JP2020068241A5 - - Google Patents
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Description
例えば、第１中間領域１１におけるｎ形のキャリア濃度（キャリア密度）は、第２中間領域１２におけるｎ形のキャリア濃度（キャリア密度）よりも低い。
第２半導体領域２０は、第１部分２０ａ及び第２部分２０ｂを含む。第１部分２０ａは、第１方向（Ｚ軸方向）において、基体１０ｓと、第２電極５２の上記の少なくとも一部と、の間にある。第２部分２０ｂは、第１方向（Ｚ軸方向）において、基体１０ｓと、第３電極５３と、の間にある。
例えば、基体１０ｓの上に炭化珪素層をエピタキシャル成長する前に、基体１０ｓの表面を、水素などを含む雰囲気で処理する参考例がある、この場合、基体１０ｓの表面の傷などを除去することが目的である。このため、この参考例において、基体１０ｓの厚さの減少（エッチング量）は、１μｍ以上である。
Claims (1)
- 炭化珪素を含む基体と、
炭化珪素及び第１元素を含む第１半導体領域と、
炭化珪素及び前記第１元素を含む第２半導体領域と、
を備え、
前記第１元素は、Ｎ、Ｐ及びＡｓよりなる群から選択された少なくともいずれかを含み、
前記第１半導体領域は、前記基体と前記第２半導体領域との間に設けられ、
前記第１半導体領域は、第１中間領域と、前記第１中間領域と前記第２半導体領域との間に設けられた第２中間領域を含み、
前記第１中間領域における前記第１元素の第１濃度は、第１条件及び第２条件の少なくともいずれかを満たし、
前記第１条件において、前記第１濃度は、前記第２中間領域における前記第１元素の第２濃度よりも低く、
前記第２条件において、前記第１濃度は、前記第１中間領域に含まれる第２元素の第３濃度よりも高く、前記第２濃度は、前記第２中間領域における前記第２元素の第４濃度よりも高く、前記第１濃度と前記第３濃度との第１差は、前記第２濃度と前記第４濃度との第２差よりも小さく、
前記第１中間領域は、第１基底面転位と、前記第１基底面転位と繋がる第１貫通刃状転位と、を含み、
前記第２中間領域は、前記第１貫通刃状転位と繋がる第２貫通刃状転位を含む、基板。
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