JPH098225A - 電力用半導体モジュール - Google Patents
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Abstract
接続の変更によるだけで実現できる電力用半導体モジュ
ールを提供する。 【解決手段】モジュールは、導電路24〜29を載置し
た絶縁基板の上に配置されている6個の可制御電力用半
導体デバイス1〜6を備える。互いに並置される半導体
デバイスの各々2つに対して基板の上に付加的な導電路
37、38、39が設けられ、これらの付加的な導電路
は6個の負荷電流端子13〜21の1つ、導電路の1つ
及び半導体デバイスの1つに接続される。これにより構
造的な変更なしに複数の回路変形がモジュール内に実現
される。
Description
電気的に絶縁性で熱的に伝導性であってその上に導電路
を載置した基板が配置されている金属製底部と、互いに
並置されている6個の可制御電力用半導体スイッチとを
備え、この半導体スイッチがそれぞれ導電路の1つに導
電的に固定され、さらにパッケージ壁に接続されると共
にパッケージの内部においてその下側にボンディング面
を持つ負荷電流端子を備え、このボンディング面がボン
ディングワイヤを介して可制御電力用半導体スイッチに
電気的に接続されている電力用半導体モジュールに関す
る。
販されており、例えば1993/94年版カタログ「エ
スアイピーエムオーエス半導体(SIPMOS Hal
bleiter)」35頁に記載されている。この半導
体モジュールは電力用半導体スイッチとして、3相整流
器ブリッジに接続された6個の絶縁ゲート型バイポーラ
トランジスタ(IGBT)を有している。このモジュー
ルは2個の直流端子と3個の交流端子とを備えている。
これらの端子を通じて負荷電流が流れる。
えばそれぞれ2倍の負荷電流に耐える3個の個別スイッ
チの形で或いは3相整流器モジュールの3倍の負荷電流
に耐えるブリッジ分岐として使用することがユーザー側
からしばしば望まれている。従来このためには導電路の
レイアウト変更を必要とした。
述の種類の電力用半導体モジュールを改良して、複数の
回路変形をパッケージ内のボンディング接続の変更のみ
で実現することができるようにすることにある。
よれば、 a)互いに並置される電力用半導体スイッチの各々2つ
に少なくとも1つの付加的な導電路が設けられ、 b)この付加的な導電路の各々がボンディング面の1つ
及び/又は互いに並置される2つの電力用半導体スイッ
チの少なくとも1つに及び/又は隣接した電力用半導体
スイッチの付加的な導電路にボンディングワイヤを介し
て接続可能であり、 c)各々1つのボンディング面を備えた少なくとも6個
の負荷電流端子が設けられ、 d)互いに並置される2つの電力用半導体スイッチの導
電路が直接ボンディングワイヤを介して接続されること
によって解決される。
されている。
例を参照して詳細に説明する。
は絶縁枠11が固定されている金属製底部12を有して
いる。絶縁枠11はモジュール10の壁を形成し、負荷
電流端子13乃至21を有している。絶縁枠11には蓋
が被せてあるが、図では示されていない。この蓋と枠と
でパッケージを形成している。
ている。これらは例えば酸化アルミニウムAl2 O3 、
窒化アルミニウムAlNからなる。その下側に金属膜を
備え、これを介して基板7、8、9が底部12と例えば
ろう付けにより接続されている。基板7、8、9の上側
には導電路24、25、26、27、28、29が設け
られている。これらの導電路はそれぞれ電力用半導体ス
イッチ1、2、3、4、5、6を支持している。半導体
スイッチは例えばIGBT(絶縁ゲート型バイポーラト
ランジスタ)で、その各々にフリーホイールダイオード
が逆並列接続されている。電力用半導体スイッチ1にお
いてこのダイオードは符号45で示されているが、他の
スイッチではこのダイオードは分かり易くするため省略
されている。半導体スイッチはまたMOSFET或いは
他の互いに並列接続された半導体デバイスからなること
もできる。
はそれぞれ1つの付加的な導電路30、31、32が付
設されている。付加的な導電路は好ましくは半導体スイ
ッチの導電路と少なくとも1つの負荷電流端子との間に
ある。電力用半導体モジュール10が矩形形状を持つ場
合、負荷電流端子の大部分はパッケージの長手側面に配
置される。この場合負荷電流端子15、16、17、1
8及び19がそれである。その中3つの負荷電流端子1
9、17及び15は3相U、V及びWの交流側端子であ
る。パッケージの短手側面の端子20、14はマイナス
側の直流電圧端子であり、端子21、13はプラス側の
端子である。しかしまた直流電圧をそれぞれ負荷電流端
子13、14或いは20、21に印加することでも充分
である。
接続により行われる。このために負荷電流端子21乃至
13は下端にボンディング面35、36、37、38、
39、40、41、42及び43を備えている。これら
のボンディング面はパッケージの内部に突出している。
負荷電流端子の上側は好ましくはピンとして形成され、
これを介してモジュールが回路板にフローソルダリング
で接続される。
ュールの負荷電流は個々には次のように、即ち端子19
─ボンディング面37─導電路24─IGBT2のコレ
クタ─IGBT2のエミッタ─導電路30─ボンディン
グ面36─端子20に流れる。その他に電流は端子13
/21から導電路25─IGBT1のコレクタ─IGB
T1のエミッタ─導電路24─ボンディング面37─負
荷電流端子19に流れる。
面39─導電路26─IGBT4のコレクタ─IGBT
4のエミッタ─導電路31─導電路30/32を介して
負荷電流端子20/14に流れる。その他に電流は端子
13/21から導電路27─IGBT3のコレクタ─I
GBT3のエミッタ─導電路26─導電路25/29を
介して負荷電流端子17に流れる。
ング面41─導電路28─IGBT6のコレクタ─IG
BT6のエミッタ─導電路32─ボンディング面42を
介して負荷電流端子14に及び導電路31、30を介し
て負荷電流端子14/20に流れる。更に電流は負荷電
流端子13/21から導電路25、27、29─IGB
T5のコレクタ─IGBT5のエミッタ─導電路28─
ボンディング面41を介して負荷電流端子15に流れ
る。
ジュール内の電気的接続はそれぞれ3本のボンディング
ワイヤで表されている。大電流の場合はそれ以上の、例
えば10乃至15本の並列のボンディングワイヤが使用
されることは勿論である。このようなボンディングワイ
ヤが例えば400μmの直径を持つならば、これにより
例えば3×120Aの負荷電流を持つ3相整流器ブリッ
ジが実現される。逆並列接続されたダイオードはIGB
Tのエミッタ側のボンディング支持点を形成する。
ンディングワイヤで接続された内部の電気接続を除いて
図1による電力用半導体モジュールと同じ構造を持って
いる。半導体スイッチもしくはIGBTの符号はここで
は分かり易くするため省略されている。負荷電流端子及
び導電路並びにボンディング面は図1と同じ符号を付け
られている。
別スイッチを実現している。即ちこれらにおいてはそれ
ぞれ半導体スイッチ1及び2、3及び4、5及び6が導
電路24及び25、26及び27、28及び29の間の
ボンディング接続により並びに2つの隣接するIGBT
1及び2、3及び4、5及び6とそれぞれ付設される付
加的な導電路30、31、32との間のボンディング接
続により互いに並列接続されている。IGBT1及び2
並びに逆並列に接続されたダイオードからなる第一の個
別スイッチに対して負荷電流端子19はマイナス側の端
子N−であり、負荷電流端子20はプラス側の端子P+
である。個々には負荷電流端子19から負荷電流端子2
0への電気的接続はボンディング面37─導電路30─
IGBT1/IGBT2のエミッタ─導電路24/25
─ボンディング面36−負荷端子20を介して行われ
る。IGBT3及び4からなる第二の個別スイッチに対
しては負荷電流端子17はプラス側の端子P+であり、
負荷電流端子16はマイナス側の端子N−である。負荷
電流端子17及び16は、ボンディング面39─導電路
26/27─IGBT3/IGBT4のコレクタ─IG
BT3/IGBT4のエミッタ─導電路31─ボンディ
ング面40─負荷電流端子16を介して接続されてい
る。
ッチに対しては負荷電流端子15はマイナス側の直流電
圧端子N−であり、負荷電流端子14はプラス側の直流
電圧端子P+である。両者はボンディング面41─導電
路32─IGBT5/IGBT6のエミッタ─IGBT
5/IGBT6のコレクタ─導電路28/導電路29─
ボンディング面42─負荷電流端子14を介して接続さ
れている。
る端子は適当なボンディング面を介してIGBTのゲー
ト接点及び場合によっては補助エミッタ接点と接続され
ている制御端子である。より分かり易くするためにこれ
らの本発明にとって重要でないコンポーネントには符号
が付されていない。
も6個の負荷電流端子が設けられていることである。こ
れらの負荷電流端子のボンディング面は選択的に付加的
な導電路の1つに或いはIGBTを備えた導電路の1つ
に接続可能でなければならない。このために付加的な導
電路はボンディング面に直接或いは側方にずれて対向し
ていなければならない。パッケージの長手側面には付加
的な導電路が、好ましくは、ボンディング面と他の導電
路との間に存在する。
及び29(図1)並びに24及び25、26及び27、
28及び29(図2)をボンディングワイヤによって接
続するためにこれらは半導体スイッチによって占められ
ていない面を備える。
1のモジュールにおいて端子15、17、19を互いに
接続することによって得られる。
による電力用半導体モジュールの平面図。
用半導体モジュールの平面図。
Claims (7)
- 【請求項1】パッケージと、電気的に絶縁性で熱的に伝
導性であって、導電路を載置した基板が配置されている
金属製底部と、互いに並置されている6個の可制御電力
用半導体スイッチとを備え、これらの半導体スイッチが
それぞれ導電路の1つに導電的に固定され、さらにパッ
ケージ壁に接続されると共にパッケージの内部において
その下側にボンディング面を持つ負荷電流端子を備え、
このボンディング面がボンディングワイヤを介して可制
御電力用半導体スイッチに電気的に接続されている電力
用半導体モジュールにおいて、 a)互いに並置される電力用半導体スイッチ(1乃至
6)の各々2つに少なくとも1つの付加的な導電路(3
0乃至32)が設けられ、 b)この付加的な導電路の各々がボンディング面(35
乃至43)の1つ及び/又は互いに並置される2つの電
力用半導体スイッチの少なくとも1つに及び/又は隣接
した電力用半導体スイッチの付加的な導電路にボンディ
ングワイヤを介して接続可能であり、 c)各々1つのボンディング面を備えた少なくとも6個
の負荷電流端子が設けられ、 d)互いに並置される2つの電力用半導体スイッチの導
電路が直接ボンディングワイヤを介して接続可能である
ことを特徴とする電力用半導体モジュール。 - 【請求項2】パッケージが矩形形状に形成され、負荷電
流端子(15乃至19)の少なくとも幾つかがパッケー
ジの長手側面の1つに配置され、付加的な導電路が電力
用半導体スイッチと長手側壁との間にあることを特徴と
する請求項1記載の電力用半導体モジュール。 - 【請求項3】互いに並置された電力用半導体スイッチの
各々2つがそれぞれ1つの共通の基板(7、8、9)に
配置されていることを特徴とする請求項1記載の電力用
半導体モジュール。 - 【請求項4】一方では第一、第三、第五の半導体スイッ
チの基板(7、8、9)及び導電路(25、27、2
9)と、他方では第二、第四、第六の半導体スイッチの
基板及び導電路(24、26、28)とが互いに同一で
あることを特徴とする請求項3記載の電力用半導体モジ
ュール。 - 【請求項5】電力用半導体スイッチがIGBTであるこ
とを特徴とする請求項1乃至4の1つに記載の電力用半
導体モジュール。 - 【請求項6】IGBTの各々にそれぞれ1つのダイオー
ド(45)が逆並列接続されていることを特徴とする請
求項5記載の電力用半導体モジュール。 - 【請求項7】各電力用半導体スイッチが複数の並列接続
された半導体デバイスからなることを特徴とする請求項
1記載の電力用半導体モジュール。
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