JP2019106535A - 3次元半導体メモリ装置 - Google Patents
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Abstract
Description
本発明が解決しようとする課題は信頼性及び集積度をより向上できる3次元半導体メモリ装置の製造方法を提供することにある。
本発明が解決しようとする課題は以上のように言及された課題に制限されず、言及されない他の課題は下の記載から当業者に明確に理解されるべきである。
その他の実施形態の具体的な事項は詳細な説明及び図面に含まれている。
図1は本発明の実施形態に係る3次元半導体メモリ装置のセルアレイを示す概略ブロック図である。
図1を参照すれば、本発明の実施形態に係る半導体メモリ装置のセルアレイは共通ソースラインCSL、複数のビットラインBL(以下、BL0−BL2、という)、及び共通ソースラインCSLとビットラインBLとの間に配置される複数のセルストリングCSTRを含む。
電極ELの各々は連結領域CNRでパッド部を有し、電極ELのパッド部は水平的に及び垂直的に互いに異なる位置に位置する。さらに、電極ELの中で最上層に位置する電極は第1方向D1に延長されるライン形状を有し、分離絶縁パターン40によって互いに離隔される。
また、第2垂直構造体VS2の中で一部は、平面視で垂直的に隣接する電極ELの境界を貫通する。実施形態で、第2垂直構造体VS2の配置は多様に変形できる。さらに、第1垂直構造体VS1の上端、即ち、第1垂直半導体パターンUSP1の上端にビットラインコンタクトプラグBPLGと接続される導電パッドPADが位置できる。同様に、第2垂直構造体VS2の上端にも導電パッドPADが位置できる。
第2埋め込み絶縁パターンVI2の底面は第2垂直絶縁パターンVP2の底面又は第2下部半導体パターンLSP2の上面より低いレベルに位置する。実施形態で、第2埋め込み絶縁パターンVI2の幅は第1埋め込み絶縁パターンVI1の幅より大きい。
図12を参照すれば、3次元半導体メモリ装置は周辺ロジック構造体PS及びセルアレイ構造体CSを含み、周辺ロジック構造体PSの上にセルアレイ構造体CSが積層される。即ち、周辺ロジック構造体PSとセルアレイ構造体CSとが、平面視でオーバーラップされる。
階段式構造を有する電極構造体STの終端にセルアレイ構造体CSと周辺ロジック構造体PSとを電気的に連結するための配線構造体が提供される。配線構造体は平坦化絶縁膜50を貫通して電極ELの終端に接続されるセルコンタクトプラグCPLG、平坦化絶縁膜50上でセルコンタクトプラグCPLGに接続される連結配線CL、及び平坦化絶縁膜50及び水平半導体層100を貫通して周辺ロジック構造体PSの周辺回路配線ICLに接続される連結コンタクトプラグPLGを含む。
図面には第1及び第2局所半導体膜SP2a、SP2bと第2半導体層SP3a、SP3bが境界面を有すると図示したが、第1及び第2局所半導体膜SP2a、SP2bと第2半導体層SP3a、SP3bとの境界は事実上存在しない。即ち、第1及び第2局所半導体膜SP2a、SP2bと第2半導体層SP3a、SP3bとは先に説明された第1及び第2垂直半導体パターンUSP1、USP2を構成する。以後、第2半導体層SP3a、SP3bが形成された第1及び第2貫通ホールを満たす第1及び第2埋め込み絶縁パターンVI1、VI2が形成される。
11 バッファ絶縁膜
12 素子分離膜
15 ゲート絶縁膜
40 分離絶縁パターン
50 平坦化絶縁膜
60 第1層間絶縁膜
70 第2層間絶縁膜
80 第3層間絶縁膜
90 下部埋め込み絶縁膜
110 モールド構造体
BL(BL0−BL2) ビットライン
BLK ブロッキング絶縁膜
BPLG ビットラインコンタクトプラグ
CAR セルアレイ領域
CIL 電荷格納膜
CL 連結配線
CNR 連結領域
CP1 第1コンタクト部
CP2 第2コンタクト部
CPLG セルコンタクトプラグ
CS セルアレイ構造体
CSL 共通ソースライン
CSP 共通ソースプラグ
CSR 共通ソース領域
CSTR セルストリング
CT コンタクトプラグ
D1、D2、D3 第1、第2、第3方向
DMC ダミーセル
DWL ダミーワードライン
EL 電極
G1、G2 ギャップ領域
GR ゲート予定領域
GST 接地選択トランジスタ
HP 水平絶縁パターン
ICL 周辺回路配線
ILD 絶縁膜
LSP1、LSP2 第1、第2下部半導体パターン
MCT メモリセルトランジスタ
NW nウェル領域
PAD 導電パッド
PCP 周辺回路プラグ
PG 周辺ゲート電極
PP 突出部
PS 周辺ロジック構造体
PW pウェル領域
RS1、RS2 リセス領域
SBL サブビットライン
SL 犠牲膜
SP 絶縁スペーサ
SP1a、SP1b 第1半導体パターン、第1ダミー半導体パターン
SP2a、SP2b 第1、第2局所半導体膜
SP3a、SP3b 第2半導体層
SS 第1及び第2垂直ホールVH1、VH2
SST1、SST2 第1、第2ストリング選択トランジスタ
ST 電極構造体
TH1、TH2 第1、第2貫通ホール
TIL トンネル絶縁膜
USP1 第1垂直半導体パターン
USP2 第2垂直半導体パターン
VCP1 第1垂直チャネル部
VCP2 第2垂直チャネル部
VH1,VH2 第1、第2垂直ホールVI1 第1埋め込み絶縁パターン
VI2 第2埋め込み絶縁パターン
VL 垂直絶縁層
VP1 第1垂直絶縁パターン
VP2 第2垂直絶縁パターン
VS1 第1垂直構造体
VS2 第2垂直構造体
Claims (25)
- 半導体層上に垂直的に積層された電極を含む電極構造体と、
前記電極構造体を貫通して前記半導体層と連結される垂直半導体パターンと、
前記電極構造体と前記垂直半導体パターンとの間に配置される垂直絶縁パターンと、を含み、
前記垂直絶縁パターンは、前記電極構造体の側壁を覆う側壁部及び前記側壁部から延長されて前記半導体層の上面一部を覆う突出部を含み、
前記垂直半導体パターンは、
第1厚さに前記垂直絶縁パターンの前記側壁部を覆う垂直チャネル部と、
前記垂直チャネル部から延長されて前記垂直絶縁パターンの前記突出部及び前記半導体層の上面をコンフォーマルに覆い、前記第1厚さより大きい第2厚さを有するコンタクト部と、を含むことを特徴とする3次元半導体メモリ装置。 - 前記垂直絶縁パターンの前記側壁部は、前記第1厚さより大きい第3厚さを有する、ことを特徴とする請求項1に記載の3次元半導体メモリ装置。
- 前記垂直半導体パターンの前記垂直チャネル部は、前記垂直絶縁パターンの前記突出部の上面に配置され、
前記垂直半導体パターンの前記コンタクト部は、前記垂直絶縁パターンの前記突出部の側壁を覆う、ことを特徴とする請求項1に記載の3次元半導体メモリ装置。 - 前記垂直半導体パターンの前記垂直チャネル部及び前記コンタクト部によって定義されたギャップ領域を満たす埋め込み絶縁パターンをさらに含み、
前記埋め込み絶縁パターンは、前記コンタクト部と隣接する下部部分及び前記垂直チャネル部と隣接する上部部分を含み、前記下部部分の幅が前記上部部分の幅より小さい、ことを特徴とする請求項1に記載の3次元半導体メモリ装置。 - 前記垂直半導体パターンの前記垂直チャネル部及び前記コンタクト部によって定義されたギャップ領域を満たす埋め込み絶縁パターンをさらに含み、
前記埋め込み絶縁パターンの底面は、前記垂直絶縁パターンの底面より低いレベルに位置する、ことを特徴とする請求項1に記載の3次元半導体メモリ装置。 - 前記垂直半導体パターンの底面は、前記半導体層の上面より低いレベルに位置する、ことを特徴とする請求項1に記載の3次元半導体メモリ装置。
- 前記半導体層は、前記垂直半導体パターンの下方に前記半導体層の上面に対して傾いた側壁を有するリセス領域を有し、
前記垂直半導体パターンの前記コンタクト部は、前記傾いた側壁と接触する、ことを特徴とする請求項1に記載の3次元半導体メモリ装置。 - 前記半導体層は、前記垂直半導体パターンの下方にラウンドされた上面を有するリセス領域を含み、
前記垂直半導体パターンの前記コンタクト部は、前記ラウンドされた上面と接触する、ことを特徴とする請求項1に記載の3次元半導体メモリ装置。 - 前記半導体層は、前記電極の中で最下層電極を貫通し、前記垂直半導体パターンと連結される下部半導体パターンをさらに含み、
前記下部半導体パターンは、前記垂直半導体パターンと異なる結晶構造を有する半導体物質を含む、ことを特徴とする請求項1に記載の3次元半導体メモリ装置。 - 前記垂直半導体パターンの底面は、前記最下層電極の上面より高いレベルに位置する、ことを特徴とする請求項9に記載の3次元半導体メモリ装置。
- 前記垂直半導体パターンと離隔されて配置され、前記電極構造体を貫通して前記半導体層と連結されるダミー半導体パターンと、
前記ダミー半導体パターンと前記電極構造体との間に配置されたダミー垂直絶縁パターンと、をさらに含み、
前記ダミー半導体パターンの幅は、前記垂直半導体パターンの幅より大きい、ことを特徴とする請求項1に記載の3次元半導体メモリ装置。 - 前記ダミー半導体パターンの底面は、前記垂直半導体パターンの底面より低いレベルに位置する、ことを特徴とする請求項11に記載の3次元半導体メモリ装置。
- 前記半導体層は、前記電極の中で最下層電極を貫通し、前記ダミー半導体パターンと連結されるダミー下部半導体パターンをさらに含み、
前記ダミー半導体パターンの底面は、前記最下層電極の上面より低いレベルに位置する、ことを特徴とする請求項11に記載の3次元半導体メモリ装置。 - 前記ダミー半導体パターンは、前記ダミー垂直絶縁パターンの内側壁を覆う第1部分及び前記半導体層の上面をコンフォーマルに覆う第2部分を含み、前記第2部分が前記第1部分より厚い、ことを特徴とする請求項11に記載の3次元半導体メモリ装置。
- 前記ダミー半導体パターンの前記第1部分及び前記第2部分によって定義されたギャップ領域を満たすダミー埋め込み絶縁パターンをさらに含み、
前記ダミー埋め込み絶縁パターンは、前記ダミー半導体パターンの前記第2部分と隣接する下部部分及び前記ダミー半導体パターンの前記第2部分と隣接する上部部分を含み、前記下部部分は、前記上部部分より小さい幅を有する、ことを特徴とする請求項14に記載の3次元半導体メモリ装置。 - 前記半導体層は、第1領域及び前記第1領域と隣接する第2領域を含み、
前記電極構造体は、前記第1領域から前記第2領域に延長されて、前記第2領域上で階段構造を有する、ことを特徴とする請求項1に記載の3次元半導体メモリ装置。
- 第1領域及び第2領域を含む基板と、
前記基板上に垂直的に積層された電極を含む電極構造体と、
前記第1領域で前記電極構造体を貫通し、第1幅を有する複数個の第1垂直構造体と、
前記第2領域で前記電極構造体を貫通し、前記第1幅より大きい第2幅を有する第2垂直構造体と、を含み、
前記第1及び第2垂直構造体の各々は、前記基板と連結される下部半導体パターン、前記下部半導体パターンと連結される垂直半導体パターン、及び前記下部半導体パターン上で前記電極構造体と前記垂直半導体パターンとの間に配置された垂直絶縁パターンを含み、
前記垂直絶縁パターンは、前記電極構造体の側壁を覆う側壁部及び前記下部半導体パターンの上面一部を覆う突出部を含み、
前記垂直半導体パターンは、前記垂直絶縁パターンの側壁部上で第1厚さを有する垂直チャネル部及び前記垂直絶縁パターンの前記突出部の側壁上で前記第1厚さより大きい第2厚さを有するコンタクト部を含む、ことを特徴とする3次元半導体メモリ装置。 - 前記第1垂直構造体の前記下部半導体パターンの上面は、前記第2垂直構造体の前記下部半導体パターンの上面より高いレベルに位置する、ことを特徴とする請求項17に記載の3次元半導体メモリ装置。
- 前記垂直絶縁パターンの前記側壁部は、前記第1厚さより大きい第3厚さを有する、ことを特徴とする請求項17に記載の3次元半導体メモリ装置。
- 前記第1及び第2垂直構造体の各々は、前記垂直半導体パターンの前記垂直チャネル部及び前記コンタクト部によって定義されたギャップ領域を満たす埋め込み絶縁パターンをさらに含み、
前記埋め込み絶縁パターンの底面は、前記第1垂直構造体でより前記第2垂直構造体で低いレベルに位置する、ことを特徴とする請求項17に記載の3次元半導体メモリ装置。 - 前記第1垂直構造体で、前記埋め込み絶縁パターンは、前記コンタクト部と隣接する下部部分及び前記垂直チャネル部と隣接する上部部分を含み、前記下部部分の幅が前記上部部分の幅より小さい、ことを特徴とする請求項20に記載の3次元半導体メモリ装置。
- 前記第2垂直構造体で、前記埋め込み絶縁パターンの底面は、最下層電極の上面より低いレベルに位置する、ことを特徴とする請求項20に記載の3次元半導体メモリ装置。
- 前記第1垂直構造体の前記垂直半導体パターンの底面は、前記電極の中で最下層電極の上面より高いレベルに位置し、
前記第2垂直構造体の前記垂直半導体パターンの底面は、前記最下層電極の上面より低いレベルに位置する、ことを特徴とする請求項17に記載の3次元半導体メモリ装置。 - 前記第1及び第2垂直構造体で、前記垂直半導体パターンの前記コンタクト部は、前記第2厚さに前記下部半導体パターンの上面をコンフォーマルに覆う、ことを特徴とする請求項17に記載の3次元半導体メモリ装置。
- 前記第2垂直構造体で、前記下部半導体パターンは、前記基板の上面に対して傾いた側壁を有するリセス領域を有し、前記垂直半導体パターンの前記コンタクト部は、前記傾いた側壁と接触する、ことを特徴とする請求項17に記載の3次元半導体メモリ装置。
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