JPS60216571A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS60216571A
JPS60216571A JP7427584A JP7427584A JPS60216571A JP S60216571 A JPS60216571 A JP S60216571A JP 7427584 A JP7427584 A JP 7427584A JP 7427584 A JP7427584 A JP 7427584A JP S60216571 A JPS60216571 A JP S60216571A
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JP
Japan
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outer casing
resin
air bubbles
outer container
semiconductor
Prior art date
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Pending
Application number
JP7427584A
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English (en)
Inventor
Hajime Maeda
前田　甫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
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Publication of JPS60216571A publication Critical patent/JPS60216571A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/16—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations, e.g. centering rings
    • H01L23/18—Fillings characterised by the material, its physical or chemical properties, or its arrangement within the complete device
    • H01L23/24—Fillings characterised by the material, its physical or chemical properties, or its arrangement within the complete device solid or gel at the normal operating temperature of the device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 この発明は、放熱板上方の半導体素子部を外装容器で囲
い、内部に樹脂を充てんして封止した半導体装置におい
て、外装容器の構造の改良に関するものである。
〔従来技術〕
従来のこの種の半導体装置の構造として、ダイオードモ
ジュールを得る場合の例を第１図に断面図で示す。
（１）は放熱板で、上面に絶縁基板（２）を固着してい
る。この絶縁基板（２）上には、半導体素子（３）が接
着されており、この半導体素子（３）は、ダイオードチ
ップ（Ｉｌｌ　）の下面にアノード電極（８，２）、上
面にカソード電極（８，８）を初めロー付けにより構成
されているものである。
（４）は合成樹脂成形品などの絶縁材からなり、放熱板
（１）上に周縁に沿ってエポキシ系およびシリコン系の
接着剤（５）で接着され半導体素子部を囲う外装容器で
、上部が開口し内側方向につば（４，１）を設け、前記
つば（４，１）には電極引出し大（４，２）が明けられ
ている。
（６）は外装容器（４）内に充てんして硬化されたエポ
キシ樹脂等の封止樹脂で、内部を気密封止するとともに
、電極（８，２）　（ａ、ｓ）を機械的に保持している
。
上記従来の装置では外装容器（４）内においてつば（４
，１）の下面は水平面（４，８）となっており、封止樹
脂（６）を充てんする際に廻き込んだ空気、および硬化
するとき発生するガスが外部へぬけきらないで内部に気
泡（７）として残り、気密性を低下することになり半導
体素子（３）の特性劣化、およびＷｔ極（８，２）（８
，８）の保持力を弱くすることになり半導体素子（３）
を破壊するなどの欠点があった。
また上記欠点を解決する方法として一般的に真空脱泡を
行なっているか説備費、加工費が高価となっていた。
ｒ発明の概要〕 この発明は従来方法のこのような欠点に鑑み、外装容器
上部の内側方向に設けられているつば部下面に気泡が抜
は易い方向に傾斜をつけ、気泡の残留の防止を行なえる
ようにしたものである。
〔発明の実施例〕
以下、この発明方法の一実施例につき第２図を参照して
詳細に説明する。
第２図実施例において前記第１図従来例と同一符号は同
一または相当部分を示している。
この実施例方法では、第２図に示すように外装容器（４
）の上部内側方向に設けられているつぼ（４，１）の下
面を開放部に向けて正の角度θ０の傾斜面（４，４）と
している。
ついで前記従来例におけるの同様に放熱板（１）の上面
に絶縁基板（２）を、さらに前記絶縁基板（２）の上面
に半導体素子（３）が固着、接着された上で、放熱板（
１）上の同縁に沿って接着剤（５）により外装容器（４
）が接着され、前記外装容器（４）の上面開放部より封
止樹脂（６）を充てんし、硬化する仁とにより内部を気
密封止している。
すなわち、この実施例の場合には、封止樹脂（６）を充
てんする際に廻き込んだ空気、および硬化するとき発生
するガスが外装容器（４）の傾斜面（４，４）に沿って
、比重差により自然に外部へ放出するようにしたもので
あり、従来例で説明した気泡（７）の残留により発生す
る半導体素子の特性劣化、破壊などの欠点を防止できる
とともに、設備費、加工費を安価とすることができる。
なお、前記実施例はダイオードモジュールの半導体装置
について述べたが、その他の半導体装置であるところの
、例えば複数個の半導体素子を内蔵したサイリスタ、ト
ランジスタモジュールそしてＨＩＣなどにも広く適用で
きることは勿論である。
〔発明の効果〕
以上詳述したように、この発明によるときは、放熱板上
方の半導体素子部を外装容器で囲い内部を樹脂封止した
半導体装置にあって、外装容器の上部に設けられたつば
の下面を傾斜面としたことから、外装容器内に気泡が残
留することがなく、半導体装置の品質、信頼性を向とす
るとともに安価で提供することができる。
〔図面の詳細説明〕
第１図は従来の実施例を示す断面図、第２図は本発明の
実施例を示す断面図 図中（１）は放熱板、（２）は絶縁基板、（８）は半導
体素子、（４）は外装容器、（５）は接着剤、（６）は
封止樹脂。
（ａ、１）はダイオードチップ、　（８，２）はアノー
ド電極。
（ａ、ａ　）はカソード電極、　（４，１）はっば、　
（４，２）は電極引出し穴、　（４，４）は傾斜面 代理人　大岩増雄 第１図 コ 第２図 手続補正書（自発） １．事件の表示　特願昭５９−７４２７６号２、発明の
名称 半導体装置 ３、補正をする者 名　称　（６０１）三菱電機株式会社 代表者片山仁八部 ６、補正の対象 発明の詳細な説明の欄 ６、補正の内容 明細書をつぎのとおり訂正する。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 上部が開口してなる外装容器で半導体素子を囲い、内部
    に前記開口部より樹脂を充てんしてなる半導体装置にお
    いて、前記外装容器の上部の内側方向につばを有し、該
    つばの下面を傾斜面としたことを特徴とする樹脂封止形
    半導体装置。
JP7427584A 1984-04-11 1984-04-11 半導体装置 Pending JPS60216571A (ja)

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