JP2020107730A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2020107730A5 JP2020107730A5 JP2018245109A JP2018245109A JP2020107730A5 JP 2020107730 A5 JP2020107730 A5 JP 2020107730A5 JP 2018245109 A JP2018245109 A JP 2018245109A JP 2018245109 A JP2018245109 A JP 2018245109A JP 2020107730 A5 JP2020107730 A5 JP 2020107730A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon
- manufacturing
- less
- epitaxial layer
- vapor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims 3
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims 3
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 claims 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims 1
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2018245109A JP7063259B2 (ja) | 2018-12-27 | 2018-12-27 | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 |
| KR1020217016881A KR102508213B1 (ko) | 2018-12-27 | 2019-08-05 | 실리콘 에피택셜 웨이퍼의 제조 방법 및 실리콘 에피택셜 웨이퍼 |
| PCT/JP2019/030722 WO2020136973A1 (ja) | 2018-12-27 | 2019-08-05 | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法及びシリコンエピタキシャルウェーハ |
| CN201980086171.1A CN113544817B (zh) | 2018-12-27 | 2019-08-05 | 硅外延晶片的制造方法和硅外延晶片 |
| US17/296,281 US11990336B2 (en) | 2018-12-27 | 2019-08-05 | Silicon epitaxial wafer production method and silicon epitaxial wafer |
| DE112019006437.1T DE112019006437T5 (de) | 2018-12-27 | 2019-08-05 | Siliziumepitaxialwaferherstellungsverfahren und siliziumepitaxialwafer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2018245109A JP7063259B2 (ja) | 2018-12-27 | 2018-12-27 | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2020107730A JP2020107730A (ja) | 2020-07-09 |
| JP2020107730A5 true JP2020107730A5 (https=) | 2021-03-04 |
| JP7063259B2 JP7063259B2 (ja) | 2022-05-09 |
Family
ID=71125785
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2018245109A Active JP7063259B2 (ja) | 2018-12-27 | 2018-12-27 | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11990336B2 (https=) |
| JP (1) | JP7063259B2 (https=) |
| KR (1) | KR102508213B1 (https=) |
| CN (1) | CN113544817B (https=) |
| DE (1) | DE112019006437T5 (https=) |
| WO (1) | WO2020136973A1 (https=) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7629154B2 (ja) * | 2022-01-26 | 2025-02-13 | 信越半導体株式会社 | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 |
| US20230326752A1 (en) * | 2022-04-08 | 2023-10-12 | Sumco Corporation | Flat epitaxial wafer having minimal thickness variation |
| JP2025141255A (ja) * | 2024-03-15 | 2025-09-29 | 信越半導体株式会社 | シリコン基板の熱処理方法 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6362510B1 (en) * | 1998-12-07 | 2002-03-26 | Advanced Micro Devices, Inc. | Semiconductor topography having improved active device isolation and reduced dopant migration |
| JP2004339003A (ja) * | 2003-05-15 | 2004-12-02 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコンエピタキシャルウェーハ及びシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 |
| JP2007204286A (ja) * | 2006-01-31 | 2007-08-16 | Sumco Corp | エピタキシャルウェーハの製造方法 |
| JP5023900B2 (ja) | 2006-09-05 | 2012-09-12 | 株式会社Sumco | エピタキシャルシリコンウェーハ |
| US8815710B2 (en) * | 2008-06-10 | 2014-08-26 | Sumco Corporation | Silicon epitaxial wafer and method for production thereof |
| JP2009302140A (ja) | 2008-06-10 | 2009-12-24 | Sumco Corp | シリコンエピタキシャルウェーハ及びその製造方法 |
| JP4887418B2 (ja) * | 2009-12-14 | 2012-02-29 | 昭和電工株式会社 | SiCエピタキシャルウェハの製造方法 |
| JP5375768B2 (ja) * | 2010-08-17 | 2013-12-25 | 信越半導体株式会社 | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 |
| JP6156188B2 (ja) | 2014-02-26 | 2017-07-05 | 株式会社Sumco | エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法 |
| JP6287778B2 (ja) * | 2014-11-21 | 2018-03-07 | 信越半導体株式会社 | エピタキシャルウェーハの製造方法 |
| JP6459132B2 (ja) * | 2016-08-31 | 2019-01-30 | 昭和電工株式会社 | SiCエピタキシャルウェハ及びその製造方法、並びに、欠陥識別方法 |
-
2018
- 2018-12-27 JP JP2018245109A patent/JP7063259B2/ja active Active
-
2019
- 2019-08-05 WO PCT/JP2019/030722 patent/WO2020136973A1/ja not_active Ceased
- 2019-08-05 KR KR1020217016881A patent/KR102508213B1/ko active Active
- 2019-08-05 CN CN201980086171.1A patent/CN113544817B/zh active Active
- 2019-08-05 DE DE112019006437.1T patent/DE112019006437T5/de active Pending
- 2019-08-05 US US17/296,281 patent/US11990336B2/en active Active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2018507562A5 (https=) | ||
| TWI642086B (zh) | Substrate substrate and method for manufacturing composite substrate for semiconductor | |
| JP2020107730A5 (https=) | ||
| TWI699818B (zh) | 具有第三族氮化物及金剛石層之晶圓及其製造方法 | |
| JP2011121847A5 (https=) | ||
| JP2016100593A5 (https=) | ||
| JP2009111373A5 (https=) | ||
| JP2017529692A5 (https=) | ||
| CN105420674A (zh) | 单晶薄膜键合体及其制造方法 | |
| TWI538018B (zh) | Semiconductor substrate for composite substrate | |
| JP2012142629A5 (https=) | ||
| JP2017538288A5 (https=) | ||
| JP2009501434A5 (https=) | ||
| JP2013004825A5 (https=) | ||
| US20180245240A1 (en) | Method for producing semiconductor epitaxial wafer and semiconductor epitaxial wafer | |
| JP2015199649A5 (https=) | ||
| WO2017216997A1 (ja) | 窒化物半導体テンプレート、窒化物半導体テンプレートの製造方法および窒化物半導体自立基板の製造方法 | |
| JP2015214448A5 (https=) | ||
| JP2015160750A (ja) | 炭化珪素エピタキシャルウエハの製造方法 | |
| JP2014181178A5 (https=) | ||
| JP2016092169A5 (https=) | ||
| CN109585615A (zh) | 将氮化镓外延层从衬底上剥离的方法 | |
| JP2020107730A (ja) | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法及びシリコンエピタキシャルウェーハ | |
| CN113302718B (zh) | 硅外延晶片的制造方法和硅外延晶片 | |
| JP2011173749A (ja) | 窒化物半導体単結晶の製造方法 |