JP2019512885A5 - - Google Patents
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Claims (16)
- 第1及び第2の第1導電型エミッタ/コレクタ領域を第2導電型半導体ダイの第1及び第2のそれぞれの表面上に備え、第1及び第2エミッタ接合と、前記第1エミッタ/コレクタ領域と同一表面上の第1ベース接触領域と、前記第2エミッタ/コレクタ領域と同一表面上の第2ベース接触領域と、を個別に規定し、両方のベース接触領域が、前記第2導電型半導体ダイに対してオーミック接触を個別に形成する、電力半導体デバイスと、
オンの場合に、前記第1ベース接触領域を前記第1エミッタ/コレクタに動作可能に接続する第1駆動トランジスタ、及び、オンの場合に、前記第2ベース接触領域を前記第2エミッタ/コレクタ領域に動作可能に接続する第2駆動トランジスタと、
電圧スルーレートを前記第1及び第2エミッタ/コレクタ領域にわたって電気的に接続して、前記第1及び第2エミッタ/コレクタ領域のどちらもが、動作しているエミッタになる、前記駆動トランジスタを作動させ、前記エミッタ/コレクタ領域と、該エミッタ/コレクタ領域に対応するベース接触領域との間の電圧を制限するように動作可能に接続された過渡結合回路と、
導通のターンオン及びターンオフを制御するために前記第1及び第2ベース接触領域を独立して駆動し、前記第1駆動トランジスタ及び第2駆動トランジスタが前記エミッタ/コレクタ領域のうちの少なくとも1つを、該少なくとも1つに対応するベース接触領域に接続するスイッチング位相を含む、制御回路と、
を備え、
前記第1エミッタ接合上の順方向電圧が、前記第1エミッタ接合の固有の順方向ダイオード電圧降下より低く制限され、前記第2エミッタ接合上の順方向電圧が、前記第2エミッタ接合の固有の順方向ダイオード電圧降下より低く制限されることにより、前記制御回路が作動しない場合に漏れ電流が増幅されず、ブレークダウン電圧が漏れ電流の増幅により低下しない、
スイッチング回路。 - 請求項1に記載のスイッチング回路であって、
前記ダイは、シリコンである、
スイッチング回路。 - 請求項1又は2に記載のスイッチング回路であって、
前記第1の前記表面上の前記エミッタ/コレクタ領域は、前記第2の前記表面上の前記エミッタ/コレクタ領域に電気的に接続されない、
スイッチング回路。 - 請求項1から3のいずれか1項に記載のスイッチング回路であって、
前記第1の前記表面上の前記ベース接触領域は、前記半導体ダイ自体を通ることを除き、前記第2の前記表面上の前記ベース接触領域に電気的に接続されない、
スイッチング回路。 - 第1及び第2の第1導電型エミッタ/コレクタ領域を第2導電型半導体ダイの第1及び第2のそれぞれの表面上に備え、第1及び第2エミッタ接合と、前記第1及び第2エミッタ/コレクタ領域とそれぞれ同一の2つの表面上の第1及び第2ベース接触領域とを個別に規定し、両方のベース接触領域が、前記第2導電型半導体ダイに対して、オーミック接触を個別に形成する、電力半導体デバイスと、
オンの場合に、前記第1ベース接触領域を前記第1エミッタ/コレクタに動作可能に接続する第1駆動トランジスタ、及び、オンの場合に、前記第2ベース接触領域を、前記第2エミッタ/コレクタ領域に動作可能に接続する第2駆動トランジスタと、
前記エミッタ/コレクタ領域のうちのコレクタ側の1つから電圧スルーレートを電気的に接続して、反対側の前記エミッタ/コレクタの前記駆動トランジスタを作動させる過渡結合回路と、
前記第1及び第2ベース接触領域を独立して駆動し、前記第1駆動トランジスタ及び/または前記第2駆動トランジスタが前記エミッタ/コレクタ領域のうちの少なくとも1つを該少なくとも1つに対応する前記ベース接触領域に接続するスイッチング位相を含む、制御回路と、
を備え、
前記第1エミッタ接合上の順方向電圧が、前記第1エミッタ接合の固有の順方向ダイオード電圧降下よりも低くなるように制限され、前記第2エミッタ接合上の順方向電圧が、前記第2エミッタ接合の固有の前記順方向ダイオード電圧降下よりも低く制限される、
スイッチング回路。 - 請求項5に記載のスイッチング回路であって、
前記ダイは、シリコンである、
スイッチング回路。 - 請求項5又は6に記載のスイッチング回路であって、
前記第1の前記表面上の前記エミッタ/コレクタ領域は、前記第2の前記表面上の前記エミッタ/コレクタ領域に電気的に接続されない、
スイッチング回路。 - 請求項5から7のいずれか1項に記載のスイッチング回路であって、
前記第1の前記表面上の前記ベース接触領域は、前記半導体ダイ自体を通ることを除き、前記第2の前記表面上の前記ベース接触領域に電気的に接続されない、
スイッチング回路。 - 第1及び第2の第1導電型エミッタ/コレクタ領域を第2導電型半導体ダイのそれぞれの表面上に備え、第1及び第2エミッタ接合と、前記第1エミッタ/コレクタ領域と同一表面上の第1ベース接触領域と、前記第2エミッタ/コレクタ領域と同一表面上の第2ベース接触領域と、を個別に規定し、両方のベース接触領域が、前記半導体ダイに対してオーミック接触を個別に形成する、電力半導体デバイスと、
オンの場合に、前記第1ベース接触領域を前記第1エミッタ/コレクタに動作可能に接続する第1駆動トランジスタ、及び、オンの場合に、前記第2ベース接触領域を前記第2エミッタ/コレクタ領域に動作可能に接続する第2駆動トランジスタと、
少なくとも1つの直列抵抗を備え、電圧スルーを前記エミッタ/コレクタ領域にわたって電気的に接続して、前記エミッタ/コレクタ領域のどちらもが前記エミッタになる前記駆動トランジスタを作動させ、前記エミッタ/コレクタ領域と、該エミッタ/コレクタ領域に対応するベース接触領域との間の電圧を制限するように動作可能に接続された過渡結合回路と、
導通のターンオン及びターンオフを制御するために前記第1及び第2ベース接触領域を独立して駆動し、前記第1駆動トランジスタ及び第2駆動トランジスタが前記エミッタ/コレクタ領域のうちの少なくとも1つを、該少なくとも1つに対応するベース接触領域に接続するスイッチング位相を含む、制御回路と、
を備え、
前記第1エミッタ接合上の順方向電圧が、前記第1エミッタ接合の固有の順方向ダイオード電圧降下より低く制限され、前記第2エミッタ接合上の順方向電圧が、前記第2エミッタ接合の固有の順方向ダイオード電圧降下より低く制限されることにより、前記制御回路が作動しない場合に漏れ電流が増幅されず、ブレークダウン電圧が漏れ電流の増幅により低下しない、
スイッチング回路。 - 請求項9に記載のスイッチング回路であって、
前記半導体ダイは、シリコンである、
スイッチング回路。 - 請求項9又は10に記載のスイッチング回路であって、
前記半導体ダイ自体を通ることを除き、前記第1の前記表面上の前記エミッタ/コレクタ領域は、前記第2の前記表面上の前記エミッタ/コレクタ領域に電気的に接続されない、
スイッチング回路。 - 請求項9から11のいずれか1項に記載のスイッチング回路であって、
前記第1の前記表面上の前記ベース接触領域は、前記半導体ダイ自体を通ることを除き、前記第2の前記表面上の前記ベース接触領域に電気的に接続されない、
スイッチング回路。 - 請求項9から12のいずれか1項に記載のスイッチング回路であって、
前記第1及び第2の第1導電型エミッタ/コレクタ領域は両方ともn型である、
スイッチング回路。 - 請求項9から13のいずれか1項に記載のスイッチング回路であって、
前記第2導電型半導体ダイはp型である、
スイッチング回路。 - 請求項9から14のいずれか1項に記載のスイッチング回路であって、
前記第1及び第2ベース接触領域は両方ともp型である、
スイッチング回路。 - 請求項9から15のいずれか1項に記載のスイッチング回路であって、
前記過渡結合回路は、いかなる直列接続された能動デバイスも含まない
スイッチング回路。
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