CN103628040A - Mocvd设备和mocvd加热方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开一种MOCVD设备和一种MOCVD加热方法。该MOCVD设备包括：反应腔室、感应线圈和托盘，所述感应线圈位于所述反应腔室的外部，所述托盘位于所述反应腔室的内部；其中，所述感应线圈，用于产生磁场并通过所述磁场对所述托盘进行加热；所述托盘，用于摆放衬底并且与所述磁场之间产生相对运动，以使所述衬底交替通过所述磁场中的磁力线稀疏区域和磁力线密集区域。本发明实施例中，由于托盘上的衬底交替通过磁场中的磁力线稀疏区域和磁力线密集区域，从而使得托盘上不同区域的加热温度更加均匀，提高了衬底上温度的均匀性，因此改善了外延片的质量，并且能够实现大尺寸外延片的加工。

Description

MOCVD设备和MOCVD加热方法

技术领域

本发明涉及半导体技术，特别涉及一种MOCVD设备和MOCVD加热方法。

背景技术

MOCVD（Metal-organic Chemical Vapor Deposition，金属有机化合物化学气相沉积）是通过晶体生长源材料，以热分解反应方式在衬底上进行气相外延的生长技术。MOCVD设备是利用MOCVD技术在衬底的表面沉积薄膜的设备。在使用MOCVD设备进行薄膜的沉积时，其工艺时间较长，典型的情况是，5-6个小时完成一个完整的工艺过程。

为了提高MOCVD设备的生产效率，采用可以同时摆放多片衬底的摆放方式，目前主要使用的一种方式是大托盘方式，请参阅图1，其中，大托盘10上放置了多个小托盘11，每个小托盘11上放置多片衬底12，从而进行多片衬底12的薄膜沉积。另一种新近提出的方式是多盘垂直排列的盒式（cassette）方式，请参阅图2，在反应腔室20中，多个托盘21垂直排列，每个托盘21上放置多片衬底22。垂直排列盒式方式具有升级容易的特点，并且相对于大托盘方式，可以以更大批量加工衬底，因此代表了未来发展的趋势。

在MOCVD设备的薄膜生成工艺过程中，晶体生长源材料的热分解受到温度的影响，因此反应腔室中的温度是决定薄膜质量的重要因素，为了以较均匀的方式对衬底进行加热，并且保证加热速度，人们设计了感应式加热方式。

请参阅图3，其为感应式加热方式的示意图，其中，在反应腔室30的外壁安装感应线圈31，在反应腔室30的内部摆放有石墨托盘32，感应线圈31与石墨托盘32同心设置。感应线圈31和中高频的RF电源连接，感应线圈31中的低频交变电流产生交变磁场，交变磁场的磁力线33与石墨托盘32垂直相交，当磁力线33穿过石墨托盘32时，磁力线33被切割产生感应电动势，从而在石墨托盘32中产生低频涡流。由于涡流在石墨托盘32中的电阻热效应，石墨托盘32产生热量，因此，通过这种感应式加热方式对石墨托盘32进行了加热，其中，石墨托盘32产生的热量随着磁力线33的磁场强度、交变频率、磁力线密度的增大而增加。

请参阅图4，为感应加热方式中反应腔室内的磁场分布示意图，其中磁场由环形缠绕的感应线圈40生成。从图中可以看出，磁场中的磁力线41的分布并不均匀，具体地，磁力线41的分布从反应腔室内部的中心位置向边沿位置存在由疏到密的变化，而磁力线41的不均匀将会造成托盘表面温度的不均匀，对于与感应线圈40同心设置的托盘，会造成托盘表面外围温度较高，中间温度较低，上述现象将导致了感应式加热方式中的如下问题：托盘表面的温度变化将会造成放置在托盘上不同位置的衬底的生长温度不同，衬底的生长温度不同将造成薄膜生长速度的差异以及沉积薄膜的不一致。进一步地，生长多层异质结构时，反应腔内的进气装置会统一变换组分以生长多层异质结构，而各个衬底的生长速度不一致，随着统一的组分变换，将导致其多层异质结构的不同，从而无法保证衬底上生成的薄膜的一致性。

综上所述，磁力线分布不均匀造成托盘表面温度的不均匀，从而无法保证衬底上薄膜生长质量。

发明内容

为了解决上述问题，本发明提供一种MOCVD设备和一种MOCVD加热方法，其能够在MOCVD工艺过程中，改善整个石墨托盘表面温度的均匀性，提高衬底上薄膜生长的质量。

为此，本发明实施例提供一种MOCVD设备，所述MOCVD设备包括：反应腔室、感应线圈和托盘，所述感应线圈位于所述反应腔室的外部，所述托盘位于所述反应腔室的内部；其中，

所述感应线圈，用于产生磁场并通过所述磁场对所述托盘进行加热；

所述托盘，用于摆放衬底并且与所述磁场之间产生相对运动，以使所述衬底交替通过所述磁场中的磁力线稀疏区域和磁力线密集区域。

优选地，所述托盘的中心轴偏离所述磁场的中心轴。

优选地，所述感应线圈环形缠绕在所述反应腔室外侧；

所述MOCVD设备还包括位于所述托盘下方并支撑所述托盘的自转连接装置，所述自转连接装置用于带动所述托盘进行旋转，其中，所述托盘的旋转中心轴偏离所述反应腔室的中心轴。

优选地，所述MOCVD设备还包括环绕在所述反应腔室之外、用于固定所述感应线圈的线圈固定装置，所述感应线圈环形缠绕在所述线圈固定装置上，所述线圈固定装置的直径大于所述反应腔室的直径，且所述线圈固定装置的中心轴偏离所述反应腔室的中心轴。

优选地，所述MOCVD设备还包括位于所述托盘下方并支撑所述托盘的自转连接装置；所述自转连接装置用于带动所述托盘进行旋转。

优选地，所述线圈固定装置能够在驱动装置的驱动下沿第一预定路径进行运动。

优选地，还包括线圈底座和移动滑轨，其中，所述移动滑轨沿所述第一预定路径设置；所述线圈底座的上端连接所述线圈固定装置、下端滑动连接到所述移动滑轨，所述线圈底座还与驱动装置连接，并能够在驱动装置的驱动下带动所述线圈固定装置沿所述移动滑轨进行运动。

优选地，所述感应线圈环形缠绕在所述反应腔室的外壁上，所述托盘能够在驱动装置的驱动下沿第二预定路径运动。

优选地，所述第二预定路径为沿所述反应腔室的水平径向方向的路径，或

所述第二预定路径为中心位于反应腔室的中心轴上的正方形路径。

优选地，还包括移动连接装置和移动滑轨，所述移动滑轨沿所述第二预定路径设置，所述移动连接装置的上端连接在所述托盘的下方并且其下端连接在所述移动滑轨上，以用于支撑所述托盘并在驱动装置的驱动下带动所述托盘沿所述移动滑轨进行运动。

优选地，所述托盘的数量为多个，所述托盘按照一列竖直层叠的方式排列或者按照多列竖直层叠的方式排列。

本发明实施例中，由于托盘与磁场之间存在相对运动，使得托盘上的衬底交替通过磁场中的磁力线稀疏区域和磁力线密集区域，避免了在现有技术中部分衬底始终处于磁力线稀疏区域而部分衬底始终处于磁力线密集区域的情况，从而对于整个工艺过程，托盘上不同区域的加热温度更加均匀，提高了衬底上温度的均匀性，因此改善了托盘上制作的外延片的质量，并且能够实现大尺寸外延片的加工。

本发明实施例还提供一种MOCVD加热方法，所述方法应用于MOCVD设备，所述MOCVD设备包括反应腔室、感应线圈和托盘，所述感应线圈位于所述反应腔室的外部，所述托盘位于所述反应腔室的内部，所述托盘用于摆放衬底；所述方法包括：所述感应线圈产生磁场并通过所述磁场对所述托盘进行加热；在加热过程中，所述托盘与所述磁场之间产生相对运动，以使所述衬底交替通过所述磁场中的磁力线稀疏区域和磁力线密集区域。

对于本发明实施例提供的MOCVD加热方法，由于托盘与磁场之间存在相对运动，使得托盘上的衬底交替通过磁场中的磁力线稀疏区域和磁力线密集区域，避免了在现有技术中部分衬底始终处于磁力线稀疏区域而部分衬底始终处于磁力线密集区域的情况，从而对于整个工艺过程，托盘上不同区域的加热温度更加均匀，提高了衬底上温度均匀性，因此改善了衬底上外延膜生长质量，并且能够实现大尺寸衬底的加工。

附图说明

图1为现有技术中衬底摆放的大托盘方式的示意图；

图2为现有技术中衬底摆放的垂直排列盒式方式的示意图；

图3为现有技术中感应式加热方式的示意图；

图4为现有技术中感应加热方式中反应腔室内的磁场分布示意图；

图5为本发明实施例提供的MOCVD设备的结构示意图；

图6为本发明实施例提供的MOCVD设备中反应腔室中的托盘设置示意图；

图7为本发明实施例提供的MOCVD设备的结构示意图；

图8为本发明实施例提供的MOCVD设备的结构示意图；

图9为本发明实施例提供的MOCVD设备的结构示意图；

图10A，10B为本发明实施例中移动滑轨的设置方式的示意图。

具体实施方式

为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图对本发明实施例提供的MOCVD设备以及MOCVD设备加热方法进行详细描述。

本发明提供了一种MOCVD设备，该MOCVD设备包括反应腔室、感应线圈以及托盘。除上述结构之外，MOCVD设备还包括气体输运系统，尾气处理系统等装置。

其中，该MOCVD设备是一种感应式加热的MOCVD设备，感应线圈位于反应腔室的外部，感应线圈和中高频的RF电源连接，用于在工艺过程中产生磁场并且通过磁场对反应腔室中的托盘进行加热。本发明利用感应线圈产生的磁场的分布规律，将石墨托盘相对于感应加热线圈偏心设置，在工艺过程中，通过托盘与磁场之间产生相对运动，使所述托盘上的衬底交替通过磁场中的磁力线稀疏区域和磁力线密集区域，实现整个石墨托盘上的温度分布更加均匀。

具体地，托盘与磁场之间存在相对运动是指，托盘上至少存在一点，该点在第一时刻位于磁场中的第一位置，并且在第二时刻位于磁场中的第二位置，其中，第一位置上的磁力线密集程度不同于第二位置上的磁力线密集程度。

在现有技术中，托盘上的不同环带始终处于各个不同的磁力线密集程度固定的区域，由于托盘通过切割磁力线产生热量，并且石墨托盘的中心区域磁力线较为稀疏，而边缘区域磁力线较为密集，造成托盘中位于不同区域的部分产生热量的速度不同，即托盘位于中心区域的部分升温较慢，托盘位于边缘区域的部分升温较快，因此在不同的环带上托盘升温的程度不均，影响托盘上制作的外延片的质量，也限制了大尺寸外延片的加工。相对于现有技术，本发明中，石墨托盘相对于感应加热线圈偏心设置，在工艺过程中，通过托盘与磁场之间产生相对运动，使得托盘上的衬底交替通过磁场中的磁力线稀疏区域和磁力线密集区域，避免了在现有技术中部分衬底始终处于磁力线稀疏区域而部分衬底始终处于磁力线密集区域的情况，从而对于整个工艺过程，托盘上不同区域的加热温度更加均匀，提高了衬底上温度的均匀性，因此改善了托盘上制作的外延片的质量，并且能够实现大尺寸外延片的加工。

请参阅图5，作为一种可实施方式，本发明提供了一种MOCVD设备，该MOCVD设备包括反应腔室51、感应线圈52、托盘54、以及自转连接装置55。

其中，感应线圈52环形缠绕在反应腔室51的外壁上，感应线圈52和中高频的RF电源连接，用于在工艺工程中产生交变磁场。在反应腔室51的内部摆放有托盘54，托盘54的中心轴偏离反应腔室51的中心轴，由于反应腔室51和感应线圈52同心设置，因此托盘54的中心也偏离感应线圈52产生的磁场的中心。自转连接装置55位于托盘54的下方，且与托盘54的中心相连接，该自转连接装置55用于支撑托盘54并且能够在驱动力的驱动下带动托盘54进行自转，其中，可以设置自转连接装置55以预定速度带动托盘54进行自转。

通过上述设置，由于感应线圈52和托盘54的偏心设置，在工艺过程中，当托盘54围绕其中心轴进行自转时，托盘54上的衬底能够交替通过磁场中的磁力线稀疏区域和磁力线密集区域，使得整个托盘54上的衬底的受热更加均匀。对于托盘54来说，旋转使托盘54的边缘区域交替切割磁力线最稀疏区域和最密集区域，而托盘54的中心区域则处于磁力线分布较为均匀的区域，这样由于磁力线疏密引起的托盘54的表面温差就会大幅度降低，使得托盘54的加热温度更加均匀，从而为衬底上薄膜的生长提供更好的生长温度环境，提高了衬底上生长的外延片的质量，进而提高产品的良品率。本实施例可以适用于图1所示的大托盘方式，也适用于图2所示的多盘垂直排列的盒式方式。

本实施例中，由于托盘54的尺寸小于反应腔室的尺寸，在反应腔室大小一定的情况下，小尺寸的托盘将降低生产效率，因此，请参阅图6，可以在反应腔室51中设置3个托盘54平行设置，每个托盘54在其下方具有与其中心相连接的自转连接装置55，该自转连接装置55用于支撑各个托盘54并且能够分别带动各个托盘54进行自转。本实施例以3个托盘平行设置为例进行说明，也可以设置其他数目的托盘平行设置，并分别与各自的自转连接装置连接。通过这种设置，可以在降低托盘表面温差使托盘加热温度均匀的同时，提高生产效率。在用于多盘垂直排列的盒式方式时，可以将多列垂直排列的托盘并列设置。

请参阅图7，作为一种可实施方式，本发明还提供了一种MOCVD设备，该MOCVD设备包括反应腔室71、感应线圈72、线圈固定装置73、托盘74、以及自转连接装置75。

其中，线圈固定装置73用于固定感应线圈72，感应线圈72呈环形缠绕在线圈固定装置73上，线圈固定装置73可以是例如圆筒状的形状并环绕在反应腔室71之外，线圈固定装置73的直径d1大于反应腔室71的直径d2，并且线圈固定装置73的中心轴偏离反应腔室71的中心轴。在反应腔室71中，托盘74与反应腔室71同心设置，自转连接装置75位于托盘74下方，且与托盘74的中心相连接，该自转连接装置75用于支撑托盘74并且能够在驱动力的驱动下带动托盘74以预定速度进行自转。

通过上述设置，由于托盘74和反应腔室71同心设置，感应线圈72与反应腔室71偏心设置，在工艺过程中，当反应腔室71中的托盘74围绕其中心轴进行自转时，托盘74的不同位置能够交替通过反应腔室中磁场的磁力线稀疏区域和磁力线密集区域，以实现使托盘74上的衬底交替通过磁场中的磁力线稀疏区域和磁力线密集区域，从而使得整个托盘74上的衬底的受热更加均匀。其中，托盘74的边缘区域在旋转中交替经过磁力线最稀疏区域和最密集区域，而托盘74的中心区域则处于磁力线分布较为均匀的区域，这样由于磁力线疏密变化引起的托盘74的表面温差就会大幅度降低，使得托盘74的加热温度更加均匀，从而为衬底上薄膜的生长提供更均匀的生长温度，提高了衬底上外延片的质量，进而提高产品的良品率。

请参阅图8，作为另一种可实施方式，本发明还提供了一种MOCVD设备，该MOCVD设备包括反应腔室81、感应线圈、线圈固定装置83、托盘、以及驱动装置。其中，感应线圈、托盘以及驱动装置在图中未示出。

其中，线圈固定装置83用于固定感应线圈，感应线圈环形缠绕在线圈固定装置83上，线圈固定装置83可以是例如圆筒状的形状并环绕在反应腔室81之外，线圈固定装置83的直径大于反应腔室81的直径，并且线圈固定装置83的中心轴偏离反应腔室81的中心轴。在反应腔室81中，托盘可以采用反应腔室81所能允许的最大直径，并且托盘与反应腔室81同心设置。

线圈固定装置83能够在驱动装置的驱动下沿第一预定路径以预定速度进行运动。具体的，第一预定路径可以是直线型、或圆形，或者其他能够使得线圈固定装置83在运动中与反应腔室81的中心轴相对位置发生变化的形状。

如图8所示，以第一预定路径是圆形为例进行了说明。其中，线圈固定装置83可以通过线圈底座85和驱动装置连接，具体的，线圈底座85的可以通过辐射状的固定杆（图中没有示出）与线圈固定装置83固定连接，线圈底座85还能够滑动连接到移动滑轨86，移动滑轨86沿第一预定路径进行设置。从而使得线圈固定装置83能够在驱动装置的带动下沿移动滑轨86以预定速度进行运动。本示例中采用线圈底座带动线圈固定装置在移动滑轨上进行移动的方式使感应线圈进行运动，在实际应用中，也可以采用其它的方式使得感应线圈进行运动。

通过上述设置，在线圈固定装置83沿第一预定路径进行运动的过程中，当线圈固定装置83的左侧边缘最接近反应腔室81的外壁时，托盘上左侧边缘区域位于磁力线最密集区域，托盘上右侧边缘区域位于磁力线最稀疏区域；当线圈固定装置83的右侧边缘最接近反应腔室81的外壁时，托盘上左侧边缘区域位于磁力线最稀疏区域，托盘上右侧边缘区域位于磁力线最密集区域。因此，使得托盘的边缘区域在旋转中交替经过磁力线最稀疏区域和最密集区域，而托盘的中心区域则处于磁力线分布较为均匀的区域，这样由于磁力线疏密变化引起的托盘的表面温差就会大幅度降低，使得托盘的加热温度更加均匀，从而为衬底上薄膜的生长提供更好的生长温度环境，提高了衬底上生长的外延片的质量，进而提高产品的良品率。

上述实施例可以适用于图1所示的大托盘方式，也适用于图2所示的多盘垂直排列的盒式方式。另外，上述实施例的优点之一是不需要改变现有反应腔室内的结构，只需对感应线圈的设置进行改进即可，在应用中实现起来较为方便。

请参阅图9，作为另一种可实施方式，本发明还提供了一种MOCVD设备，该MOCVD设备包括反应腔室91、感应线圈92、托盘94、以及驱动装置。

其中，感应线圈92环形缠绕在反应腔室91的外壁上，该感应线圈92用于在工艺工程中产生交变磁场。在反应腔室91的内部摆放有托盘94，托盘94的中心偏离反应腔室91的中心，由于反应腔室91和感应线圈92同心设置，因此托盘94的中心也偏离感应线圈92产生的磁场的中心。托盘能够在驱动装置的驱动下沿第二预定路径运动。具体的，托盘94通过移动连接装置96与驱动装置相连接。移动连接装置96的上端连接在托盘的下方且与托盘94的中心相连接，移动连接装置96的下端与移动滑轨97滑动连接，移动滑轨97沿第二预定路径进行设置。移动连接装置96可用于支撑托盘94并且能够在驱动装置的驱动下带动托盘94沿移动滑轨97进行运动。下面对移动滑轨97的具体设置进行说明。

具体地，请参阅图10A，其示出了一种移动滑轨97的设置方式的示意图。如图10A所示，当第二预定路径为中心位于反应腔室的中心轴上的正方形路径时，相应地可以将移动滑轨97设置为正方形的轨道，托盘94可以沿轨道移动。对于托盘94上的边缘区域a1，在托盘94移动的过程中，边缘区域a1将交替经过磁场中的磁力线稀疏区域和磁力线密集区域，而对于托盘94的中心区域b1，始终处于磁力线分布较为均匀的区域。这样由于磁力线疏密引起的托盘94的表面温差就会大幅度降低，使得托盘的加热温度更加均匀，从而为衬底上薄膜的生长提供更好的生长温度环境，提高了衬底上生长的外延片的质量，进而提高产品的良品率。在图9A示出的设置中，为了提高生产效率，可以设置多个托盘94，例如在移动滑轨97相对的两条边上分别设置一个托盘94。对于多盘垂直排列的盒式方式，在一排垂直排列的托盘中，各个托盘之间可以采用连接装置进行连接，并且将最下端的托盘连接到移动滑轨上，从而在工艺过程中沿移动滑轨整体移动。

请参阅图10B，示出了另一种移动滑轨97的设置方式的示意图。其中，当第二预定路径为沿反应腔室的水平径向方向的路径时，相应地可以将移动滑轨97设置为直线型的轨道，托盘94可以沿轨道移动。对于托盘94上下侧的边缘区域a1，始终处于磁力线分布较为均匀的区域。对于托盘94上的左右侧的边缘区域b1，在托盘94移动的过程中，边缘区域b1将交替经过磁场中的磁力线稀疏区域和磁力线密集区域，因此边缘区域a1和边缘区域b1的加热温度较为均衡。对于托盘94的中心区域c1和左右侧边缘区域b1，在托盘94的移动过程中，部分位置上c1的加热速度将高于b1，部分位置上c1的加热速度低于b1，总体来说b1和c1之间的温差得到了改善，因此与现有技术相比，对托盘上的温差起到了改善作用。因此，通过本实施例的设置，可以降低由于磁力线疏密引起的托盘94的表面温差，使得托盘的加热温度更加均匀，从而为衬底上薄膜的生长提供更好的生长温度环境，提高了衬底上生长的外延片的质量，进而提高产品的良品率。

基于与上述设备实施例相同或者相似的技术构思，本发明实施例还提供了一种MOCVD加热方法，应用于感应式加热的MOCVD设备中，其中，在工艺过程中，反应腔室中的托盘与磁场之间产生相对运动，以使所述托盘上的衬底交替通过磁场中的磁力线稀疏区域和磁力线密集区域。

反应腔室中的托盘与磁场之间产生相对运动的具体定义可参见上述装置实施例中的解释。

反应腔室中的托盘与磁场之间产生相对运动具体实现可以采用如下方式：设置托盘的中心偏离磁场的中心轴，并且托盘以托盘的中心为旋转中心进行旋转。为了使得托盘的中心偏离磁场的中心轴，可以采用两种方式。其一，感应线圈设置为缠绕在所述反应腔室的外侧，且所述托盘的中心偏离所述反应腔室的中心轴；其二，感应线圈设置为其中心轴偏离所述反应腔室的中心轴，且所述托盘的中心位于所述反应腔室的中心轴。上述两种方式都可以达到使得托盘的中心偏离磁场的中心轴的目的。

通过这样的设置，在工艺过程中随着托盘的旋转，托盘的外围在旋转中交替经过磁力线最稀疏区域和最密集区域，而托盘的中心则处于磁力线分布较为均匀的区域，这样由于磁力线疏密变化引起的托盘的表面温差就会大幅度降低，使得托盘的加热温度更加均匀，从而为衬底上薄膜的生长提供更好的生长温度环境，提高了衬底上生长的外延片的质量，进而提高产品的良品率。

除了上述方式，还用采用其它方式使得托盘与磁场之间产生相对运动。例如，托盘保持静止，通过线圈的运动使得托盘与磁场之间产生相对运动。具体的，设置所述线圈缠绕的直径大于所述反应腔室的直径，并且托盘的中心偏离反应腔室的中心轴。托盘与所述磁场之间产生相对运动具体为：感应线圈在驱动装置的驱动下沿第一预定路径以预定速度运动，以使感应线圈产生的磁场进行运动。

另外，在现有的线圈设置方式下，可以通过托盘的其他运动方式的设置来使得托盘与磁场之间存在相对运动。具体的，磁场由环形缠绕在反应腔室外壁上的感应线圈产生，设置托盘的直径小于反应腔室的直径，托盘与所述磁场之间产生相对运动具体为：托盘在驱动装置的驱动下沿第二预定路径运动。其中，第二预定路径可以是沿反应腔室的水平径向方向的路径，或这第二预定路径可以是中心位于反应腔室的中心轴上的正方形路径。

相对于现有技术，本发明实施例提供的MOCVD加热方法中，托盘与磁场之间存在相对运动，以使所述托盘上的衬底交替通过磁场中的磁力线稀疏区域和磁力线密集区域，对于整个工艺过程，托盘上不同区域的加热温度更加均匀，因此改善了托盘上制作的衬底的质量，并且能够实现大尺寸衬底的加工。

可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (12)

1.一种MOCVD设备，所述MOCVD设备包括：反应腔室、感应线圈和托盘，所述感应线圈位于所述反应腔室的外部，所述托盘位于所述反应腔室的内部；其特征在于，其中

所述感应线圈，用于产生磁场并通过所述磁场对所述托盘进行加热；

所述托盘，用于摆放衬底并且与所述磁场之间产生相对运动，以使所述衬底交替通过所述磁场中的磁力线稀疏区域和磁力线密集区域。

2.如权利要求1所述的MOCVD设备，其特征在于，所述托盘的中心轴偏离所述磁场的中心轴。

3.如权利要求2所述的MOCVD设备，其特征在于，所述感应线圈环形缠绕在所述反应腔室外侧；

所述MOCVD设备还包括位于所述托盘下方并支撑所述托盘的自转连接装置，所述自转连接装置用于带动所述托盘进行旋转，其中，所述托盘的旋转中心轴偏离所述反应腔室的中心轴。

4.如权利要求2所述的MOCVD设备，其特征在于，所述MOCVD设备还包括环绕在所述反应腔室之外、用于固定所述感应线圈的线圈固定装置，所述感应线圈环形缠绕在所述线圈固定装置上，所述线圈固定装置的直径大于所述反应腔室的直径，且所述线圈固定装置的中心轴偏离所述反应腔室的中心轴。

5.如权利要求4所述的MOCVD设备，其特征在于，所述MOCVD设备还包括位于所述托盘下方并支撑所述托盘的自转连接装置；所述自转连接装置用于带动所述托盘进行旋转。

6.如权利要求4所述的MOCVD设备，其特征在于，所述线圈固定装置能够在驱动装置的驱动下沿第一预定路径进行运动。

7.如权利要求6所述的MOCVD设备，其特征在于，还包括线圈底座和移动滑轨，其中，所述移动滑轨沿所述第一预定路径设置；所述线圈底座的上端连接所述线圈固定装置、下端滑动连接到所述移动滑轨，所述线圈底座还与驱动装置连接，并能够在驱动装置的驱动下带动所述线圈固定装置沿所述移动滑轨进行运动。

8.如权利要求1所述的MOCVD设备，其特征在于，所述感应线圈环形缠绕在所述反应腔室的外壁上，所述托盘能够在驱动装置的驱动下沿第二预定路径运动。

9.如权利要求8所述的MOCVD设备，其特征在于，

所述第二预定路径为沿所述反应腔室的水平径向方向的路径，或

所述第二预定路径为中心位于反应腔室的中心轴上的正方形路径。

10.如权利要求9所述的MOCVD设备，其特征在于，还包括移动连接装置和移动滑轨，所述移动滑轨沿所述第二预定路径设置，所述移动连接装置的上端连接在所述托盘的下方并且其下端连接在所述移动滑轨上，以用于支撑所述托盘并在驱动装置的驱动下带动所述托盘沿所述移动滑轨进行运动。

11.如权利要求1-10中任一项所述的MOCVD设备，其特征在于，所述托盘的数量为多个，所述托盘按照一列竖直层叠的方式排列或者按照多列竖直层叠的方式排列。

12.一种MOCVD加热方法，其特征在于，所述方法应用于MOCVD设备，所述MOCVD设备包括反应腔室、感应线圈和托盘，所述感应线圈位于所述反应腔室的外部，所述托盘位于所述反应腔室的内部，所述托盘用于摆放衬底；

所述方法包括：

所述感应线圈产生磁场并通过所述磁场对所述托盘进行加热；

在加热过程中，所述托盘与所述磁场之间产生相对运动，以使所述衬底交替通过所述磁场中的磁力线稀疏区域和磁力线密集区域。

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