JP2020135912A - 疑似スタティックランダムアクセスメモリの制御回路及び制御方法 - Google Patents

疑似スタティックランダムアクセスメモリの制御回路及び制御方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2020135912A
JP2020135912A JP2019029733A JP2019029733A JP2020135912A JP 2020135912 A JP2020135912 A JP 2020135912A JP 2019029733 A JP2019029733 A JP 2019029733A JP 2019029733 A JP2019029733 A JP 2019029733A JP 2020135912 A JP2020135912 A JP 2020135912A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
asynchronous
clock
count value
cas
cas clock
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2019029733A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6871286B2 (ja
Inventor
池田 仁史
Hitoshi Ikeda
仁史 池田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Winbond Electronics Corp
Original Assignee
Winbond Electronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Winbond Electronics Corp filed Critical Winbond Electronics Corp
Priority to JP2019029733A priority Critical patent/JP6871286B2/ja
Priority to CN201910232024.2A priority patent/CN111599395B/zh
Priority to KR1020190037037A priority patent/KR102196677B1/ko
Publication of JP2020135912A publication Critical patent/JP2020135912A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6871286B2 publication Critical patent/JP6871286B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • G11C11/40Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
    • G11C11/401Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
    • G11C11/4063Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
    • G11C11/407Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type
    • G11C11/408Address circuits
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • G11C11/40Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
    • G11C11/401Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
    • G11C11/4063Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
    • G11C11/407Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type
    • G11C11/409Read-write [R-W] circuits 
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • G11C11/40Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
    • G11C11/401Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
    • G11C11/4063Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
    • G11C11/407Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type
    • G11C11/4076Timing circuits
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C7/00Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/22Read-write [R-W] timing or clocking circuits; Read-write [R-W] control signal generators or management 
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C2211/00Indexing scheme relating to digital stores characterized by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C2211/401Indexing scheme relating to cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
    • G11C2211/406Refreshing of dynamic cells
    • G11C2211/4066Pseudo-SRAMs

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Dram (AREA)
  • Memory System (AREA)

Abstract

【課題】本発明は、擬似スタティックランダムアクセスメモリの制御回路及び制御方法を提供する。【解決手段】制御回路は、外部クロックに基づいてデータのラッチ回数をカウントして第1カウント値を生成し、非同期CASクロックに基づいてデータの書き込み回数をカウントして第2カウント値を生成し、第1カウント値を第2カウント値と比較する。制御回路は、非同期モードで非同期CASクロックに基づいてCASクロックを提供する。最初に第1カウント値が第2カウント値と等しくなる時、制御回路は、書き込み動作の非同期モードから同期モードに移行し、非同期CASクロックの周期を外部クロックの周期に調整する。【選択図】図1

Description

本発明は、メモリ装置の制御回路及び制御方法に関し、特に擬似スタティックランダムアクセスメモリの制御回路及び制御方法に関する。
近年、半導体メモリデバイスの高集積化が進み、高速化が要求されており、高速メモリとしてスタティックランダムアクセスメモリ(Static Random Access Memory,SRAM)とダイナミックランダムアクセスメモリが使われている。ダイナミックランダムアクセスメモリ(Dynamic Random Access Memory,DRAM)の利点を有する疑似スタティックランダムアクセスメモリ(Pseudo Static Random Access Memory,pSRAM)に対する需要は、特にモバイル装置への運用において増加し続けている。
擬似スタティックランダムアクセスメモリは、ダイナミックランダムアクセスメモリのセル構造及びスタティックランダムアクセスメモリの周辺回路を有するメモリデバイスである。疑似スタティックランダムアクセスメモリは大容量で低コストという利点を有するが、既存の疑似スタティックランダムアクセスメモリは、書き込み動作のクロック周期が比較的短い場合、データの書き込みが同期又は非同期になり得る。エラーの発生を回避するために、書き込み動作において、データの書き込みが非同期(即ち、書き込み動作の非同期モード)の場合に対応する列アドレスストローブ(column address strobe,CAS、以下CASと略記する)クロックを提供するための制御経路を確立し、同期(即ち、書き込み動作の同期モード)の場合に対応するもう1つのCASクロックを提供するための制御経路を確立する。このように、擬似スタティックランダムアクセスメモリは、異なる制御経路によって、書き込み動作の同期モード又は非同期モードを実行することができる。
しかし、上記方法では、クロック周期が短いため、擬似スタティックランダムアクセスメモリを非同期モードから同期モードに切り替える時、経路の変更によって制御経路の変更後、経路変更の第1クロックでCASクロックを生成することに間に合わない可能性があり、それによって書き込み動作においてエラーを引き起こす。
本発明は、書き込み動作において、複数の制御経路による書き込み動作の同期モードと非同期モードとを実行することができる擬似スタティックランダムアクセスメモリの制御回路及び制御方法を提供する。
本発明の制御回路は、擬似スタティックランダムアクセスメモリに適用される。制御回路は、第1カウンタ、第2カウンタ、コンパレータ、非同期コントローラ、及びクロックジェネレータを含む。第1カウンタは、外部クロックに基づいて擬似スタティックランダムアクセスメモリに書き込まれたデータのラッチ回数をカウントして第1カウント値を生成することに用いられる。第2カウンタは、非同期CASクロックに基づいて擬似スタティックランダムアクセスメモリに書き込まれたデータの書き込み回数をカウントして第2カウント値を生成することに用いられる。非同期CASクロックの初期周期は、外部クロックの周期よりも短い。コンパレータは、第1カウンタ及び第2カウンタに結合される。コンパレータは、第1カウント値と第2カウント値を比較することに用いられる。第1カウント値が第2カウント値と等しい時、コンパレータは、第1論理レベルのモード信号を提供する。非同期コントローラは、コンパレータ及び第2カウンタに結合される。非同期コントローラは、書き込み動作においてモード信号とCASクロックを受信し、非同期モードにおいて、CASクロックに基づいて非同期CASクロックを提供することに用いられる。非同期コントローラが最初に第1論理レベルのモード信号を受信する時、非同期コントローラは、書き込み動作を非同期モードから同期モードに移行させ、非同期CASクロックの周期を外部クロックの周期に調整する。クロックジェネレータは、非同期コントローラに結合される。クロックジェネレータは、非同期CASクロックに基づいてCASクロックを提供することに用いられる。
本発明の制御方法は、擬似スタティックランダムアクセスメモリに適用される。制御方法は、外部クロックに基づいて擬似スタティックランダムアクセスメモリに書き込まれたデータのラッチ回数をカウントして第1カウント値を生成するステップと、非同期モードにおいて、CASクロックに基づき、非同期CASクロックを提供するステップと、非同期CASクロックに基づいて擬似スタティックランダムアクセスメモリに書き込まれたデータの書き込み回数をカウントして第2カウント値を生成し、非同期CASクロックの初期周期は外部クロックの周期よりも小さいステップと、第1カウント値と第2カウント値を比較し、第1カウント値が第2カウント値に等しい時、第1論理レベルのモード信号を提供するステップと、最初に第1論理レベルのモード信号を受信する時、書き込み動作を非同期モードから同期モードに移行させ、非同期CASクロックの周期を外部クロックの周期に調整するステップと、非同期CASクロックに基づいてCASクロックを提供するステップと、を含む。
上記に基づいて、本発明の制御回路は、外部クロックに基づいてデータのラッチ回数をカウントして第1カウント値を生成し、非同期CASクロックに基づいてデータの書き込み回数をカウントして第2カウント値を生成し、第1カウント値と第2カウント値を比較する。制御回路は、CASクロックを提供するために非同期モードにおいてCASクロックに基づいて非同期CASクロックを提供する。最初に第1カウント値が第2カウント値と等しくなる時、制御回路は、書き込み動作を非同期モードから同期モードに移行させ、非同期CASクロックの周期を外部クロックの周期に調整してCASクロックを提供する。このように、本発明は、書き込み動作において、複数の制御経路によって書き込み動作の動機モード及び非同期モードを実行することを不要にすることができる。
本発明の第1実施例に係る疑似スタティックランダムアクセスメモリの回路概略図である。 第1実施例に係る書き込み動作のタイミング図である。 第1実施例に係る非同期コントローラの回路概略図である。 第1実施例に係るクロックジェネレータの回路概略図である。 第1実施例に係る制御方法のフローチャートである。 本発明の第2実施例に係る制御回路の回路概略図である。 第2実施例に係る書き込み動作のタイミング図である。 第2実施例に係る同期コントローラの回路概略図である。 第2実施例に係るクロックジェネレータの回路概略図である。 第2実施例に係る制御方法のフローチャートである。
本発明の上記の特徴及び利点をより分かりやすくするために、実施例を挙げ、図面を合わせて以下に詳細に説明する。
図1を参照すると、図1は、本発明の第1実施例による疑似スタティックランダムアクセスメモリの回路概略図である。本実施例では、擬似スタティックランダムアクセスメモリ100は、メモリアレイ110及び制御回路120を含む。コントローラ120は、メモリアレイ110の書き込み動作を制御するために列アドレスストローブ(column address strobe,CAS、以下CASと略記する)クロックCASPを提供することに用いられる。制御回路120は、第1カウンタ121、第2カウンタ122、コンパレータ123、非同期コントローラ124及びクロックジェネレータ125を含む。例えば、擬似スタティックランダムアクセスメモリ100は、入出力回路、データラッチなどの周辺回路を更に含む。第1カウンタ121は、外部クロックに基づいて擬似スタティックランダムアクセスメモリ100に書き込まれたデータのラッチ回数をカウントすることに用いられ、それによって第1カウント値N_DINを生成する。第1カウンタ121は、外部クロックCLKに基づいてデータラッチのデータラッチ回数をカウントし、それにより、第1カウント値N_DINを生成することができる。データラッチがデータをラッチすると、第1カウンタ121は、入力表示信号EN_DINに基づいて第1カウント値N_DINを増加させ、ここで、入力表示信号EN_DINは、データが入力されたことを示すためのステータス信号である。第2カウンタ122は、非同期CASクロックCASP_Aに基づいて擬似スタティックランダムアクセスメモリ100に書き込まれたデータの書き込み回数をカウントし、第2カウント値N_DWRを生成することに用いられる。第2カウンタ122は、非同期CASクロックCASP_Aに基づいてデータがメモリアレイ110に書き込まれる回数をカウントし、それによって第2カウント値N_DWRを生成することができる。データがメモリアレイ110に書き込まれると、第2カウンタ122は、書き込み表示信号EN_WRに基づいて第2カウント値N_DWRを増加させ、ここで、書き込み表示信号EN_WRは、書き込み動作を実行することを示すステータス信号である。非同期CASクロックCASP_Aの初期周期は、外部クロックCLKの周期よりも小さい。即ち、書き込み動作では、データがメモリアレイ10に書き込まれる速度は、データのラッチ速度よりも速い。従って、第2カウント値N_DWRの増加速度は、第1カウント値N_DINの増加速度よりも速い。
コンパレータ123は第1カウンタ121及び第2カウンタ122に結合される。コンパレータ123は、第1カウント値N_DINと第2カウント値N_DWRとを比較して、第1カウント値N_DINが第2カウント値N_DWRと等しいか否かを判定する。コンパレータ123が、第1カウント値N_DINが第2カウント値N_DWRと等しいと判定する場合、第1論理レベルのモード信号ASYNCが提供される。一方、コンパレータ123が、第1カウント値N_DINと第2カウント値N_DWRとが等しくないと判定する場合、第2論理レベルのモード信号ASYNCが提供される。
非同期コントローラ124は、コンパレータ123及び第2カウンタ122に結合している。非同期コントローラ124は、書き込み動作時に第1論理レベルのモード信号ASYNC及びCASクロックCASPを受信し、非同期モードにおいて、CASクロックCASPに基づいて非同期CASクロックCASP_Aを提供することに用いられる。非同期コントローラ124が最初に第1論理レベルのモード信号ASYNCを受信する時、書き込み動作を非同期モードから同期モードに移行させ、それにより、非同期CASクロックCASP_Aの周期を外部クロックの周期に調整する。クロックジェネレータ125は、非同期コントローラ124に結合している。クロックジェネレータ125は、非同期CASクロックCASP_Aに基づいてCASクロックCASPを提供することに用いられる。
具体的には、図1及び図2を同時に参照し、図2は、第1実施例に係る書き込み動作のタイミングチャートである。本実施例では、時間t1において、データDQが入力され始める。また、データDQが入力されたことを示す入力表示信号EN_DINは、論理レベルローから論理レベルハイに遷移する。時間t2において、最初のデータD00がラッチされ始め、第1カウンタ121が外部クロックCLKに基づいてデータDQがラッチされた回数のカウントを開始し、「0」の第1カウント値N_DINを生成する。この時、第2カウント値N_DWRは未だ生成されていないので、第1カウント値N_DINと第2カウント値N_DWRとは異なる。従って、コンパレータ123は、時間t2において、第2論理レベル(即ち、論理レベルハイ)のモード信号を提供し始める。次に、時間t3において、書き込み動作が開始される。書き込み動作を実行することを示す書き込み表示信号EN_WRは、論理レベルローから論理レベルハイに遷移する。時間t3において、非同期コントローラ124が書き込み動作に移行する時、非同期CASクロックCASP_Aの提供を開始する。非同期CASクロックCASP_Aの初期周期は外部クロックCLKの周期よりも小さいので、制御回路120は非同期動作モードに移行する。第2カウンタ122は、非同期CASクロックCASP_Aに基づいて、擬似スタティックランダムアクセスメモリ100のデータへの書き込み回数のカウントを開始し、「0」の第2カウント値N_DWRを生成する。更に、クロックジェネレータ125は、非同期CASクロックCASP_Aに基づいてCASクロックCASPを提供する。次に、第1カウンタ121及び第2カウンタ122は、カウントを持続する。第2カウント値N_DWRの増加速度は、第1カウント値N_DINの増加速度よりも速い。従って、時間t4では、第2カウント値N_DWRは、第1カウント値N_DINに等しい(N_DWR=N_DIN=8)。これは時間t4で、以前にラッチされたデータD00〜D08がすべて書き込まれることを意味する。コンパレータ123は、第1論理レベル(即ち、論理レベルロー)のモード信号ASYNCを提供する。注意すべきこととして、これは、非同期コントローラ124が書き込み動作(書き込み表示信号EN_WRが論理レベルハイである)において、第1論理レベルのモード信号ASYNCを最初に受け取った時、書き込み動作を非同期モードから同期モードに移行させるということである。非同期コントローラ124は、第1論理レベルのモード信号ASYNCに基づいて非同期CASクロックCASP_Aを提供しない。その後、第1カウント値N_DINが9に等しく、第2カウント値N_DWRが8に等しくなる時、モード信号ASYNCは、第1論理レベルから第2論理レベルに遷移される。この時、非同期コントローラ124は、非同期CASクロックCASP_Aを提供する。このように、非同期CASクロックCASP_Aの周期が外部クロックCLKの周期に徐々に調整され、それにより、非同期CASクロックCASP_Aが外部クロックCLKと同期する効果を達成する。時間t4以後、データD09〜D13のラッチ及び書き込みは、擬似スタティックランダムアクセスメモリがスタンバイ状態になるまで同期される。
述べておくべきこととして、制御回路120は、CASクロックCASPを提供するために、非同期モードにおいて、CASクロックCASPに基づいて非同期CASクロックCASP_Aを提供する。最初に第1カウント値N_DINが第2カウント値N_DWRに等しくなる時、制御回路120は、書き込み動作を非同期モードから同期モードに移行させ、非同期CASクロックCASP_Aの周期を外部クロックの周期に調整し、CASクロックを提供する。このように、本発明は、書き込み動作において、複数の制御経路を介して書き込み動作の同期モードと非同期モードを実行する必要をなくすことができる。
次に、非同期コントローラの実施の細節を説明する。図1及び図3を同時に参照し、図3は、第1実施例に係る非同期コントローラ回路の回路概略図である。本実施例では、非同期コントローラ124は、タイミング調整部1242及び非同期判定部1244を含む。タイミング調整器1242は、クロックジェネレータ125に結合される。タイミング調整器1242は、CASクロックCASPを受信し、CASクロックCASPに基づいて非同期CASクロックCASP_Aの論理レベルローの時間長を調整することに用いられる。非同期判定器1244はタイミング調整器1242及びクロックジェネレータ125に結合される。非同期決定器1244は、第2論理レベルのモード信号ASYNC及び書き込み動作に移行することに対応した書き込み表示信号EN_WRを受信する時、非同期CASクロックCASP_Aを提供することに用いられる。
本実施例では、タイミング調整器1242は、インバータN01、N02、遅延器D1、及びNANDゲートNAND1を含む。インバータN01の入力はクロックジェネレータ125に結合されてCASクロックCASPを受信する。遅延器D1の入力端は、出力端/インバータN01に結合される。NANDゲートNAND1の第1入力端は、インバータN01の出力端に結合され、NANDゲートNAND1の第2入力端は遅延装置D1の出力端に結合される。インバータN02の入力端は、NANDゲートNAND1の出力端に結合され、インバータN02の出力端は、非同期判定器1244に結合される。インバータN02の出力端は、非同期のCASクロックCASP_Aを出力することに用いられる。本実施例では、タイミング調整器1242は、遅延器D1の時間遅延設定によって、非同期CASクロックCASP_Aの論理レベルローの時間長を決定することができる。
非同期判定部1244は、NANDゲートNAND2及びインバータN03を含む。NANDゲートNAND2の第1入力端は、タイミング調整器1242のインバータN02に結合される。NANDゲートNAND1の第2入力端は、モード信号ASYNCを受信することに用いられる。NANDゲートNAND1の第3入力端は、書き込み表示信号EN_WRを受信することに用いられる。インバータN03の入力端は、NANDゲートNAND2の出力端に結合される。インバータN03の出力端は、非同期CASクロックCASP_Aを提供することに用いられる。非同期決定器1244は、論理レベルハイの書き込み表示信号EN_WR及び論理レベルハイのモード信号ASYNCを受信する時、非同期CASクロックCASP_Aを提供する。
次に、クロックジェネレータの実施細節を説明する。図1、図3及び図4を同時に参照し、図4は、第1実施例によるクロックジェネレータの回路概略図である。本実施例では、クロックジェネレータ125は、インバータN04、N05、フリップフロップ1252及びタイミング調整器1254、1256を含む。インバータN04の入力は、非同期コントローラ124に結合され、非同期CASクロックCASP_Aを受信する。フリップフロップ1252のセット入力端/Sは、インバータN04の出力端に結合される。タイミング調整器1254の入力端は、フリップフロップ1252の出力端Qに結合される。インバータN05の入力端は、タイミング調整器1254の出力端に結合される。インバータN05の出力端は、CASクロックCASPを提供することに用いられる。タイミング調整器1256の入力端は、タイミング調整器1254の出力端に結合される。タイミング調整器1256の出力端は、フリップフロップ1252のリセット入力端/Rに結合される。タイミング調整部1256は、CASクロックCASPに基づいてフリップフロップ1252のリセットタイミングを調整することができる。本実施例のフリップフロップ1252は、例えば、複数のNANDからなるセットリセット(set−reset,SR)ラッチであることができるが、本発明はこれに限定するものではない。
更に、タイミング調整部1254は、遅延器D2、インバータN06及びNANDゲートNAND2を含む。遅延器D2の入力端は、フリップフロップ1252の出力端Qに結合される。インバータN06の入力端は、出力端の遅延器D2に結合される。NANDゲートNAND2の第1入力端は、フリップフロップ1252の出力端Qに結合される。NANDゲートNAND2の第2入力端は、インバータN06の出力端に結合される。NANDゲートNAND2の出力端は、インバータN05の入力に結合される。
本実施例では、非同期コントローラ124とクロックジェネレータ125の協調動作の下では、タイミング調整器1254は、遅延器D2の時間遅延設定によって、非同期CASクロックCASP_Aの論理レベルハイ(即ち、パルス幅)の時間長を決定することができる。更に、非同期タイミング調整器1242では、遅延器D1の時間遅延設定も、間接的にCASクロックCASPの論理レベルローの時間長を決定する。
タイミング調整器1256は、遅延器D3、インバータN07及びNANDゲートNAND3を含む。遅延器D3の入力端は、タイミング調整器1254の出力端に結合される。インバータN07の入力端は、出力端の遅延器D3に結合される。NANDゲートNAND3の第1入力端は、タイミング調整器1254の出力端に結合される。NANDゲートNAND3の第2入力端は、インバータN07の出力端に結合される。NANDゲートNAND3の出力端は、フリップフロップ1252のリセット入力端/Rに結合される。本実施例では、タイミング調整器1256は、CASクロックCASPの立ち下がりエッジにおける時間リセットフリップフロップ1252と見なされることができる。
CASクロックCASPの論理レベルローの時間長は、擬似スタティックランダムアクセスメモリのデータバス(data bus)に対してプリチャージを実行する時間長に関連し得る。従って、適切なプリチャージの時間長は、非同期コントローラ124内部の遅延器D1の時間遅延設定によって決定することができる。CASクロックCASPの論理レベルハイの時間長は、メモリセルからのデータ読み出し/メモリセルへの書き込み動作に必要な時間長に関連し得る。従って、適切な読み出し/書き込み時間は、クロックジェネレータ125内部の遅延器D2の時間遅延設定によって決定することができる。
図1及び図5を同時に参照し、図5は、第1実施例による制御方法のフローチャートである。本実施例では、制御回路120は、ステップS510において、外部クロックCLKに基づいて擬似スタティックランダムアクセスメモリ100に書き込まれたデータのラッチ回数をカウントし、第1カウント値N_DINを生成する。ステップS520において、第1カウント値N_DINを生成した後、制御回路120は、非同期モードでCASクロックCASPに基づいて非同期CASクロックCASP_Aを提供する。ステップS530において、制御回路120は、非同期CASクロックCASP_Aに基づいて擬似スタティックランダムアクセスメモリに書き込まれたデータの書き込み回数をカウントし、第2カウント値N_DWRを生成する。制御回路120は、ステップS540において第1カウント値N_DINと第2カウント値N_DWRとを比較する。ステップS540において、第1カウント値N_DINが第2カウント値N_DWRと等しいか否かを判定する。制御回路120が、第1カウント値N_DINが第2カウント値N_DWRと等しくないと判定した場合、制御回路120は、非同期モードを維持し、ステップS550に移行する。ステップS550において、制御回路120は、非同期CASクロックCASP_Aに基づいてCASクロックCASPを提供する。ステップS540において、制御回路120が、第1カウント値N_DINが第2カウント値N_DWRと等しいと判定する場合、ステップS560に移行し、第1論理レベルのモード信号ASYNCを提供し、ステップS570に移行する。ステップS570では、制御回路120は、最初に提供された第1論理レベルのモード信号ASYNCに基づいて非同期モードから同期モードに移行し、非同期CASクロックCASP_Aの周期を外部クロックの周期に調整し、ステップS550に移行する。ステップS510〜S570の実施の細節は、前述の実施例で詳細に説明しているので、ここでは再度記載しない。
図6を参照し、図6は、本発明の第2実施例による制御回路の回路概略図である。本実施例では、制御回路620は、擬似スタティックランダムアクセスメモリのメモリアレイ(図示せず)の書き込み動作を制御するためにCASクロックCASPを提供することに用いられる。制御回路620は、第1カウンタ621、第2カウンタ622、コンパレータ623、非同期コントローラ624、クロックジェネレータ625、同期書き込みインジケータ626及び同期コントローラ627を含む。第1カウンタ621、第2カウンタ622、コンパレータ623及び非同期コントローラ624の間の協調動作の実施の細節は、第1実施例で十分に教示されているので、ここでは再度記載しない。本実施例では、同期書き込みインジケータ626は、擬似スタティックランダムアクセスメモリが書き込み動作を実行する第1初期時間が擬似スタティックランダムアクセスメモリに書き込まれたデータをラッチする第2初期時間よりも早いか否かを判定することに用いられる。同期書き込みインジケータ626が、第1初期時間が第2初期時間よりも早いと判定する場合、同期書き込み表示信号SYNCWRを提供する。一方、同期書き込みインジケータ626が、第1初期時間が第2初期時間よりも遅い又は等しいと判定する場合、同期書き込み表示信号SYNCWRを提供しない。同期コントローラ627は、同期書き込みインジケータ626及びクロックジェネレータ625に結合され、同期コントローラ627は、同期書き込み表示信号SYNCWRに基づいて有効にされ、外部クロックCLKに基づいて同期CASクロックCASP_Sを提供することに用いられる。クロックジェネレータ625が同期CASクロックCASP_Sを受信する時、同期CASクロックCASP_Sに基づいてCASクロックCASPを提供する。
具体的には、図6と図7を同時に参照する。図7は、第2実施例に係る書き込み動作のタイミング図である。本実施例では、第1初期時間は、書き込み動作を行うことを示すための書き込み表示信号EN_WRが最初に論理レベルローから論理レベルハイに遷移する時間ti1である。第2初期時間は、データDQが入力されたことを示すための入力表示信号EN_DINが最初に論理レベルローから論理レベルハイに遷移する時間ti2である。同期書き込みコントローラ626が、第1初期時間(時間ti1)が第2初期時間(時間ti2)よりも早いと判定する場合、同期書き込み表示信号SYNCWRを提供する。本実施例では、同期書き込みインジケータ626は、更に第1カウンタ621及び第2カウンタ622に結合される。時間ti1が時間ti2よりも早い場合、第1カウンタ621は、同期書き込み表示信号SYNCWRに基づいて無効にされて第1カウント値N_DINの提供を停止し、第2カウンタ622は、同期書き込み表示信号SYNCWRに基づいて無効にされて第2カウント値N_DWRの提供を停止し、従って、コンパレータ623は、第2論理レベルのモード信号ASYNCを提供しない。これは、非同期コントローラ624が非同期CASクロックCASP_Aを提供することを不可能にする。また、同期コントローラ627は、同期書き込み表示信号SYNCWRに基づいて有効にされて同期CASクロックCASP_Sを提供し、これにより、CASクロックCASPを生成する。同期CASクロックCASP_Sの周期は、外部クロックCLKの周期に等しい。
一方、同期書き込みインジケータ626が、第1初期時間(時間ti1)が第2初期時間(時間ti2)よりも早いと判定する場合、同期書き込み表示信号SYNCWRを提供しない。同期書き込み表示信号SYNCWRが提供されない場合、第1カウンタ621は、第1カウント値N_DINを提供することができ、第2カウンタ622は第2カウント値N_DWRを提供することができ、同期コントローラ627は無効にされる。同期書き込み表示信号SYNCWRが提供されない場合の実施の細節に関しては、図1から図5の実施例において十分に教示されているので、ここでは再度記載しない。
ここで述べておくこととして、第2実施例の制御回路620は、更に、上述の第1初期時間及び第2初期時間に基づいてデータDQが書き込まれ始める時間が、データDQがラッチされ始める時間よりも早いか否かを判定することができる。データDQが書き込まれ始める時間が、データDQがラッチされ始める時間よりも早い場合、制御回路620は、同期CASクロックCASP_Sを提供し、同期CASクロックCASP_Sに基づいてCASクロックCASPを提供する。このようにして、データDQがラッチされるタイミングは、データDQが書き込まれるタイミングと同期し、データDQがラッチされるタイミングが、データDQが書き込まれるタイミングに追いつかない状況を生じることがない。
次に、同期コントローラの実施の細節を説明する。図6及び図8を同時に参照し、図8は、第2実施例に係る同期コントローラの回路概略図である。本実施例では、同期コントローラ627は、NANDゲートNAND4及びインバータN07を含む。NANDゲートNAND4の第1入力端は、外部クロックCLKを受信することに用いられる。NANDゲートNAND4の第2入力端は、入力表示信号EN_DINを受信することに用いられる。NANDゲートNAND4の第2入力端は、同期書き込みインジケータ626によって提供された同期書き込み表示信号SYNCWRを受信することに用いられる。インバータN07の入力端は、NANDゲートNAND4の出力端に結合される。インバータN07の出力端は、同期CASクロックCASP_Sをクロックジェネレータ625に提供することに用いられる。
次に、クロックジェネレータの実施の細節を説明する。図6と図9を同時に参照し、図9は、第2実施例に係るクロックジェネレータの回路概略図である。本実施例では、クロックジェネレータ625は、インバータN08、N09、フリップフロップ6252及びタイミング調整器6254、6256、6258を含む。インバータN08の入力端は、非同期コントローラ624に結合されて非同期CASクロックCASP_Aを受信する。フリップフロップ6252の第1セット入力端/S1は、インバータN08の出力端に結合される。タイミング調整器6254の入力端は、フリップフロップ6252の出力端Qに結合される。タイミング調整器6254は、図4のタイミング調整器1254と同じであるか、又は図4のタイミング調整器1254に単純な変更を行ったものであり得る。インバータN09の入力端は、タイミング調整器6254の出力端に結合される。インバータN09の出力端は、CASクロックCASPを提供することに用いられる。タイミング調整器6256の入力端は、タイミング調整器6254の出力端に結合される。タイミング調整器6256の出力端は、フリップフロップ6252のリセット入力端/Rに結合される。タイミング調整器6256は、図4のタイミング調整器1254と同じであるか、又は図4のタイミング調整器1256に単純な変更を行ったものであり得る。タイミング調整部6256は、CASクロックCASPに基づいてフリップフロップ6252のリセットタイミングを調整することができる。タイミング調整器6258の入力端は、同期コントローラ627に結合されて同期CASクロックCASP_Sを受信する。タイミング調整器6258の出力端は、フリップフロップ6252の第2セット入力端/S2に結合される。本実施例のフリップフロップ6252は、例えば、複数のNANDゲートからなるセットリセット(SR)ラッチであることができ、本発明はこれに限定するものではない。
タイミング調整器6258は、遅延器D4、インバータN10及びNANDゲートNAND5を含む。遅延器D4の入力端は、同期コントローラ627に結合されて同期CASクロックCASP_Sを受信する。インバータN10の入力端は、遅延器D4の出力端に結合される。NANDゲートNAND5の第1入力端は、同期コントローラ627に結合されて同期CASクロックCASP_Sを受信する。NANDゲートNAND2の第2入力端は、インバータN10の出力端に結合される。NANDゲートNAND2の出力端は、フリップフロップ6252の第2セット入力端/S2に結合される。
図6と図10を同時に参照し、図10は、第2実施例に係る制御方法のフローチャートである。本実施例では、制御回路は、ステップS1010において、擬似スタティックランダムアクセスメモリが書き込み動作を実行する第1初期時間と、擬似スタティックランダムアクセスメモリに書き込まれたデータをラッチする第2初期時間とを受け取る。制御回路620は、ステップS1020において、第1初期時間が第2初期時間よりも早いか否かを判定する。第1初期時間が第2初期時間よりも早いと判定する場合、制御回路620は、同期書き込み表示信号SYNCWRを出力し、ステップS1030に移行する。ステップS1030において、制御回路620は、同期書き込み表示信号SYNCWRに基づき、外部クロックに基づいて同期CASクロックCASP_Sを提供する。次に、ステップS1040において、同期CASクロックCASP_Sに基づいてCASクロックCASPを提供する。ステップS1010〜S1040の実施の細節は、前述の実施例において詳細に説明しているので、ここでは再度記載しない。一方、制御回路620がステップS1020において第1初期時間が第2初期時間よりも遅い又は等しいと判定する場合、同期書き込み表示信号SYNCWRを提供せず、図5のステップS510に移行する。制御回路620がステップS510に移行した後、制御回路620の制御方法は、図1の制御回路120の制御方法と同じになる(ステップS510〜S570)。
上記を総合し、本発明の制御回路及び制御方法は、外部クロックに基づいてデータのラッチ回数をカウントして第1カウント値を生成し、非同期CASクロックに基づいてデータの書き込み回数をカウントして第2カウント値を生成し、第1カウント値と第2カウント値とを比較する。制御回路及び制御方法は、非同期モードでCASクロックに基づいて非同期CASクロックを提供し、CASクロックを提供する。第1カウント値が第1回発生する第2カウント値と等しい場合、制御回路及び制御方法は、書き込み動作を非同期モードから同期モードに変更し、非同期CASクロックの周期を外部クロックの周期に調整し、CASクロックを提供する。このように、本発明は、書き込み動作において、複数の制御パスを介して書き込み動作の同期モードと非同期モードとを実行するする必要がない。また、本発明の制御回路及び制御方法は、更に、データを書き込まれ始める時間がデータをラッチし始める時間よりも早いか否かを判定することができる。データが書き込まれ始める時間が、データがラッチされる時間よりも早い場合、制御回路及び制御方法は、同期CASクロックを提供し、同期CASクロックに基づいてCASクロックを提供する。このように、データがラッチされるタイミングとデータが書き込まれるタイミングとが同期し、データがラッチされるタイミングが、データが書き込まれるタイミングに追いつかない状況を生じることがない。
本発明は、上記のように実施例を開示したが、それは本発明を限定するためのものではなく、当業者は、本発明の精神及び範囲から逸脱することなく、いくらかの変更及び修飾を行うことができ、故に本発明の保護範囲は、後述の特許請求の範囲が定義するものを基準とする。
本発明は、疑似スタティックランダムアクセスメモリ及び制御方法に関する。制御回路及び制御方法は、非同期モードの書き込み動作及び同期モードの書き込み動作を支援できる。
100 疑似スタティックランダムアクセスメモリ
110 メモリアレイ、
120、620 制御回路
121、621 第1カウンタ
122、622 第2カウンタ
123、623 コンパレータ
124、624 非同期コントローラ
1242、1254、1256、6254、6256、6258 タイミング調整器
1244 非同期判定器
125、625 クロックジェネレータ
1252、6252 フリップフロップ
626 同期書き込みインジケータ
627 同期コントローラ
ASYNC モード信号
CASP CASクロック
CASP_A 非同期CASクロック
CASP_S 同期CASクロック
CLK 外部クロック
D1、D2、D3、D4 遅延器
DQ、D00〜D13 データ
EN_DIN 入力表示信号
EN_WR 書き込み表示信号
N01、N02、N03、N04、N05、N06、N07、N08、N09、N10 インバータ
NAND1、NAND2、NAND3、NAND4、NAND5 NANDゲート
N_DIN 第1カウント値
N_DWR 第2カウント値
Q 出力端
/R リセット入力端
/S セット入力端
/S1 第1セット入力端
/S2 第2セット入力端
S510〜S570 ステップ
S1010〜S1040 ステップ
SYNCWR 同期書き込み表示信号
t1、t2、t3、t4、ti1、ti2 時間

Claims (18)

  1. 疑似スタティックランダムアクセスメモリに適用される制御回路であって、前記制御回路は、
    外部クロックに基づいて擬似スタティックランダムアクセスメモリに書き込まれたデータのラッチ回数をカウントして第1カウント値を生成することに用いられる第1カウンタと、
    非同期CASクロックに基づいて前記擬似スタティックランダムアクセスメモリに書き込まれたデータの書き込み回数をカウントして第2カウント値を生成することに用いられ、前記非同期CASクロックの初期周期が前記外部クロックの周期よりも小さい第2カウンタと、
    前記第1カウンタ及び前記第2カウンタに結合され、前記第1カウント値と前記第2カウント値とを比較し、前記第1カウント値が前記第2カウント値に等しい時、第1論理レベルのモード信号を提供するコンパレータと、
    前記コンパレータ及び前記第2カウンタに結合され、書き込み動作において前記モード信号及びCASクロックを受信し、非同期モードにおいてCASクロックに基づいて前記非同期CASクロックを提供することに用いられ、最初に前記第1論理レベルの前記モード信号を受信する時、前記書き込み動作は、前記非同期モードから同期モードに移行して非同期CASクロックの周期を前記外部クロックの周期に調整する非同期コントローラと、
    前記非同期コントローラに結合され、前記非同期CASクロックに基づいて前記CASクロックを提供することに用いられるクロックジェネレータと、
    を含む制御回路。
  2. 前記第1カウント値が前記第2カウント値と等しくない時、前記コンパレータは、第2論理レベルの前記モード信号を提供し、前記第2論理レベルは、第1論理レベルと異なる請求項1に記載の制御回路。
  3. 前記第2論理レベルの前記モード信号が提供される時、前記非同期コントローラは、前記書き込み動作に移行する時に前記非同期CASクロックを提供し始める請求項2に記載の制御回路。
  4. 前記非同期コントローラが、
    前記クロックジェネレータに結合され、前記CASクロックを受信し、前記CASクロックに基づいて非同期CASクロックの論理レベルローの時間長を調整することに用いられる第1タイミング調整器と、
    前記第1タイミング調整器及び前記クロックジェネレータに結合され、前記第2論理レベルの前記モード信号及び前記書き込み動作に移行することに対応した書き込みイネーブル信号を受信する時、前記非同期CASクロックを提供することに用いられる非同期判定器と、
    を含む請求項1〜3のいずれか一項に記載の制御回路。
  5. 前記第1タイミング調整器は、
    入力端が前記クロックジェネレータに結合されてCASクロックを受信する第1インバータと、
    入力端が前記第1インバータの出力端に結合される遅延器と、
    第1入力端が前記第1インバータの出力端に結合され、第2入力端が前記遅延器の出力端に結合されるNANDゲートと、
    入力端が前記NANDゲートの出力端に結合され、出力端が前記非同期判定器に結合される第2インバータと、
    を含む請求項4に記載の制御回路。
  6. 前記クロックジェネレータが、
    入力端が前記非同期行コントローラに結合されて前記非同期CASクロックを受信する第1インバータと、
    セット入力端が前記第1インバータの出力端に結合されるフリップフロップと、
    入力端が前記フリップフロップの出力端に結合され、前記非同期行CASクロックに基づいて前記CASクロックの論理レベルハイの時間長を調整することに用いられる第1タイミング調整器と、
    入力端が前記第1タイミング調整器の出力端に結合され、出力端がCASクロックを提供することに用いられる第2インバータと、
    入力端が前記第1タイミング調整器の出力端に結合され、出力端が前記フリップフロップのリセット入力端に結合され、前記非同期CASクロックに基づいて前記フリップフロップのリセットのタイミングを調整することに用いられる第2タイミング調整器と、
    を含む請求項1〜3のいずれか一項に記載の制御回路。
  7. 更に、
    前記擬似スタティックランダムアクセスメモリが書き込み動作を実行する第1初期時間が、前記擬似スタティックランダムアクセスメモリに書き込まれたデータをラッチする第2初期時間よりも早いか否かを判定し、
    前記第1初期時間が前記第2初期時間よりも早いと判定する時、書き込み表示信号を提供することに用いられる同期書き込みインジケータと、
    前記同期書き込みインジケータ及び前記クロックジェネレータに結合され、前記同期書き込み表示信号に基づき、前記外部クロックに基づいて同期CASクロックを提供することに用いられる同期コントローラと、
    を含む請求項1に記載の制御回路。
  8. 前記第1カウンタは、前記同期書き込み表示信号に基づいて無効にされて前記第1カウント値の提供を停止し、前記第2カウンタは、前記同期書き込み表示信号に基づいて無効にされて前記第2カウント値の提供を停止し、前記コンパレータに前記第1論理レベルの前記モード信号を提供させる請求項7に記載の制御回路。
  9. 前記クロックジェネレータは、前記同期書き込み表示信号が提供される時、前記同期CASクロックに基づいて前記CASクロックを提供することに用いられる請求項7に記載の制御回路。
  10. 前記クロックジェネレータは、
    入力端が前記非同期コントローラに結合されて前記非同期CASクロックを受信する第1インバータと、
    第1セット入力端が前記第1インバータの出力端に結合されるフリップフロップと、
    入力端が前記フリップフロップの出力端に結合される第1タイミング調整器と、
    入力端が前記第1タイミング調整器の出力端に結合され、出力端が前記CASクロックを提供することに用いられる第2インバータと、
    入力端が前記第1タイミング調整器の出力端に結合され、出力端が前記フリップフロップのリセット入力端に結合され、前記非同期CASクロックに基づいて前記フリップフロップのリセットのタイミングを調整することに用いられる第2タイミング調整器と、
    入力端が前記同期コントローラに結合されて前記同期CASクロックを受信し、出力端が前記フリップフロップの第2セット入力端に結合される第3タイミング調整器と、
    を含む請求項7に記載の制御回路。
  11. 以下のステップを含む擬似スタティックランダムアクセスメモリに適用される制御方法。
    外部クロックに基づいて前記擬似スタティックランダムアクセスメモリに書き込まれたデータのラッチ回数をカウントして第1カウント値を生成するステップと、
    非同期モードで前記CASクロックに基づいて前記非同期CASクロックを提供するステップと、
    非同期CASクロックに基づいて前記擬似スタティックランダムアクセスメモリに書き込まれたデータの書き込み回数をカウントして第2カウント値を生成し、非同期CASクロックの初期周期は、前記外部クロックの周期よりも小さいものであるステップと、
    前記第1カウント値と前記第2カウント値とを比較し、前記第1カウント値が前記第2カウント値に等しい時、第1論理レベルのモード信号を提供するステップと、
    最初に提供された前記第1論理レベルのモード信号に基づいて前記書き込み動作を前記非同期モードから前記同期モードに移行し、前記非同期CASクロックの周期を前記外部クロックの周期に調整するステップと、
    前記非同期CASクロックに基づき、前記CASクロックを提供するステップ。
  12. 前記第1カウント値と前記ステップの第2カウント値とを比較するステップは、
    前記第1カウント値が前記第2カウント値と等しくない時、第2論理レベルの前記モード信号を提供することを含み、
    前記第2論理レベルは、第1論理レベルと異なる請求項11に記載の制御方法。
  13. 前記第2論理レベルの前記モード信号が提供される時、前記書き込み動作に移行する時に前記非同期CASクロックを提供し始めるステップを更に含む請求項12に記載の制御方法。
  14. 前記非同期モードが前記CASクロックに基づいて前記非同期CASクロックを提供するステップは、
    前記CASクロックを受信し、前記CASクロックに基づいて前記非同期CASクロックの論理レベルローの時間長を調整することと、
    前記第2論理レベルの前記モード信号及び前記書き込み動作に移行することに対応した書き込みイネーブル信号を受信する時、前記非同期CASクロックを提供することと、
    を含む請求項11〜13のいずれか一項に記載の制御方法。
  15. 前記非同期CASクロックに基づいて前記CASクロックを提供するステップは、
    前記非同期CASクロックに基づいて前記CASクロックの論理レベルハイの時間長を調整することを含む請求項11〜13のいずれか一項に記載の制御方法。
  16. 前記疑似スタティックランダムアクセスメモリが前記書き込み動作を実行する第1初期時間が、前記疑似スタティックランダムアクセスメモリに書き込まれたデータをラッチする第2初期時間よりも早いか否かを判定するステップと、
    前記第1初期時間が前記第2初期時間よりも早いと判定する時、同期書き込み表示信号を提供するステップと、
    前記同期書き込み表示信号に基づき、前記外部クロックに基づいて同期CASクロックを提供するステップと、
    更に含む請求項11に記載の制御方法。
  17. 前記同期書き込み表示信号に基づいて前記第1カウント値の提供を停止し、前記同期書き込み表示信号に基づいて前記第2カウント値の提供を停止し、前記第1論理レベルの前記モード信号を提供するステップを更に含む請求項16に記載の制御方法。
  18. 前記同期書き込み表示信号が提供される時、前記同期CASクロックに基づいて前記CASクロックを提供するステップを更に含む請求項16に記載の制御方法。
JP2019029733A 2019-02-21 2019-02-21 疑似スタティックランダムアクセスメモリの制御回路及び制御方法 Active JP6871286B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019029733A JP6871286B2 (ja) 2019-02-21 2019-02-21 疑似スタティックランダムアクセスメモリの制御回路及び制御方法
CN201910232024.2A CN111599395B (zh) 2019-02-21 2019-03-26 用于伪静态随机存取存储器的控制电路以及控制方法
KR1020190037037A KR102196677B1 (ko) 2019-02-21 2019-03-29 의사 스태틱 랜덤 액세스 메모리의 제어 회로 및 제어 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019029733A JP6871286B2 (ja) 2019-02-21 2019-02-21 疑似スタティックランダムアクセスメモリの制御回路及び制御方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2020135912A true JP2020135912A (ja) 2020-08-31
JP6871286B2 JP6871286B2 (ja) 2021-05-12

Family

ID=72191965

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019029733A Active JP6871286B2 (ja) 2019-02-21 2019-02-21 疑似スタティックランダムアクセスメモリの制御回路及び制御方法

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP6871286B2 (ja)
KR (1) KR102196677B1 (ja)
CN (1) CN111599395B (ja)

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005222581A (ja) * 2004-02-03 2005-08-18 Renesas Technology Corp 半導体記憶装置
TWI259466B (en) * 2005-03-16 2006-08-01 Winbond Electronics Corp Circuitry and method for adjusting signal length
US8239658B2 (en) * 2006-02-21 2012-08-07 Cypress Semiconductor Corporation Internally derived address generation system and method for burst loading of a synchronous memory
JP5262246B2 (ja) * 2008-03-31 2013-08-14 富士通セミコンダクター株式会社 半導体記憶装置およびメモリシステム
WO2017048261A1 (en) * 2015-09-17 2017-03-23 Hewlett Packard Enterprise Development Lp Memory store error check
JP6476325B1 (ja) * 2018-02-01 2019-02-27 華邦電子股▲ふん▼有限公司Winbond Electronics Corp. 擬似sram及びその制御方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20200102890A (ko) 2020-09-01
CN111599395B (zh) 2022-07-19
CN111599395A (zh) 2020-08-28
JP6871286B2 (ja) 2021-05-12
KR102196677B1 (ko) 2020-12-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5228468B2 (ja) システム装置およびシステム装置の動作方法
JP5011485B2 (ja) 半導体メモリ装置
US7489172B2 (en) DLL driver control circuit
JP5098391B2 (ja) 半導体メモリ、システムおよび半導体メモリの動作方法
US7259595B2 (en) Circuit and method for detecting frequency of clock signal and latency signal generation circuit of semiconductor memory device with the circuit
JP2012129630A (ja) 半導体装置
US20070171763A1 (en) Circuit and method for controlling write recovery time in semiconductor memory device
JP4717373B2 (ja) 半導体メモリ
KR100800382B1 (ko) 반도체 메모리 장치에서의 신호제어방법 및 그에 따른컬럼선택라인 인에이블 신호 발생회로
JP2009117020A (ja) 半導体メモリ装置
KR20070036560A (ko) 반도체 메모리 장치의 지연고정루프
JP2002015570A (ja) 半導体メモリ
US10643689B1 (en) Control circuit and control method for pseudo static random access memory
KR20050076285A (ko) 반도체 메모리 장치에서의 데이터 샘플링 방법 및 그에따른 데이터 샘플링 회로
JP6871286B2 (ja) 疑似スタティックランダムアクセスメモリの制御回路及び制御方法
US10957378B1 (en) Control circuit and control method thereof for pseudo static random access memory
TWI694442B (zh) 用於偽靜態隨機存取記憶體的控制電路以及控制方法
JP2006228342A (ja) 半導体記憶装置
JP6874097B1 (ja) 擬似sramに使用する制御回路及びその制御方法
KR102265513B1 (ko) 의사 sram에 사용하는 제어 회로 및 그 제어 방법
CN112992222B (zh) 应用于伪静态随机存取存储器的控制电路及其控制方法
US7952957B2 (en) Circuit for generating read and signal and circuit for generating internal clock using the same
TWI709964B (zh) 應用於偽靜態隨機存取記憶體的控制電路及其控制方法
JP6999791B1 (ja) 半導体記憶装置
JP2006012357A (ja) メモリ装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20190221

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20200414

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20200706

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20210105

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20210312

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20210406

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20210415

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6871286

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250