JP2020167336A - 素子内蔵基板およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
基板本体と、
前記基板本体の内部または表面に形成してある導体配線層と、
前記導体配線層の一部に接触するように、前記基板本体の内部に形成される素子形成層と、を有する素子内蔵基板であって、
前記素子形成層が、素子を形成するための機能性フィラーが内部に分散してある絶縁領域で構成してある。
支持基板の表面に、所定パターンの導体膜を形成する工程と、
一部の前記導体膜の上に、機能性フィラーと混合用樹脂粉とを塗布して原料粉を配置する工程と、
前記原料粉が配置された前記導体膜の上に、絶縁層を形成するための絶縁層用樹脂粉を塗布する工程と、
前記絶縁層用樹脂粉を、前記混合用樹脂粉と共に熱プレスして、基板ユニットを形成する工程と、を有する。
第1支持基板の表面に、第1所定パターンの第1導体膜を形成する工程と、
一部の前記第1導体膜の上に、第1スルーホール電極となる第1導体ポストを形成する工程と、
他の一部の前記第1導体膜の上に、機能性フィラーと混合用樹脂粉とを塗布して原料粉を配置する工程と、
前記原料粉が配置された前記第1導体膜の上に、第1絶縁層を形成するための第1絶縁層用樹脂粉を塗布する工程と、
前記第1絶縁層用樹脂粉を、前記混合用樹脂粉と共に第1熱プレスして、第1基板ユニットを形成する工程と、
第2支持基板の表面に、第2所定パターンの第2導体膜を形成する工程と、
一部の前記第2導体膜の上に、第2スルーホール電極となる第2導体ポストを形成する工程と、
前記第2導体ポストが形成された前記第2導体膜の上に、第2絶縁層を形成するための第2絶縁層用樹脂粉を塗布する工程と、
前記第2絶縁層用樹脂粉を第2熱プレスして、第2基板ユニットを形成する工程と、
少なくとも前記第1基板ユニットと前記第2基板ユニットとを含む積層体を一括積層熱プレスして接合する工程と、を有する。
前記第1導体ポストおよび/または前記第2導体ポストの頂面に、導体接続膜を形成する工程をさらに有し、
前記第1基板ユニットと前記第2基板ユニットとを含む積層体を熱プレスして接合する際に、前記第1基板ユニットおよび/または前記第2基板ユニットの上に積層される別の基板ユニットの下面に形成してある導体膜に、前記導体接続膜が同時に接続される。
前記導体接続膜の接続膜融点が、前記導体膜の導体膜融点よりも低く、
前記一括積層熱プレス時の温度が、前記樹脂融点以下の温度であり、前記接続膜融点よりも高い。
前記第2熱プレス時の温度が、前記第2絶縁層用樹脂粉の融点より高く熱分解温度よりも低い。
図1Aに示すように、本発明の一実施形態に係る素子内蔵基板2は、基板本体4を有する。基板本体4は、Z軸方向に積層してある複数の絶縁層6を有する。積層方向に隣り合う絶縁層6と絶縁層6との間には、導体配線層としての中間配線層8bが、X軸方向およびY軸方向に所定のパターンで形成してある。また、積層方向の最も外側に位置する絶縁層6の外表面には、導体配線層としての表面配線層8aが、X軸方向およびY軸方向に所定のパターンで形成してある。
図1Dに示すように、本発明の他の実施形態に係る素子内蔵基板2aは、以下に示す以外は、第1実施形態の素子内蔵基板2と同様であり、同様な作用効果を奏する。
4,4a… 基板本体
6… 絶縁層
6α… 絶縁層用樹脂粉
6a… キャパシタ領域(絶縁領域/素子形成層)
6a1… 樹脂
6b… インダクタ領域(絶縁領域/素子形成層)
6b1… 樹脂
7a… 誘電体フィラー(機能性フィラー)
7a1… 第1原料粉
7b… 磁性体フィラー(機能性フィラー)
7b1… 第2原料粉
8… 配線導体膜
8a… 表面配線層(導体配線層)
8a1… キャパシタ用電極層
8a2… インダクタ用導体層
8b… 中間配線層(導体配線層)
8b1… キャパシタ用電極層
8b2… インダクタ用導体層
8c… 導体箔
10… スルーホール電極
10a… 導体ポスト
10b… 枠体
20… 支持基板
22… 下地導体膜
24… レジスト膜
26… レジスト膜
26a… スルーホール
28… 導体接続膜
30a〜30d… 基板ユニット
40… 熱プレス装置
Claims (15)
- 基板本体と、
前記基板本体の内部または表面に形成してある導体配線層と、
前記導体配線層の一部に接触するように、前記基板本体の内部に形成される素子形成層と、を有する素子内蔵基板であって、
前記素子形成層が、素子を形成するための機能性フィラーが内部に分散してある絶縁領域で構成してある素子内蔵基板。 - 前記絶縁領域を構成する樹脂は、熱可塑性の樹脂であって、前記基板本体を構成する樹脂の融点と実質的に同一の融点を有する樹脂で構成してある請求項1に記載の素子内蔵基板。
- 前記機能性フィラーが、磁性体フィラーまたは誘電体フィラーである請求項1または2に記載の素子内蔵基板。
- 前記基板本体が、少なくとも一つの絶縁層を有する請求項1〜3のいずれかに記載の素子内蔵基板。
- 前記基板本体の内部には、前記絶縁層を貫通するスルーホール電極を有する請求項4に記載の素子内蔵基板。
- 前記絶縁層および前記絶縁領域は、絶縁粉体を熱プレスすることで同時に形成される請求項1〜5のいずれかに記載の素子内蔵基板
- 前記基板本体を形成する樹脂は液晶ポリマーである請求項1〜6のいずれかに記載の素子内蔵基板。
- 支持基板の表面に、所定パターンの導体膜を形成する工程と、
一部の前記導体膜の上に、機能性フィラーと混合用樹脂粉とを塗布して原料粉を配置する工程と、
前記原料粉が配置された前記導体膜の上に、絶縁層を形成するための絶縁層用樹脂粉を塗布する工程と、
前記絶縁層用樹脂粉を、前記混合用樹脂粉と共に熱プレスして、基板ユニットを形成する工程と、を有する素子内蔵基板の製造方法。 - 第1支持基板の表面に、第1所定パターンの第1導体膜を形成する工程と、
一部の前記第1導体膜の上に、第1スルーホール電極となる第1導体ポストを形成する工程と、
他の一部の前記第1導体膜の上に、機能性フィラーと混合用樹脂粉とを塗布して原料粉を配置する工程と、
前記原料粉が配置された前記第1導体膜の上に、第1絶縁層を形成するための第1絶縁層用樹脂粉を塗布する工程と、
前記第1絶縁層用樹脂粉を、前記混合用樹脂粉と共に第1熱プレスして、第1基板ユニットを形成する工程と、
第2支持基板の表面に、第2所定パターンの第2導体膜を形成する工程と、
一部の前記第2導体膜の上に、第2スルーホール電極となる第2導体ポストを形成する工程と、
前記第2導体ポストが形成された前記第2導体膜の上に、第2絶縁層を形成するための第2絶縁層用樹脂粉を塗布する工程と、
前記第2絶縁層用樹脂粉を第2熱プレスして、第2基板ユニットを形成する工程と、
少なくとも前記第1基板ユニットと前記第2基板ユニットとを含む積層体を一括積層熱プレスして接合する工程と、を有する素子内蔵基板の製造方法。 - 前記第1導体ポストおよび/または前記第2導体ポストの頂面に、導体接続膜を形成する工程をさらに有し、
前記第1基板ユニットと前記第2基板ユニットとを含む積層体を熱プレスして接合する際に、前記第1基板ユニットおよび/または前記第2基板ユニットの上に積層される別の基板ユニットの下面に形成してある導体膜に、前記導体接続膜が同時に接続される請求項9に記載の素子内蔵基板の製造方法。 - 前記第1絶縁層用樹脂粉と、前記第2絶縁層用樹脂粉と、前記混合用樹脂粉とが、実質的に同一の樹脂融点を有し、
前記導体接続膜の接続膜融点が、前記導体膜の導体膜融点よりも低く、
前記一括積層熱プレス時の温度が、前記樹脂融点以下の温度であり、前記接続膜融点よりも高い請求項10に記載の素子内蔵基板の製造方法。 - 前記絶縁層用樹脂粉が液晶ポリマーである請求項8〜11のいずれかに記載の素子内蔵基板の製造方法。
- 前記絶縁層用樹脂粉の塗布と、前記機能性フィラーおよび前記混合用樹脂粉の塗布は、静電印刷法にて行われる請求項8〜12のいずれかに記載の素子内蔵基板の製造方法。
- 前記第1熱プレス時の温度が、前記第1絶縁層用樹脂粉の融点より高く熱分解温度よりも低いと共に、前記混合用樹脂粉の融点よりも高く熱分解温度よりも低く、
前記第2熱プレス時の温度が、前記第2絶縁層用樹脂粉の融点より高く熱分解温度よりも低い請求項9〜13のいずれかに記載の素子内蔵基板の製造方法。 - 請求項8〜14のいずれかに記載の素子内蔵基板の製造方法により製造される素子内蔵基板。
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