JP2016152060A - 書き込みおよびベリファイ回路、ならびにその抵抗性メモリの書き込みおよびベリファイ方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】この方法のステップは、書き込みおよびベリファイ期間の間、抵抗性メモリの少なくとも1つの選択された抵抗性メモリセルに対応する少なくとも1つのワード線信号をイネーブルにすることと、書き込みおよびベリファイ期間の間に第1電圧レベルから第2電圧レベルに連続的に増加または減少するビット線電圧を選択された抵抗性メモリセルに提供することと、ビット線を通る検出電流を測定し、検出電流および基準電流に基づいて、書き込みおよびベリファイ期間の終了時間点を決定することとを含む。
【選択図】図2
Description
400、500、600 書き込みおよびベリファイ回路
401 Y経路回路
402 選択された抵抗性メモリセル
410 電流発生器
411 ダミーY経路回路
420 電流検出器
501〜503 抵抗性メモリセル
601 Y経路回路
602 選択された抵抗性メモリセル
610 電流発生器
611 ダミーY経路回路
620 電流検出器
701〜703 抵抗性メモリセル
CBL ビット線電流
CBL1、CBL2 検出電流
CMP、CMP1 コンパレータ
CREF、CREF1、CREF2 基準電流
D1 ダイオード
DETO 検出出力信号
EN、ENb イネーブル信号
NM1〜NW5、PM1〜PM3、T1、T2 トランジスタ
R1〜R2 抵抗
REFR 基準抵抗
TF1〜TF2 終了時間点
TR、TS、TV 書き込みおよびベリファイ期間
VB バイアス電圧
VDET 検出電圧
VSL ソース線電圧
VVER、VVER1、VVER2 ビット線電圧
WL ワード線信号
Claims (17)
- 抵抗性メモリの書き込みおよびベリファイ方法であって、
書き込みおよびベリファイ期間の間、前記抵抗性メモリの少なくとも1つの選択された抵抗性メモリセルに対応する少なくとも1つのワード線信号をイネーブルにすることと、
前記選択された抵抗性メモリセルにビット線電圧を提供し、前記ビット線電圧が、前記書き込みおよびベリファイ期間の間、第1電圧レベルから第2電圧レベルに連続的に増加または減少することと、
前記選択された抵抗性メモリセルのビット線を通る検出電流を測定し、前記検出電流および基準電流に基づいて、前記書き込みおよびベリファイ期間の終了時間点を決定することと、
を含む抵抗性メモリの書き込みおよびベリファイ方法。 - 前記選択された抵抗性メモリセルに前記ビット線電圧を提供する前記ステップが、
前記第1電圧レベルが前記第2電圧レベルよりも大きい場合、前記ビット線電圧が、前記書き込みおよびベリファイ期間の間、前記第1電圧レベルから前記第2電圧レベルに連続的に減少する請求項1に記載の抵抗性メモリの書き込みおよびベリファイ方法。 - 前記基準電流が、非直線的に減少して、前記選択された抵抗性メモリセルをリセットする請求項2に記載の抵抗性メモリの書き込みおよびベリファイ方法。
- 前記選択された抵抗性メモリセルに前記ビット線電圧を提供する前記ステップが、
前記第1電圧レベルが前記第2電圧レベルよりも小さい場合、前記ビット線電圧が、前記書き込みおよびベリファイ期間の間、前記第1電圧レベルから前記第2電圧レベルに連続的に増加する請求項1に記載の抵抗性メモリの書き込みおよびベリファイ方法。 - 前記基準電流が、直線的に増加して、前記選択された抵抗性メモリセルを設定する請求項4に記載の抵抗性メモリの書き込みおよびベリファイ方法。
- 前記検出電流および前記基準電流に基づいて、前記書き込みおよびベリファイ期間の前記終了時間点を決定する前記ステップが、
前記検出電流および前記基準電流の電流レベルを比較して、前記書き込みおよびベリファイ期間の前記終了時間点を決定する請求項1〜5のいずれか1項に記載の抵抗性メモリの書き込みおよびベリファイ方法。 - 前記基準電流が、前記ビット線電圧の変化に応じて変化する請求項6に記載の抵抗性メモリの書き込みおよびベリファイ方法。
- 抵抗性メモリの書き込みおよびベリファイ回路であって、
ビット線電圧に基づいて基準電流を生成するとともに、前記基準電流に基づいてバイアス電圧を生成し、前記ビット線電圧が、書き込みおよびベリファイ期間の間、第1電圧レベルから第2電圧レベルに連続的に増加または減少する電流発生器と、
前記電流発生器および前記抵抗性メモリの選択された抵抗性メモリセルのビット線に結合され、前記選択された抵抗性メモリセルに前記ビット線電圧を提供し、前記ビット線の検出電流に基づいて検出電圧を生成する少なくとも1つの電流検出器と、
を含み、前記電流検出器が、前記検出電圧と前記バイアス電圧を比較して、前記書き込みおよびベリファイ期間の終了時間点を決定する抵抗性メモリの書き込みおよびベリファイ回路。 - 前記電流発生器が、
第1端、第2端、および制御端を有し、前記第1端が、前記ビット線電圧を受信し、前記第2端が、前記制御端に結合され、前記制御端に前記バイアス電圧が生成される第1トランジスタと、
前記第1トランジスタの前記第2端に結合されたダミーY経路回路と、
前記ダミーY経路回路に結合された第1端を有する基準抵抗と、
前記基準抵抗の第2端に結合されるとともに、ワード線信号によって制御され、電源をオンまたはオフにする第1スイッチと、
前記第1スイッチとソース線電圧の間に結合されるとともに、イネーブル信号によって制御され、電源をオンまたはオフにする第2スイッチと、
を含む請求項8に記載の抵抗性メモリの書き込みおよびベリファイ回路。 - 前記電流検出器が、
前記ビット線電圧を受信する第1端を有するとともに、検出出力信号によって制御され、電源をオンまたはオフにする第3スイッチと、
第1端、第2端、および制御端を有し、前記第1端が、前記第3スイッチの第2端に結合され、前記制御端が、前記第1トランジスタの前記制御端に結合され、前記第2端が、前記選択された抵抗性メモリセルに対応するY経路回路に結合された第2トランジスタと、
前記第2トランジスタの前記第2端と前記ソース線電圧の間に結合され、前記検出出力信号によって制御される第4スイッチと、
前記バイアス電圧および前記第2トランジスタの前記第2端の電圧をそれぞれ受信する第1入力端および第2入力端を有し、前記検出出力信号を生成するコンパレータと、
を含む請求項9に記載の抵抗性メモリの書き込みおよびベリファイ回路。 - 前記基準電流が、前記ビット線電圧および前記基準抵抗の抵抗に基づいて生成される請求項9に記載の抵抗性メモリの書き込みおよびベリファイ回路。
- 前記電流発生器が、
第1端、第2端、および制御端を有し、前記第1端が、前記ビット線電圧を受信し、前記制御端が、前記電流検出器に結合され、前記第2端に前記バイアス電圧が生成される第1トランジスタと、
前記第1トランジスタの前記第2端に結合されたダミーY経路回路と、
前記ダミーY経路回路に結合されたカソードを有するダイオードと、
前記ダイオードのアノードに結合されるとともに、ワード線信号によって制御され、電源をオンまたはオフにする第1スイッチと、
前記第1スイッチとソース線電圧の間に結合されるとともに、イネーブル信号によって制御され、電源をオンまたはオフにする第2スイッチと、
を含む請求項8に記載の抵抗性メモリの書き込みおよびベリファイ回路。 - 前記電流検出器が、
前記ビット線電圧を受信する第1端を有するとともに、検出出力信号によって制御され、電源をオンまたはオフにする第3スイッチと、
第1端、第2端、および制御端を有し、前記第1端が、前記第3スイッチの第2端に結合され、前記制御端が、前記第1トランジスタの前記制御端に結合され、前記第2端が、前記選択された抵抗性メモリセルおよび前記第2トランジスタの前記制御端に対応するY経路回路に結合された第2トランジスタと、
前記第2トランジスタの前記第2端と前記ソース線電圧の間に結合され、前記検出出力信号によって制御される第4スイッチと、
前記バイアス電圧および前記第2トランジスタの前記第2端の電圧をそれぞれ受信する第1入力端および第2入力端を有し、前記検出出力信号を生成するコンパレータと、
を含む請求項12に記載の抵抗性メモリの書き込みおよびベリファイ回路。 - 前記第1電圧レベルが前記第2電圧レベルよりも大きい場合、前記ビット線電圧が、前記書き込みおよびベリファイ期間の間、前記第1電圧レベルから前記第2電圧レベルに連続的に減少する請求項8〜11のいずれか1項に記載の抵抗性メモリの書き込みおよびベリファイ回路。
- 前記基準電流が、非直線的に減少して、前記選択された抵抗性メモリセルをリセットする請求項14に記載の抵抗性メモリの書き込みおよびベリファイ回路。
- 前記第1電圧レベルが前記第2電圧レベルよりも小さい場合、前記ビット線電圧が、前記書き込みおよびベリファイ期間の間、前記第1電圧レベルから前記第2電圧レベルに連続的に増加する請求項8、12、および13のいずれか1項に記載の抵抗性メモリの書き込みおよびベリファイ回路。
- 前記基準電流が、直線的に増加して、前記選択された抵抗性メモリセルを設定する請求項16に記載の抵抗性メモリの書き込みおよびベリファイ回路。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7432449B2 (ja) | 2020-06-18 | 2024-02-16 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9859000B1 (en) * | 2016-06-17 | 2018-01-02 | Winbond Electronics Corp. | Apparatus for providing adjustable reference voltage for sensing read-out data for memory |
TWI600009B (zh) | 2016-11-04 | 2017-09-21 | 財團法人工業技術研究院 | 可變電阻記憶體電路以及可變電阻記憶體電路之寫入方法 |
US10755779B2 (en) * | 2017-09-11 | 2020-08-25 | Silicon Storage Technology, Inc. | Architectures and layouts for an array of resistive random access memory cells and read and write methods thereof |
US10453529B2 (en) * | 2017-12-04 | 2019-10-22 | Winbond Electronics Corp. | Resistive random access memory (RRAM) device, write verify method and reverse write verify method thereof |
CN110298203B (zh) * | 2018-03-23 | 2023-06-23 | 华邦电子股份有限公司 | 金钥产生装置及方法 |
US10930344B2 (en) * | 2018-06-01 | 2021-02-23 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | RRAM circuit and method |
US11315632B2 (en) * | 2018-06-27 | 2022-04-26 | Jiangsu Advanced Memory Technology Co., Ltd. | Memory drive device |
CN113129965B (zh) * | 2019-12-30 | 2023-12-29 | 华邦电子股份有限公司 | 验证执行于存储单元上的操作的方法和电子电路 |
CN113628651B (zh) * | 2020-05-06 | 2023-12-08 | 华邦电子股份有限公司 | 电阻式内存存储装置及其操作方法 |
TWI724895B (zh) * | 2020-05-11 | 2021-04-11 | 力旺電子股份有限公司 | 具多階型記憶胞陣列之非揮發性記憶體及其相關編程控制方法 |
TWI737465B (zh) * | 2020-08-27 | 2021-08-21 | 華邦電子股份有限公司 | 電阻式記憶體裝置及其操作方法 |
CN113345491B (zh) * | 2021-05-26 | 2022-05-17 | 华中科技大学 | 一种三维相变存储器的读写电路 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004234707A (ja) * | 2002-12-04 | 2004-08-19 | Sharp Corp | 半導体記憶装置及びメモリセルの書き込み並びに消去方法 |
US20040160798A1 (en) * | 2002-10-31 | 2004-08-19 | Unity Semiconductor Inc. | Adaptive programming technique for a re-writable conductive memory device |
WO2007063655A1 (ja) * | 2005-11-29 | 2007-06-07 | Nec Corporation | プログラム回路、半導体集積回路、電圧印加方法、電流印加方法および比較方法 |
US20080151601A1 (en) * | 2006-12-20 | 2008-06-26 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Circuits and methods for adaptive write bias driving of resistive non-volatile memory devices |
JP2011526401A (ja) * | 2008-06-27 | 2011-10-06 | サンディスク スリーディー,エルエルシー | 不揮発性記憶における同時書込みと検証 |
JP2012027997A (ja) * | 2010-07-28 | 2012-02-09 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置 |
JP2012169011A (ja) * | 2011-02-15 | 2012-09-06 | Sony Corp | 記憶装置およびその動作方法 |
JP2013537678A (ja) * | 2010-06-14 | 2013-10-03 | クロスバー, インコーポレイテッド | 抵抗性メモリーデバイスの書き込み及び消去スキーム |
JP2014508369A (ja) * | 2010-11-19 | 2014-04-03 | ヒューレット−パッカード デベロップメント カンパニー エル.ピー. | メムリスティブデバイスを切り替えるための方法及び回路 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100755409B1 (ko) * | 2006-08-28 | 2007-09-04 | 삼성전자주식회사 | 저항 메모리 소자의 프로그래밍 방법 |
US8116117B2 (en) * | 2006-11-29 | 2012-02-14 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of driving multi-level variable resistive memory device and multi-level variable resistive memory device |
US7826248B2 (en) * | 2008-05-20 | 2010-11-02 | Seagate Technology Llc | Write verify method for resistive random access memory |
KR20100035445A (ko) * | 2008-09-26 | 2010-04-05 | 삼성전자주식회사 | 비휘발성 메모리 장치 및 그 구동 방법 |
US7894250B2 (en) * | 2009-03-17 | 2011-02-22 | Seagate Technology Llc | Stuck-at defect condition repair for a non-volatile memory cell |
JP5347806B2 (ja) * | 2009-07-29 | 2013-11-20 | ソニー株式会社 | 抵抗変化型メモリデバイスおよびその動作方法 |
US8315079B2 (en) * | 2010-10-07 | 2012-11-20 | Crossbar, Inc. | Circuit for concurrent read operation and method therefor |
KR101802448B1 (ko) * | 2010-10-12 | 2017-11-28 | 삼성전자주식회사 | 상변화 메모리 장치 및 상변화 메모리 장치의 리라이트 동작 방법 |
CN103177761A (zh) * | 2011-12-23 | 2013-06-26 | 北京大学 | 阻变存储设备及其操作方法 |
KR101996020B1 (ko) * | 2012-02-08 | 2019-07-04 | 삼성전자주식회사 | 가변 저항 메모리 장치 및 그것의 쓰기 방법 |
KR20140029814A (ko) * | 2012-08-30 | 2014-03-11 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 비휘발성 메모리 장치 및 그 구동 방법 |
KR102030330B1 (ko) * | 2012-12-11 | 2019-10-10 | 삼성전자 주식회사 | 저항체를 이용한 비휘발성 메모리 장치 및 그 구동 방법 |
US8885428B2 (en) * | 2013-02-22 | 2014-11-11 | Sandisk 3D Llc | Smart read scheme for memory array sensing |
CN104037322B (zh) * | 2013-03-07 | 2017-03-01 | 华邦电子股份有限公司 | 电阻式存储器及其存储单元 |
FR3025648B1 (fr) * | 2014-09-09 | 2018-01-05 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Dispositif et procede d'ecriture de donnees dans une memoire resistive |
-
2015
- 2015-02-17 US US14/623,507 patent/US9312001B1/en active Active
- 2015-05-04 TW TW104114149A patent/TWI569269B/zh active
- 2015-05-13 CN CN201510241235.4A patent/CN106205725B/zh active Active
- 2015-12-21 ES ES15201793T patent/ES2827232T3/es active Active
- 2015-12-21 EP EP15201793.5A patent/EP3059736B1/en active Active
-
2016
- 2016-01-08 KR KR1020160002438A patent/KR101728121B1/ko active IP Right Grant
- 2016-02-16 JP JP2016027235A patent/JP6190903B2/ja active Active
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20040160798A1 (en) * | 2002-10-31 | 2004-08-19 | Unity Semiconductor Inc. | Adaptive programming technique for a re-writable conductive memory device |
JP2004234707A (ja) * | 2002-12-04 | 2004-08-19 | Sharp Corp | 半導体記憶装置及びメモリセルの書き込み並びに消去方法 |
WO2007063655A1 (ja) * | 2005-11-29 | 2007-06-07 | Nec Corporation | プログラム回路、半導体集積回路、電圧印加方法、電流印加方法および比較方法 |
US20080151601A1 (en) * | 2006-12-20 | 2008-06-26 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Circuits and methods for adaptive write bias driving of resistive non-volatile memory devices |
JP2011526401A (ja) * | 2008-06-27 | 2011-10-06 | サンディスク スリーディー,エルエルシー | 不揮発性記憶における同時書込みと検証 |
JP2013537678A (ja) * | 2010-06-14 | 2013-10-03 | クロスバー, インコーポレイテッド | 抵抗性メモリーデバイスの書き込み及び消去スキーム |
JP2012027997A (ja) * | 2010-07-28 | 2012-02-09 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置 |
JP2014508369A (ja) * | 2010-11-19 | 2014-04-03 | ヒューレット−パッカード デベロップメント カンパニー エル.ピー. | メムリスティブデバイスを切り替えるための方法及び回路 |
JP2012169011A (ja) * | 2011-02-15 | 2012-09-06 | Sony Corp | 記憶装置およびその動作方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7432449B2 (ja) | 2020-06-18 | 2024-02-16 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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