JPH09165291A - 単結晶製造方法およびその装置 - Google Patents
単結晶製造方法およびその装置Info
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- JPH09165291A JPH09165291A JP7351098A JP35109895A JPH09165291A JP H09165291 A JPH09165291 A JP H09165291A JP 7351098 A JP7351098 A JP 7351098A JP 35109895 A JP35109895 A JP 35109895A JP H09165291 A JPH09165291 A JP H09165291A
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- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 チョクラルスキー法による単結晶引上装置に
おける単結晶中の大きな酸素濃度制御範囲を確保し、容
易に高品質の単結晶を得ることのできる単結晶製造方法
とその装置を提供する。 【解決手段】 坩堝３内の原料融液Ｍから垂直上方に引
上げられる単結晶を同心状に包囲する整流筒１４と、該
原料融液Ｍから単結晶を引上げ成長させる結晶成長部を
外気から遮断する円筒形状の引上チャンバー２と、該引
上チャンバー２上端に配した不活性ガス下降導入手段と
を有する単結晶製造装置において、該整流筒１４および
引上チャンバー２の円周に対して接線方向の不活性ガス
旋回導入手段を該引上チャンバー２の円周部に設ける。
おける単結晶中の大きな酸素濃度制御範囲を確保し、容
易に高品質の単結晶を得ることのできる単結晶製造方法
とその装置を提供する。 【解決手段】 坩堝３内の原料融液Ｍから垂直上方に引
上げられる単結晶を同心状に包囲する整流筒１４と、該
原料融液Ｍから単結晶を引上げ成長させる結晶成長部を
外気から遮断する円筒形状の引上チャンバー２と、該引
上チャンバー２上端に配した不活性ガス下降導入手段と
を有する単結晶製造装置において、該整流筒１４および
引上チャンバー２の円周に対して接線方向の不活性ガス
旋回導入手段を該引上チャンバー２の円周部に設ける。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、チョクラルスキー
法（以下、ＣＺ法と略称す）による単結晶引上装置に係
るもので、単結晶中の酸素濃度調整に特徴のある単結晶
製造方法およびその装置に関するものである。
法（以下、ＣＺ法と略称す）による単結晶引上装置に係
るもので、単結晶中の酸素濃度調整に特徴のある単結晶
製造方法およびその装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＣＺ法引上装置による単結晶成長
の融液表面付近の不活性ガス、例えばアルゴンガス流速
が精製されるシリコン単結晶中の酸素濃度に与える影響
が大きいことは公知のものである。すなわち、酸化膜耐
圧を向上させるために石英坩堝内のシリコン融液からシ
リコン単結晶を引上げるときの付加的反応生成物である
揮発性酸化シリコンをキャリヤガスにより効率的に排出
する必要がある。そこで、従来、単結晶製造方法および
その装置として、特開平５−２５４９８８号公報に開示
されているように、坩堝を収納したチャンバ上端側から
該チャンバ内面および単結晶を冷却しつつ坩堝の液面に
沿って、チャンバ下端側に不活性ガスを流す構成が与え
られている。また、特開平６−２３９６９２号公報に開
示されているように、チャンバ内の熱を利用してキャリ
ヤガスを徐々に加熱膨張させながら、このキャリヤガス
を成長結晶近傍に対してスパイラル状に吹き付け、この
融液表面で反射したキャリヤガスを坩堝の上端より上部
に配置された整流フィンで案内して蒸発物を坩堝外に排
出する構成が与えられている。この他、特開平６−５６
５７１号公報に開示されているように、熱遮蔽治具の下
端部と溶融液面とのギャップを１０〜４０ｍｍの間で変
更させる構成や、特開平３−１２２０８９号公報に開示
されているように、シリコン単結晶を同心に包囲する整
流筒下端と該シリコン融液の表面との間隔を制御して、
該整流筒に流下される不活性ガスの該間を通る流速を制
御する構成も示されている。
の融液表面付近の不活性ガス、例えばアルゴンガス流速
が精製されるシリコン単結晶中の酸素濃度に与える影響
が大きいことは公知のものである。すなわち、酸化膜耐
圧を向上させるために石英坩堝内のシリコン融液からシ
リコン単結晶を引上げるときの付加的反応生成物である
揮発性酸化シリコンをキャリヤガスにより効率的に排出
する必要がある。そこで、従来、単結晶製造方法および
その装置として、特開平５−２５４９８８号公報に開示
されているように、坩堝を収納したチャンバ上端側から
該チャンバ内面および単結晶を冷却しつつ坩堝の液面に
沿って、チャンバ下端側に不活性ガスを流す構成が与え
られている。また、特開平６−２３９６９２号公報に開
示されているように、チャンバ内の熱を利用してキャリ
ヤガスを徐々に加熱膨張させながら、このキャリヤガス
を成長結晶近傍に対してスパイラル状に吹き付け、この
融液表面で反射したキャリヤガスを坩堝の上端より上部
に配置された整流フィンで案内して蒸発物を坩堝外に排
出する構成が与えられている。この他、特開平６−５６
５７１号公報に開示されているように、熱遮蔽治具の下
端部と溶融液面とのギャップを１０〜４０ｍｍの間で変
更させる構成や、特開平３−１２２０８９号公報に開示
されているように、シリコン単結晶を同心に包囲する整
流筒下端と該シリコン融液の表面との間隔を制御して、
該整流筒に流下される不活性ガスの該間を通る流速を制
御する構成も示されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来の単
結晶製造方法およびその装置では、特開平５−２５４９
８８号公報の場合、不活性ガス、例えばアルゴンガス流
が旋回流ではないため、流速の調整は液量と炉内の圧力
だけによって制御される。このとき、冷却筒に連通する
整流筒下端（７）と液面位置が離れているため酸素濃度
に大きな影響を与える液面付近の流速を制御するのが困
難となり、特に結晶が整流筒下端（７）の中に侵入する
とアルゴンガスの流れ（Ｇ）が増大し、液面へ到達する
アルゴンガスが減少してしまうという問題点を有する。
また、特開平６−２３９６９２号公報の場合、炉内に特
殊構造の複雑な吹出口を設置する必要があり、約１００
０℃以上（シリコン融点は１４２３℃）なる場所でのこ
のような複雑な構造物は作成困難である。特に吹出口の
形状から乱流になることが予想されるが、この場合液面
からアモルファスが舞い上がり、吹出口に付着し、剥離
して単結晶の固液相界面に接触して単結晶化を阻害する
ような問題点を有している。さらに、特開平６−５６５
７１号公報、または、特開平３−１２２０８９号公報の
場合、アルゴンガス流の下降流成分の径方向制御が不安
定となり、大幅な酸素濃度範囲を獲得することが不可能
であった。
結晶製造方法およびその装置では、特開平５−２５４９
８８号公報の場合、不活性ガス、例えばアルゴンガス流
が旋回流ではないため、流速の調整は液量と炉内の圧力
だけによって制御される。このとき、冷却筒に連通する
整流筒下端（７）と液面位置が離れているため酸素濃度
に大きな影響を与える液面付近の流速を制御するのが困
難となり、特に結晶が整流筒下端（７）の中に侵入する
とアルゴンガスの流れ（Ｇ）が増大し、液面へ到達する
アルゴンガスが減少してしまうという問題点を有する。
また、特開平６−２３９６９２号公報の場合、炉内に特
殊構造の複雑な吹出口を設置する必要があり、約１００
０℃以上（シリコン融点は１４２３℃）なる場所でのこ
のような複雑な構造物は作成困難である。特に吹出口の
形状から乱流になることが予想されるが、この場合液面
からアモルファスが舞い上がり、吹出口に付着し、剥離
して単結晶の固液相界面に接触して単結晶化を阻害する
ような問題点を有している。さらに、特開平６−５６５
７１号公報、または、特開平３−１２２０８９号公報の
場合、アルゴンガス流の下降流成分の径方向制御が不安
定となり、大幅な酸素濃度範囲を獲得することが不可能
であった。
【０００４】本発明は、上記問題点に鑑み創出されたも
ので、ＣＺ法の単結晶成長により製造されるシリコン単
結晶中の酸素濃度に大きな影響を与える処の融液表面付
近の不活性ガス流速を自在に制御することで単結晶引上
装置における単結晶中の大きな酸素濃度制御範囲を確保
し、容易に高品質の単結晶を得ることのできる単結晶製
造方法とその装置を提供することを目的としたものであ
る。
ので、ＣＺ法の単結晶成長により製造されるシリコン単
結晶中の酸素濃度に大きな影響を与える処の融液表面付
近の不活性ガス流速を自在に制御することで単結晶引上
装置における単結晶中の大きな酸素濃度制御範囲を確保
し、容易に高品質の単結晶を得ることのできる単結晶製
造方法とその装置を提供することを目的としたものであ
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上述した目的を達成する
ため、本発明にあっては、円筒形状チャンバー上端から
の不活性ガスの下降導入と、円筒形状チャンバーの円周
に対して接線方向の不活性ガスの旋回導入とによる流量
比を制御することにより単結晶中の酸素濃度を調整する
ことを特徴とする。
ため、本発明にあっては、円筒形状チャンバー上端から
の不活性ガスの下降導入と、円筒形状チャンバーの円周
に対して接線方向の不活性ガスの旋回導入とによる流量
比を制御することにより単結晶中の酸素濃度を調整する
ことを特徴とする。
【０００６】また、坩堝内の原料融液から垂直上方に引
上げられる単結晶を同心状に包囲する整流筒と、該原料
融液から単結晶を引上げ成長させる結晶成長部を外気か
ら遮断する円筒形状チャンバーと、該円筒形状チャンバ
ー上端に配した不活性ガス下降導入手段とを有する単結
晶製造装置において、該整流筒および円筒形状チャンバ
ーの円周に対して接線方向の不活性ガス旋回導入手段を
該円筒形状チャンバーの円周部に有することを特徴とす
る。
上げられる単結晶を同心状に包囲する整流筒と、該原料
融液から単結晶を引上げ成長させる結晶成長部を外気か
ら遮断する円筒形状チャンバーと、該円筒形状チャンバ
ー上端に配した不活性ガス下降導入手段とを有する単結
晶製造装置において、該整流筒および円筒形状チャンバ
ーの円周に対して接線方向の不活性ガス旋回導入手段を
該円筒形状チャンバーの円周部に有することを特徴とす
る。
【０００７】前記不活性ガス旋回導入手段は、引上単結
晶を冷却するための冷却筒の上方円周側面にて円周接線
方向に沿って吐出開口が向くように開穿された不活性ガ
ス導入口で構成しても良い。
晶を冷却するための冷却筒の上方円周側面にて円周接線
方向に沿って吐出開口が向くように開穿された不活性ガ
ス導入口で構成しても良い。
【０００８】本発明に係る単結晶製造方法およびその装
置にあって、円筒形状チャンバー上端からの不活性ガス
の下降導入に加えて円筒形状チャンバーの円周に対して
接線方向の不活性ガスの旋回導入により、両導入による
流量比を可変することで全体の不活性ガス流量を一定に
したままで旋回速度を自由に変更することが可能とな
る。この不活性ガス流の旋回運動は結晶が成長している
融液面まで維持され、このため、整流筒下端と融液面で
挟まれる余剰空間を流れる不活性ガスの流速は旋回速度
と全体流量によって決まる径方向の流速との合成速度と
なって層流状態を維持したままの渦巻状となり、単結晶
成長時にこの合成速度を制御することにより精製される
シリコン単結晶中の酸素濃度調整機能を可能とさせる。
置にあって、円筒形状チャンバー上端からの不活性ガス
の下降導入に加えて円筒形状チャンバーの円周に対して
接線方向の不活性ガスの旋回導入により、両導入による
流量比を可変することで全体の不活性ガス流量を一定に
したままで旋回速度を自由に変更することが可能とな
る。この不活性ガス流の旋回運動は結晶が成長している
融液面まで維持され、このため、整流筒下端と融液面で
挟まれる余剰空間を流れる不活性ガスの流速は旋回速度
と全体流量によって決まる径方向の流速との合成速度と
なって層流状態を維持したままの渦巻状となり、単結晶
成長時にこの合成速度を制御することにより精製される
シリコン単結晶中の酸素濃度調整機能を可能とさせる。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を説明するに、図において示される符号１は、
ＣＺ法引上装置によるシリコン単結晶製造装置本体であ
り、図１に示す如く、円筒形状の引上チャンバー２内に
石英ガラス製等の坩堝３が黒鉛等のサセプタ４を介して
回転可能な昇降回転軸５に取り付けられている。また、
坩堝３の周囲には坩堝３内のシリコン融液Ｍの温度を制
御するための電熱線ヒータまたは高周波誘導加熱コイル
等の熱源６が配され、該熱源６と引上チャンバー２との
間に保温機能を有する黒鉛等の断熱材７が設けられてい
る。この坩堝３内に多結晶シリコンを入れて熱源６によ
り該シリコンが溶解されてシリコン融液Ｍとなるように
している。また、引上チャンバー２の中心線に沿って引
上チャンバー２上部の小径円筒状の冷却筒８内において
昇降用モータ９により上下動される引上軸１０の下端に
は、種ホルダー１１を介してシリコン種結晶１２は保持
されており、このシリコン種結晶１２をシリコン融液Ｍ
に漬けて引上げることによりシリコン単結晶棒１３が育
成されるようにしている。
施の形態を説明するに、図において示される符号１は、
ＣＺ法引上装置によるシリコン単結晶製造装置本体であ
り、図１に示す如く、円筒形状の引上チャンバー２内に
石英ガラス製等の坩堝３が黒鉛等のサセプタ４を介して
回転可能な昇降回転軸５に取り付けられている。また、
坩堝３の周囲には坩堝３内のシリコン融液Ｍの温度を制
御するための電熱線ヒータまたは高周波誘導加熱コイル
等の熱源６が配され、該熱源６と引上チャンバー２との
間に保温機能を有する黒鉛等の断熱材７が設けられてい
る。この坩堝３内に多結晶シリコンを入れて熱源６によ
り該シリコンが溶解されてシリコン融液Ｍとなるように
している。また、引上チャンバー２の中心線に沿って引
上チャンバー２上部の小径円筒状の冷却筒８内において
昇降用モータ９により上下動される引上軸１０の下端に
は、種ホルダー１１を介してシリコン種結晶１２は保持
されており、このシリコン種結晶１２をシリコン融液Ｍ
に漬けて引上げることによりシリコン単結晶棒１３が育
成されるようにしている。
【００１０】前記断熱材７の上側開口部には坩堝３内の
シリコン融液Ｍから垂直上方に引上げられる単結晶を同
心状に包囲するように下端が狭幅開口径のノズル形状の
整流筒１４を配している。そして、引上チャンバー２上
端には不活性ガス下降導入手段としてのアルゴン−Ｉガ
ス吸入用の導入口１５を設けると共に、該整流筒１４お
よび引上チャンバー２の円周に対する接線方向の不活性
ガス旋回導入手段としてのアルゴン−ＩＩガス吸入用の
導入口１６を該引上チャンバー２の円周部に設けている
（図３参照）。また、引上チャンバー２底面にはアルゴ
ンガス排出用の排気口１７が形成されている。
シリコン融液Ｍから垂直上方に引上げられる単結晶を同
心状に包囲するように下端が狭幅開口径のノズル形状の
整流筒１４を配している。そして、引上チャンバー２上
端には不活性ガス下降導入手段としてのアルゴン−Ｉガ
ス吸入用の導入口１５を設けると共に、該整流筒１４お
よび引上チャンバー２の円周に対する接線方向の不活性
ガス旋回導入手段としてのアルゴン−ＩＩガス吸入用の
導入口１６を該引上チャンバー２の円周部に設けている
（図３参照）。また、引上チャンバー２底面にはアルゴ
ンガス排出用の排気口１７が形成されている。
【００１１】このようにして引上チャンバー２上端から
の不活性ガスの下降導入に加えて引上チャンバー２の円
周に対して接線方向の不活性ガスの旋回導入により、両
導入による流量比を可変することで全体の不活性ガス流
量を一定にしたままで旋回速度を自由に変更することを
可能としている。図２に示す如く、この不活性ガス流の
旋回運動は結晶が成長している融液面まで維持され、こ
のため、図４に示す如く、整流筒下端と融液面で挟まれ
る余剰空間を流れる不活性ガスの流速ベクトルＳは旋回
速度ベクトルＰと全体流量によって決まる径方向の流速
ベクトルＱとの合成速度ベクトルとなって層流状態を維
持したままの渦巻状となり、単結晶成長時にこの合成速
度を制御することにより精製されるシリコン単結晶中の
酸素濃度調整機能を可能としている。
の不活性ガスの下降導入に加えて引上チャンバー２の円
周に対して接線方向の不活性ガスの旋回導入により、両
導入による流量比を可変することで全体の不活性ガス流
量を一定にしたままで旋回速度を自由に変更することを
可能としている。図２に示す如く、この不活性ガス流の
旋回運動は結晶が成長している融液面まで維持され、こ
のため、図４に示す如く、整流筒下端と融液面で挟まれ
る余剰空間を流れる不活性ガスの流速ベクトルＳは旋回
速度ベクトルＰと全体流量によって決まる径方向の流速
ベクトルＱとの合成速度ベクトルとなって層流状態を維
持したままの渦巻状となり、単結晶成長時にこの合成速
度を制御することにより精製されるシリコン単結晶中の
酸素濃度調整機能を可能としている。
【００１２】尚、本実施の形態においては図１に示すよ
うにアルゴン−ＩＩによる不活性ガス旋回導入手段は、
炉内の細い筒状の冷却筒の上方円周側面にて円周接線方
向に沿って吐出開口が向くように開穿されたものとして
いるが、引上チャンバー２内のヒータ６、坩堝３等を収
納するメイン部に付加しても前記と同様な効果が得られ
るものであり、本発明はこれら設置条件に何等限定され
ることはないことは勿論である。
うにアルゴン−ＩＩによる不活性ガス旋回導入手段は、
炉内の細い筒状の冷却筒の上方円周側面にて円周接線方
向に沿って吐出開口が向くように開穿されたものとして
いるが、引上チャンバー２内のヒータ６、坩堝３等を収
納するメイン部に付加しても前記と同様な効果が得られ
るものであり、本発明はこれら設置条件に何等限定され
ることはないことは勿論である。
【００１３】
【実施例】更に、以下のような製造条件で単結晶を育成
した結果、良好な酸素濃度変化が得られた。すなわち、
内径約４４０ｍｍの石英ガラス製の坩堝３に多結晶シリ
コン原料６０ｋｇを装填して引上チャンバ２の内圧力２
０Ｔｏｒｒにて溶解した。坩堝３の回転は５ｒｐｍ、結
晶回転は１５ｒｐｍ、引上速度は１．０ｍｍ／分にて単
結晶を育成した。このとき、整流筒下端と融液面位置の
間隔は約３０ｍｍに保持した。従来の直径方向のアルゴ
ン−Ｉのみを使用した育成での結晶軸方向の酸素濃度変
化は、図６に示す如く、全体的に酸素濃度が高く、引上
げに伴って軸方向の濃度分布が不均一であるのに対し
て、本実施例による直径方向のアルゴン−Ｉと旋回方向
のアルゴン−ＩＩを併用してそれぞれのアルゴンガス流
量比を変化させた場合の酸素濃度変化は、図５に示す如
く、アルゴン−ＩＩによる旋回流の導入により全体的に
酸素濃度が低下し、しかも、流量比を引上げに伴って変
化させたことにより、軸方向の濃度分布が均一化され
た。これは、旋回流の存在により融液表面付近のアルゴ
ンガス流速が実質的に増大したためである。尚、前記従
来技術で説明した特開平６−５６５７１号公報では、ア
ルゴン流速の増加により酸素濃度は高くなるとしてお
り、また、特開平３−１２２０８９号公報では、逆に減
少するとしているが、前者の場合、坩堝下部にシリコン
固体層を共存させる方法のために逆の効果が現われたも
のである。
した結果、良好な酸素濃度変化が得られた。すなわち、
内径約４４０ｍｍの石英ガラス製の坩堝３に多結晶シリ
コン原料６０ｋｇを装填して引上チャンバ２の内圧力２
０Ｔｏｒｒにて溶解した。坩堝３の回転は５ｒｐｍ、結
晶回転は１５ｒｐｍ、引上速度は１．０ｍｍ／分にて単
結晶を育成した。このとき、整流筒下端と融液面位置の
間隔は約３０ｍｍに保持した。従来の直径方向のアルゴ
ン−Ｉのみを使用した育成での結晶軸方向の酸素濃度変
化は、図６に示す如く、全体的に酸素濃度が高く、引上
げに伴って軸方向の濃度分布が不均一であるのに対し
て、本実施例による直径方向のアルゴン−Ｉと旋回方向
のアルゴン−ＩＩを併用してそれぞれのアルゴンガス流
量比を変化させた場合の酸素濃度変化は、図５に示す如
く、アルゴン−ＩＩによる旋回流の導入により全体的に
酸素濃度が低下し、しかも、流量比を引上げに伴って変
化させたことにより、軸方向の濃度分布が均一化され
た。これは、旋回流の存在により融液表面付近のアルゴ
ンガス流速が実質的に増大したためである。尚、前記従
来技術で説明した特開平６−５６５７１号公報では、ア
ルゴン流速の増加により酸素濃度は高くなるとしてお
り、また、特開平３−１２２０８９号公報では、逆に減
少するとしているが、前者の場合、坩堝下部にシリコン
固体層を共存させる方法のために逆の効果が現われたも
のである。
【００１４】
【発明の効果】本発明は以上のように構成されており、
特に従来のような複雑な構造の吹出口を必要とせずにチ
ャンバ内に旋回流を導入することができ、下降流と旋回
流とに使用される不活性ガス流量の比率を可変すること
によって、ＣＺ法の単結晶成長により製造されるシリコ
ン単結晶中の酸素濃度に大きな影響を与える処の融液表
面付近の不活性ガス流速を、炉内圧力、前記下降流と旋
回流とのトータルの不活性ガス流量、整流筒（熱遮蔽治
具）と融液面の距離等とは独立無関係に調整できるため
極めて大きな酸素濃度制御範囲を確保することができ
る。
特に従来のような複雑な構造の吹出口を必要とせずにチ
ャンバ内に旋回流を導入することができ、下降流と旋回
流とに使用される不活性ガス流量の比率を可変すること
によって、ＣＺ法の単結晶成長により製造されるシリコ
ン単結晶中の酸素濃度に大きな影響を与える処の融液表
面付近の不活性ガス流速を、炉内圧力、前記下降流と旋
回流とのトータルの不活性ガス流量、整流筒（熱遮蔽治
具）と融液面の距離等とは独立無関係に調整できるため
極めて大きな酸素濃度制御範囲を確保することができ
る。
【図１】本発明の実施の形態を示した単結晶引上装置の
概略断面図である。
概略断面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ断面図である。
【図３】図１のＢ−Ｂ断面図である。
【図４】同じく整流筒下端における不活性ガス流速ベク
トルの合成原理を示す説明図である。
トルの合成原理を示す説明図である。
【図５】同じく旋回流と下降流の不活性ガスの流速比を
変化させた場合の酸素濃度変化を示す図である。
変化させた場合の酸素濃度変化を示す図である。
【図６】従来技術の結晶軸方向の酸素濃度変化を示す図
である。
である。
１…シリコン単結晶製造装置本体 ２…引上チャンバー ３…坩堝 ４…サセプタ ５…昇降回転軸 ６…熱源 ７…断熱材 ８…冷却筒 ９…昇降用モータ １０…引上軸 １１…種ホルダー １２…シリコン種結晶 １３…シリコン種結晶棒 １４…整流筒 １５，１６…導入口 １７…排出口
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成８年１１月３０日
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正内容】
【図５】
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正内容】
【図６】
Claims (3)
- 【請求項１】 円筒形状チャンバー上端からの不活性ガ
スの下降導入と、円筒形状チャンバーの円周に対して接
線方向の不活性ガスの旋回導入とによる流量比を制御す
ることにより単結品中の酸素濃度を調整することを特徴
とした単結晶製造方法。 - 【請求項２】 坩堝内の原料融液から垂直上方に引上げ
られる単結晶を同心状に包囲する整流筒と、該原料融液
から単結晶を引上げ成長させる結晶成長部を外気から遮
断する円筒形状チャンバーと、該円筒形状チャンバー上
端に配した不活性ガス下降導入手段とを有する単結晶製
造装置において、該整流筒および円筒形状チャンバーの
円周に対して接線方向の不活性ガス旋回導入手段を該円
筒形状チャンバーの円周部に有することを特徴とする単
結晶製造装置。 - 【請求項３】 前記不活性ガス旋回導入手段は、引上単
結晶を冷却するための冷却筒の上方円周側面にて円周接
線方向に沿って吐出開口が向くように開穿された不活性
ガス導入口である請求項２記載の単結晶製造装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7351098A JPH09165291A (ja) | 1995-12-14 | 1995-12-14 | 単結晶製造方法およびその装置 |
| TW085113904A TW328973B (en) | 1995-12-14 | 1996-11-13 | Method and apparatus for fabricating a single-crystal semiconductor |
| US08/764,989 US5785757A (en) | 1995-12-14 | 1996-12-13 | Apparatus for fabricating a single-crystal |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7351098A JPH09165291A (ja) | 1995-12-14 | 1995-12-14 | 単結晶製造方法およびその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09165291A true JPH09165291A (ja) | 1997-06-24 |
Family
ID=18415040
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7351098A Pending JPH09165291A (ja) | 1995-12-14 | 1995-12-14 | 単結晶製造方法およびその装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5785757A (ja) |
| JP (1) | JPH09165291A (ja) |
| TW (1) | TW328973B (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6039801A (en) | 1998-10-07 | 2000-03-21 | Memc Electronic Materials, Inc. | Continuous oxidation process for crystal pulling apparatus |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3261671A (en) * | 1963-11-29 | 1966-07-19 | Philips Corp | Device for treating semi-conductor materials by melting |
| DE3005492C2 (de) * | 1980-02-14 | 1983-10-27 | Wacker-Chemitronic Gesellschaft für Elektronik-Grundstoffe mbH, 8263 Burghausen | Verfahren zur Herstellung reinster Einkristalle durch Tiegelziehen nach Czochralski |
| US4358416A (en) * | 1980-12-04 | 1982-11-09 | Olin Corporation | Apparatus and process for cooling and solidifying molten material being electromagnetically cast |
-
1995
- 1995-12-14 JP JP7351098A patent/JPH09165291A/ja active Pending
-
1996
- 1996-11-13 TW TW085113904A patent/TW328973B/zh active
- 1996-12-13 US US08/764,989 patent/US5785757A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW328973B (en) | 1998-04-01 |
| US5785757A (en) | 1998-07-28 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050711 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060425 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060905 |