JP2015198188A - 半導体モジュール - Google Patents
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Abstract
【課題】 複数のスイッチング素子における電流の偏りを検出することができる半導体モジュールを提供する。
【解決手段】 第1導体板と、第2導体板と、前記第1導体板と前記第2導体板の間に接続されている第1スイッチング素子と、前記第1導体板と前記第2導体板の間に、前記第1スイッチング素子に対して並列に接続されている第2スイッチング素子と、前記第1導体板と前記第2導体板の間であって第1スイッチング素子と第2スイッチング素子の間に配置されており、前記第1導体板と前記第2導体板から絶縁されている導体と、前記導体に流れる誘導電流を検出する電流検出器を有する半導体モジュール。
【選択図】図1
【解決手段】 第1導体板と、第2導体板と、前記第1導体板と前記第2導体板の間に接続されている第1スイッチング素子と、前記第1導体板と前記第2導体板の間に、前記第1スイッチング素子に対して並列に接続されている第2スイッチング素子と、前記第1導体板と前記第2導体板の間であって第1スイッチング素子と第2スイッチング素子の間に配置されており、前記第1導体板と前記第2導体板から絶縁されている導体と、前記導体に流れる誘導電流を検出する電流検出器を有する半導体モジュール。
【選択図】図1
Description
本発明は、半導体モジュールに関する。
特許文献1には複数のスイッチング素子を有する半導体モジュールが開示されている。
並列に接続された複数のスイッチング素子を共通のゲート信号により制御する場合には、何れかのスイッチング素子に電流が偏ると、そのスイッチング素子で発熱量が大きくなり問題となる。
本発明の半導体モジュールは、第1導体板と、第2導体板と、前記第1導体板と前記第2導体板の間に接続されている第1スイッチング素子と、前記第1導体板と前記第2導体板の間に、前記第1スイッチング素子に対して並列に接続されている第2スイッチング素子と、前記第1導体板と前記第2導体板の間であって第1スイッチング素子と第2スイッチング素子の間に配置されており、前記第1導体板と前記第2導体板から絶縁されている導体と、前記導体に流れる誘導電流を検出する電流検出器を有する。
この構成では、第1スイッチング素子に流れる電流と第2スイッチング素子に流れる電流が同じであれば、導体において、第1スイッチング素子に流れる電流に起因して生じる磁場と第2スイッチング素子に流れる電流に起因して生じる磁場とが打ち消し合う。このため、導体では高い磁場が発生せず、導体にほとんど誘導電流が流れない。これに対し、第1スイッチング素子と第2スイッチング素子のいずれかに電流が偏ると、通電時に導体で磁場が増加し、導体に誘導電流が流れる。したがって、電流検出器によって誘導電流を検出することで、スイッチング素子における電流の偏りを検出することができる。
図1、2に示す半導体モジュール10は、下部電極板12、スイッチング素子14、16、スペーサブロック18、20、上部電極板22、磁束遮蔽板24、樹脂層26及び電流検出器28を有している。
下部電極板12は、金属により構成されている。下部電極板12には、コレクタ配線12a(図2参照)が接続されている。下部電極板12は、コレクタ配線12aによって外部の回路に接続されている。なお、下部電極板12は、スイッチング素子14、16から熱を逃がす放熱板としても機能する。
本実施例のスイッチング素子14、16は、IGBTである。但し、スイッチング素子14、16として、MOSFET等の他のスイッチング素子を用いてもよい。スイッチング素子14は、半導体基板と、半導体基板の下面に形成されたコレクタ電極と、半導体基板の上面に形成されたエミッタ電極と、半導体基板の上面に形成されたゲート電極を有している。スイッチング素子16は、半導体基板と、半導体基板の下面に形成されたコレクタ電極と、半導体基板の上面に形成されたエミッタ電極と、半導体基板の上面に形成されたゲート電極を有している。スイッチング素子14、16の半導体基板の材料としては、SiやSiC等を用いることができる。スイッチング素子14のコレクタ電極(すなわち、下面の電極)は、はんだによって下部電極板12に接続されている。スイッチング素子16のコレクタ電極(すなわち、下面の電極)は、はんだによって下部電極板12に接続されている。すなわち、スイッチング素子16は、下部電極板12上に、スイッチング素子14と同じ向きに実装されている。スイッチング素子14、16は、同一平面上(すなわち、下部電極板12の上面上)に実装されている。
スペーサブロック18は、金属製のブロックである。スペーサブロック18の下面は、はんだによってスイッチング素子14のエミッタ電極(上面の電極)に接続されている。
スペーサブロック20は、金属製のブロックである。スペーサブロック20の下面は、はんだによってスイッチング素子16のエミッタ電極(上面の電極)に接続されている。
上部電極板22は、金属により構成されている。上部電極板22の下面は、はんだによってスペーサブロック18、22の上面に接続されている。すなわち、上部電極板22は、スイッチング素子14、16のエミッタ電極に電気的に接続されている。上部電極板22には、エミッタ配線22a(図2参照)が接続されている。上部電極板22は、エミッタ配線22aによって外部の回路に接続されている。なお、上部電極板22は、スイッチング素子14、16から熱を逃がす放熱板としても機能する。
磁束遮蔽板24は、金属板24aと、金属板24aの表面を覆う絶縁膜24bにより構成されている。金属板24aは、透磁率及び導電率が高い金属により構成されている。例えば、金属板24aは、Fe、Ni、Co等によって構成されている。磁束遮蔽板24は、下部電極板12と上部電極板22の間に挟まれた状態で固定されている。金属板24aは、絶縁膜24bによって下部電極板12及び上部電極板22から絶縁されている。すなわち、金属板24aは、スイッチング素子14、16を有する回路から絶縁されている。
スイッチング素子14、16のゲート電極には、ゲート配線30(図2参照)が接続されている。ゲート配線30は、外部のゲート駆動回路70(図3参照)に接続されている。
電流検出器28のプラス端子とマイナス端子のそれぞれは、磁束遮蔽板24の金属板24aに接続されている。電流検出器28と金属板24aによって閉回路が形成されている。電流検出器28は、この閉回路に流れる誘導電流を検出する。
樹脂層26は、下部電極板12と上部電極板22の間に形成されている。樹脂層26は、スイッチング素子14、16、スペーサブロック18、20及び磁束遮蔽板24の表面を覆っている。このように樹脂層26の中に磁束遮蔽板24が埋め込まれることで、半導体モジュール10の小型化が可能となる。
図3は、半導体モジュール10の回路図を示している。図3に示すように、スイッチング素子14、16は、下部電極板12と上部電極板22の間に並列に接続されている。スイッチング素子14、16のゲート電極は、ゲート駆動回路70に接続されている。スイッチング素子14、16のゲート電極には、共通のゲート信号が入力される。すなわち、スイッチング素子14がオンしているときにスイッチング素子16もオンしており、スイッチング素子14がオフしているときにスイッチング素子16もオフしている。
スイッチング素子14、16がオンすると、図1に示すように、スイッチング素子14、16に電流50、52が流れる。すなわち、スイッチング素子14、16に、同じ方向(下から上)に電流が流れる。スイッチング素子14に流れる電流50に起因して、スイッチング素子14の周囲に周方向に図2に示す磁場60が発生する。また、スイッチング素子16に流れる電流52に起因して、スイッチング素子16の周囲に周方向に磁場62が発生する。磁束遮蔽板24の金属板24aは、磁束を吸収することで、磁場60がスイッチング素子16側の領域に影響することを抑制するとともに、磁場62がスイッチング素子14側の領域に影響することを抑制する。また、磁束遮蔽板24(すなわち、金属板24a)は、スイッチング素子14とスイッチング素子16の中間点に配置されている。したがって、金属板24a内では、磁場60と磁場62が互いに打ち消し合う。これによって、スイッチング素子14の電流経路とスイッチング素子16の電流経路の間における相互インダクタンスが低減されている。
何らかの原因によって、スイッチング素子14、16がオンしているときに、スイッチング素子14、16に流れる電流50、52のバランスが崩れる場合がある。すなわち、電流50が電流52よりも大きくなる場合や、電流52が電流50よりも大きくなる場合がある。
例えば、スイッチング素子14に流れる電流50がスイッチング素子16に流れる電流52よりも大きいと、磁場60が磁場62よりも大きくなる。このため、スイッチング素子14、16がオンしているときに、磁束遮蔽板24の金属板24a内で磁場60が磁場62によって完全には打ち消されない。このため、金属板24a内で比較的大きい磁場が発生する。したがって、スイッチング素子14、16のスイッチングに応じて、金属板24a内の磁場が大きく変化するようになる。金属板24a内で磁場が変化すると、金属板24a内で誘導起電力が発生する。すると、金属板24aと電流検出器28によって構成されている閉回路に誘導電流が流れる。したがって、電流検出器28で所定値以上の電流が検出される。ゲート駆動回路70は、電流検出器28の検出値が所定値以上となると、スイッチング素子14、16をオフさせる。これによって、スイッチング素子14に偏って大きい電流が流れることが防止され、スイッチング素子14が保護される。また、電流52が電流50よりも大きい場合は、金属板24aと電流検出器28によって構成されている閉回路に、上記の場合とは逆方向に誘導電流が流れる。この場合も、電流検出器28によって電流が検出され、ゲート駆動回路70がスイッチング素子14、16を停止させる。これによって、スイッチング素子16が保護される。
以上に説明したように、この半導体モジュール10によれば、スイッチング素子14の電流50とスイッチング素子16の電流52の間にアンバランスが生じた場合に、スイッチング素子14、16をオフさせることができる。これによって、スイッチング素子14、16に過剰な負荷が加わることを防止することができる。なお、上述した実施形態では、アンバランスが生じたときにスイッチング素子14、16の両方をオフさせた。しかしながら、過電流が生じているスイッチング素子のみをオフさせるようにしてもよい。また、電流検出器28が所定値以上の電流を検出したときに、ゲート電圧を調節する等、上記とは異なる動作を実行するようにしてもよい。
なお、上述した実施例では、磁束遮蔽板24が金属板24aと絶縁層24bによって構成されていた。しかしながら、磁束遮蔽板24に代えて、網状の金属ネットと、金属ネットの表面を覆う絶縁層からなる磁束遮蔽ネットによって構成されていてもよい。このような構成によれば、樹脂層26を形成するときに流動樹脂が磁束遮蔽ネットを通過できるので、樹脂層26を容易に形成することができる。
以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示にすぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例をさまざまに変形、変更したものが含まれる。
本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組み合わせによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組み合わせに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成するものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組み合わせによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組み合わせに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成するものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
10:半導体モジュール
12:下部電極板
12a:コレクタ配線
14、16:スイッチング素子
18、20:スペーサブロック
22:上部電極板
22a:エミッタ配線
24:磁束遮蔽板
24a:金属板
24b:絶縁膜
26:樹脂層
28:電流検出器
30:ゲート配線
70:ゲート駆動回路
12:下部電極板
12a:コレクタ配線
14、16:スイッチング素子
18、20:スペーサブロック
22:上部電極板
22a:エミッタ配線
24:磁束遮蔽板
24a:金属板
24b:絶縁膜
26:樹脂層
28:電流検出器
30:ゲート配線
70:ゲート駆動回路
Claims (1)
- 第1導体板と、
第2導体板と、
前記第1導体板と前記第2導体板の間に接続されている第1スイッチング素子と、
前記第1導体板と前記第2導体板の間に、前記第1スイッチング素子に対して並列に接続されている第2スイッチング素子と、
前記第1導体板と前記第2導体板の間であって第1スイッチング素子と第2スイッチング素子の間に配置されており、前記第1導体板と前記第2導体板から絶縁されている導体と、
前記導体に流れる誘導電流を検出する電流検出器、
を有する半導体モジュール。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014076125A JP2015198188A (ja) | 2014-04-02 | 2014-04-02 | 半導体モジュール |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014076125A JP2015198188A (ja) | 2014-04-02 | 2014-04-02 | 半導体モジュール |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015198188A true JP2015198188A (ja) | 2015-11-09 |
Family
ID=54547711
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014076125A Pending JP2015198188A (ja) | 2014-04-02 | 2014-04-02 | 半導体モジュール |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2015198188A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2019077870A1 (ja) * | 2017-10-19 | 2019-04-25 | 株式会社デンソー | 半導体モジュール |
CN110998838A (zh) * | 2017-07-27 | 2020-04-10 | 株式会社电装 | 半导体模块 |
WO2022168156A1 (ja) * | 2021-02-02 | 2022-08-11 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
-
2014
- 2014-04-02 JP JP2014076125A patent/JP2015198188A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110998838A (zh) * | 2017-07-27 | 2020-04-10 | 株式会社电装 | 半导体模块 |
CN110998838B (zh) * | 2017-07-27 | 2023-05-23 | 株式会社电装 | 半导体模块 |
WO2019077870A1 (ja) * | 2017-10-19 | 2019-04-25 | 株式会社デンソー | 半導体モジュール |
WO2022168156A1 (ja) * | 2021-02-02 | 2022-08-11 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
JP7479523B2 (ja) | 2021-02-02 | 2024-05-08 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
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