JP2020014025A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
Description
本願の発明に係る他の半導体装置は、上面に金属パターンを有する基板と、該基板の上面に固定され、該基板の上の領域を囲むケースと、該ケースに充填された樹脂と、該金属パターンと電気的に接続され、該樹脂に覆われた半導体素子と、を備え、該ケースは、上方向に伸びる壁部分と、該壁部分につながり該基板の中央方向に突出した突出部と、該突出部の上面に沿って設けられた端子とを有し、該突出部は、該突出部の先端につながり該突出部の先端から離れるほど該基板との距離が近づく斜面である第1面と、該第1面につながり該基板の上面に対して該第1面よりは垂直に近い第2面とを有し、該第1面の直下に該金属パターンがあり、該樹脂は該第1面と該第2面に接する。
図1は、実施の形態に係る半導体装置の平面図である。この半導体装置は、ケース1とケース1に取り付けられた端子2、3を備えている。端子2は信号端子であり、端子3は大電流が流れる主端子である。ケース1の中には樹脂5が充填されている。樹脂5は、熱膨張率の合わせ込み又は密着性などを高めた特別に調整されたエポキシ樹脂である。このような樹脂はダイレクトポッティング樹脂と呼ばれている。
Claims (8)
- 上面に金属パターンを有する基板と、
前記基板の上面に固定され、前記基板の上の領域を囲むケースと、
前記ケースに充填された樹脂と、
前記金属パターンと電気的に接続され、前記樹脂に覆われた半導体素子と、を備え、
前記ケースは、上方向に伸びる壁部分と、前記壁部分につながり前記基板の中央方向に突出した突出部とを有し、
前記突出部は、前記突出部の先端につながり前記突出部の先端から離れるほど前記基板との距離が近づく斜面である第1面と、前記第1面の下側につながり前記基板の上面に対して前記第1面よりは垂直に近い第2面とを有し、
前記第1面の直下に前記金属パターンがあり、
前記樹脂は前記第1面と前記第2面に接する半導体装置。 - 上面に金属パターンを有する基板と、
前記基板の上面に固定され、前記基板の上の領域を囲むケースと、
前記ケースに充填された樹脂と、
前記金属パターンと電気的に接続され、前記樹脂に覆われた半導体素子と、を備え、
前記ケースは、上方向に伸びる壁部分と、前記壁部分につながり前記基板の中央方向に突出した突出部と、
前記突出部の上面に沿って設けられた端子とを有し、
前記突出部は、前記突出部の先端につながり前記突出部の先端から離れるほど前記基板との距離が近づく斜面である第1面と、前記第1面につながり前記基板の上面に対して前記第1面よりは垂直に近い第2面とを有し、
前記第1面の直下に前記金属パターンがあり、
前記樹脂は前記第1面と前記第2面に接する半導体装置。 - 前記第2面は前記基板に対して垂直な面であることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置。
- 前記突出部には、前記突出部を貫く貫通孔が設けられたことを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記突出部は、前記第2面につながり、直接又ははんだを介して前記基板の上面に接する第3面を有することを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記突出部の上面にのせられた端子と、
前記半導体素子と前記端子を電気的に接続するワイヤを備え、
前記端子と前記ワイヤの接続点は、前記第3面の直上にあることを特徴とする請求項5に記載の半導体装置。 - 前記基板は、金属で形成されたベース板と、前記ベース板の上に設けられた絶縁板と、前記絶縁板の上に形成された前記金属パターンを有することを特徴とする請求項1から6のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記樹脂はエポキシ樹脂であることを特徴とする請求項1から7のいずれか1項に記載の半導体装置。
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JPH08162571A (ja) * | 1994-12-08 | 1996-06-21 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置 |
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JP2014203978A (ja) * | 2013-04-05 | 2014-10-27 | 三菱電機株式会社 | パワーモジュール |
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