ES2929537T3 - Nanoparticulas encapsuladas uniformemente y sus usos - Google Patents

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Abstract

La presente invención se refiere a una partícula compuesta (1) que comprende una pluralidad de nanopartículas (3) encapsuladas en un material inorgánico (2), donde la pluralidad de nanopartículas (3) se encuentran uniformemente dispersas en dicho material inorgánico (2). La presente invención también se refiere a un material emisor de luz, un soporte que soporta al menos una partícula compuesta (1) y/o un material emisor de luz y un dispositivo optoelectrónico que comprende al menos una partícula compuesta (1) y/o un material emisor de luz. (Traducción automática con Google Translate, sin valor legal)

Description

DESCRIPCIÓN
Nanoparticulas encapsuladas uniformemente y sus usos
Sector de la técnica
La presente invención se refiere a partículas compuestas que comprenden una variedad de nanoparticulas encapsuladas y dispersadas uniformemente en un material inorgánico. En particular, la presente invención se refiere a partículas compuestas fluorescentes que comprenden un conjunto de nanopartículas, dichas nanopartículas comprenden al menos 1% de nanoplaquetas semiconductoras.
Antecedentes de la invención
Con objeto de poder representar la totalidad de colores existente, típicamente se procede mediante la síntesis aditiva de, al menos, tres colores complementarios, especialmente el rojo, el verde y el azul.
En un diagrama de cromaticidad, el subconjunto de colores disponibles que se obtiene al mezclar diferentes proporciones de estos tres colores está formado por un triángulo que integra las tres coordenadas asociadas a dichos colores: rojo, verde y azul. Este subconjunto constituye lo que se denomina gama. La mayoría de los dispositivos de visualización de color funcionan de acuerdo con este principio de tres colores: cada píxel consta de tres subpíxeles, uno rojo, uno verde y uno azul, cuya mezcla con diferentes intensidades puede reproducir una impresión de color.
Un dispositivo luminiscente o de retroiluminación, como una pantalla LCD de un ordenador, debe presentar la gama cromática más amplia posible para una reproducción precisa del color. Para ello, los subpíxeles que la componen deben estar constituidos por colores con el nivel de saturación más alto posible. Un subpíxel tiene un color saturado si está cerca de un color monocromático. Desde un punto de vista espectral, esto significa que la luz emitida por la fuente está compuesta por una única y estrecha banda de fluorescencia de longitudes de onda. Un tono muy saturado tiene un color vivo e intenso, mientras que un tono menos saturado parece más bien tenue y gris.
Por lo tanto, es importante contar con subpíxeles cuyos espectros de emisión sean estrechos y con colores saturados.
Las nanopartículas inorgánicas luminiscentes, especialmente las nanopartículas semiconductoras, comúnmente llamadas puntos cuánticos ("quantum dots"), son conocidas por ser materiales emisivos. Las nanopartículas semiconductoras tienen un espectro de fluorescencia estrecho, de unos 30 nm de anchura a media altura, y ofrecen la posibilidad de emitir en todo el espectro visible, así como en el infrarrojo, con una única fuente de excitación en el ultravioleta. Las nanopartículas inorgánicas luminiscentes, especialmente las semiconductoras, son actualmente utilizadas en dispositivos de visualización como los fósforos.
Sin embargo, existe una necesidad real de materiales para ser utilizados en dispositivos de visualización y de iluminación, que presenten una alta estabilidad (en el tiempo y con la temperatura) bajo un alto flujo de fotones. Además, existe la necesidad de materiales que presenten una alta estabilidad para su uso a largo plazo en la construcción de diodos, o diodos emisores de luz (LED).
Para garantizar una alta estabilidad a largo plazo, debe evitarse la reacción química entre la superficie de las nanopartículas y las especies que contribuyen al deterioro del medio ambiente, como el agua oxígeno u otros compuestos nocivos, durante su uso. Sin embargo, los ligandos que se utilizan habitualmente para funcionalizar la superficie de los puntos cuánticos no protegen eficazmente dicha superficie contra las reacciones con especies o compuestos nocivos y, por lo tanto, no permiten el rendimiento a largo plazo requerido por los dispositivos de iluminación.
Se sabe que es posible recubrir las nanopartículas con una capa protectora, por ejemplo, encapsular las nanopartículas en otro material, para evitar que las especies o compuestos nocivos lleguen a su superficie. La sílice es uno de los materiales protectores aislantes en el campo de las nanopartículas. Además, las partículas que comprenden nanopartículas recubiertas con un material protector aislante pueden actuar como dispersores en los subpixeles. Esto da lugar a la dispersión de la luz emitida por la fuente en todas las partes de los subpíxeles y, a continuación, la dispersión de la luz emitida por los subpíxeles en todas direcciones.
Por ejemplo, la patente estadounidense US 9.425.365 describe la encapsulación de puntos cuánticos, con un núcleo nanocristalino y una capa nanocristalina a partir de sílice mesoporosa, mediante un método de micelas inversas. Las partículas así obtenidas son nanopartículas de sílice mesoporosa, cada una de las cuales comprende un solo punto cuántico. Sin embargo, el recubrimiento de dichas partículas está constituido por una red porosa de sílice que permite el acceso a la superficie de los puntos cuánticos a especies como el agua y el oxígeno, u otros compuestos nocivos.
La protección de dicha superficie es, por lo tanto, ineficaz y no permite una estabilidad a largo plazo (en el tiempo y con la temperatura).
Gui et al. describen la encapsulación de múltiples puntos cuánticos de PbSe en partículas de sílice utilizando un método sol-gel (Analyst, 2013, 138, 5956). Sin embargo, dichos puntos cuánticos de PbSe se agregan dentro de las partículas de sílice, lo que da lugar a una disminución del rendimiento cuántico de fotoluminiscencia. Las partículas de sílice son porosas, lo que permite el acceso a la superficie de los puntos cuánticos a especies como el agua y el oxígeno, u otros compuestos nocivos.
De este modo, la agregación de múltiples nanopartículas en una única partícula debido a la encapsulación resulta en una dramática degradación de las propiedades de las nanopartículas. En el caso de las nanopartículas luminiscentes, esto se traduce en una disminución del rendimiento cuántico de fotoluminiscencia.
La solicitud de patente KR20130043442 describe puntos cuánticos encapsulados en sílice mediante aerosol. Sin embargo, las partículas resultantes no están bien definidas y además están agregadas, dando lugar a un material del tipo de una matriz de sílice que contiene puntos cuánticos. Dicho material no permite una buena dispersión en un material anfitrión con vistas a una aplicación como subpixel.
La solicitud de patente US 2013/075692 describe una superficie emisora de luz que incluye un conjunto de partículas emisoras de luz incrustadas dentro de una matriz anfitriona, donde dichas partículas emisoras de luz están constituidas por una población de nanopartículas semiconductoras, como los puntos cuánticos. La solicitud de patente US 2010/224831 describe partículas porosas que comprenden nanopartículas fotoluminiscentes, tales como puntos cuánticos, unidas radialmente a modo de esferas homocéntricas de las partículas porosas mediante una fuerza de atracción electrostática. La solicitud de patente US 2017/96599 describe un polvo de fósforo en el cual un material de conversión de longitud de onda está rodeado por una sustancia inorgánica a base de sílice, en donde el material de conversión de longitud de onda puede incluir nanocristales semiconductores. Sin embargo, los documentos US 2013/075692, US 2010/224831 y US 2017/96599 no incluyen nanopartículas que comprenden al menos un 1% de nanoplaquetas semiconductoras.
El objetivo de la presente invención es, por lo tanto, proporcionar partículas compuestas que comprenden un conjunto de nanopartículas encapsuladas y dispersas uniformemente en un material inorgánico; dichas partículas compuestas presentan una o más de las siguientes ventajas: suma de las propiedades de diferentes nanopartículas encapsuladas en la misma partícula compuesta; prevención de la disminución de las propiedades de las nanopartículas encapsuladas; aumento de la estabilidad frente a la temperatura, a variaciones del entorno o a ataques de especies como el agua, oxígeno, u otros compuestos nocivos; capacidad de dispersar la luz emitida por una fuente de luz y la luz resultante de la excitación de dichas partículas compuestas, aumento del rendimiento cuántico de fotoluminiscencia, mayor resistencia al fotoblanqueo y una mayor resistencia al flujo de fotones en el caso de las partículas compuestas luminiscentes.
Resumen
La invención se refiere a una partícula compuesta que comprende un conjunto de nanopartículas encapsuladas en un material inorgánico, en el que dicho conjunto de nanopartículas está dispersado en dicho material inorgánico uniformemente, en el que las nanopartículas son luminiscentes y comprenden al menos un 1% de nanoplaquetas semiconductoras. En un modo de realización, cada nanopartícula del conjunto de nanopartículas está separada de su nanopartícula vecina mediante una distancia mínima promedio. En un modo de realización, la distancia mínima promedio es de al menos 2 nm. En un modo de realización, el material inorgánico impide la difusión de especies moleculares externas o fluidos (líquido o gas) en dicho material inorgánico. En un modo de realización, las nanopartículas luminiscentes son nanocristales semiconductoras. En un modo de realización, los nanocristales semiconductores presentan un núcleo compuesto por un material de fórmula MxNyEzAw, en el que: M pertenece al grupo: Zn, Cd, Hg, Cu, Ag, Au, Ni, Pd, Pt, Co, Fe, Ru, Os, Mn, Tc, Re, Cr, Mo, W, V, Nd, Ta, Ti, Zr, Hf, Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Al, Ga, In, Tl, Si, Ge, Sn, Pb, As, Sb, Bi, Sc, Y, La, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Cs o una mezcla de éstos; N pertenece al grupo: Zn, Cd, Hg, Cu, Ag, Au, Ni, Pd, Pt, Co, Fe, Ru, Os, Mn, Tc, Re, Cr, Mo, W, V, Nd, Ta, Ti, Zr, Hf, Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Al, Ga, In, Tl, Si, Ge, Sn, Pb, As, Sb, Bi, Sc, Y, La, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Cs o una mezcla de ellos; E pertenece al grupo formado por: O, S, Se, Te, C, N, P, As, Sb, F, Cl, Br, I, o una mezcla de éstos; A pertenece al grupo: O, S, Se, Te, C, N, P, As, Sb, F, Cl, Br, I, o una mezcla de ellos; y x, y, z y w son independientemente un número decimal de 0 a 5; x, y, z y w no son simultáneamente iguales a 0; x e y no son simultáneamente igual a 0; z y w no son simultáneamente iguales a 0. En un modo de realización, los nanocristales semiconductores comprenden al menos una capa compuesta por un material de fórmula MxNyEzAw, en la que M pertenece al grupo: Zn, Cd, Hg, Cu, Ag, Au, Ni, Pd, Pt, Co, Fe, Ru, Os, Mn, Tc, Re, Cr, Mo, W, V, Nd, Ta, Ti, Zr, Hf, Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Al, Ga, In, Tl, Si, Ge, Sn, Pb, As, Sb, Bi, Sc, Y, La, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Cs o una mezcla de ellos; N pertenece al grupo: Zn, Cd, Hg, Cu, Ag, Au, Ni, Pd, Pt, Co, Fe, Ru, Os, Mn, Tc, Re, Cr, Mo, W, V, Nd, Ta, Ti, Zr, Hf, Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Al, Ga, In, Tl, Si, Ge, Sn, Pb, As, Sb, Bi, Sc, Y, La, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Cs o una mezcla de ellos; E pertenece al grupo: O, S, Se, Te, C, N, P, As, Sb, F, Cl, Br, I, o una mezcla de ellos; A pertenece al grupo O, S, Se, Te, C, N, P, As, Sb, F, Cl, Br, I, o una mezcla de ellos; y x, y, z y w son independientemente un número decimal de 0 a 5; x, y, z y w no son simultáneamente iguales a 0; x e y no son simultáneamente igual a 0; z y w no son simultáneamente iguales a 0. En un modo de realización, los nanocristales semiconductores comprenden al menos un recubrimiento en forma de corona compuesto por un material de fórmula MxNyEzAw, en la que M pertenece al grupo: Zn, Cd, Hg, Cu, Ag, Au, Ni, Pd, Pt, Co, Fe Ru, Os, Mn, Tc, Re, Cr, Mo, W, V, Nd, Ta, Ti, Zr, Hf, Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Al, Ga, In, Tl, Si, Ge, Sn, Pb, As, Sb, Bi, Sc, Y, La, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Cs o una mezcla de ellos; N pertenece al grupo: Zn, Cd, Hg, Cu, Ag, Au, Ni, Pd, Pt, Co, Fe, Ru, Os, Mn, Tc, Re, Cr, Mo, W, V, Nd, Ta, Ti, Zr, Hf, Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Al, Ga, In, Tl, Si, Ge, Sn, Pb, As, Sb, Bi, Sc, Y, La, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Cs o una mezcla de ellos; E pertenece al grupo: O, S, Se, Te, C, N, P, As, Sb, F, Cl, Br, I, o una mezcla de ellos; A se pertenece al grupo: O, S, Se, Te, C, N, P, As, Sb, F, Cl, Br, I, o una mezcla de ellos; y x, y, z y w son independientemente un número decimal de 0 a 5; x, y, z y w no son simultáneamente iguales a 0; x e y no son simultáneamente igual a 0; z y w no son simultáneamente iguales a 0. En un modo de realización, los nanocristales semiconductores comprenden el 100% de nanoplaquetas semiconductoras. En un modo de realización, el material inorgánico está compuesto por un material que incluye, pero no limita: óxido de silicio, óxido de aluminio, óxido de titanio, óxido de cobre, óxido de hierro, óxido de plata, óxido de plomo, óxido de calcio, óxido de magnesio, óxido de zinc, óxido de estaño, óxido de berilio, óxido de circonio, óxido de niobio, óxido de cerio, óxido de iridio, óxido de escandio, óxido de níquel, óxido de sodio, óxido de bario, óxido de potasio, óxido de vanadio, óxido de telurio, óxido de manganeso, óxido de boro, óxido de fósforo, óxido de germanio, óxido de osmio, óxido de renio, óxido de platino, óxido de arsénico, óxido de tantalio, óxido de litio, óxido de estroncio, óxido de itrio, óxido de hafnio, óxido de tungsteno, óxido de molibdeno, óxido de cromo, óxido de tecnecio, óxido de rodio, óxido de rutenio, óxido de cobalto, óxido de paladio, óxido de cadmio, óxido de mercurio, óxido de talio, óxido de galio, óxido de indio, óxido de bismuto, óxido de antimonio, óxido de polonio, óxido de selenio, óxido de cesio, óxido de lantano, óxido de praseodimio, óxido de neodimio, óxido de samario, óxido de europio, óxido de terbio, óxido de disprosio, óxido de erbio, óxido de holmio, óxido de tulio, óxido de iterbio, óxido de lutecio, óxido de gadolinio, óxidos mixtos, granates como, por ejemplo YaAlsO-^, Y3Fe2(FeO4)3, YaFesO-^, Y4AhOg, YAO 3, Fe3Al2(SiO4)3, Mg3Al2(SiO4)3, Mn3Al2(SiO4)3, Ca3Fe2(SiO4)3, Ca3Ah(SiO4)3, Ca3Cr2(SiO4)3, AlsLu3O i2, GAL, GaYAG, o una mezcla de ellos. En un modo de realización, la partícula compuesta tiene un diámetro medio comprendido entre 5 nm y 1 mm. La invención también se refiere a un material emisor de luz que comprende al menos un material anfitrión y al menos una partícula compuesta, en el que dicha partícula compuesta está dispersada en el material anfitrión. En un modo de realización, el material anfitrión consiste en un material inorgánico, un polímero como un copolímero, un copolímero en bloque o un polímero a base de silicona, una resina como una resina epoxi o una mezcla. En un modo de realización, el material anfitrión tiene una conductividad térmica en condiciones estándar de al menos 0,1 W/(m.K). En un modo de realización, el material emisor de luz comprende además un conjunto de partículas compuestas, donde dicho conjunto de partículas compuestas se encuentra dispersado uniformemente en el material anfitrión. La invención también se refiere a un soporte que integra, al menos, una partícula compuesta o un material emisor de luz, preferentemente el soporte es un chip LED o un LED de tamaño microscópico. La invención también se refiere a un dispositivo optoelectrónico que comprende al menos una partícula compuesta o un material emisor de luz.
Definiciones
En la presente invención, los siguientes términos tienen los siguientes significados:
- "Núcleo" se refiere a la parte más interna dentro de una partícula.
- "Capa" se refiere a al menos una monocapa de material que recubre parcial o totalmente un núcleo.
- "Encapsular" se refiere a la acción de utilizar un material para recubrir, rodear, envolver, contener, comprender, empaquetar o encerrar un conjunto de nanopartículas.
- "Disperso uniformemente" se refiere a las partículas que no están agregadas, no se tocan, no están en contacto y están separadas por un material inorgánico. Cada nanopartícula está separada de sus nanopartículas vecinas por una distancia mínima promedio.
- "Coloidal" se refiere a una sustancia en la que las partículas están dispersas, suspendidas y no precipitan o tardarían mucho tiempo en precipitar de forma apreciable, pero no son solubles en dicha sustancia.
- "Partículas coloidales" se refiere a las partículas que pueden estar dispersas, suspendidas y que no precipitan o tardarían mucho tiempo en precipitar de forma apreciable en otra sustancia, normalmente en un disolvente acuoso u orgánico y que no son solubles en dicha sustancia. “Partículas coloidales" no se refiere a partículas cultivadas en un sustrato.
- "Impermeable" se refiere a un material que limita o impide la difusión de especies moleculares o fluidos externos (líquido o gas) en dicho material.
- "Permeable" se refiere a un material que permite la difusión de especies moleculares externas o fluidos (líquidos o gas) en dicho material.
- "Especies o fluidos moleculares externos (líquidos o gas)" se refiere a las especies moleculares o fluidos (líquido o gas) procedentes del exterior de un material o una partícula.
- "Nanopartícula vecina" se refiere a las nanopartículas adyacentes en un espacio o volumen, sin ninguna otra nanopartícula entre dichas nanopartículas adyacentes.
- "Fracción de empaquetamiento" se refiere a la relación entre el volumen ocupado por un conjunto de objetos en un espacio y el volumen de dicho espacio. Los términos fracción de empaquetamiento, densidad de empaquetamiento y factor de empaquetamiento son intercambiables en la presente invención.
- "Fracción de carga" se refiere a la relación entre la masa de un conjunto de objetos comprendidos en un espacio y la masa de dicho espacio.
- "Población de partículas" se refiere a un conjunto estadístico de partículas que tienen la misma longitud de onda. - "Conjunto estadístico" se refiere a un grupo de al menos 2, 3, 4, 5, 6 , 7, 8 , 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18, 19, 20, 30, 40, 50, 60, 70, 80, 90, 100, 150, 200, 250, 300, 350, 400, 450, 500, 550, 600, 650, 700, 750, 800, 850, 900, 950 o 1000 objetos obtenidos mediante el mismo proceso. Este conjunto estadístico de objetos permite determinar las características promedio de dichos objetos, por ejemplo, su tamaño medio, su distribución de tamaños o la distancia promedio entre ellos.
- "Sin tensioactivos" se refiere a una partícula que no contiene ningún tensioactivo y que no ha sido sintetizada por un método que incluya el uso de tensioactivos.
- "Ópticamente transparente" se refiere a un material que absorbe menos del 10%, 5%, 2.5%, 1%, 0.99%, 0.98%, 0.97%, 0.96%, 0.95%, 0.94%, 0.93%, 0.92%, 0.91%, 0.9%, 0.89%, 0.88%, 0.87%, 0.86%, 0.85%, 0.84%, 0.83%, 0.82%, 0.81%, 0.8%, 0.79%, 0.78%, 0.77%, 0.76%, 0.75%, 0.74%, 0.73%, 0.72%, 0.71%, 0.7%, 0.69%, 0.68%, 0.67%, 0.66%, 0.65%, 0.64%, 0.63%, 0.62%, 0.61%, 0.6%, 0.59%, 0.58%, 0.57%, 0.56%, 0.55%, 0.54%, 0.53%, 0.52%, 0.51%, 0.5%, 0.49%, 0.48%, 0.47%, 0.46%, 0.45%, 0.44%, 0.43%, 0.42%, 0.41%, 0.4%, 0.39%, 0.38%, 0.37%, 0.36%, 0.35%, 0.34%, 0.33%, 0.32%, 0.31%, 0.3%, 0.29%, 0.28%, 0.27%, 0.26%, 0.25%, 0.24%, 0.23%, 0.22%, 0.21%, 0.2%, 0.19%, 0.18%, 0.17%, 0.16%, 0.15%, 0.14%, 0.13%, 0.12%, 0.11%, 0.1%, 0.09%, 0.08%, 0.07%, 0.06%, 0.05%, 0.04%, 0.03%, 0.02%, 0.01%, 0.009%, 0.008%, 0.007%, 0.006%, 0.005%, 0.004%, 0.003%, 0.002%, 0.001%, 0.0009%, 0.0008%, 0.0007%, 0.0006%, 0.0005%, 0.0004%, 0.0003%, 0.0002%, 0.0001%, o 0% de la luz a longitudes de onda comprendidas entre 200 nm y 50 pm, entre 200 nm y 10 pm, entre 200 nm y 2500 nm, entre 200 nm y 2000 nm, entre 200 nm y 1500 nm, entre 200 nm y 1000 nm, entre 200 nm y 800 nm, entre 400 nm y 700 nm, entre 400 nm y 600 nm, o entre 400 nm y 470 nm.
- "Rugosidad" se refiere al estado de la superficie de una partícula. La superficie de las partículas puede presentar irregularidades superficiales en forma de picos o cavidades dependiendo de su posición relativa con respecto a la superficie de la partícula. Todas estas irregularidades contribuyen a la rugosidad de la partícula. Dicha rugosidad se define como la diferencia de altura entre el pico más alto y la cavidad más profunda de la superficie. La superficie de una partícula es lisa si no hay irregularidades en dicha superficie, es decir, la rugosidad es igual a 0%, 0.0001%, 0.0002%, 0.0003%, 0.0004%, 0.0005%, 0.0006%, 0.0007%, 0.0008%, 0.0009%, 0.001%, 0.002%, 0.003%, 0.004%, 0.005%, 0.006%, 0.007%, 0.008%, 0.009%, 0.01%, 0.02%, 0.03%, 0.04%, 0.05%, 0.06%, 0.07%, 0.08%, 0.09%, 0.1%, 0.11%, 0.12%, 0.13%, 0.14%, 0.15%, 0.16%, 0.17%, 0.18%, 0.19%, 0.2%, 0.21%, 0.22%, 0.23%, 0.24%, 0.25%, 0.26%, 0.27%, 0.28%, 0.29%, 0.3%, 0.31%, 0.32%, 0.33%, 0.34%, 0.35%, 0.36%, 0.37%, 0.38%, 0.39%, 0.4%, 0.41%, 0.42%, 0.43%, 0.44%, 0.45%, 0.46%, 0.47%, 0.48%, 0.49%, 0.5%, 1%, 1.5%, 2%, 2.5% 3%, 3.5%, 4%, 4.5%, o 5% de la dimensión mayor de dicha partícula.
- "Polidisperso" se refiere a partículas o gotas de diferentes tamaños, en los que la diferencia de tamaño es superior o igual a 20%.
- "Monodisperso" se refiere a partículas o gotas en las que la diferencia de tamaño es inferior al 20%, 15%, 10%, preferiblemente 5%.
- "Distribución de tamaño estrecha" se refiere a una distribución de tamaño de un conjunto estadístico de partículas inferior al 1%, 2%, 3%, 4%, 5%, 6%, 7%, 8%, 9%, 10%, 15%, 20%, 25%, 30%, 35% o 40% del tamaño medio. - "Parcialmente" significa incompleto. En el caso de un intercambio de ligandos, parcialmente significa que el 5%, 10%, 15%, 20%, 25%, 30%, 35%, 40%, 45%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 75%, 80%, 85%, 90%, 95% de los ligandos en la superficie de una partícula se han intercambiado con éxito.
- Los términos "película", "capa" o "lámina" son intercambiables en la presente invención.
- "Nanoplaqueta" se refiere a una nanopartícula con forma 2D en la que la dimensión más pequeña de dicha nanoplaqueta es menor que la dimensión mayor de dicha nanoplaqueta por un factor (relación de aspecto) de al menos 1.5, al menos 2, al menos 2.5, al menos 3, al menos 3.5, al menos 4, al menos 4.5, al menos 5, al menos 5.5, al menos 6, al menos 6.5, al menos 7, al menos 7.5, al menos 8, al menos 8.5, al menos 9, al menos 9.5 o al menos 10. - "Libre de oxígeno" se refiere a una formulación, una solución, una película o una composición que está libre de oxígeno molecular, O2, es decir, cuando el oxígeno molecular puede estar presente en dicha formulación, solución, película o composición en una cantidad inferior a aproximadamente 10 ppm, 5 ppm, 4 ppm, 3 ppm, 2 ppm, 1 ppm, 500 ppb, 300 ppb o en una cantidad inferior a aproximadamente 100 ppb en peso.
- "Libre de agua" se refiere a una formulación, una solución una película o una composición que está libre de agua molecular, H2O, es decir, donde el agua molecular puede estar presente en dicha formulación, solución, película o composición en una cantidad inferior a aproximadamente 100 ppm, 50 ppm, 10 ppm, 5 ppm, 4 ppm, 3 ppm, 2 ppm, 1 ppm, 500 ppb, 300 ppb o en una cantidad inferior a aproximadamente 100 ppb en peso.
- "Paso de píxel" se refiere a la distancia desde el centro de un píxel al centro del píxel siguiente.
- "Curvatura" se refiere al recíproco del radio.
- "Conforme a ROHS" se refiere a un material que cumple con la Directiva 2011/65/UE del Parlamento Europeo y del Consejo, de 8 de junio de 2011, sobre la restricción de la utilización de determinadas sustancias peligrosas en aparatos eléctricos y electrónicos.
- "Disolvente acuoso" se define como un disolvente de fase única en la que el agua es la principal especie química en términos de proporción molar y/o en términos de masa y/o en términos de volumen con respecto a las demás especies químicas contenidas en dicho disolvente acuoso. El disolvente acuoso incluye, pero no se limita a: agua, agua mezclada con un disolvente orgánico miscible con agua como, por ejemplo, metanol, etanol, acetona, tetrahidrofurano, N-metilformamida, N,N-dimetilformamida, dimetilsulfóxido o una mezcla de éstos.
- "Vapor" se refiere a una sustancia en estado gaseoso, mientras dicha sustancia se encuentra en estado líquido o sólido en condiciones estándar de presión y temperatura.
- "Vapor reactivo" se refiere a una sustancia en estado gaseoso, mientras dicha sustancia se encuentra en estado líquido o sólido en condiciones normales de presión y temperatura, y con la que puede producirse una reacción química en presencia de otra especie química.
- "Gas" se refiere a una sustancia en estado gaseoso en condiciones estándar de presión y temperatura.
- "Condiciones estándar" se refiere a las condiciones estándar de temperatura y presión, es decir, 273.15 K y 105 Pa respectivamente.
- "Luz secundaria" se refiere a la luz emitida por un material en respuesta a una excitación. Dicha excitación es generalmente proporcionada por la fuente de luz incidente, es decir, la excitación. Por ejemplo, la luz secundaria se refiere a la luz emitida por las partículas compuestas, el material emisor de luz o la capa de conversión de color en respuesta a una excitación de las nanopartículas comprendidas en dichas partículas compuestas.
- "Luz resultante" se refiere a la luz suministrada por un material tras la excitación por una luz incidente y la emisión de una luz secundaria. Por ejemplo, la luz resultante se refiere a la luz suministrada por las partículas compuestas, el material emisor de luz o la capa de conversión de color y es una combinación de una parte de la luz incidente y la luz secundaria.
- "Aparato de visualización" se refiere a un aparato o a un dispositivo que muestra una señal de imagen. Los dispositivos de visualización o aparatos de visualización incluyen todos los dispositivos que muestran una imagen, una sucesión de imágenes o un vídeo, como, de forma no limitativa, una pantalla LCD, un televisor, un proyector, un monitor de ordenador, un asistente digital personal, un teléfono móvil, un ordenador portátil, una tableta, un PC, un reproductor de MP3, un reproductor de CD, un reproductor de DVD, un Blu-Ray, una pantalla montada en la cabeza, unas gafas, un casco, una prenda para la cabeza, un reloj inteligente, o un dispositivo inteligente.
- "Alquilo" se refiere a cualquier cadena de hidrocarburos saturada, lineal o ramificada, con 1 a 12 átomos de carbono, preferentemente 1 a 6 átomos de carbono, y más preferentemente metilo, etilo, propilo, isopropilo, n-butilo, sec-butilo, isobutilo y terc-butilo. El grupo alquilo puede estar sustituido por un grupo arilo saturado o insaturado. - Cuando se utiliza el sufijo "eno" ("alquileno") junto con un grupo alquilo, se pretende significar el grupo alquilo, tal como se define en el presente documento, que tiene dos enlaces simples como puntos de unión a otros grupos. El término "alquileno" incluye el metileno, el etileno, el metilmetileno, propileno, etiletileno y 1,2-dimetileno.
- "Alquenilo" se refiere a cualquier cadena de hidrocarburos lineal o ramificada que tiene al menos un doble enlace, de 2 a 12 átomos de carbono, y preferentemente de 2 a 6 átomos de carbono. El grupo alquenilo puede estar sustituido. Ejemplos de grupos alquenilo son el etenilo, el 2-propenilo, el 2-butenilo, 3-butenilo, 2-pentenilo y sus isómeros, 2-hexenilo y sus isómeros, 2,4-pentadienilo y similares. El grupo alquenilo puede estar sustituido por un grupo arilo saturado o insaturado.
- "Alquinilo", se refiere a cualquier cadena de hidrocarburos lineal o ramificada que tiene al menos un triple enlace, de 2 a 12 átomos de carbono, y preferentemente de 2 a 6 átomos de carbono.
- Los términos "alquenileno" se refieren a un grupo alquenilo como se ha definido anteriormente que tiene dos enlaces simples como puntos de unión a otros grupos.
- "Arilo" se refiere a un sistema monocíclico o policíclico de 5 a 20, y preferentemente de 6 a 12, átomos de carbono con uno o más anillos aromáticos (cuando hay dos anillos, se denomina biarilo) entre los que se pueden citar el grupo fenilo, el grupo bifenilo, el grupo 1-naftilo, el grupo 2-naftilo, el grupo tetrahidronaftilo, el grupo indanilo y el grupo binaftilo. El término arilo también significa cualquier anillo aromático que incluya al menos un heteroátomo elegido entre un átomo de oxígeno, nitrógeno o azufre. El grupo arilo puede estar sustituido por 1 a 3 sustituyentes elegidos independientemente de entre un grupo hidroxilo, un grupo alquilo lineal o grupo alquilo lineal o ramificado que comprenda 1,2, 3, 4, 5 o 6 átomos de carbono, en particular metilo, etilo, propilo butilo, un grupo alcoxi o un átomo de halógeno, en particular bromo, cloro y yodo, un grupo nitro, un grupo ciano, un grupo azido, un grupo adhehído, un grupo boronato, un grupo fenilo, CF3, metilendioxi, etilendioxi, SO2NRR', NRR', COOr (donde R y R' se seleccionan independientemente del grupo formado por H y alquilo), un segundo grupo arilo que puede estar sustituido como en el caso anterior. Ejemplos no limitantes de arilo comprenden el fenilo, el bifenilo, el bifenilenilo, el 5-o 6- tetralinilo, naftaleno-1- o -2-ilo, 4-, 5-, 6 o 7-indenilo, 1- 2-, 3-, 4- o 5- acenaftileno, 3-, 4- o 5-acenaftenilo, 1 o 2-pentalenilo, 4 o 5-indanilo, 5-, 6-, 7- u 8-tetrahidronaftilo, 1,2,3,4-tetrahidronaftilo, 1,4-dihidronaftilo, 1-, 2-, 3, 4- o 5-pirenilo.
- El término "arileno", tal como se utiliza aquí, pretende incluir sistemas de anillos aromáticos carbocíclicos divalentes como el fenileno, el bifenileno, el naftaleno, el indenileno, pentalenileno, azulenileno y similares.
- "Ciclo" se refiere a un grupo cíclico saturado, parcialmente insaturado o insaturado.
- "Heterociclo" se refiere a un grupo cíclico saturado, parcialmente insaturado o insaturado que comprende al menos un heteroátomo.
- "Halógeno" significa fluoro, cloro, bromo o yodo. Los grupos halo preferidos son el flúor y el cloro.
- "Alcoxi" se refiere a cualquier grupo O-alquilo, preferentemente un grupo O-alquilo en el que el grupo alquilo tiene de 1 a 6 átomos de carbono.
- "Ariloxi" se refiere a cualquier grupo O-arilo.
- "Arilalquilo" se refiere a un grupo alquilo sustituido por un grupo arilo, como por ejemplo el grupo fenil-metilo - "Arilalcoxi" se refiere a un grupo alcoxi sustituido por un grupo arilo.
- "Amina" se refiere a cualquier grupo derivado del amoníaco NH3 por sustitución de uno o más átomos de hidrógeno con un radical orgánico.
- "Azido" se refiere al grupo -N3.
- "Función ácida" se refiere al grupo -COOH.
- "Función ácida activada" se refiere a una función ácida en la que el -OH se sustituye por un grupo mejor.
- "Función alcohólica activada" se refiere a una función alcohólica modificada para que sea un mejor grupo saliente.
Descripción detallada
La siguiente descripción detallada se entenderá mejor cuando se lea junto con los dibujos. Con el fin de ilustrar, la partícula compuesta se muestra en los modos de realización preferidos. Debe entenderse, sin embargo, que la invención no se limita a las disposiciones, estructuras, características, y tipos precisos o aspectos mostrados. Los dibujos no están hechos a escala y no pretenden limitar el alcance de las afirmaciones hechas en el presente documento a los modos de realización representados. En consecuencia, debe entenderse que cuando las características mencionadas en las afirmaciones adjuntas van seguidas de signos de referencia, dichos signos se incluyen únicamente con el fin de mejorar la comprensión de las afirmaciones y no limitan en modo alguno el alcance de las afirmaciones.
Un primer objeto de la invención se refiere a una partícula compuesta 1 que comprende un conjunto de nanopartículas 3 encapsuladas en un material inorgánico 2, en el que el conjunto de nanopartículas 3 está dispersada uniformemente en dicho material inorgánico 2 (como se ilustra en la Fig. 1), en el que las nanopartículas 3 son luminiscentes, y en las que las nanopartículas 3 comprenden al menos un 1% de nanoplaquetas semiconductoras.
La dispersión uniforme del conjunto de nanopartículas 3 en el material inorgánico 2 impide la agregación de dichas nanopartículas 3, evitando así la degradación de sus propiedades. Por ejemplo, en el caso de las nanopartículas fluorescentes inorgánicas, una dispersión uniforme permitirá conservar las propiedades ópticas de dichas nanopartículas y evitar la desactivación fluorescente.
Las partículas compuestas 1 de la invención son también particularmente interesantes, ya que pueden cumplir fácilmente con requisitos ROHS en función del material inorgánico 2 seleccionado. De este modo, es posible disponer de partículas que cumplen con la normativa ROHS, conservando al mismo tiempo las propiedades de las nanopartículas 3 que pueden no cumplir la normativa ROHS.
De acuerdo con un modo de realización, la partícula compuesta 1 es procesable por aire. Este modo de realización es particularmente ventajoso para la manipulación o el transporte de dicha partícula compuesta 1 y para el uso de dicha partícula compuesta en un dispositivo tal como un dispositivo optoelectrónico.
De acuerdo con un modo de realización, la partícula compuesta 1 es compatible con los procesos litográficos estándar. Este modo de realización es particularmente ventajoso para el uso de dicha partícula compuesta 1 en un dispositivo tal como un dispositivo optoelectrónico. De acuerdo con un modo de realización, la partícula compuesta 1 tiene una dimensión mayor de al menos 5 nm, 10 nm, 20 nm, 30 nm, 40 nm, 50 nm, 60 nm, 70 nm, 80 nm, 100 nm, 110 nm, 120 nm, 130 nm, 140 nm, 150 nm, 160 nm, 170 nm, 180 nm, 190 nm, 200 nm, 210 nm, 220 nm, 230 nm, 240 nm, 250 nm, 260 nm, 270 nm, 280 nm, 290 nm, 300 nm, 350 nm, 400 nm, 450 nm, 500 nm, 550 nm, 600 nm, 650 nm, 700 nm, 750 nm, 800 nm, 850 nm, 900 nm, 950 nm, 1 pm, 1,5 pm, 2,5 pm, 3 pm, 3,5 pm, 4 pm, 4,5 pm, 5 pm, 5,5 pm, 6 pm, 6,5 |jm, 7 pm, 7,5 pm, 8 pm, 8,5 pm, 9 pm, 9,5 pm, 10 pm, 10,5 pm, 11 pm, 11,5 pm, 12 pm, 12,5 pm, 13 pm, 13,5 pm, 14 pm, 14,5 pm, 15 pm, 15,5 pm, 16 pm, 16,5 pm, 17 pm, 17,5 pm, 18 pm, 18,5 pm, 19 pm, 19,5 pm, 20 pm, 20,5 pm, 21 pm, 21,5 pm, 22 pm, 22,5 pm, 23 pm, 23,5 pm, 24 pm, 24,5 pm, 25 pm, 25,5 pm, 26 pm, 26,5 pm, 27 pm, 27,5 pm, 28 pm, 28,5 pm, 29 pm, 29,5 pm, 30 pm, 30,5 pm, 31 pm, 31,5 pm, 32 pm, 32,5 pm, 33 pm, 33,5 pm, 34 pm, 34,5 pm, 35 pm, 35,5 pm, 36 pm, 36,5 pm, 37 pm, 37,5 pm, 38 pm, 38,5 pm, 39 pm, 39,5 pm, 40 pm, 40,5 pm, 41 pm, 41,5 pm, 42 pm, 42,5 pm, 43 pm, 43,5 pm, 44 pm, 44,5 pm, 45 pm, 45,5 pm, 46 pm, 46,5 pm, 47 pm, 47,5 pm, 48 pm, 48,5 pm, 49 pm, 49,5 pm, 50 pm, 50,5 pm, 51 pm, 51,5 pm, 52 pm, 52,5 pm, 53 pm, 53,5 pm, 54 pm, 54,5 pm, 55 pm, 55,5 pm, 56 pm, 56,5 pm, 57 pm, 57,5 pm, 58 pm, 58,5 pm, 59 pm, 59,5 pm, 60 pm, 60,5 pm, 61 pm, 61,5 pm, 62 pm, 62,5 pm, 63 pm, 63,5 pm, 64 pm, 64,5 pm, 65 pm, 65,5 pm, 66 pm, 66,5 pm, 67 pm, 67,5 pm, 68 pm, 68,5 pm, 69 pm, 69,5 pm, 70 pm, 70,5 pm, 71 pm, 71,5 pm, 72 pm, 72,5 pm, 73 pm, 73,5 pm, 74 pm, 74,5 pm, 75 pm, 75,5 pm, 76 pm, 76,5 pm, 77 pm, 77,5 pm, 78 pm, 78,5 pm, 79 pm, 79,5 pm, 80 pm, 80,5 pm, 81 pm, 81,5 pm, 82 pm, 82,5 pm, 83 pm, 83,5 pm, 84 pm, 84,5 pm, 85 pm, 85,5 pm, 86 pm, 86,5 pm, 87 pm, 87,5 pm, 88 pm, 88,5 pm, 89 pm, 89,5 pm, 90 pm, 90,5 pm, 91 pm, 91,5 pm, 92 pm, 92,5 pm, 93 pm, 93,5 pm, 94 pm, 94,5 pm, 95 pm, 95,5 pm, 96 pm, 96,5 pm, 97 pm, 97,5 pm, 98 pm, 98,5 pm, 99 pm, 99,5 pm, 100 pm, 200 pm, 250 pm, 300 pm, 350 pm, 400 pm, 450 pm, 500 pm, 550 pm, 600 pm, 650 pm, 700 pm, 750 pm, 800 pm, 850 pm, 900 pm, 950 pm o 1 mm.
De acuerdo con un modo de realización, la partícula 1 tiene una dimensión mínima de al menos 5 nm, 10 nm, 20 nm, 30 nm, 40 nm, 50 nm, 60 nm, 70 nm, 80 nm, 100 nm, 110 nm, 120 nm, 130 nm, 140 nm, 150 nm, 160 nm, 170 nm, 180 nm, 190 nm, 200 nm, 210 nm, 220 nm, 230 nm, 240 nm, 250 nm, 260 nm, 270 nm, 280 nm, 290 nm, 300 nm, 350 nm, 400 nm, 450 nm, 500 nm, 550 nm, 600 nm, 650 nm, 700 nm, 750 nm, 800 nm, 850 nm, 900 nm, 950 nm, 1 pm, 1,5 pm, 2,5 pm, 3 pm, 3,5 pm, 4 pm, 4,5 pm, 5 pm, 5,5 pm, 6 pm, 6,5 pm, 7 pm, 7,5 pm, 8 pm, 8,5 pm, 9 pm, 9,5 pm, 10 pm, 10,5 pm, 11 pm, 11,5 pm, 12 pm, 12,5 pm, 13 pm, 13,5 pm, 14 pm, 14,5 pm, 15 pm, 15,5 pm, 16 pm, 16,5 pm, 17 pm, 17,5 pm, 18 pm, 18,5 pm, 19 pm, 19,5 pm, 20 pm, 20,5 pm, 21 pm, 21,5 pm, 22 pm, 22,5 pm, 23 pm, 23,5 pm, 24 pm, 24,5 pm, 25 pm, 25,5 pm, 26 pm, 26,5 pm, 27 pm, 27,5 pm, 28 pm, 28,5 pm, 29 pm, 29,5 pm, 30 pm, 30,5 pm, 31 pm, 31,5 pm, 32 pm, 32,5 pm, 33 pm, 33,5 pm, 34 pm, 34,5 pm, 35 pm, 35,5 pm, 36 pm, 36,5 pm, 37 pm, 37,5 pm, 38 pm, 38,5 pm, 39 pm, 39,5 pm, 40 pm, 40,5 pm, 41 pm, 41,5 pm, 42 pm, 42,5 pm, 43 pm, 43,5 pm, 44 pm, 44,5 pm, 45 pm, 45,5 pm, 46 pm, 46,5 pm, 47 pm, 47,5 pm, 48 pm, 48,5 pm, 49 pm, 49,5 pm, 50 pm, 50,5 pm, 51 pm, 51,5 pm, 52 pm, 52,5 pm, 53 pm, 53,5 pm, 54 pm, 54,5 pm, 55 pm, 55,5 pm, 56 pm, 56,5 pm, 57 pm, 57,5 pm, 58 pm, 58,5 pm, 59 pm, 59,5 pm, 60 pm, 60,5 pm, 61 pm, 61,5 pm, 62 pm, 62,5 pm, 63 pm, 63,5 pm, 64 pm, 64,5 pm, 65 pm, 65,5 pm, 66 pm, 66,5 pm, 67 pm, 67,5 pm, 68 pm, 68,5 pm, 69 pm, 69,5 pm, 70 pm, 70,5 pm, 71 pm, 71,5 pm, 72 pm, 72,5 pm, 73 pm, 73,5 pm, 74 pm, 74,5 pm, 75 pm, 75,5 pm, 76 pm, 76,5 pm, 77 pm, 77,5 pm, 78 pm, 78,5 pm, 79 pm, 79,5 pm, 80 pm, 80,5 pm, 81 pm, 81,5 pm, 82 pm, 82,5 pm, 83 pm, 83,5 pm, 84 pm, 84,5 pm, 85 pm, 85,5 pm, 86 pm, 86,5 pm, 87 pm, 87,5 pm, 88 pm, 88,5 pm, 89 pm, 89,5 pm, 90 pm, 90,5 pm, 91 pm, 91,5 pm, 92 pm, 92,5 pm, 93 pm, 93,5 pm, 94 pm, 94,5 pm, 95 pm, 95,5 pm, 96 pm, 96,5 pm, 97 pm, 97,5 pm, 98 pm, 98,5 pm, 99 pm, 99,5 pm, 100 pm, 200 pm, 250 pm, 300 pm, 350 pm, 400 pm, 450 pm, 500 pm, 550 pm, 600 pm, 650 pm, 700 pm, 750 pm, 800 pm, 850 pm, 900 pm, 950 pm, o 1 mm.
De acuerdo con un modo de realización, la relación de tamaño entre la partícula compuesta 1 y las nanopartículas 3 oscila entre 1.25 y 1 000, preferentemente entre 2 y 500, más preferentemente de 5 a 250, incluso más preferentemente de 5 a 100.
De acuerdo con un modo de realización, la dimensión más pequeña de la partícula compuesta 1 es menor que la dimensión mayor de dicha partícula compuesta 1 por un factor (relación de aspecto) de al menos 1.5; de al menos 2; de al menos 2.5; de al menos 3; al menos 3.5; al menos 4; al menos 4.5; al menos 5; al menos 5.5; de al menos 6; de al menos 6.5; de al menos 7; de al menos 7.5, al menos 8; al menos 8.5; al menos 9; al menos 9.5; al menos 10; al menos 10.5; al menos 11; al menos 11.5; al menos 12; al menos 12.5; al menos 13; al menos 13.5; al menos 14; al menos 14.5; al menos 15; al menos 15.5; al menos 16; al menos 16.5; al menos 17; al menos 17.5; al menos 18; al menos 18.5; al menos 19; al menos 19.5; al menos 20; al menos 19.5; al menos 20; al menos 25; al menos 30; al menos 35; al menos 40; al menos 45; al menos 50; al menos 55; al menos 60; al menos 65; al menos 70; al menos 75; al menos 80; al menos 85; al menos 90; al menos 95; al menos 100, al menos 150, al menos 200, al menos 250, al menos 300, al menos 350, al menos 400, al menos 450, al menos 500, al menos 550, al menos 600, al menos 650, al menos 700, al menos 750, al menos 800, al menos 850, al menos 900, al menos 950, o al menos 1000.
De acuerdo con un modo de realización, las partículas 1 tienen un tamaño medio de al menos 5 nm, 10 nm, 20 nm, 30 nm, 40 nm, 50 nm, 60 nm, 70 nm, 80 nm, 100 nm, 110 nm, 120 nm, 130 nm, 140 nm, 150 nm, 160 nm, 170 nm, 180 nm, 190 nm, 200 nm, 210 nm, 220 nm, 230 nm, 240 nm, 250 nm, 260 nm, 270 nm, 280 nm, 290 nm, 300 nm, 350 nm, 400 nm, 450 nm, 500 nm, 550 nm, 600 nm, 650 nm, 700 nm, 750 nm, 800 nm, 850 nm, 900 nm, 950 nm, 1 pm, pm, 2, pm, 3 pm, 3,5 pm, 4 pm, pm, 5 pm, 5,5 pm, 6 pm, 6,5 pm, 7 pm pm, 8 pm, ,5 pm, 9 pm, 9,5 pm, 10 pm, 10 ,5 pm, 11 pm, 11,5 pm, 12 pm, 12,5 pm, 13 pm, 135 pm, 14 pm, 14 ,5 pm, 15 pm, 15 ,5 pm, 16 pm, 16,5 pm, 17 pm, 17 ,5 pm, 18 pm, 18 ,5 pm, 19 pm, 19,5 pm, 20 pm, 205 pm, 21 pm, 21 ,5 pm, 22 pm, 22 ,5 pm, 23 pm, 23,5 pm, 24 pm, 24 ,5 pm, 25 pm, 25 ,5 pm, 26 pm, 26,5 pm, 27 pm, 275 pm, 28 pm, 28 ,5 pm, 29 pm, 29 ,5 pm, 30 pm, 30,5 pm, 31 pm, 31,5 pm, 32 pm, 32 ,5 pm, 33 pm, 33,5 pm, 34 pm, 345 pm, 35 pm, 35 ,5 pm, 36 pm, 36 ,5 pm, 37 pm, 37,5 pm, 38 pm, 38 ,5 pm, 39 pm, 39 ,5 pm, 40 pm, 40,5 pm, 41 pm, 41 5 pm, 42 pm, 42 ,5 pm, 43 pm, 43 ,5 pm, 44 pm, 44,5 pm, 45 pm, 45 ,5 pm, 46 pm, 46 ,5 pm, 47 pm, 47,5 pm, 48 pm, 485 pm, 49 pm, 49 ,5 pm, 50 pm, 50 ,5 pm, 51 pm, 51,5 pm, 52 pm, 52 ,5 pm, 53 pm, 53 ,5 pm, 54 pm, 54,5 pm, 55 pm, 555 pm, 56 pm, 56 ,5 pm, 57 pm, 57 ,5 pm, 58 pm, 58,5 pm, 59 pm, 59 ,5 pm, 60 pm, 60 ,5 pm, 61 pm, 61,5 pm, 62 pm, 625 pm, 63 pm, 63 ,5 pm, 64 pm, 64 ,5 pm, 65 pm, 65,5 pm, 66 pm, 66 ,5 pm, 67 pm, 67 ,5 pm, 68 pm, 68,5 pm, 69 pm, 695 pm, 70 pm, 70 ,5 pm, 71 pm, 71,5 pm, 72 pm, 72,5 pm, 73 pm, 73 ,5 pm, 74 pm, 74 ,5 pm, 75 pm, 75,5 pm, 76 pm, 765 pm, 77 pm, 77 ,5 pm, 78 pm, 78 ,5 pm, 79 pm, 79,5 pm, 80 pm, 80 ,5 pm, 81 pm, 81,5 pm, 82 pm, 82,5 pm, 83 pm, 835 pm, 84 pm, 84 ,5 pm, 85 pm, 85 ,5 pm, 86 pm, 86,5 pm, 87 pm, 87 ,5 pm, 88 pm, 88 ,5 pm, 89 pm, 89,5 pm, 90 pm, 905 pm, 91 pm, 91,5 pm, 92 pm, 92 ,5 pm, 93 pm, 93,5 pm, 94 pm, 94,5 pm, 95 pm, 95,5 pm, 96 pm, 96, 5 pm, 97 pm, 97,5 pm, 98 pm, 98,5 pm, 99 pm, 99,5 pm, 100 pm, 200 pm, 250 pm, 300 pm, 350 pm, 400 pm, 450 pm, 500 pm, 550 pm, 600 pm, 650 pm, 700 pm, 750 pm, 800 pm, 850 pm, 900 pm, 950 pm, o 1 mm.
Las partículas compuestas 1 con un tamaño medio inferior a 1 pm tienen varias ventajas en comparación con las partículas más grandes con el mismo número de nanopartículas 3: i) aumento de la dispersión de la luz en comparación con las partículas más grandes; ii) obtención de suspensiones coloidales más estables en comparación con las partículas más grandes cuando se dispersan en un disolvente; iii) tener un tamaño compatible con los píxeles de al menos 100 nm.
Las partículas compuestas 1 con un tamaño medio inferior a 1 pm tienen varias ventajas en comparación con partículas más pequeñas que comprenden el mismo número de nanopartículas 3: i) reducir la dispersión de la luz en comparación con las partículas más pequeñas; ii) tener modos de onda de galería de silbido; iii) tener un tamaño compatible con píxeles mayores o iguales a igual a 1 pm; iv) aumento de la distancia promedio entre las nanopartículas 3 incluidas en dichas partículas compuestas 1, dando como resultado un mejor drenaje del calor; v) aumento de la distancia promedio entre las nanopartículas 3 comprendidas en dichas partículas compuestas 1 y la superficie de dichas partículas compuestas 1, protegiendo así mejor las nanopartículas 3 contra la oxidación, o retrasando la oxidación de dichas partículas compuestas 1 vía una reacción química con especies químicas externas. vi) aumentar la relación de masas entre las partículas compuestas 1 y las nanopartículas 3 comprendidas en dichas partículas compuestas 1 en comparación con las partículas compuestas 1 más pequeñas, reduciendo así la concentración en masa de los elementos químicos sujetos a las normas ROHS, lo que facilita el cumplimiento con los requisitos de la normativa ROHS.
De acuerdo con un modo de realización, la partícula compuesta 1 cumple con la normativa ROHS.
De acuerdo con un modo de realización, la partícula compuesta 1 comprende menos de 10 ppm, menos de 20 ppm, menos de 30 ppm, menos de 40 ppm, menos de 50 ppm, menos de 100 ppm, menos de 150 ppm, menos de 200 ppm, menos de 250 ppm, menos de 300 ppm, menos de 350 ppm, menos de 400 ppm, menos de 450 ppm menos de 500 ppm, menos de 550 ppm, menos de 600 ppm, menos de 650 ppm, menos de 700 ppm, menos de 750 ppm, menos de 800 ppm, menos de 850 ppm, menos de 900 ppm, menos de 950 ppm, menos de 1000 ppm en peso de cadmio.
De acuerdo con un modo de realización, la partícula compuesta 1 comprende menos de 10 ppm, menos de 20 ppm, menos de 30 ppm, menos de 40 ppm, menos de 50 ppm, menos de 100 ppm, menos de 150 ppm, menos de 200 ppm, menos de 250 ppm, menos de 300 ppm, menos de 350 ppm, menos de 400 ppm, menos de 450 ppm, menos de 500 ppm, menos de 550 ppm, menos de 600 ppm, menos de 650 ppm, menos de 700 ppm menos de 750 ppm, menos de 800 ppm, menos de 850 ppm, menos de 900 ppm, menos de 950 ppm, menos de 1000 ppm, menos de 2000 ppm, menos de 3000 ppm, menos de 4000 ppm, menos de 5000 ppm, menos de 6000 ppm, menos de 7000 ppm, menos de 8000 ppm, menos de 9000 ppm, menos de 10000 ppm en peso de plomo.
De acuerdo con un modo de realización, la partícula compuesta 1 comprende menos de 10 ppm, menos de 20 ppm, menos de 30 ppm, menos de 40 ppm, menos de 50 ppm, menos de 100 ppm, menos de 150 ppm, menos de 200 ppm, menos de 250 ppm, menos de 300 ppm, menos de 350 ppm, menos de 400 ppm, menos de 450 ppm, menos de 500 ppm, menos de 550 ppm, menos de 600 ppm, menos de 650 ppm, menos de 700 ppm menos de 750 ppm, menos de 800 ppm, menos de 850 ppm, menos de 900 ppm, menos de 950 ppm, menos de 1000 ppm, menos de 2000 ppm, menos de 3000 ppm, menos de 4000 ppm, menos de 5000 ppm, menos de 6000 ppm, menos de 7000 ppm, menos de 8000 ppm, menos de 9000 ppm, menos de 10000 ppm en peso de mercurio.
De acuerdo con un modo de realización, la partícula compuesta 1 comprende elementos químicos más pesados que el elemento químico principal presente en el material inorgánico 2. En este modo de realización, dichos elementos químicos pesados en la partícula compuesta 1 reducirán la concentración de masa de los elementos químicos sujetos a las normas ROHS, permitiendo que dicha partícula compuesta 1 cumpla con las normas ROHS.
De acuerdo con un modo de realización, los ejemplos de elementos químicos pesados incluyen, entre otros, B, C, N, F, Na, Mg, Al, Si, P, S, Cl, K, Ca, Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Ga, Ge, As, Se, Br, Rb, Sr, Y, Zr, Nb, Mo, Tc, Ru, Rh, Pd, Ag, Cd, In, Sn, Sb, Te, I, Cs, Ba, La, Hf, Ta, W, Re, Os, Ir, Pt, Au, Hg, Tl, Pb, Bi, Po, A, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu o una mezcla de ellos.
De acuerdo con un modo de realización, la partícula compuesta 1 tiene una curvatura mínima de al menos 200 pm-1, 100 pm-1, 66.6 pm-1, 50 pm-1, 33.3 pm-1, 28.6 pm-1, 25 pm-1, 20 pm-1, 18.2 pm-1, 16.7 pm-1, 15.4 pm-1, 14.3 pm-1, 13.3 pm-1, 12.5 pm-1, 11.8 pm-1, 11.1 pm-1, 10.5 pm-1, 10 pm-1, 9.5 pm-1, 9.1 pm-1, 8.7 pm-1, 8.3 pm-1, 8 pm-1, 7.7 pm-1, 7.4 pm-1, 7.1 pm-1, 6.9 pm-1, 6.7 pm-1, 5.7 pm-1, 5 pm-1, 4.4 pm-1, 4 pm-1, 3.6 pm-1, 3.3 pm-1, 3.1 pm-1, 2.9 pm-1, 2.7 pm-1, 2.5 pm-1, 2.4 pm-1, 2.2 pm-1, 2.1 pm-1, 2 pm-1, 1.3333 pm-1, 0.8 pm-1, 0.6666 pm-1, 0.5714 pm-1, 0.5 pm-1, 0.4444 pm-1, 0.4 pm-1, 0.3636 pm-1, 0.3333 pm-1, 0.3080 pm-1, 0.2857 pm-1, 0.2667 pm-1, 0.25 pm-1, 0.2353 pm-1, 0.2222 pm-1, 0.2105 pm-1, 0.2 pm-1, 0.1905 pm-1, 0.1818 pm-1, 0.1739 pm-1, 0.1667 pm-1, 0.16 pm-1, 0.1538 pm-1, 0.1481 pm-1, 0. 1429 pm-1, 0.1379 pm-1, 0.1333 pm-1, 0.1290 pm-1, 0.125 pm-1, 0.1212 pm-1, 0.1176 pm-1, 0.1176 pm-1, 0.1143 pm-1, 0.1111 pm-1, 0.1881 pm-1, 0.1053 pm-1, 0.1026 pm-1, 0.1 pm-1, 0.0976 pm-1, 0.9524 pm-1, 0.0930 pm-1, 0.0909 pm-1, 0.0889 pm-1, 0.870 pm-1, 0.0851 pm-1, 0.0833 pm-1, 0.0816 pm-1, 0.08 pm-1, 0.0784 pm-1, 0.0769 pm-1, 0.0755 pm-1, 0. 0741 pm-1, 0.0727 pm-1, 0.0714 pm-1, 0.0702 pm-1, 0.0690 pm-1, 0.0678 pm-1, 0.0667 pm-1, 0.0656 pm-1, 0.0645 pm-1, 0.0635 pm-1, 0.0625 pm-1, 0.0615 pm-1, 0.0606 pm-1, 0.0597 pm-1, 0.0588 pm-1, 0.0580 pm-1, 0.0571 pm-1, 0. 0563 pm-1, 0.0556 pm-1, 0.0548 pm-1, 0.0541 pm-1, 0.0533 pm-1, 0.0526 pm-1, 0.0519 pm-1, 0.0513 pm-1, 0.0506 pm-1, 0.05 pm-1, 0.0494 pm-1, 0.0488 pm-1, 0.0482 pm-1, 0.0476 pm-1, 0.0471 pm-1, 0.0465 pm-1, 0.0460 pm-1, 0.0455 pm-1, 0.0450 pm-1, 0.0444 pm-1, 0.0440 pm-1, 0.0435 pm-1, 0.0430 pm-1, 0.0426 pm-1, 0.0421 pm-1, 0.0417 pm-1, 0.0412 pm-1, 0.0408 pm-1, 0.0404 pm-1, 0.04 pm-1, 0.0396 pm-1, 0.0392 pm-1, 0.0388 pm-1, 0.0385 pm-1; 0.0381 pm-1, 0. 0377 pm-1, 0.0374 pm-1, 0.037 pm-1, 0.0367 pm-1, 0.0364 pm-1, 0.0360 pm-1, 0.0357 pm-1, 0.0354 pm-1, 0.0351 pm-1, 0.0348 pm-1, 0.0345 pm-1, 0.0342 pm-1, 0.0339 pm-1, 0.0336 pm-1, 0.0333 pm-1, 0.0331 pm-1, 0.0328 pm-1, 0.0325 pm-1, 0.0323 pm-1, 0.032 pm-1, 0.0317 pm-1, 0.0315 pm-1, 0.0312 pm-1, 0.031 pm-1, 0.0308 pm-1, 0.0305 pm-1, 0.0303 pm-1, 0.0301 pm-1, 0.03 pm-1, 0.0299 pm-1, 0.0296 pm-1, 0.0294 pm-1, 0.0292 pm-1, 0.029 pm-1, 0.0288 pm-1, 0. 0286 pm-1, 0.0284 pm-1, 0.0282 pm-1, 0.028 pm-1, 0.0278 pm-1, 0.0276 pm-1, 0.0274 pm-1, 0.0272 pm-1; 0.0270 pm-1, 0.0268 pm-1, 0.02667 pm-1, 0.0265 pm-1, 0.0263 pm-1, 0.0261 pm-1, 0.026 pm-1, 0.0258 pm-1, 0.0256 pm-1, 0.0255 pm-1, 0.0253 pm-1, 0.0252 pm-1, 0.025 pm-1, 0.0248 pm-1, 0.0247 pm-1, 0.0245 pm-1, 0.0244 pm-1, 0.0242 pm-1, 0.0241 pm-1, 0.024 pm-1, 0.0238 pm-1, 0.0237 pm-1, 0.0235 pm-1, 0.0234 pm-1, 0.0233 pm-1, 0.231 pm-1, 0.023 pm-1, 0.0229 pm-1, 0.0227 pm-1, 0.0226 pm-1, 0.0225 pm-1, 0.0223 pm-1, 0.0222 pm-1, 0.0221 pm-1, 0.022 pm-1, 0.0219 pm-1, 0.0217 pm-1, 0.0216 pm-1, 0.0215 pm-1, 0.0214 pm-1, 0.0213 pm-1, 0.0212 pm-1, 0.0211 pm-1, 0.021 pm-1, 0.0209 pm-1, 0.0208 pm-1, 0.0207 pm-1, 0.0206 pm-1, 0.0205 pm-1, 0.0204 pm-1, 0.0203 pm-1, 0.0202 pm-1, 0.0201 pm-1, 0.02 pm-1, o 0.002 pm-1.
De acuerdo con un modo de realización, la partícula compuesta 1 tiene una curvatura mayor de al menos 200 pm-1, 100 pm-1, 66.6 pm-1, 50 pm-1, 33.3 pm-1, 28.6 pm-1, 25 pm-1, 20 pm-1, 18.2 pm-1, 16.7 pm-1, 15.4 pm-1, 14.3 pm-1, 13.3 pm-1, 12.5 pm-1, 11.8 pm-1, 11.1 pm-1, 10.5 pm-1, 10 pm-1, 9.5 pm-1, 9.1 pm-1, 8.7 pm-1, 8.3 pm-1, 8 pm-1, 7.7 pm-1, 7.4 pm-1, 7.1 pm-1, 6.9 pm-1, 6.7 pm-1, 5.7 pm-1, 5 pm-1, 4.4 pm-1, 4 pm-1, 3.6 pm-1, 3.3 pm-1, 3.1 pm-1, 2.9 pm-1, 2.7 pm-1, 2.5 pm-1, 2.4 pm-1, 2.2 pm-1, 2.1 pm-1, 2 pm-1, 1.3333 pm-1, 0.8 pm-1, 0.6666 pm-1, 0.5714 pm-1, 0.5 pm-1, 0.4444 pm-1, 0.4 pm-1, 0.3636 pm-1, 0.3333 pm-1, 0.3080 pm-1, 0.2857 pm-1, 0.2667 pm-1, 0.25 pm-1, 0.2353 pm-1, 0.2222 pm-1, 0.2105 pm-1, 0.2 pm-1, 0.1905 pm-1, 0.1818 pm-1, 0.1739 pm-1, 0.1667 pm-1, 0.16 pm-1, 0.1538 pm-1, 0.1481 pm-1, 0. 1429 pm-1, 0.1379 pm-1, 0.1333 pm-1, 0.1290 pm-1, 0.125 pm-1, 0.1212 pm-1, 0.1176 pm-1, 0.1176 pm-1, 0.1143 pm-1, 0.1111 pm-1, 0.1881 pm-1, 0.1053 pm-1, 0.1026 pm-1, 0.1 pm-1, 0.0976 pm-1, 0.9524 pm-1, 0.0930 pm-1, 0.0909 pm-1, 0.0889 pm-1, 0.870 pm-1, 0.0851 pm-1, 0.0833 pm-1, 0.0816 pm-1, 0.08 pm-1, 0.0784 pm-1, 0.0769 pm-1, 0.0755 pm-1, 0. 0741 pm-1, 0.0727 pm-1, 0.0714 pm-1, 0.0702 pm-1, 0.0690 pm-1, 0.0678 pm-1, 0.0667 pm-1, 0.0656 pm-1, 0.0645 pm-1, 0.0635 pm-1, 0.0625 pm-1, 0.0615 pm-1, 0.0606 pm-1, 0.0597 pm-1, 0.0588 pm-1, 0.0580 pm-1, 0.0571 pm-1, 0.0563 pm-1, 0.0556 pm-1, 0.0548 pm-1, 0.0541 pm-1, 0.0533 pm-1, 0.0526 pm-1, 0.0519 pm-1, 0.0513 pm-1, 0.0506 pm-1, 0.05 pm-1, 0.0494 pm-1, 0.0488 pm-1, 0.0482 pm-1, 0.0476 pm-1, 0.0471 pm-1, 0.0465 pm-1, 0.0460 pm-1, 0.0455 pm-1, 0.0450 pm-1, 0.0444 pm-1, 0.0440 pm-1, 0.0435 pm-1, 0.0430 pm-1, 0.0426 pm-1, 0.0421 pm-1, 0.0417 pm-1, 0.0412 pm-1, 0.0408 jm - , 0.0404 jm -1, 0.04 jm -1, 0.0396 jm -1, 0.0392 jm -1, 0.0388 jm -1, 0.0385 jm -1; 0.0381 jm -1, 0.0377 jm -1, 0.0374 jm -1, 0.037 jm -1, 0.0367 jm -1, 0.0364 jm -1, 0.0360 jm -1, 0.0357 jm -1, 0.0354 jm -1, 0.0351 jm - , 0.0348 jm -1, 0. 0342 jm -1, C.0339 jm -1, 0.0336 jm -1, 0.0333 jm -1, 0.0331 jm -1, 0.0328 jm -1 0.0325 jm -1, 0.0323 jm -1, 0.032 jm -1, 0.0317 jm -1 0.0315 jm -1 0.0312 jm -1, 0.031 jm -1 0.0308 jm -1 0.0305 jm -1 0.0303 jm - , 0.0301 jm -1, 0.03 jm -1, 0.0299 jm -1, 0.0296 jm -1, 0.0294 jm -1, 0.0292 jm - , 0.029 jm -1, 0.0288 jm -1 0.0286 jm -1, 0.0284 jm -1, 0.0282 jm -1 0.028 jm -1, 0.0278 jm -1, 0.0276 jm -1 0.0274 jm -1 0.0272 jm -1; 0.0270 jm -1, 0.0268 jm -1, 0.02667 jm -1, 0.0265 jm -1, 0.0263 jm -1, 0.0261 jm -1, 0.026 jm -1, 0.0258 jm -1, 0.0256 jm -1 0.0255 jm -1, 0.0253 jm - , 0.0252 jm -1, 0.025 jm -1, 0.0248 jm -1 0.0247 jm -1 0.0245 jm -1, 0.0244 jm -1, 0.0242 jm -1, 0.0241 jm -1, 0.024 jm - , 0.0238 jm -1, 0.0237 jm -1, 0.0235 jm 1, 0.0234 jm 1, 0.0233 jm -1, 0.231 jm 1, 0.023 jm -1 0.0229 jm -1 0.0227 jm -1, 0.0226 jm -1, 0.0225 jm -1, 0.0223 jm -1, 0.0222 jm - , 0.0221 jm -1, 0.022 jm -1, 0.0219 jm -1 0.0217 jm -1, 0.0216 jm -1, 0.0215 jm -1, 0.0214 jm 1, 0.0213 jm -1, 0.0212 jm -1, 0.0211 jm -1, 0.021 jm -1, 0.0209 jm -1, 0.0208 jm -1, 0.0207 jm -1, 0.0206 jm -1, 0.0205 jm -1, 0.0204 jm -1, 0.0203 jm -1, 0.0202 jm -1, 0.0201 jm -1, 0.02 jm -1, o 0.002 jm -1.
De acuerdo con un modo de realización, las partículas compuestas 1 son polidispersas.
De acuerdo con un modo de realización, las partículas compuestas 1 son monodispersas.
De acuerdo con un modo de realización, las partículas compuestas 1 tienen una distribución de tamaño estrecha.
De acuerdo con un modo de realización, las partículas compuestas 1 no están agregadas.
De acuerdo con un modo de realización, la rugosidad de la superficie de la partícula compuesta 1 es menor o igual a 0%, 0.0001%, 0.0002%, 0.0003%, 0.0004%, 0.0005%, 0.0006%, 0.0007%, 0.0008%, 0.0009%, 0.001%, 0.002%, 0.003%, 0.004%, 0.005%, 0.006%, 0. 007%, 0.008%, 0.009%, 0.01%, 0.02%, 0.03%, 0.04%, 0.05%, 0.06%, 0.07%, 0.08%, 0.09%, 0.1%, 0.11%, 0.12%, 0.13%, 0.14%, 0.15%, 0.16%, 0. 17%, 0.18%, 0.19%, 0.2%, 0.21%, 0.22%, 0.23%, 0.24%, 0.25%, 0.26%, 0.27%, 0.28%, 0.29%, 0.3%, 0.31%, 0.32%, 0.33%, 0.34%, 0.35%, 0.36%, 0.37%, 0.38%, 0.39%, 0.4%, 0.41%, 0.42%, 0.43%, 0.44%, 0.45%, 0.46%, 0.47%, 0.48%, 0.49%, 0.5%, 1%, 1.5%, 2%, 2.5% 3%, 3.5%, 4%, 4.5% o 5% de la dimensión mayor de dicha partícula compuesta 1, lo que significa que la superficie de dichas partículas compuestas 1 es completamente lisa.
De acuerdo con un modo de realización, la rugosidad de la superficie de la partícula compuesta 1 es menor o igual al 0.5% de la dimensión mayor de dicha partícula compuesta 1, lo que significa que la superficie de dichas partículas compuestas 1 es completamente lisa.
De acuerdo con un modo de realización, la partícula compuesta 1 tiene una forma esférica, una forma ovoide, una forma discoidal, una forma cilíndrica, una forma facetada, una forma hexagonal, una forma triangular, una forma cúbica 0 una forma de plaqueta.
De acuerdo con un modo de realización, la partícula compuesta 1 tiene una forma de frambuesa, una forma de prisma, una forma de poliedro, una forma de copo de nieve, una forma de flor, una forma de espina, una forma de hemisferio, una forma de cono, una forma de erizo, una forma filamentosa, una forma discoide bicóncava, una forma de gusano, una forma de árbol, una forma de dendrita, una forma de collar, una forma de cadena o una forma de arbusto.
De acuerdo con un modo de realización, la partícula compuesta 1 tiene una forma esférica, o la partícula compuesta 1 es una perla.
De acuerdo con un modo de realización, la partícula compuesta 1 es hueca, es decir, la partícula compuesta 1 es una perla hueca.
De acuerdo con un modo de realización, la partícula compuesta 1 no tiene una estructura de núcleo/capa.
De acuerdo con un modo de realización, la partícula compuesta 1 tiene una estructura de núcleo/capa como se describe a continuación.
De acuerdo con un modo de realización, la partícula compuesta 1 no es una fibra.
De acuerdo con un modo de realización, la partícula compuesta 1 no es una matriz con forma indefinida.
De acuerdo con un modo de realización, la partícula compuesta 1 no es una pieza macroscópica de vidrio. En este modo de realización, un trozo de vidrio se refiere al vidrio obtenido a partir de una entidad de vidrio mayor, por ejemplo, cortándolo, o al vidrio obtenido mediante el uso de un molde. En un modo de realización, un trozo de vidrio tiene al menos una dimensión superior a 1 mm.
De acuerdo con un modo de realización, la partícula compuesta 1 no se obtiene reduciendo el tamaño del material inorgánico 2. Por ejemplo, la partícula compuesta 1 no se obtiene moliendo un trozo de material inorgánico 2, ni cortándolo, ni disparando con proyectiles como partículas, átomos o electrones, ni por ningún otro método.
De acuerdo con un modo de realización, la partícula compuesta 1 no se obtiene por molienda de partículas más grandes ni por pulverización de un polvo.
De acuerdo con un modo de realización, la partícula compuesta 1 no es una pieza de vidrio de poros nanométricos dopada con nanopartículas 3.
De acuerdo con un modo de realización, la partícula compuesta 1 no es un monolito de vidrio.
De acuerdo con un modo de realización, la partícula compuesta esférica 1 tiene un diámetro de al menos 5 nm, 10 nm, 20 nm, 30 nm, 40 nm, 50 nm, 60 nm, 70 nm, 80 nm, 100 nm, 110 nm, 120 nm, 130 nm, 140 nm, 150 nm, 160 nm, 170 nm, 180 nm, 190 nm, 200 nm, 210 nm, 220 nm, 230 nm, 240 nm, 250 nm, 260 nm, 270 nm, 280 nm, 290 nm, 300 nm, 350 nm, 400 nm, 450 nm, 500 nm, 550 nm, 600 nm, 650 nm, 700 nm, 750 nm, 800 nm, 850 nm, 900 nm, 950 nm, 1 |jm, 1.5 |jm, 2.5 pm, 3 pm, 3.5 pm, 4 pm, 4.5 pm, 5 pm, 5.5 pm, 6 pm, 6.5 pm, 7 pm, 7.5 pm, 8 pm, 8.5 pm, 9 pm, 9.5 pm, 10 pm, 10.5 pm, 11 pm, 11.5 pm, 12 pm, 12.5 pm, 13 pm, 13.5 pm, 14 pm, 14.5 pm, 15 pm, 15.5 pm, 16 pm, 16.5 pm, 17 pm, 17.5 pm, 18 pm, 18.5 pm, 19 pm, 19.5 pm, 20 pm, 20.5 pm, 21 pm, 21.5 pm, 22 pm, 22.5 pm, 23 pm, 23.5 pm, 24 pm, 24.5 pm, 25 pm, 25.5 pm, 26 pm, 26.5 pm, 27 pm, 27.5 pm, 28 pm, 28.5 pm, 29 pm, 29.5 pm, 30 pm, 30.5 pm, 31 pm, 31.5 pm, 32 pm, 32.5 pm, 33 pm, 33.5 pm, 34 pm, 34.5 pm, 35 pm, 35.5 pm, 36 pm, 36.5 pm, 37 pm, 37.5 pm, 38 pm, 38.5 pm, 39 pm, 39.5 pm, 40 pm, 40.5 pm, 41 pm, 41.5 pm, 42 pm, 42.5 pm, 43 pm, 43.5 pm, 44 pm, 44.5 pm, 45 pm, 45.5 pm, 46 pm, 46.5 pm, 47 pm, 47.5 pm, 48 pm, 48.5 pm, 49 pm, 49.5 pm, 50 pm, 50.5 pm, 51 pm, 51.5 pm, 52 pm, 52.5 pm, 53 pm, 53.5 pm, 54 pm, 54.5 pm, 55 pm, 55.5 pm, 56 pm, 56.5 pm, 57 pm, 57.5 pm, 58 pm, 58.5 pm, 59 pm, 59.5 pm, 60 pm, 60.5 pm, 61 pm, 61.5 pm, 62 pm, 62.5 pm, 63 pm, 63.5 pm, 64 pm, 64.5 pm, 65 pm, 65.5 pm, 66 pm, 66.5 pm, 67 pm, 67.5 pm, 68 pm, 68.5 pm, 69 pm, 69.5 pm, 70 pm, 70.5 pm, 71 pm, 71.5 pm, 72 pm, 72.5 pm, 73 pm, 73.5 pm, 74 pm, 74.5 pm, 75 pm, 75.5 pm, 76 pm, 76.5 pm, 77 pm, 77.5 pm, 78 pm, 78.5 pm, 79 pm, 79.5 pm, 80 pm, 80.5 pm, 81 pm, 81.5 pm, 82 pm, 82.5 pm, 83 pm, 83.5 pm, 84 pm, 84.5 pm, 85 pm, 85.5 pm, 86 pm, 86.5 pm, 87 pm, 87.5 pm, 88 pm, 88.5 pm, 89 pm, 89.5 pm, 90 pm, 90.5 pm, 91 pm, 91.5 pm, 92 pm, 92.5 pm, 93 pm, 93.5 pm, 94 pm, 94.5 pm, 95 pm, 95.5 pm, 96 pm, 96.5 pm, 97 pm, 97.5 pm, 98 pm, 98.5 pm, 99 pm, 99.5 pm, 100 pm, 200 pm, 250 pm, 300 pm, 350 pm, 400 pm, 450 pm, 500 pm, 550 pm, 600 pm, 650 pm, 700 pm, 750 pm, 800 pm, 850 pm, 900 pm, 950 pm, o 1 mm.
De acuerdo con un modo de realización, un conjunto estadístico de partículas compuestas esféricas 1 tiene un diámetro medio de al menos 5 nm, 10 nm, 20 nm, 30 nm, 40 nm, 50 nm, 60 nm, 70 nm, 80 nm, 100 nm, 110 nm, 120 nm, 130 nm, 140 nm, 150 nm, 160 nm, 170 nm, 180 nm, 190 nm, 200 nm, 210 nm, 220 nm, 230 nm, 240 nm, 250 nm, 260 nm, 270 nm, 280 nm, 290 nm, 300 nm, 350 nm, 400 nm, 450 nm, 500 nm, 550 nm, 600 nm, 650 nm, 700 nm, 750 nm, 800 nm, 850 nm, 900 nm, 950 nm, 1 pm, 1.5 pm, 2.5 pm, 3 pm, 3.5 pm, 4 pm, 4.5 pm, 5 pm, 5.5 pm, 6 pm, 6.5 pm , 7 pm, 7.5 pm, 8 pm, 8.5 pm, 9 pm, 9.5 pm, 10 pm, 10.5 pm, ' 1 pm, 11.5 pm, m, pm, 13 pm, 13.5 pm, 14 pm, 14.5 pm, 15 pm, 15.5 pm, 16 pm, 16.5 pm, 17 pm, 17.5 pm, 18 pm, 18.5 pm, 19 pm, 19.5 pm, 20 pm, 20.5 pm, 21 pm, 21.5 pm, 22 pm, 22.5 pm, 23 pm, 23.5 pm, 24 pm, 24.5 pm, 25 pm, 25.5 pm, 26 pm, 26.5 pm, 27 pm, 27.5 pm, 28 pm, 28.5 pm, 29 pm, 29.5 pm, 30 pm, 30.5 pm, 31 pm, 31.5 pm, 32 pm, 32.5 pm, 33 pm, 33.5 pm, 34 pm, 34.5 pm, 35 pm, 35.5 pm, 36 pm, 36.5 pm, 37 pm, 37.5 pm, 38 pm, 38.5 pm, 39 pm, 39.5 pm, 40 pm, 40.5 pm, 41 pm, 41.5 pm, 42 pm, 42.5 pm, 43 pm, 43.5 pm, 44 pm, 44.5 pm, 45 pm, 45.5 pm, 46 pm, 46.5 pm, 47 pm, 47.5 pm, 48 pm, 48.5 pm, 49 pm, 49.5 pm, 50 pm, 50.5 pm, 51 pm, 51.5 pm, 52 pm, 52.5 pm, 53 pm, 53.5 pm, 54 pm, 54.5 pm, 55 pm, 55.5 pm, 56 pm, 56.5 pm, 57 pm, 57.5 pm, 58 pm, 58.5 pm, 59 pm, 59.5 pm, 60 pm, 60.5 pm, 61 pm, 61.5 pm, 62 pm, 62.5 pm, 63 pm, 63.5 pm, 64 pm, 64.5 pm, 65 pm, 65.5 pm, 66 pm, 66.5 pm, 67 pm, 67.5 pm, 68 pm, 68.5 pm, 69 pm, 69.5 pm, 70 pm, 70.5 pm, 71 pm, 71.5 pm, 72 pm, 72.5 pm, 73 pm, 73.5 pm, 74 pm, 74.5 pm, 75 pm, 75.5 pm, 76 pm, 76.5 pm, 77 pm, 77.5 pm, 78 pm, 78.5 pm, 79 pm, 79.5 pm, 80 pm, 80.5 pm, 81 pm, 81.5 pm, 82 pm, 82.5 pm, 83 pm, 83.5 pm, 84 pm, 84.5 pm, 85 pm, 85.5 pm, 86 pm, 86.5 pm, 87 pm, 87.5 pm, 88 pm, 88.5 pm, 89 pm, 89.5 pm, 90 pm, 90.5 pm, 91 pm, 91.5 pm, 92 pm, 92.5 pm, 93 pm, 93.5 pm, 94 pm, 94.5 pm, 95 pm, 95.5 pm, 96 pm, 96.5 pm, 97 pm, 97.5 pm, pm, 98.5 pm, 99 pm, 99.5 pm, 100 pm, 200 pm, 250 pm, 300 pm, 350 | m, 400 pm, 450 pm, 500 pm, 550 pm, 600 pm, 650 pm, 700 pm, 750 pm, 800 pm, 850 pm, 900 pm, 950 pm, o 1 mm.
De acuerdo con un modo de realización, el diámetro medio de un conjunto estadístico de partículas compuestas esféricas 1 puede tener una desviación menor o igual a 0.01%, 0.02%, 0.03%, 0.04%, 0.05%, 0.06%, 0.07%, 0.08%, 0. 09%, 0.1%, 0.2%, 0.3%, 0.4%, 0.5%, 0.6%, 0.7%, 0.8%, 0.9%, 1%, 1.1%, 1.2%, 1.3%, 1.4%, 1.5%, 1.6%, 1.7%
Figure imgf000011_0001
De acuerdo con un modo de realización, la partícula compuesta esférica 1 tiene una curvatura única de al menos 200 pm-1, 100 pm-1, 66.6 pm-1, 50 pm-1, 33.3 pm-1, 28.6 pm-1, 25 pm-1, 20 pm-1, 18.2 pm-1, 16.7 pm-1, 15.4 pm-1, 14.3 pm-1, 13.3 pm-1, 12.5 pm-1, 11.8 pm-1, 11.1 pm-1, 10.5 pm-1, 10 pm-1, 9.5 pm-1, 9.1 pm-1, 8.7 pm-1, 8.3 pm-1, 8 pm-1, 7.7 pm-1, 7.4 pm-1, 7.1 pm-1, 6.9 pm-1, 6.7 pm-1, 5.7 pm-1, 5 pm-1, 4.4 pm-1, 4 pm-1, 3.6 pm-1, 3.3 pm-1, 3.1 pm-1, 2.9 pm-1, 2.7 pm-1, 2.5 pm-1, 2.4 pm-1, 2.2 pm-1, 2.1 pm-1, 2 pm-1, 1.3333 pm-1, 0.8 pm-1, 0.6666 pm-1, 0.5714 pm-1, 0.5 pm-1, 0.4444 pm-1, 0.4 pm-1, 0.3636 pm-1, 0.3333 pm-1, 0.3080 pm-1, 0.2857 pm-1, 0.2667 pm-1, 0.25 pm-1, 0.2353 pm-1, 0.2222 pm-1, 0.2105 pm-1, 0.2 pm-1, 0.1905 pm-1, 0.1818 pm-1, 0.1739 pm-1, 0.1667 pm-1, 0.16 pm-1, 0.1538 pm-1, 0.1481 pm-1, 0.1429 pm-1, 0.1379 pm-1, 0.1333 pm-1, 0.1290 pm-1, 0.125 pm-1, 0.1212 pm-1, 0.1176 pm-1, 0.1176 pm-1, 0.1143 pm-1, 0.1111 pm-1, 0.1881 pm-1, 0.1053 pm-1, 0.1026 pm-1, 0.1 pm-1, 0.0976 pm-1, 0.9524 pm-1, 0.0930 pm-1, 0.0909 pm-1, 0.0889 |jm-1, 0.870 pirn-1, 0.0851 pirn-1, 0.0833 pirn-1, 0.0816 pirn-1, 0.08 pirn-1, 0.0784 pirn-1, 0.0769 pirn-1 0.0741 pm-1, 0.0727 pm-1, 0.0714 pm-1, 0.0702 pm-1, 0.0690 pm-1, 0.0678 pm-1, 0.0667 pm-1, 0.0656 pm-1, 0.0645 pm-1, 0.0635 pm-1, 0.0625 pm-1, 0.0615 pm-1, 0.0606 pm-1, 0.0597 pm-1, 0.0588 pm-1, 0.0580 pm-1, 0.0571 pm-1, 0.0563 pm-1, 0.0556 pm-1, 0.0548 pm-1, 0.0541 pm-1, 0.0533 pm-1, 0.0526 pm-1, 0.0519 pm-1, 0.0513 pm-1, 0.0506 pm-1, 0.05 pm-1, 0.0494 pm-1, 0.0488 pm-1, 0.0482 pm-1, 0.0476 pm-1, 0.0471 pm-1, 0.0465 pm-1, 0.0460 pm-1, 0.0455 pm-1, 0.0450 pm-1, 0. 0440 pm-1, C.0435 pm-1, 0.0430 pm-1, 0.0426 pm-1, 0.0421 pm-1, 0.0417 pm-1, pm-1, 0.0408
pm-1, 0.0404 pm-1, 0.04 pm-1 0.0396 pm 1, 0.0392 pm-1, 0.0388 jm -1, 0.0385 pm-1; 0.0381 pm-1, 0.0377 pm-1, 0.0374 pm-1, 0.037 pm-1, 0.0367 pm-1, 0.0364 pm-1, 0.0360 pm-1, 0.0357 pm-1, 0.0354 pm-1, 0.0351 pm- , 0.0348 pm-1, 0. .0342 pm-1, 0.0339 pm-1, 0.0336 pm-1, 0.0333 pm-1, 0.0331 pm-1, 0.0328 pm-1, 0.0325 pm-1, 0.0323
pm-1, 0.032 pm-1 0.0317 pm-1 0.0315 pm-1 0.0312 pm-1, 0.031 pm-1 0.0308 pm-1 0.0305 pm-1 0.0303 pm-1, 0.0301
pm-1, 0.03 pm-1, 0.0299 pm-1, 0.0296 pm-1, 0.0294 pm-1, 0.0292 pm-1, 0.029 pm-1, 0.0288 pm-1, 0.0286 pm-1 , 0.0284
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pm-1, 0.0265 pm-1, 0.0263 pm-1, 0.0261 pm-1, 0.026 pm-1, 0.0258 pm-1, 0.0256 pm-1, 0.0255 pm-1 , 0.0253 pm- , 0.0252
pm-1, 0.025 pm-1 0.0248 pm-1 0.0247 pm-1 0.0245 pm-1, 0.0244 pm-1, 0.0242 pm 1, 0.0241 pm-1, 0.024 pm-1, 0.0238
pm-1, 0.0237 pm-1, 0.0235 pm-1, 0.0234 pm 1, 0.0233 pm -1, 0.231 pm 1, 0.023 pm-1 0.0229 pm-1 0.0227 pm-1, 0.0226
pm-1, 0.0225 pm-1, 0.0223 pm-1, 0.0222 pm-1, 0.0221 pm-1, 0.022 pm-1, 0.0219 pm-1, 0.0217 pm-1 , 0.0216 pm- , 0.0215
pm-1, 0.0214 pm-1, 0.0213 pm-1, 0.0212 pm-1, 0.0211 pm-1, 0.021 pm-1, 0.0209 pm-1, 0.0208 pm-1 , 0.0207 pm- , 0.0206
pm-1, 0.0205 pm-1, 0.0204 pm-1, 0.0203 pm-1, 0.0202 pm 1, 0.0201 pm -1, 0.02 pm-1, o 0.002 pm-1
De acuerdo con un modo de realización, un conjunto estadístico de las partículas compuestas esféricas 1 tiene una curvatura promedio única de al menos 200 pm-1, 100 pm-1, 66.6 pm-1, 50 pm-1, 33.3 pm-1, 28.6 pm-1, 25 pm-1, 20 pm-1, 18.2 pm-1, 16.7 pm-1, 15.4 pm-1, 14.3 pm-1, 13.3 pm-1, 12.5 pm-1, 11.8 pm-1, 11.1 pm-1, 10.5 pm-1, 10 pm-1, 9.5 pm-1,
9.1 pm-1, 8.7 pm-1, 8.3 pm-1, 8 pm-1, 7.7 pm-1, 7.4 pm-1, 7.1 pm-1, 6.9 pm-1, 6.7 pm-1, 5.7 pm-1, 5 pm-1, 4.4 pm-1, 4 pm-1,
3.6 pm-1, 3.3 pm-1, 3.1 pm-1, 2.9 pm-1, 2.7 pm 2.5 pm-1, 2.4 pm-1, 2.2 pm-1, 2.1 pm-1, 2 pm-1, 1.3333 pm-1, 0.8 pm-1, 0.6666 pm-1, 0.5714 pm-1, 0.5 pm-1, 0.4444 pm 0.4 pm-1, 0.3636 pm-1, 0.3333 pm-1, 0.3080 pm-1, 0.2857 pm-1, 0.2667
pm-1, 0.25 pm-1, 0.2353 pm-1, 0.2222 pm-1, 0.2105 pm-1, 0.2 pm-' 0.1905 pm-1, 0.1818 pm-1, 0.1739 pm-1, 0.1667 pm-1, 0.16 pm-1, 0.1538 pm-1, 0.1481 pm-1, 0.1429 pm-1, 0.1379 pm-1 0.1333 pm-1, 0.1290 pm-1, 0.125 pm-1, 0.1212 pm-1, 0.1176 pm-1, 0.1176 pm-1, 0.1143 pm-1, 0.1111 pm-1, 0.1881 pm- , 0.1053 pm-1, 0.1026 pm-1, 0.1 pm-1, 0.0976 pm-1
0.9524 pm-1, 0.0930 pm-1, 0.0909 pm-1, 0.0889 pm-1, 0.870 pm-1, 0.0851 pm-1, 0.0833 pm-1, 0.0816 pm-1, 0.08 pm-1
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pm-1 , 0.0580 pm-1 pm-1, 0.0563 pm-1, 0.0556 pm-1, 0.0548 pm-1, 0.0541 pm-1, 0.0533 pm-1 pm-1, 0.0519
pm-1 0.0513 pm-1
Figure imgf000012_0001
pm-1, 0.05 pm-1, 0.0494 pm-1, 0.0488 pm-1, 0.0482 pm-1, 0.0476 pm-1,
Figure imgf000012_0002
pm-1, 0.0465
pm-1 , 0.0460 pm-1 pm-1, 0.0450 pm-1, 0.0444 pm-1, 0.0440 pm-1, 0.0435 pm-1 0.0430 pm-1 pm-1, 0.0421
pm-1 0.0417 pm-1 pm-1, 0.0408 pm 1, 0.0404 pm-1, 0.04 pm-1, 0.0396 pm-1, 0.0392 pm-1, 0.0388 pm-1, 0.0385
pm-1 0.0381 pm-1, 0.0377 pm-1 0.0374 pm- , 0.037 pm-1, 0.0367 pm-1 0.0364 pm-1, 0.0360 pm-1, 0.0357 pm-1, 0.0354
pm-1 , 0.0351 pm-1, 0.0348 pm-1, 0.0345 pm-1, 0.0342 pm-1 0.0339 pm-1, 0.0336 pm-1, 0.0333 pm-1 pm-1, 0.0328
pm-1 0.0325 pm-1 pm-1, 0.032 pm-1 0.0317 pm-1 0.0315 pm-1, 0.0312 pm- , 0.031 pm-1, pm-1, 0.0305
pm-1 0.0303 pm-1 pm-1, 0.03 pm-1, 0.0299 pm-1, 0.0296 pm-1 0.0294 pm-1 0.0292 pm-1, 0.029 pm-1 , 0.0288
pm-1 , 0.0286 pm-1, 0.0284 pm-1 0.0282 pm- , 0.028 pm-1, 0.0278 pm-1 0.0276 pm-1 0.0274 pm-1 0.0272 pm-1; 0.0270
pm-1 , 0.0268 pm-1, 0.02667 pm-1, 0.0265 pm-1, 0.0263 pm-1, 0.0261 pm-1, 0.026 pm-1 0.0258 pm-1 0.0256 pm-1, 0.0255
pm-1 0.0253 pm-1, 0.0252 pm-1 0.025 pm-1, 0.0248 pm-1, 0.0247 pm-1 0.0245 pm-1, 0.0244 pm-1, 0.0242 pm-1, 0.0241
pm-1 0.024 pm-1, jm -1, 0.0237 pm-1, 0.0235 pm- , 0.0234 pm 1, 0.0233 pm-1, 0.231 pm-1 pm-1, 0.0229
pm-1 , 0.0227 pm-1, 0.0226 pm-1 0.0225 pm- , 0.0223 pm-1, 0.0222 pm-1, 0.0221 pm-1, 0.022 pm-1 0.0219 pm-1, 0.0217
pm-1 , 0.0216 pm-1, 0.0215 pm-1 0.0214 pm- , 0.0213 pm- , 0.0212 pm-1, 0.0211 pm-1, 0.021 pm-1, 0.0209 pm-1, 0.0208
pm-1 0.0207 pm-1, 0.0206 pm-1, 0.0205 pm-1, 0.0204 pm 1, 0.0203 pm 1, 0.0202 pm 1, 0.0201 pm jm -1 o 0.002
pm-1
De acuerdo con un modo de realización, la curvatura de la partícula compuesta esférica 1 no tiene ninguna desviación, lo que significa que dicha partícula compuesta 1 tiene una forma esférica perfecta. Una forma esférica perfecta evita
las fluctuaciones de la intensidad de la luz dispersada.
De acuerdo con un modo de realización, la curvatura única de la partícula compuesta esférica 1 puede tener una desviación menor o igual a 0.01%, 0.02%, 0.03%, 0.04%, 0.05%, 0.06%, 0.07%, 0.08%, 0.09%, 0.1%, 0.2%, 0.3%,
0.4%, 0.5%, 0.6%, 0.7%, 0.8%, 0.9%, 1%, 1.1%, 1.2%, 1.3%, 1.4%, 1.5%, 1.6%, 1.7%, 1.8%, 1.9%, 2%, 2.1%,
,
Figure imgf000012_0003
9
9.9%, o 10% a lo largo de la superficie de dicha partícula compuesta 1.
De acuerdo con un modo de realización, la partícula compuesta 1 es luminiscente.
De acuerdo con un modo de realización, la partícula compuesta 1 es fluorescente.
De acuerdo con un modo de realización, la partícula compuesta 1 es fosforescente.
De acuerdo con un modo de realización, la partícula compuesta 1 es electroluminiscente.
De acuerdo con un modo de realización, la partícula compuesta 1 es quimioluminiscente.
De acuerdo con un modo de realización, la partícula compuesta 1 es triboluminiscente.
De acuerdo con un modo de realización, las características de la emisión de luz de la partícula compuesta 1 son sensibles a las variaciones de presión externa. En este modo de realización, "sensible" significa que las características de la emisión de luz pueden ser modificadas por variaciones de presión externa.
De acuerdo con un modo de realización, el pico de emisión de longitud de onda de la partícula compuesta 1 es sensible a las variaciones de presión externa. En este modo de realización, "sensible" significa que el pico de emisión de longitud de onda puede ser modificado por las variaciones de presión externa, es decir, las variaciones de presión externa pueden inducir un desplazamiento de la longitud de onda.
De acuerdo con un modo de realización, la FWHM de la partícula compuesta 1 es sensible a las variaciones de presión externa. En este modo de realización, "sensible" significa que la FWHm puede ser modificada por las variaciones de presión externa, es decir, la FWHM puede aumentar o disminuir.
De acuerdo con un modo de realización, el PLQY de la partícula compuesta 1 es sensible a las variaciones de presión externa. En este modo de realización, "sensible" significa que el PLQY puede ser modificada por variaciones de presión externa, es decir, el PLQY puede aumentar o disminuir.
De acuerdo con un modo de realización, las características de la emisión de luz de la partícula compuesta 1 son sensibles a las variaciones de temperatura externas.
De acuerdo con un modo de realización, el pico de emisión de longitud de onda de la partícula compuesta 1 es sensible a las variaciones de temperatura externas. En este modo de realización, "sensible" significa que el pico de emisión de longitud de onda puede ser modificado por las variaciones de temperatura externas, es decir, las variaciones de temperatura externas pueden inducir un desplazamiento de la longitud de onda.
De acuerdo con un modo de realización, la FWHM de la partícula compuesta 1 es sensible a las variaciones de temperatura externas. En este modo de realización, "sensible" significa que la FWHM puede ser modificada por las variaciones de temperatura externa, es decir, la FWHM puede aumentar o disminuir.
De acuerdo con un modo de realización, el PLQY de la partícula compuesta 1 es sensible a las variaciones de temperatura externas. En este modo de realización, "sensible" significa que el PLQY puede ser modificado por las variaciones de temperatura externas, es decir, el PLQY puede disminuir o aumentar.
De acuerdo con un modo de realización, las características de la emisión de luz de la partícula compuesta 1 son sensibles a las variaciones externas de pH.
De acuerdo con un modo de realización, el pico de emisión de longitud de onda de la partícula compuesta 1 es sensible a las variaciones externas del pH. En este modo de realización, "sensible" significa que el pico de emisión de longitud de onda puede ser modificado por variaciones externas de pH, es decir, que las variaciones externas de pH pueden inducir un desplazamiento de la longitud de onda.
De acuerdo con un modo de realización, la FWHM de la partícula compuesta 1 es sensible a las variaciones externas del pH. En este modo de realización, "sensible" significa que la FWHM puede ser modificada por variaciones externas de pH, es decir, la FWHM puede disminuir o aumentar.
De acuerdo con un modo de realización, el PLQY de la partícula compuesta 1 es sensible a las variaciones externas del pH. En este modo de realización, "sensible" significa que el PLQY puede ser modificado por variaciones externas de pH, es decir, el PLQY puede aumentar o disminuir.
De acuerdo con un modo de realización, la partícula compuesta 1 comprende al menos una nanopartícula 3 cuya longitud de onda del pico de emisión es sensible a las variaciones externas de temperatura; y al menos una nanopartícula 3 en la que el pico de emisión de longitud de onda no es sensible o es menos sensible a las variaciones externas de temperatura. En este modo de realización, "sensible" significa que la longitud de onda del pico de emisión puede ser modificada por las variaciones de temperatura externas, es decir, la longitud de onda del pico de emisión puede aumentar o disminuir. Este modo de realización es particularmente ventajoso para aplicaciones de sensores de temperatura.
De acuerdo con un modo de realización, la partícula compuesta 1 presenta un espectro de emisión con al menos un pico de emisión, en el que dicho pico de emisión tiene una longitud de onda de emisión máxima que va de 400 nm a 50 |jm.
De acuerdo con un modo de realización, la partícula compuesta 1 presenta un espectro de emisión con al menos un pico de emisión, en el que dicho pico de emisión tiene una longitud de onda máxima de emisión que va de 400 nm a 500 nm. En este modo de realización, la partícula compuesta 1 emite luz azul.
De acuerdo con un modo de realización, la partícula compuesta 1 presenta un espectro de emisión con al menos un pico de emisión, en el que dicho pico de emisión tiene una longitud de onda máxima de emisión que va de 500 nm a 560 nm, más preferentemente de 515 nm a 545 nm. En este modo de realización, la partícula compuesta 1 emite luz verde.
De acuerdo con un modo de realización, la partícula compuesta 1 presenta un espectro de emisión con al menos un pico de emisión, en el que dicho pico de emisión tiene una longitud de onda máxima de emisión que va de 560 nm a 590 nm. En este modo de realización, la partícula compuesta 1 emite luz amarilla.
De acuerdo con un modo de realización, la partícula compuesta 1 presenta un espectro de emisión con al menos un pico de emisión, en el que dicho pico de emisión tiene una longitud de onda de emisión máxima que oscila entre 590 nm y 750 nm, más preferentemente entre 610 nm y 650 nm. En este modo de realización, la partícula compuesta 1 emite luz roja.
De acuerdo con un modo de realización, la partícula compuesta 1 presenta un espectro de emisión con al menos un pico de emisión, en el que dicho pico de emisión tiene una longitud de onda de emisión máxima que oscila entre 750 nm y 50 pm. En este modo de realización, la partícula compuesta 1 emite luz infrarroja cercana, infrarroja media o infrarroja.
De acuerdo con un modo de realización, la partícula compuesta 1 absorbe la luz incidente con una longitud de onda inferior a 50 pm, 40 pm, 30 pm, 20 pm, 10 pm, 1 pm, 950 nm, 900 nm, 850 nm, 800 nm, 750 nm, 700 nm, 650 nm, 600 nm, 550 nm, 500 nm, 450 nm, 400 nm, 350 nm, 300 nm, 250 nm, o inferior a 200 nm.
De acuerdo con un modo de realización, la partícula compuesta 1 es hidrofóbica.
De acuerdo con un modo de realización, la partícula compuesta 1 es hidrofílica.
De acuerdo con un modo de realización, la partícula compuesta 1 es dispersable en disolventes acuosos, disolventes orgánicos y/o mezcla de éstos.
De acuerdo con un modo de realización, la partícula compuesta 1 presenta un espectro de emisión con al menos un pico de emisión que tiene una anchura máxima promedio inferior a 90 nm, 80 nm, 70 nm, 60 nm, 50 nm, 40 nm, 30 nm, 25 nm, 20 nm, 15 nm o 10 nm.
De acuerdo con un modo de realización, la partícula compuesta 1 presenta un espectro de emisión con al menos un pico de emisión que tiene una anchura máxima promedio estrictamente inferior a 90 nm, 80 nm, 70 nm, 60 nm, 50 nm, 40 nm, 30 nm, 25 nm, 20 nm, 15 nm o 10 nm.
De acuerdo con un modo de realización, la partícula compuesta 1 presenta un espectro de emisión con al menos un pico de emisión que tiene una anchura total a un cuarto máximo inferior a 90 nm, 80 nm, 70 nm, 60 nm, 50 nm, 40 nm, 30 nm, 25 nm, 20 nm, 15 nm o 10 nm.
De acuerdo con un modo de realización, la partícula compuesta 1 presenta un espectro de emisión con al menos un pico de emisión que tiene una anchura total a un cuarto máximo estrictamente inferior a 90 nm, 80 nm, 70 nm, 60 nm, 50 nm, 40 nm, 30 nm, 25 nm, 20 nm, 15 nm o 10 nm.
De acuerdo con un modo de realización, la partícula compuesta 1 tiene un rendimiento cuántico de fotoluminiscencia (PLQY) de al menos 5%, 10%, 15%, 20%, 25%, 30%, 35%, 40%, 45%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 75%, 80%, 85%, 90%, 95%, 99% o 100%.
De acuerdo con un modo de realización, la partícula compuesta 1 presenta una disminución del rendimiento cuántico de fotoluminiscencia (PLQY) inferior a 80%, 70%, 60%, 50%, 40%, 30%, 25%, 20%, 15%, 10%, 5%, 4%, 3%, 2%, 1%, o 0% después de al menos 300, 400, 500, 600, 700, 800, 900, 1000, 2000, 3000, 4000, 5000, 6000, 7000, 8000, 9000, 10000, 11000, 12000, 13000, 14000, 15000, 16000, 17000, 18000, 19000, 20000, 21000, 22000, 23000, 24000, 25000, 26000, 27000, 28000, 29000, 30000, 31000, 32000, 33000, 34000, 35000, 36000, 37000, 38000, 39000, 40000, 41000, 42000, 43000, 44000, 45000, 46000, 47000, 48000, 49000, o 50000 horas bajo iluminación.
De acuerdo con un modo de realización, la iluminación de luz es proporcionada por una fuente de luz azul, verde, roja o UV, como un láser, un diodo, una lámpara fluorescente o una lámpara de arco de xenón. De acuerdo con un modo de realización, el flujo de fotones o la potencia de pulso promedio de la iluminación está comprendida entre 1 mW.cm-2 y 100 kW.cm-2, más preferentemente entre 10 mW.cm-2 y 100 W.cm-2, y aún más preferentemente entre 10 mW.cm-2 y 30 W.cm-2.
De acuerdo con un modo de realización, el flujo de fotones o la potencia de pulso promedio de la iluminación es de al menos 1 mW.cm-2, 50 mW.cm-2, 100 mW.cm-2, 500 mW.cm-2, 1 W.cm-2, 5 W.cm-2, 10 W.cm-2, 20 W.cm-2, 30 W.cm-2, 40 W.cm-2, 50 W.cm-2, 60 W.cm-2, 70 W.cm-2, 80 W.cm-2, 90 W.cm-2, 100 W.cm-2, 110 W.cm-2, 120 W.cm-2, 130 W.cm-2, 140 W.cm-2, 150 W.cm-2, 160 W.cm-2, 170W.cm-2, 180W.cm-2, 190 W.cm-2, 200 W.cm-2, 300 W.cm-2, 400 W.cm-2, 500 W.cm-2, 600 W.cm-2, 700 W.cm-2, 800 W.cm-2, 900 W.cm-2, 1 kW.cm-2, 50 kW.cm-2, o 100 kW.cm-2.
De acuerdo con un modo de realización, la iluminación de luz descrita en el presente documento proporciona una iluminación continua.
De acuerdo con un modo de realización, la iluminación de luz descrita en el presente documento proporciona una luz pulsada. Este modo de realización es particularmente ventajoso ya que permite la evacuación de calor y/o cargas eléctricas de las nanopartículas 3. Este modo de realización es también particularmente ventajoso ya que el uso de la luz pulsada permite una vida útil más larga de las nanopartículas 3, por lo tanto, de las partículas compuestas 1, de hecho, bajo luz continua, las nanopartículas 3 se degradan más rápidamente que bajo luz pulsada.
De acuerdo con un modo de realización, la iluminación descrita en el presente documento proporciona luz pulsada. En este modo de realización, si una luz continua ilumina un material con períodos regulares durante los cuales dicho material se retira voluntariamente de la iluminación, dicha luz puede considerarse como luz pulsada. Este modo de realización es particularmente ventajoso ya que permite la evacuación del calor y/o de las cargas eléctricas de las nanopartículas 3.
De acuerdo con un modo de realización, dicha luz pulsada tiene un tiempo de apagado (o tiempo sin iluminación) de al menos 1 microsegundo, 2 microsegundos, 3 microsegundos, 4 microsegundos, 5 microsegundos, 6 microsegundos, 7 microsegundos, 8 microsegundos, 9 microsegundos, 10 microsegundos, 11 microsegundos, 12 microsegundos, 13 microsegundos, 14 microsegundos, 15 microsegundos, 16 microsegundos, 17 microsegundos, 18 microsegundos, 19 microsegundos, 20 microsegundos, 21 microsegundos, 22 microsegundos, 23 microsegundos, 24 microsegundos, 25 microsegundos, 26 microsegundos, 27 microsegundos, 28 microsegundos, 29 microsegundos, 30 microsegundos, 31 microsegundos, 32 microsegundos, 33 microsegundos, 34 microsegundos, 35 microsegundos, 36 microsegundos, 37 microsegundos, 38 microsegundos, 39 microsegundos, 40 microsegundos, 41 microsegundos, 42 microsegundos, 43 microsegundos, 44 microsegundos, 45 microsegundos 46 microsegundos, 47 microsegundos, 48 microsegundos, 49 microsegundos, 50 microsegundos, 100 microsegundos, 150 microsegundos, 200 microsegundos, 250 microsegundos, 300 microsegundos, 350 microsegundos, 400 microsegundos, 450 microsegundos 500 microsegundos, 550 microsegundos, 600 microsegundos, 650 microsegundos, 700 microsegundos, 750 microsegundos, 800 microsegundos, 850 microsegundos, 900 microsegundos, 950 microsegundos, 1 milisegundo, 2 milisegundos, 3 milisegundos, 4 milisegundos 5 milisegundos, 6 milisegundos, 7 milisegundos, 8 milisegundos, 9 milisegundos, 10 milisegundos, 11 milisegundos, 12 milisegundos, 13 milisegundos, 14 milisegundos, 15 milisegundos, 16 milisegundos, 17 milisegundos, 18 milisegundos, 19 milisegundos, 20 milisegundos, 21 milisegundos, 22 milisegundos, 23 milisegundos, 24 milisegundos, 25 milisegundos, 26 milisegundos, 27 milisegundos, 28 milisegundos, 29 milisegundos, 30 milisegundos, 31 milisegundos, 32 milisegundos, 33 milisegundos, 34 milisegundos, 35 milisegundos, 36 milisegundos, 37 milisegundos, 38 milisegundos, 39 milisegundos, 40 milisegundos, 41 milisegundos, 42 milisegundos, 43 milisegundos, 44 milisegundos, 45 milisegundos, 46 milisegundos, 47 milisegundos, 48 milisegundos, 49 milisegundos o 50 milisegundos.
De acuerdo con un modo de realización, dicha luz pulsada tiene un tiempo de encendido (o de iluminación) de al menos 0.1 nanosegundo, 0.2 nanosegundos, 0.3 nanosegundos, 0.4 nanosegundos, 0.5 nanosegundos, 0.6 nanosegundos, 0.7 nanosegundos, 0.8 nanosegundos, 0.9 nanosegundos, 1 nanosegundo, 2 nanosegundos, 3 nanosegundos, 4 nanosegundos, 5 nanosegundos, 6 nanosegundos, 7 nanosegundos, 8 nanosegundos, 9 nanosegundos, 10 nanosegundos, 11 nanosegundos, 12 nanosegundos, 13 nanosegundos, 14 nanosegundos, 15 nanosegundos, 16 nanosegundos, 17 nanosegundos, 18 nanosegundos, 19 nanosegundos, 20 nanosegundos, 21 nanosegundos, 22 nanosegundos, 23 nanosegundos, 24 nanosegundos, 25 nanosegundos, 26 nanosegundos, 27 nanosegundos, 28 nanosegundos, 29 nanosegundos, 30 nanosegundos, 31 nanosegundos, 32 nanosegundos, 33 nanosegundos, 34 nanosegundos, 35 nanosegundos, 36 nanosegundos, 37 nanosegundos, 38 nanosegundos, 39 nanosegundos, 40 nanosegundos, 41 nanosegundos, 42 nanosegundos, 43 nanosegundos, 44 nanosegundos, 45 nanosegundos, 46 nanosegundos, 47 nanosegundos, 48 nanosegundos, 49 nanosegundos, 50 nanosegundos, 100 nanosegundos, 150 nanosegundos, 200 nanosegundos, 250 nanosegundos, 300 nanosegundos, 350 nanosegundos, 400 nanosegundos, 450 nanosegundos, 500 nanosegundos, 550 nanosegundos, 600 nanosegundos, 650 nanosegundos, 700 nanosegundos, 750 nanosegundos, 800 nanosegundos, 850 nanosegundos, 900 nanosegundos, 950 nanosegundos, 1 microsegundo, 2 microsegundos, 3 microsegundos, 4 microsegundos, 5 microsegundos, 6 microsegundos, 7 microsegundos, 8 microsegundos, 9 microsegundos, 10 microsegundos, 11 microsegundos, 12 microsegundos, 13 microsegundos, 14 microsegundos, 15 microsegundos, 16 microsegundos, 17 microsegundos, 18 microsegundos, 19 microsegundos, 20 microsegundos, 21 microsegundos, 22 microsegundos, 23 microsegundos, 24 microsegundos, 25 microsegundos, 26 microsegundos, 27 microsegundos, 28 microsegundos, 29 microsegundos, 30 microsegundos, 31 microsegundos, 32 microsegundos, 33 microsegundos, 34 microsegundos, 35 microsegundos, 36 microsegundos, 37 microsegundos, 38 microsegundos, 39 microsegundos, 40 microsegundos, 41 microsegundos, 42 microsegundos, 43 microsegundos, 44 microsegundos, 45 microsegundos, 46 microsegundos, 47 microsegundos, 48 microsegundos, 49 microsegundos o 50 microsegundos.
De acuerdo con un modo de realización, dicha luz pulsada tiene una frecuencia de al menos 10 Hz, 11 Hz, 12 Hz, 13 Hz, 14 Hz, 15 Hz, 16 Hz, 17 Hz, 18 Hz, 19 Hz, 20 Hz, 21 Hz, 22 Hz, 23 Hz, 24 Hz, 25 Hz, 26 Hz, 27 Hz, 28 Hz, 29 Hz, 30 Hz, 31 Hz, 32 Hz, 33 Hz, 34 Hz, 35 Hz, 36 Hz, 37 Hz, 38 Hz, 39 Hz, 40 Hz, 41 Hz, 42 Hz, 43 Hz, 44 Hz, 45 Hz, 46
Hz, 47 Hz, 48 Hz, 49 Hz, 50 Hz, 100 Hz, 150 Hz, 200 Hz, 250 Hz, 300 Hz, 350 Hz, 400 Hz, 450 Hz, 500 Hz, 550 Hz,
600 Hz, 650 Hz, 700 Hz, 750 Hz, 800 Hz, 850 Hz, 900 Hz, 950 Hz, 1 kHz, 2 kHz, 3 kHz, 4 kHz, 5 kHz, 6 kHz 7 kHz, 8 kHz, 9 kHz, 10 kHz, 11 kHz, 12 kHz, 13 kHz, 14 kHz, 15 kHz, 16 kHz, 17 kHz, 18 kHz, 19 kHz, 20 kHz, 21 kHz, 22 kHz, 23 kHz, 24 kHz, 25 kHz, 26 kHz, 27 kHz, 28 kHz, 29 kHz, 30 kHz, 31 kHz, 32 kHz, 33 kHz, 34 kHz, 35 kHz, 36 kHz, 37 kHz, 38 kHz, 39 kHz, 40 kHz, 41 kHz, 42 kHz, 43 kHz, 44 kHz, 45 kHz, 46 kHz, 47 kHz, 48 kHz, 49 kHz, 50 kHz, 100 kHz, 150 kHz, 200 kHz, 250 kHz, 300 kHz, 350 kHz, 400 kHz, 450 kHz, 500 kHz, 550 kHz, 600 kHz, 650 kHz,
700 kHz, 750 kHz, 800 kHz, 850 kHz, 900 kHz, 950 kHz, 1 MHz, 2 MHz, 3 MHz, 4 MHz, 5 MHz, 6 MHz, 7 MHz, 8 MHz,
9 MHz, 10 MHz, 11 MHz, 12 MHz, 13 MHz, 14 MHz, 15 MHz, 16 MHz, 17 MHz, 18 MHz, 19 MHz, 20 MHz, 21 MHz,
22 MHz, 23 MHz, 24 MHz, 25 MHz, 26 MHz, 27 MHz, 28 MHz, 29 MHz, 30 MHz, 31 MHz, 32 MHz, 33 MHz, 34 MHz,
35 MHz, 36 MHz, 37 MHz, 38 MHz, 39 MHz, 40 MHz, 41 MHz, 42 MHz, 43 MHz, 44 MHz, 45 MHz, 46 MHz, 47 MHz,
48 MHz, 49 MHz, 50 MHz o 100 MHz.
De acuerdo con un modo de realización, el área del punto de luz que ilumina la partícula compuesta 1, las nanopartículas 3 y/o el material emisor de luz 7 es al menos 10 |jm2, 20 |jm2, 30 |jm2, 40 |jm2, 50 |jm2, 60 |jm2, 70 |jm2,
80 jim2, 90 jim2, 100 |jm2, 200 |jm2, 300 |jm2, 400 |jm2, 500 |jm2, 600 |jm2, 700 |jm2, 800 |jm2, 900 |jm2, 103 |jm2, 104
IJiTf, 105 jim2, 1 mm2, 10 mm2, 20 mm2, 30 mm2, 40 mm2, 50 mm2, 60 mm2, 70 mm2, 80 mm2, 90 mm2, 100 mm2, 200 mm2, 300 mm2, 400 mm2, 500 mm2, 600 mm2, 700 mm2, 800 mm2, 900 mm2, 103 mm2, 104 mm2, 105 mm2, 1 m2, 10 m2,
20 t P, 30 t 2, 40 m2, 50 t 2, 60 t 2, 70 m2, 80 t 2, 90 m2, o 100 t P.
De acuerdo con un modo de realización, la saturación de emisión de la partícula compuesta 1, las nanopartículas 3 y/o el material emisor de luz 7 se alcanza bajo una luz pulsada con una potencia de pulso máxima de al menos 1 W.cm-2, 5 W.cm-2, 10 W.cm-2, 20 W.cm-2, 30 W.cm-2, 40 W.cm-2, 50 W.cm-2, 60 W.cm-2, 70 W.cm-2, 80 W.cm-2, 90 W.cm-2, 100 W.cm-2, 110 W.cm-2, 120 W.cm-2, 130 W.cm-2, 140 W.cm-2, 150 W.cm-2, 160 W.cm-2, 170 W.cm-2,
180 W.cm-2, 190 W.cm-2, 200 W.cm-2, 300 W.cm-2, 400 W.cm-2, 500 W.cm-2, 600 W.cm-2, 700 W.cm-2, 800 W.cm-2,
900 W.cm-2, 1 kW.cm-2, 50 kW.cm-2, 100 kW.cm-2, 200 kW.cm-2, 300 kW.cm-2, 400 kW.cm-2, 500 kW.cm-2, 600 kW.cm-2, 700 kW.cm-2, 800 kW.cm-2, 900 kW.cm-2, o 1 MW.cm-2.
De acuerdo con un modo de realización, la saturación de emisión de la partícula compuesta 1, las nanopartículas 3 y/o el material emisor de luz 7 se alcanza bajo una iluminación continua con una potencia de pulso máxima de al menos 1 W.cm-2, 5 W.cm-2, 10 W.cm-2, 20 W.cm-2, 30 W.cm-2, 40 W.cm-2, 50 W.cm-2, 60 W.cm-2, 70 W.cm-2, 80 W.cm-2, 90 W.cm-2, 100 W.cm-2, 110 W.cm-2, 120 W.cm-2, 130 W.cm-2, 140 W.cm-2, 150 W.cm-2, 160 W.cm-2, 170 W.cm-2,
180 W.cm-2, 190 W.cm-2, 200 W.cm-2, 300 W.cm-2, 400 W.cm-2, 500 W.cm-2, 600 W.cm-2, 700 W.cm-2, 800 W.cm-2,
900 W.cm-2, o 1 kW.cm-2.
La saturación de emisión de las partículas bajo una iluminación con un determinado flujo de fotones se produce cuando dichas partículas no pueden emitir más fotones. En otras palabras, un mayor flujo de fotones no conduce a un mayor número de fotones emitidos por dichas partículas.
De acuerdo con un modo de realización, la FCE (Eficiencia de Conversión de Frecuencia) de la partícula compuesta iluminada 1, las nanopartículas 3 y/o el material emisor de luz 7 es de al menos 1%, 2%, 3%, 4%, 5%, 6%, 7%, 8%,
9%, 10%, 15%, 16%, 17%, 18%, 18%, 19%, 20%, 21%, 22%, 23%, 24%, 25%, 30%, 35%, 40%, 45%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 75%, 80%, 85%, 90%, 95% o 100%. En este modo de realización, la FCE se midió a 480 nm.
En un modo de realización, la partícula compuesta 1 presenta una disminución del rendimiento cuántico de fotoluminiscencia (PQLY) inferior al 80%, 70%, 60%, 50%, 40%, 30%, 25%, 20%, 15%, 10%, 5%, 4%, 3%, 2%, 1% o
0% después de al menos 300, 400, 500, 600, 700, 800, 900, 1000, 2000, 3000, 4000, 5000, 6000, 7000, 8000, 9000, 10000, 11000, 12000, 13000, 14000, 15000, 16000, 17000, 18000, 19000, 20000, 21000, 22000, 23000, 24000, 25000, 26000, 27000, 28000, 29000, 30000, 31000, 32000, 33000, 34000, 35000, 36000, 37000, 38000, 39000, 40000, 41000, 42000, 43000, 44000, 45000, 46000, 47000, 48000, 49000, o 50000 horas bajo iluminación con un flujo de fotones o una potencia de pulso promedio de pico de al menos 1 mW.cm-2, 50 mW.cm-2, 100 mW.cm-2, 500 mW.cm-2, 1 W.cm-2, 5 W.cm-2, 10 W.cm-2, 20 W.cm-2, 30 W.cm-2, 40 W.cm-2, 50 W.cm-2, 60 W.cm-2, 70 W.cm-2, 80 W.cm-2, 90 W.cm-2, 100 W.cm-2, 110 W.cm-2, 120 W.cm-2, 130 W.cm-2, 140 W.cm-2, 150 W.cm-2, 160 W.cm-2, W.cm-2, 190 W.cm-2, 200 W.cm-2, 300 W.cm-2, 400 W.cm-2, 500 W.cm-2, 600 W.cm-2, 700 W.cm-2, 800 W.cm-2,
900 W.cm-2, 1 kW.cm-2, 50 kW.cm-2, o 100 kW.cm-2.
En un modo de realización, la partícula compuesta 1 presenta una disminución de la FCE inferior a 80%, 70%, 60%, 50%, 40%, 30%, 25%, 20%, 15%, 10%, 5%, 4%, 3%, 2%, 1% o 0% después de al menos 300, 400, 500, 600, 700,
800, 900, 1000, 2000, 3000, 4000, 5000, 6000, 7000, 8000, 9000, 10000, 11000, 12000, 13000, 14000, 15000, 16000, 17000, 18000, 19000, 20000, 21000, 22000, 23000, 24000, 25000, 26000, 27000, 28000, 29000, 30000, 31000, 32000, 33000, 34000, 35000, 36000, 37000, 38000, 39000, 40000, 41000, 42000, 43000, 44000, 45000, 46000, 47000, 48000, 49000, o 50000 horas bajo una iluminación con un flujo de fotones o una potencia de pulso pico promedio de al menos 1 mW.cm-2, 50 mW.cm-2, 100 mW.cm-2, 500 mW.cm-2, 1 W.cm-2, 5 W.cm-2, 10 W.cm-2, 20 W.cm-2, 30 W.cm-2, 40 W.cm-2, 50 W.cm-2, 60 W.cm-2, 70 W.cm-2, 80 W.cm-2, 90 W.cm-2, 100 W.cm-2, 110 W.cm-2, 120 W.cm-2, 130 W.cm-2, 140 W.cm-2, 150 W.cm-2, 160 W.cm-2, 170 W.cm-2, 180 W.cm-2, 190W.cm-2, 200W.cm-2, 300W.cm-2,
400 W.cm-2, 500 W.cm-2, 600 W.cm-2, 700 W.cm-2, 800 W.cm-2, 900 W.cm-2, 1 kW.cm-2, 50 kW.cm-2, o 100 kW.cm-2.
De acuerdo con un modo de realización, la partícula compuesta 1 tiene un tiempo de vida de fluorescencia medio de al menos 0.1 nanosegundos, 0.2 nanosegundos, 0.3 nanosegundos, 0.4 nanosegundos, 0.5 nanosegundos, 0.6 nanosegundos, 0.7 nanosegundos, 0.8 nanosegundos, 0.9 nanosegundos, 1 nanosegundo, 2 nanosegundos, 3 nanosegundos, 4 nanosegundos, 5 nanosegundos, 6 nanosegundos, 7 nanosegundos, 8 nanosegundos, 9 nanosegundos, 10 nanosegundos, 11 nanosegundos, 12 nanosegundos, 13 nanosegundos, 14 nanosegundos, 15 nanosegundos, 16 nanosegundos, 17 nanosegundos, 18 nanosegundos, 19 nanosegundos, 20 nanosegundos, 21 nanosegundos, 22 nanosegundos, 23 nanosegundos, 24 nanosegundos, 25 nanosegundos, 26 nanosegundos, 27 nanosegundos, 28 nanosegundos, 29 nanosegundos, 30 nanosegundos, 31 nanosegundos, 32 nanosegundos, 33 nanosegundos, 34 nanosegundos, 35 nanosegundos, 36 nanosegundos, 37 nanosegundos, 38 nanosegundos, 39 nanosegundos, 40 nanosegundos, 41 nanosegundos, 42 nanosegundos, 43 nanosegundos, 44 nanosegundos, 45 nanosegundos, 46 nanosegundos, 47 nanosegundos, 48 nanosegundos, 49 nanosegundos, 50 nanosegundos, 100 nanosegundos, 150 nanosegundos, 200 nanosegundos, 250 nanosegundos, 300 nanosegundos, 350 nanosegundos,
400 nanosegundos, 450 nanosegundos, 500 nanosegundos, 550 nanosegundos, 600 nanosegundos, 650 nanosegundos, 700 nanosegundos, 750 nanosegundos, 800 nanosegundos, 850 nanosegundos, 900 nanosegundos,
950 nanosegundos o 1 microsegundo.
En un modo de realización, la partícula compuesta 1 presenta una disminución del rendimiento cuántico de fotoluminiscencia (PQLY) inferior al 80%, 70%, 60%, 50%, 40%, 30%, 25%, 20%, 15%, 10%, 5%, 4%, 3%, 2%, 1% o
0% después de al menos 300, 400, 500, 600, 700, 800, 900, 1000, 2000, 3000, 4000, 5000, 6000, 7000, 8000, 9000, 10000, 11000, 12000, 13000, 14000, 15000, 16000, 17000, 18000, 19000, 20000, 21000, 22000, 23000, 24000, 25000, 26000, 27000, 28000, 29000, 30000, 31000, 32000, 33000, 34000, 35000, 36000, 37000, 38000, 39000, 40000, 41000, 42000, 43000, 44000, 45000, 46000, 47000, 48000, 49000, o 50000 horas bajo luz pulsada con una potencia promedio de pico de al menos 1 mW.cm-2, 50 mW.cm-2, 100 mW.cm-2, 500 mW.cm-2, 1 W.cm-2, 5 W.cm-2, 10 W.cm-2, 20 W.cm-2, 30 W.cm-2, 40 W.cm-2, 50 W.cm-2, 60 W.cm-2, 70 W.cm-2, 80 W.cm-2, 90 W.cm-2, 100 W.cm-2, 110 W.cm-2, 120 W.cm-2, 130 W.cm-2, 140 W.cm-2, 150 W.cm-2, 160 W.cm-2, 170 W.cm-2, 180 W.cm-2, 190 W.cm-2, 200 W.cm-2, 300 W.cm-2, 400 W.cm-2, 500 W.cm-2, 600 W.cm-2, 700 W.cm-2, 800 W.cm-2, 900 W.cm-2, 1 kW.cm-2,
50 kW.cm-2, o 100 kW.cm-2.
En este modo de realización, la partícula compuesta 1 comprende preferentemente puntos cuánticos, nanopartículas semiconductoras o nanoplaquetas semiconductoras.
En un modo de realización preferido, la partícula compuesta 1 presenta una disminución del rendimiento cuántico de fotoluminiscencia (PQLY) inferior al 25%, 20%, 15%, 10%, 5%, 4%, 3%, 2%, 1% o 0% después de al menos 300, 400, 500, 600, 700, 800, 900, 1000, 2000, 3000, 4000, 5000, 6000, 7000, 8000, 9000, 10000, 11000, 12000, 13000, 14000, 15000, 16000, 17000, 18000, 19000, 20000, 21000, 22000, 23000, 24000, 25000, 26000, 27000, 28000, 29000, 30000, 31000, 32000, 33000, 34000, 35000, 36000, 37000, 38000, 39000, 40000, 41000, 42000, 43000, 44000, 45000, 46000, 47000, 48000, 49000, o 50000 horas bajo luz pulsada o luz continua con una potencia de pulso o flujo de fotones de pico medio de al menos 1 mW.cm-2, 50 mW.cm-2, 100 mW.cm-2, 500 mW.cm-2, 1 W.cm-2, 5 W.cm-2,
10 W.cm-2, 20 W.cm-2, 30 W.cm-2, 40 W.cm-2, 50 W.cm-2, 60 W.cm-2, 70 W.cm-2, 80 W.cm-2, 90 W.cm-2, 100 W.cm-2,
110 W.cm-2, 120 W.cm-2, 130 W.cm-2, 140 W.cm-2, 150 W.cm-2, 160 W.cm-2, 170 W.cm-2, 180 W.cm-2, 190 W.cm-2, 200 W.cm-2, 300 W.cm-2, 400 W.cm-2, 500 W.cm-2, 600 W.cm-2, 700 W.cm-2, 800 W.cm-2, 900 W.cm-2, 1 kW.cm-2,
50 kW.cm-2, o 100 kW.cm-2.
En un modo de realización, la partícula compuesta 1 presenta una disminución de la FCE inferior al 80%, 70%, 60%, 50%, 40%, 30%, 25%, 20%, 15%, 10%, 5%, 4%, 3%, 2%, 1% o 0% después de al menos 300, 400, 500, 600, 700, 800, 900, 1000, 2000, 3000, 4000, 5000, 6000, 7000, 8000, 9000, 10000, 11000, 12000, 13000, 14000, 15000, 16000, 17000, 18000, 19000, 20000, 21000, 22000, 23000, 24000, 25000, 26000, 27000, 28000, 29000, 30000, 31000, 32000, 33000, 34000, 35000, 36000, 37000, 38000, 39000, 40000, 41000, 42000, 43000, 44000, 45000, 46000, 47000, 48000, 49000, o 50000 horas bajo luz pulsada con una potencia promedio de pico de al menos 1 mW.cm-2, 50 mW.cm-2, 100 mW.cm-2, 500 mW.cm-2, 1 W.cm-2, 5 W.cm-2, 10 W.cm-2, 20 W.cm-2, 30 W.cm-2, 40 W.cm-2, 50 W.cm-2,
60 W.cm-2, 70 W.cm-2, 80 W.cm-2, 90 W.cm-2, 100 W.cm-2, 110 W.cm-2, 120 W.cm-2, 130 W.cm-2, 140 W.cm-2, 150 W.cm-2, 160 W.cm-2, 170 W.cm-2, 180 W.cm-2, 190 W.cm-2, 200 W.cm-2, 300 W.cm-2, 400 W.cm-2, 500 W.cm-2, 600 W.cm-2, 700 W.cm-2, 800 W.cm-2, 900 W.cm-2, 1 kW.cm-2, 50 kW.cm-2, o 100 kW.cm-2.
En este modo de realización, la partícula compuesta 1 comprende preferentemente puntos cuánticos, nanopartículas semiconductoras, nanocristales semiconductores o nanoplaquetas semiconductoras.
En un modo de realización preferida, la partícula compuesta 1 presenta una disminución de la FCE inferior al 25%, 20%, 15%, 10%, 5%, 4%, 3%, 2%, 1% o 0% después de al menos 300, 400, 500, 600, 700, 800, 900, 1000, 2000, 3000, 4000, 5000, 6000, 7000, 8000, 9000, 10000, 11000, 12000, 13000, 14000, 15000, 16000, 17000, 18000, 19000, 20000, 21000, 22000, 23000, 24000, 25000, 26000, 27000, 28000, 29000, 30000, 31000, 32000, 33000, 34000, 35000, 36000, 37000, 38000, 39000, 40000, 41000, 42000, 43000, 44000, 45000, 46000, 47000, 48000, 49000, o 50000 horas bajo luz pulsada o luz continua con un promedio de potencia de pulso o flujo de fotones máximo de al menos 1 mW.cm-2, 50 mW.cm-2, 100 mW.cm-2, 500 mW.cm-2, 1 W.cm-2, 5 W.cm-2, 10 W.cm-2, 20 40 W.cm-2, 50 W.cm-2, 60 W.cm-2, 70 W.cm-2, 80 W.cm-2, 90 W.cm-2, 100 W.cm-2, 110 W.cm-2, 120 W.cm-2, 130 W.cm-2, 140 W.cm-2, 150 W.cm-2, 160 W.cm-2, 170 W.cm-2, 180 W.cm-2, 190 W.cm-2, 200 W.cm-2, 300 W.cm-2, 400 W.cm-2,
500 W.cm-2, 600 W.cm-2, 700 W.cm-2, 800 W.cm-2, 900 W.cm-2, 1 kW.cm-2, 50 kW.cm-2, o 100 kW.cm-2.
De acuerdo con un modo de realización, la partícula compuesta 1 no tiene tensioactivos. En este modo de realización, la superficie de la partícula compuesta 1 será fácil de funcionalizar ya que dicha superficie no estará bloqueada por ninguna molécula de surfactante.
De acuerdo con un modo de realización, la partícula compuesta 1 no está libre de tensioactivos.
De acuerdo con un modo de realización, la partícula compuesta 1 es amorfa.
De acuerdo con un modo de realización, la partícula compuesta 1 es cristalina.
De acuerdo con un modo de realización, la partícula compuesta 1 es totalmente cristalina.
De acuerdo con un modo de realización, la partícula compuesta 1 es parcialmente cristalina.
De acuerdo con un modo de realización, la partícula compuesta 1 es monocristalina.
De acuerdo con un modo de realización, la partícula compuesta 1 es policristalina. En este modo de realización, la partícula compuesta 1 comprende al menos un límite de grano.
De acuerdo con un modo de realización, la partícula compuesta 1 es una partícula coloidal.
De acuerdo con un modo de realización, la partícula compuesta 1 no incluye una perla esférica porosa, preferentemente la partícula compuesta 1 no incluye una perla esférica porosa en el centro.
De acuerdo con un modo de realización, la partícula compuesta 1 no incluye una perla esférica porosa, en la que las nanopartículas 3 están unidas a la superficie de dicha perla esférica porosa.
De acuerdo con un modo de realización, la partícula compuesta 1 no incluye una perla y nanopartículas 3 que tienen cargas electrónicas opuestas.
De acuerdo con un modo de realización, la partícula compuesta 1 es porosa.
De acuerdo con un modo de realización, la partícula compuesta 1 se considera porosa cuando la cantidad adsorbida por las partículas compuestas 1 determinada por la adsorción-desorción de nitrógeno en la teoría de Brunauer-Emmett-Teller (BET) es superior a 20 cm3/g, 15 cm3/g, 10 cm3/g, 5 cm3/g a una presión de nitrógeno de 650 mmHg, preferiblemente 700 mmHg.
De acuerdo con un modo de realización, la organización de la porosidad de la partícula compuesta 1 puede ser hexagonal, vermicular o cúbica.
De acuerdo con un modo de realización, la porosidad organizada de la partícula compuesta 1 tiene un tamaño de poro de al menos 1 nm, 1.5 nm, 2 nm, 2.5 nm, 3 nm, 3.5 nm, 4 nm, 4.5 nm, 5 nm, 5.5 nm, 6 nm, 6.5 nm, 7 nm, 7.5 nm, 8 nm, 8.5 nm, 9 nm, 9.5 nm, 10 nm, 11 nm, 12 nm, 13 nm, 14 nm, 15 nm, 16 nm, 17 nm, 18 nm, 19 nm, 20 nm, 21 nm, 22 nm, 23 nm, 24 nm, 25 nm, 26 nm, 27 nm, 28 nm, 29 nm, 30 nm, 31 nm, 32 nm, 33 nm, 34 nm, 35 nm, 36 nm, 37 nm, 38 nm, 39 nm, 40 nm, 41 nm, 42 nm, 43 nm, 44 nm, 45 nm, 46 nm, 47 nm, 48 nm, 49 nm, o 50 nm.
De acuerdo con un modo de realización, la partícula compuesta 1 no es porosa.
De acuerdo con un modo de realización, la partícula compuesta 1 se considera no porosa cuando la cantidad adsorbida por dicha partícula compuesta 1, determinada por la adsorción-desorción de nitrógeno en la teoría de Brunauer-Emmett-Teller (BET), es inferior a 20 cm3/g, 15 cm3/g, 10 cm3/g, 5 cm3/g a una presión de nitrógeno de 650 mmHg, preferentemente 700 mmHg.
De acuerdo con un modo de realización, la partícula compuesta 1 no comprende poros o cavidades.
De acuerdo con un modo de realización, la partícula compuesta 1 es impermeable a las especies moleculares externas, gas o líquido. En este modo de realización, las especies moleculares externas, el gas o el líquido se refieren a las especies moleculares, el gas o el líquido externos a dicha partícula compuesta 1.
De acuerdo con un modo de realización, la partícula compuesta impermeable 1 tiene una permeabilidad intrínseca a los fluidos menor o igual a 10'11 cm2, 10'12 cm2, 10'13 cm2, 10'14 cm2, o 10'15 cm2.
De acuerdo con un modo de realización, la partícula compuesta 1 tiene una tasa de transmisión de oxígeno que oscila entre 10'7 y 10 cm3.irr2.dia'1, preferiblemente entre 10'7 y 1 cm3.irr2.dia'1, más preferiblemente entre 10'7 y 10'1 cm3.irr 2.dia-1, incluso más preferiblemente de 10'7 y 10'4 cm3.irr2.dia'1 a temperatura ambiente.
De acuerdo con un modo de realización, la partícula compuesta 1 tiene una tasa de transmisión de vapor de agua que va de 10'7 a 10 g.irr2.dia'1, preferiblemente de 10'7 a 1 g.irr2.dia'1, más preferiblemente de 10'7 a 10'1 g.irr2.dia'1, incluso más preferiblemente de 10'7 a 10'4 g.irr2.dia'1 a temperatura ambiente. Una tasa de transmisión de vapor de agua de 10'6 g.irr2.dia'1 es particularmente adecuada para un uso en LED.
De acuerdo con un modo de realización, la partícula compuesta 1 presenta una degradación de su propiedad específica inferior al 100%, 90%, 80%, 70%, 60%, 50%, 40%, 30%, 25%, 20%, 10%, 5%, 4%, 3%, 2%, 1% o 0% después de al menos 1 día, 5 días, 10 días, 15 días, 20 días, 25 días, 1 mes, 2 meses, 3 meses, 4 meses, 5 meses, 6 meses, 7 meses, 8 meses, 9 meses, 10 meses, 11 meses, 12 meses, 18 meses, 2 años, 2.5 años, 3 años, 3.5 años, 4 años, 4.5 años, 5 años, 5.5 años, 6 años, 6.5 años, 7 años, 7.5 años, 8 años, 8.5 años, 9 años, 9.5 años o 10 años.
De acuerdo con un modo de realización, la partícula compuesta 1 presenta una vida útil de al menos 1 día, 5 días, 10 días, 15 días, 20 días, 25 días, 1 mes, 2 meses, 3 meses, 4 meses, 5 meses, 6 meses, 7 meses, 8 meses, 9 meses, 10 meses, 11 meses, 12 meses, 18 meses, 2 años, 2.5 años, 3 años, 3.5 años, 4 años, 4.5 años, 5 años, 5.5 años, 6 años, 6.5 años, 7 años, 7.5 años, 8 años, 8.5 años, 9 años, 9.5 años o 10 años.
De acuerdo con un modo de realización, la partícula compuesta 1 presenta una degradación de su propiedad específica inferior al 100%, 90%, 80%, 70%, 60%, 50%, 40%, 30%, 25%, 20%, 10%, 5%, 4%, 3%, 2%, 1% o 0% bajo 0°C, 10°C, 20°C, 30°C, 40°C, 50°C, 60°C, 70°C, 80°C, 90°C, 100°C, 125°C, 150°C, 175°C, 200°C, 225°C, 250°C, 275°C o 300°C.
De acuerdo con un modo de realización, la partícula compuesta 1 presenta una degradación de su propiedad específica inferior al 100%, 90%, 80%, 70%, 60%, 50%, 40%, 30%, 25%, 20%, 10%, 5%, 4%, 3%, 2%, 1% o 0% bajo 0%, 10%, 20%, 30%, 40%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 75%, 80%, 85%, 90%, 95% o 99% de humedad.
De acuerdo con un modo de realización, la partícula compuesta 1 presenta una degradación de su propiedad específica inferior al 100%, 90%, 80%, 70%, 60%, 50%, 40%, 30%, 25%, 20%, 10%, 5%, 4%, 3%, 2%, 1%, o 0% bajo 0°C, 10°C, 20°C, 30°C, 40°C, 50°C, 60°C, 70°C, 80°C, 90°C, 100°C, 125°C, 150°C, 175°C, 200°C, 225°C, 250°C, 275°C, o 300°C, y bajo 0%, 10%, 20%, 30%, 40%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 75%, 80%, 85%, 90%, 95%, o 99% de humedad.
De acuerdo con un modo de realización, la partícula compuesta 1 presenta una degradación de su propiedad específica inferior al 100%, 90%, 80%, 70%, 60%, 50%, 40%, 30%, 25%, 20%, 10%, 5%, 4%, 3%, 2%, 1%, o 0% después de al menos 1 día, 5 días, 10 días, 15 días, 20 días, 25 días, 1 mes, 2 meses, 3 meses, 4 meses, 5 meses, 6 meses, 7 meses, 8 meses, 9 meses, 10 meses, 11 meses, 12 meses, 18 meses, 2 años, 2.5 años, 3 años, 3.5 años, 4 años, 4.5 años, 5 años, 5.5 años, 6 años, 6.5 años, 7 años, 7.5 años, 8 años, 8.5 años, 9 años, 9.5 años o 10 años, bajo 0%, 10%, 20%, 30%, 40%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 75%, 80%, 85%, 90%, 95% o 99% de humedad.
De acuerdo con un modo de realización, la partícula compuesta 1 presenta una degradación de su propiedad específica inferior al 100%, 90%, 80%, 70%, 60%, 50%, 40%, 30%, 25%, 20%, 10%, 5%, 4%, 3%, 2%, 1%, o 0% después de al menos 1 día, 5 días, 10 días, 15 días, 20 días, 25 días, 1 mes, 2 meses, 3 meses, 4 meses, 5 meses, 6 meses, 7 meses, 8 meses, 9 meses, 10 meses, 11 meses, 12 meses, 18 meses, 2 años, 2.5 años, 3 años, 3.5 años, 4 años, 4.5 años, 5 años, 5.5 años, 6 años, 6.5 años, 7 años, 7.5 años, 8 años, 8.5 años, 9 años, 9.5 años o 10 años, bajo 0°C, 10°C, 20°C, 30°C, 40°C, 50°C, 60°C, 70°C, 80°C, 90°C, 100°C, 125°C, 150°C, 175°C, 200°C, 225°C, 250°C, 275°C, o 300°C.
De acuerdo con un modo de realización, la partícula compuesta 1 presenta una degradación de su propiedad específica inferior al 100%, 90%, 80%, 70%, 60%, 50%, 40%, 30%, 25%, 20%, 10%, 5%, 4%, 3%, 2%, 1% o 0% después de al menos 1 día, 5 días, 10 días, 15 días, 20 días, 25 días, 1 mes, 2 meses, 3 meses, 4 meses, 5 meses, 6 meses, 7 meses, 8 meses, 9 meses, 10 meses, 11 meses, 12 meses, 18 meses, 2 años, 2.5 años, 3 años, 3.5 años, 4 años, 4.5 años, 5 años, 5.5 años, 6 años, 6.5 años, 7 años, 7.5 años, 8 años, 8.5 años, 9 años, 9.5 años o 10 años, bajo 0°C, 10°C, 20°C, 30°C, 40°C, 50°C, 60°C, 70°C, 80°C, 90°C, 100°C, 125°C, 150°C, 175°C, 200°C, 225°C, 250°C, 275°C, o 300°C, y bajo 0%, 10%, 20%, 30%, 40%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 75%, 80%, 85%, 90%, 95%, o 99% de humedad.
De acuerdo con un modo de realización, la partícula compuesta 1 presenta una degradación de su propiedad específica inferior al 100%, 90%, 80%, 70%, 60%, 50%, 40%, 30%, 25%, 20%, 10%, 5%, 4%, 3%, 2%, 1%, o 0% después de al menos 1 día, 5 días, 10 días, 15 días, 20 días, 25 días, 1 mes, 2 meses, 3 meses, 4 meses, 5 meses, 6 meses, 7 meses, 8 meses, 9 meses, 10 meses, 11 meses, 12 meses, 18 meses, 2 años, 2.5 años, 3 años, 3.5 años, 4 años, 4.5 años, 5 años, 5.5 años, 6 años, 6.5 años, 7 años, 7.5 años, 8 años, 8.5 años, 9 años, 9.5 años o 10 años bajo 0%, 5%, 10%, 15%, 20%, 25%, 30%, 35%, 40%, 45%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 75%, 80%, 85%, 90%, 95% o 100% de O2 molecular.
De acuerdo con un modo de realización, la partícula compuesta 1 presenta una degradación de su propiedad específica inferior al 100%, 90%, 80%, 70%, 60%, 50%, 40%, 30%, 25%, 20%, 10%, 5%, 4%, 3%, 2%, 1% o 0% después de al menos 1 día, 5 días, 10 días, 15 días, 20 días, 25 días, 1 mes, 2 meses, 3 meses, 4 meses, 5 meses, 6 meses, 7 meses, 8 meses, 9 meses, 10 meses, 11 meses, 12 meses, 18 meses, 2 años, 2.5 años, 3 años, 3.5 años, 4 años, 4.5 años, 5 años, 5.5 años, 6 años, 6.5 años, 7 años, 7.5 años, 8 años, 8.5 años, 9 años, 9.5 años o 10 años bajo 0%, 5%, 10%, 15%, 20%, 25%, 30%, 35%, 40%, 45%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 75%, 80%, 85%, 90%, 95%, o 100% de O2 molecular, bajo 0°C, 10°C, 20°C, 30°C, 40°C, 50°C, 60°C, 70°C, 80°C, 90°C, 100°C, 125°C, 150°C, 175°C, 200°C, 225°C, 250°C, 275°C, o 300°C.
De acuerdo con un modo de realización, la partícula compuesta 1 presenta una degradación de su propiedad específica inferior al 100%, 90%, 80%, 70%, 60%, 50%, 40%, 30%, 25%, 20%, 10%, 5%, 4%, 3%, 2%, 1% o 0% después de al menos 1 día, 5 días, 10 días, 15 días, 20 días, 25 días, 1 mes, 2 meses, 3 meses, 4 meses, 5 meses, 6 meses, 7 meses, 8 meses, 9 meses, 10 meses, 11 meses, 12 meses, 18 meses, 2 años, 2.5 años, 3 años, 3.5 años, 4 años, 4.5 años, 5 años, 5.5 años, 6 años, 6.5 años, 7 años, 7.5 años, 8 años, 8.5 años, 9 años, 9.5 años o 10 años bajo 0%, 5%, 10%, 15%, 20%, 25%, 30%, 35%, 40%, 45%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 75%, 80%, 85%, 90%, 95%, o 100% de O2 molecular, bajo 0%, 10%, 20%, 30%, 40%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 75%, 80%, 85%, 90%, 95%, o 99% de humedad.
De acuerdo con un modo de realización, la partícula compuesta 1 presenta una degradación de su propiedad específica inferior al 100%, 90%, 80%, 70%, 60%, 50%, 40%, 30%, 25%, 20%, 10%, 5%, 4%, 3%, 2%, 1%, o 0% después de al menos 1 día, 5 días, 10 días, 15 días, 20 días, 25 días, 1 mes, 2 meses, 3 meses, 4 meses, 5 meses, 6 meses, 7 meses, 8 meses, 9 meses, 10 meses, 11 meses, 12 meses, 18 meses, 2 años, 2.5 años, 3 años, 3.5 años, 4 años, 4.5 años, 5 años, 5.5 años, 6 años, 6.5 años, 7 años, 7.5 años, 8 años, 8.5 años, 9 años, 9.5 años o 10 años bajo 0%, 5%, 10%, 15%, 20%, 25%, 30%, 35%, 40%, 45%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 75%, 80%, 85%, 90%, 95%, 0 100% de O2 molecular, bajo 0°C, 10°C, 20°C, 30°C, 40°C, 50°C, 60°C 70°C, 80°C, 90°C, 100°C, 125°C, 150°C, 175°C, 200°C, 225°C, 250°C, 275°C, o 300°C, y bajo 0%, 10%, 20%, 30%, 40%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 75%, 80%, 85%, 90%, 95%, o 99% de humedad.
De acuerdo con un modo de realización, la propiedad específica de la partícula compuesta 1 comprende una o más de las siguientes: fluorescencia, fosforescencia, quimioluminiscencia, capacidad de aumentar el campo electromagnético local, absorbancia, magnetización, coercitividad magnética, rendimiento catalítico, propiedades catalíticas, propiedades fotovoltaicas, rendimiento fotovoltaico, polarización eléctrica, conductividad térmica, conductividad eléctrica, permeabilidad al oxígeno molecular, permeabilidad al agua molecular, o cualquier otra propiedad.
De acuerdo con un modo de realización, la partícula compuesta 1 presenta una degradación de su fotoluminiscencia inferior al 90%, 80%, 70%, 60%, 50%, 40%, 30%, 25%, 20%, 10%, 5%, 4%, 3%, 2%, 1% o 0% después de al menos 1 día, 5 días, 10 días, 15 días, 20 días, 25 días, 1 mes, 2 meses, 3 meses, 4 meses, 5 meses, 6 meses, 7 meses, 8 meses, 9 meses, 10 meses, 11 meses, 12 meses, 18 meses, 2 años, 2.5 años, 3 años, 3.5 años, 4 años, 4.5 años, 5 años, 5.5 años, 6 años, 6.5 años, 7 años, 7.5 años, 8 años, 8.5 años, 9 años, 9.5 años o 10 años.
La fotoluminiscencia se refiere a la fluorescencia y/o fosforescencia.
De acuerdo con un modo de realización, la partícula compuesta 1 presenta una degradación de su fotoluminiscencia inferior al 90%, 80%, 70%, 60%, 50%, 40%, 30%, 25%, 20%, 10%, 5%, 4%, 3%, 2%, 1% o 0% bajo 0°C, 10°C, 20°C, 30°C, 40°C, 50°C, 60°C, 70°C, 80°C, 90°C, 100°C, 125°C, 150°C, 175°C, 200°C, 225°C, 250°C, 275°C o 300°C.
De acuerdo con un modo de realización, la partícula compuesta 1 presenta una degradación de su fotoluminiscencia inferior al 90%, 80%, 70%, 60%, 50%, 40%, 30%, 25%, 20%, 10%, 5%, 4%, 3%, 2%, 1% o 0% bajo 0%, 10%, 20%, 30%, 40%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 75%, 80%, 85%, 90%, 95% o 99% de humedad.
De acuerdo con un modo de realización, la partícula compuesta 1 presenta una degradación de su fotoluminiscencia inferior al 90%, 80%, 70%, 60%, 50%, 40%, 30%, 25%, 20%, 10%, 5%, 4%, 3%, 2%, 1%, o 0% bajo 0°C, 10°C, 20°C, 30°C, 40°C, 50°C, 60°C, 70°C, 80°C, 90°C, 100°C, 125°C, 150°C, 175°C, 200°C, 225°C, 250°C, 275°C, o 300°C, y bajo 0%, 10%, 20%, 30%, 40%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 75%, 80%, 85%, 90%, 95%, o 99% de humedad.
De acuerdo con un modo de realización, la partícula compuesta 1 presenta una degradación de su fotoluminiscencia de menos del 90%, 80%, 70%, 60%, 50%, 40%, 30%, 25%, 20%, 10%, 5%, 4%, 3%, 2%, 1%, o 0% después de al menos 1 día, 5 días, 10 días, 15 días, 20 días, 25 días, 1 mes, 2 meses, 3 meses, 4 meses, 5 meses, 6 meses, 7 meses, 8 meses, 9 meses, 10 meses, 11 meses, 12 meses, 18 meses, 2 años, 2.5 años, 3 años, 3.5 años, 4 años, 4.5 años, 5 años, 5.5 años, 6 años, 6.5 años, 7 años, 7.5 años, 8 años, 8.5 años, 9 años, 9.5 años o 10 años, bajo 0%, 10%, 20%, 30%, 40%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 75%, 80%, 85%, 90%, 95% o 99% de humedad.
De acuerdo con un modo de realización, la partícula compuesta 1 presenta una degradación de su fotoluminiscencia inferior al 90%, 80%, 70%, 60%, 50%, 40%, 30%, 25%, 20%, 10%, 5%, 4%, 3%, 2%, 1%, o 0% después de al menos 1 día, 5 días, 10 días, 15 días, 20 días, 25 días, 1 mes, 2 meses, 3 meses, 4 meses, 5 meses, 6 meses, 7 meses, 8 meses, 9 meses, 10 meses, 11 meses, 12 meses, 18 meses, 2 años, 2.5 años, 3 años, 3.5 años, 4 años, 4.5 años, 5 años, 5.5 años, 6 años, 6.5 años, 7 años, 7.5 años, 8 años, 8.5 años, 9 años, 9.5 años o 10 años, bajo 0°C, 10°C, 20°C, 30°C, 40°C, 50°C, 60°C, 70°C, 80°C, 90°C, 100°C, 125°C, 150°C, 175°C, 200°C, 225°C, 250°C, 275°C, o 300°C.
De acuerdo con un modo de realización, la partícula compuesta 1 presenta una degradación de su fotoluminiscencia inferior al 90%, 80%, 70%, 60%, 50%, 40%, 30%, 25%, 20%, 10%, 5%, 4%, 3%, 2%, 1% o 0% después de al menos 1 día, 5 días, 10 días, 15 días, 20 días, 25 días, 1 mes, 2 meses, 3 meses, 4 meses, 5 meses, 6 meses, 7 meses, 8 meses, 9 meses, 10 meses, 11 meses, 12 meses, 18 meses, 2 años, 2.5 años, 3 años, 3.5 años, 4 años, 4.5 años, 5 años, 5.5 años, 6 años, 6.5 años, 7 años, 7.5 años, 8 años, 8.5 años, 9 años, 9.5 años o 10 años, bajo 0°C, 10°C, 20°C, 30°C, 40°C, 50°C, 60°C, 70°C, 80°C, 90°C, 100°C, 125°C, 150°C, 175°C, 200°C, 225°C, 250°C, 275°C, o 300°C, y bajo 0%, 10%, 20%, 30%, 40%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 75%, 80%, 85%, 90%, 95%, o 99% de humedad.
De acuerdo con un modo de realización, la partícula compuesta 1 presenta una degradación de su fotoluminiscencia inferior al 90%, 80%, 70%, 60%, 50%, 40%, 30%, 25%, 20%, 10%, 5%, 4%, 3%, 2%, 1%, o 0% después de al menos 1 día, 5 días, 10 días, 15 días, 20 días, 25 días, 1 mes, 2 meses, 3 meses, 4 meses, 5 meses, 6 meses, 7 meses, 8 meses, 9 meses, 10 meses, 11 meses, 12 meses, 18 meses, 2 años, 2.5 años, 3 años, 3.5 años, 4 años, 4.5 años, 5 años, 5.5 años, 6 años, 6.5 años, 7 años, 7.5 años, 8 años, 8.5 años, 9 años, 9.5 años o 10 años bajo 0%, 5%, 10%, 15%, 20%, 25%, 30%, 35%, 40%, 45%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 75%, 80%, 85%, 90%, 95% o 100% de O2 molecular.
De acuerdo con un modo de realización, la partícula compuesta 1 presenta una degradación de su fotoluminiscencia inferior al 90%, 80%, 70%, 60%, 50%, 40%, 30%, 25%, 20%, 10%, 5%, 4%, 3%, 2%, 1% o 0% después de al menos 1 día, 5 días, 10 días, 15 días, 20 días, 25 días, 1 mes, 2 meses, 3 meses, 4 meses, 5 meses, 6 meses, 7 meses, 8 meses, 9 meses, 10 meses, 11 meses, 12 meses, 18 meses, 2 años, 2.5 años, 3 años, 3.5 años, 4 años, 4.5 años, 5 años, 5.5 años, 6 años, 6.5 años, 7 años, 7.5 años, 8 años, 8.5 años, 9 años, 9.5 años o 10 años bajo 0%, 5%, 10%, 15%, 20%, 25%, 30%, 35%, 40%, 45%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 75%, 80%, 85%, 90%, 95%, o 100% de O2 molecular, bajo 0°C, 10°C, 20°C, 30°C, 40°C, 50°C, 60°C, 70°C, 80°C, 90°C, 100°C, 125°C, 150°C, 175°C, 200°C, 225°C, 250°C, 275°C, o 300°C.
De acuerdo con un modo de realización, la partícula compuesta 1 presenta una degradación de su fotoluminiscencia inferior al 90%, 80%, 70%, 60%, 50%, 40%, 30%, 25%, 20%, 10%, 5%, 4%, 3%, 2%, 1% o 0% después de al menos 1 día, 5 días, 10 días, 15 días, 20 días, 25 días, 1 mes, 2 meses, 3 meses, 4 meses, 5 meses, 6 meses, 7 meses, 8 meses, 9 meses, 10 meses, 11 meses, 12 meses, 18 meses, 2 años, 2.5 años, 3 años, 3.5 años, 4 años, 4.5 años, 5 años, 5.5 años, 6 años, 6.5 años, 7 años, 7.5 años, 8 años, 8.5 años, 9 años, 9.5 años o 10 años bajo 0%, 5%, 10%, 15%, 20%, 25%, 30%, 35%, 40%, 45%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 75%, 80%, 85%, 90%, 95%, o 100% de O2 molecular, bajo 0%, 10%, 20%, 30%, 40%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 75%, 80%, 85%, 90%, 95%, o 99% de humedad.
De acuerdo con un modo de realización, la partícula compuesta 1 presenta una degradación de su fotoluminiscencia inferior al 90%, 80%, 70%, 60%, 50%, 40%, 30%, 25%, 20%, 10%, 5%, 4%, 3%, 2%, 1%, o 0% después de al menos 1 día, 5 días, 10 días, 15 días, 20 días, 25 días, 1 mes, 2 meses, 3 meses, 4 meses, 5 meses, 6 meses, 7 meses, 8 meses, 9 meses, 10 meses, 11 meses, 12 meses, 18 meses, 2 años, 2.5 años, 3 años, 3.5 años, 4 años, 4.5 años, 5 años, 5.5 años, 6 años, 6.5 años, 7 años, 7.5 años, 8 años, 8.5 años, 9 años, 9.5 años o 10 años bajo 0%, 5%, 10%, 15%, 20%, 25%, 30%, 35%, 40%, 45%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 75%, 80%, 85%, 90%, 95%, o 100% de O2 molecular, bajo 0°C, 10°C, 20°C, 30°C, 40°C, 50°C, 60°C 70°C, 80°C, 90°C, 100°C, 125°C, 150°C, 175°C, 200°C, 225°C, 250°C, 275°C, o 300°C, y bajo 0%, 10%, 20%, 30%, 40%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 75%, 80%, 85%, 90%, 95%, o 99% de humedad.
De acuerdo con un modo de realización, la partícula compuesta 1 exhibe una degradación de su rendimiento cuántico de fotoluminiscencia (PLQY) de menos de 90%, 80%, 70%, 60%, 50%, 40%, 30%, 25%, 20%, 10%, 5%, 4%, 3%, 2%, 1% o 0% después de al menos 1 día, 5 días, 10 días, 15 días, 20 días, 25 días, 1 mes, 2 meses, 3 meses, 4 meses, 5 meses, 6 meses, 7 meses, 8 meses, 9 meses, 10 meses, 11 meses, 12 meses, 18 meses, 2 años, 2.5 años, 3 años, 3.5 años, 4 años, 4.5 años, 5 años, 5.5 años, 6 años, 6.5 años, 7 años, 7.5 años, 8 años, 8.5 años, 9 años, 9.5 años o 10 años.
De acuerdo con un modo de realización, la partícula compuesta 1 exhibe una degradación de su rendimiento cuántico de fotoluminiscencia (PLQY) menor que 90%, 80%, 70%, 60%, 50%, 40%, 30%, 25%, 20%, 10%, 5%, 4%, 3%, 2%, 1% o 0% bajo 0°C, 10°C, 20°C, 30°C, 40°C, 50°C, 60°C, 70°C, 80°C, 90°C, 100°C, 125°C, 150°C, 175°C, 200°C, 225°C, 250°C, 275°C, o 300°C.
De acuerdo con un modo de realización, la partícula compuesta 1 exhibe una degradación de su rendimiento cuántico de fotoluminiscencia (PLQY) menor que 90%, 80%, 70%, 60%, 50%, 40%, 30%, 25%, 20%, 10%, 5%, 4%, 3%, 2%, 1%, o 0% bajo 0%, 10%, 20%, 30%, 40%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 75%, 80%, 85%, 90%, 95% o 99% de humedad.
De acuerdo con un modo de realización, la partícula compuesta 1 exhibe una degradación de su rendimiento cuántico de fotoluminiscencia (PLQY) menor que 90%, 80%, 70%, 60%, 50%, 40%, 30%, 25%, 20%, 10%, 5%, 4%, 3%, 2%, 1% o 0% bajo 0°C, 10°C, 20°C, 30°C, 40°C, 50°C, 60°C 70°C, 80°C, 90°C, 100°C, 125°C, 150°C, 175°C, 200°C, 225°C, 250°C, 275°C, o 300°C, y bajo 0%, 10%, 20%, 30%, 40%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 75%, 80%, 85%, 90%, 95% o 99% de humedad.
De acuerdo con un modo de realización, la partícula compuesta 1 exhibe una degradación de su rendimiento cuántico de fotoluminiscencia (PLQY) de menos de 90%, 80%, 70%, 60%, 50%, 40%, 30%, 25%, 20%, 10%, 5%, 4%, 3%, 2%, 1% o 0% después de al menos 1 día, 5 días, 10 días, 15 días, 20 días, 25 días, 1 mes, 2 meses, 3 meses, 4 meses, 5 meses, 6 meses, 7 meses, 8 meses, 9 meses, 10 meses, 11 meses, 12 meses, 18 meses, 2 años, 2.5 años, 3 años, 3.5 años, 4 años, 4.5 años, 5 años, 5.5 años, 6 años, 6.5 años, 7 años, 7.5 años, 8 años, 8.5 años, 9 años, 9.5 años o 10 años, bajo 0%, 10%, 20%, 30%, 40%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 75%, 80%, 85%, 90%, 95% o 99% de humedad.
De acuerdo con un modo de realización, la partícula compuesta 1 exhibe una degradación de su rendimiento cuántico de fotoluminiscencia (PLQY) de menos de 90%, 80%, 70%, 60%, 50%, 40%, 30%, 25%, 20%, 10%, 5%, 4%, 3%, 2%, 1% o 0% después de al menos 1 día, 5 días, 10 días, 15 días , 20 días, 25 días, 1 mes, 2 meses, 3 meses, 4 meses, 5 meses, 6 meses, 7 meses, 8 meses, 9 meses, 10 meses, 11 meses, 12 meses, 18 meses, 2 años, 2.5 años, 3 años, 3.5 años, 4 años, 4.5 años, 5 años, 5.5 años, 6 años, 6.5 años, 7 años, 7.5 años, 8 años, 8.5 años, 9 años, 9.5 años o 10 años, bajo 0°C, 10°C, 20°C, 30°C, 40°C, 50°C, 60°C, 70°C, 80°C, 90°C, 100°C, 125°C, 150°C, 175°C, 200°C, 225°C, 250°C, 275°C, o 300°C.
De acuerdo con un modo de realización, la partícula compuesta 1 exhibe una degradación de su rendimiento cuántico de fotoluminiscencia (PLQY) de menos de 90%, 80%, 70%, 60%, 50%, 40%, 30%, 25%, 20%, 10%, 5%, 4%, 3%, 2%, 1% o 0% después de al menos 1 día, 5 días, 10 días, 15 días, 20 días, 25 días, 1 mes, 2 meses, 3 meses, 4 meses, 5 meses, 6 meses, 7 meses, 8 meses, 9 meses, 10 meses, 11 meses, 12 meses, 18 meses, 2 años, 2.5 años, 3 años, 3.5 años, 4 años, 4.5 años, 5 años, 5.5 años, 6 años, 6.5 años, 7 años, 7.5 años, 8 años, 8.5 años, 9 años, 9.5 años o 10 años, bajo 0°C, 10°C, 20°C, 30°C, 40°C, 50°C, 60°C, 70°C, 80°C, 90°C, 100°C, 125°C, 150°C, 175°C, 200°C, 225°C, 250°C, 275°C, o 300°C, y bajo 0%, 10%, 70%, 75%, 80%, 85%, 90%, 95%, o 99% de humedad.
De acuerdo con un modo de realización, la partícula compuesta 1 exhibe una degradación de su rendimiento cuántico de fotoluminiscencia (PLQY) de menos de 90%, 80%, 70%, 60%, 50%, 40%, 30%, 25%, 20%, 10%, 5%, 4%, 3%, 2%, 1% o 0% después de al menos 1 día, 5 días, 10 días, 15 días, 20 días, 25 días, 1 mes, 2 meses, 3 meses, 4 meses, 5 meses, 6 meses, 7 meses, 8 meses, 9 meses, 10 meses, 11 meses, 12 meses, 18 meses, 2 años, 2.5 años, 3 años, 3.5 años, 4 años, 4.5 años, 5 años, 5.5 años, 6 años, 6.5 años, 7 años, 7.5 años, 8 años, 8.5 años, 9 años, 9.5 años o 10 años bajo 0%, 5%, 10%, 15%, 20%, 25%, 30%, 35%, 40%, 45%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 75%, 80%, 85%, 90%, 95% o 100% de O2 molecular.
De acuerdo con un modo de realización, la partícula compuesta 1 exhibe una degradación de su rendimiento cuántico de fotoluminiscencia (PLQY) de menos de 90%, 80%, 70%, 60%, 50%, 40%, 30%, 25%, 20%, 10%, 5%, 4%, 3%, 2%, 1% o 0% después de al menos 1 día, 5 días, 10 días, 15 días, 20 días, 25 días, 1 mes, 2 meses, 3 meses, 4 meses, 5 meses, 6 meses, 7 meses, 8 meses, 9 meses, 10 meses, 11 meses, 12 meses, 18 meses, 2 años, 2.5 años, 3 años, 3.5 años, 4 años, 4.5 años, 5 años, 5.5 años, 6 años, 6.5 años, 7 años, 7.5 años, 8 años, 8.5 años, 9 años, 9.5 años o 10 años bajo 0%, 5%, 10%, 15%, 20%, 25%, 30%, 35%, 40%, 45%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 75%, 80%, 85%, 90%, 95% o 100% de O2 molecular, a 0°C, 10°C, 20°C, 30°C, 40°C, 50°C, 60°C, 70°C, 200°C, 225°C, 250°C, 275°C, o 300°C.
De acuerdo con un modo de realización, la partícula compuesta 1 exhibe una degradación de su rendimiento cuántico de fotoluminiscencia (PLQY) de menos de 90%, 80%, 70%, 60%, 50%, 40%, 30%, 25%, 20%, 10%, 5%, 4%, 3%, 2%, 1% o 0% después de al menos 1 día, 5 días, 10 días, 15 días, 20 días, 25 días, 1 mes, 2 meses, 3 meses, 4 meses, 5 meses, 6 meses, 7 meses, 8 meses, 9 meses, 10 meses, 11 meses, 12 meses, 18 meses, 2 años, 2.5 años, 3 años, 3.5 años, 4 años, 4.5 años, 5 años, 5.5 años, 6 años, 6.5 años, 7 años, 7.5 años, 8 años, 8.5 años, 9 años, 9.5 años o 10 años bajo 0%, 5%, 10%, 15%, 20%, 25%, 30%, 35%, 40%, 45%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 75%, 80%, 85%, 90%, 95%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 75%, 80%, 85%, 90%, 95% o 99% de humedad.
De acuerdo con un modo de realización, la partícula compuesta 1 exhibe una degradación de su rendimiento cuántico de fotoluminiscencia (PLQY) de menos de 90%, 80%, 70%, 60%, 50%, 40%, 30%, 25%, 20%, 10%, 5%, 4%, 3%, 2%, 1% o 0% después de al menos 1 día, 5 días, 10 días, 15 días, 20 días, 25 días, 1 mes, 2 meses, 3 meses, 4 meses, 5 meses, 6 meses, 7 meses, 8 meses, 9 meses, 10 meses, 11 meses, 12 meses, 18 meses, 2 años, 2.5 años, 3 años, 3.5 años, 4 años, 4.5 años, 5 años, 5.5 años, 6 años, 6.5 años, 7 años, 7.5 años, 8 años, 8.5 años, 9 años, 9.5 años o 10 años bajo 0%, 5%, 10%, 15%, 20%, 25%, 30%, 35%, 40%, 45%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 75%, 80%, 85%, 90%, 95% o 100% de O2 molecular, bajo 0°C, 10°C, 20°C, 30°C, 40°C, 50°C 60°C, 70°C, 80°C, 90°C, 100°C, 125°C, 150°C, 175°C, 200°C, 225°C, 250°C, 275°C o 300°C, y bajo 0%, 10%, 20%, 30%, 40%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 75%, 80%, 85%, 90%, 95% o 99% de humedad.
De acuerdo con un modo de realización, la partícula compuesta 1 exhibe una degradación de su FCE de menos de 90%, 80%, 70%, 60%, 50%, 40%, 30%, 25%, 20%, 10%, 5%, 4%, 3%, 2%, 1% o 0% después de al menos 1 día, 5 días, 10 meses, 15 días, 20 días, 25 días, 1 mes, 2 meses, 3 años, 4 meses, 4 años, 4.5 años, 5 años, 5.5 años, 6 años, 6.5 años, 7 años, 7.5 años, 8 años, 8.5 años, 9 años, 9.5 años, o 10 años.
De acuerdo con un modo de realización, la partícula compuesta 1 exhibe una degradación de su FCE menor que 90%, 80%, 70%, 60%, 50%, 40%, 30%, 25%, 20%, 10%, 5%, 4%, 3%, 2%, 1% o 0% bajo 0°C, 10°C, 20°C, 30°C, 40°C, 50°C, 60°C, 70°C, 80°C, 90°C, 100°C, 125°C, 150°C, 175°C, 200°C, 225°C, 250°C, 275°C, o 300°C.
De acuerdo con un modo de realización, la partícula compuesta 1 exhibe una degradación de su FCE menor que 90%, 80%, 70%, 60%, 50%, 40%, 30%, 25%, 20%, 10%, 5%, 4%, 3%, 2%, 1%, o 0% bajo 0%, 10%, 20%, 30%, 40%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 75%, 80%, 85%, 90%, 95% o 99% de humedad.
De acuerdo con un modo de realización, la partícula compuesta 1 exhibe una degradación de su FCE menor que 90%, 80%, 70%, 60%, 50%, 40%, 30%, 25%, 20%, 10%, 5%, 4%, 3%, 2%, 1% o 0% bajo 0°C, 10°C, 20°C, 30°C, 40°C, 50°C, 60°C, 70°C, 200°C, 225°C, 250°C, 125°C, 150°C, 175°C, 200°C, 225°C, 250°C, 275°C, 55%, 60%, 65%, 70%, 75%, 80%, 85%, 90%, 95%, o 99% de humedad.
De acuerdo con un modo de realización, la partícula compuesta 1 exhibe una degradación de su FCE de menos de 90%, 80%, 70%, 60%, 50%, 40%, 30%, 25%, 20%, 10%, 5%, 4%, 3%, 2%, 1% o 0% después de al menos 1 día, 5 días, 10 días, 15 días, 20 días, 25 días, 1 mes, 2 meses, 3 meses, 4 meses, 5 meses, 6 meses, 7 meses, 8 meses, 9 meses, 10 meses, 11 meses, 12 meses, 18 meses, 2 años, 2.5 años, 3 años, 3.5 años, 4 años, 4.5 años, 5 años, 5.5 años, 6 años, 6.5 años, 7 años, 7.5 años, 8 años, 8.5 años, 9 años, 9.5 años o 10 años bajo 0%, 10%, 20%, 30%, 40%, 85%, 90%, 60%, 65%, 70%, 75%, 80%, 85%, 90%, 95% o 99% de humedad.
De acuerdo con un modo de realización, la partícula compuesta 1 exhibe una degradación de su FCE de menos de 90%, 80%, 70%, 60%, 50%, 40%, 30%, 25%, 20%, 10%, 5%, 4%, 3%, 2%, 1% o 0% después de al menos 1 día, 5 días, 10 meses, 15 días, 20 días, 25 días, 1 mes, 2 meses, 3 meses, 4 meses, 5 meses, 6 meses, 7 meses, 8 meses, 9 meses, 10 meses, 11 meses, 12 meses, 18 meses, 2 años, 2.5 años, 3 años, 3.5 años, 4 años, 4.5 años, 5 años, 5.5 años, 6 años, 6.5 años, 7 años, 7.5 años, 8 años, 8.5 años, 9 años, 9.5 años o 10 años bajo 0°C, 10°C, 20°C, 30°C, 40°C, 50°C, 60°C, 70°C, 80°C, 225°C, 250°C, 275°C, 150°C, 175°C, 200°C, 225°C, 250°C, 275°C, o 300°C.
De acuerdo con un modo de realización, la partícula compuesta 1 exhibe una degradación de su FCE de menos de 90%, 80%, 70%, 60%, 50%, 40%, 30%, 25%, 20%, 10%, 5%, 4%, 3%, 2%, 1% o 0% después de al menos 1 día, 5 días, 10 meses, 15 días, 20 días, 25 días, 1 mes, 2 meses, 3 años, 10 meses, 11 meses, 12 meses, 18 meses, 2 años, 2.5 años, 3 años, 3.5 años, 4 años, 4.5 años, 5 años, 5.5 años, 6 años, 6.5 años, 7 años, 7.5 años, 8 años, 8.5 años, 9 años, 9.5 años o 10 años bajo 0°C, 10°C, 20°C, 30°C, 40°C, 50°C, 60°C, 70°C, 80°C, 90°C, 100°C, 125°C, 150°C, 175°C, 200°C, 225°C, 250°C, 275°C, o 300°C, y bajo 0%, 10%, 70%, 75%, 80%, 85%, 90%, 95%, o 99% de humedad.
De acuerdo con un modo de realización, la partícula compuesta 1 exhibe una degradación de su FCE de menos de 90%, 80%, 70%, 60%, 50%, 40%, 30%, 25%, 20%, 10%, 5%, 4%, 3%, 2%, 1% o 0% después de al menos 1 día, 5 días, 10 días, 15 días, 20 días, 25 días, 1 mes, 2 meses, 3 meses, 4 meses, 5 meses, 6 meses, 7 meses, 8 meses, 9 meses, 10 meses, 11 meses, 12 meses 18 meses, 2 años, 2.5 años, 3 años, 3.5 años, 4 años, 4.5 años, 5 años, 5.5 años, 6 años, 6.5 años, 7 años, 7.5 años, 8 años, 8.5 años, 9 años, 9.5 años o 10 años bajo 0%, 5%, 10%, 15%, 20%, 25%, 30%, 70%, 75%, 80%, 85%, 90%, 95%, o 100% de O2 molecular.
De acuerdo con un modo de realización, la partícula compuesta 1 exhibe una degradación de su FCE de menos de 90%, 80%, 70%, 60%, 50%, 40%, 30%, 25%, 20%, 10%, 5%, 4%, 3%, 2%, 1% o 0% después de al menos 1 día, 5 días, 10 meses, 15 días, 20 días, 25 días, 1 mes, 2 meses, 3 años, 10 meses, 11 meses, 12 meses, 18 meses, 2 años, 2.5 años, 3 años, 3.5 años, 4 años, 4.5 años, 5 años, 5.5 años, 6 años, 6.5 años, 7 años, 7.5 años, 8 años, 8.5 años, 9 años, 9.5 años o 10 años bajo 0%, 5%, 10%, 15%, 20%, 25%, 30%, 35%, 40%, 45%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 75%, 80%, 85%, 30°C, 40°C, 50°C, 60°C, 70°C, 80°C, 90°C, 100°C, 125°C, 150°C, 175°C, 200°C, 225°C, 250°C, 275°C, o 300°C.
De acuerdo con un modo de realización, la partícula compuesta 1 exhibe una degradación de su FCE de menos de 90%, 80%, 70%, 60%, 50%, 40%, 30%, 25%, 20%, 10%, 5%, 4%, 3%, 2%, 1% o 0% después de al menos 1 día, 5 días, 10 meses, 15 días, 20 días, 25 días, 1 mes, 2 meses, 3 meses, 10 meses, 11 meses, 12 meses, 18 meses, 2 años, 2.5 años, 3 años, 3.5 años, 4 años, 4.5 años, 5 años, 5.5 años, 6 años, 6.5 años, 7 años, 7.5 años, 8 años, 8.5 años, 9 años, 9.5 años o 10 años bajo 0%, 5%, 10%, 15%, 20%, 25%, 30%, 35%, 40%, 45%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 75%, 80%, 85%, 90%, 40%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 75%, 80%, 85%, 90%, 95%, o 99% de humedad.
De acuerdo con un modo de realización, la partícula compuesta 1 exhibe una degradación de su FCE de menos de 90%, 80%, 70%, 60%, 50%, 40%, 30%, 25%, 20%, 10%, 5%, 4%, 3%, 2%, 1% o 0% después de al menos 1 día, 5 días, 10 meses, 15 días, 20 días, 25 días, 1 mes, 2 meses, 3 años, 3.5 años, 4 años, 4.5 años, 5 años, 5.5 años, 6 años, 6.5 años, 7 años, 7.5 años, 8 años, 8.5 años, 9 años, 9.5 años o 10 años bajo 0%, 5%, 10% 15%, 20%, 25%, 30%, 35%, 40%, 45%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 75%, 80%, 85%, 90%, 95% o 100% de O2 molecular, a 0°C, 10°C, 20°C, 30°C, 40°C, 50°C, 60°C, 70°C, 200°C, 225°C, 100°C, 125°C, 150°C, 175°C, 200°C, 225°C, 250°C, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 75%, 80%, 85%, 90%, 95% o 99% de humedad.
De acuerdo con un modo de realización, la partícula compuesta 1 es ópticamente transparente, es decir, la partícula compuesta 1 es transparente a longitudes de onda entre 200 nm y 50 pm, entre 200 nm y 10 pm, entre 200 nm y 2500 nm, entre 200 nm y 2000 nm, entre 200 nm y 1500 nm, entre 200 nm y 1000 nm, entre 200 nm y 800 nm, entre 400 nm y 700 nm, entre 400 nm y 600 nm, o entre 400 nm y 470 nm.
De acuerdo con un modo de realización, cada nanopartícula 3 está totalmente rodeada por o encapsulada en el material inorgánico 2. De acuerdo con un modo de realización, cada nanopartícula 3 está parcialmente rodeada por o encapsulada en el material inorgánico 2. De acuerdo con un modo de realización, la partícula compuesta 1 no comprende nanopartículas 3 sobre su superficie. En este modo de realización, dichas nanopartículas 3 están completamente rodeadas por el material inorgánico 2.
De acuerdo con un modo de realización, la partícula compuesta 1 es una homoestructura.
De acuerdo con un modo de realización, la partícula compuesta 1 no es una estructura núcleo/capa en donde el núcleo no comprende nanopartículas 3 y la capa comprende nanopartículas 3.
De acuerdo con un modo de realización, el material inorgánico 2 es física y químicamente estable bajo varias condiciones. En este modo de realización, el material inorgánico 2 es suficientemente robusto para soportar las condiciones a las cuales se someterá la partícula compuesta 1.
De acuerdo con un modo de realización, el material inorgánico 2 es física y químicamente estable bajo 0°C, 10°C, 20°C, 30°C, 40°C, 50°C, 60°C, 70°C, 80°C, 90°C, 100°C, 125°C, 150°C, 175°C, 200°C, 225°C, 250°C, 275°C, o 300°C durante al menos 1 día, 5 días, 10 meses, 15 días, 20 días, 7 meses, 8 meses, 9 meses, 10 meses, 11 meses, 12 meses, 18 meses, 2 años, 2.5 años, 3 años, 3.5 años, 4 años, 4.5 años, 5 años, 5.5 años, 6 años, 6.5 años, 7 años, 7.5 años, 8 años, 8.5 años, 9 años, 9.5 años o 10 años. En este modo de realización, el material inorgánico 2 es suficientemente robusto para soportar las condiciones a las cuales se someterá la partícula compuesta 1.
De acuerdo con un modo de realización, el material inorgánico 2 es física y químicamente estable bajo 0%, 10%, 20%, 30%, 40%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 75%, 80%, 85%, 90%, 95% o 99% de humedad durante por lo menos 1 día, 5 días, 10 meses, 15 días, 20 días, 25 días, 1 mes, 2 meses, 3 años, 10 meses, 4 años, 4.5 años, 5 años, 5.5 años, 6 años, 6.5 años, 7 años, 7.5 años, 8 años, 8.5 años, 9 años, 9.5 años o 10 años. En este modo de realización, el material inorgánico 2 es suficientemente robusto para soportar las condiciones a las cuales se someterá la partícula compuesta 1.
De acuerdo con un modo de realización, el material inorgánico 2 es física y químicamente estable bajo 0%, 5%, 10%, 15%, 20%, 25%, 30%, 35%, 40%, 45%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 75%, 80%, 85%, 90%, 95% o 100% de O2 molecular durante por lo menos 1 día, 5 días, 10 meses, 15 días, 20 días, 18 meses, 2 años, 2 meses, 3 años, 3.5 años, 4 años, 4.5 años, 5 años, 5.5 años, 6 años, 6.5 años, 7 años, 7.5 años, 8 años, 8.5 años, 9 años, 9.5 años o 10 años. En este modo de realización, el material inorgánico 2 es suficientemente robusto para soportar las condiciones a las cuales se someterá la partícula compuesta 1.
De acuerdo con un modo de realización, el material inorgánico 2 es física y químicamente estable bajo 0°C, 10°C, 20°C, 30°C, 40°C, 50°C, 60°C, 70°C, 80°C, 90°C, 100°C, 125°C, 150°C, 175°C, 200°C, 225°C, 250°C, 275°C, o 300°C y bajo 0%, 10%, 20%, 75%, 80%, 85%, 90%, 95%, o 99% de humedad durante al menos 1 día, 5 días, 10 días, 15 días, 20 días, 25 días, 1 mes, 2 meses, 3 meses, 4 meses, 5 meses, 6 meses, 7 meses, 8 meses, 9 meses, 10 meses, 11 meses, 12 meses, 18 meses, 2 años, 2.5 años, 3 años, 3.5 años, 4 años, 4.5 años, 5 años, 5.5 años, 6 años, 6.5 años, 7 años, 7.5 años, 8 años, 8.5 años, 9 años, 9.5 años o 10 años. En este modo de realización, el material inorgánico 2 es suficientemente robusto para soportar las condiciones a las cuales se someterá la partícula compuesta 1.
De acuerdo con un modo de realización, el material inorgánico 2 es física y químicamente estable bajo 0%, 10%, 20%, 30%, 40%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 75%, 80%, 85%, 90%, 95%, o 99% de humedad y bajo 0%, 5%, 10%, 15%, 20%, 25%, 30%, 35%, 40%, 45%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 75%, 80%, 85%, 90%, 95% o 100% de O2 molecular durante al menos 1 día, 5 días, 10 días, 15 días, 20 días, 25 días, 1 mes, 2 meses, 3 meses, 4 meses, 5 meses, 6 meses, 7 meses, 8 meses, 9 meses, 10 meses, 11 meses, 12 meses, 18 meses, 2 años, 2.5 años, 3 años, 3.5 años, 4 años, 4.5 años, 5 años, 5.5 años, 6 años, 6.5 años, 7 años, 7.5 años, 8 años, 8.5 años, 9 años, 9.5 años o 10 años. En este modo de realización, el material inorgánico 2 es suficientemente robusto para soportar las condiciones a las que se someterá la partícula compuesta 1.
De acuerdo con un modo de realización, el material inorgánico 2 es física y químicamente estable bajo 0°C, 10°C, 20°C, 30°C, 40°C, 50°C, 60°C, 70°C, 80°C, 90°C, 100°C, 125°C, 150°C, 175°C, 200°C, 225°C, 250°C, 275°C, o 300°C y bajo 0%, 5%, 10%, 15%, 20%, 25%, 30%, 35%, 40%, 45%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 75%, 80%, 85%, 90%, 95% o 100% de O2 molecular durante al menos 1 día, 5 días, 10 días, 15 días, 20 días, 25 días, 1 mes, 2 meses, 3 meses, 4 meses, 5 meses, 6 meses, 7 meses, 8 meses, 9 meses, 10 meses, 11 meses, 12 meses, 18 meses, 2 años, 2.5 años, 3 años, 3.5 años, 4 años, 4.5 años, 5 años, 5.5 años, 6 años, 6.5 años, 7 años, 7.5 años, 8 años, 8.5 años, 9 años, 9.5 años o 10 años. En este modo de realización, el material inorgánico 2 es suficientemente robusto para soportar las condiciones a las que se someterá la partícula compuesta 1.
De acuerdo con un modo de realización, el material inorgánico 2 es estable en condiciones ácidas, es decir, a un pH inferior o igual a 7. En este modo de realización, el material inorgánico 2 es suficientemente robusto para soportar las condiciones ácidas, lo que significa que las propiedades de la partícula compuesta 1 se conservan en dichas condiciones.
De acuerdo con un modo de realización, el material inorgánico 2 es estable en condiciones básicas, es decir, a un pH superior a 7. En este modo de realización, el material inorgánico 2 es suficientemente robusto para soportar condiciones básicas, lo que significa que las propiedades de la partícula compuesta 1 se conservan en dichas condiciones.
De acuerdo con un modo de realización, el material inorgánico 2 actúa como barrera contra la oxidación de las nanopartículas 3.
De acuerdo con un modo de realización, el material inorgánico 2 es conductor térmico.
De acuerdo con un modo de realización, el material inorgánico 2 tiene una conductividad térmica en condiciones estándar que oscila entre 0.1 y 450 W/(m.K), preferentemente entre 1 y 200 W/(m.K), más preferentemente entre 10 y 150 W/(m.K).
De acuerdo con un modo de realización, el material inorgánico 2 tiene una conductividad térmica en condiciones estándar de al menos 0.1 W/(m.K), 0.2 W/(m.K), 0.3 W/(m.K), 0.4 W/(m.K) 0.5 W/(m.K), 0.6W/(m.K), 0.7 W/(m.K), 0.8 W/(m.K), 0.9 W/(m.K), 1 W/(m.K), 1.1 W/(m.K), 1.2 W/(m.K), 1.3 W/(m.K), 1.4 W/(m.K), 1.5 W/(m.K), 1.6 W/(m.K), 1.7 W/(m.K), 1.8 W/(m.K), 1.9 W/(m.K), 2 W/(m.K), 2.1 W/(m.K), 2.2 W/(m.K), 2.3 W/(m.K), 2.4 W/(m.K), 2.5 W/(m.K), 2.6 W/(m.K), 2.7 W/(m.K), 2.8 W/(m.K), 2.9 W/(m.K), 3 W/(m.K), 3.1 W/(m.K), 3.2 W/(m.K), 3.3 W/(m.K), 3.4 W/(m.K), 3.5 W/(m.K), 3.6 W/(m.K), 3.7 W/(m.K), 3.8 W/(m.K), 3.9 W/(m.K), 4 W/(m.K), 4.1 W/(m.K), 4.2 W/(m.K), 4.3 W/(m.K), 4.4 W/(m.K), 4.5 W/(m.K), 4.6 W/(m.K), 4.7 W/(m.K), 4.8 W/(m.K), 4.9 W/(m.K), 5 W/(m.K), 5.1 W/(m.K), 5.2 W/(m.K), 5.3 W/(m.K), 5.4 W/(m.K), 5.5 W/(m.K), 5.6 W/(m.K), 5.7 W/(m.K), 5.8 W/(m.K), 5.9 W/(m.K), 6 W/(m.K), 6.1 W/(m.K), 6.2 W/(m.K), 6.3 W/(m.K), 6.4 W/(m.K), 6.5 W/(m.K), 6.6 W/(m.K), 6.7 W/(m.K), 6.8 W/(m.K), 6.9 W/(m.K), 7 W/(m.K), 7.1 W/(m.K), 7.2 W/(m.K), 7.3 W/(m.K), 7.4 W/(m.K), 7.5 W/(m.K), 7.6 W/(m.K), 7.7 W/(m.K), 7.8 W/(m.K), 7.9 W/(m.K), 8 W/(m.K), 8.1 W/(m.K), 8.2 W/(m.K), 8.3 W/(m.K), 8.4 W/(m.K). , 8.5 W/(m.K), 8.6 W/(m.K), 8.7 W/(m.K), 8.8 W/(m.K), 8.9 W/(m.K), 9 W/(m.K), 9.1 W/(m.K), 9.2 W/(m.K), 9.3 W/(m.K), 9.4 W/(m.K), 9.5 W/(m.K), 9.6 W/(m.K), 9.7 W/(m.K), 9.8 W/(m.K), 9.9 W/(m.K), 10 W/(m.K), 10.1 W/(m.K), 10.2 W/(m.K), 10.3W/(m.K), 10.4 W/(m.K), 10.5 W/(m.K), 10.6 W/(m.K), 10.7 W/(m.K), 10.8 W/(m.K), 10.9 W/(m.K), 11 W/(m.K), 11.1 W/(m.K), 11.2 W/(m.K), 11.3 W/(m.K), 11.4 W/(m.K), 11.5 W/(m.K), 11.6 W/(m.K), 11.7 W/(m.K), 11.8 W/(m.K), 11.9 W/(m.K), 12 W/(m.K), 12.1 W/(m.K), 12.2 W/(m.K), 12.3 W/(m.K), 12.4 W/(m.K), 12.5 W/(m.K), 12.6 W/(m.K), 12.7W/(m.K), 12.8 W/(m.K), 12.9 W/(m.K), 13 W/(m.K), 13.1 W/(m.K), 13.2 W/(m.K), 13.3 W/(m.K), 13.4 W/(m.K), 13.5 W/(m.K), 13.6 W/(m.K), 13.7 W/(m.K), 13.8 W/(m.K), 13.9 W/(m.K), 14 W/(m.K), 14.1 W/(m.K), 14.2 W/(m.K), 14.3 W/(m.K), 14.4 W/(m.K), 14.5W/(m.K), 14.6 W/(m.K), 14.7 W/(m.K), 14.8 W/(m.K), 14.9 W/(m.K), 15 W/(m.K), 15.1 W/(m.K), 15.2 W/(m.K), 15.3 W/(m.K), 15.4 W/(m.K), 15.5 W/(m.K), 15.6 W/(m.K), 15.7 W/(m.K), 15.8 W/(m.K), 15.9 W/(m.K), 16 W/(m.K), 16.1 W/(m.K), 16.2 W/(m.K), 16.3 W/(m.K), 16.4 W/(m.K), 16.5 W/(m.K), 16.6 W/(m.K), 16.7 W/(m.K), 16.8 W/(m.K), 16.9W/(m.K), 17 W/(m.K), 17.1 W/(m.K), 17.2 W/(m.K), 17.3 W/(m.K), 17.4 W/(m.K), 17.5W/(m.K), 17.6 W/(m.K), 17.7 W/(m.K), 17.8 W/(m.K), 17.9 W/(m.K), 18 W/(m.K), 18.1 W/(m.K), 18.2 W/(m.K), 18.3 W/(m.K), 18.4 W/(m.K), 18.5 W/(m.K), 18.6 W/(m.K), 18.7 W/(m.K), 18.8 W/(m.K), 18.9 W/(m.K), 19 W/(m.K), 19.1 W/(m.K), 19.2 W/(m.K), 19.3W/(m.K), 19.4 W/(m.K), 19.5 W/(m.K), 19.6 W/(m.K), 19.7 W/(m.K), 19.8 W/(m.K), 19.9 W/(m.K), 20 W/(m.K), 20.1 W/(m.K), 20.2 W/(m.K), 20.3 W/(m.K), 20.4 W/(m.K), 20.5 W/(m.K), 20.6 W/(m.K), 20.7 W/(m.K), 20.8 W/(m.K), 20.9 W/(m.K), 21 W/(m.K), 21.1 W/(m.K), 21.2 W/(m.K), 21.3 W/(m.K), 21.4 W/(m.K), 21.5 W/(m.K), 21.6 W/(m.K), 21.7W/(m.K), 21.8 W/(m.K), 21.9 W/(m.K), 22 W/(m.K), 22.1 W/(m.K), 22.2 W/(m.K), 22.3 W/(m.K), 22.4 W/(m.K), 22.5 W/(m.K), 22.6 W/(m.K), 22.7 W/(m.K), 22.8 W/(m.K), 22.9 W/(m.K), 23 W/(m.K), 23.1 W/(m.K), 23.2 W/(m.K), 23.3 W/(m.K), 23.4 W/(m.K), 23.5 W/(m.K), 23.6 W/(m.K), 23.7 W/(m.K), 23.8 W/(m.K), 23.9 W/(m.K), 24 W/(m.K), 24.1 W/(m.K), 24.2 W/(m.K), 24.3 W/(m.K), 24.4 W/(m.K), 24.5 W/(m.K), 24.6 W/(m.K), 24.7 W/(m.K), 24.8 W/(m.K), 24.9 W/(m.K), 25 W/(m.K), 30 W/(m.K), 40 W/(m.K), 50 W/(m.K), 60 W/(m.K), 70 W/(m.K), 80 W/(m.K), 90 W/(m.K), 100 W/(m.K), 110 W/(m.K), 120 W/(m.K), 130 W/(m.K), 140 W/(m.K), 150 W/(m.K), 160 W/(m.K), 170 W/(m.K), 180 W/(m.K), 190 W/(m.K), 200 W/(m.K), 210 W/(m.K), 220 W/(m.K), 230 W/(m.K), 240 W/(m.K), 250W/(m.K), 260 W/(m.K), 270 W/(m.K), 280 W/(m.K), 290 W/(m.K), 300 W/(m.K), 310W/(m.K), 320 W/(m.K), 330 W/(m.K), 340 W/(m.K), 350 W/(m.K), 360 W/(m.K), 370W/(m.K), 380 W/(m.K), 390 W/(m.K), 400 W/(m.K), 410 W/(m.K), 420 W/(m.K), 430 W/(m.K), 440 W/(m.K), o 450 W/(m.K).
De acuerdo con un modo de realización, la conductividad térmica del material inorgánico 2 puede medirse, por ejemplo, mediante métodos de estado estacionario o métodos transitorios.
De acuerdo con un modo de realización, el material inorgánico 2 no es conductor térmico.
De acuerdo con un modo de realización, el material inorgánico 2 comprende un material refractario.
De acuerdo con un modo de realización, el material inorgánico 2 es aislante eléctrico. En este modo de realización, se evita la desactivación de las propiedades fluorescentes de las nanopartículas fluorescentes encapsuladas en el material inorgánico 2 cuando se debe al transporte electrónico. En este modo de realización, la partícula compuesta 1 puede utilizarse como material aislante eléctrico que presenta las mismas propiedades que las nanopartículas 3 encapsuladas en el material inorgánico 2.
De acuerdo con un modo de realización, el material inorgánico 2 es conductor eléctrico. Este modo de realización es particularmente ventajoso para una aplicación de la partícula compuesta 1 en la energía fotovoltaica o en los LED.
De acuerdo con un modo de realización, el material inorgánico 2 tiene una conductividad eléctrica en condiciones estándar que va de 1x10-20 a 107 S/m, preferiblemente de 1x10-15 a 5 S/m, más preferiblemente de 1*10-7 a 1 S/m.
De acuerdo con un modo de realización, el material inorgánico 2 tiene una conductividad eléctrica en condiciones estándar de al menos 1x10-20 S/m, 0.5x10-19 S/m, 1x10-19 S/m, 0.5x10-18 S/m, 1x10-18 S/m, 0.5x10-17 S/m, 1x10-17 S/m, 0.5x10-16 S/m, 1x10-16S/m, 0.5x10-15 S/m, 1x10-15S/m, 0.5x10-14 S/m, 1x10-14S/m, 0.5x10-13 S/m, 1x10-13S/m, 0.5x10-12 S/m, 1x10-12S/m, 0.5x10-11 S/m, 1x10-11S/m, 0.5x10-10 S/m, 1x10-10S/m, 0.5x10-9S/m, 1x10-9 S/m, 0.5x10 8 S/m, 1*10-8 S/m, 0.5*10-7 S/m, 1*10-7S/m, 0.5*10-6S/m, 1*10-6 S/m, 0.5*10-5 S/m, 1*10-5 S/m, 0.5*10-4 S/m, 1*10-4 S/m, 0.5*10-3 S/m, 1*10-3 S/m, 0.5*10-2 S/m, 1*10-2 S/m, 0.5*10-1 S/m, 1*10-1 S/m, 0.5 S/m, 1 S/m, 1.5 S/m, 2 S/m, 2.5 S/m, 3 S/m, 3.5 S/m, 4 S/m, 4.5 S/m, 5 S/m, 5.5 S/m, 6 S/m, 6.5 S/m, 7 S/m, 7.5 S/m, 8 S/m, 8.5 S/m, 9 S/m, 9.5 S/m, 10 S/m, 50 S/m, 102 S/m, 5*102 S/m, 103 S/m, 5*103 S/m, 104 S/m, 5*104 S/m, 105 S/m, 5*105 S/m, 106 S/m, 5*106 S/m, o 107 S/m.
De acuerdo con un modo de realización, la conductividad eléctrica del material inorgánico 2 puede medirse, por ejemplo, con un espectrómetro de impedancia.
De acuerdo con un modo de realización, el material inorgánico 2 tiene una banda prohibida superior o igual a 3 eV. Al tener una banda prohibida superior o igual a 3 eV, el material inorgánico 2 es ópticamente transparente a la radiación UV y a la luz azul.
De acuerdo con un modo de realización, el material inorgánico 2 tiene una banda prohibida de al menos 3.0 eV, 3.1 eV, 3.2 eV, 3.3 eV, 3.4 eV, 3.5 eV, 3.6 eV, 3.7 eV, 3.8 eV, 3.9 eV, 4.0 eV, 4.1 eV, 4.2 eV, 4.3 eV, 4.4 eV, 4.5 eV, 4.6 eV, 4.7 eV, 4.8 eV, 4.9 eV, 5.0 eV, 5.1 eV, 5.2 eV, 5.3 eV, 5.4 eV o 5.5 eV.
De acuerdo con un modo de realización, el material inorgánico 2 tiene un coeficiente de extinción menor o igual a 15x10-5 a 460 nm.
En un modo de realización, el coeficiente de extinción se mide mediante una técnica de medición de la absorbancia, como la espectroscopía de absorbancia o cualquier otro método conocido en la técnica.
En un modo de realización, el coeficiente de extinción se mide mediante una medición de la absorbancia dividida por la longitud de la trayectoria de la luz que pasa a través de la muestra.
De acuerdo con un modo de realización, el material inorgánico 2 es amorfo.
De acuerdo con un modo de realización, el material inorgánico 2 es cristalino.
De acuerdo con un modo de realización, el material inorgánico 2 es totalmente cristalino.
De acuerdo con un modo de realización, el material inorgánico 2 es parcialmente cristalino.
De acuerdo con un modo de realización, el material inorgánico 2 es monocristalino.
De acuerdo con un modo de realización, el material inorgánico 2 es policristalino. En este modo de realización, el material inorgánico 2 comprende al menos un límite de grano.
De acuerdo con un modo de realización, el material inorgánico 2 es hidrofóbico.
De acuerdo con un modo de realización, el material inorgánico 2 es hidrofílico.
De acuerdo con un modo de realización, el material inorgánico 2 no es poroso.
De acuerdo con un modo de realización, el material inorgánico 2 se considera no poroso cuando la cantidad adsorbida por las partículas compuestas 1, determinada por la adsorción-desorción de nitrógeno en la teoría de Brunauer-Emmett-Teller (BET), es inferior a 20 cm3/g, 15 cm3/g, 10 cm3/g, 5 cm3/g a una presión de nitrógeno de 650 mmHg, preferiblemente 700 mmHg.
De acuerdo con un modo de realización, el material inorgánico 2 no comprende poros o cavidades.
De acuerdo con un modo de realización, el material inorgánico 2 es impermeable a las especies moleculares externas, gas o líquido. En este modo de realización, el material inorgánico 2 limita o impide la degradación de las propiedades químicas y físicas de las nanopartículas 3 a causa del oxígeno molecular, el ozono, el agua y/o las altas temperaturas. De acuerdo con un modo de realización, el material inorgánico impermeable 2 tiene una permeabilidad intrínseca a los fluidos menor o igual a 10-11 cm2, 10-12 cm2, 10-13 cm2, 10-14 cm2, 10-15 cm2, 10-16 cm2, 10-17 cm2, 10-18 cm2, 10-19 cm2, o 10-20 cm2.
De acuerdo con un modo de realización, el material inorgánico 2 limita o impide la difusión de especies moleculares externas o fluidos (líquidos o gases) en dicho material inorgánico 2.
De acuerdo con un modo de realización, la propiedad específica de las nanopartículas 3 se conserva después de la encapsulación en la partícula compuesta 1.
De acuerdo con un modo de realización, la fotoluminiscencia de las nanopartículas 3 se conserva después de la encapsulación en la partícula compuesta 1.
De acuerdo con un modo de realización, el material inorgánico 2 tiene una densidad que va de 1 a 10, preferentemente el material inorgánico 2 tiene una densidad que va de 3 a 10 g/cm3
De acuerdo con un modo de realización, las nanopartículas 3 en el material inorgánico 2 presentan una degradación de su propiedad específica inferior al 90%, 80%, 70%, 60%, 50%, 40%, 30%, 25%, 20%, 15%, 10%, 5%, 4%, 3%, 2%, 1% o 0% después de al menos 1 día, 5 días, 10 días, 15 días, 20 días, 25 días, 1 mes, 2 meses, 3 meses, 4 meses, 5 meses, 6 meses, 7 meses, 8 meses, 9 meses, 10 meses, 11 meses, 12 meses, 18 meses, 2 años, 2.5 años, 3 años, 3.5 años, 4 años, 4.5 años, 5 años, 5.5 años, 6 años, 6.5 años, 7 años, 7.5 años, 8 años, 8.5 años, 9 años, 9.5 años o 10 años.
De acuerdo con un modo de realización, las nanopartículas 3 en el material inorgánico 2 presentan una degradación de su propiedad específica de menos del 90%, 80%, 70%, 60%, 50%, 40%, 30%, 25%, 20%, 15%, 10%, 5%, 4%, 3%, 2%, 1%, o 0% después de al menos 1 día, 5 días, 10 días, 15 días, 20 días, 25 días, 1 mes, 2 meses, 3 meses, 4 meses, 5 meses, 6 meses, 7 meses, 8 meses, 9 meses, 10 meses, 11 meses, 12 meses, 18 meses, 2 años, 2.5 años, 3 años, 3.5 años, 4 años, 4.5 años, 5 años, 5.5 años, 6 años, 6.5 años, 7 años, 7.5 años, 8 años, 8.5 años, 9 años, 9.5 años o 10 años bajo 0°C, 10°C, 20°C, 30°C, 40°C, 50°C, 60°C, 70°C, 80°C, 90°C, 100°C, 125°C, 150°C, 175°C, 200°C, 225°C, 250°C, 275°C o 300°C.
De acuerdo con un modo de realización, las nanopartículas 3 en el material inorgánico 2 presentan una degradación de su propiedad específica inferior al 90%, 80%, 70%, 60%, 50%, 40%, 30%, 25%, 20%, 15%, 10%, 5%, 4%, 3%, 2%, 1% o 0% después de al menos 1 día, 5 días, 10 días, 15 días, 20 días, 25 días, 1 mes, 2 meses, 3 meses, 4 meses, 5 meses, 6 meses, 7 meses, 8 meses, 9 meses, 10 meses, 11 meses, 12 meses, 18 meses, 2 años, 2.5 años, 3 años, 3.5 años, 4 años, 4.5 años, 5 años, 5.5 años, 6 años, 6.5 años, 7 años, 7.5 años, 8 años, 8.5 años, 9 años, 9.5 años o 10 años bajo 0%, 10%, 20%, 30%, 40%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 75%, 80%, 85%, 90%, 95%, o 99% de humedad.
De acuerdo con un modo de realización, las nanopartículas 3 en el material inorgánico 2 presentan una degradación de su propiedad específica inferior al 90%, 80%, 70%, 60%, 50%, 40%, 30%, 25%, 20%, 15%, 10%, 5%, 4%, 3%, 2%, 1% o 0% después de al menos 1 día, 5 días, 10 días, 15 días, 20 días, 25 días, 1 mes, 2 meses, 3 meses, 4 meses, 5 meses, 6 meses, 7 meses, 8 meses, 9 meses, 10 meses, 11 meses, 12 meses, 18 meses, 2 años, 2.5 años, 3 años, 3.5 años, 4 años, 4.5 años, 5 años, 5.5 años, 6 años, 6.5 años, 7 años, 7.5 años, 8 años, 8.5 años, 9 años, 9.5 años o 10 años bajo 0°C, 10°C, 20°C, 30°C, 40°C, 50°C, 60°C, 70°C, 80°C, 90°C, 100°C, 125°C, 150°C, 175°C, 200°C, 225°C, 250°C, 275°C, o 300°C, y bajo 0%, 10%, 20%, 30%, 40%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 75%, 80%, 85%, 90%, 95%, o 99% de humedad.
De acuerdo con un modo de realización, las nanopartículas 3 en el material inorgánico 2 presentan una degradación de su propiedad específica inferior al 90%, 80%, 70%, 60%, 50%, 40%, 30%, 25%, 20%, 15%, 10%, 5%, 4%, 3%, 2%, 1% o 0% después de al menos 1 día, 5 días, 10 días, 15 días, 20 días, 25 días, 1 mes, 2 meses, 3 meses, 4 meses, 5 meses, 6 meses, 7 meses, 8 meses, 9 meses, 10 meses, 11 meses, 12 meses, 18 meses, 2 años, 2.5 años, 3 años, 3.5 años, 4 años, 4.5 años, 5 años, 5.5 años, 6 años, 6.5 años, 7 años, 7.5 años, 8 años, 8.5 años, 9 años, 9.5 años o 10 años bajo 0%, 5%, 10%, 15%, 20%, 25%, 30%, 35%, 40%, 45%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 75%, 80%, 85%, 90%, 95%, o 100% de O2 molecular.
De acuerdo con un modo de realización, las nanopartículas 3 en el material inorgánico 2 presentan una degradación de su propiedad específica inferior al 90%, 80%, 70%, 60%, 50%, 40%, 30%, 25%, 20%, 15%, 10%, 5%, 4%, 3%, 2%, 1% o 0% después de al menos 1 día, 5 días, 10 días, 15 días, 20 días, 25 días, 1 mes, 2 meses, 3 meses, 4 meses, 5 meses, 6 meses, 7 meses, 8 meses, 9 meses, 10 meses, 11 meses, 12 meses, 18 meses, 2 años, 2.5 años, 3 años, 3.5 años, 4 años, 4.5 años, 5 años, 5.5 años, 6 años, 6.5 años, 7 años, 7.5 años, 8 años, 8.5 años, 9 años, 9.5 años o 10 años bajo 0%, 5%, 10%, 15%, 20%, 25%, 30%, 35%, 40%, 45%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 75%, 80%, 85%, 90%, 95% o 100% de O2 molecular, bajo 0°C, 10°C, 20°C, 30°C, 40°C, 50°C, 60°C, 70°C, 80°C, 90°C, 100°C, 125°C, 150°C, 175°C, 200°C, 225°C, 250°C, 275°C o 300°C.
De acuerdo con un modo de realización, las nanopartículas 3 en el material inorgánico 2 presentan una degradación de su propiedad específica inferior al 90%, 80%, 70%, 60%, 50%, 40%, 30%, 25%, 20%, 15%, 10%, 5%, 4%, 3%, 2%, 1% o 0% después de al menos 1 día, 5 días, 10 días, 15 días, 20 días, 25 días, 1 mes, 2 meses, 3 meses, 4 meses, 5 meses, 6 meses, 7 meses, 8 meses, 9 meses, 10 meses, 11 meses, 12 meses, 18 meses, 2 años, 2.5 años, 3 años, 3.5 años, 4 años, 4.5 años, 5 años, 5.5 años, 6 años, 6.5 años, 7 años, 7.5 años, 8 años, 8.5 años, 9 años, 9.5 años o 10 años bajo 0%, 5%, 10%, 15%, 20%, 25%, 30%, 35%, 40%, 45%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 75%, 80%, 85%, 90%, 95% o 100% de O2 molecular, bajo 0%, 10%, 20%, 30%, 40%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 75%, 80%, 85%, 90%, 95% o 99% de humedad.
De acuerdo con un modo de realización, las nanopartículas 3 en el material inorgánico 2 presentan una degradación de su propiedad específica inferior al 90%, 80%, 70%, 60%, 50%, 40%, 30%, 25%, 20%, 15%, 10%, 5%, 4%, 3%, 2%, 1% o 0% después de al menos 1 día, 5 días, 10 días, 15 días, 20 días, 25 días, 1 mes, 2 meses, 3 meses, 4 meses, 5 meses, 6 meses, 7 meses, 8 meses, 9 meses, 10 meses, 11 meses, 12 meses, 18 meses, 2 años, 2.5 años, 3 años, 3.5 años, 4 años, 4.5 años, 5 años, 5.5 años, 6 años, 6.5 años, 7 años, 7.5 años, 8 años, 8.5 años, 9 años, 9.5 años o 10 años bajo 0%, 5%, 10%, 15%, 20%, 25%, 30%, 35%, 40%, 45%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 75%, 80%, 85%, 90%, 95%, o 100% de O2 molecular, bajo 0°C, 10°C, 20°C, 30°C, 40°C, 50°C, 60°C 70°C, 80°C, 90°C, 100°C, 125°C, 150°C, 175°C, 200°C, 225°C, 250°C, 275°C, o 300°C, y bajo 0%, 10%, 20%, 30%, 40%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 75%, 80%, 85%, 90%, 95%, o 99% de humedad.
De acuerdo con un modo de realización, la propiedad específica de las nanopartículas 3 comprende una o más de las siguientes: fluorescencia, fosforescencia, quimioluminiscencia, capacidad de aumentar el campo electromagnético local, absorbancia, magnetización, coercitividad magnética, rendimiento catalítico, rendimiento fotovoltaico, polarización eléctrica, conductividad térmica, conductividad eléctrica, permeabilidad al oxígeno molecular, permeabilidad al agua molecular, o cualquier otra propiedad.
De acuerdo con un modo de realización, las nanopartículas 3 en el material inorgánico 2 presentan una degradación de su fotoluminiscencia inferior al 90%, 80%, 70%, 60%, 50%, 40%, 30%, 25%, 20%, 15%, 10%, 5%, 4%, 3%, 2%, 1%, o 0% después de al menos 1 día, 5 días, 10 días, 15 días, 20 días, 25 días, 1 mes, 2 meses, 3 meses, 4 meses, 5 meses, 6 meses, 7 meses, 8 meses, 9 meses, 10 meses, 11 meses, 12 meses, 18 meses, 2 años, 2.5 años, 3 años, 3.5 años, 4 años, 4.5 años, 5 años, 5.5 años, 6 años, 6.5 años, 7 años, 7.5 años, 8 años, 8.5 años, 9 años, 9.5 años o 10 años.
De acuerdo con un modo de realización, las nanopartículas 3 en el material inorgánico 2 presentan una degradación de su fotoluminiscencia de menos del 90%, 80%, 70%, 60%, 50%, 40%, 30%, 25%, 20%, 15%, 10%, 5%, 4%, 3%, 2%, 1%, o 0% después de al menos 1 día, 5 días, 10 días, 15 días, 20 días, 25 días, 1 mes, 2 meses, 3 meses, 4 meses, 5 meses, 6 meses, 7 meses, 8 meses, 9 meses, 10 meses, 11 meses, 12 meses, 18 meses, 2 años, 2.5 años, 3 años, 3.5 años, 4 años, 4.5 años, 5 años, 5.5 años, 6 años, 6.5 años, 7 años, 7.5 años, 8 años, 8.5 años, 9 años, 9.5 años o 10 años bajo 0°C, 10°C, 20°C, 30°C, 40°C, 50°C, 60°C, 70°C, 80°C, 90°C, 100°C, 125°C, 150°C, 175°C, 200°C, 225°C, 250°C, 275°C o 300°C.
De acuerdo con un modo de realización, las nanopartículas 3 en el material inorgánico 2 presentan una degradación de su fotoluminiscencia inferior al 90%, 80%, 70%, 60%, 50%, 40%, 30%, 25%, 20%, 15%, 10%, 5%, 4%, 3%, 2%, 1%, o 0% después de al menos 1 día, 5 días, 10 días, 15 días, 20 días, 25 días, 1 mes, 2 meses, 3 meses, 4 meses, 5 meses, 6 meses, 7 meses, 8 meses, 9 meses, 10 meses, 11 meses, 12 meses, 18 meses, 2 años, 2.5 años, 3 años, 3.5 años, 4 años, 4.5 años, 5 años, 5.5 años, 6 años, 6.5 años, 7 años, 7.5 años, 8 años, 8.5 años, 9 años, 9.5 años o 10 años bajo 0%, 10%, 20%, 30%, 40%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 75%, 80%, 85%, 90%, 95% o 99% de humedad.
De acuerdo con un modo de realización, las nanopartículas 3 en el material inorgánico 2 presentan una degradación de su fotoluminiscencia inferior al 90%, 80%, 70%, 60%, 50%, 40%, 30%, 25%, 20%, 15%, 10%, 5%, 4%, 3%, 2%, 1%, o 0% después de al menos 1 día, 5 días, 10 días, 15 días, 20 días, 25 días, 1 mes, 2 meses, 3 meses, 4 meses, 5 meses, 6 meses, 7 meses, 8 meses, 9 meses, 10 meses, 11 meses, 12 meses, 18 meses, 2 años, 2.5 años, 3 años, 3.5 años, 4 años, 4.5 años, 5 años, 5.5 años, 6 años, 6.5 años, 7 años, 7.5 años, 8 años, 8.5 años, 9 años, 9.5 años o 10 años bajo 0°C, 10°C, 20°C, 30°C, 40°C, 50°C, 60°C, 70°C, 80°C, 90°C, 100°C, 125°C, 150°C, 175°C, 200°C, 225°C, 250°C, 275°C, o 300°C, y bajo 0%, 10%, 20%, 30%, 40%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 75%, 80%, 85%, 90%, 95%, o 99% de humedad.
De acuerdo con un modo de realización, las nanopartículas 3 en el material inorgánico 2 presentan una degradación de su fotoluminiscencia inferior al 90%, 80%, 70%, 60%, 50%, 40%, 30%, 25%, 20%, 15%, 10%, 5%, 4%, 3%, 2%, 1% o 0% después de al menos 1 día, 5 días, 10 días, 15 días, 20 días, 25 días, 1 mes, 2 meses, 3 meses, 4 meses, 5 meses, 6 meses, 7 meses, 8 meses, 9 meses, 10 meses, 11 meses, 12 meses, 18 meses, 2 años, 2.5 años, 3 años, 3.5 años, 4 años, 4.5 años, 5 años, 5.5 años, 6 años, 6.5 años, 7 años, 7.5 años, 8 años, 8.5 años, 9 años, 9.5 años o 10 años bajo 0%, 5%, 10%, 15%, 20%, 25%, 30%, 35%, 40%, 45%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 75%, 80%, 85%, 90%, 95%, o 100% de O2 molecular.
De acuerdo con un modo de realización, las nanopartículas 3 en el material inorgánico 2 presentan una degradación de su fotoluminiscencia inferior al 90%, 80%, 70%, 60%, 50%, 40%, 30%, 25%, 20%, 15%, 10%, 5%, 4%, 3%, 2%, 1% o 0% después de al menos 1 día, 5 días, 10 días, 15 días, 20 días, 25 días, 1 mes, 2 meses, 3 meses, 4 meses, 5 meses, 6 meses, 7 meses, 8 meses, 9 meses, 10 meses, 11 meses, 12 meses, 18 meses, 2 años, 2.5 años, 3 años, 3.5 años, 4 años, 4.5 años, 5 años, 5.5 años, 6 años, 6.5 años, 7 años, 7.5 años, 8 años, 8.5 años, 9 años, 9.5 años o 10 años bajo 0%, 5%, 10%, 15%, 20%, 25%, 30%, 35%, 40%, 45%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 75%, 80%, 85%, 90%, 95% o 100% de O2 molecular, bajo 0°C, 10°C, 20°C, 30°C, 40°C, 50°C, 60°C, 70°C, 80°C, 90°C, 100°C, 125°C, 150°C, 175°C, 200°C, 225°C, 250°C, 275°C o 300°C.
De acuerdo con un modo de realización, las nanopartículas 3 en el material inorgánico 2 presentan una degradación de su fotoluminiscencia inferior al 90%, 80%, 70%, 60%, 50%, 40%, 30%, 25%, 20%, 15%, 10%, 5%, 4%, 3%, 2%, 1% o 0% después de al menos 1 día, 5 días, 10 días, 15 días, 20 días, 25 días, 1 mes, 2 meses, 3 meses, 4 meses, 5 meses, 6 meses, 7 meses, 8 meses, 9 meses, 10 meses, 11 meses, 12 meses, 18 meses, 2 años, 2.5 años, 3 años, 3.5 años, 4 años, 4.5 años, 5 años, 5.5 años, 6 años, 6.5 años, 7 años, 7.5 años, 8 años, 8.5 años, 9 años, 9.5 años o 10 años bajo 0%, 5%, 10%, 15%, 20%, 25%, 30%, 35%, 40%, 45%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 75%, 80%, 85%, 90%, 95% o 100% de O2 molecular, bajo 0%, 10%, 20%, 30%, 40%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 75%, 80%, 85%, 90%, 95% o 99% de humedad.
De acuerdo con un modo de realización, las nanopartículas 3 en el material inorgánico 2 presentan una degradación de su fotoluminiscencia inferior al 90%, 80%, 70%, 60%, 50%, 40%, 30%, 25%, 20%, 15%, 10%, 5%, 4%, 3%, 2%, 1%, o 0% después de al menos 1 día, 5 días, 10 días, 15 días, 20 días, 25 días, 1 mes, 2 meses, 3 meses, 4 meses, 5 meses, 6 meses, 7 meses, 8 meses, 9 meses, 10 meses, 11 meses, 12 meses, 18 meses, 2 años, 2.5 años, 3 años, 3.5 años, 4 años, 4.5 años, 5 años, 5.5 años, 6 años, 6.5 años, 7 años, 7.5 años, 8 años, 8.5 años, 9 años, 9.5 años o 10 años bajo 0%, 5%, 10%, 15%, 20%, 25%, 30%, 35%, 40%, 45%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 75%, 80%, 85%, 90%, 95%, o 100% de O2 molecular, bajo 0°C, 10°C, 20°C, 30°C, 40°C, 50°C, 60°C 70°C, 80°C, 90°C, 100°C, 125°C, 150°C, 175°C, 200°C, 225°C, 250°C, 275°C, o 300°C, y bajo 0%, 10%, 20%, 30%, 40%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 75%, 80%, 85%, 90%, 95%, o 99% de humedad.
De acuerdo con un modo de realización, las nanopartículas 3 en el material inorgánico 2 presentan una degradación de su rendimiento cuántico de fotoluminiscencia (PLQY) inferior al 90%, 80%, 70%, 60%, 50%, 40%, 30%, 25%, 20%, 15%, 10%, 5%, 4%, 3%, 2%, 1%, o 0% después de al menos 1 día, 5 días, 10 días, 15 días, 20 días, 25 días, 1 mes, 2 meses, 3 meses, 4 meses, 5 meses, 6 meses, 7 meses, 8 meses, 9 meses, 10 meses, 11 meses, 12 meses, 18 meses, 2 años, 2.5 años, 3 años, 3.5 años, 4 años, 4.5 años, 5 años, 5.5 años, 6 años, 6.5 años, 7 años, 7.5 años, 8 años, 8.5 años, 9 años, 9.5 años o 10 años.
De acuerdo con un modo de realización, las nanopartículas 3 en el material inorgánico 2 presentan una degradación de su rendimiento cuántico de fotoluminiscencia (PLQY) de menos del 90%, 80%, 70%, 60%, 50%, 40%, 30%, 25%, 20%, 15%, 10%, 5%, 4%, 3%, 2%, 1% o 0% después de al menos 1 día, 5 días, 10 días, 15 días, 20 días, 25 días, 1 mes, 2 meses, 3 meses, 4 meses, 5 meses, 6 meses, 7 meses, 8 meses, 9 meses, 10 meses, 11 meses, 12 meses, 18 meses, 2 años, 2.5 años, 3 años, 3.5 años, 4 años, 4.5 años, 5 años, 5.5 años, 6 años, 6.5 años, 7 años, 7.5 años, 8 años, 8.5 años, 9 años, 9.5 años o 10 años bajo 0°C, 10°C, 20°C, 30°C, 40°C, 50°C, 60°C, 70°C, 80°C, 90°C, 100°C, 125°C, 150°C, 175°C, 200°C, 225°C, 250°C, 275°C o 300°C.
De acuerdo con un modo de realización, las nanopartículas 3 en el material inorgánico 2 presentan una degradación de su rendimiento cuántico de fotoluminiscencia ( P l Q Y ) inferior al 90%, 80%, 70%, 60%, 50%, 40%, 30%, 25%, 20%, 15%, 10%, 5%, 4%, 3%, 2%, 1% o 0% después de al menos 1 día, 5 días, 10 días, 15 días, 20 días, 25 días, 1 mes, 2 meses, 3 meses, 4 meses, 5 meses, 6 meses, 7 meses, 8 meses, 9 meses, 10 meses, 11 meses, 12 meses, 18 meses, 2 años, 2.5 años, 3 años, 3.5 años, 4 años, 4.5 años, 5 años, 5.5 años, 6 años, 6.5 años, 7 años, 7.5 años, 8 años, 8.5 años, 9 años, 9.5 años o 10 años bajo 0%, 10%, 20%, 30%, 40%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 75%, 80%, 85%, 90%, 95% o 99% de humedad.
De acuerdo con un modo de realización, las nanopartículas 3 en el material inorgánico 2 presentan una degradación de su rendimiento cuántico de fotoluminiscencia ( P l Q Y ) inferior al 90%, 80%, 70%, 60%, 50%, 40%, 30%, 25%, 20%, 15%, 10%, 5%, 4%, 3%, 2%, 1% o 0% después de al menos 1 día, 5 días, 10 días, 15 días, 20 días, 25 días, 1 mes, 2 meses, 3 meses, 4 meses, 5 meses, 6 meses, 7 meses, 8 meses, 9 meses, 10 meses, 11 meses, 12 meses, 18 meses, 2 años, 2.5 años, 3 años, 3.5 años, 4 años, 4.5 años, 5 años, 5.5 años, 6 años, 6.5 años, 7 años, 7.5 años, 8 años, 8.5 años, 9 años, 9.5 años o 10 años bajo 0°C, 10°C, 20°C, 30°C, 40°C, 50°C, 60°C, 70°C, 80°C, 90°C, 100°C, 125°C, 150°C, 175°C, 200°C, 225°C, 250°C, 275°C o 300°C, y bajo 0%, 10%, 20%, 30%, 40%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 75%, 80%, 85%, 90%, 95% o 99% de humedad.
De acuerdo con un modo de realización, las nanopartículas 3 en el material inorgánico 2 presentan una degradación de su rendimiento cuántico de fotoluminiscencia (PLQY) de menos del 90%, 80%, 70%, 60%, 50%, 40%, 30%, 25%, 20%, 15%, 10%, 5%, 4%, 3%, 2%, 1%, o 0% después de al menos 1 día, 5 días, 10 días, 15 días, 20 días, 25 días, 1 mes, 2 meses, 3 meses, 4 meses, 5 meses, 6 meses, 7 meses, 8 meses, 9 meses, 10 meses, 11 meses, 12 meses, 18 meses, 2 años, 2.5 años, 3 años, 3.5 años, 4 años, 4.5 años, 5 años, 5.5 años, 6 años, 6.5 años, 7 años, 7.5 años, 8 años, 8.5 años, 9 años, 9.5 años o 10 años bajo 0%, 5%, 10%, 15%, 20%, 25%, 30%, 35%, 40%, 45%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 75%, 80%, 85%, 90%, 95% o 100% de O2 molecular.
De acuerdo con un modo de realización, las nanopartículas 3 en el material inorgánico 2 presentan una degradación de su rendimiento cuántico de fotoluminiscencia ( P l Q Y ) inferior al 90%, 80%, 70%, 60%, 50%, 40%, 30%, 25%, 20%, 15%, 10%, 5%, 4%, 3%, 2%, 1% o 0% después de al menos 1 día, 5 días, 10 días, 15 días, 20 días, 25 días, 1 mes, 2 meses, 3 meses, 4 meses, 5 meses, 6 meses, 7 meses, 8 meses, 9 meses, 10 meses, 11 meses, 12 meses, 18 meses, 2 años, 2.5 años, 3 años, 3.5 años, 4 años, 4.5 años, 5 años, 5.5 años, 6 años, 6.5 años, 7 años, 7.5 años, 8 años, 8.5 años, 9 años, 9.5 años o 10 años bajo 0%, 5%, 10%, 15%, 20%, 25%, 30%, 35%, 40%, 45%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 75%, 80%, 85%, 90%, 95% o 100% de O2 molecular, bajo 0°C, 10°C, 20°C, 30°C, 40°C, 50°C, 60°C, 70°C, 80°C, 90°C, 100°C, 125°C, 150°C, 175°C, 200°C, 225°C, 250°C, 275°C o 300°C.
De acuerdo con un modo de realización, las nanopartículas 3 en el material inorgánico 2 presentan una degradación de su rendimiento cuántico de fotoluminiscencia (PLQY) de menos del 90%, 80%, 70%, 60%, 50%, 40%, 30%, 25%, 20%, 15%, 10%, 5%, 4%, 3%, 2%, 1% o 0% después de al menos 1 día, 5 días, 10 días, 15 días, 20 días, 25 días, 1 mes, 2 meses, 3 meses, 4 meses, 5 meses, 6 meses, 7 meses, 8 meses, 9 meses, 10 meses, 11 meses, 12 meses, 18 meses, 2 años, 2.5 años, 3 años, 3.5 años, 4 años, 4.5 años, 5 años, 5.5 años, 6 años, 6.5 años, 7 años, 7.5 años, 8 años, 8.5 años, 9 años, 9.5 años o 10 años bajo 0%, 5%, 10%, 15%, 20%, 25%, 30%, 35%, 40%, 45%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 75%, 80%, 85%, 90%, 95% o 100% de O2 molecular, bajo 0%, 10%, 20%, 30%, 40%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 75%, 80%, 85%, 90%, 95% o 99% de humedad.
De acuerdo con un modo de realización, las nanopartículas 3 en el material inorgánico 2 presentan una degradación de su rendimiento cuántico de fotoluminiscencia (PLQY) de menos del 90%, 80%, 70%, 60%, 50%, 40%, 30%, 25%, 20%, 15%, 10%, 5%, 4%, 3%, 2%, 1%, o 0% después de al menos 1 día, 5 días, 10 días, 15 días, 20 días, 25 días, 1 mes, 2 meses, 3 meses, 4 meses, 5 meses, 6 meses, 7 meses, 8 meses, 9 meses, 10 meses, 11 meses, 12 meses, 18 meses, 2 años, 2.5 años, 3 años, 3.5 años, 4 años, 4.5 años, 5 años, 5.5 años, 6 años, 6.5 años, 7 años, 7.5 años, 8 años, 8.5 años, 9 años, 9.5 años o 10 años bajo 0%, 5%, 10%, 15%, 20%, 25%, 30%, 35%, 40%, 45%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 75%, 80%, 85%, 90%, 95%, o 100% de O2 molecular, bajo 0°C, 10°C, 20°C, 30°C, 40°C, 50°C, 60°C 70°C, 80°C, 90°C, 100°C, 125°C, 150°C, 175°C, 200°C, 225°C, 250°C, 275°C, o 300°C, y bajo 0%, 10%, 20%, 30%, 40%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 75%, 80%, 85%, 90%, 95%, o 99% de humedad.
De acuerdo con un modo de realización, las nanopartículas 3 en el material inorgánico 2 presentan una degradación de su FCE inferior al 90%, 80%, 70%, 60%, 50%, 40%, 30%, 25%, 20%, 15%, 10%, 5%, 4%, 3%, 2%, 1%, o 0% después de al menos 1 día, 5 días, 10 días, 15 días, 20 días, 25 días, 1 mes, 2 meses, 3 meses, 4 meses, 5 meses, 6 meses, 7 meses, 8 meses, 9 meses, 10 meses, 11 meses, 12 meses, 18 meses, 2 años, 2.5 años, 3 años, 3.5 años, 4 años, 4.5 años, 5 años, 5.5 años, 6 años, 6.5 años, 7 años, 7.5 años, 8 años, 8.5 años, 9 años, 9.5 años o 10 años.
De acuerdo con un modo de realización, las nanopartículas 3 en el material inorgánico 2 presentan una degradación de su FCE inferior al 90%, 80%, 70%, 60%, 50%, 40%, 30%, 25%, 20%, 15%, 10%, 5%, 4%, 3%, 2%, 1%, o 0% después de al menos 1 día, 5 días, 10 días, 15 días, 20 días, 25 días, 1 mes, 2 meses, 3 meses, 4 meses, 5 meses, 6 meses, 7 meses, 8 meses, 9 meses, 10 meses, 11 meses, 12 meses, 18 meses, 2 años, 2.5 años, 3 años, 3.5 años, 4 años, 4.5 años, 5 años, 5.5 años, 6 años, 6.5 años, 7 años, 7.5 años, 8 años, 8.5 años, 9 años, 9.5 años o 10 años bajo 0°C, 10°C, 20°C, 30°C, 40°C, 50°C, 60°C, 70°C, 80°C, 90°C, 100°C, 125°C, 150°C, 175°C, 200°C, 225°C, 250°C, 275°C o 300°C.
De acuerdo con un modo de realización, las nanopartículas 3 en el material inorgánico 2 presentan una degradación de su FCE inferior al 90%, 80%, 70%, 60%, 50%, 40%, 30%, 25%, 20%, 15%, 10%, 5%, 4%, 3%, 2%, 1%, o 0% después de al menos 1 día, 5 días, 10 días, 15 días, 20 días, 25 días, 1 mes, 2 meses, 3 meses, 4 meses, 5 meses, 6 meses, 7 meses, 8 meses, 9 meses, 10 meses, 11 meses, 12 meses, 18 meses, 2 años, 2.5 años, 3 años, 3.5 años, 4 años, 4.5 años, 5 años, 5.5 años, 6 años, 6.5 años, 7 años, 7.5 años, 8 años, 8.5 años, 9 años, 9.5 años o 10 años bajo 0%, 10%, 20%, 30%, 40%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 75%, 80%, 85%, 90%, 95% o 99% de humedad.
De acuerdo con un modo de realización, las nanopartículas 3 en el material inorgánico 2 presentan una degradación de su FCE inferior al 90%, 80%, 70%, 60%, 50%, 40%, 30%, 25%, 20%, 15%, 10%, 5%, 4%, 3%, 2%, 1%, o 0% después de al menos 1 día, 5 días, 10 días, 15 días, 20 días, 25 días, 1 mes, 2 meses, 3 meses, 4 meses, 5 meses, 6 meses, 7 meses, 8 meses, 9 meses, 10 meses, 11 meses, 12 meses, 18 meses, 2 años, 2.5 años, 3 años, 3.5 años, 4 años, 4.5 años, 5 años, 5.5 años, 6 años, 6.5 años, 7 años, 7.5 años, 8 años, 8.5 años, 9 años, 9.5 años o 10 años bajo 0°C, 10°C, 20°C, 30°C, 40°C, 50°C, 60°C, 70°C, 80°C, 90°C, 100°C, 125°C, 150°C, 175°C, 200°C, 225°C, 250°C, 275°C, o 300°C, y bajo 0%, 10%, 20%, 30%, 40%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 75%, 80%, 85%, 90%, 95%, o 99% de humedad.
De acuerdo con un modo de realización, las nanopartículas 3 en el material inorgánico 2 presentan una degradación de su FCE inferior al 90%, 80%, 70%, 60%, 50%, 40%, 30%, 25%, 20%, 15%, 10%, 5%, 4%, 3%, 2%, 1%, o 0% después de al menos 1 día, 5 días, 10 días, 15 días, 20 días, 25 días, 1 mes, 2 meses, 3 meses, 4 meses, 5 meses, 6 meses, 7 meses, 8 meses, 9 meses, 10 meses, 11 meses, 12 meses, 18 meses, 2 años, 2.5 años, 3 años, 3.5 años, 4 años, 4.5 años, 5 años, 5.5 años, 6 años, 6.5 años, 7 años, 7.5 años, 8 años, 8.5 años, 9 años, 9.5 años o 10 años bajo 0%, 5%, 10%, 15%, 20%, 25%, 30%, 35%, 40%, 45%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 75%, 80%, 85%, 90%, 95% o 100% de O2 molecular.
De acuerdo con un modo de realización, las nanopartículas 3 en el material inorgánico 2 presentan una degradación de su FCE inferior al 90%, 80%, 70%, 60%, 50%, 40%, 30%, 25%, 20%, 15%, 10%, 5%, 4%, 3%, 2%, 1%, o 0% después de al menos 1 día, 5 días, 10 días, 15 días, 20 días, 25 días, 1 mes, 2 meses, 3 meses, 4 meses, 5 meses, 6 meses, 7 meses, 8 meses, 9 meses, 10 meses, 11 meses, 12 meses, 18 meses, 2 años, 2.5 años, 3 años, 3.5 años, 4 años, 4.5 años, 5 años, 5.5 años, 6 años, 6.5 años, 7 años, 7.5 años, 8 años, 8.5 años, 9 años, 9.5 años o 10 años bajo 0%, 5%, 10%, 15%, 20%, 25%, 30%, 35%, 40%, 45%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 75%, 80%, 85%, 90%, 95%, o 100% de O2 molecular, bajo 0°C, 10°C, 20°C, 30°C, 40°C, 50°C, 60°C, 70°C, 80°C, 90°C, 100°C, 125°C, 150°C, 175°C, 200°C, 225°C, 250°C, 275°C, o 300°C.
De acuerdo con un modo de realización, las nanopartículas 3 en el material inorgánico 2 presentan una degradación de su FCE inferior al 90%, 80%, 70%, 60%, 50%, 40%, 30%, 25%, 20%, 15%, 10%, 5%, 4%, 3%, 2%, 1%, o 0% después de al menos 1 día, 5 días, 10 días, 15 días, 20 días, 25 días, 1 mes, 2 meses, 3 meses, 4 meses, 5 meses, 6 meses, 7 meses, 8 meses, 9 meses, 10 meses, 11 meses, 12 meses, 18 meses, 2 años, 2.5 años, 3 años, 3.5 años, 4 años, 4.5 años, 5 años, 5.5 años, 6 años, 6.5 años, 7 años, 7.5 años, 8 años, 8.5 años, 9 años, 9.5 años o 10 años bajo 0%, 5%, 10%, 15%, 20%, 25%, 30%, 35%, 40%, 45%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 75%, 80%, 85%, 90%, 95%, o 100% de O2 molecular, bajo 0%, 10%, 20%, 30%, 40%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 75%, 80%, 85%, 90%, 95%, o 99% de humedad.
De acuerdo con un modo de realización, las nanopartículas 3 en el material inorgánico 2 presentan una degradación de su FCE inferior al 90%, 80%, 70%, 60%, 50%, 40%, 30%, 25%, 20%, 15%, 10%, 5%, 4%, 3%, 2%, 1%, o 0% después de al menos 1 día, 5 días, 10 días, 15 días, 20 días, 25 días, 1 mes, 2 meses, 3 meses, 4 meses, 5 meses, 6 meses, 7 meses, 8 meses, 9 meses, 10 meses, 11 meses, 12 meses, 18 meses, 2 años, 2.5 años, 3 años, 3.5 años, 4 años, 4.5 años, 5 años, 5.5 años, 6 años, 6.5 años, 7 años, 7.5 años, 8 años, 8.5 años, 9 años, 9.5 años o 10 años bajo 0%, 5%, 10%, 15%, 20%, 25%, 30%, 35%, 40%, 45%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 75%, 80%, 85%, 90%, 95%, o 100% de O2 molecular, bajo 0°C, 10°C, 20°C, 30°C, 40°C, 50°C, 60°C 70°C, 80°C, 90°C, 100°C, 125°C, 150°C, 175°C, 200°C, 225°C, 250°C, 275°C, o 300°C, y bajo 0%, 10%, 20%, 30%, 40%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 75%, 80%, 85%, 90%, 95%, o 99% de humedad.
De acuerdo con un modo de realización, el material inorgánico 2 es ópticamente transparente, es decir, el material inorgánico 2 es transparente a longitudes de onda entre 200 nm y 50 pm, entre 200 nm y 10 pm, entre 200 nm y 2500 nm, entre 200 nm y 2000 nm, entre 200 nm y 1500 nm, entre 200 nm y 1000 nm, entre 200 nm y 800 nm, entre 400 nm y 700 nm, entre 400 nm y 600 nm, o entre 400 nm y 470 nm. En este modo de realización, el material inorgánico 2 no absorbe toda la luz incidente permitiendo que las nanopartículas 3 absorban toda la luz incidente, y/o el material inorgánico 2 no absorbe la luz emitida por las nanopartículas 3 permitiendo que dicha luz emitida se transmita a través del material inorgánico 2.
De acuerdo con un modo de realización, el material inorgánico 2 no es ópticamente transparente, es decir, el material inorgánico 2 absorbe la luz a longitudes de onda entre 200 nm y 50 pm, entre 200 nm y 10 pm, entre 200 nm y 2500 nm, entre 200 nm y 2000 nm, entre 200 nm y 1500 nm, entre 200 nm y 1000 nm, entre 200 nm y 800 nm, entre 400 nm y 700 nm, entre 400 nm y 600 nm, o entre 400 nm y 470 nm. En este modo de realización, el material inorgánico 2 absorbe parte de la luz incidente permitiendo que las nanopartículas 3 absorban sólo una parte de la luz incidente, y/o el material inorgánico 2 absorbe parte de la luz emitida por las nanopartículas 3 permitiendo que dicha luz emitida se transmita parcialmente a través del material inorgánico 2.
De acuerdo con un modo de realización, el material inorgánico 2 transmite al menos el 5%, el 10%, el 15%, el 20%, el 25%, el 30%, el 35%, el 40%, el 45%, el 50%, el 55%, el 60%, el 65%, el 70%, el 75%, el 80%, el 85%, el 90%, el 95% o el 100% de la luz incidente.
De acuerdo con un modo de realización, el material inorgánico 2 transmite una parte de la luz incidente y emite al menos una luz secundaria. En esta realización, la luz resultante es una combinación del resto de la luz incidente transmitida.
De acuerdo con un modo de realización, el material inorgánico 2 absorbe la luz incidente con una longitud de onda inferior a 50 pm, 40 pm, 30 pm, 20 pm, 10 pm, 1 pm, 950 nm, 900 nm, 850 nm, 800 nm, 750 nm, 700 nm, 650 nm, 600 nm, 550 nm, 500 nm, 450 nm, 400 nm, 350 nm, 300 nm, 250 nm, o inferior a 200 nm.
De acuerdo con un modo de realización, el material inorgánico 2 absorbe la luz incidente con una longitud de onda inferior a 460 nm.
De acuerdo con un modo de realización, el material inorgánico 2 tiene un coeficiente de extinción menor o igual a 1x10-5, 1.1x10-5, 1.2x10-5, 1.3x10-5, 1.4x10-5, 1.5x10-5, 1.6x10-5, 1.7x10-5, 1.8x10-5, 1.9x10-5, 2x10-5, 3x10-5, 4x10-5, 5x10-5, 6x10-5, 7x10-5, 8x10-5, 9x10-5, 10x10-5, 11x10-5, 12x10-5, 13x10-5, 14x10-5, 15x10-5, 16x10-5, 17x10-5, 18x10-5, 19x10-5, 20x10-5, 21x10-5, 22x10-5, 23x10-5, 24x10-5, o 25x10-5 a 460 nm.
De acuerdo con un modo de realización, el material inorgánico 2 tiene un coeficiente de extinción menor o igual a 1x10-2 cm-1, 1x10-1 cm-1, 0.5x10-1 cm-1, 0.1 cm-1, 0.2 cm-1, 0.3 cm-1, 0.4 cm-1, 0.5 cm-1, 0.6 cm-1, 0.7 cm-1, 0.8 cm-1, 0.9 cm-1, 1 cm-1, 1.1 cm-1, 1.2 cm-1, 1.3 cm-1, 1.4 cm-1, 1.5 cm-1, 1.6 cm-1, 1.7 cm-1, 1.8 cm-1, 1.9 cm-1, 2.0 cm-1, 2.5 cm-1, 3.0 cm-1, 3.5 cm-1, 4.0 cm-1, 4.5 cm-1, 5.0 cm-1, 5.5 cm-1, 6.0 cm-1, 6.5 cm-1, 7.0 cm-1, 7.5 cm-1, 8.0 cm-1, 8.5 cm-1, 9.0 cm-1, 9.5 cm-1, 10 cm-1, 15 cm-1, 20 cm-1, 25 cm-1, o 30 cm-1 a 460 nm.
De acuerdo con un modo de realización, el material inorgánico 2 tiene un coeficiente de extinción menor o igual a 1x10-2 cm-1, 1x10-1 cm-1, 0.5x10-1 cm-1, 0.1 cm-1, 0.2 cm-1, 0.3 cm-1, 0.4 cm-1, 0.5 cm-1, 0.6 cm-1, 0.7 cm-1, 0.8 cm-1, 0.9 cm-1, 1 cm-1, 1.1 cm-1, 1.2 cm-1, 1.3 cm-1, 1.4 cm-1, 1.5 cm-1, 1.6 cm-1, 1.7 cm-1, 1.8 cm-1, 1.9 cm-1, 2.0 cm-1, 2.5 cm-1, 3.0 cm-1, 3.5 cm-1, 4.0 cm-1, 4.5 cm-1, 5.0 cm-1, 5.5 cm-1, 6.0 cm-1, 6.5 cm-1, 7.0 cm-1, 7.5 cm-1, 8.0 cm-1, 8.5 cm-1, 9.0 cm-1, 9.5 cm-1, 10 cm-1, 15 cm-1, 20 cm-1, 25 cm-1, o 30 cm-1 a 450 nm.
De acuerdo con un modo de realización, el material inorgánico 2 tiene una sección transversal de absorción óptica menor o igual a 1.10-35 cm2, 1.10-34 cm2, 1.10-33 cm2, 1.10-32 cm2, 1.10-31 cm2, 1.10-30 cm2, 1.10-29 cm2, 1.10-28 cm2, 1.10- 27 cm2, 1.10-26 cm2, 1.10-25 cm2, 1.10-24 cm2, 1.10-23 cm2, 1.10-22 cm2, 1.10-21 cm2, 1.10-20 cm2, 1.10-19cm2, 1.10-18 cm2, 1.10-17 cm2, 1.10-16 cm2, 1.10-15 cm2, 1.10-14 cm2, 1.10-13 cm2, 1.10-12 cm2, 1.10-11 cm2, 1.10-10 cm2, 1.10-9 cm2, 1.10- 8 cm2, 1.10-7 cm2, 1.10-6 cm2, 1.10-5 cm2, 1.10-4 cm2, 1.10-3 cm2, 1.10-2 cm2 o 1.10-1 cm2 a 460 nm.
De acuerdo con un modo de realización, el material inorgánico 2 no comprende moléculas orgánicas, grupos orgánicos o cadenas de polímeros.
De acuerdo con un modo de realización, el material inorgánico 2 no comprende polímeros.
De acuerdo con un modo de realización, el material inorgánico 2 está compuesto por un material seleccionado en el grupo de los óxidos. Según una realización, el material inorgánico 2 comprende o consiste en una mezcla de ZrO2/SiO2:
Zri-xO2, donde 0 <x< 1. En este modo de realización, el primer material inorgánico 2 es capaz de resistir a cualquier pH en un rango de 0 a 14. Esto permite una mejor protección de las nanopartículas 3.
De acuerdo con un modo de realización, el material inorgánico 2 comprende o consiste en Si0.8Zr0.2O2.
De acuerdo con un modo de realización, el material inorgánico 2 comprende o consiste en una mezcla:
Si0.8Zr0.2O2, donde 0 <x< 1 y 0 <z< 3.
Según una realización, el material inorgánico 2 comprende o consiste en una mezcla HfO2/SiO2: SixHfi-xO2, donde 0
<x<1 y 0 <z< 3.
De acuerdo con un modo de realización, el material inorgánico 2 comprende o consiste en Si0.8Hf0.2O2.
De acuerdo con un modo de realización, los ejemplos de material inorgánico de óxido 2 incluyen, pero no se limitan a:
SiO2, Al2O3, TiO2, ZrO2, ZnO, MgO, SnO2, Nb2O5, CeO2, BeO, IrO2, CaO, Sc2O3, NiO, Na2O, BaO, K2O, PbO, Ag2O, V2O5, TeO2, MnO, B2O3, P2O5, P2O3, P4O7, P4O8, P4O9, P2O6, PO, GeO2, As2O3, Fe2O3, Fe3O4, Ta2O5, Li2O, SrO, Y2O3, HfO2, WO2, MoO2, Cr2O3, Tc2O7, ReO2, RuO2, Co3O4, OsO, RhO2, Rh2O3, PtO, PdO, CuO, Cu2O, CdO, HgO, Tl2O, Ga2O3, In2O3, Bi2O3, Sb2O3, PoO2, SeO2, Cs2O, La2O3, PraOn, Nd2O3, La2O3, Sm2O3, Eu2O3, Tb4O7, Dy2 Er2O3, Tm2O3, Yb2O3, Lu2O3, Gd2O3, o una mezcla de ellos.
De acuerdo con un modo de realización, los ejemplos de material inorgánico de óxido 2 incluyen, pero no se limitan a: óxido de silicio, óxido de aluminio, óxido de titanio, óxido de cobre, óxido de hierro, óxido de plata, óxido de plomo, óxido de calcio, óxido de magnesio, óxido de zinc, óxido de estaño, óxido de berilio, óxido de circonio, óxido de niobio, óxido de cerio, óxido de iridio, óxido de escandio, óxido de níquel, óxido de sodio, óxido de bario, óxido de potasio, óxido de vanadio, óxido de telurio, óxido de manganeso, óxido de boro, óxido de fósforo, óxido de germanio, óxido de osmio, óxido de renio, óxido de platino, óxido de arsénico, óxido de tantalio, óxido de litio, óxido de estroncio, óxido de itrio, óxido de hafnio, óxido de tungsteno, óxido de molibdeno, óxido de cromo, óxido de tecnecio, óxido de rodio, óxido de rutenio, óxido de cobalto, óxido de paladio, óxido de cadmio, óxido de mercurio, óxido de talio, óxido de galio, óxido de indio, óxido de bismuto, óxido de antimonio, óxido de polonio, óxido de selenio, óxido de cesio, óxido de lantano, óxido de praseodimio, óxido de neodimio, óxido de samario, óxido de europio, óxido de terbio, óxido de disprosio, óxido de erbio, óxido de holmio, óxido de tulio, óxido de iterbio, óxido de lutecio, óxido de gadolinio, óxidos mixtos, óxidos mixtos de los mismos o una mezcla de ellos.
De acuerdo con un modo de realización, el material inorgánico 2 comprende granates.
De acuerdo con un modo de realización, los ejemplos de granates incluyen, pero no se limitan a: Y3Al5O12, Y3Fe2(FeO4)3, Y3Fe5O12, Y4A^O9, YAO 3, Fe3Ah(SiO4)3, Mg3Ah(SiO4)3, Mn3Ah(SiO4)3, Ca3Fe2(SiO4)3, Ca3Ah(SiO4)3, Ca3Cr2(SiO4)3, Al5Lu3O12, GAL, GaYAG, o una mezcla de ellos.
De acuerdo con un modo de realización, el material inorgánico 2 comprende un material que incluye, pero no se limita a: óxido de silicio, óxido de aluminio, óxido de titanio, óxido de cobre, óxido de hierro, óxido de plata, óxido de plomo, óxido de calcio, óxido de magnesio, óxido de zinc, óxido de estaño, óxido de berilio, óxido de circonio, óxido de niobio, óxido de cerio, óxido de iridio, óxido de escandio, óxido de níquel, óxido de sodio, óxido de bario, óxido de potasio, óxido de vanadio, óxido de telurio, óxido de manganeso, óxido de boro, óxido de fósforo, óxido de germanio, óxido de osmio, óxido de renio, óxido de platino, óxido de arsénico, óxido de tantalio, óxido de litio, óxido de estroncio, óxido de itrio, óxido de hafnio, óxido de tungsteno, óxido de molibdeno, óxido de cromo, óxido de tecnecio, óxido de rodio, óxido de rutenio, óxido de cobalto, óxido de paladio, óxido de cadmio, óxido de mercurio, óxido de talio, óxido de galio, óxido de indio, óxido de bismuto, óxido de antimonio, óxido de polonio, óxido de selenio, óxido de cesio, óxido de lantano, óxido de praseodimio, óxido de neodimio, óxido de samario, óxido de europio, óxido de terbio, óxido de disprosio, óxido de erbio, óxido de holmio, óxido de tulio, óxido de iterbio, óxido de lutecio, óxido de gadolinio, óxidos mixtos, óxidos mixtos, granates como, por ejemplo, Y3Al5O12, Y3Fe2(FeO4)3, Y3Fe5O12, Y4A^O9, YAO 3, Fe3Ah(SiO4)3, Mg3Al2(SiO4)3, Mn3Al2(SiO4)3, Ca3Fe2(SiO4)3, Ca3Ah(SiO4)3, Ca3Cr2(SiO4)3, Al5Lu3O12, GAL, GaYAG, o una mezcla de ellos.
De acuerdo con un modo de realización, el material inorgánico 2 no comprende polímeros inorgánicos.
De acuerdo con un modo de realización, el material inorgánico 2 no comprende SiO2.
De acuerdo con un modo de realización, el material inorgánico 2 no consiste en SiO2 puro, es decir, 100% SiO2.
De acuerdo con un modo de realización, el material inorgánico 2 comprende al menos un 1%, 2%, 3%, 4%, 5%, 6%,
7%, 8%, 9%, 10%, 15%, 20%, 25%, 30%, 35%, 40%, 45%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 75%, 80%, 85%, 90%, 95% o 100% de SiO2.
De acuerdo con un modo de realización, el material inorgánico 2 comprende menos del 1%, 2%, 3%, 4%, 5%, 6%, 7 % , 8%, 9%, 10%, 15%, 20%, 25%, 30%, 35%, 40%, 45%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 75%, 80%, 85%, 90%, 95% o 100% de SiO2.
De acuerdo con un modo de realización, el material inorgánico 2 comprende al menos un 1%, 2%, 3%, 4%, 5%, 6 %, 7%, 8%, 9%, 10%, 15%, 20%, 25%, 30%, 35%, 40%, 45%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 75%, 80%, 85%, 90%, 95% o 100% de precursores de SiO2.
De acuerdo con un modo de realización, el material inorgánico 2 comprende menos del 1%, 2%, 3%, 4%, 5%, 6%, 7%, 8%, 9%, 10%, 15%, 20%, 25%, 30%, 35%, 40%, 45%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 75%, 80%, 85%, 90%, 95% o 100% de precursores de SO 2.
De acuerdo con un modo de realización, los ejemplos de precursores de SO 2 incluyen, pero no se limitan a: ortosilicato de tetrametilo, ortosilicato de tetraetilo, polidioxisilano, n-alquiltrimetoxilsilanos como, por ejemplo, nbutiltrimetoxisilano, n-octiltrimetoxisilano, n-dodeciltrimetoxisilano, n-octadeciltrimetoxisilano, 3-mercaptopropiltrimetoxisilano, 11- mercaptoundecaltrimetoxisilano, 3-aminopropiltrimetoxisilano, 11-aminoundeciltrimetoxisilane, 3-(2-(2-aminoetilamino)etilamino)propiltrimetoxisilano, 3-(trimetoxisilil)propil metacrilato, 3 (aminopropil)trimetoxisilano, o una mezcla de ellos.
De acuerdo con un modo de realización, el material inorgánico 2 no consiste en A^O3 puro, es decir, 100% A^O3.
De acuerdo con un modo de realización, el material inorgánico 2 comprende al menos un 1%, 2%, 3%, 4%, 5%, 6 %, 7%, 8%, 9%, 10%, 15%, 20%, 25%, 30%, 35%, 40%, 45%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 75%, 80%, 85%, 90%, 95% o 100% de Al2O3.
De acuerdo con un modo de realización, el material inorgánico 2 comprende menos del 1%, 2%, 3%, 4%, 5%, 6%, 7%, 8%, 9%, 10%, 15%, 20%, 25%, 30%, 35%, 40%, 45%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 75%, 80%, 85%, 90%, 95% o 100% de Al2O3.
De acuerdo con un modo de realización, el material inorgánico 2 comprende al menos un 1%, 2%, 3%, 4%, 5%, 6 %, 7%, 8%, 9%, 10%, 15%, 20%, 25%, 30%, 35%, 40%, 45%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 75%, 80%, 85%, 90%, 95% o 100% de precursores de AhO3.
De acuerdo con un modo de realización, el material inorgánico 2 comprende menos del 1%, 2%, 3%, 4%, 5%, 6%, 7%, 8%, 9%, 10%, 15%, 20%, 25%, 30%, 35%, 40%, 45%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 75%, 80%, 85%, 90%, 95% o 100% de precursores de AhO3.
De acuerdo con un modo de realización, el material inorgánico 2 no comprende T O 2.
De acuerdo con un modo de realización, el material inorgánico 2 no consiste en T O 2 puro, es decir, 100% TO 2. De acuerdo con un modo de realización, el material inorgánico 2 no comprende zeolita.
De acuerdo con un modo de realización, el material inorgánico 2 no consiste en zeolita pura, es decir, 100% zeolita. De acuerdo con un modo de realización, el material inorgánico 2 no comprende vidrio.
De acuerdo con un modo de realización, el material inorgánico 2 no comprende vidrio vitrificado.
De acuerdo con un modo de realización, el material inorgánico 2 tiene un índice de refracción que va de 1.0 a 3.0, de 1.2 a 2.6, de 1.4 a 2.0 a 450 nm.
De acuerdo con un modo de realización, el material inorgánico 2 tiene un índice de refracción de al menos 1.0, 1.1, 1.2, 1.3, 1.4, 1.5, 1.6, 1.7, 1.8, 1.9, 2.0, 2.1, 2.2, 2.3, 2.4, 2.5, 2.6, 2.7, 2.8, 2.9, o 3.0 a 450 nm.
De acuerdo con un modo de realización, las nanopartículas 3 absorben la luz incidente con una longitud de onda inferior a 50 pm, 40 pm, 30 pm, 20 pm, 10 pm, 1 pm, 950 nm, 900 nm, 850 nm, 800 nm, 750 nm, 700 nm, 650 nm, 600 nm, 550 nm, 500 nm, 450 nm, 400 nm, 350 nm, 300 nm, 250 nm, o inferior a 200 nm.
De acuerdo con un modo de realización, las nanopartículas 3 son nanopartículas luminiscentes.
De acuerdo con un modo de realización, las nanopartículas luminiscentes son nanopartículas fluorescentes.
De acuerdo con un modo de realización, las nanopartículas luminiscentes son nanopartículas fosforescentes.
De acuerdo con un modo de realización, las nanopartículas luminiscentes son nanopartículas quimioluminiscentes.
De acuerdo con un modo de realización, las nanopartículas luminiscentes son nanopartículas triboluminiscentes.
De acuerdo con un modo de realización, las nanopartículas luminiscentes presentan un espectro de emisión con al menos un pico de emisión, en el que dicho pico de emisión tiene una longitud de onda de emisión máxima que oscila entre 400 nm y 50 pm.
De acuerdo con un modo de realización, las nanopartículas luminiscentes presentan un espectro de emisión con al menos un pico de emisión, en el que dicho pico de emisión tiene una longitud de onda máxima de emisión que oscila entre 400 nm y 500 nm. En este modo de realización, las nanopartículas luminiscentes emiten luz azul.
De acuerdo con un modo de realización, las nanopartículas luminiscentes presentan un espectro de emisión con al menos un pico de emisión, en el que dicho pico de emisión tiene una longitud de onda de emisión máxima que oscila entre 500 nm y 560 nm, más preferentemente entre 515 nm y 545 nm. En este modo de realización, las nanopartículas luminiscentes emiten luz verde.
De acuerdo con un modo de realización, las nanopartículas luminiscentes presentan un espectro de emisión con al menos un pico de emisión, en el que dicho pico de emisión tiene una longitud de onda de emisión máxima que oscila entre 560 nm y 590 nm. En este modo de realización, las nanopartículas luminiscentes emiten luz amarilla.
De acuerdo con un modo de realización, las nanopartículas luminiscentes presentan un espectro de emisión con al menos un pico de emisión, en el que dicho pico de emisión tiene una longitud de onda de emisión máxima que oscila entre 590 nm y 750 nm, más preferentemente entre 610 nm y 650 nm. En este modo de realización, las nanopartículas luminiscentes emiten luz roja.
De acuerdo con un modo de realización, las nanopartículas luminiscentes presentan un espectro de emisión con al menos un pico de emisión, en el que dicho pico de emisión tiene una longitud de onda de emisión máxima que oscila entre 750 nm y 50 pm. En este modo de realización, las nanopartículas luminiscentes emiten luz infrarroja cercana, infrarroja media o infrarroja.
De acuerdo con un modo de realización, las nanopartículas luminiscentes presentan espectros de emisión con al menos un pico de emisión que tiene una anchura a media altura inferior a 90 nm, 80 nm, 70 nm, 60 nm, 50 nm, 40 nm, 30 nm, 25 nm, 20 nm, 15 nm o 10 nm.
De acuerdo con un modo de realización, las nanopartículas luminiscentes presentan espectros de emisión con al menos un pico de emisión que tiene una anchura a un cuarto de altura inferior a 90 nm, 80 nm, 70 nm, 60 nm, 50 nm, 40 nm, 30 nm, 25 nm, 20 nm, 15 nm, o 10 nm.
De acuerdo con un modo de realización, las nanopartículas luminiscentes exhiben espectros de emisión con al menos un pico de emisión que tiene una anchura máxima promedio estrictamente inferior a 40 nm, 30 nm, 25 nm, 20 nm, 15 nm o 10 nm.
De acuerdo con un modo de realización, las nanopartículas luminiscentes presentan espectros de emisión con al menos un pico de emisión que tiene una anchura al cuarto de altura estrictamente inferior a 40 nm, 30 nm, 25 nm, 20 nm, 15 nm o 10 nm.
De acuerdo con un modo de realización, las nanopartículas luminiscentes tienen un rendimiento cuántico de fotoluminiscencia (PLQY) de al menos 5%, 10%, 15%, 20%, 25%, 30%, 35%, 40%, 45%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 75%, 80%, 85%, 90%, 95%, 99% o 100%.
De acuerdo con un modo de realización, las nanopartículas luminiscentes tienen un tiempo de vida de fluorescencia medio de al menos 0.1 nanosegundo, 0.2 nanosegundos, 0.3 nanosegundos, 0.4 nanosegundos, 0.5 nanosegundos, 0.6 nanosegundos, 0.7 nanosegundos, 0.8 nanosegundos, 0.9 nanosegundos, 1 nanosegundo, 2 nanosegundos, 3 nanosegundos, 4 nanosegundos, 5 nanosegundos, 6 nanosegundos, 7 nanosegundos, 8 nanosegundos, 9 nanosegundos, 10 nanosegundos, 11 nanosegundos, 12 nanosegundos, 13 nanosegundos, 14 nanosegundos, 15 nanosegundos, 16 nanosegundos, 17 nanosegundos 18 nanosegundos, 19 nanosegundos, 20 nanosegundos, 21 nanosegundos, 22 nanosegundos, 23 nanosegundos, 24 nanosegundos, 25 nanosegundos, 26 nanosegundos, 27 nanosegundos, 28 nanosegundos, 29 nanosegundos, 30 nanosegundos, 31 nanosegundos, 32 nanosegundos, 33 nanosegundos, 34 nanosegundos, 35 nanosegundos, 36 nanosegundos, 37 nanosegundos, 38 nanosegundos, 39 nanosegundos, 40 nanosegundos, 41 nanosegundos, 42 nanosegundos, 43 nanosegundos, 44 nanosegundos, 45 nanosegundos, 46 nanosegundos, 47 nanosegundos, 48 nanosegundos, 49 nanosegundos, 50 nanosegundos, 100 nanosegundos, 150 nanosegundos 200 nanosegundos, 250 nanosegundos, 300 nanosegundos, 350 nanosegundos, 400 nanosegundos, 450 nanosegundos, 500 nanosegundos, 550 nanosegundos, 600 nanosegundos, 650 nanosegundos, 700 nanosegundos, 750 nanosegundos, 800 nanosegundos, 850 nanosegundos, 900 nanosegundos, 950 nanosegundos o 1 microsegundo.
De acuerdo con un modo de realización, las nanopartículas luminiscentes son nanopartículas semiconductoras.
De acuerdo con un modo de realización, las nanopartículas luminiscentes son nanocristales semiconductores.
De acuerdo con un modo de realización, los ligandos unidos a la superficie de una nanopartícula 3 están en contacto con el material inorgánico 2. En este modo de realización, dicha nanopartícula 3 está unida al material inorgánico 2 y las cargas eléctricas de dicha nanopartícula 3 pueden ser evacuadas. De este modo se evitan las reacciones en la superficie de las nanopartículas 3 que pueden ser debidas a las cargas eléctricas.
De acuerdo con un modo de realización, las nanopartículas 3 son hidrofóbicas.
De acuerdo con un modo de realización, las nanopartículas 3 son hidrofílicas.
De acuerdo con un modo de realización, las nanopartículas 3 son dispersables en disolventes acuosos, disolventes orgánicos y/o mezcla de éstos.
De acuerdo con un modo de realización, las nanopartículas 3 tienen un tamaño medio de al menos 0.5 nm, 1 nm, 2 nm, 3 nm, 4 nm, 5 nm, 6 nm, 7 nm, 8 nm, 9 nm, 10 nm, 11 nm, 12 nm, 13 nm, 14 nm, 15 nm, 16 nm, 17 nm, 18 nm, 19 nm, 20 nm, 21 nm, 22 nm, 23 nm, 24 nm, 25 nm, 26 nm, 27 nm, 28 nm, 29 nm, 30 nm, 31 nm, 32 nm, 33 nm, 34 nm, 35 nm, 36 nm, 37 nm, 38 nm, 39 nm, 40 nm, 41 nm, 42 nm, 43 nm, 44 nm, 45 nm, 46 nm, 47 nm, 48 nm, 49 nm, 50 nm, 55 nm, 60 nm, 65 nm, 70 nm, 75 nm, 80 nm, 85 nm, 90 nm, 95 nm, 100 nm, 105 nm, 110 nm, 115 nm, 120 nm, 125 nm, 130 nm, 135 nm, 140 nm, 145 nm, 150 nm, 200 nm, 210 nm, 220 nm, 230 nm, 240 nm, 250 nm, 260 nm, 270 nm, 280 nm, 290 nm, 300 nm, 350 nm, 400 nm, 450 nm, 500 nm, 550 nm, 600 nm, 650 nm, 700 nm, 750 nm, 800 nm, 850 nm, 900 nm, 950 nm, 1 jm , 1.5 jm , 2.5 jm , 3 jm , 3. , 4 jm , jm , 5 jm , 5.5 jm , 6 jm , 6.5 jm , 7 jm , jm i, 8 jm , 8.5 jm , 9 jm , 9.5 jm , 10 jm , 10.5 jm , 11 jm , 11.5 jm , 12 jm , 12.5 jm , 13 jm , 13.5 jm , 14 jm , 14.5 jm , 15 jm , 15.5 jm , 16 jm , 16.5 jm , 17 jm , 17.5 jm , 18 jm , 18.5 jm , 19 jm , 19.5 jm , 20 jm , 20.5 jm , 21 jm , 21.5 jm , 22 jm , 22.5 jm , 23 jm , 23.5 jm , 24 jm , 24.5 jm , 25 jm , 25.5 jm , 26 jm , 26.5 jm , 27 jm , 27.5 jm , 28 jm , 28.5 jm , 29 jm , 29.5 jm , 30 jm , 30.5 jm , 31 jm , 31.5 jm , 32 jm , 32.5 jm , 33 jm , 33.5 jm , 34 jm , 34.5 jm , 35 jm , 35.5 jm , 36 jm , 36.5 jm , 37 jm , 37.5 jm , 38 jm , 38.5 jm , 39 jm , 39.5 jm , 40 jm , 40.5 jm , 41 jm , 41.5 jm , 42 jm , 42.5 jm , 43 jm , 43.5 jm , 44 jm , 44.5 jm , 45 jm , 45.5 jm , 46 jm , 46.5 jm , 47 jm , 47.5 jm , 48 jm , 48.5 jm , 49 jm , 49.5 jm , 50 jm , 50.5 jm , 51 jm , 51.5 jm , 52 jm , 52.5 jm , 53 jm , 53.5 jm , 54 jm , 54.5 jm , 55 jm , 55.5 jm , 56 jm , 56.5 jm , 57 jm , 57.5 jm , 58 jm , 58.5 jm , 59 jm , 59.5 jm , 60 jm , 60.5 jm , 61 jm , 61.5 jm , 62 jm , 62.5 jm , 63 jm , 63.5 jm , 64 jm , 64.5 jm , 65 jm , 65.5 jm , 66 jm , 66.5 jm , 67 jm , 67.5 jm , 68 jm , 68.5 jm , 69 jm , 69.5 jm , 70 jm , 70.5 jm , 71 jm , 71.5 jm , 72 jm , 72.5 jm , 73 jm , 73.5 jm , 74 jm , 74.5 jm , 75 jm , 75.5 jm , 76 jm , 76.5 jm , 77 jm , 77.5 jm , 78 jm , 78.5 jm , 79 jm , 79.5 jm , 80 jm , 80.5 jm , 81 jm , 81.5 jm , 82 jm , 82.5 jm , 83 jm , 83.5 jm , 84 jm , 84.5 jm , 85 jm , 85.5 jm , 86 jm , 86.5 jm , 87 jm , 87.5 jm , 88 jm , 88.5 jm , 89 jm , 89.5 jm , 90 jm , 90.5 jm , 91 jm , 91.5 jm , 92 jm , 92.5 jm , 93 jm , 93.5 jm , 94 jm , 94.5 jm , 95 jm , 95.5 jm , 96 jm , 96.5 jm , 97 jm , 97.5 jm , 98 jm , 98.5 jm , 99 jm , 99.5 jm , 100 jm , 200 jm i, 250 jm , 300 jm , 350 jm , 400 jm , 450 |jm , 500 jm , 550 jm , 600 jm , 650 jm , 700 |jm, 750 |jm, 800 jm , 850 jm , 900 jm , 950 jm , o 1 mm.
De acuerdo con un modo de realización, la mayor dimensión de las nanopartículas 3 es al menos 5 nm, 10 nm, 15 nm, 20 nm, 25 nm, 30 nm, 35 nm, 40 nm, 45 nm, 50 nm, 55 nm, 60 nm, 65 nm, 70 nm, 75 nm, 80 nm, 85 nm, 90 nm, 95 nm, 100 nm, 105 nm, 110 nm, 115 nm, 120 nm, 125 nm, 130 nm, 135 nm, 140 nm, 145 nm, 150 nm, 200 nm, 210 nm, 220 nm, 230 nm, 240 nm, 250 nm, 260 nm, 270 nm, 280 nm, 290 nm, 300 nm, 350 nm, 400 nm, 450 nm, 500 nm, 550 nm, 600 nm, 650 nm, 700 nm, 750 nm, 800 nm, 850 nm, 900 nm, 950 nm, 1 jm , 1.5 jm , 2.5 jm , 3 jm , 3.5 jm , 4 jm , 4.5 jm , 5 jm , 5.5 jm , 6 jm , jm , 7 jm , 7.5 jm , 8 jm , 8.5 jm , 9 jm , 9.5 jm , 10 jm , 10.5 jm , 11 jm , 11.5 jm , 12 jm , 12.5 jm , 13 jm , 13.5 jm , 14 jm , 14.5 jm , 15 jm , 15.5 jm , 16 jm , 16.5 jm , 17 jm , 17.5 jm , 18 jm , 18.5 jm , 19 jm , 19.5 jm , 20 jm , 20.5 jm , 21 jm , 21.5 jm , 22 jm , 22.5 jm , 23 jm , 23.5 jm , 24 jm , 24.5 jm , 25 jm , 25.5 jm , 26 jm , 26.5 jm , 27 jm , 27.5 jm , 28 jm , 28.5 jm , 29 jm , 29.5 jm , 30 jm , 30.5 jm , 31 jm , 31.5 jm , 32 jm , 32.5 jm , 33 jm , 33.5 jm , 34 jm , 34.5 jm , 35 jm , 35.5 jm , 36 jm , 36.5 jm , 37 jm , 37.5 jm , 38 jm , 38.5 jm , 39 jm , 39.5 jm , 40 jm , 40.5 jm , 41 jm , 41.5 jm , 42 jm , 42.5 jm , 43 jm , 43.5 jm , 44 jm , 44.5 jm , 45 jm , 45.5 jm , 46 jm , 46.5 jm , 47 jm , 47.5 jm , 48 jm , 48.5 jm , 49 jm , 49.5 jm , 50 jm , 50.5 jm , 51 jm , 51.5 jm , 52 jm , 52.5 jm , 53 jm , 53.5 jm , 54 jm , 54.5 jm , 55 jm , 55.5 jm , 56 jm , 56.5 jm , 57 jm , 57.5 jm , 58 jm , 58.5 jm , 59 jm , 59.5 jm , 60 jm , 60.5 jm , 61 jm , 61.5 jm , 62 jm , 62.5 jm , 63 jm , 63.5 jm , 64 jm , 64.5 jm , 65 jm , 65.5 jm , 66 jm , 66.5 jm , 67 jm , 67.5 jm , 68 jm , 68.5 jm , 69 jm , 69.5 jm , 70 jm , 70.5 jm , 71 jm , 71.5 jm , 72 jm , 72.5 jm , 73 jm , 73.5 jm , 74 jm , 74.5 jm , 75 jm , 75.5 jm , 76 jm , 76.5 jm , 77 jm , 77.5 jm , 78 jm , 78.5 jm , 79 jm , 79.5 jm , 80 jm , 80.5 jm , 81 jm , 81.5 jm , 82 jm , 82.5 jm , 83 jm , 83.5 jm , 84 jm , 84.5 jm , 85 jm , 85.5 jm , 86 jm , 86.5 jm , 87 jm , 87.5 jm , 88 jm , 88.5 jm , 89 jm , 89.5 jm , 90 jm , 90.5 jm , 91 jm , 91.5 jm , 92 jm , 92.5 jm , 93 jm , 93.5 jm , 94 jm , 94.5 jm , 95 jm , 95.5 jm , 96 jm , 96.5 jm 97 jm , 97.5 jm , 98 jm , 98.5 jmi, 99 jm , 99.5 jm , 100 jm , 200 jm , 250 jm , 300 j m, 350 jm , 400 jm , 450 jm , 500 jm , 550 jm , 600 jm , 650 jm , 700 j m, 750 jm , 800 jm , 850 jm , 900 jm i, 950 jm , o ' mm.
De acuerdo con un modo de realización, la dimensión mási pequeñai de las nanopartículas 3 es al menos 0.5 nm, 1 nm, 1.5 nm, 15 nm, 2 nm, 2.5 nm, 3 nm, 3.5 nm, 4 nm, 4.5 nm, 5 nm, 5.5 nm, 6 nm, 6.5 nm, 7 nm, 7.5 nm, 8 nm, 8.5 nm, 9 nm, 93.5 nm, 10 nm, 10.5 nm, 11 nm, 11.5 nm, 12 nm, '12.5 nm, ■13 nm, 13.5 r m, 14 nm, 14.5 nm, 15 nm, 15.5 nm, 16 nm, 16.5 nm, 17 nm, 17.5 nm, 18 nm, 18.5 nm, 19 nm, 19.5 nm, 20 nm, 30 nm, 40 nm, 50 nm, 60 nm, 70 nm, 80 nm, 90 nm, 100 nm, 110 nm, 120 nm, 130 nm, 140 nm, 150 nm, 160 nm, 170 nm, 180 nm, 190 nm, 200 nm, 210 nm, 220 nm, 230 nm, 240 nm, 250 nm, 260 nm, 270 nm, 280 nm, 290 nm, 300 nm, 350 nm, 400 nm, 450 nm, 500 nm, 550 nm, 600 nm, 650 nm, 700 nm, 750 nm, 800 nm, 850 nm, 900 nm, 950 nm, 1 jm , 1.5 jm , 2.5 jm , 3 jm , 3.5 jm , 4 jm , 4.5 jm , 5 jm , 5.5 jm , 6 jm , 6.5 jm , 7 jm , 7.5 jm , 8 jm , 8.5 jm , 9 jm , 9.5 jm , 10 jm , 10.5 jm , 11 jm , 11.5 jm , 12 jm , 12.5 jm , 13 jm , 13.5 jm , 14 jm , 14.5 jm , 15 jm , 15.5 jm , 16 jm , 16.5 jm , 17 jm , 17.5 jm , 18 jm , 18.5 jm , 19 jm , 19.5 jm , 20 jm , 20.5 jm , 21 jm , 21.5 jm , 22 jm , 22.5 jm , 23 jm , 23.5 jm , 24 jm , 24.5 jm , 25 jm , 25.5 jm , 26 jm, 26.5 jm, 27 jm, 27.5 jm, 28 jm, 28.5 jm, 29 jm, 29.5 jm, 30 jm, 30.5 jm, 31 jm, 31.5 jm, 32 jm, 32.5 jm
33 jm, 33.5 jm, 34 jm, 34.5 jm, 35 jm, 35.5 jm, 36 jm, 36.5 jm, 37 jm, 37.5 jm, 38 jm, 38.5 jm, 39 jm, 39.5 jm
40 jm, 40.5 jm, 41 jm, 41.5 jm, 42 jm, 42.5 jm, 43 jm, 43.5 jm, 44 jm, 44.5 jm, 45 jm, 45.5 jm, 46 jm, 46.5 jm
47 jm, 47.5 jm, 48 jm, 48.5 jm, 49 jm, 49.5 jm, 50 jm, 50.5 jm, 51 jm, 51.5 jm, 52 jm, 52.5 jm, 53 jm, 53.5 jm
54 jm, 54.5 jm, 55 jm, 55.5 jm, 56 jm, 56.5 jm, 57 jm, 57.5 jm, 58 jm, 58.5 jm, 59 jm, 59.5 jm, 60 jm, 60.5 jm
61 jm, 61.5 jm, 62 jm, 62.5 jm, 63 jm
63 5 jm, 64 jm, 64.5 jm, 65 jm, 655 jm, 66 jm, 66.5 jm, 67 jm, 675 jm, 68 jm, 68.5 jm, 69 jm, 69.5 jm, 70 jm
70.5 |jm, 71 |jm, 71.5 |jm, 72 |jm, 72.5 |jm, 73 |jm, 73.5 |jm, 74 jim, 74.5 |jm, 75 jim, 75.5 |jm, 76 jim, 76.5 jim, 77 |jm,
77.5 jim, 78 jim, 78.5 jim, 79 jim, 79.5 jim, 80 jim, 80.5 jim, 81 jim, 81.5 jim, 82 jim, 82.5 jim, 83 jim, 83.5 jim, 84 jim,
84.5 jim, 85 jim, 85.5 jim, 86 jim, 86.5 jim, 87 jim, 87.5 jim, 88 jim, 88.5 jim, 89 jim, 89.5 jim, 90 jim, 90.5 jim, 91 jim,
91.5 jim, 92 jim, 92.5 jim, 93 jim, 93.5 jim, 94 jim, 94.5 jim, 95 jim, 95.5 jim, 96 jim, 96.5 jim, 97 jim, 97.5 jim, 98 jim,
98.5 jim, 99 jim, 99.5 jim, 100 jim, 200 jim, 250 jim, 300 jim, 350 jim, 400 jim, 450 jim, 500 jim, 550 jim, 600 jim, 650 jim, 700 jim, 750 jim, 800 jim, 850 jim, 900 jim, 950 jim, o 1 mm.
De acuerdo con un modo de realización, la dimensión más pequeña de las nanopartículas 3 es menor que la dimensión más grande de dicha nanopartícula 3 por un factor (relación de aspecto) de al menos 1.5; al menos 2; al menos 2.5;
al menos 3; al menos 3.5; al menos 4; al menos 4.5; al menos 5; al menos 5.5; al menos 6 ; al menos 6.5; al menos 7;
al menos 7.5; al menos 8 ; al menos 8.5; al menos 9; al menos 9.5; al menos 10; al menos 10.5; al menos 11; al menos
11.5; al menos 12; al menos 12.5; al menos 13; al menos 13.5; al menos 14; al menos 14.5; al menos 15; al menos
15.5; al menos 16; al menos 16.5; al menos 17; al menos 17.5; al menos 18; al menos 18.5; al menos 19; al menos
19.5; al menos 20; al menos 25; al menos 30; al menos 35; al menos 40; al menos 45; al menos 50; al menos 55; al menos 60; al menos 65; al menos 70; al menos 75; al menos 80; al menos 85; al menos 90; al menos 95; al menos
100, al menos 150, al menos 200, al menos 250, al menos 300, al menos 350, al menos 400, al menos 450, al menos
500, al menos 550, al menos 600, al menos 650, al menos 700, al menos 750, al menos 800, al menos 850, al menos
900, al menos 950, o al menos 1000.
De acuerdo con un modo de realización, las nanopartículas 3 son polidispersas.
De acuerdo con un modo de realización, las nanopartículas 3 son monodispersas.
De acuerdo con un modo de realización, las nanopartículas 3 presentan una distribución de tamaño estrecha.
De acuerdo con un modo de realización, la distribución de tamaños para la dimensión más pequeña de un conjunto estadístico de nanopartículas 3 es inferior al 1%, 2%, 3%, 4%, 5%, 6 %, 7%, 8%, 9%, 10%, 15%, 20%, 25%, 30%, 35% o 40% de dicha dimensión más pequeña.
De acuerdo con un modo de realización, la distribución de tamaños para la dimensión más grande de un conjunto estadístico de nanopartículas 3 es inferior al 1%, 2%, 3%, 4%, 5%, 6%, 7%, 8%, 9%, 10%, 15%, 20%, 25%, 30%, 35% o 40% de dicha dimensión más grande.
De acuerdo con un modo de realización, las nanopartículas 3 son huecas.
De acuerdo con un modo de realización, las nanopartículas 3 no son huecas.
De acuerdo con un modo de realización, las nanopartículas 3 son isotrópicas.
De acuerdo con un modo de realización, los ejemplos de forma de las nanopartículas isotrópicas 3 incluyen, pero no se limitan a: esfera 31 (como se ilustra en la Fig. 2), esfera facetada, prisma, poliedro o forma cúbica.
De acuerdo con un modo de realización, las nanopartículas 3 no son esféricas.
De acuerdo con un modo de realización, las nanopartículas 3 son anisótropas.
De acuerdo con un modo de realización, los ejemplos de forma de las nanopartículas anisotrópicas 3 incluyen, pero no se limitan a: varilla, alambre, aguja, banda, cinturón, cono o forma de poliedro.
De acuerdo con un modo de realización, los ejemplos de forma ramificada de las nanopartículas anisotrópicas 3 incluyen, pero no se limitan a: forma de monópodo, bípode, trípode, tetrápodo, estrella u octópodo.
De acuerdo con un modo de realización, los ejemplos de forma compleja de las nanopartículas anisotrópicas 3 incluyen, pero no se limitan a: copo de nieve, flor, espina, semiesfera, cono, erizo, partícula filamentosa, discoide bicóncava, gusano, árbol, dendrita, collar o cadena.
De acuerdo con un modo de realización, como se ilustra en la Fig. 3, las nanopartículas 3 tienen una forma 2D 32.
De acuerdo con un modo de realización, los ejemplos de forma de las nanopartículas 2D 32 incluyen, pero no se limitan a: hoja, plaqueta, placa, cinta, pared, triángulo de placa, cuadrado, pentágono, hexágono, disco o anillo.
De acuerdo con un modo de realización, una nanoplaqueta es diferente de un nanodisco.
De acuerdo con un modo de realización, una nanoplaqueta es diferente de un disco o un nanodisco.
De acuerdo con un modo de realización, las nanohojas y las nanoplaquetas no son discos ni nanodiscos. En este modo de realización, la sección a lo largo de las otras dimensiones que el espesor (anchura, longitud) de dichas nanohojas o nanoplaquetas es cuadrada o rectangular, mientras que es circular u ovoide para los discos o nanodiscos.
De acuerdo con un modo de realización, las nanohojas y nanoplaquetas no son discos o nanodiscos. En este modo de realización, ninguna de las dimensiones de dichas nanohojas y nanoplaquetas puede definirse como un diámetro ni como el tamaño de un semieje mayor y un semieje menor, a diferencia de los discos o nanodiscos.
De acuerdo con un modo de realización, las nanohojas y nanoplaquetas no son discos o nanodiscos. En este modo de realización, la curvatura en todos los puntos a lo largo de las dimensiones distintas del espesor (longitud, anchura) de dichas nanohojas o nanoplaquetas es inferior a 10 pm-1, mientras que la curvatura para los discos o nanodiscos es superior en al menos un punto.
De acuerdo con un modo de realización, las nanohojas y nanoplaquetas no son discos o nanodiscos. En este modo de realización, la curvatura en al menos un punto a lo largo de las dimensiones distintas del espesor (longitud, anchura) de dichas nanohojas o nanoplaquetas es inferior a 10 pm-1, mientras que la curvatura para los discos o nanodiscos es superior a 10 pm-1 en todos los puntos.
De acuerdo con un modo de realización, una nanoplaqueta es diferente de un punto cuántico, o de un nanocristal esférico. Un punto cuántico es esférico, por lo que tiene una forma tridimensional y permite el confinamiento de los excitones en las tres dimensiones espaciales, mientras que la nanoplaqueta tiene una forma bidimensional y permite el confinamiento de los excitones en una dimensión y la libre propagación en las otras dos dimensiones. Esto da lugar a propiedades electrónicas y ópticas distintas, por ejemplo, el tiempo típico de decaimiento de la fotoluminiscencia de las plaquetas semiconductoras es un orden de magnitud más rápido que el de los puntos cuánticos esféricos, y las plaquetas semiconductoras también muestran una característica óptica excepcionalmente estrecha con una anchura total a media altura (FWHM) mucho menor que la de los de los puntos cuánticos esféricos.
De acuerdo con un modo de realización, una nanoplaqueta es diferente de un nanorod (o nanocable). Un nanorod tiene una forma 1D y permite el confinamiento de excitones en dos dimensiones espaciales, mientras que la nanoplaqueta tiene una forma 2D y permite el confinamiento de excitones en una dimensión y la libre propagación en las otras dos dimensiones. Esto da lugar a propiedades electrónicas y ópticas distintas.
De acuerdo con un modo de realización, para obtener una partícula compuesta 1 que cumpla con la normativa ROHS, dicha partícula compuesta 1 comprende más bien nanoplaquetas semiconductoras que puntos cuánticos semiconductores. En efecto, se obtiene una misma posición de pico de emisión para los puntos cuánticos semiconductores con un diámetro d, y para las nanoplaquetas semiconductoras con un espesor d/2 ; así, para una misma posición de pico de emisión, una nanoplaqueta semiconductora comprende menos cadmio en peso que un punto cuántico semiconductor. Además, si un núcleo de CdS está incluido en un punto cuántico núcleo/capa o en una nanoplaqueta núcleo/capa (o núcleo/corona), entonces hay más posibilidades de capas de revestimiento sin cadmio en el caso de la nanoplaqueta núcleo/capa (o núcleo/corona); así, una nanoplaqueta núcleo/capa (o núcleo/corona) con un núcleo de CdS puede comprender menos cadmio en peso que un punto cuántico núcleo/capa con un núcleo de CdS. La diferencia de red entre las capas de CdS y las de no cadmio es demasiado importante para que el punto cuántico se sostenga. Por último, las nanoplaquetas semiconductoras tienen mejores propiedades de absorción que los puntos cuánticos semiconductores, por lo que se necesita menos cadmio en peso en las nanoplaquetas semiconductoras.
De acuerdo con un modo de realización, las nanopartículas 3 son atómicamente planas. En este modo de realización, las nanopartículas atómicamente planas 3 pueden evidenciarse mediante microscopía electrónica de transmisión o microscopía de barrido de fluorescencia, espectroscopia de rayos X de energía dispersiva (EDS), espectroscopía fotoelectrónica de rayos X (XPS), espectroscopía fotoelectrónica UV (UPS), espectroscopia de pérdida de energía de electrones (EELS), fotoluminiscencia o cualquier otro medio de caracterización conocido por el experto en la materia.
De acuerdo con un modo de realización, como se ilustra en la Fig. 5A, las nanopartículas 3 son nanopartículas centrales 33 sin capa.
De acuerdo con un modo de realización, las nanopartículas 3 comprenden al menos una nanopartícula de núcleo atómicamente plana. En este modo de realización, el núcleo atómicamente plano puede evidenciarse mediante microscopía electrónica de transmisión o microscopía de barrido de fluorescencia, espectroscopia de rayos X de energía dispersiva (EDS), espectroscopía fotoelectrónica de rayos X (XPS), espectroscopía fotoelectrónica UV (UPS), espectroscopia de pérdida de energía de electrones (EELS), fotoluminiscencia o cualquier otro medio de caracterización conocido por el experto en la materia.
De acuerdo con un modo de realización, las nanopartículas 3 son nanopartículas de tipo núcleo 33/capa 34, en las que el núcleo 33 está parcial o totalmente cubierto por al menos una capa 34 que comprende al menos una capa de material.
De acuerdo con un modo de realización, como se ilustra en la Fig. 5B-C y la Fig. 5F-G, las nanopartículas 3 son nanopartículas de tipo núcleo 33/capa 34, en las que el núcleo 33 está cubierto con al menos una capa (34, 35).
De acuerdo con un modo de realización, al menos una capa (34, núcleo/capa) tiene un grosor de al menos 0.1 nm, 0.2 nm, 0.3 nm, 0.4 nm, 0.5 nm, 1 nm, 1.5 nm, 2 nm, 2.5 nm, 3 nm, 3.5 nm, 4 nm, 4.5 nm, 5 nm, 5.5 nm, 6 nm, 6.5 nm, 7 nm, 7.5 nm, 8 nm, 8.5 nm, 9 nm, 9.5 nm, 10 nm, 10.5 nm, 11 nm, 11.5 nm, 12 nm, 12.5 nm, 13 nm, 13.5 nm, 14 nm, 14.5 nm, 15 nm, 15.5 nm, 16 nm, 16.5 nm, 17 nm, 17.5 nm, 18 nm, 18.5 nm, 19 nm, 19.5 nm, 20 nm, 30 nm, 40 nm, 50 nm, 60 nm, 70 nm, 80 nm, 100 nm, 110 nm, 120 nm, 130 nm, 140 nm, 150 nm, 160 nm, 170 nm, 180 nm, 190 nm, 200 nm, 210 nm, 220 nm, 230 nm, 240 nm, 250 nm, 260 nm, 270 nm, 280 nm, 290 nm, 300 nm, 350 nm, 400 nm, 450 nm, o 500 nm.
De acuerdo con un modo de realización, las nanopartículas 3 son nanopartículas de tipo núcleo 33/capa 34, en las que el núcleo 33 y la capa 34 están compuestos del mismo material.
De acuerdo con un modo de realización, las nanopartículas 3 son nanopartículas de tipo núcleo 33/capa 34, en las que el núcleo 33 y la capa 34 están compuestos por al menos dos materiales diferentes.
De acuerdo con un modo de realización, las nanopartículas 3 son nanopartículas de tipo núcleo 33/capa 34, en las que el núcleo 33 es un núcleo luminiscente cubierto con al menos una capa 34 seleccionada en el grupo de material magnético, material plasmónico, material dieléctrico, material piezoeléctrico, material piroeléctrico, material ferroeléctrico, material dispersante de luz, material eléctricamente aislante, material térmicamente aislante o material catalítico.
De acuerdo con un modo de realización, las nanopartículas 3 son nanopartículas de tipo núcleo 33/capa 34, en las que el núcleo 33 es un núcleo magnético cubierto con al menos una capa 34 seleccionada en el grupo de material luminiscente, material plasmónico, material dieléctrico, material piezoeléctrico, material piroeléctrico, material ferroeléctrico, material dispersante de luz, material eléctricamente aislante, material térmicamente aislante o material catalítico.
De acuerdo con un modo de realización, las nanopartículas 3 son nanopartículas de tipo núcleo 33/capa 34, en las que el núcleo 33 es un núcleo plasmónico cubierto con al menos una capa 34 seleccionada en el grupo de material magnético, material luminiscente, material dieléctrico, material piezoeléctrico, material piroeléctrico, material ferroeléctrico, material dispersante de luz, material eléctricamente aislante, material térmicamente aislante o material catalítico.
De acuerdo con un modo de realización, las nanopartículas 3 son nanopartículas de tipo núcleo 33/capa 34, en las que el núcleo 33 es un núcleo dieléctrico cubierto con al menos una capa 34 seleccionada en el grupo de material magnético, material plasmónico, material luminiscente, material piezoeléctrico, material piroeléctrico, material ferroeléctrico, material dispersante de luz, material eléctricamente aislante, material térmicamente aislante o material catalítico.
De acuerdo con un modo de realización, las nanopartículas 3 son nanopartículas de tipo núcleo 33/capa 34, en las que el núcleo 33 es un núcleo piezoeléctrico cubierto con al menos una capa 34 seleccionada en el grupo de material magnético, material plasmónico, material dieléctrico, material luminiscente, material piroeléctrico, material ferroeléctrico, material dispersante de luz, material eléctricamente aislante, material térmicamente aislante o material catalítico.
De acuerdo con un modo de realización, las nanopartículas 3 son nanopartículas de tipo núcleo 33/capa 34, en las que el núcleo 33 es un núcleo piroeléctrico cubierto con al menos una capa 34 seleccionada en el grupo de material magnético, material plasmónico, material dieléctrico, material luminiscente, material piezoeléctrico, material ferroeléctrico, material dispersante de luz, material eléctricamente aislante, material térmicamente aislante o material catalítico.
De acuerdo con un modo de realización, las nanopartículas 3 son nanopartículas de tipo núcleo 33/capa 34, en las que el núcleo 33 es un núcleo ferroeléctrico cubierto con al menos una capa 34 seleccionada en el grupo de material magnético, material plasmónico, material dieléctrico, material luminiscente, material piezoeléctrico, material piroeléctrico, material dispersante de luz, material eléctricamente aislante, material térmicamente aislante o material catalítico.
De acuerdo con un modo de realización, las nanopartículas 3 son nanopartículas de tipo núcleo 33/capa 34, en las que el núcleo 33 es un núcleo dispersante de luz cubierto por al menos una capa 34 seleccionada en el grupo de material magnético, material plasmónico, material dieléctrico, material luminiscente, material piezoeléctrico, material piroeléctrico, material ferroeléctrico, material eléctricamente aislante, material térmicamente aislante o material catalítico.
De acuerdo con un modo de realización, las nanopartículas 3 son nanopartículas de tipo núcleo 33/capa 34, en las que el núcleo 33 es un núcleo eléctricamente aislante cubierto con al menos una capa 34 seleccionada en el grupo de material magnético, material plasmónico, material dieléctrico, material luminiscente, material piezoeléctrico, material piroeléctrico, material ferroeléctrico, material dispersante de luz, material térmicamente aislante o material catalítico.
De acuerdo con un modo de realización, las nanopartículas 3 son nanopartículas de tipo núcleo 33/capa 34, en las que el núcleo 33 es un núcleo aislante térmico cubierto con al menos una capa 34 seleccionada en el grupo de material magnético, material plasmónico, material dieléctrico, material luminiscente, material piezoeléctrico, material piroeléctrico, material ferroeléctrico, material dispersante de luz, material eléctricamente aislante o material catalítico.
De acuerdo con un modo de realización, las nanopartículas 3 son nanopartículas de tipo núcleo 33/capa 34, en las que el núcleo 33 es un núcleo catalítico cubierto con al menos una capa 34 seleccionada en el grupo de material magnético, material plasmónico, material dieléctrico, material luminiscente, material piezoeléctrico, material piroeléctrico, material ferroeléctrico, material dispersante de luz, material eléctricamente aislante o material térmicamente aislante.
De acuerdo con un modo de realización, las nanopartículas 3 son nanopartículas de tipo núcleo 33/capa 36, en las que el núcleo 33 está cubierto por una capa aislante 36. En esta realización, la capa aislante 36 impide la agregación de los núcleos 33.
De acuerdo con un modo de realización, la capa aislante 36 tiene un grosor de al menos 0.1 nm, 0.2 nm, 0.3 nm, 0.4 nm, 0.5 nm, 1 nm, 1.5 nm, 2 nm, 2.5 nm, 3 nm, 3.5 nm, 4 nm, 4.5 nm, 5 nm, 5.5 nm, 6 nm, 6.5 nm, 7 nm, 7.5 nm, 8 nm, 8.5 nm, 9 nm, 9.5 nm, 10 nm, 10.5 nm, 11 nm, 11.5 nm, 12 nm, 12.5 nm, 13 nm, 13.5 nm, 14 nm, 14.5 nm, 15 nm, 15.5 nm, 16 nm, 16.5 nm, 17 nm, 17.5 nm, 18 nm, 18.5 nm, 19 nm, 19.5 nm, 20 nm, 30 nm, 40 nm, 50 nm, 60 nm, 70 nm, 80 nm, 100 nm, 110 nm, 120 nm, 130 nm, 140 nm, 150 nm, 160 nm, 170 nm, 180 nm, 190 nm, 200 nm, 210 nm, 220 nm, 230 nm, 240 nm, 250 nm, 260 nm, 270 nm, 280 nm, 290 nm, 300 nm, 350 nm, 400 nm, 450 nm o 500 nm.
De acuerdo con un modo de realización, como se ilustra en la Fig. 5D y la Fig. 5H, las nanopartículas 3 son nanopartículas de tipo núcleo 33/capa (34, 35, 36), en las que el núcleo 33 está cubierto con al menos una capa (34, 35) y una capa aislante 36.
De acuerdo con un modo de realización, las capas (34, 35, 36) que cubren el núcleo 33 de las nanopartículas 3 pueden estar compuestas del mismo material.
De acuerdo con un modo de realización, las capas (34, 35, 36) que cubren el núcleo 33 de las nanopartículas 3 pueden estar compuestas por al menos dos materiales diferentes.
De acuerdo con un modo de realización, las capas (34, 35, 36) que cubren el núcleo 33 de las nanopartículas 3 pueden tener el mismo grosor.
De acuerdo con un modo de realización, las capas (34, 35, 36) que cubren el núcleo 33 de las nanopartículas 3 pueden tener un grosor diferente.
De acuerdo con un modo de realización, cada capa (34, 35, 36) que cubre el núcleo 33 de las nanopartículas 3 tiene un espesor homogéneo a lo largo del núcleo 33, es decir, cada capa (34, 35, 36) tiene un mismo espesor a lo largo del núcleo 33.
De acuerdo con un modo de realización, cada capa (34, 35, 36) que cubre el núcleo 33 de las nanopartículas 3 tiene un espesor heterogéneo a lo largo del núcleo 33, es decir, dicho espesor varía a lo largo del núcleo 33.
De acuerdo con un modo de realización, las nanopartículas 3 son nanopartículas de tipo núcleo 33/capa aislante 36, en las que los ejemplos de capa aislante 36 incluyen, pero no se limitan a: SiO2 no poroso, SiO2 mesoporoso, MgO no poroso, MgO mesoporoso, ZnO no poroso, ZnO mesoporoso, A^O3 no poroso, A^O3 mesoporoso, ZrO2 no poroso, ZrO2 mesoporoso, TiO2 no poroso, TiO2 mesoporoso, SnO2 no poroso, SnO2 mesoporoso, o una mezcla de estos. Dicha capa aislante 36 actúa como una barrera suplementaria contra la oxidación y puede drenar el calor si es un buen conductor térmico.
De acuerdo con un modo de realización, como se ilustra en la Fig. 5E, las nanopartículas 3 son nanopartículas de tipo núcleo 33/corona 37 con una estructura 2D, en la que el núcleo 33 está cubierto con al menos una corona 37.
De acuerdo con un modo de realización, las nanopartículas 3 son nanopartículas de tipo núcleo 33/corona 37, en las que el núcleo 33 está cubierto con una corona 37 que comprende al menos una capa de material.
De acuerdo con un modo de realización, las nanopartículas 3 son nanopartículas de tipo núcleo 33/corona 37, en las que el núcleo 33 y la corona 37 están compuestos del mismo material.
De acuerdo con un modo de realización, las nanopartículas 3 son nanopartículas de tipo núcleo 33/corona 37, en las que el núcleo 33 y la corona 37 están compuestos por al menos dos materiales diferentes.
De acuerdo con un modo de realización, las nanopartículas 3 son nanopartículas de tipo núcleo 33/corona 37, en las que el núcleo 33 es un núcleo luminiscente cubierto con al menos una corona 37 seleccionada en el grupo de material magnético, material plasmónico, material dieléctrico, material piezoeléctrico, material piroeléctrico, material ferroeléctrico, material dispersante de luz, material eléctricamente aislante, material térmicamente aislante o material catalítico.
De acuerdo con un modo de realización, las nanopartículas 3 son nanopartículas de tipo núcleo 33/corona 37, en las que el núcleo 33 es un núcleo magnético cubierto con al menos una corona 37 seleccionada en el grupo de material luminiscente, material plasmónico, material dieléctrico, material piezoeléctrico, material piroeléctrico, material ferroeléctrico, material dispersante de luz, material eléctricamente aislante, material térmicamente aislante o material catalítico.
De acuerdo con un modo de realización, las nanopartículas 3 son nanopartículas de tipo núcleo 33/corona 37, en las que el núcleo 33 es un núcleo plasmónico cubierto con al menos una corona 37 seleccionada en el grupo de material magnético, material luminiscente, material dieléctrico, material piezoeléctrico, material piroeléctrico, material ferroeléctrico, material dispersante de luz, material eléctricamente aislante, material térmicamente aislante o material catalítico.
De acuerdo con un modo de realización, las nanopartículas 3 son nanopartículas de tipo núcleo 33/corona 37, en las que el núcleo 33 es un núcleo dieléctrico cubierto con al menos una corona 37 seleccionada en el grupo de material magnético, material plasmónico, material luminiscente, material piezoeléctrico, material piroeléctrico, material ferroeléctrico, material dispersante de luz, material eléctricamente aislante, material térmicamente aislante o material catalítico.
De acuerdo con un modo de realización, las nanopartículas 3 son nanopartículas de tipo núcleo 33/corona 37, en las que el núcleo 33 es un núcleo piezoeléctrico cubierto con al menos una corona 37 seleccionada en el grupo de material magnético, material plasmónico, material dieléctrico, material luminiscente, material piroeléctrico, material ferroeléctrico, material dispersante de luz, material eléctricamente aislante, material térmicamente aislante o material catalítico.
De acuerdo con un modo de realización, las nanopartículas 3 son nanopartículas de tipo núcleo 33/corona 37, en las que el núcleo 33 es un núcleo piroeléctrico cubierto con al menos una corona 37 seleccionada en el grupo de material magnético, material plasmónico, material dieléctrico, material luminiscente, material piezoeléctrico, material ferroeléctrico, material dispersante de luz, material eléctricamente aislante, material térmicamente aislante o material catalítico.
De acuerdo con un modo de realización, las nanopartículas 3 son nanopartículas de tipo núcleo 33/corona 37, en las que el núcleo 33 es un núcleo ferroeléctrico cubierto con al menos una corona 37 seleccionada en el grupo de material magnético, material plasmónico, material dieléctrico, material luminiscente, material piezoeléctrico, material piroeléctrico, material dispersante de luz, material eléctricamente aislante, material térmicamente aislante o material catalítico.
De acuerdo con un modo de realización, las nanopartículas 3 son nanopartículas de tipo núcleo 33/corona 37, en las que el núcleo 33 es un núcleo dispersante de luz cubierto con al menos una corona 37 seleccionada en el grupo de material magnético, material plasmónico, material dieléctrico, material luminiscente, material piezoeléctrico, material piroeléctrico, material ferroeléctrico, material eléctricamente aislante, material térmicamente aislante o material catalítico.
De acuerdo con un modo de realización, las nanopartículas 3 son nanopartículas de tipo núcleo 33/corona 37, en las que el núcleo 33 es un núcleo eléctricamente aislante cubierto con al menos una corona 37 seleccionada en el grupo de material magnético, material plasmónico, material dieléctrico, material luminiscente, material piezoeléctrico, material piroeléctrico, material ferroeléctrico, material dispersante de luz, material térmicamente aislante o material catalítico.
De acuerdo con un modo de realización, las nanopartículas 3 son nanopartículas de tipo núcleo 33/corona 37, en las que el núcleo 33 es un núcleo térmicamente aislante cubierto con al menos una corona 37 seleccionada en el grupo de material magnético, material plasmónico, material dieléctrico, material luminiscente, material piezoeléctrico, material piroeléctrico, material ferroeléctrico, material dispersante de luz, material eléctricamente aislante o material catalítico.
De acuerdo con un modo de realización, las nanopartículas 3 son nanopartículas de tipo núcleo 33/corona 37, en las que el núcleo 33 es un núcleo catalítico cubierto con al menos una corona 37 seleccionada en el grupo de material magnético, material plasmónico, material dieléctrico, material luminiscente, material piezoeléctrico, material piroeléctrico, material ferroeléctrico, material dispersante de luz, material eléctricamente aislante o material térmicamente aislante.
De acuerdo con un modo de realización, las nanopartículas 3 son nanopartículas de tipo núcleo 33/corona 37, en las que el núcleo 33 está cubierto por una corona aislante. En esta realización, la corona aislante impide la agregación de los núcleos 33.
De acuerdo con un modo de realización, como se ilustra en la Fig. 4, la partícula compuesta 1 comprende una combinación de al menos dos nanopartículas diferentes (31, 32). En esta realización, la partícula compuesta 1 resultante mostrará diferentes propiedades.
En una realización preferida, la partícula compuesta 1 comprende al menos dos nanopartículas luminiscentes diferentes, en las que dichas nanopartículas luminiscentes tienen diferentes longitudes de onda de emisión.
En un modo de realización preferido, la partícula compuesta 1 comprende al menos dos nanopartículas luminiscentes diferentes, donde al menos una nanopartícula luminiscente emite a una longitud de onda en el rango de 500 a 560 nm, y al menos una nanopartícula luminiscente emite a una longitud de onda en el rango de 600 a 2500 nm. En este modo de realización, la partícula compuesta 1 comprende al menos una nanopartícula luminiscente que emite en la región verde del espectro visible y al menos una nanopartícula luminiscente que emite en la región roja del espectro visible, por lo que la partícula compuesta 1 emparejada con un LED azul será un emisor de luz blanca.
En un modo de realización preferido, la partícula compuesta 1 comprende al menos dos nanopartículas luminiscentes diferentes, en las que al menos una nanopartícula luminiscente emite a una longitud de onda en el rango de 400 a 490 nm, y al menos una nanopartícula luminiscente emite a una longitud de onda en el rango de 600 a 2500 nm. En este modo de realización, la partícula compuesta 1 comprende al menos una nanopartícula luminiscente que emite en la región azul del espectro visible y al menos una nanopartícula luminiscente que emite en la región roja del espectro visible, por lo que la partícula compuesta 1 será un emisor de luz blanca.
En un modo de realización preferido, la partícula compuesta 1 comprende al menos dos nanopartículas luminiscentes diferentes, en las que al menos una nanopartícula luminiscente emite a una longitud de onda en el rango de 400 a 490 nm, y al menos una nanopartícula luminiscente emite a una longitud de onda en el rango de 500 a 560 nm. En este modo de realización, la partícula compuesta 1 comprende al menos una nanopartícula luminiscente que emite en la región azul del espectro visible y al menos una nanopartícula luminiscente que emite en la región verde del espectro visible.
En un modo de realización preferido, la partícula compuesta 1 comprende tres nanopartículas luminiscentes diferentes, en las que dichas nanopartículas luminiscentes emiten diferentes longitudes de onda o colores de emisión.
En un modo de realización preferido, la partícula compuesta 1 comprende al menos tres nanopartículas luminiscentes diferentes, donde al menos una nanopartícula luminiscente emite a una longitud de onda en el rango de 400 a 490 nm, al menos una nanopartícula luminiscente emite a una longitud de onda en el rango de 500 a 560 nm y al menos una nanopartícula luminiscente emite a una longitud de onda en el rango de 600 a 2500 nm. En este modo de realización, la partícula compuesta 1 comprende al menos una nanopartícula luminiscente que emite en la región azul del espectro visible, al menos una nanopartícula luminiscente que emite en la región verde del espectro visible y al menos una nanopartícula luminiscente que emite en la región roja del espectro visible.
De acuerdo con un modo de realización, la partícula compuesta 1 comprende al menos una nanopartícula 3 sin capa y al menos una nanopartícula 3 seleccionada en el grupo de las nanopartículas 3 de tipo núcleo 33/capa 34 y de las nanopartículas 3 de tipo núcleo 33/capa aislante 36.
De acuerdo con un modo de realización, la partícula compuesta 1 comprende al menos una nanopartícula 3 de tipo núcleo 33/capa 34 y al menos una nanopartícula 3 seleccionada en el grupo de nanopartículas 3 sin capa y nanopartículas 3 de tipo núcleo 33/capa aislante 36.
De acuerdo con un modo de realización, la partícula compuesta 1 comprende al menos una nanopartícula 3 de tipo núcleo 33/capa aislante 36 y al menos una nanopartícula 3 seleccionada en el grupo de nanopartículas 3 sin capa y nanopartículas 3 de tipo núcleo 33/capa 34.
De acuerdo con un modo de realización, la partícula compuesta 1 comprende al menos dos nanopartículas 3.
De acuerdo con un modo de realización, la partícula compuesta 1 comprende más de diez nanopartículas 3.
De acuerdo con un modo de realización, la partícula compuesta 1 comprende al menos 11, al menos 12, al menos 13, al menos 14, al menos 15, al menos 16, al menos 17, al menos 18, al menos 19, al menos 20, al menos 21, al menos 22, al menos 23, al menos 24, al menos 25, al menos 26, al menos 27, al menos 28, al menos 29, al menos 30, al menos 31, al menos 32, al menos 33, al menos 34, al menos 35, al menos 36, al menos 37, al menos 38, al menos 39, al menos 40, al menos 41, al menos 42, al menos 43, al menos 44, al menos 45, al menos 46, al menos 47, al menos 48, al menos 49, al menos 50, al menos 51, al menos 52, al menos 53, al menos 54, al menos 55, al menos 56, al menos 57, al menos 58, al menos 59, al menos 60, al menos 61, al menos 62, al menos 63, al menos 64, al menos 65, al menos 66 , al menos 67, al menos 68 , al menos 69, al menos 70, al menos 71, al menos 72, al menos 73, al menos 74, al menos 75, al menos 76, al menos 77, al menos 78, al menos 79, al menos 80, al menos 81, al menos 82, al menos 83, al menos 84, al menos 85, al menos 86 , al menos 87, al menos 88 , al menos 89, al menos 90, al menos 91, al menos 92, al menos 93, al menos 94, al menos 95, al menos 96, al menos 97, al menos 98, al menos 99, al menos 100, al menos 200, al menos 300, al menos 400, al menos 500, al menos 600, al menos 700, al menos 800, al menos 900, al menos 1000, al menos 1500, al menos 2000, al menos 2500, al menos 3000, al menos 3500, al menos 4000, al menos 4500, al menos 5000, al menos 5500, al menos 6000, al menos 6500, al menos 7000, al menos 7500, al menos 8000, al menos 8500, al menos 9000, al menos 9500, al menos 10000, al menos 15000, al menos 20000, al menos 25000, al menos 30000, al menos 35000, al menos 40000, al menos 45000, al menos 50000, al menos 55000, al menos 60000, al menos 65000, al menos 70000, al menos 75000, al menos 80000, al menos 85000, al menos 90000, al menos 95000, o al menos 100000 nanopartículas 3.
De acuerdo con un modo de realización, el número de nanopartículas 3 comprendidas en una partícula compuesta 1 depende principalmente de la relación molar o de la relación de masas entre las especies químicas que permiten producir el material inorgánico 2 y las nanopartículas 3.
De acuerdo con un modo de realización, las nanopartículas 3 representan al menos el 0.01%, 0.05%, 0.1%, 0.15%, 0.2%, 0.25%, 0.3%, 0.35%, 0.4%, 0.45%, 0.5%, 0.55%, 0.6%, 0.65%, 0.7%, 0.75%, 0.8%, 0.85%, 0.9%, 0.95%, 1%, 2%, 3%, 4%, 5%, 6 %, 7%, 8%, 9%, 10%, 11%, 12%, 13%, 14%, 15%, 16%, 17%, 18%, 19%, 20%, 21%, 22%, 23%, 24%, 25%, 26%, 27%, 28%, 29%, 30%, 31%, 32%, 33%, 34%, 35%, 36%, 37%, 38%, 39%, 40%, 41%, 42%, 43%, 44%, 45%, 46%, 47%, 48%, 49%, 50%, 51%, 52%, 53%, 54%, 55%, 56%, 57%, 58%, 59%, 60%, 61%, 62%, 63%, 64%, 65%, 66%, 67%, 68%, 69%, 70%, 71%, 72%, 73%, 74%, 75%, 76%, 77%, 78%, 79%, 80%, 81%, 82%, 83%, 84%, 85%, 86%, 87%, 88%, 89%, 90%, 91%, 92%, 93%, 94%, 95%, 96%, 97%, 98%, o 99% en peso de la partícula compuesta 1.
De acuerdo con un modo de realización, la carga de nanopartículas 3 en una partícula compuesta 1 es de al menos 0.01%, 0.05%, 0.1%, 0.15%, 0.2%, 0.25%, 0.3%, 0.35%, 0.4%, 0.45%, 0.5%, 0.55%, 0.6%, 0.65%, 0.7%, 0.75%, 0.8%, 0.85%, 0.9%, 0.95%, 1%, 2%, 3%, 4%, 5%, 6%, 7%, 8%, 9%, 10%, 11%, 12%, 13%, 14%, 15%, 16%, 17%, 18%, 19%, 20%, 21%, 22%, 23%, 24%, 25%, 26%, 27%, 28%, 29%, 30%, 31%, 32%, 33%, 34%, 35%, 36%, 37%, 38%, 39%, 40%, 41%, 42%, 43%, 44%, 45%, 46%, 47%, 48%, 49%, 50%, 51%, 52%, 53%, 54%, 55%, 56%, 57%, 58%, 59%, 60%, 61%, 62%, 63%, 64%, 65%, 66%, 67%, 68%, 69%, 70%, 71%, 72%, 73%, 74%, 75%, 76%, 77%, 78%, 79%, 80%, 81%, 82%, 83%, 84%, 85%, 86%, 87%, 88%, 89%, 90%, 91%, 92%, 93%, 94%, 95%, 96%, 97%, 98%, o 99%.
De acuerdo con un modo de realización, la carga de nanopartículas 3 en una partícula compuesta 1 es inferior al 0.01%, 0.05%, 0.1%, 0.15%, 0.2%, 0.25%, 0.3%, 0.35%, 0.4%, 0.45%, 0.5%, 0.55%, 0.6%, 0.65%, 0.7%, 0.75%, 0.8%, 0.85%, 0.9%, 0.95%, 1%, 2%, 3%, 4%, 5%, 6%, 7%, 8%, 9%, 10%, 11%, 12%, 13%, 14%, 15%, 16%, 17%, 18%, 19%, 20%, 21%, 22%, 23%, 24%, 25%, 26%, 27%, 28%, 29%, 30%, 31%, 32%, 33%, 34%, 35%, 36%, 37%, 38%, 39%, 40%, 41%, 42%, 43%, 44%, 45%, 46%, 47%, 48%, 49%, 50%, 51%, 52%, 53%, 54%, 55%, 56%, 57%, 58%, 59%, 60%, 61%, 62%, 63%, 64%, 65%, 66%, 67%, 68%, 69%, 70%, 71%, 72%, 73%, 74%, 75%, 76%, 77%, 78%, 79%, 80%, 81%, 82%, 83%, 84%, 85%, 86%, 87%, 88%, 89%, 90%, 91%, 92%, 93%, 94%, 95%, 96%, 97%, 98%, o 99%.
De acuerdo con un modo de realización, las nanopartículas 3 no están encapsuladas en la partícula compuesta 1 a través del atrapamiento físico o la atracción electrostática.
De acuerdo con un modo de realización, las nanopartículas 3 y el material inorgánico 2 no están unidos o vinculados por atracción electrostática o por un agente de acoplamiento basado en silano funcionalizado.
De acuerdo con un modo de realización, las nanopartículas 3 comprendidas en una partícula compuesta 1 no están agregadas.
De acuerdo con un modo de realización, las nanopartículas 3 comprendidas en una partícula compuesta 1 presentan una fracción de empaquetamiento de al menos 0.01%, 0.05%, 0.1%, 0.15%, 0.2%, 0.25%, 0.3%, 0.35%, 0.4%, 0.45%, 0.5%, 0.55%, 0.6%, 0.65%, 0.7%, 0.75%, 0.8%, 0.85%, 0.9%, 0.95%, 1%, 2%, 3%, 4%, 5%, 6 %, 7%, 8%, 9%, 10%, 11%, 12%, 13%, 14%, 15%, 16%, 17%, 18%, 19%, 20%, 21%, 22%, 23%, 24%, 25%, 26%, 27%, 28%, 29%, 30%, 31%, 32%, 33%, 34%, 35%, 36%, 37%, 38%, 39%, 40%, 41%, 42%, 43%, 44%, 45%, 46%, 47%, 48%, 49%, 50%, 51%, 52%, 53%, 54%, 55%, 56%, 57%, 58%, 59%, 60%, 61%, 62%, 63%, 64%, 65%, 66 %, 67%, 68%, 69%, 70%, 71%, 72%, 73%, 74%, 75%, 76%, 77%, 78%, 79%, 80%, 81%, 82%, 83%, 84%, 85%, 86%, 87%, 88%, 89%, 90%, o 95%.
De acuerdo con un modo de realización, las nanopartículas 3 incluidas en una partícula compuesta 1 no se tocan, no están en contacto.
De acuerdo con un modo de realización, las nanopartículas 3 comprendidas en una partícula compuesta 1 están separadas por el material inorgánico 2.
De acuerdo con un modo de realización, las nanopartículas 3 comprendidas en una partícula compuesta 1 pueden ser evidenciadas individualmente.
De acuerdo con un modo de realización, las nanopartículas 3 comprendidas en una partícula compuesta 1 pueden evidenciarse individualmente mediante microscopía electrónica de transmisión o microscopía de barrido de fluorescencia, o cualquier otro medio de caracterización conocido por el experto en la materia.
De acuerdo con un modo de realización, las nanopartículas 3 comprendidas en una partícula compuesta 1 están uniformemente dispersas en el material inorgánico 2 comprendido en dicha partícula compuesta 1.
De acuerdo con un modo de realización, las nanopartículas 3 comprendidas en una partícula compuesta 1 están dispersadas uniformemente y pareja dentro del material inorgánico 2 comprendido en dicha partícula compuesta 1. De acuerdo con un modo de realización, las nanopartículas 3 comprendidas en una partícula compuesta 1 están uniformemente dispersas dentro del material inorgánico 2 comprendido en dicha partícula compuesta 1.
De acuerdo con un modo de realización, las nanopartículas 3 comprendidas en una partícula compuesta 1 se dispersan homogéneamente dentro del material inorgánico 2 comprendido en dicha partícula compuesta 1.
De acuerdo con un modo de realización, la dispersión de las nanopartículas 3 en el material inorgánico 2 no tiene la forma de un anillo, o de una monocapa.
De acuerdo con un modo de realización, cada nanopartícula 3 del conjunto de nanopartículas está separada de su nanopartícula adyacente 3 por una distancia mínima promedio.
De acuerdo con un modo de realización, la distancia mínima promedio entre dos nanopartículas 3 está controlada. De acuerdo con un modo de realización, la distancia mínima promedio es de al menos 2 nm.
De acuerdo con un modo de realización, la distancia promedio entre dos nanopartículas 3 en la misma partícula compuesta 1 es de al menos 2 nm
De acuerdo con un modo de realización, las nanopartículas 3 cumplen con la normativa ROHS.
De acuerdo con un modo de realización, las nanopartículas 3 comprenden menos de 10 ppm, menos de 20 ppm, menos de 30 ppm, menos de 40 ppm, menos de 50 ppm, menos de 100 ppm, menos de 150 ppm, menos de 200 ppm, menos de 250 ppm, menos de 300 ppm, menos de 350 ppm, menos de 400 ppm, menos de 450 ppm menos de 500 ppm, menos de 550 ppm, menos de 600 ppm, menos de 650 ppm, menos de 700 ppm, menos de 750 ppm, menos de 800 ppm, menos de 850 ppm, menos de 900 ppm, menos de 950 ppm, menos de 1000 ppm en peso de cadmio. De acuerdo con un modo de realización, las nanopartículas 3 comprenden menos de 10 ppm, menos de 20 ppm, menos de 30 ppm, menos de 40 ppm, menos de 50 ppm, menos de 100 ppm, menos de 150 ppm, menos de 200 ppm, menos de 250 ppm, menos de 300 ppm, menos de 350 ppm, menos de 400 ppm, menos de 450 ppm, menos de 500 ppm, menos de 550 ppm, menos de 600 ppm, menos de 650 ppm, menos de 700 ppm menos de 750 ppm, menos de 800 ppm, menos de 850 ppm, menos de 900 ppm, menos de 950 ppm, menos de 1000 ppm, menos de 2000 ppm, menos de 3000 ppm, menos de 4000 ppm, menos de 5000 ppm, menos de 6000 ppm, menos de 7000 ppm, menos de 8000 ppm, menos de 9000 ppm, menos de 10000 ppm en peso de plomo.
De acuerdo con un modo de realización, las nanopartículas 3 comprenden menos de 10 ppm, menos de 20 ppm, menos de 30 ppm, menos de 40 ppm, menos de 50 ppm, menos de 100 ppm, menos de 150 ppm, menos de 200 ppm, menos de 250 ppm, menos de 300 ppm, menos de 350 ppm, menos de 400 ppm, menos de 450 ppm, menos de 500 ppm, menos de 550 ppm, menos de 600 ppm, menos de 650 ppm, menos de 700 ppm menos de 750 ppm, menos de 800 ppm, menos de 850 ppm, menos de 900 ppm, menos de 950 ppm, menos de 1000 ppm, menos de 2000 ppm, menos de 3000 ppm, menos de 4000 ppm, menos de 5000 ppm, menos de 6000 ppm, menos de 7000 ppm, menos de 8000 ppm, menos de 9000 ppm, menos de 10000 ppm en peso de mercurio.
De acuerdo con un modo de realización, las nanopartículas 3 son nanopartículas coloidales.
De acuerdo con un modo de realización, las nanopartículas 3 son nanopartículas cargadas eléctricamente.
De acuerdo con un modo de realización, las nanopartículas 3 no están cargadas eléctricamente.
De acuerdo con un modo de realización, las nanopartículas 3 no son nanopartículas cargadas positivamente.
De acuerdo con un modo de realización, las nanopartículas 3 no son nanopartículas con carga negativa.
De acuerdo con un modo de realización, las nanopartículas 3 son nanopartículas inorgánicas.
De acuerdo con un modo de realización, la partícula compuesta 1 comprende al menos una nanopartícula inorgánica y al menos una nanopartícula orgánica.
De acuerdo con un modo de realización, las nanopartículas 3 no son nanopartículas de ZnO.
De acuerdo con un modo de realización, las nanopartículas 3 no son nanopartículas metálicas.
De acuerdo con un modo de realización, las nanopartículas inorgánicas son nanopartículas coloidales.
De acuerdo con un modo de realización, las nanopartículas inorgánicas son amorfas.
De acuerdo con un modo de realización, las nanopartículas inorgánicas son cristalinas.
De acuerdo con un modo de realización, las nanopartículas inorgánicas son totalmente cristalinas.
De acuerdo con un modo de realización, las nanopartículas inorgánicas son parcialmente cristalinas.
De acuerdo con un modo de realización, las nanopartículas inorgánicas son monocristalinas.
De acuerdo con un modo de realización, las nanopartículas inorgánicas son policristalinas. En esta realización, ca nanopartícula inorgánica presenta al menos un límite de grano.
De acuerdo con un modo de realización, las nanopartículas inorgánicas son nanocristales semiconductores.
De acuerdo con un modo de realización, los nanocristales semiconductores comprenden un material de fórmula MxNyEzAw, en el que: M pertenece al grupo Zn, Cd, Hg, Cu, Ag, Au, Ni, Pd, Pt, Co, Fe, Ru, Os, Mn, Tc, Re, Cr, Mo, W,
V, Nd, Ta, Ti, Zr, Hf, Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Al, Ga, In, Tl, Si, Ge, Sn, Pb, As, Sb, Bi, Sc, Y, La, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd,
Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Cs o una mezcla de ellos; N pertenece al grupo Zn, Cd, Hg, Cu, Ag, Au, Ni, Pd, Pt, Co, Fe,
Ru, Os, Mn, Tc, Re, Cr, Mo, W, V, Nd, Ta, Ti, Zr, Hf, Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Al, Ga, In, Tl, Si, Ge, Sn, Pb, As, Sb, Bi, Sc,
Y, La, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Cs o una mezcla de ellos; E pertenece al grupo O, S, Se, Te,
C, N, P, As, Sb, F, Cl, Br, I, o una mezcla de ellos; A pertenece al grupo O, S, Se, Te, C, N, P, As, Sb, F, Cl, Br, I, o una mezcla de ellos; y x, y, z y w son independientemente un número decimal de 0 a 5; x, y, z y w no son simultáneamente iguales a 0; x e y no son simultáneamente iguales a 0; z y w pueden no ser simultáneamente iguales a 0.
De acuerdo con un modo de realización, los nanocristales semiconductores presentan un núcleo que comprende un material de fórmula MxNyEzAw, en el que M pertenece al grupo Zn, Cd, Hg, Cu, Ag, Au, Ni, Pd, Pt, Co, Fe, Ru, Os, Mn,
Tc, Re, Cr, Mo, W, V, Nd, Ta, Ti, Zr, Hf, Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Al, Ga, In, Tl, Si, Ge, Sn, Pb, As, Sb, Bi, Sc, Y, La, Ce, Pr,
Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Cs o una mezcla de ellos; N pertenece al grupo Zn, Cd, Hg, Cu, Ag, Au, Ni,
Pd, Pt, Co, Fe, Ru, Os, Mn, Tc, Re, Cr, Mo, W, V, Nd, Ta, Ti, Zr, Hf, Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Al, Ga, In, Tl, Si, Ge, Sn, Pb,
As, Sb, Bi, Sc, Y, La, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Cs o una mezcla de ellos; E pertenece al grupo
O, S, Se, Te, C, N, P, As, Sb, F, Cl, Br, I, o una mezcla de ellos; A pertenece al grupo O, S, Se, Te, C, N, P, As, Sb,
F, Cl, Br, I, o una mezcla de ellos; y x, y, z y w son independientemente un número decimal de 0 a 5; x, y, z y w no son simultáneamente iguales a 0; x e y no son simultáneamente iguales a 0; z y w pueden no ser simultáneamente iguales a 0.
De acuerdo con un modo de realización, los nanocristales semiconductores comprenden un material de fórmula MxNyEzAw, en el que M y/o N pertenecen al grupo Ib, IIa, IIb, IIIa, IIIb, IVa, IVb, Va, Vb, VIb, VIIb, VIII, o mezclas de estos; E y/o A pertenecen al grupo Va, VIa, VIIa, o mezclas de los mismos; x, y, z y w son independientemente un número decimal de 0 a 5; x, y, z y w no son simultáneamente iguales a 0; x e y no son simultáneamente iguales a 0;
z y w pueden no ser simultáneamente iguales a 0.
De acuerdo con un modo de realización, los nanocristales semiconductores se seleccionan del grupo que consiste en un semiconductor IIb-VIa, IVa-VIa, Ib-IIIa-VIa, IIb-IVa-Va, Ib-VIa, VIII-VIa, IIb-Va, IIIa-VIa, IVb-VIa, IIa-VIa, IIIa-Va, IIIa-VIa, VIb-VIa, y Va-VIa semiconductor.
De acuerdo con un modo de realización, los nanocristales semiconductores comprenden un material MxNyEzAw seleccionado del grupo que consiste en CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, HgS, HgSe, HgTe, HgO, GeS, GeSe, GeTe, SnS, SnSe, SnTe, PbS, PbSe, PbTe, GeS2, GeSe2, SnS2, SnSe2, CuInS2, CuInSe2, AgInS2, AgInSe2, CuS, Cu2S, Ag2S, Ag2Se, Ag2Te, FeS, FeS2, InP, Cd3P2, Zn3P2, CdO, ZnO, FeO, Fe2O3, Fe3O4, A^O3, TiO2, MgO, MgS, MgSe, MgTe, AlN, AlP, AlAs, AlSb, GaN, GaP, GaAs, GaSb, InN, InP, InAs, InSb, TlN, TlP, TlAs, TlSb, MoS2, PdS,
Pd4S, WS2, CsPbCl3, PbBr3, CsPbBr3, CH3NH3PN3, CH3NH3PbCl3, CH3NH3PbBr3, CsPbh, FAPbBr3 (donde FA: formamidinio), o una mezcla de éstos.
De acuerdo con un modo de realización, las nanopartículas inorgánicas son nanoplaquetas semiconductoras, nanohojas, nanocintas, nanohilos, nanodiscos, nanocubos, nanoanillos, clústers de tamaño mágico o esferas como, por ejemplo, puntos cuánticos.
De acuerdo con un modo de realización, las nanopartículas inorgánicas son nanoplaquetas semiconductoras, nanohojas, nanocintas, nanohilos, nanodiscos, nanocubos, clústers de tamaño mágico o nanoanillos.
De acuerdo con un modo de realización, la nanopartícula inorgánica comprende un nanocristal inicial.
De acuerdo con un modo de realización, la nanopartícula inorgánica comprende un nanocristal coloidal inicial.
De acuerdo con un modo de realización, la nanopartícula inorgánica comprende una nanoplaqueta inicial.
De acuerdo con un modo de realización, la nanopartícula inorgánica comprende una nanoplaqueta coloidal inicial.
De acuerdo con un modo de realización, las nanopartículas inorgánicas son nanopartículas de núcleo, en las que cada núcleo no está parcial o totalmente cubierto por al menos una capa que comprende al menos una capa de material inorgánico.
De acuerdo con un modo de realización, las nanopartículas inorgánicas son nanocristales de núcleo 33, en los que cada núcleo 33 no está parcial o totalmente cubierto con al menos una capa 34 que comprende al menos una capa de material inorgánico.
De acuerdo con un modo de realización, las nanopartículas inorgánicas son nanopartículas de núcleo/cáscara, en las que el núcleo está parcial o totalmente cubierto con al menos una capa que comprende al menos una capa de material inorgánico.
De acuerdo con un modo de realización, las nanopartículas inorgánicas son nanocristales de núcleo 33/cáscara 34, en los que el núcleo 33 está parcial o totalmente cubierto con al menos una capa 34 que comprende al menos una capa de material inorgánico.
De acuerdo con un modo de realización, los nanocristales semiconductores de núcleo/capa presentan al menos una capa 34 que comprende un material de fórmula MxNyEzAw, en el que: M pertenece al grupo Zn, Cd, Hg, Cu, Ag, Au, Ni, Pd, Pt, Co, Fe, Ru, Os, Mn, Tc, Re, Cr, Mo, W, V, Nd, Ta, Ti, Zr, Hf, Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Al, Ga, In, Tl, Si, Ge, Sn, Pb, As, Sb, Bi, Sc, Y, La, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Cs o una mezcla de ellos; N pertenece al grupo Zn, Cd, Hg, Cu, Ag, Au, Ni, Pd, Pt, Co, Fe, Ru, Os, Mn, Tc, Re, Cr, Mo, W, V, Nd, Ta, Ti, Zr, Hf, Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Al, Ga, In, Tl, Si, Ge, Sn, Pb, As, Sb, Bi, Sc, Y, La, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Cs o una mezcla de ellos; E pertenece al grupo O, S, Se, Te, C, N, P, As, Sb, F, Cl, Br, I, o una mezcla de ellos; A pertenece al grupo O, S, Se, Te, C, N, P, As, Sb, F, Cl, Br, I, o una mezcla de ellos; y x, y, z y w son independientemente un número decimal de 0 a 5; x, y, z y w no son simultáneamente iguales a 0; x e y no son simultáneamente iguales a 0; z y w no pueden ser simultáneamente iguales a 0.
De acuerdo con un modo de realización, la capa 34 presenta un material diferente al del núcleo 33.
De acuerdo con un modo de realización, la capa 34 presenta el mismo material que el material del núcleo 33.
De acuerdo con un modo de realización, los nanocristales semiconductores núcleo/capa presentan dos capas (34, 35) que comprenden un material de fórmula MxNyEzAw, en el que: M pertenece al grupo Zn, Cd, Hg, Cu, Ag, Au, Ni, Pd, Pt, Co, Fe, Ru, Os, Mn, Tc, Re, Cr, Mo, W, V, Nd, Ta, Ti, Zr, Hf, Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Al, Ga, In, Tl, Si, Ge, Sn, Pb, As, Sb, Bi, Sc, Y, La, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Cs o una mezcla de ellos; N pertenece al grupo Zn, Cd, Hg, Cu, Ag, Au, Ni, Pd, Pt, Co, Fe, Ru, Os, Mn, Tc, Re, Cr, Mo, W, V, Nd, Ta, Ti, Zr, Hf, Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Al, Ga, In, Tl, Si, Ge, Sn, Pb, As, Sb, Bi, Sc, Y, La, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Cs o una mezcla de ellos; E pertenece al grupo O, S, Se, Te, C, N, P, As, Sb, F, Cl, Br, I, o una mezcla de ellos; A pertenece al grupo O, S, Se, Te, C, N, P, As, Sb, F, Cl, Br, I, o una mezcla de ellos; y x, y, z y w son independientemente un número decimal de 0 a 5; x, y, z y w no son simultáneamente iguales a 0; x e y no son simultáneamente iguales a 0; z y w pueden no ser simultáneamente iguales a 0.
De acuerdo con un modo de realización, las capas (34, 35) comprenden materiales diferentes.
De acuerdo con un modo de realización, las capas (34, 35) comprenden el mismo material.
De acuerdo con un modo de realización, los nanocristales semiconductores de núcleo/capa presentan al menos una capa que comprende un material de fórmula MxNyEzAw, en el que M, N, E y A son los descritos anteriormente.
De acuerdo con un modo de realización, los ejemplos de nanocristales semiconductores de núcleo/capa incluyen, pero no se limitan a: CdSe/CdS, CdSe/CdxZn1-xS, CdSe/CdS/ZnS, CdSe/ZnS/CdS, CdSe/ZnS, CdSe/CdxZn-i-xS/ZnS, CdSe/ZnS/CdxZn-i-xS, CdSe/CdS/CdxZn1-xS, CdSe/ZnSe/ZnS, CdSe/ZnSe/CdxZn1-xS, CdSexS1-x/CdS, CdSexS1-x/CdZnS, CdSexS1-x/CdS/ZnS, CdSexS1-x/ZnS/CdS, CdSexS1-x/ZnS, CdSexS1-x/CdxZn1-xS/ZnS, CdSexS1-x/ZnS/CdxZn1-xS, CdSexS1-x/CdS/CdxZn1-xS, CdSexS1-x/ZnSe/ZnS, CdSexS1-x/ZnSe/CdxZn1-xS, InP/CdS, InP/CdS/ZnSe/ZnS, InP/CdxZn1-xS, InP/CdS/ZnS, InP/ZnS/CdS, InP/ZnS, InP/CdxZn1-xS/ZnS, InP/ZnS/CdxZn1-xS, InP/CdS/CdxZn1-xS, InP/ZnSe, InP/ZnSe/ZnS, InP/ZnSe/CdxZn1-xS, InP/ZnSexS1-x, InP/GaP/ZnS, InxZn1-xP/ZnS, InxZn1-xP/ZnS, InP/GaP/ZnSe, InP/ZnS/ZnSe, InP/GaP/ZnSe/ZnS, InP/ZnS/ZnSe/ZnS, donde x es un número decimal de 0 a 1.
De acuerdo con un modo de realización, los nanocristales semiconductores de tipo núcleo/capa son ricos en ZnS, es decir, la última monocapa de la capa es una monocapa de ZnS.
De acuerdo con un modo de realización, los nanocristales semiconductores de tipo núcleo/capa son ricos en CdS, es decir, la última monocapa de la capa es una monocapa de CdS.
De acuerdo con un modo de realización, los nanocristales semiconductores de tipo núcleo/capa son ricos en CdxZn1-xS, es decir, la última monocapa de la capa es una monocapa de CdxZn1-xS, donde x es un número decimal de 0 a 1.
De acuerdo con un modo de realización, la última capa atómica de los nanocristales semiconductores es una monocapa rica en cationes de cadmio, zinc o indio.
De acuerdo con un modo de realización, la última capa atómica de los nanocristales semiconductores es una monocapa rica en aniones de azufre, selenio o fósforo.
De acuerdo con un modo de realización, las nanopartículas inorgánicas son nanocristales semiconductores de tipo núcleo/corona.
De acuerdo con un modo de realización, los nanocristales semiconductores de tipo núcleo/corona comprenden al menos una corona 37 que comprende un material de fórmula MxNyEzAw, en el que: M pertenece al grupo Zn, Cd, Hg, Cu, Ag, Au, Ni, Pd, Pt, Co, Fe, Ru, Os, Mn, Tc, Re, Cr, Mo, W, V, Nd, Ta, Ti, Zr, Hf, Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Al, Ga, In, Tl, Si, Ge, Sn, Pb, As, Sb, Bi, Sc, Y, La, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Cs o una mezcla de ellos; N pertenece al grupo Zn, Cd, Hg, Cu, Ag, Au, Ni, Pd, Pt, Co, Fe, Ru, Os, Mn, Tc, Re, Cr, Mo, W, V, Nd, Ta, Ti, Zr, Hf, Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Al, Ga, In, Tl, Si, Ge, Sn, Pb, As, Sb, Bi, Sc, Y, La, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Cs o una mezcla de ellos; E pertenece al grupo O, S, Se, Te, C, N, P, As, Sb, F, Cl, Br, I, o una mezcla de ellos; A pertenece al grupo O, S, Se, Te, C, N, P, As, Sb, F, Cl, Br, I, o una mezcla de ellos; y x, y, z y w son independientemente un número decimal de 0 a 5; x, y, z y w no son simultáneamente iguales a 0; x e y no son simultáneamente iguales a 0; z y w pueden no ser simultáneamente iguales a 0.
De acuerdo con un modo de realización, los nanocristales semiconductores de tipo núcleo/corona comprenden al menos una corona que comprende un material de fórmula MxNyEzAw, en el que M, N, E y A son como se describe anteriormente.
De acuerdo con un modo de realización, la corona 37 comprende un material diferente al del núcleo 33.
De acuerdo con un modo de realización, la corona 37 comprende el mismo material que el material del núcleo 33.
De acuerdo con un modo de realización, el nanocristal semiconductor es atómicamente plano. En esta realización, el nanocristal semiconductor atómicamente plano puede evidenciarse mediante microscopía electrónica de transmisión o microscopía de barrido de fluorescencia, espectroscopia de rayos X de energía dispersiva (EDS), espectroscopía fotoelectrónica de rayos X (XPS), espectroscopia fotoelectrónica UV (UPS), espectroscopia de pérdida de energía de electrones (EELS), fotoluminiscencia o cualquier otro medio de caracterización conocido por el experto en la materia.
De acuerdo con un modo de realización, las nanopartículas 3 comprenden al menos un 1%, 5%, 10%, 15%, 20%, 25%, 30%, 35%, 40%, 45%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 75%, 80%, 85%, 90%, 95% o 100% de nanoplaquetas semiconductoras.
De acuerdo con un modo de realización, la partícula compuesta 1 comprende al menos un 1%, 5%, 10%, 15%, 20%, 25%, 30%, 35%, 40%, 45%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 75%, 80%, 85%, 90%, 95% o 100% de nanoplaquetas semiconductoras.
De acuerdo con un modo de realización, el nanocristal semiconductor comprende un núcleo atómicamente plano. En este modo de realización, el núcleo atómicamente plano puede evidenciarse mediante microscopía electrónica de transmisión o microscopía de barrido de fluorescencia, espectroscopia de rayos X de energía dispersiva (EDS), espectroscopía fotoelectrónica de rayos X (XPS), espectroscopía fotoelectrónica UV (UPS), espectroscopia de pérdida de energía de electrones (EELS), fotoluminiscencia o cualquier otro medio de caracterización conocido por el experto en la materia.
De acuerdo con un modo de realización, el nanocristal semiconductor comprende una nanoplaqueta inicial.
De acuerdo con un modo de realización, el nanocristal semiconductor comprende una nanoplaqueta coloidal inicial.
De acuerdo con un modo de realización, los nanocristales semiconductores son nanoplaquetas semiconductoras.
De acuerdo con un modo de realización, las nanoplaquetas semiconductoras son atómicamente planas. En este modo de realización, la nanoplaqueta atómicamente plana puede evidenciarse mediante microscopía electrónica de transmisión o microscopía de barrido de fluorescencia, espectroscopia de rayos X de energía dispersiva (EDS), espectroscopía fotoelectrónica de rayos X (XPS), espectroscopía fotoelectrónica UV (UPS), espectroscopia de pérdida de energía de electrones (EELS), fotoluminiscencia o cualquier otro medio de caracterización conocido por el experto en la materia.
De acuerdo con un modo de realización, la nanoplaqueta semiconductora comprende un núcleo atómicamente plano. En este modo de realización, el núcleo atómicamente plano puede evidenciarse mediante microscopía electrónica de transmisión o microscopía de barrido de fluorescencia, espectroscopia de rayos X de energía dispersiva (EDS), espectroscopía fotoelectrónica de rayos X (XPS), espectroscopía fotoelectrónica UV (UPS), espectroscopia de pérdida de energía de electrones (EELS), fotoluminiscencia o cualquier otro medio de caracterización conocido por el experto en la materia.
De acuerdo con un modo de realización, las nanoplaquetas semiconductoras son cuasi-2D.
De acuerdo con un modo de realización, las nanoplaquetas semiconductoras tienen forma 2D.
De acuerdo con un modo de realización, las nanoplaquetas semiconductoras tienen un grosor ajustado a nivel atómico. De acuerdo con un modo de realización, la nanoplaqueta semiconductora comprende un nanocristal inicial.
De acuerdo con un modo de realización, la nanoplaqueta semiconductora comprende un nanocristal inicial coloidal. De acuerdo con un modo de realización, la nanoplaqueta semiconductora comprende una nanoplaqueta inicial.
De acuerdo con un modo de realización, la nanoplaqueta semiconductora comprende una nanoplaqueta coloidal inicial.
De acuerdo con un modo de realización, el núcleo 33 de las nanoplaquetas semiconductoras es una nanoplaqueta inicial.
De acuerdo con un modo de realización, la nanoplaqueta inicial comprende un material de fórmula MxNyEzAw, en el que M, N, E y A son los descritos anteriormente.
De acuerdo con un modo de realización, el espesor de la nanoplaqueta inicial comprende una alternancia de capas atómicas de M y E.
De acuerdo con un modo de realización, el espesor de la nanoplaqueta inicial comprende una alternancia de capas atómicas de M, N, A y E.
De acuerdo con un modo de realización, una nanoplaqueta semiconductora comprende una nanoplaqueta inicial parcial o completamente cubierta con al menos una capa de material adicional.
De acuerdo con un modo de realización, al menos una capa de material adicional comprende un material de fórmula MxNyEzAw, en el que M, N, E y A son los descritos anteriormente.
De acuerdo con un modo de realización, una nanoplaqueta semiconductora comprende una nanoplaqueta inicial cubierta parcial o totalmente en una faceta por al menos una capa de material adicional.
En un modo de realización en la que varias capas cubren la totalidad o parte de la nanoplaqueta inicial, estas capas pueden estar compuestas del mismo material o de materiales diferentes.
En un modo de realización en la que varias capas cubren la totalidad o parte de la nanoplaqueta inicial, estas capas pueden estar compuestas de manera que formen un gradiente de materiales.
En un modo de realización, la nanoplaqueta inicial es una nanoplaqueta coloidal inorgánica.
En un modo de realización, la nanoplaqueta inicial comprendida en la nanoplaqueta semiconductora ha conservado su estructura 2D.
En un modo de realización, el material que cubre la nanoplaqueta inicial es inorgánico.
En un modo de realización, al menos una parte de la nanoplaqueta semiconductora tiene un grosor mayor que el de la nanoplaqueta inicial.
En un modo de realización, la nanoplaqueta semiconductora comprende la nanoplaqueta inicial totalmente cubierta con al menos una capa de material.
En un modo de realización, la nanoplaqueta semiconductora comprende la nanoplaqueta inicial totalmente cubierta con una primera capa de material, estando dicha primera capa parcial o totalmente cubierta con al menos una segunda capa de material.
En un modo de realización, la nanoplaqueta inicial tiene un espesor de al menos 0.3 nm, 0.4 nm, 0.5 nm, 0.6 nm, 0.7 nm, 0.8 nm, 0.9 nm, 1.0 nm, 1.1 nm, 1.2 nm, 1.3 nm, 1.4 nm, 1.5 nm, 2 nm, 2.5 nm, 3 nm, 3.5 nm, 4 nm, 4.5 nm, 5 nm, 5.5 nm, 6 nm, 6.5 nm, 7 nm, 7.5 nm, 8 nm, 8.5 nm, 9 nm, 9.5 nm, 10 nm, 10.5 nm, 11 nm, 11.5 nm, 12 nm, 12.5 nm, 13 nm, 13.5 nm, 14 nm, 14.5 nm, 15 nm, 15.5 nm, 16 nm, 16.5 nm, 17 nm, 17.5 nm, 18 nm, 18.5 nm, 19 nm, 19.5 nm, 20 nm, 30 nm, 40 nm, 50 nm, 60 nm, 70 nm, 80 nm, 90 nm, 100 nm, 110 nm, 120 nm, 130 nm, 140 nm, 150 nm, 160 nm, 170 nm, 180 nm, 190 nm, 200 nm, 210 nm, 220 nm, 230 nm, 240 nm, 250 nm, 260 nm, 270 nm, 280 nm, 290 nm, 300 nm, 350 nm, 400 nm, 450 nm, o 500 nm.
De acuerdo con un modo de realización, el espesor de la nanoplaqueta inicial es menor que al menos una de las dimensiones laterales (longitud o anchura) de la nanoplaqueta inicial en un factor (relación de aspecto) de al menos 1.5; de al menos 2; al menos 2.5; al menos 3; al menos 3.5; al menos 4; al menos 4.5; al menos 5; al menos 5.5; al menos 6 ; al menos 6.5; al menos 7; al menos 7.5; al menos 8 ; al menos 8.5; al menos 9; al menos 9.5; al menos 10; al menos 10.5; al menos 11; al menos 11.5; al menos 12; al menos 12.5; al menos 13; al menos 13.5; al menos 14; al menos 14.5; al menos 15; al menos 15.5; al menos 16; al menos 16.5; al menos 17; al menos 17.5; al menos 18; al menos 18.5; al menos 19; al menos 19.5; al menos 20; al menos 25; al menos 30; al menos 35; al menos 40; al menos 45; al menos 50; al menos 55; al menos 60; al menos 65; al menos 70; al menos 75; al menos 80; al menos 85; al menos 90; al menos 95; al menos 100; al menos 150; al menos 200; al menos 250; al menos 300; al menos 350; al menos 400; al menos 450; al menos 500; al menos 550; al menos 600; al menos 650; al menos 700; al menos 750; al menos 800; al menos 850; al menos 900; al menos 950; o al menos 1000.
De acuerdo con un modo de realización, la nanoplaqueta inicial tiene unas dimensiones laterales de al menos 2 nm, 3 nm, 4 nm, 5 nm, 6 nm, 7 nm, 8 nm, 9 nm, 10 nm, 15 nm, 20 nm, 25 nm, 30 nm, 35 nm, 40 nm, 45 nm, 50 nm, 55 nm, 60 nm, 65 nm, 70 nm, 75 nm, 80 nm, 85 nm, 90 nm, 95 nm, 100 nm, 105 nm, 110 nm, 115 nm, 120 nm, 125 nm, 130 nm, 135 nm, 140 nm, 145 nm, 150 nm, 200 nm, 210 nm, 220 nm, 230 nm, 240 nm, 250 nm, 260 nm, 270 nm, 280 nm, 290 nm, 300 nm, 350 nm, 400 nm, 450 nm, 500 nm, 550 nm, 600 nm, 650 nm, 700 nm, 750 nm, 800 nm, 850 nm, 900 nm, 950 nm, 1 pm, 1.5 pm, 2.5 pm, 3 pm, 3.5 pm, 4 pm, 4.5 pm, 5 pm, 5.5 pm, 6 pm, 6.5 pm, 7 pm, 7.5 pm, 8 pm, 8.5 |jm, 9 pm, 9.5 pm, 10 pm, 10.5 pm, 11 pm, 11.5 pm, 12 pm, 12.5 pm, 13 pm, 13.5 pm, 14 pm, 14.5 pm, 15 pm, 15.5 pm, 16 pm, 16.5 pm, 17 pm, 17.5 pm, 18 pm, 18.5 pm, 19 pm, 19.5 pm, 20 pm, 20.5 pm, 21 pm, 21.5 pm, 22 pm, .5 pm, 23 pm, 23.5 pm, 24 pm, 24.5 pm, 25 pm, 25.5 pm, 26 pm, 26.5 pm, 27 pm, 27.5 pm, 28 pm, 28.5 pm, 29 pm .5 pm, 30 pm, 30.5 pm, 31 pm, 31.5 pm, 32 pm, 32.5 pm, 33 pm, 33.5 pm, 34 pm, 34.5 pm, 35 pm, 35.5 pm, 36 pm .5 pm, 37 pm, 37.5 pm, 38 pm, 38.5 pm, 39 pm, 39.5 pm, 40 pm, 40.5 pm, 41 pm, 41.5 pm, 42 pm, 42.5 pm, 43 pm .5 pm, 44 pm, 44.5 pm, 45 pm, 45.5 pm, 46 pm, 46.5 pm, 47 pm, 47.5 pm, 48 pm, 48.5 pm, 49 pm, 49.5 pm, 50 pm .5 pm, 51 pm, 51.5 pm, 52 pm, 52.5 pm, 53 pm, 53.5 pm, 54 pm, 54.5 pm, 55 pm, 55.5 pm, 56 pm, 56.5 pm, 57 pm .5 pm, 58 pm, 58.5 pm, 59 pm, 59.5 pm, 60 pm, 60.5 pm, 61 pm, 61.5 pm, 62 pm, 62.5 pm, 63 pm .5 pm, 64 pm, 64.5 pm, 65 pm, 65.5 pm, 66 pm, 66.5 pm, 67 pm, 67.5 pm, 68 pm, 68.5 pm, 69 pm, 69.5 pm, 70 pm .5 pm, 71 pm, 71.5 pm, 72 pm, 72.5 pm, 73 pm, 73.5 pm, 74 pm, 74.5 pm, 75 pm, 75.5 pm, 76 pm, 76.5 pm, 77 pm .5 pm, 78 pm, 78.5 pm, 79 pm, 79.5 pm, 80 pm, 80.5 pm, 81 pm, 81.5 pm, 82 pm, 82.5 pm, 83 pm, 83.5 pm, 84 pm .5 pm, 85 pm, 85.5 pm, 86 pm, 86.5 pm, 87 pm, 87.5 pm, 88 pm, 88.5 pm, 89 pm, 89.5 pm, 90 pm, 90.5 pm, 91 pm .5 pm, 92 pm, 92.5 pm, 93 pm, 93.5 pm, 94 pm, 94.5 pm, 95 pm, 95.5 pm, 96 pm, 96.5 pm, 97 pm, 97.5 pm, 98 pm 98.5 pm, 99 pm, 99.5 pm, 100 pm, 200 pm, 250 pm, 300 pm, 350 pm, 400 pm, 450 pm, 500 pm, 550 pm, 600 pm, 650 pm, 700 pm, 750 pm, 800 pm, 850 pm, 900 pm, 950 pm, o 1 mm.
De acuerdo con un modo de realización, las nanoplaquetas semiconductoras tienen un espesor de al menos 0.3 nm, 0.4 nm, 0.5 nm, 0.6 nm, 0.7 nm, 0.8 nm, 0.9 nm, 1.0 nm, 1.1 nm, 1.2 nm, 1.3 nm, 1.4 nm, 1.5 nm, 2 nm, 2.5 nm, 3 nm, 3.5 nm, 4 nm, 4.5 nm, 5 nm, 5.5 nm, 6 nm, 6.5 nm, 7 nm, 7.5 nm, 8 nm, 8.5 nm, 9 nm, 9.5 nm, 10 nm, 10.5 nm, 11 nm, 11.5 nm, 12 nm, 12.5 nm, 13 nm, 13.5 nm, 14 nm, 14.5 nm, 15 nm, 15.5 nm, 16 nm, 16.5 nm, 17 nm, 17.5 nm, 18 nm, 18.5 nm, 19 nm, 19.5 nm, 20 nm, 30 nm, 40 nm, 50 nm, 60 nm, 70 nm, 80 nm, 90 nm, 100 nm, 110 nm, 120 nm, 130 nm, 140 nm, 150 nm, 160 nm, 170 nm, 180 nm, 190 nm, 200 nm, 210 nm, 220 nm, 230 nm, 240 nm, 250 nm, 260 nm, 270 nm, 280 nm, 290 nm, 300 nm, 350 nm, 400 nm, 450 nm, o 500 nm.
De acuerdo con un modo de realización, las nanoplaquetas semiconductoras tienen dimensiones laterales de al menos 2 nm, 3 nm, 4 nm, 5 nm, 6 nm, 7 nm, 8 nm, 9 nm, 10 nm, 15 nm, 20 nm, 25 nm, 30 nm, 35 nm, 40 nm, 45 nm, 50 nm, 55 nm, 60 nm, 65 nm, 70 nm, 75 nm, 80 nm, 85 nm, 90 nm, 95 nm, 100 nm, 105 nm, 110 nm, 115 nm, 120 nm, 125 nm, 130 nm, 135 nm, 140 nm, 145 nm, 150 nm, 200 nm, 210 nm, 220 nm, 230 nm, 240 nm, 250 nm, 260 nm, 270 nm, 280 nm, 290 nm, 300 nm, 350 nm, 400 nm, 450 nm, 500 nm, 550 nm, 600 nm, 650 nm, 700 nm, 750 nm, 800 nm, 850 nm, 900 nm, 950 nm, 1 pm, 1.5 pm, 2.5 pm, 3 pm, 3.5 pm, 4 pm, 4.5 pm, 5 pm, 5.5 pm, 6 pm, 6.5 pm, 7 pm, 7.5 pm, 8 pm, 8.5 pm, 9 pm, 9.5 pm, 10 pm, 10.5 pm, 11 pm, 11.5 pm, 12 pm, 12.5 pm, 13 pm, 13.5 pm, 14 pm, 14.5 pm, 15 pm, 15.5 pm, 16 pm, 16.5 pm, 17 pm, 17.5 pm, 18 pm, 18.5 pm, 19 pm, 19.5 pm, 20 pm, 20.5 pm, 21 pm, 21.5 pm, 22 pm, 22.5 pm, 23 pm, 23.5 pm, 24 pm, pm, 25 pm, 25.5 pm, 26 pm, 26.5 pm, 27 pm, 27.5 pm, 28 pm, 28.5 pm, 29 pm, 29.5 pm, 30 pm, 30.5 pm, 31 pm, 31.5 pm, 32 pm, 32.5 pm, 33 pm, 33.5 pm, 34 pm, 34.5 pm, 35 pm, 35.5 pm, 36 pm, 36.5 pm, 37 pm, 37.5 pm, 38 pm, 38.5 pm, 39 pm, 39.5 pm, 40 pm, 40.5 pm, 41 pm, 41.5 pm, 42 pm, 42.5 pm, 43 pm, 43.5 pm, 44 pm, 44.5 pm, 45 pm, 45.5 pm, 46 pm, 46.5 pm, 47 pm, 47.5 pm, 48 pm, 48.5 pm, 49 pm, 49.5 pm, 50 pm, 50.5 pm, 51 pm, 51.5 pm, 52 pm, 52.5 pm, 53 pm, 53.5 pm, 54 pm, 54.5 pm, 55 pm, 55.5 pm, 56 pm, 56.5 pm, 57 pm, 57.5 pm, 58 pm, 58.5 pm, 59 pm, 59.5 pm, 60 pm, 60.5 pm, 61 pm, 61.5 pm, 62 pm, 62.5 pm, 63 pm, 63.5 pm, 64 pm, 64.5 pm, 65 pm, 65.5 pm, 66 pm, 66.5 pm, 67 pm, 67.5 pm, 68 pm, 68.5 pm, 69 pm, 69.5 pm, 70 pm, 70.5 pm, 71 pm, 71.5 pm, 72 pm, 72.5 pm, 73 pm, 73.5 pm, 74 pm, 74.5 pm, 75 pm, 75.5 pm, 76 pm, 76.5 pm, 77 pm, 77.5 pm, 78 pm, 78.5 pm, 79 pm, 79.5 pm, 80 pm, 80.5 pm, 81 pm, 81.5 pm, 82 pm, 82.5 pm, 83 pm, 83.5 pm, 84 pm, 84.5 pm, 85 pm, 85.5 pm, 86 pm, 86.5 pm, 87 pm, 87.5 pm, 88 pm, 88.5 pm, 89 pm, 89.5 pm, 90 pm, 90.5 pm, 91 pm, 91.5 pm, 92 pm, 92.5 pm, 93 pm, 93.5 pm, 94 pm, 94.5 pm, 95 pm, 95.5 pm, 96 pm, 96.5 pm, 97 pm, 97.5 pm, pm, 98.5 pm, 99 pm, 99.5 pm, 100 pm, 200 pm, 250 pm, 300 pm, 350 pm, 400 pm, 450 pm, 500 pm, pm, 6 pm, 650 pm, pm, 750 pm, 800 pm, 850 pm, 900 pm, 950 pm, o 1 mm.
De acuerdo con un modo de realización, el espesor de la nanoplaqueta semiconductora es menor que al menos una de las dimensiones laterales (longitud o anchura) de la nanoplaqueta semiconductora en un factor (relación de aspecto) de al menos 1.5; de al menos 2; al menos 2.5; al menos 3; al menos 3.5; al menos 4; al menos 4.5; al menos 5; al menos 5.5; al menos 6 ; al menos 6.5; al menos 7; al menos 7.5; al menos 8 ; al menos 8.5; al menos 9; al menos 9.5; al menos 10; al menos 10.5; al menos 11; al menos 11.5; al menos 12; al menos 12.5; al menos 13; al menos 13.5; al menos 14; al menos 14.5; al menos 15; al menos 15.5; al menos 16; al menos 16.5; al menos 17; al menos 17.5; al menos 18; al menos 18.5; al menos 19; al menos 19.5; al menos 20; al menos 25; al menos 30; al menos 35; al menos 40; al menos 45; al menos 50; al menos 55; al menos 60; al menos 65; al menos 70; al menos 75; al menos 80; al menos 85; al menos 90; al menos 95; al menos 100, al menos 150, al menos 200, al menos 250, al menos 300, al menos 350, al menos 400, al menos 450, al menos 500, al menos 550, al menos 600, al menos 650, al menos 700, al menos 750, al menos 800, al menos 850, al menos 900, al menos 950, o al menos 1000.
De acuerdo con un modo de realización, las nanoplaquetas semiconductoras se obtienen mediante un proceso de crecimiento en el espesor de al menos una cara de al menos una nanoplaqueta inicial por deposición de una película o una capa de material sobre la superficie de la al menos una nanoplaqueta inicial; o un proceso de crecimiento lateral de al menos una cara de al menos una nanoplaqueta inicial por deposición de una película o una capa de material sobre la superficie de al menos una nanoplaqueta inicial; o cualquier método conocido por el experto en la materia.
En un modo de realización, la nanoplaqueta semiconductora puede comprender la nanoplaqueta inicial y 1, 2, 3, 4, 5 o más capas que cubren la totalidad o parte de la nanoplaqueta inicial, siendo dichas capas de la misma composición que la nanoplaqueta inicial o son de diferente composición que la nanoplaqueta inicial o son de diferente composición entre sí.
En un modo de realización, la nanoplaqueta semiconductora puede comprender la nanoplaqueta inicial y al menos 1, 2, 3, 4, 5 o más capas en las que la primera capa depositada cubre toda o parte de la nanoplaqueta inicial y la al menos segunda capa depositada cubre toda o parte de la capa depositada anteriormente, siendo dichas capas de la misma composición que la nanoplaqueta inicial o siendo de diferente composición que la nanoplaqueta inicial y posiblemente de diferente composición entre sí.
De acuerdo con un modo de realización, las nanoplaquetas semiconductoras tienen un grosor cuantificado por una monocapa MxNyEzAw, en la que M, N, E y A son como se ha descrito anteriormente.
De acuerdo con un modo de realización, el núcleo 33 de las nanoplaquetas semiconductoras tiene un espesor de al menos 1 monocapa MxNyEzAw, al menos 2 monocapas MxNyEzAw, al menos 3 monocapas MxNyEzAw, al menos 4 monocapas MxNyEzAw, al menos 5 monocapas MxNyEzAw, donde M, N, E y A son como se describen más arriba.
De acuerdo con un modo de realización, la capa 34 de las nanoplaquetas semiconductoras tiene un grosor cuantificado por una monocapa MxNyEzAw, donde M, N, E y A son como se ha descrito anteriormente.
De acuerdo con un modo de realización preferido, los ejemplos de partículas compuestas 1 incluyen, pero no se limitan a: CdSe/CdZnS@SiO2, CdSe/CdZnS@SixCdyZnzOw, CdSe/CdZnS@Al2O3, InP/ZnS@A^O3, CHsN2-PbBr3@Al2O3, CdSe/CdZnS-Au@SiO2, Fe3O4@A^O3-cdse/CdZnS@SiO2, CdS/ZnS@A^O3, CdSeS/CdZnS@AhO3, CdSe/CdS/ZnS@Al2O3, InP/ZnSe/ZnS@Al2O3, CuInS2/ZnS@A^O3, CuInSe2/ZnS@AhO3, CdSe/CdS/ZnS@SiO2, CdSeS/ZnS@Al2O3, CdSeS/CdZnS@SiO2, InP/ZnS@SiO2, CdSeS/CdZnS@SiO2, InP/ZnSe/ZnS@SiO2, Fe3O4@Al2O3, CdSe/CdZnS@ZnO, CdSe/CdZnS@ZnO, CdSe/CdZnS@A^O3@MgO, CdSe/CdZnS-Fe3O4@SiO2, nanopartículas de fósforo@Al2O3, nanopartículas de fósforo @ZnO, nanopartículas de fósforo@SiO2, nanopartículas de fósforo@HfO2, CdSe/CdZnS@HfO2, CdSeS/CdZnS@HfO2, InP/ZnS@HfO2, CdSeS/CdZnS@HfO2, InP/ZnSe/ZnS@HfO2, CdSe/CdZnS-Fe3O4@HfO2, CdSe/CdS/ZnS@SiO2, o una mezcla de las mismas; donde las nanopartículas de fósforo incluyen, pero no se limitan a: Partículas de granate de aluminio de itrio (YAG, Y3Al5O-i2), partículas de (Ca,Y)-a-SiAlON:Eu, partículas de ((Y,Gd)3(Al,Ga)5O-i2:Ce), partículas de CaAlSiN3:Eu, partículas de fósforo a base de sulfuro, partículas de PFS:Mn4+ (fluorosilicato de potasio).
De acuerdo con un modo de realización, la partícula compuesta 1 no comprende puntos cuánticos encapsulados en TiO2, nanocristales semiconductores encapsulados en TiO2 o nanoplaquetas semiconductoras encapsuladas en T O 2.
De acuerdo con un modo de realización, la partícula compuesta 1 no comprende una capa espaciadora entre las nanopartículas 3 y el material inorgánico 2.
De acuerdo con un modo de realización, la partícula compuesta 1 no comprende una nanopartícula de núcleo/capa en la que el núcleo es luminiscente y emite luz roja, y la capa es un espaciador entre las nanopartículas 3 y el material inorgánico 2.
De acuerdo con un modo de realización, la partícula compuesta 1 no comprende una nanopartícula de núcleo/capa y un conjunto de nanopartículas 3, en la que el núcleo es luminiscente y emite luz roja, y la capa es un espaciador entre las nanopartículas 3 y el material inorgánico 2.
De acuerdo con un modo de realización, la partícula compuesta 1 no comprende al menos un núcleo luminiscente, una capa espaciadora, una capa de encapsulación y un conjunto de puntos cuánticos, donde el núcleo luminiscente emite luz roja, y la capa espaciadora está situada entre dicho núcleo luminiscente y el material inorgánico 2.
De acuerdo con un modo de realización, la partícula compuesta 1 no comprende un núcleo luminiscente rodeado por una capa espaciadora que emite luz roja.
De acuerdo con un modo de realización, la partícula compuesta 1 no comprende nanopartículas que cubran o rodeen un núcleo luminiscente.
De acuerdo con un modo de realización, la partícula compuesta 1 no comprende nanopartículas que cubran o rodeen un núcleo luminiscente que emita luz roja.
De acuerdo con un modo de realización, la partícula compuesta 1 no comprende un núcleo luminiscente hecho por un material específico seleccionado del grupo que consiste en fósforo de silicato, fósforo de aluminato, fósforo de fosfato, fósforo de sulfuro, fósforo de nitruro, fósforo de óxido de nitrógeno, y la combinación de los mencionados dos o más materiales; donde dicho núcleo luminiscente está cubierto por una capa espaciadora.
Otro objeto de la invención se refiere al material emisor de luz 7 que comprende al menos un material anfitrión 71 y al menos una partícula compuesta 1 de la invención, donde dicha al menos una partícula compuesta 1 está dispersada en el al menos un material anfitrión 71 (como se ilustra en la Fig. 6A).
El material emisor de luz 7 permite la protección de la partícula compuesta 1 contra el oxígeno molecular, el ozono, el agua y/o la alta temperatura por parte del al menos un material anfitrión 71. Por lo tanto, la deposición de una capa protectora suplementaria sobre dicho material emisor de luz 7 no es obligatoria, lo que puede ahorrar tiempo, dinero y pérdida de luminiscencia.
De acuerdo con un modo de realización, el material anfitrión 71 rodea, encapsula y/o cubre parcial o totalmente al menos una partícula compuesta 1.
De acuerdo con un modo de realización, el material emisor de luz 7 comprende además un conjunto de partículas compuestas 1.
De acuerdo con un modo de realización, el material emisor de luz 7 comprende al menos dos materiales anfitriones
71. En esta realización, los materiales anfitriones pueden ser diferentes o idénticos.
De acuerdo con un modo de realización, el material emisor de luz 7 comprende un conjunto de materiales anfitriones
71.
De acuerdo con un modo de realización, el conjunto de partículas compuestas 1 están uniformemente dispersadas en el material anfitrión 71.
De acuerdo con un modo de realización, la carga de las partículas compuestas 1 en el material anfitrión 71 es al menos
0.01% 0.05% 0.1% 0.15% 0.2% 0.25% 0.3% 0.35% 0.4% 0.45% 0.5% 0.55% 0.6% 0.65% 0.7% 0.75% 0.8%
6 6
Figure imgf000050_0001
6
De acuerdo con un modo de realización, la carga de las partículas compuestas 1 en el material anfitrión 71 es inferior a 0.01%, 0.05%, 0.1%, 0.15%, 0.2%, 0.25%, 0.3%, 0.35%, 0.4%, 0.45%, 0.5%, 0.55%, 0.6%, 0.65%, 0.7%, 0.75%, 0.8%, 0.85%, 0.9%, 0.95%, 1%, 2%, 3%, 4%, 5%, 6%, 7%, 8%, 9%, 10%, 11%, 12%, 13%, 14%, 15%, 16%, 17%,
18%, 19%, 20%, 21%, 22%, 23%, 24%, 25%, 26%, 27%, 28%, 29%, 30%, 31%, 32%, 33%, 34%, 35%, 36%, 37%,
38%, 39%, 40%, 41%, 42%, 43%, 44%, 45%, 46%, 47%, 48%, 49%, 50%, 51%, 52%, 53%, 54%, 55%, 56%, 57%,
58%, 59%, 60%, 61%, 62%, 63%, 64%, 65%, 66%, 67%, 68%, 69%, 70%, 71%, 72%, 73%, 74%, 75%, 76%, 77%,
78%, 79%, 80%, 81%, 82%, 83%, 84%, 85%, 86%, 87%, 88%, 89%, 90%, 91%, 92%, 93%, 94%, 95%, 96%, 97%,
98%, o 99%.
De acuerdo con un modo de realización, las partículas compuestas 1 dispersadas en el material anfitrión 71 tienen una fracción de empaquetamiento de al menos 0.01%, 0.05%, 0.1%, 0.15%, 0.2%, 0.25%, 0.3%, 0.35%, 0.4%, 0.45%, 0.5%, 0.55%, 0.6%, 0.65%, 0.7%, 0.75%, 0.8%, 0.85%, 0.9%, 0.95%, 1%, 2%, 3%, 4%, 5%, 6 %, 7%, 8%, 9%, 10%,
11%, 12%, 13%, 14%, 15%, 16%, 17%, 18%, 19%, 20%, 21%, 22%, 23%, 24%, 25%, 26%, 27%, 28%, 29%, 30%,
31%, 32%, 33%, 34%, 35%, 36%, 37%, 38%, 39%, 40%, 41%, 42%, 43%, 44%, 45%, 46%, 47%, 48%, 49%, 50%,
51%, 52%, 53%, 54%, 55%, 56%, 57%, 58%, 59%, 60%, 61%, 62%, 63%, 64%, 65%, 66 %, 67%, 68%, 69%, 70%,
71%, 72%, 73%, 74%, 75%, 76%, 77%, 78%, 79%, 80%, 81%, 82%, 83%, 84%, 85%, 86%, 87%, 88%, 89%, 90%, o
95%.
De acuerdo con un modo de realización, las partículas compuestas 1 dispersadas en el material anfitrión 71 tienen una fracción de empaquetamiento inferior a 0.01%, 0.05%, 0.1%, 0.15%, 0.2%, 0.25%, 0.3%, 0.35%, 0.4%, 0.45%, 0.5%, 0.55%, 0.6%, 0.65%, 0.7%, 0.75%, 0.8%, 0.85%, 0.9%, 0.95%, 1%, 2%, 3%, 4%, 5%, 6 %, 7%, 8%, 9%, 10%,
11%, 12%, 13%, 14%, 15%, 16%, 17%, 18%, 19%, 20%, 21%, 22%, 23%, 24%, 25%, 26%, 27%, 28%, 29%, 30%,
31%, 32%, 33%, 34%, 35%, 36%, 37%, 38%, 39%, 40%, 41%, 42%, 43%, 44%, 45%, 46%, 47%, 48%, 49%, 50%,
51%, 52%, 53%, 54%, 55%, 56%, 57%, 58%, 59%, 60%, 61%, 62%, 63%, 64%, 65%, 66 %, 67%, 68%, 69%, 70%,
71%, 72%, 73%, 74%, 75%, 76%, 77%, 78%, 79%, 80%, 81%, 82%, 83%, 84%, 85%, 86%, 87%, 88%, 89%, 90%, o
95%.
De acuerdo con un modo de realización, las partículas compuestas 1 no se tocan, no están en contacto.
De acuerdo con un modo de realización, en el mismo material anfitrión 71, las partículas compuestas 1 no se tocan, no están en contacto.
De acuerdo con un modo de realización, las partículas compuestas 1 están separadas por el material anfitrión 71.
De acuerdo con un modo de realización, las partículas compuestas 1 pueden revelarse individualmente, por ejemplo, mediante microscopía convencional, microscopía electrónica de transmisión, microscopía electrónica de barrido, o microscopía de barrido de fluorescencia.
De acuerdo con un modo de realización, cada partícula compuesta 1 del conjunto de partículas compuestas 1 está separada de su partícula compuesta adyacente 1 por una distancia mínima media.
De acuerdo con un modo de realización, la distancia mínima media entre dos partículas de material compuesto 1 está controlada.
De acuerdo con un modo de realización, la distancia mínima media entre dos partículas de material compuesto 1 en el material anfitrión 71 o en un conjunto estadístico de partículas de material compuesto 1 es de al menos 1 nm, 2 nm,
2.5 nm, 3 nm, 3.5 nm, 4 nm, 4.5 nm, 5 nm, 5.5 nm, 6 nm, 6.5 nm, 7 nm, 7.5 nm, 8 nm, 8.5 nm, 9 nm,
9.5 nm, 10 nm, 10.5 nm, 11 nm, 11.5 nm, 12 nm, 12.5 nm, 13 nm, 13.5 nm, 14 nm, 14.5 nm, 15 nm, 15.5 nm, 16 nm,
16.5 nm, 17 nm, 17.5 nm, 18 nm, 18.5 nm, 19 nm, 19.5 nm, 20 nm, 30 nm, 40 nm, 50 nm, 60 nm, 70 nm, 80 nm, 100 nm, 110 nm, 120 nm, 130 nm, 140 nm, 150 nm, 160 nm, 170 nm, 180 nm, 190 nm, 200 nm, 210 nm, 220 nm, 230 nm,
240 nm, 250 nm, 260 nm, 270 nm, 280 nm, 290 nm, 300 nm, 350 nm, 400 nm, 450 nm, 500 nm, 550 nm, 600 nm, 650 nm, 700 nm, 750 nm, 800 nm, 850 nm, 900 nm, 950 nm, 1 pm, 1.5 pm, 2.5 pm, 3 pm, 3.5 pm, 4 pm, 4.5 pm, 5 pm, 5.5
|jm, 6 pm, 6.5 pm, 7 pm, 7.5 pm, 8 pm, 8.5 pm, 9 pm, 9.5 pm, 10 pm, 10.5 pm, 11 pm, 11.5 pm, 12 pm, 12.5 pm, 13 pm, 13.5 pm, 14 pm, 14.5 pm, 15 pm, 15.5 pm, 16 pm, 16.5 pm, 17 pm, 17.5 pm, 18 pm, 18.5 pm, 19 pm, 19.5 pm,
20 pm, 20.5 pm, 21 pm, 21.5 pm, 22 pm, 22.5 pm, 23 pm, 23.5 pm, 24 pm, 24.5 pm, 25 pm, 25.5 pm, 26 pm, 26.5 pm, 27 pm, 27.5 pm, 28 pm, 28.5
Figure imgf000051_0001
pm, 29 pm, 29.5 pm, 30 pm, 30.5 pm, 31 pm, 31.5 pm, 32 pm, 32.5 pm, 33 pm, 33.5 pm, 34 pm, 34.5 pm, 35 pm, 35.5 pm, 36 pm, 36.5 pm, 37 pm, 37.5 pm, 38 pm, 38.5 pm, 39 pm, 39.5 pm, 40 pm, 40.5 pm, 41 pm, 41.5 pm, 42 pm, 42.5 pm, 43 pm, 43.5 pm, 44 pm, 44.5 pm, 45 pm, 45.5 pm, 46 pm, 46.5 pm, 47 pm, 47.5 pm, 48 pm, 48.5 pm, 49 pm, 49.5
Figure imgf000051_0002
pm, 50 pm, 50.5 pm, 51 pm, 51.5 pm, 52 pm, 52.5 pm, 53 pm, 53.5 pm, 54 pm, 54.5 pm, 55 pm, 55.5 pm, 56 pm, 56.5 pm, 57 pm, 57.5 pm, 58 pm, 58.5 pm, 59 pm, 59.5 pm, 60 pm, 60.5 pm, 61 pm, 61.5 pm, 62 pm, 62.5 pm, 63 pm, 63.5 pm, 64 pm, 64.5 pm, 65 pm, 65.5 pm, 66 pm, 66.5 pm, 67 pm, 67.5 pm, 68 pm, 68.5 pm, 69 pm, 69.5 pm, 70 pm, 70.5
Figure imgf000051_0003
pm, 71 pm, 71.5 pm, 72 pm, 72.5 pm, 73 pm, 73.5 pm, 74 pm, 74.5 pm, 75 pm, 75.5 pm, 76 pm, 76.5 pm, 77 pm, 77.5 pm, 78 pm, 78.5 pm, 79 pm, 79.5 pm, 80 pm, 80.5 pm, 81 pm, 81.5 pm, 82 pm, 82.5 pm, 83 pm, 83.5 pm, 84 pm, 84.5
Figure imgf000051_0004
pm, 85 pm, 85.5 pm, 86 pm, 86.5 pm, 87 pm, 87.5 pm, 88 pm, 88.5 pm, 89 pm, 89.5 pm, 90 pm, 90.5 pm, 91 pm, 91.5 pm, 92 pm, 92.5 pm, 93 pm, 93.5 pm, 94 pm, 94.5 pm, 95 pm, 95.5 pm, 96 pm, 96.5 pm, 97 pm, 97.5 pm, 98 pm, 98.5 pm, 99 pm, 99.5 pm, 100 pm, 200 pm, 300 pm, 400 pm, 500 pm, 600 pm, 700 pm, 800 pm, 900 pm, o 1 mm.
De acuerdo con un modo de realización, la distancia media entre dos partículas compuestas 1 en el material anfitrión
71 o en un conjunto estadístico de partículas compuestas 1 es al menos 1 nm, 1.5 nm, 2 nm, 2.5 nm, 3 nm, 3.5 nm, 4 nm, 4.5 nm, 5 nm, 5.5 nm, 6 nm, 6.5 nm, 7 nm, 7.5 nm, 8 nm, 8.5 nm, 9 nm, 9.5 nm, 10 nm, 10.5 nm, 11 nm, 11.5 nm,
12 nm, 12.5 nm, 13 nm, 13.5 nm, 14 nm, 14.5 nm, 15 nm, 15.5 nm, 16 nm, 16.5 nm, 17 nm, 17.5 nm, 18 nm, 18.5 nm,
19 nm, 19.5 nm, 20 nm, 30 nm, 40 nm, 50 nm, 60 nm, 70 nm, 80 nm, 100 nm, 110 nm, 120 nm, 130 nm, 140 nm, 150 nm, 160 nm, 170 nm, 180 nm, 190 nm, 200 nm, 210 nm, 220 nm, 230 nm, 240 nm, 250 nm, 260 nm, 270 nm, 280 nm,
290 nm, 300 nm, 350 nm, 400 nm, 450 nm, 500 nm, 550 nm, 600 nm, 650 nm, 700 nm, 750 nm, 800 nm, 850 nm, 900 nm, 950 nm, 1 pm, 1.5 pm, 2.5 pm, 3 pm, 3.5 pm, 4 pm, 4.5 pm, 5 pm, 5.5 pm, 6 pm, 6.5 pm, 7 pm, 7.5 pm, 8 pm, 8.5 pm, 9 pm, 9.5 pm, 10 pm, 10.5 pm, 11 pm, 11.5 pm, 12 pm, 12.5 pm, 13 pm, 13.5 pm, 14 pm, 14.5 pm, 15 pm, 15.5 pm, 16 pm, 16.5 pm, 17 pm, 17.5 pm, 18 pm, 18.5 pm, 19 pm, 19.5 pm, 20 pm, 20.5 pm, 21 pm, 21.5 pm, 22 pm, 22.5 pm, 23 pm, 23.5 pm, 24 pm, 24.5 pm, 25 pm,
Figure imgf000051_0005
25.5 pm, 26 pm, 26.5 pm, 27 pm, 27.5 pm, 28 pm, 28.5 pm, 29 pm, 29.5 pm, 30 pm, 30.5 pm, 31 pm, 31.5 pm, 32 pm,
Figure imgf000051_0006
32.5 pm, 33 pm, 33.5 pm, 34 pm, 34.5 pm, 35 pm, 35.5 pm, 36 pm, 36.5 pm, 37 pm, 37.5 pm, 38 pm, 38.5 pm, 39 pm,
Figure imgf000051_0007
39.5 pm, 40 pm, 40.5 pm, 41 pm, 41.5 pm, 42 pm, 42.5 pm, 43 pm, 43.5 pm, 44 pm, 44.5 pm, 45 pm, 45.5 pm, 46 pm,
Figure imgf000051_0008
46.5 pm, 47 pm, 47.5 pm, 48 pm, 48.5 pm, 49 pm, 49.5 pm, 50 pm, 50.5 pm, 51 pm, 51.5 pm, 52 pm, 52.5 pm, 53 pm, 53.5 pm, 54 pm, 54.5 pm, 55 pm, 55.5 pm, 56 pm, 56.5 pm, 57 pm, 57.5 pm, 58 pm, 58.5 pm, 59 pm, 59.5 pm, 60 pm, 60.5 pm, 61 pm, 61.5 pm, 62 pm, 62.5 pm, 63 pm, 63.5 pm, 64 pm,
64.5 pm, 65 pm, 65.5 pm, 66 pm, 66.5 pm, 67 pm, 67.5 pm, 68 pm, 68.5 pm, 69 pm, 69.5 pm, 70 pm, 70.5 pm, 71 pm, 71.5 pm, 72 pm, 72.5 pm, 73 pm, 73.5 pm, 74 pm, 74.5 pm, 75 pm, 75.5 pm, 76 pm, 76.5 pm, 77 pm, 77.5 pm, 78 pm, 78.5 pm, 79 pm, 79.5 pm, 80 pm, 80.5 pm, 81 pm, 81.5 pm, 82 pm, 82.5 pm, 83 pm, 83.5 pm, 84 pm, 84.5 pm, 85 pm, 85.5 pm, 86 pm, 86.5 pm, 87 pm, 87.5 pm, 88 pm, 88.5 pm, 89 pm, 89.5 pm, 90 pm, 90.5 pm, 91 pm, 91.5 pm, 92 pm, 92.5 pm, 93 pm, 93.5 pm, 94 pm, 94.5 pm, 95 pm, 95.5 pm, 96 pm, 96.5 pm, 97 pm, 97.5 pm, 98 pm, 98.5 pm, 99 pm, 99.5 pm, 100 pm, 200 pm, 300 pm, 400 pm, 500 pm, 600 pm, 700 pm, 800 pm, 900 pm, o 1 mm.
De acuerdo con un modo de realización, la distancia media entre dos partículas compuestas 1 en el material anfitrión
71 o en un conjunto estadístico de partículas compuestas 1 puede tener una desviación menor o igual a 0.01%, 0.02%, 0.03%, 0.04%, 0.05%, 0.06%, 0.07%, 0.08%, 0.09%, 0.1%, 0.2%, 0.3%, 0.4%, 0.5%, 0.6%, 0.7%, 0.8%, 0.9%, 1%, 1.1%, 1.2%, 1.3%, 1.4%, 1.5%, 1.6%, 1.7%, 1.8%, 1.9%, 2%, 2.1%, 2.2%, 2.3%, 2.4%, 2.5%, 2.6%, 2.7%, 2.8%, 2.9%,
3%, 3.1%, 3.2%, 3.3%, 3.4%, 3.5%, 3.6%, 3.7%, 3.8%, 3.9%, 4%, 4.1%, 4.2%, 4.3%, 4.4%, 4.5%, 4.6%, 4.7%, 4.8%, 4.9%, 5%, 5.1%, 5.2%, 5.3%, 5.4%, 5.5%, 5.6%, 5.7%, 5.8%, 5.9%, 6 %, 6.1%, 6.2%, 6.3%, 6.4%, 6.5%, 6.6 %, 6.7%, 6.8%, 6.9%, 7%, 7.1%, 7.2%, 7.3%, 7.4%, 7.5%, 7.6%, 7.7%, 7.8%, 7.9%, 8%, 8.1%, 8.2%, 8.3%, 8.4%, 8.5%, 8.6 %, 8.7%, 8.8%, 8.9%, 9%, 9.1%, 9.2%, 9.3%, 9.4%, 9.5%, 9.6%, 9.7%, 9.8%, 9.9%, o 10%.
De acuerdo con un modo de realización, el material emisor de luz 7 no comprende regiones vacías ópticamente transparentes.
De acuerdo con un modo de realización, el material emisor de luz 7 no comprende regiones vacías que rodeen la al menos una partícula compuesta 1.
De acuerdo con un modo de realización, el material emisor de luz 7 está libre de oxígeno.
De acuerdo con un modo de realización, el material emisor de luz 7 no contiene agua.
De acuerdo con un modo de realización, el material emisor de luz 7 presenta un espectro de emisión con al menos un pico de emisión, en el que dicho pico de emisión tiene una longitud de onda de emisión máxima que oscila entre 400 nm y 50 pm.
De acuerdo con un modo de realización, el material emisor de luz 7 presenta un espectro de emisión con al menos un pico de emisión, en el que dicho pico de emisión tiene una longitud de onda de emisión máxima que oscila entre 400 nm y 500 nm. En este modo de realización, el material emisor de luz 7 emite luz azul.
De acuerdo con un modo de realización, el material emisor de luz 7 presenta un espectro de emisión con al menos un pico de emisión, en el que dicho pico de emisión tiene una longitud de onda de emisión máxima que oscila entre 500 nm y 560 nm, más preferentemente entre 515 nm y 545 nm. En este modo de realización, el material emisor de luz 7 emite luz verde.
De acuerdo con un modo de realización, el material emisor de luz 7 presenta un espectro de emisión con al menos un pico de emisión, en el que dicho pico de emisión tiene una longitud de onda máxima de emisión que va de 560 nm a 590 nm. En este modo de realización, el material emisor de luz 7 emite luz amarilla.
De acuerdo con un modo de realización, el material emisor de luz 7 presenta un espectro de emisión con al menos un pico de emisión, en el que dicho pico de emisión tiene una longitud de onda de emisión máxima que oscila entre 590 nm y 750 nm, más preferentemente entre 610 nm y 650 nm. En este modo de realización, el material emisor de luz 7 emite luz roja.
De acuerdo con un modo de realización, el material emisor de luz 7 presenta un espectro de emisión con al menos un pico de emisión, en el que dicho pico de emisión tiene una longitud de onda de emisión máxima que oscila entre 750 nm y 50 pm. En esta realización, el material emisor de luz 7 emite luz infrarroja cercana, infrarroja media o infrarroja.
De acuerdo con un modo de realización, el material emisor de luz 7 presenta un espectro de emisión con al menos un pico de emisión que tiene una anchura máxima media inferior a 90 nm, 80 nm, 70 nm, 60 nm, 50 nm, 40 nm, 30 nm, 25 nm, 20 nm, 15 nm o 10 nm.
De acuerdo con un modo de realización, el material emisor de luz 7 presenta espectros de emisión con al menos un pico de emisión que tiene una anchura total al cuarto máximo inferior a 90 nm, 80 nm, 70 nm, 60 nm, 50 nm, 40 nm, 30 nm, 25 nm, 20 nm, 15 nm o 10 nm.
De acuerdo con un modo de realización, el material emisor de luz 7 tiene un rendimiento cuántico de fotoluminiscencia (PLQY) de al menos el 5%, el 10%, el 15%, el 20%, el 25%, el 30%, el 35%, el 40%, el 45%, el 50%, el 55%, el 60%, el 65%, el 70%, el 75%, el 80%, el 85%, el 90%, el 95%, el 99% o el 100%.
En este modo de realización, el material emisor de luz 7 presenta una disminución del rendimiento cuántico de fotoluminiscencia (PLQY) inferior al 80%, 70%, 60%, 50%, 40%, 30%, 25%, 20%, 15%, 10%, 5%, 4%, 3%, 2%, 1% o 0% después de al menos 300, 400, 500, 600, 700, 800, 900, 1000, 2000, 3000, 4000, 5000, 6000, 7000, 8000, 9000, 10000, 11000, 12000, 13000, 14000, 15000, 16000, 17000, 18000, 19000, 20000, 21000, 22000, 23000, 24000, 25000, 26000, 27000, 28000, 29000, 30000, 31000, 32000, 33000, 34000, 35000, 36000, 37000, 38000, 39000, 40000, 41000, 42000, 43000, 44000, 45000, 46000, 47000, 48000, 49000, o 50000 horas bajo iluminación.
De acuerdo con un modo de realización, la iluminación de luz es proporcionada por una fuente de luz azul, verde, roja o UV, como un láser, un diodo, una lámpara fluorescente o una lámpara de arco de xenón. Según un modo de realización, el flujo de fotones o la potencia de pulso media de la iluminación está comprendida entre 1 mW.cm-2 y 100 kW.cm-2 y más preferiblemente entre 10 mW.cm-2 y 100 W.cm-2, e incluso más preferiblemente entre 10 mW.cm-2 y 30 W.cm-2.
De acuerdo con un modo de realización, el flujo de fotones o la potencia de pulso promedio de la iluminación es al menos 1 mW.cm-2, 50 mW.cm-2, 100 mW.cm-2, 500 mW.cm-2, 1 W.cm-2, 5 W.cm-2, 10 W.cm-2, 20 W.cm-2, 30 W.cm-2, 40 W.cm-2, 50 W.cm-2, 60 W.cm-2, 70 W.cm-2, 80 W.cm-2, 90 W.cm-2, 100 W.cm-2, 110 W.cm-2, 120 W.cm-2, 130 W.cm2, 140 W.cm-2, 150 W.cm-2, 160 W.cm-2, 170W.cm-2, 180W.cm-2, 190 W.cm-2, 200 W.cm-2, 300 W.cm-2, 400 W.cm-2,
500 W.cm-2, 600 W.cm-2, 700 W.cm-2, 800 W.cm-2, 900 W.cm-2, 1 kW.cm-2, 50 kW.cm-2, o 100 kW.cm-2
De acuerdo con un modo de realización, el material emisor de luz 7 presenta una disminución del rendimiento cuántico de fotoluminiscencia (PQLY) inferior al 80%, 70%, 60%, 50%, 40%, 30%, 25%, 20%, 15%, 10%, 5%, 4%, 3%, 2%, 1%
0 0% después de al menos 300, 400, 500, 600, 700, 800, 900, 1000, 2000, 3000, 4000, 5000, 6000, 7000, 8000, 9.000, 10.000, 11.000, 12.000, 13.000, 14.000, 15.000, 16.000, 17.000, 18.000, 19.000, 20.000, 21.000, 22.000, 23.000, 24.000, 25.000, 26.000, 27.000, 28.000, 29.000, 30.000, 31.000, 32.000, 33.000, 34.000, 35.000, 36.000, 37.000, 38.000, 39.000, 40.000, 41.000, 42.000, 43.000, 44.000, 45.000, 46.000, 47.000, 48.000, 49.000 o 50.000. horas bajo iluminación de luz con un flujo de fotones o una potencia de pulso pico promedio de al menos 1 mW.cm-2, 50 mW.cm-2, 100 mW.cm-2, 500 mW.cm-2, 1 W.cm-2, 5 W.cm-2, 10 W.cm-2, 20 W.cm-2, 30 W.cm-2, 40 W.cm-2, 50 W.cm-2, 60 W.cm-2, 70W.cm-2, 80W.cm-2, 90 W.cm-2, 100 W.cm-2, 110 W.cm-2, 120 W.cm-2, 130W.cm-2, 140 W.cm-2, 150W.cm-2, 160 W.cm-2, 170 W.cm-2, 180 W.cm-2, 190 W.cm-2, 200 W.cm-2, 300 W.cm-2, 400 W.cm-2, 500 W.cm-2, W.cm-2, 800 W.cm-2, 900 W.cm-2, 1 kW.cm-2, 50 kW.cm-2, o 100 kW.cm-2.
En un modo de realización, el material emisor de luz 7 presenta una disminución de la FCE inferior al 80%, 70%, 60%, 50%, 40%, 30%, 25%, 20%, 15%, 10%, 5%, 4%, 3%, 2%, 1% o 0% después de al menos 300, 400, 500, 600, 700,
800, 900, 1000, 2000, 3000, 4000, 5000, 6000, 7000, 8000, 9000, 10000, 11000, 12000, 13000, 14000, 15000, 16000, 17000, 18000, 19000, 20000, 21000, 22000, 23000, 24000, 25000, 26000, 27000, 28000, 29000, 30000, 31000, 32000, 33000, 34000, 35000, 36000, 37000, 38000, 39000, 40000, 41000, 42000, 43000, 44000, 45000, 46000, 47000, 48000, 49000, o 50000 horas bajo una iluminación de luz con un flujo de fotones o una potencia de pulso pico media de al menos 1 mW.cm-2, 50 mW.cm-2, 100 mW.cm-2, 500 mW.cm-2, 1 W.cm-2, 5 W.cm-2, 10 W.cm-2, 20 W.cm-2,
30 W.cm-2, 40 W.cm-2, 50 W.cm-2, 60W .cm-2, 70W.cm-2, 80 W.cm-2, 90 W.cm-2, 100 W.cm-2, 110 W.cm-2, 120 W.cm-2, 130 W.cm-2, 140 W.cm-2, 150 W.cm-2, 160 W.cm-2, 170 W.cm-2, 180W.cm-2, 190 W.cm-2, 200W.cm-2, 300 W.cm-2,
400 W.cm-2, 500 W.cm-2, 600 W.cm-2, 700 W.cm-2, 800 W.cm-2, 900 W.cm-2, 1 kW.cm-2, 50 kW.cm-2, o 100 kW.cm-2.
En un modo de realización, el material emisor de luz 7 presenta una disminución del rendimiento cuántico de fotoluminiscencia (PQLY) inferior al 80%, 70%, 60%, 50%, 40%, 30%, 25%, 20%, 15%, 10%, 5%, 4%, 3%, 2%, 1% o
0% después de al menos 300, 400, 500, 600, 700, 800, 900, 1000, 2000, 3000, 4000, 5000, 6000, 7000, 8000, 9000, 10000, 11000, 12000, 13000, 14000, 15000, 16000, 17000, 18000, 19000, 20000, 21000, 22000, 23000, 24000, 25000, 26000, 27000, 28000, 29000, 30000, 31000, 32000, 33000, 34000, 35000, 36000, 37000, 38000, 39000, 40000, 41000, 42000, 43000, 44000, 45000, 46000, 47000, 48000, 49000, o 50000 horas bajo luz pulsada con una potencia de pulso media de al menos 1 mW.cm-2, 50 mW.cm-2, 100 mW.cm-2, 500 mW.cm-2, 1 W.cm-2, 5 W.cm-2, 10 W.cm-2, 20 W.cm-2, 30 W.cm-2, 40 W.cm-2, 50 W.cm-2, 60 W.cm-2, 70 W.cm-2, 80 W.cm-2, 90 W.cm-2, 100 W.cm-2, 110 W.cm-2, 120 W.cm-2, 130 W.cm-2, 140 W.cm-2, 150 W.cm-2, 160 W.cm-2,170 W.cm-2, 180 W.cm-2, 190 W.cm-2,
200 W.cm-2, 300 W.cm-2, 400 W.cm-2, 500 W.cm-2, 600 W.cm-2, 700 W.cm-2, 800 W.cm-2, 900 W.cm-2, 1 kW.cm-2,
50 kW.cm-2, o 100 kW.cm-2.
En un modo de realización preferido, el material emisor de luz 7 presenta una disminución del rendimiento cuántico de fotoluminiscencia (PQLY) inferior al 25%, 20%, 15%, 10%, 5%, 4%, 3%, 2%, 1% o 0% después de al menos 300,
400, 500, 600, 700, 800, 900, 1000, 2000, 3000, 4000, 5000, 6000, 7000, 8000, 9000, 10000, 11000, 12000, 13000, 14000, 15000, 16000, 17000, 18000, 19000, 20000, 21000, 22000, 23000, 24000, 25000, 26000, 27000, 28000, 29000, 30000, 31000, 32000, 33000, 34000, 35000, 36000, 37000, 38000, 39000, 40000, 41000, 42000, 43000, 44000, 45000, 46000, 47000, 48000, 49000, o 50000 horas bajo luz pulsada o luz continua con un promedio de potencia de pulso o flujo de fotones de al menos 1 mW.cm-2, 50 mW.cm-2, 100 mW.cm-2, 500 mW.cm-2, 1 W.cm-2, 5 W.cm-2, 10 W.cm-2, 20 W.cm-2, 30 W.cm-2, 40 W.cm-2, 50 W.cm-2, 60 W.cm-2, 70 W.cm-2, 80 W.cm-2, 90 W.cm-2, 100 W.cm-2, 110 W.cm-2, 120 W.cm-2, 130 W.cm-2, 140 W.cm-2, 150 W.cm-2, 160 W.cm-2, 170 W.cm-2, 180 W.cm-2, 190 W.cm-2, 200 W.cm-2, 300 W.cm-2, 400 W.cm-2, 500 W.cm-2, 600 W.cm-2, 700 W.cm-2, 800 W.cm-2, 900 W.cm-2,
1 kW.cm-2, 50 kW.cm-2, o 100 kW.cm-2.
En un modo de realización, el material emisor de luz 7 presenta una disminución de la FCE inferior al 80%, 70%, 60%, 50%, 40%, 30%, 25%, 20%, 15%, 10%, 5%, 4%, 3%, 2%, 1% o 0% después de al menos 300, 400, 500, 600, 700,
800, 900, 1000, 2000, 3000, 4000, 5000, 6000, 7000, 8000, 9000, 10000, 11000, 12000, 13000, 14000, 15000, 16000, 17000, 18000, 19000, 20000, 21000, 22000, 23000, 24000, 25000, 26000, 27000, 28000, 29000, 30000, 31000, 32000, 33000, 34000, 35000, 36000, 37000, 38000, 39000, 40000, 41000, 42000, 43000, 44000, 45000, 46000, 47000, 48000, 49000, o 50000 horas bajo luz pulsada con una potencia de pulso pico media de al menos 1 mW.cm-2,
50 mW.cm-2, 100 mW.cm-2, 500 mW.cm-2, 1 W.cm-2, 5 W.cm-2, 10 W.cm-2, 20 W.cm-2, 30 W.cm-2, 40 W.cm-2, 50 W.cm-2, 60 W.cm-2, 70 W.cm-2, 80 W.cm-2, 90 W.cm-2, 100 W.cm-2, 110 W.cm-2, 120 W.cm-2, 130 W.cm-2, 140 W.cm-2, 150 W.cm-2, 160 W.cm-2, 170 W.cm-2, 180 W.cm-2, 190 W.cm-2, 200 W.cm-2, 300 W.cm-2, 400 W.cm-2, 500 W.cm-2, 600 W.cm-2, 700 W.cm-2, 800 W.cm-2, 900 W.cm-2, 1 kW.cm-2, 50 kW.cm-2, o 100 kW.cm-2.
En un modo de realización preferido, el material emisor de luz 7 presenta una disminución de la FCE inferior al 25%, 20%, 15%, 10%, 5%, 4%, 3%, 2%, 1% o 0% después de al menos 300, 400, 500, 600, 700, 800, 900, 1000, 2000, 3000, 4000, 5000, 6000, 7000, 8000, 9000, 10000, 11000, 12000, 13000, 14000, 15000, 16000, 17000, 18000, 19000, 20000, 21000, 22000, 23000, 24000, 25000, 26000, 27000, 28000, 29000, 30000, 31000, 32000, 33000, 34000, 35000, 36000, 37000, 38000, 39000, 40000, 41000, 42000, 43000, 44000, 45000, 46000, 47000, 48000, 49000, o 50000 horas bajo luz pulsada o luz continua con un promedio de potencia de pulso o flujo de fotones máximo de al menos 1 mW.cm-2, 50 mW.cm-2, 100 mW.cm-2, 500 mW.cm-2, 1 W.cm-2, 5 W.cm-2, 10 W.cm-2, 20 W.cm-2, 30 W.cm-2, 40 W.cm-2, 50 W.cm-2, 60 W.cm-2, 70 W.cm-2, 80 W.cm-2, 90 W.cm-2, 100 W.cm-2, 110 W.cm-2, 120 W.cm-2, 130 W.cm-2, 140 W.cm-2, 150 W.cm-2, 160 W.cm-2, 170 W.cm-2, 180 W.cm-2, 190 W.cm-2, 200 W.cm-2, 300 W.cm-2, 400 W.cm-2, 500 W.cm-2, 600 W.cm-2, 700 W.cm-2, 800 W.cm-2, 900 W.cm-2, 1 kW.cm-2, 50 kW.cm-2, o 100 kW.cm-2
De acuerdo con un modo de realización, el material anfitrión 71 está libre de oxígeno.
De acuerdo con un modo de realización, el material anfitrión 71 está libre de agua.
De acuerdo con un modo de realización, el material anfitrión 71 limita o impide la degradación de las propiedades químicas y físicas de la al menos una partícula compuesta 1 a causa del oxígeno molecular, el ozono, el agua y/o la alta temperatura.
De acuerdo con un modo de realización, el material anfitrión 71 es ópticamente transparente a longitudes de onda entre 200 nm y 50 pm, entre 200 nm y 10 pm, entre 200 nm y 2500 nm, entre 200 nm y 2000 nm, entre 200 nm y 1500 nm, entre 200 nm y 1000 nm, entre 200 nm y 800 nm, entre 400 nm y 700 nm, entre 400 nm y 600 nm, o entre 400 nm y 470 nm.
De acuerdo con un modo de realización, el material anfitrión 71 tiene un índice de refracción que va de 1.0 a 3.0. de 1.2 a 2.6. de 1.4 a 2.0 a 450 nm.
De acuerdo con un modo de realización, el material anfitrión 71 tiene un índice de refracción de al menos 1.0, 1.1, 1.2, 1.3, 1.4, 1.5, 1.6, 1.7, 1.8, 1.9, 2.0, 2.1, 2.2, 2.3, 2.4, 2.5, 2.6, 2.7, 2.8, 2.9, o 3.0 a 450 nm.
Según una realización, el material anfitrión 71 tiene un índice de refracción distinto del índice de refracción del material inorgánico 2 comprendido en la al menos una partícula compuesta 1 o del índice de refracción de la partícula compuesta 1. Este modo de realización permite una mayor dispersión de la luz. Este modo de realización también permite tener una diferencia en la dispersión de la luz en función de la longitud de onda, en particular para aumentar la dispersión de la luz de excitación con respecto a la dispersión de la luz emitida, ya que la longitud de onda de la luz de excitación es menor que la longitud de onda de la luz emitida.
De acuerdo con un modo de realización, el material anfitrión 71 tiene una diferencia de índice de refracción con el índice de refracción del material inorgánico 2 comprendido en la al menos una partícula compuesta 1 o con el índice de refracción de la partícula compuesta 1 de al menos 0.02, 0.025, 0.03, 0.035, 0.04, 0.045, 0.05, 0.055, 0.06, 0.065, 0.07, 0.075, 0.08, 0.085, 0.09, 0.095, 0.1, 0.11, 0.115, 0.12, 0.125, 0.13, 0.135, 0.14, 0.145, 0.15, 0.155, 0.16, 0.165, 0. 17, 0.175, 0.18, 0.185, 0.19, 0.195, 0.2, 0.25, 0.3, 0.35, 0.4, 0.45, 0.5, 0.55, 0.6, 0.65, 0.7, 0.75, 0.8, 0.85, 0.9, 0.95, 1, 1.1, 1.15, 1.2, 1.25, 1.3, 1.35, 1.4, 1.45, 1.5, 1.55, 1.6, 1.65, 1.7, 1.75, 1.8, 1.85, 1.9, 1.95, o 2.
De acuerdo con un modo de realización, el material anfitrión 71 tiene una diferencia de índice de refracción con el material inorgánico 2 comprendido en la al menos una partícula compuesta 1 que va de 0.02 a 2 , que va de 0.02 a 1.5, que va de 0.03 a 1.5, que va de 0.04 a 1.5, que va de 0.05 a 1.5, que va de 0.02 a 1.2, que va de 0.03 a 1.2, que va de 0.04 a 1.2, que va de 0.05 a 1.2, que va de 0.05 a 1, que va de 0.1 a 1, que va de 0.2 a 1, que va de 0.3 a 1, que va de 0.5 a 1, que va de 0.05 a 2, que va de 0.1 a 2, que va de 0.2 a 2, que va de 0.3 a 2, o que va de 0.5 a 2.
La diferencia de índice de refracción se midió a 450 nm.
De acuerdo con un modo de realización, el material anfitrión 71 tiene un índice de refracción superior o igual al índice de refracción del material inorgánico 2.
De acuerdo con un modo de realización, el material anfitrión 71 tiene un índice de refracción inferior al índice de refracción del material inorgánico 2.
De acuerdo con un modo de realización, la al menos una partícula compuesta 1 en el material anfitrión 71 está configurada para dispersar la luz.
De acuerdo con un modo de realización, el material emisor de luz 7 tiene un factor de niebla que oscila entre el 1% y el 100%.
De acuerdo con un modo de realización, el material emisor de luz 7 tiene un factor de turbidez de al menos 1%, 2%, 3%, 4%, 5%, 10%, 15%, 20%, 25%, 30%, 35%, 40%, 45%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 75%, 80%, 85%, 90%, 95% o 100%.
El factor de niebla se calcula mediante la relación entre la intensidad de la luz dispersada por el material más allá del ángulo de visión y la intensidad total transmitida por el material cuando se ilumina con una fuente de luz.
De acuerdo con un modo de realización, el ángulo de visión utilizado para medir el factor de niebla oscila entre 0° y 20°.
De acuerdo con un modo de realización, el ángulo de visión utilizado para medir el factor de niebla es de al menos 0°, 1°, 2°, 3°, 4°, 5°, 6 °, 7°, 8°, 9°, 10°, 11°, 12°, 13°, 14°, 15°, 16°, 17°, 18°, 19° o 20°.
De acuerdo con un modo de realización, al menos una partícula compuesta 1 en el material anfitrión 71 está configurada para servir como guía de ondas. En esta realización, el índice de refracción de al menos una partícula compuesta 1 es mayor que el índice de refracción del material anfitrión 71.
De acuerdo con un modo de realización, la partícula compuesta 1 tiene una forma esférica. La forma esférica puede permitir que la luz circule en la partícula de material compuesto 1 sin salir de dicha partícula de material compuesto, de forma que funcione como una guía de ondas. La forma esférica puede permitir que la luz tenga modos de onda de galería susurrante. Además, una forma esférica perfecta evita las fluctuaciones de la intensidad de la luz dispersada.
De acuerdo con un modo de realización, al menos una partícula compuesta 1 en el material anfitrión 71 está configurada para generar múltiples reflexiones de luz dentro de dicha partícula compuesta 1.
De acuerdo con un modo de realización, el material anfitrión 71 tiene un índice de refracción igual al índice de refracción del material inorgánico 2 incluido en la al menos una partícula compuesta 1. En esta realización, se evita la dispersión de la luz.
De acuerdo con un modo de realización, el material anfitrión 71 es un conductor térmico.
De acuerdo con un modo de realización, el material anfitrión 71 tiene una conductividad térmica en condiciones estándar que va de 0.1 a 450 W/(m.K), preferiblemente de 1 a 200 W/(m.K), más preferiblemente de 10 a 150 W/(m.K).
De acuerdo con un modo de realización, el material anfitrión 71 tiene una conductividad térmica en condiciones estándar de al menos 0.1 W/(m.K).
De acuerdo con un modo de realización, el material anfitrión 71 es aislante eléctrico.
De acuerdo con un modo de realización, el material anfitrión 71 es conductor eléctrico.
De acuerdo con un modo de realización, el material anfitrión 71 tiene una conductividad eléctrica en condiciones estándar que va de 1x10-20 a 107 S/m, preferiblemente de 1x10-15 a 5 S/m, más preferiblemente de 1*10-7 a 1 S/m.
De acuerdo con un modo de realización, el material anfitrión 71 tiene una conductividad eléctrica en condiciones estándar de al menos 1x10-20 S/m, 0.5x10-19 S/m, 1x10-19 S/m, 0.5x10-18 S/m, 1x10-18 S/m, 0.5x10-17 S/m, 1x10-17 S/m, 0.5x10-16 S/m, 1x10-16 S/m, 0.5x10-15 S/m, 1x10-15 S/m, 0.5x10-14 S/m, 1x10-14S/m, 0.5x10-13 S/m, 1x10-13S/m, 0.5x10-12 S/m, 1x10-12S/m, 0.5x10-11 S/m, 1x10-11 S/m, 0.5x10-10 S/m, 1x10-10S/m, 0.5x10-9 S/m, 1x10-9 S/m, 0.5x10-8 S/m, 1x10-8 S/m, 0.5x10-7 S/m, 1x10-7 S/m, 0.5x10-6 S/m, 1x10-6 S/m, 0.5x10-5 S/m, 1x10-5 S/m, 0.5x10-4 S/m, 1x10-4 S/m, 0.5x10-3 S/m, 1x10-3 S/m, 0.5x10-2 S/m, 1x10-2 S/m, 0.5x10-1 S/m, 1x10-1 S/m, 0.5 S/m, 1 S/m, 1.5 S/m, 2 S/m, 2.5 S/m, 3 S/m, 3.5 S/m, 4 S/m, 4.5 S/m, 5 S/m, 5.5 S/m, 6 S/m, 6.5 S/m, 7 S/m, 7.5 S/m, 8 S/m, 8.5 S/m, 9 S/m, 9.5 S/m, 10 S/m, 50 S/m, 102 S/m, 5x102 S/m, 103 S/m, 5x103 S/m, 104 S/m, 5x104 S/m, 105 S/m, 5x105 S/m, 106 S/m, 5x106 S/m, o 107 S/m.
De acuerdo con un modo de realización, la conductividad eléctrica del material anfitrión 71 puede medirse, por ejemplo, con un espectrómetro de impedancia.
De acuerdo con un modo de realización, el material anfitrión 71 puede curarse en forma de película, generando así una película.
De acuerdo con un modo de realización, el material anfitrión 71 es polimérico.
De acuerdo con un modo de realización, el material anfitrión 71 comprende un material orgánico como se describe a continuación.
De acuerdo con un modo de realización, el material anfitrión 71 comprende un polímero orgánico como se describe a continuación.
De acuerdo con un modo de realización, el material anfitrión 71 puede polimerizarse calentándolo y/o exponiéndolo a la luz UV.
De acuerdo con un modo de realización, el material anfitrión polimérico 71 incluye, pero no se limita a: polímeros a base de silicona, polidimetilsiloxanos (PDMS), tereftalato de polietileno, poliésteres, poliacrilatos, polimetacrilatos, policarbonato, poli(alcohol vinílico), polivinilpirrolidona, polivinilpiridina, polisacáridos, poli(etilenglicol), resinas de melamina, una resina de fenol, una resina de alquilo, una resina de epoxi una resina de poliuretano, una resina maleica, una resina de poliamida, una resina alquílica, una resina maleica, resinas terpénicas, una resina acrílica o una resina a base de acrilato como el PMMA, copolímeros que forman las resinas, copolímeros, copolímeros en bloque, monómeros polimerizables que comprenden un iniciador UV o un iniciador térmico, o una mezcla de éstos.
De acuerdo con un modo de realización, el material anfitrión polimérico 71 incluye, pero no se limita a: resina termoestable, resina fotosensible, resina fotorresistente, resina fotocurable o resina de curado en seco. La resina termoendurecible y la resina fotocurable se curan utilizando calor y luz, respectivamente. Para el uso de la resina dura en seco, la resina se cura aplicando calor a un disolvente en el que se dispersada al menos una partícula compuesta 1.
Cuando se utiliza una resina termoendurecible o una resina fotocurable, la composición del material emisor de luz 7 resultante es igual a la composición de la materia prima del material emisor de luz 7. Sin embargo, cuando se utiliza una resina de curado en seco, la composición del material emisor de luz 7 resultante puede ser diferente de la composición de la materia prima del material emisor de luz 7. Durante el curado en seco por calor, el disolvente se evapora parcialmente. Por lo tanto, la proporción de volumen de la partícula compuesta 1 en la materia prima del material emisor de luz 7 puede ser menor que la proporción de volumen de la partícula compuesta 1 en el material emisor de luz 7 resultante.
Tras el curado de la resina, se produce una contracción del volumen. Según una realización, se produce una contracción de al menos el 2%, 3%, 4%, 5%, 6 %, 7%, 8%, 9%, 10%, 15% o 20%, de una resina termoendurecible o una resina fotocurable. Según una realización, una resina de curado en seco se contrae al menos 0.1%, 0.2%, 0.3%, 0.4%, 0.5%, 0.6%, 0.7%, 0.8%, 0.9%, 1%, 1.5%, 2%, 2.5%, 3%, 3.5%, 4%, 4.5%, 5%, 5.5%, 6%, 6.5%, 7%, 7.5%, 8%, 8.5%, 9%, 9.5%, 10%, 15%, o 20%.
La contracción de la resina puede causar el movimiento de las partículas compuestas 1, lo que puede disminuir el grado de dispersión de las partículas compuestas 1 en el material emisor de luz 7. Sin embargo, los modos de realización de la presente invención pueden mantener un alto nivel de dispersión evitando el movimiento de las partículas compuestas 1 mediante la introducción de otras partículas en dicho material emisor de luz 7.
En un modo de realización, el material anfitrión 71 puede ser una formulación polimerizable que puede incluir monómeros, oligómeros, polímeros o una mezcla de estos.
En un modo de realización, la formulación polimerizable puede comprender además un agente de reticulación, un agente de dispersión, un fotoiniciador o un iniciador térmico.
En un modo de realización, la formulación polimerizable incluye, pero no se limita a: monómeros, oligómeros o polímeros hechos de un metacrilato de alquilo o un acrilato de alquilo como el ácido acrílico, el ácido metacrílico, el ácido crotónico, el acrilonitrilo, los ésteres acrílicos sustituidos con metoxi, etoxi, propoxi, butoxi y derivados similares, por ejemplo acrilato de metilo, acrilato de etilo, acrilato de propilo, acrilato de butilo, acrilato de isobutilo, acrilato de laurilo, acrilato de norbornilo, acrilato de 2-etilhexilo, acrilato de 2-hidroxietilo, acrilato de 4-hidroxibutilo, acrilato de bencilo, acrilato de fenilo, acrilato de isobornilo, acrilato de hidroxipropilo, monómeros acrílicos fluorados, monómeros acrílicos clorados, ácido metacrílico, metacrilato de metilo, metacrilato de n-butilo, metacrilato de isobutilo, metacrilato de 2-etilo hexilo, metacrilato de 2-hidroxietilo, metacrilato de 4-hidroxibutilo, metacrilato de bencilo, metacrilato de fenilo, metacrilato de laurilo, metacrilato de norbornilo, metacrilato de isobornilo, metacrilato de hidroxipropilo, monómeros metacrílicos fluorados, monómeros metacrílicos clorados, crotonatos de alquilo, crotonatos de alilo, metacrilato de glicidilo y ésteres relacionados.
En otro modo de realización, la formulación polimerizable incluye, pero no se limita a: monómeros, oligómeros o polímeros hechos de una acrilamida o metacrilamida alquílica como acrilamida, alquilacrilamida, N-tert-butilacrilamida, diacetona acrilamida, N,N-dietilacrilamida, N-(isobutoximetil)acrilamida, N-(3-Metoxipropil)acrilamida, N-Difenilmetilacrilamida, N-Etilacrilamida, N-Hidroxietilacrilamida, N-(Isobutoximetil)acrilamida, N-Isopropilacrilamida, N-(3-Metoxipropil)acrilamida, N-Fenilacrilamida, N-[Tris(hidroximetil)metil]acrilamida, N,N-Dietilmetacrilamida, N,NDimetilacrilamida, N-[3-(Dimetilamino)propil]metacrilamida, N-(Hidroximetil)acrilamida, 2-Hidroxipropilmetacrilamida, N-Isopropilmetacrilamida, Metacrilamida, N-(Trifenilmetil)metacrilamida, poli (3,4-etilendioxitiofeno), poli(etilendioxitiofeno)/polio(ácido estireno sulfónico) (PEDOT/PSS), una solución acuosa de polianilina/ácido alcanfor sulfónico (PANI/CsA), PTPDES, Et-PIT- DEK, Pp BA, y derivados similares.
En un modo de realización, la formulación polimerizable incluye pero no se limita a monómeros, oligómeros o polímeros hechos de alfa-olefinas, dienos como el butadieno y el cloropreno; estireno, alfa-metilestireno, y similares; alfa-olefinas sustituidas por heteroátomos, por ejemplo, acetato de vinilo, éteres de vinilo, por ejemplo, etil vinil éter, viniltrimetilsilano, cloruro de vinilo, tetrafluoroetileno, clorotrifiuoroetileno, compuestos de olefinas cíclicas y policíclicas, por ejemplo, ciclopenteno, ciclohexeno, ciclohepteno, cicloocteno y derivados cíclicos hasta C20; derivados policíclicos, por ejemplo, norborneno, y derivados similares hasta C20; éteres de vinilo cíclicos, por ejemplo, 2, 3-dihidrofurano, 3,4-dihidropirano, y derivados similares; derivados de alcohol alílico, por ejemplo, carbonato de viniletileno, olefinas disustituidas, como compuestos maleicos y fumáricos, por ejemplo, anhídrido maleico, dietilfumarato, y similares, y mezclas de los mismos.
En un modo de realización, los ejemplos de agente reticulante incluyen, pero no se limitan a: di-acrilato, tri-acrilato, tetra-acrilato, di-metacrilato, tri-metacrilato y tetra-metacrilato derivados de monómeros y similares. Otro ejemplo de agente reticulante incluye, pero no se limita a monómeros, oligómeros o polímeros hechos de monómeros di- o trifuncionales como metacrilato de alilo, maleato de dialilo, dimetacrilato de 1,3-butanediol, dimetacrilato de 1,4butanediol, dimetacrilato de 1 ,6-hexanediol triacrilato de pentaeritritol, triacrilato de trimetilolpropano, dimetacrilato de etilenglicol, dimetacrilato de trietilenglicol, N,N-metilenbis(acrilamida), N,N'-hexametilenbis(metacrilamida) y divinilbenceno.
En un modo de realización, la formulación polimerizable puede comprender además partículas de dispersión. Los ejemplos de partículas de dispersión incluyen, pero no se limitan a: SiO2, ZrO2, ZnO, MgO, SnO2, TiO2, Ag, Au, alúmina, sulfato de bario, PTFE, titanato de bario y similares.
En un modo de realización, la formulación polimerizable puede comprender además un conductor térmico. Los ejemplos de conductores térmicos incluyen, pero no se limitan a: SiO2, ZrO2, ZnO, MgO, SnO2, TiO2, CaO, alúmina, sulfato de bario, PTFE, titanato de bario y similares. En esta realización, se aumenta la conductividad térmica del material anfitrión 71.
En un modo de realización, la formulación polimerizable puede comprender además un fotoiniciador. Los ejemplos de fotoiniciadores incluyen, pero no se limitan a: a-hidroxicetona, fenilglioxilato, bencildimetilcetal, a-aminocetona, óxidos de monoacilfosfina, óxidos de bisacilfosfina, óxido de fosfina, benzofenona y derivados, cinamato de polivinilo, derivados de sales de metaloceno o de yodo y similares. Otro ejemplo de fotoiniciador incluye el fotoiniciador Irgacure® y el fotoiniciador Esacure® y similares.
En un modo de realización, la formulación polimerizable puede comprender además un iniciador térmico. Los ejemplos de iniciadores térmicos incluyen, entre otros, los siguientes: compuestos de peróxido, compuestos azoicos como el azobisobutironitrilo (AIBN) y el 4,4-azobis(ácido 4-cianovalérico), persulfato de potasio y de amonio, peróxido de tertbutilo, peróxido de benzoilo y similares.
En un modo de realización, el material anfitrión polimérico 71 puede ser un sólido polimerizado hecho de un metacrilato de alquilo o un acrilato de alquilo como el ácido acrílico, el ácido metacrílico, el ácido crotónico, el acrilonitrilo, los ésteres acrílicos sustituidos con metoxi, etoxi, propoxi, butoxi, y derivados similares, por ejemplo, acrilato de metilo, acrilato de etilo, acrilato de propilo, acrilato de butilo, acrilato de isobutilo, acrilato de laurilo, acrilato de norbornilo, acrilato de 2-etilhexilo, acrilato de 2-hidroxietilo, acrilato de 4-hidroxibutilo, acrilato de bencilo, acrilato de fenilo, acrilato de isobornilo, acrilato de hidroxipropilo, monómeros acrílicos fluorados, monómeros acrílicos clorados, ácido metacrílico, metacrilato de metilo, metacrilato de n-butilo, metacrilato de isobutilo, metacrilato de 2 -hexilo, metacrilato de 2-hidroxietilo, metacrilato de 4-hidroxibutilo, metacrilato de bencilo, metacrilato de fenilo, metacrilato de laurilo, metacrilato de norbornilo, metacrilato de isobornilo, metacrilato de hidroxipropilo, monómeros metacrílicos fluorados, monómeros metacrílicos clorados, crotonatos de alquilo, crotonatos de alilo, metacrilato de glicidilo y ésteres relacionados.
En un modo de realización, el material anfitrión polimérico 71 puede ser un sólido polimerizado hecho de una acrilamida 0 metacrilamida alquílica, como acrilamida, alquilacrilamida, n-terbutilacrilamida, diacetona acrilamida, N,N-dietilacrilamida, N- Isobutoximetil)acrilamida, N-(3-Metoxipropil)acrilamida, N-Difenilmetilacrilamida, N-Etilacrilamida, N-Hidroxietil acrilamida, N-(Isobutoximetil)acrilamida, N-Isopropilacrilamida, N-(3-Metoxipropil)acrilamida, N-Fenilacrilamida, N-[Tris(hidroximetil)metil]acrilamida, N,N-Dietilmetacrilamida, N,N-Dimetilacrilamida, N-[3-(Dimetilamino)propil]metacrilamida, N-(Hidroximetil)acrilamida, 2-Hidroxipropilmetacrilamida, N-Isopropilmetacrilamida, Metacrilamida, N-(Trifenilmetil)metacrilamida, poli (3,4-etilendioxitiofeno), poli(etilendioxitiofeno)/polio(ácido estireno sulfónico) (PEDOT/PSS), una solución acuosa de polianilina/ácido alcanfor sulfónico (PANI/CSA), PTPDES, Et-PIT- DEK, PPBA, y derivados similares.
En un modo de realización, el material anfitrión polimérico 71 puede ser un sólido polimerizado hecho de alfa-olefinas, dienos tales como butadieno y cloropreno; estireno, alfa-metilestireno, y similares; alfa-olefinas sustituidas por heteroátomos, por ejemplo, acetato de vinilo, éteres de vinilo, por ejemplo, etil vinil éter, viniltrimetilsilano, cloruro de vinilo, tetrafluoroetileno, clorotrifiuoroetileno, compuestos de olefinas cíclicas y policíclicas, por ejemplo, ciclopenteno, ciclohexeno, ciclohepteno, cicloocteno y derivados cíclicos hasta C20; derivados policíclicos, por ejemplo, norborneno, y derivados similares hasta C20; éteres de vinilo cíclicos, por ejemplo, 2, 3-dihidrofurano, 3,4-dihidropirano, y derivados similares; derivados del alcohol alílico, por ejemplo, carbonato de viniletileno, olefinas disustituidas, como compuestos maleicos y fumáricos, por ejemplo, anhídrido maleico, dietilfumarato, y similares, y mezclas de los mismos.
En una realización, el material anfitrión polimérico 71 puede ser PMMA, poli(metacrilato de laurilo), poli(tereftalato de etileno) glicolizado, poli(anhídrido maleico-altoctadeceno), o mezclas de los mismos.
En un modo de realización, el material emisor de luz 7 comprende las partículas compuestas 1 de la invención y un material anfitrión polimérico 71, y no comprende un disolvente. En este modo de realización, las partículas compuestas 1 y el material anfitrión 71 pueden mezclarse por extrusión.
De acuerdo con otro modo de realización, el material anfitrión 71 es inorgánico.
De acuerdo con un modo de realización, el material anfitrión 71 no comprende vidrio.
De acuerdo con un modo de realización, el material anfitrión 71 no comprende vidrio vitrificado.
De acuerdo con un modo de realización, los ejemplos de material anfitrión inorgánico 71 incluyen, pero no se limitan a: materiales obtenibles por proceso sol-gel, óxidos metálicos como por ejemplo S O 2, A^O 3, TO 2, ZrO2, ZnO, MgO, SnO2, IrO2, o una mezcla de estos. Dicho material anfitrión 71 actúa como una barrera suplementaria contra la oxidación y puede drenar el calor si es un buen conductor térmico.
De acuerdo con un modo de realización, el material anfitrión 71 está compuesto por un material seleccionado en el grupo de los metales, haluros, calcogenuros, fosfuros, sulfuros, metaloides, aleaciones metálicas, cerámicas como por ejemplo óxidos, carburos o nitruros. Dicho material anfitrión 71 se prepara utilizando protocolos conocidos por el experto en la materia.
De acuerdo con un modo de realización, un calcogenuro es un compuesto químico que consiste en al menos un anión calcogénico perteneciente al grupo de O, S, Se, Te, Po, y al menos uno o más elementos electropositivos.
De acuerdo con un modo de realización, el material anfitrión metálico 71 pertenece al grupo: oro, plata, cobre, vanadio, platino, paladio, rutenio, renio, itrio, mercurio, cadmio, osmio, cromo, tantalio, manganeso, zinc, circonio, niobio, molibdeno, rodio, tungsteno, iridio, níquel, hierro o cobalto.
De acuerdo con un modo de realización, los ejemplos de material anfitrión de carburo 71 incluyen, pero no se limitan a: SiC, WC, BC, MoC, TiC, AUC3, LaC2, FeC, CoC, HfC, SixCy, WxCy, BxCy, MoxCy, TixCy, AlxCy, LaxCy, FexCy, CoxCy, HfxCy, o una mezcla de estos; x e y son independientemente un número decimal de 0 a 5, a condición de que x e y no sean simultáneamente iguales a 0, y x t 0.
De acuerdo con un modo de realización, los ejemplos de material anfitrión de óxido 71 incluyen, pero no se limitan a:
SiO2, Al2O3, TiO2, ZrO2, ZnO, MgO, SnO2, Nb2O5, CeO2, BeO, IrO2, CaO, Sc2O3, NiO, Na2O, BaO, K2O, PbO, Ag2O, V2O5, TeO2, MnO, B2O3, P2O5, P2O3, P4O7, P4O8, P4O9, P2O6, PO, GeO2, As2O3, Fe2O3, Fe3O4, Ta2O5, Li2O, SrO, Y2O3, HfO2, WO2, MoO2, Cr2O3, Tc2O7, ReO2, RuO2, Co3O4, OsO, RhO2, Rh2O3, PtO, PdO, CuO, Cu2O, CdO Ga2O3, In2O3, Bi2O3, Sb2O3, PoO2, SeO2, Cs2O, La2O3, PraO-n, Nd2O3, La2O3, Sm2O3, Eu2O3, Tb4O7, Dy2 Er2O3, Tm2O3, Yb2O3, Lu2O3, Gd2O3, o a una mezcla de éstos.
De acuerdo con un modo de realización, los ejemplos de material anfitrión de óxido 71 incluyen, pero no se limitan a: óxido de silicio, óxido de aluminio, óxido de titanio, óxido de cobre, óxido de hierro, óxido de plata, óxido de plomo, óxido de calcio, óxido de magnesio, óxido de zinc, óxido de estaño, óxido de berilio, óxido de circonio, óxido de niobio, óxido de cerio, óxido de iridio, óxido de escandio, óxido de níquel, óxido de sodio, óxido de bario, óxido de potasio, óxido de vanadio, óxido de telurio, óxido de manganeso, óxido de boro, óxido de fósforo, óxido de germanio, óxido de osmio, óxido de renio, óxido de platino, óxido de arsénico, óxido de tantalio, óxido de litio, óxido de estroncio, óxido de itrio, óxido de hafnio, óxido de tungsteno, óxido de molibdeno, óxido de cromo, óxido de tecnecio, óxido de rodio, óxido de rutenio, óxido de cobalto, óxido de paladio, óxido de cadmio, óxido de mercurio, óxido de talio, óxido de galio, óxido de indio, óxido de bismuto, óxido de antimonio, óxido de polonio, óxido de selenio, óxido de cesio, óxido de lantano, óxido de praseodimio, óxido de neodimio, óxido de samario, óxido de europio, óxido de terbio, óxido de disprosio, óxido de erbio, óxido de holmio, óxido de tulio, óxido de iterbio, óxido de lutecio, óxido de gadolinio, óxidos mixtos, óxidos mixtos de los mismos o una mezcla de ellos.
De acuerdo con un modo de realización, los ejemplos de material anfitrión de nitruro 71 incluyen, pero no se limitan a:
TiN, Si3N4, MoN, VN, TaN, Z ^ , HfN, FeN, NbN, GaN, CrN, AlN, InN, TixNy, SixNy, MoxNy, VxNy, TaxNy, ZrxNy, HfxNy, FexNy, NbxNy, GaxNy, CrxNy, AlxNy, InxNy, o una mezcla de ellos; x e y son independientemente un número decimal de
0 a 5, con la condición de que x e y no sean simultáneamente iguales a 0, y x t 0.
De acuerdo con un modo de realización, los ejemplos de material anfitrión de sulfuro 71 incluyen, pero no se limitan a: SiySx, AlySx, TiySx, ZrySx, ZnySx, MgySx, SnySx, NbySx, CeySx, BeySx, IrySx, CaySx, ScySx, NiySx, Nay PbySx, AgySx, VySx, TeySx, MnySx, BySx, PySx, GeySx, AsySx, FeySx, TaySx, LiySx, SrySx, YySx, HfySx, WySx, TcySx, ReySx, RuySx, CoySx, OsySx, RhySx, PtySx, PdySx, CuySx, AuySx, CdySx, HgySx, TlySx, GaySx, InySx, BiySx, SbySx, PoySx, SeySx, CsySx, sulfuros mixtos, sulfuros mixtos de los mismos o una mezcla de éstos; x e y son independientemente un número decimal de 0 a 10 , con la condición de que x e y no sean simultáneamente iguales a 0, y x t 0.
De acuerdo con un modo de realización, los ejemplos de material anfitrión de haluro 71 incluyen, pero no se limitan a:
BaF2, LaF3, CeF3, YF3, CaF2, MgF2, PrF3, AgCl, MnCl2, NiCl2, Hg2Cl2, CaCh, CsPbCl3, AgBr, PbBr3, CsPbBr3, Agí, Cul,
Pbl, HgÍ2, BiÍ3, CH3NH3PW3, CH3NH3PbCl3, CH3NH3PbBr3, CsPbÍ3, FAPbBr3 (con FA: formamidinio), o una mezcla de éstos.
De acuerdo con un modo de realización, los ejemplos de material anfitrión de calcogenuro 71 incluyen, pero no se limitan a: CdO, CdS, CdSe, CdTe, ZnO, ZnS, ZnSe, ZnTe, HgO, HgS, HgSe, HgTe, CuO, Cu2O, CuS, Cu2S, CuSe, CuTe, Ag2O, Ag2S, Ag2Se, Ag2Te, Au2S, PdO, PdS, Pd4S, PdSe, PdTe, PtO, PtS, PtS2, PtSe, PtTe, RhO2, Rh2O3, RhS2, Rh2S3, RhSe2, Rh2Se3, RhTe2, IrO2, IrS2, Ir2S3, IrSe2, IrTe2, RuO2, RuS2, OsO, OsS, OsSe, OsTe, MnO, MnS, MnSe, MnTe, ReO2, ReS2, Cr2O3, Cr2S3, MoO2, MoS2, MoSe2, MoTe2, WO2, WS2, WSe2, V2O5, V2S3, Nb2O5, NbS2, NbSe2, HfO2, HfS2, TiO2, ZrO2, ZrS2, ZrSe2, ZrTe2, Sc2O3, Y2O3, Y2S3, SiO2, GeO2, GeS, GeS2, GeSe, GeSe2, GeTe, SnO2, SnS, SnS2, SnSe, SnSe2, SnTe, PbO, PbS, PbSe, PbTe, MgO, MgS, MgSe, MgTe, CaO, CaS, SrO, A^O3, Ga2O3, Ga2S3, Ga2Se3, In2O3, In2S3, In2Se3, In2Te3, La2O3, La2S3, CeO2, CeS2, PraO-n, Nd2O3, NdS2, La2O3, Tl2O, S1TI2O3, SmS2, EU2O3, EuS2, BÍ2O3, Sb2O3, P0O2, SeO2, CS2O, Tb4O7, TbS2, Dy2O3, H02O3, Er2O3, ErS2, T1TI2O3, Yb2O3, LU2O3, CuInS2, CuInSe2, AgInS2, AgInSe2, Fe2O3, Fe3O4, FeS, FeS2, C03S4, CoSe, C03O4, NiO, NiSe2, NiSe, NÍ3Se4, Gd2O3, BeO, TeO2, Na2O, BaO, K2O, Ta2Os, LÍ2O, TC2O7, AS2O3, B2O3, P2O5, P2O3, P4O7, P4O8, P4O9, P2O6, PO, o una mezcla de éstos.
De acuerdo con un modo de realización, los ejemplos de material anfitrión de fosfuro 71 incluyen, pero no se limitan a: InP, Cd3P2, Zn3P2, AlP, GaP, TlP, o una mezcla de ellos.
De acuerdo con un modo de realización, los ejemplos de material anfitrión metaloide 71 incluyen, pero no se limitan a: Si, B, Ge, As, Sb, Te, o una mezcla de éstos.
De acuerdo con un modo de realización, los ejemplos de material anfitrión de aleación metálica 71 incluyen, pero no se limitan a: Au-Pd, Au-Ag, Au-Cu, Pt-Pd, Pt-Ni, Cu-Ag, Cu-Sn, Ru-Pt, Rh-Pt, Cu-Pt, Ni-Au, Pt-Sn, Pd-V, Ir-Pt, Au-Pt, Pd-Ag, Cu-Zn, Cr-Ni, Fe-Co, Co-Ni, Fe-Ni o una mezcla de éstos.
De acuerdo con un modo de realización, el material anfitrión 71 comprende granates.
De acuerdo con un modo de realización, los ejemplos de granates incluyen, pero no se limitan a: Y3Al5O-i2, Y3Fe2(FeO4)3, Y3Fe5O12, Y4M 2O9, YAO 3, Fe3Ah(SiO4)3, Mg3Al2(SiO4)3, Mn3Al2(SiO4)3, Ca3Fe2(SiO4)3, Ca3Al2(SiO4)3, Ca3Cr2(SiO4)3, Al5Lu3O12, GAL, GaYAG, o una mezcla de éstos.
De acuerdo con un modo de realización, el material anfitrión 71 comprende o consiste en un material conductor térmico en el que dicho material conductor térmico incluye pero no se limita a: AlyOx, AgyOx, CuyOx, FeyOx, SiyOx, PbyOx, CayOx, MgyOx, ZnyOx, SnyOx, TiyOx, BeyOx, CdS, ZnS, ZnSe, CdZnS, CdZnSe, Au, Na, Fe, Cu, Al, Ag, Mg, óxidos mixtos, óxidos mixtos de los mismos o una mezcla de éstos; x e y son independientemente un número decimal de 0 a 10 , con la condición de que x e y no sean simultáneamente iguales a 0, y x t 0.
De acuerdo con un modo de realización, el material anfitrión 71 comprende o consiste en un material conductor térmico en el que dicho material conductor térmico incluye, pero no se limita a: A^O3, Ag2O, Cu2O, CuO, Fe3O4, FeO, SiO2, PbO, CaO, MgO, ZnO, SnO2, TiO2, BeO, CdS, ZnS, ZnSe, CdZnS, CdZnSe, Au, Na, Fe, Cu, Al, Ag, Mg, óxidos mixtos, óxidos mixtos de los mismos o una mezcla de éstos.
De acuerdo con un modo de realización, el material anfitrión 71 comprende o consiste en un material conductor térmico en el que dicho material conductor térmico incluye, pero no se limita a: óxido de aluminio, óxido de plata, óxido de cobre, óxido de hierro, óxido de silicio, óxido de plomo, óxido de calcio, óxido de magnesio, óxido de zinc, óxido de estaño, óxido de titanio, óxido de berilio, sulfuro de zinc, sulfuro de cadmio, selenio de zinc, sulfuro de zinc de cadmio, oro, sodio, hierro, cobre, aluminio, plata, magnesio, óxidos mixtos, óxidos mixtos de los mismos o una mezcla de éstos.
De acuerdo con un modo de realización, el material anfitrión 71 comprende moléculas orgánicas en pequeñas cantidades de 0 mole%, 1 mole%, 5 mole%, 10 mole%, 15 mole%, 20 mole%, 25 mole%, 30 mole%, 35 mole%, 40 mole%, 45 mole%, 50 mole%, 55 mole%, 60 mole%, 65 mole%, 70 mole%, 75 mole%, 80 mole% en relación con el elemento mayoritario de dicho material anfitrión 71.
De acuerdo con un modo de realización, el material anfitrión 71 comprende un material anfitrión polimérico como el descrito anteriormente, un material anfitrión inorgánico como el descrito anteriormente, o una mezcla de éstos.
De acuerdo con un modo de realización, el material emisor de luz 7 comprende al menos un material anfitrión 71.
De acuerdo con un modo de realización, el material emisor de luz 7 comprende al menos dos materiales anfitriones 71. En este modo de realización, los materiales anfitriones pueden ser idénticos o diferentes entre sí.
De acuerdo con un modo de realización, el material emisor de luz 7 comprende un conjunto de materiales anfitriones 71. En este modo de realización, los materiales anfitriones pueden ser idénticos o diferentes entre sí.
En un modo de realización, el material emisor de luz 7 de la invención comprende al menos una población de partículas compuestas 1. En un modo de realización, una población de partículas compuestas 1 se define por la longitud de onda de emisión máxima.
En un modo de realización, el material emisor de luz 7 comprende dos poblaciones de partículas compuestas 1 que emiten diferentes colores o longitudes de onda.
En un modo de realización, la concentración de las al menos dos poblaciones de partículas compuestas 1 comprendidas en el material emisor de luz 7 y que emiten diferentes colores o longitudes de onda, se controla para predeterminar la intensidad de luz de cada luz secundaria emitida por cada una de las al menos dos poblaciones de partículas compuestas 1 , tras la excitación por una luz incidente.
En un modo de realización, el material emisor de luz 7 comprende partículas compuestas 1 que emiten luz verde y luz roja tras la conversión descendente de una fuente de luz azul. En este modo de realización, el material emisor de luz 7 está configurado para transmitir una intensidad predeterminada de la luz azul de la fuente de luz y para emitir una intensidad predeterminada de las luces verde y roja secundarias, permitiendo emitir una luz blanca tricromática resultante.
De acuerdo con un modo de realización, el material emisor de luz 7 comprende al menos una partícula compuesta 1 que comprende al menos una nanopartícula 3 que emite luz verde tras la conversión descendente de una fuente de luz azul.
De acuerdo con un modo de realización, el material emisor de luz 7 comprende al menos una partícula compuesta 1 que comprende al menos una nanopartícula 3 que emite luz naranja tras la conversión descendente de una fuente de luz azul.
De acuerdo con un modo de realización, el material emisor de luz 7 comprende al menos una partícula compuesta 1 que comprende al menos una nanopartícula 3 que emite luz amarilla tras la conversión descendente de una fuente de luz azul.
De acuerdo con un modo de realización, el material emisor de luz 7 comprende al menos una partícula compuesta 1 que comprende al menos una nanopartícula 3 que emite luz violeta tras la conversión descendente de una fuente de luz azul.
De acuerdo con un modo de realización, el material emisor de luz 7 comprende dos poblaciones de partículas compuestas 1, una primera población con una longitud de onda de emisión máxima entre 500 nm y 560 nm, más preferentemente entre 515 nm y 545 nm y una segunda población con una longitud de onda de emisión máxima entre 600 nm y 2500 nm, más preferentemente entre 610 nm y 650 nm.
En un modo de realización, el material emisor de luz 7 comprende tres poblaciones de partículas compuestas 1, una primera población de partículas compuestas 1 con una longitud de onda de emisión máxima entre 440 y 499 nm, más preferentemente entre 450 y 495 nm, una segunda población de partículas compuestas 1 con una longitud de onda de emisión máxima entre 500 nm y 560 nm, más preferentemente entre 515 nm y 545 nm y una tercera población de partículas compuestas 1 con una longitud de onda de emisión máxima entre 600 nm y 2500 nm, más preferentemente entre 610 nm y 650 nm.
En un modo de realización, el material emisor de luz 7 está dividido en varias zonas, cada una de las cuales comprende una población diferente de partículas compuestas 1 que emiten diferentes colores o longitudes de onda.
En un modo de realización, el material emisor
Figure imgf000060_0001
luz 7 tiene forma de película.
En un modo de realización, el material emisor de luz 7 es una película.
En un modo de realización, el material emisor de luz 7 se procesa por extrusión.
En un modo de realización, el material emisor de luz 7 es un patrón óptico. En esta realización, dicho patrón puede formarse sobre un soporte como se describe en el presente documento.
En un modo de realización, el soporte como se describe aquí puede ser calentado o enfriado por un sistema externo.
En un modo de realización, el material emisor de luz 7 es un patrón de recogida de luz. En este modo de realización, dicho patrón puede estar formado en un soporte como el descrito en el presente documento.
En un modo de realización, el material emisor de luz 7 es un patrón de difusión de luz. En este modo de realización, el material emisor de luz 7 está hecho de una pila de dos películas, cada una de las cuales comprende una población diferente de partículas compuestas 1 que emiten diferentes colores o longitudes de onda.
En un modo de realización, el material emisor de luz 7 está hecho de una pila de un conjunto de películas, cada una de las cuales comprende una población diferente de partículas compuestas 1 que emiten diferentes colores o longitudes de onda.
De acuerdo con un modo de realización, el material emisor de luz 7 tiene un espesor entre 30 nm y 10 cm, más preferentemente entre 100 nm y 1 cm, incluso más preferentemente entre 100 nm y 1 mm.
De acuerdo con un modo de realización, el material emisor de luz 7 tiene un grosor de al menos 30 nm, 40 nm, 50 nm, 60 nm, 70 nm, 80 nm, 100 nm, 110 nm, 120 nm, 130 nm, 140 nm, 150 nm, 160 nm, 170 nm, 180 nm, 190 nm, 200 nm, 210 nm, 220 nm, 230 nm, 240 nm, 250 nm, 260 nm, 270 nm, 280 nm, 290 nm, 300 nm, 350 nm, 400 nm, 450 nm, 500 nm, 550 nm, 600 nm, 650 nm, 700 nm, 750 nm, 800 nm, 850 nm, 900 nm, 950 nm, 1 pm, 1.5 pm, 2.5 pm, 3 pm, 3.5 |jm, 4 pm, 4.1 pm, 4.2 pm, 4.3 pm, 4.4 pm, 4.5 pm, 4.6 pm, 4.7 pm, 4.8 pm, 4.9 pm, 5 pm, 5.1 pm, 5.2 pm, 5.3 pm, 5.4 pm, 5.5 pm, 5.5 pm, 5.6 pm, 5.7 pm, 5.8 pm, 5.9 pm, 6 pm, 6.5 pm, 7 pm, 7.5 pm, 8 pm, 8.5 pm, 9 pm, 9.5 pm, 10 pm, 10.5 pm, 11 pm, 11.5 pm, 12 pm, 12.5 pm, 13 pm, 13.5 pm, 14 pm, 14.5 pm, 15 pm, 15.5 pm, 16 pm, 16.5 pm, 17 pm, 17.5 pm, 18 pm, 18.5 pm, 19 pm, 19.5 pm, 20 pm, 20.5 pm, 21 pm, 21.5 pm, 22 pm, 22.5 pm, 23 pm, 23.5 pm, 24 pm, 24.5 pm, 25 pm, 25.5 pm, 26 pm, 26.5 pm, 27 pm, 27.5 pm, 28 pm, 28.5 pm, 29 pm, 29.5 pm, 30 pm, 30.5 pm, 31 pm, 31.5 pm, 32 pm, 32.5 pm, 33 pm, 33.5 pm, 34 pm, 34.5 pm, 35 pm, 35.5 pm, 36 pm, 36.5 pm, 37 pm, 37.5 pm, 38 jm, 38.5 jm, 39 jm, 39.5 jm, 40 jm, 40.5 jm, 41 jm, 41.5 jm, 42 jm, 42.5 jm, 43 jm, 43.5 jm, 44 jm, jm,
45 jm, 45.5 jm, 46 jm, 46.5 jm, 47 jm, 47.5 jm, 48 jm, 48.5 jm, 49 jm, 49.5 jm, 50 jm, 50.5 jm, 51 jm, 51.5 jm,
52 jm, 52.5 jm, 53 jm, 53.5 jm, 54 jm, 54.5 jm, 55 jm, 55.5 jm, 56 jm, 56.5 jm, 57 jm, 57.5 jm, 58 jm, 58.5 jm,
59 jm, 59.5 jm, 60 jm, 60.5 jm, 61 jm, 61.5 jm, 62 jm, 62.5 jm, 63 jm, 63.5 jm, 64 jm, 64.5 jm, 65 jm, 65.5 jm, 66 jm, 66.5 jm, 67 jm, 67.5 jm, 68 jm, 68.5 jm, 69 jm, 69.5 jm, 70 jm, 70.5 jm, 71 jm, 71.5 jm, 72 jm, 72.5 jm,
73 jm, 73.5 jm, 74 jm, 74.5 jm, 75 jm, 75.5 jm, 76 jm, 76.5 jm, 77 jm, 77.5 jm, 78 jm, 78.5 jm, 79 jm, 79.5 jm,
80 jm, 80.5 jm, 81 jm, 81.5 jm, 82 jm, 82.5 jm, 83 jm, 83.5 jm, 84 jm, 84.5 jm, 85 jm, 85.5 jm, 86 jm, 86.5 jm,
87 jm, 87.5 jm, jm, jm, 89 jm, 89.5 jm, 90 jm, 90.5 jm, 91 jm, 91.5 jm, 92 jm, 92.5 jm, 93 jm, 93.5 jm,
94 jm, 94.5 jm jm , 95.5 jm , 96 jm, 96.5 jm, 97 jm, 97.5 jm, 98 jm, 98.5 jm, 99 jm, 99.5 jm, 10C jm,
|jm, 250 |jm, 300 |jm, 350 |jm, 400 |jm, 450 |jm, 500 |jm, 550 jim, 600 jim, 650 |jm, 700 jim, 750 |jm, 800 jim, 850 jim,
900 jim, 950 jim, 1 mm, 1.1 mm, 1.2 mm, 1.3 mm, 1.4 mm, 1.5 mm, 1.6 mm, 1.7 mm, 1.8 mm, 1.9 mm, 2 mm, 2.1 mm,
2.2 mm, 2.3 mm, 2.4 mm, 2.5 mm, 2.6 mm, 2.7 mm, 2.8 mm, 2.9 mm, 3 mm, 3.1 mm, 3.2 mm, 3.3 mm, 3.4 mm, 3.5 mm, 3.6 mm, 3.7 mm, 3.8 mm, 3.9 mm, 4 mm, 4.1 mm, 4.2 mm, 4.3 mm, 4.4 mm, 4.5 mm, 4.6 mm, 4.7 mm, 4.8 mm,
4.9 mm, 5 mm, 5.1 mm, 5.2 mm, 5.3 mm, 5.4 mm, 5.5 mm, 5.6 mm, 5.7 mm, 5.8 mm, 5.9 mm, 6 mm, 6.1 mm, 6.2 mm,
6.3 mm, 6.4 mm, 6.5 mm, 6.6 mm, 6.7 mm, 6.8 mm, 6.9 mm, 7 mm, 7.1 mm, 7.2 mm, 7.3 mm, 7.4 mm, 7.5 mm, 7.6 mm, 7.7 mm, 7.8 mm, 7.9 mm, 8 mm, 8.1 mm, 8.2 mm, 8.3 mm, 8.4 mm, 8.5 mm, 8.6 mm, 8.7 mm, 8.8 mm, 8.9 mm,
9 mm, 9.1 mm, 9.2 mm, 9.3 mm, 9.4 mm, 9.5 mm, 9.6 mm, 9.7 mm, 9.8 mm, 9.9 mm, 1 cm, 1.1 cm, 1.2 cm, 1.3 cm,
1.4 cm, 1.5 cm, 1.6 cm, 1.7 cm, 1.8 cm, 1.9 cm, 2 cm, 2.1 cm, 2.2 cm, 2.3 cm, 2.4 cm, 2.5 cm, 2.6 cm, 2.7 cm, 2.8 cm,
2.9 cm, 3 cm, 3.1 cm, 3.2 cm, 3.3 cm, 3.4 cm, 3.5 cm, 3.6 cm, 3.7 cm, 3.8 cm, 3.9 cm, 4 cm, 4.1 cm, 4.2 cm, 4.3 cm,
4.4 cm, 4.5 cm, 4.6 cm, 4.7 cm, 4.8 cm, 4.9 cm, 5 cm, 5.1 cm, 5.2 cm, 5.3 cm, 5.4 cm, 5.5 cm, 5.6 cm, 5.7 cm, 5.8 cm,
5.9 cm, 6 cm, 6.1 cm, 6.2 cm, 6.3 cm, 6.4 cm, 6.5 cm, 6.6 cm, 6.7 cm, 6.8 cm, 6.9 cm, 7 cm, 7.1 cm, 7.2 cm, 7.3 cm,
7.4 cm, 7.5 cm, 7.6 cm, 7.7 cm, 7.8 cm, 7.9 cm, 8 cm, 8.1 cm, 8.2 cm, 8.3 cm, 8.4 cm, 8.5 cm, 8.6 cm, 8.7 cm, 8.8 cm,
8.9 cm, 9 cm, 9.1 cm, 9.2 cm, 9.3 cm, 9.4 cm, 9.5 cm, 9.6 cm, 9.7 cm, 9.8 cm, 9.9 cm, o 10 cm.
De acuerdo con un modo de realización, el material emisor de luz 7 absorbe al menos el 5%, el 10%, el 15%, el 20%, el 25%, el 30%, el 35%, el 40%, el 45%, el 50%, el 55%, el 60%, el 65%, el 70%, el 75%, el 80%, el 85%, el 90%, el
95% o el 100% de la luz incidente.
De acuerdo con un modo de realización, el material emisor de luz 7 absorbe la luz incidente con una longitud de onda inferior a 50 jim, 40 jim, 30 jim, 20 jim, 10 jim, 1 jim, 950 nm, 900 nm, 850 nm, 800 nm, 600 nm, 550 nm, 500 nm, 450 nm, 400 nm, 350 nm, 300 nm, 250 nm, o inferior a 200 nm.
De acuerdo con un modo de realización, el material emisor de luz 7 transmite al menos el 5%, 10%, 15%, 20%, 25%,
30%, 35%, 40%, 45%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 75%, 80%, 85%, 90%, 95% o 100% de la luz incidente.
De acuerdo con un modo de realización, el material emisor de luz 7 dispersada al menos el 5%, 10%, 15%, 20%, 25%,
30%, 35%, 40%, 45%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 75%, 80%, 85%, 90%, 95% o 100% de la luz incidente.
De acuerdo con un modo de realización, el material emisor de luz 7 retrodispersa al menos el 5%, 10%, 15%, 20%,
25%, 30%, 35%, 40%, 45%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 75%, 80%, 85%, 90%, 95% o 100% de la luz incidente.
De acuerdo con un modo de realización, el material emisor de luz 7 transmite una parte de la luz incidente y emite al menos una luz secundaria. En este modo de realización, la luz resultante es una combinación del resto de la luz incidente transmitida.
De acuerdo con un modo de realización, el material emisor de luz 7 tiene un valor de absorbancia de al menos 0.1,
0.2, 0.3, 0.4, 0.5, 0.6, 0.7, 0.8, 0.9, 1.0, 1.2, 1.4, 1.6, 1.8, 2.0, 2.5, 3.0, 4.0, 5.0 a 300 nm, 350 nm, 400 nm, 450 nm,
455 nm, 460 nm, 470 nm, 480 nm, 490 nm, 500 nm, 510 nm, 520 nm, 530 nm, 540 nm, 550 nm, 560 nm, 570 nm, 580 nm, 590 nm, o 600 nm.
De acuerdo con un modo de realización, el material emisor de luz 7 tiene un valor de absorbancia de al menos 0.1,
0.2, 0.3, 0.4, 0.5, 0.6, 0.7, 0.8, 0.9, 1.0, 1.2, 1.4, 1.6, 1.8, 2.0, 2.5, 3.0, 4.0, 5.0 a 300 nm.
De acuerdo con un modo de realización, el material emisor de luz 7 tiene un valor de absorbancia de al menos 0.1,
0.2, 0.3, 0.4, 0.5, 0.6, 0.7, 0.8, 0.9, 1.0, 1.2, 1.4, 1.6, 1.8, 2.0, 2.5, 3.0, 4.0, 5.0 a 350 nm.
De acuerdo con un modo de realización, el material emisor de luz 7 tiene un valor de absorbancia de al menos 0.1,
0.2, 0.3, 0.4, 0.5, 0.6, 0.7, 0.8, 0.9, 1.0, 1.2, 1.4, 1.6, 1.8, 2.0, 2.5, 3.0, 4.0, 5.0 a 400 nm.
De acuerdo con un modo de realización, el material emisor de luz 7 tiene un valor de absorbancia de al menos 0.1,
0.2, 0.3, 0.4, 0.5, 0.6, 0.7, 0.8, 0.9, 1.0, 1.2, 1.4, 1.6, 1.8, 2.0, 2.5, 3.0, 4.0, 5.0 a 450 nm.
De acuerdo con un modo de realización, el material emisor de luz 7 tiene un valor de absorbancia de al menos 0.1,
0.2, 0.3, 0.4, 0.5, 0.6, 0.7, 0.8, 0.9, 1.0, 1.2, 1.4, 1.6, 1.8, 2.0, 2.5, 3.0, 4.0, 5.0 a 455 nm.
De acuerdo con un modo de realización, el material emisor de luz 7 tiene un valor de absorbancia de al menos 0.1,
0.2, 0.3, 0.4, 0.5, 0.6, 0.7, 0.8, 0.9, 1.0, 1.2, 1.4, 1.6, 1.8, 2.0, 2.5, 3.0, 4.0, 5.0 a 460 nm.
De acuerdo con un modo de realización, el material emisor de luz 7 tiene un valor de absorbancia de al menos 0.1, 0.2, 0.3, 0.4, 0.5, 0.6, 0.7, 0.8, 0.9, 1.0, 1.2, 1.4, 1.6, 1.8, 2.0, 2.5, 3.0, 4.0, 5.0 a 470 nm.
De acuerdo con un modo de realización, el material emisor de luz 7 tiene un valor de absorbancia de al menos 0.1, 0.2, 0.3, 0.4, 0.5, 0.6, 0.7, 0.8, 0.9, 1.0, 1.2, 1.4, 1.6, 1.8, 2.0, 2.5, 3.0, 4.0, 5.0 a 480 nm.
De acuerdo con un modo de realización, el material emisor de luz 7 tiene un valor de absorbancia de al menos 0.1, 0.2, 0.3, 0.4, 0.5, 0.6, 0.7, 0.8, 0.9, 1.0, 1.2, 1.4, 1.6, 1.8, 2.0, 2.5, 3.0, 4.0, 5.0 a 490 nm.
De acuerdo con un modo de realización, el material emisor de luz 7 tiene un valor de absorbancia de al menos 0.1, 0.2, 0.3, 0.4, 0.5, 0.6, 0.7, 0.8, 0.9, 1.0, 1.2, 1.4, 1.6, 1.8, 2.0, 2.5, 3.0, 4.0, 5.0 a 500 nm.
De acuerdo con un modo de realización, el material emisor de luz 7 tiene un valor de absorbancia de al menos 0.1, 0.2, 0.3, 0.4, 0.5, 0.6, 0.7, 0.8, 0.9, 1.0, 1.2, 1.4, 1.6, 1.8, 2.0, 2.5, 3.0, 4.0, 5.0 a 510 nm.
De acuerdo con un modo de realización, el material emisor de luz 7 tiene un valor de absorbancia de al menos 0.1, 0.2, 0.3, 0.4, 0.5, 0.6, 0.7, 0.8, 0.9, 1.0, 1.2, 1.4, 1.6, 1.8, 2.0, 2.5, 3.0, 4.0, 5.0 a 520 nm.
De acuerdo con un modo de realización, el material emisor de luz 7 tiene un valor de absorbancia de al menos 0.1, 0.2, 0.3, 0.4, 0.5, 0.6, 0.7, 0.8, 0.9, 1.0, 1.2, 1.4, 1.6, 1.8, 2.0, 2.5, 3.0, 4.0, 5.0 a 530 nm.
De acuerdo con un modo de realización, el material emisor de luz 7 tiene un valor de absorbancia de al menos 0.1, 0.2, 0.3, 0.4, 0.5, 0.6, 0.7, 0.8, 0.9, 1.0, 1.2, 1.4, 1.6, 1.8, 2.0, 2.5, 3.0, 4.0, 5.0 a 540 nm.
De acuerdo con un modo de realización, el material emisor de luz 7 tiene un valor de absorbancia de al menos 0.1, 0.2, 0.3, 0.4, 0.5, 0.6, 0.7, 0.8, 0.9, 1.0, 1.2, 1.4, 1.6, 1.8, 2.0, 2.5, 3.0, 4.0, 5.0 a 550 nm.
De acuerdo con un modo de realización, el material emisor de luz 7 tiene un valor de absorbancia de al menos 0.1, 0.2, 0.3, 0.4, 0.5, 0.6, 0.7, 0.8, 0.9, 1.0, 1.2, 1.4, 1.6, 1.8, 2.0, 2.5, 3.0, 4.0, 5.0 a 560 nm.
De acuerdo con un modo de realización, el material emisor de luz 7 tiene un valor de absorbancia de al menos 0.1, 0.2, 0.3, 0.4, 0.5, 0.6, 0.7, 0.8, 0.9, 1.0, 1.2, 1.4, 1.6, 1.8, 2.0, 2.5, 3.0, 4.0, 5.0 a 570 nm.
De acuerdo con un modo de realización, el material emisor de luz 7 tiene un valor de absorbancia de al menos 0.1, 0.2, 0.3, 0.4, 0.5, 0.6, 0.7, 0.8, 0.9, 1.0, 1.2, 1.4, 1.6, 1.8, 2.0, 2.5, 3.0, 4.0, 5.0 a 580 nm.
De acuerdo con un modo de realización, el material emisor de luz 7 tiene un valor de absorbancia de al menos 0.1, 0.2, 0.3, 0.4, 0.5, 0.6, 0.7, 0.8, 0.9, 1.0, 1.2, 1.4, 1.6, 1.8, 2.0, 2.5, 3.0, 4.0, 5.0 a 590 nm.
De acuerdo con un modo de realización, el material emisor de luz 7 tiene un valor de absorbancia de al menos 0.1, 0.2, 0.3, 0.4, 0.5, 0.6, 0.7, 0.8, 0.9, 1.0, 1.2, 1.4, 1.6, 1.8, 2.0, 2.5, 3.0, 4.0, 5.0 a 600 nm.
De acuerdo con un modo de realización, el aumento de la eficiencia de absorción de la luz incidente por parte del material emisor de luz 7 es al menos del 1%, 2%, 3%, 4%, 5%, 6 %, 7%, 8%, 9%, 10%, 20%, 30%, 40%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 75%, 80%, 85%, 90%, 95% o 100% en comparación con las nanopartículas desnudas 3.
Las nanopartículas desnudas 3 referidas aquí son las nanopartículas 3 que no están encapsuladas en un material inorgánico 2.
De acuerdo con un modo de realización, el aumento de la eficiencia de emisión de luz secundaria por el material emisor de luz 7 es inferior al 1%, 2%, 3%, 4%, 5%, 6%, 7%, 8%, 9%, 10%, 20%, 30%, 40%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 75%, 80%, 85%, 90%, 95% o 100% en comparación con las nanopartículas desnudas 3.
De acuerdo con un modo de realización, el material emisor de luz 7 presenta una degradación de su fotoluminiscencia de menos del 90%, 80%, 70%, 60%, 50%, 40%, 30%, 25%, 20%, 15%, 10%, 5%, 4%, 3%, 2%, 1%, o 0% después de al menos 1 día, 5 días, 10 días, 15 días, 20 días, 25 días, 1 mes, 2 meses, 3 meses, 4 meses, 5 meses, 6 meses, 7 meses, 8 meses, 9 meses, 10 meses, 11 meses, 12 meses, 18 meses, 2 años, 2.5 años, 3 años, 3.5 años, 4 años, 4.5 años, 5 años, 5.5 años, 6 años, 6.5 años, 7 años, 7.5 años, 8 años, 8.5 años, 9 años, 9.5 años o 10 años. De acuerdo con un modo de realización, el material emisor de luz 7 presenta una degradación de su fotoluminiscencia inferior al 90%, 80%, 70%, 60%, 50%, 40%, 30%, 25%, 20%, 15%, 10%, 5%, 4%, 3%, 2%, 1% o 0% bajo 0°C, 10°C, 20°C, 30°C, 40°C, 50°C, 60°C, 70°C, 80°C, 90°C, 100°C, 125°C, 150°C, 175°C, 200°C, 225°C, 250°C, 275°C o 300°C. De acuerdo con un modo de realización, el material emisor de luz 7 presenta una degradación de su fotoluminiscencia inferior al 90%, 80%, 70%, 60%, 50%, 40%, 30%, 25%, 20%, 15%, 10%, 5%, 4%, 3%, 2%, 1%, o 0% bajo 0%, 10%, 20%, 30%, 40%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 75%, 80%, 85%, 90%, 95%, o 99% de humedad.
De acuerdo con un modo de realización, el material emisor de luz 7 presenta una degradación de su fotoluminiscencia inferior al 90%, 80%, 70%, 60%, 50%, 40%, 30%, 25%, 20%, 15%, 10%, 5%, 4%, 3%, 2%, 1%, o 0% después de al menos 1 día, 5 días, 10 días, 15 días, 20 días, 25 días, 1 mes, 2 meses, 3 meses, 4 meses, 5 meses, 6 meses, 7 meses, 8 meses, 9 meses, 10 meses, 11 meses, 12 meses, 18 meses, 2 años, 2.5 años, 3 años, 3.5 años, 4 años, 4.5 años, 5 años, 5.5 años, 6 años, 6.5 años, 7 años, 7.5 años, 8 años, 8.5 años, 9 años, 9.5 años o 10 años, bajo 0%, 10%, 20%, 30%, 40%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 75%, 80%, 85%, 90%, 95% o 99% de humedad.
De acuerdo con un modo de realización, el material emisor de luz 7 presenta una degradación de su fotoluminiscencia inferior al 90%, 80%, 70%, 60%, 50%, 40%, 30%, 25%, 20%, 15%, 10%, 5%, 4%, 3%, 2%, 1%, o 0% después de al menos 1 día, 5 días, 10 días, 15 días, 20 días, 25 días, 1 mes, 2 meses, 3 meses, 4 meses, 5 meses, 6 meses, 7 meses, 8 meses, 9 meses, 10 meses, 11 meses, 12 meses, 18 meses, 2 años, 2.5 años, 3 años, 3.5 años, 4 años, 4.5 años, 5 años, 5.5 años, 6 años, 6.5 años, 7 años, 7.5 años, 8 años, 8.5 años, 9 años, 9.5 años o 10 años, bajo 0°C, 10°C, 20°C, 30°C, 40°C, 50°C, 60°C, 70°C, 80°C, 90°C, 100°C, 125°C, 150°C, 175°C, 200°C, 225°C, 250°C, 275°C o 300°C.
De acuerdo con un modo de realización, el material emisor de luz 7 presenta una degradación de su fotoluminiscencia inferior al 90%, 80%, 70%, 60%, 50%, 40%, 30%, 25%, 20%, 15%, 10%, 5%, 4%, 3%, 2%, 1%, o 0% después de al menos 1 día, 5 días, 10 días, 15 días, 20 días, 25 días, 1 mes, 2 meses, 3 meses, 4 meses, 5 meses, 6 meses, 7 meses, 8 meses, 9 meses, 10 meses, 11 meses, 12 meses, 18 meses, 2 años, 2.5 años, 3 años, 3.5 años, 4 años, 4.5 años, 5 años, 5.5 años, 6 años, 6.5 años, 7 años, 7.5 años, 8 años, 8.5 años, 9 años, 9.5 años o 10 años, bajo 0°C, 10°C, 20°C, 30°C, 40°C, 50°C, 60°C, 70°C, 80°C, 90°C, 100°C, 125°C, 150°C, 175°C, 200°C, 225°C, 250°C, 275°C o 300°C, y bajo 0%, 10%, 20%, 30%, 40%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 75%, 80%, 85%, 90%, 95% o 99% de humedad.
De acuerdo con un modo de realización, el material emisor de luz 7 presenta una degradación de su fotoluminiscencia inferior al 90%, 80%, 70%, 60%, 50%, 40%, 30%, 25%, 20%, 15%, 10%, 5%, 4%, 3%, 2%, 1%, o 0% después de al menos 1 día, 5 días, 10 días, 15 días, 20 días, 25 días, 1 mes, 2 meses, 3 meses, 4 meses, 5 meses, 6 meses, 7 meses, 8 meses, 9 meses, 10 meses, 11 meses, 12 meses, 18 meses, 2 años, 2.5 años, 3 años, 3.5 años, 4 años, 4.5 años, 5 años, 5.5 años, 6 años, 6.5 años, 7 años, 7.5 años, 8 años, 8.5 años, 9 años, 9.5 años o 10 años bajo 0%, 5%, 10%, 15%, 20%, 25%, 30%, 35%, 40%, 45%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 75%, 80%, 85%, 90%, 95%, o 100% de O2 molecular.
De acuerdo con un modo de realización, el material emisor de luz 7 presenta una degradación de su fotoluminiscencia inferior al 90%, 80%, 70%, 60%, 50%, 40%, 30%, 25%, 20%, 15%, 10%, 5%, 4%, 3%, 2%, 1%, o 0% después de al menos 1 día, 5 días, 10 días, 15 días, 20 días, 25 días, 1 mes, 2 meses, 3 meses, 4 meses, 5 meses, 6 meses, 7 meses, 8 meses, 9 meses, 10 meses, 11 meses, 12 meses, 18 meses, 2 años, 2.5 años, 3 años, 3.5 años, 4 años, 4.5 años, 5 años, 5.5 años, 6 años, 6.5 años, 7 años, 7.5 años, 8 años, 8.5 años, 9 años, 9.5 años o 10 años bajo 0%, 5%, 10%, 15%, 20%, 25%, 30%, 35%, 40%, 45%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 75%, 80%, 85%, 90%, 95%, o 100% de O2 molecular, bajo 0°C, 10°C, 20°C, 30°C, 40°C, 50°C, 60°C, 70°C, 80°C, 90°C, 100°C, 125°C, 150°C, 175°C, 200°C, 225°C, 250°C, 275°C, o 300°C.
De acuerdo con un modo de realización, el material emisor de luz 7 presenta una degradación de su fotoluminiscencia inferior al 90%, 80%, 70%, 60%, 50%, 40%, 30%, 25%, 20%, 15%, 10%, 5%, 4%, 3%, 2%, 1%, o 0% después de al menos 1 día, 5 días, 10 días, 15 días, 20 días, 25 días, 1 mes, 2 meses, 3 meses, 4 meses, 5 meses, 6 meses, 7 meses, 8 meses, 9 meses, 10 meses, 11 meses, 12 meses, 18 meses, 2 años, 2.5 años, 3 años, 3.5 años, 4 años, 4.5 años, 5 años, 5.5 años, 6 años, 6.5 años, 7 años, 7.5 años, 8 años, 8.5 años, 9 años, 9.5 años o 10 años bajo 0%, 5%, 10%, 15%, 20%, 25%, 30%, 35%, 40%, 45%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 75%, 80%, 85%, 90%, 95%, o 100% de O2 molecular, bajo 0%, 10%, 20%, 30%, 40%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 75%, 80%, 85%, 90%, 95%, o 99% de humedad.
De acuerdo con un modo de realización, el material emisor de luz 7 presenta una degradación de su fotoluminiscencia inferior al 90%, 80%, 70%, 60%, 50%, 40%, 30%, 25%, 20%, 15%, 10%, 5%, 4%, 3%, 2%, 1%, o 0% después de al menos 1 día, 5 días, 10 días, 15 días, 20 días, 25 días, 1 mes, 2 meses, 3 meses, 4 meses, 5 meses, 6 meses, 7 meses, 8 meses, 9 meses, 10 meses, 11 meses, 12 meses, 18 meses, 2 años, 2.5 años, 3 años, 3.5 años, 4 años, 4.5 años, 5 años, 5.5 años, 6 años, 6.5 años, 7 años, 7.5 años, 8 años, 8.5 años, 9 años, 9.5 años o 10 años bajo 0%, 5%, 10%, 15%, 20%, 25%, 30%, 35%, 40%, 45%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 75%, 80%, 85%, 90%, 95%, o 100% de O2 molecular, bajo 0°C, 10°C, 20°C, 30°C, 40°C, 50°C, 60°C 70°C, 80°C, 90°C, 100°C, 125°C, 150°C, 175°C, 200°C, 225°C, 250°C, 275°C, o 300°C, y bajo 0%, 10%, 20%, 30%, 40%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 75%, 80%, 85%, 90%, 95%, o 99% de humedad.
De acuerdo con un modo de realización, el material emisor de luz 7 presenta una degradación de su rendimiento cuántico de fotoluminiscencia (PLQY) inferior al 90%, 80%, 70%, 60%, 50%, 40%, 30%, 25%, 20%, 15%, 10%, 5%, 4%, 3%, 2%, 1%, o 0% después de al menos 1 día, 5 días, 10 días, 15 días, 20 días, 25 días, 1 mes, 2 meses, 3 meses, 4 meses, 5 meses, 6 meses, 7 meses, 8 meses, 9 meses, 10 meses, 11 meses, 12 meses, 18 meses, 2 años, 2.5 años, 3 años, 3.5 años, 4 años, 4.5 años, 5 años, 5.5 años, 6 años, 6.5 años, 7 años, 7.5 años, 8 años, 8.5 años, 9 años, 9.5 años o 10 años.
De acuerdo con un modo de realización, el material emisor de luz 7 presenta una degradación de su rendimiento cuántico de fotoluminiscencia (PLQY) inferior al 90%, 80%, 70%, 60%, 50%, 40%, 30%, 25%, 20%, 15%, 10%, 5%, 4 % , 3 % , 2 % , 1 % , o 0% bajo 0°C, 10°C, 20°C, 30°C, 40°C, 50°C, 60°C, 70°C, 80°C, 90°C, 100°C, 125°C, 150°C, 175°C, 200°C, 225°C, 250°C, 275°C, o 300°C.
De acuerdo con un modo de realización, el material emisor de luz 7 presenta una degradación de su rendimiento cuántico de fotoluminiscencia (PLQY) inferior al 90%, 80%, 70%, 60%, 50%, 40%, 30%, 25%, 20%, 15%, 10%, 5%, 4%, 3%, 2%, 1%, o 0% bajo 0%, 10%, 20%, 30%, 40%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 75%, 80%, 85%, 90%, 95%, o 99% de humedad.
De acuerdo con un modo de realización, el material emisor de luz 7 presenta una degradación de su rendimiento cuántico de fotoluminiscencia (PLQY) inferior al 90%, 80%, 70%, 60%, 50%, 40%, 30%, 25%, 20%, 15%, 10%, 5%, 4%, 3%, 2%, 1%, o 0% después de al menos 1 día, 5 días, 10 días, 15 días, 20 días, 25 días, 1 mes, 2 meses, 3 meses, 4 meses, 5 meses, 6 meses, 7 meses, 8 meses, 9 meses, 10 meses, 11 meses, 12 meses, 18 meses, 2 años, 2.5 años, 3 años, 3.5 años, 4 años, 4.5 años, 5 años, 5.5 años, 6 años, 6.5 años, 7 años, 7.5 años, 8 años, 8.5 años, 9 años, 9.5 años o 10 años, bajo 0%, 10%, 20%, 30%, 40%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 75%, 80%, 85%, 90%, 95% o 99% de humedad.
De acuerdo con un modo de realización, el material emisor de luz 7 presenta una degradación de su rendimiento cuántico de fotoluminiscencia (PLQY) inferior al 90%, 80%, 70%, 60%, 50%, 40%, 30%, 25%, 20%, 15%, 10%, 5%, 4%, 3%, 2%, 1%, o 0% después de al menos 1 día, 5 días, 10 días, 15 días, 20 días, 25 días, 1 mes, 2 meses, 3 meses, 4 meses, 5 meses, 6 meses, 7 meses, 8 meses, 9 meses, 10 meses, 11 meses, 12 meses, 18 meses, 2 años, 2.5 años, 3 años, 3.5 años, 4 años, 4.5 años, 5 años, 5.5 años, 6 años, 6.5 años, 7 años, 7.5 años, 8 años, 8.5 años, 9 años, 9.5 años o 10 años, bajo 0°C, 10°C, 20°C, 30°C, 40°C, 50°C, 60°C, 70°C, 80°C, 90°C, 100°C, 125°C, 150°C, 175°C, 200°C, 225°C, 250°C, 275°C o 300°C.
De acuerdo con un modo de realización, el material emisor de luz 7 presenta una degradación de su rendimiento cuántico de fotoluminiscencia (PLQY) inferior al 90%, 80%, 70%, 60%, 50%, 40%, 30%, 25%, 20%, 15%, 10%, 5%, 4%, 3%, 2%, 1%, o 0% después de al menos 1 día, 5 días, 10 días, 15 días, 20 días, 25 días, 1 mes, 2 meses, 3 meses, 4 meses, 5 meses, 6 meses, 7 meses, 8 meses, 9 meses, 10 meses, 11 meses, 12 meses, 18 meses, 2 años, 2.5 años, 3 años, 3.5 años, 4 años, 4.5 años, 5 años, 5.5 años, 6 años, 6.5 años, 7 años, 7.5 años, 8 años, 8.5 años, 9 años, 9.5 años o 10 años, bajo 0°C, 10°C, 20°C, 30°C, 40°C, 50°C, 60°C, 70°C, 80°C, 90°C, 100°C, 125°C, 150°C, 175°C, 200°C, 225°C, 250°C, 275°C o 300°C, y bajo 0%, 10%, 20%, 30%, 40%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 75%, 80%, 85%, 90%, 95% o 99% de humedad.
De acuerdo con un modo de realización, el material emisor de luz 7 presenta una degradación de su rendimiento cuántico de fotoluminiscencia (PLQY) inferior al 90%, 80%, 70%, 60%, 50%, 40%, 30%, 25%, 20%, 15%, 10%, 5%, 4%, 3%, 2%, 1%, o 0% después de al menos 1 día, 5 días, 10 días, 15 días, 20 días, 25 días, 1 mes, 2 meses, 3 meses, 4 meses, 5 meses, 6 meses, 7 meses, 8 meses, 9 meses, 10 meses, 11 meses, 12 meses, 18 meses, 2 años, 2.5 años, 3 años, 3.5 años, 4 años, 4.5 años, 5 años, 5.5 años, 6 años, 6.5 años, 7 años, 7.5 años, 8 años, 8.5 años, 9 años, 9.5 años o 10 años bajo 0%, 5%, 10%, 15%, 20%, 25%, 30%, 35%, 40%, 45%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 75%, 80%, 85%, 90%, 95% o 100% de O2 molecular.
De acuerdo con un modo de realización, el material emisor de luz 7 presenta una degradación de su rendimiento cuántico de fotoluminiscencia (PLQY) inferior al 90%, 80%, 70%, 60%, 50%, 40%, 30%, 25%, 20%, 15%, 10%, 5%, 4%, 3%, 2%, 1%, o 0% después de al menos 1 día, 5 días, 10 días, 15 días, 20 días, 25 días, 1 mes, 2 meses, 3 meses, 4 meses, 5 meses, 6 meses, 7 meses, 8 meses, 9 meses, 10 meses, 11 meses, 12 meses, 18 meses, 2 años, 2.5 años, 3 años, 3.5 años, 4 años, 4.5 años, 5 años, 5.5 años, 6 años, 6.5 años, 7 años, 7.5 años, 8 años, 8.5 años, 9 años, 9.5 años o 10 años bajo 0%, 5%, 10%, 15%, 20%, 25%, 30%, 35%, 40%, 45%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 75%, 80%, 85%, 90%, 95% o 100% de O2 molecular, bajo 0°C, 10°C, 20°C, 30°C, 40°C, 50°C, 60°C, 70°C, 80°C, 90°C, 100°C, 125°C, 150°C, 175°C, 200°C, 225°C, 250°C, 275°C o 300°C.
De acuerdo con un modo de realización, el material emisor de luz 7 presenta una degradación de su rendimiento cuántico de fotoluminiscencia (PLQY) inferior al 90%, 80%, 70%, 60%, 50%, 40%, 30%, 25%, 20%, 15%, 10%, 5%, 4%, 3%, 2%, 1%, o 0% después de al menos 1 día, 5 días, 10 días, 15 días, 20 días, 25 días, 1 mes, 2 meses, 3 meses, 4 meses, 5 meses, 6 meses, 7 meses, 8 meses, 9 meses, 10 meses, 11 meses, 12 meses, 18 meses, 2 años, 2.5 años, 3 años, 3.5 años, 4 años, 4.5 años, 5 años, 5.5 años, 6 años, 6.5 años, 7 años, 7.5 años, 8 años, 8.5 años, 9 años, 9.5 años o 10 años bajo 0%, 5%, 10%, 15%, 20%, 25%, 30%, 35%, 40%, 45%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 75%, 80%, 85%, 90%, 95% o 100% de O2 molecular, bajo 0%, 10%, 20%, 30%, 40%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 75%, 80%, 85%, 90%, 95% o 99% de humedad.
De acuerdo con un modo de realización, el material emisor de luz 7 presenta una degradación de su rendimiento cuántico de fotoluminiscencia (PLQY) inferior al 90%, 80%, 70%, 60%, 50%, 40%, 30%, 25%, 20%, 15%, 10%, 5%, 4%, 3%, 2%, 1%, o 0% después de al menos 1 día, 5 días, 10 días, 15 días, 20 días, 25 días, 1 mes, 2 meses, 3 meses, 4 meses, 5 meses, 6 meses, 7 meses, 8 meses, 9 meses, 10 meses, 11 meses, 12 meses, 18 meses, 2 años, 2.5 años, 3 años, 3.5 años, 4 años, 4.5 años, 5 años, 5.5 años, 6 años, 6.5 años, 7 años, 7.5 años, 8 años, 8.5 años, 9 años, 9.5 años o 10 años bajo 0%, 5%, 10%, 15%, 20%, 25%, 30%, 35%, 40%, 45%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 75%, 80%, 85%, 90%, 95%, o 100% de O2 molecular, bajo 0°C, 10°C, 20°C, 30°C, 40°C, 50°C, 60°C 70°C, 80°C, 90°C, 100°C, 125°C, 150°C, 175°C, 200°C, 225°C, 250°C, 275°C, o 300°C, y bajo 0%, 10%, 20%, 30%, 40%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 75%, 80%, 85%, 90%, 95%, o 99% de humedad.
De acuerdo con un modo de realización, el material emisor de luz 7 presenta una degradación de su FCE inferior al 90%, 80%, 70%, 60%, 50%, 40%, 30%, 25%, 20%, 15%, 10%, 5%, 4%, 3%, 2%, 1% o 0% después de al menos 1 día, 5 días, 10 días, 15 días, 20 días, 25 días, 1 mes, 2 meses, 3 meses, 4 meses, 5 meses, 6 meses, 7 meses, 8 meses, 9 meses, 10 meses, 11 meses, 12 meses, 18 meses, 2 años, 2.5 años, 3 años, 3.5 años, 4 años, 4.5 años, 5 años, 5.5 años, 6 años, 6.5 años, 7 años, 7.5 años, 8 años, 8.5 años, 9 años, 9.5 años o 10 años.
De acuerdo con un modo de realización, el material emisor de luz 7 presenta una degradación de su FCE inferior al 90%, 80%, 70%, 60%, 50%, 40%, 30%, 25%, 20%, 15%, 10%, 5%, 4%, 3%, 2%, 1% o 0% bajo 0°C, 10°C, 20°C, 30°C, 40°C, 50°C, 60°C, 70°C, 80°C, 90°C, 100°C, 125°C, 150°C, 175°C, 200°C, 225°C, 250°C, 275°C o 300°C.
De acuerdo con un modo de realización, el material emisor de luz 7 presenta una degradación de su FCE inferior al 90%, 80%, 70%, 60%, 50%, 40%, 30%, 25%, 20%, 15%, 10%, 5%, 4%, 3%, 2%, 1%, o 0% bajo 0%, 10%, 20%, 30%, 40%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 75%, 80%, 85%, 90%, 95%, o 99% de humedad.
De acuerdo con un modo de realización, el material emisor de luz 7 presenta una degradación de su FCE inferior al 90%, 80%, 70%, 60%, 50%, 40%, 30%, 25%, 20%, 15%, 10%, 5%, 4%, 3%, 2%, 1%, o 0% después de al menos 1 día, 5 días, 10 días, 15 días, 20 días, 25 días, 1 mes, 2 meses, 3 meses, 4 meses, 5 meses, 6 meses, 7 meses, 8 meses, 9 meses, 10 meses, 11 meses, 12 meses, 18 meses, 2 años, 2.5 años, 3 años, 3.5 años, 4 años, 4.5 años, 5 años, 5.5 años, 6 años, 6.5 años, 7 años, 7.5 años, 8 años, 8.5 años, 9 años, 9.5 años o 10 años, bajo 0%, 10%, 20%, 30%, 40%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 75%, 80%, 85%, 90%, 95% o 99% de humedad.
De acuerdo con un modo de realización, el material emisor de luz 7 presenta una degradación de su FCE inferior al 90%, 80%, 70%, 60%, 50%, 40%, 30%, 25%, 20%, 15%, 10%, 5%, 4%, 3%, 2%, 1%, o 0% después de al menos 1 día, 5 días, 10 días, 15 días, 20 días, 25 días, 1 mes, 2 meses, 3 meses, 4 meses, 5 meses, 6 meses, 7 meses, 8 meses, 9 meses, 10 meses, 11 meses, 12 meses, 18 meses, 2 años, 2.5 años, 3 años, 3.5 años, 4 años, 4.5 años, 5 años, 5.5 años, 6 años, 6.5 años, 7 años, 7.5 años, 8 años, 8.5 años, 9 años, 9.5 años o 10 años, bajo 0°C, 10°C, 20°C, 30°C, 40°C, 50°C, 60°C, 70°C, 80°C, 90°C, 100°C, 125°C, 150°C, 175°C, 200°C, 225°C, 250°C, 275°C o 300°C.
De acuerdo con un modo de realización, el material emisor de luz 7 presenta una degradación de su FCE inferior al 90%, 80%, 70%, 60%, 50%, 40%, 30%, 25%, 20%, 15%, 10%, 5%, 4%, 3%, 2%, 1% o 0% después de al menos 1 día, 5 días, 10 días, 15 días, 20 días, 25 días, 1 mes, 2 meses, 3 meses, 4 meses, 5 meses, 6 meses, 7 meses, 8 meses, 9 meses, 10 meses, 11 meses, 12 meses, 18 meses, 2 años, 2.5 años, 3 años, 3.5 años, 4 años, 4.5 años, 5 años, 5.5 años, 6 años, 6.5 años, 7 años, 7.5 años, 8 años, 8.5 años, 9 años, 9.5 años o 10 años, bajo 0°C, 10°C, 20°C, 30°C, 40°C, 50°C, 60°C, 70°C, 80°C, 90°C, 100°C, 125°C, 150°C, 175°C, 200°C, 225°C, 250°C, 275°C, o 300°C, y bajo 0%, 10%, 20%, 30%, 40%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 75%, 80%, 85%, 90%, 95%, o 99% de humedad.
De acuerdo con un modo de realización, el material emisor de luz 7 presenta una degradación de su FCE inferior al 90%, 80%, 70%, 60%, 50%, 40%, 30%, 25%, 20%, 15%, 10%, 5%, 4%, 3%, 2%, 1%, o 0% después de al menos 1 día, 5 días, 10 días, 15 días, 20 días, 25 días, 1 mes, 2 meses, 3 meses, 4 meses, 5 meses, 6 meses, 7 meses, 8 meses, 9 meses, 10 meses, 11 meses, 12 meses, 18 meses, 2 años, 2.5 años, 3 años, 3.5 años, 4 años, 4.5 años, 5 años, 5.5 años, 6 años, 6.5 años, 7 años, 7.5 años, 8 años, 8.5 años, 9 años, 9.5 años o 10 años bajo 0%, 5%, 10%, o 100% de O2 molecular.
De acuerdo con un modo de realización, el material emisor de luz 7 presenta una degradación de su FCE de menos del 90%, 80%, 70%, 60%, 50%, 40%, 30%, 25%, 20%, 15%, 10%, 5%, 4%, 3%, 2%, 1%, o 0% después de al menos
1 día, 5 días, 10 días, 15 días, 20 días, 25 días, 1 mes, 2 meses, 3 meses, 4 meses, 5 meses, 6 meses, 7 meses, 8 meses, 9 meses, 10 meses, 11 meses, 12 meses, 18 meses, 2 años, 2.5 años, 3 años, 3.5 años, 4 años, 4.5 años, 5 años, 5.5 años, 6 años, 6.5 años, 7 años, 7.5 años, 8 años, 8.5 años, 9 años, 9.5 años o 10 años bajo 0%, 5%, 10%, 15%, 20%, 25%, 30%, 35%, 40%, 45%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 75%, 80%, 85%, 90%, 95% o 100% de O2 molecular, bajo 0°C, 10°C, 20°C, 30°C, 40°C, 50°C, 60°C, 70°C, 80°C, 90°C, 100°C, 125°C, 150°C, 175°C, 200°C, 225°C, 250°C, 275°C o 300°C.
De acuerdo con un modo de realización, el material emisor de luz 7 presenta una degradación de su FCE inferior al 90%, 80%, 70%, 60%, 50%, 40%, 30%, 25%, 20%, 15%, 10%, 5%, 4%, 3%, 2%, 1% o 0% después de al menos 1 día, 5 días, 10 días, 15 días, 20 días, 25 días, 1 mes, 2 meses, 3 meses, 4 meses, 5 meses, 6 meses, 7 meses, 8 meses, 9 meses, 10 meses, 11 meses, 12 meses, 18 meses, 2 años, 2.5 años, 3 años, 3.5 años, 4 años, 4.5 años, 5 años, 5.5 años, 6 años, 6.5 años, 7 años, 7.5 años, 8 años, 8.5 años, 9 años, 9.5 años o 10 años bajo 0%, 5%, 10%, 15%, 20%, 25%, 30%, 35%, 40%, 45%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 75%, 80%, 85%, 90%, 95%, o 100% de O2 molecular, bajo 0%, 10%, 20%, 30%, 40%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 75%, 80%, 85%, 90%, 95%, o 99% de humedad.
De acuerdo con un modo de realización, el material emisor de luz 7 presenta una degradación de su FCE inferior al 90%, 80%, 70%, 60%, 50%, 40%, 30%, 25%, 20%, 15%, 10%, 5%, 4%, 3%, 2%, 1%, o 0% después de al menos 1 día, 5 días, 10 días, 15 días, 20 días, 25 días, 1 mes, 2 meses, 3 meses, 4 meses, 5 meses, 6 meses, 7 meses, 8 meses, 9 meses, 10 meses, 11 meses, 12 meses, 18 meses, 2 años, 2.5 años, 3 años, 3.5 años, 4 años, 4.5 años, 5 años, 5.5 años, 6 años, 6.5 años, 7 años, 7.5 años, 8 años, 8.5 años, 9 años, 9.5 años o 10 años bajo 0%, 5%, 10%,
15%, 20%, 25%, 30%, 35%, 40%, 45%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 75%, 80%, 85%, 90%, 95%, o 100% de O2 molecular, bajo 0°C, 10°C, 20°C, 30°C, 40°C, 50°C, 60°C 70°C, 80°C, 90°C, 100°C, 125°C, 150°C, 175°C, 200°C, 225°C, 250°C, 275°C, o 300°C, y bajo 0%, 10%, 20%, 30%, 40%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 75%, 80%, 85%, 90%,
95%, o 99% de humedad.
En otro modo de realización, el material emisor de luz 7 que comprende al menos una población de partículas compuestas 1, puede comprender además al menos una población de convertidores que tienen propiedades de fósforo. Los ejemplos de convertidores que tienen propiedades de fósforo incluyen, pero no se limitan a: granates (LuAG, GAL, YAG, GaYAG), silicatos, oxinitruros/oxicarbidonitruros, nitruros/carbidonitruros, fósforos rojos Mn4+ (PFS/KFS), puntos cuánticos.
De acuerdo con un modo de realización, las partículas compuestas 1 de la invención se incorporan en el material anfitrión 71 a un nivel que va de 100 ppm a 500000 ppm en peso.
De acuerdo con un modo de realización, las partículas compuestas 1 de la invención se incorporan en el material anfitrión 71 a un nivel de al menos 100 ppm, 200 ppm, 300 ppm, 400 ppm, 500 ppm, 600 ppm, 700 ppm, 800 ppm,
900 ppm, 1000 ppm, 1100 ppm, 1200 ppm, 1300 ppm, 1400 ppm, 1500 ppm, 1600 ppm, 1700 ppm, 1800 ppm, 1900 ppm, 2000 ppm, 2100 ppm, 2200 ppm, 2300 ppm, 2400 ppm, 2500 ppm, 2600 ppm, 2700 ppm, 2800 ppm, 2900 ppm, 3000 ppm, 3100 ppm, 3200 ppm, 3300
Figure imgf000066_0001
ppm, 3400 ppm, 3500 ppm, 3600 ppm 3700 ppm, 3800 ppm, 3900 ppm, 4000 ppm, 4100 ppm, 4200 ppm, 4300 ppm, 4400 ppm, 4500 ppm, 4600 ppm, 4700 ppm, 4800 ppm, 4900 ppm, 5000 ppm, 5100 ppm, 5200 ppm, 5300 ppm, 5400
Figure imgf000066_0002
ppm, 5500 ppm, 5600 ppm, 5700 ppm, 5800 ppm, 5900 ppm, 6000 ppm, 6100 ppm, 6200 ppm, 6300 ppm, 6400 ppm, 6500 ppm, 6600 ppm, 6700 ppm, 6800 ppm, 6900 ppm, 7000 ppm, 7100 ppm, 7200 ppm, 7300 ppm, 7400 ppm, 7500 ppm, 7600 ppm, 7700 ppm, 7800 ppm, 7900 ppm, 8000 ppm, 8100 ppm, 8200 ppm, 8300 ppm, 8400 ppm, 8500 ppm, 8600 ppm, 8700 ppm, 8800 ppm, 8900 ppm, 9000 ppm, 9100 ppm, 9200 ppm, 9300 ppm, 9400 ppm, 9500 ppm, 9600 ppm, 9700 ppm, 9800 ppm, 9900 ppm, 10000 ppm, 10500 ppm, 11000 ppm, 11500 ppm, 12000 ppm, 12500 ppm, 13000 ppm, 13500 ppm, 14000 ppm, 14500 ppm, 15000 ppm, 15500 ppm, 16000 ppm, 16500 ppm, 17000 ppm, 17500 ppm, 18000 ppm, 18500 ppm, 19000 ppm, 19500 ppm, 20000 ppm, 30000 ppm, 40000 ppm, 50000 ppm, 60000 ppm, 70000 ppm, 80000 ppm, 90000 ppm, 100000 ppm, 110000 ppm, 120000 ppm, 130000 ppm, 140000 ppm, 150000 ppm, 160000 ppm, 170000 ppm, 180000 ppm, 190000 ppm, 200000 ppm, 210000 ppm, 220000 ppm, 230000 ppm, 240000 ppm, 250000 ppm, 260000 ppm, 270000 ppm, 280000 ppm, 290000 ppm, 300000 ppm, 310000 ppm, 320000 ppm, 330000 ppm, 340000 ppm, 350000 ppm, 360000 ppm, 370000 ppm, 380000 ppm, 390000 ppm, 400000 ppm, 410000 ppm, 420000 ppm, 430000 ppm, 440000 ppm, 450000 ppm, 460000 ppm, 470000 ppm, 480000 ppm, 490000 ppm, o 500000 ppm en peso.
De acuerdo con un modo de realización, el material emisor de luz 7 comprende menos del 95%, 90%, 80%, 70%,
60%, 50%, 40%, 30%, 20%, preferiblemente 10% en peso de las partículas compuestas 1 de la invención.
De acuerdo con un modo de realización, la carga de partículas compuestas 1 en el material emisor de luz 7 es de al menos 0.01%, 0.05%, 0.1%, 0.15%, 0.2%, 0.25%, 0.3%, 0.35%, 0.4%, 0.45%, 0.5%, 0.55%, 0.6%, 0.65%, 0.7%, 0.75%, 0.8%, 0.85%, 0.9%, 0.95%, 1%, 2%, 3%, 4%, 5%, 6%, 7%, 8%, 9%, 10%, 11%, 12%, 13%, 14%, 15%, 16%,
17%, 18%, 19%, 20%, 21%, 22%, 23%, 24%, 25%, 26%, 27%, 28%, 29%, 30%, 31%, 32%, 33%, 34%, 35%, 36% 37%, 38%, 39%, 40%, 41%, 42%, 43%, 44%, 45%, 46%, 47%, 48%, 49%, 50%, 51%, 52%, 53%, 54%, 55%, 56% 57%, 58%, 59%, 60%, 61%, 62%, 63%, 64%, 65%, 66%, 67%, 68%, 69%, 70%, 71%, 72%, 73%, 74%, 75%, 76% 77%, 78%, 79%, 80%, 81%, 82%, 83%, 84%, 85%, 86%, 87%, 88%, 89%, 90%, 91%, 92%, 93%, 94%, 95%, 96% 97%, 98%, o 99%.
De acuerdo con un modo de realización, la carga de partículas compuestas 1 en el material emisor de luz 7 es inferior al 0.01%, 0.05%, 0.1%, 0.15%, 0.2%, 0.25%, 0.3%, 0.35%, 0.4%, 0.45%, 0.5%, 0.55%, 0.6%, 0.65%, 0.7%, 0.75%, 0.8%, 0.85%, 0.9%, 0.95%, 1%, 2%, 3%, 4%, 5%, 6%, 7%, 8%, 9%, 10%, 11%, 12%, 13%, 14%, 15%, 16%, 17%,
18%, 19%, 20%, 21%, 22%, 23%, 24%, 25%, 26%, 27%, 28%, 29%, 30%, 31%, 32%, 33%, 34%, 35%, 36%, 37% 38%, 39%, 40%, 41%, 42%, 43%, 44%, 45%, 46%, 47%, 48%, 49%, 50%, 51%, 52%, 53%, 54%, 55%, 56%, 57% 58%, 59%, 60%, 61%, 62%, 63%, 64%, 65%, 66%, 67%, 68%, 69%, 70%, 71%, 72%, 73%, 74%, 75%, 76%, 77% 78%, 79%, 80%, 81%, 82%, 83%, 84%, 85%, 86%, 87%, 88%, 89%, 90%, 91%, 92%, 93%, 94%, 95%, 96%, 97% 98%, o 99%.
De acuerdo con un modo de realización, las partículas compuestas 1 dispersadas en el material emisor de luz 7 tienen una fracción de empaquetamiento de al menos 0.01%, 0.05%, 0.1%, 0.15%, 0.2%, 0.25%, 0.3%, 0.35%, 0.4%, 0.45%, 0.5%, 0.55%, 0.6%, 0.65%, 0.7%, 0.75%, 0.8%, 0.85%, 0.9%, 0.95%, 1%, 2%, 3%, 4%, 5%, 6%, 7%, 8%, 9%, 10%,
11%, 12%, 13%, 14%, 15%, 16%, 17%, 18%, 19%, 20%, 21%, 22%, 23%, 24%, 25%, 26%, 27%, 28%, 29%, 30 31%, 32%, 33%, 34%, 35%, 36%, 37%, 38%, 39%, 40%, 41%, 42%, 43%, 44%, 45%, 46%, 47%, 48%, 49%, 50% 51%, 52%, 53%, 54%, 55%, 56%, 57%, 58%, 59%, 60%, 61%, 62%, 63%, 64%, 65%, 66%, 67%, 68%, 69%, 70% 71%, 72%, 73%, 74%, 75%, 76%, 77%, 78%, 79%, 80%, 81%, 82%, 83%, 84%, 85%, 86%, 87%, 88%, 89%, 90%, o
95%.
De acuerdo con un modo de realización, las partículas compuestas 1 dispersadas en el material emisor de luz 7 tienen una fracción de empaquetamiento inferior al 0.01%, 0.05%, 0.1%, 0.15%, 0.2%, 0.25%, 0.3%, 0.35%, 0.4%, 0.45%, 0.5%, 0.55%, 0.6%, 0.65%, 0.7%, 0.75%, 0.8%, 0.85%, 0.9%, 0.95%, 1%, 2%, 3%, 4%, 5%, 6%, 7%, 8%, 9%, 10%, 11%, 12%, 13%, 14%, 15%, 16%, 17%, 18%, 19%, 20%, 21%, 22%, 23%, 24%, 25%, 26%, 27%, 28%, 29%, 30%, 31%, 32%, 33%, 34%, 35%, 36%, 37%, 38%, 39%, 40%, 41%, 42%, 43%, 44%, 45%, 46%, 47%, 48%, 49%, 50%, 51%, 52%, 53%, 54%, 55%, 56%, 57%, 58%, 59%, 60%, 61%, 62%, 63%, 64%, 65%, 66%, 67%, 68%, 69%, 70%, 71%, 72%, 73%, 74%, 75%, 76%, 77%, 78%, 79%, 80%, 81%, 82%, 83%, 84%, 85%, 86%, 87%, 88%, 89%, 90%, o 95%.
De acuerdo con un modo de realización, el material emisor de luz 7 comprende al menos 0.01 en peso%, 0.02 en peso%, 0.03 en peso%, 0.04 en peso%, 0.05 en peso%, 0.06 en peso%, 0.07 en peso%, 0.08 en peso%, 0.09 en peso%, 0.1 en peso%, 0.2 en peso%, 0.3 en peso%, 0.4 en peso%, 0.5 en peso%, 0.6 en peso%, 0.7 en peso%, 0.8 en peso%, 0.9 en peso%, 1 en peso%, 2 en peso%, 3 en peso%, 4 en peso%, 5 en peso%, 6 en peso%, 7 en peso%, 8 en peso%, 9 en peso%, 10 en peso%, 15 en peso%, 20 en peso%, 25 en peso%, 30 en peso%, 35 en peso%, 40 en peso%, 45 en peso%, 50 en peso%, 55 en peso%, 60 en peso%, 65 en peso%, 70 en peso%, 75 en peso%, 80 en peso%, 85 en peso%, 90 en peso%, 95 en peso%, o 99 en peso% de la partícula compuesta 1.
De acuerdo con un modo de realización, en el material emisor de luz 7, la relación de peso entre el material anfitrión 71 y la partícula compuesta 1 de la invención es de al menos 0.01%, 0.02%, 0.03%, 0.04%, 0.05%, 0.06%, 0.07%, 0.08%, 0.09%, 0.1%, 0.2%, 0.3%, 0.4%, 0.5%, 0.6%, 0.7%, 0.8%, 0.9%, 1%, 2%, 3%, 4%, 5%, 6%, 7%, 8%, 9%, 10%, 11%, 12%, 13%, 14%, 15%, 16%, 17%, 18%, 19%, 20%, 21%, 22%, 23%, 24%, 25%, 26%, 27%, 28%, 29%, 30%, 31%, 32%, 33%, 34%, 35%, 36%, 37%, 38%, 39%, 40%, 41%, 42%, 43%, 44%, 45%, 46%, 47%, 48%, 49%, o 50%.
De acuerdo con un modo de realización, el material emisor de luz 7 cumple con la normativa ROHS.
De acuerdo con un modo de realización, el material emisor de luz 7 comprende menos de 10 ppm, menos de 20 ppm, menos de 30 ppm, menos de 40 ppm, menos de 50 ppm, menos de 100 ppm, menos de 150 ppm, menos de 200 ppm, menos de 250 ppm, menos de 300 ppm, menos de 350 ppm, menos de 400 ppm, menos de 450 ppm, menos de 500 ppm, menos de 550 ppm, menos de 600 ppm, menos de 650 ppm, menos de 700 ppm, menos de 750 ppm, menos de 800 ppm, menos de 850 ppm, menos de 900 ppm, menos de 950 ppm, menos de 1000 ppm en peso de cadmio.
De acuerdo con un modo de realización, el material emisor de luz 7 comprende menos de 10 ppm, menos de 20 ppm, menos de 30 ppm, menos de 40 ppm, menos de 50 ppm, menos de 100 ppm, menos de 150 ppm, menos de 200 ppm, menos de 250 ppm, menos de 300 ppm, menos de 350 ppm, menos de 400 ppm, menos de 450 ppm, menos de 500 ppm, menos de 550 ppm, menos de 600 ppm, menos de 650 ppm, menos de 700 ppm, menos de 750 ppm, menos de 800 ppm, menos de 850 ppm, menos de 900 ppm, menos de 950 ppm, menos de 1000 ppm, menos de 2000 ppm, menos de 3000 ppm, menos de 4000 ppm, menos de 5000 ppm, menos de 6000 ppm, menos de 7000 ppm, menos de 8000 ppm, menos de 9000 ppm, menos de 10000 ppm en peso de plomo.
De acuerdo con un modo de realización, el material emisor de luz 7 comprende menos de 10 ppm, menos de 20 ppm, menos de 30 ppm, menos de 40 ppm, menos de 50 ppm, menos de 100 ppm, menos de 150 ppm, menos de 200 ppm, menos de 250 ppm, menos de 300 ppm, menos de 350 ppm, menos de 400 ppm, menos de 450 ppm, menos de 500 ppm, menos de 550 ppm, menos de 600 ppm, menos de 650 ppm, menos de 700 ppm, menos de 750 ppm, menos de 800 ppm, menos de 850 ppm, menos de 900 ppm, menos de 950 ppm, menos de 1000 ppm, menos de 2000 ppm, menos de 3000 ppm, menos de 4000 ppm, menos de 5000 ppm, menos de 6000 ppm, menos de 7000 ppm, menos de 8000 ppm, menos de 9000 ppm, menos de 10000 ppm en peso de mercurio.
De acuerdo con un modo de realización, el material emisor de luz 7 comprende un material que es curado o procesado de otra manera para formar una capa sobre un soporte.
De acuerdo con un modo de realización preferido, los ejemplos de material emisor de luz 7 incluyen, pero no se limitan a: partículas compuestas 1 dispersadas en materiales de sol gel, silicona, polímeros como por ejemplo PMMA, PS, o una mezcla de éstos.
De acuerdo con un modo de realización, el material emisor de luz 7 puede utilizarse como fuente de luz.
De acuerdo con un modo de realización, el material emisor de luz 7 puede utilizarse en una fuente de luz.
De acuerdo con un modo de realización, el material emisor de luz 7 puede ser utilizado como un filtro de color.
De acuerdo con un modo de realización, el material emisor de luz 7 puede utilizarse en un filtro de color.
De acuerdo con un modo de realización, el material emisor de luz 7 puede utilizarse además de un filtro de color.
Otro objetivo de la invención se refiere a un soporte que soporta al menos una partícula compuesta 1 de la invención y/o al menos un material emisor de luz 7 como se describe aquí arriba.
En un modo de realización, al menos una partícula compuesta 1 de la invención y/o al menos un material emisor de luz 7 se depositan sobre el soporte mediante fundición por goteo, revestimiento por rotación, revestimiento por inmersión, impresión por chorro de tinta, litografía, pulverización, chapado, galvanoplastia o cualquier otro medio conocido por el experto en la materia.
En un modo de realización, el soporte soporta al menos una población de partículas compuestas 1. En un modo de realización, el soporte soporta al menos un material emisor de luz 7 que comprende al menos una población de partículas compuestas 1. En la presente solicitud, una población de partículas compuestas 1 se define por la longitud de onda de emisión máxima.
En un modo de realización, el soporte soporta dos poblaciones de partículas compuestas 1 que emiten diferentes colores o longitudes de onda. En un modo de realización, el soporte soporta al menos un material emisor de luz 7 que comprende dos poblaciones de partículas compuestas 1 que emiten diferentes colores o longitudes de onda. En un modo de realización, el soporte soporta dos materiales emisores de luz 7 que comprenden cada uno una población de partículas compuestas 1, las poblaciones comprendidas en cada material emisor de luz 7 que emiten diferentes colores o longitudes de onda.
En un modo de realización, el soporte soporta partículas compuestas 1 que emiten luz verde y luz roja tras la conversión descendente de una fuente de luz azul. Así, la luz azul procedente de la(s) fuente(s) de luz pasa a través de la partícula compuesta 1, donde cantidades predeterminadas de luz verde y roja se mezclan con la luz azul restante para crear la luz blanca tricromática. En un modo de realización, el soporte soporta al menos un material emisor de luz 7 que comprende partículas compuestas 1 que emiten luz verde y luz roja tras la conversión descendente de una fuente de luz azul. En este modo de realización, el al menos un material emisor de luz 7 está configurado para transmitir una intensidad predeterminada de la luz azul incidente y para emitir una intensidad predeterminada de luces verdes y rojas secundarias, permitiendo emitir una luz blanca tricromática resultante. En un modo de realización, el soporte soporta al menos un material emisor de luz 7 que comprende al menos una partícula compuesta 1 que emite luz verde, y al menos un material emisor de luz 7 que comprende al menos una partícula compuesta 1 que emite luz roja tras la conversión descendente de una fuente de luz azul. En este modo de realización, al menos un material emisor de luz 7 está configurado para transmitir una intensidad predeterminada de la luz azul incidente y para emitir una intensidad predeterminada de luces verdes y rojas secundarias, permitiendo emitir una luz blanca tricromática resultante.
En un modo de realización, el soporte soporta dos poblaciones de partículas compuestas 1, una primera población con una longitud de onda de emisión máxima entre 500 nm y 560 nm, más preferentemente entre 515 nm y 545 nm y una segunda población con una longitud de onda de emisión máxima entre 600 nm y 2500 nm, más preferentemente entre 610 nm y 650 nm. En un modo de realización, el soporte soporta al menos un material emisor de luz 7 que comprende dos poblaciones de partículas compuestas 1, una primera población con una longitud de onda de emisión máxima entre 500 nm y 560 nm, más preferentemente entre 515 nm y 545 nm y una segunda población con una longitud de onda de emisión máxima entre 600 nm y 2500 nm, más preferentemente entre 610 nm y 650 nm. En un modo de realización, el soporte soporta dos materiales emisores de luz 7 que comprenden cada uno al menos una población de partículas compuestas 1, un primer material emisor de luz 7 que comprende una primera población con una longitud de onda de emisión máxima entre 500 nm y 560 nm, más preferentemente entre 515 nm y 545 nm y un segundo material emisor de luz 7 que comprende una segunda población con una longitud de onda de emisión máxima entre 600 nm y 2500 nm, más preferentemente entre 610 nm y 650 nm.
En un modo de realización, el soporte soporta dos poblaciones de partículas compuestas 1, una primera población con al menos un pico de emisión que tiene una altura a media anchura máxima inferior a 90 nm, 80 nm, 70 nm, 60 nm, 50 nm, 40 nm, 30 nm, 25 nm, 20 nm, 15 nm, o 10 nm y una segunda población con al menos un pico de emisión que tiene una altura a media anchura máxima inferior a 90 nm, 80 nm, 70 nm, 60 nm, 50 nm, 40 nm, 30 nm, 25 nm, 20 nm, 15 nm, o 10 nm. En un modo de realización, el soporte soporta al menos un material emisor de luz 7 que comprende dos poblaciones de partículas compuestas 1, una primera población con al menos un pico de emisión que tiene una altura a media anchura máxima inferior a 90 nm, 80 nm, 70 nm, 60 nm, 50 nm, 40 nm, 30 nm, 25 nm, 20 nm, 15 nm o 10 nm y una segunda población con al menos un pico de emisión que tiene una altura a media anchura máxima inferior a 90 nm, 80 nm, 70 nm, 60 nm, 50 nm, 40 nm, 30 nm, 25 nm, 20 nm, 15 nm o 10 nm. En un modo de realización, el soporte admite dos materiales emisores de luz 7, cada uno de los cuales comprende al menos una población de partículas compuestas 1, un primer material emisor de luz 7 que comprende una primera población con al menos un pico de emisión que tiene una anchura media máxima inferior a 90 nm, 80 nm 70 nm, 60 nm, 50 nm, 40 nm, 30 nm, 25 nm, 20 nm, 15 nm, o 10 nm y un segundo material emisor de luz 7 que comprende una segunda población con al menos un pico de emisión que tiene una anchura media máxima inferior a 90 nm, 80 nm, 70 nm, 60 nm, 50 nm, 40 nm, 30 nm, 25 nm, 20 nm, 15 nm, o 10 nm.
En un modo de realización, el soporte admite dos poblaciones de partículas compuestas 1, una primera población con al menos un pico de emisión que tiene una anchura total al cuarto máximo inferior a 90 nm, 80 nm, 70 nm, 60 nm, 50 nm, 40 nm, 30 nm, 25 nm, 20 nm, 15 nm, o 10 nm y una segunda población con al menos un pico de emisión que tiene una anchura total a un cuarto de altura máximo inferior a 90 nm, 80 nm, 70 nm, 60 nm, 50 nm, 40 nm, 30 nm, 25 nm, 20 nm, 15 nm, o 10 nm. En un modo de realización, el soporte admite al menos un material emisor de luz 7 que comprende dos poblaciones de partículas compuestas 1, una primera población con al menos un pico de emisión que tiene una anchura total a un cuarto de altura máximo inferior a 90 nm, 80 nm, 70 nm, 60 nm, 50 nm, 40 nm, 30 nm, 25 nm, 20 nm, 15 nm, o 10 nm y una segunda población con al menos un pico de emisión que tiene una anchura total a un cuarto de altura máximo inferior a 90 nm, 80 nm, 70 nm, 60 nm, 50 nm, 40 nm, 30 nm, 25 nm, 20 nm, 15 nm, o 10 nm. En un modo de realización, el soporte admite dos materiales emisores de luz 7, cada uno de los cuales comprende al menos una población de partículas compuestas 1, un primer material emisor de luz 7 que comprende una primera población con al menos un pico de emisión que tiene una anchura a un cuarto de altura inferior a 90 nm, 80 nm, 70 nm, 60 nm, 50 nm, 40 nm, 30 nm, 25 nm, 20 nm, 15 nm, o 10 nm y un segundo material emisor de luz 7 que comprende una segunda población con al menos un pico de emisión que tiene una anchura total a un cuarto de altura máximo inferior a 90 nm, 80 nm, 70 nm, 60 nm, 50 nm, 40 nm, 30 nm, 25 nm, 20 nm, 15 nm, o 10 nm.
En un modo de realización, la al menos una partícula compuesta 1 y/o el al menos un material emisor de luz 7 sobre un soporte se encapsula en un sistema multicapa. En un modo de realización, el sistema multicapa comprende al menos dos, al menos tres capas.
En un modo de realización, el sistema multicapa puede comprender además al menos una capa auxiliar.
De acuerdo con un modo de realización, la capa auxiliar es ópticamente transparente a longitudes de onda entre 200 nm y 50 pm, entre 200 nm y 10 pm, entre 200 nm y 2500 nm, entre 200 nm y 2000 nm, entre 200 nm y 1500 nm, entre
200 nm y 1000 nm, entre 200 nm y 800 nm, entre 400 nm y 700 nm, o entre 400 nm y 470 nm. En este modo de realización, la capa auxiliar no absorbe ninguna luz, permitiendo que la partícula compuesta 1 y/o el material emisor de luz 7 absorban toda la luz incidente.
De acuerdo con un modo de realización, la capa auxiliar limita o impide la degradación de las propiedades químicas y físicas de al menos una partícula compuesta 1 por el oxígeno molecular, el ozono, el agua y/o la alta temperatura. De acuerdo con un modo de realización, la capa auxiliar protege al menos un material emisor de luz 7 del oxígeno molecular, el ozono, el agua y/o la alta temperatura.
De acuerdo con un modo de realización, la capa auxiliar es conductora térmica.
De acuerdo con un modo de realización, la capa auxiliar tiene una conductividad térmica en condiciones estándar que va de 0.1 a 450 W/(m.K), preferiblemente de 1 a 200 W/(m.K), más preferiblemente de 10 a 150 W/(m.K).
De acuerdo con un modo de realización, la capa auxiliar tiene una conductividad térmica en condiciones estándar de al menos 0.1 W/(m.K), 0.2 W/(m.K), 0.3 W/(m.K), 0.4 W/(m.K), 0.5 W/(m.K), 0.6W/(m.K), 0.7 W/(m.K), 0.8 W/(m.K),
0.9 W/(m.K), 1 W/(m.K), 1.1 W/(m.K), 1.2 W/(m.K), 1.3 W/(m.K), 1.4 W/(m.K), 1.5 W/(m.K), 1.6 W/(m.K), 1.7 W/(m.K),
1.8 W/(m.K), 1.9 W/(m.K), 2 W/(m.K), 2.1 W/(m.K), 2.2 W/(m.K), 2.3 W/(m.K), 2.4 W/(m.K), 2.5 W/(m.K), 2.6 W/(m.K),
2.7 W/(m.K), 2.8 W/(m.K), 2.9 W/(m.K), 3 W/(m.K), 3.1 W/(m.K), 3.2 W/(m.K), 3.3 W/(m.K), 3.4 W/(m.K), 3.5 W/(m.K),
3.6 W/(m.K), 3.7 W/(m.K), 3.8 W/(m.K), 3.9 W/(m ), 4.1 W/(m.K), 4.2 W/(m.K), 4.3 W/(m.K), 4.4 W/(m.K),
4.5 W/(m.K), 4.6 W/(m.K), 4.7 W/(m.K), 4.8 4.9 W/(m.K), 5 W/(m.K), 5.1 W/(m.K), 5.2 W/(m.K), 5.3 W/(m.K), 5.4 W/(m.K), 5.5 W/(m.K), 5.6 W/(m.K), 5.7 5.8 W/(m.K), 5.9 W/(m.K), 6 W/(m.K), 6.1 W/(m.K), 6.2 W/(m.K), 6.3 W/(m.K), 6.4 W/(m.K), 6.5 W/(m.K), 6.6 6.7 W/(m.K), 6.8 W/(m.K), 6.9 W/(m.K), 7 W/(m.K), 7.1 W/(m.K), 7.2 W/(m.K), 7.3 W/(m.K), 7.4 W/(m.K), 7.5
Figure imgf000069_0001
7.6 W/(m.K), 7.7 W/(m.K), 7.8 W/(m.K), 7.9 W/(m.K), 8 W/(m.K), 8.1 W/(m.K), 8.2 W/(m.K), 8.3 W/(m.K), 8.4 W/(m.K), 8.5 W/(m.K), 8.6 W/(m.K), 8.7 W/(m.K), 8.8 W/(m.K), 8.9 W/(m.K),
9 W/(m.K), 9.1 W/(m.K), 9.2 W/(m.K), 9.3 W/(m.K), 9.4 W/(m.K), 9.5 W/(m.K), 9.6 W/(m.K), 9.7 W/(m.K), 9.8 W/(m.K),
9.9 W/(m.K), 10 W/(m.K), 10.1 W/(m.K), 10.2 W/(m.K), 10.3 W/(m.K), 10.4 W/(m.K), 10.5 W/(m.K), 10.6 W/(m.K), 10.7 W/(m.K), 10.8 W/(m.K), 10.9W/(m.K), 11 W/(m.K), 11.1 W/(m.K), 11.2 W/(m.K), 11.3 W/(m.K), 11.4 W/(m.K), 11.5 W/(m.K), 11.6 W/(m.K), 11.7 W/(m.K), 11.8 W/(m.K), 11.9 W/(m.K), 12 W/(m.K), 12.1 W/(m.K), 12.2 W/(m.K), 12.3 W/(m.K), 12.4 W/(m.K), 12.5 W/(m.K), 12.6 W/(m.K), 12.7W/(m.K), 12.8 W/(m.K), 12.9 W/(m.K), 13W/(m.K), 13.1 W/(m.K), 13.2 W/(m.K), 13.3W/(m.K), 13.4 W/(m.K), 13.5 W/(m.K), 13.6 W/(m.K), 13.7 W/(m.K), 13.8 W/(m.K), 13.9 W/(m.K), 14 W/(m.K), 14.1 W/(m.K), 14.2 W/(m.K), 14.3 W/(m.K), 14.4 W/(m.K), 14.5W/(m.K), 14.6 W/(m.K), 14.7 W/(m.K), 14.8 W/(m.K), 14.9 W/(m.K), 15 W/(m.K), 15.1 W/(m.K), 15.2 W/(m.K), 15.3 W/(m.K), 15.4 W/(m.K), 15.5 W/(m.K), 15.6 W/(m.K), 15.7W/(m.K), 15.8 W/(m.K), 15.9 W/(m.K), 16 W/(m.K), 16.1 W/(m.K), 16.2 W/(m.K), 16.3 W/(m.K), 16.4 W/(m.K), 16.5 W/(m.K), 16.6 W/(m.K), 16.7W/(m.K), 16.8 W/(m.K), 16.9W/(m.K), 17 W/(m.K), 17.1 W/(m.K), 17.2 W/(m.K), 17.3 W/(m.K), 17.4 W/(m.K), 17.5W/(m.K), 17.6 W/(m.K), 17.7 W/(m.K), 17.8 W/(m.K), 17.9 W/(m.K), 18 W/(m.K), 18.1 W/(m.K), 18.2 W/(m.K), 18.3 W/(m.K), 18.4 W/(m.K), 18.5 W/(m.K), 18.6 W/(m.K), 18.7 W/(m.K), 18.8 W/(m.K), 18.9 W/(m.K), 19 W/(m.K), 19.1 W/(m.K), 19.2 W/(m.K), 19.3 W/(m.K), 19.4 W/(m.K), 19.5 W/(m.K), 19.6 W/(m.K), 19.7 W/(m.K), 19.8 W/(m.K), 19.9W/(m.K), 20 W/(m.K), 20.1 W/(m.K), 20.2 W/(m.K), 20.3 W/(m.K), 20.4 W/(m.K), 20.5W/(m.K), 20.6 W/(m.K), 20.7 W/(m.K), 20.8 W/(m.K), 20.9 W/(m.K), 21 W/(m.K), 21.1 W/(m.K), 21.2 W/(m.K), 21.3 W/(m.K), 21.4 W/(m.K), 21.5 W/(m.K), 21.6 W/(m.K), 21.7W/(m.K), 21.8 W/(m.K), 21.9 W/(m.K), 22 W/(m.K), 22.1 W/(m.K), 22.2 W/(m.K), 22.3 W/(m.K), 22.4 W/(m.K), 22.5 W/(m.K), 22.6 W/(m.K), 22.7 W/(m.K), 22.8 W/(m.K), 22.9W/(m.K), 23 W/(m.K), 23.1 W/(m.K), 23.2 W/(m.K), 23.3 W/(m.K), 23.4 W/(m.K), 23.5 W/(m.K), 23.6 W/(m.K), 23.7 W/(m.K), 23.8 W/(m.K), 23.9 W/(m.K), 24 W/(m.K), 24.1 W/(m.K), 24.2 W/(m.K), 24.3 W/(m.K), 24.4 W/(m.K), 24.5 W/(m.K), 24.6 W/(m.K), 24.7 W/(m.K), 24.8 W/(m.K), 24.9 W/(m.K), 25 W/(m.K), 30 W/(m.K), 40 W/(m.K), 50 W/(m.K), 60 W/(m.K), 70 W/(m.K), 80 W/(m.K), 90 W/(m.K), 100 W/(m.K), 110 W/(m.K), 120 W/(m.K), 130 W/(m.K), 140 W/(m.K), 150 W/(m.K), 160 W/(m.K), 170 W/(m.K), 180 W/(m.K), 190W/(m.K), 200 W/(m.K), 210 W/(m.K), 220 W/(m.K), 230 W/(m.K), 240 W/(m.K), 250W/(m.K), 260 W/(m.K), 270 W/(m.K), 280 W/(m.K), 290 W/(m.K), 300 W/(m.K), 310W/(m.K), 320 W/(m.K), 330 W/(m.K), 340 W/(m.K), 350 W/(m.K), 360 W/(m.K), 370 W/(m.K), 380 W/(m.K), 390 W/(m.K), 400 W/(m.K), 410 W/(m.K), 420 W/(m.K), 430W/(m.K), 440 W/(m.K), o 450 W/(m.K).
De acuerdo con un modo de realización, la capa auxiliar es una capa auxiliar polimérica.
De acuerdo con un modo de realización, uno o más componentes de la capa auxiliar pueden incluir un componente polimerizable, un agente reticulante, un agente de dispersión, un modificador reológico, un relleno, un fotoiniciador, o un iniciador térmico como se describe después o arriba.
De acuerdo con un modo de realización, la capa auxiliar comprende partículas de dispersión. Los ejemplos de partículas de dispersión incluyen, pero no se limitan a: SiO2, ZrO2, ZnO, MgO, SnO2, TiO2, Ag, Au, alúmina, sulfato de bario, PTFE, titanato de bario y similares.
En un modo de realización, la capa auxiliar comprende además partículas conductoras térmicas. Los ejemplos de partículas conductoras térmicas incluyen, pero no se limitan a: SiO2, ZrO2, ZnO, MgO, SnO2, TiO2, CaO, alúmina, sulfato de bario, PTFE, titanato de bario y similares. En este modo de realización, se aumenta la conductividad térmica de la capa auxiliar.
De acuerdo con un modo de realización, la capa auxiliar comprende un material anfitrión polimérico 71 como se ha descrito anteriormente.
De acuerdo con un modo de realización, la capa auxiliar comprende un material anfitrión inorgánico 71 como se ha descrito anteriormente.
En un modo de realización, la capa auxiliar tiene un grosor entre 30 nm y 1 cm, entre 100 nm y 1 mm, preferentemente entre 100 nm y 500 pm.
De acuerdo con un modo de realización, la capa auxiliar tiene un espesor de al menos 30 nm, 40 nm, 50 nm, 60 nm, 70 nm, 80 nm, 100 nm, 110 nm, 120 nm, 130 nm, 140 nm, 150 nm, 160 nm, 170 nm, 180 nm, 190 nm, 200 nm, 210 nm, 220 nm, 230 nm, 240 nm, 250 nm, 260 nm, 270 nm, 280 nm, 290 nm, 300 nm, 350 nm, 400 nm, 450 nm, 500 nm, 550 nm, 600 nm, 650 nm, 700 nm, 750 nm, 800 nm, 850 nm, 900 nm, 950 nm, 1 pm, 1.5 pm, 2.5 pm, 3 pm, 3.5 pm, 4 i, 4.1 | m, 4.2 pm, 4.3 pm, 4.4 pm, 4.5 pm, m, 4.7 pm, 4.8 pm, 4.9 pm, 5 pm, 5.1 pm, 5.2 pm, 5.3 pm, pm i pm, 5.5 pm, 5.6 pm, ! .7 pm, 5.8 pm, 5.9 pm, 6 pm, 6.¡ pm, 7 pm, 7.5 pm, 8 pm, 8.5 pm, 9 pm, 9.5 pm, 10 pm 5 pm, 11 pm, 11.5 pm, 12 pm, 12.5 pm, 13 pm, 13.5 pm, 14 pm, 14.5 pm, 15 pm, 15.5 pm, 16 pm, 16.5 pm, 17 pm 5 pm, 18 pm, 18.5 pm, 19 pm, 19.5 pm, 20 pm, 20.5 pm, 21 pm, 21.5 pm, 22 pm, 22.5 pm, 23 pm, 23.5 pm, 24 pm .5 pm, 25 pm, 25.5 pm, 26 pm, 26.5 pm, 27 pm, 27.5 pm, 28 pm, 28.5 pm, 29 pm, 29.5 pm, 30 pm, 30.5 pm, 31 pm 5 pm, 32 pm, 32.5 pm, 33 pm, 33.5 pm, 34 pm, 34.5 pm, 35 pm, 35.5 pm, 36 pm, 36.5 pm, 37 pm, 37.5 pm, 38 pm 5 pm, 39 pm, 39.5 pm, 40 pm, 40.5 pm, 41 pm, 41.5 pm, 42 pm, 42.5 pm, 43 pm, 43.5 pm, 44 pm, 44.5 pm, 45 pm 5 pm, 46 pm, 46.5 pm, 47 pm, 47.5 pm, 48 pm, 48.5 pm, 49 pm, 49.5 pm, 50 pm, 50.5 pm, 51 pm, 51.5 pm, 52 pm 5 pm, 53 pm, 53.5 pm, 54 pm, 54.5 pm, 55 pm, 55.5 pm, 56 pm, 56.5 pm, 57 pm, 57.5 pm, 58 pm, 58.5 pm, 59 pm 5 pm, 60 pm, 60.5 pm, 61 pm, 61.5 pm, 62 pm, 62.5 pm, 63 pm, 63.5 pm, 64 pm, 64.5 pm, 65 pm, 65.5 pm, 66 pm 5 pm, 67 pm, 67.5 pm, 68 pm, 68.5 pm, 69 pm, 69.5 pm, 70 pm, 70.5 pm, 71 pm, 71.5 pm, 72 pm, 72.5 pm, 73 pm 5 pm, 74 pm, 74.5 pm, 75 pm, 75.5 pm, 76 pm, 76.5 pm, 77 pm, 77.5 pm, 78 pm, 78.5 pm, 79 pm, 79.5 pm, 80 pm .5 pm, 81 pm, 81.5 pm, 82 pm, 82.5 pm, 83 pm, 83.5 pm, 84 pm, 84.5 pm, 85 pm, 85.5 pm, 86 pm, 86.5 pm, 87 pm 5 pm, 88 pm, 88.5 pm, 89 pm, 89.5 pm, 90 pm, 90.5 pm, 91 pm, 91.5 pm, 92 pm, 92.5 pm, 93 pm, 93.5 pm, 94 pm 94.5 pm, 95 pm, 95.5 pm, 96 pm, 96.5 pm, 97 pm, 97.5 pm, 98 pm, 98.5 pm, 99 pm, 99.5 pm, 100 pm, 200 pm, 250 pm, 300 pm, 350 pm, 400 pm, 450 pm, 500 pm, 550 pm, 600 pm, 650 pm, 700 pm, 750 pm, 800 pm, 850 pm, 900 pm, 950 pm, o 1 cm.
De acuerdo con un modo de realización, al menos una partícula de material compuesto 1 o el sistema multicapa que comprende al menos una partícula de material compuesto 1 está cubierto por al menos una capa protectora. De acuerdo con un modo de realización, el al menos un material emisor de luz 7 o el sistema multicapa que comprende al menos un material emisor de luz 7 está cubierto por al menos una capa protectora.
En un modo de realización, la al menos una partícula de material compuesto 1 o el sistema multicapa que comprende al menos una partícula de material compuesto 1 está rodeado por al menos una capa protectora. En un modo de realización, al menos un material emisor de luz 7 o el sistema multicapa que comprende al menos un material emisor de luz 7 está rodeado por al menos una capa protectora.
En un modo de realización, al menos una partícula de material compuesto 1 o el sistema multicapa que comprende al menos una partícula de material compuesto 1 está cubierta por al menos una capa auxiliar, estando ambas rodeadas por al menos una capa protectora. En un modo de realización, al menos un material emisor de luz 7 o el sistema multicapa que comprende al menos un material emisor de luz 7 está cubierto por al menos una capa auxiliar, estando ambos rodeados por al menos una capa protectora.
En un modo de realización, al menos una partícula de material compuesto 1 o el sistema multicapa que comprende al menos una partícula de material compuesto 1 está cubierto por al menos una capa auxiliar y/o al menos una capa protectora. En un modo de realización, al menos un material emisor de luz 7 o el sistema multicapa que comprende al menos un material emisor de luz 7 está cubierto por al menos una capa auxiliar y/o al menos una capa protectora.
En un modo de realización, la capa protectora es una capa de planarización.
En un modo de realización, la capa protectora es una capa impermeable al oxígeno y/o al agua. En este modo de realización, la capa protectora es una barrera contra la oxidación, y limita o evita la degradación de las propiedades químicas y físicas de al menos una partícula compuesta 1 y/o al menos un material emisor del oxígeno molecular y/o del agua.
En un modo de realización, la capa protectora es una capa no permeable al oxígeno y/o al agua. En este modo de realización, la capa protectora es una barrera contra la oxidación, y limita o impide la degradación de las propiedades químicas y físicas de al menos una partícula compuesta 1 y/o de al menos un material emisor del oxígeno molecular y/o del agua.
De acuerdo con un modo de realización, la capa protectora es conductora térmica.
De acuerdo con un modo de realización, la capa protectora tiene una conductividad térmica en condiciones estándar que va de 0.1 a 450 W/(m.K), preferentemente de 1 a 200 W/(m.K), más preferentemente de 10 a 150 W/(m.K).
De acuerdo con un modo de realización, la capa protectora tiene una conductividad térmica en condiciones estándar de al menos 0.1 W/(m.K), 0.2 W/(m.K), 0.3 W/(m.K), 0.4 W/(m.K), 0.5 W/(m.K), 0.6W/(m.K), 0.7 W/(m.K), 0.8 W/(m.K), 0.9 W/(m.K), 1 W/(m.K), 1.1 W/(m.K), 1.2 W/(m.K), 1.3 W/(m.K), 1.4 W/(m.K), 1.5 W/(m.K), 1.6 W/(m.K), 1.7 W/(m.K), 1.8 W/(m.K), 1.9 W/(m.K), 2 W/(m.K), 2.1 W/(m.K), 2.2 W/(m.K), 2.3 W/(m.K), 2.4 W/(m.K), 2.5 W/(m.K), 2.6 W/(m.K), 2.7 W/(m.K), 2.8 W/(m.K), 2.9 W/(m.K), 3 W/(m.K), 3.1 W/(m.K), 3.2 W/(m.K), 3.3 W/(m.K), 3.4 W/(m.K), 3.5 W/(m.K), 3.6 W/(m.K), 3.7 W/(m.K), 3.8 W/(m.K), 3.9 W/(m.K), 4 W/(m.K), 4.1 W/(m.K), 4.2 W/(m.K), 4.3 W/(m.K), 4.4 W/(m.K), 4.5 W/(m.K), 4.6 W/(m.K), 4.7 W/(m.K), 4.8 W/(m.K), 4.9 W/(m.K), 5 W/(m.K), 5.1 W/(m.K), 5.2 W/(m.K), 5.3 W/(m.K), 5.4 W/(m.K), 5.5 W/(m.K), 5.6 W/(m.K), 5.7 W/(m.K), 5.8 W/(m.K), 5.9 W/(m.K), 6 W/(m.K), 6.1 W/(m.K), 6.2 W/(m.K), 6.3 W/(m.K), 6.4 W/(m.K), 6.5 W/(m.K), 6.6 W/(m.K), 6.7 W/(m.K), 6.8 W/(m.K), 6.9 W/(m.K), 7 W/(m.K), 7.1 W/(m.K), 7.2 W/(m.K), 7.3 W/(m.K), 7.4 W/(m.K), 7.5 W/(m.K), 7.6 W/(m.K), 7.7 W/(m.K), 7.8 W/(m.K), 7.9 W/(m.K), 8 W/(m.K), 8.1 W/(m.K), 8.2 W/(m.K), 8.3 W/(m.K), 8.4 W/(m.K), 8.5 W/(m.K), 8.6 W/(m.K), 8.7 W/(m.K), 8.8 W/(m.K), 8.9 W/(m.K), 9 W/(m.K), 9.1 W/(m.K), 9.2 W/(m.K), 9.3 W/(m.K), 9.4 W/(m.K), 9.5 W/(m.K), 9.6 W/(m.K), 9.7 W/(m.K), 9.8 W/(m.K), 9.9 W/(m.K), 10 W/(m.K), 10.1 W/(m.K), 10.2 W/(m.K), 10.3 W/(m.K), 10.4 W/(m.K), 10.5 W/(m.K), 10.6 W/(m.K), 10.7 W/(m.K), 10.8 W/(m.K), 10.9W/(m.K), 11 W/(m.K), 11.1 W/(m.K), 11.2 W/(m.K), 11.3 W/(m.K), 11.4 W/(m.K), 11.5 W/(m.K), 11.6 W/(m.K), 11.7 W/(m.K), 11.8 W/(m.K), 11.9 W/(m.K), 12 W/(m.K), 12.1 W/(m.K), 12.2 W/(m.K), 12.3 W/(m.K), 12.4 W/(m.K), 12.5 W/(m.K), 12.6 W/(m.K), 12.7W/(m.K), 12.8 W/(m.K), 12.9 W/(m.K), 13 W/(m.K), 13.1 W/(m.K), 13.2 W/(m.K), 13.3W/(m.K), 13.4 W/(m.K), 13.5 W/(m.K), 13.6 W/(m.K), 13.7 W/(m.K), 13.8 W/(m.K), 13.9 W/(m.K), 14 W/(m.K), 14.1 W/(m.K), 14.2 W/(m.K), 14.3 W/(m.K), 14.4 W/(m.K), 14.5W/(m.K), 14.6 W/(m.K), 14.7 W/(m.K), 14.8 W/(m.K), 14.9 W/(m.K), 15 W/(m.K), 15.1 W/(m.K), 15.2 W/(m.K), 15.3 W/(m.K), 15.4 W/(m.K), 15.5 W/(m.K), 15.6 W/(m.K), 15.7W/(m.K), 15.8 W/(m.K), 15.9 W/(m.K), 16 W/(m.K), 16.1 W/(m.K), 16.2 W/(m.K), 16.3 W/(m.K), 16.4 W/(m.K), 16.5 W/(m.K), 16.6 W/(m.K), 16.7 W/(m.K), 16.8 W/(m.K), 16.9W/(m.K), 17 W/(m.K), 17.1 W/(m.K), 17.2 W/(m.K), 17.3 W/(m.K), 17.4 W/(m.K), 17.5W/(m.K), 17.6 W/(m.K), 17.7 W/(m.K), 17.8 W/(m.K), 17.9 W/(m.K), 18 W/(m.K), 18.1 W/(m.K), 18.2 W/(m.K), 18.3 W/(m.K), 18.4 W/(m.K), 18.5 W/(m.K), 18.6 W/(m.K), 18.7 W/(m.K), 18.8 W/(m.K), 18.9 W/(m.K), 19 W/(m.K), 19.1 W/(m.K), 19.2 W/(m.K), 19.3 W/(m.K), 19.4 W/(m.K), 19.5 W/(m.K), 19.6 W/(m.K), 19.7 W/(m.K), 19.8 W/(m.K), 19.9W/(m.K), 20 W/(m.K), 20.1 W/(m.K), 20.2 W/(m.K), 20.3 W/(m.K), 20.4 W/(m.K), 20.5W/(m.K), 20.6 W/(m.K), 20.7 W/(m.K), 20.8 W/(m.K), 20.9 W/(m.K), 21 W/(m.K), 21.1 W/(m.K), 21.2 W/(m.K), 21.3 W/(m.K), 21.4 W/(m.K), 21.5 W/(m.K), 21.6 W/(m.K), 21.7W/(m.K), 21.8 W/(m.K), 21.9 W/(m.K), 22 W/(m.K), 22.1 W/(m.K), 22.2 W/(m.K), 22.3 W/(m.K), 22.4 W/(m.K), 22.5 W/(m.K), 22.6 W/(m.K), 22.7 W/(m.K), 22.8 W/(m.K), 22.9W/(m.K), 23 W/(m.K), 23.1 W/(m.K), 23.2 W/(m.K), 23.3 W/(m.K), 23.4 W/(m.K), 23.5 W/(m.K), 23.6 W/(m.K), 23.7 W/(m.K), 23.8 W/(m.K), 23.9 W/(m.K), 24 W/(m.K), 24.1 W/(m.K), 24.2 W/(m.K), 24.3 W/(m.K), 24.4 W/(m.K), 24.5 W/(m.K), 24.6 W/(m.K), 24.7 W/(m.K), 24.8 W/(m.K), 24.9 W/(m.K), 25 W/(m.K), 30 W/(m.K), 40 W/(m.K), 50W/(m.K), 60 W/(m.K), 70 W/(m.K), 80 W/(m.K), 90 W/(m.K), 100 W/(m.K), 110 W/(m.K), 120 W/(m.K), 130 W/(m.K), 140 W/(m.K), 150 W/(m.K), 160 W/(m.K), 170 W/(m.K), 180W/(m.K), 190 W/(m.K), 200 W/(m.K), 210 W/(m.K), 220 W/(m.K), 230 W/(m.K), 240W/(m.K), 250 W/(m.K), 260 W/(m.K), 270 W/(m.K), 280 W/(m.K), 290 W/(m.K), 300W/(m.K), 310 W/(m.K), 320 W/(m.K), 330 W/(m.K), 340 W/(m.K), 350 W/(m.K), 360 W/(m.K), 370 W/(m.K), 380 W/(m.K), 390 W/(m.K), 400 W/(m.K), 410 W/(m.K), 420W/(m.K), 430 W/(m.K), 440 W/(m.K), o 450 W/(m.K).
En un modo de realización, la capa protectora puede ser de vidrio, PET (tereftalato de polietileno), PDMS (polidimetilsiloxano), PES (polietersulfona), PEN (naftalato de polietileno), PC (policarbonato), P i (poliimida), PNB (polinorborneno), PAR (poliarilato), PEEK (polieteretercetona), PCO (olefinas policíclicas), PVDC (cloruro de polivinilideno), nailon, ITO (óxido de indio y estaño), FTO (óxido de estaño dopado con flúor), celulosa, AhO3, AlOxNy, SiOxCy, SiO2, SiOx, SiNx, SiCx, ZrO2, T O 2, MgO, ZnO, SnO2, cerámica, cerámica modificada orgánicamente o una mezcla de éstos.
En un modo de realización, la capa protectora puede depositarse mediante PECVD (deposición química de vapor mejorada por plasma), ALD (deposición de capa atómica), CVD (deposición química de vapor), iCVD (deposición química de vapor iniciadora), Cat-CVD (deposición química de vapor catalítica).
De acuerdo con un modo de realización, la capa protectora puede comprender partículas de dispersión. Los ejemplos de partículas de dispersión incluyen, pero no se limitan a: SO 2, ZrO2, ZnO, MgO, SnO2, TO 2, Ag, Au, alúmina, Ag, Au, sulfato de bario, PTFE, titanato de bario y similares.
En un modo de realización, la capa protectora comprende además partículas conductoras térmicas. Los ejemplos de partículas conductoras térmicas incluyen, pero no se limitan a: SO 2, ZrÜ2, ZnO, MgO, SnÜ2, TÍÜ2, CaO, alúmina, sulfato de bario, PTFE, titanato de bario y similares. En este modo de realización, se aumenta la conductividad térmica de la capa protectora.
En un modo de realización, el soporte puede ser un sustrato, un LED, un conjunto de LED, un recipiente, un tubo, un panel solar, un panel o un contenedor. Preferiblemente, el soporte es ópticamente transparente a longitudes de onda entre 200 nm y 50 pm, entre 200 nm y 10 pm, entre 200 nm y 2500 nm, entre 200 nm y 2000 nm, entre 200 nm y 1500 nm, entre 200 nm y 1000 nm, entre 200 nm y 800 nm, entre 400 nm y 700 nm, o entre 400 nm y 470 nm.
El LED utilizado aquí incluye el LED, el chip LED 5 y el LED 6 de tamaño microscópico.
En un modo de realización, el soporte puede ser un tejido, una pieza de ropa, madera, plástico, cerámica, vidrio, acero, metal o cualquier superficie activa.
En un modo de realización, las superficies activas son superficies interactivas.
En un modo de realización, las superficies activas son superficies destinadas a ser incluidas en un dispositivo optoelectrónico, o en un dispositivo de visualización.
En un modo de realización, el soporte es reflectante.
En un modo de realización, el soporte comprende un material que permite reflejar la luz, como por ejemplo un metal como el aluminio, la plata, un vidrio, un polímero o un plástico.
En un modo de realización, el soporte es conductor térmico.
De acuerdo con un modo de realización, el soporte tiene una conductividad térmica en condiciones estándar que va de 0.5 a 450 W/(m.K), preferentemente de 1 a 200 W/(m.K), más preferentemente de 10 a 150 W/(m.K).
De acuerdo con un modo de realización, el soporte tiene una conductividad térmica en condiciones estándar de al menos 0.1 W/(m.K), 0.2 W/(m.K), 0.3 W/(m.K), 0.4 W/(m.K), 0.5 W/(m.K), 0.6 W/(m.K), 0.7W/(m.K), 0.8 W/(m.K), 0.9 W/(m.K), 1 W/(m.K), 1.1 W/(m.K), 1.2 W/(m.K), 1.3 W/(m.K), 1.4 W/(m.K), 1.5 W/(m.K), 1.6 W/(m.K), 1.7 W/(m.K), 1.8 W/(m.K), 1.9 W/(m.K), 2 W/(m.K), 2.1 W/(m.K), 2.2 W/(m.K), 2.3 W/(m.K), 2.4 W/(m.K), 2.5 W/(m.K), 2.6 W/(m.K), 2.7 W/(m.K), 2.8 W/(m.K), 2.9 W/(m.K), 3 W/(m.K), 3.1 W/(m.K), 3.2 W/(m.K), 3.3 W/(m.K), 3.4 W/(m.K), 3.5 W/(m.K), 3.6 W/(m.K), 3.7 W/(m.K), 3.8 W/(m.K), 3.9 W/(m.K), 4 W/(m.K), 4.1 W/(m.K), 4.2 W/(m.K), 4.3 W/(m.K), 4.4 W/(m.K), 4.5 W/(m.K), 4.6 W/(m.K), 4.7 W/(m.K), 4.8 W/(m.K), 4.9 W/(m.K), 5 W/(m.K), 5.1 W/(m.K), 5.2 W/(m.K), 5.3 W/(m.K), 5.4 W/(m.K), 5.5 W/(m.K), 5.6 W/(m.K), 5.7 W/(m.K), 5.8 W/(m.K), 5.9 W/(m.K), 6 W/(m.K), 6.1 W/(m.K), 6.2 W/(m.K), 6.3 W/(m.K), 6.4 W/(m.K), 6.5 W/(m.K), 6.6 W/(m.K), 6.7 W/(m.K), 6.8 W/(m.K), 6.9 W/(m.K), 7 W/(m.K), 7.1 W/(m.K), 7.2 W/(m.K), 7.3 W/(m.K), 7.4 W/(m.K), 7.5 W/(m.K), 7.6 W/(m.K), 7.7 W/(m.K), 7.8 W/(m.K), 7.9 W/(m.K), 8 W/(m.K), 8.1 W/(m.K), 8.2 W/(m.K), 8.3 W/(m.K), 8.4 W/(m.K), 8.5 W/(m.K), 8.6 W/(m.K), 8.7 W/(m.K), 8.8 W/(m.K), 8.9 W/(m.K), 9 W/(m.K), 9.1 W/(m.K), 9.2 W/(m.K), 9.3 W/(m.K), 9.4 W/(m.K), 9.5 W/(m.K), 9.6 W/(m.K), 9.7 W/(m.K), 9.8 W/(m.K), 9.9 W/(m.K), 10 W/(m.K), 10.1 W/(m.K), 10.2 W/(m.K), 10.3 W/(m.K), 10.4W/(m.K), 10.5 W/(m.K), 10.6 W/(m.K), 10.7 W/(m.K), 10.8 W/(m.K), 10.9 W/(m.K), 11W/(m.K), 11.1 W/(m.K), 11.2 W/(m.K), 11.3 W/(m.K), 11.4 W/(m.K), 11.5 W/(m.K), 11.6 W/(m.K), 11.7 W/(m.K), 11.8 W/(m.K), 11.9 W/(m.K), 12 W/(m.K), 12.1 W/(m.K), 12.2W/(m.K), 12.3 W/(m.K), 12.4 W/(m.K), 12.5 W/(m.K), 12.6 W/(m.K), 12.7 W/(m.K), 12.8W/(m.K), 12.9 W/(m.K), 13 W/(m.K), 13.1 W/(m.K), 13.2 W/(m.K), 13.3 W/(m.K), 13.4W/(m.K), 13.5 W/(m.K), 13.6 W/(m.K), 13.7 W/(m.K), 13.8 W/(m.K), 13.9 W/(m.K), 14 W/(m.K), 14.1 W/(m.K), 14.2 W/(m.K), 14.3 W/(m.K), 14.4 W/(m.K), 14.5 W/(m.K), 14.6W/(m.K), 14.7 W/(m.K), 14.8 W/(m.K), 14.9 W/(m.K), 15 W/(m.K), 15.1 W/(m.K), 15.2W/(m.K), 15.3 W/(m.K), 15.4 W/(m.K), 15.5 W/(m.K), 15.6 W/(m.K), 15.7 W/(m.K), 15.8W/(m.K), 15.9 W/(m.K), 16 W/(m.K), 16.1 W/(m.K), 16.2 W/(m.K), 16.3 W/(m.K), 16.4 W/(m.K), 16.5 W/(m.K), 16.6 W/(m.K), 16.7 W/(m.K), 16.8 W/(m.K), 16.9 W/(m.K), 17W/(m.K), 17.1 W/(m.K), 17.2 W/(m.K), 17.3 W/(m.K), 17.4 W/(m.K), 17.5 W/(m.K), 17.6W/(m.K), 17.7 W/(m.K), 17.8 W/(m.K), 17.9 W/(m.K), 18 W/(m.K), 18.1 W/(m.K), 18.2W/(m.K), 18.3 W/(m.K), 18.4 W/(m.K), 18.5 W/(m.K), 18.6 W/(m.K), 18.7 W/(m.K), 18.8 W/(m.K), 18.9 W/(m.K), 19 W/(m.K), 19.1 W/(m.K), 19.2 W/(m.K), 19.3 W/(m.K), 19.4W/(m.K), 19.5 W/(m.K), 19.6 W/(m.K), 19.7 W/(m.K), 19.8 W/(m.K), 19.9 W/(m.K), 20W/(m.K), 20.1 W/(m.K), 20.2 W/(m.K), 20.3 W/(m.K), 20.4 W/(m.K), 20.5 W/(m.K), 20.6 W/(m.K), 20.7 W/(m.K), 20.8 W/(m.K), 20.9 W/(m.K), 21 W/(m.K), 21.1 W/(m.K), 21.2W/(m.K), 21.3 W/(m.K), 21.4 W/(m.K), 21.5 W/(m.K), 21.6 W/(m.K), 21.7 W/(m.K), 21.8W/(m.K), 21.9 W/(m.K), 22 W/(m.K), 22.1 W/(m.K), 22.2 W/(m.K), 22.3 W/(m.K), 22.4 W/(m.K), 22.5 W/(m.K), 22.6 W/(m.K), 22.7 W/(m.K), 22.8 W/(m.K), 22.9 W/(m.K), 23 W/(m.K), 23.1 W/(m.K), 23.2 W/(m.K), 23.3 W/(m.K), 23.4 W/(m.K), 23.5 W/(m.K), 23.6 W/(m.K), 23.7 W/(m.K), 23.8 W/(m.K), 23.9 W/(m.K), 24 W/(m.K), 24.1 W/(m.K), 24.2 W/(m.K), 24.3 W/(m.K), 24.4 W/(m.K), 24.5 W/(m.K), 24.6 W/(m.K), 24.7 W/(m.K), 24.8W/(m.K), 24.9 W/(m.K), 25 W/(m.K), 30 W/(m.K), 40 W/(m.K), 50 W/(m.K), 60 W/(m.K), 70 W/(m.K), 80 W/(m.K), 90 W/(m.K), 100 W/(m.K), 110 W/(m.K), 120 W/(m.K), 130 W/(m.K), 140 W/(m.K), 150 W/(m.K), 160 W/(m.K), 170 W/(m.K), 180 W/(m.K), 190 W/(m.K), 200 W/(m.K), 210 W/(m.K), 220 W/(m.K), 230 W/(m.K), 240 W/(m.K), 250 W/(m.K), 260W/(m.K), 270 W/(m.K), 280 W/(m.K), 290 W/(m.K), 300 W/(m.K), 310 W/(m.K), 320W/(m.K), 330 W/(m.K), 340 W/(m.K), 350 W/(m.K), 360 W/(m.K), 370 W/(m.K), 380W/(m.K), 390 W/(m.K), 400 W/(m.K), 410 W/(m.K), 420 W/(m.K), 430 W/(m.K), 440 W/(m.K), o 450 W/(m.K).
De acuerdo con un modo de realización, el sustrato comprende GaN, GaSb, GaAs, GaAsP, GaP, InP, SiGe, InGaN, GaAIN, GaAlPN, AlN, AlGaAs, AlGaP, AlGaInP, AlGaN, AlGaInN, ZnSe, Si, SiC, diamante, nitruro de boro.
De acuerdo con un modo de realización, el sustrato comprende Au, Ag, Pt, Ru, Ni, Co, Cr, Cu, Sn, Rh Pd, Mn, Ti o una mezcla de ellos.
De acuerdo con un modo de realización, el sustrato comprende óxido de silicio, óxido de aluminio, óxido de titanio, óxido de cobre, óxido de hierro, óxido de plata, óxido de plomo, óxido de calcio, óxido de magnesio, óxido de zinc, óxido de estaño, óxido de berilio, óxido de circonio, óxido de niobio, óxido de cerio, óxido de iridio, óxido de escandio, óxido de níquel, óxido de sodio, óxido de bario, óxido de potasio, óxido de vanadio, óxido de telurio, óxido de manganeso, óxido de boro, óxido de fósforo, óxido de germanio, óxido de osmio, óxido de renio, óxido de platino, óxido de arsénico, óxido de tantalio, óxido de litio, óxido de estroncio, óxido de itrio, óxido de hafnio, óxido de tungsteno, óxido de molibdeno, óxido de cromo, óxido de tecnecio, óxido de rodio, óxido de rutenio, óxido de cobalto, óxido de paladio, óxido de cadmio, óxido de mercurio, óxido de talio, óxido de galio, óxido de indio, óxido de bismuto, óxido de antimonio, óxido de polonio, óxido de selenio, óxido de cesio, óxido de lantano, óxido de praseodimio, óxido de neodimio, óxido de samario, óxido de europio, óxido de terbio, óxido de disprosio, óxido de erbio, óxido de holmio, óxido de tulio, óxido de iterbio, óxido de lutecio, óxido de gadolinio, óxidos mixtos, óxidos mixtos de los mismos o una mezcla de ellos.
Otro objetivo de la invención se refiere a un dispositivo optoelectrónico que comprende un LED y al menos una partícula compuesta 1 y/o al menos un material emisor de luz 7 como se ha descrito anteriormente.
De acuerdo con un modo de realización, el dispositivo optoelectrónico es un dispositivo de visualización, un diodo, un diodo emisor de luz (LED), un láser, un fotodetector, un transistor, un supercondensador, un código de barras, un LED, un microLED, una matriz de LED, una matriz de microLED, o una cámara IR.
El LED utilizado aquí incluye el LED, el chip de LED 5 y el LED 6 de tamaño microscópico.
De acuerdo con un modo de realización, el dispositivo optoelectrónico comprende al menos un LED y al menos una partícula compuesta 1 y/o al menos un material emisor de luz 7 como se ha descrito anteriormente.
De acuerdo con un modo de realización, un LED comprende al menos 1, 2, 3, 4, 5, 10, 20, 30, 40, 50, 60, 70, 80, 90, 100, 500, 1000, 5000, 10000, 50000, 100000, 150000, 200000, 250000, 300000, 350000, 400000, 450000, 500000, 550000, 600000, 650000, 750000, 800000, 850000, 900000, 950000, 106, 107, 108, 109, 1010, 1011, o 1012 píxeles.
De acuerdo con un modo de realización, un píxel comprende al menos un LED.
De acuerdo con un modo de realización, un píxel comprende al menos 1, 2, 3, 4, 5, 10, 20, 30, 40, 50, 60, 70, 80, 90, 100, 500, 1000, 5000, 10000, 50000, 100000, 150000, 200000, 250000, 300000, 350000, 400000, 450000, 500000, 550000, 600000, 650000, 750000, 800000, 850000, 900000, 950000, 106, 107, 108, 109, 1010, 1011, o 1012 LED.
De acuerdo con un modo de realización, al menos una partícula compuesta 1 o al menos un material emisor de luz 7 está sobre un chip LED 5 o un LED 6 de tamaño microscópico.
De acuerdo con un modo de realización, al menos una partícula de material compuesto 1 o al menos un material emisor de luz 7 está encima de al menos un LED de una matriz de LEDs o de una matriz de LEDs 6 de tamaño microscópico.
De acuerdo con un modo de realización, al menos una partícula de material compuesto 1 o al menos un material emisor de luz 7 se deposita y modela sobre al menos un LED de una matriz de LEDs o una matriz de LEDs 6 de tamaño microscópico.
De acuerdo con un modo de realización, al menos una partícula de material compuesto 1 o al menos un material emisor de luz 7 se deposita y modela sobre un LED, al menos un LED de una matriz de LED, un LED 6 de tamaño microscópico o al menos un LED de una matriz de LED 6 de tamaño microscópico utilizando una técnica de despegue, litografía o un grabado directo de al menos una partícula de material compuesto 1 o al menos un material emisor de luz 7.
En un modo de realización, como se ilustra en la Fig. 7A, al menos una partícula de material compuesto 1 cubre el chip LED 5.
En un modo de realización, como se ilustra en la Fig. 7B, al menos una partícula de material compuesto 1 cubre y rodea parcial o totalmente el chip LED 5.
En un modo de realización, al menos un material emisor de luz 7 descrito anteriormente cubre el chip LED 5.
En un modo de realización, al menos un material emisor de luz 7 descrito anteriormente cubre y rodea parcial o totalmente el chip LED 5.
En un modo de realización, como se ilustra en la Fig. 9A, al menos una partícula compuesta 1 o al menos un material emisor de luz 7 cubre un píxel de una matriz de LED 6 de tamaño microscópico sin que se superponga entre los píxeles de dicha matriz de LED 6 de tamaño microscópico.
En un modo de realización, al menos una partícula compuesta 1 o al menos un material emisor de luz 7 cubre parcialmente un píxel de una matriz de LED 6 de tamaño microscópico sin que se superponga entre los píxeles de dicha matriz de LED 6 de tamaño microscópico.
En un modo de realización, como se ilustra en la Fig. 9B, al menos una partícula compuesta 1 o al menos un material emisor de luz 7 cubre y rodea parcial o totalmente un píxel de una matriz de LED 6 de tamaño microscópico sin que se superponga entre los píxeles de dicha matriz de LED 6 de tamaño microscópico.
En un modo de realización, al menos una partícula compuesta 1 o al menos un material emisor de luz 7 cubre una matriz de LED 6 de tamaño microscópico sin que se superponga entre los píxeles de dicha matriz de LED 6 de tamaño microscópico.
En un modo de realización, al menos una partícula compuesta 1 o al menos un material emisor de luz 7 cubre parcialmente una matriz de LED 6 de tamaño microscópico sin que se superponga entre los píxeles de dicha matriz de LED 6 de tamaño microscópico.
En un modo de realización, al menos una partícula compuesta 1 o al menos un material emisor de luz 7 cubre y rodea parcial o totalmente una matriz de LED 6 de tamaño microscópico sin que se superponga entre los píxeles de dicha matriz de LED 6 de tamaño microscópico.
En un modo de realización, una población de partículas compuestas 1 se deposita en una matriz de LED 6 de tamaño microscópico. En una realización, una población de partículas compuestas 1 está definida por la longitud de onda de emisión máxima.
En un modo de realización, al menos una población de partículas compuestas 1 se deposita en un píxel de una matriz de LEDs 6 de tamaño microscópico.
En un modo de realización, las partículas compuestas 1 y/o el material emisor de luz 7 aquí descrito se deposita sobre un píxel, un LED de tamaño microscópico, un LED o una matriz de LEDs mediante fundición por goteo, revestimiento por rotación, revestimiento por inmersión, impresión por chorro de tinta, litografía, pulverización, chapado, galvanoplastia o cualquier otro medio conocido por el experto en la materia.
En un modo de realización, dos poblaciones de partículas compuestas 1 que emiten diferentes colores o longitudes de onda se depositan en una matriz de LEDs 6 de tamaño microscópico.
En un modo de realización, dos poblaciones de partículas compuestas 1 que emiten luz verde y luz roja tras la conversión descendente de una fuente de luz azul se depositan en una matriz de LED 6 de tamaño microscópico.
En un modo de realización, las dos poblaciones de partículas compuestas 1 comprenden una primera población con una longitud de onda de emisión máxima entre 500 nm y 560 nm, más preferentemente entre 515 nm y 545 nm, y una segunda población con una longitud de onda máxima de emisión entre 600 nm y 2500 nm, más preferentemente entre 610 nm y 650 nm.
En un modo de realización, un material emisor de luz 7 como se ha descrito anteriormente que comprende una población de partículas compuestas 1 se deposita en una matriz de LEDs 6 de tamaño microscópico.
En un modo de realización, un material emisor de luz 7 como se ha descrito anteriormente que comprende al menos una población de partículas compuestas 1 se deposita en una matriz de LED 6 de tamaño microscópico.
En un modo de realización, un material emisor de luz 7 como se ha descrito anteriormente que comprende dos poblaciones de partículas compuestas 1 que emiten diferentes colores o longitudes de onda se deposita en una matriz de LED 6 de tamaño microscópico.
En un modo de realización, el material emisor de luz 7 comprende dos poblaciones de partículas compuestas 1, una primera población con una longitud de onda de emisión máxima entre 500 nm y 560 nm, más preferentemente entre 515 nm y 545 nm y una segunda población con una longitud de onda de emisión máxima entre 600 nm y 2500 nm, más preferentemente entre 610 nm y 650 nm.
En un modo de realización, dos materiales emisores de luz 7 como los descritos anteriormente, cada uno de los cuales comprende una población de partículas compuestas 1 que emiten diferentes colores o longitudes de onda, se depositan en una matriz de LED 6 de tamaño microscópico.
En un modo de realización, los dos materiales emisores de luz 7 comprenden cada uno una población de partículas compuestas 1, una primera población con una longitud de onda de emisión máxima entre 500 nm y 560 nm, más preferentemente entre 515 nm y 545 nm y una segunda población con una longitud de onda de emisión máxima entre 600 nm y 2500 nm, más preferentemente entre 610 nm y 650 nm.
En un modo de realización, el chip LED 5 o el LED 6 de tamaño microscópico es un LED azul con una longitud de onda que oscila entre 400 nm y 470 nm, como por ejemplo un diodo basado en nitruro de galio.
En un modo de realización, el chip LED 5 o el LED 6 de tamaño microscópico es un LED azul con una longitud de onda que oscila entre 400 nm y 470 nm. En un modo de realización, el chip LED 5 o el LED 6 de tamaño microscópico tiene un pico de emisión a unos 405 nm. En un modo de realización, el chip LED 5 o el LED 6 de tamaño microscópico tiene un pico de emisión a unos 447 nm. En un modo de realización, el chip LED 5 o el LED 6 de tamaño microscópico tiene un pico de emisión a unos 455 nm.
En un modo de realización, el chip LED 5 o el LED 6 de tamaño microscópico es un LED UV con una longitud de onda que va de 200 nm a 400 nm. En un modo de realización, el chip LED 5 o el LED 6 de tamaño microscópico tiene un pico de emisión a unos 253 nm. En un modo de realización, el chip LED 5 o el LED 6 de tamaño microscópico tiene un pico de emisión a unos 365 nm. En un modo de realización, el chip LED 5 o el LED 6 de tamaño microscópico tiene un pico de emisión a unos 395 nm.
En un modo de realización, el chip LED 5 o el LED 6 de tamaño microscópico es un LED verde con una longitud de onda que va de 500 nm a 560 nm. En un modo de realización, el chip LED 5 o el LED 6 de tamaño microscópico tiene un pico de emisión a unos 515 nm. En un modo de realización, el chip LED 5 o el LED 6 de tamaño microscópico tiene un pico de emisión a unos 525 nm. En un modo de realización, el chip LED 5 o el LED 6 de tamaño microscópico tiene un pico de emisión a unos 540 nm.
En un modo de realización, el chip LED 5 o el LED 6 de tamaño microscópico es un LED rojo con una longitud de onda que va de 750 a 850 nm. En un modo de realización, el chip LED 5 o el LED 6 de tamaño microscópico tiene un pico de emisión a unos 755 nm. En un modo de realización, el chip LED 5 o el LED 6 de tamaño microscópico tiene un pico de emisión a unos 800 nm. En un modo de realización, el chip LED 5 o el LED 6 de tamaño microscópico tiene un pico de emisión a unos 850 nm.
En un modo de realización, el chip LED 5 o el LED 6 de tamaño microscópico tiene un flujo de fotones o una potencia de pulso de pico promedio entre 1 pW.cm-2 y 1 kW.cm-2 y más preferentemente entre 1 mW.cm-2 y 100 W.cm-2, y aún más preferentemente entre 1 mW.cm-2 y 30 W.cm-2.
En un modo de realización, el chip LED 5 o el LED 6 de tamaño microscópico tiene un flujo de fotones o una potencia de pulso de pico media de al menos 1 pW.cm-2, 10 pW.cm-2, 100 pW.cm-2, 500 pW.cm-2, 1 mW.cm-2, 10 mW.cm-2, 100 mW.cm-2, 500 mW.cm-2, 1 W.cm-2, 10 W.cm-2, 100 W.cm-2, 500 W.cm-2, o 1 kW.cm-2.
En un modo de realización, el chip LED 5 es un diodo de GaN, GaSb, GaAs, GaAsP, GaP, InP, SiGe, InGaN, GaAlN, GaAlPN, AlN, AlGaAs, AlGaP, AlGalnP, AlGaN, AlGalnN, ZnSe, Si, SiC, diamante, nitruro de boro.
En un modo de realización, el LED 6 de tamaño microscópico es un diodo de GaN, GaSb, GaAs, GaAsP, GaP, InP, SiGe, InGaN, GaAlN, GaAlPN, AlN, AlGaAs, AlGaP, AlGalnP, AlGaN, AlGalnN, ZnSe, Si, SiC, diamante, nitruro de boro.
En un modo de realización, una matriz de LED comprende una matriz de diodos GaN, diodos GaSb, diodos GaAs, diodos GaAsP, diodos GaP, diodos InP, diodos SiGe, diodos InGaN, diodos GaAlN, diodos GaAlPN, diodos AlN, diodos AlGaAs, diodos AlGaP, diodos AlGaInP, diodos AlGaN, diodos AlGaInN, diodos ZnSe, diodos Si, diodos SiC, diodos de diamante, diodos de nitruro de boro o una mezcla de éstos.
De acuerdo con un modo de realización, el dispositivo optoelectrónico comprende al menos una capa filtrante recortada. En este modo de realización, dicha capa es un filtro de corte global, un filtro de corte local o una mezcla de éstos. Este modo de realización es particularmente ventajoso ya que dicha capa de filtro de corte impide la excitación de las partículas de la invención comprendidas en la tinta por la luz ambiental. Un filtro de corte local bloquea sólo una parte particular del espectro óptico. Un filtro de corte local que bloquea sólo esta parte particular del espectro óptico puede, junto con un filtro de corte global, eliminar (o reducir significativamente) la excitación de las partículas de la invención por la luz ambiental.
De acuerdo con un modo de realización, el filtro de corte es una resina que puede filtrar la luz azul.
De acuerdo con un modo de realización, un píxel comprende al menos un LED 6 de tamaño microscópico.
De acuerdo con un modo de realización, al menos un píxel comprende un único LED 6 de tamaño microscópico.
De acuerdo con un modo de realización, al menos un píxel comprende un LED 6 de tamaño microscópico. En esta realización, el LED 6 de tamaño microscópico y el píxel están combinados.
De acuerdo con un modo de realización, como se ilustra en la Fig. 8, el paso del píxel D es de al menos 1 pm, 2 pm, 3 pm, 4 pm, 5 pm, 6 pm, 7 pm, 8 pm, 9 pm, 10 pm, 11 pm, 12 pm, 13 pm, 14 pm, 15 pm, 16 pm, 17 pm, 18 pm, 19 |jm, 20 |jm, 21 |jm, 22 |jm, 23 jim, 24 |jm, 25 jim, 26 jim, 27 |jm, 28 jim, 29 |jm, 30 jim, 31 jim, 32 |jm, 33 jim, 34 |jm, 35 jim, 36 jim, 37 jim, 38 jim, 39 jim, 40 jim, 41 jim, 42 jim, 43 jim, 44 jim, 45 jim, 46 jim, 47 jim, 48 jim, 49 jim, 50 jim, 51 jim, 52 jim, 53 jim, 54 jim, 55 jim, 56 jim, 57 jim, 58 jim, 59 jim, 60 jim, 61 jim, 62 jim, 63 jim, 64 jim, 65 jim, 66 jim, 67 jim, 68 jim, 69 jim, 70 jim, 71 jim, 72 jim, 73 jim, 74 jim, 75 jim, 76 jim, 77 jim, 78 jim, 79 jim, 80 jim, 81 jim, 82 jim, 83 jim, 84 jim, 85 jim, 86 jim, 87 jim, 88 jim, 89 jim, 90 jim, 91 jim, 92 jim, 93 jim, 94 jim, 95 jim, 96 jim, 97 jim, 98 jim, 99 jim, 100 jim, 200 jim, 250 jim, 300 jim, 350 jim, 400 jim, 450 jim, 500 jim, 550 jim, 600 jim, 650 jim, 700 jim, 750 jim, 800 jim, 850 jim, 900 jim, 950 jim, 1 mm, 1.1 mm, 1.2 mm, 1.3 mm, 1.4 mm, 1.5 mm, 1.6 mm, 1.7 mm, 1.8 mm, 1.9 mm, 2 mm, 2.1 mm, 2.2 mm, 2.3 mm, 2.4 mm, 2.5 mm, 2.6 mm, 2.7 mm, 2.8 mm, 2.9 mm, 3 mm, 3.1 mm, 3.2 mm, 3.3 mm, 3.4 mm, 3.5 mm, 3.6 mm, 3.7 mm, 3.8 mm, 3.9 mm, 4 mm, 4.1 mm, 4.2 mm, 4.3 mm, 4.4 mm, 4.5 mm, 4.6 mm, 4.7 mm, 4.8 mm, 4.9 mm, 5 mm, 5.1 mm, 5.2 mm, 5.3 mm, 5.4 mm, 5.5 mm, 5.6 mm, 5.7 mm, 5.8 mm, 5.9 mm, 6 mm, 6.1 mm, 6.2 mm, 6.3 mm, 6.4 mm, 6.5 mm, 6.6 mm, 6.7 mm, 6.8 mm, 6.9 mm, 7 mm, 7.1 mm, 7.2 mm, 7.3 mm, 7.4 mm, 7.5 mm, 7.6 mm, 7.7 mm, 7.8 mm, 7.9 mm, 8 mm, 8.1 mm, 8.2 mm, 8.3 mm, 8.4 mm, 8.5 mm, 8.6 mm, 8.7 mm, 8.8 mm, 8.9 mm, 9 mm, 9.1 mm, 9.2 mm, 9.3 mm, 9.4 mm, 9.5 mm, 9.6 mm, 9.7 mm, 9.8 mm, 9.9 mm, 1 cm, 1.1 cm, 1.2 cm, 1.3 cm, 1.4 cm, 1.5 cm, 1.6 cm, 1.7 cm, 1.8 cm, 1.9 cm, 2 cm, 2.1 cm, 2.2 cm, 2.3 cm, 2.4 cm, 2.5 cm, 2.6 cm, 2.7 cm, 2.8 cm, 2.9 cm, 3 cm, 3.1 cm, 3.2 cm, 3.3 cm, 3.4 cm, 3.5 cm, 3.6 cm, 3.7 cm, 3.8 cm, 3.9 cm, 4 cm, 4.1 cm, 4.2 cm, 4.3 cm, 4.4 cm, 4.5 cm, 4.6 cm, 4.7 cm, 4.8 cm, 4.9 cm, 5 cm, 5.1 cm, 5.2 cm, 5.3 cm, 5.4 cm, 5.5 cm, 5.6 cm, 5.7 cm, 5.8 cm, 5.9 cm, 6 cm, 6.1 cm, 6.2 cm, 6.3 cm, 6.4 cm, 6.5 cm, 6.6 cm, 6.7 cm, 6.8 cm, 6.9 cm, 7 cm, 7.1 cm, 7.2 cm, 7.3 cm, 7.4 cm, 7.5 cm, 7.6 cm, 7.7 cm, 7.8 cm, 7.9 cm, 8 cm, 8.1 cm, 8.2 cm, 8.3 cm, 8.4 cm, 8.5 cm, 8.6 cm, 8.7 cm, 8.8 cm, 8.9 cm, 9 cm, 9.1 cm, 9.2 cm, 9.3 cm, 9.4 cm, 9.5 cm, 9.6 cm, 9.7 cm, 9.8 cm, 9.9 cm, o 10 cm.
De acuerdo con un modo de realización, el paso de píxeles D es inferior a 10 jim.
De acuerdo con un modo de realización, el tamaño del píxel es al menos 1 jim, 2 jim, 3 jim, 4 jim, 5 jim, 6 jim, 7 jim, 8 jim, 9 jim, 10 jim, 11 jim, 12 jim, 13 jim, 14 jim, 15 jim, 16 jim, 17 jim, 18 jim, 19 jim, 20 jim, 21 jim, 22 jim, 23 jim, 24 jim, 25 jim, 26 jim, 27 jim, 28 jim, 29 jim, 30 jim, 31 jim, 32 jim, 33 jim, 34 jim, 35 jim, 36 jim, 37 jim, 38 jim, 39 jim, 40 jim, 41 jim, 42 jim, 43 jim, 44 jim, 45 jim, 46 jim, 47 jim, 48 jim, 49 jim, 50 jim, 51 jim, 52 jim, 53 jim, 54 jim, 55 jim, 56 jim, 57 jim, 58 jim, 59 jim, 60 jim, 61 jim, 62 jim, 63 jim, 64 jim, 65 jim, 66 jim, 67 jim, 68 jim, 69 jim, 70 jim, 71 jim, 72 jim, 73 jim, 74 jim, 75 jim, 76 jim, 77 jim, 78 jim, 79 jim, 80 jim, 81 jim, 82 jim, 83 jim, 84 jim, 85 jim, 86 jim, 87 jim, 88 jim, 89 jim, 90 jim, 91 jim, 92 jim, 93 jim, 94 jim, 95 jim, 96 jim, 97 jim, 98 jim, 99 jim, 100 jim, 200 jim, 250 jim, 300 jim, 350 jim, 400 jim, 450 jim, 500 jim, 550 jim, 600 jim, 650 jim, 700 jim, 750 jim, 800 jim, 850 jim, 900 jim, 950 jim, 1 mm, 1.1 mm, 1.2 mm, 1.3 mm, 1.4 mm, 1.5 mm, 1.6 mm, 1.7 mm, 1.8 mm, 1.9 mm, 2 mm, 2.1 mm, 2.2 mm, 2.3 mm, 2.4 mm, 2.5 mm, 2.6 mm, 2.7 mm, 2.8 mm, 2.9 mm, 3 mm, 3.1 mm, 3.2 mm, 3.3 mm, 3.4 mm, 3.5 mm, 3.6 mm, 3.7 mm, 3.8 mm, 3.9 mm, 4 mm, 4.1 mm, 4.2 mm, 4.3 mm, 4.4 mm, 4.5 mm, 4.6 mm, 4.7 mm, 4.8 mm, 4.9 mm, 5 mm, 5.1 mm, 5.2 mm, 5.3 mm, 5.4 mm, 5.5 mm, 5.6 mm, 5.7 mm, 5.8 mm, 5.9 mm, 6 mm, 6.1 mm, 6.2 mm, 6.3 mm, 6.4 mm, 6.5 mm, 6.6 mm, 6.7 mm, 6.8 mm, 6.9 mm, 7 mm, 7.1 mm, 7.2 mm, 7.3 mm, 7.4 mm, 7.5 mm, 7.6 mm, 7.7 mm, 7.8 mm, 7.9 mm, 8 mm, 8.1 mm, 8.2 mm, 8.3 mm, 8.4 mm, 8.5 mm, 8.6 mm, 8.7 mm, 8.8 mm, 8.9 mm, 9 mm, 9.1 mm, 9.2 mm, 9.3 mm, 9.4 mm, 9.5 mm, 9.6 mm, 9.7 mm, 9.8 mm, 9.9 mm, 1 cm, 1.1 cm, 1.2 cm, 1.3 cm, 1.4 cm, 1.5 cm, 1.6 cm, 1.7 cm, 1.8 cm, 1.9 cm, 2 cm, 2.1 cm, 2.2 cm, 2.3 cm, 2.4 cm, 2.5 cm, 2.6 cm, 2.7 cm, 2.8 cm, 2.9 cm, 3 cm, 3.1 cm, 3.2 cm, 3.3 cm, 3.4 cm, 3.5 cm, 3.6 cm, 3.7 cm, 3.8 cm, 3.9 cm, 4 cm, 4.1 cm, 4.2 cm, 4.3 cm, 4.4 cm, 4.5 cm, 4.6 cm, 4.7 cm, 4.8 cm, 4.9 cm, 5 cm, 5.1 cm, 5.2 cm, 5.3 cm, 5.4 cm, 5.5 cm, 5.6 cm, 5.7 cm, 5.8 cm, 5.9 cm, 6 cm, 6.1 cm, 6.2 cm, 6.3 cm, 6.4 cm, 6.5 cm, 6.6 cm, 6.7 cm, 6.8 cm, 6.9 cm, 7 cm, 7.1 cm, 7.2 cm, 7.3 cm, 7.4 cm, 7.5 cm, 7.6 cm, 7.7 cm, 7.8 cm, 7.9 cm, 8 cm, 8.1 cm, 8.2 cm, 8.3 cm, 8.4 cm, 8.5 cm, 8.6 cm, 8.7 cm, 8.8 cm, 8.9 cm, 9 cm, 9.1 cm, 9.2 cm, 9.3 cm, 9.4 cm, 9.5 cm, 9.6 cm, 9.7 cm, 9.8 cm, 9.9 cm, o 10 cm.
De acuerdo con un modo de realización, el dispositivo optoelectrónico comprende LEDs, microLEDs, al menos una matriz de LEDs o al menos una matriz de microLEDs, sobre los que se deposita al menos una partícula compuesta 1 y/o al menos un material emisor de luz 7. De acuerdo con un modo de realización, la partícula compuesta 1 emisora de rojo y/o el material emisor de luz 7, y la partícula compuesta 1 emisora de verde y/o el material emisor de luz 7 se depositan alternativamente sobre LEDs, microLEDs, al menos una matriz de LEDs o al menos una matriz de microLEDs, preferentemente LEDs azules, microLEDs, al menos una matriz de LEDs o al menos una matriz de microLEDs creando así una alternancia de píxeles emisores de rojo-verde. De acuerdo con un modo de realización, la partícula compuesta 1 emisora de rojo y/o el material emisor de luz 7, la partícula compuesta 1 emisora de verde y/o el material emisor de luz 7, ninguna partícula compuesta 1 y/o el material emisor de luz 7 se depositan alternativamente en LEDs, microLEDs, al menos una matriz de LED o al menos una matriz de microLED, preferentemente LEDs azules, microLEDs, al menos una matriz de LED o al menos una matriz de microLED, creando así una alternancia de píxeles emisores de azul-rojo-verde.
De acuerdo con un modo de realización, la partícula compuesta 1 y/o el material emisor de luz 7 depositado sobre los LEDs, microLEDs, al menos una matriz de LED o al menos una matriz de microLED se cubre con una capa auxiliar como la descrita en el presente documento, preferiblemente una resina absorbente de azul, de manera que sólo se pueda emitir luz secundaria roja y verde.
De acuerdo con un modo de realización, el dispositivo optoelectrónico comprende al menos una película de partículas compuestas 1 y/o al menos un material emisor de luz 7 depositado sobre al menos una matriz de LED, al menos una matriz de microLED, o un píxel.
De acuerdo con un modo de realización, después de la deposición, al menos una partícula de material compuesto 1 o al menos un material emisor de luz 7 se recubre con una capa auxiliar como se ha descrito anteriormente. En este modo de realización, la capa auxiliar limita o impide la degradación de las propiedades químicas y físicas de al menos una partícula compuesta 1 o de al menos un material emisor de luz 7 a causa del oxígeno molecular, el ozono, el agua y/o las altas temperaturas.
De acuerdo con un modo de realización, después de la deposición, al menos una partícula de material compuesto 1 o al menos un material emisor de luz 7 se recubre con una capa protectora como la descrita anteriormente. En este modo de realización, la capa protectora limita o impide la degradación de las propiedades químicas y físicas de al menos una partícula de material compuesto 1o de al menos un material emisor de luz 7 a causa del oxígeno molecular, el ozono, el agua y/o las altas temperaturas.
En un modo de realización, al menos una partícula de material compuesto 1 o al menos un material emisor de luz 7 presenta una disminución del rendimiento cuántico de fotoluminiscencia (PLQY) inferior al 90%, 80%, 70%, 60%, 50%, 40%, 30%, 25%, 20%, 15%, 10%, 5% o 0% después de al menos 300, 400, 500, 600, 700, 800, 900, 1000, 2000, 3000, 4000, 5000, 6000, 7000, 8000, 9000, 10000, 11000, 12000, 13000, 14000, 15000, 16000, 17000, 18000, 19000, 20000, 21000, 22000, 23000, 24000, 25000, 26000, 27000, 28000, 29000, 30000, 31000, 32000, 33000, 34000, 35000, 36000, 37000, 38000, 39000, 40000, 41000, 42000, 43000, 44000, 45000, 46000, 47000, 48000, 49000, o 50000 horas bajo iluminación.
De acuerdo con un modo de realización, la iluminación de luz es proporcionada por una fuente de luz azul, verde, roja 0 ultravioleta, como un láser, un diodo, una lámpara fluorescente o una lámpara de arco de xenón. De acuerdo con un modo de realización, el flujo de fotones o la potencia de pulso media de la iluminación está comprendida entre 1 mW.cm-2 y 100 kW.cm-2 y más preferentemente entre 10 mW.cm-2 y 100 W.cm-2, y aún más preferentemente entre 10 mW.cm-2 y 30 W.cm-2.
De acuerdo con un modo de realización, el flujo de fotones o la potencia de pulso media de la iluminación es al menos 1 mW.cm-2, 50 mW.cm-2, 100 mW.cm-2, 500 mW.cm-2, 1 W.cm-2, 5 W.cm-2, 10 W.cm-2, 20 W.cm-2, 30 W.cm-2, 40 W.cm-2, 50 W.cm-2, 60 W.cm-2, 70 W.cm-2, 80 W.cm-2, 90 W.cm-2, 100 W.cm-2, 110 W.cm-2, 120 W.cm-2, 130 W.cm-2, 140 W.cm-2, 150 W.cm-2, 160 W.cm-2, 170 W.cm-2, 180 W.cm-2, 190 W.cm-2, 200 W.cm-2, 300 W.cm-2, 400 W.cm-2, 500 W.cm-2, 600 W.cm-2, 700 W.cm-2, 800 W.cm-2, 900 W.cm-2, 1 kW.cm-2, 50 kW.cm-2, o 100 kW.cm-2.
En un modo de realización, al menos una partícula compuesta 1 o el al menos un material emisor de luz 7 presenta una disminución del rendimiento cuántico de fotoluminiscencia (PQLY) inferior al 90%, 80%, 70%, 60%, 50%, 40%, 30%, 25%, 20%, 15%, 10%, 5% o 0% después de al menos 300, 400, 500, 600, 700, 800, 900, 1000, 2000, 3000, 4000, 5000, 6000, 7000, 8000, 9000, 10000, 11000, 12000, 13000, 14000, 15000, 16000, 17000, 18000, 19000, 20000, 21000, 22000, 23000, 24000, 25000, 26000, 27000, 28000, 29000, 30000, 31000, 32000, 33000, 34000, 35000, 36000, 37000, 38000, 39000, 40000, 41000, 42000, 43000, 44000, 45000, 46000, 47000, 48000, 49000, o 50000 horas bajo una iluminación de luz con un flujo de fotones o una potencia de pulso pico promedio de al menos 1 mW.cm-2, 50 mW.cm-2, 100 mW.cm-2, 500 mW.cm-2, 1 W.cm-2, 5 W.cm-2, 10 W.cm-2, 20 W.cm-2, 30 W.cm-2, 40 W.cm-2, 50 W.cm-2, 60 W.cm-2, 70 W.cm-2, 80 W.cm-2, 90 W.cm-2, 100 W.cm-2, 110 W.cm-2, 120 W.cm-2, 130 W.cm-2, 140 W.cm-2, 150 W.cm-2, 160 W.cm-2, 170 W.cm-2, 180 W.cm-2, 190 W.cm-2, 200 W.cm-2, 300 W.cm-2, 400 W.cm-2, 500 W.cm-2, 600 W.cm-2, 700 W.cm-2, 800 W.cm-2, 900 W.cm-2, 1 kW.cm-2, 50 kW.cm-2, o 100 kW.cm-2.
En un modo de realización, el dispositivo optoelectrónico presenta una disminución de la intensidad en al menos un pico de emisión de menos del 90%, 80%, 70%, 60%, 50%, 40%, 30%, 25%, 20%, 15%, 10%, 5% o 0% después de al menos 300, 400, 500, 600, 700, 800, 900, 1000, 2000, 3000, 4000, 5000, 6000, 7000, 8000, 9000, 10000, 11000, 12000, 13000, 14000, 15000, 16000, 17000, 18000, 19000, 20000, 21000, 22000, 23000, 24000, 25000, 26000, 27000, 28000, 29000, 30000, 31000, 32000, 33000, 34000, 35000, 36000, 37000, 38000, 39000, 40000, 41000, 42000, 43000, 44000, 45000, 46000, 47000, 48000, 49000, o 50000 horas bajo luz.
En un modo de realización, el dispositivo optoelectrónico presenta una disminución de la intensidad en al menos un pico de emisión de menos del 90%, 80%, 70%, 60%, 50%, 40%, 30%, 25%, 20%, 15%, 10%, 5% o 0% después de al menos 300, 400, 500, 600, 700, 800, 900, 1000, 2000, 3000, 4000, 5000, 6000, 7000, 8000, 9000, 10000, 11000, 12000, 13000, 14000, 15000, 16000, 17000, 18000, 19000, 20000, 21000, 22000, 23000, 24000, 25000, 26000, 27000, 28000, 29000, 30000, 31000, 32000, 33000, 34000, 35000, 36000, 37000, 38000, 39000, 40000, 41000, 42000, 43000, 44000, 45000, 46000, 47000, 48000, 49000, o 50000 horas bajo iluminación luminosa con un flujo de fotones o una potencia de pulso media de pico de al menos 1 mW.cm-2, 50 mW.cm-2, 100 mW.cm-2, 500 mW.cm-2, 1 W.cm-2, 5 W.cm-2, 10 W.cm-2, 20 W.cm-2, 30 W.cm-2, 40 W.cm-2, 50 W.cm-2, 60 W.cm-2, 70 W.cm-2, 80 W.cm-2, 90 W.cm-2, 100 W.cm-2, 110 W.cm-2, 120 W.cm-2, 130 W.cm-2, 140 W.cm-2, 150 W.cm-2, 160 W.cm-2, 170 W.cm-2, 180 W.cm-2, 190 W.cm-2, 200 W.cm-2, 300 W.cm-2, 400 W.cm-2, 500 W.cm-2, 600 W.cm-2, 700 W.cm-2, 800 W.cm-2, 900 W.cm-2, 1 kW.cm-2, 50 kW.cm-2, o 100 kW.cm-2.
En un modo de realización, el dispositivo optoelectrónico presenta una disminución de la intensidad en al menos un pico de emisión de menos del 90%, 80%, 70%, 60%, 50%, 40%, 30%, 25%, 20%, 15%, 10%, 5% o 0% después de al menos 300, 400, 500, 600, 700, 800, 900, 1000, 2000, 3000, 4000, 5000, 6000, 7000, 8000, 9000, 10000, 11000, 12000, 13000, 14000, 15000, 16000, 17000, 18000, 19000, 20000, 21000, 22000, 23000, 24000, 25000, 26000, 27000, 28000, 29000, 30000, 31000, 32000, 33000, 34000, 35000, 36000, 37000, 38000, 39000, 40000, 41000, 42000, 43000, 44000, 45000, 46000, 47000, 48000, 49000, o 50000 horas bajo una temperatura de al menos 0°C, 10°C, 20°C, 30°C, 40°C, 50°C, 60°C, 70°C, 80°C, 90°C, 100°C, 125°C, 150°C, 175°C, 200°C, 225°C, 250°C, 275°C, o 300°C.
En un modo de realización, el dispositivo optoelectrónico presenta una disminución de la intensidad en al menos un pico de emisión de menos del 90%, 80%, 70%, 60%, 50%, 40%, 30%, 25%, 20%, 15%, 10%, 5% o 0% después de al menos 300, 400, 500, 600, 700, 800, 900, 1000, 2000, 3000, 4000, 5000, 6000, 7000, 8000, 9000, 10000, 11000, 12000, 13000, 14000, 15000, 16000, 17000, 18000, 19000, 20000, 21000, 22000, 23000, 24000, 25000, 26000, 27000, 28000, 29000, 30000, 31000, 32000, 33000, 34000, 35000, 36000, 37000, 38000, 39000, 40000, 41000, 42000, 43000, 44000, 45000, 46000, 47000, 48000, 49000, o 50000 horas bajo una humedad de al menos 0%, 10%, 20%, 30%, 40%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 75%, 80%, 85%, 90%, 95%, o 100%.
En un modo de realización, el dispositivo optoelectrónico presenta una disminución de la intensidad en al menos un pico de emisión inferior al 90%, 80%, 70%, 60%, 50%, 40%, 30%, 25%, 20%, 15%, 10%, 5% o 0% bajo una temperatura de al menos 0°C, 10°C, 20°C, 30°C, 40°C, 50°C, 60°C, 70°C, 80°C, 90°C, 100°C, 125°C, 150°C, 175°C, 200°C, 225°C, 250°C, 275°C, o 300°C, bajo una iluminación de luz con un flujo de fotones o una potencia de pulso pico media de al menos 1 mW.cm-2, 50 mW.cm-2, 100 mW.cm-2, 500 mW.cm-2, 1 W.cm-2, 5 W.cm-2, 10 W.cm-2, 20 W.cm-2, 30 W.cm-2, 40 W.cm-2, 50 W.cm-2, 60 W.cm-2, 70 W.cm-2, 80 W.cm-2, 90 W.cm-2, 100 W.cm-2, 110 W.cm-2, 120 W.cm-2, 130 W.cm-2, 140 W.cm-2, 150 W.cm-2, 160 W.cm-2, 170 W.cm-2, 180 W.cm-2, 190 W.cm-2, 200 W.cm-2,
300 W.cm-2, 400 W.cm-2, 500 W.cm-2, 600 W.cm-2, 700 W.cm-2, 800 W.cm-2, 900 W.cm-2, 1 kW.cm-2, 50 kW.cm-2, o
100 kW.cm-2.
En un modo de realización, el dispositivo optoelectrónico presenta una disminución de la intensidad en al menos un pico de emisión inferior al 90%, 80%, 70%, 60%, 50%, 40%, 30%, 25%, 20%, 15%, 10%, 5% o 0% bajo una humedad de al menos 0%, 10%, 20%, 30%, 40%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 75%, 80%, 85%, 90%, 95% o 100%, bajo una iluminación de luz con un flujo de fotones o una potencia de pulso media de al menos 1 mW.cm-2, 50 mW.cm-2, 100 mW.cm-2, 500 mW.cm-2, 1 W.cm-2, 5 W.cm-2, 10 W.cm-2, 20 W.cm-2, 30 W.cm-2, 40 W.cm-2, 50 W.cm-2, 60 W.cm-2, 70 W.cm-2, 80 W.cm-2, 90 W.cm-2, 100 W.cm-2, 110 W.cm-2, 120 W.cm-2, 130 W.cm-2, 140 W.cm-2, 150 W.cm-2, 160W.cm-2, 170 W.cm-2, 180 W.cm-2, 190 W.cm-2, 200 W.cm-2, 300 W.cm-2, 400 W.cm-2, 500 W.cm-2, 600 W.cm-2, 700 W.cm-2,
800 W.cm-2, 900 W.cm-2, 1 kW.cm-2, 50 kW.cm-2, o 100 kW.cm-2.
En un modo de realización, el dispositivo optoelectrónico presenta una disminución de la intensidad en al menos un pico de emisión de menos del 90%, 80%, 70%, 60%, 50%, 40%, 30%, 25%, 20%, 15%, 10%, 5%, o 0% bajo una humedad de al menos 0%, 10%, 20%, 30%, 40%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 75%, 80%, 85%, 90%, 95% o 100%, bajo una temperatura de al menos 0°C, 10°C, 20°C, 30°C, 40°C, 50°C, 60°C, 70°C, 80°C, 90°C, 100°C, 125°C, 150°C, 175°C, 200°C, 225°C, 250°C, 275°C o 300°C.
En un modo de realización, el dispositivo optoelectrónico presenta una disminución de la intensidad en al menos un pico de emisión de menos del 90%, 80%, 70%, 60%, 50%, 40%, 30%, 25%, 20%, 15%, 10%, 5% o 0% después de al menos 300, 400, 500, 600, 700, 800, 900, 1000, 2000, 3000, 4000, 5000, 6000, 7000, 8000, 9000, 10000, 11000, 12000, 13000, 14000, 15000, 16000, 17000, 18000, 19000, 20000, 21000, 22000, 23000, 24000, 25000, 26000, 27000, 28000, 29000, 30000, 31000, 32000, 33000, 34000, 35000, 36000, 37000, 38000, 39000, 40000, 41000, 42000, 43000, 44000, 45000, 46000, 47000, 48000, 49000, o 50000 horas bajo una iluminación de luz con un flujo de fotones o una potencia de pulso pico media de al menos 1 mW.cm-2, 50 mW.cm-2, 100 mW.cm-2, 500 mW.cm-2, 1 W.cm-2, 5 W.cm-2, 10 W.cm-2, 20 W.cm-2, 30 W.cm-2, 40 W.cm-2, 50 W.cm-2, 60 W.cm-2, W.cm-2, 100 W.cm-2, 110 W.cm-2, 120 W.cm-2, 130 W.cm-2, 140 W.cm-2, 150 W.cm-2, 160 W.cm-2, 170 W.cm-2,
180 W.cm-2, 190 W.cm-2, 200 W.cm-2, 300 W.cm-2, 400 W.cm-2, 500 W.cm-2, 600 W.cm-2, 700 W.cm-2, 800 W.cm-2, 900 W.cm-2, 1 kW.cm-2, 50 kW.cm-2, o 100 kW.cm-2, bajo una temperatura de al menos 0°C, 10°C, 20°C, 30°C, 40°C, 50°C, 60°C, 70°C, 80°C, 90°C, 100°C, 125°C, 150°C, 175°C, 200°C, 225°C, 250°C, 275°C, o 300°C.
En un modo de realización, el dispositivo optoelectrónico presenta una disminución de la intensidad en al menos un pico de emisión de menos del 90%, 80%, 70%, 60%, 50%, 40%, 30%, 25%, 20%, 15%, 10%, 5% o 0% bajo una iluminación de luz con un flujo de fotones o una potencia de pulso media de al menos 1 mW.cm-2, 50 mW.cm-2, 100 mW.cm-2, 500 mW.cm-2, 1 W.cm-2, 5 W.cm-2, 10 W.cm-2, 20 W.cm-2, 30 W.cm-2, 40 W.cm-2, 50 W.cm-2, 60 W.cm-2, 70 W.cm-2, 80 W.cm-2, 90 W.cm-2, 100 W.cm-2, 110 W.cm-2, 120 W.cm-2, 130 W.cm-2, 140 W.cm-2, 150 W.cm-2, 160 W.cm-2, 170 W.cm-2, 180 W.cm-2, 190 W.cm-2, 200 W.cm-2, 300 W.cm-2, 400 W.cm-2, 500 W.cm-2, 600 W.cm-2, 700 W.cm-2,
800 W.cm-2, 900 W.cm-2, 1 kW.cm-2, 50 kW.cm-2, o 100 kW.cm-2, bajo una temperatura de al menos 0°C, 10°C, 20°C, 30°C, 40°C, 50°C, 60°C, 70°C, 80°C, 90°C, 100°C, 125°C, 150°C, 175°C, 200°C, 225°C, 250°C, 275°C, o 300°C, y bajo una humedad de al menos 0%, 10%, 20%, 30%, 40%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 75%, 80%, 85%, 90%, 95%, o 100%.
En un modo de realización, el dispositivo optoelectrónico presenta una disminución de la intensidad en al menos un pico de emisión de menos del 90%, 80%, 70%, 60%, 50%, 40%, 30%, 25%, 20%, 15%, 10%, 5%, o 0% después de al menos 300, 400, 500 600, 700, 800, 900, 1000, 2000, 3000, 4000, 5000, 6000, 7000, 8000, 9000, 10000, 11000, 12000, 13000, 14000, 15000, 16000, 17000, 18000, 19000, 20000, 21000, 22000, 23000, 24000, 25000, 26000, 27000, 28000, 29000, 30000, 31000, 32000, 33000, 34000, 35000, 36000, 37000, 38000, 39000, 40000, 41000, 42000, 43000, 44000, 45000, 46000, 47000, 48000, 49000, o 50000 horas bajo una temperatura de al menos 0°C, 10°C, 20°C, 30°C, 40°C, 50°C 60°C, 70°C, 80°C, 90°C, 100°C, 125°C, 150°C, 175°C, 200°C, 225°C, 250°C, 275°C, o 300°C, y bajo una humedad de al menos 0%, 10%, 20%, 30%, 40%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 75%, 80%, 85%, 90%, 95%, o 100%.
En un modo de realización, el dispositivo optoelectrónico presenta una disminución de la intensidad en al menos un pico de emisión de menos del 90%, 80%, 70%, 60%, 50%, 40%, 30%, 25%, 20%, 15%, 10%, 5%, o 0% después de al menos 300, 400, 500, 600, 700, 800, 900, 1000, 2000, 3000, 4000, 5000, 6000, 7000, 8000, 9000, 10000, 11000, 12000, 13000, 14000, 15000, 16000, 17000, 18000, 19000, 20000, 21000, 22000, 23000, 24000, 25000, 26000, 27000, 28000, 29000, 30000, 31000, 32000, 33000, 34000, 35000, 36000, 37000, 38000, 39000, 40000, 41000, 42000, 43000, 44000, 45000, 46000, 47000, 48000, 49000, o 50000 horas bajo una iluminación de luz con un flujo de fotones o una potencia de pulso pico media de al menos 1 mW.cm-2, 50 mW.cm-2, 100 mW.cm-2, 500 mW.cm-2, 1 W.cm-2, 5 W.cm-2, 10 W.cm-2, 20 W.cm-2, 30 W.cm-2, 40 W.cm-2, 50 W.cm-2, 60 W.cm-2, 70 W.cm-2, 80 W.cm-2, 90 W.cm-2, 100 W.cm-2, 110 W.cm-2, 120 W.cm-2, 130 W.cm-2, 140 W.cm-2, 150 W.cm-2, 160 W.cm-2, 170 W.cm-2, 180 W.cm-2, 190 W.cm-2, 200 W.cm-2, 300 W.cm-2, 400 W.cm-2, 500 W.cm-2, 600 W.cm-2, 700 W.cm-2, 800 W.cm-2, 900 W.cm-2, 1 kW.cm-2, 50 kW.cm-2, o 100 kW.cm-2, y bajo una humedad de al menos 0%, 10%, 20%, 30%, 40%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 75%, 80%, 85%, 90%, 95%, o 100%.
En un modo de realización, el dispositivo optoelectrónico presenta un desplazamiento de al menos un pico de emisión de menos de 50 nm, 45 nm, 40 nm, 35 nm, 30 nm, 25 nm, 20 nm, 15 nm, 10 nm, 5 nm, 4 nm, 3 nm, 2 nm, o 1 nm después de al menos 300, 400, 500, 600, 700, 800, 900, 1000, 2000, 3000, 4000, 5000, 6000, 7000, 8000, 9000, 10000, 11000, 12000, 13000, 14000, 15000, 16000, 17000, 18000, 19000, 20000, 21000, 22000, 23000, 24000, 25000, 26000, 27000, 28000, 29000, 30000, 31000, 32000, 33000, 34000, 35000, 36000, 37000, 38000, 39000, 40000, 41000, 42000, 43000, 44000, 45000, 46000, 47000, 48000, 49000, o 50000 horas bajo iluminación.
En un modo de realización, el dispositivo optoelectrónico presenta un desplazamiento de al menos un pico de emisión de menos de 50 nm, 45 nm, 40 nm, 35 nm, 30 nm, 25 nm, 20 nm, 15 nm, 10 nm, 5 nm, 4 nm, 3 nm, 2 nm, o 1 nm después de al menos 300, 400, 500, 600, 700, 800, 900, 1000, 2000, 3000, 4000, 5000, 6000, 7000, 8000, 9000, 10000, 11000, 12000, 13000, 14000, 15000, 16000, 17000, 18000, 19000, 20000, 21000, 22000, 23000, 24000, 25000, 26000, 27000, 28000, 29000, 30000, 31000, 32000, 33000, 34000, 35000, 36000, 37000, 38000, 39000, 40000, 41000, 42000, 43000, 44000, 45000, 46000, 47000, 48000, 49000, o 50000 horas bajo iluminación luminosa con un flujo de fotones o una potencia de impulso máxima media de al menos 1 mW.cm-2, 50 mW.cm-2, 100 mW.cm-2, 500 mW.cm-2, 1 W.cm-2, 5 W.cm-2, 10 W.cm-2, 20 W.cm-2, 30 W.cm-2, 40 W.cm-2, 50 W.cm-2, 60 W.cm-2, 70 W.cm-2, 80 W.cm-2, 90 W.cm-2, 100W.cm-2, 110 W.cm-2, 120 W.cm-2, 130 W.cm-2, 140 W.cm-2, 150 W.cm-2, 160W.cm-2, 170 W.cm-2, 180 W.cm-2, 190 W.cm-2, 200 W.cm-2, 300 W.cm-2, 400 W.cm-2, 500 W.cm-2, 600 W.cm-2, 700 W.cm-2, 800 W.cm-2, 900 W.cm-2, 1 kW.cm-2, 50 kW.cm-2, o 100 kW.cm-2.
En un modo de realización, el dispositivo optoelectrónico presenta un desplazamiento de al menos un pico de emisión de menos de 50 nm, 45 nm, 40 nm, 35 nm, 30 nm, 25 nm, 20 nm, 15 nm, 10 nm, 5 nm, 4 nm, 3 nm, 2 nm, o 1 nm después de al menos 300, 400, 500, 600, 700, 800, 900, 1000, 2000, 3000, 4000, 5000, 6000, 7000, 8000, 9000, 10000, 11000, 12000, 13000, 14000, 15000, 16000, 17000, 18000, 19000, 20000, 21000, 22000, 23000, 24000, 25000, 26000, 27000, 28000, 29000, 30000, 31000, 32000, 33000, 34000, 35000, 36000, 37000, 38000, 39000, 40000, 41000, 42000, 43000, 44000, 45000, 46000, 47000, 48000, 49000, o 50000 horas bajo una temperatura de al menos 0°C, 10°C, 20°C, 30°C, 40°C, 50°C, 60°C, 70°C, 80°C, 90°C, 100°C, 125°C, 150°C, 175°C, 200°C, 225°C, 250°C, 275°C, o 300°C.
En un modo de realización, el dispositivo optoelectrónico presenta un desplazamiento de al menos un pico de emisión de menos de 50 nm, 45 nm, 40 nm, 35 nm, 30 nm, 25 nm, 20 nm, 15 nm, 10 nm, 5 nm, 4 nm, 3 nm, 2 nm, o 1 nm después de al menos 300, 400, 500, 600, 700, 800, 900, 1000, 2000, 3000, 4000, 5000, 6000, 7000, 8000, 9000, 10000, 11000, 12000, 13000, 14000, 15000, 16000, 17000, 18000, 19000, 20000, 21000, 22000, 23000, 24000, 25000, 26000, 27000, 28000, 29000, 30000, 31000, 32000, 33000, 34000, 35000, 36000, 37000, 38000, 39000, 40000, 41000, 42000, 43000, 44000, 45000, 46000, 47000, 48000, 49000, o 50000 horas bajo una humedad de al menos 0%, 10%, 20%, 30%, 40%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 75%, 80%, 85%, 90%, 95%, o 100%.
En un modo de realización, el dispositivo optoelectrónico presenta un desplazamiento de al menos un pico de emisión de menos de 50 nm, 45 nm, 40 nm, 35 nm, 30 nm, 25 nm, 20 nm, 15 nm, 10 nm, 5 nm, 4 nm, 3 nm, 2 nm, o 1 nm bajo una temperatura de al menos 0°C, 10°C, 20°C, 30°C, 40°C, 50°C, 60°C, 70°C, 80°C, 90°C, 100°C, 125°C, 150°C, 175°C, 200°C, 225°C, 250°C, 275°C, o 300°C, bajo una iluminación de luz con un flujo de fotones o una potencia de pulso pico media de al menos 1 mW.cm-2, 50 mW.cm-2, 100 mW.cm-2, 500 mW.cm-2, 1 W.cm-2, 5 W.cm-2, 10 W.cm-2, 20 W.cm-2, 30 W.cm-2, 40 W.cm-2, 50 W.cm-2, 60 W.cm-2, 70 W.cm-2, 80 W.cm-2, 90 W.cm-2, 100 W.cm-2, 110 W.cm-2, 120 W.cm-2, 130 W.cm-2, 140 W.cm-2, 150 W.cm-2, 160 W.cm-2, 170 W.cm-2, 180 W.cm-2, 190 W.cm-2, 200 W.cm-2, 300 W.cm-2, 400 W.cm-2, 500 W.cm-2, 600 W.cm-2, 700 W.cm-2, 800 W.cm-2, 900 W.cm-2, 1 kW.cm-2, 50 kW.cm-2, o 100 kW.cm-2.
En un modo de realización, el dispositivo optoelectrónico presenta un desplazamiento de al menos un pico de emisión de menos de 50 nm, 45 nm, 40 nm, 35 nm, 30 nm, 25 nm, 20 nm, 15 nm, 10 nm, 5 nm, 4 nm, 3 nm, 2 nm, o 1 nm bajo una humedad de al menos 0%, 10%, 20%, 30%, 40%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 75%, 80%, 85%, 90%, 95%, o 100%, bajo una iluminación de luz con un flujo de fotones o una potencia de pulso pico promedio de al menos 1 mW.cm-2, 50 mW.cm-2, 100 mW.cm-2, 500 mW.cm-2, 1 W.cm-2, 5 W.cm-2, 10W.cm-2, 20 W.cm-2, 30 W.cm-2, 40 W.cm-2, 50 W.cm-2, 60 W.cm-2, 70 W.cm-2, 80 W.cm-2, 90 W.cm-2, 100 W.cm-2, 110 W.cm-2, 120 W.cm-2, 130 W.cm-2, 140 W.cm-2, 150 W.cm-2, 160 W.cm-2, 170 W.cm-2, 180 W.cm-2, 190 W.cm-2, 200 W.cm-2, 300 W.cm-2, 400 W.cm-2, 500 W.cm-2, 600 W.cm-2, 700 W.cm-2, 800 W.cm-2, 900 W.cm-2, 1 kW.cm-2, 50 kW.cm-2, o 100 kW.cm-2
En un modo de realización, el dispositivo optoelectrónico presenta un desplazamiento de al menos un pico de emisión de menos de 50 nm, 45 nm, 40 nm, 35 nm, 30 nm, 25 nm, 20 nm, 15 nm, 10 nm, 5 nm, 4 nm, 3 nm, 2 nm, o 1 nm bajo una humedad de al menos 0%, 10%, 20%, 30%, 40%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 75%, 80%, 85%, 90%, 95% o 100%, bajo una temperatura de al menos 0°C, 10°C, 20°C, 30°C, 40°C, 50°C, 60°C, 70°C, 80°C, 90°C, 100°C, 125°C, 150°C, 175°C, 200°C, 225°C, 250°C, 275°C o 300°C.
En un modo de realización, el dispositivo optoelectrónico presenta un desplazamiento de al menos un pico de emisión de menos de 50 nm, 45 nm, 40 nm, 35 nm, 30 nm, 25 nm, 20 nm, 15 nm, 10 nm, 5 nm, 4 nm, 3 nm, 2 nm, o 1 nm después de al menos 300, 400, 500, 600, 700, 800, 900, 1000, 2000, 3000, 4000, 5000, 6000, 7000, 8000, 9000, 10000, 11000, 12000, 13000, 14000, 15000, 16000, 17000, 18000, 19000, 20000, 21000, 22000, 23000, 24000, 25000, 26000, 27000, 28000, 29000, 30000, 31000, 32000, 33000, 34000, 35000, 36000, 37000, 38000, 39000, 40000, 41000, 42000, 43000, 44000, 45000, 46000, 47000, 48000, 49000, o 50000 horas bajo una iluminación de luz con un flujo de fotones o una potencia de pulso pico media de al menos 1 mW.cm-2, 50 mW.cm-2, 100 mW.cm-2, 500 mW.cm-2, 1 W.cm-2, 5 W.cm-2, 10 W.cm-2, 20 W.cm-2, 30 W.cm-2, 40 W.cm-2, 50 W.cm-2, 60 W.cm-2, 70 W.cm-2, 80 W.cm-2, 90 W.cm-2, 100 W.cm-2, 110 W.cm-2, 120 W.cm-2, 130 W.cm-2, 140 W.cm-2, 150 W.cm-2, 160 W.cm-2, 170 W.cm-2, 180 W.cm-2, 190 W.cm-2, 200 W.cm-2, 300 W.cm-2, 400 W.cm-2, 500 W.cm-2, 600 W.cm-2, 700 W.cm-2, 800 W.cm-2, 900 W.cm-2, 1 kW.cm-2, 50 kW.cm-2, o 100 kW.cm-2, bajo una temperatura de al menos 0°C, 10°C, 20°C, 30°C, 40°C, 50°C, 60°C, 70°C, 80°C, 90°C, 100°C, 125°C, 150°C, 175°C, 200°C, 225°C, 250°C, 275°C, o 300°C.
En un modo de realización, el dispositivo optoelectrónico presenta un desplazamiento de al menos un pico de emisión de menos de 50 nm, 45 nm, 40 nm, 35 nm, 30 nm, 25 nm, 20 nm, 15 nm, 10 nm, 5 nm, 4 nm, 3 nm, 2 nm, o 1 nm bajo iluminación de luz con un flujo de fotones o una potencia de pulso de pico media de al menos 1 mW.cm-2, 50 mW.cm-2, 100 mW.cm-2, 500 mW.cm-2, 1 W.cm-2, 5 W.cm-2, 10 W.cm-2, 20 W.cm-2, 30 W.cm-2, 40 W.cm-2, 50 W.cm-2, 60 W.cm-2, 70 W.cm-2, 80 W.cm-2, 90 W.cm-2, 100 W.cm-2, 110 W.cm-2, 120 W.cm-2, 130 W.cm-2, 140 W.cm-2, 150 W.cm-2, 160 W.cm-2, 170 W.cm-2, 180 W.cm-2, 190 W.cm-2, 200 W.cm-2, 300 W.cm-2, 400 W.cm-2, 500 W.cm-2, 600 W.cm-2, 700 W.cm-2, 800 W.cm-2, 900 W.cm-2, 1 kW.cm-2, 50 kW.cm-2, o 100 kW.cm-2, bajo una temperatura de al menos 0°C, 10°C, 20°C, 30°C, 40°C, 50°C, 60°C, 70°C, 80°C, 90°C, 100°C, 125°C, 150°C, 175°C, 200°C, 225°C, 250°C, 275°C, o 300°C, y bajo una humedad de al menos 0%, 10%, 20%, 30%, 40%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 75%, 80%, 85%, 90%, 95%, o 100%.
En un modo de realización, el dispositivo optoelectrónico presenta un desplazamiento de al menos un pico de emisión de menos de 50 nm, 45 nm, 40 nm, 35 nm, 30 nm, 25 nm, 20 nm, 15 nm, 10 nm, 5 nm, 4 nm, 3 nm, 2 nm, o 1 nm después de al menos 300, 400, 500, 600, 700, 800, 900, 1000, 2000, 3000, 4000, 5000, 6000, 7000, 8000, 9000, 10000, 11000, 12000, 13000, 14000, 15000, 16000, 17000, 18000, 19000, 20000, 21000, 22000, 23000, 24000, 25000, 26000, 27000, 28000, 29000, 30000, 31000, 32000, 33000, 34000, 35000, 36000, 37000, 38000, 39000, 40000, 41000, 42000, 43000, 44000, 45000, 46000, 47000, 48000, 49000, o 50000 horas bajo una temperatura de al menos 0°C, 10°C, 20°C, 30°C, 40°C 50°C, 60°C, 70°C, 80°C, 90°C, 100°C, 125°C, 150°C, 175°C, 200°C, 225°C, 250°C, 275°C, o 300°C, y bajo una humedad de al menos 0%, 10%, 20%, 30%, 40%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 75%, 80%, 85%, 90%, 95%, o 100%.
En un modo de realización, el dispositivo optoelectrónico presenta un desplazamiento de al menos un pico de emisión de menos de 50 nm, 45 nm, 40 nm, 35 nm, 30 nm, 25 nm, 20 nm, 15 nm, 10 nm, 5 nm, 4 nm, 3 nm, 2 nm, o 1 nm después de al menos 300, 400, 500, 600, 700, 800, 900, 1000, 2000, 3000, 4000, 5000, 6000, 7000, 8000, 9000, 10000, 11000, 12000, 13000, 14000, 15000, 16000, 17000, 18000, 19000, 20000, 21000, 22000, 23000, 24000, 25000, 26000, 27000, 28000, 29000, 30000, 31000, 32000, 33000, 34000, 35000, 36000, 37000, 38000, 39000, 40000, 41000, 42000, 43000, 44000, 45000, 46000, 47000, 48000, 49000, o 50000 horas bajo iluminación luminosa con un flujo de fotones o una potencia de impulso máxima media de al menos 1 mW.cm-2, 50 mW.cm-2, 100 mW.cm-2, 500 mW.cm-2, 1 W.cm-2, 5 W.cm-2, 10 W.cm-2, 20 W.cm-2, 30 W.cm-2, 40 W.cm-2, 50 W.cm-2, 60 W.cm-2, 70 W.cm-2, 80 W.cm-2, 90 W.cm-2, 100W.cm-2, 110 W.cm-2, 120 W.cm-2, 130 W.cm-2, 140 W.cm-2, 150 W.cm-2, 160W.cm-2, 170 W.cm-2, 180 W.cm-2, 190 W.cm-2, 200 W.cm-2, 300 W.cm-2, 400 W.cm-2, 500 W.cm-2, 600 W.cm-2, 700 W.cm-2, 800 W.cm-2, 900 W.cm-2, 1 kW.cm-2, 50 kW.cm-2, o 100 kW.cm-2, y bajo una humedad de al menos 0%, 10%, 20%, 30%, 40%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 75%, 80%, 85%, 90%, 95%, o 100%.
En un modo de realización, el dispositivo optoelectrónico presenta un aumento de la anchura a media altura de al menos un pico de emisión de menos de 60 nm, 55 nm, 50 nm, 45 nm, 40 nm, 35 nm, 30 nm, 25 nm, 20 nm, 15 nm, 10 nm, 5 nm, 4 nm, 3 nm, 2 nm, o 1 nm después de al menos 300, 400, 500, 600, 700, 800, 900, 1000, 2000, 3000, 4000, 5000, 6000, 7000, 8000, 9000, 10000, 11000, 12000, 13000, 14000, 15000, 16000, 17000, 18000, 19000, 20000, 21000, 22000, 23000, 24000, 25000, 26000, 27000, 28000, 29000, 30000, 31000, 32000, 33000, 34000, 35000, 36000, 37000, 38000, 39000, 40000, 41000, 42000, 43000, 44000, 45000, 46000, 47000, 48000, 49000, o 50000 horas bajo iluminación.
En un modo de realización, el dispositivo optoelectrónico presenta un aumento de la anchura a media altura de al menos un pico de emisión de menos de 50 nm, 45 nm, 40 nm, 35 nm, 30 nm, 25 nm, 20 nm, 15 nm, 10 nm, 5 nm, 4 nm, 3 nm, 2 nm, o 1 nm después de al menos 300, 400, 500, 600, 700, 800, 900, 1000, 2000, 3000, 4000, 5000, 6000, 7000, 8000, 9000, 10000, 11000, 12000, 13000, 14000, 15000, 16000, 17000, 18000, 19000, 20000, 21000, 22000, 23000, 24000, 25000, 26000, 27000, 28000, 29000, 30000, 31000, 32000, 33000, 34000, 35000, 36000, 37000, 38000, 39000, 40000, 41000, 42000, 43000, 44000, 45000, 46000, 47000, 48000, 49000, o 50000 horas bajo una iluminación de luz con un flujo de fotones o una potencia de pulso pico media de al menos 1 mW.cm-2, 50 mW.cm-2, 100 mW.cm-2, 500 mW.cm-2, 1 W.cm-2, 5 W.cm-2, 10 W.cm-2, 20 W.cm-2, 30 W.cm-2, 40 W.cm-2, 50 W.cm-2, 60W .cm-2, 70 W.cm-2, 80 W.cm-2, 90 W.cm-2, 100 W.cm-2, 110 W.cm-2, 120 W.cm-2, 130 W.cm-2, 140 W.cm-2, 150 W.cm-2, 160 W.cm-2, 170 W.cm-2, 180 W.cm-2, 190 W.cm-2, 200 W.cm-2, 300 W.cm-2, 400 W.cm-2, 500 W.cm-2, 600 W.cm-2, 700 W.cm-2, 800 W.cm-2, 900 W.cm-2, 1 kW.cm-2, 50 kW.cm-2, o 100 kW.cm-2.
En un modo de realización, el dispositivo optoelectrónico presenta un aumento de la anchura a media altura de al menos un pico de emisión de menos de 50 nm, 45 nm, 40 nm, 35 nm, 30 nm, 25 nm, 20 nm, 15 nm, 10 nm, 5 nm, 4 nm, 3 nm, 2 nm, o 1 nm después de al menos 300, 400, 500, 600, 700, 800, 900, 1000, 2000, 3000, 4000, 5000, 6000, 7000, 8000, 9000, 10000, 11000, 12000, 13000, 14000, 15000, 16000, 17000, 18000, 19000, 20000, 21000, 22000, 23000, 24000, 25000, 26000, 27000, 28000, 29000, 30000, 31000, 32000, 33000, 34000, 35000, 36000, 37000, 38000, 39000, 40000, 41000, 42000, 43000, 44000, 45000, 46000, 47000, 48000, 49000, o 50000 horas bajo una temperatura de al menos 0°C, 10°C, 20°C, 30°C, 40°C, 50°C, 60°C, 70°C, 80°C, 90°C, 100°C, 125°C, 150°C, 175°C, 200°C, 225°C, 250°C, 275°C, o 300°C.
En un modo de realización, el dispositivo optoelectrónico presenta un aumento de la anchura a media altura de al menos un pico de emisión de menos de 50 nm, 45 nm, 40 nm, 35 nm, 30 nm, 25 nm, 20 nm, 15 nm, 10 nm, 5 nm, 4 nm, 3 nm, 2 nm, o 1 nm después de al menos 300, 400, 500, 600, 700, 800, 900, 1000, 2000, 3000, 4000, 5000, 6000, 7000, 8000, 9000, 10000, 11000, 12000, 13000, 14000, 15000, 16000, 17000, 18000, 19000, 20000, 21000, 22000, 23000, 24000, 25000, 26000, 27000, 28000, 29000, 30000, 31000, 32000, 33000, 34000, 35000, 36000, 37000, 38000, 39000, 40000, 41000, 42000, 43000, 44000, 45000, 46000, 47000, 48000, 49000, o 50000 horas bajo una humedad de al menos 0%, 10%, 20%, 30%, 40%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 75%, 80%, 85%, 90%, 95%, o 100%.
En un modo de realización, el dispositivo optoelectrónico presenta un aumento de la anchura a media altura de al menos un pico de emisión de menos de 50 nm, 45 nm, 40 nm, 35 nm, 30 nm, 25 nm, 20 nm, 15 nm, 10 nm, 5 nm, 4 nm, 3 nm, 2 nm o 1 nm a una temperatura de al menos 0°C, 10°C, 20°C, 30°C, 40°C, 50°C, 60°C, 70°C, 80°C, 90°C, 100°C, 125°C, 150°C, 175°C, 200°C, 225°C, 250°C, 275°C, o 300°C, bajo una iluminación de luz con un flujo de fotones o una potencia de pulso media de al menos 1 mW.cm-2, 50 mW.cm-2, 100 mW.cm-2, 500 mW.cm-2, 1 W.cm-2, 5 W.cm-2, 10 W.cm-2, 20 W.cm-2, 30 W.cm-2, 40 W.cm-2, 50 W.cm-2, 60 W.cm-2, 70 W.cm-2, 80 W.cm-2, 90 W.cm-2, 100 W.cm-2, 110 W.cm-2, 120 W.cm-2, 130 W.cm-2, 140 W.cm-2, 150 W.cm-2, 160 W.cm-2, 170 W.cm-2, 180 W.cm-2, 190 W.cm-2, 200 W.cm-2, 300 W.cm-2, 400 W.cm-2, 500 W.cm-2, 600 W.cm-2, 700 W.cm-2, 800 W.cm-2, 900 W.cm-2, 1 kW.cm-2, 50 kW.cm-2, o 100 kW.cm-2.
En un modo de realización, el dispositivo optoelectrónico presenta un aumento de la anchura a media altura de al menos un pico de emisión de menos de 50 nm, 45 nm, 40 nm, 35 nm, 30 nm, 25 nm, 20 nm, 15 nm, 10 nm, 5 nm, 4 nm, 3 nm, 2 nm, o 1 nm bajo una humedad de al menos 0%, 10%, 20%, 30%, 40%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 75%, 80%, 85%, 90%, 95%, o 100%, bajo una iluminación de luz con un flujo de fotones o una potencia de pulso pico promedio de al menos 1 mW.cm-2, 50 mW.cm-2, 100 mW.cm-2, 500 mW.cm-2, 1 W.cm-2, 5 W.cm-2, 10 W.cm-2, 20 W.cm-2, 30 W.cm-2, 40 W.cm-2, 50 W.cm-2, 60 W.cm-2, 70 W.cm-2, 80 W.cm-2, 90 W.cm-2, 100 W.cm-2, 110 W.cm-2, 120 W.cm-2, 130 W.cm-2, 140 W.cm-2, 150W.cm-2, 160 W.cm-2, 170 W.cm-2, 180 W.cm-2, 190 W.cm-2, 200W.cm-2, 300 W.cm-2, 400 W.cm-2, 500 W.cm-2, 600 W.cm-2, 700 W.cm-2, 800 W.cm-2, 900 W.cm-2, 1 kW.cm-2, 50 kW.cm-2, o 100 kW.cm-2.
En un modo de realización, el dispositivo optoelectrónico presenta un aumento de la anchura a media altura de al menos un pico de emisión de menos del 90%, 80%, 70%, 60%, 50%, 40%, 30%, 25%, 20%, 15%, 10%, 5%, o 0% bajo una humedad de al menos 0%, 10%, 20%, 30%, 40%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 75%, 80%, 85%, 90%, 95% o 100%, bajo una temperatura de al menos 0°C, 10°C, 20°C, 30°C, 40°C, 50°C, 60°C, 70°C, 80°C, 90°C, 100°C, 125°C, 150°C, 175°C, 200°C, 225°C, 250°C, 275°C o 300°C.
En un modo de realización, el dispositivo optoelectrónico presenta un aumento de la anchura a media altura de al menos un pico de emisión de menos de 50 nm, 45 nm, 40 nm, 35 nm, 30 nm, 25 nm, 20 nm, 15 nm, 10 nm, 5 nm, 4 nm, 3 nm, 2 nm, o 1 nm después de al menos 300, 400, 500, 600, 700, 800, 900, 1000, 2000, 3000, 4000, 5000, 6000, 7000, 8000, 9000, 10000, 11000, 12000, 13000, 14000, 15000, 16000, 17000, 18000, 19000, 20000, 21000, 22000, 23000, 24000, 25000, 26000, 27000, 28000, 29000, 30000, 31000, 32000, 33000, 34000, 35000, 36000, 37000, 38000, 39000, 40000, 41000, 42000, 43000, 44000, 45000, 46000, 47000, 48000, 49000, o 50000 horas bajo una iluminación de luz con un flujo de fotones o una potencia de pulso pico promedio de al menos 1 mW.cm-2, 50 mW.cm-2, 100 mW.cm-2, 500 mW.cm-2, 1 W.cm-2, 5 W.cm-2, 10 W.cm-2, 20 W.cm-2, 30 W.cm-2, 40 W.cm-2, 50 W.cm-2, 60 W.cm-2, 70 W.cm-2, 80 W.cm-2, 90 W.cm-2, 100 W.cm-2, 110 W.cm-2, 120 W.cm-2, 130 W.cm-2, 140 W.cm-2, 150 W.cm-2, 160 W.cm-2, 170 W.cm-2, 180 W.cm-2, 190 W.cm-2, 200 W.cm-2, 300 W.cm-2, 400 W.cm-2, 500 W.cm-2, 600 W.cm-2, 700 W.cm-2, 800 W.cm-2, 900 W.cm-2, 1 kW.cm-2, 50 kW.cm-2, o 100 kW.cm-2, bajo una temperatura de al menos 0°C, 10°C, 20°C, 30°C, 40°C, 50°C, 60°C, 70°C, 80°C, 90°C, 100°C, 125°C, 150°C, 175°C, 200°C, 225°C, 250°C, 275°C, o 300°C.
En un modo de realización, el dispositivo optoelectrónico presenta un aumento de la anchura a media altura de al menos un pico de emisión de menos de 50 nm, 45 nm, 40 nm, 35 nm, 30 nm, 25 nm, 20 nm, 15 nm, 10 nm, 5 nm, 4 nm, 3 nm, 2 nm, o 1 nm bajo una iluminación de luz con un flujo de fotones o una potencia de pulso media de al menos 1 mW.cm-2, 50 mW.cm-2, 100 mW.cm-2, 500 mW.cm-2, 1 W.cm-2, 5 W.cm-2, 10 W.cm-2, 20 W.cm-2, 30 W.cm-2, 40 W.cm-, 50 W.cm-2, 60 W.cm-2, 70 W.cm-2, 80 W.cm-2, 90 W.cm-2, 100 W.cm-2, 110 W.cm-2, 120 W.cm-2, 130 W.cm-2, 140 W.cm-2, 150 W.cm-2, 160 W.cm-2, 170W.cm-2, 180 W.cm-2, 190 W.cm-2, 200 W.cm 2, 300W.cm-2, 400W.cm-2, 500 W.cm-2, 600 W.cm-2, 700 W.cm-2, 800 W.cm-2, 900 W.cm-2, 1 kW.cm-2, 50 kW.cm-2, o 100 kW.cm-2, bajo una temperatura de al menos 0°C, 10°C, 20°C, 30°C, 40°C, 50°C, 60°C, 70°C, 80°C, 90°C, 100°C, 125°C, 150°C, 175°C, 200°C, 225°C, 250°C, 275°C, o 300°C, y bajo una humedad de al menos 0%, 10%, 20%, 30%, 40%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 75%, 80%, 85%, 90%, 95%, o 100%.
En un modo de realización, el dispositivo optoelectrónico presenta un aumento de la anchura a media altura de al menos un pico de emisión de menos de 50 nm, 45 nm, 40 nm, 35 nm, 30 nm, 25 nm, 20 nm, 15 nm, 10 nm, 5 nm, 4 nm, 3 nm, 2 nm, o 1 nm después de al menos 300, 400, 500, 600, 700, 800, 900, 1000, 2000, 3000, 4000, 5000, 6000, 7000, 8000, 9000, 10000, 11000, 12000, 13000, 14000, 15000, 16000, 17000, 18000, 19000, 20000, 21000, 22000, 23000, 24000, 25000, 26000, 27000, 28000, 29000, 30000, 31000, 32000, 33000, 34000, 35000, 36000, 37000, 38000, 39000, 40000, 41000, 42000, 43000, 44000, 45000, 46000, 47000, 48000, 49000, o 50000 horas bajo una temperatura de al menos 0°C, 10°C, 20°C, 30°C 40°C, 50°C, 60°C, 70°C, 80°C, 90°C, 100°C, 125°C, 150°C, 175°C, 200°C, 225°C, 250°C, 275°C, o 300°C y bajo una humedad de al menos 0%, 10%, 20%, 30%, 40%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 75%, 80%, 85%, 90%, 95%, o 100%.
En un modo de realización, el dispositivo optoelectrónico exhibe un aumento de la anchura a media altura de al menos un pico de emisión de menos de 50 nm, 45 nm, 40 nm, 35 nm, 30 nm, 25 nm, 20 nm, 15 nm, 10 nm, 5 nm, 4 nm, 3 nm, 2 nm, o 1 nm después de al menos 300, 400, 500, 600, 700, 800, 900, 1000, 2000, 3000, 4000, 5000, 6000, 7000, 8000, 9000, 10000, 11000, 12000, 13000, 14000, 15000, 16000, 17000, 18000, 19000, 20000, 21000, 22000, 23000, 24000, 25000, 26000, 27000, 28000, 29000, 30000, 31000, 32000, 33000, 34000, 35000, 36000, 37000, 38000, 39000, 40000, 41000, 42000, 43000, 44000, 45000, 46000, 47000, 48000, 49000, o 50000 horas bajo una iluminación de luz con un flujo de fotones o una potencia de pulso pico promedio de al menos 1 mW.cm-2, 50 mW.cm-2, 100 mW.cm-2, 500 mW.cm-2, 1 W.cm-2, 5 W.cm-2, 10 W.cm-2, 20 W.cm-2, 30 W.cm-2, 40 W.cm-2, 50 W.cm-2, 60 W.cm-2, 70 W.cm-2, 80 W.cm-2, 90 W.cm-2, 100 W.cm-2, 110 W.cm-2, 120 W.cm-2, 130 W.cm-2, 140 W.cm-2, 150 W.cm-2, 160 W.cm-2, 170 W.cm-2, 180 W.cm-2, 190 W.cm-2, 200 W.cm-2, 300 W.cm-2, 400 W.cm-2, 500 W.cm-2, 600 W.cm-2, 700 W.cm-2, 00 W.cm-2, 900 W.cm-2, 1 kW.cm-2, 50 kW.cm-2, o 100 kW.cm-2 y bajo una humedad de al menos 0%, 10%, 20%, 30%, 40%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 75%, 80%, 85%, 90%, 95%, o 100%.
BREVE DESCRIPCIÓN DE LOS DIBUJOS
Figura 1 ilustra una partícula compuesta 1 que comprende un conjunto de nanopartículas 3 encapsuladas en un material inorgánico 2.
Figura 2 ilustra una partícula compuesta 1 que comprende un conjunto de nanopartículas esféricas 31 encapsuladas en un material inorgánico 2.
Figura 3 ilustra una partícula compuesta 1 que comprende un conjunto de nanopartículas 2D 32 encapsuladas en un material inorgánico 2.
Figura 4 ilustra una partícula compuesta 1 que comprende un conjunto de nanopartículas esféricas 31 y un conjunto de nanopartículas 2D 32 encapsuladas en un material inorgánico 2.
Figura 5 ilustra diferentes nanopartículas 3.
Figura 5A ilustra una nanopartícula de núcleo 33 sin capa.
Figura 5B ilustra una nanopartícula de núcleo 33/capa 34 con una capa 34.
Figura 5C ilustra una nanopartícula de núcleo 33/capa (34, 35) con dos capas diferentes (34, 35).
Figura 5D ilustra una nanopartícula de núcleo 33/capa (34, 35, 36) con dos capas diferentes (34, 35) rodeadas por una capa aislante de óxido 36.
Figura 5E ilustra una nanopartícula de núcleo 33/corona 37.
Figura 5F ilustra una vista en sección de una nanopartícula de núcleo 33/corona 34 con una capa 34.
Figura 5G ilustra una vista en sección de una nanopartícula de núcleo 33/corona (34, 35) con dos capas diferentes (34, 35).
Figura 5H ilustra una vista en sección de una nanopartícula de núcleo 33/capa (34, 35, 36) con dos capas diferentes (34, 35) rodeadas por una capa aislante de óxido 36.
Figura 6 ilustra un material emisor de luz 7.
Figura 6A ilustra un material emisor de luz 7 que comprende un material anfitrión 71 y al menos una partícula compuesta 1 de la invención que comprende un conjunto de nanopartículas 2D 32 encapsuladas en un material inorgánico 2.
Figura 6B ilustra un material emisor de luz 7 que comprende un material anfitrión 71; al menos una partícula compuesta 1 de la invención que comprende un conjunto de nanopartículas 2D 32 encapsuladas en un material inorgánico 2; un conjunto de partículas que comprenden un material inorgánico 21; y un conjunto de nanopartículas 2D 32.
Figura 7 ilustra un dispositivo optoelectrónico.
Figura 7A ilustra un dispositivo optoelectrónico que comprende un soporte de LED 4, un chip de LED 5 y partículas compuestas 1 depositadas sobre dicho chip de LED 5, en el que las partículas compuestas 1 cubren el chip de LED 5.
Figura 7B ilustra un dispositivo optoelectrónico que comprende un soporte de LED 4, un chip de LED 5 y partículas de material compuesto 1 depositadas sobre dicho chip de LED 5, en el que las partículas de material compuesto 1 cubren y rodean el chip de LED 5.
Figura 8 ilustra una matriz de LEDs de tamaño microscópico que comprende un soporte de LEDs 4 y un conjunto de LEDs 6 de tamaño microscópico, donde el paso de píxeles D es la distancia desde el centro de un píxel hasta el centro del siguiente píxel.
Figura 9 ilustra un dispositivo optoelectrónico.
Figura 9A ilustra un dispositivo optoelectrónico que comprende un soporte de LED 4, un LED 6 de tamaño microscópico y partículas compuestas 1 depositadas sobre dicho LED 6 de tamaño microscópico, en el que las partículas compuestas 1 cubren el LED 6 de tamaño microscópico.
Figura 9B ilustra un dispositivo optoelectrónico que comprende un soporte de LED 4, un LED 6 de tamaño microscópico y partículas compuestas 1 depositadas sobre dicho LED 6 de tamaño microscópico, en el que las partículas compuestas 1 cubren y rodean el LED 6 de tamaño microscópico.
Figura 10 son imágenes TEM que muestran nanopartículas (contraste oscuro) uniformemente dispersas en un material inorgánico (contraste brillante).
Figura 10A son imágenes de TEM que muestran nanoplaquetas de CdSe/CdZnS (contraste oscuro) uniformemente dispersas en SiO2 (contraste brillante - @ SO 2).
Figura 10B son imágenes de TEM que muestran nanoplaquetas de CdSe/CdZnS (contraste oscuro) uniformemente dispersas en SO 2 (contraste brillante - @ SO 2).
Figura 10C son imágenes TEM que muestran nanoplaquetas de CdSe/CdZnS (contraste oscuro) uniformemente dispersas en A^O3 (contraste brillante - @A^O3).
Figura 11 muestra la isoterma de adsorción de N2 de las partículas compuestas 1.
Figura 11A muestra la isoterma de adsorción de N2 de las partículas compuestas 1 CdSe/CdZnS@ SO 2 preparadas a partir de una solución acuosa básica y de una solución ácida.
Figura 11B muestra la isoterma de adsorción de N2 de las partículas compuestas 1 CdSe/CdZnS@ A^O3 obtenidas por calentamiento de gotas a 150°C, 300°C y 550°C.
Figura 12 ilustra una partícula compuesta 1 que comprende un núcleo 11 con un conjunto de nanopartículas 32 encapsuladas en un material inorgánico 2, y una capa 12 con un conjunto de nanopartículas 31 encapsuladas en un material inorgánico 21.
Figura 13 es un conjunto de 4 imágenes de microscopía electrónica de transmisión (TEM).
Las figuras 13A-B muestran el material InP/ZnS@SiO2 preparado por microemulsión inversa.
Las figuras 13C-D muestran CdSe/CdS/ZnS@SiO2 preparado como se detalla en el Ejemplo 35.
EJEMPLOS
La presente invención se ilustra además con los siguientes ejemplos. Los ejemplos que no comprenden nanopartículas luminiscentes, en los que las nanopartículas comprenden al menos un 1% de nanoplaquetas semiconductoras, no entran en el ámbito de las reivindicaciones.
Ejemplo 1: Preparación de nanopartículas inorgánicas
Las nanopartículas utilizadas en los ejemplos del presente documento se prepararon según métodos de la técnica (Lhuillier E. et al., Acc. Chem. Res., 20l5, 48 (1), pp 22-30; Pedetti S. et al., J. Am. Chem. Soc., 2014, 136 (46), pp 16430-16438; Ithurria S. et al., J. Am. Chem. Soc., 2008, 130, 16504-16505; Nasilowski M. et al., Chem. Rev. 2016, 116, 10934-10982).
Las nanopartículas utilizadas en los ejemplos del presente documento pertenecen al grupo CdSe/CdZnS, CdSe, CdS, CdTe, CdSe/CdS, CdSe/ZnS, CdSe/CdZnS, CdS/ZnS, CdS/CdZnS, CdTe/ZnS, CdTe/CdZnS, CdSeS/ZnS, CdSeS/CdS, CdSeS/CdZnS, CuInS2/ZnS, CuInSe2/ZnS, InP/CdS, InP/ZnS, InZnP/ZnS, InP/ZnSeS, InP/ZnSe, InP/CdZnS, CdSe/CdZnS/ZnS, CdSe/ZnS/CdZnS, CdSe/CdS/ZnS, CdSe/CdS/CdZnS, CdSe/ZnSe/ZnS, CdSeS/CdS/ZnS, CdSeS/CdS/CdZnS, CdSeS/CdZnS/ZnS, CdSeS/ZnSe/ZnS, CdSeS/ZnSe/CdZnS, CdSeS/ZnS/CdZnS, CdSe/ZnS/CdS, CdSeS/ZnS/CdS, CdSe/ZnSe/CdZnS, InP/ZnSe/ZnS, InP/CdS/ZnSe/ZnS, InP/CdS/ZnS, InP/ZnS/CdS, InP/GaP/ZnS, InP/GaP/ZnSe, InP/CdZnS/ZnS, InP/ZnS/CdZnS, InP/CdS/CdZnS, InP/ZnSe/CdZnS, InP/ZnS/ZnSe, InP/GaP/ZnSe/ZnS, InP/ZnS/ZnSe/ZnS, nanoplaquetas o puntos cuánticos.
Ejemplo 2: Ligandos de intercambio para la transferencia de fase en solución acuosa básica
Se mezclaron 100 pL de nanoplaquetas de CdSe/CdZnS suspendidas en heptano con ácido 3-mercaptopropiónico y se calentaron a 60°C durante varias horas. A continuación, las nanoplaquetas se precipitaron por centrifugación y se volvieron a dispersar en dimetilformamida. Se añadió tert-butóxido de potasio a la solución antes de añadir etanol y centrifugar. Las nanopartículas coloidales finales se redispersaron en agua.
Ejemplo 3: Ligandos de intercambio para la transferencia de fase en solución acuosa ácida
Se mezclaron 100 pL de nanoplaquetas de CdSe/CdZnS suspendidas en una solución acuosa básica con etanol y se centrifugaron. Se solubilizó un polímero a base de PEG en agua y se añadió a las nanoplaquetas precipitadas. Se disolvió ácido acético en la suspensión coloidal para controlar el pH ácido.
Ejemplo 4: Preparación de partículas compuestas a partir de una solución acuosa básica - CdSe/CdZnS@SiO2
Se mezclaron 100 pL de nanoplaquetas de CdSe/CdZnS suspendidas en una solución acuosa básica con una solución acuosa básica de TEOS al 0.13M previamente hidrolizada durante 24 horas, y se cargaron en un equipo de secado por pulverización. La mezcla líquida se pulverizó hacia un horno tubular calentado a una temperatura que oscilaba entre el punto de ebullición del disolvente y 1000°C con un flujo de nitrógeno. Las partículas compuestas se recogieron en la superficie de un filtro.
Fig. 10 A-B muestra imágenes TEM de las partículas resultantes.
Fig. 11 A muestra la isoterma de adsorción de N2 de las partículas resultantes. Dichas partículas resultantes son porosas.
El mismo procedimiento se llevó a cabo sustituyendo las nanoplaquetas de CdSe/CdZnS por CdSe, CdS, CdTe, CdSe/CdS, CdSe/ZnS, CdSe/CdZnS, CdS/CdZnS, CdTe/ZnS, CdTe/CdZnS, CdSeS/ZnS, CdSeS/CdS, CdSeS/CdZnS, CuInS2/ZnS, CuInSe2/ZnS, InP/CdS, InP/ZnS, InZnP/ZnS, InP/ZnSeS, InP/ZnSe, InP/CdZnS, CdSe/CdZnS/ZnS, CdSe/ZnS/CdZnS, CdSe/CdS/ZnS, CdSe/CdS/CdZnS, CdSe/ZnS/ZnS, CdSeS/CdS/ZnS, CdSeS/CdS/CdZnS, CdSeS/CdZnS/ZnS, CdSeS/ZnSe/ZnS, CdSeS/ZnSe/CdZnS, CdSeS/ZnS/CdZnS, CdSe/ZnS/CdS, CdSeS/ZnS/CdS, CdSe/ZnSe/CdZnS, InP/ZnSe/ZnS, InP/CdS/ZnSe/ZnS, InP/CdS/ZnS, InP/ZnS/CdS, InP/GaP/ZnS, InP/GaP/ZnSe, InP/CdZnS/ZnS, InP/ZnS/CdZnS, InP/CdS/CdZnS, InP/ZnSe/CdZnS, InP/ZnS/ZnSe, InP/GaP/ZnSe/ZnS, InP/ZnS/ZnS, nanoplaquetas o puntos cuánticos, o una mezcla de ellos.
El mismo procedimiento se llevó a cabo sustituyendo las nanoplaquetas de CdSe/CdZnS por nanopartículas orgánicas, nanopartículas inorgánicas como nanopartículas metálicas, nanopartículas de haluro, nanopartículas de calcogenuro, nanopartículas de fosfuro, nanopartículas de sulfuro nanopartículas de metaloides, nanopartículas de aleaciones metálicas, nanopartículas de fósforo, nanopartículas de perovskita, nanopartículas de cerámica como, por ejemplo, nanopartículas de óxido, nanopartículas de carburo, nanopartículas de nitruro, o una mezcla de las mismas.
Ejemplo 5: Preparación de partículas compuestas a partir de una solución acuosa ácida - CdSe/CdZnS@SiO2
Se mezclaron 100 pL de nanoplaquetas de CdSe/CdZnS suspendidas en una solución acuosa ácida con una solución acuosa ácida de TEOS al 0.13M previamente hidrolizada durante 24 horas, y se cargaron en un equipo de secado por pulverización. La mezcla líquida se pulverizó hacia un horno tubular calentado a una temperatura que oscilaba entre el punto de ebullición del disolvente y 1000°C con un flujo de nitrógeno. Las partículas compuestas se recogieron en la superficie de un filtro.
Fig. 11 A muestra la isoterma de adsorción de N2 de las partículas resultantes. Dichas partículas resultantes no son porosas.
El mismo procedimiento se llevó a cabo sustituyendo las nanoplaquetas de CdSe/CdZnS por CdSe, CdS, CdTe, CdSe/CdS, CdSe/ZnS, CdSe/CdZnS, CdS/CdZnS, CdTe/ZnS, CdTe/CdZnS, CdSeS/ZnS, CdSeS/CdS, CdSeS/CdZnS, CuInS2/ZnS, CuInSe2/ZnS, InP/CdS, InP/ZnS, InZnP/ZnS, InP/ZnSeS, InP/ZnSe, InP/CdZnS, CdSe/CdZnS/ZnS, CdSe/ZnS/CdZnS, CdSe/CdS/ZnS, CdSe/CdS/CdZnS, CdSe/ZnS/ZnS, CdSeS/CdS/ZnS, CdSeS/CdS/CdZnS, CdSeS/CdZnS/ZnS, CdSeS/ZnSe/ZnS, CdSeS/ZnSe/CdZnS, CdSeS/ZnS/CdZnS, CdSe/ZnS/CdS, CdSeS/ZnS/CdS, CdSe/ZnSe/CdZnS, InP/ZnSe/ZnS, InP/CdS/ZnSe/ZnS, InP/CdS/ZnS, InP/ZnS/CdS, InP/GaP/ZnS, InP/GaP/ZnSe, InP/CdZnS/ZnS, InP/ZnS/CdZnS, InP/CdS/CdZnS, InP/ZnSe/CdZnS, InP/ZnS/ZnSe, InP/GaP/ZnSe/ZnS, InP/ZnS/ZnS, nanoplaquetas o puntos cuánticos, o una mezcla de ellos.
El mismo procedimiento se llevó a cabo sustituyendo las nanoplaquetas de CdSe/CdZnS por nanopartículas orgánicas, nanopartículas inorgánicas como nanopartículas metálicas, nanopartículas de haluro, nanopartículas de calcogenuro, nanopartículas de fosfuro, nanopartículas de sulfuro nanopartículas de metaloides, nanopartículas de aleaciones metálicas, nanopartículas de fósforo, nanopartículas de perovskita, nanopartículas cerámicas como, por ejemplo, nanopartículas de óxido, nanopartículas de carburo, nanopartículas de nitruro, o una mezcla de ellas.
Ejemplo 6: Preparación de partículas compuestas a partir de una solución acuosa básica con heteroelementos -CdSe/CdZnS@SixCdyZnzOw
Se mezclaron 100 pL de nanoplaquetas de CdSe/CdZnS suspendidas en una solución acuosa ácida con una solución acuosa ácida de TEOS al 0.13M previamente hidrolizada durante 24 horas en presencia de acetato de cadmio al 0.01M y óxido de zinc al 0.01M, y luego se cargaron en un equipo de secado por pulverización. La mezcla líquida se pulverizó hacia un horno tubular calentado a una temperatura que oscilaba entre el punto de ebullición del disolvente y 1000°C con un flujo de nitrógeno. Las partículas compuestas se recogieron en la superficie de un filtro.
El mismo procedimiento se llevó a cabo sustituyendo las nanoplaquetas de CdSe/CdZnS por CdSe, CdS, CdTe, CdSe/CdS, CdSe/ZnS, CdSe/CdZnS, CdS/CdZnS, CdTe/ZnS, CdTe/CdZnS, CdSeS/ZnS, CdSeS/CdS, CdSeS/CdZnS, CuInS2/ZnS, CuInSe2/ZnS, InP/CdS, InP/ZnS, InZnP/ZnS, InP/ZnSeS, InP/ZnSe, InP/CdZnS, CdSe/CdZnS/ZnS, CdSe/ZnS/CdZnS, CdSe/CdS/ZnS, CdSe/CdS/CdZnS, CdSe/ZnS/ZnS, CdSeS/CdS/ZnS, CdSeS/CdS/CdZnS, CdSeS/CdZnS/ZnS, CdSeS/ZnSe/ZnS, CdSeS/ZnSe/CdZnS, CdSeS/ZnS/CdZnS, CdSe/ZnS/CdS, CdSeS/ZnS/CdS, CdSe/ZnSe/CdZnS, InP/ZnSe/ZnS, InP/CdS/ZnSe/ZnS, InP/CdS/ZnS, InP/ZnS/CdS, InP/GaP/ZnS, InP/GaP/ZnSe, InP/CdZnS/ZnS, InP/ZnS/CdZnS, InP/CdS/CdZnS, InP/ZnSe/CdZnS, InP/ZnS/ZnSe, InP/GaP/ZnSe/ZnS, InP/ZnS/ZnS, nanoplaquetas o puntos cuánticos, o una mezcla de ellos.
El mismo procedimiento se llevó a cabo sustituyendo las nanoplaquetas de CdSe/CdZnS por nanopartículas orgánicas, nanopartículas inorgánicas como nanopartículas metálicas, nanopartículas de haluro, nanopartículas de calcogenuro, nanopartículas de fosfuro, nanopartículas de sulfuro nanopartículas de metaloides, nanopartículas de aleaciones metálicas, nanopartículas de fósforo, nanopartículas de perovskita, nanopartículas de cerámica como, por ejemplo, nanopartículas de óxido, nanopartículas de carburo, nanopartículas de nitruro, o una mezcla de las mismas.
Ejemplo 7: Preparación de partículas compuestas a partir de una solución orgánica y una solución acuosa -CdSe/CdZnS@Al2Oa
Se mezclaron 100 pL de nanoplaquetas de CdSe/CdZnS suspendidas en heptano con tri-butóxido de aluminio y 5 mL de pentano, y se cargaron en un equipo de secado por pulverización. Por otro lado, se preparó una solución acuosa básica y se cargó en el mismo equipo de secado por pulverización, pero en un lugar diferente al de la primera solución de heptano. Los dos líquidos se pulverizaron simultáneamente hacia un horno tubular calentado a una temperatura que oscilaba entre el punto de ebullición del disolvente y 1000°C con un flujo de nitrógeno. Las partículas compuestas se recogieron en la superficie de un filtro.
Fig. 10 C muestra imágenes TEM de las partículas resultantes.
Fig. 11 B muestra las isotermas de adsorción de N2 para las partículas obtenidas tras calentar las gotas a 150°C, 300°C y 550°C. El aumento de la temperatura de calentamiento provoca una pérdida de la porosidad. Así, las partículas obtenidas por calentamiento a 150°C son porosas, mientras que las obtenidas por calentamiento a 300°C y 550°C no son porosas.
El mismo procedimiento se llevó a cabo sustituyendo las nanoplaquetas de CdSe/CdZnS por CdSe, CdS, CdTe, CdSe/CdS, CdSe/ZnS, CdSe/CdZnS, CdS/CdZnS, CdTe/ZnS, CdTe/CdZnS, CdSeS/ZnS, CdSeS/CdS, CdSeS/CdZnS, CuInS2/ZnS, CuInSe2/ZnS, InP/CdS, InP/ZnS, InZnP/ZnS, InP/ZnSeS, InP/ZnSe, InP/CdZnS, CdSe/CdZnS/ZnS, CdSe/ZnS/CdZnS, CdSe/CdS/ZnS, CdSe/CdS/CdZnS, CdSe/ZnS/ZnS, CdSeS/CdS/ZnS, CdSeS/CdS/CdZnS, CdSeS/CdZnS/ZnS, CdSeS/ZnSe/ZnS, CdSeS/ZnSe/CdZnS, CdSeS/ZnS/CdZnS, CdSe/ZnS/CdS, CdSeS/ZnS/CdS, CdSe/ZnSe/CdZnS, InP/ZnSe/ZnS, InP/CdS/ZnSe/ZnS, InP/CdS/ZnS, InP/ZnS/CdS, InP/GaP/ZnS, InP/GaP/ZnSe, InP/CdZnS/ZnS, InP/ZnS/CdZnS, InP/CdS/CdZnS, InP/ZnSe/CdZnS, InP/ZnS/ZnSe, InP/GaP/ZnSe/ZnS, InP/ZnS/ZnS, nanoplaquetas o puntos cuánticos, o una mezcla de ellos.
El mismo procedimiento se llevó a cabo sustituyendo las nanoplaquetas de CdSe/CdZnS por nanopartículas orgánicas, nanopartículas inorgánicas como nanopartículas metálicas, nanopartículas de haluro, nanopartículas de calcogenuro, nanopartículas de fosfuro, nanopartículas de sulfuro nanopartículas de metaloides, nanopartículas de aleaciones metálicas, nanopartículas de fósforo, nanopartículas de perovskita, nanopartículas cerámicas como, por ejemplo, nanopartículas de óxido, nanopartículas de carburo, nanopartículas de nitruro, o una mezcla de ellas.
El mismo procedimiento se llevó a cabo sustituyendo el A^O3 por ZnTe, SO 2, T O 2, HfO2, ZnSe, ZnO, ZnS o MgO, o una mezcla de ellos. La temperatura de reacción del procedimiento anterior se adapta en función del material inorgánico elegido.
El mismo procedimiento se llevó a cabo sustituyendo A^O3 por un material metálico, un material de haluro, un material de calcogenuro, un material de fosfuro, un material de sulfuro, un material de metaloide, un material de aleación metálica, un material cerámico como, por ejemplo, un óxido, un carburo, un nitruro, un vidrio, un esmalte, una cerámica, una piedra, una piedra preciosa, un pigmento, un cemento y/o un polímero inorgánico, o una mezcla de éstos. La temperatura de reacción del procedimiento anterior se adapta en función del material inorgánico elegido.
Ejemplo 8: Preparación de partículas compuestas a partir de una solución orgánica y una solución acuosa -InP/ZnS@Al2O3
Se mezclaron 4 mL de nanopartículas de InP/ZnS suspendidas en heptano con tri-butóxido de aluminio y 400 mL de heptano, y se cargaron en un equipo de secado por pulverización. Por otro lado, se preparó una solución acuosa ácida y se cargó en el mismo equipo de secado por pulverización, pero en un lugar diferente al de la primera solución de hexano. Los dos líquidos se pulverizaron simultáneamente con dos medios diferentes para formar gotas hacia un horno tubular calentado a una temperatura que oscilaba entre el punto de ebullición del disolvente y 1000°C con un flujo de nitrógeno. Las partículas compuestas se recogieron en la superficie de un filtro.
El mismo procedimiento se llevó a cabo sustituyendo las nanopartículas InP/ZnS por CdSe, CdS, CdTe, CdSe/CdS, CdSe/ZnS, CdSe/CdZnS, CdS/ZnS, CdS/CdZnS, CdTe/ZnS, CdTe/CdZnS, CdSe/CdZnS, CdSeS/ZnS, CdSeS/CdS, CdSeS/CdZnS, CuInS2/ZnS, CuInSe2/ZnS, InP/CdS, InP/ZnS, InZnP/ZnS, InP/ZnSeS, InP/ZnSe, InP/CdZnS, CdSe/CdZnS/ZnS, CdSe/ZnS/CdZnS, CdSe/CdS/ZnS, CdSe/CdS/CdZnS, CdSe/ZnS/ZnS, CdSeS/CdS/ZnS, CdSeS/CdS/CdZnS, CdSeS/CdZnS/ZnS, CdSeS/ZnSe/ZnS, CdSeS/ZnSe/CdZnS, CdSeS/ZnS/CdZnS, CdSe/ZnS/CdS, CdSeS/ZnS/CdS, CdSe/ZnSe/CdZnS, InP/ZnSe/ZnS, InP/CdS/ZnSe/ZnS, InP/CdS/ZnS, InP/ZnS/CdS, InP/GaP/ZnS, InP/GaP/ZnSe, InP/CdZnS/ZnS, InP/ZnS/CdZnS, InP/CdS/CdZnS, InP/ZnSe/CdZnS, InP/ZnS/ZnSe, InP/GaP/ZnSe/ZnS, InP/ZnS/ZnS, nanoplaquetas o puntos cuánticos, o una mezcla de ellos.
El mismo procedimiento se llevó a cabo sustituyendo las nanoplaquetas de CdSe/CdZnS por nanopartículas orgánicas, nanopartículas inorgánicas como nanopartículas metálicas, nanopartículas de haluro, nanopartículas de calcogenuro, nanopartículas de fosfuro, nanopartículas de sulfuro nanopartículas de metaloides, nanopartículas de aleaciones metálicas, nanopartículas de fósforo, nanopartículas de perovskita, nanopartículas de cerámica como, por ejemplo, nanopartículas de óxido, nanopartículas de carburo, nanopartículas de nitruro, o una mezcla de las mismas.
El mismo procedimiento se llevó a cabo sustituyendo A^O3 por S O 2, TO 2, HfO2, ZnTe, ZnSe, ZnO, ZnS o MgO, o una mezcla de ellos. La temperatura de reacción del procedimiento anterior se adapta en función del material inorgánico elegido.
El mismo procedimiento se llevó a cabo sustituyendo A^O3 por un material metálico, un material de haluro, un material de calcogenuro, un material de fosfuro, un material de sulfuro, un material de metaloide, un material de aleación metálica, un material cerámico como, por ejemplo, un óxido, un carburo, un nitruro, un vidrio, un esmalte, una cerámica, una piedra, una piedra preciosa, un pigmento, un cemento y/o un polímero inorgánico, o una mezcla de éstos. La temperatura de reacción del procedimiento anterior se adapta en función del material inorgánico elegido.
Ejemplo 9 (no según la invención): Preparación de partículas compuestas a partir de una solución orgánica y una solución acuosa - CH5N2-PbBr3@A^O3
Se mezclaron 100 pL de nanopartículas de CH5N2-PbBr3 suspendidas en hexano con tri-butóxido de aluminio y 5 mL de hexano, y luego se cargaron en un equipo de secado por aspersión. Por otro lado, se preparó una solución acuosa ácida y se cargó en el mismo equipo de secado por pulverización, pero en un lugar diferente al de la primera solución de hexano. Los dos líquidos se pulverizaron simultáneamente con dos medios diferentes para formar gotas hacia un horno tubular calentado a una temperatura que oscilaba entre el punto de ebullición del disolvente y 1000°C con un flujo de nitrógeno. Las partículas compuestas se recogieron en la superficie de un filtro.
El mismo procedimiento se llevó a cabo sustituyendo A^O3 por SiO2, TiO2, HfO2, ZnTe, ZnSe, ZnO, ZnS o MgO, o una mezcla de ellos. La temperatura de reacción del procedimiento anterior se adapta en función del material inorgánico elegido.
El mismo procedimiento se llevó a cabo sustituyendo A^O3 por un material metálico, un material de haluro, un material de calcogenuro, un material de fosfuro, un material de sulfuro, un material de metaloide, un material de aleación metálica, un material cerámico como, por ejemplo, un óxido, un carburo, un nitruro, un vidrio, un esmalte, una cerámica, una piedra, una piedra preciosa, un pigmento, un cemento y/o un polímero inorgánico, o una mezcla de éstos. La temperatura de reacción del procedimiento anterior se adapta en función del material inorgánico elegido.
Ejemplo 10: Preparación de partículas compuestas a partir de una solución orgánica y una solución acuosa -CdSe/CdZnS-Au@SiO2
Por un lado, se mezclaron 100 pL de nanopartículas de oro y 100 pL de nanoplaquetas de CdSe/CdZnS suspendidas en una solución acuosa ácida con una solución acuosa ácida de TEOS al 0.13M previamente hidrolizada durante 24 horas, y luego se cargaron en un equipo de secado por pulverización. La supensión se pulverizó hacia un horno tubular calentado a una temperatura que oscilaba entre el punto de ebullición del disolvente y 1000°C con un flujo de nitrógeno. Las partículas compuestas se recogieron en la superficie de un sustrato de GaN. A continuación, el sustrato de GaN con las partículas compuestas depositadas se cortó en trozos de 1 mm x 1 mm y se conectó eléctricamente para obtener un LED que emitiera una mezcla de la luz azul y la luz emitida por las nanopartículas fluorescentes.
El mismo procedimiento se llevó a cabo sustituyendo las nanoplaquetas de CdSe/CdZnS por CdSe, CdS, CdTe, CdSe/CdS, CdSe/ZnS, CdSe/CdZnS, CdS/CdZnS, CdTe/ZnS, CdTe/CdZnS, CdSeS/ZnS, CdSeS/CdS, CdSeS/CdZnS, CuInS2/ZnS, CuInSe2/ZnS, InP/CdS, InP/ZnS, InZnP/ZnS, InP/ZnSeS, InP/ZnSe, InP/CdZnS, CdSe/CdZnS/ZnS, CdSe/ZnS/CdZnS, CdSe/CdS/ZnS, CdSe/CdS/CdZnS, CdSe/ZnS/ZnS, CdSeS/CdS/ZnS, CdSeS/CdS/CdZnS, CdSeS/CdZnS/ZnS, CdSeS/ZnSe/ZnS, CdSeS/ZnSe/CdZnS, CdSeS/ZnS/CdZnS, CdSe/ZnS/CdS, CdSeS/ZnS/CdS, CdSe/ZnSe/CdZnS, InP/ZnSe/ZnS, InP/CdS/ZnSe/ZnS, InP/CdS/ZnS, InP/ZnS/CdS, InP/GaP/ZnS, InP/GaP/ZnSe, InP/CdZnS/ZnS, InP/ZnS/CdZnS, InP/CdS/CdZnS, InP/ZnSe/CdZnS, InP/ZnS/ZnSe, InP/GaP/ZnSe/ZnS, InP/ZnS/ZnS, nanoplaquetas o puntos cuánticos, o una mezcla de ellos.
El mismo procedimiento se llevó a cabo sustituyendo las nanoplaquetas de CdSe/CdZnS por nanopartículas orgánicas, nanopartículas inorgánicas como nanopartículas metálicas, nanopartículas de haluro, nanopartículas de calcogenuro, nanopartículas de fosfuro, nanopartículas de sulfuro nanopartículas de metaloides, nanopartículas de aleaciones metálicas, nanopartículas de fósforo, nanopartículas de perovskita, nanopartículas de cerámica como, por ejemplo, nanopartículas de óxido, nanopartículas de carburo, nanopartículas de nitruro, o una mezcla de las mismas.
El mismo procedimiento se llevó a cabo sustituyendo el SiO2 por AhO3, T O 2, HfO2, ZnTe, ZnSe, ZnO, ZnS o MgO, o una mezcla de ellos. La temperatura de reacción del procedimiento anterior se adapta en función del material inorgánico elegido.
El mismo procedimiento se llevó a cabo sustituyendo el SO 2 por un material metálico, un material de haluro, un material de calcogenuro, un material de fosfuro, un material de sulfuro, un material de metaloide, un material de aleación metálica, un material cerámico como, por ejemplo, un óxido, un carburo, un nitruro, un vidrio, un esmalte, una cerámica, una piedra, una piedra preciosa, un pigmento, un cemento y/o un polímero inorgánico, o una mezcla de éstos. La temperatura de reacción del procedimiento anterior se adapta en función del material inorgánico elegido.
Ejemplo 11: Preparación de partículas compuestas a partir de una solución orgánica y una solución acuosa -Fe3O4@Al2O3-CdSe/CdZnS@SiO2
Por un lado, se mezclaron 100 pL de nanopartículas de Fe3O4 suspendidas en una solución acuosa ácida con una solución acuosa ácida de TEOS al 0.13M previamente hidrolizada durante 24 horas. Por otro lado, se mezclaron 100 pL de nanoplaquetas de CdSe/CdZnS suspendidas en heptano con tri-butóxido de aluminio y 5 mL de heptano, y luego se cargaron en el mismo montaje de pulverización, pero en un lugar diferente al de la primera solución acuosa. Los dos líquidos se pulverizaron simultáneamente con dos medios diferentes para formar gotas hacia un horno tubular calentado a una temperatura que oscilaba entre el punto de ebullición del disolvente y 1000°C con un flujo de nitrógeno. Las partículas compuestas se recogieron en la superficie de un filtro. Las partículas compuestas comprenden un núcleo de sílice que contiene nanopartículas de Fe3O4 y una capa de alúmina que contiene nanoplaquetas de CdSe/CdZnS.
El mismo procedimiento se llevó a cabo sustituyendo las nanoplaquetas de CdSe/CdZnS por CdSe, CdS, CdTe, CdSe/CdS, CdSe/ZnS, CdSe/CdZnS, CdS/CdZnS, CdTe/ZnS, CdTe/CdZnS, CdSeS/ZnS, CdSeS/CdS, CdSeS/CdZnS, CuInS2/ZnS, CuInSe2/ZnS, InP/CdS, InP/ZnS, InZnP/ZnS, InP/ZnSeS, InP/ZnSe, InP/CdZnS, CdSe/CdZnS/ZnS, CdSe/ZnS/CdZnS, CdSe/CdS/ZnS, CdSe/CdS/CdZnS, CdSe/ZnS/ZnS, CdSeS/CdS/ZnS, CdSeS/CdS/CdZnS, CdSeS/CdZnS/ZnS, CdSeS/ZnSe/ZnS, CdSeS/ZnSe/CdZnS, CdSeS/ZnS/CdZnS, CdSe/ZnS/CdS, CdSeS/ZnS/CdS, CdSe/ZnSe/CdZnS, InP/ZnSe/ZnS, InP/CdS/ZnSe/ZnS, InP/CdS/ZnS, InP/ZnS/CdS, InP/GaP/ZnS, InP/GaP/ZnSe, InP/CdZnS/ZnS, InP/ZnS/CdZnS, InP/CdS/CdZnS, InP/ZnSe/CdZnS, InP/ZnS/ZnSe, InP/GaP/ZnSe/ZnS, InP/ZnS/ZnS, nanoplaquetas o puntos cuánticos, o una mezcla de ellos.
El mismo procedimiento se llevó a cabo sustituyendo las nanoplaquetas CdSe/CdZnS por nanopartículas orgánicas, nanopartículas inorgánicas como nanopartículas metálicas, nanopartículas de haluro, nanopartículas de calcogenuro, nanopartículas de fosfuro, nanopartículas de sulfuro nanopartículas de metaloides, nanopartículas de aleaciones metálicas, nanopartículas de fósforo, nanopartículas de perovskita, nanopartículas de cerámica como, por ejemplo, nanopartículas de óxido, nanopartículas de carburo, nanopartículas de nitruro, o una mezcla de las mismas.
El mismo procedimiento se llevó a cabo sustituyendo A^O3 y/o SiO2 por TiO2, SiO2, A^O3, HfO2, ZnTe, ZnSe, ZnO, ZnS o MgO, o una mezcla de éstos. La temperatura de reacción del procedimiento anterior se adapta en función del material inorgánico elegido.
El mismo procedimiento se llevó a cabo sustituyendo AI2O3 y/o el SÍO2 por un material metálico, un material de haluro, un material de calcogenuro, un material de fosfuro, un material de sulfuro, un material de metaloide, un material de aleación metálica, un material cerámico como, por ejemplo, un óxido, un carburo, un nitruro, un vidrio, un esmalte, una cerámica, una piedra, una piedra preciosa, un pigmento, un cemento y/o un polímero inorgánico, o una mezcla de éstos. La temperatura de reacción del procedimiento anterior se adapta en función del material inorgánico elegido.
Ejemplo 12: Preparación de partículas compuestas a partir de una solución orgánica y una solución acuosa -nanoplaquetas de CdS/ZnS@A^O3
Se mezclaron 4 mL de nanoplaquetas de CdS/ZnS suspendidas en heptano con tri-butóxido de aluminio y 400 mL de heptano, y luego se cargaron en un equipo de secado por aspersión. Por otro lado, se preparó una solución acuosa ácida y se cargó en el mismo equipo de secado por pulverización, pero en un lugar diferente al de la primera solución de hexano. Los dos líquidos se pulverizaron simultáneamente con dos medios diferentes para formar gotas hacia un horno tubular calentado a una temperatura que oscilaba entre el punto de ebullición del disolvente y 1000°C con un flujo de nitrógeno. Las partículas compuestas se recogieron en la superficie de un filtro.
El mismo procedimiento se llevó a cabo sustituyendo las nanoplaquetas de CdS/ZnS por CdSe, CdS, CdTe, CdSe/CdS, CdSe/ZnS, CdSe/CdZnS, CdS/CdZnS, CdTe/ZnS, CdSe/CdZnS, CdTe/CdZnS, CdSeS/ZnS, CdSeS/CdS, CdSeS/CdZnS, CuInS2/ZnS, CuInSe2/ZnS, InP/CdS, InP/ZnS, InZnP/ZnS, InP/ZnSeS, InP/ZnSe, InP/CdZnS, CdSe/CdZnS/ZnS, CdSe/ZnS/CdZnS, CdSe/CdS/ZnS, CdSe/CdS/CdZnS, CdSe/ZnS/ZnS, CdSeS/CdS/ZnS, CdSeS/CdS/CdZnS, CdSeS/CdZnS/ZnS, CdSeS/ZnSe/ZnS, CdSeS/ZnSe/CdZnS, CdSeS/ZnS/CdZnS, CdSe/ZnS/CdS, CdSeS/ZnS/CdS, CdSe/ZnSe/CdZnS, InP/ZnSe/ZnS, InP/CdS/ZnSe/ZnS, InP/CdS/ZnS, InP/ZnS/CdS, InP/GaP/ZnS, InP/GaP/ZnSe, InP/CdZnS/ZnS, InP/ZnS/CdZnS, InP/CdS/CdZnS, InP/ZnSe/CdZnS, InP/ZnS/ZnSe, InP/GaP/ZnSe/ZnS, InP/ZnS/ZnS, nanoplaquetas o puntos cuánticos, o una mezcla de ellos.
El mismo procedimiento se llevó a cabo sustituyendo las nanoplaquetas de CdSe/CdZnS por nanopartículas orgánicas, nanopartículas inorgánicas como nanopartículas metálicas, nanopartículas de haluro, nanopartículas de calcogenuro, nanopartículas de fosfuro, nanopartículas de sulfuro nanopartículas de metaloides, nanopartículas de aleaciones metálicas, nanopartículas de fósforo, nanopartículas de perovskita, nanopartículas de cerámica como, por ejemplo, nanopartículas de óxido, nanopartículas de carburo, nanopartículas de nitruro, o una mezcla de las mismas.
El mismo procedimiento se llevó a cabo sustituyendo A^O3 por S O 2, TO 2, HfO2, ZnTe, ZnSe, ZnO, ZnS o MgO, o una mezcla de ellos. La temperatura de reacción del procedimiento anterior se adapta en función del material inorgánico elegido.
El mismo procedimiento se llevó a cabo sustituyendo A^O3 por un material metálico, un material de haluro, un material de calcogenuro, un material de fosfuro, un material de sulfuro, un material de metaloide, un material de aleación metálica, un material cerámico como, por ejemplo, un óxido, un carburo, un nitruro, un vidrio, un esmalte, una cerámica, una piedra, una piedra preciosa, un pigmento, un cemento y/o un polímero inorgánico, o una mezcla de éstos. La temperatura de reacción del procedimiento anterior se adapta en función del material inorgánico elegido.
Ejemplo 13: Preparación de partículas compuestas a partir de una solución orgánica y una solución acuosa -InP/ZnS@SiO2
Se mezclaron 4 mL de nanopartículas de InP/ZnS suspendidas en una solución acuosa ácida con una solución acuosa ácida de TEOS al 0.13M previamente hidrolizada durante 24 horas, y luego se cargaron en un equipo de secado por pulverización. La suspensión se pulverizó para formar gotas hacia un horno tubular calentado a una temperatura que oscilaba entre el punto de ebullición del disolvente y 1000°C con un flujo de nitrógeno. Las partículas compuestas se recogieron en la superficie de un filtro.
Se realizó el mismo procedimiento sustituyendo las nanopartículas de InP/ZnS por CdSe, CdS, CdTe, CdSe/CdS, CdSe/ZnS, CdSe/CdZnS, CdS/ZnS, CdS/CdZnS, CdTe/ZnS, CdTe/CdZnS, CdSeS/ZnS, CdSeS/CdS, CdSeS/CdZnS, CuInS2/ZnS, CuInSe2/ZnS, CdSe/CdZnS, InP/CdS, InZnP/ZnS, InP/ZnSeS, InP/ZnSe, InP/CdZnS, CdSe/CdZnS/ZnS, CdSe/ZnS/CdZnS, CdSe/CdS/ZnS, CdSe/CdS/CdZnS, CdSe/ZnS/ZnS, CdSeS/CdS/ZnS, CdSeS/CdS/CdZnS, CdSeS/CdZnS/ZnS, CdSeS/ZnSe/ZnS, CdSeS/ZnSe/CdZnS, CdSeS/ZnS/CdZnS, CdSe/ZnS/CdS, CdSeS/ZnS/CdS, CdSe/ZnSe/CdZnS, InP/ZnSe/ZnS, InP/CdS/ZnSe/ZnS, InP/CdS/ZnS, InP/ZnS/CdS, InP/GaP/ZnS, InP/GaP/ZnSe, InP/CdZnS/ZnS, InP/ZnS/CdZnS, InP/CdS/CdZnS, InP/ZnSe/CdZnS, InP/ZnS/ZnSe, InP/GaP/ZnSe/ZnS, InP/ZnS/ZnS, nanoplaquetas o puntos cuánticos, o una mezcla de ellos.
El mismo procedimiento se llevó a cabo sustituyendo las nanoplaquetas de CdSe/CdZnS por nanopartículas orgánicas, nanopartículas inorgánicas como nanopartículas metálicas, nanopartículas de haluro, nanopartículas de calcogenuro, nanopartículas de fosfuro, nanopartículas de sulfuro nanopartículas de metaloides, nanopartículas de aleaciones metálicas, nanopartículas de fósforo, nanopartículas de perovskita, nanopartículas cerámicas como, por ejemplo, nanopartículas de óxido, nanopartículas de carburo, nanopartículas de nitruro, o una mezcla de ellas.
El mismo procedimiento se llevó a cabo sustituyendo el S O 2 por AhO3, T O 2, HfO2, ZnTe, ZnSe, ZnO, ZnS o MgO, o una mezcla de ellos. La temperatura de reacción del procedimiento anterior se adapta en función del material inorgánico elegido.
El mismo procedimiento se llevó a cabo sustituyendo el SiO2 por un material metálico, un material de haluro, un material de calcogenuro, un material de fosfuro, un material de sulfuro, un material de metaloide, un material de aleación metálica, un material cerámico como, por ejemplo, un óxido, un carburo, un nitruro, un vidrio, un esmalte, una cerámica, una piedra, una piedra preciosa, un pigmento, un cemento y/o un polímero inorgánico, o una mezcla de éstos. La temperatura de reacción del procedimiento anterior se adapta en función del material inorgánico elegido.
Ejemplo 14: Preparación de partículas a partir de una solución orgánica y una solución acuosa, seguida de un tratamiento de vapores de amoníaco - CdSe/CdZnS@ZnO
Se mezclaron 100 pL de nanoplaquetas de CdSe/CdZnS suspendidas en heptano con metoxietoxido de zinc y 5 mL de pentano, y luego se cargaron en un equipo de secado por pulverización como se describe en la invención. Por otro lado, se preparó una solución acuosa básica y se cargó en el mismo equipo de secado por pulverización, pero en un lugar diferente al de la primera solución de heptano. Por otro lado, se cargó una solución de hidróxido de amonio en el mismo sistema de secado por pulverización, entre el horno tubular y el filtro. Los dos primeros líquidos se pulverizaron mientras el tercero se calentaba a 35°C mediante un sistema de calentamiento externo para producir vapores de amoníaco, simultáneamente hacia un horno tubular calentado a una temperatura que iba desde el punto de ebullición del disolvente hasta 1000°C con un flujo de nitrógeno. Las partículas se recogieron en la superficie de un filtro.
El mismo procedimiento se llevó a cabo sustituyendo las nanoplaquetas de CdSe/CdZnS por CdSe, CdS, CdTe, CdSe/CdS, CdSe/ZnS, CdSe/CdZnS, CdS/CdZnS, CdTe/ZnS, CdTe/CdZnS, CdSeS/ZnS, CdSeS/CdS, CdSeS/CdZnS, CuInS2/ZnS, CuInSe2/ZnS, InP/CdS, InP/ZnS, InZnP/ZnS, InP/ZnSeS, InP/ZnSe, InP/CdZnS, CdSe/CdZnS/ZnS, CdSe/ZnS/CdZnS, CdSe/CdS/ZnS, CdSe/CdS/CdZnS, CdSe/ZnS/ZnS, CdSeS/CdS/ZnS, CdSeS/CdS/CdZnS, CdSeS/CdZnS/ZnS, CdSeS/ZnSe/ZnS, CdSeS/ZnSe/CdZnS, CdSeS/ZnS/CdZnS, CdSe/ZnS/CdS, CdSeS/ZnS/CdS, CdSe/ZnSe/CdZnS, InP/ZnSe/ZnS, InP/CdS/ZnSe/ZnS, InP/CdS/ZnS, InP/ZnS/CdS, InP/GaP/ZnS, InP/GaP/ZnSe, InP/CdZnS/ZnS, InP/ZnS/CdZnS, InP/CdS/CdZnS, InP/ZnSe/CdZnS, InP/ZnS/ZnSe, InP/GaP/ZnSe/ZnS, InP/ZnS/ZnS, nanoplaquetas o puntos cuánticos, o una mezcla de ellos.
El mismo procedimiento se llevó a cabo sustituyendo las nanoplaquetas CdSe/CdZnS por nanopartículas orgánicas, nanopartículas inorgánicas como nanopartículas metálicas, nanopartículas de haluro, nanopartículas de calcogenuro, nanopartículas de fosfuro, nanopartículas de sulfuro nanopartículas de metaloides, nanopartículas de aleaciones metálicas, nanopartículas de fósforo, nanopartículas de perovskita, nanopartículas de cerámica como, por ejemplo, nanopartículas de óxido, nanopartículas de carburo, nanopartículas de nitruro, o una mezcla de las mismas.
El mismo procedimiento se llevó a cabo sustituyendo el ZnO por SiO2, T O 2, HfO2, AhO3, ZnTe, ZnSe, ZnS o MgO, o una mezcla de ellos. La temperatura de reacción del procedimiento anterior se adapta en función del material inorgánico elegido.
El mismo procedimiento se llevó a cabo sustituyendo el ZnO por un material metálico, un material de haluro, un material de calcogenuro, un material de fosfuro, un material de sulfuro, un material de metaloide, un material de aleación metálica, un material cerámico como, por ejemplo, un óxido, un carburo, un nitruro, un vidrio, un esmalte, una cerámica, una piedra, una piedra preciosa, un pigmento, un cemento y/o un polímero inorgánico, o una mezcla de éstos. La temperatura de reacción del procedimiento anterior se adapta en función del material inorgánico elegido.
Ejemplo 15: Preparación de partículas a partir de una solución orgánica y una solución acuosa, seguida de un recubrimiento de capa adicional - CdSe/CdZnS@Al2O3@MgO
Se mezclaron 100 pL de nanoplaquetas de CdSe/CdZnS suspendidas en heptano con metoxietóxido de zinc y 5 mL de pentano, y luego se cargaron en un montaje de secado por pulverización como se describe en la invención. Por otro lado, se preparó una solución acuosa básica y se cargó en el mismo equipo de secado por pulverización, pero en un lugar diferente al de la primera solución de heptano. Los dos líquidos se pulverizaron simultáneamente hacia un horno tubular calentado a una temperatura que oscilaba entre el punto de ebullición del disolvente y 1000°C con un flujo de nitrógeno. Las partículas se dirigieron hacia un tubo donde se recubrió una capa de MgO adicional en la superficie de las partículas mediante un proceso de ALD, quedando dichas partículas suspendidas en el gas. Las partículas se recogieron finalmente en la pared interior del tubo donde se realizó el proceso de ALD.
El mismo procedimiento se llevó a cabo sustituyendo las nanoplaquetas de CdSe/CdZnS por CdSe, CdS, CdTe, CdSe/CdS, CdSe/ZnS, CdSe/CdZnS, CdS/CdZnS, CdTe/ZnS, CdTe/CdZnS, CdSeS/ZnS, CdSeS/CdS, CdSeS/CdZnS, CuInS2/ZnS, CuInSe2/ZnS, InP/CdS, InP/ZnS, InZnP/ZnS, InP/ZnSeS, InP/ZnSe, InP/CdZnS, CdSe/CdZnS/ZnS, CdSe/ZnS/CdZnS, CdSe/CdS/ZnS, CdSe/CdS/CdZnS, CdSe/ZnS/ZnS, CdSeS/CdS/ZnS, CdSeS/CdS/CdZnS, CdSeS/CdZnS/ZnS, CdSeS/ZnSe/ZnS, CdSeS/ZnSe/CdZnS, CdSeS/ZnS/CdZnS, CdSe/ZnS/CdS, CdSeS/ZnS/CdS, CdSe/ZnSe/CdZnS, InP/ZnSe/ZnS, InP/CdS/ZnSe/ZnS, InP/CdS/ZnS, InP/ZnS/CdS, InP/GaP/ZnS, InP/GaP/ZnSe, InP/CdZnS/ZnS, InP/ZnS/CdZnS, InP/CdS/CdZnS, InP/ZnSe/CdZnS, InP/ZnS/ZnSe, InP/GaP/ZnSe/ZnS, InP/ZnS/ZnS, nanoplaquetas o puntos cuánticos, o una mezcla de ellos.
El mismo procedimiento se llevó a cabo sustituyendo las nanoplaquetas de CdSe/CdZnS por nanopartículas orgánicas, nanopartículas inorgánicas como nanopartículas metálicas, nanopartículas de haluro, nanopartículas de calcogenuro, nanopartículas de fosfuro, nanopartículas de sulfuro nanopartículas de metaloides, nanopartículas de aleaciones metálicas, nanopartículas de fósforo, nanopartículas de perovskita, nanopartículas de cerámica como, por ejemplo, nanopartículas de óxido, nanopartículas de carburo, nanopartículas de nitruro, o una mezcla de las mismas.
Ejemplo 16: Preparación de partículas a partir de una solución orgánica y una solución acuosa - CdSe/CdZnS-Fe3O4@SiO2
Por un lado, 100 pL de nanopartículas de Fe3O4 y 100 pL de nanoplaquetas de CdSe/CdZnS suspendidas en una solución acuosa ácida se mezclaron con una solución acuosa ácida de TEOS al 0.13M previamente hidrolizada durante 24 horas, y luego se cargaron en un montaje de secado por aspersión como se describe en la invención. Por otro lado, se preparó una solución acuosa ácida y se cargó en el mismo montaje de secado por pulverización, pero en un lugar diferente al de la primera solución de heptano. Los dos líquidos se pulverizaron simultáneamente hacia un horno tubular calentado a una temperatura que oscilaba entre el punto de ebullición del disolvente y 1000°C con un flujo de nitrógeno. Las partículas se recogieron en la superficie de un filtro.
El mismo procedimiento se llevó a cabo sustituyendo las nanoplaquetas de CdSe/CdZnS por CdSe, CdS, CdTe, CdSe/CdS, CdSe/ZnS, CdSe/CdZnS, CdS/CdZnS, CdTe/ZnS, CdTe/CdZnS, CdSeS/ZnS, CdSeS/CdS, CdSeS/CdZnS, CuInS2/ZnS, CuInSe2/ZnS, InP/CdS, InP/ZnS, InZnP/ZnS, InP/ZnSeS, InP/ZnSe, InP/CdZnS, CdSe/CdZnS/ZnS, CdSe/ZnS/CdZnS, CdSe/CdS/ZnS, CdSe/CdS/CdZnS, CdSe/ZnS/ZnS, CdSeS/CdS/ZnS, CdSeS/CdS/CdZnS, CdSeS/CdZnS/ZnS, CdSeS/ZnSe/ZnS, CdSeS/ZnSe/CdZnS, CdSeS/ZnS/CdZnS, CdSe/ZnS/CdS, CdSeS/ZnS/CdS, CdSe/ZnSe/CdZnS, InP/ZnSe/ZnS, InP/CdS/ZnSe/ZnS, InP/CdS/ZnS, InP/ZnS/CdS, InP/GaP/ZnS, InP/GaP/ZnSe, InP/CdZnS/ZnS, InP/ZnS/CdZnS, InP/CdS/CdZnS, InP/ZnSe/CdZnS, InP/ZnS/ZnSe, InP/GaP/ZnSe/ZnS, InP/ZnS/ZnS, nanoplaquetas o puntos cuánticos, o una mezcla de ellos.
El mismo procedimiento se llevó a cabo sustituyendo las nanoplaquetas de CdSe/CdZnS por nanopartículas orgánicas, nanopartículas inorgánicas como nanopartículas metálicas, nanopartículas de haluro, nanopartículas de calcogenuro, nanopartículas de fosfuro, nanopartículas de sulfuro nanopartículas de metaloides, nanopartículas de aleaciones metálicas, nanopartículas de fósforo, nanopartículas de perovskita, nanopartículas de cerámica como, por ejemplo, nanopartículas de óxido, nanopartículas de carburo, nanopartículas de nitruro, o una mezcla de las mismas.
Ejemplo 17: Preparación de partículas núcleo/capa a partir de una solución orgánica y una solución acuosa - Au@A^O3 en el núcleo y CdSe/CdZnS@SiO2 en la capa
Por un lado, 100 pL de nanoplaquetas de CdSe/CdZnS suspendidas en una solución acuosa ácida se mezclaron con una solución acuosa ácida de TEOS al 0.13M previamente hidrolizada durante 24 horas, y luego se cargaron en un equipo de secado por aspersión como se describe en la invención. Por otro lado, se mezclaron 100 pL de nanopartículas de Au suspendidas en heptano con tri-butóxido de aluminio y 5 mL de heptano, y se cargaron en el mismo equipo de secado por pulverización, pero en un lugar diferente al de la primera solución acuosa. Los dos líquidos se pulverizaron simultáneamente hacia un horno tubular calentado a una temperatura que oscilaba entre el punto de ebullición del disolvente y 1000°C con un flujo de nitrógeno. Las partículas se recogieron en la superficie de un filtro. Las partículas comprenden un núcleo de alúmina que contiene nanopartículas de oro y una capa de sílice que contiene nanoplaquetas de CdSe/CdZnS.
El mismo procedimiento se llevó a cabo sustituyendo las nanoplaquetas de CdSe/CdZnS por CdSe, CdS, CdTe, CdSe/CdS, CdSe/ZnS, CdSe/CdZnS, CdS/CdZnS, CdTe/ZnS, CdTe/CdZnS, CdSeS/ZnS, CdSeS/CdS, CdSeS/CdZnS, CuInS2/ZnS, CuInSe2/ZnS, InP/CdS, InP/ZnS, InZnP/ZnS, InP/ZnSeS, InP/ZnSe, InP/CdZnS, CdSe/CdZnS/ZnS, CdSe/ZnS/CdZnS, CdSe/CdS/ZnS, CdSe/CdS/CdZnS, CdSe/ZnS/ZnS, CdSeS/CdS/ZnS, CdSeS/CdS/CdZnS, CdSeS/CdZnS/ZnS, CdSeS/ZnSe/ZnS, CdSeS/ZnSe/CdZnS, CdSeS/ZnS/CdZnS, CdSe/ZnS/CdS, CdSeS/ZnS/CdS, CdSe/ZnSe/CdZnS, InP/ZnSe/ZnS, InP/CdS/ZnSe/ZnS, InP/CdS/ZnS, InP/ZnS/CdS, InP/GaP/ZnS, InP/GaP/ZnSe, InP/CdZnS/ZnS, InP/ZnS/CdZnS, InP/CdS/CdZnS, InP/ZnSe/CdZnS, InP/ZnS/ZnSe, InP/GaP/ZnSe/ZnS, InP/ZnS/ZnS, nanoplaquetas o puntos cuánticos, o una mezcla de ellos.
El mismo procedimiento se llevó a cabo sustituyendo las nanoplaquetas de CdSe/CdZnS por nanopartículas orgánicas, nanopartículas inorgánicas como nanopartículas metálicas, nanopartículas de haluro, nanopartículas de calcogenuro, nanopartículas de fosfuro, nanopartículas de sulfuro nanopartículas de metaloides, nanopartículas de aleaciones metálicas, nanopartículas de fósforo, nanopartículas de perovskita, nanopartículas de cerámica como, por ejemplo, nanopartículas de óxido, nanopartículas de carburo, nanopartículas de nitruro, o una mezcla de las mismas.
Ejemplo 18: Preparación de partículas compuestas - nanopartículas de fósforo@SiO2
Las nanopartículas de fósforo se suspendieron en una solución acuosa básica y se mezclaron con una solución acuosa básica de TEOS al 0.13M previamente hidrolizada durante 24 horas, y luego se cargaron en un equipo de secado por pulverización. La mezcla líquida se pulverizó hacia un horno tubular calentado a una temperatura que oscilaba entre el punto de ebullición del disolvente y 1000°C con un flujo de nitrógeno. Las partículas compuestas se recogieron en la superficie de un filtro.
Las nanopartículas de fósforo utilizadas en este ejemplo fueron Nanopartículas de granate de itrio y aluminio (YAG, Y3Al5O-i2), nanopartículas de (Ca,Y)-a-SiAlON:Eu, nanopartículas de ((Y,Gd)3(Al,Ga)5O-i2:Ce), nanopartículas de CaAlSiN3:Eu, nanopartículas de fósforo a base de sulfuro, nanopartículas de PFS:Mn4+ (fluorosilicato de potasio).
Ejemplo 19: Preparación de partículas compuestas - nanopartículas de fósforo@Al2O3
Las nanopartículas de fósforo se suspendieron en heptano y se mezclaron con tri-butóxido de aluminio y 400 mL de heptano, y luego se cargaron en un equipo de secado por aspersión. Por otro lado, se preparó una solución acuosa ácida y se cargó en el mismo equipo de secado por pulverización, pero en un lugar diferente al de la primera solución de hexano. Los dos líquidos se pulverizaron simultáneamente con dos medios diferentes para formar gotas hacia un horno tubular calentado a una temperatura que oscilaba entre el punto de ebullición del disolvente y 1000°C con un flujo de nitrógeno. Las partículas compuestas se recogieron en la superficie de un filtro.
Las nanopartículas de fósforo utilizadas para este ejemplo fueron: Nanopartículas de granate de itrio y aluminio (YAG, Y3Al5O i2), nanopartículas de (Ca,Y)-a-SiAlON:Eu, nanopartículas de ((Y,Gd)3(Al,Ga)5O i2:Ce), nanopartículas de CaAlSiN3:Eu, nanopartículas de fósforo a base de sulfuro, nanopartículas de PFS:Mn4+ (fluorosilicato de potasio).
Ejemplo 20: Preparación de partículas compuestas - CdSe/CdZnS@HfO2
Se mezclaron 100 pL de nanoplaquetas de CdSe/CdZnS suspendidas en heptano (10mg/mL) con n-butóxido de hafnio y 5 mL de pentano, y se cargaron en un equipo de secado por pulverización. Por otro lado, se preparó una solución acuosa básica y se cargó en el mismo equipo de secado por pulverización, pero en un lugar diferente al de la primera solución de heptano. Los dos líquidos se pulverizaron simultáneamente hacia un horno tubular calentado a una temperatura que oscilaba entre el punto de ebullición del disolvente y 1000°C con un flujo de nitrógeno. Las partículas compuestas se recogieron en la superficie de un filtro.
El mismo procedimiento se llevó a cabo sustituyendo las nanoplaquetas de CdSe/CdZnS por CdSe, CdS, CdTe, CdSe/CdS, CdSe/ZnS, CdSe/CdZnS, CdS/CdZnS, CdTe/ZnS, CdTe/CdZnS, CdSeS/ZnS, CdSeS/CdS, CdSeS/CdZnS, CuInS2/ZnS, CuInSe2/ZnS, InP/CdS, InP/ZnS, InZnP/ZnS, InP/ZnSeS, InP/ZnSe, InP/CdZnS, CdSe/CdZnS/ZnS, CdSe/ZnS/CdZnS, CdSe/CdS/ZnS, CdSe/CdS/CdZnS, CdSe/ZnS/ZnS, CdSeS/CdS/ZnS, CdSeS/CdS/CdZnS, CdSeS/CdZnS/ZnS, CdSeS/ZnSe/ZnS, CdSeS/ZnSe/CdZnS, CdSeS/ZnS/CdZnS, CdSe/ZnS/CdS, CdSeS/ZnS/CdS, CdSe/ZnSe/CdZnS, InP/ZnSe/ZnS, InP/CdS/ZnSe/ZnS, InP/CdS/ZnS, InP/ZnS/CdS, InP/GaP/ZnS, InP/GaP/ZnSe, InP/CdZnS/ZnS, InP/ZnS/CdZnS, InP/CdS/CdZnS, InP/ZnSe/CdZnS, InP/ZnS/ZnSe, InP/GaP/ZnSe/ZnS, InP/ZnS/ZnS, nanoplaquetas o puntos cuánticos, o una mezcla de ellos.
El mismo procedimiento se llevó a cabo sustituyendo las nanoplaquetas de CdSe/CdZnS por nanopartículas orgánicas, nanopartículas inorgánicas como nanopartículas metálicas, nanopartículas de haluro, nanopartículas de calcogenuro, nanopartículas de fosfuro, nanopartículas de sulfuro nanopartículas de metaloides, nanopartículas de aleaciones metálicas, nanopartículas de fósforo, nanopartículas de perovskita, nanopartículas de cerámica como, por ejemplo, nanopartículas de óxido, nanopartículas de carburo, nanopartículas de nitruro, o una mezcla de las mismas.
Ejemplo 21 (no según la invención): Preparación de partículas compuestas - nanopartículas de fósforo@HfO2
Se mezclaron 1pm de nanopartículas de fósforo (véase la lista más abajo) suspendidas en heptano (10mg/mL) con nbutóxido de hafnio y 5 mL de pentano, y luego se cargaron en un equipo de secado por pulverización. Por otro lado, se preparó una solución acuosa y se cargó en el mismo equipo de secado por pulverización, pero en un lugar diferente al de la primera solución de heptano. Los dos líquidos se pulverizaron simultáneamente hacia un horno tubular calentado a una temperatura que oscilaba entre el punto de ebullición del disolvente y 1000°C con un flujo de nitrógeno. Las partículas resultantes de fósforo@HfO2 se recogieron en la superficie de un filtro.
Las nanopartículas de fósforo utilizadas para este ejemplo fueron: Nanopartículas de granate de itrio y aluminio (YAG, Y3Al5O12), nanopartículas de (Ca,Y)-a-SiAlON:Eu, nanopartículas de ((Y,Gd)3(Al,Ga)5O12:Ce), nanopartículas de CaAlSiN3:Eu, nanopartículas de fósforo a base de sulfuro, nanopartículas de PFS:Mn4+ (fluorosilicato de potasio).
Ejemplo 22: Preparación de partículas compuestas a partir de un precursor organometálico
Se mezclaron 100 pL de nanoplaquetas de CdSe/CdZnS suspendidas en heptano con un precursor organometálico seleccionado en el grupo siguiente en pentano bajo atmósfera controlada, y luego se cargaron en un equipo de secado por pulverización. Por otro lado, se preparó una solución acuosa y se cargó en el mismo equipo de secado por pulverización, pero en un lugar diferente al de la primera solución de heptano. Los dos líquidos se pulverizaron simultáneamente hacia un horno tubular calentado desde la temperatura ambiente hasta los 300°C con un flujo de nitrógeno. Las partículas compuestas se recogieron en la superficie de un filtro.
El procedimiento se llevó a cabo con un precursor organometálico seleccionado en el grupo que comprende: Al[N(SiMe3)2]3, trimetilaluminio, triisobutilaluminio, trioctilaluminio, trifenilaluminio, dimetilaluminio, trimetilcinc, dimetilcinc, Zn[(N(TMS)2]2, Zn[(CF3SO2)2N]2, Zn(Ph)2, Zn(CaF5)2, Zn(TMHD)2 (P-dicetonato), Hf[C5H4(CH3)fc(CH3)2, HfCH3(OCH3)[C5H4(CH3)]2, [[(CH3)3Si]2N]2HfCl2, (C5H5)2Hf(CH3)2, [(CH2CH3)2N]4Hf, [(CH3)2N]4Hf, [(CH3)2N]4Hf, [(CH3)(C2H5)N]4Hf, [(CH3)(C2H5)N]4Hf, 2,2',6,6'-tetrametil-3,5-heptanediona de circonio (Zr(THD)4), C^H^Zr, Zr(CH3C5H4)2CH3OCH3, C22H36Zr, [(C2H5)2N]4Zr, [(CH3)2N]4Zr, [(CH3)2N]4Zr, Zr(NCH3C2H5)4, Zr(NCH3C2H5)4, C18H32O6Zr, Zr(C8H15O2)4, Zr(OCC(CH3)3CHCOC(CH3)3)4, Mg(C5H5)2, o C20H30Mg, o una mezcla de ellos. La temperatura de reacción del procedimiento anterior se adapta en función del precursor organometálico elegido.
El mismo procedimiento se llevó a cabo sustituyendo las nanoplaquetas de CdSe/CdZnS por CdSe, CdS, CdTe, CdSe/CdS, CdSe/ZnS, CdSe/CdZnS, CdS/CdZnS, CdTe/ZnS, CdTe/CdZnS, CdSeS/ZnS, CdSeS/CdS, CdSeS/CdZnS, CuInS2/ZnS, CuInSe2/ZnS, InP/CdS, InP/ZnS, InZnP/ZnS, InP/ZnSeS, InP/ZnSe, InP/CdZnS, CdSe/CdZnS/ZnS, CdSe/ZnS/CdZnS, CdSe/CdS/ZnS, CdSe/CdS/CdZnS, CdSe/ZnS/ZnS, CdSeS/CdS/ZnS, CdSeS/CdS/CdZnS, CdSeS/CdZnS/ZnS, CdSeS/ZnSe/ZnS, CdSeS/ZnSe/CdZnS, CdSeS/ZnS/CdZnS, CdSe/ZnS/CdS, CdSeS/ZnS/CdS, CdSe/ZnSe/CdZnS, InP/ZnSe/ZnS, InP/CdS/ZnSe/ZnS, InP/CdS/ZnS, InP/ZnS/CdS, InP/GaP/ZnS, InP/GaP/ZnSe, InP/CdZnS/ZnS, InP/ZnS/CdZnS, InP/CdS/CdZnS, InP/ZnSe/CdZnS, InP/ZnS/ZnSe, InP/GaP/ZnSe/ZnS, InP/ZnS/ZnS, nanoplaquetas o puntos cuánticos, o una mezcla de ellos.
El mismo procedimiento se llevó a cabo sustituyendo las nanoplaquetas de CdSe/CdZnS por nanopartículas orgánicas, nanopartículas inorgánicas como nanopartículas metálicas, nanopartículas de haluro, nanopartículas de calcogenuro, nanopartículas de fosfuro, nanopartículas de sulfuro nanopartículas de metaloides, nanopartículas de aleaciones metálicas, nanopartículas de fósforo, nanopartículas de perovskita, nanopartículas de cerámica como, por ejemplo, nanopartículas de óxido, nanopartículas de carburo, nanopartículas de nitruro, o una mezcla de las mismas.
El mismo procedimiento se llevó a cabo sustituyendo el A^O3 por ZnO, TiO2, MgO, HfO2 o ZrO2, o una mezcla de ellos.
El mismo procedimiento se llevó a cabo sustituyendo el A^O3 por un material metálico, un material de haluro, un material de calcogenuro, un material de fosfuro, un material de sulfuro, un material de metaloide, un material de aleación metálica, un material cerámico como, por ejemplo, un óxido, un carburo, un nitruro, un vidrio, un esmalte, una cerámica, una piedra, una piedra preciosa, un pigmento, un cemento y/o un polímero inorgánico, o una mezcla de éstos.
El mismo procedimiento se llevó a cabo sustituyendo la solución acuosa por otro líquido o fuente de vapor de oxidación.
Ejemplo 23: Preparación de partículas compuestas a partir de un precursor organometálico - CdSe/CdZnS@ZnTe
Se mezclaron 100 pl de nanoplaquetas de CdSe/CdZnS suspendidas en heptano con dos precursores organometálicos pertenecientes al grupo siguiente en pentano bajo atmósfera inerte y luego se cargaron en un equipo de secado por pulverización. La suspensión se pulverizó hacia un horno tubular calentado desde RT hasta 300°C con un flujo de nitrógeno. Las partículas compuestas se recogieron en la superficie de un filtro.
El procedimiento se llevó a cabo con un primer precursor organometálico perteneciente al grupo: dimetil telururo, dietil telururo, diisopropil telururo, di-t-butil telururo, dialil telururo, metil alil telururo, dimetil seleniuro o dimetil azufre. La temperatura de reacción del procedimiento anterior se adapta en función del precursor organometálico elegido.
El procedimiento se llevó a cabo con un segundo precursor organometálico seleccionado en el grupo que comprende: dimetilcinc, trimetilcinc, dietilcinc, Zn[(N(TMS)2]2, Zn[(CF3SO2)2N]2, Zn(Ph)2, Zn(C6F5)2, o Zn(TMHD)2 (p-dicetonato). La temperatura de reacción del procedimiento anterior se adapta en función del precursor organometálico elegido.
El mismo procedimiento se llevó a cabo sustituyendo las nanoplaquetas de CdSe/CdZnS por CdSe, CdS, CdTe, CdSe/CdS, CdSe/ZnS, CdSe/CdZnS, CdS/CdZnS, CdTe/ZnS, CdTe/CdZnS, CdSeS/ZnS, CdSeS/CdS, CdSeS/CdZnS, CuInS2/ZnS, CuInSe2/ZnS, InP/CdS, InP/ZnS, InZnP/ZnS, InP/ZnSeS, InP/ZnSe, InP/CdZnS, CdSe/CdZnS/ZnS, CdSe/ZnS/CdZnS, CdSe/CdS/ZnS, CdSe/CdS/CdZnS, CdSe/ZnS/ZnS, CdSeS/CdS/ZnS, CdSeS/CdS/CdZnS, CdSeS/CdZnS/ZnS, CdSeS/ZnSe/ZnS, CdSeS/ZnSe/CdZnS, CdSeS/ZnS/CdZnS, CdSe/ZnS/CdS, CdSeS/ZnS/CdS, CdSe/ZnSe/CdZnS, InP/ZnSe/ZnS, InP/CdS/ZnSe/ZnS, InP/CdS/ZnS, InP/ZnS/CdS, InP/GaP/ZnS, InP/GaP/ZnSe, InP/CdZnS/ZnS, InP/ZnS/CdZnS, InP/CdS/CdZnS, InP/ZnSe/CdZnS, InP/ZnS/ZnSe, InP/GaP/ZnSe/ZnS, InP/ZnS/ZnS, nanoplaquetas o puntos cuánticos, o una mezcla de ellos.
El mismo procedimiento se llevó a cabo sustituyendo las nanoplaquetas CdSe/CdZnS por nanopartículas orgánicas, nanopartículas inorgánicas como nanopartículas metálicas, nanopartículas de haluro, nanopartículas de calcogenuro, nanopartículas de fosfuro, nanopartículas de sulfuro nanopartículas de metaloides, nanopartículas de aleaciones metálicas, nanopartículas de fósforo, nanopartículas de perovskita, nanopartículas de cerámica como, por ejemplo, nanopartículas de óxido, nanopartículas de carburo, nanopartículas de nitruro, o una mezcla de las mismas.
El mismo procedimiento se llevó a cabo sustituyendo ZnTe por ZnS o ZnSe, o una mezcla de ellos.
El mismo procedimiento se llevó a cabo sustituyendo el ZnTe por un material metálico, un material de haluro, un material de calcogenuro, un material de fosfuro, un material de sulfuro, un material de metaloide, un material de aleación metálica, un material cerámico como, por ejemplo, un óxido, un carburo, un nitruro, un vidrio, un esmalte, una cerámica, una piedra, una piedra preciosa, un pigmento, un cemento y/o un polímero inorgánico, o una mezcla de éstos.
Ejemplo 24: Preparación de partículas compuestas a partir de un precursor organometálico - CdSe/CdZnS@ZnS
Se mezclaron 100 pL de nanoplaquetas de CdSe/CdZnS suspendidas en heptano con un precursor organometálico seleccionado en el grupo siguiente en pentano bajo atmósfera inerte, y luego se cargaron en un equipo de secado por pulverización. Por otro lado, se introdujo una fuente de vapor de H2S en el mismo equipo de secado por pulverización. La suspensión se pulverizó hacia un horno tubular calentado desde RT hasta 300°C con un flujo de nitrógeno. Las partículas compuestas se recogieron en la superficie de un filtro.
El procedimiento se llevó a cabo con un precursor organometálico perteneciente al grupo: dimetilcinc, trimetilcinc, dietilcinc, Zn[(N(TMS)2]2, Zn[(CF3SO2)2N]2, Zn(Ph)2, Zn(C6F5)2, Zn(TMHD)2 (p-dicetonato), o una mezcla de éstos. La temperatura de reacción del procedimiento anterior se adapta en función del precursor organometálico elegido.
El mismo procedimiento se llevó a cabo sustituyendo las nanoplaquetas de CdSe/CdZnS por CdSe, CdS, CdTe, CdSe/CdS, CdSe/ZnS, CdSe/CdZnS, CdS/CdZnS, CdTe/ZnS, CdTe/CdZnS, CdSeS/ZnS, CdSeS/CdS, CdSeS/CdZnS, CuInS2/ZnS, CuInSe2/ZnS, InP/CdS, InP/ZnS, InZnP/ZnS, InP/ZnSeS, InP/ZnSe, InP/CdZnS, CdSe/CdZnS/ZnS, CdSe/ZnS/CdZnS, CdSe/CdS/ZnS, CdSe/CdS/CdZnS, CdSe/ZnS/ZnS, CdSeS/CdS/ZnS, CdSeS/CdS/CdZnS, CdSeS/CdZnS/ZnS, CdSeS/ZnSe/ZnS, CdSeS/ZnSe/CdZnS, CdSeS/ZnS/CdZnS, CdSe/ZnS/CdS, CdSeS/ZnS/CdS, CdSe/ZnSe/CdZnS, InP/ZnSe/ZnS, InP/CdS/ZnSe/ZnS, InP/CdS/ZnS, InP/ZnS/CdS, InP/GaP/ZnS, InP/GaP/ZnSe, InP/CdZnS/ZnS, InP/ZnS/CdZnS, InP/CdS/CdZnS, InP/ZnSe/CdZnS, InP/ZnS/ZnSe, InP/GaP/ZnSe/ZnS, InP/ZnS/ZnS, nanoplaquetas o puntos cuánticos, o una mezcla de ellos.
El mismo procedimiento se llevó a cabo sustituyendo las nanoplaquetas de CdSe/CdZnS por nanopartículas orgánicas, nanopartículas inorgánicas como nanopartículas metálicas, nanopartículas de haluro, nanopartículas de calcogenuro, nanopartículas de fosfuro, nanopartículas de sulfuro nanopartículas de metaloides, nanopartículas de aleaciones metálicas, nanopartículas de fósforo, nanopartículas de perovskita, nanopartículas cerámicas como, por ejemplo, nanopartículas de óxido, nanopartículas de carburo, nanopartículas de nitruro, o una mezcla de ellas.
El mismo procedimiento se llevó a cabo sustituyendo el ZnS por ZnSe o ZnTe, o una mezcla de éstos.
El mismo procedimiento se llevó a cabo sustituyendo el ZnS por un material metálico, un material de haluro, un material de calcogenuro, un material de fosfuro, un material de sulfuro, un material de metaloide, un material de aleación metálica, un material cerámico como, por ejemplo, un óxido, un carburo, un nitruro, un vidrio, un esmalte, una cerámica, una piedra, una piedra preciosa, un pigmento, un cemento y/o un polímero inorgánico, o una mezcla de éstos.
El mismo procedimiento se llevó a cabo sustituyendo el H2S por H2Se, H2Te u otro gas.
Ejemplo 25: Dispersión de partículas compuestas en una silicona y deposición sobre un LED.
Las partículas compuestas que contienen nanopartículas fluorescentes se prepararon y recogieron según la presente invención y luego se dispersaron en un polímero de silicona, con una concentración en masa del 20%. El material obtenido se depositó sobre un LED de InGaN antes de recocerlo a 150°C durante 2 horas. A continuación, se encendió el LED para obtener una mezcla de luz azul y de luz emitida por las nanopartículas fluorescentes.
El mismo procedimiento se llevó a cabo sustituyendo la silicona por ZnO, PMMA, poliestireno, A^O3, TO 2, HfO2 o ZrO2, o una mezcla de ellos.
Ejemplo 26: Dispersión de partículas compuestas en una matriz de ZnO y deposición sobre un LED.
Se prepararon y recogieron partículas compuestas que contenían nanopartículas fluorescentes según la presente invención y luego se dispersaron en una matriz de ZnO preparada por un método sol-gel. A continuación, el material se depositó sobre un sustrato de vidrio mediante un recubrimiento por rotación y se recoció a 100°C durante 24 horas. A continuación, se iluminó el sustrato de vidrio con un láser azul para obtener una mezcla de luz azul y la luz emitida por las nanopartículas fluorescentes.
El mismo procedimiento se llevó a cabo sustituyendo el ZnO por una resina, silicona, PMMA, poliestireno, A^O3, TiO2, HfO2 o ZrO2, o una mezcla de ellos.
Ejemplo 27: Preparación del material emisor de luz
Se dispersaron por separado en silicona partículas compuestas emisoras azules que comprendían nanoplaquetas CdS/ZnS encapsuladas en A^O3, partículas compuestas emisoras verdes que comprendían nanoplaquetas CdSeS/CdZnS encapsuladas en AhO3, y partículas compuestas emisoras rojas que comprendían nanoplaquetas CdSe/CdZnS encapsuladas en AhO3, y se depositaron sobre un soporte, de manera que cada película de partículas compuestas tenía un grosor de 1-10 pm. A continuación, el soporte se recoció a 150°C durante 2 horas antes de introducirlo en el aparato de visualización descrito en la invención. Las luces resultantes eran azules, verdes y rojas según las partículas compuestas iluminadas con la luz UV de una fuente de luz.
El mismo procedimiento se llevó a cabo sustituyendo la silicona por una resina, ZnO, PMMA, poliestireno, A^O3, TiO2, HfO2 o ZrO2, o una mezcla de éstos.
Ejemplo 28: Preparación del material emisor de luz
Las nanoplaquetas de CdSeS/CdZnS emisoras de luz verde y las nanoplaquetas de CdSe/CdZnS emisoras de luz roja se dispersaron por separado en silicona y se depositaron sobre un soporte, de forma que cada película de partículas compuestas tenía un grosor de entre 1 y 10 |jm. A continuación, el soporte se recoció a 150°C durante 2 horas antes de introducirlo en el aparato de visualización descrito en la invención. Las luces resultantes eran verdes y rojas según las partículas compuestas iluminadas con la luz azul de una fuente de luz.
El mismo procedimiento se llevó a cabo sustituyendo la silicona por una resina, ZnO, PMMA, poliestireno, A^O3, TiO2, HfO2 o ZrO2, o una mezcla de éstos.
Ejemplo 29: Preparación del material emisor de luz
Se dispersaron por separado en una matriz de óxido de zinc partículas compuestas emisoras de luz verde que comprendían nanoplaquetas de CdSeS/CdZnS encapsuladas en A^O3, y partículas compuestas emisoras de luz roja que comprendían nanoplaquetas de CdSe/CdZnS encapsuladas en AhO3, y se depositaron sobre un soporte, de manera que cada película de partículas compuestas tenía un grosor de 1-10 jm . A continuación, el soporte se recoció a 150°C durante 2 horas antes de introducirlo en el aparato de visualización descrito en la invención. Las luces resultantes eran verdes y rojas según las partículas compuestas iluminadas con la luz azul de una fuente de luz.
El mismo procedimiento se llevó a cabo sustituyendo el ZnO por una resina, silicona, PMMA, poliestireno, A^O3, T O 2, HfO2 o ZrO2, o una mezcla de éstos.
Ejemplo 30: Preparación del material emisor de luz
Las partículas compuestas emisoras de luz verde que comprenden un núcleo con nanopartículas de oro encapsuladas en SiO2 y una capa con nanoplaquetas de CdSeS/CdZnS encapsuladas en A^O3, y las partículas compuestas emisoras de luz roja que comprenden nanoplaquetas de CdSe/CdZnS encapsuladas en AhO3 se dispersaron por separado en silicona y se depositaron sobre un soporte, de manera que cada película de partículas compuestas tenía un grosor de aproximadamente 1-10 jm . A continuación, el soporte se recoció a 150°C durante 2 horas antes de introducirlo en el aparato de visualización descrito en la invención. Las luces resultantes eran verdes y rojas según las partículas compuestas iluminadas con la luz azul de una fuente de luz.
El mismo procedimiento se llevó a cabo sustituyendo la silicona por una resina, ZnO, PMMA, poliestireno, A^O3, T O 2, HfO2 o ZrO2, o una mezcla de éstos.
Ejemplo 31 (no según la invención): Preparación de material emisor de luz
Las partículas compuestas emisoras de luz verde que comprenden puntos cuánticos de InP/ZnS encapsulados en SiO2, y las partículas compuestas emisoras de luz roja que comprenden puntos cuánticos de InP/ZnSe/ZnS encapsulados en SiO2 se dispersaron por separado en silicona y se depositaron sobre un soporte, de manera que cada película de partículas compuestas tenía un grosor de aproximadamente 1-10 jm . A continuación, el soporte se recoció a 150°C durante 2 horas antes de introducirlo en el aparato de visualización descrito en la invención. Las luces resultantes eran verdes y rojas según las partículas compuestas iluminadas con la luz azul de una fuente de luz.
El mismo procedimiento se llevó a cabo sustituyendo la silicona por una resina, ZnO, PMMA, poliestireno, A^O3, TiO2, HfO2 o ZrO2, o una mezcla de éstos.
Ejemplo 32: Preparación del material emisor de luz
Se dispersaron por separado en una matriz de resina y se depositaron sobre un soporte partículas compuestas emisoras de luz verde que comprendían nanoplaquetas de InP/ZnS encapsuladas en SiO2, y partículas compuestas emisoras de luz roja que comprendían nanoplaquetas de InP/ZnSe/ZnS encapsuladas en SiO2. A continuación, el soporte se recoció a 150°C durante 3 horas antes de introducirlo en el aparato de visualización descrito en la invención. Las luces resultantes eran verdes y rojas según las partículas compuestas iluminadas con la luz azul de una fuente de luz.
El mismo procedimiento se llevó a cabo sustituyendo la resina por silicona, ZnO, PMMA, poliestireno, A^O3, TiO2, HfO2 o ZrO2, o una mezcla de éstos.
Ejemplo 33: Preparación del material emisor de luz
Las partículas compuestas emisoras de luz verde que comprenden nanoplaquetas de CdSeS/ZnS encapsuladas en Al2O3 y las partículas compuestas emisoras de luz roja que comprenden puntos cuánticos de InP/ZnSe/ZnS encapsulados en A^O3 se dispersaron por separado en silicona y se depositaron sobre un soporte, de forma que cada película de partículas compuestas tenía un grosor de entre 1 y 10 jm . A continuación, el soporte se recoció a 150°C durante 2 horas antes de introducirlo en el aparato de visualización descrito en la invención. Las luces resultantes eran verdes y rojas según las partículas compuestas iluminadas con la luz azul de una fuente de luz.
El mismo procedimiento se llevó a cabo sustituyendo la silicona por una resina, ZnO, PMMA, poliestireno, A^O3, TiO2, HfO2 o ZrO2, o una mezcla de éstos.
Ejemplo 34 (no según la invención): InP/ZnS@SiO2 preparado por el método de microemulsión inversa frente a InP/ZnS@SiO2 preparado por el método de la invención
InP/ZnS@SiO2 preparado por microemulsión inversa: Los puntos cuánticos de InP/ZnS núcleo/capa (70 mg) se mezclaron con 0.1 mL de (3-(trimetoxisilil)metacrilato de propilo (TMOPMA), seguido de 0.5 mL de trietilortosilicato (TEOS) para formar una solución clara, que se mantuvo para incubar bajo N2 durante la noche. A continuación, la mezcla se inyectó en 10 mL de una microemulsión inversa (ciclohexano/CO-520, 18 ml/1.35 g) en un matraz de 50 mL, bajo agitación a 600 rpm. La mezcla se agitó durante 15 minutos y luego se inyectaron 0.1 mL de NH4OH al 4% para iniciar la reacción de formación de microesferas. La reacción se detuvo al día siguiente y la solución de reacción se centrifugó para recoger la fase sólida. Las partículas obtenidas se lavaron dos veces con 20 mL de ciclohexano y luego se secaron al vacío.
La Fig. 13A-B muestra una imagen TEM de InP/ZnS@SiO2 preparada por microemulsión inversa. De las imágenes de TEM se desprende que las nanopartículas encapsuladas en un material inorgánico mediante el método de microemulsión inversa no pueden estar ni están uniformemente dispersadas en dicho material inorgánico.
La Fig. 13A-B también muestra que el método de microemulsión inversa no da lugar a partículas discretas, sino a una matriz de material inorgánico.
Ejemplo 35: CdSe/CdS/ZnS@SiO2 preparado por el método de la técnica anterior frente a CdSe/CdS/ZnS@SiO2 preparado por el método de la invención
Se mezclaron en un vaso de precipitados 0.6 mL de una suspensión que comprendía nanoplaquetas de CdSe/CdS/ZnS con una longitud de onda de emisión de 694 nm y 6.2 mL de una solución de perhidrodisilazano (solución de 18.6% en peso de dibutiléter) para preparar una solución mixta. A continuación, la solución mezclada se vertió en un recipiente recubierto de teflón y se secó de forma natural a temperatura ambiente durante 24 horas mientras se bloqueaba la luz. El producto curado seco se recogió, se pulverizó en un polvo utilizando un mortero y una maja, y luego se secó a 60° C durante 7 horas y 30 minutos en un horno.
La Fig. 13C-D muestra una imagen TEM de CdSe/CdS/ZnS@SiO2 preparada con el método anterior. De las imágenes TEM se desprende que las nanopartículas encapsuladas en un material inorgánico a través de dicho método no pueden estar ni están uniformemente dispersas en dicho material inorgánico.
La Fig. 13C-D también muestra que dicho método no conduce a partículas discretas sino a una matriz de material inorgánico.
REFERENCIAS
- Partícula compuesta
11 - Núcleo de la partícula compuesta
12 - Capa de la partícula compuesta
2 - Material inorgánico
21 - Material inorgánico
- Nanopartícula
31 - Nanopartícula esférica
32 - Nanopartícula 2D
33 - Núcleo de una nanopartícula
34 - Primera capa de una nanopartícula
35 - Segunda capa de una nanopartícula
36 - Capa aislante de una nanopartícula
37 - Corona de una nanopartícula
4 - Soporte del LED
5 -Chip de LED
6 - LED de tamaño microscópico
7 - Material emisor de luz
71 - Material anfitrión
9 - Partícula densa
D - Paso de píxel

Claims (17)

REIVINDICACIONES
1. Una partícula compuesta (1) que comprende un conjunto de nanopartículas (3) encapsuladas en un material inorgánico (2), donde el conjunto de nanopartículas (3) está uniformemente dispersado en dicho material inorgánico (2), donde las nanopartículas (3) son luminiscentes, y donde las nanopartículas (3) comprenden al menos un 1% de nanoplaquetas semiconductoras.
2. La partícula compuesta (1) de acuerdo con la reivindicación 1, en la que cada nanopartícula (3) del conjunto de nanopartículas (3) está separada de su nanopartícula adyacente (3) por una distancia mínima promedio.
3. La partícula compuesta (1) de acuerdo con la reivindicación 2, en la que la distancia mínima promedio es de al menos 2 nm.
4. La partícula compuesta (1) de acuerdo con cualquiera de las reivindicaciones comprendidas de la 1 a la 3, en la que el material inorgánico (2) impide la difusión de especies moleculares externas o fluidos (líquido o gas) en dicho material inorgánico (2).
5. La partícula compuesta (1) cualquiera de las reivindicaciones comprendidas de la 1 a la 4, en la que las nanopartículas luminiscentes (3) son nanocristales semiconductores.
6. La partícula compuesta (1) de acuerdo con la reivindicación 5, en la que los nanocristales semiconductores presentan un núcleo (33) compuesto por un material de fórmula MxNyEzAw, en el que M pertenece al grupo formado por Zn, Cd, Hg, Cu, Ag, Au, Ni, Pd, Pt, Co, Fe, Ru, Os, Mn, Tc, Re, Cr, Mo, W, V, Nd, Ta, Ti, Zr, Hf, Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Al, Ga, In, Tl, Si, Ge, Sn, Pb, As, Sb, Bi, Sc, Y, La, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Cs o una mezcla de ellos; N pertenece al grupo formado por Zn, Cd, Hg, Cu, Ag, Au, Ni, Pd, Pt, Co, Fe, Ru, Os, Mn, Tc, Re, Cr, Mo, W, V, Nd, Ta, Ti, Zr, Hf, Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Al, Ga, In, Tl, Si, Ge, Sn, Pb, As, Sb, Bi, Sc, Y, La, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Cs o una mezcla de ellos; E pertenece al grupo formado por O, S, Se, Te, C, N, P, As, Sb, F, Cl, Br, I, o una mezcla de ellos; A se selecciona del grupo formado por O, S, Se, Te, C, N, P, As, Sb, F, Cl, Br, I, o una mezcla de ellos; y x, y, z y w son independientemente un número decimal de 0 a 5; x, y, z y w no son simultáneamente iguales a 0; x e y no son simultáneamente iguales a 0; z y w no son simultáneamente iguales a 0.
7. La partícula compuesta (1) de acuerdo con una cualquiera de las reivindicaciones 5 o 6, en la que los nanocristales semiconductores presentan al menos una capa (34) compuesto por un material de fórmula MxNyEzAw, en la que M pertenece al grupo formado por Zn, Cd, Hg, Cu, Ag, Au, Ni, Pd, Pt, Co, Fe, Ru, Os, Mn, Tc, Re, Cr, Mo, W, V, Nd, Ta, Ti, Zr, Hf, Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Al, Ga, In, Tl, Si, Ge, Sn, Pb, As, Sb, Bi, Sc, Y, La, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Cs o una mezcla de ellos; N pertenece al grupo formado por Zn, Cd, Hg, Cu, Ag, Au, Ni, Pd, Pt, Co, Fe, Ru, Os, Mn, Tc, Re, Cr, Mo, W, V, Nd, Ta, Ti, Zr, Hf, Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Al, Ga, In, Tl, Si, Ge, Sn, Pb, As, Sb, Bi, Sc, Y, La, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Cs o una mezcla de ellos; E pertenece al grupo formado por O, S, Se, Te, C, N, P, As, Sb, F, Cl, Br, I, o una mezcla de ellos; A pertenece al grupo formado por O, S, Se, Te, C, N, P, As, Sb, F, Cl, Br, I, o una mezcla de ellos; y x, y, z y w son independientemente un número decimal de 0 a 5; x, y, z y w no son simultáneamente iguales a 0; x e y no son simultáneamente iguales a 0; z y w no son simultáneamente iguales a 0.
8. La partícula compuesta (1) de acuerdo con una cualquiera de las reivindicaciones 5 o 6, en la que los nanocristales semiconductores presentan al menos una corona (37) compuesto por un material de fórmula MxNyEzAw, en la que M pertenece al grupo formado por Zn, Cd, Hg, Cu, Ag, Au, Ni, Pd, Pt, Co, Fe, Ru, Os, Mn, Tc, Re, Cr, Mo, W, V, Nd, Ta, Ti, Zr, Hf, Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Al, Ga, In, Tl, Si, Ge, Sn, Pb, As, Sb, Bi, Sc, Y, La, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Cs o una mezcla de ellos; N pertenece al grupo formado por Zn, Cd, Hg, Cu, Ag, Au, Ni, Pd, Pt, Co, Fe, Ru, Os, Mn, Tc, Re, Cr, Mo, W, V, Nd, Ta, Ti, Zr, Hf, Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Al, Ga, In, Tl, Si, Ge, Sn, Pb, As, Sb, Bi, Sc, Y, La, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Cs o una mezcla de ellos; E pertenece al grupo formado por O, S, Se, Te, C, N, P, As, Sb, F, Cl, Br, I, o una mezcla de ellos; A pertenece al grupo formado por O, S, Se, Te, C, N, P, As, Sb, F, Cl, Br, I, o una mezcla de ellos; y x, y, z y w son independientemente un número decimal de 0 a 5; x, y, z y w no son simultáneamente iguales a 0; x e y no son simultáneamente iguales a 0; z y w no son simultáneamente iguales a 0.
9. La partícula compuesta (1) de acuerdo con cualquiera de las reivindicaciones comprendidas de la 5 a la 8, en la que los nanocristales semiconductores comprenden el 100% de nanoplaquetas semiconductoras.
10. La partícula compuesta (1) de acuerdo con cualquiera de las reivindicaciones comprendidas de la 1 a la 9, en la que el material inorgánico (2) compuesto por un material que incluye, pero no se limita a: óxido de silicio, óxido de aluminio, óxido de titanio, óxido de cobre, óxido de hierro, óxido de plata, óxido de plomo, óxido de calcio, óxido de magnesio, óxido de zinc, óxido de estaño, óxido de berilio, óxido de circonio, óxido de niobio, óxido de cerio, óxido de iridio, óxido de escandio, óxido de níquel, óxido de sodio, óxido de bario, óxido de potasio, óxido de vanadio, óxido de telurio, óxido de manganeso, óxido de boro, óxido de fósforo, óxido de germanio, óxido de osmio, óxido de renio, óxido de platino, óxido de arsénico, óxido de tantalio, óxido de litio, óxido de estroncio, óxido de itrio, óxido de hafnio, óxido de tungsteno, óxido de molibdeno, óxido de cromo, óxido de tecnecio, óxido de rodio, óxido de rutenio, óxido de cobalto, óxido de paladio, óxido de cadmio, óxido de mercurio, óxido de talio, óxido de galio, óxido de indio, óxido de bismuto, óxido de antimonio, óxido de polonio, óxido de selenio, óxido de cesio, óxido de lantano, óxido de praseodimio, óxido de neodimio, óxido de samario, óxido de europio, óxido de terbio, óxido de disprosio, óxido de erbio, óxido de holmio, óxido de tulio, óxido de iterbio, óxido de lutecio, óxido de gadolinio, óxidos mixtos, óxidos mixtos de éstos, granates como, por ejemplo, Y3Al5O12, Y3Fe2(FeO4)3, Y3Fe5O12, Y4Al2O9, YAlO3, Fe3Al2(SiO4)3, Mg3Al2(SiO4)3, Mn3Al2(SiO4)3, Ca3Fe2(SiO4)3, Ca3Al2(SiO4)3, Ca3Cr2(SiO4)3, Al5Lu3O12, GaYAG, o una mezcla de ellos.
11. La partícula compuesta (1) de acuerdo con cualquiera de las reivindicaciones comprendidas de la 1 a la 10, en la que la partícula compuesta (1) tiene un diámetro promedio que oscila entre 5 nm y 1 mm.
12. Un material emisor de luz (7) que comprende al menos un material anfitrión (71) y al menos una partícula compuesta (1) de acuerdo con una cualquiera de las reivindicaciones comprendidas de la 1 a la 11, en el que al menos una partícula compuesta (1) está dispersada en al menos un material anfitrión (71).
13. El material emisor de luz (7) de acuerdo con la reivindicación 12, en el que el material anfitrión (71) comprende un material inorgánico, un polímero tal como un copolímero, un copolímero en bloque o un polímero a base de silicona, una resina tal como una resina epoxi o una mezcla de éstas.
14. El material emisor de luz (7) de acuerdo con una cualquiera de las reivindicaciones 12 o 13, en el que el material anfitrión (71) tiene una conductividad térmica en condiciones estándar de al menos 0.1 W/(m.K).
15. El material emisor de luz (7) de acuerdo con cualquiera de las reivindicaciones comprendidas de la 12 a la 14, comprende además una pluralidad de partículas de material compuesto (1) de acuerdo con cualquiera de las reivindicaciones comprendidas de la 1 a la 11, en donde el conjunto de partículas de material compuesto (1) está uniformemente dispersado en el material anfitrión (71).
16. Un soporte que soporta al menos una partícula compuesta (1) de acuerdo con cualquiera de las reivindicaciones comprendidas de la 1 a la 11, o un material emisor de luz (7) de acuerdo con cualquiera de las reivindicaciones comprendidas de la 12 a la 15, preferentemente el soporte es un chip LED (5) o un LED de tamaño microscópico.
17. Un dispositivo optoelectrónico que comprende al menos una partícula compuesta (1) de acuerdo con cualquiera de las reivindicaciones comprendidas de la 1 a la 11, o un material emisor de luz (7) de acuerdo con una cualquiera de las reivindicaciones comprendidas de la 12 a la 15.
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Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10879431B2 (en) * 2017-12-22 2020-12-29 Lumileds Llc Wavelength converting layer patterning for LED arrays
CN109557140B (zh) * 2018-11-08 2021-02-19 深圳大学 一种N3掺杂的ZnO材料及其制备方法与乙醇传感器
EP3922604A4 (en) * 2019-02-08 2022-11-23 National University Corporation Tokai National Higher Education and Research System SEMICONDUCTOR NANOPARTICLES AND MANUFACTURING PROCESS THEREOF
KR20200129409A (ko) * 2019-05-08 2020-11-18 삼성전자주식회사 광 센서, 생체 정보 추정 장치 및 방법
CN110444656B (zh) * 2019-08-20 2022-10-04 上海第二工业大学 一种硫化亚铜复合碳化硅块体热电材料的制备方法
CN110787795B (zh) * 2019-09-11 2022-04-19 浙江工业大学 一种多层级双孔结构复合光催化剂及其制备与应用
CN111036238B (zh) * 2019-11-20 2022-08-12 哈尔滨理工大学 一种Fe2O3/WS2异质结光催化剂及其制备方法
CN113387562B (zh) * 2020-03-13 2022-03-18 包头稀土研究院 稀土掺杂的红色荧光玻璃材料及其制备工艺
WO2021191299A1 (en) * 2020-03-24 2021-09-30 Nexdot Composite particles for biologic assay
CN115667458A (zh) * 2020-04-08 2023-01-31 鲁米那其有限公司 显示元件和用于制造显示元件的方法
US11753589B2 (en) 2020-07-23 2023-09-12 Samsung Electronics Co., Ltd. Quantum dots, quantum dot-polymer composite, and electronic device including the same
CN111974412A (zh) * 2020-09-04 2020-11-24 吉林师范大学 一种Au@Cu2O-Ag纳米材料及光催化剂
CN112268937B (zh) * 2020-10-15 2022-07-19 苏州大学 基于钙钛矿Cs2PdBr6纳米中空球的一氧化碳传感器及其制备方法和用途
CN112410017B (zh) * 2020-10-23 2022-12-27 宁波大学 一种基于核壳量子点掺杂phps/pmma的非晶硅平板型荧光太阳集光器的制备方法
TWI751761B (zh) * 2020-10-29 2022-01-01 歆熾電氣技術股份有限公司 光波長轉換複合材料及其製備方法
CN112370534B (zh) * 2020-11-26 2022-05-17 山西医科大学 肿瘤微环境响应降解型诊疗一体化纳米探针及制备方法
TWI807531B (zh) * 2021-01-06 2023-07-01 日商田中貴金屬工業股份有限公司 光電變換元件材料及光電變換元件材料之製造方法以及分散半導體奈米粒子之墨水
CN113088026B (zh) * 2021-04-06 2022-10-25 温州大学 一种Ag-CsPbX3/PMMA纳米复合材料及其制备方法与用途
CN113264498A (zh) * 2021-04-08 2021-08-17 哈尔滨工业大学（深圳） 金属氧化物界面装置及其制备方法与应用
CN113203723B (zh) * 2021-04-08 2023-01-24 复旦大学 纳米金芯片及其制备方法和应用
CN113636598B (zh) * 2021-06-30 2022-07-01 湖南师范大学 微波快速简便合成氧化铬纳米颗粒的方法及其应用
CN114497564A (zh) * 2021-12-30 2022-05-13 西安理工大学 锂硫电池催化材料硒化钴/硒化镍异质结的制备方法
TWI796980B (zh) * 2022-03-28 2023-03-21 新唐科技股份有限公司 半導體材料及包含其之半導體結構
CN114921241A (zh) * 2022-04-14 2022-08-19 新疆农业大学 一种含锰配合物纤维素基荧光功能材料制备方法及应用
CN115121259B (zh) * 2022-05-10 2024-03-22 陕西师范大学 氧化亚铜@金纳米模拟酶及制备方法和应用
EP4311847A1 (en) * 2022-07-27 2024-01-31 Seaborough IP I B.V. Composite luminescent particles
CN115403358B (zh) * 2022-09-13 2023-06-13 景德镇陶瓷大学 一种过渡金属离子与Eu3+共掺杂型固体电解质陶瓷材料及其制备方法
EP4343329A1 (en) * 2022-09-26 2024-03-27 Nexdot Nanoparticle structures with barcodes
WO2024068647A1 (en) * 2022-09-26 2024-04-04 Nexdot Nanoparticle structures with barcodes
CN116554877A (zh) * 2023-05-12 2023-08-08 今上半导体(信阳)有限公司 一种led荧光粉混合材料及其制备方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101083006B1 (ko) * 2009-03-06 2011-11-15 한국과학기술연구원 나노입자-기공체 복합 비드 및 그 제조 방법
US20100224831A1 (en) * 2009-03-06 2010-09-09 Kyoungja Woo Nanoparticle-doped porous bead and fabrication method thereof
WO2010107720A2 (en) * 2009-03-18 2010-09-23 Tuan Vo-Dinh Up and down conversion systems for production of emitted light from various energy sources
GB0916700D0 (en) * 2009-09-23 2009-11-04 Nanoco Technologies Ltd Semiconductor nanoparticle-based materials
GB0916699D0 (en) * 2009-09-23 2009-11-04 Nanoco Technologies Ltd Semiconductor nanoparticle-based materials
GB201116517D0 (en) * 2011-09-23 2011-11-09 Nanoco Technologies Ltd Semiconductor nanoparticle based light emitting materials
KR101299242B1 (ko) 2011-10-20 2013-08-22 한국기계연구원 에어로졸 분사를 이용한 양자점 및 무기물 보호층을 포함하는 복합입자의 제조방법
RU2627378C2 (ru) * 2012-02-03 2017-08-08 Конинклейке Филипс Н.В. Новые материалы и способы для диспергирования наночастиц в матрицы с высокими квантовыми выходами и стабильностью
US9425365B2 (en) 2012-08-20 2016-08-23 Pacific Light Technologies Corp. Lighting device having highly luminescent quantum dots
CN102816563B (zh) * 2012-08-29 2014-07-09 上海交通大学 一种折射率可调的二氧化硅包覆量子点的纳米复合发光材料的制法和用途
JP5966843B2 (ja) * 2012-10-18 2016-08-10 ソニー株式会社 光源装置及び画像表示装置
EP3071667B1 (en) * 2013-11-19 2020-03-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Luminescent particle, materials and products including same, and methods
CN105940082B (zh) * 2014-02-04 2019-07-05 亮锐控股有限公司 在无机基质中具有无机配体的量子点
EP3072944A3 (en) * 2015-03-27 2016-10-12 Nexdot Core-shell nanoplatelets film and display device using the same
KR101701918B1 (ko) * 2015-10-02 2017-02-02 한국과학기술연구원 형광 분말 및 이의 제조 방법
CN105629362B (zh) * 2015-12-29 2018-02-02 东南大学 一种量子点与等离子体耦合的彩色滤色片制备方法

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