JP2003318549A - 多層回路板(プリント配線板またはインターポーザ)の製造方法 - Google Patents
多層回路板(プリント配線板またはインターポーザ)の製造方法Info
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- JP2003318549A JP2003318549A JP2002125726A JP2002125726A JP2003318549A JP 2003318549 A JP2003318549 A JP 2003318549A JP 2002125726 A JP2002125726 A JP 2002125726A JP 2002125726 A JP2002125726 A JP 2002125726A JP 2003318549 A JP2003318549 A JP 2003318549A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】低コスト化、薄型化及び軽量化を実現できるキ
ャパシタ及びインダクタ素子内蔵の多層回路板の製造方
法を提供することを目的とする。 【解決手段】絶縁基材11上に第1配線層21a及び絶
縁層31を形成し、絶縁層31上の所定位置にキャパシ
タ用下部電極41a及びインダクタ用下部コイル配線4
1bを形成する。さらに、キャパシタ用下部電極41a
上に誘電体パターン層51を、インダクタ用下部コイル
配線41b上に磁性体パターン層61を形成し、誘電体
パターン層51及び磁性体パターン層61上に絶縁層7
2を形成し、研磨処理して誘電体パターン層51a、磁
性体パターン層61a及び絶縁層72aを形成し、キャ
パシタ用上部電極81a及びインダクタ用上部コイル配
線81bをを形成し、絶縁層31の同一平面上にキャパ
シタ及びインダクタ素子が形成された多層回路板を得
る。
ャパシタ及びインダクタ素子内蔵の多層回路板の製造方
法を提供することを目的とする。 【解決手段】絶縁基材11上に第1配線層21a及び絶
縁層31を形成し、絶縁層31上の所定位置にキャパシ
タ用下部電極41a及びインダクタ用下部コイル配線4
1bを形成する。さらに、キャパシタ用下部電極41a
上に誘電体パターン層51を、インダクタ用下部コイル
配線41b上に磁性体パターン層61を形成し、誘電体
パターン層51及び磁性体パターン層61上に絶縁層7
2を形成し、研磨処理して誘電体パターン層51a、磁
性体パターン層61a及び絶縁層72aを形成し、キャ
パシタ用上部電極81a及びインダクタ用上部コイル配
線81bをを形成し、絶縁層31の同一平面上にキャパ
シタ及びインダクタ素子が形成された多層回路板を得
る。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は各種電子機器に用い
られるプリント配線板及びインターポーザーからなる多
層回路板の製造方法に関し、さらに詳しくはキャパシタ
素子及びインダクタ素子を内蔵した多層回路板の製造方
法に関する。
られるプリント配線板及びインターポーザーからなる多
層回路板の製造方法に関し、さらに詳しくはキャパシタ
素子及びインダクタ素子を内蔵した多層回路板の製造方
法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来のキャパシタ素子及びインダクタ素
子を内蔵した多層回路板(プリント配線板またはインタ
ーポーザ)の製造方法について説明する。ここで言う多
層回路板(プリント配線板またはインターポーザ)とは
プリント配線板及びインターポーザー基板を含む多層配
線回路板を総称して用いており、以降多層回路板と称す
る。従来のキャパシタ素子及びインダクタ素子を内蔵し
た多層回路板の製造方法は、図9(a)〜(e)、図1
0(f)〜(j)に示すように、まず、絶縁基材11上
に第1配線層21a、絶縁層31及びキャパシタ用下部
電極41aを順次形成する(図9(a)〜(e)参
照)。
子を内蔵した多層回路板(プリント配線板またはインタ
ーポーザ)の製造方法について説明する。ここで言う多
層回路板(プリント配線板またはインターポーザ)とは
プリント配線板及びインターポーザー基板を含む多層配
線回路板を総称して用いており、以降多層回路板と称す
る。従来のキャパシタ素子及びインダクタ素子を内蔵し
た多層回路板の製造方法は、図9(a)〜(e)、図1
0(f)〜(j)に示すように、まず、絶縁基材11上
に第1配線層21a、絶縁層31及びキャパシタ用下部
電極41aを順次形成する(図9(a)〜(e)参
照)。
【0003】次に、絶縁層31及びキャパシタ用下部電
極41a上に誘電材を混入した樹脂溶液を塗布するか、
誘電体シートをラミネートする方法等で誘電体層52を
形成し、キャパシタ用下部電極41a上の誘電体層52
上にキャパシタ用上部電極81aを形成し、キャパシタ
素子50を作製する(図10(f)参照)。次に、誘電
体層52及びキャパシタ用上部電極81a上に樹脂溶液
を塗布し、乾燥硬化して絶縁層72を形成する(図10
(g)参照)。次に、絶縁層72の所定位置にインダク
タ用下部コイル配線41bを形成する(図10(h)参
照)。次に、絶縁層72及びインダクタ下部コイル配線
41b上に磁性材を混入した樹脂溶液を塗布するか、磁
性体シートをラミネートする方法等で磁性体層62を形
成する(図10(i)参照)。次に、インダクタ用下部
コイル配線41b上の磁性体層62上にインダクタ用上
部コイル配線81bを形成し、インダクタ素子60を作
製する(図10(j)参照)。
極41a上に誘電材を混入した樹脂溶液を塗布するか、
誘電体シートをラミネートする方法等で誘電体層52を
形成し、キャパシタ用下部電極41a上の誘電体層52
上にキャパシタ用上部電極81aを形成し、キャパシタ
素子50を作製する(図10(f)参照)。次に、誘電
体層52及びキャパシタ用上部電極81a上に樹脂溶液
を塗布し、乾燥硬化して絶縁層72を形成する(図10
(g)参照)。次に、絶縁層72の所定位置にインダク
タ用下部コイル配線41bを形成する(図10(h)参
照)。次に、絶縁層72及びインダクタ下部コイル配線
41b上に磁性材を混入した樹脂溶液を塗布するか、磁
性体シートをラミネートする方法等で磁性体層62を形
成する(図10(i)参照)。次に、インダクタ用下部
コイル配線41b上の磁性体層62上にインダクタ用上
部コイル配線81bを形成し、インダクタ素子60を作
製する(図10(j)参照)。
【0004】上記したように従来の多層回路板の製造方
法では、キャパシタ素子を設ける誘電体層52にはキャ
パシタ以外の部品を内蔵することができず、また同様に
インダクタを設ける磁性体層62にはインダクタ以外の
部品を内蔵することができない。それは、誘電体層や磁
性体層上に配線回路を形成するとノイズ発生、信号遅
延、クロストーク等の電気的特性悪化といった問題が発
生するため、配線引き回しの自由度も制限されることか
ら、多層回路板の層数や工程数の増加による高コストに
つながったり、また、誘電体層と磁性体層がそれぞれ別
々の層になることから、薄型化、軽量化が困難になると
いった問題を有する。
法では、キャパシタ素子を設ける誘電体層52にはキャ
パシタ以外の部品を内蔵することができず、また同様に
インダクタを設ける磁性体層62にはインダクタ以外の
部品を内蔵することができない。それは、誘電体層や磁
性体層上に配線回路を形成するとノイズ発生、信号遅
延、クロストーク等の電気的特性悪化といった問題が発
生するため、配線引き回しの自由度も制限されることか
ら、多層回路板の層数や工程数の増加による高コストに
つながったり、また、誘電体層と磁性体層がそれぞれ別
々の層になることから、薄型化、軽量化が困難になると
いった問題を有する。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記問題点
に鑑みなされたものであり、低コスト化、薄型化及び軽
量化を実現できるキャパシタ素子及びインダクタ素子内
蔵の多層回路板の製造方法を提供することを目的とす
る。
に鑑みなされたものであり、低コスト化、薄型化及び軽
量化を実現できるキャパシタ素子及びインダクタ素子内
蔵の多層回路板の製造方法を提供することを目的とす
る。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明に於いて上記課題
を達成するために、まず請求項1においては、少なくと
も以下の工程を備えることを特徴とするキャパシタ素子
及びインダクタ素子が任意の層の同一平面上に形成され
た多層回路板(プリント配線板またはインターポーザ)
の製造方法としたものである。 (a)絶縁基材11上に第1配線層21aを形成する工
程。 (b)絶縁基材11及び第1配線層21a上に絶縁層3
1を形成する工程。 (c)絶縁層31の所定位置にビア用孔32を形成する
工程。 (d)絶縁層31上に導体層41及びビア用孔32にフ
ィルドビア42を形成する工程。 (e)導体層41をパターニング処理してキャパシタ用
下部電極41a及びインダクタ用下部コイル配線41b
を形成する工程。 (f)キャパシタ用下部電極41a上に誘電材を混入し
た樹脂溶液をスクリーン印刷して所定厚の誘電体パター
ン層51を、インダクタ用下部コイル配線41b上に磁
性材を混入した樹脂溶液をスクリーン印刷して所定厚の
磁性体パターン層61を形成する工程。 (g)絶縁層31、誘電体パターン層51及び磁性体パ
ターン層61上に半硬化の低誘電率樹脂シートを積層
し、加熱して絶縁層72を形成する工程。 (h)絶縁層72を研磨処理して、誘電体パターン層5
1及び磁性体パターン層61表面を露出させ、さらに、
研磨処理して、表面が平坦化された誘電体パターン層5
1a、磁性体パターン層61a及び絶縁層72aを形成
する工程。 (i)磁性体パターン層61aの所定位置にインダクタ
用下部コイル配線41bとインダクタ用上部コイル配線
とを電気的に接続するためのビア用孔をレーザー加工等
で形成し、誘電体パターン層51a上にキャパシタ用上
部電極81aを形成してキャパシタ素子50を、磁性体
パターン層61a上にインダクタ用上部コイル配線81
bを形成してインダクタ素子60をそれぞれ形成する工
程。
を達成するために、まず請求項1においては、少なくと
も以下の工程を備えることを特徴とするキャパシタ素子
及びインダクタ素子が任意の層の同一平面上に形成され
た多層回路板(プリント配線板またはインターポーザ)
の製造方法としたものである。 (a)絶縁基材11上に第1配線層21aを形成する工
程。 (b)絶縁基材11及び第1配線層21a上に絶縁層3
1を形成する工程。 (c)絶縁層31の所定位置にビア用孔32を形成する
工程。 (d)絶縁層31上に導体層41及びビア用孔32にフ
ィルドビア42を形成する工程。 (e)導体層41をパターニング処理してキャパシタ用
下部電極41a及びインダクタ用下部コイル配線41b
を形成する工程。 (f)キャパシタ用下部電極41a上に誘電材を混入し
た樹脂溶液をスクリーン印刷して所定厚の誘電体パター
ン層51を、インダクタ用下部コイル配線41b上に磁
性材を混入した樹脂溶液をスクリーン印刷して所定厚の
磁性体パターン層61を形成する工程。 (g)絶縁層31、誘電体パターン層51及び磁性体パ
ターン層61上に半硬化の低誘電率樹脂シートを積層
し、加熱して絶縁層72を形成する工程。 (h)絶縁層72を研磨処理して、誘電体パターン層5
1及び磁性体パターン層61表面を露出させ、さらに、
研磨処理して、表面が平坦化された誘電体パターン層5
1a、磁性体パターン層61a及び絶縁層72aを形成
する工程。 (i)磁性体パターン層61aの所定位置にインダクタ
用下部コイル配線41bとインダクタ用上部コイル配線
とを電気的に接続するためのビア用孔をレーザー加工等
で形成し、誘電体パターン層51a上にキャパシタ用上
部電極81aを形成してキャパシタ素子50を、磁性体
パターン層61a上にインダクタ用上部コイル配線81
bを形成してインダクタ素子60をそれぞれ形成する工
程。
【0007】また、請求項2においては、少なくとも以
下の工程を備えることを特徴とするキャパシタ及びイン
ダクタ素子が任意の層の同一平面上に形成された多層回
路板(プリント配線板またはインターポーザ)の製造方
法としたものである。 (a)絶縁基材11上に第1配線層21aを形成する工
程。 (b)絶縁基材11及び第1配線層21a上に絶縁層3
1を形成する工程。 (c)絶縁層31の所定位置にビア用孔32を形成する
工程。 (d)絶縁層31上に導体層41及びビア用孔32にフ
ィルドビア42を形成する工程。 (e)導体層41をパターニング処理してキャパシタ用
下部電極41a及びインダクタ用下部コイル配線41b
を形成する工程。 (f)キャパシタ用下部電極41a上に誘電材を混入し
た樹脂溶液をスクリーン印刷して所定厚の誘電体パター
ン層51を、インダクタ用下部コイル配線41b上に磁
性材を混入した樹脂溶液をスクリーン印刷して所定厚の
磁性体パターン層61を形成する工程。 (g)誘電体パターン層51と磁性体パターン層61間
の絶縁層31上に樹脂溶液をスクリーン印刷して絶縁パ
ターン層71を形成する工程。 (h)絶縁パターン層71、誘電体パターン層51及び
磁性体パターン層61を研磨処理して、表面が平坦化さ
れた絶縁パターン層71a、誘電体パターン層51a及
び磁性体パターン層61aを形成する工程。 (i)磁性体パターン層61aの所定位置にインダクタ
用下部コイル配線41bとインダクタ用上部コイル配線
とを電気的に接続するためのビア用孔をレーザー加工等
で形成し、誘電体パターン層51a上にキャパシタ用上
部電極81aを形成してキャパシタ素子50を、磁性体
パターン層61a上にインダクタ用上部コイル配線81
bを形成してインダクタ素子60をそれぞれ形成する工
程。
下の工程を備えることを特徴とするキャパシタ及びイン
ダクタ素子が任意の層の同一平面上に形成された多層回
路板(プリント配線板またはインターポーザ)の製造方
法としたものである。 (a)絶縁基材11上に第1配線層21aを形成する工
程。 (b)絶縁基材11及び第1配線層21a上に絶縁層3
1を形成する工程。 (c)絶縁層31の所定位置にビア用孔32を形成する
工程。 (d)絶縁層31上に導体層41及びビア用孔32にフ
ィルドビア42を形成する工程。 (e)導体層41をパターニング処理してキャパシタ用
下部電極41a及びインダクタ用下部コイル配線41b
を形成する工程。 (f)キャパシタ用下部電極41a上に誘電材を混入し
た樹脂溶液をスクリーン印刷して所定厚の誘電体パター
ン層51を、インダクタ用下部コイル配線41b上に磁
性材を混入した樹脂溶液をスクリーン印刷して所定厚の
磁性体パターン層61を形成する工程。 (g)誘電体パターン層51と磁性体パターン層61間
の絶縁層31上に樹脂溶液をスクリーン印刷して絶縁パ
ターン層71を形成する工程。 (h)絶縁パターン層71、誘電体パターン層51及び
磁性体パターン層61を研磨処理して、表面が平坦化さ
れた絶縁パターン層71a、誘電体パターン層51a及
び磁性体パターン層61aを形成する工程。 (i)磁性体パターン層61aの所定位置にインダクタ
用下部コイル配線41bとインダクタ用上部コイル配線
とを電気的に接続するためのビア用孔をレーザー加工等
で形成し、誘電体パターン層51a上にキャパシタ用上
部電極81aを形成してキャパシタ素子50を、磁性体
パターン層61a上にインダクタ用上部コイル配線81
bを形成してインダクタ素子60をそれぞれ形成する工
程。
【0008】また、請求項3においては、少なくとも以
下の工程を備えることを特徴とするキャパシタ及びイン
ダクタ素子が任意の層の同一平面上に形成された多層回
路板(プリント配線板またはインターポーザ)の製造方
法としたものである。 (a)絶縁基材11上に第1配線層21aを形成する工
程。 (b)絶縁基材11及び第1配線層21a上に絶縁層3
1を形成する工程。 (c)絶縁層31の所定位置にビア用孔32を形成する
工程。 (d)絶縁層31上に導体層41及びビア用孔32にフ
ィルドビア42を形成する工程。 (e)導体層41をパターニング処理してキャパシタ用
下部電極41a及びインダクタ用下部コイル配線41b
を形成する工程。 (f)キャパシタ用下部電極41a上に誘電材を混入し
た樹脂溶液をスクリーン印刷して所定厚の誘電体パター
ン層51を形成する工程。 (g)誘電体パターン層51及び絶縁層31上に磁性体
層62を形成する工程。 (h)磁性体層62及び誘電体パターン層51を研磨処
理して、表面が平坦化された磁性体層62a及び誘電体
パターン層51aを形成する工程。 (i)磁性体層62aの所定位置にインダクタ用下部コ
イル配線41bとインダクタ用上部コイル配線とを電気
的に接続するためのビア用孔をレーザー加工等で形成
し、誘電体パターン層51a上にキャパシタ用上部電極
81aを形成してキャパシタ素子50を、インダクタ用
下部コイル配線41b上の磁性体層62a上にインダク
タ用上部コイル配線81bを形成してインダクタ素子6
0をそれぞれ形成する工程。
下の工程を備えることを特徴とするキャパシタ及びイン
ダクタ素子が任意の層の同一平面上に形成された多層回
路板(プリント配線板またはインターポーザ)の製造方
法としたものである。 (a)絶縁基材11上に第1配線層21aを形成する工
程。 (b)絶縁基材11及び第1配線層21a上に絶縁層3
1を形成する工程。 (c)絶縁層31の所定位置にビア用孔32を形成する
工程。 (d)絶縁層31上に導体層41及びビア用孔32にフ
ィルドビア42を形成する工程。 (e)導体層41をパターニング処理してキャパシタ用
下部電極41a及びインダクタ用下部コイル配線41b
を形成する工程。 (f)キャパシタ用下部電極41a上に誘電材を混入し
た樹脂溶液をスクリーン印刷して所定厚の誘電体パター
ン層51を形成する工程。 (g)誘電体パターン層51及び絶縁層31上に磁性体
層62を形成する工程。 (h)磁性体層62及び誘電体パターン層51を研磨処
理して、表面が平坦化された磁性体層62a及び誘電体
パターン層51aを形成する工程。 (i)磁性体層62aの所定位置にインダクタ用下部コ
イル配線41bとインダクタ用上部コイル配線とを電気
的に接続するためのビア用孔をレーザー加工等で形成
し、誘電体パターン層51a上にキャパシタ用上部電極
81aを形成してキャパシタ素子50を、インダクタ用
下部コイル配線41b上の磁性体層62a上にインダク
タ用上部コイル配線81bを形成してインダクタ素子6
0をそれぞれ形成する工程。
【0009】さらにまた、請求項4においては、少なく
とも以下の工程を備えることを特徴とするキャパシタ及
びインダクタ素子が任意の層の同一平面上に形成された
多層回路板(プリント配線板またはインターポーザ)の
製造方法としたものである。 (a)絶縁基材11上に第1配線層21aを形成する工
程。 (b)絶縁基材11及び第1配線層21a上に絶縁層3
1を形成する工程。 (c)絶縁層31の所定位置にビア用孔32を形成する
工程。 (d)絶縁層31上に導体層41及びビア用孔32にフ
ィルドビア42を形成する工程。 (e)導体層41をパターニング処理してキャパシタ用
下部電極41a及びインダクタ用下部コイル配線41b
を形成する工程。 (f)インダクタ用下部コイル配線41b上に磁性材を
混入した樹脂溶液をスクリーン印刷して所定厚の磁性体
パターン層61を形成する工程。 (g)磁性体パターン層61及び絶縁層31上に誘電体
層52を形成する工程。 (h)誘電体層52及び磁性体パターン層61を研磨処
理して、表面が平坦化された誘電体層52a及び磁性体
パターン層61aを形成する工程。 (i)磁性体パターン層61aの所定位置にインダクタ
用下部コイル配線41bとインダクタ用上部コイル配線
とを電気的に接続するためのビア用孔をレーザー加工等
で形成し、キャパシタ用下部電極41a上の誘電体層5
2a上にキャパシタ用上部電極81aを形成してキャパ
シタ素子50を、インダクタ用下部コイル配線41b上
の磁性体パターン層61a上にインダクタ用上部コイル
配線81bを形成してインダクタ素子60をそれぞれ形
成する工程。
とも以下の工程を備えることを特徴とするキャパシタ及
びインダクタ素子が任意の層の同一平面上に形成された
多層回路板(プリント配線板またはインターポーザ)の
製造方法としたものである。 (a)絶縁基材11上に第1配線層21aを形成する工
程。 (b)絶縁基材11及び第1配線層21a上に絶縁層3
1を形成する工程。 (c)絶縁層31の所定位置にビア用孔32を形成する
工程。 (d)絶縁層31上に導体層41及びビア用孔32にフ
ィルドビア42を形成する工程。 (e)導体層41をパターニング処理してキャパシタ用
下部電極41a及びインダクタ用下部コイル配線41b
を形成する工程。 (f)インダクタ用下部コイル配線41b上に磁性材を
混入した樹脂溶液をスクリーン印刷して所定厚の磁性体
パターン層61を形成する工程。 (g)磁性体パターン層61及び絶縁層31上に誘電体
層52を形成する工程。 (h)誘電体層52及び磁性体パターン層61を研磨処
理して、表面が平坦化された誘電体層52a及び磁性体
パターン層61aを形成する工程。 (i)磁性体パターン層61aの所定位置にインダクタ
用下部コイル配線41bとインダクタ用上部コイル配線
とを電気的に接続するためのビア用孔をレーザー加工等
で形成し、キャパシタ用下部電極41a上の誘電体層5
2a上にキャパシタ用上部電極81aを形成してキャパ
シタ素子50を、インダクタ用下部コイル配線41b上
の磁性体パターン層61a上にインダクタ用上部コイル
配線81bを形成してインダクタ素子60をそれぞれ形
成する工程。
【0010】
【発明の実施の形態】以下本発明の実施の形態につき説
明する。請求項1に係る本発明の多層回路板の製造方法
について説明する。図1(a)〜(e)及び図2(f)
〜(j)は、請求項1に係る多層回路板の製造方法の一
実施例を工程順に示す模式構成部分断面図である。ま
ず、絶縁基材11上に第1配線層21aを形成する(図
1(a)参照)。実際は、絶縁基材11の両面に第1配
線層以降の配線層が形成されて、多層回路板が作製され
るが、ここでは、絶縁基材の片側の配線層等については
省略してある。次に、絶縁基材11及び第1配線層21
a上に絶縁層31を形成する(図1(b)参照)。次
に、絶縁層31の所定位置にレーザー加工、フォトプロ
セス等によりビア用孔32を形成する(図1(c)参
照)。次に、絶縁層31上及びビア用孔32内に無電解
銅めっき等にて薄膜導体層(特に図示せず)を形成し、
薄膜導体層をカソードにして電解銅めっきを行い、所定
厚の導体層41及びフィルドビア42を形成する(図1
(d)参照)。次に、導体層41をパターニング処理し
て、キャパシタ用下部電極41a及びインダクタ用下部
コイル配線41bを形成する(図1(e)参照)。ここ
では、アディティブプロセスにて、キャパシタ用下部電
極41a及びインダクタ用下部コイル配線41bを形成
したが、これに限定されるものではなく、セミアディテ
ィブプロセス等を適宜使い分けて形成しても良い。
明する。請求項1に係る本発明の多層回路板の製造方法
について説明する。図1(a)〜(e)及び図2(f)
〜(j)は、請求項1に係る多層回路板の製造方法の一
実施例を工程順に示す模式構成部分断面図である。ま
ず、絶縁基材11上に第1配線層21aを形成する(図
1(a)参照)。実際は、絶縁基材11の両面に第1配
線層以降の配線層が形成されて、多層回路板が作製され
るが、ここでは、絶縁基材の片側の配線層等については
省略してある。次に、絶縁基材11及び第1配線層21
a上に絶縁層31を形成する(図1(b)参照)。次
に、絶縁層31の所定位置にレーザー加工、フォトプロ
セス等によりビア用孔32を形成する(図1(c)参
照)。次に、絶縁層31上及びビア用孔32内に無電解
銅めっき等にて薄膜導体層(特に図示せず)を形成し、
薄膜導体層をカソードにして電解銅めっきを行い、所定
厚の導体層41及びフィルドビア42を形成する(図1
(d)参照)。次に、導体層41をパターニング処理し
て、キャパシタ用下部電極41a及びインダクタ用下部
コイル配線41bを形成する(図1(e)参照)。ここ
では、アディティブプロセスにて、キャパシタ用下部電
極41a及びインダクタ用下部コイル配線41bを形成
したが、これに限定されるものではなく、セミアディテ
ィブプロセス等を適宜使い分けて形成しても良い。
【0011】次に、キャパシタ用下部電極41a上に誘
電材を所定量混入した樹脂溶液をスクリーン印刷し、乾
燥硬化して所定厚の誘電体パターン層51を、インダク
タ用下部コイル配線41b上に磁性材を所定量混入した
樹脂溶液をスクリーン印刷し、乾燥硬化して所定厚の磁
性体パターン層61を形成する(図2(f)参照)。
電材を所定量混入した樹脂溶液をスクリーン印刷し、乾
燥硬化して所定厚の誘電体パターン層51を、インダク
タ用下部コイル配線41b上に磁性材を所定量混入した
樹脂溶液をスクリーン印刷し、乾燥硬化して所定厚の磁
性体パターン層61を形成する(図2(f)参照)。
【0012】次に、絶縁層31、誘電体パターン層51
及び磁性体パターン層61上に半硬化の低誘電率シート
を積層し、加熱して絶縁層72を形成する(図2(g)
参照)。
及び磁性体パターン層61上に半硬化の低誘電率シート
を積層し、加熱して絶縁層72を形成する(図2(g)
参照)。
【0013】次に、絶縁層72を研磨処理して、誘電体
パターン層51及び磁性体パターン層61表面を露出さ
せ、さらに、研磨処理して、表面が平坦化された絶縁層
72a、誘電体パターン層51a及び磁性体パターン層
61aを形成する(図2(h)参照)。
パターン層51及び磁性体パターン層61表面を露出さ
せ、さらに、研磨処理して、表面が平坦化された絶縁層
72a、誘電体パターン層51a及び磁性体パターン層
61aを形成する(図2(h)参照)。
【0014】次に、磁性体パターン層61aの所定位置
にインダクタ用下部コイル配線41bとインダクタ用上
部コイル配線とを電気的に接続するためのビア用孔(特
に図示せず)をレーザー加工等で形成し、誘電体パター
ン層51a、磁性体パターン層61a、絶縁層72a上
及びビア用孔内に無電解銅めっきにて薄膜導体層(特に
図示せず)を形成し、薄膜導体層上に感光層を形成し、
露光、現像等の一連のパターニング処理を行ってレジス
トパターン91を形成する。さらに、薄膜導体層をカソ
ードにして電解銅めっきを行い、レジストパターン91
間に所定厚の導体層81及びビア用孔にフィルドビアを
形成する(図2(i)参照)。
にインダクタ用下部コイル配線41bとインダクタ用上
部コイル配線とを電気的に接続するためのビア用孔(特
に図示せず)をレーザー加工等で形成し、誘電体パター
ン層51a、磁性体パターン層61a、絶縁層72a上
及びビア用孔内に無電解銅めっきにて薄膜導体層(特に
図示せず)を形成し、薄膜導体層上に感光層を形成し、
露光、現像等の一連のパターニング処理を行ってレジス
トパターン91を形成する。さらに、薄膜導体層をカソ
ードにして電解銅めっきを行い、レジストパターン91
間に所定厚の導体層81及びビア用孔にフィルドビアを
形成する(図2(i)参照)。
【0015】次に、レジストパターン91を専用の剥離
液で剥離し、レジストパターン下部にあった薄膜導体層
を過硫酸アンモニウム水溶液でソフトエッチングして、
キャパシタ用上部電極81aを形成してキャパシタ素子
50を、インダクタ用上部コイル配線81bを形成して
インダクタ素子60を形成し、絶縁層31の同一平面上
にキャパシタ素子50及びインダクタ素子60が形成さ
れた多層回路板を得る(図2(j)参照)。ここで、磁
性体パターン層61aのインダクタ用下部コイル配線4
1bとインダクタ用上部コイル配線81bとはフィルド
ビアにて電気的に接続され、インダクタ用コイルが形成
される。また上記例では、キャパシタ用下部電極41
a、インダクタ用下部コイル配線41b及び第2配線層
41dはアディティブ法で、キャパシタ用上部電極81
a及びインダクタ用上部コイル配線81bはセミアディ
ティブ法で形成したが、これに限定されるものではな
く、いずれの方法でも良い。
液で剥離し、レジストパターン下部にあった薄膜導体層
を過硫酸アンモニウム水溶液でソフトエッチングして、
キャパシタ用上部電極81aを形成してキャパシタ素子
50を、インダクタ用上部コイル配線81bを形成して
インダクタ素子60を形成し、絶縁層31の同一平面上
にキャパシタ素子50及びインダクタ素子60が形成さ
れた多層回路板を得る(図2(j)参照)。ここで、磁
性体パターン層61aのインダクタ用下部コイル配線4
1bとインダクタ用上部コイル配線81bとはフィルド
ビアにて電気的に接続され、インダクタ用コイルが形成
される。また上記例では、キャパシタ用下部電極41
a、インダクタ用下部コイル配線41b及び第2配線層
41dはアディティブ法で、キャパシタ用上部電極81
a及びインダクタ用上部コイル配線81bはセミアディ
ティブ法で形成したが、これに限定されるものではな
く、いずれの方法でも良い。
【0016】請求項2に係る本発明の多層回路板の製造
方法について説明する。図3(a)〜(e)及び図4
(f)〜(j)は、請求項2に係る多層回路板の製造方
法の一実施例を工程順に示す模式構成部分断面図であ
る。まず、上記と同じプロセスで、絶縁基材11上に第
1配線層21a、絶縁層31、キャパシタ用下部電極4
1a及びインダクタ用下部コイル配線41bを順次形成
する(図3(a)〜(e)参照)。
方法について説明する。図3(a)〜(e)及び図4
(f)〜(j)は、請求項2に係る多層回路板の製造方
法の一実施例を工程順に示す模式構成部分断面図であ
る。まず、上記と同じプロセスで、絶縁基材11上に第
1配線層21a、絶縁層31、キャパシタ用下部電極4
1a及びインダクタ用下部コイル配線41bを順次形成
する(図3(a)〜(e)参照)。
【0017】次に、キャパシタ用下部電極41a上に誘
電材を所定量混入した樹脂溶液をスクリーン印刷し、乾
燥硬化して所定厚の誘電体パターン層51を、インダク
タ用下部コイル配線41b上に磁性材を所定量混入した
樹脂溶液をスクリーン印刷し、乾燥硬化して所定厚の磁
性体パターン層61を形成する(図4(f)参照)。
電材を所定量混入した樹脂溶液をスクリーン印刷し、乾
燥硬化して所定厚の誘電体パターン層51を、インダク
タ用下部コイル配線41b上に磁性材を所定量混入した
樹脂溶液をスクリーン印刷し、乾燥硬化して所定厚の磁
性体パターン層61を形成する(図4(f)参照)。
【0018】次に、誘電体パターン層51と磁性体パタ
ーン層61間の絶縁層31上に樹脂溶液をスクリーン印
刷し、乾燥硬化して所定厚の絶縁パターン層71を形成
する(図4(g)参照)。
ーン層61間の絶縁層31上に樹脂溶液をスクリーン印
刷し、乾燥硬化して所定厚の絶縁パターン層71を形成
する(図4(g)参照)。
【0019】次に、誘電体パターン層51、絶縁パター
ン層72及び磁性体パターン層61表面を研磨処理し
て、表面が平坦化された誘電体パターン層51a、絶縁
パターン層71a及び磁性体パターン層61aを形成す
る(図4(h)参照)。
ン層72及び磁性体パターン層61表面を研磨処理し
て、表面が平坦化された誘電体パターン層51a、絶縁
パターン層71a及び磁性体パターン層61aを形成す
る(図4(h)参照)。
【0020】次に、磁性体パターン層61aの所定位置
にインダクタ用下部コイル配線41bとインダクタ用上
部コイル配線とを電気的に接続するためのビア用孔(特
に図示せず)をレーザー加工等で形成し、誘電体パター
ン層51a、磁性体パターン層61a、絶縁パターン層
71a上及びビア用孔内に無電解銅めっきにて薄膜導体
層(特に図示せず)を形成し、薄膜導体層上に感光層を
形成し、露光、現像等の一連のパターニング処理を行っ
てレジストパターン91を形成する。さらに、薄膜導体
層をカソードにして電解銅めっきを行い、レジストパタ
ーン91間に所定厚の導体層81及びビア用孔にフィル
ドビアを形成する(図4(i)参照)。
にインダクタ用下部コイル配線41bとインダクタ用上
部コイル配線とを電気的に接続するためのビア用孔(特
に図示せず)をレーザー加工等で形成し、誘電体パター
ン層51a、磁性体パターン層61a、絶縁パターン層
71a上及びビア用孔内に無電解銅めっきにて薄膜導体
層(特に図示せず)を形成し、薄膜導体層上に感光層を
形成し、露光、現像等の一連のパターニング処理を行っ
てレジストパターン91を形成する。さらに、薄膜導体
層をカソードにして電解銅めっきを行い、レジストパタ
ーン91間に所定厚の導体層81及びビア用孔にフィル
ドビアを形成する(図4(i)参照)。
【0021】次に、レジストパターン91を専用の剥離
液で剥離し、レジストパターン下部にあった薄膜導体層
を過硫酸アンモニウム水溶液でソフトエッチングして、
キャパシタ用上部電極81aを形成してキャパシタ素子
50を、インダクタ用上部コイル配線81bを形成して
インダクタ素子60を形成し、絶縁層31の同一平面上
にキャパシタ素子50及びインダクタ素子60が形成さ
れた多層回路板を得る(図4(j)参照)。ここで、磁
性体パターン層61aのインダクタ用下部コイル配線4
1bとインダクタ用上部コイル配線81bとはフィルド
ビアにて電気的に接続され、インダクタ用コイルが形成
される。
液で剥離し、レジストパターン下部にあった薄膜導体層
を過硫酸アンモニウム水溶液でソフトエッチングして、
キャパシタ用上部電極81aを形成してキャパシタ素子
50を、インダクタ用上部コイル配線81bを形成して
インダクタ素子60を形成し、絶縁層31の同一平面上
にキャパシタ素子50及びインダクタ素子60が形成さ
れた多層回路板を得る(図4(j)参照)。ここで、磁
性体パターン層61aのインダクタ用下部コイル配線4
1bとインダクタ用上部コイル配線81bとはフィルド
ビアにて電気的に接続され、インダクタ用コイルが形成
される。
【0022】請求項3に係る本発明の多層回路板の製造
方法について説明する。図5(a)〜(e)及び図6
(f)〜(j)は、請求項3に係る多層回路板の製造方
法の一実施例を工程順に示す模式構成部分断面図であ
る。まず、上記と同じプロセスで、絶縁基材11上に第
1配線層21a、絶縁層31、キャパシタ用下部電極4
1a及びインダクタ用下部コイル配線41bを順次形成
する(図5(a)〜(e)参照)。
方法について説明する。図5(a)〜(e)及び図6
(f)〜(j)は、請求項3に係る多層回路板の製造方
法の一実施例を工程順に示す模式構成部分断面図であ
る。まず、上記と同じプロセスで、絶縁基材11上に第
1配線層21a、絶縁層31、キャパシタ用下部電極4
1a及びインダクタ用下部コイル配線41bを順次形成
する(図5(a)〜(e)参照)。
【0023】次に、キャパシタ用下部電極41a上に誘
電材を所定量混入した樹脂溶液をスクリーン印刷し、乾
燥硬化して所定厚の誘電体パターン層51を形成する
(図6(f)参照)。
電材を所定量混入した樹脂溶液をスクリーン印刷し、乾
燥硬化して所定厚の誘電体パターン層51を形成する
(図6(f)参照)。
【0024】次に、誘電体パターン層51、インダクタ
用下部コイル配線41b及び絶縁層31上全面に磁性材
を所定量混入した樹脂溶液をスクリーン印刷し、乾燥硬
化して所定厚の磁性体層62を形成する(図6(g)参
照)。
用下部コイル配線41b及び絶縁層31上全面に磁性材
を所定量混入した樹脂溶液をスクリーン印刷し、乾燥硬
化して所定厚の磁性体層62を形成する(図6(g)参
照)。
【0025】次に、磁性体層62及び誘電体パターン層
51を研磨処理して、表面が平坦化された誘電体パター
ン層51a及び磁性体層62aを形成する(図6(h)
参照)。
51を研磨処理して、表面が平坦化された誘電体パター
ン層51a及び磁性体層62aを形成する(図6(h)
参照)。
【0026】次に、磁性体層62aの所定位置にインダ
クタ用下部コイル配線41bとインダクタ用上部コイル
配線とを電気的に接続するためのビア用孔(特に図示せ
ず)をレーザー加工等で形成し、誘電体パターン層51
a、磁性体層62a上及びビア用孔内に無電解銅めっき
にて薄膜導体層(特に図示せず)を形成し、薄膜導体層
上に感光層を形成し、露光、現像等の一連のパターニン
グ処理を行ってレジストパターン91を形成する。さら
に、薄膜導体層をカソードにして電解銅めっきを行い、
レジストパターン91間に所定厚の導体層81及びビア
用孔にフィルドビアを形成する(図6(i)参照)。
クタ用下部コイル配線41bとインダクタ用上部コイル
配線とを電気的に接続するためのビア用孔(特に図示せ
ず)をレーザー加工等で形成し、誘電体パターン層51
a、磁性体層62a上及びビア用孔内に無電解銅めっき
にて薄膜導体層(特に図示せず)を形成し、薄膜導体層
上に感光層を形成し、露光、現像等の一連のパターニン
グ処理を行ってレジストパターン91を形成する。さら
に、薄膜導体層をカソードにして電解銅めっきを行い、
レジストパターン91間に所定厚の導体層81及びビア
用孔にフィルドビアを形成する(図6(i)参照)。
【0027】次に、レジストパターン91を専用の剥離
液で剥離し、レジストパターン下部にあった薄膜導体層
を過硫酸アンモニウム水溶液でソフトエッチングして、
キャパシタ用上部電極81aを形成してキャパシタ素子
50を、インダクタ用上部コイル配線81bを形成して
インダクタ素子60を形成し、絶縁層31の同一平面上
にキャパシタ素子50及びインダクタ素子60が形成さ
れた多層回路板を得る(図6(j)参照)。ここで、磁
性体層62aのインダクタ用下部コイル配線41bとイ
ンダクタ用上部コイル配線81bとはフィルドビアにて
電気的に接続され、インダクタ用コイルが形成される。
液で剥離し、レジストパターン下部にあった薄膜導体層
を過硫酸アンモニウム水溶液でソフトエッチングして、
キャパシタ用上部電極81aを形成してキャパシタ素子
50を、インダクタ用上部コイル配線81bを形成して
インダクタ素子60を形成し、絶縁層31の同一平面上
にキャパシタ素子50及びインダクタ素子60が形成さ
れた多層回路板を得る(図6(j)参照)。ここで、磁
性体層62aのインダクタ用下部コイル配線41bとイ
ンダクタ用上部コイル配線81bとはフィルドビアにて
電気的に接続され、インダクタ用コイルが形成される。
【0028】請求項4に係る本発明の多層回路板の製造
方法について説明する。図7(a)〜(e)及び図8
(f)〜(j)は、請求項4に係る多層回路板の製造方
法の一実施例を工程順に示す模式構成部分断面図であ
る。まず、上記と同じプロセスで、絶縁基材11上に第
1配線層21a、絶縁層31、キャパシタ用下部電極4
1a及びインダクタ用下部コイル配線41bを順次形成
する(図7(a)〜(e)参照)。
方法について説明する。図7(a)〜(e)及び図8
(f)〜(j)は、請求項4に係る多層回路板の製造方
法の一実施例を工程順に示す模式構成部分断面図であ
る。まず、上記と同じプロセスで、絶縁基材11上に第
1配線層21a、絶縁層31、キャパシタ用下部電極4
1a及びインダクタ用下部コイル配線41bを順次形成
する(図7(a)〜(e)参照)。
【0029】次に、キャパシタ用下部電極41a上に磁
性材を所定量混入した樹脂溶液をスクリーン印刷し、乾
燥硬化して所定厚の磁性体パターン層61を形成する
(図8(f)参照)。
性材を所定量混入した樹脂溶液をスクリーン印刷し、乾
燥硬化して所定厚の磁性体パターン層61を形成する
(図8(f)参照)。
【0030】次に、磁性体パターン層61、キャパシタ
用下部電極41a及び絶縁層31上全面に誘電材を所定
量混入した樹脂溶液をスクリーン印刷し、乾燥硬化して
所定厚の誘電体層52を形成する(図8(g)参照)。
用下部電極41a及び絶縁層31上全面に誘電材を所定
量混入した樹脂溶液をスクリーン印刷し、乾燥硬化して
所定厚の誘電体層52を形成する(図8(g)参照)。
【0031】次に、誘電体層52及び磁性体パターン層
61を研磨処理して、表面が平坦化された誘電体層52
a及び磁性体パターン層61aを形成する(図8(h)
参照)。
61を研磨処理して、表面が平坦化された誘電体層52
a及び磁性体パターン層61aを形成する(図8(h)
参照)。
【0032】次に、磁性体パターン層61aの所定位置
にインダクタ用下部コイル配線41bとインダクタ用上
部コイル配線とを電気的に接続するためのビア用孔(特
に図示せず)をレーザー加工等で形成し、誘電体層52
a、磁性体パターン層61a上及びビア用孔内に無電解
銅めっきにて薄膜導体層(特に図示せず)を形成し、薄
膜導体層上に感光層を形成し、露光、現像等の一連のパ
ターニング処理を行ってレジストパターン91を形成す
る。さらに、薄膜導体層をカソードにして電解銅めっき
を行い、レジストパターン91間に所定厚の導体層81
及びビア用孔にフィルドビアを形成する(図8(i)参
照)。
にインダクタ用下部コイル配線41bとインダクタ用上
部コイル配線とを電気的に接続するためのビア用孔(特
に図示せず)をレーザー加工等で形成し、誘電体層52
a、磁性体パターン層61a上及びビア用孔内に無電解
銅めっきにて薄膜導体層(特に図示せず)を形成し、薄
膜導体層上に感光層を形成し、露光、現像等の一連のパ
ターニング処理を行ってレジストパターン91を形成す
る。さらに、薄膜導体層をカソードにして電解銅めっき
を行い、レジストパターン91間に所定厚の導体層81
及びビア用孔にフィルドビアを形成する(図8(i)参
照)。
【0033】次に、レジストパターン91を専用の剥離
液で剥離し、レジストパターン下部にあった薄膜導体層
を過硫酸アンモニウム水溶液でソフトエッチングして、
キャパシタ用上部電極81aを形成してキャパシタ素子
50を、インダクタ用上部コイル配線81bを形成して
インダクタ素子60を形成し、絶縁層31の同一平面上
にキャパシタ素子50及びインダクタ素子60が形成さ
れた多層回路板を得る(図8(j)参照)。ここで、磁
性体パターン層61aのインダクタ用下部コイル配線4
1bとインダクタ用上部コイル配線81bとはフィルド
ビアにて電気的に接続され、インダクタ用コイルが形成
される。
液で剥離し、レジストパターン下部にあった薄膜導体層
を過硫酸アンモニウム水溶液でソフトエッチングして、
キャパシタ用上部電極81aを形成してキャパシタ素子
50を、インダクタ用上部コイル配線81bを形成して
インダクタ素子60を形成し、絶縁層31の同一平面上
にキャパシタ素子50及びインダクタ素子60が形成さ
れた多層回路板を得る(図8(j)参照)。ここで、磁
性体パターン層61aのインダクタ用下部コイル配線4
1bとインダクタ用上部コイル配線81bとはフィルド
ビアにて電気的に接続され、インダクタ用コイルが形成
される。
【0034】
【実施例】以下、実施例により本発明を詳細に説明す
る。 <実施例1>まず、不織布ガラスにエポキシ樹脂を含浸
させた絶縁基材11上に18μm厚の銅箔を貼り合わせ
た銅張り積層板を用い、パターニング処理して第1配線
層21aを形成し、Bステージ(半硬化性)エポキシ系
絶縁樹脂フィルムを貼り合わせて50μm厚の絶縁層3
1を形成し、絶縁層31の所定位置にレーザー加工にて
ビア用孔32を形成した(図1(a)〜(c)参照)。
る。 <実施例1>まず、不織布ガラスにエポキシ樹脂を含浸
させた絶縁基材11上に18μm厚の銅箔を貼り合わせ
た銅張り積層板を用い、パターニング処理して第1配線
層21aを形成し、Bステージ(半硬化性)エポキシ系
絶縁樹脂フィルムを貼り合わせて50μm厚の絶縁層3
1を形成し、絶縁層31の所定位置にレーザー加工にて
ビア用孔32を形成した(図1(a)〜(c)参照)。
【0035】次に、絶縁層31上及びビア用孔32内に
無電解銅めっき等にて薄膜導体層を形成し、薄膜導体層
をカソードにして電解銅めっきを行い、10μm厚の導
体層41及びフィルドビア42を形成し、導体層41を
パターニング処理して、キャパシタ用下部電極41a及
びインダクタ用下部コイル配線41bを形成した(図1
(d)〜(e)参照)。
無電解銅めっき等にて薄膜導体層を形成し、薄膜導体層
をカソードにして電解銅めっきを行い、10μm厚の導
体層41及びフィルドビア42を形成し、導体層41を
パターニング処理して、キャパシタ用下部電極41a及
びインダクタ用下部コイル配線41bを形成した(図1
(d)〜(e)参照)。
【0036】次に、キャパシタ用下部電極41a及びイ
ンダクタ用下部コイル配線41b上にチタン酸バリウム
粉を高充填させたエポキシ樹脂溶液をスクリーン印刷
し、乾燥硬化して40μm厚の誘電体パターン層51
を、フェライト粉をエポキシ系樹脂に高充填させた樹脂
溶液をスクリーン印刷し、乾燥硬化して40μm厚の磁
性体パターン層61を形成した(図2(f)参照)。
ンダクタ用下部コイル配線41b上にチタン酸バリウム
粉を高充填させたエポキシ樹脂溶液をスクリーン印刷
し、乾燥硬化して40μm厚の誘電体パターン層51
を、フェライト粉をエポキシ系樹脂に高充填させた樹脂
溶液をスクリーン印刷し、乾燥硬化して40μm厚の磁
性体パターン層61を形成した(図2(f)参照)。
【0037】次に、誘電体パターン層51、磁性体パタ
ーン層61及び絶縁層31上に半硬化性低誘電率エポキ
シ系樹脂シートを真空加熱ラミネートし、加熱硬化して
50μm厚の絶縁層72を形成した(図2(g)参
照)。
ーン層61及び絶縁層31上に半硬化性低誘電率エポキ
シ系樹脂シートを真空加熱ラミネートし、加熱硬化して
50μm厚の絶縁層72を形成した(図2(g)参
照)。
【0038】次に、絶縁層72を研磨処理して、誘電体
パターン層51及び磁性体パターン層61表面を露出さ
せ、さらに、研磨処理して、表面が平坦化された絶縁層
72a、誘電体パターン層51a及び磁性体パターン層
61aを形成した(図2(h)参照)。
パターン層51及び磁性体パターン層61表面を露出さ
せ、さらに、研磨処理して、表面が平坦化された絶縁層
72a、誘電体パターン層51a及び磁性体パターン層
61aを形成した(図2(h)参照)。
【0039】次に、磁性体パターン層61aの所定位置
にUVレーザー加工にてビア用穴を形成し、誘電体パタ
ーン層51a、磁性体パターン層61a、絶縁層51a
上及びビア用孔内に無電解銅めっきにて薄膜導体層(特
に図示せず)を形成し、薄膜導体層上に感光層を形成
し、露光、現像等の一連のパターニング処理を行ってレ
ジストパターン91を形成した。さらに、薄膜導体層を
カソードにして電解銅めっきを行い、レジストパターン
91間に10μm厚の導体層81及びビア用孔にフィル
ドビアを形成した(図2(i)参照)。
にUVレーザー加工にてビア用穴を形成し、誘電体パタ
ーン層51a、磁性体パターン層61a、絶縁層51a
上及びビア用孔内に無電解銅めっきにて薄膜導体層(特
に図示せず)を形成し、薄膜導体層上に感光層を形成
し、露光、現像等の一連のパターニング処理を行ってレ
ジストパターン91を形成した。さらに、薄膜導体層を
カソードにして電解銅めっきを行い、レジストパターン
91間に10μm厚の導体層81及びビア用孔にフィル
ドビアを形成した(図2(i)参照)。
【0040】次に、レジストパターン91を専用の剥離
液で剥離し、レジストパターン下部にあった薄膜導体層
を過硫酸アンモニウム水溶液でソフトエッチングして、
キャパシタ用上部電極81aを形成してキャパシタ素子
50を、インダクタ用上部コイル配線81bを形成して
インダクタ素子60を形成し、絶縁層31の同一平面上
にキャパシタ素子50及びインダクタ素子60が形成さ
れた多層回路板を得た(図2(j)参照)。ここで、磁
性体パターン層61aのインダクタ用下部コイル配線4
1bとインダクタ用上部コイル配線81bとはフィルド
ビアにて電気的に接続され、インダクタ用コイルが形成
された。
液で剥離し、レジストパターン下部にあった薄膜導体層
を過硫酸アンモニウム水溶液でソフトエッチングして、
キャパシタ用上部電極81aを形成してキャパシタ素子
50を、インダクタ用上部コイル配線81bを形成して
インダクタ素子60を形成し、絶縁層31の同一平面上
にキャパシタ素子50及びインダクタ素子60が形成さ
れた多層回路板を得た(図2(j)参照)。ここで、磁
性体パターン層61aのインダクタ用下部コイル配線4
1bとインダクタ用上部コイル配線81bとはフィルド
ビアにて電気的に接続され、インダクタ用コイルが形成
された。
【0041】<実施例2>まず、不織布ガラスにエポキ
シ樹脂を含浸させた絶縁基材11上に18μm厚の銅箔
を貼り合わせた銅張り積層板を用い、パターニング処理
して第1配線層21aを形成し、Bステージ(半硬化
性)エポキシ系絶縁樹脂フィルムを貼り合わせて40μ
m厚の絶縁層31を形成し、絶縁層31の所定位置にレ
ーザー加工にてビア用孔32を形成した(図3(a)〜
(c)参照)。
シ樹脂を含浸させた絶縁基材11上に18μm厚の銅箔
を貼り合わせた銅張り積層板を用い、パターニング処理
して第1配線層21aを形成し、Bステージ(半硬化
性)エポキシ系絶縁樹脂フィルムを貼り合わせて40μ
m厚の絶縁層31を形成し、絶縁層31の所定位置にレ
ーザー加工にてビア用孔32を形成した(図3(a)〜
(c)参照)。
【0042】次に、絶縁層31上及びビア用孔32内に
無電解銅めっき等にて薄膜導体層を形成し、薄膜導体層
をカソードにして電解銅めっきを行い、10μm厚の導
体層41及びフィルドビア42を形成し、導体層41を
パターニング処理して、キャパシタ用下部電極41a及
びインダクタ用下部コイル配線41bを形成した(図3
(d)〜(e)参照)。
無電解銅めっき等にて薄膜導体層を形成し、薄膜導体層
をカソードにして電解銅めっきを行い、10μm厚の導
体層41及びフィルドビア42を形成し、導体層41を
パターニング処理して、キャパシタ用下部電極41a及
びインダクタ用下部コイル配線41bを形成した(図3
(d)〜(e)参照)。
【0043】次に、キャパシタ用下部電極41a上にチ
タン酸バリウム粉を高充填させたエポキシ樹脂溶液をス
クリーン印刷し、乾燥硬化して40μm厚の誘電体パタ
ーン層51を、インダクタ用下部コイル配線41b上に
フェライト粉を高充填させたエポキシ樹脂溶液をスクリ
ーン印刷し、乾燥硬化して50μm厚の磁性体パターン
層61を形成した(図4(f)参照)。
タン酸バリウム粉を高充填させたエポキシ樹脂溶液をス
クリーン印刷し、乾燥硬化して40μm厚の誘電体パタ
ーン層51を、インダクタ用下部コイル配線41b上に
フェライト粉を高充填させたエポキシ樹脂溶液をスクリ
ーン印刷し、乾燥硬化して50μm厚の磁性体パターン
層61を形成した(図4(f)参照)。
【0044】次に、誘電体パターン層51と磁性体パタ
ーン層61間の絶縁層31上に低誘電率エポキシ樹脂溶
液をスクリーン印刷し、乾燥硬化して40μm厚の絶縁
パターン層71を形成した(図4(g)参照)。
ーン層61間の絶縁層31上に低誘電率エポキシ樹脂溶
液をスクリーン印刷し、乾燥硬化して40μm厚の絶縁
パターン層71を形成した(図4(g)参照)。
【0045】次に、誘電体パターン層51、絶縁パター
ン層71及び磁性体パターン層61表面を研磨処理し
て、表面が平坦化された誘電体パターン層51a、絶縁
パターン層71a及び磁性体パターン層61aを形成し
た(図4(h)参照)。
ン層71及び磁性体パターン層61表面を研磨処理し
て、表面が平坦化された誘電体パターン層51a、絶縁
パターン層71a及び磁性体パターン層61aを形成し
た(図4(h)参照)。
【0046】次に、磁性体パターン層61aの所定位置
にUVレーザー加工にてビア用孔を形成し、誘電体パタ
ーン層51a、磁性体パターン層61a、絶縁パターン
層71a上及びビア用孔内に無電解銅めっきにて薄膜導
体層(特に図示せず)を形成し、薄膜導体層上に感光層
を形成し、露光、現像等の一連のパターニング処理を行
ってレジストパターン91を形成した。さらに、薄膜導
体層をカソードにして電解銅めっきを行い、レジストパ
ターン91間に10μm厚の導体層81及びビア用孔に
フィルドビアを形成した(図4(i)参照)。
にUVレーザー加工にてビア用孔を形成し、誘電体パタ
ーン層51a、磁性体パターン層61a、絶縁パターン
層71a上及びビア用孔内に無電解銅めっきにて薄膜導
体層(特に図示せず)を形成し、薄膜導体層上に感光層
を形成し、露光、現像等の一連のパターニング処理を行
ってレジストパターン91を形成した。さらに、薄膜導
体層をカソードにして電解銅めっきを行い、レジストパ
ターン91間に10μm厚の導体層81及びビア用孔に
フィルドビアを形成した(図4(i)参照)。
【0047】次に、レジストパターン91を専用の剥離
液で剥離し、レジストパターン下部にあった薄膜導体層
を過硫酸アンモニウム水溶液でソフトエッチングして、
キャパシタ用上部電極81aを形成してキャパシタ素子
50を、インダクタ用上部コイル配線81bを形成して
インダクタ素子60を形成し、絶縁層31の同一平面上
にキャパシタ素子50及びインダクタ素子60が形成さ
れた多層回路板を得た(図4(j)参照)。ここで、磁
性体パターン層61aのインダクタ用下部コイル配線4
1bとインダクタ用上部コイル配線81bとはフィルド
ビアにて電気的に接続され、インダクタ用コイルが形成
された。
液で剥離し、レジストパターン下部にあった薄膜導体層
を過硫酸アンモニウム水溶液でソフトエッチングして、
キャパシタ用上部電極81aを形成してキャパシタ素子
50を、インダクタ用上部コイル配線81bを形成して
インダクタ素子60を形成し、絶縁層31の同一平面上
にキャパシタ素子50及びインダクタ素子60が形成さ
れた多層回路板を得た(図4(j)参照)。ここで、磁
性体パターン層61aのインダクタ用下部コイル配線4
1bとインダクタ用上部コイル配線81bとはフィルド
ビアにて電気的に接続され、インダクタ用コイルが形成
された。
【0048】<実施例3>まず、不織布ガラスにエポキ
シ樹脂を含浸させた絶縁基材11上に18μm厚の銅箔
を貼り合わせた銅張り積層板を用い、パターニング処理
して第1配線層21aを形成し、Bステージ(半硬化
性)エポキシ系絶縁樹脂フィルムを貼り合わせて40μ
m厚の絶縁層31を形成し、絶縁層31の所定位置にレ
ーザー加工にてビア用孔32を形成した(図5(a)〜
(c)参照)。
シ樹脂を含浸させた絶縁基材11上に18μm厚の銅箔
を貼り合わせた銅張り積層板を用い、パターニング処理
して第1配線層21aを形成し、Bステージ(半硬化
性)エポキシ系絶縁樹脂フィルムを貼り合わせて40μ
m厚の絶縁層31を形成し、絶縁層31の所定位置にレ
ーザー加工にてビア用孔32を形成した(図5(a)〜
(c)参照)。
【0049】次に、絶縁層31上及びビア用孔32内に
無電解銅めっき等にて薄膜導体層を形成し、薄膜導体層
をカソードにして電解銅めっきを行い、10μm厚の導
体層41及びフィルドビア42を形成し、導体層41を
パターニング処理して、キャパシタ用下部電極41a及
びインダクタ用下部コイル配線41bを形成した(図5
(d)〜(e)参照)。
無電解銅めっき等にて薄膜導体層を形成し、薄膜導体層
をカソードにして電解銅めっきを行い、10μm厚の導
体層41及びフィルドビア42を形成し、導体層41を
パターニング処理して、キャパシタ用下部電極41a及
びインダクタ用下部コイル配線41bを形成した(図5
(d)〜(e)参照)。
【0050】次に、キャパシタ用下部電極41a上にチ
タン酸バリウム粉を高充填させたエポキシ樹脂溶液をス
クリーン印刷し、乾燥硬化して40μm厚の誘電体パタ
ーン層51を形成した(図6(f)参照)。
タン酸バリウム粉を高充填させたエポキシ樹脂溶液をス
クリーン印刷し、乾燥硬化して40μm厚の誘電体パタ
ーン層51を形成した(図6(f)参照)。
【0051】次に、誘電体パターン層51、インダクタ
用下部コイル配線41b及び絶縁層31上全面にチタン
酸バリウム粉を高充填させたエポキシ樹脂をスクリーン
印刷し、乾燥硬化して40μm厚の磁性体層62を形成
した(図6(g)参照)。
用下部コイル配線41b及び絶縁層31上全面にチタン
酸バリウム粉を高充填させたエポキシ樹脂をスクリーン
印刷し、乾燥硬化して40μm厚の磁性体層62を形成
した(図6(g)参照)。
【0052】次に、磁性体層62及び誘電体パターン層
51を研磨処理して、表面が平坦化された誘電体パター
ン層51a及び磁性体層62aを形成した(図6(h)
参照)。
51を研磨処理して、表面が平坦化された誘電体パター
ン層51a及び磁性体層62aを形成した(図6(h)
参照)。
【0053】次に、磁性体層62aの所定位置にUVレ
ーザー加工にてビア用孔を形成し、誘電体パターン層5
1a、磁性体層62a上及びビア用孔内に無電解銅めっ
きにて薄膜導体層を形成し、薄膜導体層上に感光層を形
成し、露光、現像等の一連のパターニング処理を行って
レジストパターン91を形成した。さらに、薄膜導体層
をカソードにして電解銅めっきを行い、レジストパター
ン91間に10μm厚の導体層81及びビア用孔にフィ
ルドビアを形成した(図6(i)参照)。
ーザー加工にてビア用孔を形成し、誘電体パターン層5
1a、磁性体層62a上及びビア用孔内に無電解銅めっ
きにて薄膜導体層を形成し、薄膜導体層上に感光層を形
成し、露光、現像等の一連のパターニング処理を行って
レジストパターン91を形成した。さらに、薄膜導体層
をカソードにして電解銅めっきを行い、レジストパター
ン91間に10μm厚の導体層81及びビア用孔にフィ
ルドビアを形成した(図6(i)参照)。
【0054】次に、レジストパターン91を専用の剥離
液で剥離し、レジストパターン下部にあった薄膜導体層
を過硫酸アンモニウム水溶液でソフトエッチングして、
キャパシタ用上部電極81aを形成してキャパシタ素子
50を、インダクタ用上部コイル配線81bを形成して
インダクタ素子60を形成し、絶縁層31の同一平面上
にキャパシタ素子50及びインダクタ素子60が形成さ
れた多層回路板を得た(図6(j)参照)。ここで、磁
性体層62aのインダクタ用下部コイル配線41bとイ
ンダクタ用上部コイル配線81bとはフィルドビアにて
電気的に接続され、インダクタ用コイルが形成された。
液で剥離し、レジストパターン下部にあった薄膜導体層
を過硫酸アンモニウム水溶液でソフトエッチングして、
キャパシタ用上部電極81aを形成してキャパシタ素子
50を、インダクタ用上部コイル配線81bを形成して
インダクタ素子60を形成し、絶縁層31の同一平面上
にキャパシタ素子50及びインダクタ素子60が形成さ
れた多層回路板を得た(図6(j)参照)。ここで、磁
性体層62aのインダクタ用下部コイル配線41bとイ
ンダクタ用上部コイル配線81bとはフィルドビアにて
電気的に接続され、インダクタ用コイルが形成された。
【0055】<実施例4>まず、不織布ガラスにエポキ
シ樹脂を含浸させた絶縁基材11上に18μm厚の銅箔
を貼り合わせた銅張り積層板を用い、パターニング処理
して第1配線層21aを形成し、Bステージ(半硬化
性)エポキシ系絶縁樹脂フィルムを貼り合わせて40μ
m厚の絶縁層31を形成し、絶縁層31の所定位置にレ
ーザー加工にてビア用孔32を形成した(図5(a)〜
(c)参照)。
シ樹脂を含浸させた絶縁基材11上に18μm厚の銅箔
を貼り合わせた銅張り積層板を用い、パターニング処理
して第1配線層21aを形成し、Bステージ(半硬化
性)エポキシ系絶縁樹脂フィルムを貼り合わせて40μ
m厚の絶縁層31を形成し、絶縁層31の所定位置にレ
ーザー加工にてビア用孔32を形成した(図5(a)〜
(c)参照)。
【0056】次に、絶縁層31上及びビア用孔32内に
無電解銅めっき等にて薄膜導体層を形成し、薄膜導体層
をカソードにして電解銅めっきを行い、10μm厚の導
体層41及びフィルドビア42を形成し、導体層41を
パターニング処理して、キャパシタ用下部電極41a及
びインダクタ用下部コイル配線41bを形成した(図5
(d)〜(e)参照)。
無電解銅めっき等にて薄膜導体層を形成し、薄膜導体層
をカソードにして電解銅めっきを行い、10μm厚の導
体層41及びフィルドビア42を形成し、導体層41を
パターニング処理して、キャパシタ用下部電極41a及
びインダクタ用下部コイル配線41bを形成した(図5
(d)〜(e)参照)。
【0057】次に、キャパシタ用下部電極41a上にフ
ェライト粉を高充填させたエポキシ樹脂溶液をスクリー
ン印刷し、乾燥硬化して40μm厚の磁性体パターン層
61を形成した(図8(f)参照)。
ェライト粉を高充填させたエポキシ樹脂溶液をスクリー
ン印刷し、乾燥硬化して40μm厚の磁性体パターン層
61を形成した(図8(f)参照)。
【0058】次に、磁性体パターン層61、キャパシタ
用下部電極41a及び絶縁層31上全面にチタン酸バリ
ウム粉を高充填させたエポキシ樹脂溶液をスクリーン印
刷し、乾燥硬化して40μm厚の誘電体層52を形成し
た(図8(g)参照)。
用下部電極41a及び絶縁層31上全面にチタン酸バリ
ウム粉を高充填させたエポキシ樹脂溶液をスクリーン印
刷し、乾燥硬化して40μm厚の誘電体層52を形成し
た(図8(g)参照)。
【0059】次に、誘電体層52及び磁性体パターン層
61を研磨処理して、表面が平坦化された誘電体層52
a及び磁性体パターン層61aを形成した(図8(h)
参照)。
61を研磨処理して、表面が平坦化された誘電体層52
a及び磁性体パターン層61aを形成した(図8(h)
参照)。
【0060】次に、磁性体パターン層61aの所定位置
にUVレーザー加工にてビア用孔を形成し、誘電体層5
2a、磁性体パターン層61a上及びビア用孔内に無電
解銅めっきにて薄膜導体層を形成し、薄膜導体層上に感
光層を形成し、露光、現像等の一連のパターニング処理
を行ってレジストパターン91を形成した。さらに、薄
膜導体層をカソードにして電解銅めっきを行い、レジス
トパターン91間に10μm厚の導体層81及びビア用
孔にフィルドビアを形成した(図8(i)参照)。
にUVレーザー加工にてビア用孔を形成し、誘電体層5
2a、磁性体パターン層61a上及びビア用孔内に無電
解銅めっきにて薄膜導体層を形成し、薄膜導体層上に感
光層を形成し、露光、現像等の一連のパターニング処理
を行ってレジストパターン91を形成した。さらに、薄
膜導体層をカソードにして電解銅めっきを行い、レジス
トパターン91間に10μm厚の導体層81及びビア用
孔にフィルドビアを形成した(図8(i)参照)。
【0061】次に、レジストパターン91を専用の剥離
液で剥離し、レジストパターン下部にあった薄膜導体層
を過硫酸アンモニウム水溶液でソフトエッチングして、
キャパシタ用上部電極81aを形成してキャパシタ素子
50を、インダクタ用上部コイル配線81bを形成して
インダクタ素子60を形成し、絶縁層31の同一平面上
にキャパシタ素子50及びインダクタ素子60が形成さ
れた多層回路板を得た(図8(j)参照)。ここで、磁
性体層62aのインダクタ用下部コイル配線41bとイ
ンダクタ用上部コイル配線81bとはフィルドビアにて
電気的に接続され、インダクタ用コイルが形成された。
液で剥離し、レジストパターン下部にあった薄膜導体層
を過硫酸アンモニウム水溶液でソフトエッチングして、
キャパシタ用上部電極81aを形成してキャパシタ素子
50を、インダクタ用上部コイル配線81bを形成して
インダクタ素子60を形成し、絶縁層31の同一平面上
にキャパシタ素子50及びインダクタ素子60が形成さ
れた多層回路板を得た(図8(j)参照)。ここで、磁
性体層62aのインダクタ用下部コイル配線41bとイ
ンダクタ用上部コイル配線81bとはフィルドビアにて
電気的に接続され、インダクタ用コイルが形成された。
【0062】
【発明の効果】本発明の多層回路板の製造方法による
と、キャパシタ素子及びインダクタ素子を任意の層の同
一面上に内蔵することが可能となり、更には、キャパシ
タ、インダクタ素子以外の部分は電気特性を向上させる
ための材料を選択できるので、配線引き回しの自由度が
拡大でき、多層回路板の層数や工数の低減が可能とな
り、低コスト化、薄型化、軽量化が可能となる。
と、キャパシタ素子及びインダクタ素子を任意の層の同
一面上に内蔵することが可能となり、更には、キャパシ
タ、インダクタ素子以外の部分は電気特性を向上させる
ための材料を選択できるので、配線引き回しの自由度が
拡大でき、多層回路板の層数や工数の低減が可能とな
り、低コスト化、薄型化、軽量化が可能となる。
【図1】(a)〜(e)は、請求項1に係る本発明の多
層回路板の製造方法における工程の一部を示す模式部分
構成断面図である。
層回路板の製造方法における工程の一部を示す模式部分
構成断面図である。
【図2】(f)〜(j)は、請求項1に係る本発明の多
層回路板の製造方法における工程の一部を示す模式部分
構成断面図である。
層回路板の製造方法における工程の一部を示す模式部分
構成断面図である。
【図3】(a)〜(e)は、請求項2に係る本発明の多
層回路板の製造方法における工程の一部を示す模式部分
構成断面図である。
層回路板の製造方法における工程の一部を示す模式部分
構成断面図である。
【図4】(f)〜(j)は、請求項2に係る本発明の多
層回路板の製造方法における工程の一部を示す模式部分
構成断面図である。
層回路板の製造方法における工程の一部を示す模式部分
構成断面図である。
【図5】(a)〜(e)は、請求項3に係る本発明の多
層回路板の製造方法における工程の一部を示す模式部分
構成断面図である。
層回路板の製造方法における工程の一部を示す模式部分
構成断面図である。
【図6】(f)〜(j)は、請求項3に係る本発明の多
層回路板の製造方法における工程の一部を示す模式部分
構成断面図である。
層回路板の製造方法における工程の一部を示す模式部分
構成断面図である。
【図7】(a)〜(e)は、請求項4に係る本発明の多
層回路板の製造方法における工程の一部を示す模式部分
構成断面図である。
層回路板の製造方法における工程の一部を示す模式部分
構成断面図である。
【図8】(f)〜(j)は、請求項4に係る本発明の多
層回路板の製造方法における工程の一部を示す模式部分
構成断面図である。
層回路板の製造方法における工程の一部を示す模式部分
構成断面図である。
【図9】(a)〜(e)は、従来のキャパシタ及びイン
ダクタ素子内蔵の多層回路板の製造方法における工程の
一部を示す模式部分構成断面図である。
ダクタ素子内蔵の多層回路板の製造方法における工程の
一部を示す模式部分構成断面図である。
【図10】(f)〜(j)は、従来のキャパシタ及びイ
ンダクタ素子内蔵の多層回路板の製造方法における工程
の一部を示す模式部分構成断面図である。
ンダクタ素子内蔵の多層回路板の製造方法における工程
の一部を示す模式部分構成断面図である。
11……絶縁基材
21a……第1配線層
31、72……絶縁層
32……ビア用孔
41、81……導体層
41a……キャパシタ用下部電極
41b……インダクタ用下部コイル配線
42……フィルドビア
50……キャパシタ素子
51……誘電体パターン層
52……誘電体層
60……インダクタ素子
61……磁性体パターン層
62……磁性体層
71……絶縁パターン層
81a……キャパシタ用上部電極
81b……インダクタ用上部コイル配線
91……レジストパターン
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 吉本 尚志
東京都台東区台東1丁目5番1号 凸版印
刷株式会社内
(72)発明者 阿部 和雄
東京都台東区台東1丁目5番1号 凸版印
刷株式会社内
(72)発明者 利根川 雅久
東京都台東区台東1丁目5番1号 凸版印
刷株式会社内
(72)発明者 深田 隆之
東京都台東区台東1丁目5番1号 凸版印
刷株式会社内
Fターム(参考) 5E346 AA05 AA06 AA11 AA12 AA13
AA15 AA33 AA35 AA43 AA60
BB02 BB16 BB20 CC02 CC08
CC21 CC32 CC54 DD02 DD07
DD22 DD32 DD33 EE33 FF04
FF45 GG15 GG17 GG19 GG22
GG23 GG40 HH23 HH24 HH33
Claims (4)
- 【請求項1】少なくとも以下の工程を備えることを特徴
とするキャパシタ素子及びインダクタ素子が任意の層の
同一平面上に形成された多層回路板(プリント配線板ま
たはインターポーザ)の製造方法。 (a)絶縁基材(11)上に第1配線層(21a)を形
成する工程。 (b)絶縁基材(11)及び第1配線層(21a)上に
絶縁層(31)を形成する工程。 (c)絶縁層(31)の所定位置にビア用孔(32)を
形成する工程。 (d)絶縁層(31)上に導体層(41)及びビア用孔
(32)にフィルドビア(42)を形成する工程。 (e)導体層(41)をパターニング処理してキャパシ
タ用下部電極(41a)及びインダクタ用下部コイル配
線(41b)を形成する工程。 (f)キャパシタ用下部電極(41a)上に誘電材を混
入した樹脂溶液をスクリーン印刷して所定厚の誘電体パ
ターン層(51)を、インダクタ用下部コイル配線(4
1b)上に磁性材を混入した樹脂溶液をスクリーン印刷
して所定厚の磁性体パターン層(61)をそれぞれ形成
する工程。 (g)絶縁層(31)、誘電体パターン層(51)及び
磁性体パターン層(61)上に半硬化の低誘電率樹脂シ
ートを積層し、加熱して絶縁層(72)を形成する工
程。 (h)絶縁層(72)を研磨処理して、誘電体パターン
層(51)及び磁性体パターン層(61)表面を露出さ
せ、さらに、研磨処理して、表面が平坦化された誘電体
パターン層(51a)、磁性体パターン層(61a)及
び絶縁層(72a)を形成する工程。 (i)磁性体パターン層(61a)の所定位置にインダ
クタ用下部コイル配線(41b)とインダクタ用上部コ
イル配線とを電気的に接続するためのビア用孔をレーザ
ー加工等で形成し、誘電体パターン層(51a)上にキ
ャパシタ用上部電極(81a)を形成してキャパシタ素
子(50)を、磁性体パターン層(61a)上にインダ
クタ用上部コイル配線(81b)を形成してインダクタ
素子(60)をそれぞれ形成する工程。 - 【請求項2】少なくとも以下の工程を備えることを特徴
とするキャパシタ素子及びインダクタ素子が任意の層の
同一平面上に形成された多層回路板(プリント配線板ま
たはインターポーザ)の製造方法。 (a)絶縁基材(11)上に第1配線層(21a)を形
成する工程。 (b)絶縁基材(11)及び第1配線層(21a)上に
絶縁層(31)を形成する工程。 (c)絶縁層(31)の所定位置にビア用孔(32)を
形成する工程。 (d)絶縁層(31)上に導体層(41)及びビア用孔
(32)にフィルドビア(42)を形成する工程。 (e)導体層(41)をパターニング処理してキャパシ
タ用下部電極(41a)及びインダクタ用下部コイル配
線(41b)を形成する工程。 (f)キャパシタ用下部電極(41a)上に誘電材を混
入した樹脂溶液をスクリーン印刷して所定厚の誘電体パ
ターン層(51)を、インダクタ用下部コイル配線(4
1b)上に磁性材を混入した樹脂溶液をスクリーン印刷
して所定厚の磁性体パターン層(61)を形成する工
程。 (g)誘電体パターン層(51)と磁性体パターン層
(61)間の絶縁層(31)上に樹脂溶液をスクリーン
印刷して絶縁パターン層(71)を形成する工程。 (h)絶縁パターン層(71)、誘電体パターン層(5
1)及び磁性体パターン層(61)表面を研磨処理し
て、表面が平坦化された誘電体パターン層(51a)、
磁性体パターン層(61a)及び絶縁パターン層(71
a)を形成する工程。 (i)磁性体パターン層(61a)の所定位置にインダ
クタ用下部コイル配線(41b)とインダクタ用上部コ
イル配線とを電気的に接続するためのビア用孔をレーザ
ー加工等で形成し、誘電体パターン層(51a)上にキ
ャパシタ用上部電極(81a)を形成してキャパシタ素
子(50)を、磁性体パターン層(61a)上にインダ
クタ用上部コイル配線(81b)を形成してインダクタ
素子(60)をそれぞれ形成する工程。 - 【請求項3】少なくとも以下の工程を備えることを特徴
とするキャパシタ素子及びインダクタ素子が任意の層の
同一平面上に形成された多層回路板(プリント配線板ま
たはインターポーザ)の製造方法。 (a)絶縁基材(11)上に第1配線層(21a)を形
成する工程。 (b)絶縁基材(11)及び第1配線層(21a)上に
絶縁層(31)を形成する工程。 (c)絶縁層(31)の所定位置にビア用孔(32)を
形成する工程。 (d)絶縁層(31)上に導体層(41)及びビア用孔
(32)にフィルドビア(42)を形成する工程。 (e)導体層(41)をパターニング処理してキャパシ
タ用下部電極(41a)及びインダクタ用下部コイル配
線(41b)を形成する工程。 (f)キャパシタ用下部電極(41a)上に所定厚の誘
電体パターン層(51)を形成する工程。 (g)誘電体パターン層(51)及び絶縁層(31)上
に磁性体層(62)を形成する工程。 (h)磁性体層(62)及び誘電体パターン層(51)
を研磨処理して、表面が平坦化された磁性体層(62
a)及び誘電体パターン層(51a)を形成する工程。 (i)磁性体層(62a)の所定位置にインダクタ用下
部コイル配線(41b)とインダクタ用上部コイル配線
とを電気的に接続するためのビア用孔をレーザー加工等
で形成し、誘電体パターン層(51a)上にキャパシタ
用上部電極(81a)を形成してキャパシタ素子(5
0)を、インダクタ用下部コイル配線(41b)上の磁
性体層(62a)上にインダクタ用上部コイル配線(8
1b)を形成してインダクタ素子(60)をそれぞれ形
成する工程。 - 【請求項4】少なくとも以下の工程を備えることを特徴
とするキャパシタ素子及びインダクタ素子が任意の層の
同一平面上に形成された多層回路板(プリント配線板ま
たはインターポーザ)の製造方法。 (a)絶縁基材(11)上に第1配線層(21a)を形
成する工程。 (b)絶縁基材(11)及び第1配線層(21a)上に
絶縁層(31)を形成する工程。 (c)絶縁層(31)の所定位置にビア用孔(32)を
形成する工程。 (d)絶縁層(31)上に導体層(41)及びビア用孔
(32)にフィルドビア(42)を形成する工程。 (e)導体層(41)をパターニング処理してキャパシ
タ用下部電極(41a)及びインダクタ用下部コイル配
線(41b)を形成する工程。 (f)インダクタ用下部コイル配線(41b)上に磁性
材を混入した樹脂溶液をスクリーン印刷して所定厚の磁
性体パターン層(61)を形成する工程。 (g)磁性体パターン層(61)及び絶縁層(31)上
に所定厚の誘電体層(52)を形成する工程。 (h)誘電体層(52)及び磁性体パターン層(61)
を研磨処理して、表面が平坦化された誘電体層(52
a)及び磁性体パターン層(61a)を形成する工程。 (i)磁性体パターン層(61a)の所定位置にインダ
クタ用下部コイル配線(41b)とインダクタ用上部コ
イル配線とを電気的に接続するためのビア用孔をレーザ
ー加工等で形成し、キャパシタ用下部電極(41a)上
の誘電体層(52a)上にキャパシタ用上部電極(81
a)を形成してキャパシタ素子(50)を、インダクタ
用下部コイル配線(41b)上の磁性体パターン層(6
1a)上にインダクタ用上部コイル配線(81b)を形
成してインダクタ素子(60)をそれぞれ形成する工
程。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002125726A JP2003318549A (ja) | 2002-04-26 | 2002-04-26 | 多層回路板(プリント配線板またはインターポーザ)の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002125726A JP2003318549A (ja) | 2002-04-26 | 2002-04-26 | 多層回路板(プリント配線板またはインターポーザ)の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003318549A true JP2003318549A (ja) | 2003-11-07 |
Family
ID=29540362
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002125726A Pending JP2003318549A (ja) | 2002-04-26 | 2002-04-26 | 多層回路板(プリント配線板またはインターポーザ)の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2003318549A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008130779A (ja) * | 2006-11-21 | 2008-06-05 | Aica Kogyo Co Ltd | コンデンサ内蔵多層プリント配線板の製造方法 |
US8338912B2 (en) | 2008-06-12 | 2012-12-25 | Sony Corporation | Inductor module, silicon tuner module and semiconductor device |
CN105742251A (zh) * | 2014-12-09 | 2016-07-06 | 联华电子股份有限公司 | 具有电感和金属-绝缘层-金属电容的结构 |
JP6039182B2 (ja) * | 2009-06-30 | 2016-12-07 | 日本電気株式会社 | 半導体装置、該装置に用いられる実装基板及び該実装基板の製造方法 |
JP2020167336A (ja) * | 2019-03-29 | 2020-10-08 | Tdk株式会社 | 素子内蔵基板およびその製造方法 |
-
2002
- 2002-04-26 JP JP2002125726A patent/JP2003318549A/ja active Pending
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---|---|---|---|---|
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US8338912B2 (en) | 2008-06-12 | 2012-12-25 | Sony Corporation | Inductor module, silicon tuner module and semiconductor device |
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CN105742251B (zh) * | 2014-12-09 | 2019-10-18 | 联华电子股份有限公司 | 具有电感和金属-绝缘层-金属电容的结构 |
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