JP2019517121A - 封止フィルム - Google Patents

Abstract

本出願は、封止フィルム、これの製造方法、これを含む有機電子装置およびこれを利用した有機電子装置の製造方法に関し、外部から有機電子装置に流入する水分または酸素を効果的に遮断できる構造の形成が可能であり、取り扱い性および加工性に優れ、封止フィルムと有機電子素子間の合着特性および耐久信頼性に優れた封止フィルムを提供する。

Description

関連出願との相互引用
本出願は、２０１６年４月１２日付韓国特許出願第１０−２０１６−００４４５１９号および２０１６年４月１２日付韓国特許出願第１０−２０１６−００４４５２０号に基づく優先権の利益を主張し、当該韓国特許出願の文献に開示されたすべての内容は、本明細書の一部として含まれる。

技術分野
本出願は、封止フィルム、前記封止フィルムの製造方法、これを含む有機電子装置およびこれを利用した有機電子装置の製造方法に関する。

有機電子装置（ＯＥＤ；ｏｒｇａｎｉｃ ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ ｄｅｖｉｃｅ）は、正孔および電子を利用して電荷の交流を発生する有機材料層を含む装置を意味し、その例としては、光電池装置（ｐｈｏｔｏｖｏｌｔａｉｃ ｄｅｖｉｃｅ）、整流器（ｒｅｃｔｉｆｉｅｒ）、トランスミッター（ｔｒａｎｓｍｉｔｔｅｒ）および有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ；ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ）等が挙げられる。

前記有機電子装置のうち有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ：Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｄｏｅ）は、従来の光源に比べて、電力消費量が少なくて、応答速度が速くて、表示装置または照明の薄型化に有利である。また、ＯＬＥＤは、空間活用性に優れ、各種携帯用機器、モニター、ノートブックおよびテレビにわたる多様な分野において適用されるものと期待されている。

ＯＬＥＤの商用化および用途拡大において、最も主要な問題点は、耐久性の問題である。ＯＬＥＤに含まれた有機材料および金属電極などは、水分などの外部的要因により非常に酸化されやすい。したがって、ＯＬＥＤを含む製品は、環境的要因に大きく敏感である。前記問題点を解決するために、有機電子装置の封止材が適用されているが、薄い封止材の自動化物流工程が難しくて、次第に短くなるベゼルに起因して金属層のような基材と封止層との付着工程においてアラインエラー（ａｌｉｇｎ ｅｒｒｏｒ）等の不良が発生するおそれが高い。これにより、封止層と基材をロールツーロール（ｒｏｌｌ−ｔｏ−ｒｏｌｌ）方式であらかじめ付着した後、切断し、パネルを適用する方式に技術の流れが進行している。このような工程は、封止層と基材との付着工程で発生し得る問題が解決可能であるが、封止層と基材のサイズがほぼ同一であるため、合着および熱硬化工程で封止層のオーバーフロ（ｏｖｅｒｆｌｏｗ）に起因して有機電子装置およびパネルの汚染問題が発生することになる。前記問題点を解決するための方法が要求されている。

本出願は、外部から有機電子装置に流入する水分または酸素を効果的に遮断できる構造の形成が可能であり、取り扱い性および加工性に優れ、封止フィルムと有機電子素子間の合着特性および耐久信頼性に優れた封止フィルムを提供する。

本出願は、封止フィルムに関する。前記封止フィルムは、例えば、ＯＬＥＤなどのような有機電子装置を封止またはカプセル化することに適用され得る。本明細書で、前記封止フィルムは、封止材または密封材で表現され得る。

本明細書で、用語「有機電子装置」は、互いに対向する一対の電極の間に正孔および電子を利用して電荷の交流を発生する有機材料層を含む構造を有する物品または装置を意味し、その例としては、光電池装置、整流器、トランスミッターおよび有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）等が挙げられるが、これに制限されるものではない。本発明の一例示で、前記有機電子装置は、ＯＬＥＤであってもよい。

例示的な封止フィルムは、図１に示されたように、第１面１１１と前記第１面１１１と反対方向の第２面１１２とを有するメタル層１１と、前記メタル層１１の第１面１１１に設けられる封止層１２とを含むことができる。前記で封止層１２は、一部領域の端部が前記第１面１１１の端部と２０μｍ〜１０００μｍ、２３μｍ〜９８０μｍまたは２４μｍ〜９５０μｍのギャップａを形成するように、前記第１面１１１の端部より内側に位置するように前記第１面１１１上に設けられる。前記ギャップａは、封止層１２の少なくとも一部の端部に存在し得るが、これに限定されるものではなく、すべての端部に存在し得る。図１に示されたように、用語「ギャップａ」は、積層された封止層１２とメタル層１１それぞれの側面の末端と側面の末端間の間隔を意味し得る。

また、前記封止層の一部領域の端部は、傾斜部ｄを含むことができる。前記封止層１２は、前記メタル層のように、第１面と、前記第１面と反対方向の第２面とを含むことができる。前記で封止層１２の第２面は、前述したメタル層１１の第１面１１１に向かう面であってもよく、前記封止層１２の第２面と前記メタル層１１の第１面１１１は、図１に示されたように、当接してもよい。前記傾斜部の幅ｄは、封止層１２における第２面の側面の末端の法線と封止層１２における第１面の側面の末端の法線との間ｄを意味し得、２μｍ〜１０００μｍ、３μｍ〜９３０μｍまたは４μｍ〜８８０μｍの範囲内であり得る。前記で法線は、封止層における第１面および／または第２面に対する法線であり得る。本明細書で封止層１２が傾斜部ｄを有する場合、後述する硬化部の幅ｃは、図１に示されたように、封止層における第２面の側面の末端から測定されたものであってもよい。また、本明細書で封止層１２が傾斜部ｄを有する場合、前記ギャップのサイズａは、封止層における第１面または第２面の側面の末端から測定されたものであってもよく、図１は、ギャップａが封止層における第１面の側面の末端から測定される例示を示している。前記で封止層１２における第２面の側面の末端は、封止層１２における第１面の側面の末端よりメタル層１１の端部とさらに近い。本出願は、封止層の傾斜部による流れ性の差を反映し、信頼性が高い封止フィルムを提供する。

本出願は、傾斜部を有する封止層のギャップのサイズを前記範囲に制御することによって、合着および硬化工程で高温で封止層の流れにも関わらず、封止層のオーバーフロがなく、パネル間の合着特性および耐久信頼性に優れた封止フィルムを提供する。前記傾斜部およびギャップの形成は、特にメタル層と一体に設けられる本出願の封止フィルムの特性上、メタル層と当接する封止層の流動性を考慮して前記範囲に調節され得る。また、前記傾斜部およびギャップの形成は、後述する封止層の組成、封止層の物性と物理的特徴または封止層の適用対象（例えば、有機電子素子が形成された基板）によって調節され得るが、これに限定されるものではない。

一つの例示で、前記ギャップのサイズａと傾斜部のサイズｄの和ａ＋ｄは、２０〜２０００μｍ、４０μｍ〜１８００μｍ、または５０μｍ〜１７００μｍの範囲内であり得る。本出願は、ａ＋ｄのサイズを前記範囲に制御することによって、傾斜部の存在によって、封止層の流れ性の差異を反映し、合着および硬化工程で合着特性および信頼性に優れた封止フィルムを提供する。

また、本出願の封止フィルムは、下記の一般式１を満足できる。

［一般式１］
０．９５≦ａ／ｂ≦２５

前記一般式１で、ａは、前記ギャップのサイズであり、ｂは、前記封止層の厚さである。前記ａ／ｂは、０．９５〜２５、１〜２２または１〜２０であり得る。本出願は、ギャップと封止層の厚さの比率を前記範囲に制御することによって、封止層の厚さによる流れ性の差異を反映し、信頼性が高い封止フィルムを提供する。

一例示で、前記メタル層および／または封止層は、多角形状または円形状であり得る。本出願の封止フィルムは、前記多角形状または円形状において、前記メタル層の側面の末端位置と前記封止層の側面の末端位置が同一であってもよいが、これに限定されるものではなく、封止フィルムの少なくとも一部領域の端部は、前述した所定のギャップａが形成され得る。他の例示で、封止フィルムは、すべての端部に前記ギャップａが存在し得る。本明細書で用語「同一」または「一致」は、実質的な同一または一致を意味し、±５μｍまたは±１μｍの誤差範囲を有することができる。

また、本出願の具体例で、前記封止層は、５％ストレーン、１Ｈｚの周波数および１００℃の温度でせん断応力によって測定したムーニー粘度η＊が、２．０×１０Ｐａ・ｓ〜１０^８Ｐａ・ｓ、５．０×１０Ｐａ・ｓ〜１０^７Ｐａ・ｓ、１０^２Ｐａ・ｓ〜１０^６Ｐａ・ｓまたは１０^２Ｐａ・ｓ〜５×１０^５Ｐａ・ｓの範囲内であり得る。本出願は、前記範囲に粘度を制御することによって、合着および／または硬化工程中に封止層の流動を制御し、これにより、前述したギャップａの範囲に合わせてアラインエラーが最小化される信頼性が高いフィルムを提供できる。

本出願の具体例で、前記封止層１２は、一部領域の端部に硬化部を有することができる。本出願は、フィルムが有機電子素子の封止に適用されるとき、熱による封止層の流動を制御するために、封止層が少なくとも一部領域の側面に硬化部を有することができる。前記で硬化部の幅ｃは、１０μｍ〜１１００μｍ、１６μｍ〜９２０μｍ、２３μｍ〜８２０μｍまたは３８μｍ〜７７０μｍの範囲内にあり得る。また、前記硬化部は、１０％〜１００％、２０％〜８５％、２５％〜６５％または３３％〜４８％範囲の硬化度を有することができる。前記幅または硬化度の範囲は、前述したギャップとの関係から、合着時に封止層の流れ幅を最小化するための範囲であり得る。前記硬化度の測定は、当業界の公知の方法で実行され得る。例えば、硬化度は、ＡＴＲＦＴ−ＩＲを利用して測定できる。前記ＡＴＲＦＴ−ＩＲを利用した硬化度の測定は、硬化しない試料の硬化性官能基ピークＰ１に対する硬化度を測定しようとする試料の硬化性官能基ピークＰ２の変化量Ｐ１−Ｐ２の百分率で測定され得る。すなわち硬化度は、（Ｐ１−Ｐ２）／Ｐ１×１００で計算され得る。前記で硬化性官能基は、例えば、エポキシ基であり得る。硬化性官能基がエポキシ基である場合、マイクロスコープラマン（Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ Ｒａｍａｎ）を利用して、封止層の最外郭から内側方向に１０μｍの間隔でエポキシピークである９０８ｃｍ−１のピークの高さを分析し、硬化率を導出できる。すなわち、一例示で、前記硬化度を測定するために、前記硬化性官能基のピークの強度を測定するか、ピークの面積を分析して計算し得る。

一例示で、図１に示されたように、本出願の封止フィルムは、メタル層１１における第２面１１２の一部領域の端部に５０μｍ以下、４０μｍ以下、３０μｍ以下または１０μｍ以下の突出部ｅを有することができる。前記で下限は、特に制限されず、好ましくは、０μｍまたは０．１μｍであり得る。前記突出部ｅは、図１に示されたように、メタル層１１における第２面１１２に対して法線方向に測定され得る。一般的に、封止フィルムの切断時、メタル層にバー（ｂｕｒｒ）が発生し得るが、前記バーが前記突出部のような形態で現れることができる。本出願は、メタル層１１の突出部ｅを前記範囲に制御することによって、突出部ｅによって工程中に刻み付け、押圧などの問題を防止できる信頼性が高い封止フィルムを提供できる。

また、一例示で、本出願の封止フィルムにおいて封止層の側面は、３０μｍ〜１０００μｍ、５０μｍ〜９００μｍ、６０μｍ〜８００μｍ、７０μｍ〜５００μｍ、８０μｍ〜３００μｍ、１００μｍ〜２８０μｍまたは１１０μｍ〜２６０μｍのサイズを有するレーザービーム切断面であり得る。すなわち、前記封止層は、レーザービームを通じて切断され、前記レーザービームのサイズが３０μｍ〜１０００μｍ範囲内にあり得る。また、前記でレーザーは、ＣＯ_２レーザーまたは光ファイバーレーザーであってもよいが、これに限定されるものではない。また、封止層のレーザー切断は、一回あるいはそれ以上の回数で目的するギャップのサイズを調節できる。

本出願の具体例で、前記封止フィルムのメタル層は、透明であってもよく、不透明であってもよい。前記メタル層は、薄膜のメタルホイル（Ｍｅｔａｌ ｆｏｉｌ）または高分子基材層にメタルが蒸着されていてもよい。メタル層は、水分遮断性を有し、金属を含有する物質であれば、制限なしに使用され得る。前記メタル層は、金属、酸化金属、窒化金属、炭化金属、オキシ窒化金属、オキシホウ化金属、およびその配合物のうちいずれか一つを含むことができる。例えば、メタル層は、一つの金属に１以上の金属元素または非金属元素が添加された合金を含むことができ、例えば、鉄−ニッケル合金またはステンレススチールＳＵＳを含むことができる。また、一例示で、前記メタル層は、鉄、銅、アルミニウムニッケル、酸化シリコン、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化インジウム、酸化スズ、酸化スズインジウム、酸化タンタル、酸化ジルコニウム、酸化ニオビウム、およびそれらの配合物を含むことができる。メタル層は、電解、圧延、加熱蒸発、電子ビーム蒸発、スパッタリング、反応性スパッタリング、化学気相蒸着、プラズマ化学気相蒸着または電子サイクロトロン共鳴ソースプラズマ化学気相蒸着手段により蒸着できる。本発明の一実施例で、メタル層は、反応性スパッタリングにより蒸着できる。

好ましくは、メタル層は、５０Ｗ／ｍＫ以上、６０Ｗ／ｍＫ以上、７０Ｗ／ｍＫ以上、８０Ｗ／ｍＫ以上、９０Ｗ／ｍＫ以上、１００Ｗ／ｍＫ以上、１１０Ｗ／ｍＫ以上、１２０Ｗ／ｍＫ以上、１３０Ｗ／ｍＫ以上、１４０Ｗ／ｍＫ以上、１５０Ｗ／ｍＫ以上、２００Ｗ／ｍＫ以上または２５０Ｗ／ｍＫ以上の熱伝導度を有することができる。このように高い熱伝導度を有することによって、メタル層の接合工程時に接合界面で発生した熱を一層迅速に放出させることができる。また、高い熱伝導度は、有機電子装置の動作中に蓄積される熱を迅速に外部に放出させ、これにより、有機電子装置自体の温度は、一層低く維持させることができ、クラックおよび欠陥発生は減少する。

本明細書で用語「熱伝導度」というのは、物質が伝導により熱を伝達できる能力を示す程度であり、単位は、Ｗ／ｍＫで示すことができる。前記単位は、同じ温度と距離で物質が熱伝達する程度を示すもので、距離の単位（メートル）と温度の単位（カルビン）に対する熱の単位（ワット）を意味する。

本出願の具体例で、前記封止層は、粘着剤組成物または接着剤組成物を含んで粘着剤層または接着剤層を形成できる。前記封止層は、単一層あるいは２以上の多層構造であり得る。２以上の層が封止層を構成する場合、前記封止層の各層の組成は、同一であってもよく、異なってもよく、後述する第１層および／または第２層を含むことができる。

一例示で、前記封止層は、封止樹脂を含むことができる。本出願の具体例で、封止層の第１層を構成する封止樹脂は、ガラス転移温度が８５℃以上、９０℃以上、９５℃以上または１００℃以上の樹脂であり得る。また、前記封止層の第２層を構成する封止樹脂は、ガラス転移温度が０℃以下、例えば、−１０℃以下、−２０℃以下、−３０℃以下または４０℃以下の樹脂であり得る。本明細書でガラス転移温度は、特に別に規定しない限り、約１００℃の温度で約１２０分間硬化した後のガラス転移温度；約照射量１Ｊ／ｃｍ^２以上の紫外線を照射した後のガラス転移温度；または紫外線照射後、熱硬化をさらに進行した後のガラス転移温度を意味し得る。

本出願の具体例で、封止層は、前記第１層または第２層が単一層で存在するか、第１層が２層以上で構成されるか、第２層が２層以上で構成され得る。また、前記第１層および第２層が封止層の２層構造を形成できる。

一例示で、前記封止樹脂は、スチレン系樹脂またはエラストマー、ポリオレフィン系樹脂またはエラストマー、その他エラストマー、ポリオキシアルキレン系樹脂またはエラストマー、ポリエステル系樹脂またはエラストマー、ポリ塩化ビニル系樹脂またはエラストマー、ポリカーボネート系樹脂またはエラストマー、ポリフェニレンスルフィド系樹脂またはエラストマー、炭化水素の混合物、ポリアミド系樹脂またはエラストマー、アクリレート系樹脂またはエラストマー、エポキシ系樹脂またはエラストマー、シリコン系樹脂またはエラストマー、フッ素系樹脂またはエラストマーまたはこれらの混合物などを含むことができる。

前記でスチレン系樹脂またはエラストマーとしては、例えば、スチレン−エチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体（ＳＥＢＳ）、スチレン−イソプレン−スチレンブロック共重合体（ＳＩＳ）、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレンブロック共重合体（ＡＢＳ）、アクリロニトリル−スチレン−アクリレートブロック共重合体（ＡＳＡ）、スチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体（ＳＢＳ）、スチレン系単独重合体またはこれらの混合物が例示され得る。前記オレフィン系樹脂またはエラストマーとしては、例えば、高密度ポリエチレン系樹脂またはエラストマー、低密度ポリエチレン系樹脂またはエラストマー、ポリプロピレン系樹脂またはエラストマーまたはこれらの混合物が例示され得る。前記エラストマーとしては、例えば、エステル系熱可塑性エラストマー、オレフィン系エラストマー、シリコン系エラストマー、アクリル系エラストマーまたはこれらの混合物などが使用できる。そのうちオレフィン系熱可塑性エラストマーとして、ポリブタジエン樹脂またはエラストマーまたはポリイソブチレン樹脂またはエラストマーなどが使用され得る。前記ポリオキシアルキレン系樹脂またはエラストマーとしては、例えば、ポリオキシメチレン系樹脂またはエラストマー、ポリオキシエチレン系樹脂またはエラストマーまたはこれらの混合物などが例示され得る。前記ポリエステル系樹脂またはエラストマーとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート系樹脂またはエラストマー、ポリブチレンテレフタレート系樹脂またはエラストマーまたはこれらの混合物などが例示され得る。前記ポリ塩化ビニル系樹脂またはエラストマーとしては、例えば、ポリビニリデンクロリドなどが例示され得る。前記炭化水素の混合物としては、例えば、ヘキサトリアコタン（ｈｅｘａｔｒｉａｃｏｔａｎｅ）またはパラフィンなどが例示され得る。前記ポリアミド系樹脂またはエラストマーとしては、例えば、ナイロンなどが例示され得る。前記アクリレート系樹脂またはエラストマーとしては、例えば、ポリブチル（メタ）アクリレートなどが例示され得る。前記エポキシ系樹脂またはエラストマーとしては、例えば、ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ビスフェノールＳ型およびこれらの水添加物などのビスフェノール型；フェノールノボラック型やクレゾールノボラック型などのノボラック型；トリグリシジルイソシアヌレート型やヒダントイン型などの含窒素環状；脂環式型；脂肪族型；ナフタレン型、ビフェニル型などの芳香族型；グリシジルエーテル型、グリシジル アミン型、グリシジルエステル型などのグリシジル型；ジシクロペタジエン型などのジシクロ型；エステル型；エーテルエステル型またはこれらの混合物などが例示され得る。前記シリコン系樹脂またはエラストマーとしては、例えば、ポリジメチルシロキサンなどが例示され得る。また、前記フッ素系樹脂またはエラストマーとしては、ポリトリフルオロエチレン樹脂またはエラストマー、ポリテトラフルオロエチレン樹脂またはエラストマー、ボリクロロトリフルオロエチレン樹脂またはエラストマー、ポリヘキサフルオロプロピレン樹脂またはエラストマー、ポリフルオリン化ビニリデン、ポリフルオリン化ビニル、ポリフルオリン化エチレンプロピレンまたはこれらの混合物などが例示され得る。

前記羅列した樹脂またはエラストマーは、例えば、マレイン酸無水物などとグラフトされて使用されてもよく、羅列された他の樹脂またはエラストマーないし樹脂またはエラストマーを製造するための単量体と共重合されて使用されてもよく、その他他の化合物により変性させて使用してもよい。前記他の化合物の例としては、カルボキシル−末端ブタジエン−アクリロニトリル共重合体などが挙げられる。

一例示で、前記封止層は、封止樹脂として前記言及した種類の中からオレフィン系エラストマー、シリコン系エラストマーまたはアクリル系エラストマーなどを含むことができるが、これに制限されるものではない。

本出願の一具体例で、前記封止樹脂は、オレフィン系樹脂であり得る。一例示で、前記封止樹脂は、ブチレンから誘導された高分子を含むことができる。前記ブチレンから誘導された高分子は、前記高分子の重合単位のうち一つ以上がブチレンからなるものを意味し得る。前記ブチレンから誘導された高分子は、極性が非常に低く、透明で、腐食の影響がほとんどないため、封止材または密封材に使用される場合、優れた水分遮断特性、および耐久信頼性を実現できる。

また、本出願で、前記ブチレンから誘導された高分子は、ブチレン単量体の単独重合体；ブチレン単量体と重合可能な他の単量体を共重合した共重合体；ブチレン単量体を利用した反応性オリゴマー；またはこれらの混合物であり得る。本出願で誘導された高分子は、単量体が重合された単位で重合体を形成していることを意味し得る。前記ブチレン単量体は、例えば、１−ブテン、２−ブテンまたはイソブチレンを含むことができる。

前記ブチレン単量体あるいは誘導体と重合可能な他の単量体は、例えば、イソプレン、スチレンまたはブタジエンなどを含むことができる。前記共重合体を使用することによって、工程性および架橋度のような物性を維持でき、有機電子装置への適用時、粘着剤自体の耐熱性を確保できる。

また、ブチレン単量体を利用した反応性オリゴマーは、反応性官能基を有するブチレン重合体を含むことができる。前記オリゴマーは、重量平均分子量５００〜５０００の範囲を有することができる。また、前記ブチレン重合体は、反応性官能基を有する他の重合体と結合されていてもよい。前記他の重合体は、アルキル（メタ）アクリレートであってもよいが、これに限定されるものではない。前記反応性官能基は、ヒドロキシ基、カルボキシル基、イソシアネート基または窒素含有基であり得る。また、前記反応性オリゴマーと前記他の重合体は、多官能性架橋剤により架橋されていてもよく、前記多官能性架橋剤は、イソシアネート架橋剤、エポキシ架橋剤、アジリジン架橋剤および金属キレート架橋剤よりなる群から選択された一つ以上であり得る。

封止層において前記樹脂またはエラストマー成分は、粘着剤組成物がフィルム形状に成形可能な程度の重量平均分子量（Ｍｗ：Ｗｅｉｇｈｔ Ａｖｅｒａｇｅ Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｗｅｉｇｈｔ）を有することができる。例えば、前記樹脂またはエラストマーは、約１０万〜２００万、１１万〜１５０万または１５万〜１００万程度の重量平均分子量を有することができる。本明細書で用語「重量平均分子量」は、ＧＰＣ（Ｇｅｌ Ｐｅｒｍｅａｔｉｏｎ Ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈ）で測定した標準ポリスチレンに対する換算数値を意味する。ただし、前記言及された重量平均分子量を前記樹脂またはエラストマー成分が必ず有しなければならないものではない。例えば、樹脂またはエラストマー成分の分子量がフィルムを形成するほどの水準にならない場合には、別のバインダー樹脂が粘着剤組成物に配合され得る。

他の具体例で、本出願による封止樹脂は、硬化性樹脂であってもよい。本出願で使用できる硬化性樹脂の具体的な種類は、特に制限されず、例えば、この分野で公知されている多様な熱硬化性または光硬化性樹脂が使用できる。用語「熱硬化性樹脂」とは、適切な熱の印加または熟成（ａｇｉｎｇ）工程を通じて、硬化され得る樹脂を意味し、用語「光硬化性樹脂」は、電磁気波の照射によって硬化され得る樹脂を意味する。また、前記硬化性樹脂は、熱硬化と光硬化の特性を共に含むデュアル硬化型樹脂であり得る。

本出願で硬化性樹脂の具体的な種類は、前述した特性を有するものであれば、特に制限されない。例えば、硬化して接着特性を示すことができるものであって、グリシジル基、イソシアネート基、ヒドロキシ基、カルボキシル基またはアミド基などのような熱硬化可能な官能基を一つ以上含むか、あるいはエポキサイド（ｅｐｏｘｉｄｅ）基、環状エーテル（ｃｙｃｌｉｃ ｅｔｈｅｒ）基、スルフィド（ｓｕｌｆｉｄｅ）基、アセタール（ａｃｅｔａｌ）基またはラクトン（ｌａｃｔｏｎｅ）基などのような電磁気波の照射によって硬化可能な官能基を一つ以上含む樹脂が挙げられる。また、前記のような樹脂の具体的な種類には、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、イソシアネート樹脂またはエポキシ樹脂などが含まれるが、これに制限されるものではない。

本出願では、前記硬化性樹脂として、芳香族または脂肪族；または直鎖型または分岐鎖型のエポキシ樹脂が使用できる。本出願の一実施例では、２個以上の官能基を含有するものであって、エポキシ当量が１８０ｇ／ｅｑ〜１，０００ｇ／ｅｑのエポキシ樹脂が使用できる。前記範囲のエポキシ当量を有するエポキシ樹脂を使用して、硬化物の接着性能およびガラス転移温度などの特性を効果的に維持できる。このようなエポキシ樹脂の例には、クレゾールノボラックエポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型ノボラックエポキシ樹脂、フェノールノボラックエポキシ樹脂、４官能性エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタンエポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペタジエン型エポキシ樹脂またはジシクロペタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂の一種または二種以上の混合が挙げられる。

本出願では、硬化性樹脂として分子構造内に環状構造を含むエポキシ樹脂が使用でき、芳香族基（例えば、フェニル基）を含むエポキシ樹脂が使用できる。エポキシ樹脂が芳香族基を含む場合、硬化物が優れた熱的および化学的安定性を有し、低い吸湿量を示し、有機電子装置の封止構造の信頼性を向上させることができる。本出願で使用できる芳香族基含有エポキシ樹脂の具体的な例としては、ビフェニル型エポキシ樹脂、ジシクロペタジエン型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂、クレゾール系エポキシ樹脂、ビスフェノール系エポキシ樹脂、キシロック（ｘｙｌｏｋ）系エポキシ樹脂、多官能エポキシ樹脂、フェノールノボラックエポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂およびアルキル変性トリフェノールメタンエポキシ樹脂などの一種または二種以上の混合であり得るが、これに制限されるものではない。

また、本出願の封止層は、封止樹脂と相溶性が高くて、前記封止樹脂と一緒に特定の架橋構造を形成できる活性エネルギー線重合性化合物を含むことができる。

例えば、本出願の封止層は、封止樹脂と一緒に活性エネルギー線の照射によって重合され得る多官能性の活性エネルギー線重合性化合物を含むことができる。前記活性エネルギー線重合性化合物は、例えば、活性エネルギー線の照射による重合反応に参加できる官能基、例えば、アクリロイル基またはメタクリロイル基などのようなエチレン性不飽和二重結合を含む官能基、エポキシ基またはオキセタン基などの官能基を２個以上含む化合物を意味し得る。

多官能性の活性エネルギー線重合性化合物としては、例えば、多官能性アクリレート（ＭＦＡ；Ｍｕｌｔｉｆｕｎｃｔｉｏｎａｌ ａｃｒｙｌａｔｅ）が使用できる。

また、前記活性エネルギー線重合性化合物は、封止樹脂１００重量部に対して５重量部〜３０重量部、５重量部〜２５重量部、８重量部〜２０重量部、１０重量部〜１８重量部または１２重量部〜１８重量部で含まれる。本出願は、前記範囲内で、封止層に適正な架橋構造を導入し、高温・高湿で信頼性に優れたフィルムを提供する。

前記活性エネルギー線の照射により重合され得る多官能性の活性エネルギー線重合性化合物は、例えば、前記化合物は、１、４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート、１、３−ブチレングリコールジ（メタ）アクリレート、１、６−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、１、８−オクタンジオールジ（メタ）アクリレート、１、１２−ドデセインジオール（ｄｏｄｅｃａｎｅｄｉｏｌ）ジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ジシクロペタニル（ｄｉｃｙｃｌｏｐｅｎｔａｎｙｌ）ジ（メタ）アクリレート、シクロヘキサン−１、４−ジメタノールジ（メタ）アクリレート、トリシクロデカンジメタノールメタジアクリレート、ジメチロールジシクロペンタンジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコール変性トリメチルプロパンジ（メタ）アクリレート、アダマンタン（ａｄａｍａｎｔａｎｅ）ジ（メタ）アクリレート、トリメチロルプロパントリメタアクリレートまたはこれらの混合物を含むことができる。

多官能性の活性エネルギー線重合性化合物としては、例えば、分子量が１，０００未満であり、官能基を２個以上含む化合物が使用できる。この場合、分子量は、重量平均分子量または通常の分子量を意味し得る。前記多官能性の活性エネルギー線重合性化合物に含まれる環構造は、炭素環式構造または複素環式構造；または単環式または多環式構造のいずれでもよい。

本出願の具体例で、封止層は、単官能性アクリレートをさらに含むことができる。一例示で、本出願は、前記封止層内に、前記封止樹脂６０〜９５重量部および単官能性アクリレート５〜４０重量部の重量比率で含むことができる。一例示で、前記封止樹脂および単官能性アクリレートは、それぞれ６０〜９０重量部および１０〜４０重量部または６５〜９０重量部および１０〜３５重量部の比率で封止層内に含まれる。本出願は、前記範囲に組成の含量を調節することによって、優れた水分遮断性と共に高温・高湿でも耐熱維持力を実現できる。単官能性アクリレートは、特に限定されないが、ｎ−オクチルアクリレート、ｉｓｏ−オクチルアクリレート、ｉｓｏ−ノニルアクリレート、ラウリルアクリレート、ステアリルアクリレート、イソステアリルアクリレート、イソデシルアクリレート、２−（２−エトキシエトキシ）エチルアクリレート、メトキシトリエチレングリコールアクリレート、またはメトキシポリエチレングリコールアクリレートを含むことができる。

本出願の具体例で、封止層は、ラジカル開始剤をさらに含むことができる。ラジカル開始剤は、光開始剤または熱開始剤であってもよい。光開始剤の具体的な種類は、硬化速度および黄変可能性などを考慮して適宜選択され得る。例えば、ベンゾイン系、ヒドロキシケトン系、アミノケトン系またはホスフィンオキシド系光開始剤などが使用でき、具体的には、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインｎ−ブチルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、アセトフェノン、ジメチルアミノアセトフェノン、２、２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン、２、２−ジエトキシ−２−フェニルアセトフェノン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１オン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２−メチル−１−［４−（メチルチオ）フェニル］−２−モルフェリノ−プロパン−１−オン、４−（２−ヒドキシエトキシ）フェニル−２−（ヒドロキシ−２−プロピル）ケトン、ベンゾフェノン、ｐ−フェニルベンゾフェノン、４、４'−ジエチルアミノベンゾフェノン、ジクロロベンゾフェノン、２−メチルアントラキノン、２−エチルアントラキノン、２−ｔ−ブチルアントラキノン、２−アミノアントラキノン、２−メチルチオキサントン（ｔｈｉｏｘａｎｔｈｏｎｅ）、２−エチルチオキサントン、２−クロロチオキサントン、２、４−ジメチルチオキサントン、２、４−ジエチルチオキサントン、ベンジルジメチルケタル、アセトフェノンジメチルケタル、ｐ−ジメチルアミノ安息香酸エステル、オリゴ［２−ヒドロキシ−２−メチル−１−［４−（１−メチルビニル）フェニル］プロパノン］および２、４、６−トリメチルベンゾイル−ジフェニル−ホスフィンオキシドなどが使用できる。

ラジカル開始剤は、活性エネルギー線重合性化合物１００重量部に対し０．２重量部〜２０重量部、０．５〜１８重量部、１〜１５重量部、または２重量部〜１３重量部の比率で含まれることもできる。これを通じて活性エネルギー線重合性化合物の反応を効果的に誘導し、また、硬化後に残存成分により粘着剤組成物の物性が悪化することを防止できる。

本出願の具体例で、封止フィルムの封止層は、封止樹脂の種類によって、硬化剤をさらに含むことができる。例えば、前述した封止樹脂と反応して、架橋構造などを形成できる硬化剤をさらに含むことができる。

硬化剤は、封止樹脂またはその樹脂に含まれる官能基の種類によって適切な種類が選択および使用され得る。

一例示で、封止樹脂がエポキシ樹脂である場合、硬化剤としては、この分野で公知されているエポキシ樹脂の硬化剤であって、例えば、アミン硬化剤、イミダゾール硬化剤、フェノール硬化剤、リン硬化剤または酸無水物硬化剤などの一種または二種以上が使用できるが、これに制限されるものではない。

一例示で、前記硬化剤としては、常温で固状であり、融点または分解温度が８０℃以上のイミダゾール化合物が使用できる。このような化合物としては、例えば、２−メチルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾールまたは１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾールなどが例示されるが、これに制限されるものではない、

硬化剤の含量は、組成物の組成、例えば、封止樹脂の種類や比率によって選択され得る。例えば、硬化剤は、封止樹脂１００重量部に対し、１重量部〜２０重量部、１重量部〜１０重量部または１重量部〜５重量部で含むことができる。しかし、前記重量比率は、封止樹脂またはその樹脂の官能基の種類および比率、または実現しようとする架橋密度などによって変更され得る。

封止樹脂が活性エネルギー線の照射によって硬化され得る樹脂である場合、開始剤としては、例えば、陽イオン光重合開始剤が使用できる。

陽イオン光重合開始剤としては、オニウム塩（ｏｎｉｕｍ ｓａｌｔ）または有機金属塩（ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃ ｓａｌｔ）系のイオン化陽イオン開始剤または有機シランまたは潜在性硫酸（ｌａｔｅｎｔ ｓｕｌｆｏｎｉｃ ａｃｉｄ）系や非イオン化陽イオン光重合開始剤が使用できる。オニウム塩系の開始剤としては、ジアリールヨードニウム塩（ｄｉａｒｙｌｉｏｄｏｎｉｕｍ ｓａｌｔ）、トリアリールスルホニウム塩（ｔｒｉａｒｙｌｓｕｌｆｏｎｉｕｍ ｓａｌｔ）またはアリールジアゾニウム塩（ａｒｙｌｄｉａｚｏｎｉｕｍ ｓａｌｔ）等が例示され得、有機金属塩系の開始剤としては、鉄アレン（ｉｒｏｎ ａｒｅｎｅ）等が例示され得、有機シラン系の開始剤としては、ｏ−ニトリルベンジルトリアリールシリルエーテル（ｏ−ｎｉｔｒｏｂｅｎｚｙｌ ｔｒｉａｒｙｌ ｓｉｌｙｌ ｅｔｈｅｒ）、トリアリールシリルペルオキシド（ｔｒｉａｒｙｌ ｓｉｌｙｌ ｐｅｒｏｘｉｄｅ）またはアシルシラン（ａｃｙｌ ｓｉｌａｎｅ）等が例示され得、潜在性硫酸系の開始剤としては、α−スルホニルオキシケトンまたはα−ヒドロキシメチルベンゾインスルホネートなどが例示されるが、これに制限されるものではない。

一例示で、陽イオン開始剤としては、イオン化陽イオン光重合開始剤が使用できる。

一例示で、封止層は、粘着付与剤をさらに含むことができ、前記粘着付与剤は、好ましくは、水素化された環状オレフィン系重合体であり得る。粘着付与剤としては、例えば、石油樹脂を水素化して得られる水素化された石油樹脂が使用できる。水素化された石油樹脂は、部分的にまたは完全に水素化され得、そのような樹脂の混合物であってもよい。このような粘着付与剤は、粘着剤組成物と相溶性が良いながらも、水分遮断性に優れ、有機揮発成分が低いものを選択できる。水素化された石油樹脂の具体的な例としては、水素化されたテルペン系樹脂、水素化されたエステル系樹脂または水素化されたジシクロペンタジエン系樹脂などが挙げられる。前記粘着付与剤の重量平均分子量は、約２００〜５，０００であり得る。前記粘着付与剤の含量は、必要に応じて適宜調節できる。例えば、粘着付与剤の含量は、後述するゲル含量などを考慮して選択され得、一例示によれば、封止樹脂１００重量部に対し５重量部〜１００重量部、８〜９５重量部、１０重量部〜９３重量部または１５重量部〜９０重量部の比率で含まれる。

前記封止層は、必要な場合に、水分吸着剤をさらに含むことができる。本明細書で用語「水分吸着剤（ｍｏｉｓｔｕｒｅ ａｂｓｏｒｂｅｎｔ）」とは、例えば、後述する封止フィルムに浸透した水分ないし湿気との化学的反応を通じて前記を除去できる物質を意味し得る。

例えば、水分吸着剤は、封止層内に均一に分散した状態で存在し得る。ここで、均一に分散した状態は、封止層のいずれの部分でも同一または実質的に同じ密度で水分吸着剤が存在する状態を意味し得る。前記で使用され得る水分吸着剤としては、例えば、金属酸化物、硫酸塩または有機金属酸化物などが挙げられる。具体的に、前記硫酸塩の例としては、硫酸マグネシウム、硫酸ナトリウムまたは硫酸ニッケルなどが挙げられ、前記有機金属酸化物の例としては、アルミニウムオキシドオクチレートなどが挙げられる。前記で金属酸化物の具体的な例としては、五酸化リン（Ｐ_２Ｏ_５）、酸化リチウム（Ｌｉ_２Ｏ）、酸化ナトリウム（Ｎａ_２Ｏ）、酸化バリウム（ＢａＯ）、酸化カルシウム（ＣａＯ）または酸化マグネシウム（ＭｇＯ）等が挙げられ、金属塩の例としては、硫酸リチウム（Ｌｉ_２ＳＯ_４）、硫酸ナトリウム（Ｎａ_２ＳＯ_４）、硫酸カルシウム（ＣａＳＯ_４）、硫酸マグネシウム（ＭｇＳＯ_４）、硫酸コバルト（ＣｏＳＯ_４）、硫酸ガリウム（Ｇａ_２（ＳＯ_４）_３）、硫酸チタン（Ｔｉ（ＳＯ_４）_２）または硫酸ニッケル（ＮｉＳＯ_４）等のような硫酸塩、塩化カルシウム（ＣａＣｌ_２）、塩化マグネシウム（ＭｇＣｌ_２）、塩化ストロンチウム（ＳｒＣｌ_２）、塩化イットリウム（ＹＣｌ_３）、塩化銅（ＣｕＣｌ_２）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化タンタル（ＴａＦ_５）、フッ化ニオビウム（ＮｂＦ_５）、臭化リチウム（ＬｉＢｒ）、臭化カルシウム（ＣａＢｒ_２）、臭化セシウム（ＣｅＢｒ_３）、臭化セレニウム（ＳｅＢｒ_４）、臭化バナジウム（ＶＢｒ_３）、臭化マグネシウム（ＭｇＢｒ_２）、ヨウ化バリウム（ＢａＩ_２）またはヨウ化マグネシウム（ＭｇＩ_２）等のような金属ハロゲン化物；または過塩素酸バリウム（Ｂａ（ＣｌＯ_４）_２）または過塩素酸マグネシウム（Ｍｇ（ＣｌＯ_４）_２）等のような金属塩素酸塩などが挙げられるが、これに制限されるものではない。封止層に含まれる水分吸着剤としては、前述した構成のうち１種を使用してもよく、２種以上を使用してもよい。一例示で、水分吸着剤として２種以上を使用する場合、焼成ドロマイト（ｃａｌｃｉｎｅｄ ｄｏｌｏｍｉｔｅ）等が使用され得る。

このような水分吸着剤は、用途によって適切なサイズに制御され得る。一例示で、水分吸着剤の平均粒径が１０〜１５０００ｎｍ程度に制御され得る。前記範囲のサイズを有する水分吸着剤は、水分との反応速度があまり速くないため、保管が容易であり、封止しようとする素子に損傷を与えることなく、効果的に水分を除去できる。

水分吸着剤の含量は、特に制限されず、目的する遮断特性を考慮して適宜選択され得る。

封止層は、必要な場合、水分遮断剤をさらに含むことができる。本明細書で用語「水分遮断剤（ｍｏｉｓｔｕｒｅ ｂｌｏｃｋｅｒ）」は、水分との反応性がないか、低いが、数分ないし湿気のフィルム内での移動を遮断するか、妨害し得る物質を意味し得る。水分遮断剤としては、例えば、クレー、タルク、針状シリカ、板状シリカ、多孔性シリカ、ゼオライト、チタニアまたはジルコニアのうち１種または２種以上が使用できる。また、水分遮断剤は、有機物の浸透が容易となるように有機改質剤などにより表面処理が施されることができる。このような有機改質剤としては、例えば、ジメチルベンジル水素化タロー４次アンモニウム（ｄｉｍｅｔｈｙｌ ｂｅｎｚｙｌ ｈｙｄｒｏｇｅｎａｔｅｄ ｔａｌｌｏｗ ｑｕａｔｅｒｎａｔｙ ａｍｍｏｎｉｕｍ）、ジメチル水素化タロー４次アンモニウム（ｄｉｍｅｔｈｙｌ ｄｉｈｙｄｒｏｇｅｎａｔｅｄ ｔａｌｌｏｗ ｑｕａｔｅｒｎａｒｙ ａｍｍｏｎｉｕｍ）、メチルタロービス−２−ヒドロキシエチル４次アンモニウム（ｍｅｔｈｙｌ ｔａｌｌｏｗ ｂｉｓ−２−ｈｙｄｒｏｘｙｅｔｈｙｌ ｑｕａｔｅｒｎａｒｙ ａｍｍｏｎｉｕｍ）、ジメチル水素化タロー２−エティレクシル４次アンモニウム（ｄｉｍｅｔｈｙｌ ｈｙｄｒｏｇｅｎａｔｅｄ ｔａｌｌｏｗ ２−ｅｔｈｙｌｈｅｘｙｌ ｑｕａｔｅｒｎａｒｙ ａｍｍｏｎｉｕｍ）、ジメチル脱水素化タロー４次アンモニウム（ｄｉｍｅｔｈｙｌ ｄｅｈｙｄｒｏｇｅｎａｔｅｄ ｔａｌｌｏｗ ｑｕａｔｅｒｎａｒｙ ａｍｍｏｎｉｕｍ）またはこれらの混合物である有機改質剤などが使用され得る。

水分遮断剤の含量は、特に制限されず、目的する遮断特性を考慮して適宜選択され得る。

封止層には、前述した構成以外にも、用途および後述する封止フィルムの製造工程によって多様な添加剤が含まれる。例えば、封止層は、硬化性物質、架橋剤またはフィラーなどを目的する物性によって適正範囲の含量で含むことができる。

本発明の具体例で、前記封止層は、前述したように、単層構造で形成され得、また、２以上の層で形成され得る。本発明の具体例で、前記第１層または第２層は、前述した樹脂以外に他の構成、例えば、前述した活性エネルギー線重合性化合物、熱硬化性化合物、ラジカル開始剤、粘着付与剤、水分吸着剤、水分遮断剤、分散剤またはシラン化合物などを含むことができ、第１層と第２層の構成は、互いに同一であってもよく、異なってもよい。なお、前記水分吸着剤の含量は、前記封止フィルムが有機電子素子の封止に適用されるという点を考慮するとき、素子の損傷などを考慮して制御できる。例えば、素子と接触する層に少量の水分吸着剤を構成するか、水分吸着剤を含まなくてもよい。一例示で、有機電子素子と接触する第１層または第２層は、封止フィルムが含有する水分吸着剤全体質量に対して０〜２０％の水分吸着剤を含むことができる。また、有機電子素子と接触しない第２層または第１層は、封止フィルムが含有する水分吸着剤の全体質量に対して８０〜１００％の水分吸着剤を含むことができる。

第１層と第２層の積層順序は、特に限定されず、第１層上に第２層が形成され得、反対に、第２層上に第１層が形成され得る。また、封止層は、３個以上の層で構成され得、例えば、前記第１層が２以上の層で含まれるか、前記第２層が２以上の層で含まれることができる。一例示で、前記第２層が前述したメタル層の一面に存在してもよく、第１層は、有機電子素子を全面封止してもよい。

本出願の封止フィルムに含まれる封止層の厚さｂは、特に制限されず、前記フィルムが適用される用途を考慮して下記の条件によって適宜選択できる。封止層の厚さは、５μｍ〜２００μｍ、５μｍ〜１００μｍ、１０μｍ〜８０μｍまたは２０μｍ〜７０μｍであり得る。本出願は、封止層の厚さを５μｍ以上にして、十分な接着および物理的保護特性を実現し、２００μｍ以下にして、工程性を確保し、水分反応性によって厚さ膨張が大きいため、有機発光素子の蒸着膜への損傷を防止できる。

一例示で、本出願の封止フィルムは、図２に示されたように、前記メタル層１１の第２面１１２に設けられる保護層１４をさらに含むことができる。保護層１４を構成する素材は、特に制限されず、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリテトラフルオルエチレン、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブテン、ポリブタジエン、塩化ビニル共重合体、ポリウレタン、エチレン−ビニルアセテート、エチレン−プロピレン共重合体、エチレン−アクリル酸エチル共重合体、エチレン−アクリル酸メチル共重合体、ポリイミド、ナイロン、スチレン系樹脂またはエラストマー、ポリオレフィン系樹脂またはエラストマー、その他エラストマー、ポリオキシアルキレン系樹脂またはエラストマー、ポリエステル系樹脂またはエラストマー、ポリ塩化ビニル系樹脂またはエラストマー、ポリカーボネート系樹脂またはエラストマー、ポリフェニレンスルフィド系樹脂またはエラストマー、炭化水素の混合物、ポリアミド系樹脂またはエラストマー、アクリレート系樹脂またはエラストマー、エポキシ系樹脂またはエラストマー、シリコン系樹脂またはエラストマー、液晶ポリマーおよびこれらの組合の中から選択され得るが、これに限定されるものではない。

一例示で、本出願の封止フィルムは、図２に示されたように、前記メタル層１１と前記保護層１４との間に存在する接着層１３をさらに含むことができる。前記接着層１３は、保護層１４をメタル層１１に付着させる役目をし、その素材は、特に制限されず、例えば、前述した封止層の素材と同一であってもよく、異なってもよい。

本出願は、また、前述した封止フィルムの製造方法に関する。例示的な封止フィルムの製造方法は、封止層の側面を切断する段階を含むことができる。また、前記製造方法は、メタル層の側面を切断する段階を含むことができる。前記封止層の側面を切断する段階とメタル層の側面を切断する段階の順序は、特に制限されず、例えば、封止層の側面を切断し、その後、メタル層の側面を切断できる。前記切断は、目的する形状、例えば、前述した多角形状または円形状に封止層またはメタル層を形成することを意味し得る。

前記でフィルムの製造方法は、前述した切断段階の前に、封止層をフィルムまたはシート状に成形することを含むことができる。一例示で、前記方法は、前述した封止層を構成する成分を含むコーティング液を基材または離型フィルム上にシートまたはフィルム形状に適用し、前記適用されたコーティング液を乾燥することを含むことができる。

また、前記製造方法は、メタル層を形成する段階を含むことができる。前記メタル層は、メタルホイル（ｍｅｔａｌ ｆｏｉｌ）で形成されるか、基材にメタルが蒸着されて形成され得る。例えば、メタル層は、電解または圧延の方式で製造され得る。前記製造方法は、前記メタル層を封止層の一面に形成させることをさらに含むことができる。

本出願で、前記封止層の側面を切断する段階は、ＣＯ_２レーザーまたは光ファイバーレーザーで切断することを含むことができる。また、一例示で、前記メタル層の側面を切断する段階は、ＣＯ_２レーザー、光ファイバーレーザーまたはナイフカッターを利用して切断することを含むことができる。一例示で、前記切断する段階は、レーザーにより封止層のギャップまたは傾斜部を確保した後、ナイフカッターを利用してメタル層をカッティングする方式で進行され得る。例えば、木型、ピナクル、スリッティング、スーパーカッターなどの適切な形式を導入して進行し得る。本出願の具体例で、切断面は、切断後、封止層またはメタル層の側面になり得る。また、一例示で、レーザーと接触する封止層の切断面または側面は、レーザーにより硬化され得る。これにより、封止層の切断および封止層の側面硬化部の形成を一つの工程、例えば、レーザー加工工程で行うことができる。

具体的に、前記封止層の側面を切断する段階は、３０μｍ〜１０００μｍ、５０μｍ〜９００μｍ、６０μｍ〜８００μｍ、７０μｍ〜５００μｍ、８０μｍ〜３００μｍ、１００μｍ〜２８０μｍまたは１１０μｍ〜２６０μｍのサイズを有するレーザービームで切断することを含むことができる。本出願では、側面硬化部の幅によって、レーザーのビームのサイズが適宜制御され得る。

また、封止層の側面の切断は、例えば、レーザーの出力および／または反復率によって制御され得る。一例示で、レーザーの出力は、１００Ｗ〜２５０Ｗ、１２０Ｗ〜２４０Ｗまたは１８０Ｗ〜２２０Ｗ程度に制御され得る。また、封止層の側面を切断する段階は、２００ｍｍ／ｓ〜１５００ｍｍ／ｓ、３３０ｍｍ／ｓ〜１２００ｍｍ／ｓ、５２０ｍｍ／ｓ〜１１００ｍｍ／ｓまたは６３０ｍｍ／ｓ〜９１０ｍｍ／ｓの切断速度を有するレーザービームで切断することを含むことができる。本出願は、レーザーの出力または切断速度を前記範囲に調節することによって、封止層の側面の形成と切断を同時に進行しつつ、前述したギャップの形成、硬化部の形成または傾斜部の形成を目的する形態で製造できる。

本出願の具体例で、前記メタル層の側面を切断する段階は、１μｍ〜３０μｍのサイズを有するレーザービームで切断することを含むことができる。また、前記レーザー切断は、７０Ｗ〜１５０Ｗ、８０Ｗ〜１３０Ｗまたは９０Ｗ〜１１０Ｗの出力を有するレーザービームで切断することを含むことができる。また、前記レーザー切断は、２００ｍｍ／ｓ〜１５００ｍｍ／ｓ、３３０ｍｍ／ｓ〜１２００ｍｍ／ｓ、５２０ｍｍ／ｓ〜１１００ｍｍ／ｓまたは６３０ｍｍ／ｓ〜９１０ｍｍ／ｓの切断速度を有するレーザービームで切断することを含むことができる。本出願は、レーザービームのサイズ、レーザーの出力または切断速度を前記範囲に調節することによって、メタル層の側面の形成と切断を同時に進行しつつ、前述した突出部の調節およびギャップの形成を目的する形態で製造できる。

また、本出願は、有機電子装置に関する。前記有機電子装置は、図３に示されたように、基板２と；前記基板２上に形成された有機電子素子２１と；前記有機電子素子２１の全面、例えば上部および側面を全部封止している封止フィルム１を含むことができる。前記封止フィルム１は、粘着剤組成物または接着剤組成物を架橋された状態で含有する封止層１２を含むことができる。また、前記封止層が有機電子素子の全面に接触するように有機電子装置が形成されていてもよい。また、前記封止層１２は、前述したように、２層構造で形成され得、前記２層構造は、前述した第１層１２１および１２２で構成されるか、第２層１２１および１２２で形成され得、または第１層１２２および第２層１２１の構造で形成され得る。

前記で有機電子素子は、例えば、有機発光素子であってもよい。

また、本発明は、有機電子装置の製造方法に関する。前記有機電子装置は、例えば、前記封止フィルムを使用して製造できる。

前記封止層は、有機電子装置において優れた水分遮断特性および光学特性を示し、前記基板とメタル層を効率的に固定および支持する構造用封止層として形成され得る。

また、前記封止層は、前面発光（ｔｏｐ ｅｍｉｓｓｉｏｎ）または背面発光（ｂｏｔｔｏｍ ｅｍｉｓｓｉｏｎ）等の有機電子装置の形態と関係なく、安定した封止層で形成され得る。

本明細書で用語「封止層」は、有機電子素子の上部および側面をすべてカバーする粘着剤または接着剤を意味し得る。

前記有機電子装置の製造のためには、例えば、上部に有機電子素子が形成された基板に前述した封止フィルムが前記有機電子素子をカバーするように適用する段階と、前記封止フィルムを硬化する段階とを含むことができる。前記封止フィルムの硬化段階は、封止層の硬化を意味する。

本明細書で用語「硬化」というのは、加熱またはＵＶ照射工程などを経て本発明の粘着剤組成物が架橋構造を形成し、粘着剤の形態で製造することを意味し得る。または、接着剤組成物を接着剤の形態で製造することを意味し得る。

具体的に、基板に使用されるガラスまたは高分子フィルム上に真空蒸着またはスパッタリングなどの方法で透明電極を形成し、前記透明電極上に例えば、正孔輸送層、発光層および電子輸送層などで構成される発光性有機材料の層を形成した後、その上部に電極層をさらに形成し、有機電子素子を形成できる。次いで、前記工程を経た基板の有機電子素子の全面を、前記封止フィルムの封止層が覆うように位置させる。

本出願は、外部から有機電子装置に流入する水分または酸素を効果的に遮断できる構造の形成が可能であり、取り扱い性および加工性に優れ、封止フィルムと有機電子素子間の合着特性および耐久信頼性に優れた封止フィルムを提供する。

本発明の一例示による封止フィルムを示す断面図である。 本発明の一例示による封止フィルムを示す断面図である。 本発明の一例示による有機電子装置を示す断面図である。

以下、実施例および比較例を通じて前記記述した内容をより具体的に説明する。しかし、本出願の範囲が下記の実施例によって制限されるものではない。

実施例１
（１）封止層における第２層溶液の製造
常温で反応器にポリイソブテン樹脂（重量平均分子量４５万）６０ｇおよび粘着付与剤として水素化されたジシクロペンタジエン系樹脂（軟化点１２５℃）４０ｇを投入した後、多官能性アクリルモノマー（ＴＭＰＴＡ）２０ｇ、光開始剤１ｇをトルエンで固形分が２５重量％程度になるように希釈した。

（２）封止層における第２層溶液の製造
水分吸着剤として焼成ドロマイト（ｃａｌｃｉｎｅｄ ｄｏｌｏｍｉｔｅ）１００ｇおよび溶剤としてトルエンを固形分５０重量％の濃度で投入し、水分吸着剤溶液を製造した。常温で反応器にポリイソブテン樹脂（重量平均分子量４５万）７０ｇおよび粘着付与剤として水素化されたジシクロペンタジエン系樹脂（軟化点１２５℃）３０ｇを投入した後、多官能性アクリルモノマー（ＴＭＰＴＡ）３０ｇ、光開始剤２ｇをトルエンで固形分が２５重量％程度になるように希釈した。これにあらかじめ作っておいた水分吸着剤溶液を混ぜて均質化した。

（３）封止層の製造
前記で準備しておいた（１）の第２層溶液を離型ＰＥＴの離型面に塗布し、１１０℃で１０分間乾燥し、厚さが１０μｍの層を形成した。

前記で準備しておいた（２）の第２層溶液を離型ＰＥＴの離型面に塗布し、１３０℃で３分間乾燥し、厚さが３０μｍの層を形成した。

前記二つの層を結合し、多層のフィルムを製造した。

（４）封止フィルムの製造
前記で製造された封止層の離型処理されたＰＥＴを剥離させ、あらかじめ準備されたメタル層（Ｉｎｖａｒ）の一面に前記（２）の第２層が当接するように封止層を結合した。

結合されたメタル一体型封止フィルムをＣＯ_２レーザー（Ｅ−４００ｉ、Ｃｏｈｅｒｅｎｔ）とＦｉｂｅｒレーザー（ＹＬＲ−３００−ＡＣ−Ｙ１１）の条件（ビームのサイズ、出力、波長、スピード、反復率など）を変更し、前記で製作したギャップａが２５μｍ、傾斜部の幅ｄが５μｍになるように製造した。

実施例２
実施例１の（２）の第２層溶液として、ポリイソブテン樹脂を６０ｇ、粘着付与剤を４０ｇ、多官能性アクリルモノマーを２０ｇおよび光開始剤を１ｇ投入したことを除いて、実施例１と同じ方法で（２）の第２層溶液を製造した。

前記で、（２）の第２層溶液を５０μｍで形成し、ギャップａが１８０μｍ、傾斜部の幅ｄが６０μｍであることを除いて、実施例１と同じ方法で封止フィルムを製造した。

実施例３
実施例１の（１）の第２層溶液の代わりに、下記の第１層溶液を製造したことを除いて、実施例１と同じ方法で各層溶液を製造した。

エポキシ樹脂（ＫＳＲ１７７、ＫＵＫＤＯ化学）５０ｇ、エポキシ樹脂ＹＤ−０１４（ＫＵＫＤＯ化学）５０ｇおよびフェノキシ樹脂（ＹＰ−５５、ＤＯＮＧＤＯ化成）５０ｇをメチルエチルケトンで希釈した溶液（固形分７０％）を製造した後、溶液を均質化した。前記均質化された溶液に硬化剤であるイミダゾール（四国化成）３ｇを投入した後、１時間高速撹拌し、第１層の溶液を製造した。

前記製造した第１層溶液を利用して２０μｍの層を形成し、実施例１による（２）の第２層溶液を利用して３０μｍの層を形成し、ギャップａが６００μｍ、傾斜部の幅ｄが４００μｍであることを除いて、実施例１と同じ方法で封止フィルムを製造した。

実施例４
（１）封止層における第１層溶液の製造
実施例３と同じ方法で第１層溶液を製造した。

（２）封止層における第１層溶液の製造
水分吸着剤として焼成ドロマイト（ｃａｌｃｉｎｅｄ ｄｏｌｏｍｉｔｅ）１００ｇおよび溶剤としてメチルエチルケトンを固形分５０重量％の濃度で投入し、水分吸着剤溶液を製造した。常温で反応器にエポキシ樹脂（ＫＳＲ１７７、ＫＵＫＤＯ化学）５０ｇ、エポキシ樹脂ＹＤ−０１４（ＫＵＫＤＯ化学）５０ｇおよびフェノキシ樹脂（ＹＰ−５５、ＤＯＮＧＤＯ化成）５０ｇをメチルエチルケトンで希釈した溶液（固形分７０％）を製造した後、溶液を均質化した。前記均質化された溶液に硬化剤であるイミダゾール（四国化成）３ｇを投入した後、１時間高速撹拌し、第１層の溶液を製造した。これにあらかじめ作っておいた水分吸着剤溶液を混ぜて均質化した。

前記（１）の第１層溶液を利用して２０μｍの層を形成し、前記（２）の第１層溶液を利用して３０μｍの層を形成し、ギャップａが９００μｍ、傾斜部の幅ｄが８００μｍであることを除いて、実施例１と同じ方法で封止フィルムを製造した。

比較例１
ギャップａが４μｍ、傾斜部の幅ｄが１μｍであることを除いて、実施例１と同じ方法で封止フィルムを製造した。

比較例２
封止フィルムの形成時、ギャップａが１５μｍ、傾斜部の幅ｄが５μｍであることを除いて、実施例３と同じ方法で封止フィルムを製造した。

比較例３
（１）封止層における第１層溶液の製造
水分吸着剤として焼成ドロマイト（ｃａｌｃｉｎｅｄ ｄｏｌｏｍｉｔｅ）１００ｇおよび溶剤としてメチルエチルケトンを固形分５０重量％の濃度で投入し、水分吸着剤溶液を製造した。常温で反応器にエポキシ樹脂（ＫＳＲ１７７、ＫＵＫＤＯ化学）８０ｇ、エポキシ樹脂(ＹＤ−０１４、ＫＵＫＤＯ化学）４ｇおよびフェノキシ樹脂（ＰＫＨＡ、Ｇａｂｒｅｌ Ｐｈｅｎｏｘｙｒｅｓｉｎ）３０ｇをメチルエチルケトンで希釈した溶液（固形分７０％）を製造した後、溶液を均質化した。前記均質化された溶液に硬化剤であるイミダゾール（四国化成）３ｇを投入した後、１時間高速撹拌し、第１層の溶液を製造した。これにあらかじめ作っておいた水分吸着剤溶液を混ぜて均質化した。

前記第１層溶液を離型ＰＥＴの離型面に塗布し、１３０℃で７分間乾燥し、厚さが５０μｍの第１層を形成した。

また、ギャップａが１８μｍ、傾斜部の幅ｄが１０μｍで形成した。

前記第１層の単一層で封止層を形成したことを除いて、実施例１と同じ方法で封止フィルムを製造した。

比較例４
封止フィルムの形成時、ギャップａが１１００μｍ、傾斜部の幅ｄが１００μｍであることを除いて、実施例４と同じ方法で封止フィルムを製造した。

比較例５
封止フィルムの形成時、ギャップａが１２００μｍ、傾斜部の幅ｄが１１００μｍであることを除いて、実施例３と同じ方法で封止フィルムを製造した。

実験例１−合着および硬化時の汚染
ガラス基板上に有機電子素子を蒸着した後、前記実施例および比較例で製造された封止フィルムを真空合着機を利用して５０℃、真空度５０ｍｔｏｒｒ、０．４ＭＰａの条件で前記素子上に合着した後、１００℃で３時間の硬化工程を経て有機電子パネルを製造した。メタル層の末端部から外側に封止層がオーバーフロによって汚染が発生するか否かを判断した。

実験例２−ムーニー粘度測定
ＴＡ社のＡＲＥＳを通じて実施例および比較例で製造された封止層のムーニー粘度を測定した。８ｍｍ直径の平板ジグを利用して５％ストレーン、１Ｈｚの周波数および１００℃の温度でせん断応力によってムーニー粘度を測定した。

比較例４および５は、ギャップのサイズまたは傾斜部の幅があまり大きくて、側面汚染は生じないが、メタル層の端部が有機電子素子の電極と当接するか、封止層の端部に異質物が付着し、これによる電極のショートが発生したことが分かる。

１ 封止フィルム
１１ メタル層
１１１ 第１面
１１２ 第２面
１２ 封止層
１２１ 封止層の第１層または第２層
１２２ 封止層の第１層または第２層
ａ ギャップのサイズ（幅）
ｂ 封止層の厚さ
ｃ 硬化部のサイズ（幅）
ｄ 傾斜部のサイズ（幅）
ｅ 突出部のサイズ
１３ 接着層
１４ 保護層
２ 基板
２１ 有機電子素子

Claims (20)

1. 第１面と前記第１面と反対方向の第２面とを有するメタル層と、
   前記第１面に設けられ、且つ、一部領域の端部は、前記第１面の端部と２０μｍ〜１０００μｍのギャップを形成するように前記第１面の端部より内側に位置し、一部領域の端部が傾斜部を有する封止層と、を含む有機電子素子の封止フィルム。
2. 前記傾斜部の幅ｄは、２μｍ〜１０００μｍの範囲内にある、請求項１に記載の有機電子素子の封止フィルム。
3. 前記封止層は、５％ストレーン、１Ｈｚの周波数および１００℃の温度でせん断応力によって測定したムーニー粘度η＊が、２．０×１０Ｐａ・ｓ〜１０^８Ｐａ・ｓの範囲内にある、請求項１に記載の有機電子素子の封止フィルム。
4. 前記封止層は、一部領域の端部に硬化部を有する、請求項１に記載の有機電子素子の封止フィルム。
5. 前記硬化部の幅は、１０μｍ〜１１００μｍの範囲内にある、請求項４に記載の有機電子素子の封止フィルム。
6. 前記メタル層は、金属、酸化金属、窒化金属、炭化金属、オキシ窒化金属、オキシホウ化金属、およびその配合物のうちいずれか一つを含む、請求項１に記載の有機電子素子の封止フィルム。
7. 前記メタル層は、鉄、アルミニウム、銅、ニッケル、酸化シリコン、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化インジウム、酸化スズ、酸化スズインジウム、酸化タンタル、酸化ジルコニウム、酸化ニオビウム、およびそれらの配合物のうちいずれか一つを含む、請求項１に記載の有機電子素子の封止フィルム。
8. 前記メタル層の第２面に設けられる保護層と、
   前記メタル層と前記保護層との間に設けられる接着層と、をさらに含む、請求項１に記載の有機電子素子の封止フィルム。
9. 前記封止層は、単一層あるいは２以上の層で形成される、請求項１に記載の有機電子素子の封止フィルム。
10. 前記封止層は、ガラス転移温度が８５℃以上の封止樹脂を含む第１層を備える、請求項１に記載の有機電子素子の封止フィルム。
11. 前記封止層は、ガラス転移温度が０℃以下の封止樹脂を含む第２層を備える、請求項１に記載の有機電子素子の封止フィルム。
12. 前記封止層は、水分吸着剤を含む、請求項１に記載の有機電子素子の封止フィルム。
13. 封止層の側面を切断する段階を含む請求項１に記載の封止フィルムの製造方法。
14. メタル層の側面を切断する段階を含む、請求項１３に記載の封止フィルムの製造方法。
15. 前記封止層の側面を切断する段階は、ＣＯ_２レーザーまたは光ファイバーレーザーで切断することを含む、請求項１３に記載の封止フィルムの製造方法。
16. 前記メタル層の側面を切断する段階は、ＣＯ_２レーザー、光ファイバーレーザーまたはナイフカッターを利用して切断することを含む、請求項１４に記載の封止フィルムの製造方法。
17. 前記封止層の側面を切断する段階は、５０μｍ〜５００μｍのサイズを有するレーザービームで切断することを含む、請求項１３に記載の封止フィルムの製造方法。
18. 前記メタル層の側面を切断する段階は、１μｍ〜３０μｍのサイズを有するレーザービームで切断することを含む、請求項１４に記載の封止フィルムの製造方法。
19. 基板と、前記基板上に形成された有機電子素子と、前記有機電子素子を全面封止する請求項１に記載の封止フィルムと、を含む有機電子装置。
20. 上部に有機電子素子が形成された基板に請求項１に記載の封止フィルムが前記有機電子素子をカバーするように適用する段階と、前記封止フィルムを硬化する段階と、を含む有機電子装置の製造方法。