JP2019169721A5 - - Google Patents

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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6668455B2 (ja) 2016-04-01 2020-03-18 株式会社半導体エネルギー研究所 酸化物半導体膜の作製方法
US10461197B2 (en) 2016-06-03 2019-10-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Sputtering target, oxide semiconductor, oxynitride semiconductor, and transistor
CN109643735B (zh) 2016-09-12 2022-12-16 株式会社半导体能源研究所 显示装置及电子设备
JP7410935B2 (ja) 2018-05-24 2024-01-10 ザ リサーチ ファウンデーション フォー ザ ステイト ユニバーシティー オブ ニューヨーク 容量性センサ
CN116240630A (zh) * 2018-08-01 2023-06-09 出光兴产株式会社 晶体化合物、氧化物烧结体、溅射靶、晶质及无定形氧化物薄膜、薄膜晶体管及电子设备
KR102708746B1 (ko) 2018-12-19 2024-09-20 엘지디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 및 이를 포함하는 표시장치
US12166134B2 (en) * 2019-03-01 2024-12-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP7461129B2 (ja) * 2019-10-17 2024-04-03 株式会社ジャパンディスプレイ 半導体装置及び半導体装置の製造方法
KR102401939B1 (ko) * 2020-07-27 2022-05-26 한양대학교 산학협력단 이종 접합 구조의 금속 산화물 반도체층을 갖는 박막 트랜지스터, 이를 포함하는 디스플레이 장치 및 이의 제조방법
CN115117176A (zh) * 2022-06-30 2022-09-27 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种薄膜晶体管及其制备方法

Family Cites Families (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009206508A (ja) 2008-01-31 2009-09-10 Canon Inc 薄膜トランジスタ及び表示装置
TWI622175B (zh) * 2008-07-31 2018-04-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
JP2010153802A (ja) 2008-11-20 2010-07-08 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及び半導体装置の作製方法
JP5328414B2 (ja) 2009-02-25 2013-10-30 富士フイルム株式会社 トップゲート型の電界効果型トランジスタ及びその製造方法並びにそれを備えた表示装置
KR102329380B1 (ko) 2009-10-09 2021-11-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR20190066086A (ko) * 2009-11-06 2019-06-12 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
KR20200124769A (ko) 2009-11-20 2020-11-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 트랜지스터
CN105206514B (zh) * 2009-11-28 2018-04-10 株式会社半导体能源研究所 层叠的氧化物材料、半导体器件、以及用于制造该半导体器件的方法
WO2011089844A1 (en) * 2010-01-24 2011-07-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
TWI562285B (en) 2010-08-06 2016-12-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8912536B2 (en) * 2010-11-19 2014-12-16 Samsung Electronics Co., Ltd. Transistors, methods of manufacturing the same and electronic devices including transistors
CN103339715B (zh) 2010-12-03 2016-01-13 株式会社半导体能源研究所 氧化物半导体膜以及半导体装置
JP5750063B2 (ja) * 2011-02-10 2015-07-15 株式会社コベルコ科研 酸化物焼結体およびスパッタリングターゲット
WO2012117926A1 (ja) * 2011-03-01 2012-09-07 シャープ株式会社 スパッタリングターゲット、その製造方法、および薄膜トランジスタの製造方法
JP5947099B2 (ja) * 2011-05-20 2016-07-06 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8952377B2 (en) * 2011-07-08 2015-02-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP6257900B2 (ja) * 2012-02-23 2018-01-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP6051960B2 (ja) 2012-03-19 2016-12-27 株式会社リコー 導電性薄膜、導電性薄膜形成用塗布液、電界効果型トランジスタ、及び電界効果型トランジスタの製造方法
KR102071545B1 (ko) 2012-05-31 2020-01-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP5972065B2 (ja) * 2012-06-20 2016-08-17 富士フイルム株式会社 薄膜トランジスタの製造方法
JP5654648B2 (ja) * 2012-08-10 2015-01-14 株式会社半導体エネルギー研究所 金属酸化物膜
WO2014073585A1 (en) * 2012-11-08 2014-05-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Metal oxide film and method for forming metal oxide film
TWI605593B (zh) * 2012-11-15 2017-11-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
TWI618252B (zh) 2013-02-12 2018-03-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US9190527B2 (en) * 2013-02-13 2015-11-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device
JP6199581B2 (ja) * 2013-03-08 2017-09-20 株式会社半導体エネルギー研究所 金属酸化物膜、及び半導体装置
US9496330B2 (en) * 2013-08-02 2016-11-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor film and semiconductor device
JP6383616B2 (ja) * 2013-09-25 2018-08-29 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
CN111524967B (zh) * 2014-02-21 2024-07-12 株式会社半导体能源研究所 半导体膜、晶体管、半导体装置、显示装置以及电子设备
WO2015132697A1 (en) * 2014-03-07 2015-09-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6166207B2 (ja) * 2014-03-28 2017-07-19 出光興産株式会社 酸化物焼結体及びスパッタリングターゲット
JP2016100585A (ja) * 2014-11-26 2016-05-30 株式会社Ｊｏｌｅｄ 半導体装置およびその製造方法、ならびに表示装置および電子機器
US10684500B2 (en) 2015-05-27 2020-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Touch panel
US10139663B2 (en) 2015-05-29 2018-11-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Input/output device and electronic device
KR20160144314A (ko) 2015-06-08 2016-12-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 촬상 장치 및 그 동작 방법, 및 전자 기기
JP2017003976A (ja) 2015-06-15 2017-01-05 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
KR102593883B1 (ko) 2015-06-19 2023-10-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 그 제작 방법, 및 전자 기기
US9860465B2 (en) 2015-06-23 2018-01-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device and electronic device
KR102734238B1 (ko) 2016-03-04 2024-11-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 그 제작 방법, 및 상기 반도체 장치를 포함하는 표시 장치
WO2017149413A1 (en) 2016-03-04 2017-09-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR102358289B1 (ko) 2016-03-11 2022-02-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 복합체 및 트랜지스터
US9905579B2 (en) 2016-03-18 2018-02-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device including the semiconductor device
KR102448587B1 (ko) * 2016-03-22 2022-09-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 및 상기 반도체 장치를 포함하는 표시 장치

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