JP2019527910A - 抵抗変化型メモリ(rram)セルフィラメントの電流形成 - Google Patents
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Abstract
Description
(関連出願の相互参照)
本出願は、2016年7月26日に出願されたシンガポール特許出願第10201606137Y号の利益を主張する。
Claims (34)
- 第1の導電性電極と第2の導電性電極との間に配設され、前記第1の導電性電極及び前記第2の導電性電極と電気的に接続している金属酸化物材料中に導電性フィラメントを形成する方法であって、前記方法は、
前記金属酸化物材料を介して1つ以上の電流パルスを印加することを含み、
前記1つ以上の電流パルスの各々に関して、前記電流パルス中の前記電流の振幅が経時的に増加する、方法。 - 前記1つ以上の電流パルスの各々に関して、前記電流の前記振幅が、個別のステップで増加する、請求項1に記載の方法。
- 前記1つ以上の電流パルスの各々に関して、前記個別のステップの数が、前記電流パルスに先行する前記1つ以上の電流パルスのいずれかの個別のステップの数を上回る、請求項2に記載の方法。
- 前記1つ以上の電流パルスの各々に関して、前記電流振幅の最大値が、前記電流パルスに先行する前記1つ以上の電流パルスのいずれかの電流振幅の最大値を上回る、請求項1に記載の方法。
- 前記1つ以上の電流パルスの各々に関して、ある電流パルスの継続時間が、前記電流パルスに先行する前記1つ以上の電流パルスのいずれかの継続時間を上回る、請求項1に記載の方法。
- 前記1つ以上の電流パルスの全てが、同じ継続時間を有する、請求項1に記載の方法。
- 前記1つ以上の電流パルスの各々に関して、前記電流の前記振幅が漸増する、請求項1に記載の方法。
- 前記1つ以上の電流パルスの各々に関して、前記電流振幅の前記漸増が、前記電流パルスに先行する前記1つ以上の電流パルスのいずれかの漸増を上回る割合である、請求項7に記載の方法。
- 前記1つ以上の電流パルスの各々に関して、前記電流振幅の前記漸増が、前記電流パルスに先行する前記1つ以上の電流パルスのいずれかの漸増と同じ割合である、請求項7に記載の方法。
- 前記1つ以上の電流パルスの各々が、第1の極性を有する第1の部分と、前記第1の極性と反対の第2の極性を有する第2の部分と、を含む、請求項1に記載の方法。
- 金属酸化物材料の抵抗を測定することと、
前記測定された抵抗が所定の閾値未満であることに応答して、前記1つ以上の電流パルスを印加することを停止することと、を更に含む、請求項1に記載の方法。 - 前記1つ以上の電流パルスの各々の後で、前記金属酸化物材料の抵抗を測定することと、
前記測定された抵抗が所定の閾値未満であることに応答して、前記1つ以上の電流パルスを印加することを停止することと、を更に含む、請求項1に記載の方法。 - トランジスタが前記第2の導電性電極に電気的に接続されており、前記金属酸化物材料を介して前記1つ以上の電流パルスを印加することが、前記第1の導電性電極に定電圧を印加することを含む、請求項1に記載の方法。
- トランジスタが前記第2の導電性電極に電気的に接続されており、前記金属酸化物材料を介して前記1つ以上の電流パルスを印加することが、前記第1の導電性電極に下向きに傾斜する電圧を印加することを含む、請求項1に記載の方法。
- トランジスタが前記第2の導電性電極に電気的に接続されており、前記金属酸化物材料を介して前記1つ以上の電流パルスを印加することが、最初に前記第1の導電性電極に定電圧を印加し、次いで前記第1の導電性電極に下向きに傾斜する電圧を印加することを含む、請求項1に記載の方法。
- 第1の導電性電極と第2の導電性電極との間に配設され、前記第1の導電性電極及び前記第2の導電性電極と電気的に接続している金属酸化物材料と、
前記金属酸化物材料を介して1つ以上の電流パルスを印加するように構成されている電流源と、を含み、
前記1つ以上の電流パルスの各々に関して、前記電流パルス中の前記電流の振幅が経時的に増加する、メモリデバイス。 - 前記1つ以上の電流パルスの各々に関して、前記電流の前記振幅が、個別のステップで増加する、請求項16に記載のメモリデバイス。
- 前記1つ以上の電流パルスの各々に関して、前記個別のステップの数が、前記電流パルスに先行する前記1つ以上の電流パルスのいずれかの個別のステップの数を上回る、請求項17に記載のメモリデバイス。
- 前記1つ以上の電流パルスの各々に関して、前記電流振幅の最大値が、前記電流パルスに先行する前記1つ以上の電流パルスのいずれかの電流振幅の最大値を上回る、請求項16に記載のメモリデバイス。
- 前記1つ以上の電流パルスの各々に関して、ある電流パルスの継続時間が、前記電流パルスに先行する前記1つ以上の電流パルスのいずれかの継続時間を上回る、請求項16に記載のメモリデバイス。
- 前記1つ以上の電流パルスの全てが、同じ継続時間を有する、請求項16に記載のメモリデバイス。
- 前記1つ以上の電流パルスの各々に関して、前記電流の前記振幅が漸増する、請求項16に記載のメモリデバイス。
- 前記1つ以上の電流パルスの各々に関して、前記電流振幅の前記漸増が、前記電流パルスに先行する前記1つ以上の電流パルスのいずれかの漸増を上回る割合である、請求項22に記載のメモリデバイス。
- 前記1つ以上の電流パルスの各々に関して、前記電流振幅の前記漸増が、前記電流パルスに先行する前記1つ以上の電流パルスのいずれかの漸増と同じ割合である、請求項22に記載のメモリデバイス。
- 前記1つ以上の電流パルスの各々が、第1の極性を有する第1の部分と、前記第1の極性と反対の第2の極性を有する第2の部分と、を含む、請求項16に記載のメモリデバイス。
- 前記金属酸化物材料の抵抗を測定するように構成されている抵抗検出器を更に含み、前記電流源が、前記測定された抵抗が所定の閾値未満であることに応答して、前記1つ以上の電流パルスを印加することを停止するように構成されている、請求項16に記載のメモリデバイス。
- 前記1つ以上の電流パルスの各々の後で、前記金属酸化物材料の抵抗を測定するように構成されている抵抗検出器を更に含み、前記電流源が、前記測定された抵抗が所定の閾値未満であることに応答して、前記1つ以上の電流パルスを印加することを停止するように構成されている、請求項16に記載のメモリデバイス。
- 前記第2の導電性電極に接続されているトランジスタと、
前記トランジスタのゲート電極に接続されている電圧源と、を更に含み、
前記電圧源及び前記電流源が、前記1つ以上の電流パルス中に定電圧を前記第1の導電性電極に印加するように構成されている、請求項16に記載のメモリデバイス。 - 前記第2の導電性電極に接続されているトランジスタと、
前記トランジスタのゲート電極に接続されている電圧源と、を更に含み、
前記電圧源及び前記電流源が、前記1つ以上の電流パルス中に下向きに傾斜する電圧を前記第1の導電性電極に印加するように構成されている、請求項16に記載のメモリデバイス。 - 前記第2の導電性電極に接続されているトランジスタと、
前記トランジスタのゲート電極に接続されている電圧源と、を更に含み、
前記電圧源及び前記電流源が、前記1つ以上の電流パルス中に、最初に定電圧を前記第1の導電性電極に印加し、次いで下向きに傾斜する電圧を前記第1の導電性電極に印加するように構成されている、請求項16に記載のメモリデバイス。 - メモリデバイスであって、
複数のメモリセルであって、各メモリセルが、
第1の導電性電極と第2の導電性電極との間に配設され、前記第1の導電性電極及び前記第2の導電性電極と電気的に接続している金属酸化物材料と、
前記第2の導電性電極に接続されており、ゲート電極を有するトランジスタと、を含む、複数のメモリセルと、
前記メモリセルを介して1つ以上の電流パルスを印加するように構成されている電流源であって、前記1つ以上の電流パルスの各々に関して、前記電流パルス中の前記電流の振幅が経時的に増加する、電流源と、
前記複数のメモリセルの前記トランジスタの前記ゲート電極に電気的に接続されている電圧源と、を含む、メモリデバイス。 - 前記電圧源及び前記電流源が、前記1つ以上の電流パルス中に定電圧を前記第1の導電性電極に印加するように構成されている、請求項31に記載のメモリデバイス。
- 前記電圧源及び前記電流源が、前記1つ以上の電流パルス中に下向きに傾斜する電圧を前記第1の導電性電極に印加するように構成されている、請求項31に記載のメモリデバイス。
- 前記電圧源及び前記電流源が、前記1つ以上の電流パルス中に、最初に前記第1の導電性電極に定電圧を印加し、次いで下向きに傾斜する電圧を前記第1の導電性電極に印加するように構成されている、請求項31に記載のメモリデバイス。
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