JPH09270491A - パワートランジスタモジュール - Google Patents
パワートランジスタモジュールInfo
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- JPH09270491A JPH09270491A JP7862096A JP7862096A JPH09270491A JP H09270491 A JPH09270491 A JP H09270491A JP 7862096 A JP7862096 A JP 7862096A JP 7862096 A JP7862096 A JP 7862096A JP H09270491 A JPH09270491 A JP H09270491A
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- emitter
- power transistor
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Abstract
(57)【要約】
【課題】複数のパワートランジスタを並列接続して使用
する場合に、各個のトランジスタ，ないしモジュール相
互間で電流分担を均等化させる。 【解決手段】各個のモジュール＃１〜＃３でパッケージ
１内に１個組のＩＧＢＴ（パワートランジスタ）２を組
み込み、主回路の外部導出端子としてコレクタ端子４，
エミッタ端子５をパッケージ上面に引出したパワートラ
ンジスタモジュールにおいて、前記コレクタ端子の端子
導体４ａとエミッタ端子の端子導体５ａをパッケージの
側壁に接近させてその左右両サイドに振り分け、かつ通
電電流の方向が互いに逆向きになるように敷設し、並列
接続した各ＩＧＢＴ，ないしモジュール相互間で端子導
体同士を巧みに磁気誘導結合させ、その誘導起電力の作
用により電流Ｉ1 〜Ｉ4 を全て同じ値にして電流分担の
バランスが図れるようにする。
する場合に、各個のトランジスタ，ないしモジュール相
互間で電流分担を均等化させる。 【解決手段】各個のモジュール＃１〜＃３でパッケージ
１内に１個組のＩＧＢＴ（パワートランジスタ）２を組
み込み、主回路の外部導出端子としてコレクタ端子４，
エミッタ端子５をパッケージ上面に引出したパワートラ
ンジスタモジュールにおいて、前記コレクタ端子の端子
導体４ａとエミッタ端子の端子導体５ａをパッケージの
側壁に接近させてその左右両サイドに振り分け、かつ通
電電流の方向が互いに逆向きになるように敷設し、並列
接続した各ＩＧＢＴ，ないしモジュール相互間で端子導
体同士を巧みに磁気誘導結合させ、その誘導起電力の作
用により電流Ｉ1 〜Ｉ4 を全て同じ値にして電流分担の
バランスが図れるようにする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電力変換装置など
への対応を狙いに、複数組のパワートランジスタを並列
に接続して電流容量の増大を図るようにしたパワートラ
ンジスタモジュールに関し、特にそのモジュールの組立
構造に係る。
への対応を狙いに、複数組のパワートランジスタを並列
に接続して電流容量の増大を図るようにしたパワートラ
ンジスタモジュールに関し、特にそのモジュールの組立
構造に係る。
【０００２】
【従来の技術】近年になって静止電力変換装置のトラン
ジスタ化が進み、その電流容量の増大に対応させるため
に複数のパワートランジスタを並列接続したパワートラ
ンジスタモジュールが多く使用されている。図４（ａ）
〜（ｃ）は１個組のパワートランジスタモジュールを３
個並べてその相互間を配線バーで並列接続した従来の構
成図である。図において、１は各個モジュール＃１〜＃
３のパッケージ、２はパッケージ１に組み込んだＩＧＢ
Ｔ（パワートランジスタ）、３はＩＧＢＴ２に並列接続
したフライホイールダイオード、４，５はＩＧＢＴ２に
接続してパッケージ１の上面に引き出した外部導出端子
としてのコレクタ端子，エミッタ端子、４ａ，５ａはパ
ッケージ１の内方に引回してＩＧＢＴ２との間に配線し
たコレクタ端子４，エミッタ端子５の端子導体である。
ここで、コレクタ端子４，エミッタ端子５はパッケージ
上面の中央に並び、各端子４，５に連なる端子導体４
ａ，５ａの先端脚部がＩＧＢＴ２を搭載した基板上の導
体パターンに半田付けされている。そして３台のパワー
トランジスタモジュールは、パッケージ１の向きを揃え
て互いに近接するように並置し、コレクタ端子４，エミ
ッタ端子５の相互間を配線バー６で並列に接続して使用
する。なお、図３（ａ),（ｂ）では主回路端子のみ示
し、ベース，エミッタの補助端子は省略して描かれてな
い。また、パワートランジスタとしては、図示のＩＧＢ
Ｔの代わりにバイポーラトランジスタ，ＭＯＳＦＥＴを
採用する場合もある。
ジスタ化が進み、その電流容量の増大に対応させるため
に複数のパワートランジスタを並列接続したパワートラ
ンジスタモジュールが多く使用されている。図４（ａ）
〜（ｃ）は１個組のパワートランジスタモジュールを３
個並べてその相互間を配線バーで並列接続した従来の構
成図である。図において、１は各個モジュール＃１〜＃
３のパッケージ、２はパッケージ１に組み込んだＩＧＢ
Ｔ（パワートランジスタ）、３はＩＧＢＴ２に並列接続
したフライホイールダイオード、４，５はＩＧＢＴ２に
接続してパッケージ１の上面に引き出した外部導出端子
としてのコレクタ端子，エミッタ端子、４ａ，５ａはパ
ッケージ１の内方に引回してＩＧＢＴ２との間に配線し
たコレクタ端子４，エミッタ端子５の端子導体である。
ここで、コレクタ端子４，エミッタ端子５はパッケージ
上面の中央に並び、各端子４，５に連なる端子導体４
ａ，５ａの先端脚部がＩＧＢＴ２を搭載した基板上の導
体パターンに半田付けされている。そして３台のパワー
トランジスタモジュールは、パッケージ１の向きを揃え
て互いに近接するように並置し、コレクタ端子４，エミ
ッタ端子５の相互間を配線バー６で並列に接続して使用
する。なお、図３（ａ),（ｂ）では主回路端子のみ示
し、ベース，エミッタの補助端子は省略して描かれてな
い。また、パワートランジスタとしては、図示のＩＧＢ
Ｔの代わりにバイポーラトランジスタ，ＭＯＳＦＥＴを
採用する場合もある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、前記のよう
に複数個のパワートランジスタモジュールを並列に接続
する場合には、各パワートランジスタ（ＩＧＢＴ）の電
流分担が均一になるよう動作特性を揃えておく必要があ
る。そのために従来では、あらかじめ個々の製品を特性
（オン電圧、スイッチング特性など）別にランク分けし
ておき、モジュールの並列接続に当たっては同一ランク
のもの同士を選別して使用するようにしているが、この
方法は製品のランク分け，ラベリング等の工数が余分に
掛かることからコストが増加するといった問題がある。
また、一つのパッケージ内に複数個のパワートランジス
タを組み込んで複数個組のモジュールを構成する場合に
も、個々のトランジスタのランクを合わせる必要があ
り、そのために個々の素子特性にばらつきが多いと製品
の歩留りが低下する。
に複数個のパワートランジスタモジュールを並列に接続
する場合には、各パワートランジスタ（ＩＧＢＴ）の電
流分担が均一になるよう動作特性を揃えておく必要があ
る。そのために従来では、あらかじめ個々の製品を特性
（オン電圧、スイッチング特性など）別にランク分けし
ておき、モジュールの並列接続に当たっては同一ランク
のもの同士を選別して使用するようにしているが、この
方法は製品のランク分け，ラベリング等の工数が余分に
掛かることからコストが増加するといった問題がある。
また、一つのパッケージ内に複数個のパワートランジス
タを組み込んで複数個組のモジュールを構成する場合に
も、個々のトランジスタのランクを合わせる必要があ
り、そのために個々の素子特性にばらつきが多いと製品
の歩留りが低下する。
【０００４】また、複数のパワートランジスタを並列接
続する場合に、電流分担の均一を阻害する要因として配
線インダクタンスのばらつきがある。すなわち、図４
（ｃ）の等価回路に表した配線インダクタンスＬにばら
つきがあると、素子のスイッチング動作時に過渡的に電
流不平衡を引き起こす。特にエミッタ側の配線インダク
タンスは、トランジスタのベース電流の分担にまで影響
を及ぼし、トランジスタのターンオン動作にずれが生じ
て高周波スイッチング動作時のターンオン損失が大きく
なる。
続する場合に、電流分担の均一を阻害する要因として配
線インダクタンスのばらつきがある。すなわち、図４
（ｃ）の等価回路に表した配線インダクタンスＬにばら
つきがあると、素子のスイッチング動作時に過渡的に電
流不平衡を引き起こす。特にエミッタ側の配線インダク
タンスは、トランジスタのベース電流の分担にまで影響
を及ぼし、トランジスタのターンオン動作にずれが生じ
て高周波スイッチング動作時のターンオン損失が大きく
なる。
【０００５】本発明は上記の点にかんがみなされたもの
であり、その目的は前記課題を解決し、複数のパワート
ランジスタを並列接続して使用する場合に、各個のトラ
ンジスタ，ないしモジュール相互間で配線インダクタン
スを巧みに磁気誘導結合させ、スイッチング動作時にお
ける電流分担のバランスが図れるようにしたパワートラ
ンジスタモジュールを提供することにある。
であり、その目的は前記課題を解決し、複数のパワート
ランジスタを並列接続して使用する場合に、各個のトラ
ンジスタ，ないしモジュール相互間で配線インダクタン
スを巧みに磁気誘導結合させ、スイッチング動作時にお
ける電流分担のバランスが図れるようにしたパワートラ
ンジスタモジュールを提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明によれば、次記のように構成するものとす
る。 １）パッケージ内に１個組のパワートランジスタを組み
込み、主回路の外部導出端子としてコレクタ端子，エミ
ッタ端子をパッケージ上面に引出したパワートランジス
タモジュールにおいて、前記コレクタ端子の端子導体と
エミッタ端子の端子導体をパッケージの側壁に接近させ
てその左右両サイドに振り分け、かつ通電電流の方向が
互いに逆向きになるように敷設する。
に、本発明によれば、次記のように構成するものとす
る。 １）パッケージ内に１個組のパワートランジスタを組み
込み、主回路の外部導出端子としてコレクタ端子，エミ
ッタ端子をパッケージ上面に引出したパワートランジス
タモジュールにおいて、前記コレクタ端子の端子導体と
エミッタ端子の端子導体をパッケージの側壁に接近させ
てその左右両サイドに振り分け、かつ通電電流の方向が
互いに逆向きになるように敷設する。
【０００７】２）パッケージ内に直列接続した２個組の
パワートランジスタを組み込み、主回路の外部導出端子
として第１トランジスタのコレクタ端子，第２トランジ
スタのエミッタ端子，および第１トランジスタのエミッ
タと第２トランジスタのコレクタ間にまたがって接続し
た出力端子をパッケージ上面に引出したパワートランジ
スタモジュールにおいて、前記コレクタ端子，エミッタ
端子の各端子導体と出力端子の端子導体をパッケージの
側壁に接近させてその左右両サイドに振り分け、かつ互
いに対向し合う各端子導体の相互間で通電電流が逆向き
になるよう敷設する。
パワートランジスタを組み込み、主回路の外部導出端子
として第１トランジスタのコレクタ端子，第２トランジ
スタのエミッタ端子，および第１トランジスタのエミッ
タと第２トランジスタのコレクタ間にまたがって接続し
た出力端子をパッケージ上面に引出したパワートランジ
スタモジュールにおいて、前記コレクタ端子，エミッタ
端子の各端子導体と出力端子の端子導体をパッケージの
側壁に接近させてその左右両サイドに振り分け、かつ互
いに対向し合う各端子導体の相互間で通電電流が逆向き
になるよう敷設する。
【０００８】３）パッケージ内に複数個組のパワートラ
ンジスタを組み込み、かつ各トランジスタのコレクタ，
エミッタ同士を並列接続した上でその外部導出端子をパ
ッケージ上面に引出したパワートランジスタモジュール
において、各トランジスタの相互間で外部導出端子に連
なるコレクタ側の端子導体とエミッタ側の端子導体とを
平行に近接し、かつ通電電流方向が互いに逆向きとなる
ように敷設する。
ンジスタを組み込み、かつ各トランジスタのコレクタ，
エミッタ同士を並列接続した上でその外部導出端子をパ
ッケージ上面に引出したパワートランジスタモジュール
において、各トランジスタの相互間で外部導出端子に連
なるコレクタ側の端子導体とエミッタ側の端子導体とを
平行に近接し、かつ通電電流方向が互いに逆向きとなる
ように敷設する。
【０００９】上記のように、互いに並列接続して使用す
る各個のパワートランジスタに接続した端子導体を前記
構成のように配線することにより、互いに近接して平行
に並ぶ端子導体には逆向きの電流が流れるので、その磁
気誘導結合により端子導体に発生した誘導起電力の働き
で各端子導体の通電電流が同じ値になる。
る各個のパワートランジスタに接続した端子導体を前記
構成のように配線することにより、互いに近接して平行
に並ぶ端子導体には逆向きの電流が流れるので、その磁
気誘導結合により端子導体に発生した誘導起電力の働き
で各端子導体の通電電流が同じ値になる。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例を図面に基
づいて説明する。なお、各実施例において、図４に対応
する同一部材には同じ符号が付してある。 〔実施例１〕図１（ａ）〜（ｃ）は１個組パワートラン
ジスタモジュール＃１〜＃３を３台並置して組合せ、各
モジュールの相互間を並列に接続して使用する本発明の
請求項１に対応する実施例を示すものである。
づいて説明する。なお、各実施例において、図４に対応
する同一部材には同じ符号が付してある。 〔実施例１〕図１（ａ）〜（ｃ）は１個組パワートラン
ジスタモジュール＃１〜＃３を３台並置して組合せ、各
モジュールの相互間を並列に接続して使用する本発明の
請求項１に対応する実施例を示すものである。
【００１１】この実施例においては、各個のパワートラ
ンジスタモジュールについて、コレクタ端子４の端子導
体４ａとエミッタ端子５の端子導体５ａをパッケージの
側壁に接近させてその左右両サイドに振り分け、かつ端
子導体４ａと５ａの通電電流の方向が互いに逆向きにな
るように敷設されている。かかる構成のパワートランジ
スタモジュール＃１〜＃３を並列接続して電流容量の増
大化を図るために、各個のパッケージ１を図示のように
向きを揃えて左右に並置することにより、モジュール＃
１のコレクタ端子導体４ａとモジュール＃２のエミッタ
端子導体５ａ、およびモジュール＃２のコレクタ端子導
体４ａとモジュール＃３のエミッタ端子導体５ａがパッ
ケージ１の側壁を隔てて互いに平行，かつ接近して並ぶ
ようになる。この状態で、外部の配線バー６より各個モ
ジュールのコレクタ端子４，エミッタ端子５を通じてＩ
ＧＢＴ２に通電してスイッチング動作させると、図１
（ｃ）の等価回路に点線で表すように、隣り合うモジュ
ールの相互間でコレクタ端子導体４ａとエミッタ端子導
体５ａの電流磁界により、両端子導体が誘導結合され
る。なお、磁気誘導結合をＭＣで示す。
ンジスタモジュールについて、コレクタ端子４の端子導
体４ａとエミッタ端子５の端子導体５ａをパッケージの
側壁に接近させてその左右両サイドに振り分け、かつ端
子導体４ａと５ａの通電電流の方向が互いに逆向きにな
るように敷設されている。かかる構成のパワートランジ
スタモジュール＃１〜＃３を並列接続して電流容量の増
大化を図るために、各個のパッケージ１を図示のように
向きを揃えて左右に並置することにより、モジュール＃
１のコレクタ端子導体４ａとモジュール＃２のエミッタ
端子導体５ａ、およびモジュール＃２のコレクタ端子導
体４ａとモジュール＃３のエミッタ端子導体５ａがパッ
ケージ１の側壁を隔てて互いに平行，かつ接近して並ぶ
ようになる。この状態で、外部の配線バー６より各個モ
ジュールのコレクタ端子４，エミッタ端子５を通じてＩ
ＧＢＴ２に通電してスイッチング動作させると、図１
（ｃ）の等価回路に点線で表すように、隣り合うモジュ
ールの相互間でコレクタ端子導体４ａとエミッタ端子導
体５ａの電流磁界により、両端子導体が誘導結合され
る。なお、磁気誘導結合をＭＣで示す。
【００１２】ここで、前記の磁気誘導結合ＭＣでは、対
向し合う端子導体に流れる逆方向の電流による磁界を互
いに相殺し合うように結合されているので、各端子導体
に流れる電流をそれぞれＩ1,Ｉ2,Ｉ3,Ｉ4 とすると、前
記の磁気誘導結合により生じた誘導起電力の作用で電流
Ｉ1 とＩ2,Ｉ3 とＩ4 が同じ値となる。しかも、電流Ｉ
2 とＩ3 は同じモジュール＃２のＩＧＢＴ２に流れる電
流であるから、この結果として全ての電流Ｉ1 〜Ｉ4 は
同一値となり、各モジュール＃１〜＃３の電流分担がバ
ランスする。
向し合う端子導体に流れる逆方向の電流による磁界を互
いに相殺し合うように結合されているので、各端子導体
に流れる電流をそれぞれＩ1,Ｉ2,Ｉ3,Ｉ4 とすると、前
記の磁気誘導結合により生じた誘導起電力の作用で電流
Ｉ1 とＩ2,Ｉ3 とＩ4 が同じ値となる。しかも、電流Ｉ
2 とＩ3 は同じモジュール＃２のＩＧＢＴ２に流れる電
流であるから、この結果として全ての電流Ｉ1 〜Ｉ4 は
同一値となり、各モジュール＃１〜＃３の電流分担がバ
ランスする。
【００１３】〔実施例２〕図２（ａ）〜（ｃ）はパッケ
ージ内に直列接続した２個組のパワートランジスタを組
み込んだモジュールを３個並列に接続し、インバータ装
置のハーフブリッジを構成する場合に使用するようにし
た本発明の請求項２に対応する実施例を示すものであ
り、各個のモジュール＃１〜＃３ごとに、パッケージ１
の上面には主回路の外部導出端子として、第１のＩＧＢ
Ｔ（上アーム側）２-1のコレクタ端子４-1，第２のＩＧ
ＢＴ（下アーム側）のＩＧＢＴ２-2のエミッタ端子４-
2，およびＩＧＢＴ２-1のエミッタとＩＧＢＴ２-2のコ
レクタの間にまたがって引出した出力端子７が配置され
ている。そして、前記のコレクタ端子４-1の端子導体４
ａとエミッタ端子の各４-2の端子導体５ａとが一直線に
並んでパッケージ１の左サイドの側壁に沿って近接配置
され、出力端子７の端子導体７ａがパッケージ１の右サ
イドの側壁に沿って近接配置されている。なお、端子導
体７ａはその先端脚部が二股状に分岐しており、一方の
脚部７ａ-1が前記の端子導体４ａと向かい合うように配
置してＩＧＢＴ2-1 のエミッタに接続され、他方の脚部
７ａ-2が端子導体５ａと向かい合うように配置してＩＧ
ＢＴ２-2のコレクタに接続されている。そして、左右に
並んで対向し合う前記の各端子導体の相互間で、端子導
体４ａと端子導体７ａの脚部７ａ-1，端子導体５ａと端
子導体７ａの脚部７ａ-2を流れる電流が逆向きになるよ
うに引回して配線されている。
ージ内に直列接続した２個組のパワートランジスタを組
み込んだモジュールを３個並列に接続し、インバータ装
置のハーフブリッジを構成する場合に使用するようにし
た本発明の請求項２に対応する実施例を示すものであ
り、各個のモジュール＃１〜＃３ごとに、パッケージ１
の上面には主回路の外部導出端子として、第１のＩＧＢ
Ｔ（上アーム側）２-1のコレクタ端子４-1，第２のＩＧ
ＢＴ（下アーム側）のＩＧＢＴ２-2のエミッタ端子４-
2，およびＩＧＢＴ２-1のエミッタとＩＧＢＴ２-2のコ
レクタの間にまたがって引出した出力端子７が配置され
ている。そして、前記のコレクタ端子４-1の端子導体４
ａとエミッタ端子の各４-2の端子導体５ａとが一直線に
並んでパッケージ１の左サイドの側壁に沿って近接配置
され、出力端子７の端子導体７ａがパッケージ１の右サ
イドの側壁に沿って近接配置されている。なお、端子導
体７ａはその先端脚部が二股状に分岐しており、一方の
脚部７ａ-1が前記の端子導体４ａと向かい合うように配
置してＩＧＢＴ2-1 のエミッタに接続され、他方の脚部
７ａ-2が端子導体５ａと向かい合うように配置してＩＧ
ＢＴ２-2のコレクタに接続されている。そして、左右に
並んで対向し合う前記の各端子導体の相互間で、端子導
体４ａと端子導体７ａの脚部７ａ-1，端子導体５ａと端
子導体７ａの脚部７ａ-2を流れる電流が逆向きになるよ
うに引回して配線されている。
【００１４】かかる構成で、図２（ｃ）の等価回路に表
示した各端子導体に流れる電流をそれぞれＩ5 〜Ｉ12と
すると、左右に並ぶ各個のモジュール＃１〜＃３の間で
端子導体４ａ，５ａ，７ａ-1, ７ａ-2の相互間が磁気誘
導結合され、先記実施例１で述べたと同様な誘導起電力
の作用により、電流Ｉ5 ＝Ｉ6 ＝Ｉ7 ＝Ｉ8 ，Ｉ9 ＝Ｉ
10＝Ｉ11＝Ｉ12となって、各モジュール間での電流分担
がバランスする。
示した各端子導体に流れる電流をそれぞれＩ5 〜Ｉ12と
すると、左右に並ぶ各個のモジュール＃１〜＃３の間で
端子導体４ａ，５ａ，７ａ-1, ７ａ-2の相互間が磁気誘
導結合され、先記実施例１で述べたと同様な誘導起電力
の作用により、電流Ｉ5 ＝Ｉ6 ＝Ｉ7 ＝Ｉ8 ，Ｉ9 ＝Ｉ
10＝Ｉ11＝Ｉ12となって、各モジュール間での電流分担
がバランスする。
【００１５】〔実施例３〕図３（ａ),（ｂ）はパッケー
ジ内に３組のパワートランジスタを組み込み、かつ各ト
ランジスタのコレクタ，エミッタ同士を並列接続した上
でその外部導出端子をパッケージ上面に引出した本発明
の請求項３に対応する実施例を示すものである。
ジ内に３組のパワートランジスタを組み込み、かつ各ト
ランジスタのコレクタ，エミッタ同士を並列接続した上
でその外部導出端子をパッケージ上面に引出した本発明
の請求項３に対応する実施例を示すものである。
【００１６】この実施例においては、パッケージ１に組
み込ん３個のＩＧＢＴ２-1, ２-2,２-3とパッケージ上
面に配した外部導出端子としてのコレクタ端子４，エミ
ッタ端子５との間がコレクタ端子導体４ａ-1, ４ａ-2,
４ａ-3，およびエミッタ端子導体５ａ-1, ５ａ-2, ５ａ
-3を介して並列に接続されており、ここで、端子導体５
ａ-1と４ａ-2，５ａ-2と４ａ-3とが近接して平行に並
び、かつ通電電流Ｉ1 とＩ2,Ｉ3 とＩ4 の向きが逆向き
となるように敷設されている。
み込ん３個のＩＧＢＴ２-1, ２-2,２-3とパッケージ上
面に配した外部導出端子としてのコレクタ端子４，エミ
ッタ端子５との間がコレクタ端子導体４ａ-1, ４ａ-2,
４ａ-3，およびエミッタ端子導体５ａ-1, ５ａ-2, ５ａ
-3を介して並列に接続されており、ここで、端子導体５
ａ-1と４ａ-2，５ａ-2と４ａ-3とが近接して平行に並
び、かつ通電電流Ｉ1 とＩ2,Ｉ3 とＩ4 の向きが逆向き
となるように敷設されている。
【００１７】かかる構成により、端子導体５ａ-1と４ａ
-2，５ａ-2と４ａ-3との間が、実施例１で述べたと同様
に電磁誘導結合され、その誘導起電力の作用により、図
示等価回路に示した各ＩＧＢＴ２-1, ２-2, ２-3の相互
間で通電電流Ｉ1 〜Ｉ4 が同じ値になり、モジュール内
に組み込んで並列接続した複数個のＩＧＢＴの電流分担
がバランスするようになる。
-2，５ａ-2と４ａ-3との間が、実施例１で述べたと同様
に電磁誘導結合され、その誘導起電力の作用により、図
示等価回路に示した各ＩＧＢＴ２-1, ２-2, ２-3の相互
間で通電電流Ｉ1 〜Ｉ4 が同じ値になり、モジュール内
に組み込んで並列接続した複数個のＩＧＢＴの電流分担
がバランスするようになる。
【００１８】なお、図示の各実施例ではパワートランジ
スタとしてＩＧＢＴを採用した例を示したが、ＩＧＢＴ
に限定されるものではなく、パイポーラトランジスタ，
ＭＯＳＦＥＴに置き換えて実施できることは勿論であ
る。そして、ＭＯＳＦＥＴを採用する場合には、ＩＧＢ
Ｔモジュールのコレクタ端子，エミッタ端子をそれぞれ
ＭＯＳＦＥＴモジュールのソース端子，ドレイン端子に
置き換えて実施すればよい。
スタとしてＩＧＢＴを採用した例を示したが、ＩＧＢＴ
に限定されるものではなく、パイポーラトランジスタ，
ＭＯＳＦＥＴに置き換えて実施できることは勿論であ
る。そして、ＭＯＳＦＥＴを採用する場合には、ＩＧＢ
Ｔモジュールのコレクタ端子，エミッタ端子をそれぞれ
ＭＯＳＦＥＴモジュールのソース端子，ドレイン端子に
置き換えて実施すればよい。
【００１９】
【発明の効果】以上述べたように、本発明の構成によれ
ば、電流容量の増大化を狙いに複数のパワートランジス
タ，ないしパワートランジスタモジュールを並列に接続
して使用する場合に、端子導体相互間の電磁誘導結合を
巧みに活用することで、各トランジスタの電流分担を均
等化することができる。これにより、個々の素子につい
て従来実施していた特性別のランク分け，選別，ラベリ
ングなどの作業が不要となり、これにより製品の歩留り
向上，コスト低減化にも大きく寄与できる。
ば、電流容量の増大化を狙いに複数のパワートランジス
タ，ないしパワートランジスタモジュールを並列に接続
して使用する場合に、端子導体相互間の電磁誘導結合を
巧みに活用することで、各トランジスタの電流分担を均
等化することができる。これにより、個々の素子につい
て従来実施していた特性別のランク分け，選別，ラベリ
ングなどの作業が不要となり、これにより製品の歩留り
向上，コスト低減化にも大きく寄与できる。
【図１】本発明の実施例１に対応するパワートランジス
タモジュールの構成図であり、（ａ）は主回路端子の配
置を模式的に表したモジュールの平面図、（ｂ）は
（ａ）の側面図、（ｃ）は等価回路図
タモジュールの構成図であり、（ａ）は主回路端子の配
置を模式的に表したモジュールの平面図、（ｂ）は
（ａ）の側面図、（ｃ）は等価回路図
【図２】本発明の実施例２に対応するパワートランジス
タモジュールの構成図であり、（ａ）は主回路端子の配
置を模式的に表したモジュールの平面図、（ｂ）は
（ａ）の側面図、（ｃ）は等価回路図
タモジュールの構成図であり、（ａ）は主回路端子の配
置を模式的に表したモジュールの平面図、（ｂ）は
（ａ）の側面図、（ｃ）は等価回路図
【図３】本発明の実施例３に対応するパワートランジス
タモジュールの構成図であり、（ａ）は主回路端子の配
置を模式的に表したモジュールの平面図、（ｂ）は等価
回路図
タモジュールの構成図であり、（ａ）は主回路端子の配
置を模式的に表したモジュールの平面図、（ｂ）は等価
回路図
【図４】従来例のパワートランジスタモジュールの構成
図であり、（ａ）は主回路端子の配置を模式的に表した
モジュールの平面図、（ｂ）は（ａ）の側面図、（ｃ）
は等価回路図
図であり、（ａ）は主回路端子の配置を模式的に表した
モジュールの平面図、（ｂ）は（ａ）の側面図、（ｃ）
は等価回路図
１ パッケージ ２，２-1, ２-2, ２-3 ＩＧＢＴ（パワートランジス
タ） ４ コレクタ端子 ４ａ，４ａ-1, ４ａ-2, ４ａ-3 端子導体 ５ エミッタ端子 ５ａ，５ａ-1, ５ａ-2, ５ａ-3 端子導体 ６ 配線バー ７ 出力端子 ７ａ，７ａ-1, ７ａ-2 端子導体 ＃１〜＃３ モジュール
タ） ４ コレクタ端子 ４ａ，４ａ-1, ４ａ-2, ４ａ-3 端子導体 ５ エミッタ端子 ５ａ，５ａ-1, ５ａ-2, ５ａ-3 端子導体 ６ 配線バー ７ 出力端子 ７ａ，７ａ-1, ７ａ-2 端子導体 ＃１〜＃３ モジュール
Claims (3)
- 【請求項１】パッケージ内に１個組のパワートランジス
タを組み込み、主回路の外部導出端子としてコレクタ端
子，エミッタ端子をパッケージ上面に引出したパワート
ランジスタモジュールにおいて、前記コレクタ端子の端
子導体とエミッタ端子の端子導体をパッケージの側壁に
接近させてその左右両サイドに振り分け、かつ通電電流
の方向が互いに逆向きになるように敷設したことを特徴
とするパワートランジスタモジュール。 - 【請求項２】パッケージ内に直列接続した２個組のパワ
ートランジスタを組み込み、主回路の外部導出端子とし
て第１トランジスタのコレクタ端子，第２トランジスタ
のエミッタ端子，および第１トランジスタのエミッタと
第２トランジスタのコレクタ間にまたがって接続した出
力端子をパッケージ上面に引出したパワートランジスタ
モジュールにおいて、前記コレクタ端子，エミッタ端子
の各端子導体と出力端子の端子導体をパッケージの側壁
に接近させてその左右両サイドに振り分け、かつ互いに
対向し合う各端子導体の相互間で通電電流が逆向きにな
るよう敷設したことを特徴とするパワートランジスタモ
ジュール。 - 【請求項３】パッケージ内に複数個組のパワートランジ
スタを組み込み、かつ各トランジスタのコレクタ，エミ
ッタ同士を並列接続した上でその外部導出端子をパッケ
ージ上面に引出したパワートランジスタモジュールにお
いて、各トランジスタの相互間で外部導出端子に連なる
コレクタ側の端子導体とエミッタ側の端子導体とを平行
に近接し、かつ通電電流方向が互いに逆向きとなるよう
に敷設したことを特徴とするパワートランジスタモジュ
ール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7862096A JPH09270491A (ja) | 1996-04-01 | 1996-04-01 | パワートランジスタモジュール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7862096A JPH09270491A (ja) | 1996-04-01 | 1996-04-01 | パワートランジスタモジュール |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09270491A true JPH09270491A (ja) | 1997-10-14 |
Family
ID=13666941
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7862096A Pending JPH09270491A (ja) | 1996-04-01 | 1996-04-01 | パワートランジスタモジュール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09270491A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003068977A (ja) * | 2001-08-24 | 2003-03-07 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置 |
| US11270984B2 (en) | 2017-07-27 | 2022-03-08 | Denso Corporation | Semiconductor module |
-
1996
- 1996-04-01 JP JP7862096A patent/JPH09270491A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003068977A (ja) * | 2001-08-24 | 2003-03-07 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置 |
| JP4561015B2 (ja) * | 2001-08-24 | 2010-10-13 | 富士電機システムズ株式会社 | 半導体装置 |
| US11270984B2 (en) | 2017-07-27 | 2022-03-08 | Denso Corporation | Semiconductor module |
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