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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019073333A1 (ja) 2017-10-13 2019-04-18 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置、電子部品、及び電子機器
WO2019230341A1 (ja) * 2018-05-31 2019-12-05 Tdk株式会社 スピン軌道トルク型磁化回転素子、スピン軌道トルク型磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ
US11895928B2 (en) * 2019-10-03 2024-02-06 Headway Technologies, Inc. Integration scheme for three terminal spin-orbit-torque (SOT) switching devices
CN111490156A (zh) * 2020-04-21 2020-08-04 浙江驰拓科技有限公司 自旋轨道力矩磁存储器件及其制备方法
JP2022073039A (ja) * 2020-10-30 2022-05-17 Tdk株式会社 スピン素子、磁気アレイ及びスピン素子の製造方法
WO2022102122A1 (ja) * 2020-11-16 2022-05-19 Tdk株式会社 磁化回転素子、磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ
US20240194235A1 (en) * 2021-04-12 2024-06-13 The University Of Tokyo Magnetic memory element
US12361995B2 (en) 2022-09-30 2025-07-15 International Business Machines Corporation Spin-orbit-torque (SOT) MRAM with doubled layer of SOT metal

Family Cites Families (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3377519B2 (ja) * 2000-12-22 2003-02-17 ティーディーケイ株式会社 トルクセンサおよびその製造方法
JP4065787B2 (ja) * 2002-08-30 2008-03-26 株式会社日立グローバルストレージテクノロジーズ 磁気ヘッドおよび磁気記録再生装置
JP5382295B2 (ja) 2008-06-27 2014-01-08 日本電気株式会社 磁気ランダムアクセスメモリ
FR2963153B1 (fr) 2010-07-26 2013-04-26 Centre Nat Rech Scient Element magnetique inscriptible
JP5695453B2 (ja) 2011-03-07 2015-04-08 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP2013016587A (ja) * 2011-07-01 2013-01-24 Toshiba Corp 磁気抵抗効果素子及びその製造方法
US9105832B2 (en) 2011-08-18 2015-08-11 Cornell University Spin hall effect magnetic apparatus, method and applications
JP2013187250A (ja) * 2012-03-06 2013-09-19 Toshiba Corp 半導体磁気記憶装置およびその製造方法
JP5605414B2 (ja) 2012-10-17 2014-10-15 Ｔｄｋ株式会社 電子部品内蔵基板及びその製造方法
KR102080631B1 (ko) * 2014-08-08 2020-02-24 고쿠리츠 다이가쿠 호진 도호쿠 다이가쿠 자기 저항 효과 소자 및 자기 메모리 장치
JP6345037B2 (ja) * 2014-08-26 2018-06-20 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP6200471B2 (ja) * 2015-09-14 2017-09-20 株式会社東芝 磁気メモリ
JP5985728B1 (ja) * 2015-09-15 2016-09-06 株式会社東芝 磁気メモリ
JP6089081B1 (ja) * 2015-09-16 2017-03-01 株式会社東芝 磁気メモリ
WO2017090739A1 (ja) * 2015-11-27 2017-06-01 Tdk株式会社 スピン流磁化反転素子、磁気抵抗効果素子および磁気メモリ
KR102515035B1 (ko) * 2015-12-30 2023-03-30 에스케이하이닉스 주식회사 전자 장치 및 그 제조 방법
US10490735B2 (en) 2016-03-14 2019-11-26 Tdk Corporation Magnetic memory
US10686127B2 (en) * 2016-03-28 2020-06-16 National University Of Singapore Antiferromagnet and heavy metal multilayer magnetic systems for switching magnetization using spin-orbit torque
US10396276B2 (en) * 2016-10-27 2019-08-27 Tdk Corporation Electric-current-generated magnetic field assist type spin-current-induced magnetization reversal element, magnetoresistance effect element, magnetic memory and high-frequency filter
JP6733496B2 (ja) * 2016-10-27 2020-07-29 Tdk株式会社 スピン軌道トルク型磁化反転素子及び磁気メモリ
JP2019047120A (ja) * 2017-09-01 2019-03-22 Tdk株式会社 スピン流磁化反転素子、スピン軌道トルク型磁気抵抗効果素子、磁気メモリ及び高周波磁気素子
US10741318B2 (en) * 2017-09-05 2020-08-11 Tdk Corporation Spin current magnetization rotational element, spin-orbit-torque magnetoresistance effect element, magnetic memory, and high-frequency magnetic element
EP3680938B1 (en) * 2017-09-07 2024-11-13 TDK Corporation Spin current magnetization reversal element and spin orbit torque type magnetic resistance effect element
JP2019057626A (ja) * 2017-09-21 2019-04-11 Tdk株式会社 スピン流磁化反転素子、スピン軌道トルク型磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ
JP7098914B2 (ja) * 2017-11-14 2022-07-12 Tdk株式会社 スピン軌道トルク型磁化回転素子、スピン軌道トルク型磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ
JP6540786B1 (ja) * 2017-12-28 2019-07-10 Tdk株式会社 スピン軌道トルク型磁化回転素子、スピン軌道トルク型磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ
US10971293B2 (en) * 2017-12-28 2021-04-06 Tdk Corporation Spin-orbit-torque magnetization rotational element, spin-orbit-torque magnetoresistance effect element, and spin-orbit-torque magnetization rotational element manufacturing method
JP7020173B2 (ja) * 2018-02-26 2022-02-16 Tdk株式会社 スピン軌道トルク型磁化回転素子、スピン軌道トルク型磁気抵抗効果素子、磁気メモリ及びスピン軌道トルク型磁化回転素子の製造方法
JP6919608B2 (ja) * 2018-03-16 2021-08-18 Tdk株式会社 スピン軌道トルク型磁化回転素子、スピン軌道トルク型磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ
JP7052448B2 (ja) * 2018-03-16 2022-04-12 Tdk株式会社 スピン軌道トルク型磁化回転素子、スピン軌道トルク型磁気抵抗効果素子、磁気メモリ及び発振器
WO2019230341A1 (ja) * 2018-05-31 2019-12-05 Tdk株式会社 スピン軌道トルク型磁化回転素子、スピン軌道トルク型磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ
JP2020043167A (ja) * 2018-09-07 2020-03-19 Tdk株式会社 スピン軌道トルク型磁化回転素子及びスピン軌道トルク型磁気抵抗効果素子
JP2020072199A (ja) * 2018-10-31 2020-05-07 Tdk株式会社 スピン軌道トルク型磁化回転素子、スピン軌道トルク型磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ

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