JP2019029457A5 - - Google Patents
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- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 40
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Description
本開示のひとつである半導体モジュールは、
ゲート電極(14a)と、主電流が流れる第1主電極(14b)及び第2主電極(14b)と、を有し、互いに並列接続された複数のスイッチング素子(12,13,34)と、
外部接続端子としての、第1主端子(21)及び第2主端子(22)と、
スイッチング素子を通じた第1主端子と第2主端子との間の電流経路としての、第1主電極のそれぞれと第1主端子との間に形成される第1電流経路(25,26)及び第2主電極のそれぞれと第2主端子との間に形成される第2電流経路(27,28)と、を備え、
任意のスイッチング素子における第2電流経路である任意電流経路の自己インダクタンスをLsn、任意電流経路を除く他の電流経路と任意電流経路との相互インダクタンスをMn、LsnとMnとの和をLnとすると、各スイッチング素子のLnが互いに等しくなるように、複数のスイッチング素子及び電流経路が配置され、
スイッチング素子として、第1スイッチング素子及び第2スイッチング素子の2つを備え、
第1スイッチング素子における第2電流経路の自己インダクタンスをLs1、相互インダクタンスをM1とし、第2スイッチング素子における第2電流経路の自己インダクタンスをLs2、相互インダクタンスをM2とすると、
Ls1=Ls2、且つ、M1=M2となるように複数のスイッチング素子及び電流経路が配置され、
2つのスイッチング素子は、一面側に第1主電極が形成され、一面と反対の裏面側に第2主電極及びゲート電極が形成されるとともに、それぞれの一面が同じ側となるように並んで配置され、
第1主端子が2本連なり、2つのスイッチング素子の第1主電極がともに電気的に接続された第1導体板(15)と、第2主端子が1本連なり、2つのスイッチング素子の第2主電極がともに電気的に接続された第2導体板(19)と、をさらに備え、
第2主端子と第2導体板との連結部分である第2連結部は、2つのスイッチング素子の並び方向において、2つのスイッチング素子の間に設けられ、
第1主端子と第1導体板との連結部分である第1連結部は、第2連結部に対して並び方向における両側に設けられ、
2本の第1主端子と第1導体板とが、一体的に設けられている。
ゲート電極(14a)と、主電流が流れる第1主電極(14b)及び第2主電極(14b)と、を有し、互いに並列接続された複数のスイッチング素子(12,13,34)と、
外部接続端子としての、第1主端子(21)及び第2主端子(22)と、
スイッチング素子を通じた第1主端子と第2主端子との間の電流経路としての、第1主電極のそれぞれと第1主端子との間に形成される第1電流経路(25,26)及び第2主電極のそれぞれと第2主端子との間に形成される第2電流経路(27,28)と、を備え、
任意のスイッチング素子における第2電流経路である任意電流経路の自己インダクタンスをLsn、任意電流経路を除く他の電流経路と任意電流経路との相互インダクタンスをMn、LsnとMnとの和をLnとすると、各スイッチング素子のLnが互いに等しくなるように、複数のスイッチング素子及び電流経路が配置され、
スイッチング素子として、第1スイッチング素子及び第2スイッチング素子の2つを備え、
第1スイッチング素子における第2電流経路の自己インダクタンスをLs1、相互インダクタンスをM1とし、第2スイッチング素子における第2電流経路の自己インダクタンスをLs2、相互インダクタンスをM2とすると、
Ls1=Ls2、且つ、M1=M2となるように複数のスイッチング素子及び電流経路が配置され、
2つのスイッチング素子は、一面側に第1主電極が形成され、一面と反対の裏面側に第2主電極及びゲート電極が形成されるとともに、それぞれの一面が同じ側となるように並んで配置され、
第1主端子が2本連なり、2つのスイッチング素子の第1主電極がともに電気的に接続された第1導体板(15)と、第2主端子が1本連なり、2つのスイッチング素子の第2主電極がともに電気的に接続された第2導体板(19)と、をさらに備え、
第2主端子と第2導体板との連結部分である第2連結部は、2つのスイッチング素子の並び方向において、2つのスイッチング素子の間に設けられ、
第1主端子と第1導体板との連結部分である第1連結部は、第2連結部に対して並び方向における両側に設けられ、
2本の第1主端子と第1導体板とが、一体的に設けられている。
Claims (8)
- ゲート電極(14a)と、主電流が流れる第1主電極(14b)及び第2主電極(14c)と、を有し、互いに並列接続された複数のスイッチング素子(12,13,34)と、
外部接続端子としての、第1主端子(21)及び第2主端子(22)と、
前記スイッチング素子を通じた前記第1主端子と前記第2主端子との間の電流経路としての、前記第1主電極のそれぞれと前記第1主端子との間に形成される第1電流経路(25,26)及び前記第2主電極のそれぞれと前記第2主端子との間に形成される第2電流経路(27,28)と、を備え、
任意の前記スイッチング素子における前記第2電流経路である任意電流経路の自己インダクタンスをLsn、前記任意電流経路を除く他の前記電流経路と前記任意電流経路との相互インダクタンスをMn、LsnとMnとの和をLnとすると、各スイッチング素子のLnが互いに等しくなるように、複数の前記スイッチング素子及び前記電流経路が配置され、
前記スイッチング素子として、第1スイッチング素子及び第2スイッチング素子の2つを備え、
前記第1スイッチング素子における前記第2電流経路の自己インダクタンスをLs1、相互インダクタンスをM1とし、前記第2スイッチング素子における前記第2電流経路の自己インダクタンスをLs2、相互インダクタンスをM2とすると、
Ls1=Ls2、且つ、M1=M2となるように複数の前記スイッチング素子及び前記電流経路が配置され、
2つの前記スイッチング素子は、一面側に前記第1主電極が形成され、前記一面と反対の裏面側に前記第2主電極及び前記ゲート電極が形成されるとともに、それぞれの前記一面が同じ側となるように並んで配置され、
前記第1主端子が2本連なり、2つの前記スイッチング素子の第1主電極がともに電気的に接続された第1導体板(15)と、前記第2主端子が1本連なり、2つの前記スイッチング素子の第2主電極がともに電気的に接続された第2導体板(19)と、をさらに備え、
前記第2主端子と前記第2導体板との連結部分である第2連結部は、2つの前記スイッチング素子の並び方向において、2つの前記スイッチング素子の間に設けられ、
前記第1主端子と前記第1導体板との連結部分である第1連結部は、前記第2連結部に対して前記並び方向における両側に設けられ、
2本の前記第1主端子と前記第1導体板とが、一体的に設けられている半導体モジュール。 - ゲート電極(14a)と、主電流が流れる第1主電極(14b)及び第2主電極(14c)と、を有し、互いに並列接続された複数のスイッチング素子(12,13,34)と、
外部接続端子としての、第1主端子(21)及び第2主端子(22)と、
前記スイッチング素子を通じた前記第1主端子と前記第2主端子との間の電流経路としての、前記第1主電極のそれぞれと前記第1主端子との間に形成される第1電流経路(25,26)及び前記第2主電極のそれぞれと前記第2主端子との間に形成される第2電流経路(27,28)と、を備え、
任意の前記スイッチング素子における前記第2電流経路である任意電流経路の自己インダクタンスをLsn、前記任意電流経路を除く他の前記電流経路と前記任意電流経路との相互インダクタンスをMn、LsnとMnとの和をLnとすると、各スイッチング素子のLnが互いに等しくなるように、複数の前記スイッチング素子及び前記電流経路が配置され、
前記スイッチング素子として、第1スイッチング素子及び第2スイッチング素子の2つを備え、
前記第1スイッチング素子における前記第2電流経路の自己インダクタンスをLs1、相互インダクタンスをM1とし、前記第2スイッチング素子における前記第2電流経路の自己インダクタンスをLs2、相互インダクタンスをM2とすると、
Ls1=Ls2、且つ、M1=M2となるように複数の前記スイッチング素子及び前記電流経路が配置され、
2つの前記スイッチング素子は、一面側に前記第1主電極が形成され、前記一面と反対の裏面側に前記第2主電極及び前記ゲート電極が形成されるとともに、それぞれの前記一面が同じ側となるように並んで配置され、
前記第1主端子が2本連なり、2つの前記スイッチング素子の第1主電極がともに電気的に接続された第1導体板(15)と、前記第2主端子が1本連なり、2つの前記スイッチング素子の第2主電極がともに電気的に接続された第2導体板(19)と、をさらに備え、
前記第2主端子と前記第2導体板との連結部分である第2連結部は、2つの前記スイッチング素子の並び方向において、2つの前記スイッチング素子の間に設けられ、
前記第1主端子と前記第1導体板との連結部分である第1連結部は、前記第2連結部に対して前記並び方向における両側に設けられ、
前記第2主端子と前記第2導体板とが、一体的に設けられている半導体モジュール。 - ゲート電極(14a)と、主電流が流れる第1主電極(14b)及び第2主電極(14c)と、を有し、互いに並列接続された複数のスイッチング素子(12,13,34)と、
外部接続端子としての、第1主端子(21)及び第2主端子(22)と、
前記スイッチング素子を通じた前記第1主端子と前記第2主端子との間の電流経路としての、前記第1主電極のそれぞれと前記第1主端子との間に形成される第1電流経路(25,26)及び前記第2主電極のそれぞれと前記第2主端子との間に形成される第2電流経路(27,28)と、を備え、
任意の前記スイッチング素子における前記第2電流経路である任意電流経路の自己インダクタンスをLsn、前記任意電流経路を除く他の前記電流経路と前記任意電流経路との相互インダクタンスをMn、LsnとMnとの和をLnとすると、各スイッチング素子のLnが互いに等しくなるように、複数の前記スイッチング素子及び前記電流経路が配置され、
前記スイッチング素子として、第1スイッチング素子及び第2スイッチング素子の2つを備え、
前記第1スイッチング素子における前記第2電流経路の自己インダクタンスをLs1、相互インダクタンスをM1とし、前記第2スイッチング素子における前記第2電流経路の自己インダクタンスをLs2、相互インダクタンスをM2とすると、
Ls1=Ls2、且つ、M1=M2となるように複数の前記スイッチング素子及び前記電流経路が配置され、
2つの前記スイッチング素子は、一面側に前記第1主電極が形成され、前記一面と反対の裏面側に前記第2主電極及び前記ゲート電極が形成されるとともに、それぞれの前記一面が同じ側となるように並んで配置され、
前記第1主端子が1本連なり、2つの前記スイッチング素子の第1主電極がともに電気的に接続された第1導体板(15)と、前記第2主端子が2本連なり、2つの前記スイッチング素子の第2主電極がともに電気的に接続された第2導体板(19)と、をさらに備え、
前記第1主端子と前記第1導体板との連結部分である第1連結部は、2つの前記スイッチング素子の並び方向において、2つの前記スイッチング素子の間に設けられ、
前記第2主端子と前記第2導体板との連結部分である第2連結部は、前記第1連結部に対して前記並び方向における両側に設けられている半導体モジュール。 - ゲート電極(14a)と、主電流が流れる第1主電極(14b)及び第2主電極(14c)と、を有し、互いに並列接続された複数のスイッチング素子(12,13,34)と、
外部接続端子としての、第1主端子(21)及び第2主端子(22)と、
前記スイッチング素子を通じた前記第1主端子と前記第2主端子との間の電流経路としての、前記第1主電極のそれぞれと前記第1主端子との間に形成される第1電流経路(25,26)及び前記第2主電極のそれぞれと前記第2主端子との間に形成される第2電流経路(27,28)と、を備え、
任意の前記スイッチング素子における前記第2電流経路である任意電流経路の自己インダクタンスをLsn、前記任意電流経路を除く他の前記電流経路と前記任意電流経路との相互インダクタンスをMn、LsnとMnとの和をLnとすると、各スイッチング素子のLnが互いに等しくなるように、複数の前記スイッチング素子及び前記電流経路が配置され、
前記スイッチング素子として、第1スイッチング素子及び第2スイッチング素子の2つを備え、
前記第1スイッチング素子における前記第2電流経路の自己インダクタンスをLs1、相互インダクタンスをM1とし、前記第2スイッチング素子における前記第2電流経路の自己インダクタンスをLs2、相互インダクタンスをM2とすると、
Ls1=Ls2、且つ、M1=M2となるように複数の前記スイッチング素子及び前記電流経路が配置され、
2つの前記スイッチング素子は、一面側に前記第1主電極が形成され、前記一面と反対の裏面側に前記第2主電極及び前記ゲート電極が形成されるとともに、それぞれの前記一面が同じ側となるように並んで配置され、
前記第1主端子が1本連なり、2つの前記スイッチング素子の第1主電極がともに電気的に接続された第1導体板(15)と、前記第2主端子が1本連なり、2つの前記スイッチング素子の第2主電極がともに電気的に接続された第2導体板(19)と、をさらに備え、
前記第1主端子と前記第1導体板との連結部分である第1連結部、及び、前記第2主端子と前記第2導体板との連結部分である第2連結部は、2つの前記スイッチング素子の並び方向において2つの前記スイッチング素子の間にのみそれぞれ設けられている半導体モジュール。 - 一面側に形成された第1主電極(14b)と、前記一面と反対の裏面側に形成された第2主電極(14c)及びゲート電極(14a)と、を有し、それぞれの前記一面が同じ側となるように並んで配置されるとともに、互いに並列接続された2つのスイッチング素子(12,13)と、
外部接続端子としての、第1主端子(21)及び第2主端子(22)と、
前記第1主端子が2本連なっており、2つの前記スイッチング素子の第1主電極がともに電気的に接続された第1導体板(15)と、前記第2主端子が1本連なっており、2つの前記スイッチング素子の第2主電極がともに電気的に接続された第2導体板(19)と、を備え、
前記第2主端子と前記第2導体板との連結部分である第2連結部は、2つの前記スイッチング素子の並び方向において、2つの前記スイッチング素子の間に設けられ、
前記第1主端子と前記第1導体板との連結部分である第1連結部は、前記第2連結部に対して前記並び方向における両側に設けられ、
2本の前記第1主端子は、前記第1導体板と一体的に設けられている半導体モジュール。 - 一面側に形成された第1主電極(14b)と、前記一面と反対の裏面側に形成された第2主電極(14c)及びゲート電極(14a)と、を有し、それぞれの前記一面が同じ側となるように並んで配置されるとともに、互いに並列接続された2つのスイッチング素子(12,13)と、
外部接続端子としての、第1主端子(21)及び第2主端子(22)と、
前記第1主端子が2本連なっており、2つの前記スイッチング素子の第1主電極がともに電気的に接続された第1導体板(15)と、前記第2主端子が1本連なっており、2つの前記スイッチング素子の第2主電極がともに電気的に接続された第2導体板(19)と、を備え、
前記第2主端子と前記第2導体板との連結部分である第2連結部は、2つの前記スイッチング素子の並び方向において、2つの前記スイッチング素子の間に設けられ、
前記第1主端子と前記第1導体板との連結部分である第1連結部は、前記第2連結部に対して前記並び方向における両側に設けられ、
前記第2主端子と前記第2導体板とが、一体的に設けられている半導体モジュール。 - 一面側に形成された第1主電極(14b)と、前記一面と反対の裏面側に形成された第2主電極(14c)及びゲート電極(14a)と、を有し、それぞれの前記一面が同じ側となるように並んで配置されるとともに、互いに並列接続された2つのスイッチング素子(12,13)と、
外部接続端子としての、第1主端子(21)及び第2主端子(22)と、
前記第1主端子が1本連なっており、2つの前記スイッチング素子の第1主電極がともに電気的に接続された第1導体板(15)と、前記第2主端子が2本連なっており、2つの前記スイッチング素子の第2主電極がともに電気的に接続された第2導体板(19)と、を備え、
前記第1主端子と前記第1導体板との連結部分である第1連結部は、2つの前記スイッチング素子の並び方向において、2つの前記スイッチング素子の間に設けられ、
前記第2主端子と前記第2導体板との連結部分である第2連結部は、前記第1連結部に対して前記並び方向における両側に設けられている半導体モジュール。 - ゲート電極(14a)と、主電流が流れる第1主電極(14b)及び第2主電極(14c)と、を有し、互いに並列接続された2つのスイッチング素子(12,13)と、
外部接続端子としての、第1主端子(21)及び第2主端子(22)と、
前記第1主端子が1本連なり、2つの前記スイッチング素子の第1主電極がともに電気的に接続された第1導体部(15,30)と、
前記第2主端子が1本連なり、2つの前記スイッチング素子の第2主電極がともに電気的に接続された第2導体部(19,31,32,33)と、を備え、
前記第1主端子と前記第1導体部との連結部分である第1連結部、及び、前記第2主端子と前記第2導体部との連結部分である第2連結部は、2つの前記スイッチング素子の並び方向において2つの前記スイッチング素子の間にのみそれぞれ設けられている半導体モジュール。
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Family Cites Families (15)
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JP2008091809A (ja) * | 2006-10-05 | 2008-04-17 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体モジュール |
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JP5947537B2 (ja) * | 2011-04-19 | 2016-07-06 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
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JP6065771B2 (ja) * | 2013-07-03 | 2017-01-25 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
JP6096614B2 (ja) * | 2013-07-11 | 2017-03-15 | 株式会社 日立パワーデバイス | パワー半導体モジュールおよびそれを用いた電力変換装置 |
JP6252293B2 (ja) * | 2014-03-26 | 2017-12-27 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
JP2015198188A (ja) * | 2014-04-02 | 2015-11-09 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体モジュール |
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JP6640701B2 (ja) | 2016-12-07 | 2020-02-05 | 三菱日立パワーシステムズ株式会社 | 地熱発電用蒸気性状監視装置、地熱発電システム、地熱発電用蒸気性状監視方法、及び、地熱発電システム制御方法 |
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