JP2015018943A - パワー半導体モジュールおよびそれを用いた電力変換装置 - Google Patents
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- H01L2924/13091—Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]
Abstract
Description
5a,5b,5s,5d,5U,5L … 半導体素子
6,7,17,26 … 絶縁層
8,8U,8L … 放熱板
9,9a,9e,9g … 導体板
28 … 枠体
100 … 回路基板
110 … 半導体基板
120,130 … 主電極
101,102,103,104,105,106 … スイッチング素子
201,202,203,204,205,206 … ダイオード
Claims (15)
- 回路基板と、
それぞれ第1主電極および第2主電極を備え、前記第1主電極が前記回路基板に対向するように前記回路基板上に載置される第1半導体素子および第2半導体素子と、
前記第1および前記第2半導体素子の各表面を覆い、かつ前記回路基板に対向する第1領域を有し、前記第1領域は前記第1および前記第2半導体素子の各々における前記第2主電極に電気的に接触する第1配線層と、
前記第1および前記第2半導体素子の前記各表面を覆い、かつ前記回路基板に対向する第2領域を有し、前記回路基板の端部上において前記第1配線層と電気的に接続される第2配線層と
を備え、
前記第1領域と前記第2領域とは互いに対向する
ことを特徴とするパワー半導体モジュール。 - 請求項1に記載のパワー半導体モジュールにおいて、
前記第1領域に流れる電流の向きと前記第2領域に流れる電流の向きとが互いに逆方向である
ことを特徴とするパワー半導体モジュール。 - 請求項2に記載のパワー半導体モジュールにおいて、
前記第1配線層および前記第2配線層は、一つの配線層が前記回路基板の前記端部上で折り返されて構成される
ことを特徴とするパワー半導体モジュール。 - 請求項2に記載のパワー半導体モジュールにおいて、
前記第2配線層は、前記回路基板の前記端部上において、前記第1配線層と接合される
ことを特徴とするパワー半導体モジュール。 - 請求項2に記載のパワー半導体モジュールにおいて、
前記第1領域は、導体板を介して、前記第2主電極と電気的に接触する
ことを特徴とするパワー半導体モジュール。 - 請求項2に記載のパワー半導体モジュールにおいて、
前記第1半導体素子はスイッチング素子であり、前記第2半導体素子はワイドギャップ半導体からなるショットキーダイオードである
ことを特徴とするパワー半導体モジュール。 - 請求項2に記載のパワー半導体モジュールにおいて、
前記回路基板は、第1放熱板と、前記第1放熱板上に位置する第1絶縁層とを備え、
前記パワー半導体モジュールは、前記第2配線層上に位置する第2絶縁層と、前記第2絶縁層上に位置する第2放熱板とを更に備える
ことを特徴とするパワー半導体モジュール。 - 回路基板と、
それぞれ第1主電極および第2主電極を備え、前記第1主電極が前記回路基板に対向するように前記回路基板上に載置される第1半導体素子および第2半導体素子と、
前記第1半導体素子の表面上を覆い、かつ前記回路基板に対向する第1領域を有し、前記第1領域が前記第1半導体素子の前記第2主電極に電気的に接触すると共に前記第2半導体素子の前記第1主電極に電気的に接続される第1配線層と、
前記第2半導体素子の表面上を覆い、かつ前記回路基板に対向する第2領域を有し、前記第2領域が前記第2の半導体素子の前記第2主電極に電気的に接触する第2の配線層と、
前記第1半導体素子および前記第2半導体素子の各表面上を覆い、かつ前記回路基板に対向する第3領域を有し、前記回路基板の端部上において、前記第2配線層と電気的に接続される第3の配線層と
を備え、
前記第3領域は前記第1領域および前記第2領域と対向する
ことを特徴とするパワー半導体モジュール。 - 請求項8に記載のパワー半導体モジュールにおいて、
前記第3領域に流れる電流の向きと前記第1領域および前記第2領域に流れる電流の向きとが互いに逆方向である
ことを特徴とするパワー半導体モジュール。 - 請求項9に記載のパワー半導体モジュールにおいて、
前記第2配線層および前記第3配線層は、1配線層が前記回路基板の前記端部上で折り返されて構成される
ことを特徴とするパワー半導体モジュール。 - 請求項9に記載のパワー半導体モジュールにおいて、
前記第3配線層は、前記回路基板の前記端部上において、前記第2配線層と接合される
ことを特徴とするパワー半導体モジュール。 - 請求項9に記載のパワー半導体モジュールにおいて、
前記第1領域が、第1導体板を介して、前記第1半導体素子の前記第2主電極に電気的に接触し、前記第2領域が、第2導体板を介して、前記第2の半導体素子の前記第2主電極に電気的に接触する
ことを特徴とするパワー半導体モジュール。 - 請求項9に記載のパワー半導体モジュールにおいて、
前記第1半導体素子はスイッチング素子であり、前記第2半導体素子はワイドギャップ半導体からなるショットキーダイオードである
ことを特徴とするパワー半導体モジュール。 - 交流の相数分の交流端子と一対の直流端子とを備え、
第1半導体素子と第2半導体素子とを備え、かつ前記第1半導体素子がスイッチング素子であり、前記第2半導体素子がダイオードであり、前記スイッチング素子と前記ダイオードとが逆並列に接続されるアームが2個直列に接続される直列接続回路を、前記交流の前記相数分備え、
前記直列接続回路の各々の両端が前記一対の直流端子に接続され、
前記直列接続回路の各々における、前記2個のアームの接続点が前記交流端子に接続され、
前記アームが請求項1に記載のパワー半導体モジュールである
ことを特徴とする電力変換装置。 - 交流の相数分の交流端子と一対の直流端子とを備え、
第1半導体素子と第2半導体素子とを備え、前記第1半導体素子がスイッチング素子であり、前記第2半導体素子がダイオードであり、前記スイッチング素子と前記ダイオードとが逆並列に接続されるアームが2個直列に接続される直列接続回路を、前記交流の前記相数分備え、
前記直列接続回路の各々の両端が前記一対の直流端子に接続され、
前記直列接続回路の各々における、前記2個のアームの接続点が前記交流端子に接続され、
前記直列接続回路が請求項8に記載のパワー半導体モジュールである
ことを特徴とする電力変換装置。
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