JP2019202925A

JP2019202925A - 炭化珪素単結晶製造装置および炭化珪素単結晶の製造方法

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Publication number: JP2019202925A
Application number: JP2018100904A
Authority: JP
Inventors: 信之大矢; Nobuyuki Oya
Original assignee: Denso Corp
Current assignee: Denso Corp
Priority date: 2018-05-25
Filing date: 2018-05-25
Publication date: 2019-11-28
Anticipated expiration: 2038-05-25
Also published as: CN112166210A; US20210040645A1; CN112166210B; WO2019225697A1; JP7255089B2

Abstract

【課題】ファセット面での異種多形や異方位結晶の発生する確率を低下させることができるＳｉＣ単結晶製造装置およびＳｉＣ単結晶の製造方法を提供する。【解決手段】種結晶５が設置される台座１０と、原料ガス３ａを供給するガス供給機構２、３と、原料ガスを加熱して分解する加熱装置１２と、台座１０を回転させる回転機構１１とを有するＳｉＣ単結晶製造装置１において、台座１０の中心軸を回転中心Ｒに対して偏心させることで、種結晶５およびＳｉＣ単結晶６の成長面の中心を回転中心Ｒから偏心させる。そして、種結晶５のうちオフ方向の下流側が位置する点Ａを台座１０のうち最もシャフト１１ａの中心軸に近い側に配置する。【選択図】図１

Description

本発明は、炭化珪素（以下、ＳｉＣという）単結晶で構成される種結晶に対して原料ガスを供給することでＳｉＣ単結晶の製造を行うＳｉＣ単結晶製造装置およびＳｉＣ単結晶の製造方法に関するものである。

従来より、ＳｉＣ原料ガスをＳｉＣ単結晶で構成された種結晶の成長面に供給し、種結晶の上にＳｉＣ単結晶を成長させるガス成長法によるＳｉＣ単結晶製造装置やＳｉＣ単結晶の製造方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。

種結晶には、成長面が（０００１）Ｃ面から所定のオフ角傾斜したオフ基板が用いられ、種結晶の成長面上にステップフロー成長させることによって、ＳｉＣ単結晶が成長させられる。また、ＳｉＣ単結晶の成長表面の温度分布の緩和などのために、種結晶を貼り付ける台座を回転機構によって回転させてＳｉＣ単結晶の成長が行われる。

特開２０１４―２４０３３６号公報

ＳｉＣ単結晶を成長させる際に、結晶成長における欠陥となる異種多形や異方位結晶のほとんどは、成長面のうち（０００１）Ｃ面と一致した面となるファセット面において発生する。上記したように、オフ基板とされた種結晶の上にＳｉＣ単結晶を成長させる際には、ＳｉＣ単結晶における外縁部の一部に偏った位置にファセット面が形成され、その位置に欠陥の要因となる異種多形や異方位結晶が発生する。そして、ガス成長法において、台座と共に種結晶を回転させながらＳｉＣ単結晶を成長させる場合、台座や種結晶とこれらを囲む円筒状の加熱容器との距離が均等とされているため、ファセット面が加熱容器の壁面に近い位置で形成される。

ＳｉＣ単結晶の成長表面の周囲において、加熱容器の壁面が均一な温度であるのが理想的であるが、実際には温度バラツキが存在する。また、ガス供給口から供給されるＳｉＣ原料ガスについても、ＳｉＣ単結晶の成長面の中心に対してバラツキ無く均等に、つまり回転対称となるように供給されるのが理想的であるが、実際には供給バラツキが存在する。特に、台座よりも上方に備えられるガス排出口の配置位置によってＳｉＣ原料ガスの流れ方が変動し、ＳｉＣ原料ガスの供給が均等に行われなくなる。このように、加熱容器の壁面の温度バラツキやガス流れのバラツキなど、成長条件の変動要因が大きく、ファセット面において異種多形や異方位結晶が発生する確率を高くしている。

本発明は上記点に鑑みて、ファセット面での異種多形や異方位結晶の発生する確率を低下させることができるＳｉＣ単結晶製造装置およびＳｉＣ単結晶の製造方法を提供することを目的とする。

上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明は、反応室を構成する中空部を有する筒形状の坩堝（９）と、坩堝における中空部内に配置され、一面に炭化珪素単結晶（６）の成長用の種結晶（５）が設置されると共に、種結晶が配置される一面が円形状とされた台座（１０）と、台座よりも下方より、種結晶の表面に炭化珪素単結晶を成長させるための炭化珪素原料ガス（３ａ）を供給するガス供給機構（３）と、炭化珪素原料ガスを加熱して分解する加熱装置（１２）と、台座を回転させることで、種結晶を回転させながら炭化珪素単結晶の成長を行わせる回転機構（１１）と、を有し、台座の中心軸が該台座の回転中心（Ｒ）から偏心させられている。

このように、台座の中心軸が台座の回転中心から偏心させられるようにしている。このため、種結晶のうちオフ方向の下流側が位置する点を台座のうち最も回転中心に近い側に配置してＳｉＣ単結晶を成長させると、ＳｉＣ単結晶のうちファセット面が形成される側を坩堝の内壁面から離せる。したがって、坩堝の壁面の温度バラツキの影響が緩和できると共に、ガス流れのバラツキの影響も緩和できる。したがって、ＳｉＣ単結晶のファセット面での異種多形や異方位結晶の発生する確率を低下させることが可能となる。

なお、各構成要素等に付された括弧付きの参照符号は、その構成要素等と後述する実施形態に記載の具体的な構成要素等との対応関係の一例を示すものである。

第１実施形態にかかるＳｉＣ単結晶製造装置の断面図である。種結晶を台座へ貼り合わせた時の様子を示した図である。種結晶のうちファセット面が形成される側となる点Ａとその反対側となる点Ｂの軌跡を示した図である。種結晶の成長面上にＳｉＣ単結晶が成長したときの様子を示した図である。第２実施形態にかかるＳｉＣ単結晶製造装置の断面図である。第３実施形態にかかるＳｉＣ単結晶製造装置の断面図である。

以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、同一符号を付して説明を行う。

（第１実施形態）
図１に示すＳｉＣ単結晶製造装置１は、長尺成長によってＳｉＣ単結晶インゴットを製造するのに用いられるものであり、図１の紙面上下方向が天地方向に向くようにして設置される。

具体的には、ＳｉＣ単結晶製造装置１は、ガス供給口２を通じてガス供給源３からのＳｉＣ原料ガスを含む供給ガス３ａを流入させると共に、ガス排出口４を通じて未反応ガスを排出することで、ＳｉＣ単結晶基板からなる種結晶５上にＳｉＣ単結晶６を成長させる。

ＳｉＣ単結晶製造装置１には、ガス供給源３、真空容器７、断熱材８、加熱容器９、台座１０、回転引上機構１１および第１、第２加熱装置１２、１３が備えられている。

ガス供給源３は、キャリアガスと共にＳｉおよびＣを含有するＳｉＣ原料ガス、例えばシラン等のシラン系ガスとプロパン等の炭化水素系ガスの混合ガスをガス供給口２より供給する。このガス供給源３等により、種結晶５に対して下方からＳｉＣ原料ガスを供給するガス供給機構が構成されている。

真空容器７は、石英ガラスなどで構成され、中空部を有する筒形状、本実施形態の場合は円筒形状をなしており、供給ガス３ａの導入導出が行える構造とされている。また、真空容器７は、ＳｉＣ単結晶製造装置１の他の構成要素を収容すると共に、その収容している内部空間の圧力を真空引きすることにより減圧できる構造とされている。この真空容器７の底部に供給ガス３ａのガス供給口２が設けられ、上部、具体的には側壁の上方位置に貫通孔７ａが形成されており、この貫通孔７ａ内に供給ガス３ａのうちの未反応ガスなどの排気ガスのガス排出口４が嵌め込まれている。

断熱材８は、中空部を有する筒形状、本実施形態の場合は円筒形状をなしており、真空容器７に対して同軸的に配置されている。断熱材８は、真空容器７よりも径が縮小された円筒形状とされ、真空容器７の内側に配置されることで、断熱材８の内側の空間から真空容器７側への伝熱を抑制している。断熱材８は、例えば黒鉛のみ、もしくは、表面をＴａＣ（炭化タンタル）やＮｂＣ（炭化ニオブ）などの高融点金属炭化物にてコーティングした黒鉛などで構成され、熱エッチングされにくいものとされている。

加熱容器９は、反応容器となる坩堝を構成するもので有り、中空部を有する筒形状、本実施形態の場合は円筒形状で構成される。加熱容器９の中空部により、種結晶５の表面にＳｉＣ単結晶６を成長させる反応室を構成している。加熱容器９は、例えば黒鉛のみ、もしくは、表面をＴａＣやＮｂＣなどの高融点金属炭化物にてコーティングした黒鉛などで構成され、熱エッチングされにくいものとされている。この加熱容器９は、台座１０を囲むように配置されている。そして、加熱容器９の内周面と種結晶５および台座１０の外周面との間を通じて、供給ガス３ａのうちの未反応ガスなどの排気ガスがガス排出口４側に導かれるようになっている。この加熱容器９により、ガス供給口２からの供給ガス３ａを種結晶５に導くまでに、供給ガス３ａ中のＳｉＣ原料ガスを分解している。

なお、断熱材８および加熱容器９のうちの上部、具体的には側壁の上方位置に貫通孔が形成されており、貫通孔内にガス排出口４が嵌め込まれることで、加熱容器９の内側から真空容器７の外側に排気ガスの排出が行えるようになっている。

台座１０は、種結晶５を設置するための部材である。台座１０は、種結晶５が設置される一面が円形状とされ、台座１０の中心軸が加熱容器９の中心軸や後述する回転引上機構１１のシャフト１１ａの中心軸に対して偏心した位置に配置されている。台座１０は、例えば黒鉛のみ、もしくは、表面をＴａＣやＮｂＣなどの高融点金属炭化物にてコーティングした黒鉛などで構成され、熱エッチングされにくいものとされている。この台座１０のガス供給口２側の一面に、種結晶５が貼り付けられ、種結晶５の表面にＳｉＣ単結晶６が成長させられる。台座１０のうち種結晶５が貼り付けられる面が種結晶５の形状と対応する形状とされ、本実施形態の場合、台座１０を種結晶５と同じ径の円柱形状部材で構成することで、種結晶５が設置される一面が円形状とされている。また、台座１０は、種結晶５が配置される面と反対側の面においてシャフト１１ａに連結されており、シャフト１１ａの回転に伴って回転させられ、シャフト１１ａが引き上げられることに伴って紙面上方に引き上げ可能となっている。

台座１０の中心軸と加熱容器９の中心軸との間の距離については任意であり、台座１０の径に応じて適宜設定されれば良い。ただし、台座１０の中心軸を加熱容器９の中心軸から偏心させることによって、台座１０の外周の一部が加熱容器９の内壁面に近づくことになる。これを考慮して、台座１０のうち最も加熱容器９の内壁面との距離が短くなる位置において、台座１０と加熱容器９との間の距離が２０ｍｍ以上となるようにするのが好ましい。このようにすることで、加熱容器９の温度がＳｉＣ単結晶６に与える影響を抑制でき、ＳｉＣ単結晶６の多結晶化などを抑制できる。

回転引上機構１１は、パイプ材などで構成されるシャフト１１ａを介して台座１０の回転および引上げを行う。シャフト１１ａは、本実施形態では上下に伸びる直線状で構成されており、一端が台座１０のうちの種結晶５の貼付面と反対側の面に接続されており、他端が回転引上機構１１の本体に接続されている。このシャフト１１ａも、例えば黒鉛のみ、もしくは、表面をＴａＣやＮｂＣなどの高融点金属炭化物にてコーティングした黒鉛などで構成され、熱エッチングされにくいものとされている。このような構成により、台座１０、種結晶５およびＳｉＣ単結晶６の回転および引き上げが行え、ＳｉＣ単結晶６の成長面が所望の温度分布となるようにしつつ、ＳｉＣ単結晶６の成長に伴って、その成長表面の温度を成長に適した温度に調整できるようになっている。

第１、第２加熱装置１２、１３は、例えば誘導加熱用コイルや直接加熱用コイルなどの加熱コイルによって構成され、真空容器７の周囲を囲むように配置されている。本実施形態の場合、第１、第２加熱装置１２、１３を誘導加熱用コイルによって構成している。これら第１、第２加熱装置１２、１３は、対象場所をそれぞれ独立して温度制御できるように構成されており、第１加熱装置１２は、加熱容器９の下方位置と対応した位置に配置され、第２加熱装置１３は、台座１０と対応した位置に配置されている。したがって、第１加熱装置１２によって加熱容器９の下方部分の温度を制御して、ＳｉＣ原料ガスを加熱して分解することができる。また、第２加熱装置１３によって台座１０や種結晶５およびＳｉＣ単結晶６の周囲の温度をＳｉＣ単結晶６の成長に適した温度に制御することができる。

このようにして、本実施形態にかかるＳｉＣ単結晶製造装置１が構成されている。続いて、本実施形態にかかるＳｉＣ単結晶製造装置１を用いたＳｉＣ単結晶６の製造方法について、図１に加えて図２〜図４を参照して説明する。

まず、台座１０の一面に種結晶５を貼り付ける。種結晶５は、図２に示すように、台座１０と反対側の一面、つまりＳｉＣ単結晶６の成長面が（０００１）Ｃ面に対して例えば４°もしくは８°などの所定のオフ角を有するオフ基板となっている。そして、種結晶５については、種結晶５のうちオフ方向の下流側が位置する部分を点Ａ、その反対側を点Ｂとして、台座１０の外周のうち最もシャフト１１ａの中心軸に近い側の部分に点Ａ、遠い側の部分に点Ｂがそれぞれ配置されるように台座１０に貼り付ける。つまり、種結晶５のうちオフ方向の下流側が位置する部分がその反対側よりも回転中心側に近くなるように、種結晶５を台座１０に設置する。なお、オフ方向とは、「成長面の法線ベクトル、本実施形態の場合は（０００１）Ｃ面に対する法線ベクトルとなる＜０００１＞方向のベクトルを種結晶５の表面に投影したベクトルと平行な方向」のことを言う。また、オフ方向の下流側とは、そのうちの一方側を定義したものであり、「成長面の法線ベクトルを種結晶５の表面に投影したベクトルの先端が向いている側」を意味している。

続いて、加熱容器９内に台座１０および種結晶５を配置する。そして、第１、第２加熱装置１２、１３を制御し、所望の温度分布を付ける。すなわち、供給ガス３ａに含まれるＳｉＣ原料ガスが加熱分解されて種結晶５の表面に供給され、かつ、種結晶５の表面においてＳｉＣ原料ガスが再結晶化されつつ、加熱容器９内において再結晶化レートよりも昇華レートの方が高くなるような温度分布とする。このようにすることで、例えば、加熱容器９の底部の温度を２４００℃、種結晶５の表面の温度を２２００℃程度にすることができる。

また、真空容器７を所望圧力にしつつ、必要に応じてＡｒやＨｅなどの不活性ガスによるキャリアガスやＨ_２やＨＣｌなどのエッチングガスを導入しながらガス供給口２を通じてＳｉＣ原料ガスを含む供給ガス３ａを導入する。これにより、供給ガス３ａが図１中の矢印で示したように流動して種結晶５に供給され、このガス供給に基づいて、種結晶５の表面にＳｉＣ単結晶６が成長させられる。

そして、回転引上機構１１により、シャフト１１ａを介して台座１０や種結晶５およびＳｉＣ単結晶６を回転させつつ、ＳｉＣ単結晶６の成長レートに合せて引上げる。これにより、ＳｉＣ単結晶６の成長表面の高さがほぼ一定に保たれ、成長表面温度の温度分布を制御性良く制御することが可能となる。また、高温な加熱容器９に投入してＳｉＣ単結晶６を成長させているため、種結晶５の表面以外での結晶の付着を防止することができ、ガス排出口４の詰まりを防止して、連続してＳｉＣ単結晶６を成長させることが可能となる。

ここで、上記したように、台座１０の中心軸をシャフト１１ａの中心軸に対して偏心させており、この台座１０に対して種結晶５を貼り付けている。このため、図３に示すように、回転引上機構１１によって台座１０を回転させた際に、種結晶５の中心Ｃは種結晶５や台座１０の回転中心Ｒとなるシャフト１１ａの中心軸に対して公転するように移動し、点Ｂの軌跡Ｌ２の内側に点Ａの軌跡Ｌ１が入り込む状態となる。すなわち、点Ａは、台座１０の中心軸をシャフト１１ａの中心軸に対して偏心させていない場合と比較して、種結晶５や台座１０の回転中心Ｒの近辺において移動する軌跡となる。なお、以下の説明では、種結晶５や台座１０の回転中心Ｒのことを単に回転中心Ｒという。

図４に示すように、種結晶５の成長面上にＳｉＣ単結晶６を成長させた際に、点Ａの位置上に、（０００１）Ｃ面と一致するファセット面Ｆが形成されることになる。この点Ａについて、上記したように、台座１０の中心軸をシャフト１１ａの中心軸に対して偏心させていない場合と比較して、回転中心Ｒの近辺に移動する軌跡を描くことから、加熱容器９の内壁面からの距離を離すことができる。

このため、ファセット面Ｆが形成される点Ａの近傍において、加熱容器９の壁面の温度バラツキの影響が緩和される。また、ＳｉＣ単結晶６の中心がシャフト１１ａの中心軸に対して偏心した状態で回転させられるため、ＳｉＣ単結晶６の中心がシャフト１１ａの中心軸と一致する状態で回転させられる場合と比較して、ファセット面Ｆへのガス流れのバラツキの影響が緩和される。つまり、ファセット面Ｆが加熱容器９の壁面から離れた位置で動くことになり、加熱容器９の壁面近傍にガス流れのバラツキがあっても、結果的にガス流れのバラツキの影響が緩和される。また、ファセット面Ｆが形成される点Ａの近傍における台座１０と加熱容器９との間の隙間が広くなることで、ガス流れのバラツキの影響が緩和される。さらに、台座１０の径をＳｉＣ単結晶６の径に合わせていることから、台座１０と加熱容器９との間の隙間も台座１０の回転に伴って変化させられることになる。このため、それに伴ってガス流れを変化させることができ、同じガス流れのままバラツキが生じる場合と比較して、ガス流れのバラツキを平均して低減することが可能となる。

以上説明したように、本実施形態のＳｉＣ単結晶製造装置１では、台座１０の中心軸をシャフト１１ａの中心軸に対して偏心させることで、種結晶５およびＳｉＣ単結晶６の成長面の中心が回転中心Ｒから偏心するようにしている。そして、種結晶５のうちオフ方向の下流側が位置する点Ａを台座１０のうち最もシャフト１１ａの中心軸に近い側に配置している。

これにより、ＳｉＣ単結晶６にファセット面Ｆが形成される点Ａ側を加熱容器９の内壁面から離すことができ、加熱容器９の壁面の温度バラツキの影響が緩和できると共に、ガス流れのバラツキの影響も緩和できる。したがって、ＳｉＣ単結晶６のファセット面Ｆでの異種多形や異方位結晶の発生する確率を低下させることが可能となる。

（第２実施形態）
第２実施形態について説明する。本実施形態は、第１実施形態に対して台座１０の中心軸を回転中心Ｒから偏心させる構造を変更したものであり、その他に関しては第１実施形態と同様であるため、第１実施形態と異なる部分についてのみ説明する。

図５に示すように、本実施形態では、シャフト１１ａをすべて直線状とするのではなく、折曲部１１ｂを有した構造としている。折曲部１１ｂは、シャフト１１ａの途中位置、つまり真空容器７の上面から台座１０に至るまでの間において、シャフト１１ａが折曲げられた形状とされることで構成されている。具体的には、折曲部１１ｂは、台座１０が最も下方位置に位置している状態において、真空容器７の上面から離れた位置に形成されている。そして、回転引上機構１１によって、シャフト１１ａと共に台座１０を引き上げたときにも折曲部１１ｂが真空容器７の上面に当接しないように、折曲部１１ｂの形成位置が決められている。

また、台座１０については、台座１０の中心軸がシャフト１１ａのうち折曲部１１ｂよりも下方に位置している部分の中心軸と一致するようにして、シャフト１１ａに固定されている。

このような構成とした場合、シャフト１１ａのうち折曲部１１ｂよりも上方に位置している部分の中心軸が回転中心Ｒとなる。このため、シャフト１１ａのうち折曲部１１ｂよりも下方部分、つまり台座１０が取り付けられる部分が回転中心Ｒに対して偏心させられることになり、台座１０の中心軸も回転中心Ｒに対して偏心させられた状態となる。したがって、本実施形態の構造としても、第１実施形態と同様の効果を得ることが可能となる。

（第３実施形態）
第３実施形態について説明する。本実施形態も、第１実施形態に対して台座１０の中心軸を回転中心Ｒから偏心させる構造を変更したものであり、その他に関しては第１実施形態と同様であるため、第１実施形態と異なる部分についてのみ説明する。

図６に示すように、本実施形態では、シャフト１１ａをすべて直線状とするのではなく、シャフト１１ａの途中位置、つまり真空容器７の上面から台座１０に至るまでの間で折曲させ、加熱容器９の中心軸に対して傾斜した傾斜部１１ｃを備えるようにしている。具体的には、傾斜部１１ｃは、台座１０が最も下方位置に位置している状態において、真空容器７の上面から離れた位置に形成されている。そして、回転引上機構１１によって、シャフト１１ａと共に台座１０を引き上げたときにも傾斜部１１ｃが真空容器７の上面に当接しないように、傾斜部１１ｃの形成位置が決められている。また、傾斜部１１ｃのうち台座１０が取り付けられる下端の中心が回転中心Ｒから偏心した状態となっている。

一方、台座１０については、台座１０の中心軸がシャフト１１ａのうち傾斜部１１ｃの下端の中心と一致するようにして、シャフト１１ａに固定されている。

このような構成とした場合、シャフト１１ａのうち傾斜部１１ｃよりも上方に位置している部分の中心軸が回転中心Ｒとなる。このため、台座１０の中心軸が回転中心Ｒに対して偏心させられた状態となる。したがって、本実施形態の構造としても、第１実施形態と同様の効果を得ることが可能となる。

（他の実施形態）
本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。

例えば、上記各実施形態では、台座１０の中心軸を回転中心Ｒから偏心させられることで、種結晶５の中心が回転中心Ｒから偏心させられるようにしている。しかしながら、これも一例を示したに過ぎず、他の構成によって、種結晶５の中心が回転中心Ｒから偏心させられるようにしても良い。例えば、台座１０の中心軸が回転中心Ｒと一致するようにしつつ、台座１０の径を種結晶５の径よりも大きくし、台座１０の中心に対して種結晶５の中心がずれるように種結晶５を台座１０に貼り付ける。このようにしても、種結晶５の中心を回転中心Ｒから偏心させることができる。ただし、このような構造とする場合、種結晶５の周囲において、台座１０の表面に何も貼り付けられていない部分が存在することになり、その表面に多結晶が成長して、ＳｉＣ単結晶６に付着するなど悪影響を及ぼす可能性がある。このため、上記各実施形態のように、台座１０の径を種結晶５の径と一致させるようにするのが好ましい。

また、台座１０の回転と引き上げの双方が行える回転引上機構１１を例に挙げたが、少なくとも台座１０を回転させられる回転機構であれば良い。

上記各実施形態では、ＳｉＣ単結晶製造装置１として、供給ガス３ａがＳｉＣ単結晶６の成長表面に供給されてからＳｉＣ単結晶６の外周表面や台座１０の横を通過して更に上方に排出させられる方式であるアップフロー方式のものを例に挙げて説明した。しかしながら、それに限らず、供給ガス３ａがＳｉＣ単結晶６の成長表面に供給されてから、再度その供給方向と同方向に戻される方式であるリターンフロー方式であっても良い。また、供給ガス３ａがＳｉＣ単結晶６の成長表面に供給されてから、加熱容器９の外周方向に排出させられる方式であるサイドフロー方式であっても良い。

１ＳｉＣ単結晶製造装置
３ａ供給ガス
５種結晶
６ＳｉＣ単結晶
９加熱容器
１０台座
１１回転引上機構
１１ａシャフト
１１ｂ折曲部
１１ｃ傾斜部

Claims

反応室を構成する中空部を有する筒形状の坩堝（９）と、
前記坩堝における前記中空部内に配置され、一面に炭化珪素単結晶（６）の成長用の種結晶（５）が設置されると共に、前記種結晶が配置される一面が円形状とされた台座（１０）と、
前記台座よりも下方より、前記種結晶の表面に前記炭化珪素単結晶を成長させるための炭化珪素原料ガス（３ａ）を供給するガス供給機構（２、３）と、
前記炭化珪素原料ガスを加熱して分解する加熱装置（１２）と、
前記台座を回転させることで、前記種結晶を回転させながら前記炭化珪素単結晶の成長を行わせる回転機構（１１）と、を有し、
前記台座の中心軸が該台座の回転中心（Ｒ）から偏心させられている炭化珪素単結晶製造装置。
前記回転機構は、前記台座を回転させるシャフト（１１ａ）を有し、
前記シャフトは直線状とされていると共に、該シャフトの中心軸に対して前記台座の中心が偏心している請求項１に記載の炭化珪素単結晶製造装置。
前記回転機構は、前記台座を回転させるシャフト（１１ａ）を有し、
前記シャフトは、折曲部（１１ｂ）が形成されることで該シャフトのうち前記台座が取り付けられる下方部分が前記回転中心から偏心させられており、
前記台座は、該台座の中心軸が前記シャフトのうちの前記下方部分の中心軸と一致させられている請求項１に記載の炭化珪素単結晶製造装置。
前記回転機構は、前記台座を回転させるシャフト（１１ａ）を有し、
前記シャフトは、該シャフトの回転軸に対して傾斜させられた傾斜部（１１ｃ）を有していると共に、該傾斜部の下端が前記回転中心から偏心させられており、
前記台座は、該台座の中心軸が前記シャフトのうちの前記下端の中心と一致させられている請求項１に記載の炭化珪素単結晶製造装置。
反応室を構成する中空部を有する筒形状の坩堝（９）内に、一面が円形状とされると共に該一面に炭化珪素単結晶（６）の成長用の種結晶（５）が設置された台座（１０）を配置することと、
前記台座よりも下方より、加熱分解された炭化珪素原料ガス（３ａ）を供給すると共に、前記台座を回転させることで、前記種結晶を回転させながら該種結晶の表面上に前記炭化珪素単結晶の成長を行わせることと、を含み
前記成長を行わせることでは、前記台座および前記種結晶の中心軸を該台座の回転中心から偏心させ、
前記種結晶が設置された前記台座を配置することでは、前記種結晶として表面が（０００１）Ｃ面に対して所定のオフ角を有するオフ基板を用い、かつ、該種結晶のうちのオフ方向の下流側が位置する部分がその反対側よりも前記回転中心に近くなるように、前記種結晶を前記台座に設置したものを前記坩堝内に配置する、炭化珪素単結晶の製造方法。