JP2010020754A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2010020754A
JP2010020754A JP2009072206A JP2009072206A JP2010020754A JP 2010020754 A JP2010020754 A JP 2010020754A JP 2009072206 A JP2009072206 A JP 2009072206A JP 2009072206 A JP2009072206 A JP 2009072206A JP 2010020754 A JP2010020754 A JP 2010020754A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
signal
detection signal
clock
logic level
phase
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2009072206A
Other languages
English (en)
Inventor
Sang-Sic Yoon
相 植 尹
Kyung-Hoon Kim
敬 ▲フン▼ 金
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
SK Hynix Inc
Original Assignee
Hynix Semiconductor Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hynix Semiconductor Inc filed Critical Hynix Semiconductor Inc
Publication of JP2010020754A publication Critical patent/JP2010020754A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C8/00Arrangements for selecting an address in a digital store
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F1/00Details not covered by groups G06F3/00 - G06F13/00 and G06F21/00
    • G06F1/04Generating or distributing clock signals or signals derived directly therefrom
    • G06F1/08Clock generators with changeable or programmable clock frequency
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C7/00Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/22Read-write [R-W] timing or clocking circuits; Read-write [R-W] control signal generators or management 

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Dram (AREA)

Abstract

【課題】ノイズ又はジッタの影響により不安定な位相比較結果が出ても、クロック整合トレーニング動作の安定した結果を外部コントローラに伝送することができる回路を提供する。
【解決手段】第1クロックHCKの位相を基準として第2クロックWCKの位相を検出し、当該検出結果に対応する第1検出信号DET_SIG1を生成する第1位相検出手段430と、第2クロックWCKを所定時間だけ遅延したクロックDLY_DIV_WCKの位相を、第1クロックHCKの位相を基準として検出し、当該検出結果に対応する第2検出信号DET_SIG2を生成する第2位相検出手段440と、出力信号を出力し、第1検出信号DET_SIG1、第2検出信号DET_SIG2、及びフィードバックされた出力信号TRAINING_INFO_SIGに応答して、出力信号TRAINING_INFO_SIGの論理レベルを決定する論理レベル決定手段450と、を備える。
【選択図】図4

Description

本発明は、半導体設計技術に関し、特に、高速で動作する半導体装置に要求されるクロック整合トレーニング動作に関し、より詳細には、クロック整合トレーニング動作中にデータクロックの位相とシステムクロックの位相とを比較する過程において、ノイズまたはジッタなどの影響により不安定な位相比較結果が出ても、これを安定した状態に転換して外部コントローラに伝送するための回路に関する。
複数の半導体素子で構成されるシステムにおいて、半導体メモリ装置は、データを格納するためのものである。データ処理装置、例えば、MCU(Memory Control Unit)などがデータを要求すると、半導体メモリ装置は、データ要求装置から入力されたアドレスに対応するデータを出力したり、そのアドレスに対応する位置にデータ要求装置から提供されるデータを格納する。
このため、最近開発されている高速動作メモリ装置では、外部から入力されるシステムクロックの立ち上がりエッジと立ち下がりエッジとの間で2つのデータを入出力し、立ち下がりエッジと次の立ち上がりエッジとの間で2つのデータを入出力するように設計される。すなわち、システムクロックの1周期で4つのデータを入出力するように設計される。
しかし、システムクロックは、2つの状態(論理ハイまたは論理ロー)しか表現できないため、1周期で4つのデータが入出力されるためには、システムクロックの2倍の高さの周波数を有するデータクロックが必要になる。すなわち、データを入出力する専用のクロックがなければならない。
したがって、高速で動作する半導体メモリ装置は、アドレス及びコマンドを送受信するときにはシステムクロックを基準クロックとして用い、データを入出力するときにはデータクロックを基準クロックとして用いることにより、データクロックがシステムクロックの2倍の周波数を有するように制御する。
すなわち、システムクロックの1周期内でデータクロックが2周期繰り返されるようにし、データの入出力を、データクロックの立ち上がりエッジ及び立ち下がりエッジでそれぞれ発生させることにより、システムクロックの1周期で4つのデータが入出力できるようにする。
このように、高速で動作する半導体メモリ装置は、1つのシステムクロックを基準として読み出し動作または書き込み動作を行う従来のDDR同期式メモリ装置とは異なり、読み出し動作または書き込み動作を行うために、互いに異なる周波数を有する2つのクロックを用いてデータのやり取りを行う。
しかし、もしもシステムクロックの位相とデータクロックの位相とが整合(一致)していなければ、動作コマンド及びアドレスを伝達する基準と、データを伝達する基準とが整合していないことを意味する。これは、つまり、高速で動作する半導体メモリ装置が正常に動作できないことを意味する。
したがって、高速で動作する半導体メモリ装置が正常に動作するためには、動作初期に必ず、半導体メモリ装置とデータ処理装置との間で「インタフェーストレーニング(Interface Training)」という動作が行われなければならない。
ここで、インタフェーストレーニングとは、半導体メモリ装置とデータ処理装置との間の正常動作が行われる前に、それらの間でコマンド、アドレス、およびデータを伝達するためのインタフェースが最適化されたタイミングで動作するようにトレーニングすることを意味する。
このようなインタフェーストレーニングは、アドレストレーニング、クロック整合トレーニング(WCK2CKトレーニング)、読み出しトレーニング、及び書き込みトレーニングなどに分類される。このうち、クロック整合トレーニングでは、データクロックとシステムクロックとを整合させる動作を行う。
図1は、従来技術に係るクロック整合トレーニングを行うための回路を示すブロック図である。
まず、クロック整合トレーニングの基本的な原理を説明すると、高速で動作する半導体装置は、上述のように、システムクロックHCKを基準として、アドレス信号及びコマンド信号が外部コントローラから入力され、データクロックWCKを基準として、半導体装置の内部に格納されていたデータを外部コントローラに出力する。
したがって、システムクロックHCKとデータクロックWCKとの間に位相差があった場合、それに対応する時間だけ、半導体装置の内部に格納されていたデータが、より遅く或いはより早く外部コントローラに到着することになる。
そこで、高速で動作する半導体装置の動作初期において、外部コントローラから入力されるシステムクロックHCKとデータクロックWCKとの位相差を検出し、検出結果を外部コントローラに伝送することにより、システムクロックHCKとデータクロックWCKとの位相差を低減するための動作が、クロック整合トレーニングである。
すなわち、図1に示す従来技術に係るクロック整合トレーニングを行うための回路は、外部コントローラからシステムクロックHCKとデータクロックWCKとを受信してその位相差を検出し、検出結果を外部コントローラに伝送する動作を行うための回路である。
図1に示すように、この回路は、アドレス信号及びコマンド信号の入力時点を同期させるためのシステムクロックHCKと、データ信号の入力時点を同期させるためのデータクロックWCK(システムクロックHCKより高い周波数を有する)とが外部コントローラから入力されるクロック入力部100と、データクロックWCKがシステムクロックHCKと同じ周波数を有するようにデータクロックWCKの周波数を変換する周波数変換部120と、周波数変換部120から出力されるクロックDIV_WCKの位相を、システムクロックHCKの位相を基準として検出し、その検出結果に対応する検出信号DET_SIGを生成する位相検出部140と、検出信号DET_SIGをトレーニング情報信号TRAINING_INFO_SIGとして外部コントローラに伝送する信号伝送部160とを備える。
図2は、図1に示す従来技術に係るクロック整合トレーニングを行うための回路が、正常なクロック整合トレーニングを行う場合の動作タイミングを示すタイミング図である。
図2に示すように、外部コントローラから従来技術に係るクロック整合トレーニングを行うための回路に入力されるデータクロックWCKの周波数は、システムクロックHCKの周波数より高い状態であるが、周波数変換部120でデータクロックWCKの周波数を変換してシステムクロックHCKの周波数と等しくするため、周波数変換部120から出力されるデータクロックDIV_WCKの周波数は、システムクロックHCKの周波数と等しい状態になることがわかる。
また、クロック整合トレーニング動作が始まる前(a)は、クロックのエッジが互いに同期していない状態であることがわかる。すなわち、クロック整合トレーニング動作が始まる前(a)は、データクロックWCK,DIV_WCKの位相とシステムクロックHCKの位相とが同期していない状態であることがわかる。
そして、クロック整合トレーニング動作が始まった後(b、c、d、e、f)、データクロックWCK,DIV_WCKの位相とシステムクロックHCKの位相とを同期させる方法として、システムクロックHCKの位相を固定した状態で、データクロックWCK,DIV_WCKの位相を変化させていることがわかる。
このとき、データクロックWCK,DIV_WCKは、信号伝送部160により外部コントローラに伝送されるトレーニング情報信号TRAINING_INFO_SIGの論理レベルに対応して、その位相が変化することがわかる。
さらに、データクロックWCK,DIV_WCKの位相とシステムクロックHCKの位相とが同期せずに、データクロックWCK,DIV_WCKの位相が変化する期間(b、c、d、e、f)では、トレーニング情報信号TRAINING_INFO_SIGの論理レベルが論理ロー状態を維持し続けるが、データクロックWCK,DIV_WCKの位相とシステムクロックHCKの位相とが同期して、それ以上データクロックWCK,DIV_WCKの位相が変化する必要のない期間(g)では、トレーニング情報信号TRAINING_INFO_SIGの論理レベルが論理ハイ状態を維持し続けることがわかる。
結論的に、クロック整合トレーニングを行うための回路は、クロック整合トレーニング動作により、外部コントローラから入力されるデータクロックWCKの位相とシステムクロックHCKの位相とが同期するまで、位相検出部140において、データクロックWCKの位相とシステムクロックHCKの位相とを持続的に比較した後、その比較結果、すなわち、トレーニング情報信号TRAINING_INFO_SIGを外部コントローラに伝達する役割を果たす。
図3は、図1に示す従来技術に係るクロック整合トレーニングを行うための回路が、ジッタにより異常なクロック整合トレーニングを行う場合の動作タイミングを示すタイミング図である。
図3に示すように、クロック整合トレーニング動作が始まる前(a)から、クロック整合トレーニング動作が始まってデータクロックWCKの位相とシステムクロックHCKの位相とが同期するまで(b、c、d、e、f)の動作タイミングは、外部コントローラから従来技術に係るクロック整合トレーニングを行うための回路に入力されるデータクロックWCK及びシステムクロックHCKの位相が、非同期状態から同期状態に変化するという点から、図2に示す正常なクロック整合トレーニングを行う場合の動作タイミングと同じであることがわかる。
すなわち、システムクロックHCKの位相を固定した状態で、信号伝送部160により外部コントローラに伝送されるトレーニング情報信号TRAINING_INFO_SIGの論理レベルに応じて、データクロックWCK,DIV_WCKの位相が変化することにより、データクロックWCKの位相とシステムクロックHCKの位相とが同期することがわかる。
しかし、図2に示す正常なクロック整合トレーニングを行う場合の動作タイミングとは異なり、正常なクロック整合トレーニングが行われて、データクロックWCKの位相とシステムクロックHCKの位相とが同期した時点(f)で、ノイズまたはジッタによりシステムクロックHCK及びデータクロックWCKの位相が変動する現象が生じ得る。これにより、同期していたデータクロックWCK及びシステムクロックHCKの位相が、再び非同期になるという問題(g、i)が発生することがわかる。
具体的には、データクロックWCK,DIV_WCKの位相とシステムクロックHCKの位相とが同期せずにデータクロックWCK,DIV_WCKの位相が変化する期間(b、c、d、e、f)では、トレーニング情報信号TRAINING_INFO_SIGの論理レベルが論理ロー状態に維持され、正常なクロック整合トレーニングが行われて、データクロックWCKの位相とシステムクロックHCKの位相とが同期した瞬間(f)に論理ハイに変化するが、その後直ぐに、ノイズまたはジッタによりシステムクロックHCKの位相が変化(g)して、データクロックWCKの位相とシステムクロックHCKの位相とが再び非同期になる。これにより、トレーニング情報信号TRAINING_INFO_SIGの論理レベルは、再び論理ローに変化することがわかる。
同じように、ノイズまたはジッタによりシステムクロックHCKの位相が変化して、トレーニング情報信号TRAINING_INFO_SIGの論理レベルが再び論理ローに変化したことを検出すると、再びデータクロックWCKの位相を変更することにより、データクロックWCKの位相とシステムクロックHCKの位相とを再び同期させる(h)。しかし、再びノイズまたはジッタによりデータクロックWCKの位相が変化(i)して、データクロックWCKの位相とシステムクロックHCKの位相とが再び非同期になる。これにより、トレーニング情報信号TRAINING_INFO_SIGの論理レベルは、再び論理ローに変化することがわかる。
このように、従来技術に係るクロック整合トレーニングを行うための回路が、クロック整合トレーニングを行って、データクロックWCKの位相とシステムクロックHCKの位相とを同期しても、ノイズまたはジッタにより、システムクロックHCK及びデータクロックWCKの位相が再び変動するという問題が発生し得る。これにより、外部コントローラに伝送されてクロック整合トレーニング動作の結果を知らせるトレーニング情報信号TRAINING_INFO_SIGの論理レベルが、継続的に論理ローから論理ハイに遷移したり、或いは論理ハイから論理ローに遷移する現象が生じ得る。
このように、ノイズまたはジッタにより、トレーニング情報信号TRAINING_INFO_SIGの論理レベルの不安定な状態が続いた場合、これに基づいてデータクロックWCKの位相とシステムクロックHCKの位相とを同期させて半導体装置に伝送させなければならない外部コントローラでも混乱が生じ、クロック整合トレーニングを行うのに非常に長い時間がかかったり、或いは誤ったクロック整合トレーニングにより誤作動を引き起こすという問題が発生し得る。
本発明は、上記の問題を解決するためになされたものであって、その目的は、クロック整合トレーニング動作中にデータクロックの位相とシステムクロックの位相とを比較する過程において、ノイズまたはジッタなどの影響により不安定な位相比較結果が出ても、統計的な観点から、所定の時間差をおいてデータクロックの位相とシステムクロックの位相とを複数回比較し、その比較結果に基づいて最終的な位相比較結果を抽出することにより、クロック整合トレーニング動作の安定した結果を、外部コントローラに伝送することができる回路を提供することにある。
上記の課題を解決するための本発明の一形態によれば、第1クロックの位相を基準として第2クロックの位相を検出し、当該検出結果に対応する第1検出信号を生成する第1位相検出手段と、前記第2クロックを所定時間だけ遅延したクロックの位相を、前記第1クロックの位相を基準として検出し、当該検出結果に対応する第2検出信号を生成する第2位相検出手段と、出力信号を出力し、前記第1検出信号、前記第2検出信号、及びフィードバックされた前記出力信号に応答して、前記出力信号の論理レベルを決定する論理レベル決定手段と、を備える半導体装置を提供する。
上記の課題を解決するための本発明の他の形態によれば、アドレス信号及びコマンド信号の入力時点を同期させるための第1クロックと、データ信号の入力時点を同期させるための第2クロックとが外部からそれぞれ入力されるクロック入力手段と、前記第1クロックの位相を基準として前記第2クロックの位相を検出し、当該検出結果に対応する第1検出信号を生成する第1位相検出手段と、前記第2クロックを所定時間だけ遅延したクロックの位相を、前記第1クロックの位相を基準として検出し、当該検出結果に対応する第2検出信号を生成する第2位相検出手段と、前記第1検出信号、前記第2検出信号、及びトレーニング情報信号に応答して、過半数判断信号の論理レベルを決定する論理レベル決定手段と、前記第1クロックに応答して、前記過半数判断信号を前記トレーニング情報信号として出力するトレーニング情報信号出力手段と、前記トレーニング情報信号を外部に伝送する信号伝送手段と、を備える半導体装置を提供する。
上記の課題を解決するための本発明のさらに他の形態によれば、アドレス信号及びコマンド信号の入力時点を同期させるための第1クロックと、データ信号の入力時点を同期させるための第2クロックとが外部からそれぞれ入力されるクロック入力手段と、前記第2クロックが前記第1クロックと同じ周波数を有するように前記第2クロックの周波数を変換する周波数変換手段と、前記第1クロックの位相を基準として、前記周波数変換手段から出力されるクロックの位相を検出し、当該検出結果に対応する第1検出信号を生成する第1位相検出手段と、前記周波数変換手段から出力される前記クロックを所定時間だけ遅延したクロックの位相を、前記第1クロックの位相を基準として検出し、当該検出結果に対応する第2検出信号を生成する第2位相検出手段と、前記第1検出信号、前記第2検出信号、及びトレーニング情報信号に応答して、過半数判断信号の論理レベルを決定する論理レベル決定手段と、前記第1クロックに応答して、前記過半数判断信号を前記トレーニング情報信号として出力するトレーニング情報信号出力手段と、前記トレーニング情報信号を外部に伝送する信号伝送手段と、を備える半導体装置を提供する。
本発明によれば、クロック整合トレーニング動作中にデータクロックの位相とシステムクロックの位相とを比較する過程において、ノイズまたはジッタなどの影響により不安定な位相比較結果が出ても、統計的な観点から、所定の時間差をおいてデータクロックの位相とシステムクロックの位相とを複数回比較することにより、安定した最終的な位相比較結果を抽出できるという効果がある。
これにより、クロック整合トレーニング動作の安定した結果を外部コントローラに伝送することができるため、外部コントローラが、クロック整合トレーニング動作の結果に基づいてデータクロック及びシステムクロックの位相差を誤まって判断することを防止できるという効果がある。
また、クロック整合トレーニングを行うのに非常に長い時間がかかったり、誤ったクロック整合トレーニングにより半導体装置が誤作動を引き起こすことを防止できるという効果がある。
従来技術に係るクロック整合トレーニングを行うための回路を示すブロック図である。 図1に示す従来技術に係るクロック整合トレーニングを行うための回路が、正常なクロック整合トレーニングを行う場合の動作タイミングを示すタイミング図である。 図1に示す従来技術に係るクロック整合トレーニングを行うための回路が、ジッタにより異常なクロック整合トレーニングを行う場合の動作タイミングを示すタイミング図である。 本発明の実施形態に係るクロック整合トレーニングを行うための回路を示すブロック図である。 図4に示す本発明の実施形態に係るクロック整合トレーニングを行うための回路の1つの構成要素である論理レベル決定部を詳細に示す回路図である。 図4に示す本発明の実施形態に係るクロック整合トレーニングを行うための回路の動作タイミングを示すタイミング図である。
以下、添付図面を参照して本発明の好ましい実施形態を説明する。ただし、本発明は、以下に開示する実施形態に限定されるものではなく、互いに異なる多様な形態で構成され得る。本実施形態は、単に本発明の開示を完全にし、通常の知識を有する者に本発明の技術的範囲を完全に知らせるために提供されるものである。
図4は、本発明の実施形態に係るクロック整合トレーニングを行うための回路を示すブロック図である。
図4に示すように、本発明の実施形態に係るクロック整合トレーニングを行うための回路は、アドレス信号及びコマンド信号の入力時点を同期させるためのシステムクロックHCKと、データ信号の入力時点を同期させるためのデータクロックWCK(システムクロックHCKより高い周波数を有する)とが外部コントローラからそれぞれ入力されるクロック入力部400と、データクロックWCKがシステムクロックHCKと同じ周波数を有するように、データクロックWCKの周波数を変換する周波数変換部420と、周波数変換部420から出力されるクロックDIV_WCKの位相を、システムクロックHCKの位相を基準として検出し、その検出結果に対応する第1検出信号DET_SIG1を生成する第1位相検出部430と、周波数変換部420から出力されるクロックDIV_WCKを所定時間だけ遅延したクロックDLY_DIV_WCKの位相を、システムクロックHCKの位相を基準として検出し、その検出結果に対応する第2検出信号DET_SIG2を生成する第2位相検出部440と、第1検出信号DET_SIG1、第2検出信号DET_SIG2、及びトレーニング情報信号TRAINING_INFO_SIGのうち、2つ以上の信号が同じ論理レベルを有するとき、それに応答して過半数判断信号MAJORITY_VOTER_SIGの論理レベルを決定する論理レベル決定部450と、システムクロックHCKに応答して、過半数判断信号MAJORITY_VOTER_SIGをトレーニング情報信号TRAINING_INFO_SIGとして出力するトレーニング情報信号出力部480と、トレーニング情報信号TRAINING_INFO_SIGを外部コントローラに伝送する信号伝送部460とを備える。
ここで、第1位相検出部430は、データ入力端に周波数変換部420から出力されるクロックDIV_WCKが入力され、クロック入力端にシステムクロックHCKが入力され、出力端を介して第1検出信号DET_SIG1を出力するDフリップフロップ(図示せず)を備える。
また、第2位相検出部440は、データ入力端に周波数変換部420から出力されるクロックDIV_WCKを所定時間だけ遅延したクロックDLY_DIV_WCKが入力され、クロック入力端にシステムクロックHCKが入力され、出力端を介して第2検出信号DET_SIG2を出力するDフリップフロップ(図示せず)を備える。
そして、トレーニング情報信号出力部480は、データ入力端に過半数判断信号MAJORITY_VOTER_SIGが入力され、クロック入力端にシステムクロックHCKが入力され、出力端を介してトレーニング情報信号TRAINING_INFO_SIGを出力するDフリップフロップ(図示せず)を備える。
さらに、クロック入力部400は、外部コントローラからのシステムクロックOUT_HCKが入力されるシステムクロック入力パッド(HCK入力パッド)402と、システムクロック入力パッド402を介して伝達されたシステムクロックOUT_HCKをバッファリングして、システムクロックHCKとして出力するシステムクロック入力バッファ(HCK入力バッファ)404と、外部コントローラからのデータクロックOUT_WCK(外部コントローラから入力されるシステムクロックOUT_HCKより高い周波数を有する)が入力されるデータクロック入力パッド(WCK入力パッド)406と、データクロック入力パッド406を介して伝達されたデータクロックOUT_WCKをバッファリングして、データクロックWCKとして出力するデータクロック入力バッファ(WCK入力バッファ)408とを備える。
そして、信号伝送部460は、トレーニング情報信号TRAINING_INFO_SIGをバッファリングして、バッファード・トレーニング情報信号BUF_TRAINING_INFO_SIGとして出力するトレーニング情報信号出力バッファ(TRAINING_INFO出力バッファ)462と、トレーニング情報信号出力バッファ462でバッファリングされたバッファード・トレーニング情報信号BUF_TRAINING_INFO_SIGを、外部コントローラに伝送するトレーニング情報信号出力パッド(TRAINING_INFO出力パッド)464とを備える。
図5は、図4に示す本発明の実施形態に係るクロック整合トレーニングを行うための回路の1つの構成要素である論理レベル決定部450を詳細に示す回路図である。
図5に示すように、本発明の実施形態に係るクロック整合トレーニングを行うための回路の構成要素である論理レベル決定部450は、第1検出信号DET_SIG1及び第2検出信号DET_SIG2の論理レベルを比較する第1論理レベル比較部452と、第1検出信号DET_SIG1及びトレーニング情報信号TRAINING_INFO_SIGの論理レベルを比較する第2論理レベル比較部454と、第2検出信号DET_SIG2及びトレーニング情報信号TRAINING_INFO_SIGの論理レベルを比較する第3論理レベル比較部456と、第1論理レベル比較部452の出力信号COMPARE1、第2論理レベル比較部454の出力信号COMPARE2、及び第3論理レベル比較部456の出力信号COMPARE3に応答して、過半数判断信号MAJORITY_VOTER_SIGの論理レベルの遷移を制御する論理レベル遷移制御部458とを備える。
ここで、第1論理レベル比較部452は、第1検出信号DET_SIG1を第1入力とし、かつ、第2検出信号DET_SIG2を第2入力として否定論理積するNANDゲートNAND1と、NANDゲートNAND1から出力される信号の位相を反転して第1比較信号COMPARE1として出力する第1インバータINV1とを備える。
また、第2論理レベル比較部454は、第1検出信号DET_SIG1を第1入力とし、かつ、トレーニング情報信号TRAINING_INFO_SIGを第2入力として否定論理積するNANDゲートNAND2と、NANDゲートNAND2から出力される信号の位相を反転して第2比較信号COMPARE2として出力する第2インバータINV2とを備える。
そして、第3論理レベル比較部456は、第2検出信号DET_SIG2を第1入力とし、かつ、トレーニング情報信号TRAINING_INFO_SIGを第2入力として否定論理積するNANDゲートNAND3と、NANDゲートNAND3から出力される信号の位相を反転して第3比較信号COMPARE3として出力する第3インバータINV3とを備える。
さらに、論理レベル遷移制御部458は、第1論理レベル比較部452から出力される第1比較信号COMPARE1を第1入力とし、かつ、第2論理レベル比較部454から出力される第2比較信号COMPARE2を第2入力として否定論理和する第1NORゲートNOR1と、第1NORゲートNOR1から出力される信号の位相を反転する第4インバータINV4と、第4インバータINV4の出力信号を第1入力とし、かつ、第3論理レベル比較部456から出力される第3比較信号COMPARE3を第2入力として否定論理和する第2NORゲートNOR2と、第2NORゲートNOR2から出力される信号の位相を反転して過半数判断信号MAJORITY_VOTER_SIGとして出力する第5インバータINV5とを備える。
上述の構成に基づいて本発明の実施形態に係るクロック整合トレーニングを行うための回路の動作を説明すると、次のとおりである。
まず、第1位相検出部430は、周波数変換部420から出力されるクロックDIV_WCKが、システムクロックHCKのエッジ(一般的に立ち上がりエッジを意味するが、立ち下がりエッジの場合でも構わない)で活性化状態の場合、第1検出信号DET_SIG1を活性化させる。
また、第1位相検出部430は、周波数変換部420から出力されるクロックDIV_WCKが、システムクロックHCKのエッジで非活性化状態の場合、第1検出信号DET_SIG1を非活性化させる。
次に、第2位相検出部440は、周波数変換部420から出力されるクロックDIV_WCKを所定時間だけ遅延したクロックDLY_DIV_WCKが、システムクロックHCKのエッジ(一般的に立ち上がりエッジを意味するが、立ち下がりエッジの場合でも構わない)で活性化状態の場合、第2検出信号DET_SIG2を活性化させる。
また、第2位相検出部440は、周波数変換部420から出力されるクロックDIV_WCKを所定時間だけ遅延したクロックDLY_DIV_WCKが、システムクロックHCKのエッジで非活性化状態の場合、第2検出信号DET_SIG2を非活性化させる。
そして、論理レベル決定部450は、第1検出信号DET_SIG1、第2検出信号DET_SIG2、及びトレーニング情報信号TRAINING_INFO_SIGのうち、2つ以上の信号が同じ論理レベルを有し、かつ、2つ以上の信号にトレーニング情報信号TRAINING_INFO_SIGが含まれていないとき、過半数判断信号MAJORITY_VOTER_SIGの論理レベルを遷移させる。
また、論理レベル決定部450は、第1検出信号DET_SIG1、第2検出信号DET_SIG2、及びトレーニング情報信号TRAINING_INFO_SIGのうち、2つ以上の信号が同じ論理レベルを有し、かつ、2つ以上の信号にトレーニング情報信号TRAINING_INFO_SIGが含まれているとき、過半数判断信号MAJORITY_VOTER_SIGの論理レベルを遷移させない。
より具体的に説明すると、論理レベル決定部450は、第1検出信号DET_SIG1、第2検出信号DET_SIG2、及びトレーニング情報信号TRAINING_INFO_SIGのうち、2つ以上の信号が非活性化された場合、過半数判断信号MAJORITY_VOTER_SIGが非活性化されるようにする。
例えば、論理レベル決定部450は、第1検出信号DET_SIG1及び第2検出信号DET_SIG2のいずれか一方の信号が活性化状態であり、他方の信号が非活性化状態であり、かつ、トレーニング情報信号TRAINING_INFO_SIGが非活性化状態のとき、第1検出信号DET_SIG1または第2検出信号DET_SIG2の論理レベルが遷移して第1検出信号DET_SIG1及び第2検出信号DET_SIG2がいずれも非活性化された場合、すなわち、第1検出信号DET_SIG1及び第2検出信号DET_SIG2のうち、活性化状態にあるいずれか一方の信号が遷移して非活性化状態になった場合、過半数判断信号MAJORITY_VOTER_SIGの論理レベルを遷移させない。
このとき、トレーニング情報信号TRAINING_INFO_SIGは、トレーニング情報信号出力部480により、システムクロックHCKに同期された過半数判断信号MAJORITY_VOTER_SIGであるため、過半数判断信号MAJORITY_VOTER_SIG及びトレーニング情報信号TRAINING_INFO_SIGの論理レベルは同じであるとみなすことができる。また、過半数判断信号MAJORITY_VOTER_SIGの論理レベルが遷移しなかったということは、非活性化状態にあるトレーニング情報信号TRAINING_INFO_SIGが非活性化状態を維持し続けることを意味するとみなすことができる。
逆の場合として、例えば、論理レベル決定部450は、第1検出信号DET_SIG1及び第2検出信号DET_SIG2のいずれか一方の信号が活性化状態であり、他方の信号が非活性化状態であり、かつ、トレーニング情報信号TRAINING_INFO_SIGが活性化状態のとき、第1検出信号DET_SIG1または第2検出信号DET_SIG2の論理レベルが遷移して第1検出信号DET_SIG1及び第2検出信号DET_SIG2がいずれも非活性化された場合、すなわち、第1検出信号DET_SIG1及び第2検出信号DET_SIG2のうち、活性化状態にあるいずれか一方の信号が遷移して非活性化状態になった場合、過半数判断信号MAJORITY_VOTER_SIGの論理レベルを遷移させる。
このとき、トレーニング情報信号TRAINING_INFO_SIGは、トレーニング情報信号出力部480により、システムクロックHCKに同期された過半数判断信号MAJORITY_VOTER_SIGであるため、過半数判断信号MAJORITY_VOTER_SIG及びトレーニング情報信号TRAINING_INFO_SIGの論理レベルは同じであるとみなすことができる。また、過半数判断信号MAJORITY_VOTER_SIGの論理レベルが遷移したということは、活性化状態にあるトレーニング情報信号TRAINING_INFO_SIGが非活性化状態に遷移したことを意味するとみなすことができる。
また、論理レベル決定部450は、第1検出信号DET_SIG1、第2検出信号DET_SIG2、及びトレーニング情報信号TRAINING_INFO_SIGのうち、2つ以上の信号が活性化された場合、過半数判断信号MAJORITY_VOTER_SIGが活性化されるようにする。
例えば、論理レベル決定部450は、第1検出信号DET_SIG1及び第2検出信号DET_SIG2のいずれか一方の信号が活性化状態であり、他方の信号が非活性化状態であり、かつ、トレーニング情報信号TRAINING_INFO_SIGが非活性化状態のとき、第1検出信号DET_SIG1または第2検出信号DET_SIG2の論理レベルが遷移して第1検出信号DET_SIG1及び第2検出信号DET_SIG2がいずれも活性化された場合、すなわち、第1検出信号DET_SIG1及び第2検出信号DET_SIG2のうち、非活性化状態にあるいずれか一方の信号が遷移して活性化状態になった場合、過半数判断信号MAJORITY_VOTER_SIGの論理レベルを遷移させる。
このとき、トレーニング情報信号TRAINING_INFO_SIGは、トレーニング情報信号出力部480により、システムクロックHCKに同期された過半数判断信号MAJORITY_VOTER_SIGであるため、過半数判断信号MAJORITY_VOTER_SIG及びトレーニング情報信号TRAINING_INFO_SIGの論理レベルは同じであるとみなすことができる。また、過半数判断信号MAJORITY_VOTER_SIGの論理レベルが遷移したということは、非活性化状態にあるトレーニング情報信号TRAINING_INFO_SIGが活性化状態に遷移したことを意味するとみなすことができる。
逆の場合として、例えば、論理レベル決定部450は、第1検出信号DET_SIG1及び第2検出信号DET_SIG2のいずれか一方の信号が活性化状態であり、他方の信号が非活性化状態であり、かつ、トレーニング情報信号TRAINING_INFO_SIGが活性化状態のとき、第1検出信号DET_SIG1または第2検出信号DET_SIG2の論理レベルが遷移して第1検出信号DET_SIG1及び第2検出信号DET_SIG2がいずれも活性化された場合、すなわち、第1検出信号DET_SIG1及び第2検出信号DET_SIG2のうち、非活性化状態にあるいずれか一方の信号が活性化状態になった場合、過半数判断信号MAJORITY_VOTER_SIGの論理レベルを遷移させない。
このとき、トレーニング情報信号TRAINING_INFO_SIGは、トレーニング情報信号出力部480により、システムクロックHCKに同期された過半数判断信号MAJORITY_VOTER_SIGであるため、過半数判断信号MAJORITY_VOTER_SIG及びトレーニング情報信号TRAINING_INFO_SIGの論理レベルは同じであるとみなすことができる。また、過半数判断信号MAJORITY_VOTER_SIGの論理レベルが遷移しなかったということは、活性化状態にあるトレーニング情報信号TRAINING_INFO_SIGが活性化状態を維持し続けることを意味するとみなすことができる。
図6は、図4に示す本発明の実施形態に係るクロック整合トレーニングを行うための回路の動作タイミングを示すタイミング図である。
図6に示すように、本発明の実施形態に係るクロック整合トレーニングを行うための回路において、クロック整合トレーニング動作が始まる前(a)から、クロック整合トレーニング動作が始まってデータクロックWCKの位相とシステムクロックHCKの位相とが同期するまで(b)の動作タイミングは、外部コントローラから本発明の実施形態に係るクロック整合トレーニングを行うための回路に入力されるデータクロックWCK及びシステムクロックHCKの位相が、非同期状態から同期状態に変化するという点から、図2及び図3に示す従来技術に係るクロック整合トレーニングを行うための回路を用いてクロック整合トレーニングを行う場合の動作タイミングと同じであることがわかる。
すなわち、システムクロックHCKの位相を固定した状態で、信号伝送部460により外部コントローラに伝送されるトレーニング情報信号TRAINING_INFO_SIGの論理レベルに応じて、データクロックWCK,DIV_WCKの位相が変化することにより、データクロックWCKの位相とシステムクロックHCKの位相とが同期することがわかる。
また、クロック整合トレーニングが行われてデータクロックWCKの位相とシステムクロックHCKの位相とが同期した直後(c)に、ノイズまたはジッタによりシステムクロックHCK及びデータクロックWCKの位相が変動する現象が生じ得る。これにより、同期していたデータクロックWCKの位相とシステムクロックHCKの位相とは、再び非同期になるという問題が発生することがわかる。
しかし、本発明の実施形態では、クロック整合トレーニングが行われてデータクロックWCKの位相とシステムクロックHCKの位相とが同期した直後(c)、ノイズまたはジッタによりシステムクロックHCKの位相とデータクロックWCKの位相とが瞬間的にずれる現象が発生しても、それにより、外部コントローラに伝送されるトレーニング情報信号TRAINING_INFO_SIGの論理レベルが変動するという問題は発生しないことがわかる。
具体的に説明すると、本発明に係るクロック整合トレーニングを行うための回路の動作タイミングにおいて、データクロックWCK,DIV_WCKの位相とシステムクロックHCKの位相とが同期せずにデータクロックWCK,DIV_WCKの位相が変化する期間(b)まで、第1検出信号DET_SIG1、第2検出信号DET_SIG2、過半数判断信号MAJORITY_VOTER_SIG、及びトレーニング情報信号TRAINING_INFO_SIGの論理レベルは、論理ロー状態を維持し続けることがわかる。
しかし、正常なクロック整合トレーニングが行われてデータクロックWCKの位相とシステムクロックHCKの位相とが同期した瞬間(c)に、第1検出信号DET_SIG1の論理レベルは論理ハイに変化するが、第2検出信号DET_SIG2の論理レベルは論理ハイに変化せずに論理ロー状態を維持するため、過半数判断信号MAJORITY_VOTER_SIG及びトレーニング情報信号TRAINING_INFO_SIGの論理レベルは、論理ロー状態を維持し続けることがわかる。
このとき、第1検出信号DET_SIG1の論理レベルが論理ローから論理ハイに変化したにもかかわらず、第2検出信号DET_SIG2の論理レベルが論理ハイに変化せずに論理ロー状態をそのまま維持する理由は、第1検出信号DET_SIG1が、周波数変換部420から出力されるクロックDIV_WCK(データクロックWCKと周波数が異なるだけであって、実質的に同じクロックである)の位相を、システムクロックHCKの位相を基準として検出したときの検出結果に対応する信号であり、第2検出信号DET_SIG2が、クロックDLY_DIV_WCKの位相(周波数変換部420から出力されるクロックDIV_WCKの位相を所定時間tDだけ遅延した)を、システムクロックHCKの位相を基準として検出したときの検出結果に対応する信号であるからである。
すなわち、図6に示すように、クロック整合トレーニング動作により周波数変換部420から出力されるクロックDIV_WCKの位相が、システムクロックHCKの位相と同期した状態(c)であっても、周波数変換部420から出力されるクロックDIV_WCKを所定時間tDだけ遅延したクロックDLY_DIV_WCKの位相は、システムクロックHCKの位相と全く同期していない状態であるため、第1検出信号DET_SIG1の論理レベルは論理ローから論理ハイに変化するが、第2検出信号DET_SIG2の論理レベルは論理ハイに変化せずに論理ロー状態をそのまま維持する。
また、第1検出信号DET_SIG1、第2検出信号DET_SIG2、及びトレーニング情報信号TRAINING_INFO_SIGのうち、2つ以上の信号、例えば、第2検出信号DET_SIG2及びトレーニング情報信号TRAINING_INFO_SIGが同じ論理レベル(論理ロー)を有するとき、トレーニング情報信号TRAINING_INFO_SIGが2つ以上の信号に含まれているため、過半数判断信号MAJORITY_VOTER_SIGの論理レベルは論理ハイに遷移せずに論理ロー状態をそのまま維持する。
そして、その後に発生するノイズまたはジッタによりシステムクロックHCKの位相が変化(図6のd/図3のg)することにより、再びデータクロックWCKの位相とシステムクロックHCKの位相とが非同期になった場合であっても、第1検出信号DET_SIG1の論理レベルは論理ハイから論理ローに変化し、第2検出信号DET_SIG2の論理レベルも論理ロー状態を維持し続けるため、過半数判断信号MAJORITY_VOTER_SIG及びトレーニング情報信号TRAINING_INFO_SIGの論理レベルは、論理ロー状態を維持し続ける。
このとき、第1検出信号DET_SIG1の論理レベルは、論理ハイから論理ローに変化するが、第2検出信号DET_SIG2の論理レベルが論理ロー状態で変動しない理由は、第1検出信号DET_SIG1が、周波数変換部420から出力されるクロックDIV_WCKの位相を、システムクロックHCKの位相を基準として検出したときの検出結果に対応する信号であり、第2検出信号DET_SIG2が、クロックDLY_DIV_WCKの位相(周波数変換部420から出力されるクロックDIV_WCKの位相を所定時間tDだけ遅延した)を、システムクロックHCKの位相を基準として検出したときの検出結果に対応する信号であるからである。
すなわち、図6に示すように、ノイズまたはジッタにより周波数変換部420から出力されるクロックDIV_WCKの位相とシステムクロックHCKの位相とが、同期状態(c)から再び非同期状態(d)に変化した場合であっても、周波数変換部420から出力されるクロックDIV_WCKを所定時間tDだけ遅延したクロックDLY_DIV_WCKの位相は、システムクロックHCKの位相と全く同期していない状態であるため、第1検出信号DET_SIG1の論理レベルは論理ハイから論理ローに変化するが、第2検出信号DET_SIG2の論理レベルは論理ロー状態から変動しない。
また、第1検出信号DET_SIG1、第2検出信号DET_SIG2、及びトレーニング情報信号TRAINING_INFO_SIGのうち、2つ以上の信号、例えば、第1検出信号DET_SIG1、第2検出信号DET_SIG2、及びトレーニング情報信号TRAINING_INFO_SIGが同じ論理レベル(論理ロー)を有するとき、トレーニング情報信号TRAINING_INFO_SIGが2つ以上の信号に含まれているため、過半数判断信号MAJORITY_VOTER_SIGの論理レベルは論理ハイに遷移せずに論理ロー状態をそのまま維持する。
同じように、継続的に行われるクロック整合トレーニングによりデータクロックWCKの位相が再び変更され、それにより、データクロックWCKの位相とシステムクロックHCKの位相とが同期(e)した場合、第1検出信号DET_SIG1の論理レベルは論理ハイに変化するが、第2検出信号DET_SIG2の論理レベルは論理ハイに変化せずに論理ロー状態を維持するため、過半数判断信号MAJORITY_VOTER_SIG及びトレーニング情報信号TRAINING_INFO_SIGの論理レベルは、論理ロー状態を維持し続ける。
このとき、第1検出信号DET_SIG1の論理レベルが論理ローから論理ハイに変化したにもかかわらず、第2検出信号DET_SIG2の論理レベルが論理ハイに変化せずに論理ロー状態をそのまま維持する理由は、第1検出信号DET_SIG1が、周波数変換部420から出力されるクロックDIV_WCKの位相を、システムクロックHCKの位相を基準として検出したときの検出結果に対応する信号であり、第2検出信号DET_SIG2が、クロックDLY_DIV_WCKの位相(周波数変換部420から出力されるクロックDIV_WCKの位相を所定時間tDだけ遅延した)を、システムクロックHCKの位相を基準として検出したときの検出結果に対応する信号であるからである。
すなわち、図6に示すように、継続的に行われるクロック整合トレーニング動作により周波数変換部420から出力されるクロックDIV_WCKの位相がシステムクロックHCKの位相と同期した状態(e)であっても、周波数変換部420から出力されるクロックDIV_WCKを所定時間tDだけ遅延したクロックDLY_DIV_WCKの位相は、システムクロックHCKの位相と全く同期していない状態であるため、第1検出信号DET_SIG1の論理レベルは論理ローから論理ハイに変化するが、第2検出信号DET_SIG2の論理レベルは論理ハイに変化せずに論理ロー状態をそのまま維持する。
また、第1検出信号DET_SIG1、第2検出信号DET_SIG2、及びトレーニング情報信号TRAINING_INFO_SIGのうち、2つ以上の信号、例えば、第2検出信号DET_SIG2及びトレーニング情報信号TRAINING_INFO_SIGが同じ論理レベル(論理ロー)を有するとき、トレーニング情報信号TRAINING_INFO_SIGが2つ以上の信号に含まれているため、過半数判断信号MAJORITY_VOTER_SIGの論理レベルは論理ハイに遷移せずに論理ロー状態をそのまま維持する。
結局、データクロックWCKの位相とシステムクロックHCKの位相とが初めて同期した時点(c)から所定時間tDだけ経過して、データクロックWCKを所定時間tDだけ遅延したクロックDLY_DIV_WCKの位相とシステムクロックHCKの位相とが初めて同期する時点(g)になったとき、第1検出信号DET_SIG1の論理レベルが論理ハイに固定されている状態で、第2検出信号DET_SIG2の論理レベルは論理ハイに変化し、かつ、過半数判断信号MAJORITY_VOTER_SIG及びトレーニング情報信号TRAINING_INFO_SIGの論理レベルは論理ローから論理ハイに変化する。
このとき、第1検出信号DET_SIG1の論理レベルが論理ハイに固定されている状態と表現した理由は、データクロックWCKの位相とシステムクロックHCKの位相とが初めて同期した時点(c)から、データクロックWCKの位相とシステムクロックHCKの位相とが完全に同期して第1検出信号DET_SIG1の論理レベルが論理ハイに固定される時点(f)までの間に、継続的にクロック整合トレーニングが行われ、安定した同期を実現するまでに必要な時間tDSが経過した後と仮定したからである。
すなわち、テストの繰り返しや統計的な確率によると、システムクロックHCK及びデータクロックWCKにノイズまたはジッタが発生するのとは無関係に、クロック整合トレーニングを継続的に行うことにより、データクロックWCKの位相とシステムクロックHCKの位相とが初めて同期した時点(c)の後、システムクロックHCKの位相とデータクロックWCKの位相とが完全に同期する時点(f)を見出すことができる。システムクロックHCKの位相とデータクロックWCKの位相とが完全に同期した時点(f)後は、第1検出信号DET_SIG1の論理レベルが論理ハイに固定された状態と仮定することができる。
このように、システムクロックHCKの位相とデータクロックWCKの位相とが完全に同期した時点(f)後、且つ、クロックDIV_WCKを所定時間tDだけ遅延したクロックDLY_DIV_WCKの位相とシステムクロックHCKの位相とが初めて同期する時点(g)になると、第2検出信号DET_SIG2が論理ハイに変化して、第1検出信号DET_SIG1、第2検出信号DET_SIG2、及びトレーニング情報信号TRAINING_INFO_SIGのうち、2つ以上の信号、例えば、第1検出信号DET_SIG1及び第2検出信号DET_SIG2が同じ論理レベル(論理ハイ)を有するとき、トレーニング情報信号TRAINING_INFO_SIGが2つ以上の信号に含まれていないため、過半数判断信号MAJORITY_VOTER_SIGの論理レベルは論理ローから論理ハイに遷移する。すなわち、トレーニング情報信号TRAINING_INFO_SIGの論理レベルは、論理ローから論理ハイに遷移する。
このとき、一旦論理ローから論理ハイに遷移した過半数判断信号MAJORITY_VOTER_SIG及びトレーニング情報信号TRAINING_INFO_SIGは、第1検出信号DET_SIG1及び第2検出信号DET_SIG2がいずれも論理ローに変化しない限り、論理ハイから論理ローに再び遷移しないため、データクロックWCKで発生していたジッタが、クロックDIV_WCKを所定時間tDだけ遅延したクロックDLY_DIV_WCKにおいて再び発生しても、過半数判断信号MAJORITY_VOTER_SIG及びトレーニング情報信号TRAINING_INFO_SIGの論理レベルが変化する動作には、何ら影響を及ぼさないことがわかる。
参考として、論理レベル決定部450において、第1検出信号DET_SIG1、第2検出信号DET_SIG2、及びトレーニング情報信号TRAINING_INFO_SIGの論理レベルを比較/判断して、過半数判断信号MAJORITY_VOTER_SIGの論理レベルを決定するまでにかかる時間により、過半数判断信号MAJORITY_VOTER_SIGの論理レベル遷移時点がシステムクロックHCKと同期していない場合(h)があるため、トレーニング情報信号出力部480を介して、トレーニング情報信号TRAINING_INFO_SIGの論理レベルが遷移する時点において、過半数判断信号MAJORITY_VOTER_SIGの論理レベル遷移時点を、システムクロックHCKと同期させる(i)必要がある。
また、データクロックWCKの位相とシステムクロックHCKの位相とが初めて同期した時点(c)から、システムクロックHCKの位相とデータクロックWCKの位相とが完全に同期する時点(f)までの時間tDSよりも、データクロックWCKの位相とシステムクロックHCKの位相とが初めて同期した時点(c)から、クロックDIV_WCKを所定時間tDだけ遅延したクロックDLY_DIV_WCKの位相とシステムクロックHCKの位相とが初めて同期する時点(g)までの時間tDがさらに長くなければ、本発明の実施形態に係るクロック整合トレーニングを行うための回路は、正常に動作することができないことがわかる。このような条件は、設計段階においてテストを行うことにより容易に決定することができる事項であり、当業者であれば理解できる事項である。よって、その条件を決定する方法に関する詳細な説明については記載を省略する。
上述した本発明の実施形態に係るクロック整合トレーニングを行うための回路の構成要素において、従来技術と比較して異なる部分を挙げれば、図1では位相検出部140が1つだったのに対し、図4では第1位相検出部430及び第2位相検出部440の2つに増え、さらに、論理レベル決定部450とトレーニング情報信号出力部480とが追加されたことである。
このように、従来技術に比べて、本発明で追加された構成要素は、本発明の実施形態で挙げたように、クロック整合トレーニングを行うための回路のみならず、一般的な半導体装置において入出力されるデータパルスまたはクロックを、ノイズまたはジッタの影響を受けずに安定的に伝送させるための回路に対しても適用可能である。
さらに、一般的な半導体装置において、複数のパルス間の位相差を検出するためにも使用可能である。
以上のように、本発明の実施形態に係るクロック整合トレーニングを行うための回路では、クロック整合トレーニング動作中にデータクロックWCKの位相とシステムクロックHCKの位相とを比較する過程において、ノイズまたはジッタなどの影響により不安定な位相比較結果が出ても、統計的な観点から、所定の時間差をおいてデータクロックの位相とシステムクロックの位相とを複数回比較し、その比較結果に基づいて最終的な位相比較結果を抽出することにより、安定した位相比較結果を外部コントローラに伝送できるようにする。
これにより、外部コントローラが、クロック整合トレーニング動作の結果に基づいてデータクロック及びシステムクロックの位相差を誤まって判断することを防止できるという効果がある。
また、クロック整合トレーニングを行うのに非常に長い時間がかかったり、誤ったクロック整合トレーニングにより半導体装置が誤作動を引き起こすことを防止できるという効果がある。
以上、本発明を特定の実施形態によって説明したが、本発明は、上述した実施形態及び添付図面により限定されるものではなく、本発明の技術的範囲を逸脱しない範囲内で様々な置換、変形及び変更が可能であることは、本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者にとって自明である。
例えば、上述した実施形態では、論理レベル決定部450には、3つの信号が入力され、そのうち2つ以上の信号が同じ論理レベルのとき、論理レベル決定部450が、それに応じて出力する信号の論理レベルを決定する動作を行う。このとき、出力する信号を、入力される3つの信号のうち、1つの信号とすることにより、出力する信号が安定した論理レベルの変動を有するようにしているが、論理レベル決定部450には、3つより多い信号が入力され、そのうち過半数以上の信号が同じ論理レベルのとき、論理レベル決定部450が、それに応じて出力する信号の論理レベルを決定する動作を行ってもよい。本発明の技術的範囲には、出力される信号が入力される信号に含まれることにより、出力される信号が安定した論理レベルの変動を有するようにする場合も含まれる。
また、上述した実施形態に示した論理ゲート及びトランジスタは、入力される信号の極性が上記と異なる場合、その極性に応じて、それらの位置及び種類が上記と異なるように具現されなければならない。
400 クロック入力部
402 システムクロック入力パッド(HCK入力パッド)
404 システムクロック入力バッファ(HCK入力バッファ)
406 データクロック入力パッド(WCK入力パッド)
408 データクロック入力バッファ(WCK入力バッファ)
420 周波数変換部
430 第1位相検出部
440 第2位相検出部
450 論理レベル決定部
460 信号伝送部
462 トレーニング情報信号出力バッファ(TRAINING_INFO出力バッファ)
464 トレーニング情報信号出力パッド(TRAINING_INFO出力パッド)
480 トレーニング情報信号出力部

Claims (36)

  1. 第1クロックの位相を基準として第2クロックの位相を検出し、当該検出結果に対応する第1検出信号を生成する第1位相検出手段と、
    前記第2クロックを所定時間だけ遅延したクロックの位相を、前記第1クロックの位相を基準として検出し、当該検出結果に対応する第2検出信号を生成する第2位相検出手段と、
    出力信号を出力し、前記第1検出信号、前記第2検出信号、及びフィードバックされた前記出力信号に応答して、前記出力信号の論理レベルを決定する論理レベル決定手段と、
    を備えることを特徴とする半導体装置。
  2. 前記論理レベル決定手段が、
    前記第1検出信号、前記第2検出信号、及び前記フィードバックされた出力信号のうち、2つ以上の信号が同じ論理レベルを有し、かつ、前記2つ以上の信号に前記フィードバックされた出力信号が含まれていないとき、前記出力信号の論理レベルを遷移させることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
  3. 前記論理レベル決定手段が、
    前記第1検出信号、前記第2検出信号、及び前記フィードバックされた出力信号のうち、2つ以上の信号が同じ論理レベルを有し、かつ、前記2つ以上の信号に前記フィードバックされた出力信号が含まれているとき、前記出力信号の論理レベルを遷移させないことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
  4. 前記論理レベル決定手段が、
    前記第1検出信号、前記第2検出信号、及び前記フィードバックされた出力信号のうち、2つ以上の信号が非活性化された場合、前記出力信号を非活性化させることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
  5. 前記論理レベル決定手段が、
    前記第1検出信号及び前記第2検出信号のいずれか一方の信号が活性化状態であり、他方の信号が非活性化状態であり、かつ、前記フィードバックされた出力信号が非活性化状態のとき、
    前記第1検出信号または前記第2検出信号の論理レベルが遷移して前記第1検出信号及び前記第2検出信号がいずれも非活性化された場合、前記出力信号がそのまま非活性化状態を維持するように、前記出力信号の論理レベルを遷移させないことを特徴とする請求項4に記載の半導体装置。
  6. 前記論理レベル決定手段が、
    前記第1検出信号及び前記第2検出信号のいずれか一方の信号が活性化状態であり、他方の信号が非活性化状態であり、かつ、前記フィードバックされた出力信号が活性化状態のとき、
    前記第1検出信号または前記第2検出信号の論理レベルが遷移して前記第1検出信号及び前記第2検出信号がいずれも非活性化された場合、前記出力信号が非活性化されるように、前記出力信号の論理レベルを遷移させることを特徴とする請求項4に記載の半導体装置。
  7. 前記論理レベル決定手段が、
    前記第1検出信号、前記第2検出信号、及び前記フィードバックされた出力信号のうち、2つ以上の信号が活性化された場合、前記出力信号を活性化させることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
  8. 前記論理レベル決定手段が、
    前記第1検出信号及び前記第2検出信号のいずれか一方の信号が活性化状態であり、他方の信号が非活性化状態であり、かつ、前記フィードバックされた出力信号が非活性化状態のとき、
    前記第1検出信号または前記第2検出信号の論理レベルが遷移して前記第1検出信号及び前記第2検出信号がいずれも活性化された場合、前記出力信号が活性化されるように、前記出力信号の論理レベルを遷移させることを特徴とする請求項7に記載の半導体装置。
  9. 前記論理レベル決定手段が、
    前記第1検出信号及び前記第2検出信号のいずれか一方の信号が活性化状態であり、他方の信号が非活性化状態であり、かつ、前記フィードバックされた出力信号が活性化状態のとき、
    前記第1検出信号または前記第2検出信号の論理レベルが遷移して前記第1検出信号及び前記第2検出信号がいずれも活性化された場合、前記出力信号がそのまま活性化状態を維持するように、前記出力信号の論理レベルを遷移させないことを特徴とする請求項7に記載の半導体装置。
  10. 前記論理レベル決定手段が、
    前記第1検出信号及び前記第2検出信号の論理レベルを比較する第1論理レベル比較部と、
    前記第1検出信号及び前記フィードバックされた出力信号の論理レベルを比較する第2論理レベル比較部と、
    前記第2検出信号及び前記フィードバックされた出力信号の論理レベルを比較する第3論理レベル比較部と、
    前記第1〜第3論理レベル比較部の出力信号に応答して、前記フィードバックされた出力信号の論理レベルの遷移を制御する論理レベル遷移制御部と、
    を備えることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
  11. 前記第1位相検出手段が、
    前記第1クロックのエッジで前記第2クロックが活性化状態の場合、前記第1検出信号を活性化させることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
  12. 前記第1位相検出手段が、
    前記第1クロックのエッジで前記第2クロックが非活性化状態の場合、前記第1検出信号を非活性化させることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
  13. 前記第2位相検出手段が、
    前記第1クロックのエッジで、前記第2クロックを所定時間だけ遅延したクロックが活性化状態の場合、前記第2検出信号を活性化させることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
  14. 前記第2位相検出手段が、
    前記第1クロックのエッジで、前記第2クロックを所定時間だけ遅延したクロックが非活性化状態の場合、前記第2検出信号を非活性化させることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
  15. 前記出力信号の論理レベルが遷移した場合、前記出力信号の論理レベルが遷移したその時点を、前記第1クロックのエッジに同期させる遷移時点同期手段をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
  16. アドレス信号及びコマンド信号の入力時点を同期させるための第1クロックと、データ信号の入力時点を同期させるための第2クロックとが外部からそれぞれ入力されるクロック入力手段と、
    前記第1クロックの位相を基準として前記第2クロックの位相を検出し、当該検出結果に対応する第1検出信号を生成する第1位相検出手段と、
    前記第2クロックを所定時間だけ遅延したクロックの位相を、前記第1クロックの位相を基準として検出し、当該検出結果に対応する第2検出信号を生成する第2位相検出手段と、
    前記第1検出信号、前記第2検出信号、及びトレーニング情報信号に応答して、過半数判断信号の論理レベルを決定する論理レベル決定手段と、
    前記第1クロックに応答して、前記過半数判断信号を前記トレーニング情報信号として出力するトレーニング情報信号出力手段と、
    前記トレーニング情報信号を外部に伝送する信号伝送手段と、
    を備えることを特徴とする半導体装置。
  17. 前記論理レベル決定手段が、
    前記第1検出信号、前記第2検出信号、及び前記トレーニング情報信号のうち、2つ以上の信号が同じ論理レベルを有し、かつ、前記2つ以上の信号に前記トレーニング情報信号が含まれていないとき、前記過半数判断信号の論理レベルを遷移させることを特徴とする請求項16に記載の半導体装置。
  18. 前記論理レベル決定手段が、
    前記第1検出信号、前記第2検出信号、及び前記トレーニング情報信号のうち、2つ以上の信号が同じ論理レベルを有し、かつ、前記2つ以上の信号に前記トレーニング情報信号が含まれているとき、前記過半数判断信号の論理レベルを遷移させないことを特徴とする請求項16に記載の半導体装置。
  19. 前記論理レベル決定手段が、
    前記第1検出信号、前記第2検出信号、及び前記トレーニング情報信号のうち、2つ以上の信号が非活性化された場合、前記過半数判断信号を非活性化させることを特徴とする請求項16に記載の半導体装置。
  20. 前記論理レベル決定手段が、
    前記第1検出信号及び前記第2検出信号のいずれか一方の信号が活性化状態であり、他方の信号が非活性化状態であり、かつ、前記トレーニング情報信号が非活性化状態のとき、
    前記第1検出信号または前記第2検出信号の論理レベルが遷移して前記第1検出信号及び前記第2検出信号がいずれも非活性化された場合、前記トレーニング情報信号がそのまま非活性化状態を維持するように、前記過半数判断信号の論理レベルを遷移させないことを特徴とする請求項19に記載の半導体装置。
  21. 前記論理レベル決定手段が、
    前記第1検出信号及び前記第2検出信号のいずれか一方の信号が活性化状態であり、他方の信号が非活性化状態であり、かつ、前記トレーニング情報信号が活性化状態のとき、
    前記第1検出信号または前記第2検出信号の論理レベルが遷移して前記第1検出信号及び前記第2検出信号がいずれも非活性化された場合、前記トレーニング情報信号が非活性化されるように、前記過半数判断信号の論理レベルを遷移させることを特徴とする請求項19に記載の半導体装置。
  22. 前記論理レベル決定手段が、
    前記第1検出信号、前記第2検出信号、及び前記トレーニング情報信号のうち、2つ以上の信号が活性化された場合、前記過半数判断信号を活性化させることを特徴とする請求項16に記載の半導体装置。
  23. 前記論理レベル決定手段が、
    前記第1検出信号及び前記第2検出信号のいずれか一方の信号が活性化状態であり、他方の信号が非活性化状態であり、かつ、前記トレーニング情報信号が非活性化状態のとき、
    前記第1検出信号または前記第2検出信号の論理レベルが遷移して前記第1検出信号及び前記第2検出信号がいずれも活性化された場合、前記トレーニング情報信号が活性化されるように、前記過半数判断信号の論理レベルを遷移させることを特徴とする請求項22に記載の半導体装置。
  24. 前記論理レベル決定手段が、
    前記第1検出信号及び前記第2検出信号のいずれか一方の信号が活性化状態であり、他方の信号が非活性化状態であり、かつ、前記トレーニング情報信号が活性化状態のとき、
    前記第1検出信号または前記第2検出信号の論理レベルが遷移して前記第1検出信号及び前記第2検出信号がいずれも活性化された場合、前記トレーニング情報信号がそのまま活性化状態を維持するように、前記過半数判断信号の論理レベルを遷移させないことを特徴とする請求項22に記載の半導体装置。
  25. 前記第1位相検出手段が、
    前記第1クロックのエッジで前記第2クロックが活性化状態の場合、前記第1検出信号を活性化させ、
    前記第1クロックのエッジで前記第2クロックが非活性化状態の場合、前記第1検出信号を非活性化させることを特徴とする請求項16に記載の半導体装置。
  26. 前記第2位相検出手段が、
    前記第1クロックのエッジで、前記第2クロックを所定時間だけ遅延したクロックが活性化状態の場合、前記第2検出信号を活性化させ、
    前記第1クロックのエッジで、前記第2クロックを所定時間だけ遅延したクロックが非活性化状態の場合、前記第2検出信号を非活性化させることを特徴とする請求項16に記載の半導体装置。
  27. アドレス信号及びコマンド信号の入力時点を同期させるための第1クロックと、データ信号の入力時点を同期させるための第2クロックとが外部からそれぞれ入力されるクロック入力手段と、
    前記第2クロックが前記第1クロックと同じ周波数を有するように前記第2クロックの周波数を変換する周波数変換手段と、
    前記第1クロックの位相を基準として、前記周波数変換手段から出力されるクロックの位相を検出し、当該検出結果に対応する第1検出信号を生成する第1位相検出手段と、
    前記周波数変換手段から出力される前記クロックを所定時間だけ遅延したクロックの位相を、前記第1クロックの位相を基準として検出し、当該検出結果に対応する第2検出信号を生成する第2位相検出手段と、
    前記第1検出信号、前記第2検出信号、及びトレーニング情報信号に応答して、過半数判断信号の論理レベルを決定する論理レベル決定手段と、
    前記第1クロックに応答して、前記過半数判断信号を前記トレーニング情報信号として出力するトレーニング情報信号出力手段と、
    前記トレーニング情報信号を外部に伝送する信号伝送手段と、
    を備えることを特徴とする半導体装置。
  28. 前記論理レベル決定手段が、
    前記第1検出信号、前記第2検出信号、及び前記トレーニング情報信号のうち、2つ以上の信号が同じ論理レベルを有し、かつ、前記2つ以上の信号に前記トレーニング情報信号が含まれていないとき、前記過半数判断信号の論理レベルを遷移させ、
    前記第1検出信号、前記第2検出信号、及び前記トレーニング情報信号のうち、2つ以上の信号が同じ論理レベルを有し、かつ、前記2つ以上の信号に前記トレーニング情報信号が含まれているとき、前記過半数判断信号の論理レベルを遷移させないことを特徴とする請求項27に記載の半導体装置。
  29. 前記論理レベル決定手段が、
    前記第1検出信号、前記第2検出信号、及び前記トレーニング情報信号のうち、2つ以上の信号が非活性化された場合、前記過半数判断信号を非活性化させることを特徴とする請求項27に記載の半導体装置。
  30. 前記論理レベル決定手段が、
    前記第1検出信号及び前記第2検出信号のいずれか一方の信号が活性化状態であり、他方の信号が非活性化状態であり、かつ、前記トレーニング情報信号が非活性化状態のとき、
    前記第1検出信号または前記第2検出信号の論理レベルが遷移して前記第1検出信号及び前記第2検出信号がいずれも非活性化された場合、前記トレーニング情報信号がそのまま非活性化状態を維持するように、前記過半数判断信号の論理レベルを遷移させないことを特徴とする請求項29に記載の半導体装置。
  31. 前記論理レベル決定手段が、
    前記第1検出信号及び前記第2検出信号のいずれか一方の信号が活性化状態であり、他方の信号が非活性化状態であり、かつ、前記トレーニング情報信号が活性化状態のとき、
    前記第1検出信号または前記第2検出信号の論理レベルが遷移して前記第1検出信号及び前記第2検出信号がいずれも非活性化された場合、前記トレーニング情報信号が非活性化されるように、前記過半数判断信号の論理レベルを遷移させることを特徴とする請求項29に記載の半導体装置。
  32. 前記論理レベル決定手段が、
    前記第1検出信号、前記第2検出信号、及び前記トレーニング情報信号のうち、2つ以上の信号が活性化された場合、前記過半数判断信号を活性化させることを特徴とする請求項27に記載の半導体装置。
  33. 前記論理レベル決定手段が、
    前記第1検出信号及び前記第2検出信号のいずれか一方の信号が活性化状態であり、他方の信号が非活性化状態であり、かつ、前記トレーニング情報信号が非活性化状態のとき、
    前記第1検出信号または前記第2検出信号の論理レベルが遷移して前記第1検出信号及び前記第2検出信号がいずれも活性化された場合、前記トレーニング情報信号が活性化されるように、前記過半数判断信号の論理レベルを遷移させることを特徴とする請求項32に記載の半導体装置。
  34. 前記論理レベル決定手段が、
    前記第1検出信号及び前記第2検出信号のいずれか一方の信号が活性化状態であり、他方の信号が非活性化状態であり、かつ、前記トレーニング情報信号が活性化状態のとき、
    前記第1検出信号または前記第2検出信号の論理レベルが遷移して前記第1検出信号及び前記第2検出信号がいずれも活性化された場合、前記トレーニング情報信号がそのまま活性化状態を維持するように、前記過半数判断信号の論理レベルを遷移させないことを特徴とする請求項32に記載の半導体装置。
  35. 前記第1位相検出手段が、
    前記第1クロックのエッジで、前記周波数変換手段から出力される前記クロックが活性化状態の場合、前記第1検出信号を活性化させ、
    前記第1クロックのエッジで、前記周波数変換手段から出力される前記クロックが非活性化状態の場合、前記第1検出信号を非活性化させることを特徴とする請求項27に記載の半導体装置。
  36. 前記第2位相検出手段が、
    前記第1クロックのエッジで、前記周波数変換手段から出力される前記クロックを所定時間だけ遅延したクロックが活性化状態の場合、前記第2検出信号を活性化させ、
    前記第1クロックのエッジで、前記周波数変換手段から出力される前記クロックを所定時間だけ遅延したクロックが非活性化状態の場合、前記第2検出信号を非活性化させることを特徴とする請求項27に記載の半導体装置。
JP2009072206A 2008-07-10 2009-03-24 半導体装置 Pending JP2010020754A (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080067176A KR100948067B1 (ko) 2008-07-10 2008-07-10 반도체 소자

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2010020754A true JP2010020754A (ja) 2010-01-28

Family

ID=41504601

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009072206A Pending JP2010020754A (ja) 2008-07-10 2009-03-24 半導体装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US7834664B2 (ja)
JP (1) JP2010020754A (ja)
KR (1) KR100948067B1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009117020A (ja) * 2007-11-02 2009-05-28 Hynix Semiconductor Inc 半導体メモリ装置
JP2009158084A (ja) * 2007-12-26 2009-07-16 Hynix Semiconductor Inc 半導体メモリ素子及びその動作方法

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101006088B1 (ko) 2009-06-04 2011-01-06 주식회사 하이닉스반도체 데이터 전달의 신뢰성을 보장하기 위한 반도체 메모리 장치 및 이를 포함하는 반도체 시스템
KR101045074B1 (ko) * 2009-09-01 2011-06-29 주식회사 하이닉스반도체 반도체 장치
KR101024239B1 (ko) * 2009-09-01 2011-03-29 주식회사 하이닉스반도체 반도체 장치
KR102148806B1 (ko) 2013-10-07 2020-08-28 에스케이하이닉스 주식회사 반도체 장치 및 그를 포함하는 반도체 시스템
US10002651B2 (en) * 2016-10-06 2018-06-19 SK Hynix Inc. Semiconductor devices
KR102408439B1 (ko) * 2017-12-26 2022-06-14 에스케이하이닉스 주식회사 클럭 모니터링 회로
CN110311671B (zh) * 2019-06-28 2024-04-02 西安紫光国芯半导体有限公司 一种反馈检测电路

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0715425A (ja) * 1993-06-25 1995-01-17 Nec Corp クロック乗り換え監視方式およびクロック乗り換え装置
JPH08221150A (ja) * 1995-02-17 1996-08-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd クロック異常検出装置
JPH11289253A (ja) * 1998-04-02 1999-10-19 Nec Corp Pll回路
JP2010061780A (ja) * 2008-09-02 2010-03-18 Hynix Semiconductor Inc 半導体メモリ装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100215889B1 (ko) * 1997-05-06 1999-08-16 구본준 클럭 동기 회로
KR20000061197A (ko) * 1999-03-24 2000-10-16 윤종용 복수의 위상동기루프를 이용한 클록 주파수 제어장치 및 방법
KR100321755B1 (ko) * 1999-12-24 2002-02-02 박종섭 록킹 시간이 빠른 지연고정루프
KR100537196B1 (ko) * 2004-03-05 2005-12-16 주식회사 하이닉스반도체 반도체 기억 소자에서의 지연 고정 루프 및 그의 클럭록킹 방법
KR100546135B1 (ko) * 2004-05-17 2006-01-24 주식회사 하이닉스반도체 지연 고정 루프를 포함하는 메모리 장치
US7123524B1 (en) * 2005-05-13 2006-10-17 Infineon Technologies Ag Input circuit having updated output signal synchronized to clock signal
KR100779381B1 (ko) * 2006-05-15 2007-11-23 주식회사 하이닉스반도체 감소된 면적을 가지는 dll과 이를 포함하는 반도체메모리 장치 및 그 락킹 동작 방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0715425A (ja) * 1993-06-25 1995-01-17 Nec Corp クロック乗り換え監視方式およびクロック乗り換え装置
JPH08221150A (ja) * 1995-02-17 1996-08-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd クロック異常検出装置
JPH11289253A (ja) * 1998-04-02 1999-10-19 Nec Corp Pll回路
JP2010061780A (ja) * 2008-09-02 2010-03-18 Hynix Semiconductor Inc 半導体メモリ装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009117020A (ja) * 2007-11-02 2009-05-28 Hynix Semiconductor Inc 半導体メモリ装置
JP2009158084A (ja) * 2007-12-26 2009-07-16 Hynix Semiconductor Inc 半導体メモリ素子及びその動作方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20100006873A (ko) 2010-01-22
US20100007372A1 (en) 2010-01-14
KR100948067B1 (ko) 2010-03-16
US7834664B2 (en) 2010-11-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2010020754A (ja) 半導体装置
KR100929828B1 (ko) 반도체 메모리 장치
KR100942978B1 (ko) 반도체 메모리 소자
KR101024239B1 (ko) 반도체 장치
TWI433166B (zh) 半導體裝置及操作其之方法
KR100910852B1 (ko) 반도체 메모리 소자
JP2007122804A (ja) 同期型半導体装置
JP2008059193A (ja) クロック切替回路
US8687457B2 (en) Semiconductor memory device and operating method thereof
JP2010287304A (ja) 半導体メモリ装置および出力イネーブル信号生成方法
US7773709B2 (en) Semiconductor memory device and method for operating the same
KR100892678B1 (ko) 반도체 메모리 장치 및 그 구동 방법
US8099620B2 (en) Domain crossing circuit of a semiconductor memory apparatus
KR101136936B1 (ko) 반도체 장치 및 그 동작방법
KR20080028617A (ko) 프리차지신호 생성장치를 구비하는 반도체메모리소자 및그의 구동방법
KR20190117267A (ko) 반도체 메모리 장치 및 반도체 메모리 장치의 동작 방법
KR20040024788A (ko) 스큐가 없는 듀얼 레일 버스 드라이버
US8476943B2 (en) Semiconductor device
US20080238490A1 (en) Semiconductor device and method for driving the same
KR100529039B1 (ko) 도메인 크로싱 마진을 증가시킨 반도체 메모리 소자
JP2008085519A (ja) クロック制御回路および半導体集積回路
KR101211684B1 (ko) 반도체 장치 및 그 동작방법
KR20040095962A (ko) 칼럼 어드레스 디코딩 시스템

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20120307

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20130611