JP2020107730A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2020107730A5
JP2020107730A5 JP2018245109A JP2018245109A JP2020107730A5 JP 2020107730 A5 JP2020107730 A5 JP 2020107730A5 JP 2018245109 A JP2018245109 A JP 2018245109A JP 2018245109 A JP2018245109 A JP 2018245109A JP 2020107730 A5 JP2020107730 A5 JP 2020107730A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
silicon
manufacturing
less
epitaxial layer
vapor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2018245109A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2020107730A (ja
JP7063259B2 (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority claimed from JP2018245109A external-priority patent/JP7063259B2/ja
Priority to JP2018245109A priority Critical patent/JP7063259B2/ja
Priority to US17/296,281 priority patent/US11990336B2/en
Priority to PCT/JP2019/030722 priority patent/WO2020136973A1/ja
Priority to CN201980086171.1A priority patent/CN113544817B/zh
Priority to KR1020217016881A priority patent/KR102508213B1/ko
Priority to DE112019006437.1T priority patent/DE112019006437T5/de
Publication of JP2020107730A publication Critical patent/JP2020107730A/ja
Publication of JP2020107730A5 publication Critical patent/JP2020107730A5/ja
Publication of JP7063259B2 publication Critical patent/JP7063259B2/ja
Application granted granted Critical
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

JP2018245109A 2018-12-27 2018-12-27 シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 Active JP7063259B2 (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018245109A JP7063259B2 (ja) 2018-12-27 2018-12-27 シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法
KR1020217016881A KR102508213B1 (ko) 2018-12-27 2019-08-05 실리콘 에피택셜 웨이퍼의 제조 방법 및 실리콘 에피택셜 웨이퍼
PCT/JP2019/030722 WO2020136973A1 (ja) 2018-12-27 2019-08-05 シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法及びシリコンエピタキシャルウェーハ
CN201980086171.1A CN113544817B (zh) 2018-12-27 2019-08-05 硅外延晶片的制造方法和硅外延晶片
US17/296,281 US11990336B2 (en) 2018-12-27 2019-08-05 Silicon epitaxial wafer production method and silicon epitaxial wafer
DE112019006437.1T DE112019006437T5 (de) 2018-12-27 2019-08-05 Siliziumepitaxialwaferherstellungsverfahren und siliziumepitaxialwafer

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018245109A JP7063259B2 (ja) 2018-12-27 2018-12-27 シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2020107730A JP2020107730A (ja) 2020-07-09
JP2020107730A5 true JP2020107730A5 (https=) 2021-03-04
JP7063259B2 JP7063259B2 (ja) 2022-05-09

Family

ID=71125785

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018245109A Active JP7063259B2 (ja) 2018-12-27 2018-12-27 シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US11990336B2 (https=)
JP (1) JP7063259B2 (https=)
KR (1) KR102508213B1 (https=)
CN (1) CN113544817B (https=)
DE (1) DE112019006437T5 (https=)
WO (1) WO2020136973A1 (https=)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7629154B2 (ja) * 2022-01-26 2025-02-13 信越半導体株式会社 シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法
US20230326752A1 (en) * 2022-04-08 2023-10-12 Sumco Corporation Flat epitaxial wafer having minimal thickness variation
JP2025141255A (ja) * 2024-03-15 2025-09-29 信越半導体株式会社 シリコン基板の熱処理方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6362510B1 (en) * 1998-12-07 2002-03-26 Advanced Micro Devices, Inc. Semiconductor topography having improved active device isolation and reduced dopant migration
JP2004339003A (ja) * 2003-05-15 2004-12-02 Shin Etsu Handotai Co Ltd シリコンエピタキシャルウェーハ及びシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法
JP2007204286A (ja) * 2006-01-31 2007-08-16 Sumco Corp エピタキシャルウェーハの製造方法
JP5023900B2 (ja) 2006-09-05 2012-09-12 株式会社Sumco エピタキシャルシリコンウェーハ
US8815710B2 (en) * 2008-06-10 2014-08-26 Sumco Corporation Silicon epitaxial wafer and method for production thereof
JP2009302140A (ja) 2008-06-10 2009-12-24 Sumco Corp シリコンエピタキシャルウェーハ及びその製造方法
JP4887418B2 (ja) * 2009-12-14 2012-02-29 昭和電工株式会社 SiCエピタキシャルウェハの製造方法
JP5375768B2 (ja) * 2010-08-17 2013-12-25 信越半導体株式会社 シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法
JP6156188B2 (ja) 2014-02-26 2017-07-05 株式会社Sumco エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法
JP6287778B2 (ja) * 2014-11-21 2018-03-07 信越半導体株式会社 エピタキシャルウェーハの製造方法
JP6459132B2 (ja) * 2016-08-31 2019-01-30 昭和電工株式会社 SiCエピタキシャルウェハ及びその製造方法、並びに、欠陥識別方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2018507562A5 (https=)
TWI642086B (zh) Substrate substrate and method for manufacturing composite substrate for semiconductor
JP2020107730A5 (https=)
TWI699818B (zh) 具有第三族氮化物及金剛石層之晶圓及其製造方法
JP2011121847A5 (https=)
JP2016100593A5 (https=)
JP2009111373A5 (https=)
JP2017529692A5 (https=)
CN105420674A (zh) 单晶薄膜键合体及其制造方法
TWI538018B (zh) Semiconductor substrate for composite substrate
JP2012142629A5 (https=)
JP2017538288A5 (https=)
JP2009501434A5 (https=)
JP2013004825A5 (https=)
US20180245240A1 (en) Method for producing semiconductor epitaxial wafer and semiconductor epitaxial wafer
JP2015199649A5 (https=)
WO2017216997A1 (ja) 窒化物半導体テンプレート、窒化物半導体テンプレートの製造方法および窒化物半導体自立基板の製造方法
JP2015214448A5 (https=)
JP2015160750A (ja) 炭化珪素エピタキシャルウエハの製造方法
JP2014181178A5 (https=)
JP2016092169A5 (https=)
CN109585615A (zh) 将氮化镓外延层从衬底上剥离的方法
JP2020107730A (ja) シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法及びシリコンエピタキシャルウェーハ
CN113302718B (zh) 硅外延晶片的制造方法和硅外延晶片
JP2011173749A (ja) 窒化物半導体単結晶の製造方法