JP2020077453A - カートリッジ、メモリ、データ記録装置及びデータ再生装置 - Google Patents

Abstract

【課題】磁気テープの幅が変動したような場合でも、磁気テープに記録されたデータを正確に再生することができる技術を提供する。【解決手段】カートリッジは、カートリッジケースと、メモリとを具備する。カートリッジケースは、磁気テープを収容する。メモリは、カートリッジケースに設けられ、磁気テープのデータ記録時における情報を記憶する。該情報は、磁気テープのデータ再生時において磁気テープの幅を調整するための情報である。【選択図】図８

Description

本技術は、磁気テープを内部に収容するカートリッジ等の技術に関する。

近年、電子データのバックアップなどの用途で磁気テープが広く普及している。磁気テープは、容量が多く長期保存が可能なことから、ビッグデータ等の蓄積媒体としてますます注目が集まっている。

磁気テープには、複数の記録トラックを含むデータバンドが設けられており、この記録トラックに対してデータが記録される。また、幅方向でデータバンドを挟み込む位置にサーボバンドが設けられ、このサーボバンドにサーボ信号が記録される。磁気ヘッドは、サーボバンドに記録されたサーボ信号を読み取ることで、記録トラックに対して位置合わせを行う。

磁気テープの規格としては、ＬＴＯ（Linear Tape Open）規格が広く知られている。ＬＴＯ規格においては、巻回された磁気テープがカートリッジ内に収容され、また、カートリッジ内には、カートリッジメモリと呼ばれる非接触式で読み書き可能なメモリチップが組み込まれている（例えば、特許文献１参照）。このカートリッジメモリには、カートリッジや磁気テープの生産管理情報や使用履歴、記録内容の概要などが記録される。

特開２００９−２１１７４３号公報

近年においては、磁気テープの大容量化の要請から、記録トラックの数が多くなり、記録トラックの幅が狭くなってきている。このため、磁気テープにデータが記憶された後、何らかの原因で、磁気テープの幅がわずかにでも変動してしまうと、磁気テープに記録されたデータが正確に再生できずにエラーが発生してしまう可能性がある。

以上のような事情に鑑み、本技術の目的は、磁気テープの幅が変動したような場合でも、磁気テープに記録されたデータを正確に再生することができる技術を提供することにある。

本技術に係るカートリッジは、カートリッジケースと、メモリとを具備する。
前記カートリッジケースは、磁気テープを収容する。
前記メモリは、前記カートリッジケースに設けられ、前記磁気テープのデータ記録時における情報であって、前記磁気テープのデータ再生時において前記磁気テープの幅を調整するための情報を記憶する。

この技術では、磁気テープのデータ記録時における情報がメモリに記憶されているので、この情報をデータ再生時に利用することで、磁気テープの幅を適切に調整することができる。従って、磁気テープの幅が何らかの理由で変動したような場合でも、磁気テープに記録されたデータを正確に再生することができる。

上記カートリッジにおいて、前記情報は、データ記録時における前記磁気テープの周囲の環境情報を含んでいてもよい。

上記カートリッジにおいて、前記環境情報は、データ記録時における前記磁気テープの周囲の温度の情報を含んでいてもよい。

上記カートリッジにおいて、前記環境情報は、データ記録時における前記磁気テープの周囲の湿度の情報を含んでいてもよい。

上記カートリッジにおいて、前記情報は、データ記録時における前記磁気テープのテンションの情報を含んでいてもよい。

上記カートリッジにおいて、前記情報は、データ記録時における前記磁気テープの幅の情報を含んでいてもよい。

上記カートリッジにおいて、データ再生時において、前記磁気テープのテンションの調整により前記磁気テープの幅が調整されてもよい。

上記カートリッジにおいて、データ再生時において、前記磁気テープの幅がデータ記録時における前記磁気テープの幅と同じとなるように、前記磁気テープの幅が調整されてもよい。

上記カートリッジにおいて、前記情報が、データ記録時における前記磁気テープの周囲の環境情報を含む場合、前記メモリ内に記憶されたデータ記録時の前記環境情報と、データ再生時に測定された環境情報との差に基づいて、前記磁気テープの幅が調整されてもよい。

上記カートリッジは、ＬＴＯ（linear Tape Open）規格に基づいていてもよい。

本技術に係るメモリは、磁気テープを収容するカートリッジケースに設けられ、前記磁気テープのデータ記録時における情報であって、前記磁気テープのデータ再生時において前記磁気テープの幅を調整するための情報を記憶する。

本技術に係るデータ記録装置は、磁気テープにデータを記録するデータ記録装置であって、前記磁気テープを収容するカートリッジケースに設けられたメモリに対して、前記磁気テープのデータ記録時における情報であって、前記磁気テープのデータ再生時において前記磁気テープの幅を調整するための情報を記憶する。

本技術に係るデータ再生装置は、磁気テープに記録されたデータを再生するデータ再生装置であって、前記磁気テープを収容するカートリッジケースに設けられたメモリに記憶された前記磁気テープのデータ記録時における情報を読み出して、前記情報に基づいて、前記磁気テープのデータ再生時における前記磁気テープの幅を調整する。

本技術の一実施形態に係るカートリッジを示す分解斜視図である。 磁気テープを側方から見た模式図である。 磁気テープを上方からみた模式図である。 データ記録／再生装置を示す図である。 データ記録時における制御装置の処理を示すフローチャートである。 データ再生時における制御装置の処理を示すフローチャートである。 比較例において温度、湿度が変動した場合において、磁気テープの幅が変動してしまった場合の図である。 図８は、本実施形態において温度、湿度が変動した場合において、磁気テープの幅が変動してしまった場合の図である。 比較例において、カートリッジメモリに対して、データ記録時の磁気テープのテンション、の情報を書き込まなかった場合の図である。 本実施形態において、カートリッジメモリに対して、データ記録時の磁気テープのテンション、又は幅の情報を書き込んだ場合の図である。 磁性粒子の構成を示す断面図である。 変形例における磁性粒子の構成を示す断面図である。 測定装置の構成を示す斜視図である。 測定装置の詳細を示す模式図である。 ＳＦＤ曲線の一例を示すグラフである。

以下、本技術に係る実施形態を、図面を参照しながら説明する。

＜システムの全体構成及び各部の構成＞
［カートリッジ１０］
図１は本技術の一実施形態に係るカートリッジ１０を示す分解斜視図である。本実施形態の説明では、カートリッジ１０として、ＬＴＯ規格に準拠するカートリッジ１０を例に挙げて説明する。

図１に示すように、カートリッジ１０は、カートリッジケース１１と、カートリッジケース１１の内部に回転可能に収容される磁気テープ１と、カートリッジケース１１の内部に設けられるカートリッジメモリ９とを備えている。

カートリッジケース１１は、上シェル１１ａと下シェル１１ｂとを複数本のネジ部材により結合することで構成されている。カートリッジケース１１の内部には、磁気テープ１を巻装した単一のテープリール１３が回転可能に収容されている。

テープリール１３の底部中央には、データ記録／再生装置３０のスピンドル３１（図４参照）と係合するチャッキングギヤ（図示略）が環状に形成されている。このチャッキングギヤは、下シェル１１ｂの中央に形成された開口部１４を介して外部へ露出している。このチャッキングギヤの内周側には、スピンドル３１と磁気的に吸着される環状の金属プレート１５が固定されている。

上シェル１１ａの内面とテープリール１３との間には、リールスプリング１６、リールロック部材１７及びスパイダ１８が配置されている。これらにより、カートリッジ１０の非使用時におけるテープリール１３の回転を抑止するリールロック機構が構成される。

カートリッジケース１１の一側壁部には、磁気テープ１の一端を外部へ引き出すためのテープ引出し口１９が設けられている。この側壁部の内方には、テープ引出し口１９を開閉するスライドドア２０が配置されている。スライドドア２０は、データ記録／再生装置３０のテープローディング機構（不図示）との係合によりトーションバネ２１の付勢力に抗してテープ引出し口１９を開放する方向にスライドするように構成される。

磁気テープ１の一端部には、リーダーピン２２が固着されている。リーダーピン２２は、テープ引出し口１９の内方側に設けられたピン保持部２３に対して着脱可能に構成される。ピン保持部２３は、カートリッジケース１１の上壁内面（上シェル１１ａの内面）及び底壁内面（下シェル１１ｂの内面）において、リーダーピン２２の上端部及び下端部をそれぞれ弾性的に保持する弾性保持具２４を備えている。

そして、カートリッジケース１１の他の側壁内方には、磁気テープ１に記録された情報の誤消去防止用のセイフティタブ２５のほか、磁気テープ１に記録されたデータに関する内容を非接触で読み書き可能なカートリッジメモリ９が配置されている。

［磁気テープ１］
図２は、磁気テープ１を側方から見た模式図であり、図３は、磁気テープ１を上方からみた模式図である。

図２及び図３に示すように、磁気テープ１は、長手方向（Ｘ軸方向）に長く、幅方向（Ｙ軸方向）に短く、厚さ方向（Ｚ軸方向）に薄いテープ状に構成されている。

磁気テープ１は、長手方向（Ｘ軸方向）に長いテープ状の基材２と、基材２の一方の主面上に設けられた非磁性層３と、非磁性層３上に設けられた磁性層４と、基材２の他方の主面上に設けられたバック層５とを含む。なお、バック層５は、必要に応じて設けられればよく、このバック層５は省略されてもよい。

基材２は、非磁性層３および磁性層４を支持する非磁性支持体である。基材２は、例えば、ポリエステル類、ポリオレフィン類、セルロース誘導体、ビニル系樹脂、およびその他の高分子樹脂のうちの少なくとも１種を含む。

磁性層４は、データを記録するための記録層である。この磁性層４は、磁性粉、結着剤、導電性粒子等を含む。磁性層４は、必要に応じて、潤滑剤、研磨剤、防錆剤などの添加剤をさらに含んでいてもよい。

磁性層４は、垂直配向とされていてもよいし、長手配向とされていてもよい。磁性層４に含まれる磁性粉は、例えば、ε酸化鉄を含有するナノ粒子（ε酸化鉄粒子）、六方晶フェライトを含有するナノ粒子（六方晶フェライト粒子）、Ｃｏ含有スピネルフェライトを含有するナノ粒子（コバルトフェライト）等により構成される。

非磁性層３は、非磁性粉及び結着剤を含む。非磁性層３は、必要に応じて、電動性粒子、潤滑剤、硬化剤、防錆材などの添加剤を含んでいてもよい。

バック層５は、非磁性粉及び結着剤を含む。バック層５は、必要に応じて潤滑剤、硬化剤及び帯電防止剤などの添加剤を含んでいてもよい。

磁気テープ１の平均厚み（平均全厚）の上限値は、例えば、５．６μｍ以下、５．０μｍ以下、４．４μｍ以下などとされる。磁気テープ１の平均厚みが５．６μｍ以下であると、カートリッジ１０２１内に記録できる記録容量を一般的な磁気テープ１よりも高めることができる。

図３に示すように、磁性層４は、データが書き込まれる長手方向（Ｘ軸方向）に長い複数のデータバンドｄ（データバンドｄ０〜ｄ３）と、サーボ信号７が書き込まれる長手方向に長い複数のサーボバンドｓ（サーボバンドｓ０〜ｓ４）とを有している。サーボバンドｓは、幅方向（Ｙ軸方向）で各データバンドｄを挟み込む位置に配置される。

図３に示す例では、データバンドｄの本数が４本とされ、サーボバンドｓの本数が５本とされた場合の例が示されている。なお、データバンドｄの本数、サーボバンドｓの本数は、適宜変更することができる。

データバンドｄは、長手方向に長く、幅方向に整列された複数の記録トラック６を含む。データは、この記録トラック６に沿って、記録トラック６内に記録される。データバンドｄに記録されるデータにおける長手方向の１ビット長は、例えば、４８ｎｍ以下とされる。サーボバンドｓは、サーボ信号記録装置（不図示）によって記録される所定パターンのサーボ信号７を含む。

ここで、ＬＴＯ規格の磁気テープ１は、世代ごとに記録トラック６の数が増加して記録容量が飛躍的に向上している。一例を挙げると、初代のＬＴＯ−１が３８４であった記録トラック６の数が、ＬＴＯ−２〜ＬＴＯ８ではそれぞれ、５１２、７０４、８９６、１２８０、２１７６、３５８４及び６６５６である。データの記録容量についても同様に、ＬＴＯ−１では１００ＧＢ（ギガバイト）であったのが、ＬＴＯ−２〜ＬＴＯ−８ではそれぞれ、２００ＧＢ、４００ＧＢ、８００ＧＢ、１．５ＴＢ（テラバイト）、２．５ＴＢ、６．０ＴＢ及び１２ＴＢである。

本実施形態では、記録トラック６の本数や記録容量は、特に限定されず、適宜変更可能である。但し、例えば、記録トラック６の本数や記録容量が多く（例えば、６６５６本以上、１２ＴＢ以上：ＬＴＯ８以降）、磁気テープ１の幅の変動の影響をうけやすうような磁気テープ１に適用されると有利である。

［カートリッジメモリ９］
カートリッジメモリ９は、例えば、基板上にアンテナコイル、ＩＣチップ等が搭載された非接触通信媒体で構成される。ＩＣチップは、アンテナコイルを介して受信したリーダライタ３７（図４参照）からの信号磁界を基に起動電圧を生成する電圧発生部、カートリッジ１０に関する所定の情報を記憶するメモリ部、メモリ部から情報を読み出す制御部などを内蔵する。

カートリッジメモリ９は、リーダライタ３７から送信される信号磁界をアンテナコイルで受けて電力を生成するため、無電源で動作する。リーダライタ３７からの給電・通信周波数はＮＦＣ（Near Field Communication）と同じ１３．５６ＭＨｚである。ＩＣチップに内蔵されるメモリ部には、例えば不揮発性メモリ（ＮＶＭ：Non-Volatile Memory）が使用される。

メモリ部には、管理情報が記憶される。管理情報としては、カートリッジ１０及び磁気テープ１の製品情報、使用履歴情報、磁気テープ１に記録されている情報の概要などが挙げられる。製品情報には、製造情報、磁気テープ１の記録トラック６の数、ＩＤ等の固有情報が含まれる。使用履歴情報としては、アクセス日時、アドレス情報、リーダライタ３７との通信履歴、データ記録／再生装置３０に対するローディング／アンローディング時の異常の有無等が含まれる。

ここで、特に、本実施形態では、メモリ部において、上記した管理情報等の他に、磁気テープ１のデータ記録時における情報であって、磁気テープ１のデータ再生時において磁気テープ１の幅を調整するための情報（以下、データ記録時情報）が記憶される。

本実施形態では、データ記録時において、リーダライタ３７によってカートリッジメモリ９のメモリ部に対してデータ記録時情報（例えば、温度の情報、湿度の情報、テンションの情報、磁気テープ１の幅の情報等）が記憶される。そして、データ再生時において、この情報がリーダライタ３７によって読み取られ、この情報が用いられて磁気テープ１の幅の変動に対する対処が行われる。

なお、データ記録時情報についての詳細については、後に詳述する。

上述のように、ＬＴＯ規格の磁気テープ１は、世代ごとに記録トラック６の数が増加して記録容量が飛躍的に向上している。磁気テープ１の記録トラック６の数の増加に伴い、カートリッジメモリ９に格納される管理情報も増加するため、カートリッジメモリ９の容量（メモリ容量）も大型化してきている。例えば、ＬＴＯ−１及びＬＴＯ−２では４ｋＢ（キロバイト）であったのが、ＬＴＯ−３〜ＬＴＯ−５では８ｋＢ、ＬＴＯ−６〜ＬＴＯ−８では１６ｋＢである。

本実施形態では、カートリッジメモリ９の記憶容量は、特に限定されず、適宜変更可能である。但し、本実施形態では、カートリッジメモリ９に対しては、管理情報だけでなく、データ記録時情報が書き込まれる。従って、カートリッジメモリ９の記憶容量は、ＬＴＯ規格で要請される容量以上の記録容量とされていてもよい。例えば、本技術が、ＬＴＯ−６〜ＬＴＯ−８（あるいは、それ以降）の規格に適用される場合、典型的には、カートリッジメモリ９の記録容量は、１６ｋＢ以上とされる。

［データ記録／再生装置３０］
図４は、データ記録／再生装置３０を示す図である。図４に示すように、データ記録／再生装置３０は、カートリッジ１０を装填可能に構成されている。データ記録／再生装置３０は、１つのカートリッジ１０を装填可能に構成されるが、複数のカートリッジ１０を同時に装填可能に構成されてもよい。

データ記録／再生装置３０は、スピンドル３１と、巻取りリール３２と、スピンドル駆動装置３３と、リール駆動装置３４と、複数のガイドローラ３５とを備えている。また、データ記録／再生装置３０は、ヘッドユニット３６と、リーダライタ３７と、制御装置３８と、温度計３９と、湿度計４０とを備えている。

スピンドル３１は、カートリッジ１０の下シェル１１ｂに形成された開口部１４を介してテープリール１３のチャッキングギヤに係合するヘッド部を有する。スピンドル３１は、リールスプリング１６の付勢力に抗してテープリール１３を所定距離上昇させ、リールロック部材１７によるリールロック機能を解除する。これによりテープリール１３は、スピンドル３１によりカートリッジケース１１の内部において回転可能に支持される。

スピンドル駆動装置３３は、制御装置３８からの指令に応じて、スピンドル３１を回転させる。巻取りリール３２は、テープローディング機構（不図示）を介してカートリッジ１０から引き出された磁気テープ１の先端（リーダーピン２２）を固定可能に構成される。

複数のガイドローラ３５は、カートリッジ１０と巻取りリール３２との間に形成されるテープパスがヘッドユニット３６に対して所定の相対位置関係となるように磁気テープ１の走行をガイドする。リール駆動装置３４は、制御装置３８からの指令に応じて、巻取りリール３２を回転させる。

磁気テープ１に対してデータの記録／再生が行われるとき、スピンドル駆動装置３３及びリール駆動装置３４により、スピンドル３１及び巻取りリール３２が回転し、磁気テープ１が走行する。磁気テープ１の走行方向は、順方向（カートリッジ１０側から装置３０側に流れる方向）及び逆方向（装置３０側からカートリッジ１０側へ流れる方向）での往復が可能とされている。

なお、本実施形態では、スピンドル駆動装置３３によるスピンドル３１の回転、及びリール駆動装置３４による巻取りリール３２の回転の制御により、データ記録／再生時における磁気テープ１の長手方向（Ｘ軸方向）でのテンションが調整可能とされる。なお、磁気テープ１のテンションの調整は、スピンドル３１、巻取りリール３２の回転の制御に代えて（あるいは、この制御に加えて）、ガイドローラ３５の移動の制御により行われてもよい。

リーダライタ３７は、制御装置３８からの指令に応じて、カートリッジメモリ９に対して管理情報、データ記録時情報を記録することが可能に構成されている。また、リーダライタ３７は、制御装置３８からの指令に応じて、カートリッジメモリ９から管理情報、データ記録時情報を読み出すことが可能に構成されている。リーダライタ３７とカートリッジメモリ９との間の通信方式としては、例えば、ＩＳＯ１４４４３方式が採用される。

制御装置３８は、例えば、制御部、記憶部、通信部などを含む。制御部は、例えば、ＣＰＵ（Central Processing Unit）等により構成されており、記憶部に記憶されたプログラムに従い、データ記録装置２０の各部を統括的に制御する。

記憶部は、各種のデータや各種のプログラムが記録される不揮発性のメモリと、制御部の作業領域として用いられる揮発性のメモリとを含む。上記各種のプログラムは、光ディスク、半導体メモリ等の可搬性の記録媒体から読み取られてもよいし、ネットワーク上のサーバ装置からダウンロードされてもよい。通信部は、ＰＣ（Personal Computer）、サーバ装置等の他の装置との間で互いに通信可能に構成されている。

ヘッドユニット３６は、制御装置３８からの指令に応じて、磁気テープ１に対してデータを記録することが可能に構成されている。また、ヘッドユニット３６は、制御装置３８からの指令に応じて、磁気テープ１に書き込まれたデータを再生することが可能に構成されている。

ヘッドユニット３６は、例えば、２つのサーボリードヘッド、複数のデータライト／リードヘッド等を有している。

サーボリードヘッドは、磁気テープ１に記録されたサーボ信号７から発生する磁界をＭＲ素子（ＭＲ：Magneto Resistive）などにより読み取ることで、サーボ信号７を再生可能に構成されている。２つのサーボリードヘッド３２の幅方向での間隔は、隣接する２本のサーボバンドｓ間の距離と略同じとされている。

データライト／リードヘッド３３は、２つのサーボリードヘッド３２に挟み込まれる位置に、幅方向に沿って等間隔に配置されている。データライト／リードヘッド３４は、磁気ギャップから発生する磁界によって、磁気テープ１に対してデータを記録することが可能に構成されている。また、データライト／リードヘッド３５は、磁気テープ１に記録されたデータから発生する磁界をＭＲ素子（ＭＲ：Magneto Resistive）などにより読み取ることで、データを再生可能に構成されている。

温度計３９は、データ記録／再生時において、磁気テープ１（カートリッジ１０）の周囲の温度を測定し、制御装置３８へ出力する。また、湿度計４０は、データ記録／再生時において、磁気テープ１（カートリッジ１０）の周囲の湿度を測定し、制御装置３８へ出力する。

＜磁気テープ１の幅の変動＞
上述のように、ＬＴＯ規格では、記憶容量の増加に伴って、記録トラック６の数が増加している。このような場合、記録トラック６の幅が狭くなってしまい、磁気テープ１の幅（Ｙ軸方向）のわずかな変動が問題となる場合がある。例えば、データ記録／再生装置３０によって、磁気テープ１に所定のデータが記憶され、その後（例えば、一定期間保管後）、データ記録／再生装置３０により、磁気テープ１に記録されたデータが再生されるとする。このような場合、データ再生時の磁気テープ１の幅が、磁気テープ１のデータ記録時の幅に比べてわずかにでも変動してしまうと、磁気テープ１に記録されたデータが正確に再生できずにエラーが発生してしまう可能性がある。

磁気テープ１の幅の変動の原因としては、例えば、以下の（１）〜（４）等が考えられる。

（１）温度の変動
磁気テープ１のデータ記録時における温度と、磁気テープ１のデータ再生時における温度とが異なる。
（Ａ）例えば、磁気テープ１のデータ記録時における温度が高温であると、磁気テープ１の幅が膨張した状態でデータが記憶される。その後、磁気テープ１が低温で一定期間保管され、低温で、磁気テープ１のデータが再生されたとする。この場合、データ再生時における磁気テープ１の幅は、データ記録時における磁気テープ１の幅よりも狭まってしまっており、記録トラック６の幅が狭まってしまっている。この場合、ヘッドユニット３６が記録トラック６に正確に位置合わせすることができず、エラーが発生する可能性がある。
（Ｂ）逆に、磁気テープ１のデータ記録時における温度が低温であると、磁気テープ１の幅が収縮した状態でデータが記憶される。その後、磁気テープ１が高温で一定期間保管され、高温で、磁気テープ１のデータが再生されたとする。この場合、データ再生時における磁気テープ１の幅は、データ記録時における磁気テープ１の幅よりも広がってしまっており、記録トラック６の幅も広がってしまっている。この場合、ヘッドユニット３６が記録トラック６に正確に位置合わせすることができず、エラーが発生する可能性がある。

（２）湿度の変動
磁気テープ１のデータ記録時における湿度と、磁気テープ１のデータ再生時における湿度とが異なる。
（Ａ）例えば、磁気テープ１のデータ記録時における湿度が高湿度であると、磁気テープ１の幅が膨張した状態でデータが記憶される。その後、磁気テープ１が低湿度で一定期間保管され、低湿度で、磁気テープ１のデータが再生されたとする。この場合、データ再生時における磁気テープ１の幅は、データ記録時における磁気テープ１の幅よりも狭まってしまっており、記録トラック６の幅も狭まってしまっている。この場合、ヘッドユニット３６が記録トラック６に正確に位置合わせすることができず、エラーが発生する可能性がある。
（Ｂ）逆に、磁気テープ１のデータ記録時における湿度が低湿度であると、磁気テープ１の幅が収縮した状態でデータが記憶される。その後、磁気テープ１が高湿度で一定期間保管され、高湿度で、磁気テープ１のデータが再生されたとする。この場合、データ再生時における磁気テープ１の幅は、データ記録時における磁気テープ１の幅よりも広がってしまっており、記録トラック６の幅も広がってしまっている。この場合、ヘッドユニット３６が記録トラック６に正確に位置合わせすることができず、エラーが発生する可能性がある。

（３）テンションの変動
データ記録時において磁気テープ１の長手方向（Ｘ軸方向）に掛かるテンションと、データ再生時において磁気テープ１の長手方向に掛かるテンションとが異なる。
（Ａ）例えば、磁気テープ１のデータ記録時におけるテンションが高いテンションであると、磁気テープ１の幅が収縮した状態でデータが記憶される。その後、例えば、データを記録した装置とは別の装置（同じ装置であってもよいが）で、磁気テープ１が再生されたところ、データ記録時よりも低いテンションで、磁気テープ１のデータが再生されたとする。この場合、データ再生時における磁気テープ１の幅は、データ記録時における磁気テープ１の幅よりも広がってしまっており、記録トラック６の幅も広がってしまっている。この場合、ヘッドユニット３６が記録トラック６に正確に位置合わせすることができず、エラーが発生する可能性がある。
（Ｂ）逆に、磁気テープ１のデータ記録時におけるテンションが低いテンションであると、磁気テープ１の幅が膨張した状態でデータが記憶される。その後、例えば、データを記録した装置とは別の装置（同じ装置であってもよいが）で、磁気テープ１が再生されたところ、データ記録時よりも高いテンションで、磁気テープ１のデータが再生されたとする。この場合、データ再生時における磁気テープ１の幅は、データ記録時における磁気テープ１の幅よりも狭まってしまっており、記録トラック６の幅も狭まってしまっている。この場合、ヘッドユニット３６が記録トラック６に正確に位置合わせすることができず、エラーが発生する可能性がある。

（４）その他
磁気テープ１のデータ記録時におけるテンションが必要以上に高いテンションであったため、必要以上に高いテンションで磁気テープ１が巻き取られてしまい、その状態で磁気テープ１が一定期間保管されたとする。この場合、巻き張力の影響で、カートリッジ１０の内部で磁気テープ１の幅が広がってしまう。この場合、データ再生時における磁気テープ１の幅は、データ記録時における磁気テープ１の幅よりも広がってしまっており、記録トラック６の幅も広がってしまっている。この場合、ヘッドユニット３６が記録トラック６に正確に位置合わせすることができず、エラーが発生する可能性がある。

＜データ記録時情報＞
次に、カートリッジメモリ９のメモリ部に記録されるデータ記録時情報について説明する。データ記録時情報には、磁気テープ１のデータ記録時における磁気テープ１の周囲の環境情報が含まれる。環境情報には、磁気テープ１のデータ記録時における磁気テープ１の周囲の温度Ｔｍ１や、湿度Ｈ１の情報等が含まれる。

例えば、温度Ｔｍ１の情報については、データ記録／再生装置３０により磁気テープ１にデータが記録されているときに、そのときの温度Ｔｍ１が温度計３９によって計測され、計測された値がリーダライタ３７によってメモリ部に書き込まれる。また、湿度情報Ｈ１については、データ記録／再生装置３０により磁気テープ１にデータが記録されているときに、そのときの湿度Ｈ１が湿度計４０によって計測され、計測された値がリーダライタ３７によってメモリ部に書き込まれる。

また、データ記録時情報には、磁気テープ１のデータ記録時において磁気テープ１に掛けられた長手方向（Ｘ軸方向）でのテンションＴ１の情報が含まれる。上述のように、データ記録／再生装置３０により磁気テープ１に対してデータが記録されるとき、スピンドル３１、巻取りリール３２の駆動の制御により長手方向での磁気テープ１のテンションＴ１が調整される。このときのテンションＴ１の情報がリーダライタ３７によってメモリ部に書き込まれる。

また、データ記録時情報には、磁気テープ１のデータ記録時における磁気テープ１の幅Ｗ１の情報が含まれる。上述のように、データ記録／再生装置３０により磁気テープ１に対してデータが記録されるとき、記録トラック６に対する位置合わせのために、ヘッドユニット３６が、隣接する２本のサーボバンドｓに記録されたサーボ信号７を読み取っている。このとき、２本のサーボバンドｓから読み取られるサーボ信号７の再生波形から、隣接する２本のサーボバンドｓの幅方向での距離が求められる。そして、求められた距離から磁気テープ１全体の幅Ｗ１が求められ、この情報がリーダライタ３７によってメモリ部に書き込まれる。

＜動作説明＞
次に、データ記録／再生装置３０の制御装置３８の処理について説明する。

［データ記録時］
ここでの説明では、まず、データ記録時における制御装置３８の処理について説明する。図５は、データ記録時における制御装置３８の処理を示すフローチャートである。

データ記録時においては、まず、制御装置３８（制御部）は、データ記録／再生装置３０へのカートリッジ１０のローディングを行う（ステップ１０１）。その後、制御装置３８は、スピンドル３１及び巻取りリール３２の回転の制御により、磁気テープ１に対して長手方向（Ｘ軸方向）で所定のテンションを掛けながら磁気テープ１を走行させる。そして、制御装置３８は、ヘッドユニット３６により磁気テープ１に対してデータを記録する（ステップ１０２）。

このとき、ヘッドユニット３６は、ヘッドユニット３６の２つのサーボリードヘッドにより隣接する２本のサーボバンドｓをトレースしながら、ヘッドユニット３６のデータライト／リードヘッドにより記録トラック６に対してデータを記録する。

次に、制御装置３８は、温度計３９及び湿度計４０から、データ記録時における磁気テープ１の周囲の温度Ｔｍ１の情報及び湿度Ｈ１の情報（環境情報）を取得する（ステップ１０３）。

次に、制御装置３８は、データ記録時におけるスピンドル３１及び巻取りリール３２の駆動データに基づいて、データ記録時において磁気テープ１の長手方向（Ｘ軸方向）に掛けられていたテンションＴｎ１を算出する（ステップ１０４）。

次に、制御装置３８は、ヘッドユニット３６のサーボリードヘッドによって読み取られたサーボ信号７の再生波形から、隣接する２本のサーボバンドｓの幅方向（Ｙ軸方向）での距離を求める。そして、制御装置３８は、この距離に基づいて、データ記録時の磁気テープ１の全体の幅Ｗ１を算出する（ステップ１０５）。

そして、制御装置３８は、リーダライタ３７により、温度Ｔｍ１の情報及び湿度Ｈ１の情報、テンションＴｎ１の情報及び磁気テープ１の幅Ｗ１の情報を、データ記録時情報として、カートリッジメモリ９に書き込む（ステップ１０６）。

［データ再生時］
次に、データ再生時における制御装置３８の処理について説明する。図６は、データ再生時における制御装置３８の処理を示すフローチャートである。

データ再生時においては、まず、制御装置３８（制御部）は、データ記録／再生装置３０へのカートリッジ１０のローディングを行う（ステップ２０１）。次に、制御装置３８は、カートリッジメモリ９に書き込まれたデータ記録時情報（温度Ｔｍ１の情報及び湿度Ｈ１の情報、テンションＴｎ１の情報及び磁気テープ１の幅Ｗ１の情報）を、リーダライタ３７により読み出してその情報を取得する（ステップ２０２）。

次に、制御装置３８は、温度計３９及び湿度計４０から、データ再生時における現在の磁気テープ１の周囲の温度Ｔｍ２の情報及び湿度Ｈ２の情報を取得する（ステップ２０３）。

次に、制御装置３８は、データ記録時における過去の温度Ｔｍ１と、データ再生時における現在の温度Ｔｍ２との温度差ＴｍＤ（ＴｍＤ＝Ｔｍ２−Ｔｍ１）を算出する（ステップ２０４）。また、制御装置３８は、データ記録時における過去の湿度Ｈ１と、データ再生時における現在の湿度Ｈ２との湿度差ＨＤ（ＨＤ＝Ｈ２−Ｈ１）を算出する（ステップ２０５）。

次に、制御装置３８は、温度差ＴｍＤに係数αを乗算し（ＴｍＤ×α）、湿度差ＨＤに係数βを乗算する（ＨＤ×β）（ステップ２０６）。

係数αは、温度差１℃当たり、磁気テープ１のテンションをデータ記録時のテンションＴｎ１と比べてどの程度変更すればよいかを示す値である。同様に、係数βは、湿度差１％あたり、磁気テープ１のテンションをデータ記録時のテンションＴｎ１と比べてどの程度変更すればよいかを示す値である。

次に、制御装置３８は、データ記録時における過去のテンションＴｎ１に対して、ＴｍＤ×αの値と、ＨＤ×βの値とを加算することで、データ再生時（現在）において、長手方向（Ｘ軸方向）で磁気テープ１に掛けるべきテンションＴｎ２を算出する（ステップ２０７）。
Ｔｎ２＝Ｔｎ１＋ＴｍＤ×α＋ＨＤ×β

データ再生時における磁気テープ１のテンションＴｎ２を決定した後、制御装置３８は、スピンドル３１及び巻取りリール３２の駆動の制御により、そのテンションＴｎで磁気テープ１が走行するように磁気テープ１の走行を制御する。そして、制御装置３８は、ヘッドユニット３６のサーボリードヘッドによりサーボバンドｓのサーボ信号７を読み取りながら、ヘッドユニット３６のデータライト／リードヘッドにより、記録トラック６に記録されたデータの再生を行う。

このとき、磁気テープ１のテンションの調整により、磁気テープ１の幅がデータ記録時の幅に合わせられているので、ヘッドユニット３６のデータライト／リードヘッドは、記録トラック６に対して正確に位置合わせすることができる。これにより、何らかの原因（例えば、温度、湿度の変動）で、磁気テープ１の幅が変動したような場合でも、磁気テープ１に記録されたデータを正確に再生することができる。

なお、データ再生時（現在）において、磁気テープ１に掛けるべきテンションＴｎ２の値は、データ再生時の温度の方がデータ記録時の温度よりも高ければ高くなる。このため、温度が高くなり、データ記録時よりも磁気テープ１の幅が広くなってしまった場合には、磁気テープ１の幅を狭めてデータ再生時と同じ幅を再現することができる。

逆に、データ再生時（現在）において、磁気テープ１に掛けるべきテンションＴｎ２の値は、データ再生時の温度の方がデータ記録時の温度よりも低ければ低くなる。このため、温度が低くなり、データ記録時よりも磁気テープ１の幅が狭くなってしまった場合には、磁気テープ１の幅を広げてデータ再生時と同じ幅を再現することができる。

また、データ再生時（現在）において、磁気テープ１に掛けるべきテンションＴｎ２の値は、データ再生時の湿度の方がデータ記録時の湿度よりも高ければ高くなる。このため、湿度が高くなり、データ記録時よりも磁気テープ１の幅が広くなってしまった場合には、磁気テープ１の幅を狭めてデータ再生時と同じ幅を再現することができる。

逆に、データ再生時（現在）において、磁気テープ１に掛けるべきテンションＴｎ２の値は、データ再生時の湿度の方がデータ記録時の湿度よりも低ければ低くなる。このため、湿度が低くなり、データ記録時よりも磁気テープ１の幅が狭くなってしまった場合には、磁気テープ１の幅を広げてデータ再生時と同じ幅を再現することができる。

ここで、データ再生時において、磁気テープ１に掛けるべきテンションＴｎ２を求めるために、データ記録時の温度Ｔｍ１、湿度Ｈ１、磁気テープ１のテンションＴｎ１に加えて（あるいは、テンションＴｎ１に代えて）、更に、データ記録時における磁気テープ１の幅Ｗ１の情報が用いられてもよい。

この場合も、同様に、制御装置３８は、温度差ＴｍＤ（ＴｍＤ＝Ｔｍ２−Ｔｍ１）と、湿度差ＨＤ（ＨＤ＝Ｈ２−Ｈ１）とを算出する。そして、制御装置３８は、温度差ＴｍＤに係数γを乗算し（ＴｍＤ×γ）、湿度差ＨＤに係数δを乗算する（ＨＤ×δ）（ステップ２０６）。

ここで、係数γは、温度差１℃当たり磁気テープ１の幅がどの程度変動するかを示す値（温度に基づく単位長さ（幅方向）当たりの膨張率を示す値）である。また、係数δは、湿度差１％あたり、磁気テープ１の幅がどの程度変動するかを示す値（湿度に基づく単位長さ（幅方向）当たりの膨張率を示す値）である。

次に、制御装置３８は、以下の式により、データ記録時における過去の磁気テープ１の幅Ｗ１に基づいて、データ再生時における現在の磁気テープ１の幅ｗ２を予測する。
Ｗ２＝Ｗ１（１＋ＴｍＤ×γ＋ＨＤ２×δ）

次に、制御装置３８は、データ再生時における現在の磁気テープ１の幅ｗ２と、データ記録時における過去の磁気テープ１の幅Ｗ１との差ＷＤを算出する（ＷＤ＝Ｗ２−Ｗ１＝Ｗ１（ＴｍＤ×γ＋ＨＤ２×δ））。

そして、制御装置３８は、幅の差ＷＤに係数εを乗算した値を、データ記録時における磁気テープ１のテンションＴｎ１に加算して、データ再生時における磁気テープ１のテンションＴｎ２を算出する
Ｔｎ２＝Ｔｎ１＋ＷＤ×ε

ここで、係数εは、磁気テープ１の幅を単位距離分変化させるために必要な磁気テープ１の長手方向でのテンションを表す値である。

データ再生時における磁気テープ１のテンションＴｎ２を決定した後、制御装置３８は、スピンドル３１及び巻取りリール３２の駆動の制御により、そのテンションＴｎ２で磁気テープ１が走行するように磁気テープ１の走行を制御する。そして、制御装置３８は、ヘッドユニット３６のサーボリードヘッドによりサーボバンドｓのサーボ信号７を読み取りながら、ヘッドユニット３６のデータライト／リードヘッドにより、記録トラック６に記録されたデータの再生を行う。

このような方法でテンションＴｎ２が決定された場合においても、何らかの原因（例えば、温度、湿度の変動）で、磁気テープ１の幅が変動したような場合に、磁気テープ１に記録されたデータを正確に再生することができる。

＜作用等＞
以上説明したように、本実施形態では、磁気テープ１のデータ記録時情報がカートリッジメモリ９に記憶されているので、この情報をデータ再生時に利用することで、磁気テープ１の幅を適切に調整することができる。従って、磁気テープ１の幅が何らかの理由で変動したような場合でも、磁気テープ１に記録されたデータを正確に再生することができる。

また、本実施形態では、データ記録時情報として、データ記録時における磁気テープ１の周囲の温度Ｔｍ１の情報及び湿度Ｈ１の情報（環境情報）が書き込まれる。

従って、温度、湿度の変動による、磁気テープ１の幅、記録トラック６の幅の変動に適切に対応することができる。

データ記録時情報として、温度Ｔｍ１の情報、又は、湿度Ｈ１の情報が用いられる場合の作用について、比較例との比較により、具体的に説明する。図７は、比較例において温度、湿度が変動した場合において、磁気テープ１の幅が変動してしまった場合の図である。図８は、本実施形態において温度、湿度が変動した場合において、磁気テープ１の幅が変動してしまった場合の図である。

図７を参照して比較例では、磁気テープ１にデータが記録された後、温度、湿度が変動し、その温度、湿度で、磁気テープ１（カートリッジ１０）が一定期間保管されると、磁気テープ１の幅、記録トラック６の幅が変動してしまう。

この場合、温度が低くなるように温度が変動した場合には、磁気テープ１の幅、記録トラック６の幅は狭くなり、温度が高くなるように温度が変動した場合には、磁気テープ１の幅、記録トラック６の幅は広くなる。また、湿度が低くなるように湿度が変動した場合には、磁気テープ１の幅、記録トラック６の幅は狭くなり、湿度が高くなるように湿度が変動した場合には、磁気テープ１の幅、記録トラック６の幅は広くなる。

磁気テープ１（カートリッジ１０）が一定期間保管された後、比較例においては、データ記録時のテンションと同じテンションが掛けられて磁気テープ１が走行され、この状態で、磁気テープ１からデータの再生が行われる。この場合、磁気テープ１の幅、記録トラック６の幅が、データ記録時とは異なる状態で再生が行われるので、データライト／リードヘッドが、記録トラック６に対して正確に位置合わせすることができず、エラーが発生（再生不可）してしまう。

一方、図８を参照して本実施形態では、磁気テープ１にデータが記録されるときに、カートリッジメモリ９に対して、温度Ｔ１、湿度Ｈ１の情報が書き込まれる。その後、本実施形態においても、比較例と同様に、温度、湿度が変動し、その温度、湿度で、磁気テープ１（カートリッジ１０）が一定期間保管されると、磁気テープ１の幅、記録トラック６の幅が変動してしまう。

しかしながら、本実施形態では、データ再生時において、温度Ｔｍ１、湿度Ｈ１の情報に基づいて、データ再生時における磁気テープ１のテンションＴｎ２の調整が行われる。そして、テンションＴｎ２の調整により、磁気テープ１の幅、記録トラック６の幅の調整が行われる。

これにより、温度が低くなるように温度が変動して、磁気テープ１の幅、記録トラック６の幅が狭くなった場合には、磁気テープ１の幅、記録トラック６の幅を広げてデータ再生時と同じ幅を再現することができる。また、温度が高くなるように温度が変動して、磁気テープ１の幅、記録トラック６の幅が広がった場合には、磁気テープ１の幅、記録トラック６の幅を狭めてデータ再生時と同じ幅を再現することができる。

同様に、湿度が低くなるように湿度が変動して、磁気テープ１の幅、記録トラック６の幅が狭くなった場合には、磁気テープ１の幅、記録トラック６の幅を広げてデータ再生時と同じ幅を再現することができる。また、湿度が高くなるように湿度が変動して、磁気テープ１の幅、記録トラック６の幅が広がった場合には、磁気テープ１の幅、記録トラック６の幅を狭めてデータ再生時と同じ幅を再現することができる。

このように、本実施形態では、データ再生時において、磁気テープ１の幅がデータ記録時における磁気テープ１の幅と同じとなるように、磁気テープ１の幅が調整される。従って、データ再生時において、ヘッドユニット３６のデータライト／リードヘッドは、記録トラック６に対して正確に位置合わせすることができる。これにより、温度、湿度の変動で、磁気テープ１の幅が変動したような場合でも、磁気テープ１に記録されたデータを正確に再生することができる。

また、本実施形態では、データ再生時において、データ記録時の温度Ｔｍ１、湿度Ｈ１と、データ再生時の温度Ｔｍ２、湿度Ｈ２との差ＴｍＤ、ＨＤに基づいて、磁気テープ１の幅が調整される。これにより、データ再生時において、磁気テープ１の幅を更に適切に調整することができる。

また、本実施形態では、データ記録時情報として、データ記録時における磁気テープ１のテンションの情報が書き込まれる。

従って、データ記録／再生装置３０は、データ再生時において磁気テープ１にどのようなテンションが掛けられてデータが記録されたのかを認識することができる。これにより、データ再生時において、磁気テープ１の幅、記録トラック６の幅について、データ再生時と同じ幅を再現することができ、磁気テープ１に記録されたデータを正確に再生することができる。

また、本実施形態では、データ記録時情報として、データ記録時における磁気テープ１の幅の情報が書き込まれる。

従って、データ記録／再生装置３０は、データ再生時においてどのような幅で磁気テープ１にデータが記録されたのかを認識することができる。これにより、データ再生時において、磁気テープ１の幅、記録トラック６の幅について、データ再生時と同じ幅を再現することができ、磁気テープ１に記録されたデータを正確に再生することができる。

データ記録時情報として、磁気テープ１のテンションＴｍ１の情報、又は、幅Ｗ１の情報が用いられる場合の作用について、比較例との比較により、具体的に説明する。

図９は、比較例において、カートリッジメモリ９に対して、データ記録時の磁気テープ１のテンションＴｍ１、幅Ｗ１の情報を書き込まなかった場合の図である。図１０は、本実施形態において、カートリッジメモリ９に対して、データ記録時の磁気テープ１のテンションＴｍ１、又は幅Ｗ１の情報を書き込んだ場合の図である。なお、図９及び図１０の説明では、便宜的に、温度、湿度は一定であるとする（本実施形態では、温度、湿度の変動にも対応できるので、異なっていても構わないが）。

図９を参照して比較例では、データ記録／再生装置３０によって磁気テープ１にデータが記録される。その後、カートリッジ１０がそのデータ記録／再生装置３０から取り出され、カートリッジ１０が別のデータ記録／再生装置３０（同じ装置であってもよいが）にローディングされる。その後、その別のデータ記録／再生装置３０によって、磁気テープ１が走行されたところ、データ記録時テンションとは異なる磁気テープ１が走行されたとする（データ記録時のテンションＴｍ１、幅Ｗ１が分からないので）。

この場合、磁気テープ１の幅、記録トラック６の幅が、データ記録時に比べて変動してしまう。例えば、テンションが高くなるようにテンションが変動した場合には、磁気テープ１の幅、記録トラック６の幅は狭くなり、テンションが低くなるようにテンションが変動した場合には、磁気テープ１の幅、記録トラック６の幅は広くなる。

このように、比較例では、磁気テープ１の幅、記録トラック６の幅が、データ記録時とは異なる状態で再生が行われるので、データライト／リードヘッドが、記録トラック６に対して正確に位置合わせすることができず、エラーが発生（再生不可）してしまう。

一方、図１０を参照して本実施形態では、磁気テープ１にデータが記録されるときに、カートリッジメモリ９に対して、磁気テープ１のテンションＴｎ、又は幅Ｗ１の情報が書き込まれる。その後、比較例と同様に、カートリッジ１０がそのデータ記録／再生装置３０から取り出され、カートリッジ１０が別のデータ記録／再生装置３０（同じ装置であってもよいが）にローディングされる。

その後、その別のデータ記録／再生装置３０によって、磁気テープ１が走行されるとき、本実施形態では、データ記録時の磁気テープ１のテンションＴｎ１、又は幅Ｗ１が分かるので、データ記録時と同じテンションを再現することができる。従って、本実施形態では、データ再生時において、磁気テープ１の幅がデータ記録時における磁気テープ１の幅と同じとなるように、磁気テープ１の幅を調整することができる。従って、磁気テープ１に記録されたデータを正確に再生することができる。

＜各種変形例＞
ここで、温度、湿度による磁気テープ１の幅、記録トラック６の幅の変動は、磁気テープ１において幅方向（Ｙ軸方向）で中央の位置よりも、幅方向で両端側の位置の方が、その変動が大きい可能性がある。従って、磁気テープ１に記録されたデータが再生されるとき、幅方向でのデータの読み出し位置に応じて、磁気テープ１のテンションＴｎ２の大きさが異ならされてもよい。

例えば、磁気テープ１において読み出すべきデータが記録された位置が、幅方向での中央付近である場合の磁気テープ１のテンションがＴｎ２（ａ）であるとする。また、磁気テープ１において読み出すべきデータが記録された位置が幅方向で両端側である場合の磁気テープ１のテンションがＴｎ２（ｂ）であるとする。

この場合、データ再生時の温度、湿度がデータ記録時よりも高くなって、磁気テープ１の幅が広がっている場合には、Ｔｎ（ａ）＜Ｔｎ２（ｂ）となるように、データ再生時の磁気テープ１のテンションＴｎが調整される。

逆に、データ再生時の温度、湿度がデータ記録時よりも低くなって、磁気テープ１の幅が狭まっている場合には、Ｔｎ（ａ）＞Ｔｎ２（ｂ）となるように、データ再生時の磁気テープ１のテンションＴｎが調整される。

以上の説明では、データ記録時情報として、温度Ｔｍ１の情報、湿度Ｈ１の情報、テンションＴ１の情報、幅Ｗ１の情報の全てが用いられる場合について説明した。一方、データ記録時情報は、温度Ｔｍ１の情報、湿度Ｈ１の情報、テンションＴ１の情報、及び幅Ｗ１の情報のうちいずれか１つであってもよいし、任意の２つ、３つの組合せであってもよい。

カートリッジメモリ９に対して、データ記録時情報だけでなく、データ再生時の情報（温度Ｔｍ２、湿度Ｈ２、テンションＴｎ２、幅Ｗ２）が記録されてもよい。このデータ再生時の情報は、データが再生された後、さらに別の機会に磁気テープ１内のデータが再生されるときに使用される。

ここで、上述のように、磁気テープ１のデータ記録時におけるテンションが必要以上に高いテンションであると、巻き張力の影響で、カートリッジ１０の内部で磁気テープ１の幅が広がってしまう場合がある。これに対処するために、データ記録時の磁気テープ１のテンションＴｎ１が閾値よりも高い場合には、データ再生時において、このテンションｎ１に基づいて、カートリッジ１０の内部で広がってしまった磁気テープ１の幅を予測してもよい。

以上の説明では、装置の一例として、データの記録／再生の両方の機能を備えたデータ記録／再生装置３０を例に挙げて説明した。一方、データ記録／再生装置３０は、少なくともデータの記録の機能を備えたデータ記録装置と、少なくともデータの再生の機能を備えたデータ再生装置とで別体であってもよい。

＜磁気記録媒体＞
続いて、磁気テープ１に用いられる磁気記録媒体の詳細の一例について説明する。

本発明者らは、薄く、長手方向のテンションを調整する記録再生装置における使用に適している磁気記録媒体について検討した。その結果、本発明者らは特定の構成を有する磁気記録媒体がこれらの要件を満たすことを見出した。すなわち、本技術では、磁性層、非磁性層、及びベース層をこの順に有する層構造を有し、平均厚みｔ_Ｔが、ｔ_Ｔ≦５．５μｍであり、長手方向のテンション変化に対する幅方向の寸法変化量Δｗが、６６０ｐｐｍ／Ｎ≦Δｗであり、且つ、前記非磁性層の平均厚みｔ_ｎが、ｔ_ｎ≦１．０μｍである、磁気記録媒体を用いることができる。

寸法変化量Δｗが６６０ｐｐｍ／Ｎ≦Δｗであり且つ平均厚みｔ_ｎがｔ_ｎ≦１．０μｍであることが、薄い磁気記録媒体を、長手方向のテンションを調整する記録再生装置における使用に適しているものとする。
また、磁気記録媒体の長手方向のテンション変化による幅方向の寸法変化量Δｗは、磁気記録媒体の各層のうちベース層の物理的特性に大きく依存するが、磁性層とベース層との間に配置される非磁性層の物理的特性にも依存し、特に非磁性層の厚みｔ_ｎに依存すると考えられる。ｔ_ｎ≦１．０μｍであることが、Δｗを大きくするために適していると考えられる。

本技術に従う磁気記録媒体の平均厚みｔ_Ｔは、５．５μｍ以下であり、より好ましくは５．３μｍ以下であり、さらにより好ましくは５．２μｍ以下、５．０μｍ以下又は４．６μｍ以下でありうる。本技術に従う磁気記録媒体はこのように薄いものであるので、例えば１つの磁気記録カートリッジ中に巻き取られるテープ長をより長くすることができ、これにより１つの磁気記録カートリッジ当たりの記録容量を高めることができる。

本技術に従う磁気記録媒体は、長手方向のテンション変化に対する幅方向の寸法変化量Δｗが、６６０ｐｐｍ／Ｎ以上であり、好ましくは６７０ｐｐｍ／Ｎ以上であり、より好ましくは７００ｐｐｍ／Ｎ以上であり、さらにより好ましくは７１０ｐｐｍ／Ｎ以上、７３０ｐｐｍ／Ｎ以上、７５０ｐｐｍ／Ｎ以上、７８０ｐｐｍ／Ｎ以上、又は８００ｐｐｍ／Ｎ以上であってよい。磁気記録媒体が上記数値範囲内の寸法変化量ΔＷを有することが、当該磁気記録媒体の長手方向のテンションを調整することで当該磁気記録媒体の幅を一定に保つことを可能とすることに貢献する。
また、前記寸法変化量ΔＷの上限は、特に限定されるものではないが、例えば１７０００００ｐｐｍ／Ｎ以下、好ましくは２００００ｐｐｍ／Ｎ以下、より好ましくは８０００ｐｐｍ／Ｎ以下、さらにより好ましくは５０００ｐｐｍ／Ｎ以下、４０００ｐｐｍ／Ｎ以下、３０００ｐｐｍ／Ｎ以下、又は２０００ｐｐｍ／Ｎ以下でありうる。寸法変化量ΔＷが大きすぎる場合、製造工程内で安定して走行させることが困難になる場合がある

本技術に従う磁気記録媒体の非磁性層の平均厚みｔ_ｎは、好ましくはｔ_ｎ≦１．０μｍであり、より好ましくはｔ_ｎ≦０．９μｍであり、さらにより好ましくはｔ_ｎ≦０．７μｍである。非磁性層の平均厚みｔ_ｎは、例えば０．０１μｍ≦ｔ_ｎであり、好ましくは０．０２μｍ≦ｔ_ｎである。

本技術に従う磁気記録媒体の前記バック層の表面粗度Ｒ_ａｂは、好ましくは３．０ｎｍ≦Ｒ_ａｂ≦７．５ｎｍであり、より好ましくは３．０ｎｍ≦Ｒａｂ≦７．３ｎｍである。表面粗度Ｒ_ａｂが上記数値範囲内にあることが、磁気記録媒体のハンドリング性の向上に貢献する。
前記バック層の表面粗度Ｒ_ａｂは、より好ましくは７．２ｎｍ以下であり、さらにより好ましくは７．０ｎｍ以下、６．５ｎｍ以下、６．３ｎｍ以下、又は６．０ｎｍ以下であってよい。また、前記表面粗度Ｒ_ａｂは、より好ましくは３．２ｎｍ以上であり、さらにより好ましくは３．４ｎｍ以上であってよい。表面粗度Ｒ_ａｂが上記数値範囲内にあることによって、特には上記上限値以下であることによって、ハンドリング性の向上に加えて、良好な電磁変換特性を達成することができる。

本技術に従い磁気記録媒体は、好ましくは長尺状の磁気記録媒体であり、例えば磁気記録テープ（特には長尺状の磁気記録テープ）でありうる。

本技術に従う磁気記録媒体は、磁性層、非磁性層、及びベース層に加えて、他の層を含んでいてよい。当該他の層は、磁気記録媒体の種類に応じて適宜選択されてよい。本技術に従う磁気記録媒体は、例えば塗布型の磁気記録媒体であってよく又は真空薄膜型の磁気記録媒体であってよい。

本技術に従う磁気記録媒体は、例えば少なくとも一つのデータバンドと少なくとも二つのサーボバンドとを有してよく、好ましくは複数のデータバンドと複数のサーボバンドとを有しうる。データバンドの数は例えば２〜１０であり、特には３〜６、より特には４又は５でありうる。サーボバンドの数は、例えば３〜１１であり、特には４〜７であり、より特には５又は６でありうる。これらサーボバンド及びデータバンドは、例えば長尺状の磁気記録媒体（特には磁気記録テープ）の長手方向に延びるように、特には略平行となるように配置されていてよい。前記データバンド及び前記サーボバンドは、前記磁性層に設けられうる。このようにデータバンド及びサーボバンドを有する磁気記録媒体として、ＬＴＯ（Linear Tape-Open）規格に従う磁気記録テープを挙げることができる。すなわち、本技術に従う磁気記録媒体は、ＬＴＯ規格に従う磁気記録テープであってよい。例えば、本技術に従う磁気記録媒体は、ＬＴＯ８又はそれ以降の規格（例えばＬＴＯ９、ＬＴＯ１０、ＬＴＯ１１、又はＬＴＯ１２など）に従う磁気記録テープであってよい。
本技術に従う長尺状の磁気記録媒体（特には磁気記録テープ）の幅は、例えば５ｍｍ〜３０ｍｍであり、特には７ｍｍ〜２５ｍｍであり、より特には１０ｍｍ〜２０ｍｍ、さらにより特には１１ｍｍ〜１９ｍｍでありうる。長尺状の磁気記録媒体（特には磁気記録テープ）の長さは、例えば５００ｍ〜１５００ｍでありうる。例えばＬＴＯ８規格に従うテープ幅は１２．６５ｍｍであり、長さは９６０ｍである。

（１）磁気記録媒体の構成
図２を参照して説明したように、磁気記録媒体（磁気テープ１）は、例えば垂直配向処理を施した磁気記録媒体であって、長尺状のベース層（基材２）と、ベース層の一方の主面上に設けられた下地層（非磁性層３）と、下地層上に設けられた磁性層あるいは記録層（磁性層４）と、ベース層の他方の主面上に設けられたバック層（バック層５）とを備える。以下では、磁気記録媒体の両主面のうち、磁性層が設けられた側の面を磁性面といい、当該磁性面とは反対側の面（バック層が設けられた側の面）をバック面という。

磁気記録媒体は長尺状を有し、記録再生の際には長手方向に走行される。また、磁気記録媒体は、好ましくは１００ｎｍ以下、より好ましくは７５ｎｍ以下、更により好ましくは６０ｎｍ以下、特に好ましくは５０ｎｍ以下の最短記録波長で信号を記録可能に構成されていてよく、例えば最短記録波長が上記範囲内にある記録再生装置に用いられうる。この記録再生装置は、記録用ヘッドとしてリング型ヘッドを備えるものであってもよい。記録トラック幅は、例えば２μｍ以下である。

（２）各層の説明
（ベース層）
ベース層は、磁気記録媒体の支持体として機能しうるものであり、例えば可撓性を有する長尺状の非磁性基体であり、特には非磁性のフィルムでありうる。ベース層の厚みは、例えば２μｍ以上８μｍ以下であり、好ましくは２．２μｍ以上７μｍ以下であり、より好ましくは２．５μｍ以上６μｍ以下であり、さらにより好ましくは２．６μｍ以上５μｍ以下でありうる。ベース層は、例えば、ポリエステル系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、セルロース誘導体、ビニル系樹脂、芳香族ポリエーテルケトン樹脂、及びその他の高分子樹脂のうちの少なくとも１種を含みうる。ベース層が上記材料のうちの２種以上を含む場合、それらの２種以上の材料は混合されていてもよいし、共重合されていてもよいし、又は、積層されていてもよい。

前記ポリエステル系樹脂は、例えば、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＢＴ（ポリブチレンテレフタレート）、ＰＢＮ（ポリブチレンナフタレート）、ＰＣＴ（ポリシクロヘキシレンジメチレンテレフタレート）、ＰＥＢ（ポリエチレン−ｐ−オキシベンゾエート）、及びポリエチレンビスフェノキシカルボキシレートのうちの１種又は２種以上の混合物であってよい。本技術の好ましい実施態様に従い、ベース層１１は、ＰＥＴ又はＰＥＮから形成されてよい。

前記ポリオレフィン系樹脂は、例えば、ＰＥ（ポリエチレン）及びＰＰ（ポリプロピレン）のうちの１種又は２種以上の混合物であってよい。

前記セルロース誘導体は、例えば、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート、ＣＡＢ（セルロースアセテートブチレート）、及びＣＡＰ（セルロースアセテートプロピオネート）のうちの１種又は２種以上の混合物であってよい。

前記ビニル系樹脂は、例えば、ＰＶＣ（ポリ塩化ビニル）及びＰＶＤＣ（ポリ塩化ビニリデン）のうちの１種又は２種以上の混合物であってよい。

前記芳香族ポリエーテルケトン樹脂は、例えば、ＰＥＫ（ポリエーテルケトン）、ＰＥＥＫ（ポリエーテルエーテルケトン）、ＰＥＫＫ（ポリエーテルケトンケトン）、及びＰＥＥＫＫ（ポリエーテルエーテルケトンケトン）のうちの１種又は２種以上の混合物であってよい。本技術の好ましい実施態様に従い、ベース層は、ＰＥＥＫから形成されてよい。

前記その他の高分子樹脂は、例えば、ＰＡ（ポリアミド、ナイロン）、芳香族ＰＡ（芳香族ポリアミド、アラミド）、ＰＩ（ポリイミド）、芳香族ＰＩ（芳香族ポリイミド）、ＰＡＩ（ポリアミドイミド）、芳香族ＰＡＩ（芳香族ポリアミドイミド）、ＰＢＯ（ポリベンゾオキサゾール、例えばザイロン（登録商標））、ポリエーテル、ポリエーテルエステル、ＰＥＳ（ポリエーテルサルフォン）、ＰＥＩ（ポリエーテルイミド）、ＰＳＦ（ポリスルフォン）、ＰＰＳ（ポリフェニレンスルフィド）、ＰＣ（ポリカーボネート）、ＰＡＲ（ポリアリレート）、及びＰＵ（ポリウレタン）のうちの１種又は２種以上の混合物であってよい。

（磁性層）
磁性層は、例えば垂直記録層でありうる。磁性層は、磁性粉を含みうる。磁性層は、磁性粉に加えて、例えば結着剤及び導電性粒子をさらに含みうる。磁性層は、必要に応じて、例えば潤滑剤、研磨剤、及び防錆剤などの添加剤をさらに含んでいてもよい。

磁性層の平均厚みｔ_ｍは、好ましくは３５ｎｍ≦ｔ_ｍ≦１２０ｎｍであり、より好ましくは３５ｎｍ≦ｔ_ｍ≦１００ｎｍであり、特に好ましくは３５ｎｍ≦ｔ_ｍ≦９０ｎｍでありうる。磁性層の平均厚みｔ_ｍが上記数値範囲内にあることが、電磁変換特性の向上に貢献する。

磁性層の平均厚みｔ_ｍは以下のようにして求められる。まず、磁気記録媒体を、その主面に対して垂直に薄く加工して試料片を作製し、その試験片の断面を透過型電子顕微鏡（Transmission Electron Microscope：ＴＥＭ）により、下記の条件で観察を行う。
装置：ＴＥＭ（日立製作所製Ｈ９０００ＮＡＲ）
加速電圧：３００ｋＶ
倍率：１００，０００倍
次に、得られたＴＥＭ像を用い、磁気記録媒体の長手方向で少なくとも１０点以上の位置で磁性層の厚みを測定した後、それらの測定値を単純平均（算術平均）して磁性層の平均厚みｔ_ｍ（ｎｍ）とする。

磁性層は、好ましくは垂直配向している磁性層である。本明細書内において、垂直配向とは、磁気記録媒体の長手方向（走行方向）に測定した角形比Ｓ１が３５％以下であることをいう。当該角形比Ｓ１の測定方法は、以下で別途説明する。
なお、磁性層は、面内配向（長手配向）している磁性層であってもよい。すなわち、磁気記録媒体が水平記録型の磁気記録媒体であってもよい。しかしながら、高記録密度化という点で、垂直配向がより好ましい。

（磁性粉）
磁性層に含まれる磁性粉をなす磁性粒子として、例えばイプシロン型酸化鉄（ε酸化鉄）、ガンマヘマタイト、マグネタイト、二酸化クロム、コバルト被着酸化鉄、六方晶フェライト、バリウムフェライト（ＢａＦｅ）、Ｃｏフェライト、ストロンチウムフェライト、及びメタル（金属）などを挙げることができるが、これらに限定されない。前記磁性粉は、これらのうちの１種であってよく、又は、２種以上の組合せであってもよい。特に好ましくは、前記磁性粉は、ε酸化鉄磁性粉、バリウムフェライト磁性粉、コバルトフェライト磁性粉、又はストロンチウムフェライト磁性粉を含みうる。なお、ε酸化鉄はＧａ及び／又はＡｌを含んでいてもよい。これらの磁性粒子については、例えば磁性層の製造方法、テープの規格、及びテープの機能などの要因に基づいて当業者により適宜選択されてよい。

磁性粉の平均粒子サイズ（平均最大粒子サイズ）Ｄは、好ましくは２２ｎｍ以下、より好ましくは８ｎｍ以上２２ｎｍ以下、更により好ましくは１０ｎｍ以上２０ｎｍ以下でありうる。

上記の磁性粉の平均粒子サイズＤは、以下のようにして求められる。まず、測定対象となる磁気記録媒体をＦＩＢ（Focused Ion Beam）法などにより加工して薄片を作製し、ＴＥＭにより薄片の断面観察を行う。次に、撮影したＴＥＭ写真から５００個のε酸化鉄粒子を無作為に選び出し、それぞれの粒子の最大粒子サイズｄ_ｍａｘを測定して、磁性粉の最大粒子サイズｄ_ｍａｘの粒度分布を求める。ここで、"最大粒子サイズｄ_ｍａｘ"とは、いわゆる最大フェレ径を意味し、具体的には、ε酸化鉄粒子の輪郭に接するように、あらゆる角度から引いた２本の平行線間の距離のうち最大のものをいう。その後、求めた最大粒子サイズｄ_ｍａｘの粒度分布から最大粒子サイズｄ_ｍａｘのメジアン径（５０％径、Ｄ５０）を求めて、これを磁性粉の平均粒子サイズ（平均最大粒子サイズ）Ｄとする。

磁性粒子の形状は、磁性粒子の結晶構造に依拠している。例えば、ＢａＦｅ及びストロンチウムフェライトは六角板状でありうる。ε酸化鉄は球状でありうる。コバルトフェライトは立方状でありうる。メタルは紡錘状でありうる。磁気記録媒体の製造工程においてこれらの磁性粒子が配向される。

本技術の一つの好ましい実施態様に従い、前記磁性粉は、好ましくはε酸化鉄を含むナノ粒子（以下「ε酸化鉄粒子」という。）の粉末を含みうる。ε酸化鉄粒子は微粒子でも高保磁力を得ることができる。ε酸化鉄粒子に含まれるε酸化鉄は、磁気記録媒体の厚み方向（垂直方向）に優先的に結晶配向していることが好ましい。

ε酸化鉄粒子は、球状若しくはほぼ球状を有しているか、又は、立方体状若しくはほぼ立方体状を有している。ε酸化鉄粒子が上記のような形状を有しているため、磁性粒子としてε酸化鉄粒子を用いた場合、磁性粒子として六角板状のバリウムフェライト粒子を用いた場合に比べて、媒体の厚み方向における粒子同士の接触面積を低減し、粒子同士の凝集を抑制できる。したがって、磁性粉の分散性を高め、より良好なＳＮＲ（Signal-to-Noise Ratio）を得ることができる。

ε酸化鉄粒子は、コアシェル型構造を有する。具体的には、ε酸化鉄粒子は、図１１に示すように、コア部１２１と、このコア部１２１の周囲に設けられた２層構造のシェル部１２２とを備える。２層構造のシェル部１２２は、コア部１２１上に設けられた第１シェル部１２２ａと、第１シェル部２２ａ上に設けられた第２シェル部１２２ｂとを備える。

コア部１２１は、ε酸化鉄を含む。コア部１２１に含まれるε酸化鉄は、ε−Ｆｅ_２Ｏ_３結晶を主相とするものが好ましく、単相のε−Ｆｅ_２Ｏ_３からなるものがより好ましい。

第１シェル部１２２ａは、コア部１２１の周囲のうちの少なくとも一部を覆っている。具体的には、第１シェル部１２２ａは、コア部１２１の周囲を部分的に覆っていてもよいし、コア部１２１の周囲全体を覆っていてもよい。コア部１２１と第１シェル部１２２ａの交換結合を十分なものとし、磁気特性を向上する観点からすると、コア部１２１の表面全体を覆っていることが好ましい。

第１シェル部１２２ａは、いわゆる軟磁性層であり、例えば、α−Ｆｅ、Ｎｉ−Ｆｅ合金又はＦｅ−Ｓｉ−Ａｌ合金などの軟磁性体を含みうる。α−Ｆｅは、コア部２１に含まれるε酸化鉄を還元することにより得られるものであってもよい。

第２シェル部１２２ｂは、酸化防止層としての酸化被膜である。第２シェル部１２２ｂは、α酸化鉄、酸化アルミニウム、又は酸化ケイ素を含みうる。α酸化鉄は、例えばＦｅ_３Ｏ_４、Ｆｅ_２Ｏ_３、及びＦｅＯのうちの少なくとも１種の酸化鉄を含みうる。第１シェル部１２２ａがα−Ｆｅ（軟磁性体）を含む場合には、α酸化鉄は、第１シェル部１２２ａに含まれるα−Ｆｅを酸化することにより得られるものであってもよい。

ε酸化鉄粒子が、上述のように第１シェル部１２２ａを有することで、熱安定性を確保することができ、これによりコア部１２１単体の保磁力Ｈｃを大きな値に保ちつつ且つ／又はε酸化鉄粒子（コアシェル粒子）全体としての保磁力Ｈｃを記録に適した保磁力Ｈｃに調整できる。また、ε酸化鉄粒子が、上述のように第２シェル部１２２ｂを有することで、磁気記録媒体の製造工程及びその工程前において、ε酸化鉄粒子が空気中に暴露されて、粒子表面に錆びなどが発生することにより、ε酸化鉄粒子の特性が低下することを抑制することができる。したがって、磁気記録媒体の特性劣化を抑制することができる。

ε酸化鉄粒子は、図１２に示されるとおり、単層構造のシェル部１２３を有していてもよい。この場合、シェル部１２３は、第１シェル部１２２ａと同様の構成を有する。但し、ε酸化鉄粒子の特性劣化を抑制する観点からすると、ε酸化鉄粒子が２層構造のシェル部１２２を有していることがより好ましい。

ε酸化鉄粒子は、コアシェル構造に代えて添加剤を含んでいてもよく、又は、コアシェル構造を有すると共に添加剤を含んでいてもよい。これらの場合、ε酸化鉄粒子のＦｅの一部が添加剤で置換される。ε酸化鉄粒子が添加剤を含むことによっても、ε酸化鉄粒子全体の保磁力Ｈｃを記録に適した保磁力Ｈｃに調整できるため、記録容易性を向上することができる。添加剤は、鉄以外の金属元素、好ましくは３価の金属元素、より好ましくはアルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、及びインジウム（Ｉｎ）からなる群より選ばれる１種以上である。
具体的には、添加剤を含むε酸化鉄は、ε−Ｆｅ_２−ｘＭ_ｘＯ_３結晶（ここで、Ｍは鉄以外の金属元素、好ましくは３価の金属元素、より好ましくは、Ａｌ、Ｇａ、及びＩｎからなる群より選ばれる１種以上である。ｘは、例えば０＜ｘ＜１である。）である。

本技術の他の好ましい実施態様に従い、前記磁性粉は、バリウムフェライト（ＢａＦｅ）磁性粉であってもよい。バリウムフェライト磁性粉は、バリウムフェライトを主相とする鉄酸化物の磁性粒子（以下「バリウムフェライト粒子」という。）を含む。バリウムフェライト磁性粉は、例えば高温多湿環境でも抗磁力が落ちないなど、データ記録の信頼性が高い。このような観点から、バリウムフェライト磁性粉は、前記磁性粉として好ましい。

バリウムフェライト磁性粉の平均粒子サイズは、５０ｎｍ以下、より好ましくは１０ｎｍ以上４０ｎｍ以下、さらにより好ましくは１２ｎｍ以上２５ｎｍ以下である。

磁性層が磁性粉としてバリウムフェライト磁性粉を含む場合、磁性層の平均厚みｔ_ｍ［ｎｍ］が、３５ｎｍ≦ｔ_ｍ≦１００ｎｍであることが好ましい。また、磁気記録媒体の厚み方向（垂直方向）に測定した保磁力Ｈｃが、好ましくは１６０ｋＡ／ｍ以上２８０ｋＡ／ｍ以下、より好ましくは１６５ｋＡ／ｍ以上２７５ｋＡ／ｍ以下、更により好ましくは１７０ｋＡ／ｍ以上２７０ｋＡ／ｍ以下である。

本技術のさらに他の好ましい実施態様に従い、磁性粉は、コバルトフェライト磁性粉でありうる。コバルトフェライト磁性粉は、コバルトフェライトを主相とする鉄酸化物の磁性粒子（以下「コバルトフェライト磁性粒子」という。）を含む。コバルトフェライト磁性粒子は、一軸異方性を有することが好ましい。コバルトフェライト磁性粒子は、例えば、立方体状又はほぼ立方体状を有している。コバルトフェライトは、Ｃｏを含むコバルトフェライトである。コバルトフェライトが、Ｃｏ以外にＮｉ、Ｍｎ、Ａｌ、Ｃｕ、及びＺｎからなる群より選ばれる１種以上をさらに含んでいてもよい。

コバルトフェライトは、例えば以下の式（１）で表される平均組成を有する。
Ｃｏ_ｘＭ_ｙＦｅ_２Ｏ_ｚ・・・（１）
（但し、式（１）中、Ｍは、例えば、Ｎｉ、Ｍｎ、Ａｌ、Ｃｕ、及びＺｎからなる群より選ばれる１種以上の金属である。ｘは、０．４≦ｘ≦１．０の範囲内の値である。ｙは、０≦ｙ≦０．３の範囲内の値である。但し、ｘ及びｙは（ｘ＋ｙ）≦１．０の関係を満たす。ｚは３≦ｚ≦４の範囲内の値である。Ｆｅの一部が他の金属元素で置換されていてもよい。）

コバルトフェライト磁性粉の平均粒子サイズは、好ましくは２５ｎｍ以下、より好ましくは２３ｎｍ以下である。コバルトフェライト磁性粉の保磁力Ｈｃは、好ましくは２５００Ｏｅ以上、より好ましくは２６００Ｏｅ以上３５００Ｏｅ以下である。

本技術のさらに他の好ましい実施態様に従い、磁性粉が、六方晶フェライトを含有するナノ粒子（以下「六方晶フェライト粒子」という。）の粉末を含みうる。六方晶フェライト粒子は、例えば、六角板状又はほぼ六角板状を有する。六方晶フェライトは、好ましくはＢａ、Ｓｒ、Ｐｂ、及びＣａのうちの少なくとも１種、より好ましくはＢａ及びＳｒのうちの少なくとも１種を含みうる。六方晶フェライトは、具体的には例えばバリウムフェライト又はストロンチウムフェライトであってもよい。バリウムフェライトは、Ｂａ以外に、Ｓｒ、Ｐｂ、及びＣａのうちの少なくとも１種をさらに含んでいてもよい。ストロンチウムフェライトは、Ｓｒ以外に、Ｂａ、Ｐｂ、及びＣａのうちの少なくとも１種をさらに含んでいてもよい。
より具体的には、六方晶フェライトは、一般式ＭＦｅ_１２Ｏ_１９で表される平均組成を有しうる。ここで、Ｍは、例えばＢａ、Ｓｒ、Ｐｂ、及びＣａのうちの少なくとも１種の金属、好ましくはＢａ及びＳｒのうちの少なくとも１種の金属である。Ｍが、Ｂａと、Ｓｒ、Ｐｂ、及びＣａからなる群より選ばれる１種以上の金属との組み合わせであってもよい。また、Ｍが、Ｓｒと、Ｂａ、Ｐｂ、及びＣａからなる群より選ばれる１種以上の金属との組み合わせであってもよい。上記一般式においてＦｅの一部が他の金属元素で置換されていてもよい。
磁性粉が六方晶フェライト粒子の粉末を含む場合、磁性粉の平均粒子サイズは、好ましくは５０ｎｍ以下、より好ましくは１０ｎｍ以上４０ｎｍ以下、さらにより好ましくは１５ｎｍ以上３０ｎｍ以下である。

（結着剤）
結着剤としては、ポリウレタン系樹脂又は塩化ビニル系樹脂などに架橋反応を付与した構造の樹脂が好ましい。しかしながら結着剤はこれらに限定されるものではなく、磁気記録媒体に対して要求される物性などに応じて、その他の樹脂を適宜配合してもよい。配合する樹脂としては、通常、塗布型の磁気記録媒体において一般的に用いられる樹脂であれば、特に限定されない。

前記結着剤として、例えば、ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル−塩化ビニリデン共重合体、塩化ビニル−アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エステル−アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エステル−塩化ビニル−塩化ビニリデン共重合体、塩化ビニル−アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エステル−アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エステル−塩化ビニリデン共重合体、メタクリル酸エステル−塩化ビニリデン共重合体、メタクリル酸エステル−塩化ビニル共重合体、メタクリル酸エステル−エチレン共重合体、ポリ弗化ビニル、塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体、ポリアミド樹脂、ポリビニルブチラール、セルロース誘導体（セルロースアセテートブチレート、セルロースダイアセテート、セルローストリアセテート、セルロースプロピオネート、ニトロセルロース）、スチレンブタジエン共重合体、ポリエステル樹脂、アミノ樹脂、及び合成ゴムなどが挙げられる。

また、前記結着剤として、熱硬化性樹脂又は反応型樹脂が用いられてもよく、これらの例としては、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、アルキッド樹脂、シリコーン樹脂、ポリアミン樹脂、及び尿素ホルムアルデヒド樹脂などが挙げられる。

また、上述した各結着剤には、磁性粉の分散性を向上させる目的で、−ＳＯ_３Ｍ、−ＯＳＯ_３Ｍ、−ＣＯＯＭ、Ｐ＝Ｏ（ＯＭ）_２などの極性官能基が導入されていてもよい。ここで、式中Ｍは、水素原子、又は、リチウム、カリウム、及びナトリウムなどのアルカリ金属である。

更に、極性官能基としては、−ＮＲ１Ｒ２、−ＮＲ１Ｒ２Ｒ３^＋Ｘ⁻の末端基を有する側鎖型のもの、＞ＮＲ１Ｒ２^＋Ｘ⁻の主鎖型のものが挙げられる。ここで、式中Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３は、水素原子又は炭化水素基であり、Ｘ⁻は、弗素、塩素、臭素、若しくはヨウ素などのハロゲン元素イオン、又は、無機若しくは有機イオンである。また、極性官能基としては、−ＯＨ、−ＳＨ、−ＣＮ、及びエポキシ基なども挙げられる。

（添加剤）
磁性層は、非磁性補強粒子として、酸化アルミニウム（α、β、又はγアルミナ）、酸化クロム、酸化珪素、ダイヤモンド、ガーネット、エメリー、窒化ホウ素、チタンカーバイト、炭化珪素、炭化チタン、酸化チタン（ルチル型またはアナターゼ型の酸化チタン）などをさらに含有していてもよい。

（非磁性層）
非磁性層は、非磁性粉及び結着剤を主成分として含む。非磁性層は、下地層ともいう。上述の磁性層に含まれる結着剤に関する説明が、非磁性層に含まれる結着剤についても当てはまる。非磁性層は、必要に応じて、導電性粒子、潤滑剤、硬化剤、及び防錆剤などのうちの少なくとも１種の添加剤をさらに含んでいてもよい。

非磁性層の平均厚みｔ_ｎは、１．０μｍ以下であり、より好ましくは０．９μｍ以下であり、さらにより好ましくはｔ_ｎ≦０．７μｍである。非磁性層の平均厚みｔ_ｎは、例えば０．０１μｍ以上であり、好ましくは０．０２μｍ以上であり、より好ましくは０．４μｍ以上であり、特に好ましくは０．５μｍ以上である。なお、非磁性層の平均厚みｔ_ｎは、磁性層の平均厚みｔ_ｍと同様にして求められる。但し、ＴＥＭ像の倍率は、非磁性層の厚みに応じて適宜調整される。非磁性層の平均厚みｔ_ｎが上記数値範囲内にあることが、Δｗの上昇に貢献し、さらには磁気記録媒体を長手方向のテンションを調整する記録再生装置における使用に適しているものとする。

（非磁性粉）
非磁性層に含まれる非磁性粉は、例えば、無機粒子及び有機粒子から選ばれる少なくとも１種を含みうる。１種の非磁性粉を単独で用いてもよいし、又は、２種以上の非磁性粉を組み合わせて用いてもよい。無機粒子は、例えば、金属、金属酸化物、金属炭酸塩、金属硫酸塩、金属窒化物、金属炭化物、及び金属硫化物から選ばれる１種又は２種以上の組み合わせを含む。より具体的には、無機粒子は、例えばオキシ水酸化鉄、ヘマタイト、酸化チタン、及びカーボンブラックから選ばれる１種又は２種以上でありうる。非磁性粉の形状としては、例えば、針状、球状、立方体状、及び板状などの各種形状が挙げられるが、これらに特に限定されるものではない。
非磁性層に含まれる非磁性粉は、好ましくはＦｅ基含有非磁性粒子を含み、より好ましくはＦｅ基含有非磁性無機粒子を含む。Ｆｅ基含有非磁性粒子の例として、例えばオキシ水酸化鉄（特にはゲーサイト）及びヘマタイトを挙げることができ、これらのうちの１つ又は２以上の組合せを、前記非磁性粉として用いることができる。
非磁性粉は、例えばヘマタイトとカーボンブラックとの組合せであってもよい。ヘマタイト及びカーボンブラックの質量比は、例えば２：１〜２０：１、好ましくは５：１〜１５：１、より好ましくは８：１〜１２：１でありうる。
非磁性層が含有するＦｅ基非磁性粒子の粒子体積は、４．０×１０^−５μｍ^３以下であることが好ましく、３．０×１０^−５μｍ^３以下であることがより好ましく、２．０×１０^−５μｍ^３以下であることがさらにより好ましく、１．０×１０^−５μｍ^３以下であることがさらにより一層好ましい。非磁性層を薄くするほど、磁気記録媒体の磁性層側の表面性が悪化する傾向にあるが、非磁性層に含まれる非磁性粉の粒子体積を小さくするほど、該表面性の悪化を抑制でき、且つ、Δｗをより大きくすることができる。

以下、Ｆｅ基非磁性粒子の粒子体積の測定方法の一例について順を追って説明する。
１．試料前処理としてＦＩＢ法（μ-サンプリング法）による薄片化を磁気記録テープの長手方向に沿って行う。
２．得られた薄片サンプルのベース層、非磁性層及び磁性層が含まれる範囲の断面を観察する。この観察は、透過電子顕微鏡（日立ハイテクノロジーズ製Ｈ−９５００）を用いて、加速電圧３００ｋＶ、総合倍率２５００００倍の条件で行う。
３．得られた断面ＴＥＭ像において、非磁性層中に含まれる粒子に対して極微電子回折法を用いて、Ｆｅ基非磁性粒子を５０個特定する。この極微電子回折法は、透過電子顕微鏡（日本電子製ＪＥＭ−ＡＲＭ２００Ｆ）を用いて、加速電圧２００ｋＶ、カメラ長０．８ｍ、ビーム径約１ｎｍΦの条件で行う。
４．上記のように特定されたＦｅ基非磁性粒子５０個を用いて、該Ｆｅ基非磁性粒子の平均粒子体積を求める。Ｆｅ基非磁性粒子の平均粒子体積Ｖ_ａｖｅは、Ｖ_ａｖｅ＝（π／６）×ＤＳ_ａｖｅ ^２×ＤＬ_ａｖｅで算出できる。
そこで、先ず、各Ｆｅ基非磁性粒子の長軸長ＤＬと短軸長ＤＳを測定する。ここで、長軸長ＤＬとは、粒子の輪郭に接するように、あらゆる角度から引いた２本の平行線間の距離のうち最大のもの（いわゆる最大フェレ径）を意味する。一方、短軸長ＤＳとは、粒子の長軸と直交する方向における粒子の長さのうち最大のものを意味する。
次に、測定した５０個のＦｅ基非磁性粒子の長軸長ＤＬを単純に平均（算術平均）して平均長軸長ＤＬ_ａｖｅを求める。求めた平均長軸長ＤＬ_ａｖｅは、Ｆｅ基非磁性粒子の平均粒子サイズとも呼ばれる。また、測定した５０個のＦｅ基非磁性粒子の短軸長ＤＳを単純に平均（算術平均）して平均短軸長ＤＳ_ａｖｅを求める。
最後に、上記求めた平均長軸長ＤＬ_ａｖｅ及び平均短軸長ＤＳ_ａｖｅを上記Ｖ_ａｖｅの計算式に代入して、Ｖ_ａｖｅを求める。

（バック層）
バック層は、結着剤及び非磁性粉を含みうる。バック層は、必要に応じて潤滑剤、硬化剤、及び帯電防止剤などの各種添加剤を含んでいてもよい。上述の下地層に含まれる結着剤及び非磁性粉について述べた説明が、バック層に含まれる結着剤及び非磁性粉についても当てはまる。

バック層に含まれる無機粒子の平均粒子サイズは、好ましくは１０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下、より好ましくは１５ｎｍ以上１１０ｎｍ以下である。無機粒子の平均粒子サイズは、上記の磁性粉の平均粒子サイズＤと同様にして求められる。

バック層の平均厚みｔ_ｂは、ｔ_ｂ≦０．６μｍであることが好ましい。バック層の平均厚みｔ_ｂが上記範囲内にあることで、磁気記録媒体の平均厚みｔ_Ｔをｔ_Ｔ≦５．５μｍにした場合でも、下地層及びベース層の厚みを厚く保つことが出来、これにより磁気記録媒体の記録再生装置内での走行安定性を保つことが出来る。

バック層の平均厚みｔ_ｂは以下のようにして求められる。まず、１／２インチ幅の磁気記録媒体を準備し、それを２５０ｍｍの長さに切り出し、サンプルを作製する。次に、測定装置としてMitsutoyo社製レーザーホロゲージを用いて、サンプルの異なる場所の厚みを５点以上測定し、それらの測定値を単純平均（算術平均）して、平均値ｔ_Ｔ［μｍ］を算出する。続いて、サンプルのバック層をＭＥＫ（メチルエチルケトン）等の溶剤や希塩酸等で除去した後、再び上記のレーザーホロゲージを用いてサンプルの異なる場所の厚みを５点以上測定し、それらの測定値を単純に平均（算術平均）して平均値ｔ_Ｂ［μｍ］を算出する。その後、以下の式よりバック層の平均厚みｔ_ｂ（μｍ）を求める。
ｔ_ｂ［μｍ］＝ｔ_Ｔ［μｍ］−ｔ_Ｂ［μｍ］

（３）物性及び構造
（磁気記録媒体の平均厚みｔ_Ｔ）
磁気記録媒体の平均厚みｔ_Ｔは、ｔ_Ｔ≦５．５μｍである。磁気記録媒体の平均厚みｔ_Ｔがｔ_Ｔ≦５．５μｍであると、１データカートリッジ内に記録できる記録容量を従来よりも高めることができる。磁気記録媒体の平均厚みｔ_Ｔの下限値は特に限定されるものではないが、例えば、３．５［μｍ］≦ｔ_Ｔである。

磁気記録媒体の平均厚みｔ_Ｔは、バック層の平均厚みｔ_ｂの測定方法において説明した平均値ｔ_Ｔの測定方法により求められる。

（寸法変化量Δｗ）
磁気記録媒体の長手方向のテンション変化に対する磁気記録媒体の幅方向の寸法変化量Δｗ［ｐｐｍ／Ｎ］は、６６０ｐｐｍ／Ｎ≦Δｗであり、好ましくは６７０ｐｐｍ／Ｎ≦Δｗであり、より好ましくは６８０ｐｐｍ／Ｎ≦Δｗであり、より好ましくは７００ｐｐｍ／Ｎ≦Δｗであり、さらにより好ましくは７５０ｐｐｍ／Ｎ≦Δｗであり、特に好ましくは８００ｐｐｍ／Ｎ≦Δｗである。寸法変化量ΔｗがΔｗ＜６６０ｐｐｍ／Ｎであると、記録再生装置による長手方向のテンションの調整では、幅の変化を抑制することが困難となる虞がある。寸法変化量Δｗの上限値は特に限定されるものではないが、例えばΔｗ≦１７０００００ｐｐｍ／Ｎ、好ましくはΔｗ≦２００００ｐｐｍ／Ｎ、より好ましくはΔｗ≦８０００ｐｐｍ／Ｎ、さらにより好ましくはΔｗ≦５０００ｐｐｍ／Ｎ、Δｗ≦４０００ｐｐｍ／Ｎ、Δｗ≦３０００ｐｐｍ／Ｎ、又はΔｗ≦２０００ｐｐｍ／Ｎでありうる。
当業者は、寸法変化量Δｗを適宜設定することができる。例えば、寸法変化量Δｗは、ベース層の厚み及び／又はベース層の材料を選択することにより所望の値に設定されうる。また、寸法変化量Δｗは、例えばベース層を構成するフィルムの縦横方向の延伸強度を調整することによって、所望の値に設定されてもよい。例えば、幅方向により強く延伸することによって、Δｗはより低下し、反対に、縦方向における延伸を強めることによって、Δｗは上昇する。

寸法変化量Δｗは以下のようにして求められる。まず、１／２インチ幅の磁気記録媒体を準備し、それを２５０ｍｍの長さに切り出し、サンプル１０Ｓを作製する。次に、サンプル１０Ｓの長手方向に０．２Ｎ、０．６Ｎ、１．０Ｎの順で荷重をかけ、０．２Ｎ、０．６Ｎ、及び１．０Ｎの荷重におけるサンプル１０Ｓの幅を測定する。続いて、以下の式より寸法変化量Δｗを求める。なお、０．６Ｎの荷重をかけた場合の測定は、測定において異常が生じていないかを確認するため（特にはこれら３つの測定結果が直線的になっていることを確認するため）に行われるものであり、その測定結果は以下の式において用いられない。

（但し、式中、Ｄ（０．２Ｎ）及びＤ（１．０Ｎ）はそれぞれ、サンプル１０Ｓの長手方向に０．２Ｎ及び１．０Ｎに荷重をかけたときのサンプル１０Ｓの幅を示す。）

各荷重をかけたときのサンプル１０Ｓの幅は以下のようにして測定される。まず、測定装置としてキーエンス社製のデジタル寸法測定器ＬＳ−７０００を組み込んだ、図１３に示す測定装置を準備し、この測定装置にサンプル１０Ｓをセットする。具体的には、長尺状のサンプル（磁気記録媒体）１０Ｓの一端を固定部２３１により固定する。次に、図１３に示されるとおり、サンプル１０Ｓを、５本の略円柱状且つ棒状の支持部材２３２に乗せる。サンプル１０Ｓは、そのバック面が５本の支持部材２３２に接するように、これら支持部材に乗せられる。５本の支持部材２３２（特にその表面）はいずれもステンレス剛ＳＵＳ３０４から形成されており、その表面粗さＲｚ（最大高さ）は０．１５μｍ〜０．３μｍである。

５本の棒状の支持部材２３２の配置を、図１４を参照しながら説明する。図１４に示されるとおり、サンプル１０Ｓは、５本の支持部材２３２に乗せられている。５本の支持部材２３２について、以下では、固定部２３１に最も近いほうから「第１支持部材」、「第２支持部材」、「第３支持部材」（スリット２３２Ａを有する）、「第４支持部材」、及び「第５支持部材」（重り２３３に最も近い）という。これら５本の支持部材の直径は、７ｍｍである。第１支持部材と第２支持部材との距離ｄ_１（特にはこれら支持部材の中心の間の距離）は２０ｍｍである。第２支持部材と第３支持部材との距離ｄ_２は３０ｍｍである。第３支持部材と第４支持部材との距離ｄ_３は３０ｍｍである。第４支持部材と第５支持部材との距離ｄ_４は２０ｍｍである。また、サンプル１０Ｓのうち第２支持部材、第３支持部材、及び第４支持部材の間に乗っている部分が、重力方向に対して略垂直の平面を形成するように、これら３つの支持部材は配置されている。また、サンプル１０Ｓが、第１支持部材と第２支持部材との間では、前記略垂直の平面に対してθ_１＝３０°の角度を形成するように、第１支持部材及び第２支持部材は配置されている。さらに、サンプル１０Ｓが、第４支持部材と第５支持部材との間では、前記略垂直の平面に対してθ_２＝３０°の角度を形成するように、第４支持部材及び第５支持部材は配置されている。
また、５本の支持部材２３２のうち、第３支持部材は回転しないように固定されているが、その他の４本の支持部材は全て回転可能である。

サンプル１０Ｓは、支持部材２３２上でサンプル１０Ｓの幅方向に移動しないように保持される。なお、支持部材２３２のうち、発光器２３４及び受光器２３５の間に位置し且つ固定部２３１と荷重をかける部分とのほぼ中心に位置する支持部材２３２にはスリット２３２Ａが設けられている。スリット２３２Ａを介して発光器２３４から受光器２３５に光Ｌが照射されるようになっている。スリット２３２Ａのスリット幅は１ｍｍであり、光Ｌは、スリット２３２Ａの枠に遮られることなく、当該幅を通り抜けられる。

続いて、温度２５℃相対湿度５０％の一定環境下に制御されたチャンバー内に測定装置を収容した後、サンプル１０Ｓの他端に、０．２Ｎの荷重をかけるための重り２３３を取り付け、サンプル１０Ｓを上記環境内に２時間置く。２時間置いた後に、サンプル１０Ｓの幅を測定する。次に、０．２Ｎの荷重をかけるための重りを、０．６Ｎの荷重をかけるための重りに変更し、当該変更の５分後にサンプル１０Ｓの幅を測定する。最後に、１．０Ｎの荷重をかけるための重りに変更し、当該変更の５分後にサンプル１０Ｓの幅を測定する。
以上のとおり、重り２３３の重さを調整することによりサンプル１０Ｓの長手方向に加わる荷重を変化させることができる。各荷重が取り付けられた状態で、発光器２３４から受光器２３５に向けて光Ｌを照射し、長手方向に荷重が加えられたサンプル１０Ｓの幅を測定する。当該幅の測定は、サンプル１０Ｓがカールしていない状態で行われる。発光器２３４及び受光器２３５は、デジタル寸法測定器ＬＳ−７０００に備えられているものである。

（温度膨張係数α）
磁気記録媒体の温度膨張係数α［ｐｐｍ／℃］は、好ましくは５．５ｐｐｍ／℃≦α≦９ｐｐｍ／℃であり、より好ましくは５．９ｐｐｍ／℃≦α≦８ｐｐｍ／℃でありうる。温度膨張係数αが上記範囲内にあると、記録再生装置による磁気記録媒体の長手方向のテンションの調整により、磁気記録媒体の幅の変化を更に抑制することができる。

温度膨張係数αは以下のようにして求められる。まず、寸法変化量Δｗの測定方法と同様にしてサンプル１０Ｓを作製し、寸法変化量Δｗの測定方法と同様の測定装置にサンプル１０Ｓをセットしたのち、測定装置を温度２９℃相対湿度２４％の一定環境に制御されたチャンバー内に収容する。次に、サンプル１０Ｓの長手方向に０．２Ｎの荷重をかけ、上記環境にサンプル１０Ｓを２時間置く。その後、相対湿度２４％を保持したまま、４５℃、２９℃、及び１０℃の順で温度を変え、４５℃、２９℃、及び１０℃におけるサンプル１０Ｓの幅を測定し、以下の式より温度膨張係数αを求める。これら温度での測定は、各温度への到達後２時間後に行われる。なお、２９℃の温度における測定は、測定において異常が生じていないかを確認するため（特にはこれら３つの測定結果が直線的になっていることを確認するため）に行われるものであり、その測定結果は以下の式において用いられない。

（但し、式中、Ｄ（４５℃）及びＤ（１０℃）はそれぞれ、温度４５℃及び１０℃におけるサンプル１０Ｓの幅を示す。）

（湿度膨張係数β）
磁気記録媒体の湿度膨張係数β［ｐｐｍ／％ＲＨ］は、好ましくはβ≦５．５ｐｐｍ／％ＲＨであり、より好ましくはβ≦５．２ｐｐｍ／％ＲＨであり、さらにより好ましくはβ≦５．０ｐｐｍ／％ＲＨでありうる。湿度膨張係数βが上記範囲内にあると、記録再生装置による磁気記録媒体の長手方向のテンションの調整により、磁気記録媒体の幅の変化を更に抑制することができる。

湿度膨張係数βは以下のようにして求められる。まず、寸法変化量Δｗの測定方法と同様にしてサンプル１０Ｓを作製し、寸法変化量Δｗの測定方法と同様の測定装置にサンプルを１０Ｓセットしたのち、測定装置を温度２９℃相対湿度２４％の一定環境に制御されたチャンバー内に収容する。次に、サンプル１０Ｓの長手方向に０．２Ｎの荷重をかけ、上記環境中にサンプルを２時間置く。その後、温度２９℃を保持したまま、８０％、２４％、１０％の順で相対湿度を変え、８０％、２４％、及び１０％におけるサンプル１０Ｓの幅を測定し、以下の式より湿度膨張係数βを求める。これら湿度での測定は、各湿度に到達した直後に行われる。なお、２４％の湿度における測定は、測定において異常が生じていないかを確認するために行われるものであり、その測定結果は以下の式において用いられない。

（但し、式中、Ｄ（８０％）、Ｄ（１０％）はそれぞれ、温度８０％、１０％におけるサンプル１０Ｓの幅を示す。）

（ポアソン比ρ）
磁気記録媒体のポアソン比ρは、好ましくは０．２５≦ρであり、より好ましくは０．２９≦ρであり、さらにより好ましくは０．３≦ρでありうる。ポアソン比ρが上記範囲内であると、記録再生装置による磁気記録媒体の長手方向のテンションの調整による磁気記録媒体の幅の変化をより行いやすくなる。

ポアソン比ρは以下のようにして求められる。まず、１／２インチ幅の磁気記録媒体を準備し、それを１５０ｍｍの長さに切り出しサンプルを作製したのち、そのサンプルの中央部に６ｍｍ×６ｍｍのサイズのマークを付与する。次に、チャック間の距離が１００ｍｍとなるようにサンプルの長手方向の両端部をチャックし、初期荷重２Ｎをかけ、その際のサンプルの長手方向のマークの長さを初期長とし、サンプルの幅方向のマークの幅を初期幅とする。続いて、引張速度０．５ｍｍ／ｍｉｎで、インストロンタイプの万能引張試験装置にて引張り、キーエンス製イメージセンサーにて、サンプルの長手方向のマークの長さ及びサンプルの幅方向のマークの幅それぞれの寸法変化量を測定する。その後、以下の式よりポアソン比ρを求める。

（長手方向の弾性限界値σ_ＭＤ）
磁気記録媒体の長手方向の弾性限界値σ_ＭＤ［Ｎ］が、好ましくは０．７Ｎ≦σ_ＭＤであり、より好ましくは０．７５Ｎ≦σ_ＭＤであり、さらにより好ましくは０．８Ｎ≦σ_ＭＤでありうる。弾性限界値σ_ＭＤが上記範囲であると、記録再生装置による磁気記録媒体の長手方向のテンションの調整により、磁気記録媒体の幅の変化を更に抑制することができる。また、ドライブ側の制御がし易くなる。磁気記録媒体の長手方向の弾性限界値σ_ＭＤの上限値は特に限定されるものではないが、例えばσ_ＭＤ≦５.０Ｎである。弾性限界値σ_ＭＤが、弾性限界測定を行う際の速度Ｖに依らないことが好ましい。弾性限界値σ_ＭＤが上記速度Ｖに依らないことで、記録再生装置における磁気記録媒体の走行速度や、記録再生装置のテンション調整速度とその応答性に影響を受ける事無く、効果的に磁気記録媒体の幅の変化を抑制できるからである。弾性限界値σ_ＭＤは、例えば、下地層、磁性層、及びバック層の硬化条件の選択、及び／又は、ベース層１１の材質の選択により所望の値に設定される。例えば、下地層形成用塗料、磁性層形成用塗料、及びバック層形成用塗料の硬化時間を長くするほど又は硬化温度を上げるほど、これらの各塗料に含まれるバインダと硬化剤の反応が促進する。これにより、弾性的な特徴が向上し、弾性限界値σ_ＭＤが向上する。

弾性限界値σ_ＭＤは以下のようにして求められる。まず、１／２インチ幅の磁気記録媒体を準備し、それを１５０ｍｍの長さに切り出しサンプルを作製し、チャック間距離λ_０がλ_０＝１００ｍｍとなるように、万能引張試験装置にサンプルの長手方向の両端をチャックする。次に、引張速度０．５ｍｍ／ｍｉｎでサンプルを引張り、チャック間距離λ（ｍｍ）に対する荷重σ（Ｎ）を連続的に計測する。続いて、得られたλ（ｍｍ）、σ（Ｎ）のデータを用い、Δλ（％）とσ（Ｎ）の関係をグラフ化する。但し、Δλ（％）は以下の式により与えられる。
Δλ（％）＝（（λ−λ_０）／λ_０）×１００
次に、上記のグラフ中、σ≧０．２Ｎの領域で、グラフが直線となる領域を算出し、その最大荷重σを弾性限界値σ_ＭＤ（Ｎ）とする。

（磁性面とバック面との間の摩擦係数μ）
磁気記録媒体の前記磁性層側の表面と前記バック層側の表面との間の摩擦係数μ（以下「層間摩擦係数μ」ともいう）は、好ましくは０．２０≦μ≦０．８０であり、より好ましくは０．２５≦μ≦０．７５である。前記摩擦係数μが上記範囲内にあると、磁気記録媒体のハンドリング性が向上する。例えば、前記摩擦係数μが上記範囲内にあると、例えば磁気記録媒体をリール（例えば図１のテープリール１３など）に巻いたときに巻ズレが発生することを抑制できる。より具体的には、摩擦係数μが小さすぎる場合（例えばμ＜０．２０である場合）と、カートリッジリールに既に巻かれている磁気記録媒体のうち最外周に位置する部分の磁性面と、その外側に新たに巻こうとしている磁気記録媒体のバック面との間の層間摩擦が極端に低い状態となり、新たに巻こうとしている磁気記録媒体が、既に巻かれている磁気記録媒体のうち最外周に位置する部分の磁性面からズレやすくなる。したがって、磁気記録媒体の巻ズレが発生する。一方、摩擦係数μが大きすぎる場合（例えば０．８０＜μである場合）、ドライブ側リールの最外周から正に巻き出されようとしている磁気記録媒体のバック面と、その直下に位置する、未だドライブリールに巻かれたままの磁気記録媒体の磁性面との間の層間摩擦が極端に高い状態となり、上記バック面と上記磁性面とが貼り付いた状態となる。したがって、カートリッジリールへと向かう磁気記録媒体の動作が不安定となり、これにより磁気記録媒体の巻ズレが発生する。

前記摩擦係数μは以下のようにして求められる。まず、１インチ径の円柱に、１／２インチ幅の磁気記録媒体をバック面を表にして巻き付け、磁気記録媒体を固定する。次に、この円柱に対し、１／２インチ幅の磁気記録媒体を今度は磁性面が接触する様に抱き角θ（°）＝１８０°＋１°〜１８０°−１０°で接触させ、磁気記録媒体の一端を可動式ストレインゲージと繋ぎ、他方端にテンションＴ_０＝０．６（Ｎ）を付与する。可動式ストレインゲージを０．５ｍｍ／ｓにて８往復させた際の各往路でのストレインゲージの読みＴ_１（Ｎ）〜Ｔ_８（Ｎ）を測定し、Ｔ_４〜Ｔ_８の平均値をＴ_ａｖｅ（Ｎ）とする。その後、以下の式より摩擦係数μを求める。

（バック層の表面粗度Ｒ_ａｂ）
バック層の表面粗度（すなわち、バック面の表面粗度）Ｒ_ａｂ［ｎｍ］は、好ましくは３．０ｎｍ≦Ｒ_ａｂ≦７．３ｎｍであり、より好ましくは３．０ｎｍ≦Ｒ_ａｂ≦７．０ｎｍであり、より好ましくは３．０ｎｍ≦Ｒ_ａｂ≦６．５ｎｍであり、さらにより好ましくは３．０ｎｍ≦Ｒ_ａｂ≦６．０ｎｍである。バック層の表面粗度Ｒ_ａｂが上記範囲内にあると、磁気記録媒体のハンドリング性を向上させることができる。また、磁気記録媒体の巻き取り時に、磁性層の表面に及ぼす影響を低減でき、電磁変換特性への悪影響を抑制することができる。ハンドリング性と電磁変換特性とは相反する特性であるが、上記数値範囲内の表面粗度Ｒ_ａｂが、これらの両立を可能とする。

バック面の表面粗度Ｒ_ａｂは以下のようにして求められる。まず、１／２インチ幅の磁気記録媒体を準備し、そのバック面を上にしてスライドガラスに貼り付け（すなわち磁性面がスライドガラスに貼り付けられる）、サンプル片とする。次に、そのサンプル片のバック面を下記の光干渉を用いた非接触粗度計により、面粗度を測定する。
装置：光干渉を用いた非接触粗度計
（株式会社菱化システム製非接触表面・層断面形状計測システムVertScan R5500GL-M100-AC）
対物レンズ：２０倍（約２３７μｍ×１７８μｍ視野）
分解能：６４０points×４８０points
測定モード：ｐｈａｓｅ
波長フィルター：５２０ｎｍ
面補正：２次多項式近似面にて補正
上述のようにして、長手方向で少なくとも５点以上の位置にて面粗度を測定したのち、各位置で得られた表面プロファイルから自動計算されたそれぞれの算術平均粗さＳａ（ｎｍ）の平均値をバック面の表面粗度Ｒ_ａｂ（ｎｍ）とする。

（保磁力Ｈｃ）
磁気記録媒体の厚み方向（垂直方向）に測定した保磁力Ｈｃが、好ましくは２２０ｋＡ／ｍ以上３１０ｋＡ／ｍ以下、より好ましくは２３０ｋＡ／ｍ以上３００ｋＡ／ｍ以下、更により好ましくは２４０ｋＡ／ｍ以上２９０ｋＡ／ｍ以下である。保磁力Ｈｃが２２０ｋＡ／ｍ以上であると、保磁力Ｈｃが十分な大きさとなるため、記録ヘッドからの漏れ磁界により、隣接するトラックに記録された磁化信号が劣化することを抑制できる。したがって、より優れたＳＮＲを得ることができる。一方、保磁力Ｈｃが３１０ｋＡ／ｍ以下であると、記録ヘッドによる飽和記録が容易になるため、より優れたＳＮＲを得ることができる。

上記の保磁力Ｈｃは以下のようにして求められる。まず、長尺状の磁気記録媒体から測定サンプルを切り出し、振動試料型磁力計（Vibrating Sample Magnetometer：ＶＳＭ）を用いて測定サンプルの厚み方向（磁気記録媒体の厚み方向）に測定サンプル全体のＭ−Ｈループを測定する。次に、アセトンまたはエタノールなどを用いて塗膜（下地層、磁性層など）を払拭し、ベース層のみを残してバックグラウンド補正用とし、ＶＳＭを用いてベース層の厚み方向（磁気記録媒体の厚み方向）にベース層のＭ−Ｈループを測定する。その後、測定サンプル全体のＭ−Ｈループからベース層のＭ−Ｈループを引き算して、バックグラウンド補正後のＭ−Ｈループを得る。得られたＭ−Ｈループから保磁力Ｈｃを求める。なお、上記のＭ−Ｈループの測定はいずれも、２５℃にて行われるものとする。また、Ｍ−Ｈループを磁気記録媒体の厚み方向（垂直方向）に測定する際の"反磁界補正"は行わないものとする。

（保磁力Ｈｃ（５０）と保磁力Ｈｃ（２５）との比率Ｒ）
５０℃にて磁気記録媒体の厚み方向（垂直方向）に測定した保磁力Ｈｃ（５０）と２５℃にて磁気記録媒体の厚み方向に測定した保磁力Ｈｃ（２５）との比率Ｒ（＝（Ｈｃ（５０）／Ｈｃ（２５））×１００）が、好ましくは９５％以上、より好ましくは９６％以上、更により好ましくは９７％以上、特に好ましくは９８％以上である。上記比率Ｒが９５％以上であると、保磁力Ｈｃの温度依存性が小さくなり、高温環境下におけるＳＮＲの劣化を抑制することができる。

上記の保磁力Ｈｃ（２５）は、上記の保磁力Ｈｃの測定方法と同様にして求められる。また、上記の保磁力Ｈｃ（５０）は、測定サンプル及びベース層１１のＭ−Ｈループの測定をいずれも５０℃にて行うこと以外は上記の保磁力Ｈｃの測定方法と同様にして求められる。

（長手方向に測定した角形比Ｓ１）
磁気記録媒体の長手方向（走行方向）に測定した角形比Ｓ１が、好ましくは３５％以下、より好ましくは２７％以下、更により好ましくは２０％以下である。角形比Ｓ１が３５％以下であると、磁性粉の垂直配向性が十分に高くなるため、より優れたＳＮＲを得ることができる。したがって、より優れた電磁変換特性を得ることができる。また、サーボ信号形状が改善され、ドライブ側の制御がより行い易くなる。
本明細書内において、磁気記録媒体が垂直配向しているとは、磁気記録媒体の角形比Ｓ１が上記数値範囲内にあること（例えば３５％以下であること）を意味しうる。本技術に従う磁気記録媒体は好ましくは垂直配向している。

上記の角形比Ｓ１は以下のようにして求められる。まず、長尺状の磁気記録媒体から測定サンプルを切り出し、ＶＳＭを用いて磁気記録媒体の長手方向（走行方向）に対応する測定サンプル全体のＭ−Ｈループを測定する。次に、アセトン又はエタノールなどを用いて塗膜（下地層、磁性層など）を払拭し、ベース層のみを残して、バックグラウンド補正用とし、ＶＳＭを用いてベース層の長手方向（磁気記録媒体の走行方向）に対応するベース層のＭ−Ｈループを測定する。その後、測定サンプル全体のＭ−Ｈループからベース層１１のＭ−Ｈループを引き算して、バックグラウンド補正後のＭ−Ｈループを得る。得られたＭ−Ｈループの飽和磁化Ｍｓ（ｅｍｕ）及び残留磁化Ｍｒ（ｅｍｕ）を以下の式に代入して、角形比Ｓ１（％）を計算する。なお、上記のＭ−Ｈループの測定はいずれも、２５℃にて行われるものとする。
角形比Ｓ１（％）＝（Ｍｒ／Ｍｓ）×１００

（垂直方向に測定した角形比Ｓ２）
磁気記録媒体の垂直方向（厚み方向）に測定した角形比Ｓ２が、好ましくは６５％以上、より好ましくは７３％以上、更により好ましくは８０％以上である。角形比Ｓ２が６５％以上であると、磁性粉の垂直配向性が十分に高くなるため、より優れたＳＮＲを得ることができる。したがって、より優れた電磁変換特性を得ることができる。また、サーボ信号形状が改善され、よりドライブ側の制御がし易くなる。
明細書内において、磁気記録媒体が垂直配向しているとは、磁気記録媒体の角形比Ｓ２が上記数値範囲内にあること（例えば６５％以上であること）を意味してもよい。

角形比Ｓ２は、Ｍ−Ｈループを磁気記録媒体及びベース層の垂直方向（厚み方向）に測定すること以外は角形比Ｓ１と同様にして求められる。なお、角形比Ｓ２の測定においては、Ｍ−Ｈループを磁気記録媒体の垂直方向に測定する際の"反磁界補正"は行わないものとする。

角形比Ｓ１及びＳ２は、例えば磁性層形成用塗料に印加される磁場の強度、磁性層形成用塗料に対する磁場の印加時間、磁性層形成用塗料中における磁性粉の分散状態、又は磁性層形成用塗料中における固形分の濃度を調整することにより所望の値に設定される。具体的には例えば、磁場の強度を強くするほど、角形比Ｓ１が小さくなるのに対して、角形比Ｓ２が大きくなる。また、磁場の印加時間を長くするほど、角形比Ｓ１が小さくなるのに対して、角形比Ｓ２が大きくなる。また、磁性粉の分散状態を向上するほど、角形比Ｓ１が小さくなるのに対して、角形比Ｓ２が大きくなる。また、固形分の濃度を低くするほど、角形比Ｓ１が小さくなるのに対して、角形比Ｓ２が大きくなる。なお、上記の調整方法は単独で使用してもよいし、２以上組み合わせて使用してもよい。

（ＳＦＤ）
磁気記録媒体のＳＦＤ（Switching Field Distribution）曲線において、メインピーク高さＸと磁場ゼロ付近のサブピークの高さＹとのピーク比Ｘ／Ｙが、好ましくは３．０以上、より好ましくは５．０以上、更により好ましくは７．０以上、特に好ましくは１０．０以上、最も好ましくは２０．０以上である（図１５参照）。ピーク比Ｘ／Ｙが３．０以上であると、実際の記録に寄与するε酸化鉄粒子の他にε酸化鉄特有の低保磁力成分（例えば軟磁性粒子や超常磁性粒子など）が磁性粉中に多く含まれることを抑制できる。したがって、記録ヘッドからの漏れ磁界により、隣接するトラックに記録された磁化信号が劣化することを抑制できるので、より優れたＳＮＲを得ることができる。ピーク比Ｘ／Ｙの上限値は特に限定されるものではないが、例えば１００以下である。

上記のピーク比Ｘ／Ｙは、以下のようにして求められる。まず、上記の保磁力Ｈｃの測定方法と同様にして、バックグラウンド補正後のＭ−Ｈループを得る。次に、得られたＭ−ＨループからＳＦＤカーブを算出する。ＳＦＤカーブの算出には測定機に付属のプログラムを用いてもよいし、その他のプログラムを用いてもよい。算出したＳＦＤカーブがＹ軸（ｄＭ／ｄＨ）を横切る点の絶対値を「Ｙ」とし、Ｍ−Ｈループで言うところの保磁力Ｈｃ近傍に見られるメインピークの高さを「Ｘ」として、ピーク比Ｘ／Ｙを算出する。なお、Ｍ−Ｈループの測定は、上記の保磁力Ｈｃの測定方法と同様に２５℃にて行われるものとする。また、Ｍ−Ｈループを磁気記録媒体の厚み方向（垂直方向）に測定する際の"反磁界補正"は行わないものとする。

（活性化体積Ｖ_ａｃｔ）
活性化体積Ｖ_ａｃｔが、好ましくは８０００ｎｍ^３以下、より好ましくは６０００ｎｍ^３以下、更により好ましくは５０００ｎｍ^３以下、特に好ましくは４０００ｎｍ^３以下、最も好ましくは３０００ｎｍ^３以下である。活性化体積Ｖ_ａｃｔが８０００ｎｍ^３以下であると、磁性粉の分散状態が良好になるため、ビット反転領域を急峻にすることができ、記録ヘッドからの漏れ磁界により、隣接するトラックに記録された磁化信号が劣化することを抑制できる。したがって、より優れたＳＮＲが得られなくなる虞がある。

上記の活性化体積Ｖ_ａｃｔは、Ｓｔｒｅｅｔ＆Ｗｏｏｌｌｅｙにより導出された下記の式により求められる。
Ｖ_ａｃｔ（ｎｍ^３）＝ｋ_Ｂ×Ｔ×Χ_ｉｒｒ／（μ_０×Ｍｓ×Ｓ）
（但し、ｋ_Ｂ：ボルツマン定数（１．３８×１０^−２３Ｊ／Ｋ）、Ｔ：温度（Ｋ）、Χ_ｉｒｒ：非可逆磁化率、μ_０：真空の透磁率、Ｓ：磁気粘性係数、Ｍｓ：飽和磁化（ｅｍｕ／ｃｍ^３））

上記式に代入される非可逆磁化率Χ_ｉｒｒ、飽和磁化Ｍｓ、及び磁気粘性係数Ｓは、ＶＳＭを用いて以下のようにして求められる。なお、ＶＳＭによる測定方向は、磁気記録媒体の厚み方向（垂直方向）とする。また、ＶＳＭによる測定は、長尺状の磁気記録媒体から切り出された測定サンプルに対して２５℃にて行われるものとする。また、Ｍ−Ｈループを磁気記録媒体の厚み方向（垂直方向）に測定する際の"反磁界補正"は行わないものとする。

（非可逆磁化率Χ_ｉｒｒ）
非可逆磁化率Χ_ｉｒｒは、残留磁化曲線（ＤＣＤ曲線）の傾きにおいて、残留保磁力Ｈｒ付近における傾きと定義される。まず、磁気記録媒体全体に−１１９３ｋＡ／ｍ（１５ｋＯｅ）の磁界を印加し、磁界をゼロに戻し残留磁化状態とする。その後、反対方向に約１５．９ｋＡ／ｍ（２００Ｏｅ）の磁界を印加し再びゼロに戻し残留磁化量を測定する。その後も同様に、先ほどの印加磁界よりもさらに１５．９ｋＡ／ｍ大きい磁界を印加しゼロに戻す測定を繰り返し行い、印加磁界に対して残留磁化量をプロットしＤＣＤ曲線を測定する。得られたＤＣＤ曲線から、磁化量ゼロとなる点を残留保磁力Ｈｒとし、さらにＤＣＤ曲線を微分し、各磁界におけるＤＣＤ曲線の傾きを求める。このＤＣＤ曲線の傾きにおいて、残留保磁力Ｈｒ付近の傾きがΧ_ｉｒｒとなる。

（飽和磁化Ｍｓ）
まず、磁気記録媒体の厚み方向に磁気記録媒体（測定サンプル）全体のＭ−Ｈループを測定する。次に、アセトン及びエタノールなどを用いて塗膜（下地層、磁性層など）を払拭し、ベース層のみを残して、バックグラウンド補正用として、ベース層のＭ−Ｈループを同様に厚み方向に測定する。その後、磁気記録媒体全体のＭ−Ｈループからベース層のＭ−Ｈループを引き算して、バックグラウンド補正後のＭ−Ｈループを得る。得られたＭ−Ｈループの飽和磁化Ｍｓ（ｅｍｕ）の値と、測定サンプル中の磁性層の体積（ｃｍ^３）から、Ｍｓ（ｅｍｕ／ｃｍ^３）を算出する。なお、磁性層の体積は測定サンプルの面積に磁性層の平均厚みを乗ずることにより求められる。

（磁気粘性係数Ｓ）
まず、磁気記録媒体（測定サンプル）全体に−１１９３ｋＡ／ｍ（１５ｋＯｅ）の磁界を印加し、磁界をゼロに戻し残留磁化状態とする。その後、反対方向に、ＤＣＤ曲線より得られた残留保磁力Ｈｒの値と同等の磁界を印加する。磁界を印加した状態で１０００秒間、磁化量を一定の時間間隔で継続的に測定する。このようにして得られた、時間ｔと磁化量Ｍ（ｔ）の関係を以下の式に照らし合わせて、磁気粘性係数Ｓを算出する。
Ｍ（ｔ）＝Ｍ０＋Ｓ×ｌｎ（ｔ）
（但し、Ｍ（ｔ）：時間ｔの磁化量、Ｍ０：初期の磁化量、Ｓ：磁気粘性係数、ｌｎ（ｔ）：時間の自然対数）

（算術平均粗さＲａ）
磁性面の算術平均粗さＲａは、好ましくは２．５ｎｍ以下、より好ましくは２．０ｎｍ以下である。Ｒａが２．５ｎｍ以下であると、より優れたＳＮＲを得ることができる。

上記の算術平均粗さＲａは以下のようにして求められる。まず、ＡＦＭ（Atomic Force Microscope）（ブルカー製、Dimension Icon）を用いて磁性層が設けられている側の表面を観察して、断面プロファイルを取得する。次に、取得した断面プロファイルから、ＪＩＳ Ｂ０６０１：２００１に準拠して算術平均粗さＲａを求める。

（４）磁気記録媒体の製造方法
次に、上述の構成を有する磁気記録媒体の製造方法について説明する。まず、非磁性粉及び結着剤などを溶剤に混練及び／又は分散させることにより、下地層形成用塗料を調製する。次に、磁性粉及び結着剤などを溶剤に混練及び／又は分散させることにより、磁性層形成用塗料を調製する。磁性層形成用塗料及び下地層形成用塗料の調製には、例えば、以下の溶剤、分散装置、及び混練装置を用いることができる。

上述の塗料調製に用いられる溶剤としては、例えばアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、及びシクロヘキサノンなどのケトン系溶媒；例えばメタノール、エタノール、及びプロパノールなどのアルコール系溶媒；例えば酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸プロピル、乳酸エチル、及びエチレングリコールアセテートなどのエステル系溶媒；ジエチレングリコールジメチルエーテル、２−エトキシエタノール、テトラヒドロフラン、及びジオキサンなどのエーテル系溶媒；ベンゼン、トルエン、及びキシレンなどの芳香族炭化水素系溶媒；並びに、メチレンクロライド、エチレンクロライド、四塩化炭素、クロロホルム、及びクロロベンゼンなどのハロゲン化炭化水素系溶媒などが挙げられる。これらのうちの１つが用いられてもよく、又は、２以上の混合物が用いられてもよい。

上述の塗料調製に用いられる混練装置としては、例えば連続二軸混練機、多段階で希釈可能な連続二軸混練機、ニーダー、加圧ニーダー、及びロールニーダーなどの混練装置を用いることができるが、特にこれらの装置に限定されるものではない。また、上述の塗料調製に用いられる分散装置としては、例えばロールミル、ボールミル、横型サンドミル、縦型サンドミル、スパイクミル、ピンミル、タワーミル、パールミル（例えばアイリッヒ社製「ＤＣＰミル」など）、ホモジナイザー、及び超音波分散機などの分散装置を用いることができるが、特にこれらの装置に限定されるものではない。

次に、下地層形成用塗料をベース層の一方の主面に塗布して乾燥させることにより、下地層を形成する。続いて、この下地層上に磁性層形成用塗料を塗布して乾燥させることにより、磁性層を下地層上に形成する。なお、乾燥の際に、例えばソレノイドコイルにより、磁性粉をベース層の厚み方向に磁場配向させる。また、乾燥の際に、例えばソレノイドコイルにより、磁性粉をベース層の長手方向（走行方向）に磁場配向させたのちに、ベース層の厚み方向に磁場配向させるようにしてもよい。磁性層の形成後、ベース層の他方の主面にバック層を形成する。これにより、磁気記録媒体が得られる。

その後、得られた磁気記録媒体を大径コアに巻き直し、硬化処理を行う。最後に、磁気記録媒体に対してカレンダー処理を行った後、所定の幅（例えば１／２インチ幅）に裁断する。以上により、目的とする細長い長尺状の磁気記録媒体が得られる。

（５）実施例
以下、実施例により本技術を具体的に説明するが、本技術はこれらの実施例のみに限定されるものではない。

以下の実施例及び比較例において、磁気記録媒体としての磁気記録テープの平均厚みｔ_Ｔ、磁気記録テープの長手方向のテンション変化に対する磁気記録テープの幅方向の寸法変化量Δｗ、磁気記録テープの温度膨張係数α、磁気記録テープの湿度膨張係数β、磁気記録テープのポアソン比ρ、磁気記録テープの長手方向の弾性限界値σ_ＭＤ、磁性層の平均厚みｔ_ｍ、角形比Ｓ２、バック層の平均厚みｔ_ｂ、バック層の表面粗度Ｒ_ａｂ、及び磁性面とバック面の層間摩擦係数μは、上述の実施形態にて説明した測定方法により求められた値である。但し、後述するように、実施例１１では、長手方向の弾性限界値σ_ＭＤを測定する際の速度Ｖを、上記実施形態にて説明した測定方法とは異なる値とした。

［実施例１］
（磁性層形成用塗料の調製工程）
磁性層形成用塗料を以下のようにして調製した。まず、下記配合の第１組成物をエクストルーダで混練した。次に、ディスパーを備えた攪拌タンクに、混練した第１組成物と、下記配合の第２組成物を加えて予備混合を行った。続いて、さらにサンドミル混合を行い、フィルター処理を行い、磁性層形成用塗料を調製した。

（第１組成物）
ε酸化鉄ナノ粒子（ε−Ｆｅ_２Ｏ_３結晶粒子）の粉末：１００質量部
塩化ビニル系樹脂（シクロヘキサノン溶液３０質量％）：１０質量部（重合度３００、Ｍｎ＝１００００、極性基としてＯＳＯ_３Ｋ＝０．０７ｍｍｏｌ／ｇ、２級ＯＨ＝０．３ｍｍｏｌ／ｇを含有する。）
酸化アルミニウム粉末：５質量部
（α−Ａｌ_２Ｏ_３、平均粒径０．２μｍ）
カーボンブラック：２質量部
（東海カーボン社製、商品名：シーストＴＡ）

（第２組成物）
塩化ビニル系樹脂：１．１質量部
（樹脂溶液：樹脂分３０質量％、シクロヘキサノン７０質量％）
ｎ−ブチルステアレート：２質量部
メチルエチルケトン：１２１．３質量部
トルエン：１２１．３質量部
シクロヘキサノン：６０．７質量部

最後に、上述のようにして調製した磁性層形成用塗料に、硬化剤として、ポリイソシアネート（商品名：コロネートＬ、日本ポリウレタン社製）：４質量部と、ミリスチン酸：２質量部とを添加した。

（下地層形成用塗料の調製工程）
下地層形成用塗料を以下のようにして調製した。まず、下記配合の第３組成物をエクストルーダで混練した。次に、ディスパーを備えた攪拌タンクに、混練した第３組成物と、下記配合の第４組成物を加えて予備混合を行った。続いて、さらにサンドミル混合を行い、フィルター処理を行い、下地層形成用塗料を調製した。

（第３組成物）
針状酸化鉄粉末：１００質量部
（α−Ｆｅ_２Ｏ_３、平均長軸長０．１５μｍ）
塩化ビニル系樹脂：５５．６質量部
（樹脂溶液：樹脂分３０質量％、シクロヘキサノン７０質量％）
カーボンブラック：１０質量部
（平均粒径２０ｎｍ）

（第４組成物）
ポリウレタン系樹脂ＵＲ８２００（東洋紡績製）：１８．５質量部
ｎ−ブチルステアレート：２質量部
メチルエチルケトン：１０８．２質量部
トルエン：１０８．２質量部
シクロヘキサノン：１８．５質量部

最後に、上述のようにして調製した下地層形成用塗料に、硬化剤として、ポリイソシアネート（商品名：コロネートＬ、日本ポリウレタン社製）：４質量部と、ミリスチン酸：２質量部とを添加した。

（バック層形成用塗料の調製工程）
バック層形成用塗料を以下のようにして調製した。下記原料を、ディスパーを備えた攪拌タンクで混合を行い、フィルター処理を行うことで、バック層形成用塗料を調製した。カーボンブラック（旭社製、商品名：＃８０）：１００質量部
ポリエステルポリウレタン：１００質量部
（日本ポリウレタン社製、商品名：Ｎ−２３０４）
メチルエチルケトン：５００質量部
トルエン：４００質量部
シクロヘキサノン：１００質量部

（成膜工程）
上述のようにして作製した塗料を用いて、非磁性支持体である長尺のポリエチレンナフタレートフィルム（以下「ＰＥＮフィルム」という。）上に平均厚み１．０μｍの下地層、及び平均厚みｔ_ｍが９０ｎｍの磁性層を以下のようにして形成した。まず、フィルム上に、下地層形成用塗料を塗布、乾燥させることにより、フィルム上に下地層を形成した。次に、下地層上に、磁性層形成用塗料を塗布し、乾燥させることにより、下地層上に磁性層を形成した。なお、磁性層形成用塗料の乾燥の際に、ソレノイドコイルにより、磁性粉をフィルムの厚み方向に磁場配向させた。また、磁性層形成用塗料に対する磁場の印加時間を調整し、磁気記録テープの厚み方向（垂直方向）における角形比Ｓ２を６５％に設定した。

続いて、下地層及び磁性層が形成されたフィルムに対して、平均厚みｔ_ｂが０．６μｍのバック層を塗布し乾燥させた。そして、下地層、磁性層、及びバック層が形成されたフィルムに対して硬化処理を行った。続いて、カレンダー処理を行い、磁性層表面を平滑化した。この際、磁性面とバック面の層間摩擦係数μが約０．５となるように、カレンダー処理の条件（温度）を調整した後、再硬化処理を施し、平均厚みｔ_Ｔが５．５μｍの磁気記録テープが得られた。

（裁断の工程）
上述のようにして得られた磁気記録テープを１／２インチ（１２．６５ｍｍ）幅に裁断し、コアに巻き取ってパンケーキを得た。

以上のとおりにして得られた磁気記録テープは、表１に示す特性を有した。例えば、当該磁気記録テープの寸法変化量ΔＷは７０５ｐｐｍ／Ｎであった。

［実施例２］
寸法変化量Δｗが７５０ｐｐｍ／Ｎとなるように実施例１よりもＰＥＮフィルムの厚みを薄くしたこと以外は実施例１と同じ方法で磁気記録テープを得た。当該磁気記録テープの平均厚みは５μｍであった。

［実施例３］
寸法変化量Δｗが８００ｐｐｍ／Ｎとなるように実施例１よりもＰＥＮフィルムの厚みを薄くし且つバック層及び下地層の平均厚みを薄くしたこと以外は実施例１と同じ方法で磁気記録テープを得た。当該磁気記録テープの平均厚みは４．５μｍであった。また、バック層をより薄くしたことに伴い、バック層の表面粗度Ｒ_ａｂが上昇した。

［実施例４］
寸法変化量Δｗが８００ｐｐｍ／Ｎとなるように実施例１よりもＰＥＮフィルムの厚みを薄くし、バック層及び下地層の平均厚みを薄くし、且つ、下地層、磁性層、及びバック層が形成されたフィルムの硬化処理条件を調整したこと以外は、実施例１と同じ方法で磁気記録テープを得た。

［実施例５］
温度膨張係数αが８ｐｐｍ／℃となるように下地層形成用塗料の組成を変更したこと以外は実施例４と同じ方法で磁気記録テープを得た。

［実施例６］
湿度膨張係数βが３ｐｐｍ／％ＲＨとなるようにＰＥＮフィルムの両表面に薄いバリア層を形成し、且つ、下地層の平均厚みを厚くしたこと以外は実施例４と同じ方法で磁気記録テープを得た。当該磁気記録テープの平均厚みは４．６μｍであった。

［実施例７］
ポアソン比ρが０．３１となるようにバック層形成用塗料の組成を変更したこと以外は実施例４と同じ方法で磁気記録テープを得た。

［実施例８］
ポアソン比ρが０．３５となるようにバック層形成用塗料の組成を変更したこと以外は実施例４と同じ方法で磁気記録テープを得た。

［実施例９］
長手方向の弾性限界値σ_ＭＤが０．８Ｎとなるように下地層、磁性層、及びバック層が形成されたフィルムの硬化条件を調整したこと以外は実施例７と同じ方法で磁気記録テープを得た。

［実施例１０］
長手方向の弾性限界値σ_ＭＤが３．５Ｎとなるように下地層、磁性層、及びバック層が形成されたフィルムの硬化条件及び再硬化条件を調整したこと以外は実施例７と同じ方法で磁気記録テープを得た。

［実施例１１］
実施例９と同様にして磁気記録テープを得た。そして、得られた磁気記録テープの弾性限界値σ_ＭＤを、長手方向の弾性限界値σ_ＭＤを測定する際の速度Ｖを５ｍｍ／ｍｉｎに変更して測定した。その結果、長手方向の弾性限界値σ_ＭＤは、上記速度Ｖが０．５ｍｍ／ｍｉｎの長手方向の弾性限界値σ_ＭＤ（実施例９）に対して変化はなく０．８であった。

［実施例１２］
磁性層の平均厚みｔ_ｍが４０ｎｍとなるように磁性層形成用塗料の塗布厚を変更したこと以外は実施例７と同じ方法で磁気記録テープを得た。当該磁気記録テープの平均厚みは４．４μｍであった。

［実施例１３］
バック層及び下地層の平均厚みを薄くしたこと以外は実施例７と同じ方法で磁気記録テープを得た。当該磁気記録テープの平均厚みは４．４μｍであった。

［実施例１４］
バック層の表面粗度Ｒ_ａｂを３．２ｎｍに低下させ、且つ、摩擦係数μを上昇させたこと以外は実施例７と同じ方法で磁気記録テープを得た。

［実施例１５］
磁性層の平均厚みｔ_ｍが１１０ｎｍとなるように磁性層形成用塗料の塗布厚を変更したこと以外は実施例７と同じ方法で磁気記録テープを得た。

［実施例１６］
ベース層の表面粗度Ｒ_ａｂを上昇させ、且つ、摩擦係数μを低下させたこと以外は実施例７と同じ方法で磁気記録テープを得た。

［実施例１７］
摩擦係数μを０．１８に低下させたこと以外は実施例７と同じ方法で再度磁気記録テープを得た。

［実施例１８］
摩擦係数μを０．８２に上昇させたこと以外は実施例７と同じ方法で再度磁気記録テープを得た。

［実施例１９］
磁性層形成用塗料に対する磁場の印加時間を調整し磁気記録テープの厚み方向（垂直方向）における角形比Ｓ２を７３％に設定したこと以外は実施例７と同じ方法で磁気記録テープを得た。

［実施例２０］
磁性層形成用塗料に対する磁場の印加時間を調整し磁気記録テープの厚み方向（垂直方向）における角形比Ｓ２を８０％に設定したこと以外は実施例７と同じ方法で磁気記録テープを得た。

［実施例２１］
長手方向の弾性限界値σ_ＭＤが５．０Ｎとなるように下地層、磁性層、及びバック層が形成されたフィルムの硬化条件並びに再硬化条件を調整したこと以外は実施例７と同じ方法で磁気記録テープを得た。

［実施例２２］
ε酸化鉄ナノ粒子に代えてバリウムフェライト（ＢａＦｅ_１２Ｏ_１９）ナノ粒子を用いたこと以外は実施例７と同じ方法で磁気記録テープを得た。

［実施例２３］
バック層の厚み及び下地層の厚みを低下させたこと以外は、実施例１と同じ方法で磁気記録テープを得た。当該磁気記録テープの平均厚みは５．０μｍであった。当該磁気記録テープの寸法変化量ΔＷは８００ｐｐｍ／Ｎであった。

［実施例２４］
ε酸化鉄ナノ粒子に代えてバリウムフェライト（ＢａＦｅ_１２Ｏ_１９）ナノ粒子を用いたことと、ＰＥＮフィルムの厚み、バック層の厚み及び下地層の厚みを低下させたこと以外は実施例１と同じ方法で磁気記録テープを得た。当該磁気記録テープの平均厚みは５．０μｍであった。当該磁気記録テープの寸法変化量ΔＷは８００ｐｐｍ／Ｎであった。

［比較例１］
寸法変化量Δｗが６５０［ｐｐｍ／Ｎ］となるようにＰＥＮフィルムのテンシライズを変更したこと以外は実施例１と同じ方法で磁気テープを得た。

［比較例２］
実施例２４において用いられたＰＥＮフィルムに代えて幅方向の延伸強度を上げたＰＥＮフィルムを用いたこと及び下地層の厚みを上昇させたこと以外は、実施例２４と同じ方法で磁気記録テープを得た。前記ＰＥＮフィルムの変更によって、寸法変化量Δｗは実施例２４の磁気記録テープと比べて減少した。比較例２の磁気記録テープの寸法変化量Δｗは、６３０ｐｐｍ／Ｎであった。当該磁気記録テープの平均厚みは５．７μｍであった。

［比較例３］
実施例２４において用いられたＰＥＮフィルムに代えて幅方向の延伸強度を上げたＰＥＮフィルムを用いたこと及び下地層の厚みを僅かに上昇させたこと以外は、実施例２４と同じ方法で磁気記録テープを得た。前記ＰＥＮフィルムの変更によって、寸法変化量Δｗは実施例２４の磁気記録テープと比べて大幅に減少した。比較例３の磁気記録テープの寸法変化量Δｗは、５００ｐｐｍ／Ｎであった。当該磁気記録テープの平均厚みは６．５μｍであった。

（テープ幅の変化量の判定）
まず、１／２インチ幅の磁気記録テープを組み込んだカートリッジサンプルを準備した。当該カートリッジサンプルには、カートリッジケース内に設けられたリールに前記磁気記録テープが巻き付けられて収容されていた。なお、磁気記録テープには、ハの字の磁気パターンの列を、互いに既知の間隔（以下、「予め記録した際の既知の磁気パターン列の間隔」という。）で、長手方向に平行に２列以上予め記録した。次に、カートリッジサンプルを記録再生装置で往復走行をさせた。そして、往復走行時に上記のハの字の磁気パターン列の２列以上を同時に再生し、それぞれの列の再生波形の形状から、走行時の磁気パターン列の間隔を連続的に計測した。尚、走行時には、この計測された磁気パターン列の間隔情報に基づき、スピンドル駆動装置とリール駆動装置の回転駆動を制御し、磁気パターン列の間隔が規定の幅、またはほぼ規定の幅となるように、磁気記録テープの長手方向のテンションを自動で調整する様にした。この磁気パターン列の間隔の１往復分全ての計測値を単純平均したものを「計測された磁気パターン列の間隔」とし、これと「予め記録した際の既知の磁気パターン列の間隔」の差分を「テープ幅の変化」とした。

また、記録再生装置による往復走行は、恒温恒湿槽中で行った。往復走行の速度は５ｍ／ｓｅｃであった。往復走行中の温湿度は、上記の往復走行とは独立に、温度範囲１０℃〜４５℃、相対湿度範囲１０％〜８０％で、予め組まれた環境変化プログラム（例：１０℃１０％→２９℃８０％→１０℃１０％を２回繰り返す。１０℃１０％から２９℃８０％へ２時間で変化させ、且つ、２９℃８０％→１０℃１０％へ２時間で変化させる。）に従って、徐々に且つ繰り返し変化させた。

この評価を、「予め組まれた環境変化プログラム」が終了するまで繰り返した。評価終了後、各往復時に得られた「テープ幅の変化」それぞれの絶対値全てを用いて平均値（単純平均）を計算し、その値をそのテープの「実効的なテープ幅の変化量」とした。この「実効的なテープ幅の変化量」の理想からの乖離（小さい程望ましい）に従った判定を各テープに対して行い、８段階の判定値をそれぞれ付与した。なお、評価"８"が最も望ましい判定結果を示し、評価"１"が最も望ましくない判定結果を示すものとした。前記８段階のいずれかの評価を有する磁気テープは、テープ走行時に以下の状態が観察される。
８：何も異常が発生しない
７：走行時に、軽度のエラーレートの上昇がみられる
６：走行時に、重度のエラーレートの上昇がみられる
５：走行時に、サーボ信号が読めず軽度（１〜２回）の再読み込みがかかる
４：走行時に、サーボ信号が読めず中度（１０回以内）の再読み込みがかかる
３：走行時に、サーボ信号が読めず重度（１０回超）の再読み込みがかかる
２：サーボが読めず、システムエラーで時々停止する
１：サーボが読めず、システムエラーで即時に停止する

（電磁変換特性の評価）
まず、ループテスター（Microphysics社製）を用いて、磁気記録テープの再生信号を取得した。以下に、再生信号の取得条件について示す。
head:GMR
headspeed : 2m/s
signal : 単一記録周波数（１０ＭＨｚ）
記録電流：最適記録電流

次に、再生信号をスペクトラムアナライザ（spectrum analyze）によりスパン（SPAN）0〜20MHz（resolution band width=100kHz, VBW = 30kHz）で取り込んだ。次に、取り込んだスペクトルのピークを信号量Ｓとすると共に、ピークを除いたfloor noiseを積算して雑音量Ｎとし、信号量Ｓと雑音量Ｎの比Ｓ／ＮをＳＮＲ（Signal-to-Noise Ratio）として求めた。次に、求めたＳＮＲを、リファレンスメディアとしての比較例１のＳＮＲを基準とした相対値（ｄＢ）に変換した。次に、上述のようにして得られたＳＮＲ（ｄＢ）を用いて、電磁変換特性の良否を以下のようにして判定した。
より良好：磁気記録テープのＳＮＲが評価基準サンプル（比較例１）のＳＮＲ（０＝（ｄＢ））よりも１ｄＢ以上良い。
良好：磁気記録テープのＳＮＲが評価基準サンプル（比較例１）のＳＮＲ（＝０（ｄＢ））と同等、もしくはこのＳＮＲ（＝０（ｄＢ））を超える。
不良：磁気記録テープのＳＮＲが評価基準サンプル（比較例１）のＳＮＲ（＝０（ｄＢ））未満である。

（巻ズレの評価）
まず、上記の"テープ幅の変化量の判定"後のカートリッジサンプルを準備した。次に、カートリッジサンプルからテープが巻かれたリールを取り出し、巻かれたテープの端面を目視にて観察した。なお、リールにはフランジがあり、少なくとも１つのフランジは透明または半透明であり、内部のテープ巻き状態をフランジ越しに観察することができる。

観察の結果、テープの端面が平坦でなく、段差やテープの飛び出しがある場合、テープの巻ズレがあるものとした。また、これらの段差やテープの飛び出しが複数個観察される程、「巻ズレ」は悪いものとした。上記の判定をサンプル毎に行った。各サンプルの巻ズレ状態を、リファレンスメディアとしての比較例１の巻ズレ状態と比較し、良否を以下のようにして判定した。
良好：サンプルの巻ズレ状態が、基準サンプル（比較例１）の巻ズレ状態と同等もしくは少ない場合
不良：サンプルの巻ズレ状態が、基準サンプル（比較例１）の巻ズレ状態とより多い場合

表１は、実施例１〜２４及び比較例１〜３の磁気記録テープの構成及び評価結果を示す。

なお、表１中の各記号は、以下の測定値を意味する。
ｔ_ｂｓ：ベース層の厚み（単位：μｍ）
ｔ_Ｔ：磁気記録テープの厚み（単位：μｍ）
Δｗ：磁気記録テープの長手方向のテンション変化に対する磁気記録テープの幅方向の寸法変化量（単位：ｐｐｍ／Ｎ）
α：磁気記録テープの温度膨張係数（単位：ｐｐｍ／℃）
β：磁気記録テープの湿度膨張係数（単位：ｐｐｍ／％ＲＨ）
ρ：磁気記録テープのポアソン比
σ_ＭＤ：磁気記録テープの長手方向の弾性限界値（単位：Ｎ）
Ｖ：弾性限界測定を行う際の速度（単位：ｍｍ／ｍｉｎ）
ｔ_ｍ：磁性層の平均厚み（単位：ｎｍ）
Ｓ２：磁気記録テープの厚み方向（垂直方向）における角形比（単位：％）
ｔ_ｂ：バック層の平均厚み（単位：ｎｍ）
Ｒ_ａｂ：バック層の表面粗度（単位：ｎｍ）
μ：磁性面とバック面の層間摩擦係数
ｔ_ｎ：下地層（非磁性層）の厚み（単位：μｍ）

表１に示される結果より、以下のことが分かる。

実施例１〜２４の磁気記録テープはいずれも、テープ幅の変化量の判定結果が４以上であった（すなわち「実効的なテープ幅の変化量」の理想からの乖離が小さかった）。よって、本技術に従う磁気記録媒体は、長手方向のテンションを調整する記録再生装置における使用に適していることが分かる。
一方、比較例１では、非磁性層の平均厚みが同じ１．０μｍであっても、Δｗが６５０ｐｐｍ／Ｎであるとテープ幅の変化量に関する判定結果が悪い。比較例２では、非磁性層の平均厚みが１．１μｍであり、且つ、Δｗが６３０ｐｐｍ／Ｎであり、テープ幅の変化量に関する判定結果が悪い。比較例３では、非磁性層の平均厚みが１．０以下であっても、ΔＷが５００であるとテープ幅の変化量に関する判定結果が悪い。
これらの結果より、ΔＷが６６０ｐｐｍ／Ｎ以上であり且つ非磁性層の平均厚みが１．０以下であることによって、磁気記録テープは、長手方向のテンションを調整する記録再生装置における使用（特には当該テンションの調整によるテープの幅の調整）に適したものになると考えられる。

さらに、実施例１〜２４についてのテープ幅の変化量の判定結果より、磁気記録テープの寸法変化量ΔＷが好ましくは７００ｐｐｍ／Ｎ以上であることによって、より好ましくは７５０ｐｐｍ／Ｎ以上であることによって、さらにより好ましくは８００ｐｐｍ／Ｎ以上であることによって、当該磁気記録テープは、長手方向のテンションを調整する記録再生装置における使用（特には当該テンションの調整によるテープの幅の調整）により適したものとなることが分かる。

実施例２４と比較例２とを対比すると、平均厚みが５．５μｍ以下であることが、磁気記録テープを、上記記録再生装置における使用に適したものとすることに貢献すると考えられる。
さらに、実施例２〜２４では、磁気記録テープの平均厚みが５．３μｍ以下であり、実施例１では、磁気記録テープの平均厚みが５．５μｍであった。実施例２〜２４では、テープ幅の変化量の判定結果が５以上である一方、実施例１では、テープ幅の変化量の判定結果が４である。このことから、平均厚みが５．３μｍ以下である磁気記録テープが、上記記録再生装置における使用により適したものとなることが分かる。

さらに、実施例１〜２４についてのテープ幅の変化量の判定結果より、磁気記録テープの平均厚みが５．２μｍ以下であることによって、より好ましくは５．０μｍ以下であることによって、当該磁気記録テープは、上記記録再生装置における使用にさらにより適したものとなることが分かる。

また、実施例３〜５、７〜２４では、非磁性層の平均厚みは０．９μｍ以下であり、実施例１、２では、非磁性層の平均厚みは１．０μｍである。実施例３〜５、７〜２４では、テープ幅の判定結果が６以上である一方、実施例１、２では、テープ幅の判定結果が５以下である。このことから、非磁性層の平均厚みが０．９μｍ以下である磁気記録テープが、上記記録再生装置における使用により適したものとなることが分かる。

さらに、実施例３と実施例２３とを対比すると、Δｗが同じ８００ｐｐｍ／Ｎであっても、非磁性層の平均厚みが０．９μｍであるときよりも０．６１μｍであるときの方がテープ幅の変化量に関する判定結果が良い。
この結果より、非磁性層の平均厚みが０．７μｍ以下である磁気記録テープが、上記記録再生装置における使用にさらにより適したものとなることが分かる。

実施例３〜６等の評価結果を相互に比較した場合に、「実効的なテープ幅の変化量」の理想からの乖離を抑制する観点からすると、温度膨張係数αが６ｐｐｍ／℃≦α≦８ｐｐｍ／℃であることが好ましいことがわかる。

実施例３〜５等の評価結果を相互に比較した場合に、「実効的なテープ幅の変化量」の理想からの乖離を抑制する観点からすると、湿度膨張係数βがβ≦５ｐｐｍ／％ＲＨであることが好ましいことがわかる。

実施例７、９、１０等の評価結果を相互に比較した場合に、「実効的なテープ幅の変化量」の理想からの乖離を抑制する観点からすると、長手方向の弾性限界値σ_ＭＤが、０．８［Ｎ］≦σ_ＭＤであることが好ましいことがわかる。
実施例９と実施例１１の比較から、弾性限界値σ_ＭＤが、弾性限界測定を行う際の速度Ｖに寄らないことが分かる。

実施例７及び２０の評価結果を相互に比較した場合に、電磁変換特性の向上の観点からすると、垂直方向における磁気記録テープの角形比Ｓ２が７５％以上、特には８０％以上であることが好ましいことがわかる。

実施例７及び２２等の評価結果を相互に比較すると、磁性粒子としてバリウムフェライトナノ粒子を用いた場合にも、磁性粒子としてε酸化鉄ナノ粒子を用いた場合と同様の評価結果が得られることがわかる。

実施例７及び１５の評価結果を相互に比較すると、電磁変換特性を良好にする観点からは、磁性層の厚みが１００ｎｍ以下、特には９０ｎｍ以下であることが好ましいことがわかる。

実施例７、１４、１６〜１８の評価結果を相互に比較すると、巻ずれを良好にする観点からは、摩擦係数μは、０．１８＜μ＜０．８２、特には０．２０≦μ≦０．８０であることが好ましいことがわかる。

以上、本技術の実施形態及び実施例について具体的に説明したが、本技術は、上述の実施形態及び実施例に限定されるものではなく、本技術の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。

例えば、上述の実施形態及び実施例において挙げた構成、方法、工程、形状、材料、及び数値等はあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる構成、方法、工程、形状、材料、及び数値等を用いてもよい。また、化合物等の化学式は代表的なものであって、同じ化合物の一般名称であれば、記載された価数等に限定されない。

また、上述の実施形態及び実施例の構成、方法、工程、形状、材料、及び数値等は、本技術の主旨を逸脱しない限り、互いに組み合わせることが可能である。

また、本明細書において、「〜」を用いて示された数値範囲は、「〜」の前後に記載される数値をそれぞれ最小値及び最大値として含む範囲を示す。本明細書に段階的に記載されている数値範囲において、ある段階の数値範囲の上限値または下限値は、他の段階の数値範囲の上限値または下限値に置き換えてもよい。本明細書に例示する材料は、特に断らない限り、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。

本技術は、以下の構成をとることもできる。
（１）磁気テープを収容するカートリッジケースと、
前記カートリッジケースに設けられ、前記磁気テープのデータ記録時における情報であって、前記磁気テープのデータ再生時において前記磁気テープの幅を調整するための情報を記憶するメモリと
を具備するカートリッジ。
（２） 上記（１）に記載のカートリッジであって、
前記情報は、データ記録時における前記磁気テープの周囲の環境情報を含む
カートリッジ。
（３） 上記（２）に記載のカートリッジであって、
前記環境情報は、データ記録時における前記磁気テープの周囲の温度の情報を含む
カートリッジ。
（４） 上記（２）又は（３）に記載のカートリッジであって、
前記環境情報は、データ記録時における前記磁気テープの周囲の湿度の情報を含む
カートリッジ。
（５） 上記（１）〜（４）のうちいずれか１つに記載のカートリッジであって、
前記情報は、データ記録時における前記磁気テープのテンションの情報を含む
カートリッジ。
（６） 上記（１）〜（５）のうちいずれか１つに記載のカートリッジであって、
前記情報は、データ記録時における前記磁気テープの幅の情報を含む
カートリッジ。
（７） 上記（１）〜（６）のうちいずれか１つに記載のカートリッジであって、
データ再生時において、前記磁気テープのテンションの調整により前記磁気テープの幅が調整される
カートリッジ。
（８） 上記（７）に記載のカートリッジであって、
データ再生時において、前記磁気テープの幅がデータ記録時における前記磁気テープの幅と同じとなるように、前記磁気テープの幅が調整される
カートリッジ。
（９） 上記（７）又は（８）に記載のカートリッジであって、
前記情報は、データ記録時における前記磁気テープの周囲の環境情報を含み、
前記メモリ内に記憶されたデータ記録時の前記環境情報と、データ再生時に測定された環境情報との差に基づいて、前記磁気テープの幅が調整される
カートリッジ。
（１０） 上記（１）〜（９）のうちいずれか１つに記載のカートリッジであって、
前記カートリッジは、ＬＴＯ（linear Tape Open）規格に基づく
カートリッジ。
（１１） 磁気テープを収容するカートリッジケースに設けられ、前記磁気テープのデータ記録時における情報であって、前記磁気テープのデータ再生時において前記磁気テープの幅を調整するための情報を記憶する
メモリ。
（１２）磁気テープにデータを記録するデータ記録装置であって、
前記磁気テープを収容するカートリッジケースに設けられたメモリに対して、前記磁気テープのデータ記録時における情報であって、前記磁気テープのデータ再生時において前記磁気テープの幅を調整するための情報を記憶する
データ記録装置。
（１３）磁気テープに記録されたデータを再生するデータ再生装置であって、
前記磁気テープを収容するカートリッジケースに設けられたメモリに記憶された前記磁気テープのデータ記録時における情報を読み出して、前記情報に基づいて、前記磁気テープのデータ再生時における前記磁気テープの幅を調整する
データ再生装置。
（１４）磁性層、非磁性層、及びベース層をこの順に有する層構造を有し、
平均厚みｔ_Ｔが、ｔ_Ｔ≦５．５μｍであり、
長手方向のテンション変化に対する幅方向の寸法変化量Δｗが、６６０ｐｐｍ／Ｎ≦Δｗであり、且つ、
前記非磁性層の平均厚みｔ_ｎが、ｔ_ｎ≦１．０μｍである、
である、
磁気記録媒体。
（１５）上記（１４）に記載の磁気記録媒体であって、
垂直方向における角形比が６５％以上である
磁気記録媒体。
（１６）上記（１４）又は（１５）に記載の磁気記録媒体であって、
前記非磁性層は、Ｆｅ基非磁性粒子を含有し、前記Ｆｅ基非磁性粒子の粒子体積が４．０×１０^−５μｍ^３以下である
磁気記録媒体。
（１７）上記（１４）〜（１６）のいずれか１つに記載の磁気記録媒体であって、
平均厚みｔ_Ｔが、ｔ_Ｔ≦５．３μｍである
磁気記録媒体。
（１８）上記（１４）〜（１７）のいずれか１つに記載の磁気記録媒体であって、
平均厚みｔ_Ｔが、ｔ_Ｔ≦５．２μｍである
磁気記録媒体。
（１９）上記（１４）〜（１８）のいずれか１つに記載の磁気記録媒体であって、
〔６〕平均厚みｔ_Ｔが、ｔ_Ｔ≦５．０μｍである
磁気記録媒体。
（２０）上記（１４）〜（１９）のいずれか１つに記載の磁気記録媒体であって、
前記非磁性層の平均厚みｔ_ｎが、ｔ_ｎ≦０．９μｍである
磁気記録媒体。
（２１）上記（１４）〜（２０）のいずれか１つに記載の磁気記録媒体であって、
前記非磁性層の平均厚みｔ_ｎが、ｔ_ｎ≦０．７μｍである
磁気記録媒体。
（２２）上記（１４）〜（２１）のいずれか１つに記載の磁気記録媒体であって、
前記寸法変化量Δｗが、７００ｐｐｍ／Ｎ≦Δｗである
磁気記録媒体。
（２３）上記（１４）〜（２２）のいずれか１つに記載の磁気記録媒体であって、
前記寸法変化量Δｗが、７５０ｐｐｍ／Ｎ≦Δｗである
磁気記録媒体。
（２４）上記（１４）〜（２３）のいずれか１つに記載の磁気記録媒体であって、
前記寸法変化量Δｗが、８００ｐｐｍ／Ｎ≦Δｗである
磁気記録媒体。
（２５）上記（１４）〜（２４）のいずれか１つに記載の磁気記録媒体であって、
前記層構造は、前記ベース層の前記非磁性層側とは反対側にバック層を有し、前記バック層の表面粗度Ｒ_ａｂが、３．０ｎｍ≦Ｒ_ａｂ≦７．５ｎｍである
磁気記録媒体。
（２６）上記（１４）〜（２５）のいずれか１つに記載の磁気記録媒体であって、
前記層構造は、前記ベース層の前記非磁性層側とは反対側にバック層を有し、前記磁気記録媒体の前記磁性層側の表面と前記バック層側の表面との間の摩擦係数μが、０．２０≦μ≦０．８０である
磁気記録媒体。
（２７）上記（１４）〜（２６）のいずれか１つに記載の磁気記録媒体であって、
温度膨張係数αが、６ｐｐｍ／℃≦α≦８ｐｐｍ／℃であり、且つ、湿度膨張係数βが、β≦５ｐｐｍ／％ＲＨである
磁気記録媒体。
（２８）上記（１４）〜（２７）のいずれか１つに記載の磁気記録媒体であって、
ポアソン比ρが、０．３≦ρである
磁気記録媒体。
（２９）上記（１４）〜（２８）のいずれか１つに記載の磁気記録媒体であって、
長手方向の弾性限界値σ_ＭＤが、０．８Ｎ≦σ_ＭＤである
磁気記録媒体。
（３０）上記（２９）に記載の磁気記録媒体であって、
前記弾性限界値σ_ＭＤが、弾性限界測定を行う際の速度Ｖに依らない
磁気記録媒体。
（３１）上記（１４）〜（３０）のいずれか１つに記載の磁気記録媒体であって、
前記磁性層が垂直配向しているものである
磁気記録媒体。
（３２）上記（１４）〜（３１）のいずれか１つに記載の磁気記録媒体であって、
前記層構造は、前記ベース層の前記非磁性層側とは反対側にバック層を有し、前記バック層の平均厚みｔ_ｂが、ｔ_ｂ≦０．６μｍである
磁気記録媒体。
（３３）上記（１４）〜（３２）のいずれか１つに記載の磁気記録媒体であって、
前記磁性層の平均厚みｔ_ｍが、９ｎｍ≦ｔ_ｍ≦９０ｎｍである
磁気記録媒体。
（３４）上記（１４）〜（３３）のいずれか１つに記載の磁気記録媒体であって、
前記磁性層が磁性粉を含む
磁気記録媒体。
（３５）上記（１４）〜（３４）のいずれか１つに記載の磁気記録媒体であって、
前記磁性層の平均厚みｔ_ｍが、３５ｎｍ≦ｔ_ｍ≦９０ｎｍである
磁気記録媒体。
（３６）上記（１４）〜（３５）のいずれか１つに記載の磁気記録媒体であって、
前記磁性粉が、ε酸化鉄磁性粉、バリウムフェライト磁性粉、コバルトフェライト磁性粉、又はストロンチウムフェライト磁性粉を含む
磁気記録媒体。
（３７）上記（１４）〜（３６）のいずれか１つに記載の磁気記録媒体であって、
前記層構造は、前記ベース層の前記非磁性層側とは反対側にバック層を有し、
前記バック層の表面粗度Ｒ_ａｂが、３．０ｎｍ≦Ｒ_ａｂ≦７．５ｎｍである
磁気記録媒体。
（３８）上記（１４）〜（３６）のいずれか１つに記載の磁気記録媒体であって、
前記層構造は、前記ベース層の前記非磁性層側とは反対側にバック層を有し、
前記磁気記録媒体の前記磁性層側の表面と前記バック層側の表面との間の摩擦係数μが、０．２０≦μ≦０．８０である
磁気記録媒体。
（３９）上記（１４）〜（３８）のいずれか１つに記載の磁気記録媒体であって、
温度膨張係数αが、６ｐｐｍ／℃≦α≦９ｐｐｍ／℃であり、且つ、
湿度膨張係数βが、β≦５．５ｐｐｍ／％ＲＨである、
磁気記録媒体。
（４０）上記（１４）〜（３９）のいずれか１つに記載の磁気記録媒体であって、
ポアソン比ρが、０．２５≦ρである
磁気記録媒体。
（４１）上記（１４）〜（４０）のいずれか１つに記載の磁気記録媒体であって、
長手方向の弾性限界値σ_ＭＤが、０．７Ｎ≦σ_ＭＤである
磁気記録媒体。
（４２）上記（４１）に記載の磁気記録媒体であって、
前記弾性限界値σ_ＭＤが、弾性限界測定を行う際の速度Ｖに依らない
磁気記録媒体。
（４３）上記（１４）〜（４２）のいずれか１つに記載の磁気記録媒体であって、
前記非磁性層の平均厚みｔ_ｎが、ｔｎ≦０．９μｍである
磁気記録媒体。
（４４）上記（１４）〜（４３）のいずれか１つに記載の磁気記録媒体であって、
前記非磁性層の平均厚みｔ_ｎが、ｔｎ≦０．７μｍである
磁気記録媒体。

１・・・磁気テープ
９・・・カートリッジメモリ
１０・・カートリッジ
１１・・カートリッジケース
３０・・データ記録／再生装置
３８・・制御装置

Claims (13)

1. 磁気テープを収容するカートリッジケースと、
   前記カートリッジケースに設けられ、前記磁気テープのデータ記録時における情報であって、前記磁気テープのデータ再生時において前記磁気テープの幅を調整するための情報を記憶するメモリと
   を具備するカートリッジ。
2. 請求項１に記載のカートリッジであって、
   前記情報は、データ記録時における前記磁気テープの周囲の環境情報を含む
   カートリッジ。
3. 請求項２に記載のカートリッジであって、
   前記環境情報は、データ記録時における前記磁気テープの周囲の温度の情報を含む
   カートリッジ。
4. 請求項２に記載のカートリッジであって、
   前記環境情報は、データ記録時における前記磁気テープの周囲の湿度の情報を含む
   カートリッジ。
5. 請求項１に記載のカートリッジであって、
   前記情報は、データ記録時における前記磁気テープのテンションの情報を含む
   カートリッジ。
6. 請求項１に記載のカートリッジであって、
   前記情報は、データ記録時における前記磁気テープの幅の情報を含む
   カートリッジ。
7. 請求項１に記載のカートリッジであって、
   データ再生時において、前記磁気テープのテンションの調整により前記磁気テープの幅が調整される
   カートリッジ。
8. 請求項７に記載のカートリッジであって、
   データ再生時において、前記磁気テープの幅がデータ記録時における前記磁気テープの幅と同じとなるように、前記磁気テープの幅が調整される
   カートリッジ。
9. 請求項７に記載のカートリッジであって、
   前記情報は、データ記録時における前記磁気テープの周囲の環境情報を含み、
   前記メモリ内に記憶されたデータ記録時の前記環境情報と、データ再生時に測定された環境情報との差に基づいて、前記磁気テープの幅が調整される
   カートリッジ。
10. 請求項１に記載のカートリッジであって、
    前記カートリッジは、ＬＴＯ（linear Tape Open）規格に基づく
    カートリッジ。
11. 磁気テープを収容するカートリッジケースに設けられ、前記磁気テープのデータ記録時における情報であって、前記磁気テープのデータ再生時において前記磁気テープの幅を調整するための情報を記憶する
    メモリ。
12. 磁気テープにデータを記録するデータ記録装置であって、
    前記磁気テープを収容するカートリッジケースに設けられたメモリに対して、前記磁気テープのデータ記録時における情報であって、前記磁気テープのデータ再生時において前記磁気テープの幅を調整するための情報を記憶する
    データ記録装置。
13. 磁気テープに記録されたデータを再生するデータ再生装置であって、
    前記磁気テープを収容するカートリッジケースに設けられたメモリに記憶された前記磁気テープのデータ記録時における情報を読み出して、前記情報に基づいて、前記磁気テープのデータ再生時における前記磁気テープの幅を調整する
    データ再生装置。

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