JP2020074147A - 透明電極部材および静電容量式センサ - Google Patents
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Abstract
Description
Df>0
を満たすことが、ダミー領域の不可視性を高める観点から好ましい。最小離間距離Df>0は、絶縁層とダミー光学調整領域とが直接的に接した状態でなく、絶縁層とダミー光学調整領域とが連続した部分を有しないことを意味する。
0.5≦Df/D0≦2.5
を満たすことが、ダミー領域の不可視性をより安定的に高める観点から好ましい。
AAf/AA0<1
を満たすことが、ダミー領域の不可視性をより安定的に高める観点から好ましく、
0.3≦AAf/AA0≦0.95
を満たすことが上記観点からより好ましい。
1から除去される。その結果、第1領域R1に位置する分散層DLの透光性が高まる。
図29に表したグラフの横軸は、ギャップ幅(μm)を表している。図29に表したグラフの縦軸は、調整率(%)を表している。図29に表したギャップ幅は、図24に関して前述した絶縁層21の幅D3に相当する。
図33は、図32に表したグラフ中の一部を拡大して表したグラフである。
図33は、図32に表したグラフ中において、波長が500μm以上、600μm以下の範囲を拡大して表したグラフである。
図35は、図34に表したグラフ中の一部を拡大して表したグラフである。図35は、図34に表したグラフ中において、波長が500μm以上、600μm以下の範囲を拡大して表したグラフである。
Df>0
0.5≦Df/D0≦2.5
AAf/AA0<1
図41から図45は、透明電極(第1透明電極、第2透明電極)とダミー領域とを有する検出領域の部分拡大図である。これらの図では、図の全体が与える印象を確認しやすいように、符号を付すことを省略している。
図41に示される実施例1に係る検出領域11では、ダミー領域IFの幅方向に位置する2本の絶縁層21のそれぞれとの関係で最小離間距離Dfがいずれも36.6μmである2つの円形(直径:35μm)のダミー光学調整領域AR1が、ダミー領域IFの延在方向に75μmピッチで配置されている。この場合の離間比Df/D0は1.22であって、調整面積比AAf/AA0は0.7である。この場合には、不可視性に特に優れ、検出領域11において、ダミー領域IFが配置されていることは実質的に視認できなかった。
図42に示される実施例2に係る検出領域11では、ダミー領域IFの幅方向に位置する2本の絶縁層21のそれぞれとの関係で最小離間距離Dfがいずれも65μmである円形(直径:50μm)のダミー光学調整領域AR1が、ダミー領域IFの延在方向に75μmピッチで配置されている。この場合の離間比Df/D0は1.96であって、調整面積比AAf/AA0は0.33である。この場合も、実施例1とほぼ同程度に不可視性に優れ、検出領域11において、ダミー領域IFが配置されていることは実質的に視認できなかった。
図43に示される実施例3に係る検出領域11では、ダミー領域IFの幅方向に位置する2本の絶縁層21のそれぞれとの関係で最小離間距離Dfがいずれも20μmである2つの円形(直径:60μm)のダミー光学調整領域AR1が、ダミー領域IFの延在方向に75μmピッチで配置されている。この場合の離間比Df/D0は0.6であって、調整面積比AAf/AA0は2.0である。この場合も不可視性に優れるが、実施例1との対比では、ダミー光学調整領域AR1の存在がわずかに視認された。
図44に示される比較例1に係る検出領域11では、ダミー領域IFの幅方向に位置する2本の絶縁層21のそれぞれに連結されたライン状のダミー光学調整領域AR1(幅:10μm)が、ダミー領域IFの延在方向に50μmピッチで配置されている。この場合の離間比Df/D0は0であって、調整面積比AAf/AA0は1.0である。この場合には、ダミー光学調整領域AR1の絶縁層21との連結部が絶縁層21の存在を際立たせるため、検出領域11において、ダミー領域IFが配置されていることが視認された。
図45に示される比較例2に係る検出領域11では、ダミー領域IFの幅方向に位置する2本の絶縁層21のそれぞれに連結されたライン状のダミー光学調整領域AR1(幅:10μm)が、ダミー領域IFの延在方向に150μmピッチで配置されている。この場合の離間比Df/D0は0であって、調整面積比AAf/AA0は0.5である。この場合には、調整面積比AAf/AA0は1よりも十分に低いものの、ダミー光学調整領域AR1の絶縁層21との接続部による絶縁層21の顕在化を隠すことができず、検出領域11において、比較例1と同様にダミー領域IFが配置されていることが視認された。
101 基材
S1 第1面
110,110a,110b,110c,110d 透明電極
102 絶縁層
IR 絶縁領域
MX マトリックス
NW 導電性ナノワイヤ
DL 分散層
111 導電部
CR 導電領域
112 光学調整部
AR 光学調整領域
sd 離間距離
130 透明配線
NR 無調整領域
150 第1積層体
AgNW 銀ナノワイヤ
160 レジスト層
161 第1レジスト層
162 第2レジスト層
R1 第1領域
R2 第2領域
R3 第3領域
SI 銀ヨウ化物
151 中間部材
1 静電容量式センサ
2 基材
2a 主面(おもて面)
3 パネル
3a 面
4、4A、4B 第1透明電極
5、5A、5B 第2透明電極
6 配線部
7 連結部(第1透明配線)
8 第1電極連結体
10 ブリッジ配線部(第2透明配線)
11 検出領域
12 第2電極連結体
16 接続配線
20 絶縁部
20a 表面
21 絶縁層
25 非検出領域
27 外部接続部
30 光学透明粘着層
41、41A、41B 第1光学調整領域
51、51A、51B 第2光学調整領域
A1、A2 領域
C1、C2、V1 切断面
D1、D2 距離
D11、D12 直径
D13、D14 長さ
D3 絶縁層21の幅(ギャップ幅)
IF ダミー領域
CR1 ダミー導電領域
AR1 ダミー光学調整領域
Wi 絶縁層21の幅
Wf ダミー領域IFの幅
Df 最小離間距離
P0 第1光学調整領域4Bの配列ピッチ
L0 第1光学調整領域4Bの配列方向の長さ
D0 最近位離間距離
Claims (9)
- 透光性を有する基材と、
前記基材の一つの面である第1面に配置され、透光性を有する透明電極と、
前記第1面の法線方向からみたときに、前記透明電極が配置された領域の周囲の少なくとも一部に位置する絶縁領域に配置された絶縁層と、
を備える透明電極部材であって、
前記透明電極は、絶縁材料からなるマトリックスと、前記マトリックス内に分散した導電性ナノワイヤと、を含む分散層を備え、
前記透明電極は、前記第1面の法線方向からみたときに、導電部からなる導電領域と光学調整部を有する光学調整領域とを有し、
前記光学調整部は、前記分散層における前記導電性ナノワイヤの分散密度が前記導電部よりも低く形成され、
前記透明電極は、
第1方向に沿って並んで配置された複数の第1透明電極と、
第2方向に沿って並んで配置された複数の第2透明電極と、
を有し、
隣り合う前記複数の第1透明電極の間を電気的に接続する第1透明配線が形成され、
前記第1透明配線は、前記第1透明電極よりも幅が小さく、且つ前記分散層で形成され、
前記複数の第1透明電極及び前記第1透明配線と、前記複数の第2透明電極とは、その間に配置された前記絶縁層を介して隣り合って配置され、
前記第1透明電極と前記第2透明電極は、前記光学調整領域を有し、
前記第1透明配線は、前記光学調整部が設けられていない無調整領域を有し、
前記第1透明電極は、前記第1透明配線の周囲に位置する領域に、前記光学調整部が設けられていない無調整領域を有することを特徴とする透明電極部材。 - 前記2透明電極は、前記第1透明配線の周囲に位置する領域に、前記光学調整部が設けられていない無調整領域を有する請求項1記載の透明電極部材。
- 隣り合う前記複数の第2透明電極の間を電気的に接続する第2透明配線が形成され、
前記第1透明配線と前記第2透明配線とは、前記第1面の法線方向に絶縁物を介して重なる部分を有する請求項2記載の透明電極部材。 - 前記絶縁領域の反射率は、前記導電領域の反射率よりも低い、請求項1に記載の透明電極部材。
- 前記絶縁層は前記マトリックスを含有する、請求項4に記載の透明電極部材。
- 前記光学調整領域は、前記導電領域内に位置する、請求項1から5のいずれか一項に記載の透明電極部材。
- 前記透明電極における前記光学調整領域の面積割合は40%以下である、請求項1から5のいずれか一項に記載の透明電極部材。
- 前記光学調整領域は、前記導電領域内に離散的に位置する複数の部分領域を有する、請求項1から5のいずれか一項に記載の透明電極部材。
- 請求項1から8のいずれか一項に記載される透明電極部材と、
操作者の指等の操作体と透明電極との間に生じる静電容量の変化を検知する検知部と、を備える、静電容量式センサ。
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