JP3677519B2 - 電力用半導体モジュール - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、パッケージと、電気的に絶縁性で熱的に伝導性であってその上に導電路を載置した基板が配置されている金属製底部と、互いに並置されている6個の可制御電力用半導体スイッチとを備え、この半導体スイッチがそれぞれ導電路の1つに導電的に固定され、さらにパッケージ壁に接続されると共にパッケージの内部においてその下側にボンディング面を持つ負荷電流端子を備え、このボンディング面がボンディングワイヤを介して可制御電力用半導体スイッチに電気的に接続されている電力用半導体モジュールに関する。
【0002】
【従来の技術】
このような電力用半導体モジュールは市販されており、例えば1993/94年版カタログ「エスアイピーエムオーエス半導体(SIPMOS Halbleiter)」35頁に記載されている。この半導体モジュールは電力用半導体スイッチとして、3相整流器ブリッジに接続された6個の絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT)を有している。このモジュールは2個の直流端子と3個の交流端子とを備えている。これらの端子を通じて負荷電流が流れる。
【0003】
前述の種類の電力用半導体モジュールを例えばそれぞれ2倍の負荷電流に耐える3個の個別スイッチの形で或いは3相整流器モジュールの3倍の負荷電流に耐えるブリッジ分岐として使用することがユーザー側からしばしば望まれている。従来このためには導電路のレイアウト変更を必要とした。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
この発明の課題は、上述の種類の電力用半導体モジュールを改良して、複数の回路変形をパッケージ内のボンディング接続の変更のみで実現することができるようにすることにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】
この課題は、この発明によれば、
a)互いに並置される電力用半導体スイッチの各々2つに少なくとも1つの付加的な導電路が設けられ、
b)この付加的な導電路の各々がボンディング面の1つ及び/又は互いに並置される2つの電力用半導体スイッチの少なくとも1つに及び/又は隣接した電力用半導体スイッチの付加的な導電路にボンディングワイヤを介して接続可能であり、
c)各々1つのボンディング面を備えた少なくとも6個の負荷電流端子が設けられ、
d)互いに並置される2つの電力用半導体スイッチの導電路が直接ボンディングワイヤを介して接続される
ことによって解決される。
【0006】
この発明の実施態様は請求項2以降に記載されている。
【0007】
【実施例】
この発明を図1乃至4に関連して2つの実施例を参照して詳細に説明する。
【0008】
図1に示す電力用半導体モジュールは10は絶縁枠11が固定されている金属製底部12を有している。絶縁枠11はモジュール10の壁を形成し、負荷電流端子13乃至21を有している。絶縁枠11には蓋が被せてあるが、図では示されていない。この蓋と枠とでパッケージを形成している。
【0009】
底部12の上に基板7、8、9が固定されている。これらは例えば酸化アルミニウムAl2 O3 、窒化アルミニウムAlNからなる。その下側に金属膜を備え、これを介して基板7、8、9が底部12と例えばろう付けにより接続されている。基板7、8、9の上側には導電路24、25、26、27、28、29が設けられている。これらの導電路はそれぞれ電力用半導体スイッチ1、2、3、4、5、6を支持している。半導体スイッチは例えばIGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)で、その各々にフリーホイールダイオードが逆並列接続されている。電力用半導体スイッチ1においてこのダイオードは符号45で示されているが、他のスイッチではこのダイオードは分かり易くするため省略されている。半導体スイッチはまたMOSFET或いは他の互いに並列接続された半導体デバイスからなることもできる。
【0010】
互いに並置される2つの半導体スイッチにはそれぞれ1つの付加的な導電路30、31、32が付設されている。付加的な導電路は好ましくは半導体スイッチの導電路と少なくとも1つの負荷電流端子との間にある。電力用半導体モジュール10が矩形形状を持つ場合、負荷電流端子の大部分はパッケージの長手側面に配置される。この場合負荷電流端子15、16、17、18及び19がそれである。その中3つの負荷電流端子19、17及び15は3相U、V及びWの交流側端子である。パッケージの短手側面の端子20、14はマイナス側の直流電圧端子であり、端子21、13はプラス側の端子である。しかしまた直流電圧をそれぞれ負荷電流端子13、14或いは20、21に印加することでも充分である。
【0011】
モジュールの内部配線は専らボンディング接続により行われる。このために負荷電流端子21乃至13は下端にボンディング面35、36、37、38、39、40、41、42及び43を備えている。これらのボンディング面はパッケージの内部に突出している。負荷電流端子の上側は好ましくはピンとして形成され、これを介してモジュールが回路板にフローソルダリングで接続される。
【0012】
3相整流器ブリッジとして接続されたモジュールの負荷電流は個々には次のように、即ち端子19─ボンディング面37─導電路24─IGBT2のコレクタ─IGBT2のエミッタ─導電路30─ボンディング面36─端子20に流れる。その他に電流は端子13/21から導電路25─IGBT1のコレクタ─IGBT1のエミッタ─導電路24─ボンディング面37─負荷電流端子19に流れる。
【0013】
負荷電流端子17から電流はボンディング面39─導電路26─IGBT4のコレクタ─IGBT4のエミッタ─導電路31─導電路30/32を介して負荷電流端子20/14に流れる。その他に電流は端子13/21から導電路27─IGBT3のコレクタ─IGBT3のエミッタ─導電路26─導電路25/29を介して負荷電流端子17に流れる。
【0014】
負荷電流端子15から電流はそのボンディング面41─導電路28─IGBT6のコレクタ─IGBT6のエミッタ─導電路32─ボンディング面42を介して負荷電流端子14に及び導電路31、30を介して負荷電流端子14/20に流れる。更に電流は負荷電流端子13/21から導電路25、27、29─IGBT5のコレクタ─IGBT5のエミッタ─導電路28─ボンディング面41を介して負荷電流端子15に流れる。
【0015】
図1においてはより分かり易くするためモジュール内の電気的接続はそれぞれ3本のボンディングワイヤで表されている。大電流の場合はそれ以上の、例えば10乃至15本の並列のボンディングワイヤが使用されることは勿論である。このようなボンディングワイヤが例えば400μmの直径を持つならば、これにより例えば3×120Aの負荷電流を持つ3相整流器ブリッジが実現される。逆並列接続されたダイオードはIGBTのエミッタ側のボンディング支持点を形成する。
【0016】
図2による電力用半導体モジュールは、ボンディングワイヤで接続された内部の電気接続を除いて図1による電力用半導体モジュールと同じ構造を持っている。半導体スイッチもしくはIGBTの符号はここでは分かり易くするため省略されている。負荷電流端子及び導電路並びにボンディング面は図1と同じ符号を付けられている。
【0017】
図2の電力用半導体モジュールは3個の個別スイッチを実現している。即ちこれらにおいてはそれぞれ半導体スイッチ1及び2、3及び4、5及び6が導電路24及び25、26及び27、28及び29の間のボンディング接続により並びに2つの隣接するIGBT1及び2、3及び4、5及び6とそれぞれ付設される付加的な導電路30、31、32との間のボンディング接続により互いに並列接続されている。IGBT1及び2並びに逆並列に接続されたダイオードからなる第一の個別スイッチに対して負荷電流端子19はマイナス側の端子N−であり、負荷電流端子20はプラス側の端子P+である。個々には負荷電流端子19から負荷電流端子20への電気的接続はボンディング面37─導電路30─IGBT1/IGBT2のエミッタ─導電路24/25─ボンディング面36−負荷端子20を介して行われる。IGBT3及び4からなる第二の個別スイッチに対しては負荷電流端子17はプラス側の端子P+であり、負荷電流端子16はマイナス側の端子N−である。負荷電流端子17及び16は、ボンディング面39─導電路26/27─IGBT3/IGBT4のコレクタ─IGBT3/IGBT4のエミッタ─導電路31─ボンディング面40─負荷電流端子16を介して接続されている。
【0018】
IGBT5及び6からなる第三の個別スイッチに対しては負荷電流端子15はマイナス側の直流電圧端子N−であり、負荷電流端子14はプラス側の直流電圧端子P+である。両者はボンディング面41─導電路32─IGBT5/IGBT6のエミッタ─IGBT5/IGBT6のコレクタ─導電路28/導電路29─ボンディング面42─負荷電流端子14を介して接続されている。
【0019】
モジュールの他の長手側面に設けられている端子は適当なボンディング面を介してIGBTのゲート接点及び場合によっては補助エミッタ接点と接続されている制御端子である。より分かり易くするためにこれらの本発明にとって重要でないコンポーネントには符号が付されていない。
【0020】
この発明にとって重要なことは、少なくとも6個の負荷電流端子が設けられていることである。これらの負荷電流端子のボンディング面は選択的に付加的な導電路の1つに或いはIGBTを備えた導電路の1つに接続可能でなければならない。このために付加的な導電路はボンディング面に直接或いは側方にずれて対向していなければならない。パッケージの長手側面には付加的な導電路が、好ましくは、ボンディング面と他の導電路との間に存在する。
【0021】
互いに隣接する導電路25及び27、27及び29(図1)並びに24及び25、26及び27、28及び29(図2)をボンディングワイヤによって接続するためにこれら導電路は半導体スイッチによって占められていない面を備える。
【0022】
3倍の負荷電流のためのブリッジ分枝は図1のモジュールにおいて端子15、17、19を互いに接続することによって得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】3相整流器ブリッジに接続されているこの発明による電力用半導体モジュールの平面図。
【図2】3個の個別スイッチを含むこの発明による電力用半導体モジュールの平面図。
【図3】図1によるモジュールの回路図。
【図4】図2によるモジュールの回路図。
【符号の説明】
1〜6 電力用半導体スイッチ
10 パッケージ
13〜21 負荷電流端子
24〜29 導電路
30〜32 付加導電路
35〜43 ボンディング面
Claims (7)
- パッケージ並びに金属製底板と、互いに並置されている6個の可制御電力用半導体スイッチと、負荷電流端子とを備え、
前記金属製底板上には電気的に絶縁性で熱的に伝導性であって、導電路を載置した基板が配置されており、
前記各半導体スイッチは、各々導電路の1つに導電的に固定され、
前記負荷電流端子はパッケージ壁に接続されると共にパッケージの内部においてその下側にボンディング面を持ち、該ボンディング面がボンディングワイヤを介して可制御電力用半導体スイッチに電気的に接続されている電力用半導体モジュールにおいて、
a)互いに並置される電力用半導体スイッチ(1乃至6)の各々2つに少なくとも1つの付加的な導電路(30乃至32)が設けられ、
b)この付加的な導電路がボンディング面(35乃至43)に直接或いは側方にずれて対向し、この際各付加的な導電路は、
ボンディング面(35乃至43)の1つ、
並置される2つの電力用半導体スイッチの少なくとも一方、及び
隣接した2つの電力用半導体スイッチの付加的な導電路
の少なくとも1つにボンディングワイヤを介して接続され、
c)各々1つのボンディング面を備えた少なくとも6個の負荷電流端子が設けられ、
d)互いに並置される2つの電力用半導体スイッチの導電路が該スイッチによって占められていない面を備え、直接ボンディングワイヤを介して相互に接続された
ことを特徴とする電力用半導体モジュール。 - パッケージが矩形形状に形成され、負荷電流端子(15乃至19)の少なくとも幾つかがパッケージの長手側面の1つに配置され、付加的な導電路が電力用半導体スイッチと長手側壁との間にあることを特徴とする請求項1記載の電力用半導体モジュール。
- 互いに並置された電力用半導体スイッチの各々2つがそれぞれ1つの共通の基板(7、8、9)に配置されていることを特徴とする請求項1記載の電力用半導体モジュール。
- 一方では第一、第三、第五の半導体スイッチの基板(7、8、9)及び導電路(25、27、29)と、他方では第二、第四、第六の半導体スイッチの基板及び導電路(24、26、28)とが互いに同一であることを特徴とする請求項3記載の電力用半導体モジュール。
- 電力用半導体スイッチがIGBTであることを特徴とする請求項1乃至4の1つに記載の電力用半導体モジュール。
- IGBTの各々にそれぞれ1つのダイオード(45)が逆並列接続されていることを特徴とする請求項5記載の電力用半導体モジュール。
- 各電力用半導体スイッチが複数の並列接続された半導体デバイスからなることを特徴とする請求項1記載の電力用半導体モジュール。
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