JP2014508369A - メムリスティブデバイスを切り替えるための方法及び回路 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 22
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 21
- 230000008569 process Effects 0.000 description 9
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 7
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000006870 function Effects 0.000 description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M Bromide Chemical compound [Br-] CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 206010021143 Hypoxia Diseases 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000370 acceptor Substances 0.000 description 1
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000001934 delay Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000010416 ion conductor Substances 0.000 description 1
- 238000012886 linear function Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 150000003346 selenoethers Chemical class 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 238000010408 sweeping Methods 0.000 description 1
- 150000003568 thioethers Chemical class 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000314 transition metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
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- G11C13/0002—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements
- G11C13/0021—Auxiliary circuits
- G11C13/0069—Writing or programming circuits or methods
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- G11C13/0002—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements
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- G11C13/0007—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements comprising metal oxide memory material, e.g. perovskites
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- G11C13/00—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00
- G11C13/0002—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements
- G11C13/0021—Auxiliary circuits
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- G11C13/0002—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements
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- G11C13/0002—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements
- G11C13/0021—Auxiliary circuits
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- G—PHYSICS
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- G11C13/00—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00
- G11C13/0002—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements
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- G11C—STATIC STORES
- G11C2211/00—Indexing scheme relating to digital stores characterized by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
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- G11C2211/5624—Concurrent multilevel programming and programming verification
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- G11C2211/00—Indexing scheme relating to digital stores characterized by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C2211/56—Indexing scheme relating to G11C11/56 and sub-groups for features not covered by these groups
- G11C2211/564—Miscellaneous aspects
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- G11C2213/00—Indexing scheme relating to G11C13/00 for features not covered by this group
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Abstract
【選択図】図3
Description
Claims (15)
- メムリスティブデバイスを切り替える方法であって、
前記メムリスティブデバイスに第1の極性の第1の電流ランプを加えるステップと、
前記第1の電流ランプが加えられている間、前記メムリスティブデバイスの抵抗値をモニタするステップと、
前記メムリスティブデバイスの抵抗値が第1の目標値に達したときに、前記第1の電流ランプを除去するステップ
を含む方法。 - モニタする前記ステップが、
前記第1の電流ランプを、前記目標値に等しい抵抗値を有する基準抵抗器に同時かつ並列に印加するステップと、
前記メムリスティブデバイスに印加されている電圧と前記基準抵抗器に印加されている電圧を比較するステップ
を含むことからなる、請求項1の方法。 - 比較する前記ステップが、前記メムリスティブデバイスに印加されている電圧及び前記基準抵抗器に印加されている電圧をラッチ型コンパレータに供給するステップを含むことからなる、請求項2の方法。
- 前記メムリスティブデバイス及び前記基準抵抗器に電流ランプを印加するステップが、前記電流ランプで電流ミラーを駆動するステップと、前記電流ミラーの出力電流を、前記メムリスティブデバイス及び前記基準抵抗器に供給するステップを含むことからなる、請求項2の方法。
- 前記メムリスティブデバイスに第2の電流ランプを加えるステップと、
前記第2の電流ランプが加えられている間、前記メムリスティブデバイスの抵抗値をモニタするステップと、
前記メムリスティブデバイスの抵抗値が第2の抵抗値に達したときに、前記メムリスティブデバイスから前記第2の電流ランプを除去するステップ
をさらに含む、請求項1の方法。 - 前記第2の電流ランプの極性が前記第1の極性である、請求項1の方法。
- 前記第2の電流ランプの極性が、前記第1の極性とは反対の第2の極性である、請求項5の方法。
- メムリスティブデバイスを切り替えるためのスイッチング回路であって、
前記メムリスティブデバイスに電流ランプを流すための電流ドライバー構成要素と、
前記メムリスティブデバイスの抵抗値をモニタして、前記メムリスティブデバイスの抵抗値が目標値に達したときに、前記メムリスティブデバイスから前記電流ランプを除去するための制御構成要素
を備えるスイッチング回路。 - 前記電流ドライバー構成要素が電流ミラーを備える、請求項8のスイッチング回路。
- 前記制御構成要素が、前記電流ミラーに接続された基準抵抗器を備え、これによって、前記電流ランプを複製する前記電流ミラーの出力電流が、前記基準抵抗器を通って流れるようにする、請求項9のスイッチング回路。
- 前記制御構成要素が、前記メムリスティブデバイスの電圧及び前記基準抵抗器の電圧を入力として受けるように接続されたラッチ型コンパレータをさらに備える、請求項10のスイッチング回路。
- 前記制御構成要素が、前記メムリスティブデバイスを流れる前記電流ランプの流れ方向を制御するためのスイッチをさらに備える、請求項11のスイッチング回路。
- メムリスティブデバイスを切り替えるためのスイッチングシステムであって、
Hブリッジを形成するように前記メムリスティブデバイスに接続された第1の半分の部分及び第2の半分の部分を備え、
前記第1の半分の部分は、第1の電流ドライバー構成要素及び第1の制御構成要素を有し、前記第2の半分の部分は、第2の電流ドライバー構成要素及び第2の制御構成要素を有し、
前記第1の電流ドライバー構成要素は、前記メムリスティブデバイスに第1の電流ランプを第1の方向に通し、前記第1の制御構成要素は、前記メムリスティブデバイスの抵抗値が第1の目標値に達したときに、前記メムリスティブデバイスから前記第1の電流ランプを除去し、前記第2の電流ドライバー構成要素は、前記メムリスティブデバイスに、第2の電流ランプを、前記第1の方向とは逆の第2の方向に通し、前記第2の制御構成要素は、前記メムリスティブデバイスの抵抗値が第2の目標値に達したときに、前記メムリスティブデバイスから前記第2の電流ランプを除去することからなる、スイッチングシステム。 - 前記第1の半分の部分が、前記第1の目標値を提供するための第1の基準抵抗器を備え、前記第2の半分の部分が、前記第2の目標値を提供するための第2の基準抵抗器を備える、請求項13のスイッチング回路。
- 前記第1の電流ドライバー構成要素と前記第2の電流ドライバー構成要素の各々が、電流ミラーを備える、請求項14のスイッチング回路。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US41553510P | 2010-11-19 | 2010-11-19 | |
US61/415,535 | 2010-11-19 | ||
PCT/US2011/023250 WO2012067660A1 (en) | 2010-11-19 | 2011-01-31 | Method and circuit for switching a memristive device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014508369A true JP2014508369A (ja) | 2014-04-03 |
JP5619296B2 JP5619296B2 (ja) | 2014-11-05 |
Family
ID=46084328
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013539821A Expired - Fee Related JP5619296B2 (ja) | 2010-11-19 | 2011-01-31 | メムリスティブデバイスを切り替えるための方法及び回路 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US9324421B2 (ja) |
EP (1) | EP2641331B1 (ja) |
JP (1) | JP5619296B2 (ja) |
KR (1) | KR101528180B1 (ja) |
CN (1) | CN103229419B (ja) |
WO (1) | WO2012067660A1 (ja) |
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2011
- 2011-01-31 WO PCT/US2011/023250 patent/WO2012067660A1/en active Application Filing
- 2011-01-31 JP JP2013539821A patent/JP5619296B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2011-01-31 KR KR1020137015620A patent/KR101528180B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 2011-01-31 EP EP11842148.6A patent/EP2641331B1/en active Active
- 2011-01-31 US US13/884,107 patent/US9324421B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2011-01-31 CN CN201180055717.0A patent/CN103229419B/zh active Active
-
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- 2016-03-30 US US15/085,403 patent/US20160217856A1/en not_active Abandoned
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US12327587B2 (en) | 2017-01-20 | 2025-06-10 | Hefei Reliance Memory Limited | Method of RRAM write ramping voltage in intervals |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN103229419A (zh) | 2013-07-31 |
WO2012067660A1 (en) | 2012-05-24 |
EP2641331B1 (en) | 2020-06-03 |
JP5619296B2 (ja) | 2014-11-05 |
US20160217856A1 (en) | 2016-07-28 |
US9324421B2 (en) | 2016-04-26 |
KR101528180B1 (ko) | 2015-06-11 |
US20130235651A1 (en) | 2013-09-12 |
EP2641331A4 (en) | 2017-07-26 |
CN103229419B (zh) | 2016-08-03 |
KR20130093661A (ko) | 2013-08-22 |
EP2641331A1 (en) | 2013-09-25 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140701 |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5619296 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
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R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
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R371 | Transfer withdrawn |
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S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
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R350 | Written notification of registration of transfer |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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