JP2004342871A - 多層プリント配線板及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】電子機器の高密度化、信号処理の高速化に対応できる多層プリント配線板及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】絶縁基材１１の両面にグラウンド層２１ａ、配線層２１ｂ及び配線層２１ｃが、さらに、絶縁層１２を介してフィルドビア５２、信号線６１ａ、配線層６１ｂ、配線層６１ｃ及びＩＶＨ５３が形成されて、コア基板４０を構成しており、コア基板４０の両面に絶縁層１２と比誘電率が異なる絶縁層１３を介してフィルドビア５５、グラウンド層６１ａ、外層ランド６２ｂ、スルーホール５６及びソルダーレジスト８１が形成されており、グラウンド層２１ａとグラウンド層６２ａはスタックドビア構造のフィルドビア５２及び５５で電気的に接続されており、信号線６１ａは、グラウンドレベルの導体で取り囲まれた角型同軸構造のストリップライン構造となっている。
【選択図】図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、絶縁基材の両面に絶縁層を介して複数の配線層が形成された多層プリント配線板及びその製造方法関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体実装技術の発展により半導体装置を実装するプリント配線板においては、高密度、高精度の配線層を有する薄型の多層プリント配線板が要求されている。そのような、要求を満たすために、コア基板上に絶縁層と配線層を交互に形成して多層配線板を形成するビルドアップ多層プリント配線板が実用化されている。
【０００３】
また、電子機器の性能向上指向は年々高まり、高密度化、高速化しており、そこに用いられる実装基板にもその対応が求められている。このように信号が高速化すると、材料、パターン設計、層構成など種々な面で変化が出てくると思われるが、その一つに、特性インピーダンスがあり、実装基板の主要構成部材であるプリント配線板でその整合が求められている。
【０００４】
電子部品、デバイスの入力または出力インピーダンスが多層プリント配線板上の配線回路パターンのインピーダンスと整合していないと境界部で信号の反射が生じ、雑音となって伝送信号の品質を低下させる。最近の電子機器では、高速処理が当たり前となってきているので、特性インピーダンスの整合は重要となっている。
【０００５】
プリント配線板においては、特性インピーダンスを整合するためには、各種の伝送回路のうち、プリント配線板の内層では、図６（ｂ）に示すような、ストリップライン（ｓｔｒｉｐｌｉｎｅ）、表面では、図６（ａ）に示すようなマイクロストリップ（ｍｉｃｒｏｓｔｒｉｐ）の構造をとることで対応している。
また、上記の基本形の他に、図７（ａ）〜（ｄ）に示すような、共平面型（ｃｏｐｌａｎｅｒ ｔｙｐｅ）や同軸型（ｃｏａｘｉａａｌ ｔｙｐｅ）で構成することもあり（例えば、非特許文献１参照）、パッケージ配線に多く用いられている。
【０００６】
図７（ａ）は、プリント配線板の同一平面に信号線２２１とグラウンド層２２２が配置された共平面導体の一例である。
図７（ｂ）は、グラウンド層２２３が形成されたコア基板上にビルドアッププロセスにて、絶縁層２１２、信号線２２１、グラウンド層２２４、絶縁層２１３、グラウンド層２２５がそれぞれ形成されており、信号線２２１の周囲をグラウンド層２２３、グラウンド層２２４及びグラウンド層２２５で取り囲むようにした共平面型同軸構造の一例である。
図７（ｃ）は、グラウンド層２２３が形成されたコア基板上にビルドアッププロセスにて、絶縁層２１２、信号線２２１、絶縁層２１３、スキップビア構造のビア２３１及びグラウンド層２２６がそれぞれ形成されており、グラウンド層２２３及びグラウンド層２２６がコンフォーマルビア２３１にて電気的に接続され、信号線２２１がグラウンドレベルの導体で取り囲まれた角型同軸構造の一例である。
図７（ｄ）は、グラウンド層２２３が形成されたコア基板上にビルドアッププロセスにて、絶縁層２１２、信号線２２１、絶縁層２１３、スタックドビア構造のフィルドビア２３２及びビア２３３、グラウンド層２２６がそれぞれ形成されており、グラウンド層２２３及びグラウンド層２２６がスタックドビア構造のフィルドビア２３２及びビア２３３にて電気的に接続され、信号線２２１がグラウンドレベルの導体で取り囲まれた角型同軸構造の一例である。
【０００７】
上記したように、特性インピーダンスの整合性については、上記の構造で対応できるが、最近の電子機器の高密度化、薄型化に対応するには、そこに使用されるプリント配線板に対しても、電子デバイスの特性に応じて微妙な調整を施す必要がある。
例えば、絶縁層の厚さを変えなくてはならない場合、絶縁層の比誘電率を変えて、特性インピーダンスを整合させることなどである。
【０００８】
【非特許文献１】
高木清著「ビルドアップ多層プリント配線板技術」日刊工業新聞社出版、２００１年６月１５日、Ｐ．４２−４６
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、電子機器の高密度化、信号処理の高速化に対応できる多層プリント配線板及びその製造方法を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明に於いて上記課題を達成するために、まず請求項１においては、絶縁基材上に絶縁層を介して信号線、配線層及びグラウンド層が複数層形成されており、配線層及びグラウンド層は絶縁層を介してビア接続され、階層間のビアホールはスタックドビア構造となっているビルドアップ多層プリント配線板において、前記信号線がスタックドビアとグラウンド層とで取り囲まれたストリップライン構造で、前記信号線の両側（上下）の層間絶縁層は、比誘電率を異にしており、ガラスクロスに樹脂を含浸させたプリプレグを加熱加圧することにより形成されていることを特徴とする多層プリント配線板としたものである。
【００１１】
また、請求項２においては、前記スタックドビアのビアホール内が銅めっきで埋め込まれたフィルドビア構造になっていることを特徴とする請求項１記載の多層プリント配線板としたものである。
【００１２】
また、請求項３においては、請求項１または２に記載の多層プリント配線板の内層の任意の層がベリードビアで接続されていることを特徴とする多層プリント配線板としたものである。
【００１３】
さらにまた、請求項４においては、以下の工程を少なくとも備えることを特徴とする請求項１乃至３いずれか一項に記載の多層プリント配線板の製造方法としたものである。
（ａ）絶縁基材１１の両面に銅箔２１が積層された両面銅張積層板１０の銅箔２１をパターニング処理して、グラウンド層２１ａ、配線層２１ｂ及び２１ｃを形成し、内層基板２０を作製する工程。
（ｂ）内層基板２０の配線層を粗化し、両面にガラスクロスに樹脂を含浸させたプリプレグと銅箔を積層し、加熱加圧して、内層基板２０の両面に絶縁層１２及び銅箔２２が形成された積層回路板３０を作製する工程。
（ｃ）積層回路板３０の一方の面の銅箔２２をパターニング処理して、開口部３１を形成する工程。
（ｄ）開口部３１よりレーザービームを照射し、絶縁層１２にビア用孔４１を形成する工程。
（ｅ）積層回路板３０の所定位置にドリル加工により孔明けし、貫通孔４２を形成し、デスミア処理、無電解銅めっき、電解銅めっきを行って、銅箔２２上に導体層５１を、ビア用孔４１内にフィルドビア５２を、貫通孔４２にＩＶＨ（インタースティシャルビアホール）５３を形成する工程。
（ｆ）ＩＶＨ（インタースティシャルビアホール）５３内に埋込樹脂層７１を形成する工程。
（ｇ）銅箔２２及び導体層５１をパターニング処理して、信号線６１ａ、配線層６１ｂ及び６１ｃを形成して、コア基板４０を作製する工程。
（ｈ）コア基板４０の両面に、ガラスクロスに樹脂を含浸させたプリプレグと銅箔を積層し、加熱加圧して、絶縁層１２と異なる比誘電率を有する絶縁層１３及び銅箔２３を形成し、積層回路板５０を作製する工程。
（ｉ）積層回路板５０の一方の面の銅箔２３をパターニング処理して、銅箔２３の所定位置に開口部３２を形成する工程。
（ｊ）開口部３２よりレーザービームを照射し、絶縁層１３にビア用孔４３を形成する工程。
（ｋ）積層回路板５０の所定位置にドリル加工により孔明けし、貫通孔４３を形成し、デスミア処理、無電解銅めっき、電解銅めっきを行って、銅箔２３上に導体層５４を、ビア用孔４３内にフィルドビア５５を、貫通孔４４にスルーホール５６を形成する工程。
（ｌ）銅箔２３及び導体層５４をパターニング処理して、グラウンド層６２ａ及び外層ランド６２ｂを形成し、ソルダーレジスト８１を形成する工程。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下本発明の実施の形態につき説明する。
本発明に係る多層プリント配線板の一実施例を図１に示す。
本発明の多層プリント配線板１００は、図１に示すように、絶縁基材１１の両面にグラウンド層２１ａ、配線層２１ｂ及び配線層２１ｃが、さらに、絶縁層１２を介してフィルドビア５２、信号線６１ａ、配線層６１ｂ、配線層６１ｃ及びＩＶＨ５３が形成されて、コア基板４０を構成しており、コア基板４０の両面に絶縁層１２と比誘電率が異なる絶縁層１３を介してフィルドビア５５、グラウンド層６２ａ、外層ランド６２ｂ、スルーホール５６及びソルダーレジスト８１が形成されたものである。
【００１５】
ここで、グラウンド層２１ａとグラウンド層６２ａはスタックドビア構造のフィルドビア５２及び５５で電気的に接続されており、信号線６１ａは、グラウンドレベルの導体で取り囲まれた角型同軸構造のストリップライン構造となっている。さらに、絶縁層１２と絶縁層１３は比誘電率を異にして、絶縁層の膜厚を調整して、信号線６１ａと絶縁層１２及び信号線６１ａと絶縁層１３の特性インピーダンスを整合させ、高速信号、高周波領域対応の多層プリント配線板を構築している。
【００１６】
図２（ａ）及び（ｂ）は、絶縁層の比誘電率が異なった場合の信号線とグラウンド、電源層間でのインピーダンス特性の整合性を示す説明図である。
例えば、図２（ａ）に示すように、信号線の両側に絶縁層１及び絶縁層２を介してグラウンド、電源層が配置されたストリップライン構造の配線回路において、絶縁層１及び絶縁層２は比誘電率４．０、膜厚１００μｍで信号線とグラウンド、電源層の間で５０Ωのインピーダンス特性を示し、整合されている。
図２（ｂ）に示すように、絶縁層１の膜厚を７５μｍにした場合、絶縁層１の比誘電率を３．０にすることにより、信号線とグラウンド、電源層間のインピーダンスは５０Ωとなり、絶縁層の膜厚を変えても、絶縁層１と絶縁層２のインピーダンス特性の整合性を取ることができる。
【００１７】
以下本発明に係る多層プリント配線板の製造方法について説明する
図３（ａ）〜（ｆ）、図４（ｇ）〜（ｋ）及び図５（ｌ）〜（ｐ）は、本発明に係わる多層プリント配線板の製造方法の一実施例を工程順に示す模式構成断面図である。
まず、ガラスクロスにエポキシ樹脂、もしくはビスマレイドトリアジン樹脂、もしくはポリイミド樹脂等を含浸させた絶縁基材１１の両面に１２〜１８μｍ厚の銅箔２１が積層された両面銅張積層板１０を準備する（図３（ａ）参照）。
【００１８】
次に、両面銅張積層板１０の両面に感光性のドライフィルムを８０〜１２０℃の熱ロールで銅箔２１上に貼着して感光層を形成し、パターン露光、現像等の一連のパターニング処理を行って、レジストパターンを形成し、レジストパターンをマスクにして銅箔２１をエッチングし、レジストパターンを剥離処理し、黒化処理を行い、絶縁基材１１の両面にグラウンド層２１ａ、配線層２１ｂ及び配線層２１ｃが形成された内層基板２０を作製する（図３（ｂ）参照）。
【００１９】
次に、内層基板２０の両面にガラスクロスに樹脂（例えば、エポキシ樹脂）を含浸させたプリプレグと銅箔を積層し、所定の温度、圧力で加熱・加圧して、絶縁層１２及び銅箔２２が形成された積層回路板３０を作製する（図３（ｃ）参照）。
ここで、ガラスクロスに含浸させる樹脂は、信号線とグラウンド層の間の設定特性インピーダンスに対し、絶縁層１２の比誘電率を満たす樹脂が選定される。
【００２０】
次に、積層回路板３０の両面に感光性のドライフィルムを８０〜１２０℃の熱ロールで銅箔２２上に貼着して感光層を形成し、パターン露光、現像等の一連のパターニング処理を行って、レジストパターンを形成し、レジストパターンをマスクにして導体層２２をエッチングし、レジストパターンを剥離処理し、積層回路板３０の一方の面の所定位置に開口部３１を形成する（図３（ｄ）参照）。
【００２１】
次に、開口部３１よりレーザービームを照射し、絶縁層１２の穴あけ加工を行い、ビア用穴４１を形成し（図３（ｅ）参照）、さらに、積層回路板３０の所定位置をドリル穴あけ加工して貫通孔４２を形成し、ビア用穴４１及び貫通孔４２のデスミア処理、めっき触媒付与及び無電解銅めっきを行って、めっき下地層（特に、図示せず）を形成する（図３（ｆ）参照）。
ここで、レーザー加工のレーザーとしては、炭酸ガスレーザ、エキシマレーザ、ＹＡＧレーザー等が利用できる。
デスミア処方としては、例えば、ＭＬＢ２１１：シプレイ・ファーイースト（株）製を２０ｖｏｌ％、キューポジットＺが１０ｖｏｌ％からなる膨潤浴に６０〜８５℃で１〜５分間浸漬した後、ＭＬＢ２１３Ａ（シプレイ・ファーイースト（株）製）が１０ｖｏｌ％とＭＬＢ２１３Ｂ（シプレイ・ファーイースト（株）製）が１５ｖｏｌ％とからなるエッチング浴に５５〜７５℃で２〜１０分間浸漬処理し、ＭＬＢ２１６−２（シプレイ・ファーイースト（株）製）が２０ｖｏｌ％からなる中和浴に３５〜５５℃で２〜１０分間浸漬することにより、ビア用孔４１及び貫通孔４２のデスミア処理を行う。
【００２２】
また、めっき触媒付与及びめっき下地導電層の形成処方としては、例えば、上記回路基板をプレディップＣＰ−３０２３（シプレイ・ファーイースト（株）製）浴に２５℃で６０秒間浸漬後、同社製キャタリスト同ＣＰ−３３１６浴に２５℃で１８０秒間、同社製アクセラレーター（ＮＲ−２ＡとＮＲ−２Ｂを各々１０ｖｏｌ％と３ｖｏｌ％で混合した水溶液）に２５℃で３００秒間順次浸漬して、ビア用孔４１及び貫通孔４２にパラジウム触媒を付与した後無電解銅めっきを行ってめっき下地導電層（特に、図示せず）を形成する。
【００２３】
次に、積層回路板を硫酸銅めっき浴中に浸漬し、導体層２２をカソードにして電解銅めっきを行い、導体層２２上に所定厚の導体層５１を、ビア用穴４１を銅めっきで埋め込みフィルドビア５２を、貫通孔４２側面に所定厚の導体層を形成してＩＶＨ５３を形成する（図４（ｇ）参照）。
ここで、電解銅めっき条件としては、例えば、硫酸銅７０〜１００ｇ／Ｌ、硫酸１５０〜２５０ｇ／Ｌ、塩酸５０〜１００ｐｐｍの組成から成る硫酸銅めっき浴を用いて、電流密度１．５〜２．５Ａ／ｄｍ^２の条件で２０〜５０分電解銅めっきを行って上記１０〜１５μｍ厚の銅からなる導体層を形成する。
【００２４】
次に、熱硬化タイプ穴埋め樹脂溶液（ＰＨＰ−９００ ＩＲ６：山栄化学製）をＩＶＨ５３の貫通孔にスクリーン印刷にて穴埋めし、加熱硬化し、バフ研磨等を行って、埋込樹脂層７１を形成する（図４（ｈ）参照）。
【００２５】
次に、感光性のドライフィルムを８０〜１２０℃の熱ロールで導体層５１上に貼着し、パターン露光後離型シートを剥離して、現像等の一連のパターニング処理を行って、レジストパターンを形成し、レジストパターンをマスクにして導体層５１及び銅箔２２をエッチングし、レジストパターンを剥離処理して、信号線６１ａ、配線層６１ｂ及び配線層６１ｃを形成し、黒化処理して、コア基板４０を作製する（図４（ｉ）参照）。
【００２６】
次に、コア基板４０の両面にガラスクロスに樹脂（例えば、ＰＰＥ：ポリプロエチレン樹脂）を含浸させたプリプレグと銅箔を積層し、所定の温度、圧力で加熱・加圧して、絶縁層１３及び銅箔２３が形成された積層回路板５０を作製する（図４（ｊ）参照）。
ここで、ガラスクロスに含浸させる樹脂は、上記絶縁層の比誘電率と膜厚とのからみで設定され、信号線とグラウンド層の間の設定特性インピーダンスに対し、絶縁層１３の比誘電率を満たす樹脂が選定される。
【００２７】
次に、積層回路板５０の両面に感光性のドライフィルムを８０〜１２０℃の熱ロールで導体層２３上に貼着して感光層を形成し、パターン露光、現像等の一連のパターニング処理を行って、レジストパターンを形成し、レジストパターンをマスクにして銅箔２３をエッチングし、レジストパターンを剥離処理し、積層回路板５０のフィルドビア５２上の絶縁層１３に開口部３２を形成する（図４（ｋ）参照）。
【００２８】
次に、開口部３２よりレーザービームを照射し、絶縁層１３の穴あけ加工を行い、ビア用穴４３を形成し（図５（ｌ）参照）、さらに、積層回路板５０の所定位置をドリル穴あけ加工して貫通孔４４を形成し、ビア用穴４３及び貫通孔４４のデスミア処理、めっき触媒付与及び無電解銅めっきを行って、めっき下地層（特に、図示せず）を形成する（図５（ｍ）参照）。
デスミア処理、めっき触媒付与及びめっき下地導電層の形成処方は上記の方法と同じなので省略する。
【００２９】
次に、積層回路板を硫酸銅めっき浴中に浸漬し、導体層２３をカソードにして電解銅めっきを行い、導体層２３上に所定厚の導体層５４を、ビア用穴４３に銅めっきで埋め込みスタックドビア構造のフィルドビア５５を、貫通孔４４側面に所定厚の導体層を形成してスルーホール５６を形成する（図５（ｎ）参照）。
ここで、電解銅めっき条件としては、例えば、硫酸銅７０〜１００ｇ／Ｌ、硫酸１５０〜２５０ｇ／Ｌ、塩酸５０〜１００ｐｐｍの組成から成る硫酸銅めっき浴を用いて、電流密度１．５〜２．５Ａ／ｄｍ^２の条件で２０〜５０分電解銅めっきを行って上記１０〜１５μｍ厚の銅からなる導体層を形成する。
【００３０】
次に、積層回路板の両面に感光性のドライフィルムを８０〜１２０℃の熱ロールで導体層５４上に貼着して感光層を形成し、パターン露光、現像等の一連のパターニング処理を行って、レジストパターンを形成し、レジストパターンをマスクにして導体層５４及び銅箔２３をエッチングし、レジストパターンを剥離処理して、グラウンド層６２ａ及び外層ランド６２ｂを形成する（図５（ｏ）参照）。
【００３１】
次に、ソルダーレジスト（ＰＳＲ−４０００ ＡＵＳ１２（商品名）、太陽インキ製）を印刷してソルダーレジスト感光層を形成し、パターン露光、現像等の一連のパターニング処理及びベーキングを行って、ソルダーレジスト８１を形成し、外形加工、防錆・プリフラックス処理を行って、本発明の多層プリント配線板１００を得る（図５（ｐ）参照）。
さらに、必要に応じて上記絶縁層、配線層及びフィルドビア形成工程を必要回数繰り返すことにより、所望の多層プリント配線板を得ることができる。
【００３２】
【発明の効果】
上記したように、本発明の多層プリント配線板は、信号線が、グラウンド線及びスタックド構造のフィルドビアからなるグラウンドレベルの導体で取り囲まれた角型同軸構造のストリップライン構造となっており、信号線上下の絶縁層の比誘電率を異にしているため、層間の絶縁層厚を調整するだけで、特性インピーダンスの整合を容易に行うことができ、高密度化、信号処理の高速化に対応した電子機器に用いられる多層プリント配線板を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の多層プリント配線板の一実施例を示す模式構成断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｂ）は、絶縁層の比誘電率が異なった場合の信号線とグラウンド、電源層間でのインピーダンス特性の整合性を示す説明図である。
【図３】（ａ）〜（ｆ）は、本発明の多層プリント配線板の製造方法における工程の一部を模式的に示す断面図である。
【図４】（ｇ）〜（ｋ）は、本発明の多層プリント配線板の製造方法における工程の一部を模式的に示す断面図である。
【図５】（ｌ）〜（ｐ）は、本発明の多層プリント配線板の製造方法における工程の一部を模式的に示す断面図である。
【図６】（ａ）及び（ｂ）は、プリント配線板における特性インピーダンスの整合性の方式例を示す説明図である。
【図７】（ａ）〜（ｄ）は、プリント配線板における伝送回路の構成例を示す説明図である。
【符号の説明】
１０……両面銅張積層板
１１……絶縁基材
１２、１３……絶縁層
２０……内層基板
２１、２３、２３……銅箔
２１ａ、６２ａ、２２３、２２４、２２５、２２６……グラウンド層
２１ｂ、２１ｃ、６１ｂ、６１ｃ……配線層
５１、５４……導体層
３０……積層回路板
３１……開口部
４０……コア基板
４１、４３……ビア用孔
４２、４４……貫通孔
５０……積層回路板
５２、５５……フィルドビア
５３……ＩＶＨ（インタースティシャルビアホール）
５６……スルーホール
６１ａ、２２１……信号線
６２ｂ……外層ランド
７１……埋込樹脂層
４０……両面配線板
８１……ソルダーレジスト
１００……多層プリント配線板
２１２、２１３……絶縁層
２３１、２３３……コンフォーマルビア
２３２……フィルドビア

Claims (4)

1. 絶縁基材上に絶縁層を介して信号線、配線層及びグラウンド層が複数層形成されており、配線層及びグラウンド層は絶縁層を介してビア接続され、階層間のビアホールはスタックドビア構造となっているビルドアップ多層プリント配線板において、前記信号線がスタックドビアとグラウンド層とで取り囲まれたストリップライン構造で、前記信号線の両側（上下）の層間絶縁層は、比誘電率を異にしており、ガラスクロスに樹脂を含浸させたプリプレグを加熱、加圧することにより形成されていることを特徴とする多層プリント配線板。
2. 前記スタックドビアのビアホール内が銅めっきで埋め込まれたフィルドビア構造になっていることを特徴とする請求項１記載の多層プリント配線板。
3. 請求項１または２に記載の多層プリント配線板の内層の任意の層がベリードビアで接続されていることを特徴とする多層プリント配線板。
4. 以下の工程を少なくとも備えることを特徴とする請求項１乃至３いずれか一項に記載の多層プリント配線板の製造方法。
   （ａ）絶縁基材（１１）の両面に銅箔（２１）が形成された両面銅張積層板（１０）の銅箔（２１）をパターニング処理して、グラウンド層（２１ａ）、配線層（２１ｂ及び２１ｃ）を形成し、内層基板（２０）を作製する工程。
   （ｂ）内層基板（２０）の配線層を粗化し、両面にガラスクロスに樹脂を含浸させたプリプレグと銅箔を積層し、加熱加圧して、内層基板（２０）の両面に絶縁層（１２）及び銅箔（２２）が形成された積層回路板（３０）を作製する工程。
   （ｃ）積層回路板（３０）の一方の面の銅箔（２２）をパターニング処理して、開口部（３１）を形成する工程。
   （ｄ）開口部（３１）よりレーザービームを照射し、絶縁層（１２）にビア用孔（４１）を形成する工程。
   （ｅ）積層回路板（３０）の所定位置にドリル加工により孔明けし、貫通孔（４２）を形成し、デスミア処理、無電解銅めっき、電解銅めっきを行って、銅箔（２２）上に導体層（５１）を、ビア用孔（４１）内にフィルドビア（５２）を、貫通孔（４２）にＩＶＨ（インタースティシャルビアホール）（５３）を形成する工程。
   （ｆ）ＩＶＨ（インタースティシャルビアホール）（５３）内に埋込樹脂層（７１）を形成する工程。
   （ｇ）銅箔（２２）及び導体層（５１）をパターニング処理して、信号線（６１ａ）、配線層（６１ｂ及び６１ｃ）を形成し、コア基板（４０）を作製する工程。
   （ｈ）コア基板（４０）の両面に、ガラスクロスに樹脂を含浸させたプリプレグと銅箔を積層し、加熱加圧して、絶縁層（１２）と異なる比誘電率を有する絶縁層（１３）及び銅箔（２３）を形成し、積層回路板（５０）を作製する工程。
   （ｉ）積層回路板（５０）の一方の面の銅箔（２３）をパターニング処理して、銅箔（２３）の所定位置に開口部（３２）を形成する工程。
   （ｊ）開口部（３２）よりレーザービームを照射し、絶縁層（１３）にビア用孔（４３）を形成する工程。
   （ｋ）積層回路板（５０）の所定位置にドリル加工により孔明けし、貫通孔（４３）を形成し、デスミア処理、無電解銅めっき、電解銅めっきを行って、銅箔（２３）上に導体層（５４）を、ビア用孔（４３）内にフィルドビア（５５）を、貫通孔（４４）にスルーホール（５６）を形成する工程。
   （ｌ）銅箔（２３）及び導体層（５４）をパターニング処理して、グラウンド層（６２ａ）及び外層ランド（６２ｂ）を形成し、ソルダーレジスト（８１）を形成する工程。

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