JP2019054236A - 窒化物半導体発光素子及び窒化物半導体発光素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
本発明の実施の形態について、図1から図3を参照して説明する。なお、以下に説明する実施の形態は、本発明を実施する上での好適な具体例として示すものであり、技術的に好ましい種々の技術的事項を具体的に例示している部分もあるが、本発明の技術的範囲は、この具体的態様に限定されるものではない。また、各図面における各構成要素の寸法比は、必ずしも実際の窒化物半導体発光素子の寸法比と一致するものではない。
以上説明したように、本発明の実施の形態に係る発光素子1では、第1〜第3の障壁層52のAl組成比が、第1の障壁層52a、第2の障壁層52b、及び第3の障壁層52cの順に増加するように構成された発光層50が設けられている。これにより、発光素子1の深紫外光の発光出力を上昇させることが可能となる。このようなAl組成比を有する障壁層52を設けることにより、従来の発光素子で生じていたピエゾ効果による電界を低減して、複数の井戸層間に生じる電子構造の不均一性を抑制することができたためと考えられる。
次に、以上説明した実施の形態から把握される技術思想について、実施の形態における符号等を援用して記載する。ただし、以下の記載における各符号等は、特許請求の範囲における構成要素を実施の形態に具体的に示した部材等に限定するものではない。
[2]前記n型クラッド層(30)の前記第1のAl組成比は、50%〜60%の間の値である、[1]に記載の窒化物半導体発光素子(1)。
[3]前記障壁層(52a、52b、52c)の前記第2のAl組成比は、80%以上の値である、[1]又は[2]に記載の窒化物半導体発光素子(1)。
[4]前記増加率は、1.1%〜2.7%の間の値である、[1]から[3]のいずれか1つのいずれか1項に記載の窒化物半導体発光素子。
[5]基板(10)上にn型AlGaNを有するn型クラッド層(30)を形成する工程と、前記n型クラッド層上に、第1のAl組成比よりも大きな第2のAl組成比を有するAlGaNを有する障壁層と前記第2のAl組成比より小さいAl組成比を有する複数の井戸層(54a,54b,54c)とをこの順に交互にN層ずつ積層してなる多重量子井戸層とを形成する工程とを備え、前記多重量子井戸層の前記複数の障壁層を形成する工程は、前記n型クラッド層側から前記クラッド層と反対側に向かって所定の増加率で増加するようにAlの供給量を増加させながら形成する、窒化物半導体発光素子の製造方法。
2…下地構造部
10…基板
20…バッファ層
22…AlN層
24…u−Al1−aGaaN層
30…n型クラッド層
30a…露出面
40…傾斜層
50…発光層
52,52a,52b,52c…障壁層
54,54a,54b,54c…井戸層
60…電子ブロック層
70…p型クラッド層
80…p型コンタクト層
90…n側電極
92…p側電極
Claims (5)
- 第1のAl組成比を有するn型AlGaNによって形成されたn型クラッド層と、
前記第1のAl組成比よりも大きな第2のAl組成比を有するAlGaNによって形成された複数の障壁層と前記第2のAl組成比より小さいAl組成比を有する複数の井戸層とをこの順に交互にN層ずつ積層してなる多重量子井戸層と
を含む窒化物半導体発光素子であって、
前記多重量子井戸層の前記複数の障壁層の前記第2のAl組成比は、前記n型クラッド層側から前記n型クラッド層の反対側に向かって所定の増加率で増加する、
窒化物半導体発光素子。 - 前記n型クラッド層の前記第1のAl組成比は、50%〜60%の間の値である、
請求項1に記載の窒化物半導体発光素子。 - 前記複数の障壁層の前記第2のAl組成比は、80%以上である、
請求項1又は2に記載の窒化物半導体発光素子。 - 前記増加率は、1.1%〜2.7%の間の値である、
請求項1から3のいずれか1項に記載の窒化物半導体発光素子。 - 基板上にn型AlGaNを有するn型クラッド層を形成する工程と、
第1のAl組成比よりも大きな第2のAl組成比を有するAlGaNを有する複数の障壁層と前記第2のAl組成比より小さいAl組成比を有する複数の井戸層とをこの順に交互にN層ずつ積層してなる多重量子井戸層とを形成する工程とを備え、
前記多重量子井戸層の前記複数の障壁層を形成する工程は、前記n型クラッド層側から前記n型クラッド層の反対側に向かって所定の増加率で増加するようにAlの供給量を増加させながら形成する、
窒化物半導体発光素子の製造方法。
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