JP2020063477A - 電解Ｓｎ合金めっき液 - Google Patents

Abstract

【課題】径が小さいパッドにおいてもリフロー後のボイド発生を抑えることができる電解Ｓｎ合金めっき液を実現できるようにする。【解決手段】電解Ｓｎ合金めっき液は、スズイオンの供給源となる化合物と、銀イオンの供給源となる化合物と、含窒素複素環式化合物の酸化物と、フラボノイド化合物とを含む。【選択図】なし

Description

本開示は電解Ｓｎ合金めっき液に関し、特にバンプの形成に用いることができる電解Ｓｎ合金メッキ液に関する。

半導体チップには、接続用のバンプが設けられる。接続用のバンプとしてはんだボール等が用いられているが、半導体チップの小型化に伴い、従来のはんだボールでは対応が困難になっている。直径が１００μｍ程度のマイクロボールも存在するが、さらなる微細化が求められており、スズ（Ｓｎ）又はＳｎ合金のめっきによるバンプの形成が注目されている（例えば、特許文献１を参照。）。

めっきにより微小なバンプを形成する場合、数十μｍの範囲に数十μｍの厚さで、相互に独立した複数の被膜を均一に堆積することが求められる。また、できるだけ表面がフラットでリフロー後にボイドが発生しにくい被膜を形成することが求められている。

特開２０１６−１０６１８１号公報

しかしながら、従来の電解Ｓｎ合金めっき液ではボイドの低減が不十分である。さらに、パターンの多様化が進められており、径が小さいパッドにバンプを形成した場合にも、ボイド発生を抑制できるようにすることが求められている。

本開示の課題は、径が小さいパッドにバンプを形成した場合においてもリフロー後のボイド発生を抑えることができる電解Ｓｎ合金めっき液を実現できるようにすることである。

本開示の電解Ｓｎ合金めっき液の一態様は、スズイオンの供給源となる化合物と、銀イオンの供給源となる化合物と、含窒素複素環式化合物の酸化物と、フラボノイド化合物とを含む。

電解Ｓｎ合金めっき液の一態様において、フラボノイド化合物は、フラボノイド配糖体とすることができる。

電解Ｓｎ合金めっき液の一態様において、含窒素複素環式化合物の酸化物の濃度は、０．１ｇ／Ｌ以上、１０ｇ／Ｌ以下とし、フラボノイド化合物の濃度は、０．００１ｇ／Ｌ以上、２０ｇ／Ｌ以下とすることができる。

電解Ｓｎ合金めっき液の一態様において、銅イオンの供給源となる化合物をさらに含んでいてもよい。

本開示の電解Ｓｎ合金めっき液によれば、径が小さいパッドにおいてもリフロー後のボイド発生を抑えることができる。

本実施形態の電解Ｓｎ合金めっき液は、スズ−銀（Ｓｎ−Ａｇ）の２元合金又はスズ−銀−銅（Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ）等の３元合金からなるめっき被膜の形成に用いる電解Ｓｎ合金めっき液であり、含窒素複素環式化合物の酸化物と、フラボノイド化合物とを含有する。含窒素複素環式化合物の酸化物と、フラボノイド化合物とを含むことにより、表面のフラット性に優れ、リフロー後にボイドが発生しにくいバンプを電解Ｓｎ合金めっきにより形成することが可能となる。

含窒素複素環式化合物の酸化物は、特に限定されないが、２−メチルピリジン Ｎ−オキシド、ニコチン酸 Ｎ−オキシド、ピリジン Ｎ−オキシド、４−メチルモルホリン Ｎ−オキシド、３−アセチルピリジン Ｎ−オキシド、２‐アミノピリジン Ｎ−オキシド、８−アミノキノリン Ｎ−オキシド、２，２’−ビピリジル１，１’−ジオキシド、４−(ジメチルアミノ)ピリジン Ｎ−オキシド水和物、４，４’−ジメチル−２,２’−ビピリジル1-オキシド、３，５−ジメチルピリジン Ｎ−オキシド、４−(ヒドロキシアミノ)キノリン Ｎ−オキシド、イソニコチン酸 Ｎ−オキシド、４−(ヒドロキシアミノ)キノリン Ｎ−オキシド、２−ヒドロキシピリジン Ｎ−オキシド、３−ヒドロキシピリジン Ｎ−オキシド、８−ヒドロキシキノリン Ｎ−オキシド、イソキノリン Ｎ−オキシド、２，６−ルチジン Ｎ−オキシド、４−メトキシピリジン Ｎ−オキシド、３−メチルピリジン Ｎ−オキシド、４−メチルピリジン Ｎ−オキシド、キノリン Ｎ−オキシド水和物、５，５−ジメチル−１−ピロリン Ｎ−オキシド、ミノキシジル、５−メチルピラジン−２−カルボン酸４−オキシド、及び３，３，５，５−テトラメチル−１−ピロリン Ｎ−オキシド等を用いることができる。中でも、ピリジン Ｎ−オキシド及びニコチン酸 Ｎ−オキシドは、平滑性を向上させる効果が高く、入手も容易であり好ましい。これらの複素環化合物は、単独で用いることも、複数を組み合わせて用いることもできる。

複素環式化合物の酸化物の濃度は、フラット性を向上させる観点から好ましくは０．１ｇ／Ｌ以上、より好ましくは０．５ｇ／Ｌ以上である。また、コストの観点から、好ましくは１０ｇ／Ｌ以下、より好ましくは６ｇ／Ｌ以下である。

フラボノイド化合物は、ヒドロキシ化体であっても、配糖体であってもよい。ヒドロキシ化体としては、フラボン、３−ヒドロキシフラボン、５−ヒドロキシフラボン、７−ヒドロキシフラボン、クリシン、モリン、ケルセチン、バイカレイン、アンレキサノクス、ケーリン、６−ヒドロキシフラボン、７，８−ジヒドロキシフラボン水和物、３，４’−ジヒドロキシフラボン、アピゲニン、３’，４’−ジヒドロキシフラボン、スクテラレイン、アカセチン、ケンフェロール水和物、ケンペリド、イソラムネチン、ノビレチン、フラバノン、４’−ヒドロキシフラバノン、３’−ヒドロキシフラバノン、ナリンゲニン、ヘスペレチン、ジヒドロミリセチン、（＋）−カテキン水和物、（−）−エピガロカテキン、α−ナフトフラボン、β−ナフトフラボン、フラボノール−２’−スルホン酸ナトリウム水和物、イプリフラボン、ペンタヒドロキシフラボン、フィセチン、及びミリセチン等を挙げることができる。配糖体としては、ルチン水和物、ナリンギン、メチルヘスペリジン、バイカリン、ミリシトリン、ジオスミン、エピメジンＣ、ヘスペリジン、イカリイン、ミリシトリン、ネオヘスペリジン、ウォゴノシド、及びクエルシトリン等を挙げることができる。中でも、広範囲の電流密度において使用可能であることから配糖体が好ましく、特にルチン水和物、ナリンギン、メチルヘスペリジン及びヘスペリジンが好ましい。これらのフラボノイド化合物は、単独で用いることも、複数を組み合わせて用いることもできる。

フラボノイド化合物の濃度は、フラット性を向上させる観点から好ましくは０．００１ｇ／Ｌ以上、より好ましくは０．０１ｇ／Ｌ以上である。また、コストの観点から、好ましくは２０ｇ／Ｌ以下、より好ましくは１０ｇ／Ｌ以下である。

本実施形態の電解Ｓｎ合金めっき液は、含窒素複素環式化合物の酸化物及びフラボノイド化合物に加えて、スズ（Ｓｎ）イオンの供給源となる化合物と、銀（Ａｇ）イオンの供給源となる化合物とを含んでいる。

Ｓｎイオンの供給源となる化合物としてＳｎ塩を用いることができ、中でも第１Ｓｎ塩（Ｓｎ塩（II））及び第２Ｓｎ塩（Ｓｎ塩（IV））を用いることが好ましい。

第１Ｓｎ塩（Ｓｎ塩（II））は特に限定されないが、例えばメタンスルホン酸Ｓｎ（II）等のアルカンスルホン酸Ｓｎ（II）、イセチオン酸Ｓｎ（II）等のアルカノールスルホン酸Ｓｎ（II）などの有機スルホン酸Ｓｎ（II）、硫酸Ｓｎ（II）、ホウフッ化Ｓｎ（II）、塩化Ｓｎ（II）、臭化Ｓｎ（II）、ヨウ化Ｓｎ（II）、酸化Ｓｎ（II）、リン酸Ｓｎ（II）、ピロリン酸Ｓｎ（II）、酢酸Ｓｎ（II）、クエン酸Ｓｎ（II）、グルコン酸Ｓｎ（II）、酒石酸Ｓｎ（II）、乳酸Ｓｎ（II）、コハク酸Ｓｎ（II）、スルファミン酸Ｓｎ（II）、ギ酸Ｓｎ（II）、及びケイフッ化Ｓｎ（II）等を用いることができる。

第２Ｓｎ塩（Ｓｎ塩（IV））は特に限定されないが、例えばＳｎ酸ナトリウム、及びＳｎ酸カリウム等を用いることができる。

中でもメタンスルホン酸Ｓｎ（II）等のアルカンスルホン酸Ｓｎ（II）、及びイセチオン酸Ｓｎ（II）等のアルカノールスルホン酸Ｓｎ（II）等の有機スルホン酸Ｓｎ（II）が好ましい。

また、Ｓｎ塩の濃度は、ヤケやコゲの発生を抑える観点から、Ｓｎ²⁺として好ましくは５ｇ／Ｌ以上、より好ましくは１０ｇ以上である。また、めっき浴の安定性を向上させ、沈殿の発生を抑える観点から、好ましくは１００ｇ／Ｌ以下、より好ましくは７０ｇ／Ｌ以下である。また、このような濃度とすることはコストの面からも有利である。

Ｓｎ塩として鉛（Ｐｂ）濃度が１．０ｐｐｍ以下の低濃度ＰｂのＳｎ塩を使用することも可能である。Ｐｂ濃度が低いＳｎ塩を用いることにより、低濃度Ｐｂ化が可能となる。

Ａｇイオンの供給源となる化合物としてＡｇ塩を用いることができ、特に限定されないが、例えば有機スルホン酸Ａｇ、硫酸Ａｇ、ホウフッ化Ａｇ、塩化Ａｇ、臭化Ａｇ、ヨウ化Ａｇ、酸化Ａｇ、リン酸Ａｇ、ピロリン酸Ａｇ、酢酸Ａｇ、クエン酸Ａｇ、グルコン酸Ａｇ、酒石酸Ａｇ、乳酸Ａｇ、コハク酸Ａｇ、スルファミン酸Ａｇ、ギ酸Ａｇ、及びケイフッ化Ａｇ等を用いることができる。中でも、有機スルホン酸Ａｇが好ましい。

Ａｇイオンの供給源となる化合物の濃度は管理の観点から、Ａｇ⁺として好ましくは１０ｍｇ／Ｌ以上、より好ましくは２０ｍｇ／Ｌ以上である。またコストの観点から１０００ｍｇ／Ｌ以下、より好ましくは５００ｍｇ／Ｌ以下である。

本実施形態の電解Ｓｎ合金めっき液は、さらに銅（Ｃｕ）イオンの供給源となる化合物を含んでいてもよい。Ｃｕイオンの供給源となる化合物を加えることにより、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕの３元合金の被膜を形成することが可能となる。Ｃｕイオンの供給源としてＣｕ塩を用いることができ、特に限定されないが、例えば有機スルホン酸Ｃｕ、硫酸Ｃｕ、ホウフッ化Ｃｕ、塩化Ｃｕ、臭化Ｃｕ、ヨウ化Ｃｕ、酸化Ｃｕ、リン酸Ｃｕ、ピロリン酸Ｃｕ、酢酸Ｃｕ、クエン酸Ｃｕ、グルコン酸Ｃｕ、酒石酸Ｃｕ、乳酸Ｃｕ、コハク酸Ｃｕ、スルファミン酸Ｃｕ、ギ酸Ｃｕ、及びケイフッ化Ｃｕ等を用いることができる。中でも、有機スルホン酸Ｃｕが好ましい。

Ｃｕイオンの供給源となる化合物の濃度は、管理や含有量の分布の観点から、Ｃｕ⁺として好ましくは１０ｍｇ／Ｌ以上、より好ましくは５０ｍｇ／Ｌ以上である。また、浴安定性の観点から５０００ｍｇ／Ｌ以下、より好ましくは２０００ｍｇ／Ｌ以下である。

本実施形態の電解Ｓｎ合金めっき液は、無機酸、有機酸及びこれらの水溶性塩のいずれかを含んでいてもよい。酸又はその水溶性塩を加えることにより、被めっき物表面及びめっき被膜であるＳｎ−Ａｇ合金表面のｐＨを一定に保ち、均一な表面電位とすることができる。これにより、Ｐｂの共析を抑制することができる。

酸又はその水溶性塩は、特に限定されないが、例えば硫酸、塩酸、硝酸、りん酸、スルファミン酸、有機スルホン酸（メタンスルホン酸等のアルカンスルホン酸、又はイセチオン酸等のアルカノールスルホン酸）、及びカルボン酸（芳香族カルボン酸、脂肪族飽和カルボン酸、又はアミノカルボン酸）等を用いることができる。また、必要に応じてこれらの水溶性塩の中和塩を使用することもできる。中でもメタンスルホン酸は取り扱いが容易であり好ましい。

酸又はその水溶性塩の濃度は、めっき液の安定性を向上させ、沈殿物の発生を抑える観点から、好ましくは３５ｇ／Ｌ以上、より好ましくは５０ｇ／Ｌ以上である。このような濃度は、Ｐｂ析出電位の観点からも有利である。また、コストの観点から、好ましくは１４０ｇ／Ｌ、より好ましくは１２０ｇ／Ｌ以下である。

本実施形態の電解Ｓｎ合金めっき液は、界面活性剤を含んでいてよい。界面活性剤は、アニオン界面活性剤、カチオン界面活性剤、及び非イオン界面活性剤から選ばれる１種以上を用いることができる。中でも非イオン界面活性剤が好ましく、アルキレンオキサイド系のものがより好ましい。界面活性剤を加えることにより、被めっき物及び被膜であるＳｎ結晶表面の電流密度を均一にし、表面での均一な析出電位を保つことができる。これにより、Ｐｂの共析を抑制することができる。

アルキレンオキサイド系の界面活性剤は、特に限定されないが、例えばポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンアルキルアミン、ポリオキシエチレンアルキルアミド、ポリオキシエチレン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレン多価アルコールエーテル、酸化エチレン酸化プロピレンブロック重合化合物、酸化エチレン酸化プロピレンランダム重合化合物、及び酸化プロピレン重合化合物等を用いることができる。中でもポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテルが好ましい。

界面活性剤の濃度は、好ましくは０．０５ｇ／Ｌ以上、より好ましくは０．５ｇ／Ｌ以上である。このような濃度以上とすることにより、めっき時間を短縮するために高電流密度でめっきした場合においても、高電流密度になる部分におけるヤケやコゲの発生を抑えることができる。また、界面活性剤の濃度は、めっき被膜の黒色化による色むらの発生を抑制する観点から、好ましくは１００ｇ／Ｌ以下である。

本実施形態の電解Ｓｎ合金めっき液は、酸又はその水溶性塩と界面活性剤とを含み、酸又はその水溶性塩が、硫酸、塩酸、硝酸、りん酸、スルファミン酸、有機スルホン酸、カルボン酸又はその塩から選ばれる１種以上の酸又はその水溶性塩であり、界面活性剤が、アニオン界面活性剤、カチオン界面活性剤、非イオン界面活性剤から選ばれる１種以上であることがさらに好ましい。

本実施形態の電解Ｓｎ合金めっき液は、有機溶媒、酸化防止剤、及びキレート剤等を含むことができる。有機溶媒は、特に限定されないが、例えばメタノール及び２−プロパノール等の１価アルコール類、並びにエチレングリコール、ジエチレングリコール及びトリエチレングリコール等の２価アルコール類を用いることができる。酸化防止剤は、特に限定されないが、例えばカテコール、ヒドロキノン、４−メトキシフェノール、又はアスコルビン酸等を用いることができる。キレート剤は、特に限定されないが、例えばシュウ酸、コハク酸、マロン酸、グリコール酸、グルコン酸、グルコノラクトン、グリシン、エチレンジアミン酢酸、ピロリン酸、又はトリポリリン酸等を用いることができる。

本実施形態の電解Ｓｎ合金めっき液を用いた、めっき被膜形成の際には、めっき液のｐＨを強酸性とすることが好ましい。めっき被膜形成の際の温度は、特に限定されないが好ましくは２５℃以上、好ましくは４０℃以下である。めっき皮膜形成の際の電流密度は、好ましくは１Ａ／ｄｍ²以上、より好ましくは２Ａ／ｄｍ²以上であり、好ましくは２０Ａ／ｄｍ²以下、より好ましくは１０Ａ／ｄｍ²以下である。

本開示の電解Ｓｎ合金めっき液は、例えば半導体チップのめっきバンプの形成に用いることができる。めっきバンプを形成する場合には、所定の位置に所定のサイズのめっき被膜を形成した後、リフロー処理を行えばよい。リフロー処理は特に限定されず、通常のリフロー装置を用いて行うことができる。

以下に、本開示の電解Ｓｎ合金めっき液について実施例を用いてさらに詳細に説明する。以下の実施例は例示であり、本発明を限定することを意図するものではない。

＜めっき被膜の形成＞
所定の組成の電解Ｓｎ合金めっき液について液温を３０℃、電流密度を４Ａ／ｄｍ²として、電気銅からなるパッドの表面にＳｎめっき被膜からなるバンプを形成した。パッドの直径は２０μｍ、５０μｍ、８０μｍ及び１００μｍとした。

＜ボイドの評価＞
得られたバンプを２６０℃にてリフローした後、Ｘ線非破壊検査装置（Nordson DAGE社製、XD7600NT Diamond FP）によりボイドの有無を評価した。Ｘ線非破壊検査装置の管電圧は６０ｋｖ、出力は１．５Ｗとした。

（実施例１）
含窒素複素環式化合物の酸化物として、ピリジン Ｎ−オキシドを用い、濃度は５ｇ／Ｌとした。フラボノイド化合物として、ナリンギンを用い、濃度は０．３ｇ／Ｌとした。Ｓｎイオンの供給源としてアルカンスルホン酸Ｓｎ（II）をＳｎ²⁺として６０ｇ／Ｌ、Ａｇイオンの供給源としてアルカンスルホン酸ＡｇをＡｇ⁺として０．５ｇ／Ｌ、有機酸としてメタンスルホン酸を７０ｇ／Ｌ、並びにノニオン界面活性剤を２０ｇ／Ｌとなるように加えた。めっき液の液温は３０℃、電流密度は４Ａ／ｄｍ²とした。

得られた、Ｓｎ−Ａｇ合金めっき被膜からなるバンプは、いずれのパッド径においてもリフロー後にボイドは認められなかった。

（実施例２）
含窒素複素環式化合物の酸化物として、ニコチン酸 Ｎ−オキシドを用い、濃度は１ｇ／Ｌとした以外は、実施例１と同様としてＳｎ−Ａｇ合金被膜を形成した。得られた、Ｓｎ−Ａｇ合金めっき被膜からなるバンプは、いずれのパッド径においてもリフロー後にボイドは認められなかった。

（実施例３）
フラボノイド化合物として、５ｇ／Ｌのメチルヘスペリジンを用いた以外は、実施例１と同様にしてＳｎ−Ａｇ合金被膜を形成した。得られた、Ｓｎ−Ａｇ合金めっき被膜からなるバンプは、いずれのパッド径においてもリフロー後にボイドは認められなかった。

（実施例４）
含窒素複素環式化合物の酸化物として、２ｇ／Ｌのニコチン酸 Ｎ−オキシドを用い、フラボノイド化合物として、３ｇ／Ｌのルチン水和物を用いた以外は、実施例１と同様としてＳｎ−Ａｇ合金被膜を形成した。得られた、Ｓｎ−Ａｇ合金めっき被膜からなるバンプは、いずれのパッド径においてもリフロー後にボイドは認められなかった。

（実施例５）
含窒素複素環式化合物の酸化物として、３ｇ／Ｌのニコチン酸 Ｎ−オキシドを用い、フラボノイド化合物として、０．５ｇ／Ｌのヘスペリジンを用いた以外は、実施例１と同様としてＳｎ−Ａｇ合金被膜を形成した。得られた、Ｓｎ−Ａｇ合金めっき被膜からなるバンプは、いずれのパッド径においてもリフロー後にボイドは認められなかった。

（実施例６）
含窒素複素環式化合物の酸化物として、１ｇ／Ｌのニコチン酸 Ｎ−オキシドを用い、フラボノイド化合物として、５ｇ／Ｌのメチルヘスペリジンを用いた以外は、実施例１と同様としてＳｎ−Ａｇ合金被膜を形成した。得られた、Ｓｎ−Ａｇ合金めっき被膜からなるバンプは、いずれのパッド径においてもリフロー後にボイドは認められなかった。

（実施例７）
含窒素複素環式化合物の酸化物として、３ｇ／Ｌのピリジン Ｎ−オキシドを用い、フラボノイド化合物として、０．５ｇ／Ｌのヘスペリジンを用いた以外は、実施例１と同様としてＳｎ−Ａｇ合金被膜を形成した。得られた、Ｓｎ−Ａｇ合金めっき被膜からなるバンプは、いずれのパッド径においてもリフロー後にボイドは認められなかった。

（比較例１）
含窒素複素環式化合物の酸化物を加えず、フラボノイド化合物として、１ｇ／Ｌのバイカリンを用いた以外は、実施例１と同様としてＳｎ−Ａｇ合金被膜を形成した。得られた、Ｓｎ−Ａｇ合金めっき被膜からなるバンプは、パッド径が１００μｍの場合にはリフロー後にボイドが認められなかったが、パッド径が８０μｍ、５０μｍ及び２０μｍの場合にはリフロー後にボイドが認められた。

（比較例２）
含窒素複素環式化合物の酸化物を加えず、フラボノイド化合物として、５ｍｇ／Ｌのナリンギンを用いた以外は、実施例１と同様としてＳｎ−Ａｇ合金被膜を形成した。得られた、Ｓｎ−Ａｇ合金めっき被膜からなるバンプは、パッド径が１００μｍ及び８０μｍの場合にはリフロー後にボイドが認められなかったが、パッド径が５０μｍ及び２０μｍの場合にはリフロー後にボイドが認められた。

（比較例３）
含窒素複素環式化合物の酸化物を加えず、フラボノイド化合物として、３ｍｇ／Ｌのメチルヘスペリジンを用いた以外は、実施例１と同様としてＳｎ−Ａｇ合金被膜を形成した。得られた、Ｓｎ−Ａｇ合金めっき被膜からなるバンプは、パッド径が１００μｍ及び８０μｍの場合にはリフロー後にボイドが認められなかったが、パッド径が５０μｍ及び２０μｍの場合にはリフロー後にボイドが認められた。

（比較例４）
含窒素複素環式化合物として６ｇ／Ｌのピリジン Ｎ−オキシドを用い、フラボノイド化合物を加えなかった以外は、実施例１と同様としてＳｎ−Ａｇ合金被膜を形成した。得られた、Ｓｎ−Ａｇ合金めっき被膜からなるバンプは、パッド径が１００μｍ及び８０μｍの場合にはリフロー後にボイドが認められなかったが、パッド径が５０μｍ及び２０μｍの場合にはリフロー後にボイドが認められた。

（比較例５）
含窒素複素環式化合物として３ｇ／Ｌの５，５−ジメチル−１−ピロリン Ｎ オキシドを用い、フラボノイド化合物を加えなかった以外は、実施例１と同様としてＳｎ−Ａｇ合金被膜を形成した。得られた、Ｓｎ−Ａｇ合金めっき被膜からなるバンプは、パッド径が１００μｍの場合にはリフロー後にボイドが認められなかったが、パッド径が８０μｍ。５０μｍ及び２０μｍの場合にはリフロー後にボイドが認められた。

表１及び表２に各実施形態及び比較例の結果をまとめて示す。含窒素複素環式化合物の酸化物と、フラボノイド化合物とを含む場合には、パッド径が小さい場合にもリフロー後にボイドが発生しなかったが、いずれか１方のみの場合には、パッド径が小さい場合にリフロー後にボイドが発生した。

本開示の電解Ｓｎ合金めっき液は、径が小さいパッドにおいてもリフロー後のボイド発生を抑えることができ、バンプ等の形成において有用である。

Claims (4)

1. スズイオンの供給源となる化合物と、
   銀イオンの供給源となる化合物と、
   含窒素複素環式化合物の酸化物と、
   フラボノイド化合物とを含む、電解Ｓｎ合金めっき液。
2. 前記フラボノイド化合物は、フラボノイド配糖体である、請求項１に記載の電解Ｓｎ合金めっき液。
3. 前記含窒素複素環式化合物の酸化物の濃度は、０．１ｇ／Ｌ以上、１０ｇ／Ｌ以下であり、
   前記フラボノイド化合物の濃度は、０．００１ｇ／Ｌ以上、２０ｇ／Ｌ以下である、請求項１又は２に記載の電解Ｓｎ合金めっき液。
4. 銅イオンの供給源となる化合物をさらに含む、請求項１〜３のいずれか１項に記載の電解Ｓｎ合金めっき液。