JP2019068382A - 固体撮像装置および撮像システム - Google Patents
固体撮像装置および撮像システム Download PDFInfo
- Publication number
- JP2019068382A JP2019068382A JP2017195154A JP2017195154A JP2019068382A JP 2019068382 A JP2019068382 A JP 2019068382A JP 2017195154 A JP2017195154 A JP 2017195154A JP 2017195154 A JP2017195154 A JP 2017195154A JP 2019068382 A JP2019068382 A JP 2019068382A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- imaging device
- solid
- amplification transistor
- state imaging
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims description 86
- 239000007787 solid Substances 0.000 title abstract 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims abstract description 110
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims abstract description 110
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 56
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 32
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 3
- 238000004148 unit process Methods 0.000 claims 1
- 230000000452 restraining effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 14
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 208000009989 Posterior Leukoencephalopathy Syndrome Diseases 0.000 description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 101000622137 Homo sapiens P-selectin Proteins 0.000 description 2
- 102100023472 P-selectin Human genes 0.000 description 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 2
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 2
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 2
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 210000003128 head Anatomy 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01C—MEASURING DISTANCES, LEVELS OR BEARINGS; SURVEYING; NAVIGATION; GYROSCOPIC INSTRUMENTS; PHOTOGRAMMETRY OR VIDEOGRAMMETRY
- G01C3/00—Measuring distances in line of sight; Optical rangefinders
- G01C3/02—Details
- G01C3/06—Use of electric means to obtain final indication
- G01C3/08—Use of electric radiation detectors
- G01C3/085—Use of electric radiation detectors with electronic parallax measurement
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
- H01L27/14612—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements involving a transistor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14636—Interconnect structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/10—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof for transforming different wavelengths into image signals
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/709—Circuitry for control of the power supply
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
- H04N25/77—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
- H04N25/74—Circuitry for scanning or addressing the pixel array
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Radar, Positioning & Navigation (AREA)
- Remote Sensing (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
Description
図1は本実施形態における固体撮像装置のブロック図である。固体撮像装置は、例えばCMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)イメージセンサであって、画素部1、垂直走査回路2、列回路3、水平走査回路4、出力回路5、制御回路6、列信号線11、電流源13を備える。
VD=V0−Vth1−ΔV1 (式1)
VD≧VG−Vth2 (式2)
V0=VG−Vth2−ΔV2 (式3)
VD=VG−Vth2−ΔV2−Vth1−ΔV1 (式4)
VG−Vth2−ΔV2−Vth1−ΔV1≧VG−Vth2 (式5)
−ΔV2−ΔV1≧Vth1 (式6)
VDD≧V0−Vth1 (式7)
VDD≧VG−Vth2−ΔV2−Vth1 (式8)
VG≦VDD+Vth2+Vth1+ΔV2 (式9)
VRES≦VDD+Vth2+Vth1+ΔV2 (式10)
続いて、本発明の第2実施形態における固体撮像装置について、第1実施形態と異なる構成を中心に説明する。図3は本実施形態における画素10の等価回路図である。本実施形態において、フィードバック回路15は画素10毎に設けられている。画素10において、1つのフィードバック用トランジスタ15aが1つの増幅トランジスタM3に対応して設けられ、フィードバック用トランジスタ15aのソースは電圧供給線105を介して増幅トランジスタM3のドレインにのみ接続されている。フィードバック用トランジスタ15aのゲートは配線103を介して増幅トランジスタM3のソースに接続される。
続いて、本発明の第3実施形態における固体撮像装置について、第2実施形態と異なる構成を中心に説明する。図5は本実施形態における画素10の等価回路図である。本実施形態において、画素10は転送トランジスタM1を備えておらず、光電変換部PDのN電極は浮遊拡散領域FDを構成している。このような構成の画素10においては、第1、第2実施形態と異なり、相関二重サンプリングによるノイズ除去を行うことができない。この場合、増幅トランジスタM3の信号電圧をリセット電圧VRESにフィードバックする回路を設けても良い。
続いて、本発明の第4実施形態における固体撮像装置について、第1実施形態と異なる構成を中心に説明する。図6は本実施形態における画素10の等価回路図である。画素10は、光電変換部PDA、PDB、転送トランジスタM1A、M1B、浮遊拡散領域FD、リセットトランジスタM2、増幅トランジスタM3、選択トランジスタM4を含む。光電変換部PDA、PDBは例えばフォトダイオードから構成されており、入射光による光電変換および電荷の蓄積を行なう。光電変換部PDA、PDBには共通のマイクロレンズが設けられており、マイクロレンズにより集光された光が光電変換部PDA、PDBに入射する。このように、2つの光電変換部PDA、PDBは瞳分割されている。なお、画素10を構成する光電変換部の個数は2個に限定されず、それ以上の個数であっても良い。
続いて、本発明の第5実施形態における固体撮像装置について、第4実施形態と異なる構成を中心に説明する。図7は本実施形態における画素10の等価回路図である。フィードバック回路15は画素10毎に設けられている。画素10において、1つのフィードバック用トランジスタ15aが1つの増幅トランジスタM3に対応して設けられ、フィードバック用トランジスタ15aのソースは電圧供給線105を介して増幅トランジスタM3のドレインにのみ接続されている。本実施形態においても、瞳分割の画素10における浮遊拡散領域FDの容量を実質的に無くし、若しくは極めて小さくし、信号電圧の出力ゲインを大きくすることができる。また、フィードバック回路は増幅トランジスタの駆動電流のみによって動作するため、消費電流の増加を抑制しながら、信号対雑音比を高めることが可能となる。
上述の実施形態における固体撮像装置は種々の撮像システムに適用可能である。撮像システムとして、デジタルスチルカメラ、デジタルカムコーダ、カメラヘッド、複写機、ファックス、携帯電話、車載カメラ、観測衛星、監視カメラなどがあげられる。図8に、撮像システムの例としてデジタルスチルカメラのブロック図を示す。
図9(a)、図9(b)は、本発明の第7実施形態における車載カメラに関する撮像システムの一例を示したものである。撮像システム300は、上述した実施形態の撮像装置310を有する。撮像システム300は、撮像装置310により取得された複数の画像データに対し、画像処理を行う画像処理部312と、撮像システム300より取得された複数の画像データから視差(視差画像の位相差)の算出を行う視差取得部314を有する。また、撮像システム300は、算出された視差に基づいて対象物までの距離を算出する距離取得部316と、算出された距離に基づいて衝突可能性があるか否かを判定する衝突判定部318とを有する。ここで、視差取得部314、距離取得部316は、対象物までの距離情報を取得する距離情報取得手段の一例である。すなわち、距離情報とは、視差、デフォーカス量、対象物までの距離等に関する情報である。衝突判定部318はこれらの距離情報のいずれかを用いて、衝突可能性を判定してもよい。距離情報取得手段は、専用に設計されたハードウェアによって実現されてもよいし、ソフトウェアモジュールによって実現されてもよい。また、FPGA(Field Programmable Gate Array)、ASIC(Application Specific Integrated Circuit)によって実現されてもよいし、これらの組合せによって実現されてもよい。
本発明は、上述の実施形態に限らず種々の変形が可能である。例えば、いずれかの実施形態の一部の構成を他の実施形態に追加した例や、他の実施形態の一部の構成と置換した例も、本発明の実施形態である。
2 垂直走査回路
3 列回路
4 水平走査回路
5 出力回路
6 制御回路
10 画素
11 列信号線
13 電流源
15 フィードバック回路
102 配線(第2の配線)
103 配線(第1の配線)
104 配線(第3の配線)
PD 光電変換回路
FD 浮遊拡散領域
M3 増幅トランジスタ
M4 選択トランジスタ
Claims (20)
- 光電変換部と、前記光電変換部に電気的に接続される第1の入力ノード、第1の主ノードおよび第2の主ノードを備える増幅トランジスタとを各々が有する複数の画素と、
第2の入力ノードと、第3の主ノードと、第4の主ノードとを備え、前記増幅トランジスタと同じ極性のトランジスタと、
前記複数の画素の各々の前記第1の主ノードが電気的に接続される信号線と、
前記信号線に電気的に接続される電流源とを有し、
前記第3の主ノードには電源電圧が与えられ、
前記第4の主ノードと、前記第2の主ノードとが電気的に接続され、
前記第1の主ノードと前記第2の入力ノードとが電気的に接続されることを特徴とする固体撮像装置。 - 前記複数の画素の各々が前記トランジスタを有することを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。
- 前記複数の画素を各々が含む複数の画素群を有し、
前記複数の画素群のそれぞれに対応して、複数の前記信号線の各々が対応して設けられ、
前記トランジスタが、複数の前記信号線の各々に対応して設けられていることを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。 - 前記増幅トランジスタの前記第1の主ノードと前記トランジスタの前記第2の入力ノードとを電気的に接続する第1の配線は、平面視において、前記増幅トランジスタの前記第1の入力ノードの電極の少なくとも一部と交差することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の固体撮像装置。
- 前記複数の画素の各々は、
前記増幅トランジスタの前記第1の主ノードと前記信号線との間に設けられた選択トランジスタと、
前記光電変換部に電気的に接続される浮遊拡散領域と、
前記浮遊拡散領域と前記増幅トランジスタの前記第1の入力ノードとを電気的に接続する第2の配線と、
前記選択トランジスタの入力ノードに電気的に接続された第3の配線とを備え、
前記第1の配線の少なくとも一部は、平面視において前記第2の配線と前記第3の配線との間に位置することを特徴とする請求項4に記載の固体撮像装置。 - 光電変換部と、前記光電変換部に電気的に接続される第1の入力ノード、第1の主ノードおよび第2の主ノードを備える増幅トランジスタとを各々が有する複数の画素と、
第2の入力ノードと、第3の主ノードと、第4の主ノードとを備え、前記増幅トランジスタと同じ極性のトランジスタと、
前記複数の画素の各々の前記第1の主ノードが電気的に接続される信号線と、
前記信号線に電気的に接続される電流源とを有し、
前記電流源が供給する駆動電流によって動作するフィードバック回路を有することを特徴とする固体撮像装置。 - 複数の前記信号線を備え、
前記フィードバック回路は前記信号線毎に設けられていることを特徴とする請求項6に記載の固体撮像装置。 - 前記フィードバック回路は前記画素毎に設けられていることを特徴とする請求項6に記載の固体撮像装置。
- 前記電流源は前記増幅トランジスタに駆動電流を供給することを特徴とする請求項7または8に記載の固体撮像装置。
- 前記フィードバック回路は前記トランジスタを備え、
前記トランジスタの前記第2の入力ノードは前記増幅トランジスタの前記第1の主ノードに電気的に接続され、前記トランジスタの前記第4の主ノードは前記増幅トランジスタの前記第2の主ノードに電気的に接続され、前記トランジスタの前記第3の主ノードには電源電圧が印加されることを特徴とする請求項8または9に記載の固体撮像装置。 - 前記トランジスタは、ソースフォロワ動作を行うことを特徴とする請求項10に記載の固体撮像装置。
- 前記トランジスタの極性は前記増幅トランジスタの極性と同じであって、前記トランジスタはデプレッション型であることを特徴とする請求項10または11に記載の固体撮像装置。
- 前記増幅トランジスタの前記第1の入力ノードをリセット電圧にリセットするリセットトランジスタを備え、
前記トランジスタの閾値電圧をVth1、前記トランジスタの電流値およびコンダクタンスによって定まる電圧をΔV1、前記増幅トランジスタの電流値およびコンダクタンスによって定まる電圧をΔV2とした場合において、
−ΔV2−ΔV1≧Vth1
が満たされることを特徴とする請求項12に記載の固体撮像装置。 - 前記増幅トランジスタの閾値電圧をVth2、前記リセット電圧をVRES、前記電源電圧をVDDとした場合において、
VRES≦VDD+Vth2+Vth1+ΔV2
が満たされることを特徴とする請求項13に記載の固体撮像装置。 - 前記リセット電圧VRESは前記電源電圧VDDよりも低いことを特徴とする請求項14に記載の固体撮像装置。
- 前記画素は複数の前記光電変換部を備えることを特徴とする請求項7乃至15のいずれか1項に記載の固体撮像装置。
- 前記増幅トランジスタの前記第1の主ノードの領域と前記トランジスタの前記第2の入力ノードの電極とを電気的に接続する第1の配線は、平面視において、前記増幅トランジスタの前記第1の入力ノードの電極の少なくとも一部と交差することを特徴とする請求項10に記載の固体撮像装置。
- 前記増幅トランジスタの前記第1の主ノードと前記信号線との間に設けられた選択トランジスタと、
浮遊拡散領域と前記増幅トランジスタの前記第1の入力ノードの電極とを電気的に接続する第2の配線と、
前記選択トランジスタの入力ノードの電極に電気的に接続された第3の配線とを備え、
前記第1の配線の少なくとも一部は、平面視において前記第2の配線と前記第3の配線との間に位置することを特徴とする請求項17に記載の固体撮像装置。 - 請求項1〜18のいずれか1項に記載の固体撮像装置と、
前記固体撮像装置から出力された画像信号を処理する信号処理部と
を有することを特徴とする撮像システム。 - 前記画素が2つの前記光電変換部を含み、
前記信号処理部は、2つの前記光電変換部にて生成された前記画像信号をそれぞれ処理し、前記固体撮像装置から被写体までの距離情報を取得することを特徴とする請求項19に記載の撮像システム。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017195154A JP6953263B2 (ja) | 2017-10-05 | 2017-10-05 | 固体撮像装置および撮像システム |
US16/146,173 US10944931B2 (en) | 2017-10-05 | 2018-09-28 | Solid state imaging device and imaging system |
CN201811153284.2A CN109640011B (zh) | 2017-10-05 | 2018-09-30 | 固态成像设备和成像系统 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017195154A JP6953263B2 (ja) | 2017-10-05 | 2017-10-05 | 固体撮像装置および撮像システム |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019068382A true JP2019068382A (ja) | 2019-04-25 |
JP2019068382A5 JP2019068382A5 (ja) | 2020-11-12 |
JP6953263B2 JP6953263B2 (ja) | 2021-10-27 |
Family
ID=65992717
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017195154A Active JP6953263B2 (ja) | 2017-10-05 | 2017-10-05 | 固体撮像装置および撮像システム |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10944931B2 (ja) |
JP (1) | JP6953263B2 (ja) |
CN (1) | CN109640011B (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7108421B2 (ja) | 2018-02-15 | 2022-07-28 | キヤノン株式会社 | 撮像装置及び撮像システム |
JP7134781B2 (ja) | 2018-08-17 | 2022-09-12 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置及び撮像システム |
JP2021192395A (ja) * | 2018-08-29 | 2021-12-16 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像素子 |
US11503234B2 (en) | 2019-02-27 | 2022-11-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion device, imaging system, radioactive ray imaging system, and movable object |
US11006064B2 (en) * | 2019-09-16 | 2021-05-11 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | CMOS image sensor and method of operating pixel array by CMOS image sensor |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008042814A (ja) * | 2006-08-10 | 2008-02-21 | Sharp Corp | 増幅型固体撮像装置および電子情報機器 |
WO2013099723A1 (ja) * | 2011-12-27 | 2013-07-04 | ソニー株式会社 | 撮像素子、撮像装置、電子機器および撮像方法 |
WO2014049901A1 (ja) * | 2012-09-27 | 2014-04-03 | パナソニック株式会社 | 固体撮像装置 |
Family Cites Families (36)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0812905B2 (ja) | 1986-07-11 | 1996-02-07 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置及びその製造方法 |
JPH0812906B2 (ja) | 1986-07-11 | 1996-02-07 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置の製造方法 |
EP0277016B1 (en) | 1987-01-29 | 1998-04-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion apparatus |
JP2678062B2 (ja) | 1989-06-14 | 1997-11-17 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置 |
US5146339A (en) | 1989-11-21 | 1992-09-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric converting apparatus employing Darlington transistor readout |
JPH0563468A (ja) * | 1991-09-04 | 1993-03-12 | Hitachi Ltd | 増幅回路 |
US7364058B2 (en) | 1997-09-26 | 2008-04-29 | Scientific Games International, Inc. | Ticket dispensing apparatus |
US6493030B1 (en) * | 1998-04-08 | 2002-12-10 | Pictos Technologies, Inc. | Low-noise active pixel sensor for imaging arrays with global reset |
JP3647390B2 (ja) | 2000-06-08 | 2005-05-11 | キヤノン株式会社 | 電荷転送装置、固体撮像装置及び撮像システム |
JP4252247B2 (ja) | 2002-02-28 | 2009-04-08 | 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 | 感度を上げることができるcmosイメージセンサ |
CN1225897C (zh) | 2002-08-21 | 2005-11-02 | 佳能株式会社 | 摄像装置 |
US20050068438A1 (en) * | 2003-09-30 | 2005-03-31 | Innovative Technology Licensing, Llc | Low noise CMOS amplifier for imaging sensors |
JP4194544B2 (ja) | 2003-12-05 | 2008-12-10 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及び固体撮像装置の駆動方法 |
JP2005328275A (ja) | 2004-05-13 | 2005-11-24 | Canon Inc | 固体撮像装置および撮像システム |
JP2005328274A (ja) | 2004-05-13 | 2005-11-24 | Canon Inc | 固体撮像装置および撮像システム |
JP4242427B2 (ja) | 2007-02-01 | 2009-03-25 | シャープ株式会社 | 増幅型固体撮像装置 |
JP5074808B2 (ja) | 2007-04-11 | 2012-11-14 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置及び撮像システム |
JP4685120B2 (ja) | 2008-02-13 | 2011-05-18 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置及び撮像システム |
JP5221982B2 (ja) | 2008-02-29 | 2013-06-26 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及びカメラ |
JP5188221B2 (ja) | 2008-03-14 | 2013-04-24 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置 |
JP2010016056A (ja) | 2008-07-01 | 2010-01-21 | Canon Inc | 光電変換装置 |
JP4735684B2 (ja) | 2008-08-26 | 2011-07-27 | 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 | 固体撮像装置及びその駆動方法 |
JP5661260B2 (ja) | 2009-07-16 | 2015-01-28 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及びその駆動方法 |
JP5489570B2 (ja) | 2009-07-27 | 2014-05-14 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置及び撮像システム |
JP5422455B2 (ja) * | 2010-03-23 | 2014-02-19 | パナソニック株式会社 | 固体撮像装置 |
JP5767465B2 (ja) | 2010-12-15 | 2015-08-19 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置およびその製造方法ならびにカメラ |
JP6053505B2 (ja) * | 2012-01-18 | 2016-12-27 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置 |
CN103529889B (zh) | 2012-07-02 | 2015-10-07 | 中国科学院声学研究所 | 低噪声cmos集成参考电压产生电路 |
JP6055270B2 (ja) | 2012-10-26 | 2016-12-27 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置、その製造方法、およびカメラ |
FR2997596B1 (fr) | 2012-10-26 | 2015-12-04 | New Imaging Technologies Sas | Structure d'un pixel actif de type cmos |
JP6033110B2 (ja) * | 2013-02-14 | 2016-11-30 | オリンパス株式会社 | 固体撮像装置および撮像装置 |
JP2015177034A (ja) | 2014-03-14 | 2015-10-05 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置、その製造方法、及びカメラ |
JP6347677B2 (ja) | 2014-06-24 | 2018-06-27 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置 |
JP2016058818A (ja) | 2014-09-08 | 2016-04-21 | キヤノン株式会社 | 撮像装置及び撮像システム |
JP6438290B2 (ja) * | 2014-12-12 | 2018-12-12 | キヤノン株式会社 | 撮像装置およびその制御方法 |
JP6552479B2 (ja) | 2016-12-28 | 2019-07-31 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及び撮像システム |
-
2017
- 2017-10-05 JP JP2017195154A patent/JP6953263B2/ja active Active
-
2018
- 2018-09-28 US US16/146,173 patent/US10944931B2/en active Active
- 2018-09-30 CN CN201811153284.2A patent/CN109640011B/zh active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008042814A (ja) * | 2006-08-10 | 2008-02-21 | Sharp Corp | 増幅型固体撮像装置および電子情報機器 |
WO2013099723A1 (ja) * | 2011-12-27 | 2013-07-04 | ソニー株式会社 | 撮像素子、撮像装置、電子機器および撮像方法 |
WO2014049901A1 (ja) * | 2012-09-27 | 2014-04-03 | パナソニック株式会社 | 固体撮像装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6953263B2 (ja) | 2021-10-27 |
CN109640011A (zh) | 2019-04-16 |
US10944931B2 (en) | 2021-03-09 |
US20190110013A1 (en) | 2019-04-11 |
CN109640011B (zh) | 2021-10-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US11496704B2 (en) | Photoelectric conversion device having select circuit with a switch circuit having a plurality of switches, and imaging system | |
US20200411701A1 (en) | Imaging device and imaging system | |
JP6953263B2 (ja) | 固体撮像装置および撮像システム | |
US11169022B2 (en) | Photo-detection device and imaging system | |
EP3379575B1 (en) | Solid-state imaging device, imaging system, and movable object | |
US9318519B2 (en) | Imaging apparatus and imaging system | |
US20180197907A1 (en) | Solid-state imaging device and imaging system | |
US10841517B2 (en) | Solid-state imaging device and imaging system | |
US11736813B2 (en) | Imaging device and equipment | |
US11405570B2 (en) | Imaging device, imaging system, and semiconductor chip | |
US10473782B2 (en) | Photoelectric conversion element, photoelectric conversion apparatus using the same, distance detection sensor, and information processing system | |
US9202831B2 (en) | Imaging apparatus and imaging system | |
JP7395300B2 (ja) | 光電変換装置、光電変換システム、および移動体 | |
US10992886B2 (en) | Solid state imaging device, imaging system, and drive method of solid state imaging device | |
JP2017184185A (ja) | 撮像装置、撮像システム、および、移動体 | |
JP2018120884A (ja) | 固体撮像装置 | |
US10536653B2 (en) | Solid-state imaging device and imaging system with a plurality of electrodes sequentially becoming a lowest potential relative to charges of the plurality of electrodes | |
JP2020021775A (ja) | 固体撮像装置及び撮像システム | |
JP7224823B2 (ja) | 光検出装置 | |
CN110875337B (zh) | 光电转换设备、摄像系统、移动体以及可堆叠半导体设备 | |
US11108979B2 (en) | Photoelectric conversion device, imaging system, and moving body | |
JP7297546B2 (ja) | 光電変換装置、撮像システム、移動体、および積層用の半導体基板 | |
JP7341724B2 (ja) | 光電変換装置および光電変換システム | |
JP2021010075A (ja) | 光電変換装置、光電変換システム、および移動体 | |
JP2022138487A (ja) | 光電変換装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20180126 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20201002 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20201002 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20210610 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210622 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210817 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210831 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210929 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6953263 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |