JP6155673B2 - 磁気抵抗素子とその製造方法、および磁気記憶装置 - Google Patents
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基板と、
前記基板上に形成され、磁化容易軸が前記基板の基板面と垂直な方向に反転可能な第1の強磁性層と、トンネルバリア層と、磁化容易軸が前記基板面と垂直な方向に固定される第2の強磁性層がこの順で積層された磁気トンネル接合部と、
前記第1の強磁性層の下に配置され、前記第1の強磁性層よりも低いヤング率を有し、かつ引っ張り応力を有する非磁性層と、
前記非磁性層および前記磁気トンネル接合部を覆って、前記基板に平行な方向に延伸する表面を含む前記第1の強磁性層および前記非磁性層に圧縮応力を与える保護膜と、
を有し、
前記保護膜の膜厚は、当該保護膜の形成面から前記第1の強磁性層までの高さ以上であり、前記磁気トンネル接合部を含む磁気トンネル接合素子の高さ以下であることを特徴とする。
図4は、各種の非磁性体材料のヤング率[GPa]と、膜応力のガス圧依存性を示す図である。フリー層11よりもヤング率が低い材料として、図4(A)に示す材料のうち、Ta,Al,Hf,Zr,Ti,Cuを用いる。フリー層11は、平坦度が良いほど素子の特性が向上するため、その下のバッファ層22の平坦度も高いことが望ましい。Ta,Al,Hf,Zr,Ti,Cuは、膜の平坦性の観点からも好ましい。これらの非磁性材料の他に、アモルファス合金膜をバッファ層22に用いてもよい。アモルファス合金として、上述した各元素の窒化膜や、Ta-B,Ta-Si,CuZr,Xu−Hf,Al−Hfなどを用いることができる。
(付記1)
基板と、
前記基板上に形成され、磁化容易軸が前記基板の基板面と垂直な方向に反転可能な第1の強磁性層と、トンネルバリア層と、磁化容易軸が前記基板面と垂直な方向に固定される第2の強磁性層がこの順で積層された磁気トンネル接合部と、
前記第1の強磁性層の下に配置され、前記第1の強磁性層よりも低いヤング率を有し、かつ引っ張り応力を有する非磁性層と、
前記非磁性層および前記磁気トンネル接合部を覆って、前記第1の強磁性層および前記非磁性層に圧縮応力を与える保護膜と、
を有し、
前記保護膜の膜厚は、当該保護膜の形成面から前記第1の強磁性層までの高さ以上であることを特徴とする磁気抵抗素子。
(付記2)
前記非磁性層のヤング率は200GPa以下であり、800MPa〜1300MPaの引っ張り応力を有することを特徴とする付記1に記載の磁気抵抗素子。
(付記3)
前記非磁性層は、Ta、Al、Hf、Zr、Ti、Cu、これらの窒化膜、またはTa-B、Ta-Si、CuZr、Xu−Hf、Al−Hfを含むアモルファス合金の層であることを特徴とする付記2に記載の磁気抵抗素子。
(付記4)
前記保護膜は、−3.0GPa〜−1.0GPaの圧縮応力を有することを特徴とする付記1〜3のいずれかに記載の磁気抵抗素子。
(付記5)
前記保護膜は、SiN、SiC、またはSiNCであることを特徴とする付記4に記載の磁気抵抗素子。
(付記6)
前記磁気トンネル接合部は、前記第2の強磁性層上に接着層を介して配置される垂直型磁性層をさらに有することを特徴とする付記1〜5のいずれかに記載の磁気抵抗素子。
(付記7)
前記磁気トンネル接合部は、前記第1の強磁性層と前記非磁性層の界面に結晶性向上のための下地薄膜を有することを特徴とする付記1〜6のいずれかに記載の磁気抵抗素子。
(付記8)
基板上に、引っ張り応力を有する非磁性層、磁化容易軸が前記基板の基板面と垂直な方向に反転可能な第1の強磁性層、トンネルバリア層、および磁化容易軸が前記基板面と垂直な方向に固定される第2の強磁性層を、この順で積層し、
前記積層を所定の形状に加工して積層体を形成し、
前記積層体を覆って、圧縮応力を有する保護膜を形成し、
前記保護膜を、前記保護膜の形成面から前記第1の強磁性層までの高さ以上の厚さに形成することを特徴とする磁気抵抗素子の製造方法。
(付記9)
前記非磁性層は、ヤング率が200GPa以下の非磁性材料で形成されることを特徴とする付記8に記載の磁気抵抗素子の製造方法。
(付記10)
前記非磁性層の形成は、XeガスまたはKrガスを用いて、800MPa〜1300MPaの引っ張り応力を有する膜を形成することを特徴とする付記8または9に記載の磁気抵抗素子の製造方法。
(付記11)
前記保護膜の形成は、成膜圧力1.0Pa〜6.0Paで、−3.0GPa〜−1.0GPaの圧縮応力を有する膜を形成することを特徴とする付記8〜10のいずれかに記載の磁気抵抗素子の製造方法。
(付記12)
前記第2の強磁性層上に、接着層を介して垂直型強磁性層を形成する工程をさらに含むことを特徴とする付記8〜11のいずれかに記載の磁気抵抗素子の製造方法。
(付記13)
前記非磁性層と前記第1の強磁性層の界面に、前記第1の強磁性層の結晶性向上のための下地薄膜を形成する工程をさらに含むことを特徴とする付記8〜12のいずれかに記載の磁気抵抗素子の製造方法。
(付記14)
基板上に形成されるトランジスタ(Tr)と、
前記トランジスタに直列接続される磁気抵抗素子と、
を有し、
前記磁気抵抗素子は、
磁化容易軸が前記基板の基板面と垂直な方向に反転可能な第1の強磁性層と、トンネルバリア層と、磁化容易軸が前記基板面と垂直な方向に固定される第2の強磁性層とがこの順で積層された磁気トンネル接合部と、
前記第1の強磁性層の下に配置され、前記第1の強磁性層よりも低いヤング率を有し、かつ引っ張り応力を有する非磁性層と、
前記非磁性層および前記磁気トンネル接合部を覆って、前記第1の強磁性層および前記非磁性層に圧縮応力を与える保護膜と、
を有し、
前記保護膜の膜厚は、当該保護膜の形成面から前記第1の強磁性層までの高さ以上であることを特徴とする磁気記憶装置。
10 磁気抵抗素子
11 フリー層(第1の強磁性層)
12 トンネルバリア層
13 ピン層(第2の強磁性層)
21 下部電極
22 バッファ層(非磁性層)
23 接着層(Ta層)
24 垂直材料層(垂直型磁性層)
30 積層
30A MTJ素子(磁気トンネル接合部)
31 保護膜
Tr トランジスタ
Claims (8)
- 基板と、
前記基板上に形成され、磁化容易軸が前記基板の基板面と垂直な方向に反転可能な第1の強磁性層と、トンネルバリア層と、磁化容易軸が前記基板面と垂直な方向に固定される第2の強磁性層がこの順で積層された磁気トンネル接合部と、
前記第1の強磁性層の下に配置され、前記第1の強磁性層よりも低いヤング率を有し、かつ引っ張り応力を有する非磁性層と、
前記非磁性層および前記磁気トンネル接合部を覆って、前記基板に平行な方向に延伸する表面を含む前記第1の強磁性層および前記非磁性層に圧縮応力を与える保護膜と、
を有し、
前記保護膜の膜厚は、当該保護膜の形成面から前記第1の強磁性層までの高さ以上であり、前記磁気トンネル接合部を含む磁気トンネル接合素子の高さ以下であることを特徴とする磁気抵抗素子。 - 前記非磁性層のヤング率は200GPa以下であり、800MPa〜1300MPaの引っ張り応力を有することを特徴とする請求項1に記載の磁気抵抗素子。
- 前記保護膜は、−3.0GPa〜−1.0GPaの圧縮応力を有することを特徴とする請求項1または2に記載の磁気抵抗素子。
- 基板上に、引っ張り応力を有する非磁性層、磁化容易軸が前記基板の基板面と垂直な方向に反転可能な第1の強磁性層、トンネルバリア層、および磁化容易軸が前記基板面と垂直な方向に固定される第2の強磁性層を、この順で積層し、
前記積層を所定の形状に加工して磁気トンネル接合部を含む積層体を形成し、
前記積層体を覆って、前記基板に平行な方向に延伸する表面を含む圧縮応力を有する保護膜を形成し、
前記保護膜の厚さを、前記保護膜の形成面から前記第1の強磁性層までの高さ以上であり、前記磁気トンネル接合部を含む前記積層体の高さ以下に形成することを特徴とする磁気抵抗素子の製造方法。 - 前記非磁性層は、ヤング率が200GPa以下の非磁性材料で形成されることを特徴とする請求項4に記載の磁気抵抗素子の製造方法。
- 前記非磁性層の形成は、XeガスまたはKrガスを用いて、800MPa〜1300MPaの引っ張り応力を有する膜を形成することを特徴とする請求項4または5に記載の磁気抵抗素子の製造方法。
- 前記保護膜は、成膜圧力1.0Pa〜6.0Paで、−3.0GPa〜−1.0GPaの圧縮応力を有する膜を形成することを特徴とする請求項4〜6のいずれか1項に記載の磁気抵抗素子の製造方法。
- 基板上に形成されるトランジスタと、
前記トランジスタに直列接続される磁気抵抗素子と、
を有し、
前記磁気抵抗素子は、
磁化容易軸が前記基板の基板面と垂直な方向に反転可能な第1の強磁性層と、トンネルバリア層と、磁化容易軸が前記基板面と垂直な方向に固定される第2の強磁性層がこの順で積層された磁気トンネル接合部と、
前記第1の強磁性層の下に配置され、前記第1の強磁性層よりも低いヤング率を有し、かつ引っ張り応力を有する非磁性層と、
前記非磁性層および前記磁気トンネル接合部を覆って、前記基板に平行な方向に延伸する表面を含む前記第1の強磁性層および前記非磁性層に圧縮応力を与える保護膜と、
を有し、
前記保護膜の膜厚は、当該保護膜の形成面から前記第1の強磁性層までの高さ以上であり、前記磁気トンネル接合部を含む磁気トンネル接合素子の高さ以下であることを特徴とする磁気記憶装置。
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