JP2020088655A5 - - Google Patents

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上記目的を達成するために、本発明の撮像素子は、入射光を光電変換して得られた電気信号を出力する受光部と、電気信号をAD変換するAD変換部と、をそれぞれ有する複数の画素であって、予め決められた複数の画素ごとに、当該予め決められた複数の画素のうち第1の画素の受光部から出力される電気信号を、他の画素のAD変換部を用いてAD変換を行えるように構成された複数の画素と、前記予め決められた複数の画素ごとに、前記第1の画素の受光部から出力された電気信号をAD変換する画素を選択する選択手段と、を有し、前記予め決められた複数の画素のAD変換部は、並行にAD変換を行い、前記第1の画素の受光部は、入射光を光電変換する2つの光電変換部を含み、前記選択手段は、第1のモードにおいて、前記各画素ごとに、前記受光部から出力された電気信号を前記AD変換部によりAD変換するように制御することで、前記第1の画素の2つの光電変換部から得られた電気信号をAD変換するAD変換部として、前記第1の画素のAD変換部を選択すると共に、第2のモードにおいて、前記2つの光電変換部の一方から得られた電気信号をAD変換するAD変換部として、前記第1の画素のAD変換部を選択し、前記2つの光電変換部の他方から得られた電気信号をAD変換するAD変換部として、前記第1の画素と異なる第2の画素のAD変換部を選択し、前記第2のモードにおいて、前記第2の画素の前記受光部から出力された電気信号を前記AD変換部に入力しないように制御する制御手段を更に有することを特徴とする
信号処理部101は、撮像素子100から出力される画像信号に対して、並べ替え等の信号処理を行う。全体制御・演算部104は、各種演算処理と撮像装置全体の制御を行う。
参照信号トランジスタTr_REFA,Tr_REFBのゲートには、参照信号生成部204で生成された参照信号REFが入力される。トランジスタTr10,Tr11は、参照信号トランジスタTr_REFA,Tr_REFBのドレイン、ソース同士を接続するためのスイッチである。トランジスタTr10,Tr11は、ゲートに入力された信号SEL1で制御され、トランジスタTr10,Tr11をオンすることで、参照信号トランジスタTr_REFAとTr_REFBが並列に接続された状態となる。
また、信号SEL2,SEL4がH、信号SEL1、SEL3、SEL5がLの場合を考える。この場合、単位画素300のトランジスタTr7及びトランジスタTr25,Tr26がオン、単位画素301のトランジスタTr7、単位画素300,301のトランジスタTr8〜11及びトランジスタTr27、Tr28がオフとなる。従って、単位画素300の画素信号トランジスタTr_Aと参照信号トランジスタTr_REFAが差動対を構成し、単位画素300の画像信号トランジスタTr_Bと単位画素301の参照信号トランジスタTr_REFAが差動対を構成する。この接続構成は図3(b)の構成に相当する。
また、比較動作中は、初期化信号INI及び強制反転信号FORCEにはLレベルが入力され、トランジスタTr55はオフし、トランジスタTr57がオンする。信号VILがLレルに初期化された状態では、NOR回路501の出力である比較結果信号VCOはHレベルとなり、トランジスタTr56はオフしている。
ラッチ部303には、不図示のカウント値生成部で生成されたデジタルのカウント値COUNTが入力される。そして、正帰還部306ら供給される比較結果信号VCOがH→Lに遷移すると、その時点でのカウント値COUNTをデジタルの画素信号として保持する。ラッチ部303に保持されたデジタル画素信号は、データ転送部209を介して、信号処理部207に転送される。
まず、時刻t601で、排出パルスOFG1,OFG2がHとなり、PDA、PDBで発生した信号電荷が排出トランジスタTr3,Tr4のドレインに排出される。その後、時刻t602で排出パルスOFG1をLとし、排出パルスOFG2はHのままとすることで、単位画素300のPDA、PDBでは信号電荷の蓄積を開始するが、単位画素301のPDA、PDBでは信号電荷の排出状態が継続される。
所定の蓄積期間が経過した後、時刻t603で単位画素300のFDA,FDBをリセットするために、参照信号REFが所定の電圧に設定され、リセットパルスRES1がHとなる。これにより単位画素300のFDA、FDBの電荷がリセットされる。その後、時刻t604でリセットパルスRES1がLとなり、単位画素300のFDA,FDBのリセットが解除される。なお、時刻t603〜t604では、リセットパルスRES2をL→H→Lとして、単位画素301のFDA、FDBのリセットも行っているが、この動作は省略してもよい。
時刻t1701で、排出パルスOFG1,OFG2がHとなり、排出トランジスタTr1502がオンとなって、PDで発生した信号電荷が排出トランジスタTr1502のドレインに排出される。その後、時刻t1702で排出パルスOFG1はLとなるが、OFG2はHの状態が継続される。したがって、単位画素1400では、排出トランジスタTr1502がオフして信号電荷の蓄積を開始するが、単位画素1401では、排出トランジスタTr150がオンしたままであるので、ドレインへの信号電荷の排出が継続される。
一方、図19(b)に示す第2の読み出しモード時の接続構成では、単位画素1900の受光部202から出力される画素信号SIGが、単位画素1900の差動入力部304及び単位画素1901の差動入力部304に入力される。単位画素1901の受光部202からは、画素信号は出力されない。また、参照信号選択部1903によって、単位画素1900の差動入力部304には、参照信号REF1が入力され、単位画素1901の差動入力部304には参照信号REF2が入力される。
参照信号REF2は、参照信号REF1に比べて、掃引するスピード(電圧の時間変化)が小さくなっている。したがって、参照信号REF2との比較を行う単位画素1901のAD変換部205では、画素信号が小信号時に参照信号REF1よりも細かい分解能で変換することができる。一方、参照信号REF1との比較を行う単位画素1900のAD変換部205では、参照信号REF2を使用する単位画素1901のAD変換部205に比べて、広い画素信号範囲をAD変換することができる。
以上の構成及び制御により、AD変換部の回路規模の大幅な増大を抑制しつつ、単位画素から1つの画素信号を出力する第1の読み出しモードと、単位画素から複数の画素信号を出力する第2の読み出しモードとを両立させることができる。
<第4の実施形態>
次に、本発明の第4の実施形について説明する。上述した第1〜第3の実施形態では、差動入力切替部307を用いて、差動入力部304に入力される画素信号を切り替えたが、第4の実施形態では、別の構成を有する切り替え部を用いる場合について説明する。なお、単位画素の概略構成は、図3に示すものと同様であるため、ここでは説明を省略する。
図24に示す第2の読み出しモードでは、時刻t2401〜t2402で単位画素2200の転送トランジスタTr1,Tr2に供給される転送パルスTX1がL→H→Lとなる。この際、混合パルスADDFD3がL→H→Lとなり、混合パルスADDFD1,ADFD2及び転送パルスTX2がLのままであるため、図3(b)に示す接続構成となる。したがって、単位画素2200のFDにはPDAで発生した信号電荷が転送され、単位画素2201のFDには単位画素2200のPDBで発生した信号電荷が転送される。
また、単位画素2201のPDA、PDBで発生した信号電荷は、排出パルスOFG2がHのため、排出トランジスタTr3、Tr4がオンしており、排出トランジスタTr3、Tr4のドレインに排出される。これにより、時刻t2403〜t2404のS変換期間では、単位画素2200の受光部202から出力されたA信号を単位画素2200のAD変換部205でAD変換し、単位画素2200の受光部202から出力されたB信号を単位画素2201のAD変換部205でAD変換する。

Claims (14)

  1. 入射光を光電変換して得られた電気信号を出力する受光部と、電気信号をAD変換するAD変換部と、をそれぞれ有する複数の画素であって、予め決められた複数の画素ごとに、当該予め決められた複数の画素のうち第1の画素の受光部から出力される電気信号を、他の画素のAD変換部を用いてAD変換を行えるように構成された複数の画素と、
    前記予め決められた複数の画素ごとに、前記第1の画素の受光部から出力された電気信号をAD変換する画素を選択する選択手段と、を有し、
    前記予め決められた複数の画素のAD変換部は、並行にAD変換を行い、
    前記第1の画素の受光部は、入射光を光電変換する2つの光電変換部を含み、
    前記選択手段は、
    第1のモードにおいて、前記各画素ごとに、前記受光部から出力された電気信号を前記AD変換部によりAD変換するように制御することで、前記第1の画素の2つの光電変換部から得られた電気信号をAD変換するAD変換部として、前記第1の画素のAD変換部を選択すると共に、
    第2のモードにおいて、前記2つの光電変換部の一方から得られた電気信号をAD変換するAD変換部として、前記第1の画素のAD変換部を選択し、前記2つの光電変換部の他方から得られた電気信号をAD変換するAD変換部として、前記第1の画素と異なる第2の画素のAD変換部を選択し、
    前記第2のモードにおいて、前記第2の画素の前記受光部から出力された電気信号を前記AD変換部に入力しないように制御する制御手段を更に有する
    ことを特徴とする撮像素子。
  2. 前記第1のモードでは、前記2つの光電変換部から得られた電気信号を混合した信号を、前記AD変換部によりAD変換することを特徴とする請求項に記載の撮像素子。
  3. 入射光を光電変換して得られた電気信号を出力する受光部と、電気信号をAD変換するAD変換部と、をそれぞれ有する複数の画素であって、予め決められた複数の画素ごとに、当該予め決められた複数の画素のうち第1の画素の受光部から出力される電気信号を、他の画素のAD変換部を用いてAD変換を行えるように構成された複数の画素と、
    前記予め決められた複数の画素ごとに、前記第1の画素の受光部から出力された電気信号をAD変換する画素を選択する選択手段と、を有し、
    前記予め決められた複数の画素のAD変換部は、並行にAD変換を行い、
    前記選択手段は、
    第1のモードにおいて、前記各画素ごとに、前記受光部から出力された電気信号を前記AD変換部によりAD変換するように制御することで、前記第1の画素から得られた電気信号をAD変換するAD変換部として、前記第1の画素のAD変換部を選択すると共に、
    第2のモードにおいて、前記第1の画素の前記AD変換部および前記第1の画素と異なる第2の画素の前記AD変換部を選択し、
    前記第2のモードにおいて、前記第2の画素の前記受光部から出力された電気信号を前記AD変換部に入力しないように制御する制御手段を更に有する
    ことを特徴とする撮像素子。
  4. 前記各画素のAD変換部から出力されたデジタル信号に対して処理を行う処理手段を更に有し、
    前記処理手段は、前記第2のモードにおいて、前記第1の画素および前記第2の画素のAD変換部から出力されたデジタル信号を平均する処理を行うことを特徴とする請求項に記載の撮像素子。
  5. 前記AD変換部に異なる複数の参照信号を供給する供給手段と、
    前記複数の参照信号のいずれかを選択して、前記AD変換部に入力する切り替え手段と、を更に有し、
    前記切り替え手段は、
    前記第1のモードにおいて、1つの参照信号を選択して、前記各画素のAD変換部に入力し、
    前記第2のモードにおいて、前記第1の画素のAD変換部に入力する参照信号として、前記複数の参照信号のうち、第1の参照信号を選択して入力し、前記第2の画素のAD変換部に入力する参照信号として、前記複数の参照信号のうち、前記第1の参照信号と異なる第2の参照信号を選択して入力する
    ことを特徴とする請求項に記載の撮像素子。
  6. 前記各画素のAD変換部から出力されたデジタル信号に対して処理を行う処理手段を更に有し、
    前記処理手段は、前記第2のモードにおいて、前記第1の画素および前記第2の画素のAD変換部から出力されたデジタル信号を用いて、ダイナミックレンジ拡大処理を行うことを特徴とする請求項に記載の撮像素子。
  7. 入射光を光電変換して得られた電気信号を出力する受光部と、電気信号をAD変換するAD変換部と、をそれぞれ有する複数の画素であって、予め決められた複数の画素ごとに、当該予め決められた複数の画素のうち第1の画素の受光部から出力される電気信号を、他の画素のAD変換部を用いてAD変換を行えるように構成された複数の画素と、前記予め決められた複数の画素ごとに、前記第1の画素の受光部から出力された電気信号をAD変換する画素を選択する選択手段と、を有する撮像素子と、
    前記各画素のAD変換部から出力されたデジタル信号に対して処理を行う処理手段と、を有し、
    前記予め決められた複数の画素のAD変換部は、並行にAD変換を行うことを特徴とする撮像装置。
  8. 記処理手段は、前記デジタル信号に基づいて焦点状態を検出することを特徴とする請求項7に記載の撮像装置。
  9. 記処理手段は、前記デジタル信号を平均する処理を行うことを特徴とする請求項7に記載の撮像装置。
  10. 記処理手段は、前記デジタル信号を用いて、ダイナミックレンジ拡大処理を行うことを特徴とする請求項7に記載の撮像装置。
  11. 入射光を光電変換して得られた電気信号を出力する受光部と、電気信号をAD変換するAD変換部と、をそれぞれ有する複数の画素であって、予め決められた複数の画素ごとに、当該予め決められた複数の画素のうち第1の画素の受光部から出力される電気信号を、他の画素のAD変換部を用いてAD変換を行えるように構成された複数の画素と、前記予め決められた複数の画素ごとに、前記第1の画素の受光部から出力された電気信号をAD変換する画素を選択する選択手段と、を有する撮像素子と、
    前記各画素のAD変換部から出力されたデジタル信号に対して処理を行う処理手段と、を有し、
    前記予め決められた複数の画素のAD変換部は、並行にAD変換を行い、
    前記選択手段は、
    第1のモードにおいて、前記各画素ごとに、前記受光部から出力された電気信号を前記AD変換部によりAD変換するように制御することで、前記第1の画素から得られた電気信号をAD変換するAD変換部として、前記第1の画素のAD変換部を選択すると共に、
    第2のモードにおいて、前記第1の画素の前記AD変換部および前記第1の画素と異なる第2の画素の前記AD変換部を選択し、
    前記第2のモードにおいて、前記第2の画素の前記受光部から出力された電気信号を前記AD変換部に入力しないように制御する制御手段を更に有する
    ことを特徴とする撮像装置。
  12. 入射光を光電変換して得られた電気信号を出力する受光部と、電気信号をAD変換するAD変換部と、をそれぞれ有する複数の画素であって、予め決められた複数の画素ごとに、当該予め決められた複数の画素のうち第1の画素の受光部から出力される電気信号を、他の画素のAD変換部を用いてAD変換を行えるように構成された複数の画素と、前記予め決められた複数の画素ごとに、前記第1の画素の受光部から出力された電気信号をAD変換する画素を選択する選択手段と、を有する撮像素子の制御方法であって、
    前記選択手段が、第1のモードにおいて、前記各画素ごとに、前記受光部から出力された電気信号を前記AD変換部によりAD変換するように制御することで、前記第1の画素の2つの光電変換部から得られた電気信号をAD変換するAD変換部として、前記第1の画素のAD変換部を選択する工程と、
    前記選択手段が、第2のモードにおいて、前記2つの光電変換部の一方から得られた電気信号をAD変換するAD変換部として、前記第1の画素のAD変換部を選択し、前記2つの光電変換部の他方から得られた電気信号をAD変換するAD変換部として、前記第1の画素と異なる第2の画素のAD変換部を選択する工程と、
    制御手段が、前記第2のモードにおいて、前記第2の画素の前記受光部から出力された電気信号を前記AD変換部に入力しないように制御する工程と、
    前記制御手段が、前記予め決められた複数の画素のAD変換部が、並行にAD変換を行うように制御する工程と
    を有することを特徴とする制御方法。
  13. 入射光を光電変換して得られた電気信号を出力する受光部と、電気信号をAD変換するAD変換部と、をそれぞれ有する複数の画素であって、予め決められた複数の画素ごとに、当該予め決められた複数の画素のうち第1の画素の受光部から出力される電気信号を、他の画素のAD変換部を用いてAD変換を行えるように構成された複数の画素と、前記予め決められた複数の画素ごとに、前記第1の画素の受光部から出力された電気信号をAD変換する画素を選択する選択手段と、を有する撮像素子の制御方法であって、
    前記選択手段が、第1のモードにおいて、前記各画素ごとに、前記受光部から出力された電気信号を前記AD変換部によりAD変換するように制御することで、前記第1の画素から得られた電気信号をAD変換するAD変換部として、前記第1の画素のAD変換部を選択する工程と、
    前記選択手段が、第2のモードにおいて、前記第1の画素の前記AD変換部および前記第1の画素と異なる第2の画素の前記AD変換部を選択する工程と、
    制御手段が、前記第2のモードにおいて、前記第2の画素の前記受光部から出力された電気信号を前記AD変換部に入力しないように制御する工程と、
    前記制御手段が、前記予め決められた複数の画素のAD変換部が、並行にAD変換を行うように制御する工程と
    を有することを特徴とする制御方法。
  14. 入射光を光電変換して得られた電気信号を出力する受光部と、電気信号をAD変換するAD変換部と、をそれぞれ有する複数の画素であって、予め決められた複数の画素ごとに、当該予め決められた複数の画素のうち第1の画素の受光部から出力される電気信号を、他の画素のAD変換部を用いてAD変換を行えるように構成された複数の画素と、前記予め決められた複数の画素ごとに、前記第1の画素の受光部から出力された電気信号をAD変換する画素を選択する選択手段と、を有する撮像素子の制御方法であって、
    前記選択手段が、第1のモードにおいて、前記各画素ごとに、前記受光部から出力された電気信号を前記AD変換部によりAD変換するように制御することで、前記第1の画素から得られた電気信号をAD変換するAD変換部として、前記第1の画素のAD変換部を選択する工程と、
    前記選択手段が、第2のモードにおいて、前記第1の画素の前記AD変換部および前記第1の画素と異なる第2の画素の前記AD変換部を選択する工程と、
    制御手段が、前記第2のモードにおいて、前記第2の画素の前記受光部から出力された電気信号を前記AD変換部に入力しないように制御する工程と、
    前記制御手段が、前記予め決められた複数の画素のAD変換部が、並行にAD変換を行うように制御する工程と、
    処理手段が、前記各画素のAD変換部から出力されたデジタル信号に対して処理を行う工程と、
    を有することを特徴とする撮像装置。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11290671B2 (en) * 2020-09-01 2022-03-29 Pixart Imaging Inc. Pixel circuit outputting pulse width signals and performing analog operation

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5461425A (en) * 1994-02-15 1995-10-24 Stanford University CMOS image sensor with pixel level A/D conversion
US6377303B2 (en) * 1997-11-26 2002-04-23 Intel Corporation Strobe compatible digital image sensor with low device count per pixel analog-to-digital conversion
JP3774597B2 (ja) 1999-09-13 2006-05-17 キヤノン株式会社 撮像装置
JP3549841B2 (ja) * 2001-01-30 2004-08-04 日本電信電話株式会社 データ変換・出力装置
US6927796B2 (en) * 2001-09-24 2005-08-09 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University CMOS image sensor system with self-reset digital pixel architecture for improving SNR and dynamic range
US8537241B2 (en) * 2009-05-28 2013-09-17 Pixim, Inc. Image sensor with sensitivity control and sensitivity based wide dynamic range
JP5862126B2 (ja) 2011-09-06 2016-02-16 ソニー株式会社 撮像素子および方法、並びに、撮像装置
JP6108936B2 (ja) * 2013-04-24 2017-04-05 キヤノン株式会社 撮像装置、撮像システム、撮像装置の駆動方法
US9270895B2 (en) * 2013-07-31 2016-02-23 Massachusetts Institute Of Technology Methods and apparatus for true high dynamic range imaging
JP6176062B2 (ja) * 2013-11-06 2017-08-09 ソニー株式会社 固体撮像装置およびその駆動方法、並びに電子機器
JP6239975B2 (ja) * 2013-12-27 2017-11-29 キヤノン株式会社 固体撮像装置及びそれを用いた撮像システム
JP6760258B2 (ja) 2015-02-23 2020-09-23 ソニー株式会社 比較器、ad変換器、固体撮像装置、電子機器、比較器の制御方法、およびデータ転送回路
JP6437344B2 (ja) 2015-02-25 2018-12-12 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
EP3101812B1 (en) * 2015-06-05 2022-10-26 Cmosis Bvba In-pixel differential transconductance amplifier for adc and image sensor architecture
WO2016203974A1 (ja) * 2015-06-15 2016-12-22 ソニー株式会社 イメージセンサ、および電子機器
WO2016203525A1 (ja) * 2015-06-15 2016-12-22 オリンパス株式会社 半導体装置
US9743024B2 (en) * 2015-07-01 2017-08-22 Massachusetts Institute Of Technology Method and apparatus for on-chip per-pixel pseudo-random time coded exposure
TWI704811B (zh) * 2015-07-27 2020-09-11 日商新力股份有限公司 固體攝像裝置及其控制方法、以及電子機器
JP6774224B2 (ja) * 2016-05-26 2020-10-21 キヤノン株式会社 固体撮像装置及び撮像システム
CN111247793B (zh) * 2017-10-23 2022-12-16 索尼半导体解决方案公司 摄像装置和电子设备
JP2019149713A (ja) * 2018-02-27 2019-09-05 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 センサ素子および電子機器
JP7169751B2 (ja) * 2018-03-15 2022-11-11 キヤノン株式会社 撮像素子およびそれを有する電子機器
JP7227777B2 (ja) * 2019-02-04 2023-02-22 キヤノン株式会社 撮像装置
KR20200098802A (ko) * 2019-02-12 2020-08-21 삼성전자주식회사 디지털 픽셀을 포함하는 이미지 센서
KR20200143141A (ko) * 2019-06-14 2020-12-23 삼성전자주식회사 Cis, 및 그 cis에서 픽셀별 ae 방법
KR20210035950A (ko) * 2019-09-24 2021-04-02 삼성전자주식회사 이미지 센서 장치

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