JP2002305379A

JP2002305379A - 多層基板及びその製造方法

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Publication number: JP2002305379A
Application number: JP2002026228A
Authority: JP
Inventors: Takashi Kajino; 隆楫野; Yumiko Ozaki; 由美子尾崎; Minoru Takatani; 稔高谷
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 2001-02-05
Filing date: 2002-02-04
Publication date: 2002-10-18
Anticipated expiration: 2022-02-04
Also published as: JP4052434B2

Abstract

(57)【要約】【課題】全体を薄くでき、全ての導体層を高密度に形
成可能で、量産性に優れた多層基板を提供する。【解決手段】絶縁基板１の両側にコア導体層６を形成
してベース層を形成し、該ベース層の両側に層間絶縁層
７を介して非コア導体層９を設ける場合において、コア
導体層６を作製する工程が、絶縁基板１にスルーホール
２（コア導体層６の厚さの２倍以下の直径）を形成する
穴開け工程と、絶縁基板１両面及びスルーホール２内面
に、めっき用下地導体層３を形成する下地導体層形成工
程と、下地導体層３上にレジストを設け、導体パターン
に対応させて下地導体層３を露出させた後、電気めっき
により電気めっき導体層５を形成しかつ当該電気めっき
導体層５でスルーホール２を埋める電気めっき工程とを
備えている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、高周波回路に用い
る多層基板に係り、とくにコイル等の電子部品素子を内
蔵可能な薄型で高密度化に適した多層基板及びその製造
方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、高密度多層基板は所謂ビルドアッ
プ工法によって作られていた（この詳細については、例
えば「ビルドアップ配線板入門」（塚田裕著、日刊工
業社）を参照）。

【０００３】一般的なビルドアップ工法の概略を図７に
示す。すなわち、図７（Ａ）のように、厚いガラス・エ
ポキシ基板（例えばＦＲ４基板）３０の両面に導体（銅
箔）３１を形成したものにドリル加工によってスルーホ
ール３２を形成し、同図（Ｂ）のようにスルーホールめ
っき工程にてスルーホール３２内面を含む導体層３３を
めっきで施し、その後同図（Ｃ）のようにレジストパタ
ーン形成工程にて所定のレジストパターン３４を形成す
る。それから、図７（Ｄ）のエッチング工程にてレジス
トパターンで覆われていない導体（銅箔）３１及び導体
層３３を除去し、さらにレジストを除去することで所定
パターンのコア導体層３３ａとする。その後、図７
（Ｅ）のスルーホール穴埋め工程にてスルーホール３２
を樹脂３５で埋め、さらに同図（Ｆ）の研磨工程でスル
ーホール３２からはみ出した樹脂３５を研磨で取り除
き、これをベースにして両面にビルドアップ層を形成し
てゆく。すなわち、図７（Ｇ）の絶縁層形成工程にて層
間絶縁層３６を形成し、その上に導体層を形成する工程
を必要な層数だけ繰り返す。

【０００４】なお、ＦＲ４基板では通常肉厚は０.３mm
程度であり、ドリルによる穴開けは０.３mm以上の径と
なり、従って、図７（Ｄ）で形成されたスルーホール３
２周辺のランド径は０.５mm以上となる。また、サブト
ラクティブ法で形成されるコア導体層３３ａの高さは２
０μｍ以下となるのが普通である。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところで、図７の一般
的なビルドアップ工法では、下記のような不具合があ
る。

【０００６】（１）ＦＲ４基板が厚く、これに伴い多層
基板全体が厚くなる。また前記基板を薄くするとスルー
ホールのアスペクト比が落ちて樹脂の注入が困難になり
（アスペクト比が低くなると樹脂垂れの問題が発生する
ため）、また研磨工程が難しくなる。すなわち、研磨で
は基板に大きな力がかかるが、基板が薄いと機械的強度
が不十分で歩留まりの低下を招く。

【０００７】（２）ＦＲ４基板が厚く、スルーホールの
穴開けは機械的ドリルで行われるが、通常直径が０.３m
mを越え、配線の高密度化の妨げになる。

【０００８】（３）ドリルでの穴開けはレーザーに比べ
て量産性に劣る

【０００９】（４）スルーホールの穴埋め工程が煩雑で
あり、量産性が低下する。

【００１０】（５）ベース層（図７（Ｆ）の構造体）で
の配線、つまりコア導体層はサブトラクティブ法で形成
されるので、配線密度が低い。銅箔を薄くすると配線の
密度は上がるが配線抵抗が増える。通常ベース層は電源
層に利用される場合が多く、この場合配線を流れる電流
値が大きいので損失が増大し好ましくない。

【００１１】本発明は、上記の点に鑑み、全体を薄くで
き、全ての導体層を高密度に形成でき、量産性に優れた
多層基板及びその製造方法を提供することを目的とす
る。

【００１２】本発明のその他の目的や新規な特徴は後述
の実施の形態において明らかにする。

【００１３】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本願請求項１の発明に係る多層基板は、絶縁基板の
両側にコア導体層を形成してなるベース層の両側に層間
絶縁層を介して非コア導体層を１層以上形成した構成に
おいて、前記絶縁基板に前記コア導体層の厚さの２倍以
下の直径のスルーホールが形成され、該スルーホールが
前記コア導体層と同じ金属で埋まっていることを特徴と
している。

【００１４】本願請求項２の発明に係る多層基板は、請
求項１において、前記コア導体層の厚さが１０μｍ以上
で３００μｍ以下、前記スルーホール直径が２０μｍ以
上で６００μｍ以下であることを特徴としている。

【００１５】本願請求項３の発明に係る多層基板は、請
求項１又は２において、前記絶縁基板の厚さが０.２mm
以下であることを特徴としている。

【００１６】本願請求項４の発明に係る多層基板は、請
求項１，２又は３において、前記ベース層の一方の側の
非コア導体層の層数と、他方の側の非コア導体層の層数
との差が１を越えないことを特徴としている。

【００１７】本願請求項５の発明に係る多層基板は、請
求項１，２，３又は４において、周波数１ＧＨｚにおけ
る前記層間絶縁層のＱが２００以上で、比誘電率が３以
下であることを特徴としている。

【００１８】本願請求項６の発明に係る多層基板は、請
求項１，２，３，４又は５において、前記絶縁基板がビ
ニルベンジルであることを特徴としている。

【００１９】本願請求項７の発明に係る多層基板は、請
求項１，２，３，４，５又は６において、前記層間絶縁
層がビニルベンジルであることを特徴としている。

【００２０】本願請求項８の発明に係る多層基板は、請
求項１，２，３，４，５，６又は７において、前記コア
導体層、前記非コア導体層の少なくともいずれかでヘリ
カル構造の高周波コイルが１個以上形成されていること
を特徴としている。

【００２１】本願請求項９の発明に係る多層基板は、請
求項１，２，３，４，５，６，７又は８において、前記
コア導体層及び非コア導体層における導体パターンのア
スペクト比が０.５以上で、導体間のアスペクト比が２
以下であることを特徴としている。

【００２２】本願請求項１０の発明に係る多層基板の製
造方法は、絶縁基板の両側にコア導体層を形成してベー
ス層を形成し、該ベース層の両側に層間絶縁層を介して
非コア導体層を１層以上形成する場合において、前記コ
ア導体層を作製する工程が、前記絶縁基板にレーザー加
工によるスルーホールを形成する穴開け工程と、前記絶
縁基板両面及び前記スルーホール内面に、めっき用下地
導体層を形成する下地導体層形成工程と、前記下地導体
層上にレジストを設け、導体パターンに対応させて前記
下地導体層を露出させた後、電気めっきにより電気めっ
き導体層を形成しかつ当該電気めっき導体層で前記スル
ーホールを埋める電気めっき工程と、前記レジストを除
去後、前記めっき用下地導体層の不要部分を除去する下
地導体層除去工程とを備えていることを特徴としてい
る。

【００２３】本願請求項１１の発明に係る多層基板の製
造方法は、請求項１０において、前記非コア導体層を作
製する工程が、前記層間絶縁層に次の下地導体層を形成
する工程と、前記次の下地導体層上にレジストを設け、
導体パターンに対応させて前記次の下地導体層を露出さ
せた後、電気めっきにより次の電気めっき導体層を形成
する工程と、前記レジストを除去後、前記次の下地導体
層の不要部分を除去する工程とを備えたことを特徴とし
ている。

【００２４】本願請求項１２の発明に係る多層基板の製
造方法は、請求項１１において、前記層間絶縁層にビア
ホールが形成されており、該ビアホールが前記次の電気
めっき導体層により埋められていることを特徴としてい
る。

【００２５】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係る多層基板及び
その製造方法の実施の形態を図面に従って説明する。

【００２６】図１で本発明の実施の形態を説明する。こ
の図１において、１は厚さ０.２mm以下で、さらに好ま
しくは１００μｍ以下の絶縁基板であり、これに図１
（Ａ）の穴開け工程においてレーザー加工により１００
μｍ以下のスルーホール２を形成する。なお、絶縁基板
１の厚さを０.２mm以下とするのは、基板厚みが薄い方
が後述のコア導体層形成時のスルーホールの穴埋め処理
が容易となるからであり、厚さ０.２mmを超えるとスル
ーホールのアスペクト比が大きくなり穴埋め処理が難し
くなるし、多層基板全体の厚みの増大を招くので好まし
くない。

【００２７】次に図１（Ｂ）の下地導体層形成工程で、
絶縁基板１両面及びスルーホール２内面に、銅等の良導
電性金属の無電解めっきにより、５μｍ以下のめっき用
下地導体層３を形成する。

【００２８】その後、図１（Ｃ）の電気めっき工程にお
いて、基板１両側の下地導体層３の上に感光性レジスト
としての光硬化性ドライフィルム４をラミネーターで貼
り付け、ドライフィルム４に対してフォトリソグラフィ
ーの手法を用いて平行露光機で露光、現像し、コア導体
層の導体パターンを溝部として作製し、ドライフィルム
４の溝部に電気めっきとしての硫酸銅めっきで厚さ１０
０μｍ程度の電気めっき導体層５を形成する。なお、レ
ジスト露光に際して平行露光機とするのは、これが平行
光線をドライフィルム４に垂直に照射でき、散乱光によ
る場合に比べ細幅で側面が垂直に近い溝をパターニング
できるからである。また、前記電気めっき導体層５はド
ライフィルム４の溝部の深さよりも肉厚が多少大きくな
るようにめっき処理してもよい。光硬化性ドライフィル
ムとしては、東京応化社製Ｐ８０１０を用いることがで
きる。

【００２９】図１（Ｄ）のめっき下地層除去工程では、
ドライフィルム４を剥離、除去し、下地導体層３を露出
させた後、全体をウェットエッチングでエッチング処理
して下地導体層３の不要部分を除去し、絶縁基板１の両
面に所定パターンで高さ１００μｍ程度のコア導体層６
（下地導体層３の上に電気めっき導体層５が積層された
もの）を作製する。ウェットエッチング液としては、例
えば過硫酸ソーダを用いることができる。

【００３０】なお、スルーホール２の内部は図１（Ｃ）
の電気めっき工程において電気めっき導体層５で同時に
埋めて塞ぐが、スルーホール２を埋める条件として、ス
ルーホール２の直径が前記コア導体層６の厚さの２倍以
下であることが必要である。例えば、図５（Ａ）のよう
に貫通した穴が残っている場合は不良であり、図５
（Ｂ）〜（Ｄ）のようにコア導体層６で穴が埋まってい
れば（貫通部分が無くなれば）良いものとする。図５
（Ｃ）のように、少なくとも基板１の厚さ部分は導体で
埋まっており、表面が滑らかに接続していることが好ま
しく、さらに図５（Ｄ）の完全に導体で埋まって平坦に
なっていることが最も好ましい。

【００３１】また、図１（Ｄ）で形成されたスルーホー
ル２周辺のランド径は０.１mmをわずかに越える値以下
（好ましくは０.１５mm以下）に小さくできる。

【００３２】図１（Ｄ）の絶縁基板１の両側にコア導体
層６を作製した構造体がベース層となり、このベース層
の両側に層間絶縁層並びに導体層（非コア導体層）を必
要層数だけ積層形成していく。すなわち、図１（Ｅ）の
ように層間絶縁層７をコア導体層６上に数１０μｍ形成
後、点線のようにビアホール８をレーザー加工で開け、
その後めっき用下地導体層を前記層間絶縁層７上に形成
してから図１（Ｃ）〜（Ｄ）と同様に電気めっき工程及
びめっき下地層除去工程により点線で示す非コア導体層
９（下地導体層＋電気めっき導体層）を形成し、以後、
必要ならば同様の工程を繰り返せばよい。

【００３３】なお、この場合、ビアホール８の穴埋めを
非コア導体層９の電気めっきによる形成と同時に行うこ
とができる。このとき、図６（Ａ）のように非コア導体
層９の中央部の窪み部の厚みＡが層間絶縁層７の厚みＢ
よりも厚いことが好ましい。さらに、図６（Ｂ）のよう
に非コア導体層９の上面が完全に平坦であることが最も
好ましい。

【００３４】以上の工程により、絶縁基板１の両側にコ
ア導体層６を形成してなるベース層の両側に層間絶縁層
を介して非コア導体層９を１層以上形成した構造を持
ち、かつ前記絶縁基板１に前記コア導体層６の厚さの２
倍以下のスルーホール２が形成され、このスルーホール
２が前記コア導体層６と同じ金属で埋まって塞がれた多
層基板が得られる。この場合、図１に示したパターンめ
っき工法をとることで、コア導体層及びその外側の非コ
ア導体層共にハイアスペクト導体層とすることができ、
具体的には各導体層のアスペクト比（導体高さ／導体
幅）を０.５以上とすることができる。なお、各導体層
における導体間のアスペクト比（導体高さ／導体間隔）
は線間の浮遊容量を抑えるために２以下が望ましい。換
言すれば、導体間隔が導体高さの半分以上離れているこ
とが好ましい。例えば、導体高さ及び導体幅が１００μ
ｍ、隣り合う導体同士の間隔が２００μｍであれは、導
体層のアスペクト比は１、導体間のアスペクト比は１／
２となる。

【００３５】前記スルーホール直径は２０μｍ以上で６
００μｍ以下の範囲内の値であれば良い。前記スルーホ
ール直径を２０μｍ未満とすることは加工が難しく、６
００μｍより大きくすると導体で埋めることが難しくな
るため、好ましくない。前記２０μｍ以上で６００μｍ
以下のスルーホールを埋めることができるように前記コ
ア導体層の厚さは１０μｍ以上で３００μｍ以下とすれ
ばよい。３００μｍを超えるコア導体層の形成は時間が
かかる問題もある。

【００３６】なお、薄い基板の片面にビルドアップ層を
形成しても機能的には同じものが出来るが、基板の反り
が問題になり量産性が低下する。また、リードタイムが
長くなり好ましくない。基板の反りやリードタイムの点
に配慮すると、ベース層の一方の側の非コア導体層の層
数と、他方の側の非コア導体層の層数との差が１を越え
ないことが望ましい。

【００３７】前記絶縁基板１及び層間絶縁層７の材質は
レーザー加工に適した絶縁体、とくに有機絶縁体が好ま
しい。それら絶縁体の材質には浮遊容量を減少させるた
めに誘電率の小さいものが好ましい。また誘電損失を減
らす為にＱの大きいものが好ましい。具体的には、周波
数１ＧＨｚにおいて、絶縁基板１及び層間絶縁層７の比
誘電率がそれぞれ３以下で、Ｑはそれぞれ２００以上あ
ることがとくに望ましい。絶縁基板１及び層間絶縁層７
の材料は使用周波数、目標のＱ値、コストを考慮して例
えば以下の表１より選択すればよい。この中でも、有機
絶縁体、つまり絶縁樹脂としてビニルベンジルは誘電
率、Ｑ、コストのバランスが良く、好ましい材料であ
る。

【００３８】表１（測定周波数１ＧＨｚ）品種名比誘電率Ｑフッ素樹脂２.１１００００ポリエチレン２.２５０００ＰＰＯ２.５１２００ビニルベンジル２.５２６０シアネートエステル２.７１０００ポリエーテルイミド３６７０ポリイミド３.６２００エポキシ４.３７０ＢＴレジン２.５５００ポリオレフィン２.６２０００ポリフマレート２.６２５０ポリアリレート２.６２２０

【００３９】前記絶縁基板１及び層間絶縁層７を有機絶
縁体とする場合、機械的強度の向上の為に芯材を用いる
ことが出来る。芯材には以下の表２のようにＤガラスク
ロス、Ｅガラスクロス、ケプラークロス等を用いること
が出来る。一般的に誘電率の低く、低損失の材料ほど高
価であるが、コストの許す限り、誘電率の低い材料を使
用することが好ましい。

【００４０】

【００４１】前記層間絶縁層７には、可撓性のある樹脂
を用いることがいっそう好ましい。導体と絶縁基板、層
間絶縁層との熱膨張率は大きく異なっており、可撓性の
乏しい樹脂を用いるとヒートサイクル等の信頼性試験に
よりクラックが生じる等の不具合が発生する。とくに、
ベース層を薄く形成した場合、反りの問題を解消するた
めに層間絶縁層７が可撓性を持つことが重要となる。具
体的に可撓性の尺度を挙げると、樹脂の伸び率が３％以
上、エリクセン値が３mm以上等が挙げられる。絶縁基板
１に有機絶縁体を用いることは、誘電率が小さくかつ割
れに強い材料が比較的容易に得られるので好ましい。

【００４２】ベース層の両側に設けるビルドアップ層の
導体パターン形成方法は、サブトラクティブ法でも良い
が、パターンめっき法（図１（Ｃ）のようにレジストを
除去した下地導体層の露出パターン部分に電気めっきを
行う工法）で形成して導体層の厚さを増すと、配線のパ
ターン密度を高めたままで導体損失を減じることが出来
る。ビルドアップ層における導体のアスペクト比も０.
５以上であることが好ましく、また導体間隔は導体高さ
の半分以上離れていることが好ましい。これは線間の浮
遊容量の増大を抑える為である。

【００４３】ベース層における絶縁基板１の穴開けには
レーザーを用いるのが好ましい。これにより、直径１０
０μｍ以下の小径のスルーホール２を量産性を損なわず
に開けることが出来る。機械的ドリルの場合は穴径が２
００μｍを切るとドリルの寿命が極端に短くなり、また
絶縁基板の重ね枚数も少なくなるのでコストが飛躍的に
増大する。コストの一例を挙げると０.１mm厚のＦＲ４
基板の場合、ドリルで穴径０.３mm以上の場合１０銭／
穴、穴径０.２mmの場合２０銭／穴、レーザー加工の場
合穴径０.１mmで２銭／穴である。

【００４４】レーザーの場合、ガラスクロスのある場合
は炭酸ガスレーザーを用いる。また基板の厚さが０.３m
m以上に厚くなると、加工スピードが落ちて好ましくな
い。レーザー加工では絶縁基板の厚さは０.２mm以下が
好ましい。

【００４５】本実施の形態で説明した多層基板を用いて
コイル、コモンモードチョークフィルター、トランス等
の単機能部品及びこれらを組み合わせたトラップ、フィ
ルター等の複合モジュールを構成することができる。こ
の場合、例えばコイルを例にとって説明すると基板に多
数個のコイルを縦横に等間隔に多数個作成し、完成した
時点でダイサー等を用いて単品に切り分ける。

【００４６】コイルを構成する場合は、ヘリカル巻きか
あるいはダブル又はトリプルヘリカル巻き（ヘリカル巻
きが２重又は３重に形成されて並列に接続されたもの）
にすることが好ましい。

【００４７】この実施の形態によれば、次の通りの効果
を得ることができる。

【００４８】(1) 絶縁基板１にコア導体層６の厚さの
２倍以下のスルーホール２を形成し、該スルーホール２
をコア導体層６の形成と同時に埋めて塞ぐベース層の構
造であり、スルーホールを樹脂で穴埋めして研磨する工
程が不要であり、量産性が良好である。さらに、ベース
層の両側のビルドアップ層においても層間絶縁層７に開
けられたビアホールを非コア導体層の形成時に埋めるこ
とができ、この点でも量産性が良い。

【００４９】(2) 厚さが０.２mm以下の絶縁基板１にス
ルーホール２をレーザー加工で形成することで、小径の
スルーホール２を形成でき、配線パターンの微細化、つ
まり高密度化を図ることが容易である。また、加工コス
トも安価である。また、ベース層の薄型化、ひいては多
層基板全体の薄型化を図り得る。

【００５０】(3) ベース層の一方の側の非コア導体層
の層数と、他方の側の非コア導体層の層数との差が１を
越えないようにすることで、基板１の反りを少なくし、
かつ製造を効率的に実行可能にして、リードタイムの短
縮が図れる。

【００５１】(4) 周波数１ＧＨｚにおいて、絶縁基板
１や層間絶縁層７のＱを２００以上、比誘電率を３以下
とすることで、高周波での損失を減らしかつ自己共振周
波数の低下を避けることができる。この条件を満たす有
機絶縁材料としてビニルベンジルが挙げられる。

【００５２】(5) コア導体層及び非コア導体層を図１
に示したようなパターンめっき工法で作製することで、
それら導体パターンのアスペクト比を０.５以上とする
ことができ、直流抵抗の低減による低損失化、電流容量
の増大を図ることができる。さらに、導体間のアスペク
ト比を２以下とすることで、浮遊容量の増加を回避でき
る。

【００５３】

【実施例】以下、本発明の実施例として６層のヘリカル
コイルを多層基板で作製した場合について述べる。

【００５４】（実施例１）絶縁基板１としての厚さ０.
１mmのガラスクロス入りビニルベンジル基板の所定の位
置に炭酸ガスレーザーで穴径８０μｍのスルーホール１
０を開けた。その後に厚さ１μｍの下地めっき層を無電
解銅めっきで形成し、次に前記基板の両面に厚さ８０μ
ｍのドライフィルムで図２のベース層のパターン（スル
ーホール囲むランド及び上部及び下部第１導体パターン
層を形成するためのパターン）を形成した。その後、硫
酸銅めっきで高さ８０μｍの導体パターンを形成した
後、ドライフィルムを剥離し、その後にクイックエッチ
ング（短時間でのエッチング）で不用の下地銅層を取り
除いた。これで基板１の両面に、スルーホールを埋めて
塞いだコア導体層からなる上部及び下部第１導体パター
ン層１１ａ，１１ｂがベース層として得られる。

【００５５】さらに、前記ベース層形成後の基板両面に
可撓性を有するビニルベンジルで図２の上部及び下部第
１絶縁層１２ａ，１２ｂを形成した。絶縁層の厚さは銅
の導体パターン層１１ａ，１１ｂ上で３０μｍである。
そして、上部及び下部第１絶縁層１２ａ，１２ｂの所定
の位置にレーザーで８０μｍの穴（ビアホール）１３を
開ける。

【００５６】その後に厚さ１μｍの下地めっき層を無電
解銅めっきで形成し、次に基板の両面に厚さ８０μｍの
ドライフィルムで図２の上部及び下部第２導体パターン
層を形成するためのパターンを形成した。その後硫酸銅
めっきで高さ８０μｍの導体パターンを形成した後、ド
ライフィルムを剥離し、その後にクイックエッチングで
不用の下地銅層を取り除いて上部及び下部第２導体パタ
ーン層１４ａ，１４ｂを形成した。

【００５７】さらに、この両面に可撓性を有するビニル
ベンジルで図２の上部及び下部第２絶縁層１５ａ，１５
ｂを形成した。絶縁層の厚さは銅の導体パターン層１４
ａ，１４ｂ上で３０μｍである。そして、上部及び下部
第２絶縁層１５ａ，１５ｂの所定の位置にレーザーで８
０μｍの穴（ビアホール）１６を開ける。

【００５８】その後に厚さ１μｍの下地めっき層を無電
解銅めっきで形成し、次に基板の両面に厚さ８０μｍの
ドライフィルムで図２の上部及び下部第３導体パターン
層を形成するためのパターンを形成した。その後硫酸銅
めっきで高さ８０μｍの導体パターンを形成した後、ド
ライフィルムを剥離し、その後にクイックエッチングで
不用の下地銅層を取り除いて上部及び下部第３導体パタ
ーン層１７ａ，１７ｂを形成した。

【００５９】最後に、両端部に切欠部１９を形成したビ
ニルベンジルの下部第３絶縁層１８を介して端子電極２
０を形成した。この端子電極２０は上部第１〜第３導体
パターン層、下部第１〜第３導体パターン層の直列接続
からなる６ターンのヘリカル巻きのコイルの両端に接続
している。

【００６０】このコイルの外形寸法は横１.６mm×縦０.
８mm×厚さ０.８mmであり、図３のインダクタンス値の
周波数特性及び図４のＱ値の周波数特性に示すように高
周波領域（特に１００ＭＨｚ以上）で良好な電気的特性
を示した。

【００６１】以上本発明の実施の形態及び実施例につい
て説明してきたが、本発明はこれに限定されることなく
請求項の記載の範囲内において各種の変形、変更が可能
なことは当業者には自明であろう。例えば、実施例では
コイルを内蔵する多層基板を例示したが、各層の導体パ
ターンは任意であり、コイル以外の各種電子部品素子を
内蔵する構造とすることも勿論可能である。

【００６２】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
多層基板全体の厚さの薄型化が可能で、ベース層の配線
抵抗を増大させることなく高密度化出来、しかも製造容
易で量産性に優れる効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る多層基板及びその製造方法の実施
の形態を示す説明図である。

【図２】本発明の実施例であって６層のコイルを内蔵す
る多層基板の例を示す説明図である。

【図３】実施例の場合のインダクタンスの周波数特性図
である。

【図４】実施例の場合のＱ値の周波数特性図である。

【図５】前記実施の形態において、基板に形成されたス
ルーホールをコア導体層で埋める場合における、不良の
例及び良好な例を示す説明図である。

【図６】前記実施の形態において、層間絶縁層のビアホ
ールを電気めっき層で埋める場合の好ましい例及び最も
好ましい例を示す説明図である。

【図７】一般的なビルドアップ工法の説明図である。

【符号の説明】

１絶縁基板２スルーホール３下地導体層４ドライフィルム５電気めっき導体層６コア導体層７層間絶縁層８ビアホール９非コア導体層１０スルーホール１１ａ，１１ｂ第１導体パターン層１２ａ，１２ｂ第１絶縁層１３，１６穴１４ａ，１４ｂ第２導体パターン層１５ａ，１５ｂ第２絶縁層１７ａ，１７ｂ第３導体パターン層１８第３絶縁層２０端子電極

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０５Ｋ 3/42 ６２０Ｈ０５Ｋ 3/42 ６２０Ｂ (72)発明者高谷稔東京都中央区日本橋一丁目13番１号ティーディーケイ株式会社内Ｆターム(参考） 5E317 AA24 BB01 BB12 CC32 CC33 CD25 CD32 GG16 5E346 AA06 AA12 AA43 CC04 CC08 CC32 CC54 DD02 DD03 DD25 DD33 DD44 EE33 FF07 FF15 GG15 GG17 GG18 GG22 HH24 HH33

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】絶縁基板の両側にコア導体層を形成して
なるベース層の両側に層間絶縁層を介して非コア導体層
を１層以上形成した多層基板において、前記絶縁基板に前記コア導体層の厚さの２倍以下の直径
のスルーホールが形成され、該スルーホールが前記コア
導体層と同じ金属で埋まっていることを特徴とする多層
基板。
【請求項２】前記コア導体層の厚さが１０μｍ以上で
３００μｍ以下、前記スルーホール直径が２０μｍ以上
で６００μｍ以下である請求項１記載の多層基板。
【請求項３】前記絶縁基板の厚さが０.２mm以下であ
る請求項１又は２記載の多層基板。
【請求項４】前記ベース層の一方の側の非コア導体層
の層数と、他方の側の非コア導体層の層数との差が１を
越えない請求項１，２又は３記載の多層基板。
【請求項５】周波数１ＧＨｚにおいて、前記層間絶縁
層のＱが２００以上で、比誘電率が３以下である請求項
１，２，３又は４記載の多層基板。
【請求項６】前記絶縁基板がビニルベンジルである請
求項１，２，３，４又は５記載の多層基板。
【請求項７】前記層間絶縁層がビニルベンジルである
請求項１，２，３，４，５又は６記載の多層基板。
【請求項８】前記コア導体層、前記非コア導体層の少
なくともいずれかでヘリカル構造の高周波コイルが１個
以上形成されている請求項１，２，３，４，５，６又は
７記載の多層基板。
【請求項９】前記コア導体層及び非コア導体層におけ
る導体パターンのアスペクト比が０.５以上で、導体間
のアスペクト比が２以下である請求項１，２，３，４，
５，６，７又は８記載の多層基板。
【請求項１０】絶縁基板の両側にコア導体層を形成し
てベース層を形成し、該ベース層の両側に層間絶縁層を
介して非コア導体層を１層以上形成する多層基板の製造
方法において、前記コア導体層を作製する工程が、前記絶縁基板にレー
ザー加工によるスルーホールを形成する穴開け工程と、前記絶縁基板両面及び前記スルーホール内面に、めっき
用下地導体層を形成する下地導体層形成工程と、前記下地導体層上にレジストを設け、導体パターンに対
応させて前記下地導体層を露出させた後、電気めっきに
より電気めっき導体層を形成しかつ当該電気めっき導体
層で前記スルーホールを埋める電気めっき工程と、前記レジストを除去後、前記めっき用下地導体層の不要
部分を除去する下地導体層除去工程とを備えていること
を特徴とする多層基板の製造方法。
【請求項１１】前記非コア導体層を作製する工程が、
前記層間絶縁層に次の下地導体層を形成する工程と、前
記次の下地導体層上にレジストを設け、導体パターンに
対応させて前記次の下地導体層を露出させた後、電気め
っきにより次の電気めっき導体層を形成する工程と、前
記レジストを除去後、前記次の下地導体層の不要部分を
除去する工程とを備えている請求項１０記載の多層基板
の製造方法。
【請求項１２】前記層間絶縁層にビアホールが形成さ
れており、該ビアホールが前記次の電気めっき導体層に
より埋められている請求項１１記載の多層基板の製造方
法。