JP2009117020A - 半導体メモリ装置 - Google Patents
半導体メモリ装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009117020A JP2009117020A JP2008275740A JP2008275740A JP2009117020A JP 2009117020 A JP2009117020 A JP 2009117020A JP 2008275740 A JP2008275740 A JP 2008275740A JP 2008275740 A JP2008275740 A JP 2008275740A JP 2009117020 A JP2009117020 A JP 2009117020A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reference clock
- phase
- memory device
- semiconductor memory
- output
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
- G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
- G11C11/401—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
- G11C11/4063—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
- G11C11/407—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type
- G11C11/4076—Timing circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C8/00—Arrangements for selecting an address in a digital store
- G11C8/18—Address timing or clocking circuits; Address control signal generation or management, e.g. for row address strobe [RAS] or column address strobe [CAS] signals
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/02—Detection or location of defective auxiliary circuits, e.g. defective refresh counters
- G11C29/023—Detection or location of defective auxiliary circuits, e.g. defective refresh counters in clock generator or timing circuitry
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/02—Detection or location of defective auxiliary circuits, e.g. defective refresh counters
- G11C29/028—Detection or location of defective auxiliary circuits, e.g. defective refresh counters with adaption or trimming of parameters
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/10—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
- G11C7/1051—Data output circuits, e.g. read-out amplifiers, data output buffers, data output registers, data output level conversion circuits
- G11C7/1066—Output synchronization
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/22—Read-write [R-W] timing or clocking circuits; Read-write [R-W] control signal generators or management
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/22—Read-write [R-W] timing or clocking circuits; Read-write [R-W] control signal generators or management
- G11C7/222—Clock generating, synchronizing or distributing circuits within memory device
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Dram (AREA)
Abstract
【課題】互いに異なる周波数を有する複数の基準クロックを用いる半導体メモリ装置において、基準クロックを分周して周波数及び位相を等しくすることにより、半導体メモリ装置の内部動作が既設定のレイテンシを保障して実行できるようにすること。
【解決手段】本発明の半導体メモリ装置は、第1基準クロックと第2分周基準クロックとの位相を比較し、その結果を出力する位相検出部と、該位相検出部の出力に対応して、第2基準クロックを一定比で分周して位相を調整し、前記第1基準クロックと同じ位相の前記第2分周基準クロックを生成する位相調整分周部とを備える。
【選択図】図3
【解決手段】本発明の半導体メモリ装置は、第1基準クロックと第2分周基準クロックとの位相を比較し、その結果を出力する位相検出部と、該位相検出部の出力に対応して、第2基準クロックを一定比で分周して位相を調整し、前記第1基準クロックと同じ位相の前記第2分周基準クロックを生成する位相調整分周部とを備える。
【選択図】図3
Description
本発明は、半導体メモリ装置に関し、特に、半導体メモリ装置の内部動作にかかる時間を調整して均一化することにより、動作の信頼性を高めることができる回路及びその方法に関する。
複数の半導体装置で構成されるシステムにおいて、半導体メモリ装置は、データを格納するためのものである。データ処理装置、例えば、中央処理装置(CPU)などがデータを要求すると、半導体メモリ装置は、データを要求する装置から入力されたアドレスに対応するデータを出力したり、そのアドレスに対応する位置にデータ要求装置から提供されるデータを格納する。
半導体装置で構成されるシステムの動作速度の高速化及び半導体集積回路技術の発達に伴い、半導体メモリ装置は、より高速でデータを出力したり格納することが求められている。高速でデータを入出力させるため、システムクロックの受信後、受信したシステムクロックに同期してデータの入出力が可能な同期式メモリ装置が開発されている。しかし、同期式メモリ装置でも、要求されるデータの入出力速度を十分に満たすことはできないため、システムクロックの立ち上がりエッジ及び立ち下がりエッジにそれぞれデータが入出力されるDDR(Double Data Rate)同期式メモリ装置が開発されるようになった。
DDR同期式メモリ装置は、システムクロックの立ち上がりエッジ及び立ち下がりエッジにそれぞれデータを入出力させなければならないため、システムクロックの1周期内に2つのデータを処理することが必要である。つまり、DDR同期式メモリ装置は、クロック信号(以下、単に「クロック」と称する)の立ち上がりエッジ及び立ち下がりエッジにそれぞれデータを出力又は受信して格納しなければならないのである。特に、DDRメモリ装置におけるデータの出力タイミングは、システムクロックの立ち上がりエッジ又は立ち下がりエッジに正確に同期させなければならない。このため、DDRメモリ装置のデータ出力回路は、入力されたシステムクロックの立ち上がりエッジ及び立ち下がりエッジに同期させてデータを出力する。
近年、大容量のデータをより高速で処理し得る半導体メモリ装置では、データの入出力速度のみならず、アドレスの入出力速度を引き上げるための試みが広がっている。従来の半導体メモリ装置において、アドレスは、外部動作コマンドと共に、クロックの立ち上がりエッジに同期化して入力されていた。つまり、半導体メモリ装置は、外部クロックの1周期に1回ずつ(すなわち、外部クロックの立ち上がりエッジに同期して)、外部から入力されるアドレス及び動作コマンドを受信して内部動作を実行していた。しかし、半導体メモリ装置の動作速度が高速化するにつれ、1周期に1回ではなく、2回のアドレスの受信が可能な構造が提案されている。
グラフィック作業用のGDDR5(Graphics Double Data Rate version 5)半導体メモリ装置は、外部クロックの立ち上がりエッジはいうまでもなく、立ち下がりエッジにもアドレスの受信が可能なように設計されている。1周期に2回、アドレスの受信が可能なため、従来の半導体メモリ装置に比べてアドレスピンの数が減少し、余分なピンを電源電圧又は接地電圧と接続することにより、半導体メモリ装置の動作速度を増加させることができる。外部から入力される動作コマンドは、外部クロックの立ち上がりエッジに対応して入力されるため、アドレス信号の入力速度は、動作コマンドの入力速度に比べて2倍速い。
図1は、最近提案されている半導体メモリ装置の動作を説明するためのタイミング図である。具体的には、最近提案されているグラフィック用の半導体メモリ装置であるGDDR5半導体メモリ装置の書き込み動作及び読み出し動作を一例として説明する。
図示のように、GDDR5半導体メモリ装置は、書き込み動作及び読み出し動作において、システムクロックHCLKの1周期に2つのアドレスA1、A2を受信し、アドレスに対応するデータを、システムクロックHCLKの1周期に4つずつ入出力する。書き込み動作のため、T1の時間において、書き込みコマンドWRと共に、アドレスA1、A2が入力される。書き込みコマンドWRは、システムクロックHCLKの立ち上がりエッジに同期化して入力され、アドレスA1、A2は、システムクロックHCLKの立ち上がりエッジ及び立ち下がりエッジに同期化して入力される。結局、GDDR5半導体メモリ装置は、システムクロックHCLKの1周期に2つのアドレスの受信が可能なため、従来の半導体メモリ装置に比べてアドレスピンの数が減少し、余分なピンを電源電圧又は接地電圧と接続することにより、半導体メモリ装置の動作速度を増加させることができる。
システムクロックHCLKの立ち上がりエッジ、又はシステムクロックHCLKの立ち上がりエッジ及び立ち下がりエッジに同期化して入力された書き込みコマンドWR及びアドレスA1、A2に対応して出力されるデータQ0〜Q7は、システムクロックHCLKの2倍の周波数を有する出力基準クロックREF_CLKに対応して、書き込みコマンドWRの入力後、書き込みレイテンシWL(待ち時間)が経過すると、データパッドDQ[0:31]を介して入力される。上述のように、システムクロックHCLKの1周期あたり4つのデータを入力するため、システムクロックHCLKではない、別のクロック、すなわち、出力基準クロックREF_CLKをデータ入力の基準として用いる。
読み出し動作の場合、T11の時間において、読み出しコマンドRDと共に、アドレスA1’、A2’が入力されることにより、GDDR5半導体メモリ装置は、内部動作を実行し、読み出しコマンドRDの入力後、読み出しレイテンシRLが経過すると、アドレスA1’、A2’に対応するデータQ0〜Q7を、データパッドDQ[0:31]を介して出力する。読み出し動作の場合も、書き込み動作と同様に、システムクロックHCLKの1周期に2つのアドレスを受信し、アドレスに対応するデータを、システムクロックHCLKの1周期に4つずつ出力する。
書き込み動作及び読み出し動作から明らかなように、GDDR5半導体メモリ装置は、コマンド及びアドレスの入出力のためのクロック及びデータ入出力のためのクロック、すなわち、2つのクロックを用い、これら2つのクロックは、互いに異なる周波数を有する。具体的には、コマンド及びアドレスの入出力のためのクロックが、データ入出力のためのクロックに比べて1/2倍の周波数を有する。これにより、読み出し動作及び書き込み動作において、コマンドの入力とデータの入出力との時間差、すなわち、読み出しレイテンシ及び書き込みレイテンシを常に正常に保つためには、データ入出力のためのクロックを分周し、コマンド及びアドレスの入出力のためのクロックと同じ位相になるように調整しなければならない。
図2は、図1に示す半導体メモリ装置の読み出し動作時における内部動作を具体的に説明するためのタイミング図である。
図示のように、読み出しコマンドRDは、アドレスA1、A2と共に、システムクロックHCLKに同期化して、T1の時間にて半導体メモリ装置に入力される。半導体メモリ装置は、システムクロックHCLKの2倍の周波数を有するデータ出力クロックWCLKを用いてデータを出力し、データ出力クロックWCLKを1/2に分周し、分周された出力クロックWCLK_DV0、WCLK_DV1を生成する。
半導体メモリ装置は、読み出しコマンドRDをデコードして内部読み出しコマンドICMDを生成する。ここで、データを出力するための内部読み出しコマンドICMDは、システムクロックHCLKではない、データ出力クロックWCLKを基準として半導体メモリ装置の内部回路で認識される。同図を参照すると、内部読み出しコマンドICMDを認識するための読み出しコマンドストローブ信号(READ COMMAND STROBE)は、システムクロックHCLKではない、分周された出力クロックWCLK_DV0、WCLK_DV1に同期化している。分周された出力クロックWCLK_DV0、WCLK_DV1は、システムクロックHCLKの2倍の周波数を有するデータ出力クロックWCLKを1/2に分周したため、システムクロックHCLKと同じ周期を有する。しかし、図示のように、分周された出力クロックは、システムクロックHCLKと同じ位相でもあり得(WCLK_DV0)、システムクロックHCLKと異なる位相でもあり得る(WCLK_DV1)。
分周された出力クロックWCLK_DV0、WCLK_DV1の立ち上がりエッジに同期化して発生した読み出しコマンドストローブ信号により、分周された出力クロックWCLK_DV0、WCLK_DV1の位相がシステムクロックHCLKと同じか異なるかによって、半導体メモリ装置の読み出しレイテンシRL1、RL2が変更可能である。つまり、読み出しコマンドRDの入力後、読み出しコマンドRDに対応するデータが出力されるまでの時間は、分周された出力クロックWCLK_DV0、WCLK_DV1とシステムクロックHCLKとの位相によって変化し得る。図示の読み出しレイテンシの差(RL2−RL1)は、結局、データ出力クロックWCLKを1/2に分周したときに生じ得るものであり、これは、半導体メモリ装置の安定した動作を保障する信頼性を損なうことになる。
半導体メモリ装置の性能を規定する仕様によって定義されている読み出しレイテンシ及び書き込みレイテンシは、状況によって変動される場合、半導体メモリ装置を備えたシステムの動作にエラーを生じ得る。したがって、安定した動作を保障するためには、半導体メモリ装置は、読み出しコマンド及び書き込みコマンドの入力後、データの出力にかかる時間である読み出しレイテンシ及び書き込みレイテンシを常に一定に保たなければならない。
そこで、本発明は、上記のような問題に鑑みてなされたものであって、その目的は、互いに異なる周波数を有する複数の基準クロックを用いる半導体メモリ装置において、基準クロックを分周して周波数及び位相を等しくすることにより、半導体メモリ装置の内部動作が既設定のレイテンシ(latency:待ち時間)を保障して実行できるようにすることにある。
本発明は、第1基準クロックと第2分周基準クロックとの位相を比較し、その結果を出力する位相検出部と、該位相検出部の出力に対応して、第2基準クロックを一定比で分周して位相を調整し、前記第1基準クロックと同じ位相の前記第2分周基準クロックを生成する位相調整分周部とを備える半導体メモリ装置を提供する。
また、本発明は、互いに異なる周波数を有する複数の基準クロックと、該複数の基準クロックの周波数を等しくした後に位相を比較し、差がある場合、位相を補正して同じ位相を有するように調整することにより、動作のレイテンシを常に一定にするクロック調整回路とを備える半導体メモリ装置を提供する。
更に、本発明は、互いに異なる周波数を有する複数の基準クロックに対応して、アドレスを入力し、かつ、データを入出力するステップと、前記複数の基準クロックの周波数を等しくした後に位相を比較し、差がある場合、位相を補正して同じ位相を有するように調整することにより、動作のレイテンシを常に一定にするステップとを含む半導体メモリ装置の動作方法を提供する。
本発明は、互いに異なる周波数を有する複数の基準クロックを用いる半導体メモリ装置において、複数の基準クロックの位相差による内部動作のレイテンシが変化することを防ぐため、基準クロックを分周して位相を検出した後、差がある場合、それを補償できるようにする。これにより、本発明は、互いに異なる周波数を有する複数の基準クロックに同期して実行される複数の内部動作を含む読み出し動作及び書き込み動作が実行されても、複数の基準クロックを同じ周波数を有することができるように分周して比較し、位相を等しくすることにより、それぞれの内部動作が互いに異なる基準クロックを用いても、外部からみたとき、常に一定のレイテンシを有することができるようにする。これは、半導体メモリ装置の動作の信頼性を高める。更に、半導体メモリ装置の外部では、常に同一のレイテンシを有する読み出し動作及び書き込み動作を期待することができる。
以下、本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者が、本発明の技術的思想を容易に実施できる程度に詳細に説明するため、添付の図面を参照して本発明の好ましい実施形態を詳細に説明する。
図3は、本発明の一実施形態に係る半導体メモリ装置内のクロック調整回路を説明するためのブロック図である。
図示のように、半導体メモリ装置内のクロック調整回路は、位相検出制御部100と、位相検出部200と、位相調整分周部300とを備えている。位相検出部200は、第1基準クロックHCLKと第2分周基準クロックWCLK/2との位相を比較し、その結果を出力する。具体的には、位相検出部200は、位相調整分周部300が第2基準クロックWCLKを分周する際に位相を反転させるか否かを知らせる反転制御信号REVERSEを出力する。位相検出部200から出力された反転制御信号REVERSEに応じて、位相調整分周部300は、第2基準クロックWCLKを一定比で分周して位相を調整し、出力される第2分周基準クロックWCLK/2の位相を第1基準クロックHCLKと等しくする。このような位相検出部200及び位相調整分周部300は、外部コマンドに対応して制御信号を出力する位相検出制御部100によって制御される。
ここで、第1基準クロックHCLKは、外部から伝達されるコマンド及びアドレスを受信するために用いられる基準クロックであり、第2基準クロックWCLKは、外部コマンド及びアドレスに対応するデータを入出力するために用いられる基準クロックである。例えば、GDDR5半導体メモリ装置の場合、システムクロックの立ち上がりエッジ及び立ち下がりエッジに対応してアドレスを受信し、システムクロックの1周期あたり2つのアドレスを受信するが、それに対応するデータは、システムクロックの1周期あたり4つずつ入出力される。本発明においても、第1基準クロックHCLKをシステムクロック、第2基準クロックWCLKをデータ入出力のためのクロックとして仮定すると、第1基準クロックHCLKの周波数は、第2基準クロックの周波数WCLKの1/2になり得る。この場合、位相調整分周部300は、第2基準クロックWCLKを1/2に分周し、第1基準クロックHCLKと同じ周波数の第2分周基準クロックWCLK/2を生成する。
図3において、位相検出部200及び位相調整分周部300を制御する位相検出制御部100は、図示のように、半導体メモリ装置内に別途に備えられるものとして説明しているが、本発明の他の実施形態では、位相検出制御部100の代わりとして、半導体メモリ装置内の動作モードを決定するモードレジスタセット(MRS)によって制御することもできる。また、通常動作ではない、テスト動作時においても、テスト信号を受信してデコードし、位相検出部200及び位相調整分周部300がイネーブル(活性化)できるように設計可能である。
図4は、図3に示す半導体メモリ装置の動作を説明するためのタイミング図である。
図示のように、半導体メモリ装置において、位相検出部200は、第2分周基準クロックWCLK/2と第1基準クロックHCLKとを比較し、位相が等しい場合は、反転制御信号REVERSEをアクティブにせず、逆に、第2分周基準クロックWCLK/2と第1基準クロックHCLKとの位相が等しくない場合は、反転制御信号REVERSEをアクティブにして位相を変化できるようにした。
同図に示す2つのタイミング図のうち、左タイミング図は、第2分周基準クロックWCLK/2と第1基準クロックHCLKとの位相が等しい場合であり、右タイミング図は、第2分周基準クロックWCLK/2と第1基準クロックHCLKとの位相が等しくない場合である。位相が等しい場合は、位相検出部200内の比較結果信号PDOUTが論理ハイレバルになり、逆に、位相が等しくない場合は、比較結果信号PDOUTが論理ローレベルになる。
図5は、図3に示す位相検出部200を説明するための回路図である。
図示のように、位相検出部200は、第2分周基準クロックWCLK/2を遅延させる遅延部220と、第2分周基準クロックWCLK/2と第1基準クロックHCLKとの位相を比較し、その比較値を出力する第1フリップフロップ240と、第1フリップフロップ240の出力を反転する第1インバータ260とを備える。本発明の実施形態では、第2分周基準クロックWCLK/2と第1基準クロックHCLKとの位相が同期化しているか否かを判断するため、第1フリップフロップ240に入力される信号を一定時間だけ遅延させるために第2分周基準クロックWCLK/2を遅延させる遅延部220を備えているが、他の実施形態では、同期化の有無を確認するため、第1基準クロックHCLKを遅延させることもできる。
仮に、位相調整分周部300から出力された第2分周基準クロックWCLK/2の位相が第1基準クロックHCLKに同期化していれば、第1フリップフロップ240は、論理ハイレバルの比較結果信号PDOUTを出力する。しかし、第2分周基準クロックWCLK/2の位相が第1基準クロックHCLKに同期化していなければ、第1フリップフロップ240は、論理ローレベルの比較結果信号PDOUTを出力する。比較結果信号PDOUTは、第1インバータ260によって反転され、反転制御信号REVERSEとして出力される。
図6Aは、図3に示す位相調整分周部300を説明するための回路図である。
図示のように、位相調整分周部300は、位相検出制御部100の出力に対応してイネーブルされ、位相検出部200から出力される反転制御信号REVERSEを入力とし、第2基準クロックWCLKに同期化させて出力する第2フリップフロップ320と、第2フリップフロップ320の出力と第2分周基準クロックWCLK/2との排他的NOR(XNOR)演算を行う第1論理ゲート360と、第1論理ゲート360の出力を第2基準クロックWCLKに同期化させて出力し、第2分周基準クロックWCLK/2として出力する第3フリップフロップ340とを備える。
位相調整分周部300は、位相検出部200からの反転制御信号REVERSEを入力とし、出力された第2分周基準クロックWCLK/2をフィードバックして排他的NOR演算を行うことにより、第2分周基準クロックWCLK/2の位相を反転することができる。仮に、反転制御信号REVERSEが論理ローレベル(非アクティブ)の場合は、第1論理ゲート360がインバータとして動作する。逆に、反転制御信号REVERSEが論理ハイレバル(アクティブ)の場合は、第1論理ゲート360が状態を維持させるバッファとして動作することから、フィードバックされた第2分周基準クロックWCLK/2は、第3フリップフロップ340により、位相が反転された状態で出力される。
図6Bは、図6Aに示す位相調整分周部300の動作を説明するためのタイミング図である。
図示のように、第1論理ゲート360は、第2フリップフロップ320の出力とフィードバックされた第2分周基準クロックWCLK/2との排他的NOR演算を行うことにより、ノードAで位相が変化する。
つまり、分周されて出力されるクロックの位相を反転しようとする場合、1周期分だけの幅を有する論理ハイレバルのパルスを位相調整分周部300に入力すると、排他的NOR演算を行う第1論理ゲート360によって位相を反転することができる。結局、位相検出部200からの第2分周基準クロックWCLK/2と第1基準クロックHCLKとが同期化していないとの判断結果が出ると、位相調整分周部300の出力を変更させることができる。
図7は、図3に示す位相検出制御部100を説明するための回路図である。
図示のように、位相検出制御部100は、コマンド信号CMDを反転する第2インバータ160と、第1基準クロックHCLKをN周期の間カウントした後に出力するカウンタ120と、第2インバータ160及びカウンタ120の出力に対応して、位相検出部200及び位相調整分周部300を制御するイネーブル信号ENを出力するNANDラッチ140とを備える。
上述のように、位相検出制御部100の動作は、モードレジスタセット(MRS)に類似しているため、コマンド信号CMDをデコードしてイネーブル信号ENを生成し得るモードレジスタセット(MRS)への代替が可能である。また、テストモードでイネーブルする場合も、位相検出部200及び位相調整分周部300をイネーブルして基準クロックの位相を調整した後、ディセーブル(無効化)させて、安定したレイテンシを有するように半導体メモリ装置の動作を維持することができる。
図8は、本発明の他の実施形態に係る半導体メモリ装置内のクロック調整回路を説明するためのブロック図である。
図示のように、半導体メモリ装置は、位相検出部200Aと、フィルタ部400と、位相調整分周部300Aとを備える。ここで、位相検出部200A及び位相調整分周部300Aは、図3に示す位相検出部200及び位相調整分周部300と同様に構成され得る対応要素であって、詳細な説明は省略する。
フィルタ部400は、第1基準クロックHCLKのN周期の間、位相検出部200Aから出力された比較結果をフィルタリングして出力する(Nは自然数)。具体的には、位相検出部200Aでの比較結果、第2分周基準クロックWCLK/2と第1基準クロックHCLKとの位相が一定期間異なる場合、出力される反転制御信号REVERSEが論理ハイレバルで同じ値を維持すると、その値を位相調整分周部300Aに出力する。
図9は、図8に示すフィルタ部400を説明するための回路図である。
図示のように、フィルタ部400は、位相検出部200Aの出力を入力とし、第1基準クロックHCLKに同期して出力する第4フリップフロップ420と、イネーブル信号ENに対応してアクティブになり、第4フリップフロップ420の出力を入力とし、第1基準クロックHCLKに同期して出力する第5フリップフロップ440と、位相検出部200Aと第4フリップフロップ420及び第5フリップフロップ440との出力をNAND演算する第2論理ゲート460と、第2論理ゲート460の出力を反転する第1インバータ480とを備える。
フィルタ部400は、位相検出部200Aの出力を入力とし、一定期間、第2分周基準クロックWCLK/2の位相が第1基準クロックHCLKと異なる場合、すなわち、反転制御信号REVERSEが、一定期間、同じ値で入力されると、反転フィルタリング信号REVERSEOUTをアクティブにする。デジタルフィルタの特性を有するフィルタ部400は、3回の比較結果(すなわち、反転制御信号REVERSE)を累積して反転フィルタリング信号REVERSEOUTの活性化の有無を決定することが示されている。フィルタ部400により、半導体メモリ装置は、無視できる程度の誤差にも敏感に反応することで動作の信頼性を損なうことを防ぎ、また、基準クロックの位相を変化させることで動作の信頼性を高めることができる。
結局、第1基準クロックHCLKの任意の周期の間、このような比較結果信号PDOUTを出力し続け、位相が依然として等しくないために比較結果信号PDOUTが論理ローレベルを維持すると、論理ハイレバルの反転制御信号REVERSEが位相検出部200Aから出力された後、フィルタリングを経て、論理ハイレバルの反転フィルタリング信号REVERSEOUTが位相調整分周部300Aに伝達される。本発明の実施形態では、フィルタ部400が3周期間の比較結果をフィルタリングしたが、他の実施形態では、状況によって変更可能である。
図10は、図8に示す半導体メモリ装置の動作を説明するためのタイミング図である。
図示のように、半導体メモリ装置は、第1基準クロックHCLKの2倍の周波数を有する第2基準クロックWCLK、WCLK#を有しており、リセット信号RESETが論理ローレベルで非アクティブになると、位相調整分周部300Aは、第2基準クロックWCLK、WCLK#を1/2に分周し、第1基準クロックHCLKと同じ周波数の第2分周基準クロックWCLK/_DV、WCLK_DV#を出力する。
外部からコマンドが入力されると、コマンドをデコードした信号APCD_CMDがアクティブになり、位相検出制御部100により、一定期間、イネーブル信号ENがアクティブになる。位相検出部200Aで第1基準クロックHCLKと第2分周基準クロックWCLK/2とを比較し、その比較結果を反転制御信号REVERSEと共に出力する。フィルタ部400は、一定期間、同じ値の反転制御信号REVERSEが入力され続けると、位相反転のための反転フィルタリング信号REVERSEOUTを出力する。位相調整分周部300Aでは、反転フィルタリング信号REVERSEOUTに対応して、出力される第2分周基準クロックWCLK/2の位相を反転させる。
上述のように、互いに異なる周波数を有する複数の基準クロックを用いる半導体メモリ装置でも、複数の基準クロックを分周して位相を等しくすることにより、読み出し動作及び書き込み動作が常に一定のレイテンシを有して実行可能である。したがって、半導体メモリ装置の外部では、常に一定の動作を期待することができるため、システムの動作の信頼性が向上する。
本発明に係る半導体メモリ装置は、外部から入力されるコマンドに対して、互いに異なる周波数を有する複数の基準クロックを用いて内部動作が実行されても、既設定のレイテンシを保障して安定した動作を維持し、かつ、信頼性を高めることができるメリットがある。
また、本発明に係る半導体メモリ装置は、外部コマンドに対応して内部で実行される複数の内部動作に対して、それぞれの基準クロックを用いる場合も、それぞれの基準クロックの周波数を等しくするため、分周した後に比較し、位相差がある場合、それを補償することにより、外部コマンドに対する一定のレイテンシを有することができるため、内部構造や、入出力データ及び信号の要求条件が変わっても、それに応じた設計変更により安定した動作を保障することができる。
以上、本発明は、上記した実施形態及び添付の図面により限定されるものではなく、本発明の技術的思想を逸脱しない範囲内で様々な置換、変形及び変更が可能であることが、本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者にとって自明である。
Claims (25)
- 第1基準クロックと第2基準クロックを分周した第2分周基準クロックとの位相を比較し、その結果を出力する位相検出部と、
該位相検出部の出力に対応して、前記第2基準クロックを一定比で分周して位相を調整し、前記第1基準クロックと同じ位相の前記第2分周基準クロックを生成する位相調整分周部と、
を備えることを特徴とする半導体メモリ装置。 - 前記第1基準クロックが、外部から伝達されるコマンド及びアドレスを受信するための基準クロックであり、前記第2基準クロックが、前記コマンド及びアドレスに対応するデータを入出力するための基準クロックであることを特徴とする請求項1に記載の半導体メモリ装置。
- 前記第1基準クロックの周波数が、前記第2基準クロックの周波数の1/2であり、前記位相調整分周部が、前記第2基準クロックを1/2に分周し、前記第1基準クロックと同じ周波数の前記第2分周基準クロックを生成することを特徴とする請求項2に記載の半導体メモリ装置。
- 前記位相検出部は、
前記第2分周基準クロックを遅延させる遅延部と、
前記第2分周基準クロックと前記第1基準クロックとの位相を比較し、その比較値を出力する第1フリップフロップと、
を備えることを特徴とする請求項1に記載の半導体メモリ装置。 - 前記位相検出部の出力をN周期の間フィルタリングするフィルタ部を更に備えることを特徴とする請求項1に記載の半導体メモリ装置。
- 前記フィルタ部は、
前記位相検出制御部の出力に対応してイネーブルされ、前記第1フリップフロップの出力を入力とし、第1基準クロックに同期して出力する第2フリップフロップと、
前記位相検出制御部の出力に対応してイネーブルされ、前記第2フリップフロップの出力を入力とし、第1基準クロックに同期して出力する第3フリップフロップと、
前記第1フリップフロップ〜第3フリップフロップの出力をNAND演算する第1論理ゲートと、
該第1論理ゲートの出力を反転する第1インバータと、
を備えることを特徴とする請求項5に記載の半導体メモリ装置。 - 前記位相調整分周部は、
前記位相検出制御部の出力に対応してイネーブルされ、前記位相検出部の出力を入力とし、第2基準クロックに同期化させて出力する第1フリップフロップと、
該第1フリップフロップの出力と前記第2分周基準クロックとの排他的NOR演算を行う第1論理ゲートと、
該第1論理ゲートの出力を前記第2基準クロックに同期化させて出力し、前記第2分周基準クロックとして出力する第2フリップフロップと、
を備えることを特徴とする請求項1に記載の半導体メモリ装置。 - 外部コマンドに対応して前記位相検出部を制御する位相検出制御部を更に備えることを特徴とする請求項1に記載の半導体メモリ装置。
- 前記位相検出制御部は、
前記外部コマンドを反転する第1インバータと、
第1基準クロックを一定周期の間カウントした後に出力するカウンタと、
前記インバータ及び前記カウンタの出力に対応して、前記位相検出部及び前記位相調整分周部を制御する信号を出力するNANDラッチと、
を備えることを特徴とする請求項8に記載の半導体メモリ装置。 - テストコマンドに対応して前記位相検出部をイネーブルする制御部を更に備えることを特徴とする請求項1に記載の半導体メモリ装置。
- 外部コマンドをデコードして前記位相検出部を制御するモードレジスタセット(MRS)を更に備えることを特徴とする請求項1に記載の半導体メモリ装置。
- 互いに異なる周波数を有する複数の基準クロックと、
該複数の基準クロックの周波数を等しくした後に位相を比較し、差がある場合、位相を補正して同じ位相を有するように調整することにより、動作のレイテンシを一定にするクロック調整回路と、
を備えることを特徴とする半導体メモリ装置。 - 前記複数の基準クロックが、外部から伝達される外部コマンド及びアドレスを受信するための第1基準クロックと、当該コマンド及びアドレスに対応するデータを入出力するための第2基準クロックとを含むことを特徴とする請求項12に記載の半導体メモリ装置。
- 前記第1基準クロックの周波数が、前記第2基準クロックの周波数の1/2であり、前記位相調整分周部が、前記第2基準クロックを1/2に分周し、前記第1基準クロックと同じ周波数の前記第2分周基準クロックを生成することを特徴とする請求項13に記載の半導体メモリ装置。
- 前記第1基準クロックと第2基準クロックを分周した第2分周基準クロックとの位相を比較し、その結果を出力する位相検出部と、
該位相検出部の出力に対応して、前記第2基準クロックを一定比で分周して位相を調整し、前記第1基準クロックと同じ位相の前記第2分周基準クロックを生成する位相調整分周部と、
を備えることを特徴とする請求項12に記載の半導体メモリ装置。 - 前記位相検出部は、
前記第2分周基準クロックを遅延させる遅延部と、
前記第2分周基準クロックと前記第1基準クロックとの位相を比較し、その比較値を出力する第1フリップフロップと、
を備えることを特徴とする請求項15に記載の半導体メモリ装置。 - 前記位相検出部の出力をN周期の間フィルタリングするフィルタ部を更に備えることを特徴とする請求項15に記載の半導体メモリ装置。
- 前記フィルタ部は、
前記位相検出制御部の出力に対応してイネーブルされ、前記第1フリップフロップの出力を入力とし、第1基準クロックに同期して出力する第2フリップフロップと、
前記位相検出制御部の出力に対応してイネーブルされ、前記第2フリップフロップの出力を入力とし、第1基準クロックに同期して出力する第3フリップフロップと、
前記第1フリップフロップ〜第3フリップフロップの出力をNAND演算する第1論理ゲートと、
該第1論理ゲートの出力を反転する第1インバータと、
を備えることを特徴とする請求項17に記載の半導体メモリ装置。 - 前記位相調整分周部は、
前記位相検出制御部の出力に対応してイネーブルされ、前記位相検出部の出力を入力とし、第2基準クロックに同期化させて出力する第1フリップフロップと、
該第1フリップフロップの出力と前記第2分周基準クロックとの排他的NOR演算を行う第1論理ゲートと、
該第1論理ゲートの出力を前記第2基準クロックに同期化させて出力し、前記第2分周基準クロックとして出力する第2フリップフロップと、
を備えることを特徴とする請求項15に記載の半導体メモリ装置。 - 外部コマンド又はテストコマンドに対応して前記位相検出部を制御する位相検出制御部を更に備えることを特徴とする請求項15に記載の半導体メモリ装置。
- 前記位相検出制御部は、
コマンド信号を反転する第1インバータと、
第1基準クロックを一定周期の間カウントした後に出力するカウンタと、
前記インバータ及び前記カウンタの出力に対応して、前記位相検出部及び前記位相調整分周部を制御する信号を出力するNANDラッチと、
を備えることを特徴とする請求項15に記載の半導体メモリ装置。 - 外部コマンドをデコードして前記位相検出部を制御するモードレジスタセット(MRS)を更に備えることを特徴とする請求項15に記載の半導体メモリ装置。
- 互いに異なる周波数を有する複数の基準クロックに対応して、アドレスを入力し、かつ、データを入出力するステップと、
前記複数の基準クロックの周波数を等しくした後に位相を比較し、差がある場合、位相を補正して同じ位相を有するように調整することにより、動作のレイテンシを一定にするステップと、
を含むことを特徴とする半導体メモリ装置の動作方法。 - 前記複数の基準クロックが、外部から伝達される外部コマンド及びアドレスを受信するための第1基準クロックと、前記コマンド及びアドレスに対応するデータを入出力するための第2基準クロックとを含むことを特徴とする請求項23に記載の半導体メモリ装置の動作方法。
- 前記動作のレイテンシを一定にするステップは、
前記第1基準クロックと第2分周基準クロックとの位相を比較し、その結果を出力するステップと、
前記位相検出部の出力に対応して、前記第2基準クロックを一定比で分周して位相を調整し、前記第1基準クロックと同じ位相の前記第2分周基準クロックを生成するステップと、
前記外部コマンドに対応して前記位相検出部を制御するステップと、
を含むことを特徴とする請求項23に記載の半導体メモリ装置の動作方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020070111564A KR100903365B1 (ko) | 2007-11-02 | 2007-11-02 | 반도체 메모리 장치 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009117020A true JP2009117020A (ja) | 2009-05-28 |
Family
ID=40587975
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008275740A Pending JP2009117020A (ja) | 2007-11-02 | 2008-10-27 | 半導体メモリ装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7848178B2 (ja) |
JP (1) | JP2009117020A (ja) |
KR (1) | KR100903365B1 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9419599B2 (en) | 2014-09-18 | 2016-08-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor integrated circuit, apparatus including semiconductor integrated circuit, and method for controlling clock signal in semiconductor integrated circuit |
JP2020061201A (ja) * | 2018-10-04 | 2020-04-16 | 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd. | メモリ装置 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20110052941A (ko) * | 2009-11-13 | 2011-05-19 | 삼성전자주식회사 | 어디티브 레이턴시를 가지는 반도체 장치 |
US8266471B2 (en) * | 2010-02-09 | 2012-09-11 | Mosys, Inc. | Memory device including a memory block having a fixed latency data output |
KR102100984B1 (ko) * | 2013-11-19 | 2020-04-14 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 위상 감지 방법 및 위상 감지 시스템 |
KR102669496B1 (ko) * | 2018-10-04 | 2024-05-29 | 삼성전자주식회사 | 메모리 장치 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11112335A (ja) * | 1997-10-08 | 1999-04-23 | Nec Corp | 位相比較回路並びにこれを用いた位相同期ループ回路及びシリアル―パラレル変換回路 |
JPH11298460A (ja) * | 1998-04-15 | 1999-10-29 | Nec Corp | クロック切替回路 |
US20090116598A1 (en) * | 2007-11-02 | 2009-05-07 | Hynix Semiconductor Inc. | Semiconductor memory device having data clock training circuit |
JP2009158084A (ja) * | 2007-12-26 | 2009-07-16 | Hynix Semiconductor Inc | 半導体メモリ素子及びその動作方法 |
JP2010020754A (ja) * | 2008-07-10 | 2010-01-28 | Hynix Semiconductor Inc | 半導体装置 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6570944B2 (en) * | 2001-06-25 | 2003-05-27 | Rambus Inc. | Apparatus for data recovery in a synchronous chip-to-chip system |
JP3481148B2 (ja) | 1998-10-15 | 2003-12-22 | 富士通株式会社 | Dll回路を有する集積回路装置 |
TWI302320B (en) * | 2006-09-07 | 2008-10-21 | Nanya Technology Corp | Phase detection method, memory control method, and related device |
-
2007
- 2007-11-02 KR KR1020070111564A patent/KR100903365B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2007-12-31 US US12/006,121 patent/US7848178B2/en active Active
-
2008
- 2008-10-27 JP JP2008275740A patent/JP2009117020A/ja active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11112335A (ja) * | 1997-10-08 | 1999-04-23 | Nec Corp | 位相比較回路並びにこれを用いた位相同期ループ回路及びシリアル―パラレル変換回路 |
JPH11298460A (ja) * | 1998-04-15 | 1999-10-29 | Nec Corp | クロック切替回路 |
US20090116598A1 (en) * | 2007-11-02 | 2009-05-07 | Hynix Semiconductor Inc. | Semiconductor memory device having data clock training circuit |
JP2009158084A (ja) * | 2007-12-26 | 2009-07-16 | Hynix Semiconductor Inc | 半導体メモリ素子及びその動作方法 |
JP2010020754A (ja) * | 2008-07-10 | 2010-01-28 | Hynix Semiconductor Inc | 半導体装置 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
JPN6013006467; Qimonda GDDR5 - White Paper , 200708 * |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9419599B2 (en) | 2014-09-18 | 2016-08-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor integrated circuit, apparatus including semiconductor integrated circuit, and method for controlling clock signal in semiconductor integrated circuit |
JP2020061201A (ja) * | 2018-10-04 | 2020-04-16 | 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd. | メモリ装置 |
JP7229124B2 (ja) | 2018-10-04 | 2023-02-27 | 三星電子株式会社 | メモリ装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20090116331A1 (en) | 2009-05-07 |
KR20090045638A (ko) | 2009-05-08 |
US7848178B2 (en) | 2010-12-07 |
KR100903365B1 (ko) | 2009-06-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10607671B2 (en) | Timing circuit for command path in a memory device | |
US7239575B2 (en) | Delay-locked loop having a pre-shift phase detector | |
US9077350B2 (en) | Delay-locked loop circuit and method of controlling the same | |
US9001594B2 (en) | Apparatuses and methods for adjusting a path delay of a command path | |
JP4397076B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP4707461B2 (ja) | 半導体記憶素子のクロック生成装置 | |
US8018791B2 (en) | Circuit, system and method for controlling read latency | |
US20190164583A1 (en) | Signal training for prevention of metastability due to clocking indeterminacy | |
US7423456B2 (en) | Fast response time, low power phase detector circuits, devices and systems incorporating the same, and associated methods | |
US7672191B2 (en) | Data output control circuit | |
KR20190032638A (ko) | 커맨드 신호 경로의 지연을 조절하기 위한 장치 및 방법 | |
JP2005322374A (ja) | 周波数変化によってデータの出力タイミングを制御するための半導体メモリ装置 | |
US9196349B2 (en) | Semiconductor device | |
JP2010287304A (ja) | 半導体メモリ装置および出力イネーブル信号生成方法 | |
US7733129B2 (en) | Method and circuit for generating memory clock signal | |
JP2009117020A (ja) | 半導体メモリ装置 | |
US8050119B2 (en) | Data output timing in response to read command based on whether delay locked loop is enabled/disabled in a semiconductor device | |
US7181638B2 (en) | Method and apparatus for skewing data with respect to command on a DDR interface | |
JP2007226308A (ja) | インタフェース回路及びそのインタフェース回路を備えた記憶制御装置 | |
JP2002358782A (ja) | 半導体記憶装置 | |
KR101092995B1 (ko) | 반도체 메모리 장치와 그의 구동 방법 | |
JP2008305349A (ja) | メモリコントローラ | |
WO2014112509A1 (ja) | 出力信号生成装置、半導体装置および出力信号生成方法 | |
TW201944736A (zh) | 動態隨機存取記憶體中控制延遲鎖相迴路的控制電路與方法 | |
WO2014129386A1 (ja) | コマンドfifo回路 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110804 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130123 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130214 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20130820 |