KR102361068B1 - 투명 전극 부재 및 그 제조 방법, 그리고 그 투명 전극 부재를 사용한 정전 용량식 센서 - Google Patents

투명 전극 부재 및 그 제조 방법, 그리고 그 투명 전극 부재를 사용한 정전 용량식 센서 Download PDF

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에이이치 고마이
유타 히라키
마나부 야자와
게이타 다시로
히데아키 다카하시
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알프스 알파인 가부시키가이샤
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Abstract

투명 전극의 패턴의 불가시성을 향상시킬 수 있는 투명 전극 부재 (100) 는, 투광성을 갖는 기재 (101) 와, 기재 (101) 의 제 1 면에 배치되고, 투광성을 갖는 투명 전극 (110) 과, 제 1 면의 법선 방향에서 보았을 때에, 투명 전극 (110) 이 배치된 영역의 주위의 적어도 일부에 위치하는 절연 영역 (IR) 에 배치된 절연층을 구비하고, 투명 전극 (110) 은, 절연 재료로 이루어지는 매트릭스와, 매트릭스 내에 분산된 도전성 나노와이어를 포함하는 분산층을 구비하고, 제 1 면의 법선 방향에서 보았을 때에, 도전부로 이루어지는 영역 (CR) 과 광학 조정부로 이루어지는 영역 (AR) 을 갖고, 도전부는, 광학 조정부보다 도전성이 높고, 광학 조정부는, 분산층에 있어서의 도전성 나노와이어의 분산 밀도가 도전부보다 낮다.

Description

투명 전극 부재 및 그 제조 방법, 그리고 그 투명 전극 부재를 사용한 정전 용량식 센서{TRANSPARENT ELECTRODE MEMBER, METHOD FOR PRODUCING SAME, AND CAPACITIVE SENSOR USING SAID TRANSPARENT ELECTRODE MEMBER}
본 발명은 투명 전극 부재에 관한 것이다.
정전 용량식 센서는, 화면에 표시되는 영상의 시인성을 저하시키는 일 없이 조작체가 접촉한 부분의 위치를 검지하기 위해서, 투명 전극을 갖는 투명 전극 부재를 구비하고 있다. 일반적으로, 투명 전극 부재에 있어서, 투명 전극이 형성된 패턴부와 투명 전극이 형성되어 있지 않은 비패턴부 (패턴 개구부) 가 존재하는 경우에는, 패턴부와 비패턴부가 시각적으로 구분된다. 그리고, 패턴부의 반사율과 비패턴부의 반사율 사이의 차가 커지면, 패턴부와 비패턴부의 차이가 시각적으로 분명해진다. 그러면, 영상을 표시하는 표시 소자로서의 외관의 시인성이 저하된다는 문제가 있다.
특허문헌 1 에는, 투명 기판 상에 각각 미리 정해진 패턴으로 적층되는 제 1 투명 전극층 및 제 2 투명 전극층과, 제 1 투명 전극층과 상기 제 2 투명 전극층의 사이에 개재된 절연층과, 제 1 투명 전극층과 제 2 투명 전극층을 전기적으로 연결하는 컨택트홀을 구비한 투명 전극 적층체가 개시되어 있다. 특허문헌 1 에 기재된 투명 전극 적층체는, 투명 전극 적층체를 기준으로 하여, 투명 기판의 반대측면에 패시베이션층을 추가로 구비하고 있다.
특허문헌 2 에는, 기체 시트와, 상기 기체 시트 상에 형성되고, 도전성 나노파이버를 포함하고, 그 도전성 나노파이버를 통해서 도통 가능하고, 육안에 의해 인식할 수 없는 크기의 복수의 미소 핀홀을 갖는 도전 패턴층과, 상기 기체 시트 상의 상기 도전 패턴층이 형성되어 있지 않은 부분에 형성되고, 상기 도전성 나노파이버를 포함하고, 상기 도전 패턴층으로부터 절연된 절연 패턴층을 구비한, 도전성 나노파이버 시트가 개시되어 있다. 특허문헌 2 에 기재된 도전성 나노파이버 시트에 있어서의 상기 절연 패턴층은, 육안에 의해 인식할 수 없는 폭의 협소 홈을 갖고, 그 협소 홈에 의해, 상기 도전 패턴층으로부터 절연됨과 함께 복수의 섬 형상으로 형성된다.
일본 공표특허공보 2016-514873호 일본 공표특허공보 2010-157400호
그러나, 특허문헌 1 에 기재된 투명 전극 적층체는, 위치에 따라 상이한 복수의 적층 구조를 갖고 있다. 예를 들어, 제 1 투명 전극층 상에, 제 2 투명 전극층이 형성되어 있거나, 절연층을 개재하여 제 2 투명 전극층이 형성되어 있거나 한다. 그 때문에, 투명 기판 상에는, 단차가 존재한다. 단차가 투명 기판 상에 존재하는 경우에 있어서, 패시베이션층이 단차의 부분에 형성되면, 패시베이션층의 효과는 그다지 얻어지지 않는다. 그 때문에, 패시베이션층은, 투명 기판의 면으로서, 제 1 투명 전극층 및 제 2 투명 전극층이 형성된 면과는 반대측의 면에 형성될 필요가 있다. 그 때문에, 제 1 투명 전극층 및 제 2 투명 전극층의 패턴부에 대한 불가시성의 효과는, 한정적이라는 문제가 있다.
또, 제 1 투명 전극층 및 제 2 투명 전극층의 패턴부의 불가시화를 도모하기 위한 하나의 수단으로서, 비패턴부의 폭이나 크기를 작게 억제하는 것이 생각된다. 그러나, 제 1 패턴과 제 2 패턴이 서로 이웃하는 제 1 투명 전극층에서는, 제 1 패턴 및 제 2 패턴을 제조하거나, 제 1 패턴과 제 2 패턴 사이의 절연성을 확보하거나 하는 점에 있어서 한계가 있다.
본 발명은, 상기 종래의 과제를 해결하기 위한 것이며, 투명 전극의 패턴의 불가시성을 향상시킬 수 있는 투명 전극 부재 및 이러한 투명 전극 부재를 구비하는 정전 용량식 센서를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 투명 전극 부재는, 일 양태에 있어서, 투광성을 갖는 기재와, 상기 기재의 하나의 면인 제 1 면에 배치되고, 투광성을 갖는 투명 전극과, 상기 제 1 면의 법선 방향에서 보았을 때에, 상기 투명 전극이 배치된 영역의 주위의 적어도 일부에 위치하는 절연 영역에 배치된 절연층을 구비하는 투명 전극 부재로서, 상기 투명 전극은, 절연 재료로 이루어지는 매트릭스와, 상기 매트릭스 내에 분산된 도전성 나노와이어를 포함하는 분산층을 구비하고, 상기 투명 전극은, 상기 제 1 면의 법선 방향에서 보았을 때에, 도전부로 이루어지는 도전 영역과 광학 조정부를 갖는 광학 조정 영역을 갖고, 상기 도전부는, 상기 광학 조정부보다 도전성이 높고, 상기 광학 조정부는, 상기 분산층에 있어서의 상기 도전성 나노와이어의 분산 밀도가 상기 도전부보다 낮은 것을 특징으로 하는 투명 전극 부재이다.
이러한 투명 전극 부재에서는, 투명 전극이 구비하는 분산층에 있어서, 도전성 나노와이어가 매트릭스 내에서 분산되면서 서로 연결됨으로써, 다른 투명 도전 재료, 특히 산화물계의 도전성 재료에 비해, 높은 도전성을 달성하는 것이 실현된다. 그 한편으로, 도전성 나노와이어 자체는 투광성을 갖고 있지 않기 때문에, 분산층에 있어서의 도전성 나노와이어의 분산 밀도가 높음으로써, 투명 전극의 반사율이 높아지는 경향이 있다. 즉, 분산층을 구비하는 투명 전극에서는, 도전성 나노와이어의 분산 밀도가 도전성 및 반사율의 쌍방에 대하여 영향을 미치기 때문에, 도전성을 높이는 것과 반사율을 저하시키는 것이 트레이드 오프의 관계에 있다. 그래서, 투명 전극을, 상대적으로 도전성이 높은 도전 영역과, 상대적으로 반사율이 낮은 광학 조정 영역을 갖는 구성으로 함으로써, 투명 전극의 도전성을 유지하면서 반사율을 저감하여, 투명 전극의 불가시성을 높이는 것이 실현된다.
상기의 투명 전극 부재에 있어서, 상기 절연 영역의 반사율은, 상기 도전 영역의 반사율보다 낮은 것이 바람직하다. 이 경우에는, 광학 조정부를 가짐으로써, 전체적인 반사율이 저하된 투명 전극과 절연 영역에 있어서의 반사율의 차가, 광학 조정부를 갖지 않는 경우보다 낮아진다. 따라서, 투명 전극과 절연 영역의 경계가 잘 시인되지 않게 되어, 투명 전극의 불가시성을 높이는 것이 실현된다.
또한, 상기 절연층이 상기 매트릭스를 함유하는 경우에는, 광학 조정부의 반사율 이외의 광학 특성 (예를 들어 굴절률) 과 절연층의 광학 특성이 근사하기 때문에, 예를 들어, 투명 전극 부재 (100) 를 투과하여 시인되는 화상이 있는 경우에 있어서, 그 화상의 표시 균일성이 높아지기 쉽다. 따라서, 투명 전극의 불가시성을 보다 안정적으로 향상시킬 수 있다.
상기의 투명 전극 부재에 있어서, 상기 광학 조정 영역은, 상기 도전 영역 내에 위치하고 있어도 된다. 이러한 구성의 경우에는, 광학 조정 영역이 절연 영역에 직접적으로 접하는 부분을 갖지 않기 때문에, 도전 영역에 의해 투명 전극에 도전로를 적절히 형성하는 것이 가능해져, 투명 전극으로서의 도전성이 저하되는 것을 억제할 수 있다.
상기의 투명 전극 부재에 있어서, 상기 광학 조정 영역의 면적 비율 (이하, 「조정율」 이라고도 한다.) 은 40 ％ 이하인 것이 바람직한 경우가 있다. 전술한 바와 같이, 산화물계 재료로 이루어지는 투명 전극의 도전성에 비해, 도전성 나노와이어를 함유하는 분산층을 구비하는 투명 전극은, 그 도전성을 높이는 것이 용이하다. 따라서, 광학 조정부에서는, 반사율을 저하시키는 것과의 트레이드 오프로서 도전성이 상대적으로 저하되는 경향이 있지만, 조정율을 40 ％ 정도까지 높여, 투명 전극의 불가시성을 향상시켜도, 투명 전극으로서 요구되는 도전성을 확보할 수 있다.
상기의 투명 전극 부재에 있어서, 상기 광학 조정 영역은, 상기 도전 영역 내에 이산적으로 위치하는 복수의 부분 영역을 갖고 있는 것이 바람직하다. 상대적으로 투광성이 상이한 광학 조정 영역과 도전 영역이 서로 큰 패턴을 형성하고 있는 경우에는, 그 패턴 형상에 따라서는, 패턴의 시인성이 높아져 버리는 것이 우려된다. 또, 광학 조정부는 상대적으로 도전성이 낮은 영역이기 때문에, 이것이 투명 전극 내에서 하나로 정리되어 위치하는 경우에는, 투명 전극 내를 사행하는 도전로가 형성되어 버려, 투명 전극으로서의 도전성이 저하되어 버릴 우려도 있다. 따라서, 상기와 같이, 상대적으로 도전성이 낮은 광학 조정 영역을 도전 영역 내에 이산적으로 배치함으로써, 투명 전극 내에 시인되기 쉬운 패턴이 형성되거나, 실질적으로 도전성을 저하되거나 하는 것이 억제된다. 또, 후술하는 바와 같이, 투명 전극이 절연 영역을 개재하여 복수 배치되어 있는 경우에는, 복수의 투명 전극의 사이에 위치하는 절연 영역의 반사율이 투명 전극의 도전부의 반사율과 상이한 것에 기인하여, 절연 영역의 시인성이 높아져 버리는 경우도 있다. 이와 같은 경우이더라도, 투명 전극의 도전 영역 내에 상대적으로 반사율이 낮은 광학 조정 영역이 이산적으로 배치되어 있음으로써, 절연 영역에 적어도 일부가 둘러싸인 상태에 있는 투명 전극의 불가시성을 향상시킬 수 있다.
상기의 투명 전극 부재에 있어서, 상기 복수의 부분 영역은, 서로 30 ㎛ 이상 이간하고 있는 것이 바람직한 경우가 있다. 이 이간 거리는, 즉, 이산 배치되는 광학 조정 영역의 사이에 위치하는 도전 영역의 폭이기 때문에, 투명 전극에 있어서의 개개의 도전로의 폭이 된다. 이 이간 거리가 30 ㎛ 이상임으로써, 투명 전극으로서의 도전성이 저하되는 것이 안정적으로 억제된다.
상기와 같이 광학 조정부를 갖는 부분 영역이 이산적으로 배치되어 있는 경우에 있어서, 복수의 부분 영역의 각각의 형상은 원이고, 상기 원의 직경은, 10 ㎛ 이상, 100 ㎛ 이하여도 된다. 투명 전극의 불가시성을 보다 안정적으로 향상시키는 관점에서, 상기의 복수 부분 영역의 형상은, 투명 전극 내에서 균일한 것이 바람직하다. 이 부분 영역의 형상이 원으로서, 그 직경이 상기의 범위인 경우에는, 조정율을 40 ％ 이하로 하면서, 복수 부분 영역의 이간 거리를 30 ㎛ 이상으로 하는 것을 용이하게 실현할 수 있다.
상기 복수의 부분 영역의 각각의 형상을, 원 대신에, 사각형으로 해도 된다. 이 경우에는, 상기 사각형의 대각선 중에서 최장 대각선의 길이는, 10 ㎛ 이상, 100 ㎛ 이하인 것이, 상기의 이유와 동일한 이유에 의해, 바람직하다.
또한, 상기 복수의 부분 영역이 상기 투명 전극의 전체에 걸쳐서 배치되는 경우에는, 투명 전극 내에 반사율이 상이한 영역이 위치하는 것에 기초하는 큰 패턴이 잘 형성되지 않는다. 따라서, 투명 전극 전체적으로 반사율에 편차가 잘 생기지 않기 때문에, 투명 전극의 불가시성이 향상되기 쉬워, 바람직하다.
상기의 투명 전극 부재에 있어서, 상기 투명 전극은 상기 제 1 면에 복수 배치되고, 투광성을 갖는 도전성 재료로 이루어지는 투명 배선을 또한 갖고, 상기 투명 배선은, 상기 투명 전극의 복수를 전기적으로 접속하고 있어도 된다. 이 경우에는, 복수의 투명 전극에 있어서의 투명 배선으로 접속되어 있는 부분 이외는, 절연 영역에 의해 둘러싸여 있다. 즉, 투명 전극 부재의 제 1 면 상에는, 투명 전극으로 이루어지는 영역, 절연 영역 및 투명 배선으로 이루어지는 영역이 존재하게 된다. 이와 같은 경우이더라도, 투명 전극의 투광성이 적절히 높아져 있기 때문에, 이들 영역에 기초하는 패턴이 잘 시인되지 않는다.
상기의 투명 전극 부재에 있어서, 상기 투명 전극은, 상기 제 1 면의 면내 방향의 하나인 제 1 방향을 따라 나란히 배치되고, 서로 전기적으로 접속된 복수의 제 1 투명 전극과, 상기 제 1 면의 면내 방향의 다른 하나인 제 2 방향을 따라 나란히 배치되고, 서로 전기적으로 접속된 복수의 제 2 투명 전극을 갖고, 상기 투명 배선은, 상기 복수의 제 1 투명 전극을 전기적으로 접속하는 제 1 투명 배선과, 상기 복수의 제 2 투명 전극을 전기적으로 접속하는 제 2 투명 배선을 갖고, 상기 제 1 투명 배선과 상기 제 2 투명 배선은, 상기 제 1 면의 법선 방향으로 절연물을 개재하여 겹치는 부분을 갖고 있어도 된다. 이러한 구성을 구비하는 경우에는, 투명 전극 부재의 제 1 면 상에는, 투명 전극으로 이루어지는 영역, 절연 영역 및 투명 배선을 포함하는 영역이 존재하고, 투명 배선을 포함하는 영역에는, 제 1 투명 배선을 포함하는 영역, 제 2 투명 배선을 포함하는 영역, 및 2 개의 투명 배선이 적층되어 있는 영역이 존재하게 된다. 이와 같은 경우이더라도, 투명 전극의 불가시성이 적절히 높아져 있기 때문에, 제 1 면에 패턴이 잘 시인되지 않는다. 특히, 투명 전극이, 전술한 바와 같이, 도전 영역 내에 광학 조정 영역이 복수의 부분 영역으로서 존재하고 있는 경우에는, 투명 전극으로 이루어지는 영역과 투명 배선을 포함하는 영역과 시각상의 식별성이 보다 안정적으로 저하되어, 바람직하다.
상기의 투명 전극 부재에 있어서, 상기 절연층에 둘러싸이고 (따라서, 상기 제 1 투명 전극 및 상기 제 2 투명 전극 중 어느 것과도 전기적으로 비접속이다.) 투광성을 갖는 더미 영역이, 상기 제 1 투명 전극과 상기 제 2 투명 전극의 사이에 형성되어 있어도 된다. 이 경우에는, 상기 더미 영역에 의해 상기 제 1 투명 전극과 상기 제 2 투명 전극이 이간하는 이간 방향의 상기 더미 영역의 길이는 70 ㎛ 이상으로서, 상기 더미 영역은, 상기 투명 전극의 상기 도전 영역과 구조가 공통되는 더미 도전 영역과, 상기 투명 전극의 상기 광학 조정 영역과 구조가 공통되는 더미 광학 조정 영역을 갖고, 상기 절연층으로부터 최근위 (最近位) 에 위치하는 상기 더미 광학 조정 영역의 상기 절연층으로부터의 거리인 최소 이간 거리 Df 는,
Df ＞ 0
을 만족하는 것이, 더미 영역의 불가시성을 높이는 관점에서 바람직하다. 최소 이간 거리 Df ＞ 0 은, 절연층과 더미 광학 조정 영역이 직접적으로 접한 상태가 아니라, 절연층과 더미 광학 조정 영역이 연속한 부분을 갖지 않는 것을 의미한다.
상기의 Df ＞ 0 을 만족하는 경우에 있어서, 상기 투명 전극의 상기 광학 조정 영역은, 상기 투명 전극의 상기 도전 영역 내에 이산적으로 위치하는 복수의 부분 영역을 갖고, 상기 복수의 부분 영역에 있어서 최근위에 위치하는 2 개의 영역의 이간 거리인 최근위 이간 거리 D0 와, 상기 최소 이간 거리 Df 는,
0.5 ≤ Df/D0 ≤ 2.5
를 만족하는 것이, 더미 영역의 불가시성을 보다 안정적으로 높이는 관점에서 바람직하다.
상기의 Df ＞ 0 을 만족하는 경우에 있어서, 상기 투명 전극의 상기 광학 조정 영역의 면적 비율 AA0 와, 상기 더미 영역의 상기 광학 조정 영역의 면적 비율 AAf 는,
AAf/AA0 ＜ 1
을 만족하는 것이, 더미 영역의 불가시성을 보다 안정적으로 높이는 관점에서 바람직하고,
0.3 ≤ AAf/AA0 ≤ 0.95
를 만족하는 것이 상기 관점에서 보다 바람직하다.
상기와 같이 더미 영역이 형성되어 있는 경우에 있어서, 상기 더미 영역에 의해 상기 제 1 투명 전극과 상기 제 2 투명 전극이 이간하는 이간 방향의 상기 더미 영역의 길이는 100 ㎛ 이하일 때에는, 상기 더미 영역은, 상기 투명 전극의 상기 도전 영역과 구조가 공통되는 더미 도전 영역으로 이루어지는 것이, 더미 영역의 불가시성을 높이는 관점에서 바람직한 경우가 있다.
상기 투명 전극은, 상기 투명 배선의 주위에 위치하는 영역에, 상기 광학 조정부가 형성되어 있지 않은 무조정 영역을 갖는 것이 바람직한 경우가 있다. 투명 배선이 배치되어 있는 영역의 주위의 영역에는, 비교적 조밀하게 절연 영역이 위치하기 쉽다. 절연 영역의 반사율이 도전부에 비해 낮은 경우에는, 투명 배선의 주위의 영역에 위치하는 투명 전극의 일부를 광학 조정부로 하여 그 영역의 투명 전극의 반사율을 적극적으로 저하시키지 않아도, 그 영역의 반사율은 다른 영역에 비해 저하된 상태에 있다. 따라서, 투명 배선의 주위의 영역에 무조정 영역을 갖고 있어도 된다. 전술한 바와 같이 광학 조정부는 상대적으로 도전성이 저하되는 바, 투명 배선의 주위의 영역은, 사용시에 전류가 높아지는 경향이 있다. 이 때문에, 무조정 영역을 형성함으로써, 전류 집중에 의한 도전성 나노와이어의 용단 등의 문제가 생길 가능성을 저감시킬 수 있다.
상기의 투명 전극 부재에 있어서, 상기 광학 조정부의 상기 분산층에서는, 절연성을 나타내는 정도로, 상기 도전성 나노와이어의 분산 밀도가 저감되어 있어도 된다. 이러한 구성 (이하, 「제 1 구성」 이라고도 한다.) 의 경우에는, 광학 조정부의 분산층으로부터 도전성 나노와이어가 실질적으로 제거된 상태에 있기 때문에, 광학 조정부의 반사율이 특히 낮아진다. 따라서, 조정율을 높이는 일 없이 투명 전극 전체의 불가시성을 높일 수 있다. 또한, 이 경우에 있어서, 절연 영역에 배치되는 절연층이, 광학 조정부의 매트릭스를 함유하는 경우에는, 절연층과 광학 조정부는 실질적으로 동등한 재료로 구성된다. 이 때문에, 투명 전극 부재는, 도전 영역의 주위에 위치하는 반사율이 낮은 영역에 배치된 부재가 공통의 재료로 이루어지는 구성이 된다. 이러한 구성을 구비하는 경우에는, 투명 전극의 불가시성이 특히 향상되는 경우도 있다.
상기의 투명 전극 부재에 있어서, 상기 광학 조정부는, 상기 절연층보다 높은 도전성을 가져도 된다. 이러한 구성 (이하, 「제 2 구성」 이라고도 한다.) 의 경우에는, 투명 전극 전체의 도전성을 높게 할 수 있다. 또, 이 경우에는 광학 조정부의 분산층에 있어서의 도전성 나노와이어의 분산 밀도와 도전부의 분산층에 있어서의 도전성 나노와이어의 분산 밀도의 차가 비교적 적어지기 때문에, 투명 전극에 있어서 광학 조정부와 도전부에 의해 형성되는 패턴이 잘 시인되지 않게 된다.
본 발명은, 다른 일 양태로서, 상기의 제 1 구성의 투명 전극 부재의 제조 방법을 제공한다. 이러한 제조 방법은, 상기 매트릭스에 은 나노와이어가 분산된 층이 상기 분산층으로서 상기 제 1 면에 적층된 제 1 적층체를 준비하는 공정과, 상기 제 1 적층체의 상기 분산층의 일부를 레지스트층으로 덮는 공정과, 상기 분산층에 있어서의 상기 레지스트층에 의해 덮여 있지 않은 제 1 영역을 요오드액으로 처리하여, 상기 제 1 영역에 존재하는 상기 은 나노와이어의 적어도 일부를 요오드화하여 은 요오드화물로 하고, 상기 제 1 영역에 위치하는 상기 분산층을 절연성으로 하는 공정과, 상기 제 1 영역을 티오황산염 용액으로 처리하여, 상기 은 요오드화물의 적어도 일부를 상기 제 1 영역으로부터 제거하는 공정과, 상기 레지스트층을 제거하여, 절연성의 상기 광학 조정부 및 상기 절연층을 상기 제 1 영역에 구비하고, 상기 레지스트층에 의해 덮여 있던 영역에 상기 도전부를 구비하는 부재를 얻는 공정을 구비한다.
이러한 제조 방법을 채용함으로써, 1 회의 레지스트 워크로 절연층과 광학 조정부를 제조할 수 있다. 따라서, 투명 전극 부재를 효율적으로 제조하는 것이 가능하다. 또, 절연층과 광학 조정부의 광학 특성이 동일해지기 때문에, 투명 전극과 절연 영역에 의해 형성되는 패턴이 잘 시인되지 않게 되어, 보다 불가시성이 높은 투명 전극 부재가 얻어지는 경우가 있다.
본 발명은, 다른 일 양태로서, 상기의 제 2 구성의 투명 전극 부재의 제조 방법을 제공한다. 이러한 제조 방법은, 상기 매트릭스에 은 나노와이어가 분산된 층이 상기 분산층으로서 상기 제 1 면에 적층된 제 1 적층체를 준비하는 공정과, 상기 제 1 적층체의 상기 분산층의 일부를 제 1 레지스트층으로 덮는 공정과, 상기 분산층에 있어서의 상기 제 1 레지스트층에 의해 덮여 있지 않은 제 1 영역을 요오드액으로 처리하여, 상기 제 1 영역에 존재하는 상기 은 나노와이어의 적어도 일부를 요오드화하여 은 요오드화물로 하고, 상기 제 1 영역에 위치하는 상기 분산층을 상기 절연층으로 하는 공정과, 상기 제 1 영역을 티오황산염 용액으로 처리하여, 상기 은 요오드화물의 적어도 일부를 상기 제 1 영역으로부터 제거하는 공정과, 상기 제 1 레지스트층을 제거하여, 상기 제 1 영역에 상기 절연층을 구비하는 중간 부재를 얻는 공정과, 상기 중간 부재의 상기 분산층에 있어서의 상기 제 1 레지스트층에 의해 덮여 있던 영역의 일부인 제 2 영역을 제 2 레지스트층으로 덮는 공정과, 상기 제 1 레지스트층에 의해 덮여 있던 영역이지만 상기 제 2 레지스트층에 의해 덮여 있지 않은 영역인 제 3 영역을 요오드액으로 처리하여, 상기 제 3 영역에 존재하는 상기 은 나노와이어의 적어도 일부를 요오드화하여 은 요오드화물로 하고, 상기 제 3 영역의 도전성을 상기 제 2 영역의 도전성보다 저하시키는 공정과, 상기 제 3 영역을 티오황산염 용액으로 처리하여, 상기 은 요오드화물의 적어도 일부를 상기 제 3 영역으로부터 제거하는 공정과, 상기 제 2 레지스트층을 제거하여, 상기 제 1 영역에 상기 절연층을 구비하고, 상기 제 2 영역에 상기 도전부를 구비하고, 상기 절연층보다 높고 상기 도전부보다 낮은 도전성을 갖는 상기 광학 조정부를 상기 제 3 영역에 구비하는 부재를 얻는 공정을 구비한다.
이러한 제조 방법을 채용함으로써, 어느 정도의 도전성을 갖는 광학 조정부를 제조할 수 있다. 따라서, 도전성이 높은 투명 전극을 구비하는 투명 전극 부재를 제조하는 것이 가능하다. 또, 상기의 제조 방법을 적절히 실시하면, 분산층의 시인성에 가장 영향을 주는 위치에 존재하는 은 나노와이어를 우선적으로 제거하는 것이 가능하다. 따라서, 반사율이 낮고 도전성이 높은 광학 조정부를 형성하는 것도 가능하다. 이와 같은 광학 조정부를 형성한 경우에는, 도전성이 보다 높고, 또한 불가시성이 보다 높은 투명 전극 부재가 얻어지는 경우가 있다.
본 발명은, 또 다른 일 양태로서, 상기의 투명 전극 부재와, 조작자의 손가락 등의 조작체와 상기 투명 전극의 사이에 생기는 정전 용량의 변화를 검지하는 검지부를 구비하는 정전 용량식 센서를 제공한다. 이러한 정전 용량식 센서에서는, 투명 전극의 불가시성이 높기 때문에, 정전 용량식 센서를 투과하여 사용자에게 관찰되는 화상의 시인성을 높이는 것이 가능하고, 표시 균일성을 높이는 것도 가능하다.
본 발명에 의하면, 투명 전극의 패턴의 불가시성을 향상시킬 수 있는 투명 전극 부재를 제공하는 것이 가능해진다. 또, 본 발명에 의하면, 이러한 투명 전극 부재를 구비하는 정전 용량식 센서도 제공된다.
도 1 은, 본 발명의 일 실시형태에 관련된 투명 전극 부재의 구조를 개념적으로 나타내는 평면도이다.
도 2 는, 도 1 의 V1-V1 단면도이다.
도 3 은, 본 발명의 일 실시형태에 관련된 투명 전극 부재의 투명 전극의 구체적인 구조의 일례를 개념적으로 나타내는 부분 단면도이다.
도 4 는, 본 발명의 일 실시형태에 관련된 투명 전극 부재의 투명 전극의 구체적인 구조의 다른 일례를 개념적으로 나타내는 부분 단면도이다.
도 5 는, 복수의 투명 전극을 갖는 투명 전극 부재의 일례의 구성을 개념적으로 나타내는 평면도이다.
도 6 은, 복수의 투명 전극을 갖는 투명 전극 부재의 다른 일례의 구성을 개념적으로 나타내는 평면도이다.
도 7 은, 제 1 구성의 투명 전극 부재의 제조 방법의 플로우 차트이다.
도 8 은, 제 1 적층체를 준비한 상태를 개념적으로 나타내는 단면도이다.
도 9 는, 레지스트층을 제 1 적층체 상에 배치한 상태를 개념적으로 나타내는 단면도이다.
도 10 은, 요오드액에 의한 처리가 실시된 상태를 개념적으로 나타내는 단면도이다.
도 11 은, 티오황산염 용액에 의한 처리가 실시된 상태를 개념적으로 나타내는 단면도이다.
도 12 는, 레지스트층을 제거한 상태를 개념적으로 나타내는 단면도이다.
도 13 은, 제 2 구성의 투명 전극 부재의 제조 방법의 플로우 차트이다.
도 14 는, 제 1 적층체를 준비한 상태를 개념적으로 나타내는 단면도이다.
도 15 는, 제 1 레지스트층을 제 1 적층체 상에 배치한 상태를 개념적으로 나타내는 단면도이다.
도 16 은, 요오드액에 의한 처리가 실시된 상태를 개념적으로 나타내는 단면도이다.
도 17 은, 티오황산염 용액에 의한 처리가 실시된 상태를 개념적으로 나타내는 단면도이다.
도 18 은, 제 1 레지스트층을 제거한 상태를 개념적으로 나타내는 단면도이다.
도 19 는, 제 2 레지스트층을 제 1 적층체 상에 배치한 상태를 개념적으로 나타내는 단면도이다.
도 20 은, 요오드액에 의한 처리가 실시된 상태를 개념적으로 나타내는 단면도이다.
도 21 은, 티오황산염 용액에 의한 처리가 실시된 상태를 개념적으로 나타내는 단면도이다.
도 22 는, 제 2 레지스트층을 제거한 상태를 개념적으로 나타내는 단면도이다.
도 23 은, 본 실시형태에 관련된 정전 용량식 센서를 나타내는 평면도이다.
도 24 는, 도 1 에 나타낸 영역 (A1) 을 확대한 평면도이다.
도 25 는, 도 2 에 나타낸 절단면 C1-C1 에 있어서의 단면도이다.
도 26 은, 도 2 에 나타낸 절단면 C2-C2 에 있어서의 단면도이다.
도 27 은, 본 실시형태의 제 1 투명 전극 및 제 2 투명 전극의 변형예를 나타내는 평면도이다.
도 28 은, 조정율과 배선 저항의 관계의 일례를 예시하는 그래프이다.
도 29 는, 갭 폭과 조정율의 관계의 일례를 예시하는 그래프이다.
도 30 은, 시트 저항과 도통성 확보 가능 라인폭의 관계의 일례를 예시하는 그래프이다.
도 31 은, 본 실시형태의 간극 (갭) 의 근방에 광학 조정부가 형성되었을 때의 시인성을 설명하는 평면도이다.
도 32 는, 광학 조정부의 직경을 변화시켰을 때의 파장과 반사율의 관계의 일례를 예시하는 그래프이다.
도 33 은, 도 10 에 나타낸 그래프 중의 일부를 확대하여 나타낸 그래프이다.
도 34 는, 광학 조정부의 형상을 변화시켰을 때의 파장과 반사율의 관계의 일례를 예시하는 그래프이다.
도 35 는, 도 12 에 나타낸 그래프 중의 일부를 확대하여 나타낸 그래프이다.
도 36 은, (a) 제 1 구성의 투명 전극 부재의 제조 방법의 변형예에 있어서 티오황산염 용액에 의한 처리가 실시된 상태를 나타내는 도, 및 (b) 제 1 레지스트층을 제거하여 투명 전극 부재가 얻어진 상태를 개념적으로 나타내는 단면도이다.
도 37 은, (a) 제 2 구성의 투명 전극 부재의 제조 방법의 변형예에 있어서 절연층을 형성하기 위한 티오황산염 용액에 의한 처리가 실시된 상태를 나타내는 도, 및 (b) 제 1 레지스트층을 제거하여 중간 부재가 얻어진 상태를 개념적으로 나타내는 단면도이다.
도 38 은, (a) 제 2 구성의 투명 전극 부재의 제조 방법의 변형예에 있어서 광학 조정부를 형성하기 위한 티오황산염 용액에 의한 처리가 실시된 상태를 나타내는 도, 및 (b) 제 2 레지스트층을 제거하여 투명 전극 부재가 얻어진 상태를 개념적으로 나타내는 단면도이다.
도 39 는, 본 실시형태의 정전 용량식 센서의 다른 변형예 (제 2 변형예) 의 검출 영역의 일부를 나타내는 평면도이다.
도 40 은, 제 2 변형예에 있어서의 더미 영역을 포함하는 영역의 부분 확대도이다.
도 41 은, 실시예 1 에 관련된 검출 영역의 부분 확대도이다.
도 42 는, 실시예 2 에 관련된 검출 영역의 부분 확대도이다.
도 43 은, 실시예 3 에 관련된 검출 영역의 부분 확대도이다.
도 44 는, 비교예 1 에 관련된 검출 영역의 부분 확대도이다.
도 45 는, 비교예 2 에 관련된 검출 영역의 부분 확대도이다.
이하, 본 발명의 실시형태에 대해서 도면을 참조하면서 설명한다. 또한, 각 도면 중, 동일한 구성 요소에는 동일한 부호를 붙여 상세한 설명은 적절히 생략한다.
도 1 은, 본 발명의 일 실시형태에 관련된 투명 전극 부재의 구조를 개념적으로 나타내는 평면도이다. 도 2 는, 도 1 의 V1-V1 단면도이다. 도 3 은, 본 발명의 일 실시형태에 관련된 투명 전극 부재의 투명 전극의 구체적인 구조의 일례를 개념적으로 나타내는 부분 단면도이다. 도 4 는, 본 발명의 일 실시형태에 관련된 투명 전극 부재의 투명 전극의 구체적인 구조의 다른 일례를 개념적으로 나타내는 부분 단면도이다.
도 1 및 도 2 에 나타내는 바와 같이, 본 발명의 일 실시형태에 관련된 투명 전극 부재 (100) 는, 투광성을 갖는 기재 (101) 를 구비한다. 본원 명세서에 있어서 「투명」 및 「투광성」 이란, 가시광선 투과율이 50 ％ 이상 (바람직하게는 80 ％ 이상) 인 상태를 가리킨다. 또한, 헤이즈치가 6 ％ 이하인 것이 적합하다. 본원 명세서에 있어서 「차광」 및 「차광성」 이란, 가시광선 투과율이 50 ％ 미만 (바람직하게는 20 ％ 미만) 인 상태를 가리킨다. 기재 (101) 는, 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET) 등의 필름상의 투명 기재나 유리 기재 등으로 형성된다.
투명 전극 부재 (100) 는, 기재 (101) 의 하나의 면인 제 1 면 (S1) 에 배치된, 투광성을 갖는 투명 전극 (110) 과 절연층 (102) 을 구비한다.
절연층 (102) 은, 제 1 면 (S1) 의 법선 방향에서 보았을 때에, 투명 전극 (110) 이 배치된 영역의 주위의 적어도 일부에 위치하는 절연 영역 (IR) 에 배치된다.
투명 전극 (110) 은, 도 3 및 도 4 에 나타내는 바와 같이, 절연 재료로 이루어지는 매트릭스 (MX) 와, 매트릭스 (MX) 내에 분산된 도전성 나노와이어 (NW) 를 포함하는 분산층 (DL) 을 구비한다. 매트릭스 (MX) 를 구성하는 절연 재료의 구체예로서, 폴리에스테르 수지, 아크릴 수지, 및 폴리우레탄 수지 등을 들 수 있다. 도전성 나노와이어 (NW) 로는, 금 나노와이어, 은 나노와이어, 및 구리 나노와이어로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 1 개가 사용된다. 도전성 나노와이어 (NW) 의 분산성은, 매트릭스 (MX) 에 의해 확보되어 있다. 복수의 도전성 나노와이어 (NW) 가 적어도 일부에 있어서 서로 접촉함으로써, 투명 전극 (110) 의 면내에 있어서의 도전성이 유지되고 있다.
투명 전극 (110) 은, 도 1 및 도 2 에 나타내는 바와 같이, 제 1 면 (S1) 의 법선 방향에서 보았을 때에, 도전부 (111) 로 이루어지는 영역 (도전 영역) (CR) 과 광학 조정부 (112) 를 갖는 영역 (광학 조정 영역) (AR) 을 갖는다. 도전부 (111) 는, 광학 조정부 (112) 보다 도전성이 높고, 광학 조정부 (112) 는, 분산층 (DL) 에 있어서의 도전성 나노와이어 (NW) 의 분산 밀도가 도전부 (111) 보다 낮다.
이러한 구조에서는, 투명 전극 (110) 이 구비하는 분산층 (DL) 에 있어서, 도전성 나노와이어 (NW) 가 매트릭스 (MX) 내에서 분산되면서 서로 연결됨으로써, 다른 투명 도전 재료, 특히 산화물계의 도전성 재료에 비해, 높은 도전성을 달성할 수 있다. 그 한편으로, 도전성 나노와이어 (NW) 자체는 투광성을 갖고 있지 않기 때문에, 분산층 (DL) 에 있어서의 도전성 나노와이어 (NW) 의 분산 밀도가 높음으로써, 투명 전극 (110) 의 반사율이 높아지는 경향이 있다. 즉, 분산층 (DL) 을 구비하는 투명 전극 (110) 에서는, 도전성 나노와이어 (NW) 의 분산 밀도가 도전성 및 반사율의 쌍방에 대하여 영향을 미치기 때문에, 도전성을 높이는 것과 반사율을 저하시키는 것이 트레이드 오프의 관계에 있다. 그래서, 투명 전극 (110) 을, 상대적으로 도전성이 높은 도전 영역 (CR) 과, 상대적으로 반사율이 낮은 광학 조정 영역 (AR) 을 갖는 구성으로 함으로써, 투명 전극 (110) 의 도전성을 유지하면서 반사율을 저감하여, 투명 전극 (110) 의 불가시성을 높이는 것이 실현된다.
또, 특허문헌 1 이나 특허문헌 2 에 기재되는 바와 같은, 투명 전극에 관통공을 갖는 경우에 비하면, 반사율 이외의 광학 특성 (예를 들어 굴절률) 을 크게 상이하게 하는 일 없이, 광학 조정 영역 (AR) 의 반사율을 도전 영역 (CR) 의 반사율보다 낮게 할 수 있다. 따라서, 예를 들어, 투명 전극 부재 (100) 를 투과하여 시인되는 화상이 있는 경우에 있어서, 그 화상의 표시 균일성을 높일 수 있다. 또한, 광학 조정 영역 (AR) 의 구성을 적절히 제어하면, 투명 전극 (110) 에 형성된 관통공에 비해 광학 조정 영역 (AR) 의 도전성을 높이는 것도 가능하다. 이 경우에는, 투명 전극 (110) 전체적으로의 도전성을 높이는 것이 가능하고, 투명 전극 (110) 에 있어서의 광학 조정 영역 (AR) 의 면적 비율을 높이는 것도 가능하다. 따라서, 광학 조정 영역 (AR) 을 형성함으로써, 투명 전극 (110) 의 도전성을 높이는 것과 불가시성을 높이는 것이, 관통공을 형성한 경우에 비해, 고차로 실현될 수 있다.
여기서, 절연 영역 (IR) 의 반사율은, 도전 영역 (CR) 의 반사율보다 낮은 것이 바람직하다. 이 경우에는, 광학 조정 영역 (AR) 을 가짐으로써, 전체적인 반사율이 저하된 투명 전극 (110) 과 절연 영역 (IR) 에 있어서의 반사율의 차가, 광학 조정부 (112) 를 갖지 않는 경우보다 낮아진다. 따라서, 투명 전극 (110) 과 절연 영역 (IR) 의 경계가 잘 시인되지 않게 되어, 투명 전극 (110) 의 불가시성을 높이는 것이 실현된다.
또한, 절연 영역 (IR) 에 배치되는 절연층 (102) 이 분산층 (DL) 의 구성 요소의 하나인 매트릭스 (MX) 를 함유하는 것이 바람직하다. 이 경우에는, 매트릭스 (MX) 를 공통으로 함유하는 것에 기인하여, 광학 조정부 (112) 의 반사율 이외의 광학 특성 (예를 들어 굴절률) 과 절연층 (102) 의 광학 특성이 근사한다. 이 때문에, 예를 들어, 투명 전극 부재 (100) 를 투과하여 시인되는 화상이 있는 경우에 있어서, 그 화상의 표시 균일성이 높아지기 쉬워져, 투명 전극 (110) 의 불가시성을 보다 안정적으로 향상시킬 수 있다.
투명 전극 부재 (100) 에 있어서, 광학 조정부 (112) 의 분산층 (DL) 에서는, 절연성을 나타내는 정도로, 도전성 나노와이어 (NW) 의 분산 밀도가 저감되어 있어도 된다. 도 3 은 이러한 구성 (제 1 구성) 의 구체예이고, 광학 조정부 (112) 의 분산층 (DL) 에는 도전성 나노와이어 (NW) 가 실질적으로 존재하지 않고, 분산층 (DL) 은 매트릭스 (MX) 로 구성된다. 이 경우에는, 반사율을 높이는 부재인 도전성 나노와이어 (NW) 가 실질적으로 존재하지 않기 때문에, 광학 조정부 (112) 의 반사율이 특히 낮아진다. 여기서, 도 3 에 나타내는 바와 같이, 투명 전극 부재 (100) 의 절연 영역 (IR) 에 배치되는 절연층 (102) 은, 광학 조정부 (112) 의 분산층 (DL) 과 마찬가지로, 매트릭스 (MX) 로 구성되어 있다. 이 경우에는, 투명 전극 부재 (100) 는, 도전 영역 (CR) 의 주위에 위치하는 반사율이 낮은 영역 (절연 영역 (IR) 및 광학 조정 영역 (AR)) 에 배치된 부재가 공통의 재료 (매트릭스 (MX)) 로 이루어지는 구성이 된다. 이러한 구성을 구비하는 경우에는, 투명 전극 (110) 전체의 반사율이 특히 낮아져, 투명 전극 (110) 의 불가시성이 보다 안정적으로 향상된다.
또한, 도 3 에서는, 절연층 (102) 및 광학 조정부 (112) 는 모두, 도전성 나노와이어 (NW) 가 실질적으로 존재하지 않고, 매트릭스 (MX) 로 구성되는 경우가 도시되어 있지만, 이것에 한정되지 않는다. 절연층 (102) 및 광학 조정부 (112) 어느 것에 대해서도, 이 부분의 도전성이 적절히 저하되어 비도전성이 되어, 절연 기능을 발휘할 수 있으면, 도전성 나노와이어 (NW) 또는 이것에 기초하는 물질이 매트릭스 (MX) 에 여전히 분산되어 있어도 된다.
투명 전극 부재 (100) 에 있어서, 광학 조정부 (112) 는, 절연층 (102) 보다 높은 도전성을 가져도 된다. 도 4 는 이러한 구성 (제 2 구성) 의 구체예이고, 광학 조정부 (112) 의 분산층 (DL) 은, 기재 (101) 에 대하여 원위 (遠位) 인 측 (사용자에 대향하는 측) 에서는 도전성 나노와이어 (NW) 가 분산 밀도가 낮고, 기재 (101) 에 근위인 측 (기재 (101) 에 대향하는 측) 에서는 도전성 나노와이어 (NW) 가 분산 밀도가 높아져 있다. 분산층 (DL) 에 분산되는 도전성 나노와이어 (NW) 중, 노출되는 도전성 나노와이어 (NW) 가 가장 시인되기 쉬운 바, 광학 조정부 (112) 의 분산층 (DL) 이 도 4 에 나타나는 구조를 갖고 있는 경우에는, 광학 조정부 (112) 의 시인성을 적절히 저하시킬 수 있다. 게다가, 기재 (101) 에 근위인 측에 위치하는 도전성 나노와이어 (NW) 에 의해, 도전부 (111) 의 분산층 (DL) 보다는 낮기는 하지만, 어느 정도의 도전성을 확보할 수 있다. 따라서, 광학 조정부 (112) 의 분산층 (DL) 이 도 4 에 나타나는 구조를 갖고 있는 경우에는, 투명 전극 (110) 전체의 도전성을 높게 할 수 있다. 또, 이 경우에는 광학 조정부 (112) 의 분산층 (DL) 에 있어서의 도전성 나노와이어 (NW) 의 분산 밀도와 도전부 (111) 의 분산층 (DL) 에 있어서의 도전성 나노와이어 (NW) 의 분산 밀도의 차가 비교적 적어지기 때문에, 투명 전극 (110) 에 있어서 광학 조정부 (112) 와 도전부 (111) 에 의해 형성되는 패턴이 잘 시인되지 않게 된다.
또한, 도 4 에서는, 광학 조정부 (112) 는, 제 1 면 (S1) 의 법선 방향을 따라, 도전성 나노와이어 (NW) 의 분산 밀도가 변화하고 있는 경우가 도시되어 있지만, 이것에 한정되지 않는다. 절연층 (102) 및 광학 조정부 (112) 어느 것에 대해서도, 이 부분의 도전성이 적절히 저하되어 비도전성이 되어, 절연 기능을 발휘할 수 있으면, 도전성 나노와이어 (NW) 또는 이것에 기초하는 물질이 매트릭스 (MX) 에 여전히 분산되어 있어도 된다.
도 1 에 나타내는 바와 같이, 투명 전극 부재 (100) 에 있어서, 광학 조정 영역 (AR) 은, 도전 영역 (CR) 내에 위치한다. 이러한 구성의 경우에는, 광학 조정 영역 (AR) 이 절연 영역 (IR) 에 직접적으로 접하는 부분을 갖지 않는다. 이 때문에, 도전 영역 (CR) 에 의해 투명 전극 (110) 에 도전로를 적절히 형성하는 것이 가능해져, 투명 전극 (110) 으로서의 도전성이 저하되는 것이 억제된다. 광학 조정 영역 (AR) 이 절연 영역 (IR) 에 직접적으로 접하는 부분을 가지면, 투명 전극 (110) 에 형성되는 도전로가 사행해 버리는 경우가 있고, 이 경우에는 투명 전극 (110) 으로서의 도전성이 저하되어 버린다. 또, 후술하는 바와 같이, 광학 조정 영역 (AR) 이 절연 영역 (IR) 에 접속하는 부분을 가짐으로써, 불가시성이 저하되어 버리는 경우가 있다.
투명 전극 부재 (100) 에 있어서, 광학 조정 영역 (AR) 의 면적 비율 (조정율) 은 한정되지 않는다. 후술하는 바와 같이, 조정율은 40 ％ 이하인 것이 바람직한 경우가 있다. 광학 조정부 (112) 에서는 반사율을 저하시키는 것과의 트레이드 오프로서 도전성이 상대적으로 저하되는 경향이 있지만, 본 발명의 일 실시형태에 관련된 투명 전극 부재 (100) 에서는, 조정율을 40 ％ 정도까지 높여, 투명 전극 (110) 의 불가시성을 향상시켜도, 투명 전극 (110) 으로서 요구되는 도전성을 확보할 수 있는 경우가 있다.
본 발명의 일 실시형태에 관련된 투명 전극 (110) 에서는, 광학 조정 영역 (AR) 은, 도전 영역 (CR) 내에 이산적으로 위치하는 복수의 부분 영역을 갖고 있다. 상대적으로 투광성이 상이한 광학 조정 영역 (AR) 과 도전 영역 (CR) 이 서로 큰 패턴을 형성하고 있는 경우에는, 그 패턴 형상에 따라서는, 패턴의 시인성이 높아져 버리는 것이 우려된다. 또, 광학 조정부 (112) 는 상대적으로 도전성이 낮은 영역이기 때문에, 이것이 투명 전극 (110) 내에서 하나로 정리되어 위치하는 경우에는, 투명 전극 (110) 내를 사행하는 도전로가 형성될 우려가 있고, 이 경우에는, 투명 전극 (110) 으로서의 도전성이 저하되어 버린다. 따라서, 상기와 같이, 상대적으로 도전성이 낮은 광학 조정부 (112) 로 이루어지는 부분 영역 (즉 광학 조정 영역 (AR)) 을 도전 영역 (CR) 내에 이산적으로 배치함으로써, 투명 전극 (110) 내에 시인되기 쉬운 패턴이 형성되거나, 실질적으로 도전성이 저하되거나 하는 것이 억제된다. 또, 후술하는 바와 같이, 투명 전극 (110) 이 절연 영역 (IR) 을 개재하여 복수 배치되어 있는 경우에는, 복수의 투명 전극 (110) 의 사이에 위치하는 절연 영역 (IR) 의 반사율이 투명 전극 (110) 의 도전부 (111) 의 반사율과 상이한 것에 기인하여, 절연 영역 (IR) 의 시인성이 높아져 버리는 경우도 있다. 이와 같은 경우이더라도, 투명 전극 (110) 의 도전 영역 (CR) 내에 광학 조정 영역 (AR) 이 이산적으로 배치되어 있음으로써, 절연 영역에 적어도 일부가 둘러싸인 상태에 있는 투명 전극 (110) 의 불가시성을 향상시킬 수 있다.
광학 조정 영역 (AR) 을 구성하는 부분 영역은, 서로 30 ㎛ 이상 이간하고 있는 것이 바람직한 경우가 있다. 이 이간 거리 (sd) 는, 즉, 이산 배치되는 광학 조정부 (112) 의 사이에 위치하는 도전 영역 (CR) 의 폭이기 때문에, 투명 전극 (110) 에 있어서의 개개의 도전로의 폭이 된다. 따라서, 이간 거리 (sd) 가 30 ㎛ 이상임으로써, 투명 전극 (110) 으로서의 도전성이 저하되는 것이 안정적으로 억제된다.
광학 조정 영역 (AR) 이 이산적으로 배치되어 있는 경우에 있어서, 복수의 부분 영역 (광학 조정 영역 (AR)) 의 각각의 형상은 원이고, 원의 직경은, 10 ㎛ 이상, 100 ㎛ 이하여도 된다. 투명 전극 (110) 의 불가시성을 보다 안정적으로 향상시키는 관점에서, 상기의 복수의 부분 영역 (광학 조정 영역 (AR)) 의 형상은, 투명 전극 (110) 내에서 균일한 것이 바람직하다. 이 부분 영역 (광학 조정 영역 (AR)) 의 형상이 원이고, 그 직경이 상기의 범위인 경우에는, 조정율을 40 ％ 이하로 하면서, 복수의 부분 영역 (광학 조정 영역 (AR)) 의 이간 거리를 30 ㎛ 이상으로 하는 것을 용이하게 실현할 수 있다.
상기의 복수의 부분 영역 (광학 조정 영역 (AR)) 의 각각의 형상을, 원 대신에, 사각형으로 해도 된다. 이 경우에는, 사각형의 대각선 중에서 최장 대각선의 길이는, 10 ㎛ 이상, 100 ㎛ 이하인 것이, 상기의 이유와 동일한 이유에 의해, 바람직하다.
도 1 에 나타내는 바와 같이, 복수의 부분 영역 (광학 조정 영역 (AR)) 이 투명 전극 (110) 의 전체에 걸쳐서 배치되는 경우에는, 투명 전극 (110) 전체적으로 반사율에 편차가 잘 생기지 않기 때문에, 투명 전극 (110) 의 불가시성이 향상되기 쉬워, 바람직하다.
도 5 는, 복수의 투명 전극을 갖는 투명 전극 부재의 일례의 구성을 개념적으로 나타내는 평면도이다. 도 5 에 나타내는 바와 같이, 본 발명의 일 실시형태에 관련된 투명 전극 부재 (200) 는, 복수의 투명 전극 (110a ∼ 110d) 을 갖는다. 이들 투명 전극 (110a ∼ 110d) 의 주위의 적어도 일부의 영역에는 절연 영역 (IR) 이 위치하기 때문에, 투명 전극 (110a) 및 투명 전극 (110b) 과, 투명 전극 (110c) 과, 투명 전극 (110d) 은, 전기적으로 독립되어 있다. 구체적으로는, 투명 전극 (110a) 및 투명 전극 (110b) 과, 투명 전극 (110c) 의 사이에는, 절연 영역 (IR) 이 위치하고, 투명 전극 (110a) 및 투명 전극 (110b) 과, 투명 전극 (110d) 의 사이에도, 절연 영역 (IR) 이 위치한다. 그 한편으로, 투명 전극 (110a) 과 투명 전극 (110b) 의 사이에는, 투광성을 갖는 재료로 구성된 투명 배선 (130) 이 위치하여, 투명 전극 (110a) 과 투명 전극 (110b) 을 전기적으로 접속하고 있다. 투명 전극 부재 (200) 에서는, 투명 배선 (130) 은 투명 전극 (110a) 및 투명 전극 (110b) 과 마찬가지로 분산층 (DL) 으로부터 형성되고, 도전 영역 (CR) 및 광학 조정 영역 (AR) 을 갖는다. 투명 전극 부재 (200) 에서는, 제 1 면 (S1) 상에는, 투명 전극 (110a ∼ 110d) 으로 이루어지는 영역, 절연 영역 (IR) 및 투명 배선 (130) 으로 이루어지는 영역이 존재하게 된다. 이와 같은 경우이더라도, 투명 전극 (110) 의 투광성이 적절히 높아져 있기 때문에, 이들 영역에 기초하는 패턴이 잘 시인되지 않는다. 또한, 도 5 에 나타내는 바와 같이 투명 배선 (130) 에 광학 조정 영역 (AR) 이 형성되어 있지 않은 경우이더라도, 투명 배선 (130) 의 면적이 적절히 작은 경우에는, 시인성에 주는 영향을 저하시킬 수 있다. 구체적으로는, 투명 배선 (130) 의 단축 방향의 길이 (폭) 를, 이것에 접속되는 투명 전극 (투명 전극 (110a) 및 투명 전극 (110b)) 의 그 방향의 길이보다 좁게 해 두는 것이 바람직하다.
도 6 은, 복수의 투명 전극을 갖는 투명 전극 부재의 다른 일례의 구성을 개념적으로 나타내는 평면도이다. 도 6 에 나타내는 바와 같이, 투명 전극 부재 (300) 의 투명 전극 (110a ∼ 110d) 은, 투명 배선 (130) 의 주위에 위치하는 영역에, 광학 조정부 (112) 가 형성되어 있지 않은 무조정 영역 (NR) 을 갖는다. 투명 배선 (130) 이 배치되어 있는 영역의 주위의 영역에는, 비교적 조밀하게 절연 영역 (IR) 이 위치하기 쉽다. 절연 영역 (IR) 에 위치하는 절연층 (102) 은 매트릭스 (MX) 로 구성되기 때문에, 절연층 (102) 의 반사율은 도전부 (111) 의 반사율에 비해 낮다. 이 때문에, 투명 배선 (130) 의 주위의 영역에 위치하는 투명 전극 (110) 의 일부를 광학 조정부 (112) 로 하여 그 영역의 투명 전극 (110) 의 반사율을 적극적으로 저하시키지 않아도, 그 영역의 반사율은 다른 영역에 비해 저하된 상태에 있다. 따라서, 투명 배선 (130) 의 주위의 영역에 무조정 영역 (NR) 을 갖고 있어도 된다. 광학 조정부 (112) 는 상대적으로 도전성이 저하되는 바, 투명 배선 (130) 의 주위의 영역은, 사용시에 전하가 집중하는 경향이 있다. 이 때문에, 무조정 영역 (NR) 을 형성함으로써, 전하 집중에 의한 도전성 나노와이어 (NW) 의 용단 등의 문제가 생길 가능성을 저감시킬 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 관련된 투명 전극 부재의 제조 방법은 한정되지 않는다. 다음으로 설명하는 제조 방법을 채용함으로써, 본 발명의 일 실시형태에 관련된 투명 전극 부재를 효율적으로 제조하는 것이나, 고품질의 투명 전극 부재를 제조하는 것이 가능해지는 경우가 있다.
본 발명의 일 실시형태에 관련된 투명 전극 부재의 제조 방법의 일례는, 상기의 제 1 구성의 투명 전극 부재 (100) 의 제조 방법이다.
도 7 은, 제 1 구성의 투명 전극 부재의 제조 방법의 플로우 차트이다. 도 8 은, 제 1 적층체를 준비한 상태를 개념적으로 나타내는 단면도이다. 도 9 는, 레지스트층을 제 1 적층체 상에 배치한 상태를 개념적으로 나타내는 단면도이다. 도 10 은, 요오드액에 의한 처리가 실시된 상태를 개념적으로 나타내는 단면도이다. 도 11 은, 티오황산염 용액에 의한 처리가 실시된 상태를 개념적으로 나타내는 단면도이다. 도 12 는, 레지스트층을 제거한 상태를 개념적으로 나타내는 단면도이다.
먼저, 도 8 에 나타내는 바와 같이, 매트릭스 (MX) 에 도전성 나노와이어 (NW) 의 일종인 은 나노와이어 (AgNW) 가 분산된 층이 분산층 (DL) 으로서 기재 (101) 의 제 1 면 (S1) 에 적층된 제 1 적층체 (150) 를 준비한다 (S101). 이 분산층 (DL) 에 있어서의 은 나노와이어 (AgNW) 의 분산 밀도는, 모든 영역에 있어서, 최종적으로 얻어지는 투명 전극 부재 (100) 의 도전부 (111) 에 있어서의 은 나노와이어 (AgNW) 의 분산 밀도에 동등하다.
다음으로, 제 1 적층체 (150) 의 분산층 (DL) 의 일부를 레지스트층 (160) 으로 덮는다 (S102). 분산층 (DL) 상에 포지티브형, 혹은, 네거티브형의 포토레지스트, 또는, 필름 레지스트를 형성한다. 포토레지스트는 스핀 코트법, 롤 코트법 등의 각종 방법에 의해 막두께가 1 ㎛ ∼ 5 ㎛ 전후가 되도록 형성한다. 필름 레지스트를 사용하는 경우에는 막두께가 20 ㎛ 전후인 것이 사용된다. 마스크와 노광기를 사용하여, 포토레지스트를 부분적으로 노광한다. 그 후의 현상 공정에서 노광된 도전층을 TMAH 등의 알칼리액으로 현상함으로써, 도 9 에 나타내는 바와 같이 부분적인 레지스트층 (160) 이 남는다.
계속해서, 분산층 (DL) 에 있어서의 레지스트층 (160) 에 의해 덮여 있지 않은 제 1 영역 (R1) 을 요오드액으로 처리한다 (S103). 이 처리에 의해, 도 10 에 나타내는 바와 같이, 제 1 영역 (R1) 에 존재하는 은 나노와이어 (AgNW) 의 적어도 일부는 요오드화하여 은 요오드화물 (SI) 이 되고, 제 1 영역 (R1) 에 위치하는 분산층 (DL) 은 절연성이 된다.
이 처리에 사용되는 요오드액은 요오드요오드화염 용액이고, 예를 들어 요오드요오드화칼륨 용액이다. 요오드요오드화칼륨 용액은, 요오드화칼륨 용액에 요오드가 용해되어 있는 것이고, 요오드가 0.05 ∼ 1.0 질량％, 요오드화칼륨이 0.1 ∼ 5.0 질량％ 전후 포함된 수용액이 사용된다.
레지스트층 (160) 이 형성된 제 1 적층체 (150) 가, 요오드요오드화칼륨 용액에 0.5 ∼ 10 분간 정도 침지됨으로써, 레지스트층 (160) 으로 덮여 있지 않은 영역에서 분산층 (DL) 의 내부에 용액이 침투하고, 적어도 일부의 은 나노와이어 (AgNW) 가 요오드화 되어 은 요오드화물 (SI) 로 형질 변환된다.
제 1 영역 (R1) 에서는 은 나노와이어 (AgNW) 가 요오드화 됨으로써, 그 영역의 분산층 (DL) 의 면적 저항율이 높아져, 실질적으로 전기적인 절연 기능을 발휘할 수 있는 상태가 된다.
단, 요오드요오드화칼륨 용액으로 처리가 실시되면, 제 1 영역 (R1) 에 있어서, 분산층 (DL) 에 있어서의 은 나노와이어 (AgNW) 가 요오드화 되어 백탁하고 또는 백색화 한 금속 화합물 (은 요오드화물 (SI) 을 포함한다.) 이 생성된다.
그래서, 제 1 영역 (R1) 을 티오황산염 용액으로 처리한다 (S104). 이 처리에 의해, 도 11 에 나타내는 바와 같이, 은 요오드화물 (SI) 의 적어도 일부가 제 1 영역 (R1) 으로부터 제거된다. 티오황산염 용액으로는 농도가 1.0 ∼ 25 질량％ 인 티오황산나트륨 용액이 사용된다. 레지스트층 (160) 으로 덮인 제 1 적층체 (150) 를 티오황산나트륨 용액에 10 ∼ 60 초간 정도 침지시킴으로써, 제 1 영역 (R1) 의 분산층 (DL) 에 함유되는 은 요오드화물 (SI) 등의 금속 화합물이 제거된다. 그 결과, 제 1 영역 (R1) 에 위치하는 분산층 (DL) 의 투광성이 높아진다. 또, 분산층 (DL) 의 표면에 노출되어 있는 은 요오드화물 (SI) 은, 장시간 산소에 노출되면 은으로 되돌아가 버리는 경우가 있다. 이와 같이 은 요오드화물 (SI) 이 은으로 되돌아가 버리면, 광학 조정부 (112) 의 반사율이 도전부 (111) 의 반사율과 동등하게 되어 버려, 광학 조정부 (112) 가 위치하는 광학 조정 영역 (AR) 의 광학 조정 기능이 저하되어 버린다. 또한, 상기와 같이 은 나노와이어 (AgNW) 가 요오드화 할 때에 백탁하고 또는 백색화 하면, 얻어진 은 요오드화물 (SI) 은 은 나노와이어 (AgNW) 와의 대비로 두드러지기 쉽다. 따라서, 상기와 같은 처리를 실시하여, 제 1 영역 (R1) 에 위치하는 분산층 (DL) 의 표면측에 위치하는 은 요오드화물 (SI) 등의 금속 화합물을 제거하는 것이 바람직하다.
마지막으로, 레지스트 박리액을 사용하여 레지스트층 (160) 을 제거한다 (S105). 그 결과, 도 12 에 나타내는 바와 같이, 절연성의 광학 조정부 (112) 및 절연층 (102) 을 제 1 영역 (R1) 에 구비하고, 레지스트층 (160) 에 의해 덮여 있던 영역에 도전부 (111) 를 구비하는 투명 전극 부재 (100) 가 얻어진다.
이러한 제조 방법을 채용함으로써, 1 회의 레지스트 워크로 절연층 (102) 과 광학 조정부 (112) 를 제조할 수 있다. 따라서, 투명 전극 부재 (100) 를 효율적으로 제조하는 것이 가능하다. 또, 제 1 구성의 투명 전극 부재 (100) 에서는, 절연층 (102) 과 광학 조정부 (112) 의 광학 특성이 동등해진다. 이 때문에, 투명 전극 (110) 과 절연 영역 (IR) 에 의해 형성되는 패턴이 잘 시인되지 않게 된다. 따라서, 상기의 제조 방법에 의해 제조함으로써, 불가시성이 특히 높은 투명 전극 부재 (100) 가 얻어지는 경우가 있다.
도 36(a) 는, 제 1 구성의 투명 전극 부재의 제조 방법의 변형예에 있어서 티오황산염 용액에 의한 처리가 실시된 상태를 나타내는 도면이다. 도 36(b) 는, 제 1 레지스트층을 제거하여 투명 전극 부재가 얻어진 상태를 개념적으로 나타내는 단면도이다. 요오드액 처리 (S103) 에 이어지는 티오황산염 용액 처리 (S104) 에 있어서, 도 36(a) 에 나타내는 바와 같이, 제 1 영역 (R1) 에 위치하는 분산층 (DL) 중, 기재 (101) 로부터 원위에 있는, 즉 분산층 (DL) 의 표면측의 은 요오드화물 (SI) 등의 금속 화합물을 제거하는 것이 바람직하다. 티오황산염 용액에 의한 처리 시간을 상대적으로 짧게 하는 (일례로서 5 ∼ 30 초간) 것 등에 의해, 이와 같은 표면측에 위치하는 은 요오드화물 (SI) 등의 금속 화합물의 제거가 가능하다. 그 후, 제 1 레지스트층 (160) 을 제거하는 것 (S105) 에 의해, 도 36(b) 에 나타내는 바와 같이, 광학 조정부 (112) 에 있어서, 분산층 (DL) 의 표면측에서는 은 요오드화물 (SI) 등의 금속 화합물이 제거되어 분산층 (DL) 이 실질적으로 매트릭스 (MX) 로 이루어지고, 기재 (101) 에 근위인 측에 위치하는 은 요오드화물 (SI) 등의 금속 화합물이 잔류하는 구조가 얻어진다.
이와 같이, 분산층 (DL) 의 표면측 (기재 (101) 에 원위측) 에서는 은 요오드화물 (SI) 등의 금속 화합물을 제거하면서 기재 (101) 에 근위인 측에는 은 요오드화물 (SI) 등의 금속 화합물을 남기는 구조로 함으로써, 광학 조정부 (112) 와 도전부 (111) 가 시각적으로 보다 잘 식별되지 않게 된다. 따라서, 투명 전극 부재 (100) 의 불가시성이 향상된다. 절연층 (102) 에 대해서도 광학 조정부 (112) 와 동일한 제조 방법을 실시하여 동일한 구조로 하면, 제조 공정이 간소되는 관점에서 바람직하고, 또, 절연층 (102) 이 도전부 (111) 로부터 잘 시인되지 않게 되는 (불가시성이 향상되는) 관점에서도 바람직하다.
본 발명의 일 실시형태에 관련된 투명 전극 부재의 제조 방법의 다른 일례는, 상기의 제 2 구성의 투명 전극 부재 (100) 의 제조 방법이다.
도 13 은, 제 2 구성의 투명 전극 부재의 제조 방법의 플로우 차트이다. 도 14 는, 제 1 적층체를 준비한 상태를 개념적으로 나타내는 단면도이다. 도 15 는, 제 1 레지스트층을 제 1 적층체 상에 배치한 상태를 개념적으로 나타내는 단면도이다. 도 16 은, 요오드액에 의한 처리가 실시된 상태를 개념적으로 나타내는 단면도이다. 도 17 은, 티오황산염 용액에 의한 처리가 실시된 상태를 개념적으로 나타내는 단면도이다. 도 18 은, 제 1 레지스트층을 제거한 상태를 개념적으로 나타내는 단면도이다. 도 19 는, 제 2 레지스트층을 제 1 적층체 상에 배치한 상태를 개념적으로 나타내는 단면도이다. 도 20 은, 요오드액에 의한 처리가 실시된 상태를 개념적으로 나타내는 단면도이다. 도 21 은, 티오황산염 용액에 의한 처리가 실시된 상태를 개념적으로 나타내는 단면도이다. 도 22 는, 제 2 레지스트층을 제거한 상태를 개념적으로 나타내는 단면도이다.
먼저, 도 14 에 나타내는 바와 같이, 매트릭스 (MX) 에 도전성 나노와이어 (NW) 의 일종인 은 나노와이어 (AgNW) 가 분산된 층이 분산층 (DL) 으로서 기재 (101) 의 제 1 면 (S1) 에 적층된 제 1 적층체 (150) 를 준비한다 (S201). 이 분산층 (DL) 에 있어서의 은 나노와이어 (AgNW) 의 분산 밀도는, 모든 영역에 있어서, 최종적으로 얻어지는 투명 전극 부재 (100) 의 도전부 (111) 에 있어서의 은 나노와이어 (AgNW) 의 분산 밀도에 동등하다.
다음으로, 도 15 에 나타내는 바와 같이, 제 1 적층체 (150) 의 분산층 (DL) 의 일부를 제 1 레지스트층 (161) 으로 덮는다 (S202). 제 1 레지스트층 (161) 및 후술하는 제 2 레지스트층 (162) 의 상세한 내용은 레지스트층 (160) 과 공통이기 때문에, 설명을 생략한다.
계속해서, 분산층 (DL) 에 있어서의 제 1 레지스트층 (161) 에 의해 덮여 있지 않은 제 1 영역 (R1) 을 요오드액으로 처리한다 (S203). 이 처리의 상세한 내용은, 제 1 구성의 투명 전극 부재 (100) 의 제조 방법의 경우와 동일하기 때문에, 설명을 생략한다. 이 처리에 의해, 도 16 에 나타내는 바와 같이, 제 1 영역 (R1) 에 존재하는 은 나노와이어 (AgNW) 의 적어도 일부는 요오드화하여 은 요오드화물 (SI) 이 되고, 제 1 영역 (R1) 에 위치하는 분산층 (DL) 은 절연성이 된다.
또한, 제 1 영역 (R1) 을 티오황산염 용액으로 처리한다 (S204). 이 처리의 상세한 내용은, 제 1 구성의 투명 전극 부재 (100) 의 제조 방법의 경우와 동일하기 때문에, 설명을 생략한다. 이 처리에 의해, 도 17 에 나타내는 바와 같이, 은 요오드화물 (SI) 의 적어도 일부가 제 1 영역 (R1) 으로부터 제거된다. 그 결과, 제 1 영역 (R1) 에 위치하는 분산층 (DL) 의 투광성이 높아진다.
그리고, 레지스트 박리액을 사용하여 제 1 레지스트층 (161) 을 제거한다 (S205). 그 결과, 제 1 영역 (R1) 에 절연층 (102) 을 구비하는 중간 부재 (151) 가 얻어진다.
계속해서, 이 중간 부재 (151) 의 출발 부재로서, 투명 전극 부재 (100) 를 제조한다. 먼저, 도 19 에 나타내는 바와 같이, 분산층 (DL) 에 있어서의 제 1 레지스트층 (161) 에 의해 덮여 있던 영역의 일부인 제 2 영역 (R2) 을 제 2 레지스트층 (162) 으로 덮는다 (S206).
다음으로, 제 1 레지스트층 (161) 에 의해 덮여 있던 영역이지만 제 2 레지스트층 (162) 에 의해 덮여 있지 않은 영역인 제 3 영역 (R3) 을 요오드액으로 처리한다 (S207). 이 때, 제 1 영역 (R1) 도 요오드액으로 처리되지만, 이 영역에 위치하는 분산층 (DL) 으로부터는 이미 은 나노와이어 (AgNW) 는 적절히 제거되어 있기 때문에, 이 요오드액에 의한 처리는 제 1 영역 (R1) 에 대하여 영향을 주지 않는다. 이 처리에 의해, 도 20 에 나타내는 바와 같이, 제 3 영역 (R3) 에 존재하는 은 나노와이어 (AgNW) 의 적어도 일부를 요오드화하여 은 요오드화물 (SI) 로 하고, 제 3 영역 (R3) 의 도전성을 제 2 영역 (R2) 의 도전성보다 저하시킨다.
계속해서, 제 3 영역 (R3) 을 티오황산염 용액으로 처리한다 (S208). 이 처리에 의해, 도 21 에 나타내는 바와 같이, 은 요오드화물 (SI) 의 적어도 일부가 제 3 영역 (R3) 으로부터 제거된다. 그 결과, 제 3 영역 (R3) 에 위치하는 분산층 (DL) 의 투광성이 높아진다.
마지막으로, 제 2 레지스트층 (162) 을 제거한다 (S209). 그 결과, 도 22 에 나타내는 바와 같이, 제 1 영역 (R1) 에 절연층 (102) 을 구비하고, 제 2 영역 (R2) 에 도전부 (111) 를 구비하고, 절연층 (102) 보다 높고 도전부 (111) 보다 낮은 도전성을 갖는 광학 조정부 (112) 를 제 3 영역 (R3) 에 구비하는 투명 전극 부재 (100) 가 얻어진다.
이러한 제조 방법을 채용함으로써, 어느 정도의 도전성을 갖는 광학 조정부 (112) 를 제조할 수 있다. 따라서, 도전성이 높은 투명 전극 (110) 을 구비하는 투명 전극 부재 (100) 를 제조하는 것이 가능하다. 또, 상기의 제조 방법을 적절히 실시하면, 분산층 (DL) 에 있어서 기재 (101) 로부터 원위인 측에 위치하는 은 나노와이어 (AgNW) 를 우선적으로 제거할 수 있다. 분산층 (DL) 에 있어서의 이 부분의 은 나노와이어 (AgNW) 는 시인성에 가장 영향을 주기 때문에, 반사율이 낮고 도전성이 높은 광학 조정부 (112) 를 형성하는 것도 가능하다. 이와 같은 광학 조정부 (112) 를 형성한 경우에는, 도전성이 보다 높고, 또한 불가시성이 보다 높은 투명 전극 부재 (100) 가 얻어지는 경우가 있다.
도 37 및 도 38 에 나타내는 바와 같이, 투명 전극 부재 (100) 의 불가시성을 더욱 높이는 관점에서, 절연층 (102) 이나 광학 조정부 (112) 에 대해, 표면측 (기재 (101) 에 원위인 측) 은 은 요오드화물 (SI) 등의 금속 화합물을 제거하여 실질적으로 매트릭스 (MX) 로 이루어지고, 그 하층측 (기재 (101) 에 근위인 측) 은 은 요오드화물 (SI) 등의 금속 화합물이 매트릭스 (MX) 에 분산되는 구조로 하는 것이 바람직하다. 도 37(a) 는, 제 2 구성의 투명 전극 부재의 제조 방법의 변형예에 있어서 절연층을 형성하기 위한 티오황산염 용액에 의한 처리가 실시된 상태를 나타내는 도면이다. 도 37(b) 는 제 1 레지스트층을 제거하여 중간 부재가 얻어진 상태를 개념적으로 나타내는 단면도이다. 도 38(a) 는, 제 2 구성의 투명 전극 부재의 제조 방법의 변형예에 있어서 광학 조정부를 형성하기 위한 티오황산염 용액에 의한 처리가 실시된 상태를 나타내는 도면이다. 도 38(b) 는, 제 2 레지스트층을 제거하여 투명 전극 부재가 얻어진 상태를 개념적으로 나타내는 단면도이다.
절연층 (102) 을 형성하기 위한 요오드액 처리 (S203) 의 종료 후, 티오황산염 용액에 의한 처리 (S204) 의 처리 시간을 짧게 하는 것 등에 의해, 도 37(a) 에 나타내는 바와 같이, 제 1 영역 (R1) 에 위치하는 은 요오드화물 (SI) 등의 금속 화합물 (도 16 참조) 중 표면측의 금속 화합물만을 제거한다. 그 후, 제 1 레지스트층 (161) 을 제거 (S205) 하면, 도 18 대신에, 도 37(b) 에 나타내는 바와 같은, 표면측에 매트릭스 (MX) 로 이루어지는 영역이 위치하고, 그 하층측 (기재 (101) 에 근위인 측) 에 은 요오드화물 (SI) 등의 금속 화합물이 분산된 영역이 위치하는 절연층 (102) 을 갖는 중간 부재 (151) 를 얻을 수 있다.
이 중간 부재 (151) 에 대하여 스텝 S206 을 실시하고, 또한 광학 조정부 (112) 를 형성하기 위한 요오드액 처리 (S207) 를 실시한 후, 티오황산염 용액에 의한 처리 (S208) 의 처리 시간을 짧게 하는 것 등에 의해, 도 38(a) 에 나타내는 바와 같이, 제 3 영역 (R3) 에 위치하는 은 요오드화물 (SI) 등의 금속 화합물 (도 20 참조) 중 표면측의 금속 화합물만을 제거한다. 마지막으로, 제 2 레지스트층 (162) 을 제거 (S209) 하면, 도 22 대신에, 도 38(b) 에 나타나는 바와 같은, 표면측에 매트릭스 (MX) 로 이루어지는 영역이 위치하고, 그 하층측 (기재 (101) 에 근위인 측) 에 은 요오드화물 (SI) 등의 금속 화합물이 분산된 영역이 위치하고, 또한 그 하층측에 은 나노와이어 (AgNW) 가 분산된 영역이 위치하는 광학 조정부 (112) 를 얻을 수 있다. 투명 전극 부재 (100) 를 이와 같은 구조로 함으로써, 절연층 (102) 및 광학 조정부 (112) 와 도전부 (111) 가 시각적으로 특히 식별하기 어려워진다. 따라서, 투명 전극 부재 (100) 의 불가시성이 더욱 향상된다.
상기의 본 발명의 일 실시형태에 관련된 투명 전극 부재 (100) 는, 정전 용량식 센서 등의 포지션 센서의 구성 요소로서 적합하게 사용할 수 있다. 이하, 투명 전극 부재 (100) 를 구비하는 정전 용량식 센서에 대해서 설명한다.
도 23 은, 본 실시형태에 관련된 정전 용량식 센서를 나타내는 평면도이다. 도 24 는, 도 23 에 나타낸 영역 (A1) 을 확대한 평면도이다. 도 25 는, 도 24 에 나타낸 절단면 C1-C1 에 있어서의 단면도이다. 도 26 은, 도 24 에 나타낸 절단면 C2-C2 에 있어서의 단면도이다. 또한, 투명 전극은 투명하므로 본래는 시인할 수 없지만, 도 23 및 도 24 에서는 이해를 용이하게 하기 위해서 투명 전극의 외형을 나타내고 있다.
도 23 내지 도 26 에 나타낸 바와 같이, 본 실시형태에 관련된 정전 용량식 센서 (1) 는, 기재 (2) 와, 제 1 투명 전극 (4) 과, 제 2 투명 전극 (5) 과, 브릿지 배선부 (10) 와, 패널 (3) 과, 검지부 및 제어부 (모두 도시하고 있지 않다) 를 구비한다. 브릿지 배선부 (10) 에서 보아 기재 (2) 와 반대측에 패널 (3) 이 형성되어 있다. 기재 (2) 와 패널 (3) 의 사이에는, 광학 투명 점착층 (OCA；Optical Clear Adhesive) (30) 이 형성되어 있다. 기재 (2) 와 브릿지 배선부 (10) 의 사이에는, 절연부 (20) 가 형성되어 있다. 도 25 에 나타낸 바와 같이, 브릿지 배선부 (10) 가 형성된 부분에 있어서는, 광학 투명 점착층 (30) 은, 브릿지 배선부 (10) 와 패널 (3) 의 사이에 형성되어 있다.
기재 (2) 는, 투광성을 갖고, 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET) 등의 필름상의 투명 기재나 유리 기재 등으로 형성된다. 기재 (2) 의 일방의 주면 (主面) (2a) 에는, 제 1 투명 전극 (4) 및 제 2 투명 전극 (5) 이 형성되어 있다. 이 상세한 내용에 대해서는, 후술한다. 도 25 에 나타낸 바와 같이, 패널 (3) 은, 브릿지 배선부 (10) 에서 보아 기재 (2) 와는 반대측에 형성되고, 투광성을 갖는다. 이 패널 (3) 측으로부터 조작자의 손가락 등의 조작체가 접촉 또는 근접되어 투명 전극 부재에 대한 조작이 실시된다. 패널 (3) 의 재료는, 특별히 한정되지 않지만, 패널 (3) 의 재료로는, 유리 기재나 플라스틱 기재가 바람직하게 적용된다. 패널 (3) 은, 기재 (2) 와 패널 (3) 의 사이에 형성된 광학 투명 점착층 (30) 을 개재하여 기재 (2) 와 접합되어 있다. 광학 투명 점착층 (30) 은, 아크릴계 점착제나 양면 점착 테이프 등으로 이루어진다.
도 23 에 나타낸 바와 같이, 정전 용량식 센서 (1) 는, 패널 (3) 측의 면의 법선을 따른 방향 (Z1-Z2 방향：도 25 및 도 26 참조) 에서 보아, 검출 영역 (11) 과 비검출 영역 (25) 으로 이루어진다. 검출 영역 (11) 은, 손가락 등의 조작체에 의해 조작을 실시할 수 있는 영역이며, 비검출 영역 (25) 은, 검출 영역 (11) 의 외주측에 위치하는 프레임 형상의 영역이다. 비검출 영역 (25) 은, 도시하지 않는 가식층에 의해 차광되고, 정전 용량식 센서 (1) 에 있어서의 패널 (3) 측의 면으로부터 기재 (2) 측의 면으로의 광 (외광이 예시된다.) 및 기재 (2) 측의 면으로부터 패널 (3) 측의 면으로의 광 (정전 용량식 센서 (1) 와 조합하여 사용되는 표시 장치의 백라이트로부터의 광이 예시된다.) 은, 비검출 영역 (25) 을 잘 투과하지 않게 되어 있다.
도 23 에 나타낸 바와 같이, 기재 (2) 의 일방의 주면 (2a) 에는, 제 1 전극 연결체 (8) 와, 제 2 전극 연결체 (12) 가 형성되어 있다. 제 1 전극 연결체 (8) 는, 검출 영역 (11) 에 배치되고, 복수의 제 1 투명 전극 (4) 을 갖는다. 도 25 및 도 26 에 나타내는 바와 같이, 복수의 제 1 투명 전극 (4) 은, 기재 (2) 에 있어서의 Z1-Z2 방향을 따른 방향을 법선으로 하는 주면 중 Z1 측에 위치하는 주면 (이하, 「겉면」 이라고 약기하는 경우가 있다.) (2a) 에 형성되어 있다. 각 제 1 투명 전극 (4) 은, 가늘고 긴 연결부 (7) 를 통해서 Y1-Y2 방향 (제 1 방향) 으로 연결되어 있다. 그리고, Y1-Y2 방향으로 연결된 복수의 제 1 투명 전극 (4) 을 갖는 제 1 전극 연결체 (8) 가, X1-X2 방향으로 간격을 두고 배열되어 있다. 연결부 (7) 는, 제 1 투명 전극 (4) 에 일체적으로 형성되어 있다. 연결부 (7) 는, 이웃하는 2 개의 제 1 투명 전극 (4) 을 서로 전기적으로 접속하고 있다. 제 1 전극 연결체 (8) 및 제 2 전극 연결체 (12) 의 주위에는 절연 영역 (IR) 이 형성되어 있다.
제 1 투명 전극 (4) 및 연결부 (7) 는, 투광성을 갖고, 도전성 나노와이어를 포함하는 재료에 의해 형성된다. 도전성 나노와이어를 포함하는 재료를 사용함으로써, 제 1 투명 전극 (4) 의 높은 투광성과 함께 저(低) 전기 저항화를 도모할 수 있다. 또, 도전성 나노와이어를 포함하는 재료를 사용함으로써, 정전 용량식 센서 (1) 의 변형 성능을 향상시킬 수 있다.
도 24 및 도 26 에 나타낸 바와 같이, 제 1 투명 전극 (4) 은 복수의 제 1 광학 조정 영역 (41) 을 갖는다. 복수의 제 1 광학 조정 영역 (41) 은, 서로 떨어져 배치 형성되고, 제 1 투명 전극 (4) 의 전체에 걸쳐서 형성되어 있다. 이웃하는 복수의 제 1 광학 조정 영역 (41) 끼리 사이의 거리 (제 1 거리) (D1) 는, 일정하고, 30 ㎛ 이상이다. 요컨대, 복수의 제 1 광학 조정 영역 (41) 은, 제 1 투명 전극 (4) 의 전체에 걸쳐서 균일하게 형성되어 있다. 도 24 에 나타낸 예에서는, 제 1 광학 조정 영역 (41) 의 형상은, 원이다. 제 1 광학 조정 영역 (41) 의 원의 직경 (D11) 은, 10 ㎛ 이상, 100 ㎛ 이하이다. 제 1 광학 조정 영역 (41) 에 관한 치수의 상세한 내용에 대해서는, 후술한다.
제 2 전극 연결체 (12) 는, 검출 영역 (11) 에 배치되고, 복수의 제 2 투명 전극 (5) 을 갖는다. 도 25 및 도 26 에 나타내는 바와 같이, 복수의 제 2 투명 전극 (5) 은, 기재 (2) 의 겉면 (2a) 에 형성되어 있다. 이와 같이, 제 2 투명 전극 (5) 은, 제 1 투명 전극 (4) 과 동일한 면 (기재 (2) 의 겉면 (2a)) 에 형성되어 있다. 각 제 2 투명 전극 (5) 은, 가늘고 긴 브릿지 배선부 (10) 를 통해서 X1-X2 방향 (제 2 방향) 으로 연결되어 있다. 그리고, 도 23 에 나타내는 바와 같이, X1-X2 방향으로 연결된 복수의 제 2 투명 전극 (5) 을 갖는 제 2 전극 연결체 (12) 가, Y1-Y2 방향으로 간격을 두고 배열되어 있다. 브릿지 배선부 (10) 는, 제 2 투명 전극 (5) 과는 별체로서 형성되어 있다. 또한, X1-X2 방향은, Y1-Y2 방향과 교차하고 있다. 예를 들어, X1-X2 방향은, Y1-Y2 방향과 수직으로 교차하고 있다.
제 2 투명 전극 (5) 은, 투광성을 갖고, 도전성 나노와이어를 포함하는 재료에 의해 형성된다. 도전성 나노와이어는, 제 1 투명 전극 (4) 의 재료에 관해서 전술한 바와 같다.
도 24 및 도 25 에 나타낸 바와 같이, 제 2 투명 전극 (5) 은 복수의 제 2 광학 조정 영역 (51) 을 갖는다. 복수의 제 2 광학 조정 영역 (51) 은, 서로 떨어져 배치 형성되고, 제 2 투명 전극 (5) 의 전체에 걸쳐서 형성되어 있다. 이웃하는 복수의 제 2 광학 조정 영역 (51) 끼리 사이의 거리 (제 2 거리) (D2) 는, 일정하고, 30 ㎛ 이상이다. 요컨대, 복수의 제 2 광학 조정 영역 (51) 은, 제 2 투명 전극 (5) 의 전체에 걸쳐서 균일하게 형성되어 있다. 도 24 에 나타낸 예에서는, 제 2 광학 조정 영역 (51) 의 형상은, 원이다. 제 2 광학 조정 영역 (51) 의 원의 직경 (D12) 은, 10 ㎛ 이상, 100 ㎛ 이하이다. 제 2 광학 조정 영역 (51) 에 관한 치수의 상세한 내용에 대해서는, 제 1 광학 조정 영역 (41) 에 관한 치수와 함께 후술한다.
브릿지 배선부 (10) 는, 투광성 및 도전성을 갖는 산화물계 재료를 포함하는 재료에 의해 형성된다. 투광성 및 도전성을 갖는 산화물계 재료로는, ITO (Indium Tin Oxide), IZO (Indium Zinc Oxide), GZO (Gallium-doped Zinc Oxide), AZO (Aluminum-doped Zinc Oxide) 및 FTO (Fluorine-doped Tin Oxide) 로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 1 개가 사용된다.
혹은, 브릿지 배선부 (10) 는, ITO 등의 산화물계 재료를 포함하는 제 1 층과, 제 1 층보다 저저항으로 투명한 금속으로 이루어지는 제 2 층을 갖고 있어도 된다. 또, 브릿지 배선부 (10) 는, ITO 등의 산화물계 재료를 포함하는 제 3 층을 추가로 갖고 있어도 된다. 브릿지 배선부 (10) 가 제 1 층과 제 2 층의 적층 구조, 혹은 제 1 층과 제 2 층과 제 3 층의 적층 구조를 갖는 경우에는, 브릿지 배선부 (10) 와, 제 1 투명 전극 (4) 및 제 2 투명 전극 (5) 의 사이에 있어서 에칭 선택성을 갖는 것이 바람직하다.
도 24 내지 도 26 에 나타내는 바와 같이, 각 제 1 투명 전극 (4) 간을 연결하는 연결부 (7) 의 표면에는, 절연부 (20) 가 형성되어 있다. 도 25 에 나타내는 바와 같이, 절연부 (20) 는, 연결부 (7) 와 제 2 투명 전극 (5) 사이의 공간을 메우고, 제 2 투명 전극 (5) 의 표면에도 다소 올라앉아 있다. 절연부 (20) 로는, 예를 들어 노볼락 수지 (레지스트) 가 사용된다.
도 25 및 도 26 에 나타내는 바와 같이, 브릿지 배선부 (10) 는, 절연부 (20) 의 표면 (20a) 으로부터 절연부 (20) 의 X1-X2 방향의 양측에 위치하는 각 제 2 투명 전극 (5) 의 표면에 걸쳐 형성되어 있다. 브릿지 배선부 (10) 는, 이웃하는 2 개의 제 2 투명 전극 (5) 을 서로 전기적으로 접속하고 있다.
도 25 및 도 26 에 나타내는 바와 같이, 각 제 1 투명 전극 (4) 간을 접속하는 연결부 (7) 의 표면에는 절연부 (20) 가 형성되어 있고, 절연부 (20) 의 표면에 각 제 2 투명 전극 (5) 간을 접속하는 브릿지 배선부 (10) 가 형성되어 있다. 이와 같이, 연결부 (7) 와 브릿지 배선부 (10) 의 사이에는 절연부 (20) 가 개재하고, 제 1 투명 전극 (4) 과 제 2 투명 전극 (5) 은 서로 전기적으로 절연된 상태로 되어 있다. 본 실시형태에서는, 제 1 투명 전극 (4) 과 제 2 투명 전극 (5) 이 동일한 면 (기재 (2) 의 겉면 (2a)) 에 형성되어 있기 때문에, 정전 용량식 센서 (1) 의 박형화를 실현할 수 있다.
도 24 에 나타낸 바와 같이, 제 1 투명 전극 (4) 및 제 2 투명 전극 (5) 은, 기재 (2) 의 겉면 (2a) 에 있어서 이웃한 상태로 나란히 배치되어 있다. 제 1 투명 전극 (4) 및 제 2 투명 전극 (5) 은, 도 5 나 도 6 에 있어서의 투명 전극 (110a ∼ 110d) 에 대응한다. 제 1 투명 전극 (4) 과 제 2 투명 전극 (5) 의 사이에는, 절연층 (21) 이 형성되어 있다. 절연층 (21) 은, 도 5, 도 6, 도 23 에 있어서의 절연 영역 (IR) 에 대응한다. 이에 따라, 제 1 투명 전극 (4) 과 제 2 투명 전극 (5) 은, 서로 전기적으로 절연된 상태로 되어 있다. 또한, 절연층 (21) 은, 예를 들어 노볼락 수지 (레지스트) 등에 절연 재료에 의해 메워져 있어도 된다. 즉, 제 1 투명 전극 (4) 과 제 2 투명 전극 (5) 사이의 절연층 (21) 에는, 절연 재료가 개재하고 있어도 된다. 전술한 바와 같이, 절연층 (21) 의 일부 (제 1 투명 전극 (4) 의 연결부 (7) 와 제 2 투명 전극 (5) 사이) 에는, 절연부 (20) 가 개재하고 있다. 즉, 제 1 투명 전극 (4) 및 제 2 투명 전극 (5) 은, 절연층 (21) 의 일부 및 절연부 (20) 를 개재하여 서로 구분된 상태로 배치되어 있다. 절연층 (21) 의 폭 (D3) 은, 예를 들어 약 10 ㎛ 이상, 20 ㎛ 이하 정도이다. 절연층 (21) 의 폭 (D3) 의 상세한 내용에 대해서는, 후술한다.
또한, 도 24 내지 도 26 에 나타낸 연결부 (7) 는, 제 1 투명 전극 (4) 에 일체적으로 형성되고, Y1-Y2 방향으로 연장되어 있다. 또, 도 24 내지 도 26 에 나타낸 브릿지 배선부 (10) 는, 연결부 (7) 를 덮는 절연부 (20) 의 표면 (20a) 에 제 2 투명 전극 (5) 과는 별체로서 형성되고, X1-X2 방향으로 연장되어 있다. 단, 연결부 (7) 및 브릿지 배선부 (10) 의 배치 형태는, 이것에만 한정되지 않는다. 예를 들어, 연결부 (7) 는, 제 2 투명 전극 (5) 에 일체로서 형성되고, X1-X2 방향으로 연장되어 있어도 된다. 이 경우에는, 연결부 (7) 는, 이웃하는 2 개의 제 2 투명 전극 (5) 을 서로 전기적으로 접속한다. 브릿지 배선부 (10) 는, 연결부 (7) 를 덮는 절연부 (20) 의 표면 (20a) 에 제 1 투명 전극 (4) 과는 별체로서 형성되어, Y1-Y2 방향으로 연장되어 있어도 된다. 이 경우에는, 브릿지 배선부 (10) 는, 이웃하는 2 개의 제 1 투명 전극 (4) 을 서로 전기적으로 접속한다. 본 실시형태에 관련된 정전 용량식 센서 (1) 의 설명에서는, 브릿지 배선부 (10) 가, 연결부 (7) 를 덮는 절연부 (20) 의 표면 (20a) 에 제 2 투명 전극 (5) 과는 별체로서 형성되어, X1-X2 방향으로 연장된 경우를 예로 든다.
도 23 에 나타내는 바와 같이, 비검출 영역 (25) 에는, 각 제 1 전극 연결체 (8) 및 각 제 2 전극 연결체 (12) 로부터 인출된 복수 개의 배선부 (6) 가 형성되어 있다. 제 1 전극 연결체 (8) 및 제 2 전극 연결체 (12) 의 각각은, 접속 배선 (16) 을 통해서 배선부 (6) 와 전기적으로 접속되어 있다. 각 배선부 (6) 는, 도시하지 않는 플렉시블 프린트 기판과 전기적으로 접속되는 외부 접속부 (27) 에 접속되어 있다. 즉, 각 배선부 (6) 는, 제 1 전극 연결체 (8) 및 제 2 전극 연결체 (12) 와, 외부 접속부 (27) 를 전기적으로 접속하고 있다. 외부 접속부 (27) 는, 예를 들어 도전 페이스트, Cu, Cu 합금, CuNi 합금, Ni, Ag, Au 등의 금속을 갖는 재료를 개재하여, 도시하지 않는 플렉시블 프린트 기판과 전기적으로 접속되어 있다.
그리고, 이 플렉시블 프린트 기판과 접속된 프린트 배선판 (도시하고 있지 않다) 에는, 조작체와 투명 전극 (주로 제 1 투명 전극 (4) 및 제 2 투명 전극 (5)) 의 사이에 생기는 정전 용량의 변화를 검지하는 검지부 (도시하고 있지 않다) 와, 검지부로부터의 신호에 기초하여 조작체의 위치를 산출하는 제어부가 탑재되어 있다. 또한, 상세한 설명은 하지 않지만, 검지부나 제어부에는, 집적 회로가 사용되고 있다.
각 배선부 (6) 는, Cu, Cu 합금, CuNi 합금, Ni, Ag, Au 등의 금속을 갖는 재료에 의해 형성된다. 접속 배선 (16) 은, ITO, 금속 나노와이어 등의 투명 도전성 재료로 형성되고, 검출 영역 (11) 으로부터 비검출 영역 (25) 으로 연장되어 있다. 배선부 (6) 는, 접속 배선 (16) 상에 비검출 영역 (25) 내에서 적층되어, 접속 배선 (16) 과 전기적으로 접속되어 있다. 또, 제 1 투명 전극 (4) 이나 제 2 투명 전극 (5) 과 동일한 금속 나노와이어 (구체예로서 은 나노와이어를 들 수 있다.) 를 갖는 분산층 (DL) 이 연속해서 비검출 영역 (25) 으로 연장되어 접속 배선 (16) 을 구성하고, 비검출 영역 (25) 에 있어서 이 접속 배선 (16) 과 배선부 (6) 를 구성하는 금속층이 적층된 적층 배선 구조를 갖고 있어도 된다.
배선부 (6) 는, 기재 (2) 의 겉면 (2a) 에 있어서의 비검출 영역 (25) 에 위치하는 부분에 형성되어 있다. 외부 접속부 (27) 도, 배선부 (6) 와 마찬가지로, 기재 (2) 의 겉면 (2a) 에 있어서의 비검출 영역 (25) 에 위치하는 부분에 형성되어 있다.
도 23 에서는, 이해를 용이하게 하기 위해서 배선부 (6) 나 외부 접속부 (27) 가 시인되도록 표시하고 있지만, 실제로는, 비검출 영역 (25) 에 위치하는 부분에는, 차광성을 갖는 가식층 (도시하지 않음) 이 형성되어 있다. 이 때문에, 정전 용량식 센서 (1) 를 패널 (3) 측의 면으로부터 보면, 배선부 (6) 및 외부 접속부 (27) 는 가식층에 의해 은폐되어, 시인되지 않는다. 가식층을 구성하는 재료는, 차광성을 갖는 한 임의이다. 가식층은 절연성을 갖고 있어도 된다.
본 실시형태에 관련된 정전 용량식 센서 (1) 에서는, 도 25 에 나타내는 바와 같이 예를 들어 패널 (3) 의 면 (3a) 상에 조작체의 일례로서 손가락을 접촉시키면, 손가락과 손가락에 가까운 제 1 투명 전극 (4) 의 사이, 및 손가락과 손가락에 가까운 제 2 투명 전극 (5) 의 사이에서 정전 용량이 생긴다. 정전 용량식 센서 (1) 는, 이 때의 정전 용량의 변화를 검지부에 의해 검지하고, 이 정전 용량 변화에 기초하여, 손가락의 접촉 위치를 제어부에 의해 산출하는 것이 가능하다. 요컨대, 정전 용량식 센서 (1) 는, 손가락과 제 1 전극 연결체 (8) 사이의 정전 용량 변화에 기초하여 손가락 위치의 X 좌표를 검지하고, 손가락과 제 2 전극 연결체 (12) 사이의 정전 용량 변화에 기초하여 손가락 위치의 Y 좌표를 검지한다 (자기 용량 검출형).
혹은, 정전 용량식 센서 (1) 는, 상호 용량 검출형이어도 된다. 즉, 정전 용량식 센서 (1) 는, 제 1 전극 연결체 (8) 및 제 2 전극 연결체 (12) 중 어느 일방의 전극의 일렬에 구동 전압을 인가하고, 제 1 전극 연결체 (8) 및 제 2 전극 연결체 (12) 중 어느 타방의 전극과 손가락 사이의 정전 용량의 변화를 검지해도 된다. 이에 따라, 정전 용량식 센서 (1) 는, 타방의 전극에 의해 손가락 위치의 Y 좌표를 검지하고, 일방의 전극에 의해 손가락 위치의 X 좌표를 검지한다.
여기서, 도전성 나노와이어를 포함하는 도전 영역의 반사율과, 간극을 포함하는 절연부의 반사율 사이의 차가 커지면, 도전 영역과 절연부의 차이가 시각적으로 분명해진다. 그러면, 제 1 투명 전극 및 제 2 투명 전극이 패턴으로서 시인되기 쉬워진다. 정전 용량식 센서가 반사 방지층이나 반사 저감층 등을 구비하는 경우에는, 도전 영역의 반사율과 절연부의 반사율의 사이의 차를 억제할 수 있는 한편으로, 반사 방지층이나 반사 저감층을 형성하는 설비의 추가가 필요하게 되거나, 정전 용량식 센서의 제조 공정이 증가하거나 한다.
이에 대하여, 본 실시형태에 관련된 정전 용량식 센서 (1) 에서는, 제 1 투명 전극 (4) 은 서로 떨어져 배치 형성된 복수의 제 1 광학 조정 영역 (41) 을 갖는다. 또, 제 2 투명 전극 (5) 은 서로 떨어져 배치 형성된 복수의 제 2 광학 조정 영역 (51) 을 갖는다. 그 때문에, 제 1 투명 전극 (4) 및 제 2 투명 전극 (5) 중에는, 도전성 나노와이어를 포함하는 도전 영역과, 복수의 제 1 광학 조정 영역 (41) 및 복수의 제 2 광학 조정 영역 (51) 에 의해 형성된 복수의 영역 (광학 조정 영역) 이 존재한다. 그 때문에, 제 1 투명 전극 (4) 및 제 2 투명 전극 (5) 중에는, 도전 영역과 광학 조정 영역 사이의 복수의 경계 (내부 경계) 가 존재한다. 한편, 제 1 투명 전극 (4) 과 절연층 (21) 사이의 경계 (외부 경계), 및 제 2 투명 전극과 절연층 (21) 사이의 경계 (외부 경계) 가 존재한다.
그 때문에, 정전 용량식 센서 (1) 를 평면에서 보았을 때에, 내부 경계 및 외부 경계의 양방이 시인된 경우이더라도, 외부 경계만이 강조되는 것이 억제된다. 그 때문에, 제 1 투명 전극 (4) 및 제 2 투명 전극 (5) 이 패턴으로서 잘 시인되지 않게 된다. 이에 따라, 제 1 투명 전극 (4) 및 제 2 투명 전극 (5) 의 패턴의 불가시성을 향상시킬 수 있다.
또, 제 1 광학 조정 영역 (41) 은, 제 1 투명 전극 (4) 의 전체에 걸쳐서 형성되고, 제 2 광학 조정 영역 (51) 은, 제 2 투명 전극 (5) 의 전체에 걸쳐서 형성되어 있다. 이것에 의하면, 제 1 광학 조정 영역 (41) 및 제 2 광학 조정 영역 (51) 이 형성된 것으로 제 1 투명 전극 (4) 및 제 2 투명 전극 (5) 의 전기 저항이 과도하게 높아지는 것을 억제할 수 있다. 또, 제 1 광학 조정 영역 (41) 및 제 2 광학 조정 영역 (51) 이 집중하고, 제 1 투명 전극 (4) 및 제 2 투명 전극 (5) 이 패턴으로서 시인되기 쉬워지는 것을 억제할 수 있다.
또, 이웃하는 복수의 제 1 광학 조정 영역 (41) 끼리 사이의 제 1 거리는 일정하고, 이웃하는 복수의 제 2 광학 조정 영역 (51) 끼리 사이의 제 2 거리는 일정하다. 요컨대, 복수의 제 1 광학 조정 영역 (41) 은, 제 1 투명 전극 (4) 에 있어서 균일하게 형성되어 있다. 복수의 제 2 광학 조정 영역 (51) 은, 제 2 투명 전극 (5) 에 있어서 균일하게 형성되어 있다. 그 때문에, 제 1 투명 전극 (4) 및 제 2 투명 전극 (5) 의 각각의 전기 저항이 위치에 따라 상이한 것을 억제하고, 제 1 투명 전극 (4) 및 제 2 투명 전극 (5) 의 전기 저항이 국소적으로 높아지는 것을 억제할 수 있다. 또, 제 1 광학 조정 영역 (41) 및 제 2 광학 조정 영역 (51) 이 집중하고, 제 1 투명 전극 (4) 및 제 2 투명 전극 (5) 이 패턴으로서 시인되기 쉬워지는 것을 억제할 수 있다.
또, 제 1 투명 전극 (4) 및 제 2 투명 전극 (5) 의 재료에 포함되는 도전성 나노와이어는, 금 나노와이어, 은 나노와이어, 및 구리 나노와이어로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 1 개이다. 이것에 의하면, 제 1 투명 전극 (4) 및 제 2 투명 전극 (5) 의 재료로서 예를 들어 ITO 등의 산화물계 재료가 사용된 경우와 비교하여, 제 1 광학 조정 영역 (41) 을 갖는 제 1 투명 전극 (4) 및 제 2 광학 조정 영역 (51) 을 갖는 제 2 투명 전극 (5) 의 전기 저항을 낮은 저항으로 억제할 수 있다.
도 27 은, 본 실시형태의 제 1 투명 전극 및 제 2 투명 전극의 변형예 (제 1변형예) 를 나타내는 평면도이다. 도 27 은, 도 23 에 나타낸 영역 (A1) 을 확대한 평면도에 상당한다.
본 변형예의 제 1 투명 전극 (4A) 은 복수의 제 1 광학 조정 영역 (41A) 을 갖는다. 제 1 광학 조정 영역 (41A) 의 형상은, 사각형이다. 사각형의 제 1 광학 조정 영역 (41A) 의 대각선 중에서 최장 대각선의 길이 (D13) 는, 10 ㎛ 이상, 100 ㎛ 이하이다. 제 1 광학 조정 영역 (41A) 에 관한 치수의 상세한 내용에 대해서는, 후술한다. 그 밖의 제 1 투명 전극 (4A) 의 구조는, 도 23 내지 도 26 에 관해서 전술한 제 1 투명 전극 (4) 의 구조와 동일하다.
본 변형예의 제 2 투명 전극 (5A) 은 복수의 제 2 광학 조정 영역 (51A) 을 갖는다. 제 2 광학 조정 영역 (51A) 의 형상은, 사각형이다. 사각형의 제 2 광학 조정 영역 (51A) 의 대각선 중에서 최장 대각선의 길이 (D14) 는, 10 ㎛ 이상, 100 ㎛ 이하이다. 제 2 광학 조정 영역 (51A) 에 관한 치수의 상세한 내용에 대해서는, 제 1 광학 조정 영역 (41A) 에 관한 치수와 함께 후술한다. 그 밖의 제 2 투명 전극 (5A) 의 구조는, 도 23 내지 도 26 에 관해서 전술한 제 2 투명 전극 (5) 의 구조와 동일하다.
본 변형예에 있어서 예시한 바와 같이, 제 1 광학 조정 영역 및 제 2 광학 조정 영역의 각각의 형상은, 원에만 한정되지 않고, 사각형이어도 된다. 이 경우이더라도, 본 발명자가 얻은 지견에 의하면, 제 1 투명 전극 (4A) 및 제 2 투명 전극 (5A) 의 각각의 반사율 등의 광학 특성은, 도 23 내지 도 26 에 관해서 전술한 제 1 투명 전극 (4) 및 제 2 투명 전극 (5) 의 각각의 반사율 등의 광학 특성과 동일하다. 그 때문에, 정전 용량식 센서 (1) 를 평면에서 보았을 때에, 내부 경계 및 외부 경계의 양방이 시인된 경우이더라도, 외부 경계만이 강조되는 것이 억제된다. 그 때문에, 제 1 투명 전극 (4A) 및 제 2 투명 전극 (5A) 이 패턴으로서 잘 시인되지 않게 된다. 이에 따라, 제 1 투명 전극 (4A) 및 제 2 투명 전극 (5A) 의 패턴의 불가시성을 향상시킬 수 있다.
도 28 은, 조정율과 배선 저항의 관계의 일례를 예시하는 그래프이다. 도 28 에 나타낸 그래프의 가로축은, 조정율 (％) 을 나타내고 있다. 도 28 에 나타낸 그래프의 세로축은, 배선 저항 (㏀) 을 나타내고 있다. 본 명세서에 있어서 「조정율」 이란, 단위면적당의 광학 조정 영역의 면적을 말한다.
도 28 에 나타낸 그래프와 같이, 조정율이 상대적으로 높으면, 배선 저항은 상대적으로 높다. 여기서, 본 발명자가 얻은 지견에 의하면, 예를 들어 스마트 폰 등의 휴대 단말과 같이, 화면 사이즈가 약 4 인치 이상, 6 인치 이하 정도인 경우에 있어서, 정전 용량식 센서 (1) 의 성능을 확보하기 위해서는, 배선 저항이 20 ㏀ 이하인 것이 바람직하다. 도 28 중에 20 ㏀ 를 파선으로 나타내었다. 이 경우에는, 도 28 에 나타낸 그래프로부터, 제 1 투명 전극 (4) 에 있어서의 제 1 광학 조정 영역 (41) 및 제 2 투명 전극 (5) 에 있어서의 제 2 광학 조정 영역 (51) 의 각각의 조정율은, 40 ％ 이하인 것이 바람직하다.
제 1 광학 조정 영역 (41) 및 제 2 광학 조정 영역 (51) 의 각각의 조정율이 40 ％ 이하인 경우에는, 제 1 투명 전극 (4) 및 제 2 투명 전극 (5) 의 패턴의 불가시성을 향상시키면서, 제 1 투명 전극 (4) 및 제 2 투명 전극 (5) 의 각각의 전기 저항의 상승을 억제할 수 있어, 정전 용량식 센서 (1) 의 성능을 확보할 수 있다.
또한, 본 실시형태에 관련된 정전 용량식 센서 (1) 가 탑재되는 단말의 화면 사이즈가 약 4 인치 미만 정도인 경우에 있어서, 정전 용량식 센서 (1) 의 성능을 확보하기 위해서는, 배선 저항이 30 ㏀ 이하인 것이 바람직하다. 이 경우에는, 도 28 에 나타낸 그래프로부터, 제 1 투명 전극 (4) 에 있어서의 제 1 광학 조정 영역 (41) 및 제 2 투명 전극 (5) 에 있어서의 제 2 광학 조정 영역 (51) 의 각각의 조정율은, 45 ％ 이하인 것이 바람직하다.
도 29 는, 갭 폭과 조정율의 관계의 일례를 예시하는 그래프이다.
도 29 에 나타낸 그래프의 가로축은, 갭 폭 (㎛) 을 나타내고 있다. 도 29 에 나타낸 그래프의 세로축은, 조정율 (％) 을 나타내고 있다. 도 29 에 나타낸 갭 폭은, 도 24 에 관해서 전술한 절연층 (21) 의 폭 (D3) 에 상당한다.
본 발명자는, 갭 폭 (D3) 및 조정율을 변화시켰을 경우에 있어서, 제 1 투명 전극 (4) 및 제 2 투명 전극 (5) 의 패턴의 불가시성에 대해서 검토하였다. 본 검토에 있어서, 발명자는, 불가시성의 판단을 육안에 의해 실시하였다. 육안 판단의 조건은, 이하와 같다.
즉, 본 검토에서는, 광학 조정부를 갖는 투명 전극이 형성된 센서 필름에 광학 투명 점착층을 개재하여 유리 기판을 첩합 (貼合) 한 시료가 사용되었다. 시료에 광을 조사하는 광원은, 3 파장형 주광색 형광등이다. 광원의 조도는, 1300 룩스 (lx) 이다. 시료와 육안 위치 사이의 거리 (검사 거리) 는, 30 ㎝ 이다. 센서 필름 또는 유리 기판의 표면에 대하여 수직인 직선 (법선) 과 시선 사이의 각도는, 0 도 이상, 45 도 이하이다. 시료에서 보아 시점과는 반대측 (시료 이면측) 에는, 흑판이 배치되어 있다.
검토 결과의 일례는, 도 29 에 나타낸 바와 같다. 즉, 갭 폭 (D3) 이 10 ㎛ 인 경우에는, 조정율이 15 ％ 이상이면, 제 1 투명 전극 (4) 및 제 2 투명 전극 (5) 의 패턴의 불가시성이 확보된다. 갭 폭 (D3) 이 15 ㎛ 인 경우에는, 조정율이 30 ％ 이상이면, 제 1 투명 전극 (4) 및 제 2 투명 전극 (5) 의 패턴의 불가시성이 확보된다. 갭 폭 (D3) 이 20 ㎛ 인 경우에는, 조정율이 35 ％ 이상이면, 제 1 투명 전극 (4) 및 제 2 투명 전극 (5) 의 패턴의 불가시성이 확보된다. 요컨대, 갭 폭 (D3) 이 상대적으로 넓으면, 제 1 투명 전극 (4) 및 제 2 투명 전극 (5) 의 패턴의 불가시성이 확보되기 위해서는, 상대적으로 높은 조정율이 필요하게 된다.
또, 도 28 에 관해서 전술한 바와 같이, 제 1 광학 조정 영역 (41) 및 제 2 광학 조정 영역 (51) 의 각각의 조정율은, 40 ％ 이하인 것이 바람직하다. 도 29 에 나타낸 그래프로부터, 제 1 투명 전극 (4) 및 제 2 투명 전극 (5) 의 패턴의 불가시성과, 배선 저항의 허용 한계를 고려하면, 갭 폭 (D3) 은, 10 ㎛ 이상, 20 ㎛ 이하인 것이 바람직하다. 요컨대, 도 29 에 나타낸 영역 (A2) 은, 제 1 투명 전극 (4) 및 제 2 투명 전극 (5) 의 패턴의 불가시성과, 배선 저항의 허용 한계의 양방이 충족되는 영역이다. 도 29 에 나타낸 바와 같이, 제 1 투명 전극 (4) 및 제 2 투명 전극 (5) 의 패턴의 불가시성과, 제 1 광학 조정 영역 (41) 및 제 2 광학 조정 영역 (51) 의 각각의 조정율의 사이에는, 상관 관계가 있는 것을 알 수 있다.
도 30 은, 시트 저항과 도통성 확보 가능 라인폭의 관계의 일례를 예시하는 그래프이다. 도 30 에 나타낸 그래프의 가로축은, 시트 저항 (Ω／□) 을 나타내고 있다. 도 30 에 나타낸 그래프의 세로축은, 도통성 확보 가능 라인폭 (㎛) 을 나타내고 있다. 도통성 확보 가능 라인이란, 도전체가 단선하는 일 없이 도전성을 확보하기 위해서 필요한 도전체의 폭을 말한다. 그 때문에, 도 30 에 나타낸 바와 같이, 시트 저항이 상대적으로 높으면, 도전체가 단선하는 일 없이 도전성을 확보하기 위해서 필요한 도전체의 폭 (도통성 확보 가능 라인폭) 으로는 상대적으로 긴 폭이 필요하게 된다.
도 30 에 나타낸 그래프 중의 상측의 파선은, 은 나노와이어를 포함하는 재료에 의해 형성된 투명 전극에 관해서, 시트 저항과 도통성 확보 가능 라인폭의 관계를 예시하고 있다.
본 발명자가 얻은 지견에 의하면, 은 나노와이어를 포함하는 재료에 의해 형성된 투명 전극의 시트 저항의 하한값은, 약 30 ∼ 50 Ω／□ 정도이다. 따라서, 도 30 에 나타낸 그래프로부터, 은 나노와이어를 포함하는 재료에 의해 형성된 투명 전극에 관해서, 도통성 확보 가능 라인폭은, 30 ㎛ 이상인 것이 바람직하다.
이에 따라, 복수의 제 1 광학 조정 영역 (41) 을 갖는 제 1 투명 전극 (4) 의 도전 영역에 있어서는, 30 ㎛ 이상의 폭이 확보되어 있는 것이 바람직하다. 그 때문에, 도 24 에 관해서 전술한 바와 같이, 이웃하는 복수의 제 1 광학 조정 영역 (41) 끼리 사이의 거리 (D1) 는, 30 ㎛ 이상인 것이 바람직하다. 이것은, 제 2 투명 전극 (5) 에 대해서도 동일하다. 요컨대, 이웃하는 복수의 제 2 광학 조정 영역 (51) 끼리 사이의 거리 (D2) 는, 30 ㎛ 이상인 것이 바람직하다.
이것에 의하면, 복수의 제 1 광학 조정 영역 (41) 이 도전성 나노와이어를 포함하는 제 1 투명 전극 (4) 에 형성되고, 복수의 제 2 광학 조정 영역 (51) 이 도전성 나노와이어를 포함하는 제 2 투명 전극에 형성되어 있어도, 도전 영역의 폭이 좁음으로써 제 1 투명 전극 (4) 및 제 2 투명 전극 (5) 이 단선하는 것을 억제할 수 있다.
도 31 은, 본 실시형태의 절연층 (21) 의 근방에만 광학 조정부가 형성되었을 때의 시인성을 설명하는 평면도이다. 도 31 에 있어서는, 설명의 편의상, 제 1 투명 전극 (4) 과 제 2 투명 전극 (5) 사이의 2 개의 절연층 (21) 이 상하로 나란히 표시되어 있다. 2 개의 절연층 (21) 의 사이에는, 제 1 투명 전극 (4) 이 배치되어 있다. 2 개의 절연층 (21) 의 양측에는, 제 2 투명 전극 (5) 이 배치되어 있다. 또한, 도 31 에 나타낸 투명 전극의 배치는, 설명의 편의상의 배치이다. 그 때문에, 예를 들어, 2 개의 절연층 (21) 의 사이에 제 2 투명 전극 (5) 이 형성되고, 2 개의 절연층 (21) 의 양측에, 제 1 투명 전극 (4) 이 배치되어 있어도 된다.
상측의 절연층 (21) 의 폭 (D3) 은, 하측의 절연층 (21) 의 폭 (D3) 과 동일하다. 도 31 에 나타낸 2 개의 절연층 (21) 중에서 상측의 절연층 (21) 의 근방에는, 제 1 광학 조정 영역 (41) 및 제 2 광학 조정 영역 (51) 은, 형성되어 있지 않다. 한편, 도 31 에 나타낸 2 개의 절연층 (21) 중에서 하측의 절연층 (21) 의 근방에는, 제 1 광학 조정 영역 (41) 및 제 2 광학 조정 영역 (51) 이 형성되어 있다.
도 31 에 나타낸 바와 같이, 제 1 광학 조정 영역 (41) 및 제 2 광학 조정 영역 (51) 이 절연층 (21) 의 근방에만 형성되어 있는 경우에는, 제 1 광학 조정 영역 (41) 및 제 2 광학 조정 영역 (51) 이 절연층 (21) 의 근방에 형성되어 있지 않은 경우와 비교하면, 제 1 광학 조정 영역 (41) 및 제 2 광학 조정 영역 (51) 의 존재에 의해 절연층 (21) 이 강조되어 두드러지는 것을 알 수 있었다. 구체적으로는, 본래 원형인 제 1 광학 조정 영역 (41) 및 제 2 광학 조정 영역 (51) 이 반원 형상이 되어 스트라이프상의 절연층 (21) 과 연속하고 있기 때문에, 절연층 (21) 과 제 1 광학 조정 영역 (41) 및 제 2 광학 조정 영역 (51) 으로 이루어지는 영역에 의한 국소적인 면적이 증대하고 있다. 그 결과, 제 1 투명 전극 (4) 과 제 2 투명 전극 사이에 위치하는 절연층 (21) 의 패턴이 오히려 강조되어 버려 있다. 이 경향은, 도 31 에 나타내는 바와 같이, 광학 조정 영역 (제 1 광학 조정 영역 (41), 제 2 광학 조정 영역 (51)) 이 절연층 (21) 의 근방에만 형성되고, 투명 전극 (제 1 투명 전극 (4) 및 제 2 투명 전극 (5)) 에 있어서의 절연층 (21) 으로부터 원위인 영역에는 광학 조정 영역이 형성되어 있지 않은 경우에 현저해진다. 그러므로, 복수의 제 1 광학 조정 영역 (41) 은, 절연층 (21) 의 근방에 집중하는 일 없이, 제 1 투명 전극 (4) 의 전체에 걸쳐서 균일하게 형성되어 있는 것이 바람직하다. 또, 복수의 제 2 광학 조정 영역 (51) 은, 절연층 (21) 의 근방에 집중하는 일 없이, 제 2 투명 전극 (5) 의 전체에 걸쳐서 균일하게 형성되어 있는 것이 바람직하다. 이 점을 다른 표현으로 설명하면, 도전부가 위치하는 영역인 도전 영역의 내부에 광학 조정부가 위치하는 영역인 광학 조정 영역이 위치하여, 절연층이 위치하는 영역인 절연 영역과 광학 조정 영역은 직접적으로 접해 있지 않은 것이 바람직하고, 광학 조정 영역은 투명 전극의 전체에 걸쳐서 배치되어 있는 것도 바람직하다.
도 32 는, 광학 조정부의 직경을 변화시켰을 때의 파장과 반사율의 관계의 일례를 예시하는 그래프이다.
도 33 은, 도 32 에 나타낸 그래프 중의 일부를 확대하여 나타낸 그래프이다.
도 33 은, 도 32 에 나타낸 그래프 중에 있어서, 파장이 500 ㎛ 이상, 600 ㎛ 이하인 범위를 확대하여 나타낸 그래프이다.
본 발명자는, 둥근 형상 (원 형상) 의 광학 조정부의 직경을 변화시켰을 경우에 있어서, 광의 파장과 반사율의 관계에 대해서 검토하였다. 본 검토에 있어서, 발명자는, 자외 가시 (UV-vis) 분광 광도계를 사용하여 투명 전극에 있어서의 반사율을 측정하였다. 측정 방법은, 확장 반사이다. 측정 파장은, 350 ㎚ 이상, 800 ㎚ 이하이다. 시료로는, 광학 조정부를 갖는 투명 전극이 형성된 센서 필름에 광학 투명 점착층을 개재하여 커버재를 첩합한 시료가 사용되었다. 커버재는, 0.5 ㎜ 의 두께를 갖는 Corning 사 제조의 EAGLE XG (등록상표) 이다.
검토 결과의 일례는, 도 32 및 도 33 에 나타낸 바와 같다. 즉, 광학 조정부의 직경이 상대적으로 크면, 투명 전극에 있어서의 반사율은, 상대적으로 낮다. 도 32 및 도 33 에 나타낸 그래프로부터, 제 1 광학 조정 영역 (41) 의 직경 (D11) (도 24 참조) 및 제 2 광학 조정 영역 (51) 의 직경 (D12) (도 24 참조) 은, 10 ㎛ 이상인 것이 바람직하고, 20 ㎛ 이상인 것이 보다 바람직하다.
한편, 본 발명자가 얻은 지견에 의하면, 투명 전극의 광학 조정부의 직경이 100 ㎛ 보다 큰 경우에는, 제 1 투명 전극 (4) 및 제 2 투명 전극 (5) 의 패턴의 불가시성이 저하되는 것이 육안에 의해 확인되었다. 육안 판단의 조건은, 도 29 에 관해서 전술한 바와 같다. 이에 따라, 제 1 광학 조정 영역 (41) 의 직경 (D11) 및 제 2 광학 조정 영역 (51) 의 직경 (D12) 은, 100 ㎛ 이하인 것이 바람직하고, 90 ㎛ 이하인 것이 보다 바람직하다.
이것에 의하면, 제 1 광학 조정 영역 (41) 의 직경 (D11) 및 제 2 광학 조정 영역 (51) 의 직경 (D12) 이 지나치게 작음으로써 제 1 투명 전극 (4) 및 제 2 투명 전극 (5) 에 있어서의 반사율이 높아지는 것을 억제하고, 제 1 투명 전극 (4) 및 제 2 투명 전극 (5) 의 패턴의 불가시성을 확보할 수 있다. 또, 제 1 광학 조정 영역 (41) 의 직경 (D11) 및 제 2 광학 조정 영역의 직경 (D12) 이 지나치게 큼으로써 내부 경계가 보이기 쉬워지는 것을 억제하고, 제 1 투명 전극 (4) 및 제 2 투명 전극 (5) 의 패턴의 불가시성을 확보할 수 있다.
도 34 는, 광학 조정부의 형상을 변화시켰을 때의 파장과 반사율의 관계의 일례를 예시하는 그래프이다.
도 35 는, 도 34 에 나타낸 그래프 중의 일부를 확대하여 나타낸 그래프이다.
도 35 는, 도 34 에 나타낸 그래프 중에 있어서, 파장이 500 ㎛ 이상, 600 ㎛ 이하인 범위를 확대하여 나타낸 그래프이다.
본 발명자는, 광학 조정부의 형상이 둥근 형상 (원 형상) 인 경우와 사각 형상인 경우에 있어서, 광의 파장과 반사율의 관계에 대해서 검토하였다. 반사율의 측정 방법은, 도 32 및 도 33 에 관해서 전술한 바와 같다.
검토 결과의 일례는, 도 34 및 도 35 에 나타낸 바와 같다. 즉, 광학 조정부의 형상이 둥근 형상인 경우의 반사율은, 광학 조정부의 형상이 사각 형상인 경우의 반사율과 대략 동일하다. 이에 따라, 도 27 에 관해서 전술한 바와 같이, 제 1 광학 조정 영역 및 제 2 광학 조정 영역의 각각의 형상은, 원에만 한정되지 않고, 사각형이어도 된다. 도 32 및 도 33 에 관해서 전술한 직경의 범위와 마찬가지로, 사각형의 제 1 광학 조정 영역 (41A) 의 대각선 중에서 최장 대각선의 길이 (D13) (도 27 참조), 및 사각형의 제 2 광학 조정 영역 (51A) 의 대각선 중에서 최장 대각선의 길이 (D14) (도 27 참조) 는, 10 ㎛ 이상인 것이 바람직하고, 20 ㎛ 이상인 것이 보다 바람직하다. 또, 대각선의 길이 (D13) 및 대각선의 길이 (D14) 는, 100 ㎛ 이하인 것이 바람직하고, 90 ㎛ 이하인 것이 보다 바람직하다.
이것에 의하면, 제 1 광학 조정 영역 (41A) 의 대각선의 길이 (D13) 및 제 2 광학 조정 영역 (51A) 의 대각선의 길이 (D14) 가 지나치게 짧음으로써 제 1 투명 전극 (4A) 및 제 2 투명 전극 (5A) 에 있어서의 반사율이 높아지는 것을 억제하고, 제 1 투명 전극 (4A) 및 제 2 투명 전극 (5A) 의 패턴의 불가시성을 확보할 수 있다. 또, 제 1 광학 조정 영역 (41A) 의 대각선의 길이 (D13) 및 제 2 광학 조정 영역 (51A) 의 대각선의 길이 (D14) 가 지나치게 길음으로써 내부 경계가 보이기 쉬워지는 것을 억제하고, 제 1 투명 전극 (4A) 및 제 2 투명 전극 (5A) 의 패턴의 불가시성을 확보할 수 있다.
도 39 는, 본 실시형태의 정전 용량식 센서의 다른 변형예 (제 2 변형예) 의 검출 영역의 일부를 나타내는 평면도이다. 도 39 는, 도 23 에 나타낸 영역 (A1) 에 대응하는 영역을 더욱 확대한 평면도이다.
본 변형예의 제 1 투명 전극 (4B) 이 복수의 거의 원형의 제 1 광학 조정 영역 (41B) 을 갖고, 제 2 투명 전극 (5B) 이 복수의 거의 원형의 제 2 광학 조정 영역 (51B) 을 갖고, 제 1 투명 전극 (4B) 과 제 2 투명 전극 (5B) 사이에 절연층 (21) 을 갖는 점에서, 도 22 에 나타낸 예와 공통된다. 절연부 (20) 와 브릿지 배선부 (10) 는, 설명의 형편상, 도시를 생략하고 있다. 연결부 (7) 를 포함하는 영역에는 제 1 광학 조정 영역 (41B) 및 제 2 광학 조정 영역 (51B) 이 형성되어 있지 않고, 이 영역은 무조정 영역 (NR) 으로 되어 있다.
제 1 투명 전극 (4B) 과 제 2 투명 전극 (5B) 사이는, 제 1 투명 전극 (4B) 및 제 2 투명 전극 (5B) 의 쌍방으로부터 절연층 (21) 에 의해 전기적으로 절연된 더미 영역 (IF) 이, 절연층 (21) 에 둘러싸여 형성되어 있다. 더미 영역 (IF) 은, 제 1 투명 전극 (4B) 및 제 2 투명 전극 (5B) 의 도전 영역 (CR) 과 구조가 공통되는, 즉, 도전성 나노와이어가 매트릭스가 되는 절연 재료에 분산된 구조를 갖는 더미 도전 영역 (CR1) 을 갖는다. 이와 같은 더미 영역 (IF) 을 형성함으로써, 제 1 투명 전극 (4B) 과 제 2 투명 전극 (5B) 사이의 XY 평면 내에서의 이간 거리를 불가시성에 대한 영향을 억제하여 변경할 수 있다. 이들 전극의 이간 거리를 변경함으로써, 전극간의 용량을 조정할 수 있다.
더미 영역 (IF) 에는, 더미 영역 (IF) 의 시인성을 저하시키는 관점에서, 제 1 광학 조정 영역 (41B) 및 제 2 광학 조정 영역 (51B) 과 마찬가지로, 거의 원형의 더미 광학 조정 영역 (AR1) 의 복수가, 평면에서 보았을 때, 더미 도전 영역 (CR1) 내에 서로 이산하여 배치되어 있다. 더미 광학 조정 영역 (AR1) 은, 제 1 광학 조정 영역 (41B) 및 제 2 광학 조정 영역 (51B) 과 동일한 방법 (적어도 표면부에 있어서 매트릭스가 되는 절연 재료로부터 도전성 나노와이어를 제거하는 방법) 에 의해 형성된 것이며, 제 1 광학 조정 영역 (41B) 및 제 2 광학 조정 영역 (51B) 과 구조가 공통된다.
다음에 설명하는 바와 같이, 더미 영역 (IF) 에 있어서의 더미 광학 조정 영역 (AR1) 의 배치를 적절히 설정함으로써, 더미 영역 (IF) 의 시인성을 저하시킬 수 있다. 더미 영역 (IF) 에 의해 제 1 투명 전극 (4B) 과 제 2 투명 전극 (5B) 이 이간하는 이간 방향의 더미 영역 (IF) 의 길이, 즉, 더미 영역 (IF) 의 폭 (Wf) 이 70 ㎛ 이상인 경우에는, 이와 같이, 소정의 형상 (원형, 사각형 등이 예시된다.) 을 갖는 더미 광학 조정 영역 (AR1) 을 배치하는 것이 바람직하다. 더미 영역 (IF) 의 폭 (Wf) 이 80 ㎛ 이상인 경우에 더미 광학 조정 영역 (AR1) 을 배치하는 것이 보다 바람직하고, 더미 영역 (IF) 의 폭 (Wf) 이 90 ㎛ 이상인 경우에 더미 광학 조정 영역 (AR1) 을 배치하는 것이 더욱 바람직하고, 더미 영역 (IF) 의 폭 (Wf) 이 100 ㎛ 이상인 경우에 더미 광학 조정 영역 (AR1) 을 배치하는 것이 특히 바람직하다.
또한, 더미 영역 (IF) 의 폭 (Wf) 이 100 ㎛ 이하인 경우에는, 더미 영역 (IF) 은, 더미 광학 조정 영역 (AR1) 이 아닌, 즉, 더미 도전 영역 (CR1) 으로 이루어지는 것이 바람직할 때가 있어, 더미 영역 (IF) 의 폭 (Wf) 이 70 ㎛ 미만, 특히 60 ㎛ 이하인 경우에는 더미 영역 (IF) 은 더미 도전 영역 (CR1) 으로 이루어지는 것이 바람직하다. 더미 영역 (IF) 의 폭 (Wf) 의 최소값은, 정전 용량식 센서 (1) 를 구동하는 반도체 장치 (IC) 의 설정 등에 의해 적절히 결정된다. 한정되지 않는 예시를 하면, 더미 영역 (IF) 의 폭 (Wf) 은, 30 ㎛ 이상인 경우가 있고, 40 ㎛ 이상인 경우가 있고, 50 ㎛ 이상인 경우가 있다.
도 40 은, 제 2 변형예에 있어서의 더미 영역을 포함하는 영역의 부분 확대도이다. 도 39 에 나타내는 바와 같이, 일례로서 10 ㎛ 정도의 폭 (Wi) 의 절연층 (21) 에 의해 제 1 투명 전극 (4B) 및 제 2 투명 전극 (5B) 의 쌍방으로부터 분리된 더미 영역 (IF) 에는, 복수의 더미 광학 조정 영역 (AR1) 이 형성되어 있다. 이들 더미 광학 조정 영역 (AR1) 은 절연층 (21) 에 연속한 부분을 갖지 않는다. 즉, 더미 광학 조정 영역 (AR1) 과 절연층 (21) 사이의 평면에서 보았을 때의 이간 거리의 최소값 (최소 이간 거리) (Df) 은, 하기 식을 만족한다.
Df ＞ 0
이와 같이, 절연층 (21) 과 더미 광학 조정 영역 (AR1) 이 직접적으로 접한 상태가 아닌 것, 즉, 더미 광학 조정 영역 (AR1) 이 절연층 (21) 에 연속한 부분을 갖지 않는 것에 의해, 절연층 (21) 의 불가시성을 유지할 수 있다. 최소 이간 거리 (Df) 는, 10 ㎛ 이상인 것이 바람직하고, 20 ㎛ 이상인 것이 보다 바람직하고, 30 ㎛ 이상인 것이 특히 바람직하다. 최소 이간 거리 (Df) 가 과도하게 커지면, 더미 광학 조정 영역 (AR1) 이 형성되어 있지 않은 것에 기인하여 더미 영역 (IF) 의 불가시성이 저하되는 경향이 보이는 경우가 있기 때문에, 최소 이간 거리 (Df) 는, 100 ㎛ 이하로 하는 것이 바람직하고, 90 ㎛ 이하로 하는 것이 보다 바람직하고, 80 ㎛ 이하로 하는 것이 더욱 바람직하고, 70 ㎛ 이하로 하는 것이 특히 바람직하다.
더미 영역 (IF) 의 더미 광학 조정 영역 (AR1) 의 배치 밀도는, 제 1 투명 전극 (4B) 및 제 2 투명 전극 (5B) 에 형성된 제 1 광학 조정 영역 (41B) 및 제 2 광학 조정 영역 (51B) 의 배치 밀도와 관련성을 갖고 있는 것이 바람직하다. 또한, 전술한 바와 같이, 제 1 투명 전극 (4B) 에 있어서 제 1 광학 조정 영역 (41B) 은 균일하게 배치되고, 제 2 투명 전극 (5B) 에 있어서 제 2 광학 조정 영역 (51B) 은 균일하게 배치된다. 그리고, 제 1 투명 전극 (4B) 과 제 2 투명 전극 (5B) 이 동일한 시인성을 갖도록, 제 1 투명 전극 (4B) 에 있어서의 제 1 광학 조정 영역 (41B) 의 배치와, 제 2 투명 전극 (5B) 에 있어서의 제 2 광학 조정 영역 (51B) 의 배치는 실질적으로 동등하다. 따라서, 이하의 설명에서는, 제 1 투명 전극 (4B) 에 있어서의 제 1 광학 조정 영역 (41B) 의 배치와 더미 영역 (IF) 에 있어서의 더미 광학 조정 영역 (AR1) 의 배치를 대비한다.
제 1 투명 전극 (4B) 에 배치되는 복수의 제 1 광학 조정 영역 (41B) 중, 평면에서 보았을 때 최근위에 위치하는 2 개의 이간 거리 (최근위 이간 거리) (D0) 는, 최근위에 위치하는 2 개의 제 1 투명 전극 (4B) 의 배열 피치 (P0) 와, 각각의 제 1 투명 전극 (4B) 의 배열 방향의 길이 (L0) 의 차 (P0 ― L0) 이다. 이 최근위 이간 거리 (D0) 는, 전술한 최소 이간 거리 (Df) 와, 다음의 관계를 만족하는 것이 바람직하다.
0.5 ≤ Df/D0 ≤ 2.5
Df/D0 (이간비) 가 상기의 범위임으로써, 더미 영역 (IF) 의 불가시성을 안정적으로 확보할 수 있다. 더미 영역 (IF) 의 불가시성을 보다 안정적으로 확보하는 관점에서, 이간비 Df/D0 는, 0.7 이상 2.0 이하인 것이 바람직한 경우가 있고, 0.7 이상 1.3 이하인 것이 보다 바람직한 경우가 있다.
제 1 투명 전극 (4B) 에 있어서의 제 1 광학 조정 영역 (41B) 으로 이루어지는 영역의 면적 비율 (전극 조정 비율) (AA0) (단위：％) 과, 더미 영역 (IF) 에 있어서의 더미 광학 조정 영역 (AR1) 으로 이루어지는 영역의 면적 비율 (더미 조정 비율) (AAf) (단위：％) 은, 하기 식을 만족하는 관계를 갖는 것이 바람직하다.
AAf/AA0 ＜ 1
즉, 더미 조정 비율 (AAf) 은 전극 조정 비율 (AA0) 보다 낮은 것이 바람직하다. 더미 영역 (IF) 은 이것을 둘러싸도록 소정의 폭 (Wi) 의 절연층 (21) 이 위치하기 때문에, 이 영향을 고려하여, 더미 조정 비율 (AAf) 을 전극 조정 비율 (AA0) 보다 좀 낮게 설정함으로써, 우수한 불가시성을 달성할 수 있다. 우수한 불가시성을 보다 안정적으로 실현하는 관점에서, AAf/AA0 (조정 면적비) 는, 0.3 이상 0.95 이하인 것이 바람직한 경우가 있고, 0.6 이상 0.9 이하인 것이 보다 바람직한 경우가 있다.
이하, 구체예를 나타내어 설명한다.
도 41 내지 도 45 는, 투명 전극 (제 1 투명 전극, 제 2 투명 전극) 과 더미 영역을 갖는 검출 영역의 부분 확대도이다. 이들 도면에서는, 도면 전체가 주는 인상을 확인하기 쉽도록, 부호를 붙이는 것을 생략하고 있다.
투명 전극 (제 1 투명 전극 (4B), 제 2 투명 전극 (5B)) 에 있어서의 광학 조정 영역 (제 1 광학 조정 영역 (41B), 제 2 광학 조정 영역 (51B)) 은, 모두 평면에서 보았을 때 직경이 35 ㎛ 인 원형으로서 투명 전극 내에 균일하게 배치되어 있다. 구체적으로는, 최근위에 늘어서는 2 개의 광학 조정부의 배열 피치 (P0) 가 68 ㎛ 이다. 따라서 최근위 이간 거리 (D0) 는 30 이다. 폭 (Wi) 의 절연층 (21) 에 의해 투명 전극 (제 1 투명 전극 (4B), 제 2 투명 전극 (5B)) 으로부터 분리되어 있는 더미 영역 (IF) 의 폭 (Wf) 은 180 ㎛ 이다. 육안 판단의 조건은 전술한 바와 같다.
(실시예 1)
도 41 에 나타내는 실시예 1 에 관련된 검출 영역 (11) 에서는, 더미 영역 (IF) 의 폭 방향에 위치하는 2 개의 절연층 (21) 의 각각과의 관계에서 최소 이간 거리 (Df) 가 모두 36.6 ㎛ 인 2 개의 원형 (직경：35 ㎛) 의 더미 광학 조정 영역 (AR1) 이, 더미 영역 (IF) 의 연장 방향으로 75 ㎛ 피치로 배치되어 있다. 이 경우의 이간비 Df/D0 는 1.22 이고, 조정 면적비 AAf/AA0 는 0.7 이다. 이 경우에는, 불가시성이 특별히 우수하여, 검출 영역 (11) 에 있어서, 더미 영역 (IF) 이 배치되어 있는 것은 실질적으로 시인할 수 없었다.
(실시예 2)
도 42 에 나타내는 실시예 2 에 관련된 검출 영역 (11) 에서는, 더미 영역 (IF) 의 폭 방향에 위치하는 2 개의 절연층 (21) 의 각각과의 관계에서 최소 이간 거리 (Df) 가 모두 65 ㎛ 인 원형 (직경：50 ㎛) 의 더미 광학 조정 영역 (AR1) 이, 더미 영역 (IF) 의 연장 방향으로 75 ㎛ 피치로 배치되어 있다. 이 경우의 이간비 Df/D0 는 1.96 이고, 조정 면적비 AAf/AA0 는 0.33 이다. 이 경우도, 실시예 1 과 거의 동일한 정도로 불가시성이 우수하고, 검출 영역 (11) 에 있어서, 더미 영역 (IF) 이 배치되어 있는 것은 실질적으로 시인할 수 없었다.
(실시예 3)
도 43 에 나타내는 실시예 3 에 관련된 검출 영역 (11) 에서는, 더미 영역 (IF) 의 폭 방향에 위치하는 2 개의 절연층 (21) 의 각각의 관계에서 최소 이간 거리 (Df) 가 모두 20 ㎛ 인 2 개의 원형 (직경：60 ㎛) 의 더미 광학 조정 영역 (AR1) 이, 더미 영역 (IF) 의 연장 방향으로 75 ㎛ 피치로 배치되어 있다. 이 경우의 이간비 Df/D0 는 0.6 으로서, 조정 면적비 AAf/AA0 는 2.0 이다. 이 경우도 불가시성이 우수하지만, 실시예 1 과의 대비에서는, 더미 광학 조정 영역 (AR1) 의 존재가 약간 시인되었다.
(비교예 1)
도 44 에 나타내는 비교예 1 에 관련된 검출 영역 (11) 에서는, 더미 영역 (IF) 의 폭 방향에 위치하는 2 개의 절연층 (21) 의 각각에 연결된 라인상의 더미 광학 조정 영역 (AR1) (폭：10 ㎛) 이, 더미 영역 (IF) 의 연장 방향으로 50 ㎛ 피치로 배치되어 있다. 이 경우의 이간비 Df/D0 는 0 이고, 조정 면적비 AAf/AA0 는 1.0 이다. 이 경우에는, 더미 광학 조정 영역 (AR1) 의 절연층 (21) 과의 연결부가 절연층 (21) 의 존재를 두드러지게 하기 때문에, 검출 영역 (11) 에 있어서, 더미 영역 (IF) 이 배치되어 있는 것이 시인되었다.
(비교예 2)
도 45 에 나타내는 비교예 2 에 관련된 검출 영역 (11) 에서는, 더미 영역 (IF) 의 폭 방향에 위치하는 2 개의 절연층 (21) 의 각각에 연결된 라인상의 더미 광학 조정 영역 (AR1) (폭：10 ㎛) 이, 더미 영역 (IF) 의 연장 방향으로 150 ㎛ 피치로 배치되어 있다. 이 경우의 이간비 Df/D0 는 0 이고, 조정 면적비 AAf/AA0 는 0.5 이다. 이 경우에는, 조정 면적비 AAf/AA0 는 1 보다 충분히 낮기는 하지만, 더미 광학 조정 영역 (AR1) 의 절연층 (21) 과의 접속부에 의한 절연층 (21) 의 현재화를 감출 수 없어, 검출 영역 (11) 에 있어서, 비교예 1 과 마찬가지로 더미 영역 (IF) 이 배치되어 있는 것이 시인되었다.
이상, 본 실시형태 및 그 적용예를 설명했지만, 본 발명은 이들 예에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 전술한 각 실시형태 또는 그 적용예에 대하여, 당업자가 적절히, 구성 요소의 추가, 삭제, 설계 변경을 실시한 것이나, 각 실시형태의 특징을 적절히 조합한 것도, 본 발명의 요지를 구비하고 있는 한, 본 발명의 범위에 함유된다.
100, 200, 300：투명 전극 부재
101：기재
S1：제 1 면
110, 110a, 110b, 110c, 110d：투명 전극
102：절연층
IR：절연 영역
MX：매트릭스
NW：도전성 나노와이어
DL：분산층
111：도전부
CR：도전 영역
112：광학 조정부
AR：광학 조정 영역
sd：이간 거리
130：투명 배선
NR：무조정 영역
150：제 1 적층체
AgNW：은 나노와이어
160：레지스트층
161：제 1 레지스트층
162：제 2 레지스트층
R1：제 1 영역
R2：제 2 영역
R3：제 3 영역
SI：은 요오드화물
151：중간 부재
1：정전 용량식 센서
2：기재
2a：주면 (겉면)
3：패널
3a：면
4, 4A, 4B：제 1 투명 전극
5, 5A, 5B：제 2 투명 전극
6：배선부
7：연결부
8：제 1 전극 연결체
10：브릿지 배선부
11：검출 영역
12：제 2 전극 연결체
16：접속 배선
20：절연부
20a：표면
21：절연층
25：비검출 영역
27：외부 접속부
30：광학 투명 점착층
41, 41A, 41B：제 1 광학 조정 영역
51, 51A, 51B：제 2 광학 조정 영역
A1, A2：영역
C1, C2, V1：절단면
D1, D2：거리
D11, D12：직경
D13, D14：길이
D3：절연층 (21) 의 폭 (갭 폭)
IF：더미 영역
CR1：더미 도전 영역
AR1：더미 광학 조정 영역
Wi：절연층 (21) 의 폭
Wf：더미 영역 (IF) 의 폭
Df：최소 이간 거리
P0：제 1 광학 조정 영역 (4B) 의 배열 피치
L0：제 1 광학 조정 영역 (4B) 의 배열 방향의 길이
D0：최근위 이간 거리

Claims (8)

  1. 투광성을 갖는 기재와,
    제 1 방향을 따라 나란히 배치된 복수의 제 1 투명 전극과,
    상기 제 1 방향과 교차하는 제 2 방향을 따라 나란히 배치된 복수의 제 2 투명 전극과,
    이웃하는 1 쌍의 상기 제 1 투명 전극 사이를 전기적으로 접속하는 제 1 투명 배선과,
    복수의 상기 제 1 투명 전극 및 상기 제 1 투명 배선과 복수의 상기 제 2 투명 전극 사이에 배치된 절연층을 구비하고,
    복수의 상기 제 1 투명 전극, 상기 제 1 투명 배선, 복수의 상기 제 2 투명 전극, 상기 절연층은, 상기 기재의 제 1 면측에 동층(同層)으로 형성되고,
    상기 제 1 투명 전극, 상기 제 2 투명 전극은, 상기 동층 내에서 도전성 나노와이어가 절연 재료로 이루어지는 매트릭스 내에 분산된 도전부와 상기 매트릭스 내의 상기 도전성 나노와이어의 분산 밀도가 상기 도전부보다 낮은 복수의 광학 조정부로 형성되고, 상기 제 1 면의 법선 방향에서 보았을 때에 상기 도전부 내에 복수의 상기 광학 조정부가 이산적으로 배치되고,
    상기 제 1 투명 배선은, 상기 동층 내에서 상기 제 1 투명 전극에 연속한 상기 도전부로 형성되고,
    상기 절연층은, 상기 동층 내에서 상기 제 1 투명 전극, 상기 제 1 투명 배선 및 상기 제 2 투명 전극과 연속한 상기 매트릭스로 형성되고,
    상기 절연층은 상기 도전부보다 반사율이 낮고,
    상기 광학 조정부는 상기 도전부보다 반사율이 낮고,
    상기 제 1 투명 전극보다 폭이 작은 상기 제 1 투명 배선과, 상기 제 1 투명 배선에 연속한 상기 제 1 투명 전극의 상기 제 1 투명 배선측의 주위에 위치하는 영역은, 상기 도전부로 형성되어 상기 광학 조정부가 형성되어 있지 않은 무조정 영역을 갖는 것을 특징으로 하는 투명 전극 부재.
  2. 제 1 항에 있어서,
    이웃하는 상기 복수의 제 2 투명 전극 사이를 전기적으로 접속하는 제 2 투명 배선이 형성되고,
    상기 제 2 투명 전극의 상기 제 2 투명 배선의 주위에 위치하는 영역에, 상기 도전부로 형성되어 상기 광학 조정부가 형성되어 있지 않은 무조정 영역을 갖는, 투명 전극 부재.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 투명 배선과 상기 제 2 투명 배선은, 상기 제 1 면의 법선 방향으로 절연물을 개재하여 겹치는 부분을 갖는, 투명 전극 부재.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 투명 전극 및 상기 제 2 투명 전극에 있어서의 상기 광학 조정부의 면적 비율은 40 ％ 이하인, 투명 전극 부재.
  5. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 기재된 투명 전극 부재와,
    조작체와 투명 전극 사이에 생기는 정전 용량의 변화를 검지하는 검지부를 구비하는, 정전 용량식 센서.
  6. 삭제
  7. 삭제
  8. 삭제
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