０ｎｍ、１３０ｎｍ、１４０ｎｍ、１５０ｎｍ、１６０ｎｍ、１７０ｎｍ、１８０ｎｍ、１９０ｎｍ、２００ｎｍ、２１０ｎｍ、２２０ｎｍ、２３０ｎｍ、２４０ｎｍ、２５０ｎｍ、２６０ｎｍ、２７０ｎｍ、２８０ｎｍ、２９０ｎｍ、３００ｎｍ、３５０ｎｍ、４００ｎｍ、４５０ｎｍ、５００ｎｍ、５５０ｎｍ、６００ｎｍ、６５０ｎｍ、７００ｎｍ、７５０ｎｍ、８００ｎｍ、８５０ｎｍ、９００ｎｍ、９５０ｎｍ、１μｍ、１．５μｍ、２．５μｍ、３μｍ、３．５μｍ、４μｍ、４．１μｍ、４．２μｍ、４．３μｍ、４．４μｍ、４．５μｍ、４．６μｍ、４．７μｍ、４．８μｍ、４．９μｍ、５μｍ、５．１μｍ、５．２μｍ、５．３μｍ、５．４μｍ、５．５μｍ、５．５μｍ、５．６μｍ、５．７μｍ、５．８μｍ、５．９μｍ、６μｍ、６．５μｍ、７μｍ、７．５μｍ、８μｍ、８．５μｍ、９μｍ、９．５μｍ、１０μｍ、１０．５μｍ、１１μｍ、１１．５μｍ、１２μｍ、１２．５μｍ、１３μｍ、１３．５μｍ、１４μｍ、１４．５μｍ、１５μｍ、１５．５μｍ、１６μｍ、１６．５μｍ、１７μｍ、１７．５μｍ、１８μｍ、１８．５μｍ、１９μｍ、１９．５μｍ、２０μｍ、２０．５μｍ、２１μｍ、２１．５μｍ、２２μｍ、２２．５μｍ、２３μｍ、２３．５μｍ、２４μｍ、２４．５μｍ、２５μｍ、２５．５μｍ、２６μｍ、２６．５μｍ、２７μｍ、２７．５μｍ、２８μｍ、２８．５μｍ、２９μｍ、２９．５μｍ、３０μｍ、３０．５μｍ、３１μｍ、３１．５μｍ、３２μｍ、３２．５μｍ、３３μｍ、３３．５μｍ、３４μｍ、３４．５μｍ、３５μｍ、３５．５μｍ、３６μｍ、３６．５μｍ、３７μｍ、３７．５μｍ、３８μｍ、３８．５μｍ、３９μｍ、３９．５μｍ、４０μｍ、４０．５μｍ、４１μｍ、４１．５μｍ、４２μｍ、４２．５μｍ、４３μｍ、４３．５μｍ、４４μｍ、４４．５μｍ、４５μｍ、４５．５μｍ、４６μｍ、４６．５μｍ、４７μｍ、４７．５μｍ、４８μｍ、４８．５μｍ、４９μｍ、４９．５μｍ、５０μｍ、５０．５μｍ、５１μｍ、５１．５μｍ、５２μｍ、５２．５μｍ、５３μｍ、５３．５μｍ、５４μｍ、５４．５μｍ、５５μｍ、５５．５μｍ、５６μｍ、５６．５μｍ、５７μｍ、５７．５μｍ、５８μｍ、５８．５μｍ、５９μｍ、５９．５μｍ、６０μｍ、６０．５μｍ、６１μｍ、６１．５μｍ、６２μｍ、６２．５μｍ、６３μｍ、６３．５μｍ、６４μｍ、６４．５μｍ、６５μｍ、６５．５μｍ、６６μｍ、６６．５μｍ、６７μｍ、６７．５μｍ、６８μｍ、６８．５μｍ、６９μｍ、６９．５μｍ、７０μｍ、７０．５μｍ、７１μｍ、７１．５μｍ、７２μｍ、７２．５μｍ、７３μｍ、７３．５μｍ、７４μｍ、７４．５μｍ、７５μｍ、７５．５μｍ、７６μｍ、７６．５μｍ、７７μｍ、７７．５μｍ、７８μｍ、７８．５μｍ、７９μｍ、７９．５μｍ、８０μｍ、８０．５μｍ、８１μｍ、８１．５μｍ、８２μｍ、８２．５μｍ、８３μｍ、８３．５μｍ、８４μｍ、８４．５μｍ、８５μｍ、８５．５μｍ、８６μｍ、８６．５μｍ、８７μｍ、８７．５μｍ、８８μｍ、８８．５μｍ、８９μｍ、８９．５μｍ、９０μｍ、９０．５μｍ、９１μｍ、９１．５μｍ、９２μｍ、９２．５μｍ、９３μｍ、９３．５μｍ、９４μｍ、９４．５μｍ、９５μｍ、９５．５μｍ、９６μｍ、９６．５μｍ、９７μｍ、９７．５μｍ、９８μｍ、９８．５μｍ、９９μｍ、９９．５μｍ、１００μｍ、２００μｍ、２５０μｍ、３００μｍ、３５０μｍ、４００μｍ、４５０μｍ、５００μｍ、５５０μｍ、６００μｍ、６５０μｍ、７００μｍ、７５０μｍ、８００μｍ、８５０μｍ、９００μｍ、９５０μｍ、１ｍｍ、１．１ｍｍ、１．２ｍｍ、１．３ｍｍ、１．４ｍｍ、１．５ｍｍ、１．６ｍｍ、１．７ｍｍ、１．８ｍｍ、１．９ｍｍ、２ｍｍ、２．１ｍｍ、２．２ｍｍ、２．３ｍｍ、２．４ｍｍ、２．５ｍｍ、２．６ｍｍ、２．７ｍｍ、２．８ｍｍ、２．９ｍｍ、３ｍｍ、３．１ｍｍ、３．２ｍｍ、３．３ｍｍ、３．４ｍｍ、３．５ｍｍ、３．６ｍｍ、３．７ｍｍ、３．８ｍｍ、３．９ｍｍ、４ｍｍ、４．１ｍｍ、４．２ｍｍ、４．３ｍｍ、４．４ｍｍ、４．５ｍｍ、４．６ｍｍ、４．７ｍｍ、４．８ｍｍ、４．９ｍｍ、５ｍｍ、５．１ｍｍ、５．２ｍｍ、５．３ｍｍ、５．４ｍｍ、５．５ｍｍ、５．６ｍｍ、５．７ｍｍ、５．８ｍｍ、５．９ｍｍ、６ｍｍ、６．１ｍｍ、６．２ｍｍ、６．３ｍｍ、６．４ｍｍ、６．５ｍｍ、６．６ｍｍ、６．７ｍｍ、６．８ｍｍ、６．９ｍｍ、７ｍｍ、７．１ｍｍ、７．２ｍｍ、７．３ｍｍ、７．４ｍｍ、７．５ｍｍ、７．６ｍｍ、７．７ｍｍ、７．８ｍｍ、７．９ｍｍ、８ｍｍ、８．１ｍｍ、８．２ｍｍ、８．３ｍｍ、８．４ｍｍ、８．５ｍｍ、８．６ｍｍ、８．７ｍｍ、８．８ｍｍ、８．９ｍｍ、９ｍｍ、９．１ｍｍ、９．２ｍｍ、９．３ｍｍ、９．４ｍｍ、９．５ｍｍ、９．６ｍｍ、９．７ｍｍ、９．８ｍｍ、９．９ｍｍ、１ｃｍ、１ｃｍ、１．１ｃｍ、１．２ｃｍ、１．３ｃｍ、１．４ｃｍ、１．５ｃｍ、１．６ｃｍ、１．７ｃｍ、１．８ｃｍ、１．９ｃｍ、２ｃｍ、２．１ｃｍ、２．２ｃｍ、２．３ｃｍ、２．４ｃｍ、２．５ｃｍ、２．６ｃｍ、２．７ｃｍ、２．８ｃｍ、２．９ｃｍ、３ｃｍ、３．１ｃｍ、３．２ｃｍ、３．３ｃｍ、３．４ｃｍ、３．５ｃｍ、３．６ｃｍ、３．７ｃｍ、３．８ｃｍ、３．９ｃｍ、４ｃｍ、４．１ｃｍ、４．２ｃｍ、４．３ｃｍ、４．４ｃｍ、４．５ｃｍ、４．６ｃｍ、４．７ｃｍ、４．８ｃｍ、４．９ｃｍ、５ｃｍ、５．１ｃｍ、５．２ｃｍ、５．３ｃｍ、５．４ｃｍ、５．５ｃｍ、５．６ｃｍ、５．７ｃｍ、５．８ｃｍ、５．９ｃｍ、６ｃｍ、６．１ｃｍ、６．２ｃｍ、６．３ｃｍ、６．４ｃｍ、６．５ｃｍ、６．６ｃｍ、６．７ｃｍ、６．８ｃｍ、６．９ｃｍ、７ｃｍ、７．１ｃｍ、７．２ｃｍ、７．３ｃｍ、７．４ｃｍ、７．５ｃｍ、７．６ｃｍ、７．７ｃｍ、７．８ｃｍ、７．９ｃｍ、８ｃｍ、８．１ｃｍ、８．２ｃｍ、８．３ｃｍ、８．４ｃｍ、８．５ｃｍ、８．６ｃｍ、８．７ｃｍ、８．８ｃｍ、８．９ｃｍ、９ｃｍ、９．１ｃｍ、９．２ｃｍ、９．３ｃｍ、９．４ｃｍ、９．５ｃｍ、９．６ｃｍ、９．７ｃｍ、９．８ｃｍ、９．９ｃｍ、又は１０ｃｍの厚さを有する。
一実施形態によれば、発光材料７は、入射光の少なくとも５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は１００％を吸収する。
一実施形態によれば、発光材料７は、５０μｍ、４０μｍ、３０μｍ、２０μｍ、１０μｍ、１μｍ、９５０ｎｍ、９００ｎｍ、８５０ｎｍ、８００ｎｍ、７５０ｎｍ、７００ｎｍ、６５０ｎｍ、６００ｎｍ、５５０ｎｍ、５００ｎｍ、４５０ｎｍ、４００ｎｍ、３５０ｎｍ、３００ｎｍ、２５０ｎｍよりも低い、又は２００ｎｍよりも低い波長を有する入射光を吸収する。
一実施形態によれば、発光材料７は、入射光の少なくとも５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は１００％を透過する。
一実施形態によれば、発光材料７は、入射光の少なくとも５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は１００％を散乱する。
一実施形態によれば、発光材料７は、入射光の少なくとも５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は１００％を後方散乱する。
一実施形態によれば、発光材料７は、入射光の一部を透過させ、少なくとも１種の二次光を放つ。この実施形態において、生じた光は、残りの透過入射光の組み合わせである。
一実施形態によれば、発光材料７は、３００ｎｍ、３５０ｎｍ、４００ｎｍ、４５０ｎｍ、４５５ｎＭ、４６０ｎｍ、４７０ｎｍ、４８０ｎｍ、４９０ｎｍ、５００ｎｍ、５１０ｎｍ、５２０ｎｍ、５３０ｎｍ、５４０ｎｍ、５５０ｎｍ、５６０ｎｍ、５７０ｎｍ、５８０ｎｍ、５９０ｎｍ、又は６００ｎｍで、少なくとも０．１、０．２、０．３、０．４、０．５、０．６、０．７、０．８、０．９、１．０、１．２、１．４、１．６、１．８、２．０、２．５、３．０、４．０、５．０の吸光度値を有する。
一実施形態によれば、発光材料７は、３００ｎｍで、少なくとも０．１、０．２、０．３、０．４、０．５、０．６、０．７、０．８、０．９、１．０、１．２、１．４、１．６、１．８、２．０、２．５、３．０、４．０、５．０の吸光度値を有する。
一実施形態によれば、発光材料７は、３５０ｎｍで、少なくとも０．１、０．２、０．３、０．４、０．５、０．６、０．７、０．８、０．９、１．０、１．２、１．４、１．６、１．８、２．０、２．５、３．０、４．０、５．０の吸光度値を有する。
一実施形態によれば、発光材料７は、４００ｎｍで、少なくとも０．１、０．２、０．３、０．４、０．５、０．６、０．７、０．８、０．９、１．０、１．２、１．４、１．６、１．８、２．０、２．５、３．０、４．０、５．０の吸光度値を有する。
一実施形態によれば、発光材料７は、４５０ｎｍで、少なくとも０．１、０．２、０．３、０．４、０．５、０．６、０．７、０．８、０．９、１．０、１．２、１．４、１．６、１．８、２．０、２．５、３．０、４．０、５．０の吸光度値を有する。
一実施形態によれば、発光材料７は、４５５ｎｍで、少なくとも０．１、０．２、０．３、０．４、０．５、０．６、０．７、０．８、０．９、１．０、１．２、１．４、１．６、１．８、２．０、２．５、３．０、４．０、５．０の吸光度値を有する。
一実施形態によれば、発光材料７は、４６０ｎｍで、少なくとも０．１、０．２、０．３、０．４、０．５、０．６、０．７、０．８、０．９、１．０、１．２、１．４、１．６、１．８、２．０、２．５、３．０、４．０、５．０の吸光度値を有する。
一実施形態によれば、発光材料７は、４７０ｎｍで、少なくとも０．１、０．２、０．３、０．４、０．５、０．６、０．７、０．８、０．９、１．０、１．２、１．４、１．６、１．８、２．０、２．５、３．０、４．０、５．０の吸光度値を有する。
一実施形態によれば、発光材料７は、４８０ｎｍで、少なくとも０．１、０．２、０．３、０．４、０．５、０．６、０．７、０．８、０．９、１．０、１．２、１．４、１．６、１．８、２．０、２．５、３．０、４．０、５．０の吸光度値を有する。
一実施形態によれば、発光材料７は、４９０ｎｍで、少なくとも０．１、０．２、０．３、０．４、０．５、０．６、０．７、０．８、０．９、１．０、１．２、１．４、１．６、１．８、２．０、２．５、３．０、４．０、５．０の吸光度値を有する。
一実施形態によれば、発光材料７は、５００ｎｍで、少なくとも０．１、０．２、０．３、０．４、０．５、０．６、０．７、０．８、０．９、１．０、１．２、１．４、１．６、１．８、２．０、２．５、３．０、４．０、５．０の吸光度値を有する。
一実施形態によれば、発光材料７は、５１０ｎｍで、少なくとも０．１、０．２、０．３、０．４、０．５、０．６、０．７、０．８、０．９、１．０、１．２、１．４、１．６、１．８、２．０、２．５、３．０、４．０、５．０の吸光度値を有する。
一実施形態によれば、発光材料７は、５２０ｎｍで、少なくとも０．１、０．２、０．３、０．４、０．５、０．６、０．７、０．８、０．９、１．０、１．２、１．４、１．６、１．８、２．０、２．５、３．０、４．０、５．０の吸光度値を有する。
一実施形態によれば、発光材料７は、５３０ｎｍで、少なくとも０．１、０．２、０．３、０．４、０．５、０．６、０．７、０．８、０．９、１．０、１．２、１．４、１．６、１．８、２．０、２．５、３．０、４．０、５．０の吸光度値を有する。
一実施形態によれば、発光材料７は、５４０ｎｍで、少なくとも０．１、０．２、０．３、０．４、０．５、０．６、０．７、０．８、０．９、１．０、１．２、１．４、１．６、１．８、２．０、２．５、３．０、４．０、５．０の吸光度値を有する。
一実施形態によれば、発光材料７は、５５０ｎｍで、少なくとも０．１、０．２、０．３、０．４、０．５、０．６、０．７、０．８、０．９、１．０、１．２、１．４、１．６、１．８、２．０、２．５、３．０、４．０、５．０の吸光度値を有する。
一実施形態によれば、発光材料７は、５６０ｎｍで、少なくとも０．１、０．２、０．３、０．４、０．５、０．６、０．７、０．８、０．９、１．０、１．２、１．４、１．６、１．８、２．０、２．５、３．０、４．０、５．０の吸光度値を有する。
一実施形態によれば、発光材料７は、５７０ｎｍで、少なくとも０．１、０．２、０．３、０．４、０．５、０．６、０．７、０．８、０．９、１．０、１．２、１．４、１．６、１．８、２．０、２．５、３．０、４．０、５．０の吸光度値を有する。
一実施形態によれば、発光材料７は、５８０ｎｍで、少なくとも０．１、０．２、０．３、０．４、０．５、０．６、０．７、０．８、０．９、１．０、１．２、１．４、１．６、１．８、２．０、２．５、３．０、４．０、５．０の吸光度値を有する。
一実施形態によれば、発光材料７は、５９０ｎｍで、少なくとも０．１、０．２、０．３、０．４、０．５、０．６、０．７、０．８、０．９、１．０、１．２、１．４、１．６、１．８、２．０、２．５、３．０、４．０、５．０の吸光度値を有する。
一実施形態によれば、発光材料７は、６００ｎｍで、少なくとも０．１、０．２、０．３、０．４、０．５、０．６、０．７、０．８、０．９、１．０、１．２、１．４、１．６、１．８、２．０、２．５、３．０、４．０、５．０の吸光度値を有する。
一実施形態によれば、発光材料７による入射光の吸収効率の増加は、むき出しのナノ粒子３と比較して、少なくとも１％、２％、３％、４％、５％、６％、７％、８％、９％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は１００％である。
むき出しのナノ粒子３は、本明細書では、無機材料２内に封入されないナノ粒子３を指す。
一実施形態によれば、発光材料７による二次光の発光効率の増加は、むき出しのナノ粒子３と比較して、１％、２％、３％、４％、５％、６％、７％、８％、９％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は１００％未満である。
一実施形態によれば、発光材料７は、少なくとも１日、５日、１０日、１５日、２０日、２５日、１ヶ月、２ヶ月、３ヶ月、４ヶ月、５ヶ月、６ヶ月、７ヶ月、８ヶ月、９ヶ月、１０ヶ月、１１ヶ月、１２ヶ月、１８ヶ月、２年、２．５年、３年、３．５年、４年、４．５年、５年、５．５年、６年、６．５年、７年、７．５年、８年、８．５年、９年、９．５年、又は１０年後に、９０％、８０％、７０％、６０％、５０％、４０％、３０％、２５％、２０％、１５％、１０％、５％、４％、３％、２％、１％、又は０％未満のその光発光の劣化を示す。
一実施形態によれば、発光材料７は、０℃、１０℃、２０℃、３０℃、４０℃、５０℃、６０℃、７０℃、８０℃、９０℃、１００℃、１２５℃、１５０℃、１７５℃、２００℃、２２５℃、２５０℃、２７５℃、又は３００℃下で、９０％、８０％、７０％、６０％、５０％、４０％、３０％、２５％、２０％、１５％、１０％、５％、４％、３％、２％、１％、又は０％未満のその光発光の劣化を示す。
一実施形態によれば、発光材料７は、０％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は９９％の湿度の下で、９０％、８０％、７０％、６０％、５０％、４０％、３０％、２５％、２０％、１５％、１０％、５％、４％、３％、２％、１％、又は０％未満のその光発光の劣化を示す。
一実施形態によれば、発光材料７は、０％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は９９％の湿度の下で、少なくとも１日、５日、１０日、１５日、２０日、２５日、１ヶ月、２ヶ月、３ヶ月、４ヶ月、５ヶ月、６ヶ月、７ヶ月、８ヶ月、９ヶ月、１０ヶ月、１１ヶ月、１２ヶ月、１８ヶ月、２年、２．５年、３年、３．５年、４年、４．５年、５年、５．５年、６年、６．５年、７年、７．５年、８年、８．５年、９年、９．５年、又は１０年後に、９０％、８０％、７０％、６０％、５０％、４０％、３０％、２５％、２０％、１５％、１０％、５％、４％、３％、２％、１％、又は０％未満のその光発光の劣化を示す。
一実施形態によれば、発光材料７は、０℃、１０℃、２０℃、３０℃、４０℃、５０℃、６０℃、７０℃、８０℃、９０℃、１００℃、１２５℃、１５０℃、１７５℃、２００℃、２２５℃、２５０℃、２７５℃、又は３００℃下で、少なくとも１日、５日、１０日、１５日、２０日、２５日、１ヶ月、２ヶ月、３ヶ月、４ヶ月、５ヶ月、６ヶ月、７ヶ月、８ヶ月、９ヶ月、１０ヶ月、１１ヶ月、１２ヶ月、１８ヶ月、２年、２．５年、３年、３．５年、４年、４．５年、５年、５．５年、６年、６．５年、７年、７．５年、８年、８．５年、９年、９．５年、又は１０年後に、９０％、８０％、７０％、６０％、５０％、４０％、３０％、２５％、２０％、１５％、１０％、５％、４％、３％、２％、１％、又は０％未満のその光発光の劣化を示す。
一実施形態によれば、発光材料７は、０℃、１０℃、２０℃、３０℃、４０℃、５０℃、６０℃、７０℃、８０℃、９０℃、１００℃、１２５℃、１５０℃、１７５℃、２００℃、２２５℃、２５０℃、２７５℃、又は３００℃下で、かつ０％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は９９％の湿度の下で、少なくとも１日、５日、１０日、１５日、２０日、２５日、１ヶ月、２ヶ月、３ヶ月、４ヶ月、５ヶ月、６ヶ月、７ヶ月、８ヶ月、９ヶ月、１０ヶ月、１１ヶ月、１２ヶ月、１８ヶ月、２年、２．５年、３年、３．５年、４年、４．５年、５年、５．５年、６年、６．５年、７年、７．５年、８年、８．５年、９年、９．５年、又は１０年後に、９０％、８０％、７０％、６０％、５０％、４０％、３０％、２５％、２０％、１５％、１０％、５％、４％、３％、２％、１％、又は０％未満のその光発光の劣化を示す。
一実施形態によれば、発光材料７は、０％、５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は１００％のＯ２下で、少なくとも１日、５日、１０日、１５日、２０日、２５日、１ヶ月、２ヶ月、３ヶ月、４ヶ月、５ヶ月、６ヶ月、７ヶ月、８ヶ月、９ヶ月、１０ヶ月、１１ヶ月、１２ヶ月、１８ヶ月、２年、２．５年、３年、３．５年、４年、４．５年、５年、５．５年、６年、６．５年、７年、７．５年、８年、８．５年、９年、９．５年、又は１０年後に、９０％、８０％、７０％、６０％、５０％、４０％、３０％、２５％、２０％、１５％、１０％、５％、４％、３％、２％、１％、又は０％未満のその光発光の劣化を示す。
一実施形態によれば、発光材料７は、０％、５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は１００％のＯ２下で、０℃、１０℃、２０℃、３０℃、４０℃、５０℃、６０℃、７０℃、８０℃、９０℃、１００℃、１２５℃、１５０℃、１７５℃、２００℃、２２５℃、２５０℃、２７５℃、又は３００℃下で、少なくとも１日、５日、１０日、１５日、２０日、２５日、１ヶ月、２ヶ月、３ヶ月、４ヶ月、５ヶ月、６ヶ月、７ヶ月、８ヶ月、９ヶ月、１０ヶ月、１１ヶ月、１２ヶ月、１８ヶ月、２年、２．５年、３年、３．５年、４年、４．５年、５年、５．５年、６年、６．５年、７年、７．５年、８年、８．５年、９年、９．５年、又は１０年後に、９０％、８０％、７０％、６０％、５０％、４０％、３０％、２５％、２０％、１５％、１０％、５％、４％、３％、２％、１％、又は０％未満のその光発光の劣化を示す。
一実施形態によれば、発光材料７は、０％、５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は１００％のＯ２下で、０％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は９９％の湿度の下で、少なくとも１日、５日、１０日、１５日、２０日、２５日、１ヶ月、２ヶ月、３ヶ月、４ヶ月、５ヶ月、６ヶ月、７ヶ月、８ヶ月、９ヶ月、１０ヶ月、１１ヶ月、１２ヶ月、１８ヶ月、２年、２．５年、３年、３．５年、４年、４．５年、５年、５．５年、６年、６．５年、７年、７．５年、８年、８．５年、９年、９．５年、又は１０年後に、９０％、８０％、７０％、６０％、５０％、４０％、３０％、２５％、２０％、１５％、１０％、５％、４％、３％、２％、１％、又は０％未満のその光発光の劣化を示す。
一実施形態によれば、発光材料７は、０％、５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は１００％のＯ２下で、０℃、１０℃、２０℃、３０℃、４０℃、５０℃、６０℃、７０℃、８０℃、９０℃、１００℃、１２５℃、１５０℃、１７５℃、２００℃、２２５℃、２５０℃、２７５℃、又は３００℃下で、かつ０％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は９９％の湿度の下で、少なくとも１日、５日、１０日、１５日、２０日、２５日、１ヶ月、２ヶ月、３ヶ月、４ヶ月、５ヶ月、６ヶ月、７ヶ月、８ヶ月、９ヶ月、１０ヶ月、１１ヶ月、１２ヶ月、１８ヶ月、２年、２．５年、３年、３．５年、４年、４．５年、５年、５．５年、６年、６．５年、７年、７．５年、８年、８．５年、９年、９．５年、又は１０年後に、９０％、８０％、７０％、６０％、５０％、４０％、３０％、２５％、２０％、１５％、１０％、５％、４％、３％、２％、１％、又は０％未満のその光発光の劣化を示す。
一実施形態によれば、発光材料７は、少なくとも１日、５日、１０日、１５日、２０日、２５日、１ヶ月、２ヶ月、３ヶ月、４ヶ月、５ヶ月、６ヶ月、７ヶ月、８ヶ月、９ヶ月、１０ヶ月、１１ヶ月、１２ヶ月、１８ヶ月、２年、２．５年、３年、３．５年、４年、４．５年、５年、５．５年、６年、６．５年、７年、７．５年、８年、８．５年、９年、９．５年、又は１０年後に、９０％、８０％、７０％、６０％、５０％、４０％、３０％、２５％、２０％、１５％、１０％、５％、４％、３％、２％、１％、又は０％未満のその光発光量子収率（ＰＬＱＹ）の劣化を示す。
一実施形態によれば、発光材料７は、０℃、１０℃、２０℃、３０℃、４０℃、５０℃、６０℃、７０℃、８０℃、９０℃、１００℃、１２５℃、１５０℃、１７５℃、２００℃、２２５℃、２５０℃、２７５℃、又は３００℃下で、９０％、８０％、７０％、６０％、５０％、４０％、３０％、２５％、２０％、１０％、５％、４％、３％、２％、１％、又は０％未満のその光発光量子収率（ＰＬＱＹ）の劣化を示す。
一実施形態によれば、発光材料７は、０％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は９９％の湿度の下で、９０％、８０％、７０％、６０％、５０％、４０％、３０％、２５％、２０％、１５％、１０％、５％、４％、３％、２％、１％、又は０％未満のその光発光量子収率（ＰＬＱＹ）の劣化を示す。
一実施形態によれば、発光材料７は、０％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は９９％の湿度の下で、少なくとも１日、５日、１０日、１５日、２０日、２５日、１ヶ月、２ヶ月、３ヶ月、４ヶ月、５ヶ月、６ヶ月、７ヶ月、８ヶ月、９ヶ月、１０ヶ月、１１ヶ月、１２ヶ月、１８ヶ月、２年、２．５年、３年、３．５年、４年、４．５年、５年、５．５年、６年、６．５年、７年、７．５年、８年、８．５年、９年、９．５年、又は１０年後に、９０％、８０％、７０％、６０％、５０％、４０％、３０％、２５％、２０％、１５％、１０％、５％、４％、３％、２％、１％、又は０％未満のその光発光量子収率（ＰＬＱＹ）の劣化を示す。
一実施形態によれば、発光材料７は、０℃、１０℃、２０℃、３０℃、４０℃、５０℃、６０℃、７０℃、８０℃、９０℃、１００℃、１２５℃、１５０℃、１７５℃、２００℃、２２５℃、２５０℃、２７５℃、又は３００℃下で、少なくとも１日、５日、１０日、１５日、２０日、２５日、１ヶ月、２ヶ月、３ヶ月、４ヶ月、５ヶ月、６ヶ月、７ヶ月、８ヶ月、９ヶ月、１０ヶ月、１１ヶ月、１２ヶ月、１８ヶ月、２年、２．５年、３年、３．５年、４年、４．５年、５年、５．５年、６年、６．５年、７年、７．５年、８年、８．５年、９年、９．５年、又は１０年後に、９０％、８０％、７０％、６０％、５０％、４０％、３０％、２５％、２０％、１５％、１０％、５％、４％、３％、２％、１％、又は０％未満のその光発光量子収率（ＰＬＱＹ）の劣化を示す。
一実施形態によれば、発光材料７は、０℃、１０℃、２０℃、３０℃、４０℃、５０℃、６０℃、７０℃、８０℃、９０℃、１００℃、１２５℃、１５０℃、１７５℃、２００℃、２２５℃、２５０℃、２７５℃、又は３００℃下で、０％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は９９％の湿度の下で、少なくとも１日、５日、１０日、１５日、２０日、２５日、１ヶ月、２ヶ月、３ヶ月、４ヶ月、５ヶ月、６ヶ月、７ヶ月、８ヶ月、９ヶ月、１０ヶ月、１１ヶ月、１２ヶ月、１８ヶ月、２年、２．５年、３年、３．５年、４年、４．５年、５年、５．５年、６年、６．５年、７年、７．５年、８年、８．５年、９年、９．５年、又は１０年後に、９０％、８０％、７０％、６０％、５０％、４０％、３０％、２５％、２０％、１５％、１０％、５％、４％、３％、２％、１％、又は０％未満のその光発光量子収率（ＰＬＱＹ）の劣化を示す。
一実施形態によれば、発光材料７は、０％、５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は１００％のＯ２下で、少なくとも１日、５日、１０日、１５日、２０日、２５日、１ヶ月、２ヶ月、３ヶ月、４ヶ月、５ヶ月、６ヶ月、７ヶ月、８ヶ月、９ヶ月、１０ヶ月、１１ヶ月、１２ヶ月、１８ヶ月、２年、２．５年、３年、３．５年、４年、４．５年、５年、５．５年、６年、６．５年、７年、７．５年、８年、８．５年、９年、９．５年、又は１０年後に、９０％、８０％、７０％、６０％、５０％、４０％、３０％、２５％、２０％、１５％、１０％、５％、４％、３％、２％、１％、又は０％未満のその光発光量子収率（ＰＬＱＹ）の劣化を示す。
一実施形態によれば、発光材料７は、０％、５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は１００％のＯ２下で、０℃、１０℃、２０℃、３０℃、４０℃、５０℃、６０℃、７０℃、８０℃、９０℃、１００℃、１２５℃、１５０℃、１７５℃、２００℃、２２５℃、２５０℃、２７５℃、又は３００℃下で、少なくとも１日、５日、１０日、１５日、２０日、２５日、１ヶ月、２ヶ月、３ヶ月、４ヶ月、５ヶ月、６ヶ月、７ヶ月、８ヶ月、９ヶ月、１０ヶ月、１１ヶ月、１２ヶ月、１８ヶ月、２年、２．５年、３年、３．５年、４年、４．５年、５年、５．５年、６年、６．５年、７年、７．５年、８年、８．５年、９年、９．５年、又は１０年後に、９０％、８０％、７０％、６０％、５０％、４０％、３０％、２５％、２０％、１５％、１０％、５％、４％、３％、２％、１％、又は０％未満のその光発光量子収率（ＰＬＱＹ）の劣化を示す。
一実施形態によれば、発光材料７は、０％、５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は１００％のＯ２下で、０％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は９９％の湿度の下で、少なくとも１日、５日、１０日、１５日、２０日、２５日、１ヶ月、２ヶ月、３ヶ月、４ヶ月、５ヶ月、６ヶ月、７ヶ月、８ヶ月、９ヶ月、１０ヶ月、１１ヶ月、１２ヶ月、１８ヶ月、２年、２．５年、３年、３．５年、４年、４．５年、５年、５．５年、６年、６．５年、７年、７．５年、８年、８．５年、９年、９．５年、又は１０年後に、９０％、８０％、７０％、６０％、５０％、４０％、３０％、２５％、２０％、１５％、１０％、５％、４％、３％、２％、１％、又は０％未満のその光発光量子収率（ＰＬＱＹ）の劣化を示す。
一実施形態によれば、発光材料７は、０％、５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は１００％のＯ２下で、０℃、１０℃、２０℃、３０℃、４０℃、５０℃、６０℃、７０℃、８０℃、９０℃、１００℃、１２５℃、１５０℃、１７５℃、２００℃、２２５℃、２５０℃、２７５℃、又は３００℃下で、０％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は９９％の湿度の下で、少なくとも１日、５日、１０日、１５日、２０日、２５日、１ヶ月、２ヶ月、３ヶ月、４ヶ月、５ヶ月、６ヶ月、７ヶ月、８ヶ月、９ヶ月、１０ヶ月、１１ヶ月、１２ヶ月、１８ヶ月、２年、２．５年、３年、３．５年、４年、４．５年、５年、５．５年、６年、６．５年、７年、７．５年、８年、８．５年、９年、９．５年、又は１０年後に、９０％、８０％、７０％、６０％、５０％、４０％、３０％、２５％、２０％、１５％、１０％、５％、４％、３％、２％、１％、又は０％未満のその光発光量子収率（ＰＬＱＹ）の劣化を示す。
一実施形態によれば、発光材料７は、少なくとも１日、５日、１０日、１５日、２０日、２５日、１ヶ月、２ヶ月、３ヶ月、４ヶ月、５ヶ月、６ヶ月、７ヶ月、８ヶ月、９ヶ月、１０ヶ月、１１ヶ月、１２ヶ月、１８ヶ月、２年、２．５年、３年、３．５年、４年、４．５年、５年、５．５年、６年、６．５年、７年、７．５年、８年、８．５年、９年、９．５年、又は１０年後に、９０％、８０％、７０％、６０％、５０％、４０％、３０％、２５％、２０％、１５％、１０％、５％、４％、３％、２％、１％、又は０％未満のそのＦＣＥの劣化を示す。
一実施形態によれば、発光材料７は、０℃、１０℃、２０℃、３０℃、４０℃、５０℃、６０℃、７０℃、８０℃、９０℃、１００℃、１２５℃、１５０℃、１７５℃、２００℃、２２５℃、２５０℃、２７５℃、又は３００℃下で、９０％、８０％、７０％、６０％、５０％、４０％、３０％、２５％、２０％、１０％、５％、４％、３％、２％、１％、又は０％未満のそのＦＣＥの劣化を示す。
一実施形態によれば、発光材料７は、０％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は９９％の湿度の下で、９０％、８０％、７０％、６０％、５０％、４０％、３０％、２５％、２０％、１０％、５％、４％、３％、２％、１％、又は０％未満のそのＦＣＥの劣化を示す。
一実施形態によれば、発光材料７は、０％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は９９％の湿度の下で、少なくとも１日、５日、１０日、１５日、２０日、２５日、１ヶ月、２ヶ月、３ヶ月、４ヶ月、５ヶ月、６ヶ月、７ヶ月、８ヶ月、９ヶ月、１０ヶ月、１１ヶ月、１２ヶ月、１８ヶ月、２年、２．５年、３年、３．５年、４年、４．５年、５年、５．５年、６年、６．５年、７年、７．５年、８年、８．５年、９年、９．５年、又は１０年後に、９０％、８０％、７０％、６０％、５０％、４０％、３０％、２５％、２０％、１０％、５％、４％、３％、２％、１％、又は０％未満のそのＦＣＥの劣化を示す。
一実施形態によれば、発光材料７は、０℃、１０℃、２０℃、３０℃、４０℃、５０℃、６０℃、７０℃、８０℃、９０℃、１００℃、１２５℃、１５０℃、１７５℃、２００℃、２２５℃、２５０℃、２７５℃、又は３００℃下で、少なくとも１日、５日、１０日、１５日、２０日、２５日、１ヶ月、２ヶ月、３ヶ月、４ヶ月、５ヶ月、６ヶ月、７ヶ月、８ヶ月、９ヶ月、１０ヶ月、１１ヶ月、１２ヶ月、１８ヶ月、２年、２．５年、３年、３．５年、４年、４．５年、５年、５．５年、６年、６．５年、７年、７．５年、８年、８．５年、９年、９．５年、又は１０年後に、９０％、８０％、７０％、６０％、５０％、４０％、３０％、２５％、２０％、１０％、５％、４％、３％、２％、１％、又は０％未満のそのＦＣＥの劣化を示す。
一実施形態によれば、発光材料７は、０℃、１０℃、２０℃、３０℃、４０℃、５０℃、６０℃、７０℃、８０℃、９０℃、１００℃、１２５℃、１５０℃、１７５℃、２００℃、２２５℃、２５０℃、２７５℃、又は３００℃下で、かつ０％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は９９％の湿度の下で、少なくとも１日、５日、１０日、１５日、２０日、２５日、１ヶ月、２ヶ月、３ヶ月、４ヶ月、５ヶ月、６ヶ月、７ヶ月、８ヶ月、９ヶ月、１０ヶ月、１１ヶ月、１２ヶ月、１８ヶ月、２年、２．５年、３年、３．５年、４年、４．５年、５年、５．５年、６年、６．５年、７年、７．５年、８年、８．５年、９年、９．５年、又は１０年後に、９０％、８０％、７０％、６０％、５０％、４０％、３０％、２５％、２０％、１０％、５％、４％、３％、２％、１％、又は０％未満のそのＦＣＥの劣化を示す。
一実施形態によれば、発光材料７は、０％、５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は１００％のＯ２分子下で、少なくとも１日、５日、１０日、１５日、２０日、２５日、１ヶ月、２ヶ月、３ヶ月、４ヶ月、５ヶ月、６ヶ月、７ヶ月、８ヶ月、９ヶ月、１０ヶ月、１１ヶ月、１２ヶ月、１８ヶ月、２年、２．５年、３年、３．５年、４年、４．５年、５年、５．５年、６年、６．５年、７年、７．５年、８年、８．５年、９年、９．５年、又は１０年後に、９０％、８０％、７０％、６０％、５０％、４０％、３０％、２５％、２０％、１０％、５％、４％、３％、２％、１％、又は０％未満のそのＦＣＥの劣化を示す。
一実施形態によれば、発光材料７は、０％、５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は１００％のＯ２分子下で、０℃、１０℃、２０℃、３０℃、４０℃、５０℃、６０℃、７０℃、８０℃、９０℃、１００℃、１２５℃、１５０℃、１７５℃、２００℃、２２５℃、２５０℃、２７５℃、又は３００℃下で、少なくとも１日、５日、１０日、１５日、２０日、２５日、１ヶ月、２ヶ月、３ヶ月、４ヶ月、５ヶ月、６ヶ月、７ヶ月、８ヶ月、９ヶ月、１０ヶ月、１１ヶ月、１２ヶ月、１８ヶ月、２年、２．５年、３年、３．５年、４年、４．５年、５年、５．５年、６年、６．５年、７年、７．５年、８年、８．５年、９年、９．５年、又は１０年後に、９０％、８０％、７０％、６０％、５０％、４０％、３０％、２５％、２０％、１０％、５％、４％、３％、２％、１％、又は０％未満のそのＦＣＥの劣化を示す。
一実施形態によれば、発光材料７は、０％、５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は１００％のＯ２下で、０％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は９９％の湿度の下で、少なくとも１日、５日、１０日、１５日、２０日、２５日、１ヶ月、２ヶ月、３ヶ月、４ヶ月、５ヶ月、６ヶ月、７ヶ月、８ヶ月、９ヶ月、１０ヶ月、１１ヶ月、１２ヶ月、１８ヶ月、２年、２．５年、３年、３．５年、４年、４．５年、５年、５．５年、６年、６．５年、７年、７．５年、８年、８．５年、９年、９．５年、又は１０年後に、９０％、８０％、７０％、６０％、５０％、４０％、３０％、２５％、２０％、１０％、５％、４％、３％、２％、１％、又は０％未満のそのＦＣＥの劣化を示す。
一実施形態によれば、発光材料７は、０％、５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は１００％のＯ２分子下で、０℃、１０℃、２０℃、３０℃、４０℃、５０℃、６０℃、７０℃、８０℃、９０℃、１００℃、１２５℃、１５０℃、１７５℃、２００℃、２２５℃、２５０℃、２７５℃、又は３００℃下で、０％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は９９％の湿度の下で、少なくとも１日、５日、１０日、１５日、２０日、２５日、１ヶ月、２ヶ月、３ヶ月、４ヶ月、５ヶ月、６ヶ月、７ヶ月、８ヶ月、９ヶ月、１０ヶ月、１１ヶ月、１２ヶ月、１８ヶ月、２年、２．５年、３年、３．５年、４年、４．５年、５年、５．５年、６年、６．５年、７年、７．５年、８年、８．５年、９年、９．５年、又は１０年後に、９０％、８０％、７０％、６０％、５０％、４０％、３０％、２５％、２０％、１０％、５％、４％、３％、２％、１％、又は０％未満のそのＦＣＥの劣化を示す。
別の実施形態において、複合粒子１の少なくとも１つの集団を含む発光材料７は、さらに、蛍光体特性を有する変換体の少なくとも１つの集団を含み得る。蛍光体特性を有する変換体の例には、ガーネット（ＬｕＡＧ、ＧＡＬ、ＹＡＧ、ＧａＹＡＧ）、ケイ酸塩、酸窒化物／酸炭窒化物、窒化物／炭窒化物、Ｍｎ４＋赤色蛍光体（ＰＦＳ／ＫＦＳ）、量子ドットが含まれるが、これらに限定されない。
一実施形態によれば、本発明の複合粒子１は、重量で１００ｐｐｍ〜５０００００ｐｐｍの範囲のレベルでホスト材料７１に組み込まれる。
一実施形態によれば、本発明の複合粒子１は、重量で少なくとも１００ｐｐｍ、２００ｐｐｍ、３００ｐｐｍ、４００ｐｐｍ、５００ｐｐｍ、６００ｐｐｍ、７００ｐｐｍ、８００ｐｐｍ、９００ｐｐｍ、１０００ｐｐｍ、１１００ｐｐｍ、１２００ｐｐｍ、１３００ｐｐｍ、１４００ｐｐｍ、１５００ｐｐｍ、１６００ｐｐｍ、１７００ｐｐｍ、１８００ｐｐｍ、１９００ｐｐｍ、２０００ｐｐｍ、２１００ｐｐｍ、２２００ｐｐｍ、２３００ｐｐｍ、２４００ｐｐｍ、２５００ｐｐｍ、２６００ｐｐｍ、２７００ｐｐｍ、２８００ｐｐｍ、２９００ｐｐｍ、３０００ｐｐｍ、３１００ｐｐｍ、３２００ｐｐｍ、３３００ｐｐｍ、３４００ｐｐｍ、３５００ｐｐｍ、３６００ｐｐｍ、３７００ｐｐｍ、３８００ｐｐｍ、３９００ｐｐｍ、４０００ｐｐｍ、４１００ｐｐｍ、４２００ｐｐｍ、４３００ｐｐｍ、４４００ｐｐｍ、４５００ｐｐｍ、４６００ｐｐｍ、４７００ｐｐｍ、４８００ｐｐｍ、４９００ｐｐｍ、５０００ｐｐｍ、５１００ｐｐｍ、５２００ｐｐｍ、５３００ｐｐｍ、５４００ｐｐｍ、５５００ｐｐｍ、５６００ｐｐｍ、５７００ｐｐｍ、５８００ｐｐｍ、５９００ｐｐｍ、６０００ｐｐｍ、６１００ｐｐｍ、６２００ｐｐｍ、６３００ｐｐｍ、６４００ｐｐｍ、６５００ｐｐｍ、６６００ｐｐｍ、６７００ｐｐｍ、６８００ｐｐｍ、６９００ｐｐｍ、７０００ｐｐｍ、７１００ｐｐｍ、７２００ｐｐｍ、７３００ｐｐｍ、７４００ｐｐｍ、７５００ｐｐｍ、７６００ｐｐｍ、７７００ｐｐｍ、７８００ｐｐｍ、７９００ｐｐｍ、８０００ｐｐｍ、８１００ｐｐｍ、８２００ｐｐｍ、８３００ｐｐｍ、８４００ｐｐｍ、８５００ｐｐｍ、８６００ｐｐｍ、８７００ｐｐｍ、８８００ｐｐｍ、８９００ｐｐｍ、９０００ｐｐｍ、９１００ｐｐｍ、９２００ｐｐｍ、９３００ｐｐｍ、９４００ｐｐｍ、９５００ｐｐｍ、９６００ｐｐｍ、９７００ｐｐｍ、９８００ｐｐｍ、９９００ｐｐｍ、１００００ｐｐｍ、１０５００ｐｐｍ、１１０００ｐｐｍ、１１５００ｐｐｍ、１２０００ｐｐｍ、１２５００ｐｐｍ、１３０００ｐｐｍ、１３５００ｐｐｍ、１４０００ｐｐｍ、１４５００ｐｐｍ、１５０００ｐｐｍ、１５５００ｐｐｍ、１６０００ｐｐｍ、１６５００ｐｐｍ、１７０００ｐｐｍ、１７５００ｐｐｍ、１８０００ｐｐｍ、１８５００ｐｐｍ、１９０００ｐｐｍ、１９５００ｐｐｍ、２００００ｐｐｍ、３００００ｐｐｍ、４００００ｐｐｍ、５００００ｐｐｍ、６００００ｐｐｍ、７００００ｐｐｍ、８００００ｐｐｍ、９００００ｐｐｍ、１０００００ｐｐｍ、１１００００ｐｐｍ、１２００００ｐｐｍ、１３００００ｐｐｍ、１４００００ｐｐｍ、１５００００ｐｐｍ、１６００００ｐｐｍ、１７００００ｐｐｍ、１８００００ｐｐｍ、１９００００ｐｐｍ、２０００００ｐｐｍ、２１００００ｐｐｍ、２２００００ｐｐｍ、２３００００ｐｐｍ、２４００００ｐｐｍ、２５００００ｐｐｍ、２６００００ｐｐｍ、２７００００ｐｐｍ、２８００００ｐｐｍ、２９００００ｐｐｍ、３０００００ｐｐｍ、３１００００ｐｐｍ、３２００００ｐｐｍ、３３００００ｐｐｍ、３４００００ｐｐｍ、３５００００ｐｐｍ、３６００００ｐｐｍ、３７００００ｐｐｍ、３８００００ｐｐｍ、３９００００ｐｐｍ、４０００００ｐｐｍ、４１００００ｐｐｍ、４２００００ｐｐｍ、４３００００ｐｐｍ、４４００００ｐｐｍ、４５００００ｐｐｍ、４６００００ｐｐｍ、４７００００ｐｐｍ、４８００００ｐｐｍ、４９００００ｐｐｍ、又は５０００００ｐｐｍのレベルでホスト材料７１に組み込まれる。
一実施形態によれば、発光材料７は、本発明の複合粒子１を重量で９５％、９０％、８０％、７０％、６０％、５０％、４０％、３０％、２０％、好ましくは１０％未満含む。
一実施形態によれば、発光材料７中の複合粒子１の充填率は、少なくとも０．０１％、０．０５％、０．１％、０．１５％、０．２％、０．２５％、０．３％、０．３５％、０．４％、０．４５％、０．５％、０．５５％、０．６％、０．６５％、０．７％、０．７５％、０．８％、０．８５％、０．９％、０．９５％、１％、２％、３％、４％、５％、６％、７％、８ ％、９％、１０％、１１％、１２％、１３％、１４％、１５％、１６％、１７％、１８％、１９％、２０％、２１％、２２％、２３％、２４％、２５％、２６％、２７％、２８％、２９％、３０％、３１％、３２％、３３％、３４％、３５％、３６％、３７％、３８％、３９％、４０％、４１％、４２％、４３％、４４％、４５％、４６％、４７％、４８％、４９％、５０％、５１％、５２％、５３％、５４％、５５％、５６％、５７％、５８％、５９％、６０％、６１％、６２％、６３％、６４％、６５％、６６％、６７％、６８％、６９％、７０％、７１％、７２％、７３％、７４％、７５％、７６％、７７％、７８％、７９％、８０％、８１％、８２％、８３％、８４％、８５％、８６％、８７％、８８％、８９％、９０％、９１％、９２％、９３％、９４％、９５％、９６％、９７％、９８％、又は９９％である。
一実施形態によれば、発光材料７中の複合粒子１の充填率は、０．０１％、０．０５％、０．１％、０．１５％、０．２％、０．２５％、０．３％、０．３５％、０．４％、０．４５％、０．５％、０．５５％、０．６％、０．６５％、０．７％、０．７５％、０．８％、０．８５％、０．９％、０．９５％、１％、２％、３％、４％、５％、６％、７％、８％、９％、１０％、１１％、１２％、１３％、１４％、１５％、１６％、１７％、１８％、１９％、２０％、２１％、２２％、２３％、２４％、２５％、２６％、２７％、２８％、２９％、３０％、３１％、３２％、３３％、３４％、３５％、３６％、３７％、３８％、３９％、４０％、４１％、４２％、４３％、４４％、４５％、４６％、４７％、４８％、４９％、５０％、５１％、５２％、５３％、５４％、５５％、５６％、５７％、５８％、５９％、６０％、６１％、６２％、６３％、６４％、６５％、６６％、６７％、６８％、６９％、７０％、７１％、７２％、７３％、７４％、７５％、７６％、７７％、７８％、７９％、８０％、８１％、８２％、８３％、８４％、８５％、８６％、８７％、８８％、８９％、９０％、９１％、９２％、９３％、９４％、９５％、９６％、９７％、９８％、又は９９％未満である。
一実施形態によれば、発光材料７中に分散している複合粒子１は、少なくとも０．０１％、０．０５％、０．１％、０．１５％、０．２％、０．２５％、０．３％、０．３５％、０．４％、０．４５％、０．５％、０．５５％、０．６％、０．６５％、０．７％、０．７５％、０．８％、０．８５％、０．９％、０．９５％、１％、２％、３％、４％、５％、６％、７％、８％、９％、１０％、１１％、１２％、１３％、１４％、１５％、１６％、１７％、１８％、１９％、２０％、２１％、２２％、２３％、２４％、２５％、２６％、２７％、２８％、２９％、３０％、３１％、３２％、３３％、３４％、３５％、３６％、３７％、３８％、３９％、４０％、４１％、４２％、４３％、４４％、４５％、４６％、４７％、４８％、４９％、５０％、５１％、５２％、５３％、５４％、５５％、５６％、５７％、５８％、５９％、６０％、６１％、６２％、６３％、６４％、６５％、６６％、６７％、６８％、６９％、７０％、７１％、７２％、７３％、７４％、７５％、７６％、７７％、７８％、７９％、８０％、８１％、８２％、８３％、８４％、８５％、８６％、８７％、８８％、８９％、９０％、又は９５％のパッキング率を有する。
一実施形態によれば、発光材料７中に分散している複合粒子１は、０．０１％、０．０５％、０．１％、０．１５％、０．２％、０．２５％、０．３％、０．３５％、０．４％、０．４５％、０．５％、０．５５％、０．６％、０．６５％、０．７％、０．７５％、０．８％、０．８５％、０．９％、０．９５％、１％、２％、３％、４％、５％、６％、７％、８％、９％、１０％、１１％、１２％、１３％、１４％、１５％、１６％、１７％、１８％、１９％、２０％、２１％、２２％、２３％、２４％、２５％、２６％、２７％、２８％、２９％、３０％、３１％、３２％、３３％、３４％、３５％、３６％、３７％、３８％、３９％、４０％、４１％、４２％、４３％、４４％、４５％、４６％、４７％、４８％、４９％、５０％、５１％、５２％、５３％、５４％、５５％、５６％、５７％、５８％、５９％、６０％、６１％、６２％、６３％、６４％、６５％、６６％、６７％、６８％、６９％、７０％、７１％、７２％、７３％、７４％、７５％、７６％、７７％、７８％、７９％、８０％、８１％、８２％、８３％、８４％、８５％、８６％、８７％、８８％、８９％、９０％、又は９５％未満のパッキング率を有する。
一実施形態によれば、発光材料７は、複合粒子１の少なくとも０．０１重量％、０．０２重量％、０．０３重量％、０．０４重量％、０．０５重量％、０．０６重量％、０．０７重量％、０．０８重量％、０．０９重量％、０．１重量％、０．２重量％、０．３重量％、０．４重量％、０．５重量％、０．６重量％、０．７重量％、０．８重量％、０．９重量％、１重量％、２重量％、３重量％、４重量％、５重量％、６重量％、７重量％、８重量％、９重量％、１０重量％、１５重量％、２０重量％、２５重量％、３０重量％、３５重量％、４０重量％、４５重量％、５０重量％、５５重量％、６０重量％、６５重量％、７０重量％、７５重量％、８０重量％、８５重量％、９０重量％、９５重量％、又は９９重量％を含む。
一実施形態によれば、発光材料７において、ホスト材料７１と本発明の複合粒子１の重量比は、少なくとも０．０１％、０．０２％、０．０３％、０．０４％、０．０５％、０．０６％、０．０７％、０．０８％、０．０９％、０．１％、０．２％、０．３％、０．４％、０．５％、０．６％、０．７％、０．８％、０．９％、１％、２％、３％、４％、５％、６％、７％、８％、９％、１０％、１１％、１２％、１３％、１４％、１５％、１６％、１７％、１８％、１９％、２０％、２１％、２２％ 、２３％、２４％、２５％、２６％、２７％、２８％、２９％、３０％、３１％、３２％、３３％、３４％、３５％、３６％、３７％、３８％、３９％、４０％、４１％、４２％、４３％、４４％、４５％、４６％、４７％、４８％、４９％、または５０％である。
一実施形態によれば、発光材料７は、ＲＯＨＳ準拠である。
一実施形態によれば、発光材料７は、カドミウムを重量で１０ｐｐｍ未満、２０ｐｐｍ未満、３０ｐｐｍ未満、４０ｐｐｍ未満、５０ｐｐｍ未満、１００ｐｐｍ未満、１５０ｐｐｍ未満、２００ｐｐｍ未満、２５０ｐｐｍ未満、３００ｐｐｍ未満、３５０ｐｐｍ未満、４００ｐｐｍ未満、４５０ｐｐｍ未満、５００ｐｐｍ未満、５５０ｐｐｍ未満、６００ｐｐｍ未満、６５０ｐｐｍ未満、７００ｐｐｍ未満、７５０ｐｐｍ未満、８００ｐｐｍ未満、８５０ｐｐｍ未満、９００ｐｐｍ未満、９５０ｐｐｍ未満、１０００ｐｐｍ未満含む。
一実施形態によれば、発光材料７は、鉛を重量で１０ｐｐｍ未満、２０ｐｐｍ未満、３０ｐｐｍ未満、４０ｐｐｍ未満、５０ｐｐｍ未満、１００ｐｐｍ未満、１５０ｐｐｍ未満、２００ｐｐｍ未満、２５０ｐｐｍ未満、３００ｐｐｍ未満、３５０ｐｐｍ未満、４００ｐｐｍ未満、４５０ｐｐｍ未満、５００ｐｐｍ未満、５５０ｐｐｍ未満、６００ｐｐｍ未満、６５０ｐｐｍ未満、７００ｐｐｍ未満、７５０ｐｐｍ未満、８００ｐｐｍ未満、８５０ｐｐｍ未満、９００ｐｐｍ未満、９５０ｐｐｍ未満、１０００ｐｐｍ未満、２０００ｐｐｍ未満、３０００ｐｐｍ未満、４０００ｐｐｍ未満、５０００ｐｐｍ未満、６０００ｐｐｍ未満、７０００ｐｐｍ未満、８０００ｐｐｍ未満、９０００ｐｐｍ未満、１００００ｐｐｍ未満含む。
一実施形態によれば、発光材料７は、水銀を重量で１０ｐｐｍ未満、２０ｐｐｍ未満、３０ｐｐｍ未満、４０ｐｐｍ未満、５０ｐｐｍ未満、１００ｐｐｍ未満、１５０ｐｐｍ未満、２００ｐｐｍ未満、２５０ｐｐｍ未満、３００ｐｐｍ未満、３５０ｐｐｍ未満、４００ｐｐｍ未満、４５０ｐｐｍ未満、５００ｐｐｍ未満、５５０ｐｐｍ未満、６００ｐｐｍ未満、６５０ｐｐｍ未満、７００ｐｐｍ未満、７５０ｐｐｍ未満、８００ｐｐｍ未満、８５０ｐｐｍ未満、９００ｐｐｍ未満、９５０ｐｐｍ未満、１０００ｐｐｍ未満、２０００ｐｐｍ未満、３０００ｐｐｍ未満、４０００ｐｐｍ未満、５０００ｐｐｍ未満、６０００ｐｐｍ未満、７０００ｐｐｍ未満、８０００ｐｐｍ未満、９０００ｐｐｍ未満、１００００ｐｐｍ未満含む。
一実施形態によれば、発光材料７は、ホスト材料７１及び／又は無機材料２に存在する主な化学元素より重い化学元素に基づいてより重い化学元素又は材料を含む。この実施形態において、発光材料７中の前記重い化学元素は、ＲＯＨＳ規格に従って化学元素の質量濃度を下げ、前記発光材料７がＲＯＨＳに準拠するのを可能にする。
一実施形態によれば、重い化学元素の例には、Ｂ、Ｃ、Ｎ、Ｆ、Ｎａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｐ、Ｓ、Ｃｌ、Ｋ、Ｃａ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ａｓ、Ｓｅ、Ｂｒ、Ｒｂ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｉ、Ｃｓ、Ｂａ、Ｌａ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｈｇ、Ｔｌ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｐｏ、Ａｔ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ又はそれらの混合物が含まれるが、これらに限定されない。
一実施形態によれば、発光材料７は、発光装置の正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層、電子注入層、及び発光層のうちの少なくとも１つを形成するのに有用な１以上の材料を含む。
一実施形態によれば、発光材料７は、支持体上に層を形成するために硬化されるか、又は別の方法で処理される材料を含む。
好ましい実施形態によれば、発光材料７の例には、ゾルゲル材料、シリコーン、例えば、ＰＭＭＡ、ＰＳなどポリマー、又はそれらの混合物中に分散している複合粒子１が含まれるが、これらに限定されない。
一実施形態によれば、発光材料７は、光源として使用され得る。
一実施形態によれば、発光材料７は、光源に使用され得る。
一実施形態によれば、発光材料７は、カラーフィルターとして使用され得る。
一実施形態によれば、発光材料７は、カラーフィルターに使用され得る。
一実施形態によれば、発光材料７は、カラーフィルターに加えて使用され得る。
本発明の別の目的は、本発明の少なくとも１種の複合粒子１及び／又は上記の少なくとも１種の発光材料７を支持する支持体に関する。
一実施形態において、本発明の少なくとも１種の複合粒子１及び／又は少なくとも１種の発光材料７は、ドロップキャスティング、スピンコーティング、ディップコーティング、インクジェット印刷、リソグラフィ、噴霧、めっき、電気めっき、又は当業者に公知の任意の他の手段によって支持体上に堆積する。
一実施形態において、該支持体は、複合粒子１の少なくとも１つの集団を支持する。一実施形態において、該支持体は、複合粒子１の少なくとも１つの集団を含む少なくとも１種の発光材料７を支持する。本出願において、複合粒子１の集団は、最大発光波長によって定義される。
一実施形態において、該支持体は、異なる色又は波長を発する複合粒子１の２つの集団を支持する。一実施形態において、該支持体は、異なる色又は波長を発する複合粒子１の２つの集団を含む少なくとも１種の発光材料７を支持する。一実施形態において、該支持体は、複合粒子１の１つの集団を各々含む２種の発光材料７を支持し、該集団は、異なる色又は波長を発する各発光材料７に含まれている。
一実施形態において、該支持体は、青色光源のダウンコンバージョン時に緑色光及び赤色光を放つ複合粒子１を支持する。そのため、光源（複数可）からの青色光は複合粒子１を通過し、所定量の緑色光及び赤色光が残りの青色光と混合されて、３色白色光を作る。一実施形態において、該支持体は、青色光源のダウンコンバート時に緑色光及び赤色光を放つ複合粒子１を含む少なくとも１種の発光材料７を支持する。この実施形態において、少なくとも１種の発光材料７は、所定の強度の入射青色光を透過し、所定の強度の緑色及び赤色の二次光を放出するように構成され、生じた３色白色光を放つことが可能になる。一実施形態において、緑色光を放つ少なくとも１種の複合粒子１を含む少なくとも１種の発光材料７、及び青色光源のダウンコンバート時に赤色光を放つ少なくとも１種の複合粒子１を含む少なくとも１種の発光材料７を支持する。この実施形態において、少なくとも１種の発光材料７は、所定の強度の入射青色光を透過し、所定の強度の緑色及び赤色の二次光を放つように構成され、生じた３色白色光を放つことが可能になる。
一実施形態において、該支持体は、複合粒子１の２つの集団を支持し、第１の集団は、５００ｎｍ〜５６０ｎｍ、より好ましくは、５１５ｎｍ〜５４５ｎｍの最大発光波長を有し、第２の集団は、６００ｎｍ〜２５００ｎｍ、より好ましくは、６１０ｎｍ〜６５０ｎｍの最大発光波長を有する。一実施形態において、該支持体は、複合粒子１の２つの集団を含む少なくとも１種の発光材料７を支持し、第１の集団は、５００ｎｍ〜５６０ｎｍ、より好ましくは、５１５ｎｍ〜５４５ｎｍの最大発光波長を有し、第２の集団は、６００ｎｍ〜２５００ｎｍ、より好ましくは、６１０ｎｍ〜６５０ｎｍの最大発光波長を有する。一実施形態において、該支持体は、複合粒子１の少なくとも１つの集団を含む２つの発光材料７を支持し、第１の集団を含む第１の発光材料７は、５００ｎｍ〜５６０ｎｍ、より好ましくは、５１５ｎｍ〜５４５ｎｍの最大発光波長を有し、第２の集団を含む第２の発光材料７は、６００ｎｍ〜２５００ｎｍ、より好ましくは、６１０ｎｍ〜６５０ｎｍの最大発光波長を有する。
一実施形態において、該支持体は、複合粒子１の２つの集団を支持し、第１の集団は、９０ｎｍ、８０ｎｍ、７０ｎｍ、６０ｎｍ、５０ｎｍ、４０ｎｍ、３０ｎｍ、２５ｎｍ、２０ｎｍ、１５ｎｍ、又は１０ｎｍよりも低い半値全幅を有する少なくとも１つの発光ピークを有し、第２の集団は、９０ｎｍ、８０ｎｍ、７０ｎｍ、６０ｎｍ、５０ｎｍ、４０ｎｍ、３０ｎｍ、２５ｎｍ、２０ｎｍ、１５ｎｍ、又は１０ｎｍよりも低い半値全幅を有する少なくとも１つの発光ピークを有する。一実施形態において、該支持体は、複合粒子１の２つの集団を含む少なくとも１種の発光材料７を支持し、第１の集団は、９０ｎｍ、８０ｎｍ、７０ｎｍ、６０ｎｍ、５０ｎｍ、４０ｎｍ、３０ｎｍ、２５ｎｍ、２０ｎｍ、１５ｎｍ、又は１０ｎｍよりも低い半値全幅を有する少なくとも１つの発光ピークを有し、第２の集団は、９０ｎｍ、８０ｎｍ、７０ｎｍ、６０ｎｍ、５０ｎｍ、４０ｎｍ、３０ｎｍ、２５ｎｍ、２０ｎｍ、１５ｎｍ、又は１０ｎｍよりも低い半値全幅を有する少なくとも１つの発光ピークを有する。一実施形態において、該支持体は、複合粒子１の少なくとも１つの集団を各々含む２つの発光材料７を支持し、第１の集団を含む第１の発光材料７は、９０ｎｍ、８０ｎｍ、７０ｎｍ、６０ｎｍ、５０ｎｍ、４０ｎｍ、３０ｎｍ、２５ｎｍ、２０ｎｍ、１５ｎｍ、又は１０ｎｍよりも低い半値全幅を有する少なくとも１つの発光ピークを有し、第２の集団を含む第２の発光材料７は、９０ｎｍ、８０ｎｍ、７０ｎｍ、６０ｎｍ、５０ｎｍ、４０ｎｍ、３０ｎｍ、２５ｎｍ、２０ｎｍ、１５ｎｍ、又は１０ｎｍよりも低い半値全幅を有する少なくとも１つの発光ピークを有する。
一実施形態において、該支持体は、複合粒子１の２つの集団を支持し、第１の集団は、９０ｎｍ、８０ｎｍ、７０ｎｍ、６０ｎｍ、５０ｎｍ、４０ｎｍ、３０ｎｍ、２５ｎｍ、２０ｎｍ、１５ｎｍ、又は１０ｎｍよりも低い１／４値全幅を有する少なくとも１つの発光ピークを有し、第２の集団は、９０ｎｍ、８０ｎｍ、７０ｎｍ、６０ｎｍ、５０ｎｍ、４０ｎｍ、３０ｎｍ、２５ｎｍ、２０ｎｍ、１５ｎｍ、又は１０ｎｍよりも低い１／４値全幅を有する少なくとも１つの発光ピークを有する。一実施形態において、該支持体は、複合粒子１の２つの集団を含む少なくとも１種の発光材料７を支持し、第１の集団は、９０ｎｍ、８０ｎｍ、７０ｎｍ、６０ｎｍ、５０ｎｍ、４０ｎｍ、３０ｎｍ、２５ｎｍ、２０ｎｍ、１５ｎｍ、又は１０ｎｍよりも低い１／４値全幅を有する少なくとも１つの発光ピークを有し、第２の集団は、９０ｎｍ、８０ｎｍ、７０ｎｍ、６０ｎｍ、５０ｎｍ、４０ｎｍ、３０ｎｍ、２５ｎｍ、２０ｎｍ、１５ｎｍ、又は１０ｎｍよりも低い１／４値全幅を有する少なくとも１つの発光ピークを有する。一実施形態において、該支持体は、複合粒子１の少なくとも１つの集団を各々含む２つの発光材料７を支持し、第１の集団を含む第１の発光材料７は、９０ｎｍ、８０ｎｍ、７０ｎｍ、６０ｎｍ、５０ｎｍ、４０ｎｍ、３０ｎｍ、２５ｎｍ、２０ｎｍ、１５ｎｍ、又は１０ｎｍよりも低い１／４値全幅を有する少なくとも１つの発光ピークを有し、第２の集団を含む第２の発光材料７は、９０ｎｍ、８０ｎｍ、７０ｎｍ、６０ｎｍ、５０ｎｍ、４０ｎｍ、３０ｎｍ、２５ｎｍ、２０ｎｍ、１５ｎｍ、又は１０ｎｍよりも低い１／４値全幅を有する少なくとも１つの発光ピークを有する。
一実施形態において、支持体上の少なくとも１種の複合粒子１及び／又は少なくとも１種の発光材料７は、多層系に封入されている。一実施形態において、該多層システムは、少なくとも２つ、少なくとも３つの層を含む。
一実施形態において、該多層システムは、さらに少なくとも１つの補助層を含み得る。
一実施形態によれば、該補助層は、２００ｎｍ〜５０μｍ、２００ｎｍ〜１０μｍ、２００ｎｍ〜２５００ｎｍ、２００ｎｍ〜２０００ｎｍ、２００ｎｍ〜１５００ｎｍ、２００ｎｍ〜１０００ｎｍ、２００ｎｍ〜８００ｎｍ、４００ｎｍ〜７００ｎｍ、４００ｎｍ〜６００ｎｍ、又は４００ｎｍ〜４７０ｎｍの波長で光学的に透明である。この実施形態において、該補助層はいかなる光も吸収せず、複合粒子１及び／又は発光材料７が全ての入射光を吸収するのを可能にする。
一実施形態によれば、該補助層は、酸素分子、オゾン、水及び／若しくは高温から、少なくとも１種の複合粒子１の化学的及び物理的特性の劣化を制限又は防止する。一実施形態によれば、該補助層は、酸素分子、オゾン、水及び／若しくは高温から少なくとも１種の発光材料７を保護する。
一実施形態によれば、該補助層は、熱伝導性である。
一実施形態によれば、該補助層は、０．１〜４５０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、好ましくは、１〜２００Ｗ／（ｍ．Ｋ）、より好ましくは、１０〜１５０Ｗ／（ｍ．Ｋ）の範囲の標準的な条件での熱伝導性を有する。
一実施形態によれば、該補助層は、少なくとも０．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、０．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、０．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、０．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、０．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、０．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、０．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、０．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、０．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、４．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、４．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、４．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、４．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、４．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、４．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、４．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、４．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、４．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、５．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、５．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、５．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、５．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、５．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、５．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、５．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、５．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、５．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、６．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、６．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、６．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、６．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、６．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、６．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、６．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、６．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、６．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、７．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、７．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、７．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、７．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、７．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、７．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、７．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、７．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、７．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、８．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、８．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、８．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、８．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、８．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、８．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、８．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、８．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、８．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、９．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、９．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、９．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、９．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、９．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、９．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、９．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、９．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、９．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１０．１／（ｍ．Ｋ）、１０．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１０．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１０．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１０．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１０．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１０．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１０．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１０．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１１．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１１．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１１．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１１．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１１．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１１．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１１．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１１．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１１．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１２．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１２．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１２．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１２．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１２．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１２．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１２．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１２．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１２．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１３．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１３．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１３．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１３．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１３．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１３．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１３．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１３．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１３．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１４．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１４．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１４．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１４．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１４．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１４．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１４．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１４．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１４．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１５．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１５．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１５．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１５．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１５．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１５．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１５．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１５．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１５．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１６．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１６．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１６．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１６．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１６．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１６．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１６．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１６．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１６．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１７．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１７．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１７．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１７．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１７．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１７．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１７．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１７．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１７．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１８．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１８．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１８．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１８．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１８．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１８．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１８．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１８．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１８．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１９．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１９．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１９．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１９．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１９．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１９．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１９．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１９．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１９．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２０．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２０．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２０．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２０．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２０．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２０．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２０．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２０．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２０．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２１．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２１．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２１．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２１．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２１．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２１．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２１．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２１．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２１．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２２．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２２．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２２．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２２．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２２．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２２．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２２．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２２．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２２．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２３．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２３．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２３．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２３．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２３．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２３．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２３．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２３．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２３．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２４．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２４．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２４．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２４．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２４．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２４．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２４．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２４．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２４．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、４０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、５０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、６０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、７０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、８０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、９０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１００Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１１０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１２０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１３０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１４０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１５０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１６０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１７０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１８０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１９０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２００Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２１０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２２０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２３０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２４０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２５０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２６０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２７０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２８０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２９０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３００Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３１０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３２０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３３０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３４０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３５０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３６０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３７０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３８０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３９０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、４００Ｗ／（ｍ．Ｋ）、４１０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、４２０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、４３０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、４４０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、又は４５０Ｗ／（ｍ．Ｋ）の標準的な条件での熱伝導性を有する。
一実施形態によれば、該補助層は、ポリマー補助層である。
一実施形態によれば、該補助層の１以上の成分は、下記又は上記の重合性成分、架橋剤、散乱剤、レオロジー調整剤、充填剤、光開始剤、又は熱開始剤を含み得る。
一実施形態によれば、該補助層は、散乱粒子を含む。散乱粒子の例には、ＳｉＯ２、ＺｒＯ２、ＺｎＯ、ＭｇＯ、ＳｎＯ２、ＴｉＯ２、Ａｇ、Ａｕ、アルミナ、硫酸バリウム、ＰＴＦＥ、及びチタン酸バリウムなどが含まれるが、これらに限定されない。
一実施形態において、該補助層は、さらに、熱伝導体粒子を含む。熱伝導体粒子の例には、ＳｉＯ２、ＺｒＯ２、ＺｎＯ、ＭｇＯ、ＳｎＯ２、ＴｉＯ２、ＣａＯ、アルミナ、硫酸バリウム、ＰＴＦＥ、及びチタン酸バリウムなどが含まれるが、これらに限定されない。この実施形態において、該補助層の熱伝導率は高くなる。
一実施形態によれば、該補助層は、上記のポリマーホスト材料７１を含む。
一実施形態によれば、該補助層は、上記の無機ホスト材料７１を含む。
一実施形態において、該補助層は、３０ｎｍ〜１ｃｍ、１００ｎｍ〜１ｍｍ、好ましくは、１００ｎｍ〜５００μｍの厚さを有する。
一実施形態によれば、該補助層は、少なくとも３０ｎｍ、４０ｎｍ、５０ｎｍ、６０ｎｍ、７０ｎｍ、８０ｎｍ、１００ｎｍ、１１０ｎｍ、１２０ｎｍ、１３０ｎｍ、１４０ｎｍ、１５０ｎｍ、１６０ｎｍ、１７０ｎｍ、１８０ｎｍ、１９０ｎｍ、２００ｎｍ、２１０ｎｍ、２２０ｎｍ、２３０ｎｍ、２４０ｎｍ、２５０ｎｍ、２６０ｎｍ、２７０ｎｍ、２８０ｎｍ、２９０ｎｍ、３００ｎｍ、３５０ｎｍ、４００ｎｍ、４５０ｎｍ、５００ｎｍ、５５０ｎｍ、６００ｎｍ、６５０ｎｍ、７００ｎｍ、７５０ｎｍ、８００ｎｍ、８５０ｎｍ、９００ｎｍ、９５０ｎｍ、１μｍ、１．５μｍ、２．５μｍ、３μｍ、３．５μｍ、４μｍ、４．１μｍ、４．２μｍ、４．３μｍ、４．４μｍ、４．５μｍ、４．６μｍ、４．７μｍ、４．８μｍ、４．９μｍ、５μｍ、５．１μｍ、５．２μｍ、５．３μｍ、５．４μｍ、５．５μｍ、５．５μｍ、５．６μｍ、５．７μｍ、５．８μｍ、５．９μｍ、６μｍ、６．５μｍ、７μｍ、７．５μｍ、８μｍ、８．５μｍ、９μｍ、９．５μｍ、１０μｍ、１０．５μｍ、１１μｍ、１１．５μｍ、１２μｍ、１２．５μｍ、１３μｍ、１３．５μｍ、１４μｍ、１４．５μｍ、１５μｍ、１５．５μｍ、１６μｍ、１６．５μｍ、１７μｍ、１７．５μｍ、１８μｍ、１８．５μｍ、１９μｍ、１９．５μｍ、２０μｍ、２０．５μｍ、２１μｍ、２１．５μｍ、２２μｍ、２２．５μｍ、２３μｍ、２３．５μｍ、２４μｍ、２４．５μｍ、２５μｍ、２５．５μｍ、２６μｍ、２６．５μｍ、２７μｍ、２７．５μｍ、２８μｍ、２８．５μｍ、２９μｍ、２９．５μｍ、３０μｍ、３０．５μｍ、３１μｍ、３１．５μｍ、３２μｍ、３２．５μｍ、３３μｍ、３３．５μｍ、３４μｍ、３４．５μｍ、３５μｍ、３５．５μｍ、３６μｍ、３６．５μｍ、３７μｍ、３７．５μｍ、３８μｍ、３８．５μｍ、３９μｍ、３９．５μｍ、４０μｍ、４０．５μｍ、４１μｍ、４１．５μｍ、４２μｍ、４２．５μｍ、４３μｍ、４３．５μｍ、４４μｍ、４４．５μｍ、４５μｍ、４５．５μｍ、４６μｍ、４６．５μｍ、４７μｍ、４７．５μｍ、４８μｍ、４８．５μｍ、４９μｍ、４９．５μｍ、５０μｍ、５０．５μｍ、５１μｍ、５１．５μｍ、５２μｍ、５２．５μｍ、５３μｍ、５３．５μｍ、５４μｍ、５４．５μｍ、５５μｍ、５５．５μｍ、５６μｍ、５６．５μｍ、５７μｍ、５７．５μｍ、５８μｍ、５８．５μｍ、５９μｍ、５９．５μｍ、６０μｍ、６０．５μｍ、６１μｍ、６１．５μｍ、６２μｍ、６２．５μｍ、６３μｍ、６３．５μｍ、６４μｍ、６４．５μｍ、６５μｍ、６５．５μｍ、６６μｍ、６６．５μｍ、６７μｍ、６７．５μｍ、６８μｍ、６８．５μｍ、６９μｍ、６９．５μｍ、７０μｍ、７０．５μｍ、７１μｍ、７１．５μｍ、７２μｍ、７２．５μｍ、７３μｍ、７３．５μｍ、７４μｍ、７４．５μｍ、７５μｍ、７５．５μｍ、７６μｍ、７６．５μｍ、７７μｍ、７７．５μｍ、７８μｍ、７８．５μｍ、７９μｍ、７９．５μｍ、８０μｍ、８０．５μｍ、８１μｍ、８１．５μｍ、８２μｍ、８２．５μｍ、８３μｍ、８３．５μｍ、８４μｍ、８４．５μｍ、８５μｍ、８５．５μｍ、８６μｍ、８６．５μｍ、８７μｍ、８７．５μｍ、８８μｍ、８８．５μｍ、８９μｍ、８９．５μｍ、９０μｍ、９０．５μｍ、９１μｍ、９１．５μｍ、９２μｍ、９２．５μｍ、９３μｍ、９３．５μｍ、９４μｍ、９４．５μｍ、９５μｍ、９５．５μｍ、９６μｍ、９６．５μｍ、９７μｍ、９７．５μｍ、９８μｍ、９８．５μｍ、９９μｍ、９９．５μｍ、１００μｍ、２００μｍ、２５０μｍ、３００μｍ、３５０μｍ、４００μｍ、４５０μｍ、５００μｍ、５５０μｍ、６００μｍ、６５０μｍ、７００μｍ、７５０μｍ、８００μｍ、８５０μｍ、９００μｍ、９５０μｍ、又は１ｃｍの厚さを有する。
一実施形態によれば、少なくとも１種の複合粒子１又は少なくとも１種の複合粒子１を含む多層システムは、少なくとも１種の保護層によって覆われている。一実施形態によれば、少なくとも１種の発光材料７又は少なくとも１種の発光材料７を含む多層システムは、少なくとも１種の保護層によって覆われている。
一実施形態において、少なくとも１種の複合粒子１又は少なくとも１種の複合粒子１を含む多層システムは、少なくとも１種の保護層によって囲まれている。一実施形態において、少なくとも１種の発光材料７又は少なくとも１種の発光材料７を含む多層システムは、少なくとも１種の保護層によって囲まれている。
一実施形態において、少なくとも１種の複合粒子１又は少なくとも１種の複合粒子１を含む多層システムは、少なくとも１種の補助層によって覆われており、次いで、両方とも、少なくとも１種の保護層によって囲まれている。一実施形態において、少なくとも１種の発光材料７又は少なくとも１種の発光材料７を含む多層システムは、少なくとも１種の補助層によって覆われており、次いで、両方とも、少なくとも１種の保護層によって囲まれている。
一実施形態において、少なくとも１種の複合粒子１又は少なくとも１種の複合粒子１を含む多層システムは、少なくとも１種の補助層及び／又は少なくとも１種の保護層で覆われている。一実施形態において、少なくとも１種の発光材料７又は少なくとも１種の発光材料７を含む多層システムは、少なくとも１種の補助層によって覆われており、次いで、両方とも、少なくとも１種の補助層及び／又は少なくとも１種の保護層で覆われている。
一実施形態において、該保護層は、平坦層である。
一実施形態において、該保護層は、酸素及び／又は水の不透過性層である。この実施形態において、該保護層は、酸化に対する障壁であり、酸素分子及び／若しくは水からの少なくとも１種の複合粒子１及び／又は少なくとも１種の発光材料の化学的並びに物理的特性の劣化を制限又は防止する。
一実施形態において、該保護層は、酸素及び／又は水の非透過性層である。この実施形態において、該保護層は、酸化に対する障壁であり、酸素分子及び／若しくは水からの少なくとも１種の複合粒子１及び／又は少なくとも１種の発光材料の化学的並びに物理的特性の劣化を制限又は防止する。
一実施形態によれば、該保護層は、熱伝導性である。
一実施形態によれば、該保護層は、０．１〜４５０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、好ましくは、１〜２００Ｗ／（ｍ．Ｋ）、より好ましくは、１０〜１５０Ｗ／（ｍ．Ｋ）の範囲の標準的な条件での熱伝導性を有する。
一実施形態によれば、該保護層は、少なくとも０．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、０．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、０．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、０．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、０．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、０．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、０．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、０．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、０．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、４．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、４．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、４．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、４．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、４．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、４．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、４．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、４．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、４．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、５．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、５．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、５．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、５．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、５．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、５．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、５．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、５．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、５．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、６．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、６．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、６．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、６．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、６．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、６．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、６．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、６．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、６．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、７．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、７．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、７．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、７．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、７．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、７．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、７．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、７．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、７．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、８．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、８．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、８．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、８．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、８．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、８．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、８．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、８．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、８．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、９．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、９．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、９．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、９．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、９．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、９．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、９．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、９．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、９．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１０．１／（ｍ．Ｋ）、１０．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１０．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１０．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１０．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１０．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１０．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１０．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１０．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１１．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１１．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１１．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１１．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１１．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１１．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１１．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１１．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１１．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１２．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１２．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１２．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１２．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１２．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１２．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１２．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１２．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１２．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１３．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１３．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１３．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１３．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１３．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１３．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１３．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１３．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１３．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１４．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１４．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１４．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１４．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１４．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１４．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１４．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１４．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１４．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１５．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１５．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１５．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１５．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１５．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１５．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１５．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１５．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１５．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１６．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１６．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１６．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１６．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１６．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１６．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１６．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１６．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１６．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１７．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１７．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１７．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１７．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１７．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１７．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１７．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１７．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１７．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１８．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１８．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１８．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１８．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１８．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１８．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１８．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１８．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１８．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１９．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１９．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１９．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１９．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１９．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１９．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１９．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１９．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１９．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２０．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２０．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２０．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２０．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２０．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２０．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２０．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２０．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２０．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２１．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２１．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２１．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２１．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２１．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２１．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２１．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２１．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２１．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２２．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２２．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２２．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２２．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２２．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２２．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２２．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２２．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２２．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２３．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２３．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２３．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２３．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２３．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２３．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２３．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２３．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２３．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２４．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２４．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２４．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２４．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２４．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２４．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２４．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２４．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２４．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、４０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、５０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、６０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、７０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、８０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、９０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１００Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１１０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１２０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１３０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１４０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１５０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１６０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１７０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１８０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１９０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２００Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２１０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２２０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２３０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２４０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２５０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２６０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２７０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２８０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２９０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３００Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３１０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３２０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３３０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３４０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３５０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３６０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３７０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３８０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３９０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、４００Ｗ／（ｍ．Ｋ）、４１０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、４２０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、４３０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、４４０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、又は４５０Ｗ／（ｍ．Ｋ）の標準的な条件での熱伝導性を有する。
一実施形態によれば、該保護層は、ガラス、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＤＭＳ（ポリジメチルシロキサン）、ＰＥＳ（ポリエーテルスルホン）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＣ（ポリカーボネート）、ＰＩ（ポリイミド）、ＰＮＢ（ポリノルボルネン）、ＰＡＲ（ポリアリレート）、ＰＥＥＫ（ポリエーテルエーテルケトン）、ＰＣＯ（多環式オレフィン）、ＰＶＤＣ（ポリ塩化ビニリデン）、ナイロン、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）、ＦＴＯ（フッ素ドープ酸化錫）、セルロース、Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＯｘＮｙ、ＳｉＯｘＣｙ、ＳｉＯ２、ＳｉＯｘ、ＳｉＮｘ、ＳｉＣｘ、ＺｒＯ２、ＴｉＯ２、ＭｇＯ、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、セラミック、有機変性セラミック、又はそれらの混合物から作ることができる。
一実施形態において、該保護層は、ＰＥＣＶＤ（プラズマ化学気相成長法）、ＡＬＤ（原子層堆積）、ＣＶＤ（化学蒸着）、ｉＣＶＤ（イニシエータ化学蒸着）、Ｃａｔ−ＣＶＤ（触媒化学蒸着）によって堆積させることができる。
一実施形態によれば、該保護層は、散乱粒子を含み得る。散乱粒子の例には、ＳｉＯ２、ＺｒＯ２、ＺｎＯ、ＭｇＯ、ＳｎＯ２、ＴｉＯ２、Ａｇ、Ａｕ、アルミナ、Ａｇ、Ａｕ、硫酸バリウム、ＰＴＦＥ、及びチタン酸バリウムなどが含まれるが、これらに限定されない。
一実施形態において、該保護層は、さらに、熱伝導体粒子を含む。熱伝導体粒子の例には、ＳｉＯ２、ＺｒＯ２、ＺｎＯ、ＭｇＯ、ＳｎＯ２、ＴｉＯ２、ＣａＯ、アルミナ、硫酸バリウム、ＰＴＦＥ、及びチタン酸バリウムなどが含まれるが、これらに限定されない。この実施形態において、該保護層の熱伝導率は高くなる。
一実施形態において、該支持体は、基板、ＬＥＤ、ＬＥＤアレイ、器、チューブ、ソーラーパネル、パネル、又は容器であり得る。好ましくは、該支持体は、２００ｎｍ〜５０μｍ、２００ｎｍ〜１０μｍ、２００ｎｍ〜２５００ｎｍ、２００ｎｍ〜２０００ｎｍ、２００ｎｍ〜１５００ｎｍ、２００ｎｍ〜１０００ｎｍ、２００ｎｍ〜８００ｎｍ、４００ｎｍ〜７００ｎｍ、４００ｎｍ〜６００ｎｍ、又は４００ｎｍ〜４７０ｎｍの波長で光学的に透明である。
本明細書で使用されるＬＥＤは、ＬＥＤ、ＬＥＤチップ５及びマイクロサイズ化ＬＥＤ６を含む。
一実施形態において、該支持体は、布地、衣類の一部、木材、プラスチック、セラミック、ガラス、鋼、金属、又は任意の活性表面であり得る。
一実施形態において、活性表面は、相互作用表面である。
一実施形態において、活性表面は、光電子デバイス、又は表示装置に含まれる運命の表面である。
一実施形態において、該支持体は反射性である。
一実施形態において、該支持体は、例えば、アルミニウムのような金属、銀、ガラス、ポリマー又はプラスチックなどの、光を反射することを可能にする材料を含む。
一実施形態において、該支持体は、熱伝導性である。
一実施形態によれば、該支持体は、０．５〜４５０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、好ましくは、１〜２００Ｗ／（ｍ．Ｋ）、より好ましくは、１０〜１５０Ｗ／（ｍ．Ｋ）の範囲の標準的な条件での熱伝導性を有する。
一実施形態によれば、該支持体は、少なくとも０．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、０．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、０．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、０．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、０．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、０．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、０．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、０．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、０．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、４．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、４．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、４．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、４．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、４．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、４．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、４．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、４．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、４．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、５．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、５．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、５．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、５．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、５．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、５．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、５．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、５．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、５．９Ｗ／（Ｍ．Ｋ）、６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、６．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、６．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、６．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、６．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、６．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、６．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、６．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、６．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、６．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、７．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、７．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、７．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、７．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、７．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、７．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、７．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、７．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、７．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、８．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、８．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、８．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、８．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、８．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、８．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、８．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、８．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、８．９Ｗ／（Ｍ．Ｋ）、９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、９．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、９．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、９．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、９．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、９．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、９．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、９．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、９．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、９．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１０．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１０．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１０．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１０．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１０．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１０．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１０．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１０．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１０．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１１．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１１．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１１．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１１．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１１．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１１．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１１．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１１．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１１．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１２．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１２．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１２．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１２．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１２．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１２．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１２．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１２．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１２．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１３．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１３．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１３．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１３．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１３．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１３．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１３．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１３．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１３．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１４．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１４．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１４．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１４．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１４．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１４．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１４．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１４．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１４．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１５．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１５．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１５．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１５．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１５．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１５．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１５．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１５．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１５．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１６．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１６．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１６．３Ｗ／（ｍ．Ｋ)、１６．４Ｗ／（ｍ．Ｋ)、１６．５Ｗ／（ｍ．Ｋ)、１６．６Ｗ／（ｍ．Ｋ)、１６．７Ｗ／（ｍ．Ｋ)、１６．８Ｗ／（ｍ．Ｋ)、１６．９Ｗ／（ｍ．Ｋ)、１７Ｗ／（ｍ．Ｋ)、１７．１Ｗ／（ｍ．Ｋ)、１７．２Ｗ／（ｍ．Ｋ)、１７．３Ｗ／（ｍ．Ｋ)、１７．４Ｗ／（ｍ．Ｋ)、１７．５Ｗ／（ｍ．Ｋ)、１７．６Ｗ／（ｍ．Ｋ)、１７．７Ｗ／（ｍ．Ｋ)、１７．８Ｗ／（ｍ．Ｋ)、１７．９Ｗ／（ｍ．Ｋ)、１８Ｗ／（ｍ．Ｋ)、１８．１Ｗ／（ｍ．Ｋ)、１８．２Ｗ／（ｍ．Ｋ)、１８．３Ｗ／（ｍ．Ｋ)、１８．４Ｗ／（ｍ．Ｋ)、１８．５Ｗ／（ｍ．Ｋ)、１８．６Ｗ／（ｍ．Ｋ)、１８．７Ｗ／（ｍ．Ｋ)、１８．８Ｗ／（ｍ．Ｋ)、１８．９Ｗ／（ｍ．Ｋ)、１９Ｗ／（ｍ．Ｋ)、１９．１Ｗ／（ｍ．Ｋ)、１９．２Ｗ／（ｍ．Ｋ)、１９．３Ｗ／（ｍ．Ｋ)、１９．４Ｗ／（ｍ．Ｋ)、１９．５Ｗ／（ｍ．Ｋ)、１９．６Ｗ／（ｍ．Ｋ)、１９．７Ｗ／（ｍ．Ｋ)、１９．８Ｗ／（ｍ．Ｋ)、１９．９Ｗ／（ｍ．Ｋ)、２０Ｗ／（ｍ．Ｋ)、２０．１Ｗ／（ｍ．Ｋ)、２０．２Ｗ／（ｍ．Ｋ)、２０．３Ｗ／（ｍ．Ｋ)、２０．４Ｗ／（ｍ．Ｋ)、２０．５Ｗ／（ｍ．Ｋ)、２０．６Ｗ／（ｍ．Ｋ)、２０．７Ｗ／（ｍ．Ｋ)、２０．８Ｗ／（ｍ．Ｋ)、２０．９Ｗ／（ｍ．Ｋ)、２１Ｗ／（ｍ．Ｋ)、２１．１Ｗ／（ｍ．Ｋ)、２１．２Ｗ／（ｍ．Ｋ)、２１．３Ｗ／（ｍ．Ｋ)、２１．４Ｗ／（ｍ．Ｋ)、２１．５Ｗ／（ｍ．Ｋ)、２１．６Ｗ／（ｍ．Ｋ)、２１．７Ｗ／（ｍ．Ｋ)、２１．８Ｗ／（ｍ．Ｋ)、２１．９Ｗ／（ｍ．Ｋ)、２２Ｗ／（ｍ．Ｋ)、２２．１Ｗ／（ｍ．Ｋ)、２２．２Ｗ／（ｍ．Ｋ)、２２．３Ｗ／（ｍ．Ｋ)、２２．４Ｗ／（ｍ．Ｋ)、２２．５Ｗ／（ｍ．Ｋ)、２２．６Ｗ／（ｍ．Ｋ)、２２．７Ｗ／（ｍ．Ｋ)、２２．８Ｗ／（ｍ．Ｋ)、２２．９Ｗ／（ｍ．Ｋ)、２３Ｗ／（ｍ．Ｋ)、２３．１Ｗ／（ｍ．Ｋ)、２３．２Ｗ／（ｍ．Ｋ)、２３．３Ｗ／（ｍ．Ｋ)、２３．４Ｗ／（ｍ．Ｋ)、２３．５Ｗ／（ｍ．Ｋ)、２３．６Ｗ／（ｍ．Ｋ)、２３．７Ｗ／（ｍ．Ｋ)、２３．８Ｗ／（ｍ．Ｋ)、２３．９Ｗ／（ｍ．Ｋ)、２４Ｗ／（ｍ．Ｋ)、２４．１Ｗ／（ｍ．Ｋ)、２４．２Ｗ／（ｍ．Ｋ)、２４．３Ｗ／（ｍ．Ｋ)、２４．４Ｗ／（ｍ．Ｋ)、２４．５Ｗ／（ｍ．Ｋ)、２４．６Ｗ／（ｍ．Ｋ)、２４．７Ｗ／（ｍ．Ｋ)、２４．８Ｗ／（ｍ．Ｋ)、２４．９Ｗ／（ｍ．Ｋ)、２５Ｗ／（ｍ．Ｋ)、３０Ｗ／（ｍ．Ｋ)、４０Ｗ／（ｍ．Ｋ)、５０Ｗ／（ｍ．Ｋ)、６０Ｗ／（ｍ．Ｋ)、７０Ｗ／（ｍ．Ｋ)、８０Ｗ／（ｍ．Ｋ)、９０Ｗ／（ｍ．Ｋ)、１００Ｗ／（ｍ．Ｋ)、１１０Ｗ／（ｍ．Ｋ)、１２０Ｗ／（ｍ．Ｋ)、１３０Ｗ／（ｍ．Ｋ)、１４０Ｗ／（ｍ．Ｋ)、１５０Ｗ／（ｍ．Ｋ)、１６０Ｗ／（ｍ．Ｋ)、１７０Ｗ／（ｍ．Ｋ)、１８０Ｗ／（ｍ．Ｋ)、１９０Ｗ／（ｍ．Ｋ)、２００Ｗ／（ｍ．Ｋ)、２１０Ｗ／（ｍ．Ｋ)、２２０Ｗ／（ｍ．Ｋ)、２３０Ｗ／（ｍ．Ｋ)、２４０Ｗ／（ｍ．Ｋ)、２５０Ｗ／（ｍ．Ｋ)、２６０Ｗ／（ｍ．Ｋ)、２７０Ｗ／（ｍ．Ｋ)、２８０Ｗ／（ｍ．Ｋ)、２９０Ｗ／（ｍ．Ｋ)、３００Ｗ／（ｍ．Ｋ)、３１０Ｗ／（ｍ．Ｋ)、３２０Ｗ／（ｍ．Ｋ)、３３０Ｗ／（ｍ．Ｋ)、３４０Ｗ／（ｍ．Ｋ)、３５０Ｗ／（ｍ．Ｋ)、３６０Ｗ／（ｍ．Ｋ)、３７０Ｗ／（ｍ．Ｋ)、３８０Ｗ／（ｍ．Ｋ)、３９０Ｗ／（ｍ．Ｋ)、４００Ｗ／（ｍ．Ｋ)、４１０Ｗ／（ｍ．Ｋ)、４２０Ｗ／（ｍ．Ｋ)、４３０Ｗ／（ｍ．Ｋ)、４４０Ｗ／（ｍ．Ｋ)、又は４５０Ｗ／（ｍ．Ｋ)の標準的な条件での熱伝導性を有する。
一実施形態によれば、該基板は、ＧａＮ、ＧａＳｂ、ＧａＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＧａＰ、ＩｎＰ、ＳｉＧｅ、ＩｎＧａＮ、ＧａＡｌＮ、ＧａＡｌＰＮ、ＡｌＮ、ＡｌＧａＡｓ、ＡｌＧａＰ、ＡｌＧａＩｎＰ、ＡｌＧａＮ、ＡｌＧａＩｎＮ、ＺｎＳｅ、Ｓｉ、ＳｉＣ、ダイヤモンド、窒化ホウ素を含む。
一実施形態によれば、該基板は、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｓｎ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｍｎ、Ｔｉ又はそれらの混合物を含む。
一実施形態によれば、該基板は、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化銅、酸化鉄、酸化銀、酸化鉛、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化亜鉛、酸化錫、酸化ベリリウム、酸化ジルコニウム、酸化ニオブ、酸化セリウム、酸化イリジウム、酸化スカンジウム、酸化ニッケル、酸化ナトリウム、酸化バリウム、酸化カリウム、酸化バナジウム、酸化テルル、酸化マンガン、酸化ホウ素、酸化リン、酸化ゲルマニウム、酸化オスミウム、酸化レニウム、酸化白金、酸化ヒ素、酸化タンタル、酸化リチウム、酸化ストロンチウム、酸化イットリウム、酸化ハフニウム、酸化タングステン、酸化モリブデン、酸化クロム、酸化テクネチウム、酸化ロジウム、酸化ルテニウム、酸化コバルト、酸化パラジウム、酸化カドミウム、酸化水銀、酸化タリウム、酸化ガリウム、酸化インジウム、酸化ビスマス、酸化アンチモン、酸化ポロニウム、酸化セレン、酸化セシウム、酸化ランタン、酸化プラセオジム、酸化ネオジム、酸化サマリウム、酸化ユーロピウム、酸化テルビウム、酸化ジスプロシウム、酸化エルビウム、酸化ホルミウム、酸化ツリウム、酸化イッテルビウム、酸化ルテチウム、酸化ガドリニウム、混合酸化物、それらの混合酸化物又はそれらの混合物を含む。
本発明の別の目的は、本発明の複合粒子１の使用に関する。
一実施形態によれば、本発明の複合粒子１は、塗料に使用される。
一実施形態によれば、本発明の複合粒子１は、インクに使用される。
一実施形態によれば、本発明の複合粒子１及び／又は上記の発光材料７は、光電子工学に使用される。この実施形態において、本発明の複合粒子１及び／又は上記の発光材料７は、光電子装置に含まれる。光電子装置の例には、表示装置、ダイオード、発光ダイオード（ＬＥＤ）、マイクロＬＥＤ、ＬＥＤ又はマイクロＬＥＤのアレイ、レーザ、トランジスタ、スーパーキャパシタ又はＩＲカメラ又はバーコードが含まれるが、これらに限定されない。
一実施形態によれば、本発明の複合粒子１及び／又は上記の発光材料７は、照明用途に使用される。この実施形態において、照明用途の例には、例えば、温室、又は屋内の植物育成などの農業及び／若しくは園芸の用途又は設備のための照明；例えば、衣料品店、食料品店、小売店、又はモールにおける照明などの、例えば、小売照明などの特殊照明；街路照明；商業照明；例えば、コンサートの照明、スタジオＴＶ照明、映画照明、舞台照明、クラブの照明、写真撮影の照明、又は建築照明などのエンターテインメント照明；航空灯火；例えば、病院、診療所、又は診療所の照明などのヘルスケア照明；例えば、ホテル及びリゾート、カジノ、レストラン、バー及びナイトクラブ、コンベンションセンター、スパ及びウェルネスセンターの照明などの接待用照明；例えば、倉庫、製造、物流センター、交通、駐車場、又は公益事業における照明などの産業照明；例えば、医療及び検査用の照明；例えば、スポーツ施設、テーマパーク、博物館、公園、アート展示、劇場、又はエンターテイメント複合施設の照明などのスポーツ照明；又は環境に優しい照明が含まれるが、これらに限定されない。本発明の複合粒子１及び／又は発光材料７は、店舗の照明設備で使用される場合に、店舗で販売される商品の魅力及び／又は保存を向上させることができる。
一実施形態によれば、本発明の複合粒子１は、通常の量子ドットを交換する量子ドット強化フィルム（ＱＤＥＦ）に使用される。特に、量子ドット、半導体ナノプレートレット、又は少なくとも１つの量子ドットと少なくとも１つの半導体ナノプレートレットの混合物を含む複合粒子１が、ＱＤＥＦに使用される
一実施形態によれば、本発明の複合粒子１及び／又は発光材料７は、チップ上：マイクロＬＥＤ、ＬＥＤ、マイクロＬＥＤのアレイ、又はＬＥＤのアレイ上で使用される。特に、赤色光を放つ量子ドットを含む複合粒子１、赤色光を放つ半導体ナノプレートレット、又は赤色光を放つ少なくとも１つの量子ドットと少なくとも１つの半導体ナノプレートレットの混合物が、チップ上で使用される。
一実施形態によれば、本発明の複合粒子１及び／又は発光材料７は、カラーフィルター中で、又はカラーフィルターとして使用される。
一実施形態によれば、本発明の複合粒子１及び／又は発光材料７は、マイクロＬＥＤ、ＬＥＤ、又は大型ＬＥＤのビデオウォールで使用される。
一実施形態によれば、本発明の複合粒子１は、サブ画素レベルで電子発光量子ドットとして使用され、すなわち、前記複合粒子１は、精製パターン及び色を作成するために、電流によって充電される画素アレイ内の個々のサブ画素内で使用される。
一実施形態によれば、本発明の複合粒子１及び／又は発光材料７は、ビデオプロジェクションのために使用され、すなわち、それはビデオプロジェクション装置で使用される。
一実施形態によれば、本発明の複合粒子１及び／又は発光材料７は、少なくとも１つの光源及び回転ホイールを含む表示装置で使用され、前記少なくとも１つの光源は、複合粒子１及び／若しくは発光材料７の照明及び／又は励起を提供するように構成される。光源の光は、複合粒子１及び／又は発光材料７を含む回転ホイールと会う。回転ホイールは、複合粒子１及び／若しくは発光材料７を含む少なくとも１つの領域を含むか、又は異なる波長で二次光を放つことができる複合粒子１及び／若しくは発光材料７を含む少なくとも２つの領域を含むいくつかの領域を含む。少なくとも１つの領域は、二次光を放射することなく、一次光が回転ホイールを通って透過するのを可能にするために、複合粒子１及び／又は発光材料７を含まないか、空であるか、又は光学的に透明であり得る。
一実施形態によれば、本発明の複合粒子１は、分光光度計などの光学機器の光学的較正に使用される。実際に、前記複合粒子１の光学特性は、時間及び温度で安定であるので、分光光度計の較正手順中に、それらを長期間保持し、使用することが可能である。
一実施形態によれば、光電子装置は、表示装置、ダイオード、発光ダイオード（ＬＥＤ）、レーザ、光検出器、トランジスタ、スーパーキャパシタ、バーコード、ＬＥＤ、マイクロＬＥＤ、ＬＥＤのアレイ、マイクロＬＥＤのアレイ、又はＩＲカメラである。
一実施形態によれば、本発明の複合粒子１及び／又は発光材料７は、発光検出のために使用される。
一実施形態によれば、本発明の複合粒子１及び／又は発光材料７は、バイオイメージング、バイオターゲティング、バイオセンシング、医療撮像、診断、治療、又はセラノスティクスのために使用される。
一実施形態によれば、本発明の複合粒子１及び／又は発光材料７は、触媒のために使用される。
一実施形態によれば、本発明の複合粒子１は、薬物送達に使用される。
一実施形態によれば、本発明の複合粒子１及び／又は発光材料７は、エネルギー貯蔵装置に使用される。
一実施形態によれば、本発明の複合粒子１及び／又は発光材料７は、エネルギー生成装置に使用される。
一実施形態によれば、本発明及び／又は材料７を発光複合粒子１は、エネルギー変換装置に使用される。
一実施形態によれば、本発明及び／又は材料７を発光複合粒子１は、エネルギー輸送装置に使用される。
一実施形態によれば、本発明の複合粒子１及び／又は発光材料７は、太陽電池に使用される。
一実施形態によれば、本発明及び／又は材料７を発光複合粒子１は、装置の照明に使用される。
一実施形態によれば、本発明及び／又は材料７を発光複合粒子１は、センサー装置に使用される。
一実施形態によれば、蛍光ナノ粒子を含む本発明の複合粒子１は、圧力センサー装置で使用される。この実施形態において、前記複合粒子１上（したがって、蛍光ナノ粒子上）に及ぼされる圧力は、発光波長のシフトを誘導する。
本発明の別の目的は、ＬＥＤ及び上記の少なくとも１種の複合粒子１及び／又は少なくとも１種の発光材料７を含む光電子装置に関する。
一実施形態によれば、光電子装置は、表示装置、ダイオード、発光ダイオード（ＬＥＤ）、レーザ、光検出器、トランジスタ、スーパーキャパシタ、バーコード、ＬＥＤ、マイクロＬＥＤ、ＬＥＤのアレイ、マイクロＬＥＤのアレイ、又はＩＲカメラである。
本明細書で使用されるＬＥＤには、ＬＥＤ、ＬＥＤチップ５及びマイクロサイズ化ＬＥＤ６が含まれる。
一実施形態によれば、光電子装置は、少なくとも１つのＬＥＤ及び上記の少なくとも１種の複合粒子１及び／又は少なくとも１種の発光材料７を含む。
一実施形態によれば、ＬＥＤは、少なくとも１、２、３、４、５、１０、２０、３０、４０、５０、６０、７０、８０、９０、１００、５００、１０００、５０００、１００００、５００００、１０００００、１５００００、２０００００、２５００００、３０００００、３５００００、４０００００、４５００００、５０００００、５５００００、６０００００、６５００００、７５００００、８０００００、８５００００、９０００００、９５００００、１０６、１０７、１０８、１０９、１０１０、１０１１、又は１０１２画素を含む。
一実施形態によれば、画素は、少なくとも１種のＬＥＤを含む。
一実施形態によれば、画素は、少なくとも１、２、３、４、５、１０、２０、３０、４０、５０、６０、７０、８０、９０、１００、５００、１０００、５０００、１００００、５００００、１０００００、１５００００、２０００００、２５００００、３０００００、３５００００、４０００００、４５００００、５０００００、５５００００、６０００００、６５００００、７５００００、８０００００、８５００００、９０００００、９５００００、１０６、１０７、１０８、１０９、１０１０、１０１１、又は１０１２ＬＥＤを含む。
一実施形態によれば、少なくとも１種の複合粒子１又は少なくとも１種の発光材料７は、ＬＥＤチップ５又はマイクロサイズ化ＬＥＤ６上にある。
一実施形態によれば、少なくとも１種の複合粒子１又は少なくとも１種の発光材料７は、ＬＥＤアレイ又はマイクロサイズ化ＬＥＤ６アレイの少なくとも１種のＬＥＤ上にある。
一実施形態によれば、少なくとも１種の複合粒子１又は少なくとも１種の発光材料７は、ＬＥＤアレイ又はマイクロサイズ化ＬＥＤ６アレイのうちの少なくとも１つのＬＥＤ上に堆積され、パターニングされる。
一実施形態によれば、少なくとも１種の複合粒子１又は少なくとも１種の発光材料７は、少なくとも１種の複合粒子１又は少なくとも１種の発光材料７のリフトオフ技術、リソグラフィ、又は直接エッチングを用いて、ＬＥＤ、ＬＥＤアレイの少なくとも１つのＬＥＤ、マイクロサイズ化ＬＥＤ又はマイクロサイズ化ＬＥＤアレイの少なくとも１つのＬＥＤ上に堆積され、パターニングされる。
一実施形態において、図７Ａに示すように、少なくとも１種の複合粒子１は、ＬＥＤチップ５を覆っている。
一実施形態において、図７Ｂに示すように、少なくとも１種の複合粒子１は、部分的又は全体的にＬＥＤチップ５を覆い、囲んでいる。
一実施形態において、上記の少なくとも１種の発光材料７は、ＬＥＤチップ５を覆っている。
一実施形態において、上記の少なくとも１種の発光材料７は、部分的又は全体的にＬＥＤチップ５を覆い、囲んでいる。
一実施形態において、図９Ａに示すように、少なくとも１種の複合粒子１又は少なくとも１種の発光材料７は、前記マイクロサイズ化ＬＥＤ６アレイの画素間で重複することなく、マイクロサイズ化ＬＥＤ６アレイの画素を覆っている。
一実施形態において、少なくとも１種の複合粒子１又は少なくとも１種の発光材料７は、前記マイクロサイズ化ＬＥＤ６アレイの画素間で重複することなく、マイクロサイズ化ＬＥＤ６アレイの画素を部分的に覆っている。
一実施形態において、図９Ｂに示すように、少なくとも１種の複合粒子１又は少なくとも１種の発光材料７は、前記マイクロサイズ化ＬＥＤ６アレイの画素間で重複することなく、マイクロサイズ化ＬＥＤ６アレイの画素を部分的に又は完全に覆い、取り囲んでいる。
一実施形態において、少なくとも１種の複合粒子１又は少なくとも１種の発光材料７は、前記マイクロサイズ化ＬＥＤ６アレイの画素間で重複することなく、マイクロサイズ化ＬＥＤ６アレイを覆っている。
一実施形態において、少なくとも１種の複合粒子１又は少なくとも１種の発光材料７は、前記マイクロサイズ化ＬＥＤ６アレイの画素間で重複することなく、マイクロサイズ化ＬＥＤ６アレイを部分的に覆っている。
一実施形態において、少なくとも１種の複合粒子１又は少なくとも１種の発光材料７は、前記マイクロサイズ化ＬＥＤ６アレイの画素間で重複することなく、マイクロサイズ化ＬＥＤ６アレイを部分的又は完全に覆い、取り囲んでいる。
一実施形態において、複合粒子１の１つの集団は、マイクロサイズ化ＬＥＤ６アレイ上に堆積される。一実施形態において、複合粒子１の集団は、最大発光波長によって定義される。
一実施形態において、複合粒子１の少なくとも１つの集団は、マイクロサイズ化ＬＥＤ６アレイの画素上に堆積される。
一実施形態において、本明細書に記載の複合粒子１及び／又は発光材料７は、ドロップキャスティング、スピンコーティング、ディップコーティング、インクジェット印刷、リソグラフィ、噴霧、めっき、電気めっき、又は当業者に公知の任意の他の手段によって、画素、マイクロサイズ化ＬＥＤ、ＬＥＤ、又はＬＥＤのアレイ上に堆積される。
一実施形態において、異なる色又は波長を放つ複合粒子１の２つの集団は、マイクロサイズ化ＬＥＤアレイ６上に堆積される。
一実施形態において、青色光源のダウンコンバージョン時に緑色光及び赤色光を放つ複合粒子１の２つの集団は、マイクロサイズ化ＬＥＤアレイ６上に堆積される。
一実施形態において、複合粒子１の２つの集団は、５００ｎｍ〜５６０ｎｍ、より好ましくは、５１５ｎｍ〜５４５ｎｍの最大発光波長を有する第１の集団と、６００ｎｍ〜２５００ｎｍ、より好ましくは、６１０ｎｍ〜６５０ｎｍの最大発光波長を有する第２の集団とを含む。
一実施形態において、複合粒子１の１つの集団を含む本明細書上記の発光材料７は、マイクロサイズ化ＬＥＤアレイ６上に堆積される。
一実施形態において、複合粒子１の少なくとも１つの集団を含む本明細書上記の発光材料７は、マイクロサイズ化ＬＥＤアレイ６上に堆積される。
一実施形態において、異なる色又は波長を放つ複合粒子１の２つの集団を含む本明細書上記の発光材料７は、マイクロサイズ化ＬＥＤアレイ６上に堆積される。
一実施形態において、発光材料７は複合粒子１の２つの集団を含み、第１の集団は、５００ｎｍ〜５６０ｎｍ、より好ましくは、５１５ｎｍ〜５４５ｎｍの最大発光波長を有し、第２の集団は、６００ｎｍ〜２５００ｎｍ、より好ましくは、６１０ｎｍ〜６５０ｎｍの最大発光波長を有する。
一実施形態において、異なる色又は波長を放つ複合粒子１の１つの集団を含む本明細書上記の２つの発光材料７は、マイクロサイズ化ＬＥＤ６アレイ上に堆積される。
一実施形態において、２種の発光材料７の各々は、複合粒子１の１つの集団を含み、第１の集団は、５００ｎｍ〜５６０ｎｍ、より好ましくは、５１５ｎｍ〜５４５ｎｍの最大発光波長を有し、第２の集団は、６００ｎｍ〜２５００ｎｍ、より好ましくは、６１０ｎｍ〜６５０ｎｍの最大発光波長を有する。
一実施形態において、ＬＥＤチップ５又はマイクロサイズ化ＬＥＤ６は、例えば、窒化ガリウムベースのダイオードなどの４００ｎｍ〜４７０ｎｍの範囲の波長を有する青色ＬＥＤである。
一実施形態において、ＬＥＤチップ５又はマイクロサイズ化ＬＥＤ６は、４００ｎｍ〜４７０ｎｍの範囲の波長を有する青色ＬＥＤである。一実施形態において、ＬＥＤチップ５又はマイクロサイズ化ＬＥＤ６は、約４０５ｎｍに発光ピークを有する。一実施形態において、ＬＥＤチップ５又はマイクロサイズ化ＬＥＤ６は、約４４７ｎｍに発光ピークを有する。一実施形態において、ＬＥＤチップ５又はマイクロサイズ化ＬＥＤ６は、約４５５ｎｍに発光ピークを有する。
一実施形態において、ＬＥＤチップ５又はマイクロサイズ化ＬＥＤ６は、２００ｎｍ〜４００ｎｍの範囲の波長を有するＵＶ ＬＥＤである。一実施形態において、ＬＥＤチップ５又はマイクロサイズ化ＬＥＤ６は、約２５３ｎｍに発光ピークを有する。一実施形態において、ＬＥＤチップ５又はマイクロサイズ化ＬＥＤ６は、約３６５ｎｍに発光ピークを有する。一実施形態において、ＬＥＤチップ５又はマイクロサイズ化ＬＥＤ６は、約３９５ｎｍに発光ピークを有する。
一実施形態において、ＬＥＤチップ５又はマイクロサイズ化ＬＥＤ６は、５００ｎｍ〜５６０ｎｍの範囲の波長を有する緑色ＬＥＤである。一実施形態において、ＬＥＤチップ５又はマイクロサイズ化ＬＥＤ６は、約５１５ｎｍに発光ピークを有する。一実施形態において、ＬＥＤチップ５又はマイクロサイズ化ＬＥＤ６は、約５２５ｎｍに発光ピークを有する。一実施形態において、ＬＥＤチップ５又はマイクロサイズ化ＬＥＤ６は、約５４０ｎｍに発光ピークを有する。
一実施形態において、ＬＥＤチップ５又はマイクロサイズ化ＬＥＤ６は、７５０〜８５０の範囲の波長を有する赤色ＬＥＤである。一実施形態において、ＬＥＤチップ５又はマイクロサイズ化ＬＥＤ６は、約７５５ｎｍに発光ピークを有する。一実施形態において、ＬＥＤチップ５又はマイクロサイズ化ＬＥＤ６は、約８００ｎｍに発光ピークを有する。一実施形態において、ＬＥＤチップ５又はマイクロサイズ化ＬＥＤ６は、約８５０ｎｍに発光ピークを有する。
一実施形態において、ＬＥＤチップ５又はマイクロサイズ化ＬＥＤ６は、１μＷ．ｃｍ−２〜１ｋＷ．ｃｍ−２、より好ましくは、１ｍＷ．ｃｍ−２〜１００Ｗ．ｃｍ−２、さらにより好ましくは、１ｍＷ．ｃｍ−２〜３０Ｗ．ｃｍ−２の光子束又は平均ピークパルス力を有する。
一実施形態において、ＬＥＤチップ５又はマイクロサイズ化ＬＥＤ６は、少なくとも１μＷ．ｃｍ−２、１０μＷ．ｃｍ−２、１００μＷ．ｃｍ−２、５００μＷ．ｃｍ−２、１ｍＷ．ｃｍ−２、１０ｍＷ．ｃｍ−２、１００ｍＷ．ｃｍ−２、５００ｍＷ．ｃｍ−２、１Ｗ．ｃｍ−２、１０Ｗ．ｃｍ−２、１００Ｗ．ｃｍ−２、５００Ｗ．ｃｍ−２、又は１ｋＷ．ｃｍ−２の光子束又は平均ピークパルス力を有する。
一実施形態において、ＬＥＤチップ５は、ＧａＮ、ＧａＳｂ、ＧａＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＧａＰ、ＩｎＰ、ＳｉＧｅ、ＩｎＧａＮ、ＧａＡｌＮ、ＧａＡｌＰＮ、ＡｌＮ、ＡｌＧａＡｓ、ＡｌＧａＰ、ＡｌＧａＩｎＰ、ＡｌＧａＮ、ＡｌＧａＩｎＮ、ＺｎＳｅ、Ｓｉ、ＳｉＣ、ダイヤモンド、窒化ホウ素ダイオードである。
一実施形態によれば、マイクロサイズ化ＬＥＤ６は、ＧａＮ、ＧａＳｂ、ＧａＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＧａＰ、ＩｎＰ、ＳｉＧｅ、ＩｎＧａＮ、ＧａＡｌＮ、ＧａＡｌＰＮ、ＡｌＮ、ＡｌＧａＡｓ、ＡｌＧａＰ、ＡｌＧａＩｎＰ、ＡｌＧａＮ、ＡｌＧａＩｎＮ、ＺｎＳｅ、Ｓｉ、ＳｉＣ、ダイヤモンド、窒化ホウ素ダイオードである。
一実施形態において、ＬＥＤアレイは、ＧａＮダイオード、ＧａＳｂダイオード、ＧａＡｓダイオード、ＧａＡｓＰダイオード、ＧａＰダイオード、ＩｎＰダイオード、ＳｉＧｅダイオード、ＩｎＧａＮダイオード、ＧａＡｌＮダイオード、ＧａＡｌＰＮダイオード、ＡｌＮダイオード、ＡｌＧａＡｓダイオード、ＡｌＧａＰダイオード、ＡｌＧａＩｎＰダイオード、ＡｌＧａＮダイオード、ＡｌＧａＩｎＮダイオード、ＺｎＳｅダイオード、Ｓｉダイオード、ＳｉＣダイオード、ダイヤモンドダイオード、窒化ホウ素ダイオード又はそれらの混合物のアレイを含む。
一実施形態によれば、光電子装置は、少なくとも１つのカットオンフィルター層を含む。この実施形態において、前記層は、グローバルカットオンフィルター、ローカルカットオンフィルター、又はそれらの混合物である。この実施形態は、前記カットオンフィルター層が、周囲の光によってインクに含まれる本発明の粒子の励起を防止するので特に有利である。ローカルカットオンフィルターは、光学スペクトルの特定の部分のみをブロックする。光学スペクトルのこの特定の部分のみをブロックするローカルカットオンフィルターは、グローバルカットオンフィルターと組み合わせて、周囲光により本発明の粒子の励起を排除する（又は顕著に低下させる）。
一実施形態によれば、カットオンフィルターは、青色光をフィルタリングすることができる樹脂である。
一実施形態によれば、画素は、少なくとも１つのマイクロサイズ化ＬＥＤ６を含む。
一実施形態によれば、少なくとも１つの画素は、特有のマイクロサイズ化ＬＥＤ６を含む。
一実施形態によれば、少なくとも１つの画素は、１つのマイクロサイズ化ＬＥＤ６を含む。この実施形態において、マイクロサイズ化ＬＥＤ６及び１つの画素は組み合わされる。
一実施形態によれば、図８に示すように、画素ピッチＤは、少なくとも１μｍ、２μｍ、３μｍ、４μｍ、５μｍ、６μｍ、７μｍ、８μｍ、９μｍ、１０μｍ、１１μｍ、１２μｍ、１３μｍ、１４μｍ、１５μｍ、１６μｍ、１７μｍ、１８μｍ、１９μｍ、２０μｍ、２１μｍ、２２μｍ、２３μｍ、２４μｍ、２５μｍ、２６μｍ、２７μｍ、２８μｍ、２９μｍ、３０μｍ、３１μｍ、３２μｍ、３３μｍ、３４μｍ、３５μｍ、３６μｍ、３７μｍ、３８μｍ、３９μｍ、４０μｍ、４１μｍ、４２μｍ、４３μｍ、４４μｍ、４５μｍ、４６μｍ、４７μｍ、４８μｍ、４９μｍ、５０μｍ、５１μｍ、５２μｍ、５３μｍ、５４μｍ、５５μｍ、５６μｍ、５７μｍ、５８μｍ、５９μｍ、６０μｍ、６１μｍ、６２μｍ、６３μｍ、６４μｍ、６５μｍ、６６μｍ、６７μｍ、６８μｍ、６９μｍ、７０μｍ、７１μｍ、７２μｍ、７３μｍ、７４μｍ、７５μｍ、７６μｍ、７７μｍ、７８μｍ、７９μｍ、８０μｍ、８１μｍ、８２μｍ、８３μｍ、８４μｍ、８５μｍ、８６μｍ、８７μｍ、８８μｍ、８９μｍ、９０μｍ、９１μｍ、９２μｍ、９３μｍ、９４μｍ、９５μｍ、９６μｍ、９７μｍ、９８μｍ、９９μｍ、１００μｍ、２００μｍ、２５０μｍ、３００μｍ、３５０μｍ、４００μｍ、４５０μｍ、５００μｍ、５５０μｍ、６００μｍ、６５０μｍ、７００μｍ、７５０μｍ、８００μｍ、８５０μｍ、９００μｍ、９５０μｍ、１ｍｍ、１．１ｍｍ、１．２ｍｍ、１．３ｍｍ、１．４ｍｍ、１．５ｍｍ、１．６ｍｍ、１．７ｍｍ、１．８ｍｍ、１．９ｍｍ、２ｍｍ、２．１ｍｍ、２．２ｍｍ、２．３ｍｍ、２．４ｍｍ、２．５ｍｍ、２．６ｍｍ、２．７ｍｍ、２．８ｍｍ、２．９ｍｍ、３ｍｍ、３．１ｍｍ、３．２ｍｍ、３．３ｍｍ、３．４ｍｍ、３．５ｍｍ、３．６ｍｍ、３．７ｍｍ、３．８ｍｍ、３．９ｍｍ、４ｍｍ、４．１ｍｍ、４．２ｍｍ、４．３ｍｍ、４．４ｍｍ、４．５ｍｍ、４．６ｍｍ、４．７ｍｍ、４．８ｍｍ、４．９ｍｍ、５ｍｍ、５．１ｍｍ、５．２ｍｍ、５．３ｍｍ、５．４ｍｍ、５．５ｍｍ、５．６ｍｍ、５．７ｍｍ、５．８ｍｍ、５．９ｍｍ、６ｍｍ、６．１ｍｍ、６．２ｍｍ、６．３ｍｍ、６．４ｍｍ、６．５ｍｍ、６．６ｍｍ、６．７ｍｍ、６．８ｍｍ、６．９ｍｍ、７ｍｍ、７．１ｍｍ、７．２ｍｍ、７．３ｍｍ、７．４ｍｍ、７．５ｍｍ、７．６ｍｍ、７．７ｍｍ、７．８ｍｍ、７．９ｍｍ、８ｍｍ、８．１ｍｍ、８．２ｍｍ、８．３ｍｍ、８．４ｍｍ、８．５ｍｍ、８．６ｍｍ、８．７ｍｍ、８．８ｍｍ、８．９ｍｍ、９ｍｍ、９．１ｍｍ、９．２ｍｍ、９．３ｍｍ、９．４ｍｍ、９．５ｍｍ、９．６ｍｍ、９．７ｍｍ、９．８ｍｍ、９．９ｍｍ、１ｃｍ、１．１ｃｍ、１．２ｃｍ、１．３ｃｍ、１．４ｃｍ、１．５ｃｍ、１．６ｃｍ、１．７ｃｍ、１．８ｃｍ、１．９ｃｍ、２ｃｍ、２．１ｃｍ、２．２ｃｍ、２．３ｃｍ、２．４ｃｍ、２．５ｃｍ、２．６ｃｍ、２．７ｃｍ、２．８ｃｍ、２．９ｃｍ、３ｃｍ、３．１ｃｍ、３．２ｃｍ、３．３ｃｍ、３．４ｃｍ、３．５ｃｍ、３．６ｃｍ、３．７ｃｍ、３．８ｃｍ、３．９ｃｍ、４ｃｍ、４．１ｃｍ、４．２ｃｍ、４．３ｃｍ、４．４ｃｍ、４．５ｃｍ、４．６ｃｍ、４．７ｃｍ、４．８ｃｍ、４．９ｃｍ、５ｃｍ、５．１ｃｍ、５．２ｃｍ、５．３ｃｍ、５．４ｃｍ、５．５ｃｍ、５．６ｃｍ、５．７ｃｍ、５．８ｃｍ、５．９ｃｍ、６ｃｍ、６．１ｃｍ、６．２ｃｍ、６．３ｃｍ、６．４ｃｍ、６．５ｃｍ、６．６ｃｍ、６．７ｃｍ、６．８ｃｍ、６．９ｃｍ、７ｃｍ、７．１ｃｍ、７．２ｃｍ、７．３ｃｍ、７．４ｃｍ、７．５ｃｍ、７．６ｃｍ、７．７ｃｍ、７．８ｃｍ、７．９ｃｍ、８ｃｍ、８．１ｃｍ、８．２ｃｍ、８．３ｃｍ、８．４ｃｍ、８．５ｃｍ、８．６ｃｍ、８．７ｃｍ、８．８ｃｍ、８．９ｃｍ、９ｃｍ、９．１ｃｍ、９．２ｃｍ、９．３ｃｍ、９．４ｃｍ、９．５ｃｍ、９．６ｃｍ、９．７ｃｍ、９．８ｃｍ、９．９ｃｍ、又は１０ｃｍである。
一実施形態によれば、画素ピッチＤは、１０μｍよりも小さい。
一実施形態によれば、画素のサイズは、少なくとも１μｍ、２μｍ、３μｍ、４μｍ、５μｍ、６μｍ、７μｍ、８μｍ、９μｍ、１０μｍ、１１μｍ、１２μｍ、１３μｍ、１４μｍ、１５μｍ、１６μｍ、１７μｍ、１８μｍ、１９μｍ、２０μｍ、２１μｍ、２２μｍ、２３μｍ、２４μｍ、２５μｍ、２６μｍ、２７μｍ、２８μｍ、２９μｍ、３０μｍ、３１μｍ、３２μｍ、３３μｍ、３４μｍ、３５μｍ、３６μｍ、３７μｍ、３８μｍ、３９μｍ、４０μｍ、４１μｍ、４２μｍ、４３μｍ、４４μｍ、４５μｍ、４６μｍ、４７μｍ、４８μｍ、４９μｍ、５０μｍ、５１μｍ、５２μｍ、５３μｍ、５４μｍ、５５μｍ、５６μｍ、５７μｍ、５８μｍ、５９μｍ、６０μｍ、６１μｍ、６２μｍ、６３μｍ、６４μｍ、６５μｍ、６６μｍ、６７μｍ、６８μｍ、６９μｍ、７０μｍ、７１μｍ、７２μｍ、７３μｍ、７４μｍ、７５μｍ、７６μｍ、７７μｍ、７８μｍ、７９μｍ、８０μｍ、８１μｍ、８２μｍ、８３μｍ、８４μｍ、８５μｍ、８６μｍ、８７μｍ、８８μｍ、８９μｍ、９０μｍ、９１μｍ、９２μｍ、９３μｍ、９４μｍ、９５μｍ、９６μｍ、９７μｍ、９８μｍ、９９μｍ、１００μｍ、２００μｍ、２５０μｍ、３００μｍ、３５０μｍ、４００μｍ、４５０μｍ、５００μｍ、５５０μｍ、６００μｍ、６５０μｍ、７００μｍ、７５０μｍ、８００μｍ、８５０μｍ、９００μｍ、９５０μｍ、１ｍｍ、１．１ｍｍ、１．２ｍｍ、１．３ｍｍ、１．４ｍｍ、１．５ｍｍ、１．６ｍｍ、１．７ｍｍ、１．８ｍｍ、１．９ｍｍ、２ｍｍ、２．１ｍｍ、２．２ｍｍ、２．３ｍｍ、２．４ｍｍ、２．５ｍｍ、２．６ｍｍ、２．７ｍｍ、２．８ｍｍ、２．９ｍｍ、３ｍｍ、３．１ｍｍ、３．２ｍｍ、３．３ｍｍ、３．４ｍｍ、３．５ｍｍ、３．６ｍｍ、３．７ｍｍ、３．８ｍｍ、３．９ｍｍ、４ｍｍ、４．１ｍｍ、４．２ｍｍ、４．３ｍｍ、４．４ｍｍ、４．５ｍｍ、４．６ｍｍ、４．７ｍｍ、４．８ｍｍ、４．９ｍｍ、５ｍｍ、５．１ｍｍ、５．２ｍｍ、５．３ｍｍ、５．４ｍｍ、５．５ｍｍ、５．６ｍｍ、５．７ｍｍ、５．８ｍｍ、５．９ｍｍ、６ｍｍ、６．１ｍｍ、６．２ｍｍ、６．３ｍｍ、６．４ｍｍ、６．５ｍｍ、６．６ｍｍ、６．７ｍｍ、６．８ｍｍ、６．９ｍｍ、７ｍｍ、７．１ｍｍ、７．２ｍｍ、７．３ｍｍ、７．４ｍｍ、７．５ｍｍ、７．６ｍｍ、７．７ｍｍ、７．８ｍｍ、７．９ｍｍ、８ｍｍ、８．１ｍｍ、８．２ｍｍ、８．３ｍｍ、８．４ｍｍ、８．５ｍｍ、８．６ｍｍ、８．７ｍｍ、８．８ｍｍ、８．９ｍｍ、９ｍｍ、９．１ｍｍ、９．２ｍｍ、９．３ｍｍ、９．４ｍｍ、９．５ｍｍ、９．６ｍｍ、９．７ｍｍ、９．８ｍｍ、９．９ｍｍ、１ｃｍ、１．１ｃｍ、１．２ｃｍ、１．３ｃｍ、１．４ｃｍ、１．５ｃｍ、１．６ｃｍ、１．７ｃｍ、１．８ｃｍ、１．９ｃｍ、２ｃｍ、２．１ｃｍ、２．２ｃｍ、２．３ｃｍ、２．４ｃｍ、２．５ｃｍ、２．６ｃｍ、２．７ｃｍ、２．８ｃｍ、２．９ｃｍ、３ｃｍ、３．１ｃｍ、３．２ｃｍ、３．３ｃｍ、３．４ｃｍ、３．５ｃｍ、３．６ｃｍ、３．７ｃｍ、３．８ｃｍ、３．９ｃｍ、４ｃｍ、４．１ｃｍ、４．２ｃｍ、４．３ｃｍ、４．４ｃｍ、４．５ｃｍ、４．６ｃｍ、４．７ｃｍ、４．８ｃｍ、４．９ｃｍ、５ｃｍ、５．１ｃｍ、５．２ｃｍ、５．３ｃｍ、５．４ｃｍ、５．５ｃｍ、５．６ｃｍ、５．７ｃｍ、５．８ｃｍ、５．９ｃｍ、６ｃｍ、６．１ｃｍ、６．２ｃｍ、６．３ｃｍ、６．４ｃｍ、６．５ｃｍ、６．６ｃｍ、６．７ｃｍ、６．８ｃｍ、６．９ｃｍ、７ｃｍ、７．１ｃｍ、７．２ｃｍ、７．３ｃｍ、７．４ｃｍ、７．５ｃｍ、７．６ｃｍ、７．７ｃｍ、７．８ｃｍ、７．９ｃｍ、８ｃｍ、８．１ｃｍ、８．２ｃｍ、８．３ｃｍ、８．４ｃｍ、８．５ｃｍ、８．６ｃｍ、８．７ｃｍ、８．８ｃｍ、８．９ｃｍ、９ｃｍ、９．１ｃｍ、９．２ｃｍ、９．３ｃｍ、９．４ｃｍ、９．５ｃｍ、９．６ｃｍ、９．７ｃｍ、９．８ｃｍ、９．９ｃｍ、又は１０ｃｍである。
一実施形態によれば、光電子装置は、ＬＥＤ、マイクロＬＥＤ、ＬＥＤの少なくとも１つのアレイ又はマイクロＬＥＤの少なくとも１つのアレイを含み、その上に、少なくとも１種の複合粒子１及び／又は少なくとも１種の発光材料７が堆積している。一実施形態によれば、赤色を発光する複合粒子１及び／又は発光材料７、及び緑色を発光する複合粒子１及び／又は発光材料７は、ＬＥＤ、マイクロＬＥＤ、ＬＥＤの少なくとも１つのアレイ、又はマイクロＬＥＤの少なくとも１つのアレイ、好ましくは、青色ＬＥＤ、マイクロＬＥＤ、ＬＥＤの少なくとも１つのアレイ又はマイクロＬＥＤの少なくとも１つのアレイ上に交互に堆積し、そのため、赤色発光画素と緑色発光画素が交互になる。一実施形態によれば、赤色を発光する複合粒子１及び／又は発光材料７、緑色を発光する複合粒子１及び／又は発光材料７は、ＬＥＤ、マイクロＬＥＤ、ＬＥＤの少なくとも１つのアレイ又はマイクロＬＥＤの少なくとも１つのアレイ、好ましくは、青色ＬＥＤ、マイクロＬＥＤ、ＬＥＤの少なくとも１つのアレイ又はマイクロＬＥＤの少なくとも１つのアレイ上に交互に堆積し、そのため、青−赤−緑色発光画素が交互になる。
一実施形態によれば、ＬＥＤ、マイクロＬＥＤ、ＬＥＤの少なくとも１つのアレイ又はマイクロＬＥＤの少なくとも１つのアレイ上に堆積した複合粒子１及び／又は発光材料７は、本明細書に記載の補助層、好ましくは、青色吸収性樹脂に覆われており、その結果、赤色及び緑色の二次光のみが放たれ得る。
一実施形態によれば、光電子装置は、ＬＥＤの少なくとも１つのアレイ、マイクロＬＥＤの少なくとも１つのアレイ、又は画素上に堆積した複合粒子１の少なくとも１つの膜及び／又は少なくとも１つ発光材料７を含む。
一実施形態によれば、堆積後、少なくとも１種の複合粒子１又は少なくとも１種の発光材料７は、本明細書上記の補助層でコーティングされる。この実施形態において、補助層は、分子酸素、オゾン、水及び／又は高温からの、少なくとも１種の複合粒子１若しくは少なくとも１種の発光材料７の化学的及び物理的特性の劣化を制限又は防止する。
一実施形態によれば、堆積後、少なくとも１種の複合粒子１又は少なくとも１種の発光材料７は、本明細書上記の保護層でコーティングされる。この実施形態において、保護層は、分子酸素、オゾン、水及び／又は高温からの、少なくとも１種の複合粒子１若しくは少なくとも１種の発光材料７の化学的及び物理的特性の劣化を制限又は防止する。
一実施形態によれば、少なくとも１種の複合粒子１又は少なくとも１種の発光材料７は、光照明下で少なくとも３００、４００、５００、６００、７００、８００、９００、１０００、２０００、３０００、４０００、５０００、６０００、７０００、８０００、９０００、１００００、１１０００、１２０００、１３０００、１４０００、１５０００、１６０００、１７０００、１８０００、１９０００、２００００、２１０００、２２０００、２３０００、２４０００、２５０００、２６０００、２７０００、２８０００、２９０００、３００００、３１０００、３２０００、３３０００、３４０００、３５０００、３６０００、３７０００、３８０００、３９０００、４００００、４１０００、４２０００、４３０００、４４０００、４５０００、４６０００、４７０００、４８０００、４９０００、又は５００００時間後に、９０％、８０％、７０％、６０％、５０％、４０％、３０％、２５％、２０％、１５％、１０％、５％、又は０％未満の光発光量子収率（ＰＬＱＹ）の減少を示す。
一実施形態によれば、該光照明は、レーザ、ダイオード、蛍光灯若しくはキセノンアークランプなどの青色、緑色、赤色、又はＵＶの光源によって提供される。一実施形態によれば、照明の光子束は、１ｍＷ．ｃｍ−２〜１００ｋＷ．ｃｍ−２、より好ましくは、１０ｍＷ．ｃｍ−２〜１００Ｗ．ｃｍ−２、さらにより好ましくは、１０ｍＷ．ｃｍ−２〜３０Ｗ．ｃｍ−２に含まれる。
一実施形態によれば、照明の光子束又は平均ピークパルス力は、少なくとも１ｍＷ．ｃｍ−２、５０ｍＷ．ｃｍ−２、１００ｍＷ．ｃｍ−２、５００ｍＷ．ｃｍ−２、１Ｗ．ｃｍ−２、５Ｗ．ｃｍ−２、１０Ｗ．ｃｍ−２、２０Ｗ．ｃｍ−２、３０Ｗ．ｃｍ−２、４０Ｗ．ｃｍ−２、５０Ｗ．ｃｍ−２、６０Ｗ．ｃｍ−２、７０Ｗ．ｃｍ−２、８０Ｗ．ｃｍ−２、９０Ｗ．ｃｍ−２、１００Ｗ．ｃｍ−２、１１０Ｗ．ｃｍ−２、１２０Ｗ．ｃｍ−２、１３０Ｗ．ｃｍ−２、１４０Ｗ．ｃｍ−２、１５０Ｗ．ｃｍ−２、１６０Ｗ．ｃｍ−２、１７０Ｗ．ｃｍ−２、１８０Ｗ．ｃｍ−２、１９０Ｗ．ｃｍ−２、２００Ｗ．ｃｍ−２、３００Ｗ．ｃｍ−２、４００Ｗ．ｃｍ−２、５００Ｗ．ｃｍ−２、６００Ｗ．ｃｍ−２、７００Ｗ．ｃｍ−２、８００Ｗ．ｃｍ−２、９００Ｗ．ｃｍ−２、１ｋＷ．ｃｍ−２、５０ｋＷ．ｃｍ−２、又は１００ｋＷ．ｃｍ−２である。
一実施形態において、少なくとも１種の複合粒子１又は少なくとも１種の発光材料７は、少なくとも１ｍＷ．ｃｍ−２、５０ｍＷ．ｃｍ−２、１００ｍＷ．ｃｍ−２、５００ｍＷ．ｃｍ−２、１Ｗ．ｃｍ−２、５Ｗ．ｃｍ−２、１０Ｗ．ｃｍ−２、２０Ｗ．ｃｍ−２、３０Ｗ．ｃｍ−２、４０Ｗ．ｃｍ−２、５０Ｗ．ｃｍ−２、６０Ｗ．ｃｍ−２、７０Ｗ．ｃｍ−２、８０Ｗ．ｃｍ−２、９０Ｗ．ｃｍ−２、１００Ｗ．ｃｍ−２、１１０Ｗ．ｃｍ−２、１２０Ｗ．ｃｍ−２、１３０Ｗ．ｃｍ−２、１４０Ｗ．ｃｍ−２、１５０Ｗ．ｃｍ−２、１６０Ｗ．ｃｍ−２、１７０Ｗ．ｃｍ−２、１８０Ｗ．ｃｍ−２、１９０Ｗ．ｃｍ−２、２００Ｗ．ｃｍ−２、３００Ｗ．ｃｍ−２、４００Ｗ．ｃｍ−２、５００Ｗ．ｃｍ−２、６００Ｗ．ｃｍ−２、７００Ｗ．ｃｍ−２、８００Ｗ．ｃｍ−２、９００Ｗ．ｃｍ−２、１ｋＷ．ｃｍ−２、５０ｋＷ．ｃｍ−２、又は１００ｋＷ．ｃｍ−２の光子束又は平均ピークパルス力での光照明下で、少なくとも３００、４００、５００、６００、７００、８００、９００、１０００、２０００、３０００、４０００、５０００、６０００、７０００、８０００、９０００、１００００、１１０００、１２０００、１３０００、１４０００、１５０００、１６０００、１７０００、１８０００、１９０００、２００００、２１０００、２２０００、２３０００、２４０００、２５０００、２６０００、２７０００、２８０００、２９０００、３００００、３１０００、３２０００、３３０００、３４０００、３５０００、３６０００、３７０００、３８０００、３９０００、４００００、４１０００、４２０００、４３０００、４４０００、４５０００、４６０００、４７０００、４８０００、４９０００、又は５００００時間後に、９０％、８０％、７０％、６０％、５０％、４０％、３０％、２５％、２０％、１５％、１０％、５％、又は０％未満のその光発光量子収率（ＰＱＬＹ）の減少を示す。
一実施形態において、該光電子装置は、光照明下で、少なくとも３００、４００、５００、６００、７００、８００、９００、１０００、２０００、３０００、４０００、５０００、６０００、７０００、８０００、９０００、１００００、１１０００、１２０００、１３０００、１４０００、１５０００、１６０００、１７０００、１８０００、１９０００、２００００、２１０００、２２０００、２３０００、２４０００、２５０００、２６０００、２７０００、２８０００、２９０００、３００００、３１０００、３２０００、３３０００、３４０００、３５０００、３６０００、３７０００、３８０００、３９０００、４００００、４１０００、４２０００、４３０００、４４０００、４５０００、４６０００、４７０００、４８０００、４９０００、又は５００００時間後に、９０％、８０％、７０％、６０％、５０％、４０％、３０％、２５％、２０％、１５％、１０％、５％、又は０％未満の少なくとも１つの発光ピークの強度の減少を示す。
一実施形態によれば、該光電子装置は、少なくとも１ｍＷ．ｃｍ−２、５０ｍＷ．ｃｍ−２、１００ｍＷ．ｃｍ−２、５００ｍＷ．ｃｍ−２、１Ｗ．ｃｍ−２、５Ｗ．ｃｍ−２、１０Ｗ．ｃｍ−２、２０Ｗ．ｃｍ−２、３０Ｗ．ｃｍ−２、４０Ｗ．ｃｍ−２、５０Ｗ．ｃｍ−２、６０Ｗ．ｃｍ−２、７０Ｗ．ｃｍ−２、８０Ｗ．ｃｍ−２、９０Ｗ．ｃｍ−２、１００Ｗ．ｃｍ−２、１１０Ｗ．ｃｍ−２、１２０Ｗ．ｃｍ−２、１３０Ｗ．ｃｍ−２、１４０Ｗ．ｃｍ−２、１５０Ｗ．ｃｍ−２、１６０Ｗ．ｃｍ−２、１７０Ｗ．ｃｍ−２、１８０Ｗ．ｃｍ−２、１９０Ｗ．ｃｍ−２、２００Ｗ．ｃｍ−２、３００Ｗ．ｃｍ−２、４００Ｗ．ｃｍ−２、５００Ｗ．ｃｍ−２、６００Ｗ．ｃｍ−２、７００Ｗ．ｃｍ−２、８００Ｗ．ｃｍ−２、９００Ｗ．ｃｍ−２、１ｋＷ．ｃｍ−２、５０ｋＷ．ｃｍ−２、又は１００ｋＷ．ｃｍ−２の光子束又は平均ピークパルス力での光照明下で、少なくとも３００、４００、５００、６００、７００、８００、９００、１０００、２０００、３０００、４０００、５０００、６０００、７０００、８０００、９０００、１００００、１１０００、１２０００、１３０００、１４０００、１５０００、１６０００、１７０００、１８０００、１９０００、２００００、２１０００、２２０００、２３０００、２４０００、２５０００、２６０００、２７０００、２８０００、２９０００、３００００、３１０００、３２０００、３３０００、３４０００、３５０００、３６０００、３７０００、３８０００、３９０００、４００００、４１０００、４２０００、４３０００、４４０００、４５０００、４６０００、４７０００、４８０００、４９０００、又は５００００時間後に、９０％、８０％、７０％、６０％、５０％、４０％、３０％、２５％、２０％、１５％、１０％、５％、又は０％未満の少なくとも１つの発光ピークの強度の減少を示す。
一実施形態によれば、該光電子装置は、少なくとも０℃、１０℃、２０℃、３０℃、４０℃、５０℃、６０℃、７０℃、８０℃、９０℃、１００℃、１２５℃、１５０℃、１７５℃、２００℃、２２５℃、２５０℃、２７５℃、又は３００℃の温度下で、少なくとも３００、４００、５００、６００、７００、８００、９００、１０００、２０００、３０００、４０００、５０００、６０００、７０００、８０００、９０００、１００００、１１０００、１２０００、１３０００、１４０００、１５０００、１６０００、１７０００、１８０００、１９０００、２００００、２１０００、２２０００、２３０００、２４０００、２５０００、２６０００、２７０００、２８０００、２９０００、３００００、３１０００、３２０００、３３０００、３４０００、３５０００、３６０００、３７０００、３８０００、３９０００、４００００、４１０００、４２０００、４３０００、４４０００、４５０００、４６０００、４７０００、４８０００、４９０００、又は５００００時間後に、９０％、８０％、７０％、６０％、５０％、４０％、３０％、２５％、２０％、１５％、１０％、５％、又は０％未満の少なくとも１つの発光ピークの強度の減少を示す。
一実施形態によれば、該光電子装置は、少なくとも０％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は１００％の湿度の下で、少なくとも３００、４００、５００、６００、７００、８００、９００、１０００、２０００、３０００、４０００、５０００、６０００、７０００、８０００、９０００、１００００、１１０００、１２０００、１３０００、１４０００、１５０００、１６０００、１７０００、１８０００、１９０００、２００００、２１０００、２２０００、２３０００、２４０００、２５０００、２６０００、２７０００、２８０００、２９０００、３００００、３１０００、３２０００、３３０００、３４０００、３５０００、３６０００、３７０００、３８０００、３９０００、４００００、４１０００、４２０００、４３０００、４４０００、４５０００、４６０００、４７０００、４８０００、４９０００、又は５００００時間後に、９０％、８０％、７０％、６０％、５０％、４０％、３０％、２５％、２０％、１５％、１０％、５％、又は０％未満の少なくとも１つの発光ピークの強度の減少を示す。
一実施形態によれば、該光電子装置は、少なくとも０℃、１０℃、２０℃、３０℃、４０℃、５０℃、６０℃、７０℃、８０℃、９０℃、１００℃、１２５℃、１５０℃、１７５℃、２００℃、２２５℃、２５０℃、２７５℃、又は３００℃の温度下で、少なくとも１ｍＷ．ｃｍ−２、５０ｍＷ．ｃｍ−２、１００ｍＷ．ｃｍ−２、５００ｍＷ．ｃｍ−２、１Ｗ．ｃｍ−２、５Ｗ．ｃｍ−２、１０Ｗ．ｃｍ−２、２０Ｗ．ｃｍ−２、３０Ｗ．ｃｍ−２、４０Ｗ．ｃｍ−２、５０Ｗ．ｃｍ−２、６０Ｗ．ｃｍ−２、７０Ｗ．ｃｍ−２、８０Ｗ．ｃｍ−２、９０Ｗ．ｃｍ−２、１００Ｗ．ｃｍ−２、１１０Ｗ．ｃｍ−２、１２０Ｗ．ｃｍ−２、１３０Ｗ．ｃｍ−２、１４０Ｗ．ｃｍ−２、１５０Ｗ．ｃｍ−２、１６０Ｗ．ｃｍ−２、１７０Ｗ．ｃｍ−２、１８０Ｗ．ｃｍ−２、１９０Ｗ．ｃｍ−２、２００Ｗ．ｃｍ−２、３００Ｗ．ｃｍ−２、４００Ｗ．ｃｍ−２、５００Ｗ．ｃｍ−２、６００Ｗ．ｃｍ−２、７００Ｗ．ｃｍ−２、８００Ｗ．ｃｍ−２、９００Ｗ．ｃｍ−２、１ｋＷ．ｃｍ−２、５０ｋＷ．ｃｍ−２、又は１００ｋＷ．ｃｍ−２の光子束又は平均ピークパルス力での光照明下で、９０％、８０％、７０％、６０％、５０％、４０％、３０％、２５％、２０％、１５％、１０％、５％、又は０％未満の少なくとも１つの発光ピークの強度の減少を示す。
一実施形態によれば、該光電子装置は、少なくとも０％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は１００％の湿度の下で、少なくとも１ｍＷ．ｃｍ−２、５０ｍＷ．ｃｍ−２、１００ｍＷ．ｃｍ−２、５００ｍＷ．ｃｍ−２、１Ｗ．ｃｍ−２、５Ｗ．ｃｍ−２、１０Ｗ．ｃｍ−２、２０Ｗ．ｃｍ−２、３０Ｗ．ｃｍ−２、４０Ｗ．ｃｍ−２、５０Ｗ．ｃｍ−２、６０Ｗ．ｃｍ−２、７０Ｗ．ｃｍ−２、８０Ｗ．ｃｍ−２、９０Ｗ．ｃｍ−２、１００Ｗ．ｃｍ−２、１１０Ｗ．ｃｍ−２、１２０Ｗ．ｃｍ−２、１３０Ｗ．ｃｍ−２、１４０Ｗ．ｃｍ−２、１５０Ｗ．ｃｍ−２、１６０Ｗ．ｃｍ−２、１７０Ｗ．ｃｍ−２、１８０Ｗ．ｃｍ−２、１９０Ｗ．ｃｍ−２、２００Ｗ．ｃｍ−２、３００Ｗ．ｃｍ−２、４００Ｗ．ｃｍ−２、５００Ｗ．ｃｍ−２、６００Ｗ．ｃｍ−２、７００Ｗ．ｃｍ−２、８００Ｗ．ｃｍ−２、９００Ｗ．ｃｍ−２、１ｋＷ．ｃｍ−２、５０ｋＷ．ｃｍ−２、又は１００ｋＷ．ｃｍ−２の光子束又は平均ピークパルス力での光照明下で、９０％、８０％、７０％、６０％、５０％、４０％、３０％、２５％、２０％、１５％、１０％、５％、又は０％未満の少なくとも１つの発光ピークの強度の減少を示す。
一実施形態によれば、該光電子装置は、少なくとも０％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は１００％の湿度の下で、少なくとも０℃、１０℃、２０℃、３０℃、４０℃、５０℃、６０℃、７０℃、８０℃、９０℃、１００℃、１２５℃、１５０℃、１７５℃、２００℃、２２５℃、２５０℃、２７５℃、又は３００℃の温度下で、９０％、８０％、７０％、６０％、５０％、４０％、３０％、２５％、２０％、１５％、１０％、５％、又は０％未満の少なくとも１つの発光ピークの強度の減少を示す。
一実施形態によれば、該光電子装置は、少なくとも０℃、１０℃、２０℃、３０℃、４０℃、５０℃、６０℃、７０℃、８０℃、９０℃、１００℃、１２５℃、１５０℃、１７５℃、２００℃、２２５℃、２５０℃、２７５℃、又は３００℃の温度下で、少なくとも１ｍＷ．ｃｍ−２、５０ｍＷ．ｃｍ−２、１００ｍＷ．ｃｍ−２、５００ｍＷ．ｃｍ−２、１Ｗ．ｃｍ−２、５Ｗ．ｃｍ−２、１０Ｗ．ｃｍ−２、２０Ｗ．ｃｍ−２、３０Ｗ．ｃｍ−２、４０Ｗ．ｃｍ−２、５０Ｗ．ｃｍ−２、６０Ｗ．ｃｍ−２、７０Ｗ．ｃｍ−２、８０Ｗ．ｃｍ−２、９０Ｗ．ｃｍ−２、１００Ｗ．ｃｍ−２、１１０Ｗ．ｃｍ−２、１２０Ｗ．ｃｍ−２、１３０Ｗ．ｃｍ−２、１４０Ｗ．ｃｍ−２、１５０Ｗ．ｃｍ−２、１６０Ｗ．ｃｍ−２、１７０Ｗ．ｃｍ−２、１８０Ｗ．ｃｍ−２、１９０Ｗ．ｃｍ−２、２００Ｗ．ｃｍ−２、３００Ｗ．ｃｍ−２、４００Ｗ．ｃｍ−２、５００Ｗ．ｃｍ−２、６００Ｗ．ｃｍ−２、７００Ｗ．ｃｍ−２、８００Ｗ．ｃｍ−２、９００Ｗ．ｃｍ−２、１ｋＷ．ｃｍ−２、５０ｋＷ．ｃｍ−２、又は１００ｋＷ．ｃｍ−２の光子束又は平均ピークパルス力での光照明下で、少なくとも３００、４００、５００、６００、７００、８００、９００、１０００、２０００、３０００、４０００、５０００、６０００、７０００、８０００、９０００、１００００、１１０００、１２０００、１３０００、１４０００、１５０００、１６０００、１７０００、１８０００、１９０００、２００００、２１０００、２２０００、２３０００、２４０００、２５０００、２６０００、２７０００、２８０００、２９０００、３００００、３１０００、３２０００、３３０００、３４０００、３５０００、３６０００、３７０００、３８０００、３９０００、４００００、４１０００、４２０００、４３０００、４４０００、４５０００、４６０００、４７０００、４８０００、４９０００、又は５００００時間後に、９０％、８０％、７０％、６０％、５０％、４０％、３０％、２５％、２０％、１５％、１０％、５％、又は０％未満の少なくとも１つの発光ピークの強度の減少を示す。
一実施形態によれば、該光電子装置は、少なくとも０℃、１０℃、２０℃、３０℃、４０℃、５０℃、６０℃、７０℃、８０℃、９０℃、１００℃、１２５℃、１５０℃、１７５℃、２００℃、２２５℃、２５０℃、２７５℃、又は３００℃の温度下で、少なくとも０％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は１００％の湿度の下で、少なくとも１ｍＷ．ｃｍ−２、５０ｍＷ．ｃｍ−２、１００ｍＷ．ｃｍ−２、５００ｍＷ．ｃｍ−２、１Ｗ．ｃｍ−２、５Ｗ．ｃｍ−２、１０Ｗ．ｃｍ−２、２０Ｗ．ｃｍ−２、３０Ｗ．ｃｍ−２、４０Ｗ．ｃｍ−２、５０Ｗ．ｃｍ−２、６０Ｗ．ｃｍ−２、７０Ｗ．ｃｍ−２、８０Ｗ．ｃｍ−２、９０Ｗ．ｃｍ−２、１００Ｗ．ｃｍ−２、１１０Ｗ．ｃｍ−２、１２０Ｗ．ｃｍ−２、１３０Ｗ．ｃｍ−２、１４０Ｗ．ｃｍ−２、１５０Ｗ．ｃｍ−２、１６０Ｗ．ｃｍ−２、１７０Ｗ．ｃｍ−２、１８０Ｗ．ｃｍ−２、１９０Ｗ．ｃｍ−２、２００Ｗ．ｃｍ−２、３００Ｗ．ｃｍ−２、４００Ｗ．ｃｍ−２、５００Ｗ．ｃｍ−２、６００Ｗ．ｃｍ−２、７００Ｗ．ｃｍ−２、８００Ｗ．ｃｍ−２、９００Ｗ．ｃｍ−２、１ｋＷ．ｃｍ−２、５０ｋＷ．ｃｍ−２、又は１００ｋＷ．ｃｍ−２の光子束又は平均ピークパルス力での光照明下で、９０％、８０％、７０％、６０％、５０％、４０％、３０％、２５％、２０％、１５％、１０％、５％、又は０％未満の少なくとも１つの発光ピークの強度の減少を示す。
一実施形態によれば、該光電子装置は、少なくとも０℃、１０℃、２０℃、３０℃、４０℃、５０℃、６０℃、７０℃、８０℃、９０℃、１００℃、１２５℃、１５０℃、１７５℃、２００℃、２２５℃、２５０℃、２７５℃、又は３００℃の温度下で、少なくとも０％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は１００％の湿度の下で、少なくとも３００、４００、５００、６００、７００、８００、９００、１０００、２０００、３０００、４０００、５０００、６０００、７０００、８０００、９０００、１００００、１１０００、１２０００、１３０００、１４０００、１５０００、１６０００、１７０００、１８０００、１９０００、２００００、２１０００、２２０００、２３０００、２４０００、２５０００、２６０００、２７０００、２８０００、２９０００、３００００、３１０００、３２０００、３３０００、３４０００、３５０００、３６０００、３７０００、３８０００、３９０００、４００００、４１０００、４２０００、４３０００、４４０００、４５０００、４６０００、４７０００、４８０００、４９０００、又は５００００時間後に、９０％、８０％、７０％、６０％、５０％、４０％、３０％、２５％、２０％、１５％、１０％、５％、又は０％未満の少なくとも１つの発光ピークの強度の減少を示す。
一実施形態によれば、該光電子装置は、少なくとも０％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は１００％の湿度の下で、少なくとも１ｍＷ．ｃｍ−２、５０ｍＷ．ｃｍ−２、１００ｍＷ．ｃｍ−２、５００ｍＷ．ｃｍ−２、１Ｗ．ｃｍ−２、５Ｗ．ｃｍ−２、１０Ｗ．ｃｍ−２、２０Ｗ．ｃｍ−２、３０Ｗ．ｃｍ−２、４０Ｗ．ｃｍ−２、５０Ｗ．ｃｍ−２、６０Ｗ．ｃｍ−２、７０Ｗ．ｃｍ−２、８０Ｗ．ｃｍ−２、９０Ｗ．ｃｍ−２、１００Ｗ．ｃｍ−２、１１０Ｗ．ｃｍ−２、１２０Ｗ．ｃｍ−２、１３０Ｗ．ｃｍ−２、１４０Ｗ．ｃｍ−２、１５０Ｗ．ｃｍ−２、１６０Ｗ．ｃｍ−２、１７０Ｗ．ｃｍ−２、１８０Ｗ．ｃｍ−２、１９０Ｗ．ｃｍ−２、２００Ｗ．ｃｍ−２、３００Ｗ．ｃｍ−２、４００Ｗ．ｃｍ−２、５００Ｗ．ｃｍ−２、６００Ｗ．ｃｍ−２、７００Ｗ．ｃｍ−２、８００Ｗ．ｃｍ−２、９００Ｗ．ｃｍ−２、１ｋＷ．ｃｍ−２、５０ｋＷ．ｃｍ−２、又は１００ｋＷ．ｃｍ−２の光子束又は平均ピークパルス力での光照明下で、少なくとも３００、４００、５００、６００、７００、８００、９００、１０００、２０００、３０００、４０００、５０００、６０００、７０００、８０００、９０００、１００００、１１０００、１２０００、１３０００、１４０００、１５０００、１６０００、１７０００、１８０００、１９０００、２００００、２１０００、２２０００、２３０００、２４０００、２５０００、２６０００、２７０００、２８０００、２９０００、３００００、３１０００、３２０００、３３０００、３４０００、３５０００、３６０００、３７０００、３８０００、３９０００、４００００、４１０００、４２０００、４３０００、４４０００、４５０００、４６０００、４７０００、４８０００、４９０００、又は５００００時間後に、９０％、８０％、７０％、６０％、５０％、４０％、３０％、２５％、２０％、１５％、１０％、５％、又は０％未満の少なくとも１つの発光ピークの強度の減少を示す。
一実施形態によれば、該光電子装置は、光照明下で、少なくとも３００、４００、５００、６００、７００、８００、９００、１０００、２０００、３０００、４０００、５０００、６０００、７０００、８０００、９０００、１００００、１１０００、１２０００、１３０００、１４０００、１５０００、１６０００、１７０００、１８０００、１９０００、２００００、２１０００、２２０００、２３０００、２４０００、２５０００、２６０００、２７０００、２８０００、２９０００、３００００、３１０００、３２０００、３３０００、３４０００、３５０００、３６０００、３７０００、３８０００、３９０００、４００００、４１０００、４２０００、４３０００、４４０００、４５０００、４６０００、４７０００、４８０００、４９０００、又は５００００時間後に、５０ｎｍ、４５ｎｍ、４０ｎｍ、３５ｎｍ、３０ｎｍ、２５ｎｍ、２０ｎｍ、１５ｎｍ、１０ｎｍ、５ｎｍ、４ｎｍ、３ｎｍ、２ｎｍ、又は１ｎｍ未満の少なくとも１つの発光ピークのシフトを示す。
一実施形態によれば、該光電子装置は、少なくとも１ｍＷ．ｃｍ−２、５０ｍＷ．ｃｍ−２、１００ｍＷ．ｃｍ−２、５００ｍＷ．ｃｍ−２、１Ｗ．ｃｍ−２、５Ｗ．ｃｍ−２、１０Ｗ．ｃｍ−２、２０Ｗ．ｃｍ−２、３０Ｗ．ｃｍ−２、４０Ｗ．ｃｍ−２、５０Ｗ．ｃｍ−２、６０Ｗ．ｃｍ−２、７０Ｗ．ｃｍ−２、８０Ｗ．ｃｍ−２、９０Ｗ．ｃｍ−２、１００Ｗ．ｃｍ−２、１１０Ｗ．ｃｍ−２、１２０Ｗ．ｃｍ−２、１３０Ｗ．ｃｍ−２、１４０Ｗ．ｃｍ−２、１５０Ｗ．ｃｍ−２、１６０Ｗ．ｃｍ−２、１７０Ｗ．ｃｍ−２、１８０Ｗ．ｃｍ−２、１９０Ｗ．ｃｍ−２、２００Ｗ．ｃｍ−２、３００Ｗ．ｃｍ−２、４００Ｗ．ｃｍ−２、５００Ｗ．ｃｍ−２、６００Ｗ．ｃｍ−２、７００Ｗ．ｃｍ−２、８００Ｗ．ｃｍ−２、９００Ｗ．ｃｍ−２、１ｋＷ．ｃｍ−２、５０ｋＷ．ｃｍ−２、又は１００ｋＷ．ｃｍ−２の光子束又は平均ピークパルス力での光照明下で、少なくとも３００、４００、５００、６００、７００、８００、９００、１０００、２０００、３０００、４０００、５０００、６０００、７０００、８０００、９０００、１００００、１１０００、１２０００、１３０００、１４０００、１５０００、１６０００、１７０００、１８０００、１９０００、２００００、２１０００、２２０００、２３０００、２４０００、２５０００、２６０００、２７０００、２８０００、２９０００、３００００、３１０００、３２０００、３３０００、３４０００、３５０００、３６０００、３７０００、３８０００、３９０００、４００００、４１０００、４２０００、４３０００、４４０００、４５０００、４６０００、４７０００、４８０００、４９０００、又は５００００時間後に、５０ｎｍ、４５ｎｍ、４０ｎｍ、３５ｎｍ、３０ｎｍ、２５ｎｍ、２０ｎｍ、１５ｎｍ、１０ｎｍ、５ｎｍ、４ｎｍ、３ｎｍ、２ｎｍ、又は１ｎｍ未満の少なくとも１つの発光ピークのシフトを示す。
一実施形態によれば、該光電子装置は、少なくとも０℃、１０℃、２０℃、３０℃、４０℃、５０℃、６０℃、７０℃、８０℃、９０℃、１００℃、１２５℃、１５０℃、１７５℃、２００℃、２２５℃、２５０℃、２７５℃、又は３００℃の温度下で、少なくとも３００、４００、５００、６００、７００、８００、９００、１０００、２０００、３０００、４０００、５０００、６０００、７０００、８０００、９０００、１００００、１１０００、１２０００、１３０００、１４０００、１５０００、１６０００、１７０００、１８０００、１９０００、２００００、２１０００、２２０００、２３０００、２４０００、２５０００、２６０００、２７０００、２８０００、２９０００、３００００、３１０００、３２０００、３３０００、３４０００、３５０００、３６０００、３７０００、３８０００、３９０００、４００００、４１０００、４２０００、４３０００、４４０００、４５０００、４６０００、４７０００、４８０００、４９０００、又は５００００時間後に、５０ｎｍ、４５ｎｍ、４０ｎｍ、３５ｎｍ、３０ｎｍ、２５ｎｍ、２０ｎｍ、１５ｎｍ、１０ｎｍ、５ｎｍ、４ｎｍ、３ｎｍ、２ｎｍ、又は１ｎｍ未満の少なくとも１つの発光ピークのシフトを示す。
一実施形態によれば、該光電子装置は、少なくとも０％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は１００％の湿度の下で、少なくとも３００、４００、５００、６００、７００、８００、９００、１０００、２０００、３０００、４０００、５０００、６０００、７０００、８０００、９０００、１００００、１１０００、１２０００、１３０００、１４０００、１５０００、１６０００、１７０００、１８０００、１９０００、２００００、２１０００、２２０００、２３０００、２４０００、２５０００、２６０００、２７０００、２８０００、２９０００、３００００、３１０００、３２０００、３３０００、３４０００、３５０００、３６０００、３７０００、３８０００、３９０００、４００００、４１０００、４２０００、４３０００、４４０００、４５０００、４６０００、４７０００、４８０００、４９０００、又は５００００時間後に、５０ｎｍ、４５ｎｍ、４０ｎｍ、３５ｎｍ、３０ｎｍ、２５ｎｍ、２０ｎｍ、１５ｎｍ、１０ｎｍ、５ｎｍ、４ｎｍ、３ｎｍ、２ｎｍ、又は１ｎｍ未満の少なくとも１つの発光ピークのシフトを示す。
一実施形態によれば、該光電子装置は、少なくとも０℃、１０℃、２０℃、３０℃、４０℃、５０℃、６０℃、７０℃、８０℃、９０℃、１００℃、１２５℃、１５０℃、１７５℃、２００℃、２２５℃、２５０℃、２７５℃、又は３００℃の温度下で、少なくとも１ｍＷ．ｃｍ−２、５０ｍＷ．ｃｍ−２、１００ｍＷ．ｃｍ−２、５００ｍＷ．ｃｍ−２、１Ｗ．ｃｍ−２、５Ｗ．ｃｍ−２、１０Ｗ．ｃｍ−２、２０Ｗ．ｃｍ−２、３０Ｗ．ｃｍ−２、４０Ｗ．ｃｍ−２、５０Ｗ．ｃｍ−２、６０Ｗ．ｃｍ−２、７０Ｗ．ｃｍ−２、８０Ｗ．ｃｍ−２、９０Ｗ．ｃｍ−２、１００Ｗ．ｃｍ−２、１１０Ｗ．ｃｍ−２、１２０Ｗ．ｃｍ−２、１３０Ｗ．ｃｍ−２、１４０Ｗ．ｃｍ−２、１５０Ｗ．ｃｍ−２、１６０Ｗ．ｃｍ−２、１７０Ｗ．ｃｍ−２、１８０Ｗ．ｃｍ−２、１９０Ｗ．ｃｍ−２、２００Ｗ．ｃｍ−２、３００Ｗ．ｃｍ−２、４００Ｗ．ｃｍ−２、５００Ｗ．ｃｍ−２、６００Ｗ．ｃｍ−２、７００Ｗ．ｃｍ−２、８００Ｗ．ｃｍ−２、９００Ｗ．ｃｍ−２、１ｋＷ．ｃｍ−２、５０ｋＷ．ｃｍ−２、又は１００ｋＷ．ｃｍ−２の光子束又は平均ピークパルス力での光照明下で、５０ｎｍ、４５ｎｍ、４０ｎｍ、３５ｎｍ、３０ｎｍ、２５ｎｍ、２０ｎｍ、１５ｎｍ、１０ｎｍ、５ｎｍ、４ｎｍ、３ｎｍ、２ｎｍ、又は１ｎｍ未満の少なくとも１つの発光ピークのシフトを示す。
一実施形態によれば、該光電子装置は、少なくとも０％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は１００％の湿度の下で、少なくとも１ｍＷ．ｃｍ−２、５０ｍＷ．ｃｍ−２、１００ｍＷ．ｃｍ−２、５００ｍＷ．ｃｍ−２、１Ｗ．ｃｍ−２、５Ｗ．ｃｍ−２、１０Ｗ．ｃｍ−２、２０Ｗ．ｃｍ−２、３０Ｗ．ｃｍ−２、４０Ｗ．ｃｍ−２、５０Ｗ．ｃｍ−２、６０Ｗ．ｃｍ−２、７０Ｗ．ｃｍ−２、８０Ｗ．ｃｍ−２、９０Ｗ．ｃｍ−２、１００Ｗ．ｃｍ−２、１１０Ｗ．ｃｍ−２、１２０Ｗ．ｃｍ−２、１３０Ｗ．ｃｍ−２、１４０Ｗ．ｃｍ−２、１５０Ｗ．ｃｍ−２、１６０Ｗ．ｃｍ−２、１７０Ｗ．ｃｍ−２、１８０Ｗ．ｃｍ−２、１９０Ｗ．ｃｍ−２、２００Ｗ．ｃｍ−２、３００Ｗ．ｃｍ−２、４００Ｗ．ｃｍ−２、５００Ｗ．ｃｍ−２、６００Ｗ．ｃｍ−２、７００Ｗ．ｃｍ−２、８００Ｗ．ｃｍ−２、９００Ｗ．ｃｍ−２、１ｋＷ．ｃｍ−２、５０ｋＷ．ｃｍ−２、又は１００ｋＷ．ｃｍ−２の光子束又は平均ピークパルス力での光照明下で、５０ｎｍ、４５ｎｍ、４０ｎｍ、３５ｎｍ、３０ｎｍ、２５ｎｍ、２０ｎｍ、１５ｎｍ、１０ｎｍ、５ｎｍ、４ｎｍ、３ｎｍ、２ｎｍ、又は１ｎｍ未満の少なくとも１つの発光ピークのシフトを示す。
一実施形態によれば、該光電子装置は、少なくとも０％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は１００％の湿度の下で、少なくとも０℃、１０℃、２０℃、３０℃、４０℃、５０℃、６０℃、７０℃、８０℃、９０℃、１００℃、１２５℃、１５０℃、１７５℃、２００℃、２２５℃、２５０℃、２７５℃、又は３００℃の温度下で、５０ｎｍ、４５ｎｍ、４０ｎｍ、３５ｎｍ、３０ｎｍ、２５ｎｍ、２０ｎｍ、１５ｎｍ、１０ｎｍ、５ｎｍ、４ｎｍ、３ｎｍ、２ｎｍ、又は１ｎｍ未満の少なくとも１つの発光ピークのシフトを示す。
一実施形態によれば、該光電子装置は、少なくとも０℃、１０℃、２０℃、３０℃、４０℃、５０℃、６０℃、７０℃、８０℃、９０℃、１００℃、１２５℃、１５０℃、１７５℃、２００℃、２２５℃、２５０℃、２７５℃、又は３００℃の温度下で、少なくとも１ｍＷ．ｃｍ−２、５０ｍＷ．ｃｍ−２、１００ｍＷ．ｃｍ−２、５００ｍＷ．ｃｍ−２、１Ｗ．ｃｍ−２、５Ｗ．ｃｍ−２、１０Ｗ．ｃｍ−２、２０Ｗ．ｃｍ−２、３０Ｗ．ｃｍ−２、４０Ｗ．ｃｍ−２、５０Ｗ．ｃｍ−２、６０Ｗ．ｃｍ−２、７０Ｗ．ｃｍ−２、８０Ｗ．ｃｍ−２、９０Ｗ．ｃｍ−２、１００Ｗ．ｃｍ−２、１１０Ｗ．ｃｍ−２、１２０Ｗ．ｃｍ−２、１３０Ｗ．ｃｍ−２、１４０Ｗ．ｃｍ−２、１５０Ｗ．ｃｍ−２、１６０Ｗ．ｃｍ−２、１７０Ｗ．ｃｍ−２、１８０Ｗ．ｃｍ−２、１９０Ｗ．ｃｍ−２、２００Ｗ．ｃｍ−２、３００Ｗ．ｃｍ−２、４００Ｗ．ｃｍ−２、５００Ｗ．ｃｍ−２、６００Ｗ．ｃｍ−２、７００Ｗ．ｃｍ−２、８００Ｗ．ｃｍ−２、９００Ｗ．ｃｍ−２、１ｋＷ．ｃｍ−２、５０ｋＷ．ｃｍ−２、又は１００ｋＷ．ｃｍ−２の光子束又は平均ピークパルス力での光照明下で、少なくとも３００、４００、５００、６００、７００、８００、９００、１０００、２０００、３０００、４０００、５０００、６０００、７０００、８０００、９０００、１００００、１１０００、１２０００、１３０００、１４０００、１５０００、１６０００、１７０００、１８０００、１９０００、２００００、２１０００、２２０００、２３０００、２４０００、２５０００、２６０００、２７０００、２８０００、２９０００、３００００、３１０００、３２０００、３３０００、３４０００、３５０００、３６０００、３７０００、３８０００、３９０００、４００００、４１０００、４２０００、４３０００、４４０００、４５０００、４６０００、４７０００、４８０００、４９０００、又は５００００時間後に、５０ｎｍ、４５ｎｍ、４０ｎｍ、３５ｎｍ、３０ｎｍ、２５ｎｍ、２０ｎｍ、１５ｎｍ、１０ｎｍ、５ｎｍ、４ｎｍ、３ｎｍ、２ｎｍ、又は１ｎｍ未満の少なくとも１つの発光ピークのシフトを示す。
一実施形態によれば、該光電子装置は、少なくとも０℃、１０℃、２０℃、３０℃、４０℃、５０℃、６０℃、７０℃、８０℃、９０℃、１００℃、１２５℃、１５０℃、１７５℃、２００℃、２２５℃、２５０℃、２７５℃、又は３００℃の温度下で、少なくとも０％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は１００％の湿度の下で、少なくとも１ｍＷ．ｃｍ−２、５０ｍＷ．ｃｍ−２、１００ｍＷ．ｃｍ−２、５００ｍＷ．ｃｍ−２、１Ｗ．ｃｍ−２、５Ｗ．ｃｍ−２、１０Ｗ．ｃｍ−２、２０Ｗ．ｃｍ−２、３０Ｗ．ｃｍ−２、４０Ｗ．ｃｍ−２、５０Ｗ．ｃｍ−２、６０Ｗ．ｃｍ−２、７０Ｗ．ｃｍ−２、８０Ｗ．ｃｍ−２、９０Ｗ．ｃｍ−２、１００Ｗ．ｃｍ−２、１１０Ｗ．ｃｍ−２、１２０Ｗ．ｃｍ−２、１３０Ｗ．ｃｍ−２、１４０Ｗ．ｃｍ−２、１５０Ｗ．ｃｍ−２、１６０Ｗ．ｃｍ−２、１７０Ｗ．ｃｍ−２、１８０Ｗ．ｃｍ−２、１９０Ｗ．ｃｍ−２、２００Ｗ．ｃｍ−２、３００Ｗ．ｃｍ−２、４００Ｗ．ｃｍ−２、５００Ｗ．ｃｍ−２、６００Ｗ．ｃｍ−２、７００Ｗ．ｃｍ−２、８００Ｗ．ｃｍ−２、９００Ｗ．ｃｍ−２、１ｋＷ．ｃｍ−２、５０ｋＷ．ｃｍ−２、又は１００ｋＷ．ｃｍ−２の光子束又は平均ピークパルス力での光照明下で、５０ｎｍ、４５ｎｍ、４０ｎｍ、３５ｎｍ、３０ｎｍ、２５ｎｍ、２０ｎｍ、１５ｎｍ、１０ｎｍ、５ｎｍ、４ｎｍ、３ｎｍ、２ｎｍ、又は１ｎｍ未満の少なくとも１つの発光ピークのシフトを示す。
一実施形態によれば、該光電子装置は、少なくとも０℃、１０℃、２０℃、３０℃、４０℃、５０℃、６０℃、７０℃、８０℃、９０℃、１００℃、１２５℃、１５０℃、１７５℃、２００℃、２２５℃、２５０℃、２７５℃、又は３００℃の温度下で、少なくとも０％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は１００％の湿度の下で、少なくとも３００、４００、５００、６００、７００、８００、９００、１０００、２０００、３０００、４０００、５０００、６０００、７０００、８０００、９０００、１００００、１１０００、１２０００、１３０００、１４０００、１５０００、１６０００、１７０００、１８０００、１９０００、２００００、２１０００、２２０００、２３０００、２４０００、２５０００、２６０００、２７０００、２８０００、２９０００、３００００、３１０００、３２０００、３３０００、３４０００、３５０００、３６０００、３７０００、３８０００、３９０００、４００００、４１０００、４２０００、４３０００、４４０００、４５０００、４６０００、４７０００、４８０００、４９０００、又は５００００時間後に、５０ｎｍ、４５ｎｍ、４０ｎｍ、３５ｎｍ、３０ｎｍ、２５ｎｍ、２０ｎｍ、１５ｎｍ、１０ｎｍ、５ｎｍ、４ｎｍ、３ｎｍ、２ｎｍ、又は１ｎｍ未満の少なくとも１つの発光ピークのシフトを示す。
一実施形態によれば、該光電子装置は、少なくとも０％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は１００％の湿度の下で、少なくとも１ｍＷ．ｃｍ−２、５０ｍＷ．ｃｍ−２、１００ｍＷ．ｃｍ−２、５００ｍＷ．ｃｍ−２、１Ｗ．ｃｍ−２、５Ｗ．ｃｍ−２、１０Ｗ．ｃｍ−２、２０Ｗ．ｃｍ−２、３０Ｗ．ｃｍ−２、４０Ｗ．ｃｍ−２、５０Ｗ．ｃｍ−２、６０Ｗ．ｃｍ−２、７０Ｗ．ｃｍ−２、８０Ｗ．ｃｍ−２、９０Ｗ．ｃｍ−２、１００Ｗ．ｃｍ−２、１１０Ｗ．ｃｍ−２、１２０Ｗ．ｃｍ−２、１３０Ｗ．ｃｍ−２、１４０Ｗ．ｃｍ−２、１５０Ｗ．ｃｍ−２、１６０Ｗ．ｃｍ−２、１７０Ｗ．ｃｍ−２、１８０Ｗ．ｃｍ−２、１９０Ｗ．ｃｍ−２、２００Ｗ．ｃｍ−２、３００Ｗ．ｃｍ−２、４００Ｗ．ｃｍ−２、５００Ｗ．ｃｍ−２、６００Ｗ．ｃｍ−２、７００Ｗ．ｃｍ−２、８００Ｗ．ｃｍ−２、９００Ｗ．ｃｍ−２、１ｋＷ．ｃｍ−２、５０ｋＷ．ｃｍ−２、又は１００ｋＷ．ｃｍ−２の光子束又は平均ピークパルス力での光照明下で、少なくとも３００、４００、５００、６００、７００、８００、９００、１０００、２０００、３０００、４０００、５０００、６０００、７０００、８０００、９０００、１００００、１１０００、１２０００、１３０００、１４０００、１５０００、１６０００、１７０００、１８０００、１９０００、２００００、２１０００、２２０００、２３０００、２４０００、２５０００、２６０００、２７０００、２８０００、２９０００、３００００、３１０００、３２０００、３３０００、３４０００、３５０００、３６０００、３７０００、３８０００、３９０００、４００００、４１０００、４２０００、４３０００、４４０００、４５０００、４６０００、４７０００、４８０００、４９０００、又は５００００時間後に、５０ｎｍ、４５ｎｍ、４０ｎｍ、３５ｎｍ、３０ｎｍ、２５ｎｍ、２０ｎｍ、１５ｎｍ、１０ｎｍ、５ｎｍ、４ｎｍ、３ｎｍ、２ｎｍ、又は１ｎｍ未満の少なくとも１つの発光ピークのシフトを示す。
一実施形態によれば、該光電子装置は、光照明下で、少なくとも３００、４００、５００、６００、７００、８００、９００、１０００、２０００、３０００、４０００、５０００、６０００、７０００、８０００、９０００、１００００、１１０００、１２０００、１３０００、１４０００、１５０００、１６０００、１７０００、１８０００、１９０００、２００００、２１０００、２２０００、２３０００、２４０００、２５０００、２６０００、２７０００、２８０００、２９０００、３００００、３１０００、３２０００、３３０００、３４０００、３５０００、３６０００、３７０００、３８０００、３９０００、４００００、４１０００、４２０００、４３０００、４４０００、４５０００、４６０００、４７０００、４８０００、４９０００、又は５００００時間後に、６０ｎｍ、５５ｎｍ、５０ｎｍ、４５ｎｍ、４０ｎｍ、３５ｎｍ、３０ｎｍ、２５ｎｍ、２０ｎｍ、１５ｎｍ、１０ｎｍ、５ｎｍ、４ｎｍ、３ｎｍ、２ｎｍ、又は１ｎｍ未満の少なくとも１つの発光ピークの半値全幅の増加を示す。
一実施形態によれば、該光電子装置は、少なくとも１ｍＷ．ｃｍ−２、５０ｍＷ．ｃｍ−２、１００ｍＷ．ｃｍ−２、５００ｍＷ．ｃｍ−２、１Ｗ．ｃｍ−２、５Ｗ．ｃｍ−２、１０Ｗ．ｃｍ−２、２０Ｗ．ｃｍ−２、３０Ｗ．ｃｍ−２、４０Ｗ．ｃｍ−２、５０Ｗ．ｃｍ−２、６０Ｗ．ｃｍ−２、７０Ｗ．ｃｍ−２、８０Ｗ．ｃｍ−２、９０Ｗ．ｃｍ−２、１００Ｗ．ｃｍ−２、１１０Ｗ．ｃｍ−２、１２０Ｗ．ｃｍ−２、１３０Ｗ．ｃｍ−２、１４０Ｗ．ｃｍ−２、１５０Ｗ．ｃｍ−２、１６０Ｗ．ｃｍ−２、１７０Ｗ．ｃｍ−２、１８０Ｗ．ｃｍ−２、１９０Ｗ．ｃｍ−２、２００Ｗ．ｃｍ−２、３００Ｗ．ｃｍ−２、４００Ｗ．ｃｍ−２、５００Ｗ．ｃｍ−２、６００Ｗ．ｃｍ−２、７００Ｗ．ｃｍ−２、８００Ｗ．ｃｍ−２、９００Ｗ．ｃｍ−２、１ｋＷ．ｃｍ−２、５０ｋＷ．ｃｍ−２、又は１００ｋＷ．ｃｍ−２の光子束又は平均ピークパルス力での光照明下で、少なくとも３００、４００、５００、６００、７００、８００、９００、１０００、２０００、３０００、４０００、５０００、６０００、７０００、８０００、９０００、１００００、１１０００、１２０００、１３０００、１４０００、１５０００、１６０００、１７０００、１８０００、１９０００、２００００、２１０００、２２０００、２３０００、２４０００、２５０００、２６０００、２７０００、２８０００、２９０００、３００００、３１０００、３２０００、３３０００、３４０００、３５０００、３６０００、３７０００、３８０００、３９０００、４００００、４１０００、４２０００、４３０００、４４０００、４５０００、４６０００、４７０００、４８０００、４９０００、又は５００００時間後に、５０ｎｍ、４５ｎｍ、４０ｎｍ、３５ｎｍ、３０ｎｍ、２５ｎｍ、２０ｎｍ、１５ｎｍ、１０ｎｍ、５ｎｍ、４ｎｍ、３ｎｍ、２ｎｍ、又は１ｎｍ未満の少なくとも１つの発光ピークの半値全幅の増加を示す。
一実施形態によれば、該光電子装置は、少なくとも０℃、１０℃、２０℃、３０℃、４０℃、５０℃、６０℃、７０℃、８０℃、９０℃、１００℃、１２５℃、１５０℃、１７５℃、２００℃、２２５℃、２５０℃、２７５℃、又は３００℃の温度下で、少なくとも３００、４００、５００、６００、７００、８００、９００、１０００、２０００、３０００、４０００、５０００、６０００、７０００、８０００、９０００、１００００、１１０００、１２０００、１３０００、１４０００、１５０００、１６０００、１７０００、１８０００、１９０００、２００００、２１０００、２２０００、２３０００、２４０００、２５０００、２６０００、２７０００、２８０００、２９０００、３００００、３１０００、３２０００、３３０００、３４０００、３５０００、３６０００、３７０００、３８０００、３９０００、４００００、４１０００、４２０００、４３０００、４４０００、４５０００、４６０００、４７０００、４８０００、４９０００、又は５００００時間後に、５０ｎｍ、４５ｎｍ、４０ｎｍ、３５ｎｍ、３０ｎｍ、２５ｎｍ、２０ｎｍ、１５ｎｍ、１０ｎｍ、５ｎｍ、４ｎｍ、３ｎｍ、２ｎｍ、又は１ｎｍ未満の少なくとも１つの発光ピークの半値全幅の増加を示す。
一実施形態によれば、該光電子装置は、少なくとも０％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は１００％の湿度の下で、少なくとも３００、４００、５００、６００、７００、８００、９００、１０００、２０００、３０００、４０００、５０００、６０００、７０００、８０００、９０００、１００００、１１０００、１２０００、１３０００、１４０００、１５０００、１６０００、１７０００、１８０００、１９０００、２００００、２１０００、２２０００、２３０００、２４０００、２５０００、２６０００、２７０００、２８０００、２９０００、３００００、３１０００、３２０００、３３０００、３４０００、３５０００、３６０００、３７０００、３８０００、３９０００、４００００、４１０００、４２０００、４３０００、４４０００、４５０００、４６０００、４７０００、４８０００、４９０００、又は５００００時間後に、５０ｎｍ、４５ｎｍ、４０ｎｍ、３５ｎｍ、３０ｎｍ、２５ｎｍ、２０ｎｍ、１５ｎｍ、１０ｎｍ、５ｎｍ、４ｎｍ、３ｎｍ、２ｎｍ、又は１ｎｍ未満の少なくとも１つの発光ピークの半値全幅の増加を示す。
一実施形態によれば、該光電子装置は、少なくとも０℃、１０℃、２０℃、３０℃、４０℃、５０℃、６０℃、７０℃、８０℃、９０℃、１００℃、１２５℃、１５０℃、１７５℃、２００℃、２２５℃、２５０℃、２７５℃、又は３００℃の温度下で、少なくとも１ｍＷ．ｃｍ−２、５０ｍＷ．ｃｍ−２、１００ｍＷ．ｃｍ−２、５００ｍＷ．ｃｍ−２、１Ｗ．ｃｍ−２、５Ｗ．ｃｍ−２、１０Ｗ．ｃｍ−２、２０Ｗ．ｃｍ−２、３０Ｗ．ｃｍ−２、４０Ｗ．ｃｍ−２、５０Ｗ．ｃｍ−２、６０Ｗ．ｃｍ−２、７０Ｗ．ｃｍ−２、８０Ｗ．ｃｍ−２、９０Ｗ．ｃｍ−２、１００Ｗ．ｃｍ−２、１１０Ｗ．ｃｍ−２、１２０Ｗ．ｃｍ−２、１３０Ｗ．ｃｍ−２、１４０Ｗ．ｃｍ−２、１５０Ｗ．ｃｍ−２、１６０Ｗ．ｃｍ−２、１７０Ｗ．ｃｍ−２、１８０Ｗ．ｃｍ−２、１９０Ｗ．ｃｍ−２、２００Ｗ．ｃｍ−２、３００Ｗ．ｃｍ−２、４００Ｗ．ｃｍ−２、５００Ｗ．ｃｍ−２、６００Ｗ．ｃｍ−２、７００Ｗ．ｃｍ−２、８００Ｗ．ｃｍ−２、９００Ｗ．ｃｍ−２、１ｋＷ．ｃｍ−２、５０ｋＷ．ｃｍ−２、又は１００ｋＷ．ｃｍ−２の光子束又は平均ピークパルス力での光照明下で、５０ｎｍ、４５ｎｍ、４０ｎｍ、３５ｎｍ、３０ｎｍ、２５ｎｍ、２０ｎｍ、１５ｎｍ、１０ｎｍ、５ｎｍ、４ｎｍ、３ｎｍ、２ｎｍ、又は１ｎｍ未満の少なくとも１つの発光ピークの半値全幅の増加を示す。
一実施形態によれば、該光電子装置は、少なくとも０％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は１００％の湿度の下で、少なくとも１ｍＷ．ｃｍ−２、５０ｍＷ．ｃｍ−２、１００ｍＷ．ｃｍ−２、５００ｍＷ．ｃｍ−２、１Ｗ．ｃｍ−２、５Ｗ．ｃｍ−２、１０Ｗ．ｃｍ−２、２０Ｗ．ｃｍ−２、３０Ｗ．ｃｍ−２、４０Ｗ．ｃｍ−２、５０Ｗ．ｃｍ−２、６０Ｗ．ｃｍ−２、７０Ｗ．ｃｍ−２、８０Ｗ．ｃｍ−２、９０Ｗ．ｃｍ−２、１００Ｗ．ｃｍ−２、１１０Ｗ．ｃｍ−２、１２０Ｗ．ｃｍ−２、１３０Ｗ．ｃｍ−２、１４０Ｗ．ｃｍ−２、１５０Ｗ．ｃｍ−２、１６０Ｗ．ｃｍ−２、１７０Ｗ．ｃｍ−２、１８０Ｗ．ｃｍ−２、１９０Ｗ．ｃｍ−２、２００Ｗ．ｃｍ−２、３００Ｗ．ｃｍ−２、４００Ｗ．ｃｍ−２、５００Ｗ．ｃｍ−２、６００Ｗ．ｃｍ−２、７００Ｗ．ｃｍ−２、８００Ｗ．ｃｍ−２、９００Ｗ．ｃｍ−２、１ｋＷ．ｃｍ−２、５０ｋＷ．ｃｍ−２、又は１００ｋＷ．ｃｍ−２の光子束又は平均ピークパルス力での光照明下で、５０ｎｍ、４５ｎｍ、４０ｎｍ、３５ｎｍ、３０ｎｍ、２５ｎｍ、２０ｎｍ、１５ｎｍ、１０ｎｍ、５ｎｍ、４ｎｍ、３ｎｍ、２ｎｍ、又は１ｎｍ未満の少なくとも１つの発光ピークの半値全幅の増加を示す。
一実施形態によれば、該光電子装置は、少なくとも０％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は１００％の湿度の下で、少なくとも０℃、１０℃、２０℃、３０℃、４０℃、５０℃、６０℃、７０℃、８０℃、９０℃、１００℃、１２５℃、１５０℃、１７５℃、２００℃、２２５℃、２５０℃、２７５℃、又は３００℃の温度下で、９０％、８０％、７０％、６０％、５０％、４０％、３０％、２５％、２０％、１５％、１０％、５％、又は０％未満の少なくとも１つの発光ピークの半値全幅の増加を示す。
一実施形態によれば、該光電子装置は、少なくとも０℃、１０℃、２０℃、３０℃、４０℃、５０℃、６０℃、７０℃、８０℃、９０℃、１００℃、１２５℃、１５０℃、１７５℃、２００℃、２２５℃、２５０℃、２７５℃、又は３００℃の温度下で、少なくとも１ｍＷ．ｃｍ−２、５０ｍＷ．ｃｍ−２、１００ｍＷ．ｃｍ−２、５００ｍＷ．ｃｍ−２、１Ｗ．ｃｍ−２、５Ｗ．ｃｍ−２、１０Ｗ．ｃｍ−２、２０Ｗ．ｃｍ−２、３０Ｗ．ｃｍ−２、４０Ｗ．ｃｍ−２、５０Ｗ．ｃｍ−２、６０Ｗ．ｃｍ−２、７０Ｗ．ｃｍ−２、８０Ｗ．ｃｍ−２、９０Ｗ．ｃｍ−２、１００Ｗ．ｃｍ−２、１１０Ｗ．ｃｍ−２、１２０Ｗ．ｃｍ−２、１３０Ｗ．ｃｍ−２、１４０Ｗ．ｃｍ−２、１５０Ｗ．ｃｍ−２、１６０Ｗ．ｃｍ−２、１７０Ｗ．ｃｍ−２、１８０Ｗ．ｃｍ−２、１９０Ｗ．ｃｍ−２、２００Ｗ．ｃｍ−２、３００Ｗ．ｃｍ−２、４００Ｗ．ｃｍ−２、５００Ｗ．ｃｍ−２、６００Ｗ．ｃｍ−２、７００Ｗ．ｃｍ−２、８００Ｗ．ｃｍ−２、９００Ｗ．ｃｍ−２、１ｋＷ．ｃｍ−２、５０ｋＷ．ｃｍ−２、又は１００ｋＷ．ｃｍ−２の光子束又は平均ピークパルス力での光照明下で、少なくとも３００、４００、５００、６００、７００、８００、９００、１０００、２０００、３０００、４０００、５０００、６０００、７０００、８０００、９０００、１００００、１１０００、１２０００、１３０００、１４０００、１５０００、１６０００、１７０００、１８０００、１９０００、２００００、２１０００、２２０００、２３０００、２４０００、２５０００、２６０００、２７０００、２８０００、２９０００、３００００、３１０００、３２０００、３３０００、３４０００、３５０００、３６０００、３７０００、３８０００、３９０００、４００００、４１０００、４２０００、４３０００、４４０００、４５０００、４６０００、４７０００、４８０００、４９０００、又は５００００時間後に、５０ｎｍ、４５ｎｍ、４０ｎｍ、３５ｎｍ、３０ｎｍ、２５ｎｍ、２０ｎｍ、１５ｎｍ、１０ｎｍ、５ｎｍ、４ｎｍ、３ｎｍ、２ｎｍ、又は１ｎｍ未満の少なくとも１つの発光ピークの半値全幅の増加を示す。
一実施形態によれば、該光電子装置は、少なくとも０℃、１０℃、２０℃、３０℃、４０℃、５０℃、６０℃、７０℃、８０℃、９０℃、１００℃、１２５℃、１５０℃、１７５℃、２００℃、２２５℃、２５０℃、２７５℃、又は３００℃の温度下で、少なくとも０％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は１００％の湿度の下で、少なくとも１ｍＷ．ｃｍ−２、５０ｍＷ．ｃｍ−２、１００ｍＷ．ｃｍ−２、５００ｍＷ．ｃｍ−２、１Ｗ．ｃｍ−２、５Ｗ．ｃｍ−２、１０Ｗ．ｃｍ−２、２０Ｗ．ｃｍ−２、３０Ｗ．ｃｍ−２、４０Ｗ．ｃｍ−２、５０Ｗ．ｃｍ−２、６０Ｗ．ｃｍ−２、７０Ｗ．ｃｍ−２、８０Ｗ．ｃｍ−２、９０Ｗ．ｃｍ−２、１００Ｗ．ｃｍ−２、１１０Ｗ．ｃｍ−２、１２０Ｗ．ｃｍ−２、１３０Ｗ．ｃｍ−２、１４０Ｗ．ｃｍ−２、１５０Ｗ．ｃｍ−２、１６０Ｗ．ｃｍ−２、１７０Ｗ．ｃｍ−２、１８０Ｗ．ｃｍ−２、１９０Ｗ．ｃｍ−２、２００Ｗ．ｃｍ−２、３００Ｗ．ｃｍ−２、４００Ｗ．ｃｍ−２、５００Ｗ．ｃｍ−２、６００Ｗ．ｃｍ−２、７００Ｗ．ｃｍ−２、８００Ｗ．ｃｍ−２、９００Ｗ．ｃｍ−２、１ｋＷ．ｃｍ−２、５０ｋＷ．ｃｍ−２、又は１００ｋＷ．ｃｍ−２の光子束又は平均ピークパルス力での光照明下で、５０ｎｍ、４５ｎｍ、４０ｎｍ、３５ｎｍ、３０ｎｍ、２５ｎｍ、２０ｎｍ、１５ｎｍ、１０ｎｍ、５ｎｍ、４ｎｍ、３ｎｍ、２ｎｍ、又は１ｎｍ未満の少なくとも１つの発光ピークの半値全幅の増加を示す。
一実施形態によれば、該光電子装置は、少なくとも０℃、１０℃、２０℃、３０℃、４０℃、５０℃、６０℃、７０℃、８０℃、９０℃、１００℃、１２５℃、１５０℃、１７５℃、２００℃、２２５℃、２５０℃、２７５℃、又は３００℃の温度下で、少なくとも０％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は１００％の湿度の下で、少なくとも３００、４００、５００、６００、７００、８００、９００、１０００、２０００、３０００、４０００、５０００、６０００、７０００、８０００、９０００、１００００、１１０００、１２０００、１３０００、１４０００、１５０００、１６０００、１７０００、１８０００、１９０００、２００００、２１０００、２２０００、２３０００、２４０００、２５０００、２６０００、２７０００、２８０００、２９０００、３００００、３１０００、３２０００、３３０００、３４０００、３５０００、３６０００、３７０００、３８０００、３９０００、４００００、４１０００、４２０００、４３０００、４４０００、４５０００、４６０００、４７０００、４８０００、４９０００、又は５００００時間後に、５０ｎｍ、４５ｎｍ、４０ｎｍ、３５ｎｍ、３０ｎｍ、２５ｎｍ、２０ｎｍ、１５ｎｍ、１０ｎｍ、５ｎｍ、４ｎｍ、３ｎｍ、２ｎｍ、又は１ｎｍ未満の少なくとも１つの発光ピークの半値全幅の増加を示す。
一実施形態によれば、該光電子装置は、少なくとも０％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は１００％の湿度の下で、少なくとも１ｍＷ．ｃｍ−２、５０ｍＷ．ｃｍ−２、１００ｍＷ．ｃｍ−２、５００ｍＷ．ｃｍ−２、１Ｗ．ｃｍ−２、５Ｗ．ｃｍ−２、１０Ｗ．ｃｍ−２、２０Ｗ．ｃｍ−２、３０Ｗ．ｃｍ−２、４０Ｗ．ｃｍ−２、５０Ｗ．ｃｍ−２、６０Ｗ．ｃｍ−２、７０Ｗ．ｃｍ−２、８０Ｗ．ｃｍ−２、９０Ｗ．ｃｍ−２、１００Ｗ．ｃｍ−２、１１０Ｗ．ｃｍ−２、１２０Ｗ．ｃｍ−２、１３０Ｗ．ｃｍ−２、１４０Ｗ．ｃｍ−２、１５０Ｗ．ｃｍ−２、１６０Ｗ．ｃｍ−２、１７０Ｗ．ｃｍ−２、１８０Ｗ．ｃｍ−２、１９０Ｗ．ｃｍ−２、２００Ｗ．ｃｍ−２、３００Ｗ．ｃｍ−２、４００Ｗ．ｃｍ−２、５００Ｗ．ｃｍ−２、６００Ｗ．ｃｍ−２、７００Ｗ．ｃｍ−２、８００Ｗ．ｃｍ−２、９００Ｗ．ｃｍ−２、１ｋＷ．ｃｍ−２、５０ｋＷ．ｃｍ−２、又は１００ｋＷ．ｃｍ−２の光子束又は平均ピークパルス力での光照明下で、少なくとも３００、４００、５００、６００、７００、８００、９００、１０００、２０００、３０００、４０００、５０００、６０００、７０００、８０００、９０００、１００００、１１０００、１２０００、１３０００、１４０００、１５０００、１６０００、１７０００、１８０００、１９０００、２００００、２１０００、２２０００、２３０００、２４０００、２５０００、２６０００、２７０００、２８０００、２９０００、３００００、３１０００、３２０００、３３０００、３４０００、３５０００、３６０００、３７０００、３８０００、３９０００、４００００、４１０００、４２０００、４３０００、４４０００、４５０００、４６０００、４７０００、４８０００、４９０００、又は５００００時間後に、５０ｎｍ、４５ｎｍ、４０ｎｍ、３５ｎｍ、３０ｎｍ、２５ｎｍ、２０ｎｍ、１５ｎｍ、１０ｎｍ、５ｎｍ、４ｎｍ、３ｎｍ、２ｎｍ、又は１ｎｍ未満の少なくとも１つの発光ピークの半値全幅の増加を示す。
本発明の別の目的は、本発明の複合粒子１を取得する方法に関する。
一実施形態において、本方法は以下の工程：
（ａ）必要に応じて、
−ケイ素、ホウ素、リン、ゲルマニウム、ヒ素、アルミニウム、鉄、チタン、ジルコニウム、ニッケル、亜鉛、カルシウム、ナトリウム、バリウム、カリウム、マグネシウム、鉛、銀、バナジウム、テルル、マンガン、イリジウム、スカンジウム、ニオブ、錫、セリウム、ベリリウム、タンタル、硫黄、セレン、窒素、フッ素、塩素によって構成される群から選択される少なくとも１つの元素の少なくとも１種の前駆体；
−必要に応じて、カドミウム、硫黄、セレン、インジウム、テルル、水銀、錫、銅、窒素、ガリウム、アンチモン、タリウム、モリブデン、パラジウム、セリウム、タングステン、コバルト、マンガン、ケイ素、ホウ素、リン、ゲルマニウム、ヒ素、アルミニウム、鉄、チタン、ジルコニウム、ニッケル、亜鉛、カルシウム、ナトリウム、バリウム、カリウム、マグネシウム、鉛、バナジウム、銀、ベリリウム、イリジウム、スカンジウム、ニオブ、又はタンタルによって構成される群から選択される少なくとも１つのヘテロ元素の少なくとも１種の前駆体、
を含む溶液を酸性ｐＨで加水分解に供する工程：
（ｂ）酸性水溶液中の複数のナノ粒子３を含むコロイド懸濁液を移す工程；
（ｃ）工程（ａ）からの溶液と工程（ｂ）からの溶液を混合する工程；
（ｄ）液滴を形成するための手段によって、前記混合溶液の液滴を形成する工程；
（ｅ）気体流中に前記液滴を分散させる工程；
（ｆ）複合粒子１を取得するのに十分な温度で前記分散液滴を加熱する工程；
（ｇ）前記複合粒子１を冷却する工程；並びに
（ｈ）前記複合粒子１を分離及び回収する工程、
を含む。
一実施形態において、水、少なくとも１種の酸、少なくとも１種の塩基、少なくとも１種の有機溶媒、少なくとも１種の水性溶媒、又は少なくとも１種の界面活性剤が、工程（ｃ）で添加される。
一実施形態において、本方法は、以下の工程：
（ａ）必要に応じて、
−ケイ素、ホウ素、リン、ゲルマニウム、ヒ素、アルミニウム、鉄、チタン、ジルコニウム、ニッケル、亜鉛、カルシウム、ナトリウム、バリウム、カリウム、マグネシウム、鉛、銀、バナジウム、テルル、マンガン、イリジウム、スカンジウム、ニオブ、錫、セリウム、ベリリウム、タンタル、硫黄、セレン、窒素、フッ素、又は塩素によって構成される群から選択される少なくとも１つの元素の少なくとも１種の前駆体；
−必要に応じて、カドミウム、硫黄、セレン、インジウム、テルル、水銀、錫、銅、窒素、ガリウム、アンチモン、タリウム、モリブデン、パラジウム、セリウム、タングステン、コバルト、マンガン、ケイ素、ホウ素、リン、ゲルマニウム、ヒ素、アルミニウム、鉄、チタン、ジルコニウム、ニッケル、亜鉛、カルシウム、ナトリウム、バリウム、カリウム、マグネシウム、鉛、バナジウム、銀、ベリリウム、イリジウム、スカンジウム、ニオブ、又はタンタルによって構成される群から選択される少なくとも１つのヘテロ元素の少なくとも１種の前駆体、
を含む溶液を塩基性ｐＨで加水分解に供する工程：
（ｂ）塩基性水溶液中の複数のナノ粒子３を含むコロイド懸濁液を移す工程；
（ｃ）工程（ａ）からの溶液と工程（ｂ）からの溶液を混合する工程；
（ｄ）液滴を形成するための手段によって、前記混合溶液の液滴を形成する工程；
（ｅ）気体流中に前記液滴を分散させる工程；
（ｆ）複合粒子１を取得するのに十分な温度で前記分散液滴を加熱する工程；
（ｇ）前記複合粒子１を冷却する工程；並びに
（ｈ）前記複合粒子１を分離及び回収する工程、
を含む。
一実施形態において、水、少なくとも１種の酸、少なくとも１種の塩基、少なくとも１種の有機溶媒、少なくとも１種の水性溶媒、又は少なくとも１種の界面活性剤が、工程（ｃ）で添加される。
一実施形態において、本方法は、以下の工程：
（ａ）ケイ素、ホウ素、リン、ゲルマニウム、ヒ素、アルミニウム、鉄、チタン、ジルコニウム、ニッケル、亜鉛、カルシウム、ナトリウム、バリウム、カリウム、マグネシウム、鉛、銀、バナジウム、テルル、マンガン、イリジウム、スカンジウム、ニオブ、錫、セリウム、ベリリウム、タンタル、硫黄、セレン、窒素、フッ素、又は塩素によって構成される群から選択される少なくとも１つの元素の少なくとも１種の前駆体を含む溶液と、複数のナノ粒子３を含む少なくとも１つのコロイド懸濁液を混合することによって、溶液Ａを調製する工程；
（ｂ）酸性水溶液Ｂを調製する工程；
（ｃ）液滴を形成するための第１の手段によって、溶液Ａの液滴を形成する工程；
（ｄ）液滴を形成するための第２の手段によって、溶液Ｂの液滴を形成する工程；
（ｅ）前記液滴を混合する工程；
（ｆ）気体流中に混合液滴を分散させる工程；
（ｇ）複合粒子１を取得するのに十分な温度で前記分散液滴を加熱する工程；
（ｈ）前記複合粒子１を冷却する工程；並びに
（ｉ）前記複合粒子１を分離及び回収する工程、
を含む。
一実施形態において、水、少なくとも１種の酸、少なくとも１種の塩基、少なくとも１種の有機溶媒、少なくとも１種の水性溶媒、又は少なくとも１種の界面活性剤が、工程（ａ）及び／又は工程（ｂ）で添加される。
一実施形態において、本方法は、以下の工程：
（ａ）ケイ素、ホウ素、リン、ゲルマニウム、ヒ素、アルミニウム、鉄、チタン、ジルコニウム、ニッケル、亜鉛、カルシウム、ナトリウム、バリウム、カリウム、マグネシウム、鉛、銀、バナジウム、テルル、マンガン、イリジウム、スカンジウム、ニオブ、錫、セリウム、ベリリウム、タンタル、硫黄、セレン、窒素、フッ素、又は塩素によって構成される群から選択される少なくとも１つの元素の少なくとも１種の前駆体を含む溶液と、複数のナノ粒子３を含む少なくとも１つのコロイド懸濁液を混合することによって、溶液Ａを調製する工程；
（ｂ）カドミウム、硫黄、セレン、インジウム、テルル、水銀、錫、銅、窒素、ガリウム、アンチモン、タリウム、モリブデン、パラジウム、セリウム、タングステン、コバルト、マンガン、ケイ素、ホウ素、リン、ゲルマニウム、ヒ素、アルミニウム、鉄、チタン、ジルコニウム、ニッケル、亜鉛、カルシウム、ナトリウム、バリウム、カリウム、マグネシウム、鉛、バナジウム、銀、ベリリウム、イリジウム、スカンジウム、ニオブ、又はタンタルによって構成される群から選択される少なくとも１つのヘテロ元素の少なくとも１種の前駆体と酸性水溶液を混合することによって溶液Ｂを調製する工程；
（ｃ）液滴を形成するための第１の手段によって、溶液Ａの液滴を形成する工程；
（ｄ）液滴を形成するための第２の手段によって、溶液Ｂの液滴を形成する工程；
（ｅ）前記液滴を混合する工程；
（ｆ）気体流中に混合液滴を分散させる工程；
（ｇ）複合粒子１を取得するのに十分な温度で前記分散液滴を加熱する工程；
（ｈ）前記複合粒子１を冷却する工程；並びに
（ｉ）前記複合粒子１を分離及び回収する工程、
を含む。
一実施形態において、水、少なくとも１種の酸、少なくとも１種の塩基、少なくとも１種の有機溶媒、少なくとも１種の水性溶媒、又は少なくとも１種の界面活性剤が、工程（ａ）及び／又は工程（ｂ）で添加される。
一実施形態において、本方法は、以下の工程：
（ａ）ケイ素、ホウ素、リン、ゲルマニウム、ヒ素、アルミニウム、鉄、チタン、ジルコニウム、ニッケル、亜鉛、カルシウム、ナトリウム、バリウム、カリウム、マグネシウム、鉛、銀、バナジウム、テルル、マンガン、イリジウム、スカンジウム、ニオブ、錫、セリウム、ベリリウム、タンタル、硫黄、セレン、窒素、フッ素、又は塩素によって構成される群から選択される少なくとも１つの元素の少なくとも１種の前駆体を含む溶液と、複数のナノ粒子３を含む少なくとも１つのコロイド懸濁液を混合することによって、溶液Ａを調製する工程；
（ｂ）塩基性水溶液Ｂを調製する工程；
（ｃ）液滴を形成するための第１の手段によって、溶液Ａの液滴を形成する工程；
（ｄ）液滴を形成するための第２の手段によって、溶液Ｂの液滴を形成する工程；
（ｅ）前記液滴を混合する工程；
（ｆ）気体流中に混合液滴を分散させる工程；
（ｇ）複合粒子１を取得するのに十分な温度で前記分散液滴を加熱する工程；
（ｈ）前記複合粒子１を冷却する工程；並びに
（ｉ）前記複合粒子１を分離及び回収する工程、
を含む。
一実施形態において、水、少なくとも１種の酸、少なくとも１種の塩基、少なくとも１種の有機溶媒、少なくとも１種の水性溶媒、又は少なくとも１種の界面活性剤が、工程（ａ）及び／又は工程（ｂ）で添加される。
一実施形態において、本方法は、以下の工程：
（ａ）ケイ素、ホウ素、リン、ゲルマニウム、ヒ素、アルミニウム、鉄、チタン、ジルコニウム、ニッケル、亜鉛、カルシウム、ナトリウム、バリウム、カリウム、マグネシウム、鉛、銀、バナジウム、テルル、マンガン、イリジウム、スカンジウム、ニオブ、錫、セリウム、ベリリウム、タンタル、硫黄、セレン、窒素、フッ素、又は塩素によって構成される群から選択される少なくとも１つの元素の少なくとも１種の前駆体を含む溶液と、複数のナノ粒子３を含む少なくとも１つのコロイド懸濁液を混合することによって、溶液Ａを調製する工程；
（ｂ）カドミウム、硫黄、セレン、インジウム、テルル、水銀、錫、銅、窒素、ガリウム、アンチモン、タリウム、モリブデン、パラジウム、セリウム、タングステン、コバルト、マンガン、ケイ素、ホウ素、リン、ゲルマニウム、ヒ素、アルミニウム、鉄、チタン、ジルコニウム、ニッケル、亜鉛、カルシウム、ナトリウム、バリウム、カリウム、マグネシウム、鉛、バナジウム、銀、ベリリウム、イリジウム、スカンジウム、ニオブ、又はタンタルによって構成される群から選択される少なくとも１つのヘテロ元素の少なくとも１種の前駆体と塩基性水溶液を混合することによって溶液Ｂを調製する工程；
（ｃ）液滴を形成するための第１の手段によって、溶液Ａの液滴を形成する工程；
（ｄ）液滴を形成するための第２の手段によって、溶液Ｂの液滴を形成する工程；
（ｅ）前記液滴を混合する工程；
（ｆ）気体流中に混合液滴を分散させる工程；
（ｇ）複合粒子１を取得するのに十分な温度で前記分散液滴を加熱する工程；
（ｈ）前記複合粒子１を冷却する工程；並びに
（ｉ）前記複合粒子１を分離及び回収する工程、
を含む。
一実施形態において、水、少なくとも１種の酸、少なくとも１種の塩基、少なくとも１種の有機溶媒、少なくとも１種の水性溶媒、又は少なくとも１種の界面活性剤が、工程（ａ）及び／又は工程（ｂ）で添加される。
一実施形態において、本方法は、以下の工程：
（ａ）有機溶媒中にケイ素、ホウ素、リン、ゲルマニウム、ヒ素、アルミニウム、鉄、チタン、ジルコニウム、ニッケル、亜鉛、カルシウム、ナトリウム、バリウム、カリウム、マグネシウム、鉛、銀、バナジウム、テルル、マンガン、イリジウム、スカンジウム、ニオブ、錫、セリウム、ベリリウム、タンタル、硫黄、セレン、窒素、フッ素、又は塩素によって構成される群から選択される少なくとも１つの元素の少なくとも１種の前駆体を含む溶液Ａを調製する工程；
（ｂ）酸性水溶液中に前もって移した複数のナノ粒子３を含むコロイド懸濁液と、酸性水溶液を混合することによって酸性水溶液Ｂを調製する工程；
（ｃ）液滴を形成するための第１の手段によって、溶液Ａの液滴を形成する工程；
（ｄ）液滴を形成するための第２の手段によって、溶液Ｂの液滴を形成する工程；
（ｅ）前記液滴を混合する工程；
（ｆ）気体流中に混合液滴を分散させる工程；
（ｇ）複合粒子１を取得するのに十分な温度で前記分散液滴を加熱する工程；
（ｈ）前記複合粒子１を冷却する工程；並びに
（ｉ）前記複合粒子１を分離及び回収する工程、
を含む。
一実施形態において、水、少なくとも１種の酸、少なくとも１種の塩基、少なくとも１種の有機溶媒、少なくとも１種の水性溶媒、又は少なくとも１種の界面活性剤が、工程（ａ）及び／又は工程（ｂ）で添加される。
一実施形態において、本方法は、以下の工程：
（ａ）有機溶媒中にケイ素、ホウ素、リン、ゲルマニウム、ヒ素、アルミニウム、鉄、チタン、ジルコニウム、ニッケル、亜鉛、カルシウム、ナトリウム、バリウム、カリウム、マグネシウム、鉛、銀、バナジウム、テルル、マンガン、イリジウム、スカンジウム、ニオブ、錫、セリウム、ベリリウム、タンタル、硫黄、セレン、窒素、フッ素、又は塩素によって構成される群から選択される少なくとも１つの元素の少なくとも１種の前駆体を含む溶液Ａを調製する工程；
（ｂ）酸性水溶液中に前もって移した複数のナノ粒子３を含むコロイド懸濁液と、酸性水溶液とを、かつカドミウム、硫黄、セレン、インジウム、テルル、水銀、錫、銅、窒素、ガリウム、アンチモン、タリウム、モリブデン、パラジウム、セリウム、タングステン、コバルト、マンガン、ケイ素、ホウ素、リン、ゲルマニウム、ヒ素、アルミニウム、鉄、チタン、ジルコニウム、ニッケル、亜鉛、カルシウム、ナトリウム、バリウム、カリウム、マグネシウム、鉛、バナジウム、銀、ベリリウム、イリジウム、スカンジウム、ニオブ、又はタンタルによって構成される群から選択される少なくとも１つのヘテロ元素の少なくとも１種の前駆体とを混合することによって酸性水溶液Ｂを調製する工程；
（ｃ）液滴を形成するための第１の手段によって、溶液Ａの液滴を形成する工程；
（ｄ）液滴を形成するための第２の手段によって、溶液Ｂの液滴を形成する工程；
（ｅ）前記液滴を混合する工程；
（ｆ）気体流中に混合液滴を分散させる工程；
（ｇ）複合粒子１を取得するのに十分な温度で前記分散液滴を加熱する工程；
（ｈ）前記複合粒子１を冷却する工程；並びに
（ｉ）前記複合粒子１を分離及び回収する工程、
を含む。
一実施形態において、水、少なくとも１種の酸、少なくとも１種の塩基、少なくとも１種の有機溶媒、少なくとも１種の水性溶媒、又は少なくとも１種の界面活性剤が、工程（ａ）及び／又は工程（ｂ）で添加される。
一実施形態において、本方法は、以下の工程：
（ａ）有機溶媒中にケイ素、ホウ素、リン、ゲルマニウム、ヒ素、アルミニウム、鉄、チタン、ジルコニウム、ニッケル、亜鉛、カルシウム、ナトリウム、バリウム、カリウム、マグネシウム、鉛、銀、バナジウム、テルル、マンガン、イリジウム、スカンジウム、ニオブ、錫、セリウム、ベリリウム、タンタル、硫黄、セレン、窒素、フッ素、又は塩素によって構成される群から選択される少なくとも１つの元素の少なくとも１種の前駆体を含む溶液Ａを調製する工程；
（ｂ）塩基性水溶液中に前もって移した複数のナノ粒子３を含むコロイド懸濁液と、塩基性水溶液を混合することによって塩基性水溶液Ｂを調製する工程；
（ｃ）液滴を形成するための第１の手段によって、溶液Ａの液滴を形成する工程；
（ｄ）液滴を形成するための第２の手段によって、溶液Ｂの液滴を形成する工程；
（ｅ）前記液滴を混合する工程；
（ｆ）気体流中に混合液滴を分散させる工程；
（ｇ）複合粒子１を取得するのに十分な温度で前記分散液滴を加熱する工程；
（ｈ）前記複合粒子１を冷却する工程；並びに
（ｉ）前記複合粒子１を分離及び回収する工程、
を含む。
一実施形態において、水、少なくとも１種の酸、少なくとも１種の塩基、少なくとも１種の有機溶媒、少なくとも１種の水性溶媒、又は少なくとも１種の界面活性剤が、工程（ａ）及び／又は工程（ｂ）で添加される。
一実施形態において、本方法は、以下の工程：
（ａ）有機溶媒中にケイ素、ホウ素、リン、ゲルマニウム、ヒ素、アルミニウム、鉄、チタン、ジルコニウム、ニッケル、亜鉛、カルシウム、ナトリウム、バリウム、カリウム、マグネシウム、鉛、銀、バナジウム、テルル、マンガン、イリジウム、スカンジウム、ニオブ、錫、セリウム、ベリリウム、タンタル、硫黄、セレン、窒素、フッ素、又は塩素によって構成される群から選択される少なくとも１つの元素の少なくとも１種の前駆体を含む溶液Ａを調製する工程；
（ｂ）塩基性水溶液中に前もって移した複数のナノ粒子３を含むコロイド懸濁液と、塩基性水溶液とを、かつカドミウム、硫黄、セレン、インジウム、テルル、水銀、錫、銅、窒素、ガリウム、アンチモン、タリウム、モリブデン、パラジウム、セリウム、タングステン、コバルト、マンガン、ケイ素、ホウ素、リン、ゲルマニウム、ヒ素、アルミニウム、鉄、チタン、ジルコニウム、ニッケル、亜鉛、カルシウム、ナトリウム、バリウム、カリウム、マグネシウム、鉛、バナジウム、銀、ベリリウム、イリジウム、スカンジウム、ニオブ、又はタンタルによって構成される群から選択される少なくとも１つのヘテロ元素の少なくとも１種の前駆体とを混合することによって塩基性水溶液Ｂを調製する工程；
（ｃ）液滴を形成するための第１の手段によって、溶液Ａの液滴を形成する工程；
（ｄ）液滴を形成するための第２の手段によって、溶液Ｂの液滴を形成する工程；
（ｅ）前記液滴を混合する工程；
（ｆ）気体流中に混合液滴を分散させる工程；
（ｇ）複合粒子１を取得するのに十分な温度で前記分散液滴を加熱する工程；
（ｈ）前記複合粒子１を冷却する工程；並びに
（ｉ）前記複合粒子１を分離及び回収する工程、
を含む。
一実施形態において、水、少なくとも１種の酸、少なくとも１種の塩基、少なくとも１種の有機溶媒、少なくとも１種の水性溶媒、又は少なくとも１種の界面活性剤が、工程（ａ）及び／又は工程（ｂ）で添加される。
一実施形態において、本方法は、以下の工程：
（ａ）ケイ素、ホウ素、リン、ゲルマニウム、ヒ素、アルミニウム、鉄、チタン、ジルコニウム、ニッケル、亜鉛、カルシウム、ナトリウム、バリウム、カリウム、マグネシウム、鉛、銀、バナジウム、テルル、マンガン、イリジウム、スカンジウム、ニオブ、錫、セリウム、ベリリウム、タンタル、硫黄、セレン、窒素、フッ素、又は塩素によって構成される群から選択される少なくとも１つの元素の少なくとも１種の前駆体を含む溶液と、複数のナノ粒子３を含む少なくとも１種のコロイド懸濁液を混合することによって溶液Ａを調製する工程；
（ｂ）塩基性水溶液中に前もって移した複数のナノ粒子３を含むコロイド懸濁液と、塩基性水溶液を混合することによって塩基性水溶液Ｂを調製する工程；
（ｃ）液滴を形成するための第１の手段によって、溶液Ａの液滴を形成する工程；
（ｄ）液滴を形成するための第２の手段によって、溶液Ｂの液滴を形成する工程；
（ｅ）前記液滴を混合する工程；
（ｆ）気体流中に混合液滴を分散させる工程；
（ｇ）複合粒子１を取得するのに十分な温度で前記分散液滴を加熱する工程；
（ｈ）前記複合粒子１を冷却する工程；並びに
（ｉ）前記複合粒子１を分離及び回収する工程、
を含む。
一実施形態において、水、少なくとも１種の酸、少なくとも１種の塩基、少なくとも１種の有機溶媒、少なくとも１種の水性溶媒、又は少なくとも１種の界面活性剤が、工程（ａ）及び／又は工程（ｂ）で添加される。
一実施形態において、本方法は、以下の工程：
（ａ）有機溶媒中にケイ素、ホウ素、リン、ゲルマニウム、ヒ素、アルミニウム、鉄、チタン、ジルコニウム、ニッケル、亜鉛、カルシウム、ナトリウム、バリウム、カリウム、マグネシウム、鉛、銀、バナジウム、テルル、マンガン、イリジウム、スカンジウム、ニオブ、錫、セリウム、ベリリウム、タンタル、硫黄、セレン、窒素、フッ素、又は塩素によって構成される群から選択される少なくとも１つの元素の少なくとも１種の前駆体を含む溶液Ａを調製する工程；
（ｂ）塩基性水溶液中に前もって移した複数のナノ粒子３を含むコロイド懸濁液と、塩基性水溶液とを、かつカドミウム、硫黄、セレン、インジウム、テルル、水銀、錫、銅、窒素、ガリウム、アンチモン、タリウム、モリブデン、パラジウム、セリウム、タングステン、コバルト、マンガン、ケイ素、ホウ素、リン、ゲルマニウム、ヒ素、アルミニウム、鉄、チタン、ジルコニウム、ニッケル、亜鉛、カルシウム、ナトリウム、バリウム、カリウム、マグネシウム、鉛、バナジウム、銀、ベリリウム、イリジウム、スカンジウム、ニオブ、又はタンタルによって構成される群から選択される少なくとも１つのヘテロ元素の少なくとも１種の前駆体とを混合することによって塩基性水溶液Ｂを調製する工程；
（ｃ）液滴を形成するための第１の手段によって、溶液Ａの液滴を形成する工程；
（ｄ）液滴を形成するための第２の手段によって、溶液Ｂの液滴を形成する工程；
（ｅ）前記液滴を混合する工程；
（ｆ）気体流中に混合液滴を分散させる工程；
（ｇ）複合粒子１を取得するのに十分な温度で前記分散液滴を加熱する工程；
（ｈ）前記複合粒子１を冷却する工程；並びに
（ｉ）前記複合粒子１を分離及び回収する工程、
を含む。
複合粒子１、ナノ粒子３は、本明細書に記載したとおりである。
「少なくとも１つの元素の少なくとも１種の前駆体」は、無機材料２の前駆体を指す。
一実施形態によれば、本発明の方法は、例えば、逆ミセル（又はエマルション）法、ミセル（又はエマルション）法、ストーバー法などの方法を伴う工程を含み得る。
一実施形態によれば、本発明の方法は、例えば、逆ミセル（又はエマルション）法、ミセル（又はエマルション）法、ストーバー法などの方法を伴う工程を含まない。
一実施形態によれば、本発明の方法は、ＡＬＤ工程（原子層堆積）を含まない。
一実施形態において、水、少なくとも１種の酸、少なくとも１種の塩基、少なくとも１種の有機溶媒、少なくとも１種の水性溶媒、又は少なくとも１種の界面活性剤が、工程（ａ）及び／又は工程（ｂ）で添加される。
一実施形態によれば、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＭｇＯ、ＺｎＯ、ＺｒＯ２、ＩｒＯ２、ＳｎＯ２、ＴｉＯ２、ＢａＯ、ＢａＳＯ４、ＢｅＯ、ＣａＯ、ＣｅＯ２、ＣｕＯ、Ｃｕ２Ｏ、ＤｙＯ３、Ｆｅ２Ｏ３、ＦＥ３Ｏ４、ＧｅＯ２、ＨｆＯ２、Ｌｕ２Ｏ３、Ｎｂ２Ｏ５、Ｓｃ２Ｏ３、ＴａＯ５、ＴｅＯ２、Ｙ２Ｏ３、又はそれらの混合物の群から選択される追加のナノ粒子を含む少なくとも１つの溶液が、溶液Ａ及び／又は溶液Ｂに添加される。一実施形態において、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＭｇＯ、ＺｎＯ、ＺｒＯ２、ＴｉＯ２、ＩｒＯ２、ＳｎＯ２、ＢａＯ、ＢａＳＯ４、ＢｅＯ、ＣａＯ、ＣｅＯ２、ＣｕＯ、Ｃｕ２Ｏ、ＤｙＯ３、Ｆｅ２Ｏ３、ＦＥ３Ｏ４、ＧｅＯ２、ＨｆＯ２、Ｌｕ２Ｏ３、Ｎｂ２Ｏ５、Ｓｃ２Ｏ３、ＴａＯ５、ＴｅＯ２、又はＹ２Ｏ３の追加のナノ粒子は、良好な熱伝導体である場合に、熱を排出することができる。
一実施形態によれば、溶液Ａ及び溶液Ｂは混和性である。
一実施形態によれば、溶液Ａ及び溶液Ｂは混和性ではない。
一実施形態によれば、溶液Ａ及び溶液Ｂは非混和性である。
一実施形態において、溶液Ｂの液滴は、溶液Ｂの蒸気によって置換される。この実施形態において、液滴を形成するための前記手段は、液滴を形成しないが、容器に含まれる溶液の蒸気を使用する。
一実施形態において、溶液Ａの液滴は、溶液Ａの蒸気によって置換される。この実施形態において、液滴を形成するための前記手段は、液滴を形成しないが、容器に含まれる溶液の蒸気を使用する。
一実施形態によれば、溶液の蒸気は、外部加熱方式で前記溶液を加熱することによって得られる。
一実施形態によれば、反応性蒸気を生成することが可能な溶液の例には、水、例えば、ＨＣｌ又はＨＮＯ３などの揮発性酸、例えば、アンモニア、水酸化アンモニウム、又は水酸化テトラメチルアンモニウムなどの塩基、又は例えば、ケイ素のアルコキシドなどの金属アルコキシド、又は、例えば、テトラメチルオルトシリケート又はテトラエチルオルトシリケートなどのアルミニウムが含まれるが、これらに限定されない。
一実施形態によれば、溶液Ａの液滴は、例えば、空気、窒素、アルゴン、二水素、二酸素、ヘリウム、二酸化炭素、一酸化炭素、ＮＯ、ＮＯ２、Ｎ２Ｏ、Ｆ２、Ｃｌ２、Ｈ２Ｓｅ、ＣＨ４、ＰＨ３、ＮＨ３、ＳＯ２、Ｈ２Ｓ、又はそれらの混合物などの気体で置換されている。
一実施形態によれば、溶液Ｂの液滴は、例えば、空気、窒素、アルゴン、二水素、二酸素、ヘリウム、二酸化炭素、一酸化炭素、ＮＯ、ＮＯ２、Ｎ２Ｏ、Ｆ２、Ｃｌ２、Ｈ２Ｓｅ、ＣＨ４、ＰＨ３、ＮＨ３、ＳＯ２、Ｈ２Ｓ、又はそれらの混合物などの気体で置換されている。
一実施形態によれば、反応性蒸気を生成することができる少なくとも１つの溶液が添加される。
一実施形態によれば、反応性蒸気は、溶液Ａ又は溶液Ｂ中に含まれる少なくとも一種の前駆体と反応する。
一実施形態によれば、気体を放出することができる少なくとも１つの溶液が添加される。
一実施形態によれば、放出気体の例には、空気、窒素、アルゴン、二水素、二酸素、ヘリウム、二酸化炭素、一酸化炭素、ＮＯ、ＮＯ２、Ｎ２Ｏ、Ｆ２、Ｃｌ２、Ｈ２Ｓｅ、ＣＨ４、ＰＨ３、ＮＨ３、ＳＯ２、Ｈ２Ｓ、又はそれらの混合物が含まれるが、これらに限定されない。
一実施形態によれば、放出気体は、溶液Ａ又は溶液Ｂ中に含まれる少なくとも１種の前駆体と反応する。
一実施形態によれば、液滴を形成するための手段、及び反応性蒸気を生成することができる溶液又は気体を放出することができる溶液を含む容器は、直列で動作する。
一実施形態によれば、液滴を形成するための手段及び反応性蒸気を生成することができる溶液又は気体を放出することができる溶液含む容器は、並列で動作する。
一実施形態によれば、該水溶液は、少なくとも１つの水性溶媒を含む。
一実施形態によれば、有機溶媒には、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、１，２−ヘキサンジオール、１，５−ペンタンジオール、オクタン、デカン、ドデカン、トルエン、テトラヒドロフラン、クロロホルム、アセトン、酢酸、ｎ−メチルホルムアミド、ｎ，ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、オクタデセン、スクアレン、例えば、トリ−ｎ−オクチルアミン、１，３−ジアミノプロパン、オレイルアミン、ヘキサデシルアミン、オクタデシルアミンなどのアミン類、スクアレン、例えば、エタノール、メタノール、イソプロパノール、１−ブタノール、１−ヘキサノール、１−デカノール、プロパン−２−オール、エタンジオール、１，２−プロパンジオール、アルコキシアルコール、アルキルアルコールなどのアルコール類、アルキルベンゼン、アルキルベンゾエート、アルキルナフタレン、オクタン酸アミル、アニソール、アリールアルコール、ベンジルアルコール、ブチルベンゼン、ブチロフェノン、シスデカリン、ジプロピレングリコールメチルエーテル、ドデシルベンゼン、メシチレン、メトキシプロパノール、安息香酸メチル、メチルナフタレン、メチルピロリジノン、フェノキシエタノール、１，３−プロパンジオール、ピロリジノン、トランスデカリン、バレロフェノン、又はそれらの混合物が含まれるが、これらに限定されない。
一実施形態によれば、上記の群から選択される少なくとも１つの元素の少なくとも１種の前駆体は、前記元素を含み、溶液中で前記元素を解放することができる。
用語「少なくとも１つの元素の少なくとも１種の前駆体」は、ケイ素、ホウ素、リン、ゲルマニウム、ヒ素、アルミニウム、鉄、チタン、ジルコニウム、ニッケル、亜鉛、カルシウム、ナトリウム、バリウム、カリウム、マグネシウム、鉛、銀、バナジウム、テルル、マンガン、イリジウム、スカンジウム、ニオブ、錫、セリウム、ベリリウム、タンタル、硫黄、セレン、窒素、フッ素、又は塩素によって構成される群から選択される少なくとも１つの元素の少なくとも１種の前駆体を指す。
一実施形態によれば、上記の群から選択される少なくとも１つの元素の少なくとも１種の前駆体は、式ＸＭａ（ＯＲ）ｂのアルコキシド前駆体であり、式中：
−Ｍは、前記元素であり；
−Ｒは、１〜２５個の範囲の炭素原子を含む直鎖アルキル鎖であり、Ｒには、メチル、エチル、イソプロピル、ｎ−ブチル、又はオクチルが含まれるが、これらに限定されず；
−Ｘは、任意選択であり、１〜２５個の範囲の炭素原子を含むアルコール基、チオール基、アミノ基、又はカルボキシル基を含むことができる直鎖アルキル鎖であり；かつ
−ａ及びｂは、独立して、０〜５の１０進数である。
一実施形態によれば、式ＸＭａ（ＯＲ）ｂのアルコキシド前駆体には、テトラメチルオルトシリケート、テトラエチルオルトシリケート、ポリジエチオキシシラン（ｐｏｌｙｄｉｅｔｈｙｏｘｙｓｉｌａｎｅ）、例えば、ｎ−ブチルトリメトキシシラン、ｎ−オクチルトリメトキシシラン、ｎ−ドデシルトリメトキシシラン、ｎ−オクタデシルトリメトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、１１−メルカプトウンデシルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、１１−アミノウンデシルトリメトキシシラン、３−（２−（２−アミノエチルアミノ）エチルアミノ）プロピルトリメトキシシランなどのｎ−アルキルトリメトキシシラン、３−（トリメトキシシリル）プロピルメタクリレート、３−（アミノプロピル）トリメトキシシラン、アルミニウムトリ−ｓｅｃブトキシド、アルミニウムイソプロポキシド、アルミニウムエトキシド、アルミニウムｔｅｒｔ−ブトキシド、チタニウムブトキシド、イソプロポキシド、アルミニウムエトキシド、アルミニウムｔｅｒｔ−ブトキシド、又はそれらの混合物が含まれるが、これらに限定されない。
一実施形態によれば、上記の群から選択される少なくとも１つの元素の少なくとも１種の前駆体は、無機ハライド前駆体である。
一実施形態によれば、該ハライド前駆体には、例えば、フルオロケイ酸アンモニウム、フルオロケイ酸ナトリウム、又はそれらの混合物などのケイ酸ハロゲン化物が含まれるが、これらに限定されない。
一実施形態によれば、上記の群から選択される少なくとも１つの元素の少なくとも１種の前駆体は、純粋な固体前駆体である。
一実施形態によれば、純粋な固体前駆体には、純粋な固体のケイ素、ホウ素、リン、ゲルマニウム、ヒ素、アルミニウム、鉄、チタン、ジルコニウム、ニッケル、亜鉛、カルシウム、ナトリウム、バリウム、カリウム、マグネシウム、鉛、銀、バナジウム、テルル、マンガン、イリジウム、スカンジウム、ニオブ、錫、セリウム、ベリリウム、タンタル、硫黄、セレン、又はそれらの混合物が含まれるが、これらに限定されない。
一実施形態によれば、上記の群から選択される少なくとも１つの元素の少なくとも１種の前駆体は、無機酸化物の前駆体である。
一実施形態によれば、上記の群から選択される少なくとも１つの元素の少なくとも１種の前駆体は、無機水酸化物前駆体である。
一実施形態によれば、上記の群から選択される少なくとも１つの元素の少なくとも１種の前駆体は、無機水酸化物前駆体である。
一実施形態によれば、上記の群から選択される少なくとも１つの元素の少なくとも１種の前駆体は、無機塩である。
一実施形態によれば、上記の群から選択される少なくとも１つの元素の少なくとも１種の前駆体は、無機錯体である。
一実施形態によれば、上記の群から選択される少なくとも１つの元素の少なくとも１種の前駆体は、無機クラスターである。
一実施形態によれば、上記の群から選択される少なくとも１つの元素の少なくとも１種の前駆体は、有機金属化合物Ｍａ（ＹｃＲｂ）ｄであり、式中：
−Ｍは、前記元素であり；
−Ｙは、ハロゲナイド、又はアミドであり；
−Ｒは、１〜２５個の範囲の炭素原子を含むアルキル鎖又はアルケニル鎖又はアルキニル鎖であり、Ｒには、メチル、エチル、イソプロピル、ｎ−ブチル、又はオクチルが含まれるが、これらに限定されず；
−ａ、ｂ、ｃ及びｄは、独立して、０〜５の１０進数である。
一実施形態によれば、有機金属化合物Ｍａ（ＹｃＲｂ）ｄの例には、グリニャール試薬；メタロセン；金属アミジナート；金属アルキルハライド；例えば、ジメチル亜鉛、ジエチル亜鉛、ジメチルカドミウム、ジエチルカドミウム、ジメチルインジウム又はジエチルインジウムなどの金属アルキル類；Ａｌ［Ｎ（ＳｉＭｅ３）２］３、Ｃｄ［Ｎ（ＳｉＭｅ３）２］２、Ｈｆ［ＮＭｅ２］４、Ｉｎ［Ｎ（ＳｉＭｅ３）２］３、Ｓｎ（ＮＭｅ２）２、Ｓｎ［Ｎ（ＳｉＭｅ３）２］２、Ｚｎ［Ｎ（ＳｉＭｅ３）２］２又はＺｎ［（ＮｉＢｕ２）２］２などの金属及び半金属アミド類；ジネオペンチルカドミウム、亜鉛ジエチルチオカルバメート、ビス（３−ジエチルアミノプロピル）カドミウム、（２，２’−ビピリジン）ジメチルカドミウム、エチルキサントゲン酸カドミウム、トリメチルアルミニウム、トリイソブチルアルミニウム、トリオクチルアルミニウム、トリフェニルアルミニウム、ジメチルアルミニウム、トリメチル亜鉛、ジメチル亜鉛、ジエチル亜鉛、Ｚｎ［（Ｎ（ＴＭＳ）２）２、Ｚｎ［（ＣＦ３ＳＯ２）２Ｎ］２、Ｚｎ（Ｐｈ）２、Ｚｎ（Ｃ６Ｆ５）２、Ｚｎ（ＴＭＨＤ）２（ｕ−ジケトネート）、Ｈｆ［Ｃ５Ｈ４（ＣＨ３）］２（ＣＨ３）２、ＨｆＣＨ３（ＯＣＨ３）［Ｃ５Ｈ４（ＣＨ３）］２、［［（ＣＨ３）３Ｓｉ］２Ｎ］２ＨｆＣｌ２、（Ｃ５Ｈ５）２Ｈｆ（ＣＨ３）２、［（ＣＨ２ＣＨ３）２Ｎ］４Ｈｆ、［（ＣＨ３）２Ｎ］４Ｈｆ、［（ＣＨ３）２Ｎ］４Ｈｆ、［（ＣＨ３）（Ｃ２Ｈ５）Ｎ］４Ｈｆ、［（ＣＨ３）（Ｃ２Ｈ５）Ｎ］４Ｈｆ、２，２’，６，６’−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオンジルコニウム（Ｚｒ（ＴＨＤ）４）、Ｃ１０Ｈ１２Ｚｒ、Ｚｒ（ＣＨ３Ｃ５Ｈ４）２ＣＨ３ＯＣＨ３、Ｃ２２Ｈ３６Ｚｒ、［（Ｃ２Ｈ５）２Ｎ］４Ｚｒ、［（ＣＨ３）２Ｎ］４Ｚｒ、［（ＣＨ３）２Ｎ］４Ｚｒ、Ｚｒ（ＮＣＨ３Ｃ２Ｈ５）４、Ｚｒ（ＮＣＨ３Ｃ２Ｈ５）４、Ｃ１８Ｈ３２Ｏ６Ｚｒ、Ｚｒ（Ｃ８Ｈ１５Ｏ２）４、Ｚｒ（ＯＣＣ（ＣＨ３）３ＣＨＣＯＣ（ＣＨ３）３）４、Ｍｇ（Ｃ５Ｈ５）２、Ｃ２０Ｈ３０Ｍｇ；又はそれらの混合物が含まれるが、これらに限定されない。
一実施形態によれば、上記の群から選択される少なくとも１種のヘテロ元素の少なくとも１種の前駆体には、カルボン酸塩、炭酸塩、チオラート、アルコキシド、酸化物、リン酸塩、硫酸塩、硝酸塩、酢酸塩、塩化物、臭化物、アセチルアセトネート又はそれらの混合物が含まれるが、これらに限定されない。
一実施形態によれば、カドミウムの少なくとも１種の前駆体には、カドミウムカルボキシレートＣｄ（Ｒ−ＣＯＯ）２、式中、Ｒは、１〜２５個の範囲の炭素原子を含む直鎖アルキル鎖；カドミウム酸化物ＣｄＯ；硫酸カドミウムＣｄ（ＳＯ４）；硝酸カドミウムＣｄ（ＮＯ３）２・４Ｈ２Ｏ；酢酸カドミウム（ＣＨ３ＣＯＯ）２Ｃｄ・２Ｈ２Ｏ；塩化カドミウムＣｄＣｌ２・２．５Ｈ２Ｏ；ジメチルカドミウム；ジネオペンチルカドミウム；ビス（３−ジエチルアミノプロピル）カドミウム；（２，２’−ビピリジン）ジメチルカドミウム；エチルキサントゲン酸カドミウム；システイン又はそれらの混合物が含まれるが、これらに限定されない。
一実施形態によれば、セレンの少なくとも１種の前駆体には、固体セレン；例えば、トリ−ｎ−ブチルホスフィンセレニド又はトリ−ｎ−オクチルホスフィンセレニドなどのトリ−ｎ−アルキルホスフィンセレニド；酸化セレンＳｅＯ２；セレン化水素Ｈ２Ｓｅ；ジエチルセレニド；メチルアリルセレニド；例えば、マグネシウムセレニド、カルシウムセレニド、ナトリウムセレニド、カリウムセレニドなどの塩；又はそれらの混合物が含まれるが、これらに限定されない。
一実施形態によれば、亜鉛の少なくとも１種の前駆体には、亜鉛カルボキシレートＺｎ（Ｒ−ＣＯＯ）２、式中、Ｒは、１〜２５個の範囲の炭素原子を含む直鎖アルキル鎖である；酸化亜鉛ＺｎＯ；硫酸亜鉛Ｚｎ（ＳＯ４）・ｘＨ２Ｏ、式中、ｘは１〜７である；硝酸亜鉛Ｚｎ（ＮＯ３）２・ｘＨ２Ｏ、式中、ｘは１〜４である；酢酸亜鉛（ＣＨ３ＣＯＯ）２Ｚｎ・２Ｈ２Ｏ；塩化亜鉛ＺｎＣｌ２；ジエチル亜鉛（Ｅｔ２Ｚｎ）；クロロ（エトキシカルボニルメチル）亜鉛；又はそれらの混合物が含まれるが、これらに限定されない。
一実施形態によれば、硫黄の少なくとも１種の前駆体には、固体硫黄；硫黄酸化物；例えば、トリ−ｎ−ブチルホスフィンスルフィド又はトリ−ｎ−オクチルホスフィンスルフィドなどのトリ−ｎ−アルキルホスフィンスルフィド；硫化水素Ｈ２Ｓ；例えば、ｎ−ブタンチオール、ｎ−オクタンチオール又はｎ−ドデカンチオールなどのチオール類；ジエチルスルフィド；メチルアリルスルフィド；例えば、硫化マグネシウム、硫化カルシウム、硫化ナトリウム、硫化カリウムなどの塩；又はそれらの混合物が含まれるが、これらに限定されない。
一実施形態によれば、リンの少なくとも１種の前駆体には、固体リン；ホスフィン；例えば、トリ−ｎ−ブチルホスフィンスルフィド又はトリ−ｎ−オクチルホスフィンスルフィドなどのトリ−ｎ−アルキルホスフィンスルフィド；例えば、トリ−ｎ−ブチルホスフィンセレニド又はトリ−ｎ−オクチルホスフィンセレニドなどのトリ−ｎ−アルキルホスフィンセレニド；又はそれらの混合物が含まれるが、これらに限定されない。
一実施形態によれば、酸素分子及び／又は水分子は、工程（ａ）の前に水性溶媒から除去される。
一実施形態によれば、酸素分子及び／又は水分子は、工程（ａ）の前に有機溶媒から除去される。
一実施形態によれば、当業者に公知の酸素分子及び／又は水分子を除去する方法は、例えば、前記溶媒の蒸留又は脱気体などの、溶媒から酸素分子及び／又は水分子を除去するために使用され得る。
一実施形態によれば、中性水溶液は、７のｐＨを有する。
一実施形態によれば、中性ｐＨは７である。
一実施形態によれば、塩基性水溶液は、７よりも高いｐＨを有する。
一実施形態によれば、塩基性ｐＨは７より高い。
一実施形態によれば、塩基性水溶液は、少なくとも７．１、７．２、７．３、７．４、７．５、７．６、７．７、７．８、７．９、８、８．１、８．２、８．３、８．４、８．５、８．６、８．７、８．８、８．９、９、９．１、９．２、９．３、９．４、９．５、９．６、９．７、９．８、９．９、１０、１０．１、１０．２、１０．３、１０．４、１０．５、１０．６、１０．７、１０．８、１０．９、１１、１１．１、１１．２、１１．３、１１．４、１１．５、１１．６、１１．７、１１．８、１１．９、１２、１２．１、１２．２、１２．３、１２．４、１２．５、１２．６、１２．７、１２．８、１２．９、１３、１３．１、１３．２、１３．３、１３．４、１３．５、１３．６、１３．７、１３．８、１３．９、又は１４のｐＨを有する。
一実施形態によれば、塩基性ｐＨは、少なくとも７．１、７．２、７．３、７．４、７．５、７．６、７．７、７．８、７．９、８、８．１、８．２、８．３、８．４、８．５、８．６、８．７、８．８、８．９、９、９．１、９．２、９．３、９．４、９．５、９．６、９．７、９．８、９．９、１０、１０．１、１０．２、１０．３、１０．４、１０．５、１０．６、１０．７、１０．８、１０．９、１１、１１．１、１１．２、１１．３、１１．４、１１．５、１１．６、１１．７、１１．８、１１．９、１２、１２．１、１２．２、１２．３、１２．４、１２．５、１２．６、１２．７、１２．８、１２．９、１３、１３．１、１３．２、１３．３、１３．４、１３．５、１３．６、１３．７、１３．８、１３．９、又は１４である。
一実施形態によれば、塩基には、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化アンモニウム、四ホウ酸ナトリウム１０水塩、ナトリウムエトキシド、水酸化リチウム、水酸化ルビジウム、水酸化セシウム、水酸化マグネシウム、水酸化カルシウム、水酸化ストロンチウム、水酸化バリウム、イミダゾール、メチルアミン、カリウムｔｅｒｔ−ブトキシド、アンモニウムピリジン、例えば、水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化テトラエチルアンモニウム、水酸化テトラプロピルアンモニウム及び水酸化テトラブチルアンモニウムなどの水酸化テトラアルキルアンモニウム、又はそれらの混合物が含まれるが、これらに限定されない。
一実施形態によれば、酸性水溶液は、７より低いｐＨを有する。
一実施形態によれば、酸性ｐＨは７未満である。
一実施形態によれば、酸性水溶液は、少なくとも１、１．１、１．２、１．３、１．４、１．５、１．６、１．７、１．８、１．９、２、２．１、２．２、２．３、２．４、２．５、２．６、２．７、２．８、２．９、３、３．１、３．２、３．３、３．４、３．５、３．６、３．７、３．８、３．９、４、４．１、４．２、４．３、４．４、４．５、４．６、４．７、４．８、４．９、５、５．１、５．２、５．３、５．４、５．５、５．６、５．７、５．８、５．９、６、６．１、６．２、６．３、６．４、６．５、６．６、６．７、６．８、又は６．９のｐＨを有する。
一実施形態によれば、酸性ｐＨは、少なくとも１、１．１、１．２、１．３、１．４、１．５、１．６、１．７、１．８、１．９、２、２．１、２．２、２．３、２．４、２．５、２．６、２．７、２．８、２．９、３、３．１、３．２、３．３、３．４、３．５、３．６、３．７、３．８、３．９、４、４．１、４．２、４．３、４．４、４．５、４．６、４．７、４．８、４．９、５、５．１、５．２、５．３、５．４ 、５．５、５．６、５．７、５．８、５．９、６、６．１、６．２、６．３、６．４、６．５、６．６、６．７、６．８、又は６．９である。
一実施形態によれば、酸には、酢酸、塩酸、臭化水素酸、ヨウ化水素酸、フッ化水素酸、硫酸、硝酸、ホウ酸、シュウ酸、マレイン酸、リポ酸、ウロカニン酸、３−メルカプトプロピオン酸、例えば、ブチルホスホン酸、オクチルホスホン酸及びドデシルホスホン酸などのホスホン酸、又はそれらの混合物が含まれるが、これらに限定されない。
一実施形態によれば、ナノ粒子３は、本発明の方法の前又は間に、磁場又は電場の下で整列させることができる。この実施形態において、ナノ粒子３は、前記ナノ粒子が強磁性である場合に磁石として作用することができるか、又はナノ粒子３が発光している場合には、生じる複合粒子１は、偏光を放つことができる
一実施形態によれば、任意の加水分解は、反応媒体中に存在する水の量が自発的に導入される水の添加のみによる程度に制御される。
一実施形態によれば、任意の加水分解は、部分的又は完全である。
一実施形態によれば、任意の加水分解は、湿潤雰囲気中で行われる。
一実施形態によれば、任意の加水分解は、無水雰囲気中で行われる。この実施形態において、任意の加水分解の雰囲気は湿度を含まない。
一実施形態によれば、任意の加水分解の温度は、少なくとも−５０℃、−４０℃、−３０℃、−２０℃、−１０℃、０℃、１０℃、２０℃、３０℃、４０℃、５０℃、６０℃、７０℃、８０℃、９０℃、１００℃、１１０℃、１２０℃、１３０℃、１４０℃、１５０℃、１６０℃、１７０℃、１８０℃、１９０℃、又は２００℃である。
一実施形態によれば、任意の加水分解の時間は、少なくとも１秒、２秒、３秒、４秒、５秒、６秒、７秒、８秒、９秒、１０秒、１５秒、２０秒、２５秒、３０秒、３５秒、４０秒、４５秒、５０秒、５５秒、６０秒、１．５分、２分、２．５分、３分、３．５分、４分、４．５分、５分、５．５分、６分、６．５分、７分、７．５分、８分、８．５分、９分、９．５分、１０分、１１分、１２分、１３分、１４分、１５分、１６分、１７分、１８分、１９分、２０分、２１分、２２分、２３分、２４分、２５分、２６分、２７分、２８分、２９分、３０分、３１分、３２分、３３分、３４分、３５分、３６分、３７分、３８分、３９分、４０分、４１分、４２分、４３分、４４分、４５分、４６分、４７分、４８分、４９分、５０分、５１分、５２分、５３分、５４分、５５分、５６分、５７分、５８分、５９分、１時間、６時間、１２時間、１８時間、２４時間、３０時間、３６時間、４２時間、４８時間、５４時間、６０時間、６６時間、７２時間、７８時間、８４時間、９０時間、９６時間、１０２時間、１０８時間、１１４時間、１２０時間、１２６時間、１３２時間、１３８時間、１４４時間、１５０時間、１５６時間、１６２時間、１６８時間、８日、９日、１０日、１１日、１２日、１３日、１４日、１５日、１６日、１７日、１８日、１９日、２０日、２１日、２２日、２３日、２４日、２５日、２６日、２７日、２８日、２９日、又は３０日である。
一実施形態によれば、ナノ粒子３は、有機溶媒に懸濁され、前記有機溶媒には、ヘキサン、ヘプタン、ペンタン、オクタン、デカン、ドデカン、トルエン、テトラヒドロフラン、クロロホルム、アセトン、酢酸、ｎ−メチルホルムアミド、ｎ，ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、オクタデセン、スクアレン、例えば、トリ−ｎ−オクチルアミンなどのアミン類、１，３−ジアミノプロパン、オレイルアミン、ヘキサデシルアミン、オクタデシルアミン、スクアレン、例えば、エタノ−ル、メタノ−ル、イソプロパノ−ル、１−ブタノ−ル、１−ヘキサノ−ル、１−デカノ−ル、プロパン−２−オ−ル、エタンジオ−ル、１，２−プロパンジオールなどのアルコ−ル類又はそれらの混合物が含まれるが、これらに限定されない。
一実施形態によれば、ナノ粒子３を水に懸濁されている。
一実施形態によれば、ナノ粒子３は、ナノ粒子３の表面で配位子を交換することにより、水溶液中に移される。この実施形態において、交換配位子には、２−メルカプト酢酸、３−メルカプトプロピオン酸、１２−メルカプトデカン酸、２−メルカプトエチルトリメトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、１２−メルカプトドデシルトリメトキシシラン、１１−メルカプト１−ウンデカノ−ル、１６−ヒドロキシヘキサデカン酸、リシノール酸、システアミン、又はそれらの混合物が含まれるが、これらに限定されない。
一実施形態によれば、ナノ粒子３の表面における配位子は、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｂ、Ｐ、Ｇｅ、Ａｓ、Ｆｅ、Ｔ、Ｚ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｃａ、Ｎａ、Ｋ、Ｍｇ、Ｐｂ、Ａｇ、Ｖ、Ｐ、Ｔｅ、Ｍｎ、Ｉｒ、Ｓｃ、Ｎｂ、又はＳｎの少なくとも１個の原子を含む少なくとも１つの交換配位子と交換される。この実施形態において、少なくとも１つの交換配位子は、無機材料２の少なくとも１種の前駆体の少なくとも１個の原子を含み、ナノ粒子３が複合粒子１に均一に分散するのを可能にする。Ｓｉの少なくとも１個の原子を含む少なくとも１つの交換配位子の場合には、ナノ粒子３の表面は、前駆体溶液との混合工程の前にシラン化することができる。
一実施形態によれば、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｂ、Ｐ、Ｇｅ、Ａｓ、Ｆｅ、Ｔ、Ｚ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｃａ、Ｎａ、Ｋ、Ｍｇ、Ｐｂ、Ａｇ、Ｖ、Ｐ、Ｔｅ、Ｍｎ、Ｉｒ、Ｓｃ、Ｎｂ、又はＳｎの少なくとも１個の原子を含む少なくとも１つの交換配位子には、例えば、２−メルカプトエチルトリメトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、１２−メルカプトドデシルトリメトキシシラン、２−アミノエチルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、１２−アミノドデシルトリメトキシシランなどのメルカプト官能性シラン、又はそれらの混合物が含まれるが、これらに限定されない。
一実施形態によれば、ナノ粒子３の表面にある配位子は、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｂ、Ｐ、Ｇｅ、Ａｓ、Ｆｅ、Ｔ、Ｚ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｃａ、Ｎａ、Ｋ、Ｍｇ、Ｐｂ、Ａｇ、Ｖ、Ｐ、Ｔｅ、Ｍｎ、Ｉｒ、Ｓｃ、Ｎｂ、又はＳｎの少なくとも１個の原子を含む少なくとも１つの交換配位子と部分的に交換される。この実施形態において、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｂ、Ｐ、Ｇｅ、Ａｓ、Ｆｅ、Ｔ、Ｚ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｃａ、Ｎａ、Ｋ、Ｍｇ、Ｐｂ、Ａｇ、Ｖ、Ｐ、Ｔｅ、Ｍｎ、Ｉｒ、Ｓｃ、Ｎｂ、又はＳｎの少なくとも１個の原子を含む少なくとも１つの交換配位子には、例えば、ｎ−ブチルトリメトキシシラン、ｎ−オクチルトリメトキシシラン、ｎ−ドデシルトリメトキシシラン、ｎ−オクタデシルトリメトキシシラン、２−アミノエチルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、１２−アミノドデシルトリメトキシシランなどのｎ−アルキルトリメトキシシランが含まれるが、これらに限定されない。
一実施形態において、ケイ素、アルミニウム又はチタンの少なくとも１個の原子を含む少なくとも１個の配位子は、複数のナノ粒子３を含む少なくとも１種のコロイド懸濁液に添加される。この実施形態において、ケイ素、アルミニウム又はチタンの少なくとも１個の原子を含む少なくとも１個の配位子は、例えば、ｎ−ブチルトリメトキシシラン、ｎ−オクチルトリメトキシシラン、ｎ−ドデシルトリメトキシシラン、ｎ−オクタデシルトリメトキシシランなどのｎ−アルキルトリメトキシシラン類；２−アミノエチルトリメトキシシラン；３−アミノプロピルトリメトキシシラン；１２−アミノドデシルトリメトキシシランが含まれるが、これらに限定されない。この実施形態において、ナノ粒子３の表面にある配位子及びケイ素、アルミニウム又はチタンの少なくとも１個の原子を含む少なくとも１個の配位子は、ナノ粒子３の表面で互いにかみ合わされ、ナノ粒子３が複合粒子１に均一に分散するのを可能にする。
一実施形態によれば、ナノ粒子３の表面にある配位子は、例えば、プロパンチオール、ブタンチオール、ペンタンチオール、ヘキサンチオール、ヘプタンチオール、オクタンチオール、ノナンチオール、デカンチオール、ウンデカンチオール、ドデカンチオール、トリデカンチオール、テトラデカンチオール、ペンタデカンチオール、ヘキサデカンチオール、ヘプタデカンチオール、オクタデカンチオール、又はそれらの混合物などのＣ３〜Ｃ２０アルカンチオール配位子である。
一実施形態によれば、ナノ粒子３の表面にある配位子は、コポリマー、ブロックコポリマー及び／又は多座配位子（ｍｕｌｔｉｄｅｎｄａｔｅ ｌｉｇａｎｄ）である少なくとも１つの交換配位子と交換される。
本発明の一実施形態において、コポリマーである前記少なくとも１つの交換配位子は、少なくとも２つのモノマーを含み、前記モノマーは：
−ナノ粒子３の表面に対して親和性を有する第１の部分ＭＡを含む１つのアンカーモノマー；及び
−高い水溶性を有する第２の部分ＭＢを含む１種の親水性モノマー、
である。
本発明の一実施形態において、コポリマーである前記少なくとも１種の交換配位子は、以下の式Ｉ：（Ａ）ｘ（Ｂ）ｙ
（式中、
Ａは、上記のナノ粒子３の表面に対して親和性を有する第１の部分ＭＡを含む少なくとも１つのアンカーモノマーを含み；
Ｂは、高い水溶性を有する第２の部分ＭＢを含む少なくとも１種の親水性モノマーを含み；かつ
ｘ及びｙの各々は、独立して正の整数、好ましくは、１〜４９９、１〜２４９、１〜９９、又は１〜２４の範囲の整数である）
を有する。
本発明の一実施形態において、コポリマーである少なくとも１種の交換配位子は、以下の式ＩＩ：
Figure 2020523432
 （式中、
ＲＡは、上記のナノ粒子３の表面に対して親和性を有する第１の部分ＭＡを含む基を表し；
ＲＢは、高い水溶性を有する第２の部分ＭＢを含む基を表し；
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６は、独立して、Ｈ、又はアルキル、アルケニル、アリール、ヒドロキシル、ハロゲン、アルコキシ、カルボキシレートから選択される基であり得；
ｘ及びｙの各々は、独立して正の整数、好ましくは、１〜４９９の範囲の整数である）
を有する。
本発明の別の実施形態において、少なくとも２つのモノマーを含むコポリマーである少なくとも１種の交換配位子は、以下の式ＩＩ’：
Figure 2020523432
 （式中、
ＲＡ’及びＲＡ’’は、ナノ粒子３の表面に対して親和性を有する第１の部分ＭＡ’及びＭＡ’’を含む基を表し；
ＲＢ’及びＲＢ’’は、高い水溶性を有する第２の部分ＭＢ’及びＭＢ’’を含む基を表し；
Ｒ１’、Ｒ２’、Ｒ３’、Ｒ１’’、Ｒ２’’、Ｒ３’’、Ｒ４’、Ｒ５’、Ｒ６’、Ｒ４’’、Ｒ５’’、Ｒ６’’は、独立して、Ｈ、又はアルキル、アルケニル、アリール、ヒドロキシル、ハロゲン、アルコキシ、カルボキシレートから選択される基であり得；
ｘ’及びｘ’’の各々は、ｘ’及びｘ’’の少なくとも一方が０ではないという条件で、独立して正の整数、好ましくは、０〜４９９の範囲の整数であり；
ｙ’及びｙ’’の各々は、ｙ’及びｙ’’の少なくとも一方が０ではないという条件で、独立して正の整数、好ましくは、０〜４９９の範囲の整数である）
を有する。
本発明の一実施形態において、コポリマーである前記少なくとも１種の交換配位子は、少なくとも２つのモノマーから合成され、前記モノマーは：
−ＭＡがジチオール基である１種のアンカーモノマー；
−ＭＢ気体ルホベタイン基である１種の親水性モノマー、
である。
本発明の別の実施形態において、コポリマーである前記少なくとも１種の交換配位子は、少なくとも３つのモノマーから合成され、前記モノマーは：
−上記で定義した１種のアンカーモノマー；
−上記で定義した１種の親水性モノマー；及び
−反応性官能基Ｍｃを含む１種の官能化モノマー、
である。
本発明の一実施形態において、コポリマーである前記少なくとも１種の交換配位子は、以下の式ＩＩＩ：（Ａ）ｘ（Ｂ）ｙ（Ｃ）ｚ
（式中、
Ａは、上記のナノ結晶の表面に対して親和性を有する第１の部分ＭＡを含む少なくとも１つのアンカーモノマーを含み；
Ｂは、高い水溶性を有する第２の部分ＭＢを含む少なくとも１種の親水性モノマーを含み；
Ｃは、反応性官能基を有する第３の部分ＭＣを含む少なくとも１種の官能化モノマーを含み；かつ
ｘ、ｙ及びｚの各々は、独立して正の整数、好ましくは、１〜４９８の範囲の整数である）
を有する。
前記実施形態において、コポリマーである少なくとも１種の交換配位子は、以下の式ＩＶ：
Figure 2020523432
 （式中、
ＲＡ、ＲＢ、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５及びＲ６は、上記で定義されており；
Ｒｃは、第３の部分Ｍｃを含む基を表し；かつ
Ｒ８、Ｒ９及びＲ１０は、独立して、Ｈ、又はアルキル、アルケニル、アリール、ヒドロキシル、ハロゲン、アルコキシ、カルボキシレートから選択される基であり得；
ｘ、ｙ及びｚの各々は、独立して、正の整数、好ましくは、１〜４９８の範囲の整数である）
を有する。
本発明の別の実施形態において、少なくとも２つのモノマーを含むコポリマーである前記少なくとも１種の交換配位子は、以下の式ＩＶ’：
Figure 2020523432
 （式中、
ＲＡ’、ＲＡ’’、ＲＢ’、ＲＢ’’、Ｒ１’、Ｒ２’、Ｒ３’、Ｒ１’’、Ｒ２’’、Ｒ３’’、Ｒ４’、Ｒ５’、Ｒ６’、Ｒ４’’、Ｒ５’’、及びＲ６’’は、上記で定義したとおりであり；
ＲＣ’及びＲＣ’’は、第３の部分ＭＣ’及びＭＣ’’を含む基を表し；
Ｒ８’、Ｒ９’、Ｒ１０’、Ｒ８’’、Ｒ９’’、及びＲ１０’’は、独立して、Ｈ、又はアルキル、アルケニル、アリール、ヒドロキシル、ハロゲン、アルコキシ、カルボキシレートから選択される基であり得；
ｘ’及びｘ’’の各々は、ｘ’及びｘ’’の少なくとも一方が０ではないという条件で、独立して正の整数、好ましくは、０〜４９９の範囲の整数であり；
ｙ’及びｙ’’の各々は、ｙ’及びｙ’’の少なくとも一方が０ではないという条件で、独立して正の整数、好ましくは、０〜４９９の範囲の整数であり；
ｚ’及びｚ’’の各々は、ｚ’及びｚ’’の少なくとも一方が０ではないという条件で、独立して正の整数、好ましくは、０〜４９９の範囲の整数である）
を有する。
一実施形態において、コポリマーである少なくとも１種の交換配位子は、少なくとも２つのモノマーから得られ、前記モノマーは、
−ナノ粒子３の表面に対して親和性を有する第１の部分ＭＡを含む側鎖を有する１つのアンカーモノマーＭＡ；及び
−親水性である第２の部分ＭＢを含む側鎖を有する１種の親水性モノマーＭＢ、
であり；
コポリマーの一端はＨであり、他端は官能基又は生物活性基を含む。
一実施形態において、コポリマーである少なくとも１種の交換配位子は、一般式（Ｖ）：Ｈ−Ｐ［（Ａ）ｘ−ｃｏ−（Ｂ）ｙ］ｎ−Ｌ−Ｒ
（式中、
Ａは、ナノ粒子３の表面に対して親和性を有する第１の部分ＭＡを含む側鎖を有するアンカーモノマーを表し；
Ｂは、親水性である第２の部分ＭＢを含む側鎖を有する親水性モノマーを表し；
ｎは、正の整数、好ましくは、１〜１０００、好ましくは、１〜４９９、１〜２４９又は１〜９９の範囲の整数を表し；
ｘ及びｙは、各々独立して、ｎの割合を表し、ｘ及びｙは、０％のｎと異なり、１００％のｎと異なり、好ましくは、０％超〜１００未満の範囲のｎ、好ましくは、０％超〜８０％未満の範囲のｎ、０％超〜５０％未満の範囲のｎであり；ｘ＋ｙは１００％のｎに等しく；
Ｒは、
■−ＮＨ２、−ＣＯＯＨ、−ＯＨ、−ＳＨ、−ＣＨＯ、ケトン、ハライド；例えば、Ｎ−ヒドロキシスクシンイミドエステル、Ｎ−ヒドロキシグルタルイミドエステル又はマレイミドエステルなどの活性化エステル；例えば、酸無水物又は酸ハライドなどの活性化カルボン酸；イソチオシアネート；イソシアネート；アルキン；アジド；無水グルタル酸、無水コハク酸、無水マレイン酸；ヒドラジド；クロロギ酸、マレイミド、アルケン、シラン、ヒドラゾン、オキシム及びフランを含む群から選択される官能基；並びに
■アビジン又はストレプトアビジン；モノクローナル抗体又は一本鎖抗体などの抗体；糖類；例えば、アビマー又はアフィボディ（親和性標的は、例えば、タンパク質、核酸、ペプチド、代謝物又は小分子であり得る）、抗原、ステロイド、ビタミン、薬物、ハプテン、代謝産物、毒素、環境汚染物質、アミノ酸、ペプチド、タンパク質、アプタマー、核酸、ヌクレオチド、ペプチド核酸（ＰＮＡ）、葉酸塩、炭水化物、脂質、リン脂質、リポタンパク質、リポ多糖、リポソーム、ホルモン、多糖類、ポリマー、ポリヒスチジンタグ、蛍光団などの親和性標的に特異的な結合親和性を有するタンパク質又はペプチド配列を含む群から選択される生物活性基、
を表し；かつ
Ｌは、１〜５０の鎖原子を有するアルキレン、アルケニレン、アリーレン又はアリールアルキル連結基を含む群から選択される結合又はスペーサーを表し、該連結基は、必要に応じて、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＲ７−によって中断又は終了することができ、Ｒ７は、Ｈ又はアルキル、−ＣＯ−、−ＮＨＣＯ−、−ＣＯＮＨ−、又はそれらの組み合わせであり、又はＤＮＡ、ＲＮＡ、ペプチド核酸（ＰＮＡ）、多糖類、ペプチドを含む群から選択されるスペーサーである）
のものである。
特定の実施形態において、コポリマーである少なくとも１種の交換配位子は、式（Ｖ−ａ）：
Figure 2020523432
 （式中、
ｎ、ｘ、ｙ、Ｌ、Ｒ、ＭＡ及びＭＢは、上記で定義したとおりであり；
ｑは、１〜２０、好ましくは１〜１０、好ましくは１〜５の範囲の整数、好ましくは２、３、４であり、ｍは、１〜２０、好ましくは１〜１０、好ましくは１〜５の範囲の整数、好ましくは２、３、４であり、ｐは、１〜２０、好ましくは１〜１０、好ましくは１〜６の範囲の整数、好ましくは３、４、５である）
のものである。
特定の実施形態において、コポリマーである少なくとも１種の交換配位子は、式（Ｖ−ｂ）：
Figure 2020523432
 （式中、ｎ、ｘ、ｙ、Ｌ及びＲは、上記の式（Ｖ）で定義したとおりであるか、又はその還元型である）
のものである。
別の特定の実施形態において、コポリマーである少なくとも１種の交換配位子は、式（Ｖ−ｃ）：
Figure 2020523432
 （式中、ｎ、ｘ、ｙ及びＬは、上記の式（Ｖ）で定義したとおりであるか、又はその還元型である）
のものである。
別の特定の実施形態において、コポリマーである少なくとも１種の交換配位子は、式（Ｖ−ｄ）：
Figure 2020523432
 （式中、ｎ、ｘ、ｙ及びＬは、上記の式（Ｖ）で定義したとおりであるか、又はその還元型である）
のものである。
別の特定の実施形態において、コポリマーである少なくとも１種の交換配位子は、式（Ｖ−ｅ）：
Figure 2020523432
 （式中、ｎ、ｘ、ｙ及びＬは、上記の式（Ｖ）で定義したとおりであるか、又はその還元型である）
のものである。
一実施形態において、コポリマーである少なくとも１種の交換配位子は、一般式（ＶＩ）：
Figure 2020523432
 （式中、ｎ、ｘ、ｙ、Ｌ及びＲは、式（Ｖ）で定義したとおりであり；
ＲＡは、ナノ粒子３の表面に対して親和性を有する第１の部分ＭＡを含む基を表し；
ＲＢは、親水性である第２の部分ＭＢを含む基を表し；
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５及びＲ６は、各々独立して、Ｈ、又はアルキル、アルケニル、アリール、ヒドロキシル、ハロゲン、アルコキシ及びカルボキシレート、アミドから選択される基を表す）
のものである。
一実施形態において、コポリマーである少なくとも１種の交換配位子は、一般式（ＶＩＩ）：
Figure 2020523432
 （式中、
Ｌ及びＲは、式（Ｖ）で定義されるとおりであり；
ＲＡ’及びＲＡ’’は、それぞれ第１の部分ＭＡ’を含む基及び第１の部分ＭＡ’’を含む基を表し、前記部分ＭＡ’及びＭＡ’’は、ナノ粒子３の表面に対して親和性を有し；
ＲＢ’及びＲＢ’’は、それぞれ第２の部分ＭＢ’を含む基及び第２の部分ＭＢ’’を含む基を表し、前記部分ＭＢ’及びＭＢ’’は親水性であり；
Ｒ１’、Ｒ２’、Ｒ３’、Ｒ４’、Ｒ５’、Ｒ６’、Ｒ１’’、Ｒ２’’、Ｒ３’’、Ｒ４’’、Ｒ５’’及びＲ６’’は、独立して、Ｈ、又はアルキル、アルケニル、アリール、ヒドロキシル、ハロゲン、アルコキシ及びカルボキシレート、アミドから選択される基を表し；
ｎは、正の整数、好ましくは、１〜１０００、好ましくは、１〜４９９、１〜２４９又は１〜９９の範囲の整数を表し；
ｘ’及びｘ’’は、各々独立して、ｎの割合を表し、ｘ’及びｘ’’の少なくとも一方は０％のｎと異なり、ｘ’及びｘ’’は、１００％のｎと異なり、好ましくは、ｘ’及びｘ’’は０％超〜１００％未満の範囲のｎ、好ましくは、０％超〜５０％の範囲のｎ、０％超〜５０％の範囲のｎであり；
ｙ’及びｙ’’は、各々独立して、ｎの割合を表し、ｙ’及びｙ’’の少なくとも一方は０％のｎと異なり、ｙ’及びｙ’’は、１００％のｎと異なり、好ましくは、ｙ’及びｙ’’は０％超〜１００％未満のｎ、好ましくは、０％超〜５０％のｎ、０％超〜５０％のｎであり；
ｘ’＋ｘ”＋ｙ’＋ｙ”は、１００％のｎに等しい）
のものである。
本発明の別の実施形態において、コポリマーである少なくとも１種の交換配位子は、少なくとも３つのモノマーから合成され、前記モノマーは：
−上記で定義した１種のアンカーモノマーＡ；
−上記で定義した１種の親水性モノマーＢ；
−疎水性官能基Ｍｃを含む側鎖を有する１種の疎水性モノマーＣ、
であり、
コポリマーの一端はＨであり、他端は官能基又は生物活性基を含む。
一実施形態によれば、コポリマーである少なくとも１種の交換配位子は、一般式（ＶＩＩＩ）：
Ｈ−Ｐ［（Ａ）Ｘ−ｃｏ−（Ｂ）ｙ−ｃｏ−（ｃ）Ｚ］ｎ−Ｌ−Ｒ
（式中、
Ａ、Ｂ、Ｌ、Ｒ及びｎは、上記で定義したとおりであり；
Ｃは、疎水性である部分ＭＣを含む側鎖を有する疎水性モノマーを表し；
ｘ、ｙ及びｚは、各々独立して、ｎの割合を表し、ｘ及びｙは、０％のｎと異なり、１００％のｎと異なり、好ましくは、ｘ、ｙ及びｚは、０％超〜１００未満の範囲のｎ、好ましくは、０％超〜８０％のｎ、０％超〜５０％のｎであり；
ｘ＋ｙ＋ｚは、１００％のｎに等しい）
のものである。
一実施形態によれば、コポリマーである少なくとも１種の交換配位子は一般式（ＩＸ）：
Figure 2020523432
 （式中、
ｎ、Ｌ、Ｒ、ＲＡ、ＲＢ、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５及びＲ６は、上記で定義したとおりであり；
ＲＣは、疎水性である第３の部分ＭＣを含む基を表し；
Ｒ８、Ｒ９、及びＲ１０は、それぞれ独立して、Ｈ又はアルキル、アルケニル、アリール、ヒドロキシル、ハロゲン、アルコキシ及びカルボキシレート、アミドから選択される基を表し；
ｘ、ｙ及びｚは、各々独立して、ｎの割合を表し、ｘ及びｙは、０％のｎと異なり、１００％のｎと異なり、好ましくは、ｘ、ｙ及びｚは、０％超〜１００未満の範囲のｎ、好ましくは、０％超〜８０％のｎ、０％超〜５０％のｎであり；
ｘ＋ｙ＋ｚは、１００％のｎに等しい）
のものである。
本発明の一実施形態において、ｘ＋ｙは、５〜５００、５〜２５０、５〜１００、５〜７５、５〜５０、１０〜５０、１０〜３０、５〜３５、５〜２５、１５〜２５の範囲である。本発明の一実施形態において、ｘ＋ｙ＋ｚは、５〜７５０、５〜５００、５〜１５０、５〜１００、１０〜７５、１０〜５０、５〜５０、１５〜２５、５〜２５の範囲である。本発明の一実施形態において、ｘ'＋ｘ'’＋ｙ'＋ｙ'’は、５〜５００、５〜２５０、５〜１００、５〜７５、５〜５０、１０〜５０、１０〜３０、５〜３５、５〜２５、１５〜２５の範囲である。本発明の一実施形態において、前記ｘはｘ'＋ｘ''に等しい。本発明の一実施形態において、前記ｙはｙ'＋ｙ''に等しい。本発明の一実施形態において、ｘ'＋ｘ''＋ｙ'＋ｙ''＋ｚ'＋ｚ''は、５〜７５０、５〜５００、５〜１５０、５〜１００、１０〜７５、１０〜５０、５〜５０、１５〜２５、５〜２５の範囲である。本発明の一実施形態において、前記ｚはｚ'＋ｚ''に等しい。
一実施形態において、ナノ粒子３の表面に対して親和性を有する第１の部分ＭＡは、好ましくは、ナノ粒子３の表面に存在する金属又はナノ粒子３の表面に存在し、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｎ、Ｐ、Ａｓ、及びそれらの混合物の群から選択される材料に対する親和性を有する。
本発明の一実施形態において、少なくとも２つのモノマーを含むコポリマーである前記少なくとも１種の交換配位子は、モノマーＡ及びモノマーＢを含む複数のモノマーを有する。一実施形態において、前記配位子は、ランダムコポリマー又はブロックコポリマーである。別の実施形態において、前記配位子は、本質的に、モノマーＡ及びモノマーＢからなるランダムコポリマー又はブロックコポリマーである。本発明の一実施形態において、前記配位子は多座配位子である。
本発明の一実施形態において、ナノ粒子３の表面に対する親和性、及び特に、ナノ粒子３の表面に存在する金属に対する親和性を有する前記第１の部分ＭＡには、チオール部分、ジチオール部分、イミダゾール部分、カテコール部分、ピリジン部分、ピロール部分、チオフェン部分、チアゾール部分、ピラジン部分、カルボン酸又はカルボキシレート部分、ナフチリジン部分、ホスフィン部分、ホスフィンオキシド部分、フェノール部分、第１級アミン部分、第２級アミン部分、第３級アミン部分、第４級アミン部分、芳香族アミン部分、又はそれらの組み合わせが含まれるが、これらに限定されない。
本発明の一実施形態において、ナノ粒子３の表面に対する親和性、及び特に、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｎ、Ｐ、Ａｓ、及びそれらの混合物の群から選択される材料に対する親和性を有する前記第１の部分ＭＡには、イミダゾール部分、ピリジン部分、ピロール部分、チアゾール部分、ピラジン部分、ナフチリジン部分、ホスフィン部分、ホスフィンオキシド部分、第１級アミン部分、第２級アミン部分、第３級アミン部分、第４級アミン部分、芳香族アミン部分、又はそれらの組み合わせが含まれるが、これらに限定されない。
本発明の一実施形態において、前記第１の部分ＭＡは、ジヒドロリポ酸（ＤＨＬＡ）部分ではない。
本発明の別の実施形態において、前記第１の部分ＭＡは、イミダゾール部分ではない。
一実施形態において、モノマーＡ及びＢは、メタクリルアミドモノマーである。
本発明の一実施形態において、高い水溶性を有する前記第２の部分ＭＢには、例えば、アミノカルボン酸塩、アミノスルホン酸塩、カルボキシベタイン部分などの双性イオン部分（すなわち、負電荷と正電荷の両方を有する任意の化合物、好ましくは、アンモニウム基とスルホン酸基の両方を有する基又はアンモニウム基とカルボキシレート基の両方を有する基）が含まれるが、これに限定されず、アンモニウム基は、脂肪族鎖、５員環、１、２又は３個のさらなる窒素原子を含む５員複素環、６員環、１、２、３、又は４個のさらなる窒素原子を含む６員複素環、スルホベタイン部分を含み得、アンモニウム基は、脂肪族鎖、５員環、１、２又は３個のさらなる窒素原子を含む５員複素環、６員環、１、２、３、又は４個のさらなる窒素原子を含む６員複素環、ホスホベタインを含み得、アンモニウム基は、脂肪族鎖、５員環、１、２又は３個のさらなる窒素原子を含む５員複素環、６員環、１、２、３又は４個のさらなる窒素原子を含む６員複素環、ホスホリルコリン、ホスホコリン部分、及びそれらの組み合わせ又はＰＥＧ部分を含み得る。
適切なＰＥＧ部分の例は、−［Ｏ−ＣＨ２ＣＨＲ’］ｎ−Ｒ’’であり、式中、Ｒ'は、Ｈ又はＣ１−Ｃ３アルキルであり得、Ｒ'’は、Ｈ、−ＯＨ、Ｃ１−Ｃ６アルキル、Ｃ１−Ｃ６アルコキシ、アリール、アリールオキシ、アリールアルキル、又はアリールアルコキシであり得、ｎは、１〜１２０、好ましくは、１〜６０、より好ましくは、１〜３０の範囲の整数であり得る。
一実施形態において、Ｂは、ＰＥＧ部分である第２の部分ＭＢを含むモノマーを含む場合に、Ｂは、さらに、ＰＥＧ部分ではない第２の部分ＭＢを含む少なくとも１種のモノマーを含む。
本発明の別の実施形態において、高い水溶性を有する前記第２の部分ＭＢは、ＰＥＧ部分ではない。
本発明の一実施形態において、前記部分ＭＡは、前記部分ＭＡ’及びＭＡ’’を含む。
本発明の一実施形態において、前記部分ＭＢは、前記部分ＭＢ’及びＭＢ’’を含む。
本発明の一実施形態において、ナノ粒子３の表面に対する親和性、及び特に、ナノ粒子３の表面に存在する金属に対する親和性を有する前記第１の部分ＭＡ’及びＭＡ’’には、チオール部分、ジチオール部分、イミダゾール部分、カテコール部分、ピリジン部分、ピロール部分、チオフェン部分、チアゾール部分、ピラジン部分、カルボン酸又はカルボキシレート部分、ナフチリジン部分、ホスフィン部分、ホスフィンオキシド部分、フェノール部分、第１級アミン部分、第２級アミン部分、第３級アミン部分、第４級アミン部分、芳香族アミン部分、又はそれらの組み合わせが含まれるが、これらに限定されない。
本発明の一実施形態において、ナノ粒子３の表面に対する親和性、及び特に、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｎ、Ｐ、Ａｓ、及びそれらの混合物の群から選択される材料に対する親和性を有する前記第１の部分ＭＡ’及びＭＡ’’には、イミダゾール部分、ピリジン部分、ピロール部分、チアゾール部分、ピラジン部分、ナフチリジン部分、ホスフィン部分、ホスフィンオキシド部分、第１級アミン部分、第２級アミン部分、第３級アミン部分、第４級アミン部分、芳香族アミン部分、又はそれらの組み合わせが含まれるが、これらに限定されない。
本発明の一実施形態において、ナノ粒子３の表面に対する親和性を有する前記第１の部分ＭＡ’は、ジチオール部分であり、ナノ粒子３の表面に対する親和性を有する前記第１の部分ＭＡ’’は、イミダゾール部分である。
本発明の一実施形態において、高い水溶性を有する前記第２の部分ＭＢ’及びＭＢ’’には、例えば、アミノカルボン酸塩、アミノスルホン酸塩、カルボキシベタイン部分などの双性イオン部分（すなわち、負電荷と正電荷の両方を有する任意の化合物、好ましくは、アンモニウム基とスルホン酸基の両方を有する基又はアンモニウム基とカルボキシレート基の両方を有する基）が含まれるが、これらに限定されず、アンモニウム基は、脂肪族鎖、５員環、１、２又は３個のさらなる窒素原子を含む５員複素環、６員環、１、２、３、又は４個のさらなる窒素原子を含む６員複素環、スルホベタイン部分を含み得、アンモニウム基は、脂肪族鎖、５員環、１、２又は３個のさらなる窒素原子を含む５員複素環、６員環、１、２、３、又は４個のさらなる窒素原子を含む６員複素環、ホスホベタインを含み得、アンモニウム基は、脂肪族鎖、５員環、１、２又は３個のさらなる窒素原子を含む５員複素環、６員環、１、２、３又は４個のさらなる窒素原子を含む６員複素環、ホスホリルコリン、ホスホコリン部分、及びそれらの組み合わせ又はＰＥＧ部分、又はポリ（エーテル）グリコール部分を含み得、ＭＢ’がＰＥＧ部分である場合に、ＭＢ’’はＰＥＧ部分ではなく、逆もまたそうである。
本発明の一実施形態において、高い水溶性を有する前記第２の部分ＭＢ’は、スルホベタイン基であり、高い水溶性を有する前記第２の部分ＭＢ’’は、ＰＥＧ部分である。
本発明の一実施形態において、反応性官能基を有する前記第３の部分ＭＣは、選択された条件下で選択された薬剤と共有結合を形成することができ、第１級アミン基などのアミン基を有する任意の部分、アジド基を有する任意の部分、ハロゲン基を有する任意の部分、アルケニル基を有する任意の部分、アルキニル基を有する任意の部分、酸性官能基を有する任意の部分、活性化された酸性官能基を有する任意の部分、アルコール基を有する任意の部分、活性化されたアルコール基を有する任意の部分、チオール基を有する任意の部分を含むが、これらに限定されない。それはまた、タンパク質又は抗体などの巨大分子に高い親和性で結合することができる、ビオチンなどの小分子であり得る。
一実施形態によれば、ＭＣの反応性官能基は、化学実習で一般に使用される任意の適切な保護基により保護され得る。保護及び脱保護は、当技術分野で公知の任意の適切な方法によって行われ、保護されるべき分子の構造に適合され得る。ＭＣの反応性官能基は、配位子の合成中に保護され、重合工程の後に除去され得る。ＭＣの反応基は、別の方法で、重合工程の後に配位子に導入され得る。
本発明の別の実施形態において、反応性官能基を有する前記第３の部分ＭＣは、選択的結合相手と非共有結合を形成することができ、反応性官能基を有する前記第３の部分ＭＣは、その相手のストレプトアビジンに結合するビオチン、その相手の配列相補的核酸に結合する核酸、その相手のＦＫＢＰに結合するＦＫ５０６、その相手の対応する抗原に結合する抗体を含むが、これらに限定されない。
本発明の一実施形態において、第３の部分ＭＣを含むＲＣは、式ＬＣ−Ｍｃを有することができ、ＬＣは、結合又は１〜８個の鎖原子を有するアルキレン、アルケニレン、ＰＥＧ部分、又はアリーレン連結基であり得、必要に応じて、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＲ７−によって中断又は終了することができ、Ｒ７は、Ｈ又はアルキル、−ＣＯ−、−ＮＨＣＯ−、−ＣＯＮＨ−、又はそれらの組み合わせであり、ＭＣは、上記の第３の部分に対応する。
適切なＰＥＧ部分の例は、−[Ｏ−ＣＨ２−ＣＨＲ’]ｎ−であり、Ｒ’はＨ又Ｃ１−Ｃ３アルキルであり得、ｎは、０〜３０の範囲の整数であり得る。
一実施形態によれば、該官能基は、−ＮＨ２、−ＣＯＯＨ、−ＯＨ、−ＳＨ、−ＣＨＯ、ケトン、ハライド；例えば、Ｎ−ヒドロキシスクシンイミドエステル、Ｎ−ヒドロキシグルタルイミドエステル又はマレイミドエステルなどの活性化エステル；例えば、酸無水物又は酸ハライドなどの活性化カルボン酸；イソチオシアネート；イソシアネート；アルキン；アジド；無水グルタル酸、無水コハク酸、無水マレイン酸；ヒドラジド；クロロギ酸、マレイミド、アルケン、シラン、ヒドラゾン、オキシム及びフランを含む群から選択される。
一実施形態によれば、生体活性基は、アビジン又はストレプトアビジン；モノクローナル抗体又は一本鎖抗体などの抗体；糖類；例えば、アビマー又はアフィボディなどのアフィニティー標的に対する特異的結合親和性を有するタンパク質又はペプチド配列（親和性標的は、例えば、タンパク質、核酸、ペプチド、代謝産物又は小分子であり得る）、抗原、ステロイド、ビタミン、薬物、ハプテン、代謝産物、毒素、環境汚染物質、アミノ酸、ペプチド、タンパク質、アプタマー、核酸、ヌクレオチド、ペプチド核酸（ＰＮＡ）、葉酸塩、炭水化物、脂質、リン脂質、リポタンパク質、リポ多糖、リポソーム、ホルモン、多糖類、ポリマー、ポリヒスチジンタグ、蛍光団を含む群から選択される。
本発明の一実施形態において、第１の部分ＭＡを含むＲＡは、式ＬＡ−ＭＡを有することができ、ＬＡは、結合又は１〜８個の鎖原子を有するアルキレン、アルケニレン、又はアリーレン連結基であり得、必要に応じて、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＲ７−によって中断又は終了することができ、Ｒ７は、Ｈ又はアルキル、−ＣＯ−、−ＮＨＣＯ−、−ＣＯＮＨ−、又はそれらの組み合わせであり、ＭＡは、上記の第１の部分に対応する。
本発明の一実施形態において、第２の部分ＭＢを含むＲＢは、式ＬＢ−ＭＢを有することができ、ＬＢは、結合又は１〜８個の鎖原子を有するアルキレン、アルケニレン、又はアリーレン連結基であり得、必要に応じて、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＲ７−によって中断又は終了することができ、Ｒ７は、Ｈ又はアルキル、−ＣＯ−、−ＮＨＣＯ−、−ＣＯＮＨ−、又はそれらの組み合わせであり、ＭＢは、上記の第２の部分に対応する。
一実施形態によれば、複数のナノ粒子３を含む少なくとも１種のコロイド溶液は、前記ナノ粒子３中、重量で少なくとも０．００１％、０．００２％、０．００３％、０．００４％、０．００５％、０．００６％、０．００７％、０．００８％、０．００９％、０．０１％、０．０５％、０．１％、０．１５％、０．２％、０．２５％、０．３％、０．３５％、０．４％、０．４５％、０．５％、０．５５％、０．６％、０．６５％、０．７％、０．７５％、０．８％、０．８５％、０．９％、０．９５％、１％、２％、３％、４％、５％、６％、７％、８％、９％、１０％、１１％、１２％、１３％、１４％、１５％、１６％、１７％、１８％、１９％、２０％、２１％、２２％、２３％、２４％、２５％、２６％、２７％、２８％、２９％、３０％、３１％、３２％、３３％、３４％、３５％、３６％、３７％、３８％、３９％、４０％、４１％、４２％、４３％、４４％、４５％、４６％、４７％、４８％、４９％、５０％、５１％、５２％、５３％、５４％、５５％、５６％、５７％、５８％、５９％、６０％、６１％、６２％、６３％、６４％、６５％、６６％、６７％、６８％、６９％、７０％、７１％、７２％、７３％、７４％、７５％、７６％、７７％、７８％、７９％、８０％、８１％、８２％、８３％、８４％、８５％、８６％、８７％、８８％、８９％、９０％、又は９５％の濃度を有する。
一実施形態によれば、ナノ粒子３は、本方法中に、その場で、複合粒子１中で合成されない。
一実施形態によれば、ナノ粒子３は、前記無機材料２の形成中に無機材料２内に封入される。例えば、前記ナノ粒子３は、以前に得られた無機材料２に挿入されず、それと接触もしない。
一実施形態によれば、ナノ粒子３は、物理的捕捉により複合粒子１に封入される。この実施形態において、複合粒子１は、ナノ粒子３が物理的捕捉により挿入されている、事前に形成された粒子ではない。
一実施形態によれば、界面活性剤の例には、例えば、オレイン酸、酢酸、オクタン酸などのカルボン酸類；オクタンチオール、ヘキサンチオール、ブタンチオールなどのチオール類；４−メルカプト安息香酸；例えば、オレイルアミン、１，６−ヘキサンジアミン、オクチルアミンなどのアミン類；ホスホン酸；抗体又はそれらの混合物が含まれるが、これらに限定されない。
一実施形態によれば、本発明の複合粒子１を得るための方法は、界面活性剤を含まない。この実施形態において、該ナノ粒子は、本方法中に、溶液中でより良好に安定化され、本方法中にそれらの化学的若しくは物理的性質の劣化を制限又は防止するのを可能にし得る。さらに、複合粒子１のコロイド安定性は向上し得、特に、本方法の終わりに、溶液中に複合粒子１を分散することがより容易になり得る。
一実施形態によれば、本発明の複合粒子１を得るための方法は、界面活性剤を含まない。この実施形態において、本発明の方法により得られた又は得られる複合粒子１の表面は、前記表面が、任意の界面活性剤分子によってブロックされないように、官能化することが容易である。
一実施形態によれば、液滴を形成させるための手段は、液滴形成器である。
一実施形態によれば、液滴を形成させるための手段は、液滴を生成するように構成されている。
一実施形態によれば、液滴を形成させるための手段は、噴霧器を含む。
一実施形態によれば、液滴を形成させるための手段は、噴霧乾燥又は噴霧熱分解である。
一実施形態によれば、液滴を形成させるための手段は、噴霧乾燥又は噴霧熱分解ではない。
一実施形態によれば、液滴を形成させるための手段は、超音波ディスペンサー、又は重力、遠心力又は静電気を利用して１滴ずつの送達システムを含む。
一実施形態によれば、液滴を形成させるための手段は、チューブ又はシリンダーを含む。
一実施形態によれば、液滴を形成させるための手段は、直列に配置され、動作する。
一実施形態によれば、液滴を形成させるための手段は、並列に配置され、動作する。
一実施形態によれば、液滴を形成させるための手段は、互いに対向していない。
一実施形態によれば、液滴を形成させるための手段は、反対に同軸に配置されていない。
一実施形態によれば、溶液Ａ及び溶液Ｂの液滴は、同時に形成される。
一実施形態によれば、溶液Ａの液滴は、溶液Ｂの液滴を形成する前に形成される。
一実施形態によれば、溶液Ｂの液滴は、溶液Ａの液滴の形成前に形成される。
一実施形態によれば、溶液Ａの液滴及び溶液Ｂの液滴は、同じチューブ内の気体流中に分散している。
一実施形態によれば、溶液Ａの液滴及び溶液Ｂの液滴は、２本の別々のチューブ内の気体流中に分散している。
一実施形態によれば、溶液Ａ及び溶液Ｂの液滴は、均一に混合されている。
一実施形態によれば、溶液Ａの液滴及び溶液Ｂの液滴は、特に、溶液Ａ及び溶液Ｂが混和しない場合に、均一に混合されない。
一実施形態によれば、液滴は球状である。
一実施形態によれば、液滴は多分散である。
一実施形態によれば、液滴は単分散である。
一実施形態によれば、複合粒子１の大きさは、液滴の直径に相関している。液滴の大きさが小さいほど、生じる複合粒子１の大きさは小さくなる。
一実施形態によれば、複合粒子１の大きさは、液滴の直径よりも小さい。
一実施形態によれば、該液滴は、少なくとも１０ｎｍ、５０ｎｍ、１００ｎｍ、１５０ｎｍ、２００ｎｍ、２５０ｎｍ、３００ｎｍ、３５０ｎｍ、４００ｎｍ、４５０ｎｍ、５００ｎｍ、５５０ｎｍ、６００ｎｍ、６５０ｎｍ、７００ｎｍ、７５０ｎｍ、８００ｎｍ、８５０ｎｍ、９００ｎｍ、９５０ｎｍ、１μｍ、５０μｍ、１００μｍ、１５０μｍ、２００μｍ、２５０μｍ、３００μｍ、３５０μｍ、４００μｍ、４５０μｍ、５００μｍ、５５０μｍ、６００μｍ、６５０μｍ、７００μｍ、７５０μｍ、８００μｍ、８５０μｍ、９００μｍ、９５０μｍ、１ｍｍ、１．１ｍｍ、１．２ｍｍ、１．３ｍｍ、１．４ｍｍ、１．５ｍｍ、１．６ｍｍ、１．７ｍｍ、１．８ｍｍ、１．９ｍｍ、２ｍｍ、２．１ｍｍ、２．２ｍｍ、２．３ｍｍ、２．４ｍｍ、２．５ｍｍ、２．６ｍｍ、２．７ｍｍ、２．８ｍｍ、２．９ｍｍ、３ｍｍ、３．１ｍｍ、３．２ｍｍ、３．３ｍｍ、３．４ｍｍ、３．５ｍｍ、３．６ｍｍ、３．７ｍｍ、３．８ｍｍ、３．９ｍｍ、４ｍｍ、４．１ｍｍ、４．２ｍｍ、４．３ｍｍ、４．４ｍｍ、４．５ｍｍ、４．６ｍｍ、４．７ｍｍ、４．８ｍｍ、４．９ｍｍ、５ｍｍ、５．１ｍｍ、５．２ｍｍ、５．３ｍｍ、５．４ｍｍ、５．５ｍｍ、５．６ｍｍ、５．７ｍｍ、５．８ｍｍ、５．９ｍｍ、６ｍｍ、６．１ｍｍ、６．２ｍｍ、６．３ｍｍ、６．４ｍｍ、６．５ｍｍ、６．６ｍｍ、６．７ｍｍ、６．８ｍｍ、６．９ｍｍ、７ｍｍ、７．１ｍｍ、７．２ｍｍ、７．３ｍｍ、７．４ｍｍ、７．５ｍｍ、７．６ｍｍ、７．７ｍｍ、７．８ｍｍ、７．９ｍｍ、８ｍｍ、８．１ｍｍ、８．２ｍｍ、８．３ｍｍ、８．４ｍｍ、８．５ｍｍ、８．６ｍｍ、８．７ｍｍ、８．８ｍｍ、８．９ｍｍ、９ｍｍ、９．１ｍｍ、９．２ｍｍ、９．３ｍｍ、９．４ｍｍ、９．５ｍｍ、９．６ｍｍ、９．７ｍｍ、９．８ｍｍ、９．９ｍｍ、１ｃｍ、１．５ｃｍ、又は２ｃｍの直径を有する。
一実施形態によれば、液滴は気体流中に分散し、該気体には、空気、窒素、アルゴン、水素、ジ酸素、ヘリウム、二酸化炭素、一酸化炭素、ＮＯ、ＮＯ２、Ｎ２Ｏ、Ｆ２、Ｃｌ２、Ｈ２Ｓｅ、ＣＨ４、ＰＨ３、ＮＨ３、ＳＯ２、Ｈ２Ｓ又はそれらの混合物が含まれるが、これらに限定されない。
一実施形態によれば、該気体流は、０．０１〜１×１０１０ｃｍ３／ｓの範囲の速度を有する。
一実施形態によれば、該気体流は、少なくとも０．０１ｃｍ３／ｓ、０．０２ｃｍ３／ｓ、０．０３ｃｍ３／ｓ、０．０４ｃｍ３／ｓ、０．０５ｃｍ３／ｓ、０．０６ｃｍ３／ｓ、０．０７ｃｍ３／ｓ、０．０８ｃｍ３／ｓ、０．０９ｃｍ３／ｓ、０．１ｃｍ３／ｓ、０．１５ｃｍ３／ｓ、０．２５ｃｍ３／ｓ、０．３ｃｍ３／ｓ、０．３５ｃｍ３／ｓ、０．４ｃｍ３／ｓ、０．４５ｃｍ３／ｓ、０．５ｃｍ３／ｓ、０．５５ｃｍ３／ｓ、０．６ｃｍ３／ｓ、０．６５ｃｍ３／ｓ、０．７ｃｍ３／ｓ、０．７５ｃｍ３／ｓ、０．８ｃｍ３／ｓ、０．８５ｃｍ３／ｓ、０．９ｃｍ３／ｓ、０．９５ｃｍ３／ｓ、１ｃｍ３／ｓ、１．５ｃｍ３／ｓ、２ｃｍ３／ｓ、２．５ｃｍ３／ｓ、３ｃｍ３／ｓ、３．５ｃｍ３／ｓ、４ｃｍ３／ｓ、４．５ｃｍ３／ｓ、５ｃｍ３／ｓ、５．５ｃｍ３／ｓ、６ｃｍ３／ｓ、６．５ｃｍ３／ｓ、７ｃｍ３／ｓ、７．５ｃｍ３／ｓ、８ｃｍ３／ｓ、８．５ｃｍ３／ｓ、９ｃｍ３／ｓ、９．５ｃｍ３／ｓ、１０ｃｍ３／ｓ、１５ｃｍ３／ｓ、２０ｃｍ３／ｓ、２５ｃｍ３／ｓ、３０ｃｍ３／ｓ、３５ｃｍ３／ｓ、４０ｃｍ３／ｓ、４５ｃｍ３／ｓ、５０ｃｍ３／ｓ、５５ｃｍ３／ｓ、６０ｃｍ３／ｓ、６５ｃｍ３／ｓ、７０ｃｍ３／ｓ、７５ｃｍ３／ｓ、８０ｃｍ３／ｓ、８５ｃｍ３／ｓ、９０ｃｍ３／ｓ、９５ｃｍ３／ｓ、１００ｃｍ３／ｓ、５×１０２ｃｍ３／ｓ、１×１０３ｃｍ３／ｓ、５×１０３ｃｍ３／ｓ、１×１０４ｃｍ３／ｓ、５×１０４ｃｍ３／ｓ、１×１０５ｃｍ３／ｓ、５×１０５ｃｍ３／ｓ、又は１×１０６ｃｍ３／ｓの速度を有する。
一実施形態によれば、該気体の入口圧力は、０、０．５、１、１．５、２、２．５、３、３．５、４、４．５、５、５．５、６、６．５、７、７．５、８、８．５、９、９．５、又は１０バールである。
一実施形態によれば、溶液Ａ及び溶液Ｂの供給速度、すなわち、装置内に噴霧される溶液Ａ及び溶液Ｂの流れは、１ｍＬ／時〜１００００ｍＬ／時、５ｍＬ／時〜５０００ｍＬ／時、１０ｍＬ／時〜２０００ｍＬ／時、３０ｍＬ／時〜１０００ｍＬ／時の範囲である。
一実施形態によれば、溶液Ａの供給速度は、少なくとも１ｍＬ／時、1．５ｍＬ／時、２．５ｍＬ／時、３ｍＬ／時、３．５ｍＬ／時、４ｍＬ／時、４．５ｍＬ／時、５ｍＬ／時、５．５ｍＬ／時、６ｍＬ／時、６．５ｍＬ／時、７ｍＬ／時、７．５ｍＬ／時、８ｍＬ／時、８．５ｍＬ／時、９ｍＬ／時、９．５ｍＬ／時、１０ｍＬ／時、１０．５ｍＬ／時、１１ｍＬ／時、１１．５ｍＬ／時、１２ｍＬ／時、１２．５ｍＬ／時、１３ｍＬ／時、１３．５ｍＬ／時、１４ｍＬ／時、１４．５ｍＬ／時、１５ｍＬ／時、１５．５ｍＬ／時、１６ｍＬ／時、１６．５ｍＬ／時、１７ｍＬ／時、１７．５ｍＬ／時、１８ｍＬ／時、１８．５ｍＬ／時、１９ｍＬ／時、１９．５ｍＬ／時、２０ｍＬ／時、２０．５ｍＬ／時、２１ｍＬ／時、２１．５ｍＬ／時、２２ｍＬ／時、２２．５ｍＬ／時、２３ｍＬ／時、２３．５ｍＬ／時、２４ｍＬ／時、２４．５ｍＬ／時、２５ｍＬ／時、２５．５ｍＬ／時、２６ｍＬ／時、２６．５ｍＬ／時、２７ｍＬ／時、２７．５ｍＬ／時、２８ｍＬ／時、２８．５ｍＬ／時、２９ｍＬ／時、２９．５ｍＬ／時、３０ｍＬ／時、３０．５ｍＬ／時、３１ｍＬ／時、３１．５ｍＬ／時、３２ｍＬ／時、３２．５ｍＬ／時、３３ｍＬ／時、３３．５ｍＬ／時、３４ｍＬ／時、３４．５ｍＬ／時、３５ｍＬ／時、３５．５ｍＬ／時、３６ｍＬ／時、３６．５ｍＬ／時、３７ｍＬ／時、３７．５ｍＬ／時、３８ｍＬ／時、３８．５ｍＬ／時、３９ｍＬ／時、３９．５ｍＬ／時、４０ｍＬ／時、４０．５ｍＬ／時、４１ｍＬ／時、４１．５ｍＬ／時、４２ｍＬ／時、４２．５ｍＬ／時、４３ｍＬ／時、４３．５ｍＬ／時、４４ｍＬ／時、４４．５ｍＬ／時、４５ｍＬ／時、４５．５ｍＬ／時、４６ｍＬ／時、４６．５ｍＬ／時、４７ｍＬ／時、４７．５ｍＬ／時、４８ｍＬ／時、４８．５ｍＬ／時、４９ｍＬ／時、４９．５ｍＬ／時、５０ｍＬ／時、５０．５ｍＬ／時、５１ｍＬ／時、５１．５ｍＬ／時、５２ｍＬ／時、５２．５ｍＬ／時、５３ｍＬ／時、５３．５ｍＬ／時、５４ｍＬ／時、５４．５ｍＬ／時、５５ｍＬ／時、５５．５ｍＬ／時、５６ｍＬ／時、５６．５ｍＬ／時、５７ｍＬ／時、５７．５ｍＬ／時、５８ｍＬ／時、５８．５ｍＬ／時、５９ｍＬ／時、５９．５ｍＬ／時、６０ｍＬ／時、６０．５ｍＬ／時、６１ｍＬ／時、６１．５ｍＬ／時、６２ｍＬ／時、６２．５ｍＬ／時、６３ｍＬ／時、６３．５ｍＬ／時、６４ｍＬ／時、６４．５ｍＬ／時、６５ｍＬ／時、６５．５ｍＬ／時、６６ｍＬ／時、６６．５ｍＬ／時、６７ｍＬ／時、６７．５ｍＬ／時、６８ｍＬ／時、６８．５ｍＬ／時、６９ｍＬ／時、６９．５ｍＬ／時、７０ｍＬ／時、７０．５ｍＬ／時、７１ｍＬ／時、７１．５ｍＬ／時、７２ｍＬ／時、７２．５ｍＬ／時、７３ｍＬ／時、７３．５ｍＬ／時、７４ｍＬ／時、７４．５ｍＬ／時、７５ｍＬ／時、７５．５ｍＬ／時、７６ｍＬ／時、７６．５ｍＬ／時、７７ｍＬ／時、７７．５ｍＬ／時、７８ｍＬ／時、７８．５ｍＬ／時、７９ｍＬ／時、７９．５ｍＬ／時、８０ｍＬ／時、８０．５ｍＬ／時、８１ｍＬ／時、８１．５ｍＬ／時、８２ｍＬ／時、８２．５ｍＬ／時、８３ｍＬ／時、８３．５ｍＬ／時、８４ｍＬ／時、８４．５ｍＬ／時、８５ｍＬ／時、８５．５ｍＬ／時、８６ｍＬ／時、８６．５ｍＬ／時、８７ｍＬ／時、８７．５ｍＬ／時、８８ｍＬ／時、８８．５ｍＬ／時、８９ｍＬ／時、８９．５ｍＬ／時、９０ｍＬ／時、９０．５ｍＬ／時、９１ｍＬ／時、９１．５ｍＬ／時、９２ｍＬ／時、９２．５ｍＬ／時、９３ｍＬ／時、９３．５ｍＬ／時、９４ｍＬ／時、９４．５ｍＬ／時、９５ｍＬ／時、９５．５ｍＬ／時、９６ｍＬ／時、９６．５ｍＬ／時、９７ｍＬ／時、９７．５ｍＬ／時、９８ｍＬ／時、９８．５ｍＬ／時、９９ｍＬ／時、９９．５ｍＬ／時、１００ｍＬ／時、２００ｍＬ／時、２５０ｍＬ／時、３００ｍＬ／時、３５０ｍＬ／時、４００ｍＬ／時、４５０ｍＬ／時、５００ｍＬ／時、５５０ｍＬ／時、６００ｍＬ／時、６５０ｍＬ／時、７００ｍＬ／時、７５０ｍＬ／時、８００ｍＬ／時、８５０ｍＬ／時、９００ｍＬ／時、９５０ｍＬ／時、１０００ｍＬ／時、１５００ｍＬ／時、２０００ｍＬ／時、２５００ｍＬ／時、３０００ｍＬ／時、３５００ｍＬ／時、４０００ｍＬ／時、４５００ｍＬ／時、５０００ｍＬ／時、５５００ｍＬ／時、６０００ｍＬ／時、６５００ｍＬ／時、７０００ｍＬ／時、７５００ｍＬ／時、８０００ｍＬ／時、８５００ｍＬ／時、９０００ｍＬ／時、９５００ｍＬ／時、又は１００００ｍＬ／時である。
一実施形態によれば、溶液Ｂの供給速度は、少なくとも１ｍＬ／時、1．５ｍＬ／時、２．５ｍＬ／時、３ｍＬ／時、３．５ｍＬ／時、４ｍＬ／時、４．５ｍＬ／時、５ｍＬ／時、５．５ｍＬ／時、６ｍＬ／時、６．５ｍＬ／時、７ｍＬ／時、７．５ｍＬ／時、８ｍＬ／時、８．５ｍＬ／時、９ｍＬ／時、９．５ｍＬ／時、１０ｍＬ／時、１０．５ｍＬ／時、１１ｍＬ／時、１１．５ｍＬ／時、１２ｍＬ／時、１２．５ｍＬ／時、１３ｍＬ／時、１３．５ｍＬ／時、１４ｍＬ／時、１４．５ｍＬ／時、１５ｍＬ／時、１５．５ｍＬ／時、１６ｍＬ／時、１６．５ｍＬ／時、１７ｍＬ／時、１７．５ｍＬ／時、１８ｍＬ／時、１８．５ｍＬ／時、１９ｍＬ／時、１９．５ｍＬ／時、２０ｍＬ／時、２０．５ｍＬ／時、２１ｍＬ／時、２１．５ｍＬ／時、２２ｍＬ／時、２２．５ｍＬ／時、２３ｍＬ／時、２３．５ｍＬ／時、２４ｍＬ／時、２４．５ｍＬ／時、２５ｍＬ／時、２５．５ｍＬ／時、２６ｍＬ／時、２６．５ｍＬ／時、２７ｍＬ／時、２７．５ｍＬ／時、２８ｍＬ／時、２８．５ｍＬ／時、２９ｍＬ／時、２９．５ｍＬ／時、３０ｍＬ／時、３０．５ｍＬ／時、３１ｍＬ／時、３１．５ｍＬ／時、３２ｍＬ／時、３２．５ｍＬ／時、３３ｍＬ／時、３３．５ｍＬ／時、３４ｍＬ／時、３４．５ｍＬ／時、３５ｍＬ／時、３５．５ｍＬ／時、３６ｍＬ／時、３６．５ｍＬ／時、３７ｍＬ／時、３７．５ｍＬ／時、３８ｍＬ／時、３８．５ｍＬ／時、３９ｍＬ／時、３９．５ｍＬ／時、４０ｍＬ／時、４０．５ｍＬ／時、４１ｍＬ／時、４１．５ｍＬ／時、４２ｍＬ／時、４２．５ｍＬ／時、４３ｍＬ／時、４３．５ｍＬ／時、４４ｍＬ／時、４４．５ｍＬ／時、４５ｍＬ／時、４５．５ｍＬ／時、４６ｍＬ／時、４６．５ｍＬ／時、４７ｍＬ／時、４７．５ｍＬ／時、４８ｍＬ／時、４８．５ｍＬ／時、４９ｍＬ／時、４９．５ｍＬ／時、５０ｍＬ／時、５０．５ｍＬ／時、５１ｍＬ／時、５１．５ｍＬ／時、５２ｍＬ／時、５２．５ｍＬ／時、５３ｍＬ／時、５３．５ｍＬ／時、５４ｍＬ／時、５４．５ｍＬ／時、５５ｍＬ／時、５５．５ｍＬ／時、５６ｍＬ／時、５６．５ｍＬ／時、５７ｍＬ／時、５７．５ｍＬ／時、５８ｍＬ／時、５８．５ｍＬ／時、５９ｍＬ／時、５９．５ｍＬ／時、６０ｍＬ／時、６０．５ｍＬ／時、６１ｍＬ／時、６１．５ｍＬ／時、６２ｍＬ／時、６２．５ｍＬ／時、６３ｍＬ／時、６３．５ｍＬ／時、６４ｍＬ／時、６４．５ｍＬ／時、６５ｍＬ／時、６５．５ｍＬ／時、６６ｍＬ／時、６６．５ｍＬ／時、６７ｍＬ／時、６７．５ｍＬ／時、６８ｍＬ／時、６８．５ｍＬ／時、６９ｍＬ／時、６９．５ｍＬ／時、７０ｍＬ／時、７０．５ｍＬ／時、７１ｍＬ／時、７１．５ｍＬ／時、７２ｍＬ／時、７２．５ｍＬ／時、７３ｍＬ／時、７３．５ｍＬ／時、７４ｍＬ／時、７４．５ｍＬ／時、７５ｍＬ／時、７５．５ｍＬ／時、７６ｍＬ／時、７６．５ｍＬ／時、７７ｍＬ／時、７７．５ｍＬ／時、７８ｍＬ／時、７８．５ｍＬ／時、７９ｍＬ／時、７９．５ｍＬ／時、８０ｍＬ／時、８０．５ｍＬ／時、８１ｍＬ／時、８１．５ｍＬ／時、８２ｍＬ／時、８２．５ｍＬ／時、８３ｍＬ／時、８３．５ｍＬ／時、８４ｍＬ／時、８４．５ｍＬ／時、８５ｍＬ／時、８５．５ｍＬ／時、８６ｍＬ／時、８６．５ｍＬ／時、８７ｍＬ／時、８７．５ｍＬ／時、８８ｍＬ／時、８８．５ｍＬ／時、８９ｍＬ／時、８９．５ｍＬ／時、９０ｍＬ／時、９０．５ｍＬ／時、９１ｍＬ／時、９１．５ｍＬ／時、９２ｍＬ／時、９２．５ｍＬ／時、９３ｍＬ／時、９３．５ｍＬ／時、９４ｍＬ／時、９４．５ｍＬ／時、９５ｍＬ／時、９５．５ｍＬ／時、９６ｍＬ／時、９６．５ｍＬ／時、９７ｍＬ／時、９７．５ｍＬ／時、９８ｍＬ／時、９８．５ｍＬ／時、９９ｍＬ／時、９９．５ｍＬ／時、１００ｍＬ／時、２００ｍＬ／時、２５０ｍＬ／時、３００ｍＬ／時、３５０ｍＬ／時、４００ｍＬ／時、４５０ｍＬ／時、５００ｍＬ／時、５５０ｍＬ／時、６００ｍＬ／時、６５０ｍＬ／時、７００ｍＬ／時、７５０ｍＬ／時、８００ｍＬ／時、８５０ｍＬ／時、９００ｍＬ／時、９５０ｍＬ／時、１０００ｍＬ／時、１５００ｍＬ／時、２０００ｍＬ／時、２５００ｍＬ／時、３０００ｍＬ／時、３５００ｍＬ／時、４０００ｍＬ／時、４５００ｍＬ／時、５０００ｍＬ／時、５５００ｍＬ／時、６０００ｍＬ／時、６５００ｍＬ／時、７０００ｍＬ／時、７５００ｍＬ／時、８０００ｍＬ／時、８５００ｍＬ／時、９０００ｍＬ／時、９５００ｍＬ／時、又は１００００ｍＬ／時である。
一実施形態によれば、液滴は、前記液滴から溶媒を蒸発させるのに十分な温度で加熱される。
一実施形態によれば、該液滴は、０℃、１０℃、１５℃、２０℃、２５℃、５０℃、１００℃、１５０℃、２００℃、２５０℃、３００℃、３５０℃、４００℃、４５０℃、５００℃、５５０℃、６００℃、６５０℃、７００℃、７５０℃、８００℃、８５０℃、９００℃、９５０℃、１０００℃Ｃ、１０５０℃、１１００℃、１１５０℃、１２００℃、１２５０℃、１３００℃、１３５０℃、又は１４００℃で加熱される。
一実施形態によれば、該液滴は、０℃、１０℃、１５℃、２０℃、２５℃、５０℃、１００℃、１５０℃、２００℃、２５０℃、３００℃、３５０℃、４００℃、４５０℃、５００℃、５５０℃、６００℃、６５０℃、７００℃、７５０℃、８００℃、８５０℃、９００℃、９５０℃、１０００℃Ｃ、１０５０℃、１１００℃、１１５０℃、１２００℃、１２５０℃、１３００℃、１３５０℃、又は１４００℃未満で加熱される。
一実施形態によれば、該液滴を、少なくとも０℃、２５℃、５０℃、１００℃、１５０℃、２００℃、２５０℃、３００℃、３５０℃、４００℃、４５０℃、５００℃、５５０℃、６００℃、６５０℃、７００℃、７５０℃、８００℃、８５０℃、９００℃、９５０℃、１０００℃、１０５０℃、１１００℃、１１５０℃、１２００℃、１２５０℃、１３００℃、１３５０℃、又は１４００℃で乾燥させる。
一実施形態によれば、該液滴を、０℃、１０℃、１５℃、２０℃、２５℃、５０℃、１００℃、１５０℃、２００℃、２５０℃、３００℃、３５０℃、４００℃、４５０℃、５００℃、５５０℃、６００℃、６５０℃、７００℃、７５０℃、８００℃、８５０℃、９００℃、９５０℃、１０００℃Ｃ、１０５０℃、１１００℃、１１５０℃、１２００℃、１２５０℃、１３００℃、１３５０℃、又は１４００℃未満で乾燥させる。
一実施形態によれば、該液滴は、加熱されない。
一実施形態によれば、加熱工程の時間は、少なくとも０．１秒、０．２秒、０．３秒、０．４秒、０．５秒、１秒、１．５秒、２秒、２．５秒、３秒、３．５秒、４秒、４．５秒、５秒、５．５秒、６秒、６．５秒、７秒、７．５秒、８秒、８．５秒、９秒、９．５秒、１０秒、１０．５秒、１１秒、１１．５秒、１２秒、１２．５秒、１３秒、１３．５秒、１４秒、１４．５秒、１５秒、１５．５秒、１６秒、１６．５秒、１７秒、１７．５秒、１８秒、１８．５秒、１９秒、１９．５秒、２０秒、２１秒、２２秒、２３秒、２４秒、２５秒、２６秒、２７秒、２８秒、２９秒、３０秒、３１秒、３２秒、３３秒、３４秒、３５秒、３６秒、３７秒、３８秒、３９秒、４０秒、４１秒、４２秒、４３秒、４４秒、４５秒、４６秒、４７秒、４８秒、４９秒、５０秒、５１秒、５２秒、５３秒、５４秒、５５秒、５６秒、５７秒、５８秒、５９秒、又は６０秒である。
一実施形態によれば、該液滴は、火炎を用いて加熱される。
一実施形態によれば、該液滴は、ヒートガンを用いて加熱される。
一実施形態によれば、加熱工程は、管状炉内で行われる。
一実施形態によれば、該液滴は、熱伝達のような対流によって加熱される。
一実施形態によれば、該液滴は、赤外線放射によって加熱される。
一実施形態によれば、該液滴は、マイクロ波によって加熱される。
一実施形態によれば、複合粒子１は、加熱温度より劣る温度で冷却される。
一実施形態によれば、複合粒子１は、少なくとも−２００℃、−１８０℃、−１６０℃、−１４０℃、−１２０℃、−１００℃、−８０℃、−６０℃で、−４０℃、−２０℃、０℃、２０℃、４０℃、６０℃、８０℃、又は１００℃の温度で冷却される。
一実施形態によれば、冷却工程は事実であり、冷却工程の時間は、少なくとも０．１℃／秒、１℃／秒、１０℃／秒、５０℃／秒、１００℃／秒、１５０℃／秒、２００℃／秒、２５０℃／秒、３００℃／秒、３５０℃／秒、４００℃／秒、４５０℃／秒、５００℃／秒、５５０℃／秒、６００℃／秒、６５０℃／秒、７００℃／秒、７５０℃／秒、８００℃／秒、８５０℃／秒、９００℃／秒、９５０℃／秒、又は１０００℃／秒である。
一実施形態によれば、複合粒子１は、その大きさに応じて分離されず、１ｎｍ〜３００μｍの範囲の細孔の大きさを有する特有の膜フィルターを用いて収集される。
一実施形態によれば、複合粒子１は、その大きさに応じて分離されず、１ｎｍ〜３００μｍの範囲の細孔の大きさを有する少なくとも２つの膜フィルターを用いて収集される。
一実施形態によれば、複合粒子１は、１ｎｍ〜３００μｍの範囲の異なる細孔の大きさを有する少なくとも２つの連続膜フィルターを用いて、その大きさに応じて分離及び収集される。
一実施形態によれば、該膜フィルターには、疎水性ポリテトラフルオロエチレン、親水性ポリテトラフルオロエチレン、ポリエーテルスルホン、ナイロン、セルロース、ガラス繊維、ポリカーボネート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリフッ化ビニリデン、銀、ポリオレフィン、ポリプロピレンプレフィルター、又はそれらの混合物が含まれるが、これらに限定されない。
一実施形態によれば、複合粒子１は、膜フィルターをスクラブすることにより、膜フィルターから粉末として収集される。
一実施形態によれば、複合粒子１は、膜フィルターとして使用されるコンベヤベルト上で粉末として収集される。この実施形態において、前記コンベヤベルトは、本方法中に、前記コンベヤベルトをスクラブすることによって連続して粉末を収集するために活性化される。
一実施形態によれば、膜フィルターとして使用されるコンベヤベルトは、１ｎｍ〜３００μｍの範囲の細孔の大きさを有する。
一実施形態によれば、複合粒子１は、有機溶媒中で前記膜フィルターを超音波処理することによって膜フィルターから収集される。
一実施形態によれば、複合粒子１は、水性溶媒中で前記膜フィルターを超音波処理することによって膜フィルターから収集される。
一実施形態によれば、複合粒子１は、極性溶媒中で前記膜フィルターを超音波処理することによって膜フィルターから収集される。
一実施形態によれば、複合粒子１は、非極性溶媒中で前記膜フィルターを超音波処理することによって膜フィルターから収集される。
一実施形態によれば、複合粒子１は、その大きさに応じて分離及び収集される。
一実施形態によれば、複合粒子１は、その充填率に応じて分離及び収集される。
一実施形態によれば、複合粒子１は、そのパッキング率に応じて分離及び収集される。
一実施形態によれば、複合粒子１は、その化学組成に応じて分離及び収集される。
一実施形態によれば、複合粒子１は、その特異的性質に応じて分離及び収集される。
一実施形態によれば、複合粒子１は、温度誘導分離又は磁気誘導分離を用いて、その大きさに応じて分離及び収集される。
一実施形態によれば、複合粒子１は、静電集塵器を用いて、その大きさに応じて分離及び収集される。
一実施形態によれば、複合粒子１は、音波又は重力集塵機を用いて、その大きさに応じて分離及び収集される。
一実施形態によれば、複合粒子１は、サイクロン分離を用いて、その大きさに応じて分離される。
一実施形態によれば、複合粒子１は、螺旋状の管に収集される。この実施形態において、複合粒子１は、前記管の内壁に堆積し、その後、複合粒子１は、前記管内に有機溶媒又は水性溶媒を導入することによって収集することができる。
一実施形態によれば、複合粒子１は、カリウムイオンを含有する水溶液中に収集される。
一実施形態によれば、複合粒子１は、水溶液中に収集される。
一実施形態によれば、複合粒子１は、有機溶液中に収集される。
一実施形態によれば、複合粒子１は、極性溶媒中に収集される。
一実施形態によれば、複合粒子１は、非極性溶媒中に収集される。
一実施形態によれば、複合粒子１は、例えば、シリカ、石英、ケイ素、金、銅、Ａｌ２Ｏ３、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、ＭｇＯ、ＧａＮ、ＧａＳｂ、ＧａＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＧａＰ、ＩｎＰ、ＳｉＧｅ、ＩｎＧａＮ、ＧａＡｌＮ、ＧａＡｌＰＮ、ＡｌＮ、ＡｌＧａＡｓ、ＡｌＧａＰ、ＡｌＧａＩｎＰ、ＡｌＧａＮ、ＡｌＧａＩｎＮ、ＺｎＳｅ、Ｓｉ、ＳｉＣ、ダイヤモンド、窒化ホウ素などの材料を含む支持体上で収集される。
一実施形態において、該支持体は反射性である。
一実施形態において、該支持体は、例えば、アルミニウム又は銀のような金属、ガラス、ポリマーなどの光を反射することを可能にする材料を含む。
一実施形態において、該支持体は、熱伝導性である。
一実施形態によれば、該支持体は、０．５〜４５０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、好ましくは、１〜２００Ｗ／（ｍ．Ｋ）、より好ましくは、１０〜１５０Ｗ／（ｍ．Ｋ）の範囲の標準的な条件での熱伝導性を有する。
一実施形態によれば、該支持体は、少なくとも０．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、０．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、０．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、０．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、０．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、０．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、０．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、０．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、０．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、２．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、３．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、４．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、４．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、４．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、４．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、４．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、４．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、４．７Ｗ／（Ｍ．Ｋ）、４．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、４．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、５．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、５．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、５．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、５．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、５．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、５．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、５．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、５．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、５．９Ｗ／（Ｍ．Ｋ）、６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、６．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、６．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、６．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、６．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、６．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、６．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、６．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、６．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、６．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、７．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、７．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、７．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、７．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、７．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、７．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、７．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、７．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、７．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、８．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、８．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、８．３Ｗ／（Ｍ．Ｋ）、８．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、８．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、８．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、８．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、８．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、８．９Ｗ／（Ｍ．Ｋ）、９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、９．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、９．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、９．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、９．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、９．５Ｗ／（Ｍ．Ｋ）、９．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、９．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、９．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、９．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１０Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１０．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１０．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１０．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１０．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１０．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１０．６Ｗ／（Ｍ．Ｋ）、１０．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１０．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１０．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１１．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１１．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１１．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１１．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１１．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１１．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１１．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１１．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１１．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１２．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１２．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１２．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１２．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１２．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１２．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１２．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１２．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１２．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１３．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１３．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１３．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１３．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１３．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１３．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１３．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１３．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１３．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１４．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１４．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１４．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１４．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１４．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１４．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１４．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１４．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１４．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１５．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１５．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１５．３Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１５．４Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１５．５Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１５．６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１５．７Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１５．８Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１５．９Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１６Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１６．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１６．２Ｗ／（ｍ．Ｋ）、１６．３Ｗ／（ｍ．Ｋ)、１６．４Ｗ／（ｍ．Ｋ)、１６．５Ｗ／（ｍ．Ｋ)、１６．６Ｗ／（ｍ．Ｋ)、１６．７Ｗ／（ｍ．Ｋ)、１６．８Ｗ／（ｍ．Ｋ)、１６．９Ｗ／（ｍ．Ｋ)、１７Ｗ／（ｍ．Ｋ)、１７．１Ｗ／（ｍ．Ｋ)、１７．２Ｗ／（ｍ．Ｋ)、１７．３Ｗ／（ｍ．Ｋ)、１７．４Ｗ／（ｍ．Ｋ)、１７．５Ｗ／（ｍ．Ｋ)、１７．６Ｗ／（ｍ．Ｋ)、１７．７Ｗ／（ｍ．Ｋ)、１７．８Ｗ／（ｍ．Ｋ)、１７．９Ｗ／（ｍ．Ｋ)、１８Ｗ／（ｍ．Ｋ)、１８．１Ｗ／（ｍ．Ｋ)、１８．２Ｗ／（ｍ．Ｋ)、１８．３Ｗ／（ｍ．Ｋ)、１８．４Ｗ／（ｍ．Ｋ)、１８．５Ｗ／（ｍ．Ｋ)、１８．６Ｗ／（ｍ．Ｋ)、１８．７Ｗ／（ｍ．Ｋ)、１８．８Ｗ／（ｍ．Ｋ)、１８．９Ｗ／（ｍ．Ｋ)、１９Ｗ／（ｍ．Ｋ)、１９．１Ｗ／（ｍ．Ｋ)、１９．２Ｗ／（ｍ．Ｋ)、１９．３Ｗ／（ｍ．Ｋ)、１９．４Ｗ／（ｍ．Ｋ)、１９．５Ｗ／（ｍ．Ｋ)、１９．６Ｗ／（ｍ．Ｋ)、１９．７Ｗ／（ｍ．Ｋ)、１９．８Ｗ／（ｍ．Ｋ)、１９．９Ｗ／（ｍ．Ｋ)、２０Ｗ／（ｍ．Ｋ)、２０．１Ｗ／（ｍ．Ｋ)、２０．２Ｗ／（ｍ．Ｋ)、２０．３Ｗ／（ｍ．Ｋ)、２０．４Ｗ／（ｍ．Ｋ)、２０．５Ｗ／（ｍ．Ｋ)、２０．６Ｗ／（ｍ．Ｋ)、２０．７Ｗ／（ｍ．Ｋ)、２０．８Ｗ／（ｍ．Ｋ)、２０．９Ｗ／（ｍ．Ｋ)、２１Ｗ／（ｍ．Ｋ)、２１．１Ｗ／（ｍ．Ｋ)、２１．２Ｗ／（ｍ．Ｋ)、２１．３Ｗ／（ｍ．Ｋ)、２１．４Ｗ／（ｍ．Ｋ)、２１．５Ｗ／（ｍ．Ｋ)、２１．６Ｗ／（ｍ．Ｋ)、２１．７Ｗ／（ｍ．Ｋ)、２１．８Ｗ／（ｍ．Ｋ)、２１．９Ｗ／（ｍ．Ｋ)、２２Ｗ／（ｍ．Ｋ)、２２．１Ｗ／（ｍ．Ｋ)、２２．２Ｗ／（ｍ．Ｋ)、２２．３Ｗ／（ｍ．Ｋ)、２２．４Ｗ／（ｍ．Ｋ)、２２．５Ｗ／（ｍ．Ｋ)、２２．６Ｗ／（ｍ．Ｋ)、２２．７Ｗ／（ｍ．Ｋ)、２２．８Ｗ／（ｍ．Ｋ)、２２．９Ｗ／（ｍ．Ｋ)、２３Ｗ／（ｍ．Ｋ)、２３．１Ｗ／（ｍ．Ｋ)、２３．２Ｗ／（ｍ．Ｋ)、２３．３Ｗ／（ｍ．Ｋ)、２３．４Ｗ／（ｍ．Ｋ)、２３．５Ｗ／（ｍ．Ｋ)、２３．６Ｗ／（ｍ．Ｋ)、２３．７Ｗ／（ｍ．Ｋ)、２３．８Ｗ／（ｍ．Ｋ)、２３．９Ｗ／（ｍ．Ｋ)、２４Ｗ／（ｍ．Ｋ)、２４．１Ｗ／（ｍ．Ｋ)、２４．２Ｗ／（ｍ．Ｋ)、２４．３Ｗ／（ｍ．Ｋ)、２４．４Ｗ／（ｍ．Ｋ)、２４．５Ｗ／（ｍ．Ｋ)、２４．６Ｗ／（ｍ．Ｋ)、２４．７Ｗ／（ｍ．Ｋ)、２４．８Ｗ／（ｍ．Ｋ)、２４．９Ｗ／（ｍ．Ｋ)、２５Ｗ／（ｍ．Ｋ)、３０Ｗ／（ｍ．Ｋ)、４０Ｗ／（ｍ．Ｋ)、５０Ｗ／（ｍ．Ｋ)、６０Ｗ／（ｍ．Ｋ)、７０Ｗ／（ｍ．Ｋ)、８０Ｗ／（ｍ．Ｋ)、９０Ｗ／（ｍ．Ｋ)、１００Ｗ／（ｍ．Ｋ)、１１０Ｗ／（ｍ．Ｋ)、１２０Ｗ／（ｍ．Ｋ)、１３０Ｗ／（ｍ．Ｋ)、１４０Ｗ／（ｍ．Ｋ)、１５０Ｗ／（ｍ．Ｋ)、１６０Ｗ／（ｍ．Ｋ)、１７０Ｗ／（ｍ．Ｋ)、１８０Ｗ／（ｍ．Ｋ)、１９０Ｗ／（ｍ．Ｋ)、２００Ｗ／（ｍ．Ｋ)、２１０Ｗ／（ｍ．Ｋ)、２２０Ｗ／（ｍ．Ｋ)、２３０Ｗ／（ｍ．Ｋ)、２４０Ｗ／（ｍ．Ｋ)、２５０Ｗ／（ｍ．Ｋ)、２６０Ｗ／（ｍ．Ｋ)、２７０Ｗ／（ｍ．Ｋ)、２８０Ｗ／（ｍ．Ｋ)、２９０Ｗ／（ｍ．Ｋ)、３００Ｗ／（ｍ．Ｋ)、３１０Ｗ／（ｍ．Ｋ)、３２０Ｗ／（ｍ．Ｋ)、３３０Ｗ／（ｍ．Ｋ)、３４０Ｗ／（ｍ．Ｋ)、３５０Ｗ／（ｍ．Ｋ)、３６０Ｗ／（ｍ．Ｋ)、３７０Ｗ／（ｍ．Ｋ)、３８０Ｗ／（ｍ．Ｋ)、３９０Ｗ／（ｍ．Ｋ)、４００Ｗ／（ｍ．Ｋ)、４１０Ｗ／（ｍ．Ｋ)、４２０Ｗ／（ｍ．Ｋ)、４３０Ｗ／（ｍ．Ｋ)、４４０Ｗ／（ｍ．Ｋ)、又は４５０Ｗ／（ｍ．Ｋ)の標準的な条件での熱伝導性を有する。
一実施形態によれば、該基板は、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｓｎ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｍｎ、Ｔｉ又はそれらの混合物を含む。
一実施形態によれば、該基板は、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化銅、酸化鉄、酸化銀、酸化鉛、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化亜鉛、酸化錫、酸化ベリリウム、酸化ジルコニウム、酸化ニオブ、酸化セリウム、酸化イリジウム、酸化スカンジウム、酸化ニッケル、酸化ナトリウム、酸化バリウム、酸化カリウム、酸化バナジウム、酸化テルル、酸化マンガン、酸化ホウ素、酸化リン、酸化ゲルマニウム、酸化オスミウム、酸化レニウム、酸化白金、酸化ヒ素、酸化タンタル、酸化リチウム、酸化ストロンチウム、酸化イットリウム、酸化ハフニウム、酸化タングステン、酸化モリブデン、酸化クロム、酸化テクネチウム、酸化ロジウム、酸化ルテニウム、酸化コバルト、酸化パラジウム、酸化カドミウム、酸化水銀、酸化タリウム、酸化ガリウム、酸化インジウム、酸化ビスマス、酸化アンチモン、酸化ポロニウム、酸化セレン、酸化セシウム、酸化ランタン、酸化プラセオジム、酸化ネオジム、酸化サマリウム、酸化ユウロピウム、酸化テルビウム、酸化ジスプロシウム、酸化エルビウム、酸化ホルミウム、酸化ツリウム、酸化イッテルビウム、酸化ルテチウム、酸化ガドリニウム、混合酸化物、それらの混合酸化物又はそれらの混合物を含む。
一実施形態において、該支持体は、基板、ＬＥＤ、ＬＥＤアレイ、器、チューブ又は容器であり得る。好ましくは、該支持体は、２００ｎｍ〜５０μｍ、２００ｎｍ〜１０μｍ、２００ｎｍ〜２５００ｎｍ、２００ｎｍ〜２０００ｎｍ、２００ｎｍ〜１５００ｎｍ、２００ｎｍ〜１０００ｎｍ、２００ｎｍ〜８００ｎｍ、４００ｎｍ〜７００ｎｍ、４００ｎｍ〜６００ｎｍ、又は４００ｎｍ〜４７０ｎｍの波長で光学的に透明である。
一実施形態によれば、複合粒子１は、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ又はＮ２などの不活性気体に懸濁される。
一実施形態によれば、複合粒子１は、官能化支持体上で収集される。
一実施形態によれば、官能化支持体は、特異的結合成分で官能化されており、前記特異的結合成分には、抗原、ステロイド、ビタミン、薬物、ハプテン、代謝産物、毒素、環境汚染物質、アミノ酸、ペプチド、タンパク質、抗体、多糖類、ヌクレオチド、ヌクレオシド、オリゴヌクレオチド、ソラレン、ホルモン、核酸、核酸ポリマー、炭水化物、脂質、リン脂質、リポタンパク質、リポ多糖、リポソーム、親油性ポリマー、合成ポリマー、ポリマー微粒子、生物細胞、ウイルス及びそれらの組み合わせが含まれるが、これらに限定されない。好ましいペプチドには、神経ペプチド、サイトカイン、毒素、プロテアーゼ基質、及びタンパク質キナーゼ基質が含まれるが、これらに限定されない。好ましいタンパク質コンジュゲートには、酵素、抗体、レクチン、糖タンパク質、ヒストン、アルブミン、リポタンパク質、アビジン、ストレプトアビジン、プロテインＡ、プロテインＧ、フィコビリタンパク質及び他の蛍光タンパク質、ホルモン、毒素及び成長因子が含まれるが、これらに限定されない。好ましい核酸ポリマーは、単鎖若しくは多重鎖で、天然若しくは合成のＤＮＡ又はＲＮＡオリゴヌクレオチド、又はＤＮＡ／ＲＮＡハイブリッド、又はモルホリン誘導体化リン化物などの特有なリンカーの組み込み、又はＮ−（２−アミノエチル）グリシン単位などのペプチド核酸であり、該核酸は、５０未満のヌクレオチド、より典型的には、２５未満のヌクレオチドを含有する。官能化支持体の官能化は、当技術分野で公知の技術を用いて行うことができる。一実施形態によれば、複合粒子１は水に分散している。
一実施形態によれば、複合粒子１は有機溶媒に分散しており、前記有機溶媒には、ヘキサン、ヘプタン、ペンタン、オクタン、デカン、ドデカン、メチルホルムアミド、ｎ，ｎ−ジメチルホルムアミド、オクタデセン、スクアレン、トルエン、テトラヒドロフラン、クロロホルム、アセトン、酢酸、ｎ−メチルホルムアミド、ｎ，ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、オクタデセン、スクアレン、例えば、トリ−ｎ−オクチルアミン、１，３−ジアミノプロパン、オレイルアミン、ヘキサデシルアミン、オクタデシルアミンなどのアミン類、スクアレン、例えば、エタノール、メタノール、イソプロパノール、１−ブタノール、１−ヘキサノール、１−デカノール、プロパン−２−オール、エタンジオール、１，２−プロパンジオールなどのアルコール類、又はそれらの混合物が含まれるが、これらに限定されない。
一実施形態によれば、複合粒子１は、溶液中で超音波処理される。この実施形態は、溶液中での前記複合粒子１の分散を可能にする。
一実施形態によれば、複合粒子１は、上記の少なくとも１種の界面活性剤を含む溶液に分散される。この実施形態は、溶液中での前記複合粒子１の凝集を防止する。
一実施形態によれば、本発明の複合粒子１を得るための方法は、本発明の方法の最終工程後に複合粒子１を加熱するための追加の加熱工程を含まず、この追加の加熱工程の温度は、少なくとも１００℃、１５０℃、２００℃、２５０℃、３００℃、３５０℃、４００℃、４５０℃、５００℃、５５０℃、６００℃、６５０℃、７００℃、７５０℃、８００℃、８５０℃、９００℃、９５０℃、１０００℃、１０５０℃、１１００℃、１１５０℃、１２００℃、１２５０℃、１３００℃、１３５０℃、１４００℃、１４５０℃、又は１５００℃である。実際、特に高温での追加の加熱工程は、ナノ粒子３の特定の性質の劣化を引き起こす可能性があり、例えば、複合粒子１に含まれる蛍光ナノ粒子についての蛍光の消光を引き起こす可能性がある。
一実施形態によれば、本発明の複合粒子１を得るための方法は、さらに、複合粒子１を加熱するための追加の加熱工程を含む。この実施形態において、前記追加の加熱工程は、本発明の方法の最終工程後に行われる。
一実施形態によれば、追加の加熱工程の温度は、少なくとも５０℃、１００℃、１５０℃、２００℃、２５０℃、３００℃、３５０℃、４００℃、４５０℃、５００℃、５５０℃、６００℃、６５０℃、７００℃、７５０℃、８００℃、８５０℃、９００℃、９５０℃、１０００℃、１０５０℃、１１００℃、１１５０℃、１２００℃、１２５０℃、１３００℃、１３５０℃、１４００℃、１４５０℃、又は１５００℃である。
一実施形態によれば、追加の加熱工程の時間は、少なくとも５分、１０分、１５分、２０分、２５分、３０分、３５分、４０分、４５分、５０分、５５分、６０分、１．５時間、２時間、２．５時間、３時間、３．５時間、４時間、４．５時間、５時間、５．５時間、６時間、６．５時間、７時間、７．５時間、８時間、８．５時間、９時間、９．５時間、１０時間、１１時間、１２時間、１３時間、１４時間、１５時間、１６時間、１７時間、１８時間、１９時間、２０時間、２１時間、２２時間、２３時間、２４時間、３０時間、 ３６時間、４２時間、４８時間、５４時間、６０時間、６６時間、７２時間、７８時間、８４時間、９０時間、９６時間、１０２時間、１０８時間、１１４時間、１２０時間、１２６時間、１３２時間、１３８時間、１４４時間、１５０時間、１５６時間、１６２時間又は１６８時間である。
一実施形態によれば、本発明の複合粒子１を得るための方法は、さらに、前記複合粒子１の官能化する工程を含む。
一実施形態によれば、複合粒子１は、上記のとおりに官能化される。
一実施形態によれば、本方法は、さらに、複合粒子１上にシェルを形成する工程を含む。
一実施形態において、複合粒子１上にシェルを形成する工程の前に、前記複合粒子１は、上記のとおりに分離、収集、分散及び／又は懸濁される。
一実施形態において、複合粒子１上にシェルを形成する工程の前に、前記複合粒子１は、分離、収集、分散及び／又は懸濁されない。
一実施形態によれば、シェル形成工程は、ケイ素、ホウ素、リン、ゲルマニウム、ヒ素、アルミニウム、鉄、チタン、ジルコニウム、ニッケル、亜鉛、カルシウム、ナトリウム、バリウム、カリウム、マグネシウム、鉛、銀、バナジウム、テルル、マンガン、イリジウム、スカンジウム、ニオブ、錫、セリウム、ベリリウム、タンタル、硫黄、セレン、窒素、フッ素、塩素、カドミウム、硫黄、セレン、インジウム、テルル、水銀、錫、銅、窒素、ガリウム、アンチモン、タリウム、モリブデン、パラジウム、セリウム、タングステン、コバルト、マンガン、又はそれらの混合物；及び対応する酸化物、混合酸化物、それらの混合酸化物又はそれらの混合物のシェルを形成するための酸素分子を含む少なくとも１つの分子の存在下で、それらが配置される管へ、気体に懸濁された複合粒子１を向かわせることを含む。
一実施形態によれば、シェル形成工程は、ケイ素、ホウ素、リン、ゲルマニウム、ヒ素、アルミニウム、鉄、チタン、ジルコニウム、ニッケル、亜鉛、カルシウム、ナトリウム、バリウム、カリウム、マグネシウム、鉛、銀、バナジウム、テルル、マンガン、イリジウム、スカンジウム、ニオブ、錫、セリウム、ベリリウム、タンタル、硫黄、セレン、窒素、フッ素、塩素、カドミウム、硫黄、セレン、インジウム、テルル、水銀、錫、銅、窒素、ガリウム、アンチモン、タリウム、モリブデン、パラジウム、セリウム、タングステン、コバルト、マンガン、又はそれらの混合物；及び対応する酸化物、混合酸化物、それらの混合酸化物又はそれらの混合物のシェルを形成するための酸素分子を含む分子の存在下で、それらが交互に配置される管へ、気体に懸濁された複合粒子１を向かわせることを含む。
一実施形態によれば、シェル形成工程は、ケイ素、ホウ素、リン、ゲルマニウム、ヒ素、アルミニウム、鉄、チタン、ジルコニウム、ニッケル、亜鉛、カルシウム、ナトリウム、バリウム、カリウム、マグネシウム、鉛、銀、バナジウム、テルル、マンガン、イリジウム、スカンジウム、ニオブ、錫、セリウム、ベリリウム、タンタル、硫黄、セレン、窒素、フッ素、塩素、カドミウム、硫黄、セレン、インジウム、テルル、水銀、錫、銅、窒素、ガリウム、アンチモン、タリウム、モリブデン、パラジウム、セリウム、タングステン、コバルト、マンガン、又はそれらの混合物を含む、異なる又は同一の分子を用いて少なくとも２回繰り返され得る。この実施形態において、シェルの厚さが増加する。
一実施形態によれば、シェル形成工程は、複合粒子１上にシェルを形成するための原子層堆積（ＡＬＤ）プロセスに供される管へ、気体に懸濁された複合粒子１を向かわせることを含み、前記シェルは、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化銅、酸化鉄、酸化銀、酸化鉛、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化亜鉛、酸化スズ、酸化ベリリウム、酸化ジルコニウム、酸化ニオブ、酸化セリウム、酸化イリジウム、酸化スカンジウム、酸化ニッケル、酸化ナトリウム、酸化バリウム、酸化カリウム、酸化バナジウム、酸化テルル、酸化マンガン、酸化ホウ素、酸化リン、酸化ゲルマニウム、酸化オスミウム、酸化レニウム、酸化白金、酸化ヒ素、酸化タンタル、酸化リチウム、酸化ストロンチウム、酸化イットリウム、酸化ハフニウム、酸化タングステン、酸化モリブデン、酸化クロム、酸化テクネチウム、酸化ロジウム、酸化ルテニウム、酸化コバルト、酸化パラジウム、酸化金、酸化カドミウム、酸化水銀、酸化タリウム、酸化ガリウム、酸化インジウム、酸化ビスマス、酸化アンチモン、酸化ポロニウム、酸化セレン、酸化セシウム、酸化ランタン、酸化プラセオジム、酸化ネオジム、酸化サマリウム、酸化ユウロピウム、酸化テルビウム、酸化ジスプロシウム、酸化エルビウム、酸化ホルミウム、酸化ツリウム、酸化イッテルビウム、酸化ルテチウム、酸化ガドリニウム、混合酸化物、それらの混合酸化物又はそれらの混合物を含む。
一実施形態によれば、ＡＬＤによるシェル形成工程は、異なる又は同一のシェル前駆体を使用して少なくとも２回繰り返され得る。この実施形態において、シェルの厚さが増加する。
一実施形態によれば、シェル形成工程の管は、直線状、螺旋状又はリング状であり得る。
一実施形態によれば、シェル形成工程中に、複合粒子１を上記の支持体上に堆積させることができる。この実施形態において、前記支持体は、管内にあるか、又はそれ自体が管である。
一実施形態によれば、シェル形成工程は、溶媒中に粒子１を分散させ、上記の加熱工程に供することを含む。
一実施形態によれば、シェル形成工程は、溶媒中に粒子１を分散させ、本発明の方法に供することを含む。この実施形態において、本発明の方法は、少なくとも１つのシェル又はいくつかのシェルをそれぞれ得るために、粒子１を用いて少なくとも粒子１回又は数回繰り返すことができる。
一実施形態によれば、シェル形成工程の後に、複合粒子１は、上記のとおり分離、収集、分散及び／又は懸濁される。
一実施形態によれば、複合粒子１の大きさは、加熱温度、加熱時間、冷却温度、溶液Ａ及び／又はＢの量、溶液Ａ及び／又はＢの濃度、加水分解時間、加水分解温度、ナノ粒子３のコロイド懸濁液中のナノ粒子３の濃度、溶液Ａ若しくはＢにおける酸及び／又は塩基の性質、有機溶媒の性質、システムに注入される気体の性質、又は本方法を実行する装置の様々な要素のジオメトリ及び寸法によって制御することができる。
一実施形態によれば、複合粒子１の粒径分布は、加熱温度、加熱時間、冷却温度、溶液Ａ及び／又はＢの量、溶液Ａ及び／又はＢの濃度、加水分解時間、加水分解温度、ナノ粒子３のコロイド懸濁液中のナノ粒子３の濃度、溶液Ａ若しくはＢにおける酸及び／又は塩基の性質、有機溶媒の性質、システムに注入される気体の性質、又は本方法を実行する装置の様々な要素のジオメトリ及び寸法によって制御することができる。
一実施形態において、ナノ粒子３による複合粒子１の充填の程度は、加熱温度、加熱時間、冷却温度、溶液Ａ及び／又はＢの量、溶液Ａ及び／又はＢの濃度、加水分解時間、加水分解温度、ナノ粒子３のコロイド懸濁液中のナノ粒子３の濃度、溶液Ａ若しくはＢにおける酸及び／又は塩基の性質、有機溶媒の性質、システムに注入される気体の性質、又は本方法を実行する装置の様々な要素のジオメトリ及び寸法によって制御することができる。
一実施形態によれば、複合粒子１の密度は、加熱温度、加熱時間、冷却温度、溶液Ａ及び／又はＢの量、溶液Ａ及び／又はＢの濃度、加水分解時間、加水分解温度、ナノ粒子３のコロイド懸濁液中のナノ粒子３の濃度、溶液Ａ若しくはＢにおける酸及び／又は塩基の性質、有機溶媒の性質、システムに注入される気体の性質、又は本方法を実行する装置の様々な要素のジオメトリ及び寸法によって制御することができる。
一実施形態によれば、複合粒子１の気孔率は、加熱温度、加熱時間、冷却温度、溶液Ａ及び／又はＢの量、溶液Ａ及び／又はＢの濃度、加水分解時間、加水分解温度、ナノ粒子３のコロイド懸濁液中のナノ粒子３の濃度、溶液Ａ若しくはＢにおける酸及び／又は塩基の性質、有機溶媒の性質、システムに注入される気体の性質、又は本方法を実行する装置の様々な要素のジオメトリ及び寸法によって制御することができる。
一実施形態によれば、複合粒子１の透過性は、加熱温度、加熱時間、冷却温度、溶液Ａ及び／又はＢの量、溶液Ａ及び／又はＢの濃度、加水分解時間、加水分解温度、ナノ粒子３のコロイド懸濁液中のナノ粒子３の濃度、溶液Ａ若しくはＢにおける酸及び／又は塩基の性質、有機溶媒の性質、システムに注入される気体の性質、又は本方法を実行する装置の様々な要素のジオメトリ及び寸法によって制御することができる。
一実施形態によれば、本発明の方法は、以下の工程：ナノ粒子３の水性溶液又は有機溶液を調製する工程、少なくとも１０分間、前記溶液中のナノ細孔ガラスを浸漬する工程、浸漬ナノ細孔ガラスを溶液から取り出し、空気中で乾燥させる工程、樹脂でナノ細孔ガラスを包装及びパッキングする工程、並びに前記樹脂を固化する工程を含まない。
一実施形態によれば、本方法は、さらに、Ｈ２ガス流中の得られたままの粒子の分散を含む。この実施形態において、前記Ｈ２ガス流は、ナノ粒子３、無機材料２及び／又は複合粒子１の欠陥のパッシベーションを可能にする。
本発明の別の目的は、本発明の方法により取得可能な若しくは取得された複合粒子１又は複合粒子１の集団に関する。本出願では、複合粒子１の集団は、最大発光波長によって定義される。
一実施形態によれば、本発明の方法により取得可能な若しくは取得された複合粒子１又は複合粒子１の集団は、上記のように官能化される。
一実施形態によれば、本発明の方法により取得可能な若しくは取得された複合粒子１の少なくとも０％、５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、又は９５％は空であり、すなわち、それらはナノ粒子３を含まない。
様々な実施形態を記載及び図示してきたが、詳細な説明は、これに限定されると解釈されるべきではない。特許請求の範囲によって定義される本開示の真の趣旨及び範囲から逸脱することなく、当業者は、実施形態に様々な変更を行うことができる。
図１は、無機材料２内に封入された複数のナノ粒子３を含む複合粒子１を示す。 図２は、無機材料２内に封入された複数の球状ナノ粒子３１を含む複合粒子１を示す。 図３は、無機材料２内に封入された複数の２Ｄナノ粒子３２を含む複合粒子１を示す。 図４は、無機材料２内に封入された複数の球状ナノ粒子３１及び複数の２Ｄナノ粒子３２を含む複合粒子１を示す。 図５は、異なるナノ粒子３を示す。図５Ａは、シェルを含まないコアナノ粒子３３を示す。図５Ｂは、１つのシェル３４を有するコア３３／シェル３４ナノ粒子３を示す。図５Ｃは、２つの異なるシェル（３４、３５）を有するコア３３／シェル（３４、３５）のナノ粒子３を示す。図５Ｄは、酸化物絶縁体シェル３６によって囲まれた２つの異なるシェル（３４、３５）を有するコア３３／シェル（３４、３５、３６）ナノ粒子３を示す。図５Ｅは、コア３３／クラウン３７ナノ粒子３２を示す。図５Ｆは、１つのシェル３４を有するコア３３／シェル３４ナノ粒子３２の断面図を示す。図５Ｇは、２つの異なるシェル（３４、３５）を有するコア３３／シェル（３４、３５）ナノ粒子３２の断面図を示す。図５Ｈは、酸化物絶縁体シェル３６によって囲まれた２つの異なるシェル（３４、３５）を有するコア３３／シェル（３４、３５、３６）ナノ粒子３２の断面図を示す。 図６は、発光材料７を示す。図６Ａは、無機材料２内に封入された複数の２Ｄナノ粒子３２を含むホスト材料７１及び本発明の少なくとも１つの複合粒子１を含む発光材料７を示す。図６Ｂは、ホスト材料７１；無機材料２内に封入された複数の２Ｄナノ粒子３２を含む本発明の少なくとも１つの複合粒子１；無機材料２１を含む複数の粒子；及び複数の２Ｄナノ粒子３２を含む発光材料７を示す。 図７は、光電子装置を示す。図７Ａは、ＬＥＤ支持体４、ＬＥＤチップ５及び前記ＬＥＤチップ５上に堆積した複合体粒子１を含む光電子装置を示し、複合粒子１はＬＥＤチップ５を覆っている。図７Ｂは、ＬＥＤ支持体４、ＬＥＤチップ５及び前記ＬＥＤチップ５上に堆積した複合体粒子１を含む光電子装置を示し、複合粒子１はＬＥＤチップ５を覆い、囲っている。 図８は、ＬＥＤ支持体４及び複数のマイクロサイズ化ＬＥＤ６を含むマイクロサイズ化ＬＥＤアレイを示し、画素ピッチＤは、画素の中心から次の画素の中心までの距離である。 図９は、光電子装置を示す。図９Ａは、ＬＥＤ支持体４、マイクロサイズ化ＬＥＤ６、及び前記マイクロサイズ化ＬＥＤ６上に堆積した複合粒子１を含む光電子装置を示し、複合粒子１はマイクロサイズ化ＬＥＤ６を覆っている。図９Ｂは、ＬＥＤ支持体４、マイクロサイズ化ＬＥＤ６、及び前記マイクロサイズ化ＬＥＤ６上に堆積した複合粒子１を含む光電子装置を示し、複合粒子１はマイクロサイズ化ＬＥＤ６を覆い、囲っている。 図１０は、無機材料（明るいコントラスト）に均一に分散したナノ粒子（暗コントラスト）を示すＴＥＭイメージである。図１０Ａは、ＳｉＯ２（明るいコントラスト−＠ＳｉＯ２）に均一に分散したＣｄＳｅ／ＣｄＺｎＳナノプレートレット（暗コントラスト）を示すＴＥＭイメージである。図１０Ｂは、ＳｉＯ２（明るいコントラスト−＠ＳｉＯ２）に均一に分散したＣｄＳｅ／ＣｄＺｎＳナノプレートレット（暗コントラスト）を示すＴＥＭイメージである。図１０Ｃは、Ａｌ２Ｏ３（明るいコントラスト−＠Ａｌ２Ｏ３）に均一に分散したＣｄＳｅ／ＣｄＺｎＳナノプレートレット（暗コントラスト）を示すＴＥＭイメージである。 図１１は、複合粒子１のＮ２吸着等温線を示す。図１１Ａは、塩基性水溶液から及び酸性溶液から調製した複合粒子１のＣｄＳｅ／ＣｄＺｎＳ＠ＳｉＯ２のＮ２吸着等温線を示す。図１１Ｂは、１５０℃、３００℃及び５５０℃で液滴を加熱することによって得られた複合粒子１のＣｄＳｅ／ＣｄＺｎＳ＠Ａｌ２Ｏ３のＮ２吸着等温線を示す。 図１２は、無機材料２に封入された複数のナノ粒子３２を含むコア１１、及び無機材料２１に封入された複数のナノ粒子３１を含むシェル１２を含む複合粒子１を示す。 図１３は、４枚の透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）イメージのセットである。図１３Ａ〜Ｂは、逆相マイクロエマルションによって調製したＩｎＰ／ＺｎＳ＠ＳｉＯ２を示す。図１３Ｃ〜Ｄは、実施例３５に詳述するように調製したＣｄＳｅ／ＣｄＳ／ＺｎＳ＠ＳｉＯ２を示す。
実施例
本発明を、以下の実施例によってさらに例示する。
実施例１：無機ナノ粒子の調製
本明細書の実施例で使用したナノ粒子を、当技術分野の方法に応じて調製した（Ｌｈｕｉｌｌｉｅｒ Ｅ．ら，Ａｃｃ．Ｃｈｅｍ．Ｒｅｓ．，２０１５，４８（１），ｐｐ２２−３０；Ｐｅｄｅｔｔｉｓ．ら，Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，２０１４，１３６（４６），ｐｐ１６４３０−１６４３８；Ｉｔｈｕｒｒｉａｓ．ら，Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，２００８，１３０，１６５０４−１６５０５；Ｎａｓｉｌｏｗｓｋｉ Ｍ．ら，Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．２０１６，１１６，１０９３４−１０９８２）。
本明細書の実施例で使用したナノ粒子を、ＣｄＳｅ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＳ、ＣｄＴｅ、ＣｄＳｅ／ＣｄＳ、ＣｄＳｅ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＳ／ＺｎＳ、ＣｄＳ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＴｅ／ＺｎＳ、ＣｄＴｅ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＳｅＳ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅＳ／ＣｄＳ、ＣｄＳｅＳ／ＣｄＺｎＳ、ＣｕＩｎＳ２／ＺｎＳ、ＣｕＩｎＳｅ２／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＣｄＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳ、ＩｎＺｎＰ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳｅＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳｅ、ＩｎＰ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＳｅ／ＣｄＺｎＳ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅ／ＺｎＳ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＳｅ／ＣｄＳ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅ／ＣｄＳ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＳｅ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅＳ／ＣｄＳ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅＳ／ＣｄＳ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＳｅＳ／ＣｄＺｎＳ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅＳ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅＳ／ＺｎＳｅ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＳｅＳ／ＺｎＳ／ＣｄＺｎｓ、ＣｄＳｅ／ＺｎＳ／ＣｄＳ、ＣｄＳｅＳ／ＺｎＳ／ＣｄＳ、ＣｄＳｅ／ＺｎＳｅ／ＣｄＺｎＳ、Ｉｎｐ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＣｄＳ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＣｄＳ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳ／ＣｄＳ、ＩｎＰ／ＧａＰ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＧａＰ／ＺｎＳｅ、ＩｎＰ／ＣｄＺｎＳ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳ／ＣｄＺｎＳ、ＩｎＰ／ＣｄＳ／ＣｄＺｎＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳｅ／ＣｄＺｎＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳ／ＺｎＳｅ、ＩｎＰ／ＧａＰ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ、ナノプレートレット又は量子ドットを含む群から選択した。
実施例２：相転移のための塩基性水溶液中での配位子交換
ヘプタンに懸濁したＣｄＳｅ＠ＣｄＺｎＳナノプレートレット１００μＬを、３−メルカプトプロピオン酸と混合し、数時間、６０℃で加熱した。次いで、ナノ粒子を遠心分離により沈殿させ、ジメチルホルムアミドに再分散させた。カリウムｔｅｒｔ−ブトキシドを溶液に添加し、その後、エタノールを添加して、遠心分離した。最終コロイド状ナノ粒子を水に再分散させた。
実施例３：相転移のための酸性水溶液中での配位子交換
塩基性水溶液に懸濁したＣｄＳｅ／ＣｄＺｎＳナノプレートレット１００μＬを、エタノールと混合し、遠心分離した。ＰＥＧ系ポリマーを水に溶解し、沈殿したナノプレートレットに添加した。酢酸をコロイド懸濁液に溶解し、酸性ｐＨに調整した。
実施例４：塩基性水溶液からの複合粒子の調製−ＣｄＳｅ／ＣｄＺｎＳ＠ＳｉＯ２
塩基性水溶液に懸濁したＣｄＳｅ／ＣｄＺｎＳナノプレートレット１００μＬを、前もって２４時間加水分解した０．１３ＭのＴＥＯＳの塩基性水溶液と混合し、次いで、噴霧乾燥設定に置いた。液体混合物を、溶媒の沸点から１０００℃までの範囲の温度で加熱した管状炉に向けて窒素流を用いて噴霧した。該複合粒子をフィルターの表面で収集した。
図１０Ａ〜Ｂは、得られた粒子のＴＥＭ画像を示す。
図１１Ａは、生じた粒子のＮ２吸着等温線を示す。前記生じた粒子は多孔質である。
ＣｄＳｅ／ＣｄＺｎＳナノプレートレットと、ＣｄＳｅ、ＣｄＳ、ＣｄＴｅ、ＣｄＳｅ／ＣｄＳ、ＣｄＳｅ／ＺｎＳ、Ｃｄｓｅ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＳ／ＺｎＳ、ＣｄＳ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＴｅ／ＺｎＳ、ＣｄＴｅ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＳｅＳ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅＳ／ＣｄＳ、ＣｄＳｅＳ／ＣｄＺｎＳ、ＣｕＩｎＳ２／ＺｎＳ、ＣｕＩｎＳｅ２／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＣｄＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳ、ＩｎＺｎＰ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳｅＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳｅ、ＩｎＰ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＳｅ／ＣｄＺｎＳ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅ／ＺｎＳ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＳｅ／ＣｄＳ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅ／ＣｄＳ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＳｅ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅＳ／ＣｄＳ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅＳ／ＣｄＳ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＳｅＳ／ＣｄＺｎＳ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅＳ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅＳ／ＺｎＳｅ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＳｅＳ／ＺｎＳ／ＣｄＺｎｓ、ＣｄＳｅ／ＺｎＳ／ＣｄＳ、ＣｄＳｅＳ／ＺｎＳ／ＣｄＳ、ＣｄＳｅ／ＺｎＳｅ／ＣｄＺｎＳ、Ｉｎｐ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＣｄＳ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＣｄＳ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳ／ＣｄＳ、ＩｎＰ／ＧａＰ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＧａＰ／ＺｎＳｅ、ＩｎＰ／ＣｄＺｎＳ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳ／ＣｄＺｎＳ、ＩｎＰ／ＣｄＳ／ＣｄＺｎＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳｅ／ＣｄＺｎＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳ／ＺｎＳｅ、ＩｎＰ／ＧａＰ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ、ナノプレートレット又は量子ドット、又はそれらの混合物を置換することによって、同じ手順を行った。
ＣｄＳｅ／ＣｄＺｎＳナノプレートレットと、有機ナノ粒子、無機ナノ粒子、例えば、金属ナノ粒子、ハライドナノ粒子、カルコゲナイドナノ粒子、リン化物ナノ粒子、硫化物ナノ粒子、半金属ナノ粒子、金属合金ナノ粒子、蛍光体ナノ粒子、ペロブスカイトナノ粒子、セラミックナノ粒子、例えば、酸化物ナノ粒子、炭化物ナノ粒子、窒化物ナノ粒子、又はそれらの混合物を置換することによって、同じ手順を行った。
実施例５：酸性水溶液からの複合粒子の調製−ＣｄＳｅ／ＣｄＺｎＳ＠ＳｉＯ２
酸性水溶液に懸濁したＣｄＳｅ／ＣｄＺｎＳナノプレートレット１００μＬを、前もって２４時間加水分解した０．１３ＭのＴＥＯＳの酸性水溶液と混合し、次いで、噴霧乾燥設定に置いた。液体混合物を、溶媒の沸点から１０００℃までの範囲の温度で加熱した管状炉に向けて窒素流を用いて噴霧した。該複合粒子をフィルターの表面で収集した。
図１１Ａは、生じた粒子のＮ２吸着等温線を示す。前記生じた粒子は多孔質ではない。
ＣｄＳｅ／ＣｄＺｎＳナノプレートレットと、ＣｄＳｅ、ＣｄＳ、ＣｄＴｅ、ＣｄＳｅ／ＣｄＳ、ＣｄＳｅ／ＺｎＳ、Ｃｄｓｅ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＳ／ＺｎＳ、ＣｄＳ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＴｅ／ＺｎＳ、ＣｄＴｅ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＳｅＳ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅＳ／ＣｄＳ、ＣｄＳｅＳ／ＣｄＺｎＳ、ＣｕＩｎＳ２／ＺｎＳ、ＣｕＩｎＳｅ２／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＣｄＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳ、ＩｎＺｎＰ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳｅＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳｅ、ＩｎＰ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＳｅ／ＣｄＺｎＳ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅ／ＺｎＳ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＳｅ／ＣｄＳ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅ／ＣｄＳ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＳｅ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅＳ／ＣｄＳ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅＳ／ＣｄＳ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＳｅＳ／ＣｄＺｎＳ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅＳ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅＳ／ＺｎＳｅ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＳｅＳ／ＺｎＳ／ＣｄＺｎｓ、ＣｄＳｅ／ＺｎＳ／ＣｄＳ、ＣｄＳｅＳ／ＺｎＳ／ＣｄＳ、ＣｄＳｅ／ＺｎＳｅ／ＣｄＺｎＳ、Ｉｎｐ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＣｄＳ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＣｄＳ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳ／ＣｄＳ、ＩｎＰ／ＧａＰ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＧａＰ／ＺｎＳｅ、ＩｎＰ／ＣｄＺｎＳ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳ／ＣｄＺｎＳ、ＩｎＰ／ＣｄＳ／ＣｄＺｎＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳｅ／ＣｄＺｎＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳ／ＺｎＳｅ、ＩｎＰ／ＧａＰ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ、ナノプレートレット又は量子ドット、又はそれらの混合物を置換することによって、同じ手順を行った。
ＣｄＳｅ／ＣｄＺｎＳナノプレートレットと、有機ナノ粒子、無機ナノ粒子、例えば、金属ナノ粒子、ハライドナノ粒子、カルコゲナイドナノ粒子、リン化物ナノ粒子、硫化物ナノ粒子、半金属ナノ粒子、金属合金ナノ粒子、蛍光体ナノ粒子、ペロブスカイトナノ粒子、セラミックナノ粒子、例えば、酸化物ナノ粒子、炭化物ナノ粒子、窒化物ナノ粒子、又はそれらの混合物を置換することによって、同じ手順を行った。
実施例６：ヘテロ元素を用いた塩基性水溶液からの複合粒子の調製−ＣｄＳｅ／ＣｄＺｎＳ＠ＳｉｘＣｄｙＺｎｚＯｗ
酸性水溶液に懸濁したＣｄＳｅ／ＣｄＺｎＳナノプレートレット１００μＬを、０．０１Ｍの酢酸カドミウム及び０．０１Ｍの酸化亜鉛の存在下で前もって２４時間加水分解した０．１３ＭのＴＥＯＳの酸性水溶液と混合し、次いで、噴霧乾燥設定に置いた。液体混合物を、溶媒の沸点から１０００℃までの範囲の温度で加熱した管状炉に向けて窒素流を用いて噴霧した。該複合粒子をフィルターの表面で収集した。
ＣｄＳｅ／ＣｄＺｎＳナノプレートレットと、ＣｄＳｅ、ＣｄＳ、ＣｄＴｅ、ＣｄＳｅ／ＣｄＳ、ＣｄＳｅ／ＺｎＳ、Ｃｄｓｅ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＳ／ＺｎＳ、ＣｄＳ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＴｅ／ＺｎＳ、ＣｄＴｅ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＳｅＳ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅＳ／ＣｄＳ、ＣｄＳｅＳ／ＣｄＺｎＳ、ＣｕＩｎＳ２／ＺｎＳ、ＣｕＩｎＳｅ２／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＣｄＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳ、ＩｎＺｎＰ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳｅＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳｅ、ＩｎＰ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＳｅ／ＣｄＺｎＳ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅ／ＺｎＳ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＳｅ／ＣｄＳ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅ／ＣｄＳ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＳｅ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅＳ／ＣｄＳ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅＳ／ＣｄＳ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＳｅＳ／ＣｄＺｎＳ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅＳ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅＳ／ＺｎＳｅ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＳｅＳ／ＺｎＳ／ＣｄＺｎｓ、ＣｄＳｅ／ＺｎＳ／ＣｄＳ、ＣｄＳｅＳ／ＺｎＳ／ＣｄＳ、ＣｄＳｅ／ＺｎＳｅ／ＣｄＺｎＳ、Ｉｎｐ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＣｄＳ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＣｄＳ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳ／ＣｄＳ、ＩｎＰ／ＧａＰ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＧａＰ／ＺｎＳｅ、ＩｎＰ／ＣｄＺｎＳ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳ／ＣｄＺｎＳ、ＩｎＰ／ＣｄＳ／ＣｄＺｎＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳｅ／ＣｄＺｎＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳ／ＺｎＳｅ、ＩｎＰ／ＧａＰ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ、ナノプレートレット又は量子ドット、又はそれらの混合物を置換することによって、同じ手順を行った。
ＣｄＳｅ／ＣｄＺｎＳナノプレートレットと、有機ナノ粒子、無機ナノ粒子、例えば、金属ナノ粒子、ハライドナノ粒子、カルコゲナイドナノ粒子、リン化物ナノ粒子、硫化物ナノ粒子、半金属ナノ粒子、金属合金ナノ粒子、蛍光体ナノ粒子、ペロブスカイトナノ粒子、セラミックナノ粒子、例えば、酸化物ナノ粒子、炭化物ナノ粒子、窒化物ナノ粒子、又はそれらの混合物を置換することによって、同じ手順を行った。
実施例７：有機溶液及び水溶液からの複合粒子の調製−ＣｄＳｅ／ＣｄＺｎＳ＠Ａｌ２Ｏ３
ヘプタンに懸濁したＣｄＳｅ／ＣｄＺｎＳナノプレートレット１００μＬを、アルミニウムトリｓｅｃブトキシド及びペンタン５ｍＬと混合し、次いで、噴霧乾燥設定に置いた。他方で、塩基性水溶液を調製し、同じ噴霧乾燥設定であるが、最初のヘプタン溶液とは異なる場所に置いた。２種類の液体を、溶媒の沸点から１０００℃までの範囲の温度で加熱した管状炉に向けて窒素流を用いて同時に噴霧した。該複合粒子をフィルターの表面で収集した。
図１０Ｃは、生じた粒子のＴＥＭ画像を示す。
図１１Ｂは、１５０℃、３００℃及び５５０℃で液滴の加熱後に得られた粒子のＮ２吸着等温線を示す。加熱温度の上昇により、多孔性は喪失する。そのため、１５０℃で加熱して得られた粒子は多孔質であるが、３００℃及び５５０℃で加熱して得られた粒子は多孔質ではない。
ＣｄＳｅ／ＣｄＺｎＳナノプレートレットと、ＣｄＳｅ、ＣｄＳ、ＣｄＴｅ、ＣｄＳｅ／ＣｄＳ、ＣｄＳｅ／ＺｎＳ、Ｃｄｓｅ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＳ／ＺｎＳ、ＣｄＳ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＴｅ／ＺｎＳ、ＣｄＴｅ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＳｅＳ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅＳ／ＣｄＳ、ＣｄＳｅＳ／ＣｄＺｎＳ、ＣｕＩｎＳ２／ＺｎＳ、ＣｕＩｎＳｅ２／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＣｄＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳ、ＩｎＺｎＰ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳｅＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳｅ、ＩｎＰ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＳｅ／ＣｄＺｎＳ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅ／ＺｎＳ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＳｅ／ＣｄＳ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅ／ＣｄＳ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＳｅ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅＳ／ＣｄＳ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅＳ／ＣｄＳ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＳｅＳ／ＣｄＺｎＳ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅＳ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅＳ／ＺｎＳｅ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＳｅＳ／ＺｎＳ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＳｅ／ＺｎＳ／ＣｄＳ、ＣｄＳｅＳ／ＺｎＳ／ＣｄＳ、ＣｄＳｅ／ＺｎＳｅ／ＣｄＺｎＳ、Ｉｎｐ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＣｄＳ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＣｄＳ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳ／ＣｄＳ、ＩｎＰ／ＧａＰ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＧａＰ／ＺｎＳｅ、ＩｎＰ／ＣｄＺｎＳ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳ／ＣｄＺｎＳ、ＩｎＰ／ＣｄＳ／ＣｄＺｎＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳｅ／ＣｄＺｎＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳ／ＺｎＳｅ、ＩｎＰ／ＧａＰ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ、ナノプレートレット又は量子ドット、又はそれらの混合物を置換することによって、同じ手順を行った。
ＣｄＳｅ／ＣｄＺｎＳナノプレートレットと、有機ナノ粒子、無機ナノ粒子、例えば、金属ナノ粒子、ハライドナノ粒子、カルコゲナイドナノ粒子、リン化物ナノ粒子、硫化物ナノ粒子、半金属ナノ粒子、金属合金ナノ粒子、蛍光体ナノ粒子、ペロブスカイトナノ粒子、セラミックナノ粒子、例えば、酸化物ナノ粒子、炭化物ナノ粒子、窒化物ナノ粒子、又はそれらの混合物を置換することによって、同じ手順を行った。
Ａｌ２Ｏ３と、ＺｎＴｅ、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、ＨｆＯ２、ＺｎＳｅ、ＺｎＯ、ＺｎＳ又はＭｇＯ、又はそれらの混合物を置換することによって、同じ手順を行った。上記の手順の反応温度を、選択した無機材料に応じて変化させた。
Ａｌ２Ｏ３と、金属材料、ハライド材料、カルコゲナイド材料、リン化物材料、硫化物材料、半金属材料、金属合金材料、蛍光材料、ペロブスカイト材料、セラミック材料、例えば、酸化物、炭化物、窒化物、ガラス、エナメル、セラミック、石、宝石、顔料、セメント及び／又は無機ポリマー、又はそれらの混合物を置換することによって、同じ手順を行った。上記の手順の反応温度を、選択した無機材料に応じて変化させた。
実施例８：有機溶液及び水溶液からの複合粒子の調製−ＩｎＰ／ＺｎＳ＠Ａｌ２Ｏ３
ヘプタンに懸濁したＩｎＰ／ＺｎＳナノ粒子４ｍＬを、アルミニウムトリｓｅｃブトキシド及びヘプタン４００ｍＬと混合し、次いで、噴霧乾燥設定に置いた。他方で、酸性水溶液を調製し、同じ噴霧乾燥設定であるが、最初のヘキサン溶液とは異なる場所に置いた。２種類の液体を、液滴を形成させるための２つの異なる手段により、溶媒の沸点から１０００℃までの範囲の温度で加熱した管状炉に向けて窒素流を用いて同時に噴霧した。該複合粒子をフィルターの表面で収集した。
ＩｎＰ／ＺｎＳナノ粒子と、ＣｄＳｅ、ＣｄＳ、ＣｄＴｅ、ＣｄＳｅ／ＣｄＳ、ＣｄＳｅ／ＺｎＳ、Ｃｄｓｅ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＳ／ＺｎＳ、ＣｄＳ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＴｅ／ＺｎＳ、ＣｄＴｅ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＳｅＳ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅＳ／ＣｄＳ、ＣｄＳｅＳ／ＣｄＺｎＳ、ＣｕＩｎＳ２／ＺｎＳ、ＣｕＩｎＳｅ２／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＣｄＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳ、ＩｎＺｎＰ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳｅＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳｅ、ＩｎＰ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＳｅ／ＣｄＺｎＳ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅ／ＺｎＳ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＳｅ／ＣｄＳ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅ／ＣｄＳ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＳｅ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅＳ／ＣｄＳ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅＳ／ＣｄＳ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＳｅＳ／ＣｄＺｎＳ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅＳ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅＳ／ＺｎＳｅ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＳｅＳ／ＺｎＳ／ＣｄＺｎｓ、ＣｄＳｅ／ＺｎＳ／ＣｄＳ、ＣｄＳｅＳ／ＺｎＳ／ＣｄＳ、ＣｄＳｅ／ＺｎＳｅ／ＣｄＺｎＳ、Ｉｎｐ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＣｄＳ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＣｄＳ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳ／ＣｄＳ、ＩｎＰ／ＧａＰ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＧａＰ／ＺｎＳｅ、ＩｎＰ／ＣｄＺｎＳ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳ／ＣｄＺｎＳ、ＩｎＰ／ＣｄＳ／ＣｄＺｎＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳｅ／ＣｄＺｎＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳ／ＺｎＳｅ、ＩｎＰ／ＧａＰ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ、ナノプレートレット又は量子ドット、又はそれらの混合物を置換することによって、同じ手順を行った。
ＣｄＳｅ／ＣｄＺｎＳナノプレートレットと、有機ナノ粒子、無機ナノ粒子、例えば、金属ナノ粒子、ハライドナノ粒子、カルコゲナイドナノ粒子、リン化物ナノ粒子、硫化物ナノ粒子、半金属ナノ粒子、金属合金ナノ粒子、蛍光体ナノ粒子、ペロブスカイトナノ粒子、セラミックナノ粒子、例えば、酸化物ナノ粒子、炭化物ナノ粒子、窒化物ナノ粒子、又はそれらの混合物を置換することによって、同じ手順を行った。
Ａｌ２Ｏ３と、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、ＨｆＯ２、ＺｎＴｅ、ＺｎＳｅ、ＺｎＯ、ＺｎＳ又はＭｇＯ、又はそれらの混合物を置換することによって、同じ手順を行った。上記の手順の反応温度を、選択した無機材料に応じて変化させた。
Ａｌ２Ｏ３と、金属材料、ハライド材料、カルコゲナイド材料、リン化物材料、硫化物材料、半金属材料、金属合金材料、蛍光材料、ペロブスカイト材料、セラミック材料、例えば、酸化物、炭化物、窒化物、ガラス、エナメル、セラミック、石、宝石、顔料、セメント及び／又は無機ポリマー、又はそれらの混合物を置換することによって、同じ手順を行った。上記の手順の反応温度を、選択した無機材料に応じて変化させた。
実施例９：有機溶液及び水溶液からの複合粒子の調製−ＣＨ５Ｎ２−ＰｂＢｒ３＠Ａｌ２Ｏ３
ヘキサンに懸濁したＣＨ５Ｎ２−ＰｂＢｒ３ナノ粒子１００μＬを、アルミニウムトリｓｅｃブトキシド及びヘキサン５ｍＬと混合し、次いで、噴霧乾燥設定に置いた。他方で、酸性水溶液を調製し、同じ噴霧乾燥設定であるが、最初のヘキサン溶液とは異なる場所に置いた。２種類の液体を、液滴を形成させるための２つの異なる手段により、溶媒の沸点から１０００℃までの範囲の温度で加熱した管状炉に向けて窒素流を用いて同時に噴霧した。該複合粒子をフィルターの表面で収集した。
Ａｌ２Ｏ３と、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、ＨｆＯ２、ＺｎＴｅ、ＺｎＳｅ、ＺｎＯ、ＺｎＳ又はＭｇＯ、又はそれらの混合物を置換することによって、同じ手順を行った。上記の手順の反応温度を、選択した無機材料に応じて変化させた。
Ａｌ２Ｏ３と、金属材料、ハライド材料、カルコゲナイド材料、リン化物材料、硫化物材料、半金属材料、金属合金材料、蛍光材料、ペロブスカイト材料、セラミック材料、例えば、酸化物、炭化物、窒化物、ガラス、エナメル、セラミック、石、宝石、顔料、セメント及び／又は無機ポリマー、又はそれらの混合物を置換することによって、同じ手順を行った。上記の手順の反応温度を、選択した無機材料に応じて変化させた。
実施例１０：有機溶液及び水溶液からの複合粒子の調製−ＣｄＳｅ／ＣｄＺｎＳ−Ａｕ＠ＳｉＯ２
一方で、酸性水溶液に懸濁した金ナノ粒子１００μＬ及びＣｄＳｅ／ＣｄＺｎＳナノプレートレット１００μＬを、前もって２４時間加水分解した０．１３ＭのＴＥＯＳの酸性水溶液と混合し、次いで、噴霧乾燥設定に置いた。懸濁液を、溶媒の沸点から１０００℃までの範囲の温度で加熱した管状炉に向けて窒素流を用いて噴霧した。複合粒子をＧａＮ基板の表面で収集した。次いで、複合粒子が堆積したＧａＮ基板を１ｍｍ×１ｍｍの片に切断し、電気接続して、青色光と蛍光ナノ粒子が放つ光の混合物を放つＬＥＤを得た。
ＣｄＳｅ／ＣｄＺｎＳナノプレートレットと、ＣｄＳｅ、ＣｄＳ、ＣｄＴｅ、ＣｄＳｅ／ＣｄＳ、ＣｄＳｅ／ＺｎＳ、Ｃｄｓｅ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＳ／ＺｎＳ、ＣｄＳ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＴｅ／ＺｎＳ、ＣｄＴｅ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＳｅＳ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅＳ／ＣｄＳ、ＣｄＳｅＳ／ＣｄＺｎＳ、ＣｕＩｎＳ２／ＺｎＳ、ＣｕＩｎＳｅ２／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＣｄＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳ、ＩｎＺｎＰ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳｅＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳｅ、ＩｎＰ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＳｅ／ＣｄＺｎＳ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅ／ＺｎＳ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＳｅ／ＣｄＳ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅ／ＣｄＳ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＳｅ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅＳ／ＣｄＳ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅＳ／ＣｄＳ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＳｅＳ／ＣｄＺｎＳ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅＳ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅＳ／ＺｎＳｅ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＳｅＳ／ＺｎＳ／ＣｄＺｎｓ、ＣｄＳｅ／ＺｎＳ／ＣｄＳ、ＣｄＳｅＳ／ＺｎＳ／ＣｄＳ、ＣｄＳｅ／ＺｎＳｅ／ＣｄＺｎＳ、Ｉｎｐ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＣｄＳ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＣｄＳ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳ／ＣｄＳ、ＩｎＰ／ＧａＰ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＧａＰ／ＺｎＳｅ、ＩｎＰ／ＣｄＺｎＳ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳ／ＣｄＺｎＳ、ＩｎＰ／ＣｄＳ／ＣｄＺｎＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳｅ／ＣｄＺｎＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳ／ＺｎＳｅ、ＩｎＰ／ＧａＰ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ、ナノプレートレット又は量子ドット、又はそれらの混合物を置換することによって、同じ手順を行った。
ＣｄＳｅ／ＣｄＺｎＳナノプレートレットと、有機ナノ粒子、無機ナノ粒子、例えば、金属ナノ粒子、ハライドナノ粒子、カルコゲナイドナノ粒子、リン化物ナノ粒子、硫化物ナノ粒子、半金属ナノ粒子、金属合金ナノ粒子、蛍光体ナノ粒子、ペロブスカイトナノ粒子、セラミックナノ粒子、例えば、酸化物ナノ粒子、炭化物ナノ粒子、窒化物ナノ粒子、又はそれらの混合物を置換することによって、同じ手順を行った。
ＳｉＯ２と、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＨｆＯ２、ＺｎＴｅ、ＺｎＳｅ、ＺｎＯ、ＺｎＳ又はＭｇＯ、又はそれらの混合物を置換することによって、同じ手順を行った。上記の手順の反応温度を、選択した無機材料に応じて変化させた。
ＳｉＯ２と、金属材料、ハライド材料、カルコゲナイド材料、リン化物材料、硫化物材料、半金属材料、金属合金材料、蛍光材料、ペロブスカイト材料、セラミック材料、例えば、酸化物、炭化物、窒化物、ガラス、エナメル、セラミック、石、宝石、顔料、セメント及び／又は無機ポリマー、又はそれらの混合物を置換することによって、同じ手順を行った。上記の手順の反応温度を、選択した無機材料に応じて変化させた。
実施例１１：有機溶液及び水溶液からの複合粒子の調製−Ｆｅ３Ｏ４＠Ａｌ２Ｏ３−ＣｄＳｅ／ＣｄＺｎＳ＠ＳｉＯ２
一方で、酸性水溶液に懸濁したＦｅ３Ｏ４ナノ粒子１００μＬを、前もって２４時間加水分解した０．１３ＭのＴＥＯＳの酸性水溶液と混合した。他方で、ヘプタンに懸濁したＣｄＳｅ／ＣｄＺｎＳナノプレートレット１００μＬを、アルミニウムトリｓｅｃブトキシド及びヘプタン５ｍＬと混合し、次いで、同じ噴霧乾燥設定であるが、最初の水溶液とは異なる場所に置いた。２種類の液体を、液滴を形成させるための２つの異なる手段を用いて、溶媒の沸点から１０００℃までの範囲の温度で加熱した管状炉に向けて窒素流を用いて同時に噴霧した。該複合粒子をフィルターの表面で収集した。該複合粒子は、Ｆｅ３Ｏ４ナノ粒子を含有するシリカのコア及びＣｄＳｅ／ＣｄＺｎＳナノプレートレットを含有するアルミナのシェルを含む。
ＣｄＳｅ／ＣｄＺｎＳナノプレートレットと、ＣｄＳｅ、ＣｄＳ、ＣｄＴｅ、ＣｄＳｅ／ＣｄＳ、ＣｄＳｅ／ＺｎＳ、Ｃｄｓｅ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＳ／ＺｎＳ、ＣｄＳ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＴｅ／ＺｎＳ、ＣｄＴｅ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＳｅＳ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅＳ／ＣｄＳ、ＣｄＳｅＳ／ＣｄＺｎＳ、ＣｕＩｎＳ２／ＺｎＳ、ＣｕＩｎＳｅ２／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＣｄＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳ、ＩｎＺｎＰ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳｅＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳｅ、ＩｎＰ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＳｅ／ＣｄＺｎＳ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅ／ＺｎＳ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＳｅ／ＣｄＳ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅ／ＣｄＳ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＳｅ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅＳ／ＣｄＳ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅＳ／ＣｄＳ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＳｅＳ／ＣｄＺｎＳ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅＳ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅＳ／ＺｎＳｅ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＳｅＳ／ＺｎＳ／ＣｄＺｎｓ、ＣｄＳｅ／ＺｎＳ／ＣｄＳ、ＣｄＳｅＳ／ＺｎＳ／ＣｄＳ、ＣｄＳｅ／ＺｎＳｅ／ＣｄＺｎＳ、Ｉｎｐ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＣｄＳ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＣｄＳ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳ／ＣｄＳ、ＩｎＰ／ＧａＰ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＧａＰ／ＺｎＳｅ、ＩｎＰ／ＣｄＺｎＳ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳ／ＣｄＺｎＳ、ＩｎＰ／ＣｄＳ／ＣｄＺｎＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳｅ／ＣｄＺｎＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳ／ＺｎＳｅ、ＩｎＰ／ＧａＰ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ、ナノプレートレット又は量子ドット、又はそれらの混合物を置換することによって、同じ手順を行った。
ＣｄＳｅ／ＣｄＺｎＳナノプレートレットと、有機ナノ粒子、無機ナノ粒子、例えば、金属ナノ粒子、ハライドナノ粒子、カルコゲナイドナノ粒子、リン化物ナノ粒子、硫化物ナノ粒子、半金属ナノ粒子、金属合金ナノ粒子、蛍光体ナノ粒子、ペロブスカイトナノ粒子、セラミックナノ粒子、例えば、酸化物ナノ粒子、炭化物ナノ粒子、窒化物ナノ粒子、又はそれらの混合物を置換することによって、同じ手順を行った。
Ａｌ２Ｏ３及び／又はＳｉＯ２と、ＴｉＯ２、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＨｆＯ２、ＺｎＴｅ、ＺｎＳｅ、ＺｎＯ、ＺｎＳ又はＭｇＯ、又はそれらの混合物を置換することによって、同じ手順を行った。上記の手順の反応温度を、選択した無機材料に応じて変化させた。
Ａｌ２Ｏ３及び／又はＳｉＯ２と、金属材料、ハライド材料、カルコゲナイド材料、リン化物材料、硫化物材料、半金属材料、金属合金材料、蛍光材料、ペロブスカイト材料、セラミック材料、例えば、酸化物、炭化物、窒化物、ガラス、エナメル、セラミック、石、宝石、顔料、セメント及び／又は無機ポリマー、又はそれらの混合物を置換することによって、同じ手順を行った。上記の手順の反応温度を、選択した無機材料に応じて変化させた。
実施例１２：有機溶液及び水溶液からの複合粒子の調製−ＣｄＳｅ／ＣｄＺｎＳナノプレートレット＠Ａｌ２Ｏ３
ヘプタンに懸濁したＣｄＳ／ＺｎＳナノプレートレット４ｍＬを、アルミニウムトリｓｅｃブトキシド及びヘプタン４００ｍＬと混合し、次いで、噴霧乾燥設定に置いた。他方で、酸性水溶液を調製し、同じ噴霧乾燥設定であるが、最初のヘキサン溶液とは異なる場所に置いた。２種類の液体を、液滴を形成させるための２つの異なる手段を用いて、溶媒の沸点から１０００℃までの範囲の温度で加熱した管状炉に向けて窒素流を用いて同時に噴霧した。該複合粒子をフィルターの表面で収集した。
ＣｄＳ／ＺｎＳナノプレートレットと、ＣｄＳｅ、ＣｄＳ、ＣｄＴｅ、ＣｄＳｅ／ＣｄＳ、ＣｄＳｅ／ＺｎＳ、Ｃｄｓｅ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＳ／ＺｎＳ、ＣｄＳ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＴｅ／ＺｎＳ、ＣｄＴｅ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＳｅＳ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅＳ／ＣｄＳ、ＣｄＳｅＳ／ＣｄＺｎＳ、ＣｕＩｎＳ２／ＺｎＳ、ＣｕＩｎＳｅ２／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＣｄＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳ、ＩｎＺｎＰ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳｅＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳｅ、ＩｎＰ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＳｅ／ＣｄＺｎＳ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅ／ＺｎＳ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＳｅ／ＣｄＳ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅ／ＣｄＳ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＳｅ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅＳ／ＣｄＳ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅＳ／ＣｄＳ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＳｅＳ／ＣｄＺｎＳ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅＳ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅＳ／ＺｎＳｅ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＳｅＳ／ＺｎＳ／ＣｄＺｎｓ、ＣｄＳｅ／ＺｎＳ／ＣｄＳ、ＣｄＳｅＳ／ＺｎＳ／ＣｄＳ、ＣｄＳｅ／ＺｎＳｅ／ＣｄＺｎＳ、Ｉｎｐ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＣｄＳ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＣｄＳ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳ／ＣｄＳ、ＩｎＰ／ＧａＰ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＧａＰ／ＺｎＳｅ、ＩｎＰ／ＣｄＺｎＳ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳ／ＣｄＺｎＳ、ＩｎＰ／ＣｄＳ／ＣｄＺｎＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳｅ／ＣｄＺｎＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳ／ＺｎＳｅ、ＩｎＰ／ＧａＰ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ、ナノプレートレット又は量子ドット、又はそれらの混合物を置換することによって、同じ手順を行った。
ＣｄＳｅ／ＣｄＺｎＳナノプレートレットと、有機ナノ粒子、無機ナノ粒子、例えば、金属ナノ粒子、ハライドナノ粒子、カルコゲナイドナノ粒子、リン化物ナノ粒子、硫化物ナノ粒子、半金属ナノ粒子、金属合金ナノ粒子、蛍光体ナノ粒子、ペロブスカイトナノ粒子、セラミックナノ粒子、例えば、酸化物ナノ粒子、炭化物ナノ粒子、窒化物ナノ粒子、又はそれらの混合物を置換することによって、同じ手順を行った。
Ａｌ２Ｏ３と、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、ＨｆＯ２、ＺｎＴｅ、ＺｎＳｅ、ＺｎＯ、ＺｎＳ又はＭｇＯ、又はそれらの混合物を置換することによって、同じ手順を行った。上記の手順の反応温度を、選択した無機材料に応じて変化させた。
Ａｌ２Ｏ３と、金属材料、ハライド材料、カルコゲナイド材料、リン化物材料、硫化物材料、半金属材料、金属合金材料、蛍光材料、ペロブスカイト材料、セラミック材料、例えば、酸化物、炭化物、窒化物、ガラス、エナメル、セラミック、石、宝石、顔料、セメント及び／又は無機ポリマー、又はそれらの混合物を置換することによって、同じ手順を行った。上記の手順の反応温度を、選択した無機材料に応じて変化させた。
実施例１３：有機溶液及び水溶液からの複合粒子の調製−ＩｎＰ／ＺｎＳ＠ＳｉＯ２
酸性水溶液に懸濁したＩｎＰ／ＺｎＳナノ粒子４ｍＬを、前もって２４時間加水分解した０．１３ＭのＴＥＯＳの酸性水溶液と混合し、次いで、噴霧乾燥設定に置いた。懸濁液を、液滴を形成させるために、溶媒の沸点から１０００℃までの範囲の温度で加熱した管状炉に向けて窒素流を用いて噴霧した。該該複合粒子をフィルターの表面で収集した。
ＩｎＰ／ＺｎＳナノ粒子と、ＣｄＳｅ、ＣｄＳ、ＣｄＴｅ、ＣｄＳｅ／ＣｄＳ、ＣｄＳｅ／ＺｎＳ、Ｃｄｓｅ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＳ／ＺｎＳ、ＣｄＳ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＴｅ／ＺｎＳ、ＣｄＴｅ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＳｅＳ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅＳ／ＣｄＳ、ＣｄＳｅＳ／ＣｄＺｎＳ、ＣｕＩｎＳ２／ＺｎＳ、ＣｕＩｎＳｅ２／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＣｄＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳ、ＩｎＺｎＰ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳｅＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳｅ、ＩｎＰ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＳｅ／ＣｄＺｎＳ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅ／ＺｎＳ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＳｅ／ＣｄＳ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅ／ＣｄＳ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＳｅ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅＳ／ＣｄＳ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅＳ／ＣｄＳ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＳｅＳ／ＣｄＺｎＳ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅＳ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅＳ／ＺｎＳｅ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＳｅＳ／ＺｎＳ／ＣｄＺｎｓ、ＣｄＳｅ／ＺｎＳ／ＣｄＳ、ＣｄＳｅＳ／ＺｎＳ／ＣｄＳ、ＣｄＳｅ／ＺｎＳｅ／ＣｄＺｎＳ、Ｉｎｐ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＣｄＳ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＣｄＳ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳ／ＣｄＳ、ＩｎＰ／ＧａＰ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＧａＰ／ＺｎＳｅ、ＩｎＰ／ＣｄＺｎＳ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳ／ＣｄＺｎＳ、ＩｎＰ／ＣｄＳ／ＣｄＺｎＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳｅ／ＣｄＺｎＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳ／ＺｎＳｅ、ＩｎＰ／ＧａＰ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ、ナノプレートレット又は量子ドット、又はそれらの混合物を置換することによって、同じ手順を行った。
ＣｄＳｅ／ＣｄＺｎＳナノプレートレットと、有機ナノ粒子、無機ナノ粒子、例えば、金属ナノ粒子、ハライドナノ粒子、カルコゲナイドナノ粒子、リン化物ナノ粒子、硫化物ナノ粒子、半金属ナノ粒子、金属合金ナノ粒子、蛍光体ナノ粒子、ペロブスカイトナノ粒子、セラミックナノ粒子、例えば、酸化物ナノ粒子、炭化物ナノ粒子、窒化物ナノ粒子、又はそれらの混合物を置換することによって、同じ手順を行った。
ＳｉＯ２と、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＨｆＯ２、ＺｎＴｅ、ＺｎＳｅ、ＺｎＯ、ＺｎＳ又はＭｇＯ、又はそれらの混合物を置換することによって、同じ手順を行った。上記の手順の反応温度を、選択した無機材料に応じて変化させた。
ＳｉＯ２と、金属材料、ハライド材料、カルコゲナイド材料、リン化物材料、硫化物材料、半金属材料、金属合金材料、蛍光材料、ペロブスカイト材料、セラミック材料、例えば、酸化物、炭化物、窒化物、ガラス、エナメル、セラミック、石、宝石、顔料、セメント及び／又は無機ポリマー、又はそれらの混合物を置換することによって、同じ手順を行った。上記の手順の反応温度を、選択した無機材料に応じて変化させた。
実施例１４：有機溶液及び水溶液からの粒子の調製、その後のアンモニア蒸気処理−ＣｄＳｅ／ＣｄＺｎＳ＠ＺｎＯ
ヘプタンに懸濁したＣｄＳｅ／ＣｄＺｎＳナノプレートレット１００μＬを、亜鉛メトキシエトキシド及びペンタン５ｍＬと混合し、次いで、本発明に記載の噴霧乾燥設定に置いた。他方で、塩基性水溶液を調製し、同じ噴霧乾燥設定であるが、最初のヘプタン溶液とは異なる場所に置いた。他方で、水酸化アンモニウム溶液を、管状炉とフィルターの間の同じ噴霧乾燥システムに置いた。２種類の最初の液体を噴霧する一方で、第３の液体を外部加熱システムによって３５℃で加熱し、アンモニア蒸気を生成させ、溶媒の沸点から１０００℃までの範囲の温度で加熱した管状炉に向けて窒素流を用いて同時に噴霧した。該粒子をフィルターの表面で収集した。
ＣｄＳｅ／ＣｄＺｎＳナノプレートレットと、ＣｄＳｅ、ＣｄＳ、ＣｄＴｅ、ＣｄＳｅ／ＣｄＳ、ＣｄＳｅ／ＺｎＳ、Ｃｄｓｅ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＳ／ＺｎＳ、ＣｄＳ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＴｅ／ＺｎＳ、ＣｄＴｅ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＳｅＳ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅＳ／ＣｄＳ、ＣｄＳｅＳ／ＣｄＺｎＳ、ＣｕＩｎＳ２／ＺｎＳ、ＣｕＩｎＳｅ２／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＣｄＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳ、ＩｎＺｎＰ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳｅＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳｅ、ＩｎＰ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＳｅ／ＣｄＺｎＳ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅ／ＺｎＳ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＳｅ／ＣｄＳ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅ／ＣｄＳ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＳｅ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅＳ／ＣｄＳ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅＳ／ＣｄＳ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＳｅＳ／ＣｄＺｎＳ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅＳ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅＳ／ＺｎＳｅ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＳｅＳ／ＺｎＳ／ＣｄＺｎｓ、ＣｄＳｅ／ＺｎＳ／ＣｄＳ、ＣｄＳｅＳ／ＺｎＳ／ＣｄＳ、ＣｄＳｅ／ＺｎＳｅ／ＣｄＺｎＳ、Ｉｎｐ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＣｄＳ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＣｄＳ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳ／ＣｄＳ、ＩｎＰ／ＧａＰ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＧａＰ／ＺｎＳｅ、ＩｎＰ／ＣｄＺｎＳ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳ／ＣｄＺｎＳ、ＩｎＰ／ＣｄＳ／ＣｄＺｎＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳｅ／ＣｄＺｎＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳ／ＺｎＳｅ、ＩｎＰ／ＧａＰ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ、ナノプレートレット又は量子ドット、又はそれらの混合物を置換することによって、同じ手順を行った。
ＣｄＳｅ／ＣｄＺｎＳナノプレートレットと、有機ナノ粒子、無機ナノ粒子、例えば、金属ナノ粒子、ハライドナノ粒子、カルコゲナイドナノ粒子、リン化物ナノ粒子、硫化物ナノ粒子、半金属ナノ粒子、金属合金ナノ粒子、蛍光体ナノ粒子、ペロブスカイトナノ粒子、セラミックナノ粒子、例えば、酸化物ナノ粒子、炭化物ナノ粒子、窒化物ナノ粒子、又はそれらの混合物を置換することによって、同じ手順を行った。
ＺｎＯと、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、ＨｆＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＺｎＴｅ、ＺｎＳｅ、ＺｎＳ又はＭｇＯ、又はそれらの混合物を置換することによって、同じ手順を行った。上記の手順の反応温度を、選択した無機材料に応じて変化させた。
ＺｎＯと、金属材料、ハライド材料、カルコゲナイド材料、リン化物材料、硫化物材料、半金属材料、金属合金材料、蛍光材料、ペロブスカイト材料、セラミック材料、例えば、酸化物、炭化物、窒化物、ガラス、エナメル、セラミック、石、宝石、顔料、セメント及び／又は無機ポリマー、又はそれらの混合物を置換することによって、同じ手順を行った。上記の手順の反応温度を、選択した無機材料に応じて変化させた。
実施例１５：有機溶液及び水溶液からの粒子の調製、その後の追加のシェルコーティング−ＣｄＳｅ／ＣｄＺｎＳ＠Ａｌ２Ｏ３＠ＭｇＯ
ヘプタンに懸濁したＣｄＳｅ／ＣｄＺｎＳナノプレートレット１００μＬを、亜鉛メトキシエトキシド及びペンタン５ｍＬと混合し、次いで、本発明に記載の噴霧乾燥設定に置いた。他方で、塩基性水溶液を調製し、同じ噴霧乾燥設定であるが、最初のヘプタン溶液とは異なる場所に置いた。２種類の液体を、溶媒の沸点から１０００℃までの範囲の温度で加熱した管状炉に向けて窒素流を用いて同時に噴霧した。粒子は、ＡＬＤプロセスによって粒子の表面に追加のＭｇＯシェルをコーティングした管に向かい、前記粒子は、気体に懸濁されている。最後に、該粒子を、ＡＬＤを行った管の内壁上で収集した。
ＣｄＳｅ／ＣｄＺｎＳナノプレートレットと、ＣｄＳｅ、ＣｄＳ、ＣｄＴｅ、ＣｄＳｅ／ＣｄＳ、ＣｄＳｅ／ＺｎＳ、Ｃｄｓｅ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＳ／ＺｎＳ、ＣｄＳ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＴｅ／ＺｎＳ、ＣｄＴｅ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＳｅＳ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅＳ／ＣｄＳ、ＣｄＳｅＳ／ＣｄＺｎＳ、ＣｕＩｎＳ２／ＺｎＳ、ＣｕＩｎＳｅ２／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＣｄＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳ、ＩｎＺｎＰ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳｅＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳｅ、ＩｎＰ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＳｅ／ＣｄＺｎＳ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅ／ＺｎＳ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＳｅ／ＣｄＳ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅ／ＣｄＳ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＳｅ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅＳ／ＣｄＳ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅＳ／ＣｄＳ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＳｅＳ／ＣｄＺｎＳ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅＳ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅＳ／ＺｎＳｅ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＳｅＳ／ＺｎＳ／ＣｄＺｎｓ、ＣｄＳｅ／ＺｎＳ／ＣｄＳ、ＣｄＳｅＳ／ＺｎＳ／ＣｄＳ、ＣｄＳｅ／ＺｎＳｅ／ＣｄＺｎＳ、Ｉｎｐ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＣｄＳ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＣｄＳ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳ／ＣｄＳ、ＩｎＰ／ＧａＰ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＧａＰ／ＺｎＳｅ、ＩｎＰ／ＣｄＺｎＳ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳ／ＣｄＺｎＳ、ＩｎＰ／ＣｄＳ／ＣｄＺｎＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳｅ／ＣｄＺｎＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳ／ＺｎＳｅ、ＩｎＰ／ＧａＰ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ、ナノプレートレット又は量子ドット、又はそれらの混合物を置換することによって、同じ手順を行った。
ＣｄＳｅ／ＣｄＺｎＳナノプレートレットと、有機ナノ粒子、無機ナノ粒子、例えば、金属ナノ粒子、ハライドナノ粒子、カルコゲナイドナノ粒子、リン化物ナノ粒子、硫化物ナノ粒子、半金属ナノ粒子、金属合金ナノ粒子、蛍光体ナノ粒子、ペロブスカイトナノ粒子、セラミックナノ粒子、例えば、酸化物ナノ粒子、炭化物ナノ粒子、窒化物ナノ粒子、又はそれらの混合物を置換することによって、同じ手順を行った。
実施例１６：有機溶液及び水溶液からの粒子の調製−ＣｄＳｅ／ＣｄＺｎＳ−Ｆｅ３Ｏ４＠ＳｉＯ２
一方で、酸性水溶液に懸濁したＦｅ３Ｏ４ナノ粒子１００μＬ及びＣｄＳｅ／ＣｄＺｎＳナノプレートレット１００μＬを、前もって２４時間加水分解した０．１３ＭのＴＥＯＳの酸性水溶液と混合し、次いで、本発明に記載の噴霧乾燥設定に置いた。他方で、酸性水溶液を調製し、同じ噴霧乾燥設定であるが、最初のヘプタン溶液とは異なる場所に置いた。２種類の液体を、溶媒の沸点から１０００℃までの範囲の温度で加熱した管状炉に向けて窒素流を用いて同時に噴霧した。該粒子をフィルターの表面上で収集した。
ＣｄＳｅ／ＣｄＺｎＳナノプレートレットと、ＣｄＳｅ、ＣｄＳ、ＣｄＴｅ、ＣｄＳｅ／ＣｄＳ、ＣｄＳｅ／ＺｎＳ、Ｃｄｓｅ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＳ／ＺｎＳ、ＣｄＳ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＴｅ／ＺｎＳ、ＣｄＴｅ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＳｅＳ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅＳ／ＣｄＳ、ＣｄＳｅＳ／ＣｄＺｎＳ、ＣｕＩｎＳ２／ＺｎＳ、ＣｕＩｎＳｅ２／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＣｄＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳ、ＩｎＺｎＰ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳｅＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳｅ、ＩｎＰ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＳｅ／ＣｄＺｎＳ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅ／ＺｎＳ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＳｅ／ＣｄＳ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅ／ＣｄＳ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＳｅ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅＳ／ＣｄＳ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅＳ／ＣｄＳ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＳｅＳ／ＣｄＺｎＳ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅＳ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅＳ／ＺｎＳｅ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＳｅＳ／ＺｎＳ／ＣｄＺｎｓ、ＣｄＳｅ／ＺｎＳ／ＣｄＳ、ＣｄＳｅＳ／ＺｎＳ／ＣｄＳ、ＣｄＳｅ／ＺｎＳｅ／ＣｄＺｎＳ、Ｉｎｐ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＣｄＳ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＣｄＳ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳ／ＣｄＳ、ＩｎＰ／ＧａＰ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＧａＰ／ＺｎＳｅ、ＩｎＰ／ＣｄＺｎＳ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳ／ＣｄＺｎＳ、ＩｎＰ／ＣｄＳ／ＣｄＺｎＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳｅ／ＣｄＺｎＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳ／ＺｎＳｅ、ＩｎＰ／ＧａＰ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ、ナノプレートレット又は量子ドット、又はそれらの混合物を置換することによって、同じ手順を行った。
ＣｄＳｅ／ＣｄＺｎＳナノプレートレットと、有機ナノ粒子、無機ナノ粒子、例えば、金属ナノ粒子、ハライドナノ粒子、カルコゲナイドナノ粒子、リン化物ナノ粒子、硫化物ナノ粒子、半金属ナノ粒子、金属合金ナノ粒子、蛍光体ナノ粒子、ペロブスカイトナノ粒子、セラミックナノ粒子、例えば、酸化物ナノ粒子、炭化物ナノ粒子、窒化物ナノ粒子、又はそれらの混合物を置換することによって、同じ手順を行った。
実施例１７：有機溶液及び水溶液からのコア／シェル粒子の調製−コア中のＡｕ＠Ａｌ２Ｏ３及びシェル中のＣｄＳｅ／ＣｄＺｎＳ＠ＳｉＯ２
一方で、酸性水溶液に懸濁したＣｄＳｅ／ＣｄＺｎＳナノプレートレット１００μＬを、前もって２４時間加水分解した０．１３ＭのＴＥＯＳの酸性水溶液と混合し、次いで、本発明に記載の噴霧乾燥設定に置いた。他方で、ヘプタンに懸濁したＡｕナノ粒子１００μＬを、アルミニウムトリｓｅｃブトキシド及びヘプタン５ｍＬと混合し、次いで、同じ噴霧乾燥設定であるが、最初の水溶液とは異なる場所に置いた。２種類の液体を、溶媒の沸点から１０００℃までの範囲の温度で加熱した管状炉に向けて窒素流を用いて同時に噴霧した。該複合粒子をフィルターの表面で収集した。該粒子は、金ナノ粒子を含有するアルミナのコア及びＣｄＳｅ／ＣｄＺｎＳナノプレートレットを含有するシリカシェルを含む。
ＣｄＳｅ／ＣｄＺｎＳナノプレートレットと、ＣｄＳｅ、ＣｄＳ、ＣｄＴｅ、ＣｄＳｅ／ＣｄＳ、ＣｄＳｅ／ＺｎＳ、Ｃｄｓｅ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＳ／ＺｎＳ、ＣｄＳ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＴｅ／ＺｎＳ、ＣｄＴｅ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＳｅＳ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅＳ／ＣｄＳ、ＣｄＳｅＳ／ＣｄＺｎＳ、ＣｕＩｎＳ２／ＺｎＳ、ＣｕＩｎＳｅ２／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＣｄＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳ、ＩｎＺｎＰ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳｅＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳｅ、ＩｎＰ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＳｅ／ＣｄＺｎＳ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅ／ＺｎＳ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＳｅ／ＣｄＳ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅ／ＣｄＳ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＳｅ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅＳ／ＣｄＳ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅＳ／ＣｄＳ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＳｅＳ／ＣｄＺｎＳ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅＳ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅＳ／ＺｎＳｅ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＳｅＳ／ＺｎＳ／ＣｄＺｎｓ、ＣｄＳｅ／ＺｎＳ／ＣｄＳ、ＣｄＳｅＳ／ＺｎＳ／ＣｄＳ、ＣｄＳｅ／ＺｎＳｅ／ＣｄＺｎＳ、Ｉｎｐ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＣｄＳ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＣｄＳ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳ／ＣｄＳ、ＩｎＰ／ＧａＰ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＧａＰ／ＺｎＳｅ、ＩｎＰ／ＣｄＺｎＳ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳ／ＣｄＺｎＳ、ＩｎＰ／ＣｄＳ／ＣｄＺｎＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳｅ／ＣｄＺｎＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳ／ＺｎＳｅ、ＩｎＰ／ＧａＰ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ、ナノプレートレット又は量子ドット、又はそれらの混合物を置換することによって、同じ手順を行った。
ＣｄＳｅ／ＣｄＺｎＳナノプレートレットと、有機ナノ粒子、無機ナノ粒子、例えば、金属ナノ粒子、ハライドナノ粒子、カルコゲナイドナノ粒子、リン化物ナノ粒子、硫化物ナノ粒子、半金属ナノ粒子、金属合金ナノ粒子、蛍光体ナノ粒子、ペロブスカイトナノ粒子、セラミックナノ粒子、例えば、酸化物ナノ粒子、炭化物ナノ粒子、窒化物ナノ粒子、又はそれらの混合物を置換することによって、同じ手順を行った。
実施例１８：複合粒子の調製−蛍光体ナノ粒子＠ＳｉＯ２
蛍光体ナノ粒子を塩基性水溶液に懸濁し、前もって２４時間加水分解した０．１３ＭのＴＥＯＳの基性水溶液と混合し、次いで、噴霧乾燥設定に置いた。液体混合物を、溶媒の沸点から１０００℃までの範囲の温度で加熱した管状炉に向けて窒素流を用いて噴霧した。該複合粒子をフィルターの表面で収集した。
この実施例で使用した蛍光体ナノ粒子は、イットリウムアルミニウムガーネットナノ粒子（ＹＡＧ，Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２）、（Ｃａ,Ｙ）−α−ＳｉＡｌＯＮ：Ｅｕナノ粒子、（（Ｙ，Ｇｄ）３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ）ナノ粒子、ＣａＡｌＳｉＮ３：ＥＵナノ粒子、硫化物系蛍光体ナノ粒子、ＰＦＳ：Ｍｎ４＋ナノ粒子（ケイフッ化カリウム）であった。
実施例１９：複合粒子の調製−蛍光体ナノ粒子＠Ａｌ２Ｏ３
蛍光体ナノ粒子をヘプタンに懸濁し、アルミニウムトリｓｅｃブトキシド及びヘプタン４００ｍＬと混合し、次いで、噴霧乾燥設定に置いた。他方で、酸性水溶液を調製し、同じ噴霧乾燥設定であるが、最初のヘキサン溶液とは異なる場所に置いた。２種類の液体を、液滴を形成させるための２つの異なる手段を用いて、溶媒の沸点から１０００℃までの範囲の温度で加熱した管状炉に向けて窒素流を用いて同時に噴霧した。該複合粒子をフィルターの表面で収集した。
この実施例で使用した蛍光体ナノ粒子は、イットリウムアルミニウムガーネットナノ粒子（ＹＡＧ，Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２）、（Ｃａ,Ｙ）−α−ＳｉＡｌＯＮ：Ｅｕナノ粒子、（（Ｙ，Ｇｄ）３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ）ナノ粒子、ＣａＡｌＳｉＮ３：ＥＵナノ粒子、硫化物系蛍光体ナノ粒子、ＰＦＳ：Ｍｎ４＋ナノ粒子（ケイフッ化カリウム）であった。
実施例２０：複合粒子の調製−ＣｄＳｅ／ＣｄＺｎＳ＠ＨｆＯ２
ヘプタン（１０ｍｇ／ｍＬ）に懸濁したＣｄＳｅ／ＣｄＺｎＳナノプレートレット１００μＬを、ハフニウムｎ−ブトキシド及びペンタン５ｍＬと混合し、次いで、噴霧乾燥設定に置いた。他方で、塩基性水溶液を調製し、同じ噴霧乾燥設定であるが、最初のヘプタン溶液とは異なる場所に置いた。２種類の液体を、溶媒の沸点から１０００℃までの範囲の温度で加熱した管状炉に向けて窒素流を用いて同時に噴霧した。複合粒子をフィルターの表面で収集した。
ＣｄＳｅ／ＣｄＺｎＳナノプレートレットと、ＣｄＳｅ、ＣｄＳ、ＣｄＴｅ、ＣｄＳｅ／ＣｄＳ、ＣｄＳｅ／ＺｎＳ、Ｃｄｓｅ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＳ／ＺｎＳ、ＣｄＳ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＴｅ／ＺｎＳ、ＣｄＴｅ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＳｅＳ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅＳ／ＣｄＳ、ＣｄＳｅＳ／ＣｄＺｎＳ、ＣｕＩｎＳ２／ＺｎＳ、ＣｕＩｎＳｅ２／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＣｄＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳ、ＩｎＺｎＰ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳｅＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳｅ、ＩｎＰ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＳｅ／ＣｄＺｎＳ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅ／ＺｎＳ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＳｅ／ＣｄＳ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅ／ＣｄＳ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＳｅ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅＳ／ＣｄＳ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅＳ／ＣｄＳ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＳｅＳ／ＣｄＺｎＳ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅＳ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅＳ／ＺｎＳｅ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＳｅＳ／ＺｎＳ／ＣｄＺｎｓ、ＣｄＳｅ／ＺｎＳ／ＣｄＳ、ＣｄＳｅＳ／ＺｎＳ／ＣｄＳ、ＣｄＳｅ／ＺｎＳｅ／ＣｄＺｎＳ、Ｉｎｐ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＣｄＳ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＣｄＳ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳ／ＣｄＳ、ＩｎＰ／ＧａＰ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＧａＰ／ＺｎＳｅ、ＩｎＰ／ＣｄＺｎＳ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳ／ＣｄＺｎＳ、ＩｎＰ／ＣｄＳ／ＣｄＺｎＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳｅ／ＣｄＺｎＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳ／ＺｎＳｅ、ＩｎＰ／ＧａＰ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ、ナノプレートレット又は量子ドット、又はそれらの混合物を置換することによって、同じ手順を行った。
ＣｄＳｅ／ＣｄＺｎＳナノプレートレットと、有機ナノ粒子、無機ナノ粒子、例えば、金属ナノ粒子、ハライドナノ粒子、カルコゲナイドナノ粒子、リン化物ナノ粒子、硫化物ナノ粒子、半金属ナノ粒子、金属合金ナノ粒子、蛍光体ナノ粒子、ペロブスカイトナノ粒子、セラミックナノ粒子、例えば、酸化物ナノ粒子、炭化物ナノ粒子、窒化物ナノ粒子、又はそれらの混合物を置換することによって、同じ手順を行った。
実施例２１：複合粒子の調製−蛍光体ナノ粒子＠ＨｆＯ２
ヘプタン（１０ｍｇ／ｍＬ）に懸濁した蛍光体ナノ粒子（下記のリスト参照）１μｍを、ハフニウムｎ−ブトキシド及びペンタン５ｍＬと混合し、次いで、噴霧乾燥設定に置いた。他方で、水溶液を調製し、同じ噴霧乾燥設定であるが、最初のヘプタン溶液とは異なる場所に置いた。２種類の液体を、溶媒の沸点から１０００℃までの範囲の温度で加熱した管状炉に向けて窒素流を用いて同時に噴霧した。生じた粒子の蛍光粒子＠ＨｆＯ２をフィルターの表面で収集した。
この実施例で使用した蛍光体ナノ粒子は、イットリウムアルミニウムガーネットナノ粒子（ＹＡＧ，Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２）、（Ｃａ,Ｙ）−α−ＳｉＡｌＯＮ：Ｅｕナノ粒子、（（Ｙ，Ｇｄ）３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ）ナノ粒子、ＣａＡｌＳｉＮ３：ＥＵナノ粒子、硫化物系蛍光体ナノ粒子、ＰＦＳ：Ｍｎ４＋ナノ粒子（ケイフッ化カリウム）であった。
実施例２２：有機金属前駆体からの複合粒子の調製
ヘプタンに懸濁したＣｄＳｅ／ＣｄＺｎＳナノプレートレット１００μＬを、制御雰囲気下で、ペンタン中の以下の群から選択される有機金属前駆体と混合し、次いで、噴霧乾燥設定に置いた。他方で、水溶液を調製し、同じ噴霧乾燥設定であるが、最初のヘプタン溶液とは異なる場所に置いた。２種類の液体を、室温から３００℃まで加熱した管状炉に向けて窒素流を用いて同時に噴霧した。該複合粒子をフィルターの表面で収集した。
この手順を、Ａｌ［Ｎ（ＳｉＭｅ３）２］３、トリメチルアルミニウム、トリイソブチルアルミニウム、トリオクチルアルミニウム、トリフェニルアルミニウム、ジメチルアルミニウム、トリメチル亜鉛、ジメチル亜鉛、ジエチル亜鉛、Ｚｎ［（Ｎ（ＴＭＳ）２）２、Ｚｎ［（ＣＦ３ＳＯ２）２Ｎ］２、Ｚｎ（Ｐｈ）２、Ｚｎ（Ｃ６Ｆ５）２、Ｚｎ（ＴＭＨＤ）２（β−ジケトネート）、Ｈｆ［Ｃ５Ｈ４（ＣＨ３）］２（ＣＨ３）２、ＨｆＣＨ３（ＯＣＨ３）［Ｃ５Ｈ４（ＣＨ３）］２、［［（ＣＨ３）３Ｓｉ］２Ｎ］２ＨｆＣｌ２、（Ｃ５Ｈ５）２Ｈｆ（ＣＨ３）２、［（ＣＨ２ＣＨ３）２Ｎ］４Ｈｆ、［（ＣＨ３）２Ｎ］４Ｈｆ、［（ＣＨ３）２Ｎ］４Ｈｆ、［（ＣＨ３）（Ｃ２Ｈ５）Ｎ］４Ｈｆ、［（ＣＨ３）（Ｃ２Ｈ５）Ｎ］４Ｈｆ、２，２’，６，６’−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオンジルコニウム（Ｚｒ（ＴＨＤ）４）、Ｃ１０Ｈ１２Ｚｒ、Ｚｒ（ＣＨ３Ｃ５Ｈ４）２ＣＨ３ＯＣＨ３、Ｃ２２Ｈ３６Ｚｒ、［（Ｃ２Ｈ５）２Ｎ］４Ｚｒ、［（ＣＨ３）２Ｎ］４Ｚｒ、［（ＣＨ３）２Ｎ］４Ｚｒ、Ｚｒ（ＮＣＨ３Ｃ２Ｈ５）４、Ｚｒ（ＮＣＨ３Ｃ２Ｈ５）４、Ｃ１８Ｈ３２Ｏ６Ｚｒ、Ｚｒ（Ｃ８Ｈ１５Ｏ２）４、Ｚｒ（ＯＣＣ（ＣＨ３）３ＣＨＣＯＣ（ＣＨ３）３）４、Ｍｇ（Ｃ５Ｈ５）２、又はＣ２０Ｈ３０Ｍｇ、又はそれらの混合物を含む群から選択される有機金属前駆体を用いて行った。上記の手順の反応温度を、選択した有機金属前駆体に応じて変化させた。
ＣｄＳｅ／ＣｄＺｎＳナノプレートレットと、ＣｄＳｅ、ＣｄＳ、ＣｄＴｅ、ＣｄＳｅ／ＣｄＳ、ＣｄＳｅ／ＺｎＳ、Ｃｄｓｅ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＳ／ＺｎＳ、ＣｄＳ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＴｅ／ＺｎＳ、ＣｄＴｅ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＳｅＳ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅＳ／ＣｄＳ、ＣｄＳｅＳ／ＣｄＺｎＳ、ＣｕＩｎＳ２／ＺｎＳ、ＣｕＩｎＳｅ２／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＣｄＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳ、ＩｎＺｎＰ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳｅＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳｅ、ＩｎＰ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＳｅ／ＣｄＺｎＳ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅ／ＺｎＳ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＳｅ／ＣｄＳ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅ／ＣｄＳ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＳｅ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅＳ／ＣｄＳ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅＳ／ＣｄＳ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＳｅＳ／ＣｄＺｎＳ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅＳ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅＳ／ＺｎＳｅ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＳｅＳ／ＺｎＳ／ＣｄＺｎｓ、ＣｄＳｅ／ＺｎＳ／ＣｄＳ、ＣｄＳｅＳ／ＺｎＳ／ＣｄＳ、ＣｄＳｅ／ＺｎＳｅ／ＣｄＺｎＳ、Ｉｎｐ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＣｄＳ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＣｄＳ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳ／ＣｄＳ、ＩｎＰ／ＧａＰ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＧａＰ／ＺｎＳｅ、ＩｎＰ／ＣｄＺｎＳ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳ／ＣｄＺｎＳ、ＩｎＰ／ＣｄＳ／ＣｄＺｎＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳｅ／ＣｄＺｎＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳ／ＺｎＳｅ、ＩｎＰ／ＧａＰ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ、ナノプレートレット又は量子ドット、又はそれらの混合物を置換することによって、同じ手順を行った。
ＣｄＳｅ／ＣｄＺｎＳナノプレートレットと、有機ナノ粒子、無機ナノ粒子、例えば、金属ナノ粒子、ハライドナノ粒子、カルコゲナイドナノ粒子、リン化物ナノ粒子、硫化物ナノ粒子、半金属ナノ粒子、金属合金ナノ粒子、蛍光体ナノ粒子、ペロブスカイトナノ粒子、セラミックナノ粒子、例えば、酸化物ナノ粒子、炭化物ナノ粒子、窒化物ナノ粒子、又はそれらの混合物を置換することによって、同じ手順を行った。
Ａｌ２Ｏ３と、ＺｎＯ、ＴｉＯ２、ＭｇＯ、ＨｆＯ２又はＺｒＯ２、又はそれらの混合物を置換することによって、同じ手順を行った。
Ａｌ２Ｏ３と、金属材料、ハライド材料、カルコゲナイド材料、リン化物材料、硫化物材料、半金属材料、金属合金材料、蛍光材料、ペロブスカイト材料、セラミック材料、例えば、酸化物、炭化物、窒化物、ガラス、エナメル、セラミック、石、宝石、顔料、セメント及び／又は無機ポリマー、又はそれらの混合物を置換することによって、同じ手順を行った。
水溶液と、別の液体又は酸化の蒸気供給源を置換することによって、同じ手順を行った。
実施例２３：有機金属前駆体からの複合粒子の調製−ＣｄＳｅ／ＣｄＺｎＳ＠ＺｎＴｅ
ヘプタンに懸濁したＣｄＳｅ／ＣｄＺｎＳナノプレートレット１００μＬを、不活性雰囲気下で、ペンタン中の以下の群から選択される２種類の有機金属前駆体と混合し、次いで、噴霧乾燥設定に置いた。懸濁液を、ＲＴから３００℃まで加熱した管状炉に向けて窒素流を用いて噴霧した。該複合粒子をフィルターの表面で収集した。
この手順を、テルル化ジメチル、テルル化ジエチル、テルル化ジイソプロピル、テルル化ジ−ｔ−ブチル、テルル化ジアリル、テルル化メチルアリル、ジメチルセレニド、又はジメチル硫黄を含む群から選択される第１の有機金属前駆体を用いて行った。上記手順の反応温度を、選択した有機金属前駆体に応じて変化させた。
この手順を、ジメチル亜鉛、トリメチル亜鉛、ジエチル亜鉛、Ｚｎ［（Ｎ（ＴＭＳ）２）２、Ｚｎ［（ＣＦ３ＳＯ２）２Ｎ］２、Ｚｎ（Ｐｈ）２、Ｚｎ（Ｃ６Ｆ５）２、Ｚｎ（ＴＭＨＤ）２（β−ジケトネート）を含む群から選択される第２の有機金属前駆体を用いて行った。上記手順の反応温度を、選択した有機金属前駆体に応じて変化させた。
ＣｄＳｅ／ＣｄＺｎＳナノプレートレットと、ＣｄＳｅ、ＣｄＳ、ＣｄＴｅ、ＣｄＳｅ／ＣｄＳ、ＣｄＳｅ／ＺｎＳ、Ｃｄｓｅ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＳ／ＺｎＳ、ＣｄＳ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＴｅ／ＺｎＳ、ＣｄＴｅ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＳｅＳ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅＳ／ＣｄＳ、ＣｄＳｅＳ／ＣｄＺｎＳ、ＣｕＩｎＳ２／ＺｎＳ、ＣｕＩｎＳｅ２／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＣｄＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳ、ＩｎＺｎＰ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳｅＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳｅ、ＩｎＰ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＳｅ／ＣｄＺｎＳ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅ／ＺｎＳ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＳｅ／ＣｄＳ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅ／ＣｄＳ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＳｅ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅＳ／ＣｄＳ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅＳ／ＣｄＳ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＳｅＳ／ＣｄＺｎＳ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅＳ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅＳ／ＺｎＳｅ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＳｅＳ／ＺｎＳ／ＣｄＺｎｓ、ＣｄＳｅ／ＺｎＳ／ＣｄＳ、ＣｄＳｅＳ／ＺｎＳ／ＣｄＳ、ＣｄＳｅ／ＺｎＳｅ／ＣｄＺｎＳ、Ｉｎｐ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＣｄＳ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＣｄＳ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳ／ＣｄＳ、ＩｎＰ／ＧａＰ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＧａＰ／ＺｎＳｅ、ＩｎＰ／ＣｄＺｎＳ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳ／ＣｄＺｎＳ、ＩｎＰ／ＣｄＳ／ＣｄＺｎＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳｅ／ＣｄＺｎＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳ／ＺｎＳｅ、ＩｎＰ／ＧａＰ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ、ナノプレートレット又は量子ドット、又はそれらの混合物を置換することによって、同じ手順を行った。
ＣｄＳｅ／ＣｄＺｎＳナノプレートレットと、有機ナノ粒子、無機ナノ粒子、例えば、金属ナノ粒子、ハライドナノ粒子、カルコゲナイドナノ粒子、リン化物ナノ粒子、硫化物ナノ粒子、半金属ナノ粒子、金属合金ナノ粒子、蛍光体ナノ粒子、ペロブスカイトナノ粒子、セラミックナノ粒子、例えば、酸化物ナノ粒子、炭化物ナノ粒子、窒化物ナノ粒子、又はそれらの混合物を置換することによって、同じ手順を行った。
ＺｎＴｅと、ＺｎＳ又はＺｎＳｅ、又はそれらの混合物を置換することによって、同じ手順を行った。
ＺｎＴｅと、金属材料、ハライド材料、カルコゲナイド材料、リン化物材料、硫化物材料、半金属材料、金属合金材料、蛍光材料、ペロブスカイト材料、セラミック材料、例えば、酸化物、炭化物、窒化物、ガラス、エナメル、セラミック、石、宝石、顔料、セメント及び／又は無機ポリマー、又はそれらの混合物を置換することによって、同じ手順を行った。
実施例２４：有機金属前駆体からの複合粒子の調製−ＣｄＳｅ／ＣｄＺｎＳ＠ＺｎＳ
ヘプタンに懸濁したＣｄＳｅ／ＣｄＺｎＳナノプレートレット１００μＬを、不活性雰囲気下で、ペンタン中の以下の群から選択される有機金属前駆体と混合し、次いで、噴霧乾燥設定に置いた。他方で、Ｈ２Ｓの蒸気供給源を、同じ噴霧乾燥設定に入れた。懸濁液を、ＲＴから３００℃まで加熱した管状炉に向けて窒素流を用いて噴霧した。該複合粒子をフィルターの表面で収集した。
この手順を、ジメチル亜鉛、トリメチル亜鉛、ジエチル亜鉛、Ｚｎ［（Ｎ（ＴＭＳ）２）２、Ｚｎ［（ＣＦ３ＳＯ２）２Ｎ］２、Ｚｎ（Ｐｈ）２、Ｚｎ（Ｃ６Ｆ５）２、Ｚｎ（ＴＭＨＤ）２（β−ジケトネート）、又はそれらの混合物を含む群から選択される有機金属前駆体を用いて行った。上記手順の反応温度を、選択した有機金属前駆体に応じて変化させた。
ＣｄＳｅ／ＣｄＺｎＳナノプレートレットと、ＣｄＳｅ、ＣｄＳ、ＣｄＴｅ、ＣｄＳｅ／ＣｄＳ、ＣｄＳｅ／ＺｎＳ、Ｃｄｓｅ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＳ／ＺｎＳ、ＣｄＳ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＴｅ／ＺｎＳ、ＣｄＴｅ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＳｅＳ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅＳ／ＣｄＳ、ＣｄＳｅＳ／ＣｄＺｎＳ、ＣｕＩｎＳ２／ＺｎＳ、ＣｕＩｎＳｅ２／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＣｄＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳ、ＩｎＺｎＰ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳｅＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳｅ、ＩｎＰ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＳｅ／ＣｄＺｎＳ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅ／ＺｎＳ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＳｅ／ＣｄＳ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅ／ＣｄＳ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＳｅ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅＳ／ＣｄＳ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅＳ／ＣｄＳ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＳｅＳ／ＣｄＺｎＳ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅＳ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅＳ／ＺｎＳｅ／ＣｄＺｎＳ、ＣｄＳｅＳ／ＺｎＳ／ＣｄＺｎｓ、ＣｄＳｅ／ＺｎＳ／ＣｄＳ、ＣｄＳｅＳ／ＺｎＳ／ＣｄＳ、ＣｄＳｅ／ＺｎＳｅ／ＣｄＺｎＳ、Ｉｎｐ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＣｄＳ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＣｄＳ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳ／ＣｄＳ、ＩｎＰ／ＧａＰ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＧａＰ／ＺｎＳｅ、ＩｎＰ／ＣｄＺｎＳ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳ／ＣｄＺｎＳ、ＩｎＰ／ＣｄＳ／ＣｄＺｎＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳｅ／ＣｄＺｎＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳ／ＺｎＳｅ、ＩｎＰ／ＧａＰ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ、ナノプレートレット又は量子ドット、又はそれらの混合物を置換することによって、同じ手順を行った。
ＣｄＳｅ／ＣｄＺｎＳナノプレートレットと、有機ナノ粒子、無機ナノ粒子、金属ナノ粒子、ハライドナノ粒子、カルコゲナイドナノ粒子、リン化物ナノ粒子、硫化物ナノ粒子、半金属ナノ粒子、金属合金ナノ粒子、蛍光体ナノ粒子、ペロブスカイトナノ粒子、セラミックナノ粒子、例えば、酸化物ナノ粒子、炭化物ナノ粒子、窒化物ナノ粒子、又はそれらの混合物を置換することによって、同じ手順を行った。
ＺｎＳと、ＺｎＳｅ又はＺｎＴｅ、又はそれらの混合物を置換することによって、同じ手順を行った。
ＺｎＳと、金属材料、ハライド材料、カルコゲナイド材料、リン化物材料、硫化物材料、半金属材料、金属合金材料、蛍光材料、ペロブスカイト材料、セラミック材料、例えば、酸化物、炭化物、窒化物、ガラス、エナメル、セラミック、石、宝石、顔料、セメント及び／又は無機ポリマー、又はそれらの混合物を置換することによって、同じ手順を行った。
Ｈ２Ｓと、Ｈ２Ｓｅ又はＨ２Ｔｅ、又は他の気体を置換することによって、同じ手順を行った。
実施例２５：シリコーン中の複合粒子の分散及びＬＥＤ上への堆積
蛍光ナノ粒子含有複合粒子を、本発明に従って調製し、収集し、次いで、２０％の質量濃度でシリコーンポリマーに分散させた。得られた材料を、２時間、１５０℃でアニーリングする前に、ＩｎＧａＮのＬＥＤ上に堆積させた。次いで、ＬＥＤのスイッチをＯＮにして、青色光と蛍光ナノ粒子が放つ光の混合物を得た。
シリコーンと、ＺｎＯ、ＰＭＭＡ、ポリスチレン、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＨｆＯ２又はＺｒＯ２、又はそれらの混合物と置換することによって、同じ手順を行った。
実施例２６：ＺｎＯマトリックス中の複合粒子の分散及びＬＥＤ上への堆積
蛍光ナノ粒子含有複合粒子を、本発明に従って調製し、収集し、次いで、ゾル−ゲル法によって調製したＺｎＯマトリックスに分散させた。次いで、材料をスピンコーティングによってガラス基板上に堆積させ、２４時間、１００℃でアニーリングした。次いで、ガラス基板を青色レーザーによって照射し、青色光と蛍光ナノ粒子が放つ光の混合物を得た。
ＺｎＯと、樹脂、シリコーン、ＰＭＭＡ、ポリスチレン、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＨｆＯ２又はＺｒＯ２、又はそれらの混合物と置換することによって、同じ手順を行った。
実施例２７：発光材料の調製
Ａｌ２Ｏ３に封入したコアシェルＣｄＳ／ＺｎＳナノプレートレットを含む青色発光複合粒子、Ａｌ２Ｏ３に封入したコアシェルＣｄＳｅＳ／ＣｄＺｎＳナノプレートレットを含む緑色発光複合粒子、及びＡｌ２Ｏ３に封入したコアシェルＣｄＳｅ／ＣｄＺｎＳナノプレートレットを含む赤色発光複合粒子を、シリコーンに別々に分散させ、複合粒子の各フィルムの厚さが約１〜１０μｍになるように支持体上に堆積させた。次いで、該支持体を、本発明に記載のディスプレイ装置に導入する前に、２時間、１５０℃でアニーリングした。生じた光は、光源からのＵＶ光で照射した複合粒子に応じて青、緑及び赤であった。
シリコーンと、樹脂、ＺｎＯ、ＰＭＭＡ、ポリスチレン、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＨｆＯ２又はＺｒＯ２、又はそれらの混合物と置換することによって、同じ手順を行った。
実施例２８：発光材料の調製
緑色を放つコアシェルＣｄＳｅＳ／ＣｄＺｎＳナノプレートレット及び赤色を放つコアシェルＣｄＳｅ／ＣｄＺｎＳナノプレートレットを、シリコーンに別々に分散させ、複合粒子の各フィルムの厚さが約１〜１０μｍになるように支持体上に堆積させた。次いで、該支持体を、本発明に記載のディスプレイ装置に導入する前に、２時間、１５０℃でアニーリングした。生じた光は、光源からの青色光で照射した複合粒子に応じて緑及び赤であった。
シリコーンと、樹脂、ＺｎＯ、ＰＭＭＡ、ポリスチレン、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＨｆＯ２又はＺｒＯ２、又はそれらの混合物と置換することによって、同じ手順を行った。
実施例２９：発光材料の調製
Ａｌ２Ｏ３に封入したコアシェルＣｄＳｅＳ／ＣｄＺｎＳナノプレートレットを含む緑色発光複合粒子、及びＡｌ２Ｏ３に封入したコアシェルＣｄＳｅ／ＣｄＺｎＳナノプレートレットを含む赤色発光複合粒子を、酸化亜鉛マトリックスに別々に分散させ、複合粒子の各フィルムの厚さが約１〜１０μｍになるように支持体上に堆積させた。次いで、該支持体を、本発明に記載のディスプレイ装置に導入する前に、２時間、１５０℃でアニーリングした。生じた光は、光源からの青色光で照射した複合粒子に応じて緑及び赤であった。
ＺｎＯと、樹脂、シリコーン、ＰＭＭＡ、ポリスチレン、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＨｆＯ２又はＺｒＯ２、又はそれらの混合物と置換することによって、同じ手順を行った。
実施例３０：発光材料の調製
ＳｉＯ２に封入した金ナノ粒子を有するコア及びＡｌ２Ｏ３に封入したコアシェルＣｄＳｅＳ／ＣｄＺｎＳナノプレートレットを有するシェルを含む緑色発光複合粒子、及びＡｌ２Ｏ３に封入したコアシェルＣｄＳｅ／ＣｄＺｎＳナノプレートレットを含む赤色発光複合粒子を、シリコーンに別々に分散させ、複合粒子の各フィルムの厚さが約１〜１０μｍになるように支持体上に堆積させた。次いで、該支持体を、本発明に記載のディスプレイ装置に導入する前に、２時間、１５０℃でアニーリングした。生じた光は、光源からの青色光で照射した複合粒子に応じて緑及び赤であった。
シリコーンと、樹脂、ＺｎＯ、ＰＭＭＡ、ポリスチレン、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＨｆＯ２又はＺｒＯ２、又はそれらの混合物と置換することによって、同じ手順を行った。
実施例３１：発光材料の調製
ＳｉＯ２に封入したコアシェルＩｎＰ／ＺｎＳ量子ドットを含む緑色発光複合粒子、及びＳｉＯ２に封入したコアシェルＩｎＰ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ量子ドットを含む赤色発光複合粒子を、シリコーンに別々に分散させ、複合粒子の各フィルムの厚さが約１〜１０μｍになるように支持体上に堆積させた。次いで、該支持体を、本発明に記載のディスプレイ装置に導入する前に、２時間、１５０℃でアニーリングした。生じた光は、光源からの青色光で照射した複合粒子に応じて緑及び赤であった。
シリコーンと、樹脂、ＺｎＯ、ＰＭＭＡ、ポリスチレン、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＨｆＯ２又はＺｒＯ２、又はそれらの混合物と置換することによって、同じ手順を行った。
実施例３２：発光材料の調製
ＳｉＯ２に封入したコアシェルＩｎＰ／ＺｎＳナノプレートレットを含む緑色発光複合粒子、及びＳｉＯ２に封入したコアシェルＩｎＰ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳナノプレートレットを含む赤色発光複合粒子を、樹脂マトリックスに別々に分散させ、複合粒子の各フィルムの厚さが約１〜１０μｍになるように支持体上に堆積させた。次いで、該支持体を、本発明に記載のディスプレイ装置に導入する前に、３時間、１５０℃でアニーリングした。生じた光は、光源からの青色光で照射した複合粒子に応じて緑及び赤であった。
樹脂と、シリコーン、ＺｎＯ、ＰＭＭＡ、ポリスチレン、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＨｆＯ２又はＺｒＯ２、又はそれらの混合物と置換することによって、同じ手順を行った。
実施例３３：発光材料の調製
Ａｌ２Ｏ３に封入したコアシェルＣｄＳｅＳ／ＺｎＳナノプレートレットを含む緑色発光複合粒子、Ａｌ２Ｏ３に封入したコアシェルＩｎＰ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ量子ドットを含む赤色発光複合粒子を、シリコーンに別々に分散させ、複合粒子の各フィルムの厚さが約１〜１０μｍになるように支持体上に堆積させ。次いで、該支持体を、本発明に記載のディスプレイ装置に導入する前に、２時間、１５０℃でアニーリングした。生じた光は、光源からの青光で照射した複合粒子に応じて緑及び赤であった。
シリコーンと、樹脂、ＺｎＯ、ＰＭＭＡ、ポリスチレン、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＨｆＯ２又はＺｒＯ２、又はそれらの混合物と置換することによって、同じ手順を行った。
実施例３４：逆マイクロエマルジョン法によって調製したＩｎＰ／ＺｎＳ＠ＳｉＯ２対本発明の方法によって調製したＩｎＰ／ＺｎＳ＠ＳｉＯ２
逆マイクロエマルジョン法によって調製したＩｎＰ／ＺｎＳ＠ＳｉＯ２：ＩｎＰ／ＺｎＳコア／シェル量子ドット（７０ｍｇ）を（３−（トリメトキシシリル）プロピルメタクリレート（ＴＭＯＰＭＡ）０．１ｍＬと混合し、その後、トリエチルオルトシリケート（ＴＥＯＳ）０．５ｍＬと混合し、透明溶液を形成させ、Ｎ２下で一晩、インキュベートし続けた。次いで、混合物を、６００ｒｐｍで撹拌しながら、５０ｍＬのフラスコ中の逆マイクロエマルジョン（シクロヘキサン／ＣＯ−５２０、１８ｍｌ／１．３５ｇ）１０ｍＬに注入した。混合物を１５分間撹拌し、次いで、ビーズ形成反応を開始するために、４％のＮＨ４ＯＨ ０．１ｍＬを注入した。反応を次の日に止め、反応溶液を遠心分離して、固相を収集した。得られた粒子を、２０ｍＬのシクロヘキサンで２回洗浄し、次いで、真空下で乾燥させた。
図１３Ａ〜Ｂは、逆マイクロエマルジョンによって調製したＩｎＰ／ＺｎＳ＠ＳｉＯ２のＴＥＭ写真を示す。逆マイクロエマルジョン法によって無機材料中に封入したナノ粒子は、前記無機材料中に均一に分散することができず、分散しないことがＴＥＭ写真から明らかである。
図１３Ａ〜Ｂはまた、逆マイクロエマルジョン法は、別々の粒子ではなく、無機材料のマトリクスをもたらすことを示す。
実施例３５：先行技術の方法によって調製したＣｄＳｅ／ＣｄＳ／ＺｎＳ＠ＳｉＯ２対本発明の方法によって調製したＣｄＳｅ／ＣｄＳ／ＺｎＳ＠ＳｉＯ２
６９４ｎｍに発光波長を有するＣｄＳｅ／ＣｄＳ／ＺｎＳナノプレートレットを含む懸濁液０．６ｍＬ及びペルヒドロポリシラザン溶液（ジブチルエーテルの重量で１８．６％の溶液）６．２ｍＬをビーカー内で混合し、混合溶液を調製した。その後、混合溶液を、テフロンコーティング容器内に注ぎ、室温で、２４時間自然乾燥させる一方で、光は消した。乾燥させた硬化生成物を集め、乳鉢及び乳棒を用いて粉砕し、次いで、７時間半、６０℃のオーブン中で乾燥させた。
図１３Ｃ〜Ｄは、上記の方法によって調製したＣｄＳｅ／ＣｄＳ／ＺｎＳ＠ＳｉＯ２のＴＥＭ写真を示す。前記方法によって無機材料中に封入したナノ粒子は、前記無機材料中に均一に分散することができず、分散しないことがＴＥＭ写真から明らかである。
図１３Ｃ〜Ｄはまた、前記方法が、別々の粒子ではなく、無機材料のマトリクスをもたらすことを示す。
参考
１−複合粒子
１１−複合粒子のコア
１２−複合粒子のシェル
１３−無機ナノ粒子
２−無機材料
２１−無機材料
３−ナノ粒子
３１−球状ナノ粒子
３１−２Ｄナノ粒子
３３−ナノ粒子のコア
３４−ナノ粒子の第１のシェル
３５−ナノ粒子の第２のシェル
３６−ナノ粒子の絶縁シェル
３７−ナノ粒子のクラウン
４−ＬＥＤ支持体
５−ＬＥＤチップ
６−マイクロサイズ化ＬＥＤ
７−発光材料
７１−ホスト材料
９−デンス粒子
Ｄ−画素ピッチ

Claims (21)

  1. 無機材料（２）に封入された複数のナノ粒子（３）を含む複合粒子（１）であって、前記複数のナノ粒子（３）が前記無機材料（２）中に均一に分散している複合粒子（１）。
  2. 前記複数のナノ粒子（３）の各ナノ粒子（３）がその隣接ナノ粒子（３）から平均最小距離だけ間隔をあけている、請求項１に記載の複合粒子（１）。
  3. 前記平均最小距離が少なくとも２ｎｍである、請求項２に記載の複合粒子（１）。
  4. 熱伝導性材料である無機材料（２）に封入された複数のナノ粒子（３）を含む複合粒子（１）。
  5. 前記無機材料（２）が、０．１〜４５０Ｗ／（ｍ．Ｋ）の範囲の標準的な条件での熱伝導性を有する、請求項４に記載の複合粒子（１）。
  6. 無機材料（２）に封入された複数のナノ粒子を含む複合粒子（１）であって、分子種、気体又は液体に不透過性である複合粒子（１）。
  7. 前記複合粒子（１）が、１０−１１ｃｍ２以下の流体に固有の透過性を有する、請求項６に記載の複合粒子（１）。
  8. 前記無機材料（２）が、前記無機材料（２）への外部分子種又は流体（液体若しくは気体）の拡散を制限又は防止する、請求項１〜５のいずれか一項に記載の複合粒子（１）。
  9. 前記ナノ粒子（３）が発光性であり、好ましくは、前記発光ナノ粒子（３）が半導体ナノ結晶である、請求項１〜８のいずれか一項に記載の複合粒子（１）。
  10. 前記半導体ナノ結晶が、式ＭｘＮｙＥｚＡｗの材料を含むコア（３３）を含み、式中、Ｍが、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｈｇ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｍｎ、Ｔｃ、Ｒｅ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｖ、Ｎｄ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｃｓ又はそれらの混合物からなる群から選択され、Ｎが、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｈｇ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｍｎ、Ｔｃ、Ｒｅ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｖ、Ｎｄ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｃｓ又はそれらの混合物からなる群から選択され、Ｅが、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｃ、Ｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、又はそれらの混合物からなる群から選択され、Ａが、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｃ、Ｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ又はそれらの混合物からなる群から選択され；ｘ、ｙ、ｚ及びｗは、独立して０〜５の１０進数であり；ｘ、ｙ、ｚ及びｗは、同時に０であることはなく；ｘ及びｙは、同時に０であることはなく；ｚ及びｗは、同時に０でなくてもよい、請求項９に記載の複合粒子（１）。
  11. 前記半導体ナノ結晶が、式ＭｘＮｙＥｚＡｗの材料を含む少なくとも１つのシェル（３４）を含み、式中、Ｍが、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｈｇ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｍｎ、Ｔｃ、Ｒｅ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｖ、Ｎｄ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｃｓ又はそれらの混合物からなる群から選択され、Ｎが、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｈｇ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｍｎ、Ｔｃ、Ｒｅ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｖ、Ｎｄ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｃｓ又はそれらの混合物からなる群から選択され、Ｅが、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｃ、Ｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、又はそれらの混合物からなる群から選択され、Ａが、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｃ、Ｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ又はそれらの混合物からなる群から選択され；ｘ、ｙ、ｚ及びｗは、独立して０〜５の１０進数であり；ｘ、ｙ、ｚ及びｗは、同時に０であることはなく；ｘ及びｙは、同時に０であることはなく；ｚ及びｗは、同時に０でなくてもよい、請求項９又は１０のいずれか一項に記載の複合粒子（１）。
  12. 前記半導体ナノ結晶が、式ＭｘＮｙＥｚＡｗの材料を含む少なくとも１つのクラウン（３７）を含み、式中、Ｍが、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｈｇ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｍｎ、Ｔｃ、Ｒｅ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｖ、Ｎｄ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｃｓ又はそれらの混合物からなる群から選択され、Ｎが、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｈｇ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｍｎ、Ｔｃ、Ｒｅ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｖ、Ｎｄ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｃｓ又はそれらの混合物からなる群から選択され、Ｅが、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｃ、Ｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、又はそれらの混合物からなる群から選択され、Ａが、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｃ、Ｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ又はそれらの混合物からなる群から選択され；ｘ、ｙ、ｚ及びｗは、独立して０〜５の１０進数であり；ｘ、ｙ、ｚ及びｗは、同時に０であることはなく；ｘ及びｙは、同時に０であることはなく；ｚ及びｗは、同時に０でなくてもよい、請求項９又は１０のいずれか一項に記載の複合粒子（１）。
  13. 前記半導体ナノ結晶が、半導体ナノプレートレットである、請求項９〜１２のいずれか一項に記載の複合粒子（１）。
  14. 前記無機材料（２）が、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化銅、酸化鉄、酸化銀、酸化鉛、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化亜鉛、酸化スズ、酸化ベリリウム、酸化ジルコニウム、酸化ニオブ、酸化セリウム、酸化イリジウム、酸化スカンジウム、酸化ニッケル、酸化ナトリウム、酸化バリウム、酸化カリウム、酸化バナジウム、酸化テルル、酸化マンガン、酸化ホウ素、酸化リン、酸化ゲルマニウム、酸化オスミウム、酸化レニウム、酸化白金、酸化ヒ素、酸化タンタル、酸化リチウム、酸化ストロンチウム、酸化イットリウム、酸化ハフニウム、酸化タングステン、酸化モリブデン、酸化クロム、酸化テクネチウム、酸化ロジウム、酸化ルテニウム、酸化コバルト、酸化パラジウム、酸化金、酸化カドミウム、酸化水銀、酸化タリウム、酸化ガリウム、酸化インジウム、酸化ビスマス、酸化アンチモン、酸化ポロニウム、酸化セレン、酸化セシウム、酸化ランタン、酸化プラセオジム、酸化ネオジム、酸化サマリウム、酸化ユウロピウム、酸化テルビウム、酸化ジスプロシウム、酸化エルビウム、酸化ホルミウム、酸化ツリウム、酸化イッテルビウム、酸化ルテチウム、酸化ガドリニウム、混合酸化物、それらの混合酸化物、例えば、Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２、Ｙ３Ｆｅ２（ＦｅＯ４）３、Ｙ３Ｆｅ５Ｏ１２、Ｙ４Ａｌ２Ｏ９、ＹＡｌＯ３、Ｆｅ３Ａｌ２（ＳｉＯ４）３、Ｍｇ３Ａｌ２（ＳｉＯ４）３、Ｍｎ３Ａｌ２（ＳｉＯ４）３、Ｃａ３Ｆe２（ＳｉＯ４）３、Ｃａ３Ａｌ２（ＳｉＯ４）３、Ｃａ３Ｃｒ２（ＳｉＯ４）３、Ａｌ５Ｌｕ３Ｏ１２、ＧＡＬ、ＧａＹＡＧ又はそれらの混合物などのガーネット、を含むがこれらに限定されない、材料を含む、請求項１〜１３のいずれか一項に記載の複合粒子（１）。
  15. 前記複合粒子（１）が、５ｎｍ〜１ｍｍの範囲の平均直径を有する、請求項１〜１４のいずれか一項に記載の複合粒子（１）。
  16. 少なくとも１種のホスト材料（７１）と、少なくとも１種の請求項１〜１５のいずれか一項に記載の複合粒子（１）と、を含む発光材料（７）であって、前記少なくとも１種の複合粒子（１）が、前記少なくとも１種のホスト材料（７１）内に分散している発光材料（７）。
  17. 前記ホスト材料（７１）が、無機材料、コポリマー、ブロックコポリマー、又はシリコーン系ポリマーなどのポリマー、エポキシ樹脂などの樹脂又はそれらの混合物を含む、請求項１６に記載の発光材料（７）。
  18. 前記ホスト材料（７１）が、少なくとも０．１Ｗ／（ｍ．Ｋ）の標準的な条件での熱伝導性を有する、請求項１６又は１７のいずれか一項に記載の発光材料（７）。
  19. さらに、複数の請求項１〜１５のいずれか一項に記載の複合粒子（１）を含み、前記複数の複合粒子（１）が、前記ホスト材料（７１）に均一に分散している、請求項１６〜１８のいずれか一項に記載の発光材料（７）。
  20. 少なくとも１種の請求項１〜１５のいずれか一項に記載の複合粒子（１）又は請求項１６〜１９のいずれか一項に記載の発光材料（７）を支持する、支持体であって、好ましくは、ＬＥＤチップ（５）又はマイクロサイズ化ＬＥＤである支持体。
  21. 少なくとも１種の請求項１〜１５のいずれか一項に記載の複合粒子（１）又は請求項１６〜１９のいずれか一項に記載の発光材料（７）を含む、光電子装置。
JP2019566669A 2017-06-02 2018-06-01 均一に封入されたナノ粒子及びその使用 Pending JP2020523432A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2023003519A JP2023055727A (ja) 2017-06-02 2023-01-13 均一に封入されたナノ粒子及びその使用

Applications Claiming Priority (25)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201762514422P 2017-06-02 2017-06-02
US201762514297P 2017-06-02 2017-06-02
US201762514601P 2017-06-02 2017-06-02
US62/514,297 2017-06-02
US62/514,422 2017-06-02
US62/514,601 2017-06-02
EP17306241 2017-09-22
EP17306248 2017-09-22
EP17306246.4 2017-09-22
EP17306247.2 2017-09-22
EP17306246 2017-09-22
EP17306248.0 2017-09-22
EP17306247 2017-09-22
EP17306249.8 2017-09-22
EP17306249 2017-09-22
EP17306241.5 2017-09-22
EP17206479 2017-12-11
EP17206479.2 2017-12-11
US201762609932P 2017-12-22 2017-12-22
US62/609,932 2017-12-22
US201862710298P 2018-02-16 2018-02-16
US62/710,298 2018-02-16
US201862642370P 2018-03-13 2018-03-13
US62/642,370 2018-03-13
PCT/EP2018/064431 WO2018220160A1 (en) 2017-06-02 2018-06-01 Uniformly encapsulated nanoparticles and uses thereof

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2023003519A Division JP2023055727A (ja) 2017-06-02 2023-01-13 均一に封入されたナノ粒子及びその使用

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2020523432A true JP2020523432A (ja) 2020-08-06

Family

ID=72924210

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019566669A Pending JP2020523432A (ja) 2017-06-02 2018-06-01 均一に封入されたナノ粒子及びその使用
JP2023003519A Pending JP2023055727A (ja) 2017-06-02 2023-01-13 均一に封入されたナノ粒子及びその使用

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2023003519A Pending JP2023055727A (ja) 2017-06-02 2023-01-13 均一に封入されたナノ粒子及びその使用

Country Status (9)

Country Link
EP (2) EP4101907A1 (ja)
JP (2) JP2020523432A (ja)
KR (1) KR20200023295A (ja)
CN (1) CN111201301A (ja)
DK (1) DK3630917T3 (ja)
ES (1) ES2929537T3 (ja)
PL (1) PL3630917T4 (ja)
TW (2) TWI793131B (ja)
WO (1) WO2018220160A1 (ja)

Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20190198720A1 (en) * 2017-12-22 2019-06-27 Lumileds Llc Particle systems and patterning for monolithic led arrays
CN109557140B (zh) * 2018-11-08 2021-02-19 深圳大学 一种N3掺杂的ZnO材料及其制备方法与乙醇传感器
CN113474291B (zh) * 2019-02-08 2023-07-18 国立大学法人东海国立大学机构 半导体纳米粒子及其制造方法
KR20200129409A (ko) * 2019-05-08 2020-11-18 삼성전자주식회사 광 센서, 생체 정보 추정 장치 및 방법
CN110444656B (zh) * 2019-08-20 2022-10-04 上海第二工业大学 一种硫化亚铜复合碳化硅块体热电材料的制备方法
CN110787795B (zh) * 2019-09-11 2022-04-19 浙江工业大学 一种多层级双孔结构复合光催化剂及其制备与应用
JP2022547277A (ja) 2019-09-16 2022-11-11 エービーケー バイオメディカル インコーポレイテッド 放射性微粒子及び非放射性微粒子の組成物
CN111036238B (zh) * 2019-11-20 2022-08-12 哈尔滨理工大学 一种Fe2O3/WS2异质结光催化剂及其制备方法
CN113387562B (zh) * 2020-03-13 2022-03-18 包头稀土研究院 稀土掺杂的红色荧光玻璃材料及其制备工艺
EP4127716A1 (en) * 2020-03-24 2023-02-08 Nexdot Composite particles for biologic assay
CN115667458B (zh) * 2020-04-08 2024-06-25 鲁米那其有限公司 显示元件和用于制造显示元件的方法
US11753589B2 (en) 2020-07-23 2023-09-12 Samsung Electronics Co., Ltd. Quantum dots, quantum dot-polymer composite, and electronic device including the same
CN111974412A (zh) * 2020-09-04 2020-11-24 吉林师范大学 一种Au@Cu2O-Ag纳米材料及光催化剂
CN112268937B (zh) * 2020-10-15 2022-07-19 苏州大学 基于钙钛矿Cs2PdBr6纳米中空球的一氧化碳传感器及其制备方法和用途
CN112410017B (zh) * 2020-10-23 2022-12-27 宁波大学 一种基于核壳量子点掺杂phps/pmma的非晶硅平板型荧光太阳集光器的制备方法
TWI751761B (zh) * 2020-10-29 2022-01-01 歆熾電氣技術股份有限公司 光波長轉換複合材料及其製備方法
CN112370534B (zh) * 2020-11-26 2022-05-17 山西医科大学 肿瘤微环境响应降解型诊疗一体化纳米探针及制备方法
TWI807531B (zh) * 2021-01-06 2023-07-01 日商田中貴金屬工業股份有限公司 光電變換元件材料及光電變換元件材料之製造方法以及分散半導體奈米粒子之墨水
CN113088026B (zh) * 2021-04-06 2022-10-25 温州大学 一种Ag-CsPbX3/PMMA纳米复合材料及其制备方法与用途
CN113203723B (zh) * 2021-04-08 2023-01-24 复旦大学 纳米金芯片及其制备方法和应用
CN113264498A (zh) * 2021-04-08 2021-08-17 哈尔滨工业大学（深圳） 金属氧化物界面装置及其制备方法与应用
CN113636598B (zh) * 2021-06-30 2022-07-01 湖南师范大学 微波快速简便合成氧化铬纳米颗粒的方法及其应用
CN114497564A (zh) * 2021-12-30 2022-05-13 西安理工大学 锂硫电池催化材料硒化钴/硒化镍异质结的制备方法
TWI796980B (zh) * 2022-03-28 2023-03-21 新唐科技股份有限公司 半導體材料及包含其之半導體結構
CN114921241A (zh) * 2022-04-14 2022-08-19 新疆农业大学 一种含锰配合物纤维素基荧光功能材料制备方法及应用
CN115121259B (zh) * 2022-05-10 2024-03-22 陕西师范大学 氧化亚铜@金纳米模拟酶及制备方法和应用
EP4311847A1 (en) * 2022-07-27 2024-01-31 Seaborough IP I B.V. Composite luminescent particles
CN115403358B (zh) * 2022-09-13 2023-06-13 景德镇陶瓷大学 一种过渡金属离子与Eu3+共掺杂型固体电解质陶瓷材料及其制备方法
WO2024068647A1 (en) * 2022-09-26 2024-04-04 Nexdot Nanoparticle structures with barcodes
EP4343329A1 (en) * 2022-09-26 2024-03-27 Nexdot Nanoparticle structures with barcodes
CN116554877A (zh) * 2023-05-12 2023-08-08 今上半导体(信阳)有限公司 一种led荧光粉混合材料及其制备方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010209314A (ja) * 2009-03-06 2010-09-24 Korea Inst Of Science & Technology ナノ粒子・多孔体複合ビーズ及びその製造方法
JP2014531762A (ja) * 2011-09-23 2014-11-27 ナノコ テクノロジーズ リミテッド 半導体ナノ粒子ベースの発光材料
WO2016156266A1 (en) * 2015-03-27 2016-10-06 Nexdot Core-shell nanoplatelets film and display device using the same
JP2016540852A (ja) * 2013-11-19 2016-12-28 キユーデイー・ビジヨン・インコーポレーテツド ルミネッセンス粒子、これを含む材料および製品、ならびに方法
US20170096599A1 (en) * 2015-10-02 2017-04-06 Korea Institute Of Science And Technology Phosphor powder and method of manufacturing the same

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8389958B2 (en) * 2009-03-18 2013-03-05 Duke University Up and down conversion systems for production of emitted light from various energy sources
KR101083006B1 (ko) * 2009-03-06 2011-11-15 한국과학기술연구원 나노입자-기공체 복합 비드 및 그 제조 방법
GB0916700D0 (en) * 2009-09-23 2009-11-04 Nanoco Technologies Ltd Semiconductor nanoparticle-based materials
GB0916699D0 (en) * 2009-09-23 2009-11-04 Nanoco Technologies Ltd Semiconductor nanoparticle-based materials
KR101299242B1 (ko) 2011-10-20 2013-08-22 한국기계연구원 에어로졸 분사를 이용한 양자점 및 무기물 보호층을 포함하는 복합입자의 제조방법
CN104105739B (zh) * 2012-02-03 2016-08-17 皇家飞利浦有限公司 具有高量子效率和稳定性的在基质中分散纳米颗粒的新材料和方法
US9425365B2 (en) 2012-08-20 2016-08-23 Pacific Light Technologies Corp. Lighting device having highly luminescent quantum dots
CN102816563B (zh) * 2012-08-29 2014-07-09 上海交通大学 一种折射率可调的二氧化硅包覆量子点的纳米复合发光材料的制法和用途
JP5966843B2 (ja) * 2012-10-18 2016-08-10 ソニー株式会社 光源装置及び画像表示装置
US10340427B2 (en) * 2014-02-04 2019-07-02 Lumileds Llc Quantum dots with inorganic ligands in an inorganic matrix
CN105629362B (zh) * 2015-12-29 2018-02-02 东南大学 一种量子点与等离子体耦合的彩色滤色片制备方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010209314A (ja) * 2009-03-06 2010-09-24 Korea Inst Of Science & Technology ナノ粒子・多孔体複合ビーズ及びその製造方法
JP2014531762A (ja) * 2011-09-23 2014-11-27 ナノコ テクノロジーズ リミテッド 半導体ナノ粒子ベースの発光材料
JP2016540852A (ja) * 2013-11-19 2016-12-28 キユーデイー・ビジヨン・インコーポレーテツド ルミネッセンス粒子、これを含む材料および製品、ならびに方法
WO2016156266A1 (en) * 2015-03-27 2016-10-06 Nexdot Core-shell nanoplatelets film and display device using the same
US20170096599A1 (en) * 2015-10-02 2017-04-06 Korea Institute Of Science And Technology Phosphor powder and method of manufacturing the same

Also Published As

Publication number Publication date
TW201905161A (zh) 2019-02-01
CN111201301A (zh) 2020-05-26
JP2023055727A (ja) 2023-04-18
DK3630917T3 (da) 2022-10-10
TWI793131B (zh) 2023-02-21
EP3630917B1 (en) 2022-07-06
EP3630917A1 (en) 2020-04-08
WO2018220160A1 (en) 2018-12-06
TWI785056B (zh) 2022-12-01
TW201905162A (zh) 2019-02-01
PL3630917T3 (pl) 2022-11-14
EP4101907A1 (en) 2022-12-14
ES2929537T3 (es) 2022-11-30
PL3630917T4 (pl) 2022-11-28
KR20200023295A (ko) 2020-03-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2020523432A (ja) 均一に封入されたナノ粒子及びその使用
US20220306935A1 (en) Uniformly encapsulated nanoparticles, and light emitting material and optoelectronic device including same
US11112685B2 (en) Color conversion layer and display apparatus having the same
JP7212947B2 (ja) 封入ナノ粒子を得るための方法
US11299670B2 (en) Glass composite particles and uses thereof
CN111201300B (zh) 包括经封装之纳米颗粒之墨水
CN111148816A (zh) 包括经封裝之纳米颗粒之发光粒子及其用途
JP2020522746A (ja) 色変換層およびそれを有する表示装置
US20210139770A1 (en) Metastable aggregate and uses thereof
WO2018078147A1 (en) Glass composite particles and uses thereof

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20200326

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20210416

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20211013

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20211102

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20220128

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20220401

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20220502

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20220506

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20220913

C60 Trial request (containing other claim documents, opposition documents)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C60

Effective date: 20230113

C116 Written invitation by the chief administrative judge to file amendments

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C116

Effective date: 20230124

C22 Notice of designation (change) of administrative judge

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C22

Effective date: 20230124