TWI650236B - 封裝膜 - Google Patents

Abstract

本申請案係關於封裝膜、製造彼之方法、包含彼之有機電子裝置、及使用彼製造該有機電子裝置之方法。本申請案提供一種封裝膜，其可形成具有自外部流入有機電子裝置之濕氣或氧可被有效阻擋的結構、具有優異處理性質及加工性、以及具有優異的與有機電子元件之結合性質及耐久性。

Description

封裝膜

本申請案係關於封裝膜、製造彼之方法、包含彼之有機電子裝置、及使用彼製造該有機電子裝置之方法。

有機電子裝置(OED)係指包含其中使用電洞及電子而發生電荷交換之有機材料層的裝置，其實例可為光伏打裝置、整流器、發射機、有機發光二極體(OLED)等。

在有機電子裝置當中，相較於傳統光源，有機發光二極體(OLED)耗能較少功率、具有高反應速度、及有利於最小化顯示裝置之厚度或輕量。此外，OLED具有優異空間利用性，因而預期可應用於各種領域，包含所有類型之可攜式裝置、監視器、筆記型電腦及電視機。

在OLED之商業化及擴展用途時，最主要的問題為耐久性。包含於OLED中之有機材料、金屬電極等非 常容易因外部因素(諸如濕氣等)而氧化。因此，包含OLED之產品對環境因素非常敏感。為了解決上述問題，封裝材料係應用至有機電子裝置，但薄封裝材料之自動化分配製程困難，且在基板(諸如金屬層)與封裝層之附著製程中因逐漸縮短的邊框而導致諸如對準誤差等故障的可能性高。因此，該技術已進展為藉由捲至捲(roll-to-roll)法將封裝層與基板事先附著，然後裁切以適用面板的方式。此種製程可解決在封裝層與基板之附著製程中會發生的問題，但封裝層和基板之尺寸幾乎相同，因此有機電子裝置及面板會因在結合及熱固化製程中之封裝層溢流而受到污染。因此，需要解決上述問題之方法。

本申請案提供一種封裝膜，其可形成具有其中自外部流入有機電子裝置之濕氣或氧可被有效阻擋的結構、具有優異處理性質及加工性、以及具有優異的與有機電子元件之結合性質及耐久性。

本申請案係關於封裝膜。封裝膜可應用於封裝或囊封有機電子裝置，例如OLED等。在本說明書中，封裝膜可表示為封裝材料或密封材料。

本文所使用之用語「有機電子裝置(OED)」係指具有包含其中使用電洞及電子在一對相對電極之間發生電荷交換之有機材料層的結構之物品或裝置。其實例可包含光伏打裝置、整流器、發射機、有機發光二極體 (OLED)等，但本申請案不局限於此。在本發明之實例中，有機電子裝置可為OLED。

範例封裝膜，如圖1所示，可包含金屬層(11)，其具有第一表面(111)及相對於第一表面(111)之第二表面(112)；以及封裝層(12)，其設置在金屬層(11)之第一表面(111)上。此處，封裝層(12)可設置在第一表面(111)上且位於第一表面(111)的邊緣內部，因此在其一些區域的邊緣與第一表面(111)的邊緣之間形成預定間隙(a)。間隙(a)可存在於封裝層(12)之至少一些邊緣，但本發明不局限於此，以及間隙(a)可存在於所有邊緣。如圖1所示，用語「間隙」(a)係指介於層壓之封裝層(12)與金屬層(11)的側端之間的間隔。

此外，根據本申請案之封裝膜可滿足下列一般方程式1。

在一般方程式1中，「a」為間隙尺寸，以及「b」為封裝層之厚度。「a/b」可為0.95至25、1至22或1至20。本申請案藉由將間隙與封裝層之厚度的比調整於上述範圍內而提供具有在面板之間的優異結合性質以及耐久性且儘管在結合及固化製程中之高溫下封裝層流動但並無封裝層溢流的封裝膜。本申請案藉由反映視封裝層之厚度而定的流動性差異而提供具有高可靠度之封裝膜。

間隙與封裝層之厚度的比可考慮與金屬層接 觸之封裝層的流性，特別是，根據與金屬層整體提供之本申請案的封裝膜之特徵而調整。此外，間隙與封裝層之厚度的比可視封裝層之組成、封裝層或下述之對其施加封裝層的物體(例如，具有其上形成有機電子元件之基板)之性質而調整，但本發明不局限於此。

在一實例中，金屬層及/或封裝層可具有多邊形或圓形。在根據本申請案之具有多邊形或圓形的封裝膜中，金屬層之側端位置與封裝層之側端位置可為相同，但本發明不局限於此，以及上述預定間隙(a)可形成於封裝膜的至少一些區域之邊緣。在其他實例中，封裝膜可在所有邊緣具有間隙(a)。本文所使用之用語「相同」或「一致」係指實質上相同或實質上一致，其中，誤差可為±5μm或±1μm。

在一實例中，間隙(a)之尺寸可為20μm至1,200μm、40μm至1,100μm或45μm至1,050μm。在本申請案中，間隙之尺寸可考慮與金屬層整體提供之封裝層以及該整體提供之封裝層的厚度予以調整而無特殊限制。

在本申請案之具體實例中，封裝層(12)可具有在其一些區域的邊緣之經固化部分。在本申請案中，封裝層可具有在其至少一些區域的側邊之經固化部分以控制當將膜應用於有機電子元件之封裝時因熱所造成的封裝層流動。此處，經固化部分(c)之寬度可為10μm至1,100μm、16μm至920μm、23μm至820μm、或38μm至770μm。此外，經固化部分可具有10%至100%、20%至85%、25%至 65%、或33%至48%之固化程度。寬度範圍或固化程度可為最小化當結合時封裝層相對於上述間隙之封裝層流動寬度的範圍。固化程度可藉由本技術中已知的方法測量。例如，固化程度可使用ATR FT-IR測量。固化程度可使用ATR FT-IR測量為待測量固化程度之樣本的可固化官能基峰值(P2)相對於未固化樣本之可固化官能基峰值(P1)的變化量(P1-P2)之百分比。即，固化程度可以(P1-P2)/P1×100來計算。此處，可固化官能基可為例如環氧基。當可固化官能基為環氧基時，固化速率可藉由使用拉曼(Raman)顯微鏡分析從封裝層的最外周圍朝向內部且間隔為10μm之在908cm^-1的環氧基峰值之高度導出。即，在一實例中，可測量可固化官能基峰值之強度或可分析其面積並計算以測量固化程度。

在本申請案之具體實例中，如圖2所示，封裝層(12)在其一些區域的邊緣可具有傾斜部分(d)。封裝層(12)可包含第一表面及相對於第一表面之第二表面。此處，封裝層(12)之第二表面可面對金屬層(11)之第一表面(111)，以及封裝層(12)之第二表面可與金屬層(11)之第一表面(111)接觸，如圖2所示。在傾斜部分(d)中，介於封裝層(12)之第二表面的側端之法線與封裝層(12)之第一表面的側端之法線之間的距離(d)可在2μm至1,000μm、3μm至930μm或4μm至880μm之範圍。此處之法線可為相對於封裝層之第一表面及/或第二表面的法線。在本說明書中，當封裝層(12)具有傾斜部分(d)時，經固化部分(c)之寬 度可從封裝層之第二表面的側端測量，如圖2所示。此外，在本說明書中，當封裝層(12)具有傾斜部分(d)時，間隙(a)之尺寸可從封裝層之第一表面的側端測量，如圖2所示，但本發明不局限於此，以及間隙(a)之尺寸可從第二表面的側端測量。此處，封裝層之第二表面的側端可比封裝層之第一表面的側端更接近金屬層之邊緣。因此，本申請案可藉由反映視封裝層之傾斜部分而定的流動性差異而提供具有高可靠度之封裝膜。

在一實例中，間隙(a)之尺寸和傾斜部分(d)之尺寸的總和(a+d)可在20至2,000μm、40μm至1,800μm或50μm至1,700μm之範圍。本申請案藉由將尺寸(a+d)調整於上述範圍內而提供具有在面板之間優異結合性質以及可靠度且儘管在結合及固化製程中封裝層流動但並無封裝層溢流的封裝膜。

在一實例中，如圖1所示，根據本申請案之封裝膜在金屬層(11)的第二表面(112)之一些區域的邊緣可具有尺寸為50μm或更小、40μm或更小、30μm或更小或10μm或更小之突出(e)。此處，其下限無特別限制，以及其尺寸可較佳為0μm或0.1μm。突出(e)之尺寸可以如圖1所示相對於金屬層(11)的第二表面(112)之法線方向測量。通常，當裁切封裝膜時，在金屬層上會產生毛邊，該毛邊會呈諸如突出之形式。因此，本申請案可提供具有高可靠度之封裝膜，其可藉由將金屬層(11)之突出(e)的尺寸調整於上述範圍內而防止製程中因突出(e)所造成的諸如凹陷、加 壓等問題。

在本申請案之具體實例中，封裝層可具有2.0×10Pa．s至10⁸Pa．s、5.0×10Pa．s至10⁷Pa．s、10²Pa．s至10⁶Pa．s或10²Pa．s至5×10⁵Pa．s之孟納黏度(η*)，其係在5%之應變、1Hz之頻率以及100℃之溫度的條件下根據剪應力測量。因此，本申請案可提供具有高可靠度之膜，其中在結合及固化製程中之封裝層的流動係藉由將黏度調整於上述範圍內予以控制，及因而藉由將間隙(a)調整於上述範圍內而使對準誤差最小化。黏度可經由例如TA Instruments之市售ARES測量。具體而言，在本申請案中，封裝層之孟納黏度可使用具有8mm直徑之平板夾具在5%之應變、1Hz之頻率以及100℃之溫度的條件下根據剪應力測量。

此外，在一實例中，根據本申請案之封裝膜中的封裝層之側表面可為採用具有尺寸為30μm至1,000μm、50μm至900μm、60μm至800μm、70μm至500μm、80μm至300μm、100μm至280μm、或110μm至260μm之雷射束裁切的表面。即，封裝層係藉由雷射束裁切，以及雷射束之尺寸可在30μm至1,000μm之範圍。此外，雷射可為CO₂雷射或光纖雷射，但本發明不局限於此。另外，間隙之所希望尺寸可藉由進行封裝層之雷射裁切一或多次予以調整。

在本申請案之具體實例中，封裝膜之金屬層可為透明或不透明。金屬層可由薄膜中之金屬箔形成，或 藉由將金屬沉積在聚合物基板層上形成。金屬層無限制，只要材料具有濕氣阻隔性質以及包含金屬即可。金屬層可包含金屬、金屬氧化物、金屬氮化物、金屬碳化物、金屬氮氧化物、金屬硼氧化物、及其混合物中之任一者。例如，金屬層可包含其中一或多種金屬元素或非金屬元素係添加至一種金屬之合金，例如鐵-鎳合金或不鏽鋼(SUS)。此外，在一實例中，金屬層可包含銅、鋁、鎳、氧化矽、氧化鋁、氧化鈦、氧化銦、氧化錫、銦錫氧化物、氧化鉭、氧化鋯、氧化鈮、及其混合物。金屬層可藉由電解、輥壓、蒸鍍、電子束蒸鍍、濺鍍、反應性濺鍍、化學氣相沉積、電漿化學氣相沉積、或電子迴旋加速共振源電漿化學氣相沉積來沉積。在本發明一實施態樣中，金屬層可藉由反應性濺鍍沉積。

較佳的，金屬層可具有熱傳導率為50W/mK或更高、60W/mK或更高、70W/mK或更高、80W/mK或更高、90W/mK或更高、100W/mK或更高、110W/mK或更高、120W/mK或更高、130W/mK或更高、140W/mK或更高、150W/mK或更高、200W/mK或更高、或250W/mK或更高。當金屬層具有此種高熱傳導率時，於金屬層之結合製程時在結合界面產生的熱可更迅速放出。此外，高熱傳導率有助於將在有機電子裝置操作期間累積的熱迅速放出至外部，因而有機電子裝置本身的溫度可保持在較低溫度，以及減少龜裂及瑕疵發生。

本文所使用之用語「熱傳導率」係指材料傳 導熱的能力，以及可以單位W/mK表示。該單位表示在相同溫度及距離下之材料的熱傳導程度，以及係指熱之單位(瓦)相對於距離之單位(公尺)與溫度之單位(克氏溫度)。

在本申請案之具體實例中，封裝層可包含壓敏性黏著劑組成物或黏著劑組成物以形成壓敏性黏著層或黏著層。封裝層可為單層或二或更多層。當二或更多層構成封裝層時，封裝層之各層的組成可為相同或不同，以及可包含下述之第一層及/或第二層。

在一實例中，封裝層可包含封裝樹脂。在本申請案之具體實例中，構成封裝層之第一層的封裝樹脂可為具有玻璃轉化溫度為85℃或更高、90℃或更高、95℃或更高、或100℃或更高之樹脂。此外，構成封裝層之第二層的封裝樹脂可為具有玻璃轉化溫度為0℃或更低，例如，-10℃或更低、-20℃或更低、-30℃或更低、或-40℃或更低之樹脂。如本文所使用，除非另外指定，否則玻璃轉化溫度係指在約100℃之溫度固化約120分鐘之後的玻璃轉化溫度；以約1J/cm²或更高之照射量照射紫外線(UV)之後的玻璃轉化溫度；或在照射UV線然後進一步進行熱固化之後的玻璃轉化溫度。

在本申請案之具體實例中，封裝層可由存在於單層之第一層或第二層構成，第一層可由二或更多層構成，或第二層可由二或更多層構成。再者，封裝層之兩層結構可用第一層及第二層形成。

在一實例中，封裝樹脂可為苯乙烯系樹脂或 彈性體、聚烯烴系樹脂或彈性體、其他彈性體、聚氧化烯系樹脂或彈性體、聚酯系樹脂或彈性體、聚氯乙烯系樹脂或彈性體、聚碳酸酯系樹脂或彈性體、聚苯硫醚系樹脂或彈性體、烴類之混合物、聚醯胺系樹脂或彈性體、丙烯酸酯系樹脂或彈性體、環氧系樹脂或彈性體、聚矽氧系樹脂或彈性體、氟系樹脂或彈性體、其混合物等。

苯乙烯系樹脂可為例如苯乙烯-乙烯-丁二烯-苯乙烯嵌段共聚物(SEBS)、苯乙烯-異戊二烯-苯乙烯嵌段共聚物(SIS)、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯嵌段共聚物(ABS)、丙烯腈-苯乙烯-丙烯酸酯嵌段共聚物(ASA)、苯乙烯-丁二烯-苯乙烯嵌段共聚物(SBS)、苯乙烯系同元聚合物或其混合物。聚烯烴系樹脂或彈性體可為例如高密度聚乙烯系樹脂或彈性體、低密度聚乙烯系樹脂或彈性體、聚丙烯系樹脂或彈性體或其混合物。彈性體可為例如熱塑性酯系彈性體、烯烴系彈性體、聚矽氧系彈性體、丙烯酸系彈性體、其混合物等。其中，作為熱塑性烯烴系彈性體，可使用聚丁二烯樹脂或彈性體、聚異丁烯樹脂或彈性體等。聚氧化烯樹脂或彈性體可為例如聚甲醛系樹脂或彈性體、其混合物等。聚酯系樹脂或彈性體可為例如聚對酞酸伸乙酯系樹脂或彈性體、聚對酞酸伸丁酯系樹脂或彈性體、其混合物等。聚氯乙烯系樹脂或彈性體可為例如聚偏二氟乙烯等。烴類之混合物可為例如三十六烷、石蠟等。聚醯胺系樹脂或彈性體可為例如耐綸等。丙烯酸酯系樹脂或彈性體可為例如聚(甲基)丙烯酸丁酯等。環氧系樹脂或彈性體可為例 如雙酚型，諸如雙酚A、雙酚F、或雙酚S、其氫化產物等；酚醛清漆型，諸如苯酚酚醛清漆、甲酚酚醛清漆等；含氮環狀化合物，諸如三聚異氰酸三環氧丙酯、乙內醯脲等；脂環型；脂族型；芳族型，諸如萘、聯苯等；環氧丙基型，諸如環氧丙基醚、環氧丙基胺、環氧丙基醚等；二環型，諸如二環戊二烯等；酯；醚酯；或其混合物。聚矽氧系樹脂或彈性體可為例如聚二甲基矽氧烷等。此外，氟系樹脂或彈性體可為例如聚三氟乙烯樹脂或彈性體、聚四氟乙烯樹脂或彈性體、聚氯化三氟乙烯樹脂或彈性體、聚六氟丙烯樹脂或彈性體、聚偏二氟乙烯、聚氟乙烯、聚氟乙烯丙烯(polyethylene propylene fluoride)、其混合物等。

當使用所列之樹脂或彈性體時，其可經例如順丁烯二酸酐等接枝、可與其他所列樹脂或彈性體或用於製備樹脂或彈性體之單體共聚、或可藉由其他化合物變性。該等其他化合物之實例可包含羧基末端之丁二烯-丙烯腈共聚物等。

在一實例中，在作為封裝樹脂之上述類型當中，封裝層可包含烯烴系彈性體、聚矽氧系彈性體、丙烯酸系彈性體等，但本申請案不局限於此。

在本申請案之具體實例中，封裝樹脂可為烯烴系樹脂。在一實例中，封裝樹脂可包含自丁烯衍生之聚合物。自丁烯衍生之聚合物可意指聚合物之聚合單元中的至少一者係衍生自丁烯。由於自丁烯衍生之聚合物具有非常低極性、為透明的、以及幾乎不受腐蝕影響，當該聚合 物用作封裝材料或密封材料時，可實現優異的濕氣阻隔性質及耐久性。

在本申請案中，自丁烯衍生之聚合物亦可為藉由將丁烯單體聚合所獲得之同元聚合物；藉由將丁烯單體及其他可聚合單體共聚所獲得之共聚物；藉由使用丁烯單體所獲得之反應性寡聚物；或其混合物。本申請案中之衍生的聚合物可意指由單體聚合之單元所形成的聚合物。丁烯單體可為例如1-丁烯、2-丁烯或異丁烯。

可與衍生物聚合之丁烯單體或其他單體可為例如異戊二烯、苯乙烯、丁二烯等。當使用共聚物時，可維持諸如加工性及交聯程度等性質，因而應用於有機電子裝置時可確保壓敏性黏著劑之固有耐熱性。

此外，藉由使用丁烯單體所獲得之反應性寡聚物可包含具有反應性官能基之丁烯聚合物。該寡聚物可具有重量平均分子量為500至5,000。此外，該丁烯聚合物可與具有反應性官能基之其他聚合物結合。該等其他聚合物可為(甲基)丙烯酸烷酯，但本發明不局限於此。反應性官能基可為羥基、羧基、異氰酸酯基或含氮基團。又，該反應性寡聚物及該等其他聚合物可藉由多官能交聯劑交聯，以及該多官能交聯劑可為選自由下列所組成之群組的一或多者：異氰酸酯交聯劑、環氧交聯劑、氮口元交聯劑及金屬螯合物交聯劑。

在封裝層中，樹脂或彈性體組分可具有使黏著劑組成物可形成膜形狀的程度之重量平均分子量 (Mw)。例如，樹脂或彈性體可具有重量平均分子量為約100,000至2,000,000、110,000至1,500,000或150,000至1,000,000。本文所使用之用語「重量平均分子量」係指經由凝膠滲透層析術(GPC)所測量相對於標準聚苯乙烯的轉換值。然而，樹脂或彈性體組分不需要具有上述重量平均分子量。例如，當樹脂或彈性體組分之重量平均分子量不在形成膜的充足水準時，可將單獨的黏合劑樹脂混入黏著劑組成物。

在其他具體實例中，根據本申請案之封裝樹脂可為可固化樹脂。可用於本申請案之可固化樹脂的具體類型無特別限制，及例如可使用本技術中已知的各種熱可固化或光可固化樹脂。用語「熱可固化樹脂」係指可經由適當的熱施加或老化製程固化的樹脂。用語「光可固化樹脂」係指可藉由電磁波照射固化的樹脂。再者，可固化樹脂可為兼具熱固化與光固化性質之雙重可固化樹脂。

在本申請案中，可固化樹脂之具體類型無特別限制，只要具有上述性質即可。例如，可固化樹脂可為可經固化以展現黏著性質的樹脂，其包含一或多個可被固化之官能基，諸如環氧丙基、異氰酸酯基、羥基、羧基、醯胺基等；或一或多個可藉由電磁波照射而固化的官能基，諸如環氧基、環醚基、硫基(sulfide group)、縮醛基、內酯基等。再者，如上述之樹脂的具體類型可包含丙烯酸系樹脂、聚酯樹脂、異氰酸酯樹脂、環氧樹脂等，但本發明不局限於此。

在本申請案中，芳族或脂族、或直鏈或支鏈環氧樹脂可用作可固化樹脂。在本申請案之實施態樣中，可使用含有二或更多個官能基且具有環氧當量為180至1,000g/eq之環氧樹脂。使用具有在上述範圍內之環氧當量的樹脂時，可能有效維持固化產物之黏著性能、玻璃轉化溫度等性質。該環氧樹脂的實例可包含甲酚酚醛清漆環氧樹脂、雙酚A型環氧樹脂、雙酚A型酚醛清漆環氧樹脂、苯酚酚醛清漆環氧樹脂、四官能環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、三酚甲烷型環氧樹脂、經烷基改質之三酚甲烷環氧樹脂、萘型環氧樹脂、二環戊二烯型環氧樹脂及經二環戊二烯改質之酚型環氧樹脂中的一者或二或更多者之混合物。

在本申請案中，分子結構中具有環狀結構之環氧樹脂可用作可固化樹脂，以及可使用包含芳族基(例如，苯基)之環氧樹脂。當環氧樹脂包含芳族基時，固化產物具有優異熱安定性及化學安定性，展現低WVTR，因而有機電子裝置中之封裝結構的可靠度可獲得改善。可用於本申請案的含芳族基之環氧樹脂的具體實例可包含聯苯型環氧樹脂、二環戊二烯型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、經二環戊二烯改質之酚型環氧樹脂、甲酚系環氧樹脂、雙酚系環氧樹脂、xylok系環氧樹脂、多官能環氧樹脂、苯酚酚醛清漆環氧樹脂、三酚甲烷型環氧樹脂及經烷基改質之三酚甲烷環氧樹脂之一者或二或更多者之混合物，但本發明不局限於此。

此外，根據本申請案之封裝層可具有與封裝樹脂之高相容性，以及可包含可與該封裝樹脂形成特殊交聯結構的可活性能射線聚合之化合物。

例如，根據本申請案之封裝層可包含可藉由照射活性能射線而與封裝樹脂聚合的多官能可活性能射線聚合之化合物。可活性能射線聚合之化合物可指，例如，包含二或更多個可藉由照射活性能射線而參與聚合反應的官能基之化合物，官能基係例如具有乙烯不飽和雙鍵之官能基，諸如丙烯醯基、甲基丙烯醯基等；以及諸如環氧基、氧雜環丁烷基等之官能基。

作為多官能可活性能射線聚合之化合物，例如，可使用多官能丙烯酸酯(MFA)。

此外，可活性能射線聚合之化合物可包含量相對於100重量份之封裝樹脂計為5至30重量份、5至25重量份、8至20重量份、10至18重量份或12至18重量份。本申請案藉由將在上述範圍內之最佳交聯結構引入封裝層而提供在高溫及高濕度下具有優異可靠度的膜。

可藉由照射活性能射線而聚合的多官能可活性能射線聚合之化合物可為例如二(甲基)丙烯酸1,4-丁二醇酯、二(甲基)丙烯酸1,3-丁二醇酯、二(甲基)丙烯酸1,6-己二醇酯、二(甲基)丙烯酸1,8-辛二醇酯、二(甲基)丙烯酸1,12-十二烷二醇酯、二(甲基)丙烯酸新戊二醇酯、二(甲基)丙烯酸二環戊烷酯、二(甲基)丙烯酸環己烷-1,4-二甲醇酯、二(甲基)丙烯酸三環癸烷二甲醇酯、二(甲基)丙烯酸 二羥甲基二環戊烷酯、新戊二醇改質之二(甲基)丙烯酸三甲基丙烷酯、二(甲基)丙烯酸金剛烷酯、三(甲基)丙烯酸三羥甲丙烷酯、或其混合物。

多官能可活性能射線聚合之化合物可為例如具有分子量低於1,000且包含二或更多個官能基的化合物。在此情況下，分子量可指重量平均分子量或習用分子量。包含在多官能可活性能射線聚合之化合物中的環結構可為碳環或雜環結構中的任一者；或為單環或多環結構。

在本申請案之具體實例中，封裝層可另外包含單官能丙烯酸酯。在一實例中，封裝樹脂及單官能丙烯酸酯可包含在封裝層中之重量比分別為60至95重量份及5至40重量份。在一實例中，封裝樹脂及單官能丙烯酸酯可包含在封裝層中之重量比分別為60至90重量份及10至40重量份或65至90重量份以及10至35重量份。在本申請案中，當將組成物之含量調整於上述範圍內時，即使在高溫及高濕度下亦可實現優異濕度阻隔性質及耐熱性。單官能丙烯酸酯無特別限制，及可為丙烯酸正辛酯、丙烯酸異辛酯、丙烯酸異壬酯、丙烯酸月桂酯、丙烯酸硬脂酯、丙烯酸異硬脂酯、丙烯酸異癸酯、丙烯酸2-(2-乙氧基乙氧基)乙酯、丙烯酸甲氧基三乙二醇酯、或丙烯酸甲氧基聚乙二醇酯。

在本申請案之具體實例中，封裝層可另外包含自由基引發劑。自由基引發劑可為光引發劑或熱引發劑。光引發劑之具體類型可考慮固化速率、黃化可能性等 而適當地加以選擇。例如，可使用安息香系、羥基酮系、胺基酮系或氧化膦系光引發劑，及特別是安息香、安息香甲醚、安息香乙醚、安息香異丙醚、安息香正丁醚、安息香異丁醚、苯乙酮、二甲胺基苯乙酮、2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2,2-二乙氧基-2-苯基苯乙酮、2-羥基-2-甲基-1-苯丙-1-酮、1-羥基環己基苯基酮、2-甲基-1-[4-(甲硫基)苯基]-2-嗎啉基-丙-1-酮、4-(2-羥乙氧基)苯基-2-(羥基-2-丙基)酮、二苯甲酮、對苯基二苯甲酮、4,4’-二乙胺基二苯甲酮、二氯二苯甲酮、2-甲基蒽醌、2-乙基蒽醌、2-第三丁基蒽醌、2-胺基蒽醌、2-甲基噻噸酮、2-乙基噻噸酮、2-氯噻噸酮、2,4-二甲基噻噸酮、2,4-二乙基噻噸酮、苯甲基二甲縮酮、苯乙酮二甲縮酮、對二甲胺基苯甲酸酯、寡[2-羥基-2-甲基-1-[4-(1-甲基乙烯基)苯基]丙酮]、2,4,6-三甲基苯甲醯基-二苯基-氧化膦等。

自由基引發劑可包含之重量比相對於100重量份之可活性能射線聚合之化合物為0.2至20重量份、0.5至18重量份、1至15重量份、或2至13重量份。因此，可有效引發可活性能射線聚合之化合物之反應以及防止因固化後的殘留組分所造成之壓敏性黏著劑組成物性質惡化。

在本申請案之具體實例中，封裝膜之封裝層可另外根據封裝樹脂之類型包含固化劑。例如，可另外包含可藉由與上述封裝樹脂反應而形成交聯結構的固化劑。

固化劑可根據封裝樹脂或該樹脂中所包含的官能基類型而適當地選擇及使用。

在一實例中，當封裝樹脂為環氧樹脂時，固化劑可為本技術中已知的環氧樹脂之固化劑，例如胺固化劑、咪唑固化劑、酚固化劑、磷固化劑、酸酐固化劑等中之一或二或更多者，但本發明不局限於此。

在一實例中，作為固化劑，可使用於室溫下為固相且具有熔點或分解溫度為80℃或更高之咪唑化合物。此種化合物之實例可包含例如2-甲基咪唑、2-十六基咪唑、2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、1-氰乙基-2-苯基咪唑等，但本發明不局限於此。

固化劑之含量可視複合物之組成，例如封裝樹脂之類型或比來選擇。例如，固化劑可包含之重量比相對於100重量份之封裝樹脂計為1至20重量份、1至10重量份或1至5重量份。然而，該重量比可視封裝樹脂或該樹脂之官能基的類型或比或待實現的交聯密度而改變。

當封裝樹脂為可藉由照射活性能射線固化的樹脂時，例如可使用陽離子光聚合引發劑作為引發劑。

作為陽離子光聚合引發劑，可使用鎓鹽或有機金屬鹽系離子性陽離子引發劑或有機矽烷或潛在磺酸系非離子性陽離子光聚合引發劑。鎓鹽系引發劑之實例可包含二芳基錪鎓鹽、三芳基鋶鹽、芳基重氮鹽等；有機金屬鹽系引發劑之實例可包含鐵-芳烴錯合物等；有機矽烷系引發劑之實例可包含鄰硝基苯甲基三芳基矽基醚、過氧化三芳基矽基、醯基矽烷等；潛在磺酸系引發劑之實例可包含α-磺醯氧基酮、或α-羥基甲基安息香磺酸酯等，但本發 明不局限於此。

在一實例中，可使用離子性陽離子光聚合引發劑作為陽離子引發劑。

在一實例中，封裝層可另外包含膠黏劑，其較佳為環狀氫化烯烴系聚合物。膠黏劑可為例如藉由氫化石油樹脂而獲得氫化石油樹脂。該氫化石油樹脂可經部分或完全氫化，以及該等樹脂之混合物。此種膠黏劑可為具有在膠黏劑複合物中之高相容性、優異濕氣阻隔性質、及少量有機揮發性組分的膠黏劑。氫化石油樹脂之具體實例可包含氫化萜系樹脂、氫化酯系樹脂、氫化二環戊二烯系樹脂等。膠黏劑可具有重量平均分子量為約200至5,000。膠黏劑之含量可視需要而適當地調整。例如，膠黏劑之含量可考慮下述之凝膠的含量而選擇，及例如，膠黏劑可包含之重量比相對於100重量份之封裝樹脂計為5至100重量份、8至95重量份、10至93重量份或15至90重量份。

封裝層可視需要另外包含吸濕劑。本文所使用之用語「吸濕劑」可指例如，可經由與滲透入下述之封裝膜的水或濕氣之化學反應而移除水或濕氣的材料。

例如，吸濕劑可以該吸濕劑均勻分散在封裝層中的狀態存在。此處，均勻分散狀態可意指吸濕劑以相同或實質上相同密度存在封裝層之任何部分的狀態。吸濕劑可為例如，金屬氧化物、硫酸鹽、有機金屬氧化物等。具體而言，硫酸鹽之實例可包含硫酸鎂、硫酸鈉、硫酸鎳等，以及有機金屬氧化物之實例可包含辛酸氧化鋁等。金 屬氧化物之具體實例可包含五氧化二磷(P₂O₅)、氧化鋰(Li₂O)、氧化鈉(Na₂O)、氧化鋇(BaO)、氧化鈣(CaO)、氧化鎂(MgO)等；金屬鹽之實例可包含硫酸鹽，諸如硫酸鋰(Li₂SO₄)、硫酸鈉(Na₂SO₄)、硫酸鈣(CaSO₄)、硫酸鎂(MgSO₄)、硫酸鈷(CoSO₄)、硫酸鎵(Ga₂(SO₄)₃)、硫酸鈦(Ti(SO₄)₂)、硫酸鎳(NiSO₄)等；金屬鹵化物，諸如氯化鈣(CaCl₂)、氯化鎂(MgCl₂)、氯化鍶(SrCl₂)、氯化釔(YCl₃)、氯化銅(CuCl₂)、氟化銫(CsF)、氟化鉭(TaF₅)、氟化鈮(NbF₅)、溴化鋰(LiBr)、溴化鈣(CaBr₂)、溴化鈰(CeBr₃)、溴化硒(SeBr₄)、溴化釩(VBr₃)、溴化鎂(MgBr₂)、碘化鋇(BaI₂)、碘化鎂(MgI₂)等；以及金屬氯酸鹽，諸如過氯酸鋇(Ba(ClO₄)₂)、過氯酸鎂(Mg(ClO₄)₂)等，但本發明不局限於此。作為可包含在封裝層中之吸濕劑，可使用其一或二或更多者。在一實例中，當使用其二或更多者作為吸濕劑時，可使用經煅燒白雲石等。

此種吸濕劑之尺寸可根據用途而適當地調整。在一實例中，吸濕劑可調整至具有平均粒度為約10至15,000nm。具有平均粒度在上述範圍內之吸濕劑不會與濕氣迅速反應，因此吸濕劑可容易貯存，且濕氣可被有效地移除而不會損及待封裝之元件。

吸濕劑之含量無特別限制，以及可考慮所希望之阻隔性質而適當地選擇。

封裝層可視需要亦包含濕氣阻擋劑。本文所使用之用語「濕氣阻擋劑」可指與濕氣具有少許或無反 應，但阻擋或干擾膜中之水或濕氣移動的材料。作為濕氣阻擋劑，例如，可使用黏土、滑石、針狀矽石、板狀矽石、多孔矽石、沸石、氧化鈦或氧化鋯中之一或二或更多者。此外，濕氣阻擋劑之表面可經有機改質劑等處理以促進有機材料滲透。作為此種有機改質劑，可使用例如二甲基苯甲基氫化牛脂四級銨、二甲基二氫化牛脂四級銨、甲基牛脂雙-2-羥乙基四級銨、二甲基氫化牛脂2-乙基己基四級銨、二甲基脫氫牛脂四級銨、其混合物等。

濕氣阻擋劑之含量無特別限制，以及可考慮所希望之阻隔性質而適當地選擇。

封裝層除了上述成分之外可根據下述用途及封裝膜的製造方法而包含各種添加劑。例如，封裝層可根據所希望性質而包含適當含量的可固化材料、交聯劑、填料等。

在本發明之具體實例中，封裝層可形成具有如上述之單層結構或二或更多層結構。在本發明之具體實例中，第一層或第二層除了上述樹脂之外還可包含其他組成物，例如，上述可活性能射線聚合之化合物、熱固性化合物、自由基引發劑、膠黏劑、吸濕劑、濕氣阻擋劑、分散劑、矽烷化合物等，以及第一層及第二層之成分可彼此相同或不同。同時，考慮到封裝膜係應用至有機電子元件，吸濕劑之含量可考慮對於元件的損傷而做調整。例如，在與元件接觸的層中可包含少量或可不包含吸濕劑。在一實例中，與有機電子元件接觸之第一層或第二層可包 含相對於包含在封裝膜中的吸濕劑總質量為0至20%之吸濕劑。此外，不與有機電子元件接觸之第二層或第一層可包含相對於包含在封裝膜中的吸濕劑總質量為80至100%之吸濕劑。

第一層及第二層之層壓順序無特別限制，以及第二層可形成於第一層上或反之亦然。此外，封裝層可由三或更多層構成。例如，第一層可由二或更多層構成，或第二層可由二或更多層構成。在一實例中，第二層可存在於上述金屬層的一個表面，以及第一層可封裝有機電子元件之全部表面。

包含在根據本申請案之封裝膜中的封裝層(b)之厚度無特別限制，以及可考慮膜之應用根據下列條件適當地選擇。封裝層之厚度可為5至200μm、5至100μm、10至80μm或20至70μm。在本申請案中，將封裝層之厚度調整至5μm或更大，因而可實現充足黏著性及物理保護性質，以及將封裝層之厚度調整至200μm或更小，因而可確保加工性及防止因濕氣反應性所造成的大厚度膨脹所致之對於有機發光二極體的沉積膜之損壞。

在一實例中，根據本申請案之封裝膜，如圖3所示，可另外包含設置在金屬層(11)之第二表面(112)上的保護層(14)。構成保護層(14)之材料無特別限制，以及例如可選自聚對酞酸伸乙酯、聚四氟乙烯、聚乙烯、聚丙烯、聚丁烯、聚丁二烯、氯乙烯共聚物、聚胺甲酸乙酯、乙烯-乙酸乙烯酯、乙烯/丙烯共聚物、乙烯/丙烯酸乙酯共 聚物、乙烯/丙烯酸甲酯共聚物、聚醯亞胺、耐綸、苯乙烯系樹脂或彈性體、聚烯烴系樹脂或彈性體、其他彈性體、聚氧化烯系樹脂或彈性體、聚酯系樹脂或彈性體、聚氯乙烯系樹脂或彈性體、聚碳酸酯系樹脂或彈性體、聚苯硫醚系樹脂或彈性體、烴類之混合物、聚醯胺系樹脂或彈性體、丙烯酸酯系樹脂或彈性體、環氧系樹脂或彈性體、聚矽氧系樹脂或彈性體、液晶聚合物及其組合，但本發明不局限於此。

在一實例中，根據本申請案之封裝膜，如圖3所示，可另外包含介於金屬層(11)與保護層(14)之間的黏著層(13)。黏著層(13)用以將保護層(14)附著至金屬層(11)，且其材料無特別限制，以及例如可與上述封裝層之材料相同或不同。

此外，本申請案關於製造上述封裝膜之方法。製造封裝膜之範例方法可包含裁切封裝層之一側。另外，該製造方法可包含裁切金屬層之一側。裁切封裝層之一側以及裁切金屬層之一側的順序無特別限制，以及例如可裁切封裝層之一側然後裁切金屬層之一側。裁切可意指將封裝層或金屬層形成所希望形狀，例如多邊形或圓形。

製造該膜之方法可包含在上述裁切之前將封裝層形成膜或薄片形式。在一實例中，該方法可包含將包含上述構成封裝層的組分之塗覆溶液呈薄片或膜形式施加至基板或脫離膜上，並乾燥所施加之塗覆溶液。

此外，製造方法可包含形成金屬層。金屬層 可由金屬箔形成，或可藉由將金屬沉積在基板上而形成。例如，金屬層可利用電解或輥壓製備。該製造方法可另外包含將金屬層形成在封裝層的一個表面上。

在本申請案中，裁切封裝層之一側可使用CO₂雷射或光纖雷射進行。此外，在一實例中，裁切金屬層之一側可使用CO₂雷射、光纖雷射或切刀進行。在一實例中，裁切可在經由雷射確保封裝層之間隙之後藉由其中使用切刀裁切金屬層的方法進行。例如，裁切可藉由採用適用模式，諸如木製切刀、尖刀(pinnacle blade)、切片刀(slitting knife)、超級刀(super cutter)等。在本申請案之具體實例中，裁切表面可為裁切之後的封裝層或金屬層之邊緣、側。再者，在一實例中，封裝層之與雷射接觸的裁切表面或側可藉由雷射固化。因此，裁切封裝層及在封裝層之一側形成經固化部分可在一個製程，例如雷射製程中進行。

具體而言，裁切封裝層之一側可使用具有尺寸為30μm至1000μm、50μm至900μm、60μm至800μm、70μm至500μm、80μm至300μm、100μm至280μm或110μm至260μm之雷射束進行。在本申請案中，雷射束之尺寸可根據在一側之經固化部分的寬度而適當地調整。

此外，裁切封裝層之一側可例如根據雷射之輸出及/或重複率而調整。在一實例中，雷射之輸出可調整至約100W至250W、120W至240W或180W至220W。再者，裁切封裝層之一側可使用具有裁切速率為200mm/s 至1500mm/s、330mm/s至1200mm/s、520mm/s至1100mm/s或630mm/s至910mm/s之雷射束進行。在本申請案中，當封裝層之一側的形成及裁切藉由將雷射之輸出或裁切速率調整於上述範圍內而同時進行時，間隙、經固化部分或傾斜部分可製備成所希望形式。

在本申請案之具體實例中，裁切金屬層之一側可使用具有尺寸為1μm至30μm之雷射束進行。再者，雷射裁切可使用具有輸出為70W至150W、80W至130W或90W至110W之雷射束進行。此外，雷射裁切可使用具有裁切速率為200mm/s至1500mm/s、330mm/s至1200mm/s、520mm/s至1100mm/s或630mm/s至910mm/s之雷射束進行。在本申請案中，當金屬層之一側的形成及裁切藉由將雷射之輸出或裁切速率調整於上述範圍內而同時進行時，可調整突出以及間隙可製備成所希望形式。

此外，本申請案關於有機電子裝置。有機電子裝置可包含，如圖4所示，基板(2)；形成於該基板(2)上之有機電子元件(21)、及經組態以封裝該有機電子元件(21)之全部表面(例如上及側表面二者)的封裝膜(1)。封裝膜(1)可包含包括呈交聯狀態之壓敏性黏著劑組成物或黏著劑組成物的封裝層(12)。再者，有機電子裝置可形成以使封裝層與有機電子元件之全部表面接觸。此外，封裝層(12)可形成為具有如上述之兩層結構。此處，該兩層結構可由第一層(121及122)或第二層(121及122)、或第一層(122)及第二層(121)構成。

該有機電子元件可為例如，有機發光二極體。

此外，本發明關於製造有機電子裝置之方法。有機電子裝置可例如藉由使用封裝膜來製造。

封裝層在有機電子裝置中展現優異濕氣阻隔性質及光學性質，以及可形成作為有效固定且支撐基板及金屬層之壓敏性黏著劑層。

此外，不論有機電子裝置之類型(諸如頂部發射型、底部發射型等)為何，封裝層均可安定地形成。

本文所使用之用語「封裝層」可指覆蓋有機電子元件之上及側表面二者的壓敏性黏著劑或黏著劑。

製造方法可包含，例如，將封裝膜施加至具有其上形成有機電子元件之基板以覆蓋該有機電子元件；以及固化該封裝膜。封裝膜之固化係指將封裝層固化。

本文所使用之用語「固化」可意指根據本發明之壓敏性黏著劑組成物經由加熱或UV照射製程形成交聯結構以製備壓敏性黏著劑。或者，該用語可意指經固化或黏附以製備黏著劑之黏著劑組成物。

具體而言，透明電極係藉由真空沉積或濺鍍等形成於用作基板之玻璃或聚合物膜上，由例如電洞傳輸層、發光層、電子傳輸層等構成的發光有機材料層係形成於該透明電極上，然後電極層係進一步形成於其上以形成有機電子元件。隨後，放置經歷上述製程之在基板上的有機電子元件之全部表面以用封裝膜的封裝層覆蓋。

本申請案提供一種封裝膜，其可形成具有自外部流入有機電子裝置之濕氣或氧可被有效阻擋的結構、具有優異處理性質及加工性、以及具有優異的與有機電子元件之結合性質及耐久性。

1‧‧‧封裝膜

2‧‧‧基板

11‧‧‧金屬層

12‧‧‧封裝層

13‧‧‧黏著層

14‧‧‧保護層

21‧‧‧有機電子元件

111‧‧‧第一表面

112‧‧‧第二表面

121‧‧‧封裝層之第一層或第二層

122‧‧‧封裝層之第一層或第二層

a‧‧‧間隙之尺寸(寬度)

b‧‧‧封裝層之厚度

c‧‧‧經固化部分之尺寸(寬度)

d‧‧‧傾斜部分之尺寸(寬度)

e‧‧‧突出之尺寸

圖1至3顯示根據本發明實施例之封裝膜的橫斷面圖；以及圖4為根據本發明實施例之有機電子裝置的橫斷面圖。

下文，將參考實施例及對照實例更詳細說明上述內容。然而，本申請案不局限於以下實例。

實施例1 封裝層之第一層溶液的製備

製備其中50g之環氧樹脂(KSR 177，Kukdo Chemical Co.,Ltd)、50g之環氧樹脂(YD-014，Kukdo Chemical Co.,Ltd)及50g之苯氧基樹脂(YP-55，Tohto Kasei Co.,Ltd)係用甲基乙基酮稀釋的溶液(固體含量為70%)，然後予以均質化。將3g之咪唑(固化劑，Shikoku Chemicals Corporation)添加至該經均質化溶液，然後以高速攪拌1小時以製備第一層溶液。

封裝層之第二層溶液的製備

作為吸濕劑，製備CaO(平均粒度為小於5μm)溶液(固體含量為50%)。再者，除此之外，製備其中200g之丁基橡膠樹脂(BT-20，Sunwoo Chem-Tech Co.,Ltd)及60g之DCPD系石油樹脂(SU5270，Sunwoo Chem-Tech Co.,Ltd)係用甲苯稀釋之溶液(固體含量為50%)，然後予以均質化。將10g之光固化劑(TMPTA，Miwon Commercial Co.,Ltd)及15g之光引發劑(Irgacure 819，Ciba)添加至該經均質化溶液、予以均質化，然後於其中添加100g之CaO溶液，並以高速攪拌1小時以製備第二層溶液。

封裝層之製備

上述製備之第一層溶液係使用缺角輪塗覆器(comma coater)施加在脫離PET之脫離表面上，然後在130℃之乾燥機中乾燥3分鐘以形成具有厚度為30μm之第一層。

上述製備之第二層溶液係使用缺角輪塗覆器施加在脫離PET之脫離表面上，然後在130℃之乾燥機中乾燥3分鐘以形成具有厚度為20μm之第二層。

將第一層及第二層層壓以製備多層封裝層。

封裝膜之製造

將附著至如此製備之封裝層的雙側之經脫離處理的PET分離，以及層壓封裝層以使第二層與事先製備之金屬層(Invar)的表面接觸。

封裝層係使用波長區在9.4μm、頻率為10KHz、輸出為200W以及裁切速率為700mm/s之CO₂雷射藉由調整聚焦高度裁切，以使束尺寸為150μm，然後金屬層之一側係使用波長區在10.6μm、輸出為100W且裁切速率為700mm/s之光纖電射裁切。經由裁切製程，製造封裝膜以使在金屬層的邊緣以及封裝層的邊緣之間形成具有尺寸為100μm的間隙(a)。

實施例2

封裝膜係以與實施例1相同方式製造，但藉由調整CO₂雷射之輸出及高度裁切，以使束之尺寸為250μm，然後金屬層係使用切片刀裁切，以使介於金屬層之一側與對應於金屬層該側之封裝層的一側之間的間隙(a)具有尺寸為200μm。

實施例3

封裝膜係以與實施例1相同方式製造，但在封裝層之製備時第一層具有厚度為40μm以及第二層具有厚度為10μm，以及金屬層係使用CO₂雷射及光纖雷射裁 切，以使介於金屬層之一側與對應於金屬層該側之封裝層的一側之間的間隙(a)具有尺寸為1,000μm。

實施例4

封裝膜係以與實施例1相同方式製造，但在封裝層之製備時第一層具有厚度為10μm以及第二層具有厚度為40μm，以及金屬層係使用CO₂雷射及光纖雷射裁切，以使介於金屬層之一側與對應於金屬層該側之封裝層的一側之間的間隙(a)具有尺寸為50μm。

實施例5 封裝層之第二層溶液的製備

製備其中200g之丁基橡膠樹脂(BT-20，Sunwoo Chem-Tech Co.,Ltd)及60g之DCPD系石油樹脂(SU5270，Sunwoo Chem-Tech Co.,Ltd)係用甲苯稀釋之溶液(固體含量為50%)，然後予以均質化。將10g之光固化劑(TMPTA，Miwon Commercial Co.,Ltd)及15g之光引發劑(Irgacure 819，Ciba)添加至該經均質化溶液以及予以均質化以製備第二層溶液。

除此之外，作為吸濕劑，製備CaO(平均粒度為小於5μm)溶液(固體含量為50%)。除了第二層溶液之外，添加100g之CaO溶液然後以高速攪拌1小時，以製備其他第二層溶液。

封裝層之製備

包含吸濕劑之第二層溶液係使用缺角輪塗覆器施加在脫離PET之脫離表面上，然後在130℃之乾燥機中乾燥3分鐘以形成具有厚度為30μm之第二層。

不包含吸濕劑之第二層溶液係使用缺角輪塗覆器施加在脫離PET之脫離表面上，然後在130℃之乾燥機中乾燥3分鐘以形成具有厚度為20μm之第二層。

將第二層層壓以製備多層封裝層。

封裝膜之製造

封裝膜係以與實施例1相同方式製造，但金屬層係經裁切以使間隙(a)具有尺寸為50μm。

對照實例1

封裝膜係以與實施例1相同方式製造，但當製造封裝膜時，金屬層係經裁切，以使介於金屬層之一側與對應於金屬層該側之封裝層的一側之間的間隙(a)具有尺寸為20μm。

對照實例2

封裝膜係以與實施例1相同方式製造，但當製造封裝膜時，金屬層係經裁切以使介於金屬層之一側與對應於金屬層該側之封裝層的一側之間的間隙(a)具有尺寸為1,500μm。

對照實例3

使用木製切刀將實施例1中所製備之封裝層裁切成方形片，然後經由化學蝕刻裁切金屬層，以使介於金屬層之一側與對應於金屬層該側之封裝層的一側之間的間隙(a)具有尺寸為45μm。然後，封裝膜係以與實施例1相同方式製造，但封裝層及金屬層係經由在70℃輥軋而附著，以使間隙具有尺寸為45μm。

對照實例4

封裝膜係藉由經由在70℃輥軋而層壓在實施例1中所製備之封裝層及金屬層所製造。使用木製切刀將封裝膜裁切成方形片。在該情況下，封裝層及金屬層係同時裁切，如此製造其中介於金屬層之一側與對應於金屬層該側之封裝層的一側之間的間隙(a)具有尺寸為0μm之封裝膜。

實驗實例1.固化程度之測量

使用拉曼(Raman)顯微鏡測量實施例及對照實例中所製造之封裝膜的邊緣之固化程度。將來自封裝層最外周邊朝向內部之於908cm^-1且間隔為10μm的環氧基峰之高度予以分析以推導出固化速率。

測量未固化之樣本的可固化官能基峰(P1)，以及測量待測量其固化程度且在實施例及對照實例中所製造 之樣本的可固化官能基峰值(P2)，推導出其變化量(P1-P2)。固化程度可由(P1-P2)/P1×100計算。

實驗實例2.結合及固化時之污染

將有機電子元件沉積在玻璃基板上，使用真空結合機在50℃、真空度為50mTorr、以及0.4MPa之條件下將實施例及對照實例中所製造之封裝膜結合於該元件上，然後在100℃進行固化製程3小時，以製造有機電子面板。

測定是否因發生自金屬層端緣至外部之封裝層溢流而造成有機電子裝置面板中的污染及對準誤差。其中金屬層邊緣的外部發生溢流之情況係表示為「污染」，其中未發生溢流之情況表示為「X」。

實驗實例3.根據金屬層邊緣之彎曲測量燃燒的發生

將有機電子元件形成於TFT上，使用真空結合機在50℃、真空度為50mTorr、以及0.4MPa之條件下將實施例及對照實例中所製造之封裝膜結合於該元件上，然後在100℃進行固化製程3小時，以製造有機電子面板。

然後，確認當施加電流以操作元件時因燃燒所造成的元件劣化或不發光現象。其中金屬層端緣與TFT基板上之金屬線接觸的情況以及其中因電流集中在局部區域之現象而發生燃燒的情況係表示為「O」。其中無燃燒之情況係表示為「X」。

Claims (20)

1. 一種封裝膜，其包含：金屬層，其具有第一表面及相對於該第一表面之第二表面；以及封裝層，其設置在該第一表面上且位於該第一表面的邊緣內部，因此在其一些區域的邊緣與該第一表面的邊緣之間形成預定間隙，且滿足下列一般方程式1：[一般方程式1]0.95

   

   a/b

   

   25其中「a」為該間隙尺寸，且b為該封裝層之厚度。
2. 如申請專利範圍第1項之封裝膜，其中該封裝層包含在其一些區域的邊緣之經固化部分。
3. 如申請專利範圍第2項之封裝膜，其中該經固化部分具有的寬度範圍自10μm至1,100μm。
4. 如申請專利範圍第1項之封裝膜，其中該間隙之尺寸a係在20μm至1,200μm之範圍。
5. 如申請專利範圍第1項之封裝膜，其中該金屬層包含在其第二表面的一些區域之邊緣具有尺寸為50μm或更小的突出。
6. 如申請專利範圍第1項之封裝膜，其中該金屬層包含金屬、金屬氧化物、金屬氮化物、金屬碳化物、金屬氮氧化物、金屬硼氧化物(oxyboride)、及其混合物中之任一者。
7. 如申請專利範圍第1項之封裝膜，其中該金屬層包含鐵、鋁、銅、鎳、氧化矽、氧化鋁、氧化鈦、氧化銦、氧化錫、銦錫氧化物、氧化鉭、氧化鋯、氧化鈮、及其混合物中之任一者。
8. 如申請專利範圍第1項之封裝膜，其另外包含設置在該金屬層之第二表面上的保護層以及設置在該金屬層與該保護層之間的黏著層。
9. 如申請專利範圍第1項之封裝膜，其中該封裝層係形成為具有單一層或二或更多層。
10. 如申請專利範圍第1項之封裝膜，其中該封裝層包含第一層，該第一層包含具有玻璃轉化溫度為85℃或更高之封裝樹脂。
11. 如申請專利範圍第1項之封裝膜，其中該封裝層包含第二層，該第二層包含具有玻璃轉化溫度為0℃或更低之封裝樹脂。
12. 如申請專利範圍第1項之封裝膜，其中該封裝層包含吸濕劑。
13. 一種製造如申請專利範圍第1項之封裝膜的方法，其包含裁切封裝層之一側。
14. 如申請專利範圍第13項之方法，其包含裁切金屬層之一側。
15. 如申請專利範圍第13項之方法，其中該裁切封裝層之一側係使用CO₂雷射或光纖雷射進行。
16. 如申請專利範圍第14項之方法，其中該裁切金屬層之一側係使用CO₂雷射、光纖雷射或切刀(knife cutter)進行。
17. 如申請專利範圍第13項之方法，其中該裁切封裝層之一側係使用具有尺寸為30μm至1,000μm之雷射束進行。
18. 如申請專利範圍第14項之方法，其中該裁切金屬層之一側係使用具有尺寸為1μm至30μm之雷射束進行。
19. 一種有機電子裝置，其包含基板、形成於該基板上之有機電子元件、及經組態以封裝該有機電子元件之全部表面的如申請專利範圍第1項之封裝膜。
20. 一種製造有機電子裝置之方法，其包含：將如申請專利範圍第1項之封裝膜施加至具有其上形成有機電子元件之基板以覆蓋該有機電子元件；以及固化該封裝膜。