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Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10510575B2 (en) 2017-09-20 2019-12-17 Applied Materials, Inc. Substrate support with multiple embedded electrodes
US10555412B2 (en) 2018-05-10 2020-02-04 Applied Materials, Inc. Method of controlling ion energy distribution using a pulse generator with a current-return output stage
JP6846387B2 (ja) * 2018-06-22 2021-03-24 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
US11476145B2 (en) 2018-11-20 2022-10-18 Applied Materials, Inc. Automatic ESC bias compensation when using pulsed DC bias
JP7250663B2 (ja) * 2018-12-19 2023-04-03 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びインピーダンスの整合方法
US11361947B2 (en) * 2019-01-09 2022-06-14 Tokyo Electron Limited Apparatus for plasma processing and method of etching
WO2020154310A1 (en) 2019-01-22 2020-07-30 Applied Materials, Inc. Feedback loop for controlling a pulsed voltage waveform
US11508554B2 (en) 2019-01-24 2022-11-22 Applied Materials, Inc. High voltage filter assembly
KR20220161452A (ko) 2020-03-31 2022-12-06 램 리써치 코포레이션 염소 (chlorine) 를 사용한 고 종횡비 유전체 에칭
US11848176B2 (en) 2020-07-31 2023-12-19 Applied Materials, Inc. Plasma processing using pulsed-voltage and radio-frequency power
US11901157B2 (en) 2020-11-16 2024-02-13 Applied Materials, Inc. Apparatus and methods for controlling ion energy distribution
US11798790B2 (en) 2020-11-16 2023-10-24 Applied Materials, Inc. Apparatus and methods for controlling ion energy distribution
US11495470B1 (en) 2021-04-16 2022-11-08 Applied Materials, Inc. Method of enhancing etching selectivity using a pulsed plasma
US11948780B2 (en) 2021-05-12 2024-04-02 Applied Materials, Inc. Automatic electrostatic chuck bias compensation during plasma processing
US11791138B2 (en) 2021-05-12 2023-10-17 Applied Materials, Inc. Automatic electrostatic chuck bias compensation during plasma processing
US11967483B2 (en) 2021-06-02 2024-04-23 Applied Materials, Inc. Plasma excitation with ion energy control
US12148595B2 (en) 2021-06-09 2024-11-19 Applied Materials, Inc. Plasma uniformity control in pulsed DC plasma chamber
US20220399185A1 (en) 2021-06-09 2022-12-15 Applied Materials, Inc. Plasma chamber and chamber component cleaning methods
US11810760B2 (en) 2021-06-16 2023-11-07 Applied Materials, Inc. Apparatus and method of ion current compensation
US11569066B2 (en) 2021-06-23 2023-01-31 Applied Materials, Inc. Pulsed voltage source for plasma processing applications
US11776788B2 (en) 2021-06-28 2023-10-03 Applied Materials, Inc. Pulsed voltage boost for substrate processing
US11476090B1 (en) 2021-08-24 2022-10-18 Applied Materials, Inc. Voltage pulse time-domain multiplexing
US12106938B2 (en) 2021-09-14 2024-10-01 Applied Materials, Inc. Distortion current mitigation in a radio frequency plasma processing chamber
CN118202449A (zh) * 2021-11-03 2024-06-14 朗姆研究公司 高深宽比等离子体蚀刻中的含金属表面的改性
US11694876B2 (en) 2021-12-08 2023-07-04 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for delivering a plurality of waveform signals during plasma processing
US11972924B2 (en) 2022-06-08 2024-04-30 Applied Materials, Inc. Pulsed voltage source for plasma processing applications
US12315732B2 (en) 2022-06-10 2025-05-27 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for etching a semiconductor substrate in a plasma etch chamber
US12272524B2 (en) 2022-09-19 2025-04-08 Applied Materials, Inc. Wideband variable impedance load for high volume manufacturing qualification and on-site diagnostics
US12111341B2 (en) 2022-10-05 2024-10-08 Applied Materials, Inc. In-situ electric field detection method and apparatus

Family Cites Families (61)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3210469B2 (ja) 1993-03-12 2001-09-17 株式会社日立製作所 半導体集積回路装置の製造方法
US5352324A (en) * 1992-11-05 1994-10-04 Hitachi, Ltd. Etching method and etching apparatus therefor
US5614060A (en) * 1995-03-23 1997-03-25 Applied Materials, Inc. Process and apparatus for etching metal in integrated circuit structure with high selectivity to photoresist and good metal etch residue removal
JP3612158B2 (ja) * 1996-11-18 2005-01-19 スピードファム株式会社 プラズマエッチング方法及びその装置
KR100521120B1 (ko) * 1998-02-13 2005-10-12 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼 반도체소자의 표면처리방법 및 장치
WO1999046810A1 (en) * 1998-03-12 1999-09-16 Hitachi, Ltd. Method for processing surface of sample
US7212078B2 (en) * 2003-02-25 2007-05-01 Tokyo Electron Limited Method and assembly for providing impedance matching network and network assembly
US9997338B2 (en) * 2005-03-24 2018-06-12 Oerlikon Surface Solutions Ag, Pfäffikon Method for operating a pulsed arc source
JP4408423B2 (ja) 2005-03-25 2010-02-03 シャープ株式会社 トナー濃度センサの校正方法および現像システム
JP5491648B2 (ja) * 2006-10-06 2014-05-14 東京エレクトロン株式会社 プラズマエッチング装置およびプラズマエッチング方法
JP5192209B2 (ja) * 2006-10-06 2013-05-08 東京エレクトロン株式会社 プラズマエッチング装置、プラズマエッチング方法およびコンピュータ読取可能な記憶媒体
JP5514413B2 (ja) * 2007-08-17 2014-06-04 東京エレクトロン株式会社 プラズマエッチング方法
JP4607930B2 (ja) * 2007-09-14 2011-01-05 株式会社東芝 プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
US20090139963A1 (en) * 2007-11-30 2009-06-04 Theodoros Panagopoulos Multiple frequency pulsing of multiple coil source to control plasma ion density radial distribution
JP5319150B2 (ja) * 2008-03-31 2013-10-16 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法及びコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
JP2010108997A (ja) * 2008-10-28 2010-05-13 Tokyo Electron Ltd プラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置及びコンピュータ記憶媒体
EP2236641B1 (de) * 2009-03-30 2011-10-05 Oerlikon Trading AG, Trübbach Verfahren zur Vorbehandlung von Substraten fuer PVD Verfahren
JP5466480B2 (ja) * 2009-02-20 2014-04-09 東京エレクトロン株式会社 プラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置および記憶媒体
JP5662079B2 (ja) * 2010-02-24 2015-01-28 東京エレクトロン株式会社 エッチング処理方法
JP5486383B2 (ja) * 2010-04-13 2014-05-07 富士フイルム株式会社 ドライエッチング方法及び装置
US9295148B2 (en) * 2012-12-14 2016-03-22 Lam Research Corporation Computation of statistics for statistical data decimation
US10157729B2 (en) * 2012-02-22 2018-12-18 Lam Research Corporation Soft pulsing
US9043525B2 (en) * 2012-12-14 2015-05-26 Lam Research Corporation Optimizing a rate of transfer of data between an RF generator and a host system within a plasma tool
US20140273487A1 (en) * 2013-03-13 2014-09-18 Applied Materials, Inc. Pulsed dc plasma etching process and apparatus
CN103295870B (zh) * 2013-06-05 2016-05-04 中微半导体设备(上海)有限公司 等离子体刻蚀设备及刻蚀方法
JP6180824B2 (ja) * 2013-07-02 2017-08-16 東京エレクトロン株式会社 プラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置
US9318304B2 (en) * 2013-11-11 2016-04-19 Applied Materials, Inc. Frequency tuning for dual level radio frequency (RF) pulsing
JP6295119B2 (ja) * 2014-03-25 2018-03-14 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置
JP6327970B2 (ja) * 2014-06-19 2018-05-23 東京エレクトロン株式会社 絶縁膜をエッチングする方法
KR102247560B1 (ko) * 2014-07-14 2021-05-03 삼성전자 주식회사 Rps에서의 플라즈마 생성방법, 및 그 플라즈마 생성방법을 포함한 반도체 소자 제조방법
JP6512962B2 (ja) * 2014-09-17 2019-05-15 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US10192721B2 (en) * 2014-12-12 2019-01-29 Daihen Corporation High-frequency power source
US9779919B2 (en) * 2015-01-09 2017-10-03 Hitachi High-Technologies Corporation Plasma processing apparatus and plasma processing method
JP6396822B2 (ja) * 2015-02-16 2018-09-26 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置のサセプタの電位を制御する方法
JP6479562B2 (ja) * 2015-05-07 2019-03-06 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置の処理条件生成方法及びプラズマ処理装置
KR102553462B1 (ko) * 2015-07-21 2023-07-10 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법
US9947514B2 (en) * 2015-09-01 2018-04-17 Mks Instruments, Inc. Plasma RF bias cancellation system
JP6670692B2 (ja) * 2015-09-29 2020-03-25 株式会社日立ハイテク プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
US9788405B2 (en) * 2015-10-03 2017-10-10 Applied Materials, Inc. RF power delivery with approximated saw tooth wave pulsing
WO2017126184A1 (ja) * 2016-01-18 2017-07-27 株式会社 日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置
US9577516B1 (en) * 2016-02-18 2017-02-21 Advanced Energy Industries, Inc. Apparatus for controlled overshoot in a RF generator
US10229816B2 (en) * 2016-05-24 2019-03-12 Mks Instruments, Inc. Solid-state impedance matching systems including a hybrid tuning network with a switchable coarse tuning network and a varactor fine tuning network
JP6770868B2 (ja) * 2016-10-26 2020-10-21 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置のインピーダンス整合のための方法
JP6697372B2 (ja) * 2016-11-21 2020-05-20 キオクシア株式会社 ドライエッチング方法及び半導体装置の製造方法
JP6820775B2 (ja) * 2017-03-17 2021-01-27 株式会社日立ハイテク エッチング方法及びプラズマ処理装置
KR102475069B1 (ko) * 2017-06-30 2022-12-06 삼성전자주식회사 반도체 제조 장치, 이의 동작 방법
KR102435263B1 (ko) * 2017-07-25 2022-08-23 삼성전자주식회사 플라즈마 처리 장치 및 방법, 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
JP7045152B2 (ja) * 2017-08-18 2022-03-31 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
JP6937644B2 (ja) * 2017-09-26 2021-09-22 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
PL3711080T3 (pl) * 2017-11-17 2023-12-11 Aes Global Holdings, Pte. Ltd. Zsynchronizowane pulsowanie źródła przetwarzania plazmy oraz polaryzacji podłoża
WO2019099937A1 (en) * 2017-11-17 2019-05-23 Advanced Energy Industries, Inc. Improved application of modulating supplies in a plasma processing system
JP2019186099A (ja) * 2018-04-12 2019-10-24 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US10555412B2 (en) * 2018-05-10 2020-02-04 Applied Materials, Inc. Method of controlling ion energy distribution using a pulse generator with a current-return output stage
JP6846387B2 (ja) * 2018-06-22 2021-03-24 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
JP7175239B2 (ja) * 2018-06-22 2022-11-18 東京エレクトロン株式会社 制御方法、プラズマ処理装置、プログラム及び記憶媒体
JP7101096B2 (ja) * 2018-10-12 2022-07-14 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
US11017985B2 (en) * 2018-12-19 2021-05-25 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus, impedance matching method, and plasma processing method
JP7122268B2 (ja) * 2019-02-05 2022-08-19 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
CN116844934A (zh) * 2019-02-05 2023-10-03 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置
US11177115B2 (en) * 2019-06-03 2021-11-16 Applied Materials, Inc. Dual-level pulse tuning
US11232931B2 (en) * 2019-10-21 2022-01-25 Mks Instruments, Inc. Intermodulation distortion mitigation using electronic variable capacitor

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