DE10064979C1 - Schaltungsanordnung und Verfahren zur Herstellung einer solchen Anordnung - Google Patents
Schaltungsanordnung und Verfahren zur Herstellung einer solchen AnordnungInfo
- Publication number
- DE10064979C1 DE10064979C1 DE2000164979 DE10064979A DE10064979C1 DE 10064979 C1 DE10064979 C1 DE 10064979C1 DE 2000164979 DE2000164979 DE 2000164979 DE 10064979 A DE10064979 A DE 10064979A DE 10064979 C1 DE10064979 C1 DE 10064979C1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- base plate
- heat
- heat sink
- circuit arrangement
- punched
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
- H01L23/13—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/40—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs
- H01L23/4006—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs with bolts or screws
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01005—Boron [B]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/0102—Calcium [Ca]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01058—Cerium [Ce]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01068—Erbium [Er]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
Es wird eine Schaltungsanordnung beschrieben, die eine Grundplatte (10) mit Stanzausschnitten (2), welche mit kleinem Überstand (11) auf der zum Kühlkörper (50) befindlichen Seite der Grundplatte (10) herausragen, aufweist, die sich durch eine neuartige thermische Kupplung auszeichnet und sich so für einen sicheren Betrieb bei höchster Stromdichte in dem Hochleistungsbetrieb eignet, sowie deren Verfahren zur Herstellung.
Description
Die Erfindung beschreibt eine Schaltungsanordnung von Halbleiterbauelementen,
insbesondere eine solche mit hohen Anforderungen an die Wärmeableitung von den
Halbleiterbauelementen zu einem Kühlkörper nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1.
Derartige Schaltungsanordnungen sind beispielhaft aus dem Bereich der
Leistungshalbleitermodule bekannt. Diese häufig in Lötkontakt ausgeführten
Schaltungsanordnungen sind für sehr hohe Leistungsanforderungen geeignet.
Lötkontaktaktausführungen als Verbindungstechnik der Halbleiterbauelemente mit einem
Substrat sind aus der Technologie der Herstellung von Schaltungsanordnungen hinlänglich
bekannt. Den Stand der Technik bilden zwei Arten der Aufbautechnik für
Schaltungsanordnungen mit großen Strömen bzw. großen Stromdichten. Einerseits, wie
beispielhaft in der EP 0 750 345 A2 gezeigt, werden die Halbleiterbauelemente auf einem
Substrat angeordnet und löttechnisch verbunden und diese direkt mit einem Kühlkörper
thermisch leitend verbunden. Andererseits, wie beispielhaft in DE 196 51 632 A1 vorgestellt
wird das Halbleiterbauelement auf einem elektrisch isolierenden Substrat aufgebracht und
löttechnisch verbunden. Dieses wird mit einer Grundplatte entweder stoffschlüssig mittels
Löttechnik oder formschlüssig mittels Druckkontakt verbunden. Diese Grundplatte stellt das
Verbindungselement zu einem Kühlkörper dar. Die während des Betriebes entstehende
Wärme wird somit durch die Grundplatte auf den Kühlkörper übertragen und abgeleitet. Die
Ausgestaltung mit einer Grundplatte bietet gegenüber derjenigen ohne Grundplatte den
Vorteil der gesicherten planen Auflage auf einem Kühlkörper und damit der besseren
Ableitung der in den Halbleiterbauelementen entstehenden Wärme.
Beiden Ausgestaltungen ist zu eigen, dass je höher die Packungsdichte der
Halbleiterbauelemente ist, desto größer ist die abzuführende Wärmemenge.
Eine verbesserte Wärmeableitung auf den Kühlkörper wird erreicht durch eine nicht plane
Ausgestaltung der Grundplatte wie beispielhaft in der DE 197 07 514 A1 vorgeschlagen.
Durch die konkave Ausgestaltung der Grundplatte vor der Befestigung auf einem Kühlkörper
wird eine homogene Druckverteilung über die Grundplatte nach der Befestigung auf einem
Kühlkörper erreicht.
Die Wärmeabführung von den Halbleiterbauelementen ist bei Dauer- oder
Wechsellastbetrieb von entscheidender Bedeutung für die Funktionssicherheit der
Schaltungsanordnung. Die formschlüssige Kupplung der Schaltungsanordnung mit dem
Kühlkörper muss auch bei wechselnder thermischer Belastung immer gewährleistet sein.
Eine auch nur teilweise thermische Entkopplung verursacht eine Funktionsstörung bis hin
zur Zerstörung der gesamten Schaltungsanordnung.
Allen bisher genannten dem Stand der Technik entsprechenden Ausgestaltungen der
Wärmeübertragung vom Substrat auf den Kühlkörper, gleich ob sie mit oder ohne
Grundplatte ausgeführt sind, ist der Nachteil gemein, dass diese Wärmeübertragung nur
unzureichend sein kann, da keine hinreichend gute Verbindung zwischen der Grundplatte,
mit den installierten Wärmequellen, und dem Kühlkörper besteht kann. Dies ist begründet in
der Gleichartigkeit der Ausgestaltung der Wärmeabführung an den Stellen der Grundplatte
über denen sich Halbleiterbauelemente befinden sowie denen über denen sich keine
Halbleiterbauelemente und damit keine Wärmequellen befinden.
Aus der EP 0 594 395 A2 ist eine Schaltungsanordnung bekannt, bei der auf einem
Kühlkörper ein Substrats als Leiterplatte ausgestaltet angeordnet ist, welche
Ausnehmungen für Leistungshalbleiteranordnungen aufweist. Diese Halbleiteranordnungen
weisen jeweils eine Grundplatte zur Abführung der im Halbleiterbauelement entstehenden
Wärme auf.
Aus dem japanischen Abstract JP 2000 031358 A ist eine Schaltungsanordnung bekannt bei
der die Grundplatte Vertiefungen aufweist,
in die Halbleiterbauelemente über ein Substrat eingelötet sind.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde eine Schaltungsanordnung mit einer Grundplatte
vorzustellen, wobei die Gestaltung der Grundplatte eine in allen Betriebszuständen optimale
thermische Wärmekupplung zum Kühlkörper aufrechterhält und dadurch eine sehr hohe
Leistungsbereitschaft bei maximaler Zuverlässigkeit garantiert.
Die Aufgabe wird erfindungsgemäß gelöst, durch eine Schaltungsanordnung mit den
Merkmalen des Anspruchs 1. Bevorzugte Ausführungsformen
sind in den Unteransprüchen beschrieben.
Die maximal mögliche Obergrenze der Wärmeabführung einer Schaltungsanordnung wird
begrenzt durch die dauerhafte und gleichförmige Ausgestaltung der thermisch leitenden
Verbindung der Grundplatte mit dem Kühlkörper.
Die Wärmeabführung wird verbessert durch die Einbringung von
Wärmenestern in die Grundplatte. Unter Wärmenestern sollen diejenigen Bereiche der
Grundplatte verstanden werden die gekennzeichnet sind durch
- - die Anordnung einer Wärmequelle beispielhaft in Form eines Leistungshalbleiterschalters oberhalb dieses Bereichs der Grundplatte,
- - eine teilweise oder vollständige Trennung dieses Grundplattenbereichs von der Grundplatte.
- - eine optimale thermische Ankopplung an einen Kühlkörper durch direkten thermischen Kontakt ausschließlich dieser Bereiche der Grundplatte.
Wärmenester können erzeugt werden durch abfallloses Freistanzen von Teilen der
Grundplatte im Bereich der Wärmenester und anschließendem Zurückstellen des
Stanzausschnittes. Beim Stanzen wird der Stanzausschnitt nicht vollständig von der
Grundplatte getrennt sondern verbleibt in einem Verbund mit der Grundplatte. Unter
Zurückstellen des Stanzausschnittes soll folgendes verstanden werden:
Die Verbringen des Stanzausschnittes in umgekehrter Richtung in der die Stanzung wirksam wurde in die Nähe der Position vor dem Ausstanzen. Allerdings wird der Stanzausschnitt nicht vollständig in die Position zurückverbracht.
Die Verbringen des Stanzausschnittes in umgekehrter Richtung in der die Stanzung wirksam wurde in die Nähe der Position vor dem Ausstanzen. Allerdings wird der Stanzausschnitt nicht vollständig in die Position zurückverbracht.
Die Wärmequellen, also z. B. die Halbleiterbauelemente, werden löttechnisch auf der
Grundplatte befestigt. Dies stellt beispielhaft auf folgende Art eine metallische Anbindung
der zurückgestellten Stanzausschnitte mit der Grundplatte sicher. Das Lot läuft in die
Kapillare der Stanzausschnitte ein und verbindet diese mit der verbleibenden Grundplatte.
Dieser metallische Verbund besitzt eine gute Wärme-Querleitfähigkeit und hohe
mechanische Festigkeit.
Die technisch sinnvolle und ökonomischte Herstellung der Grundplatte ist das Stanzen in
einem Folgewerkzeug. Zum Einbringen der Stanzausschnitte für die Wärmenester in die
Grundplatte tauchen die mit der Stanzkontur erstellten Vorlochstempel zu ca. 90% der
Materialdicke in das Stanzgut ein. Nach dem Freischneiden der Grundplatte mit dem
Folgewerkzeug, die Grundplatte ist noch im Stanzverbund, sie ist noch nicht vereinzelt,
werden die Stanzausschnitte zurückgestellt. Die zurückgestellten Stanzausschnitte bilden
einen kleinen Überstand auf der zum Kühlkörper befindlichen Seite der Grundplatte.
Die Grundplatte mit den aus dem Metall herausgetrennten und zurückgestellten
Stanzausschnitten wird vorteilhaft im Verbund befindlich mit dem Folgewerkzeug zur
Kühlkörperseite konvex gebogen. Nach diesem Folgeschritt wird die Grundplatte aus den
Stanzverbund ausgeschnitten und vereinzelt.
Die geometrische Form des Stanzausschnittes bzw. der Wärmenester wird bestimmt durch
die Grundfläche der Wärmequelle, der durch das Material bedingten Wärmespreizung
sowie der Dicke der Grundplatte.
Die Wärmenester können auch durch Prägetechnik in die Grundplatte eingebracht werden.
Der Vorteil der Wärmenester im Vergleich zum Stand der Technik:
- - Die thermische Kontaktierung der Grundplatte zum Kühlkörper ist exakt an den Stellen an denen die Wärme entsteht optimal.
- - Die Wärmeabführung der in den Wärmequellen entstehenden Wärme auf einen Kühlkörper ist optimal.
Ausführungsbeispiele der Erfindung werden in den Fig. 1 bis 8 näher
erläutert.
Fig. 1 zeigt den Aufbau eines Leistungshalbleitermoduls nachdem Stand der Technik im
Längsschnitt.
Fig. 2 zeigt den Aufbau eines Leistungshalbleitermoduls mit ausgestalteter
Grundplatte im Längsschnitt.
Fig. 3 zeigt einen eingebrachten Stanzausschnitt in ein Stanzgut, das im weiteren
Verfahren zur Grundplatte vereinzelt wird.
Fig. 4 zeigt eine Grundplatte mit zurückgestelltem Stanzausschnitt.
Fig. 5 zeigt eine Grundplatte mit Wärmenest im Längsschnitt sowie in Draufsicht.
Fig. 6 zeigt die Grundplatte mit teilweise ausgestanztem Stanzausschnitt, im Längsschnitt
sowie in Draufsicht.
Fig. 7 zeigt den in Fig. 6 dargestellten Stanzausschnitt winkelig abgebogen .
Fig. 8 zeigt eine Grundplatte mit Wärmenest in Prägeausführung.
Fig. 1 zeigt im Längsschnitt den Aufbau eines Leistungshalbleitermoduls nach dem Stand
der Technik. Hier sind ausschließlich die für das Verständnis dieser Erfindung relevanten
Teile gezeichnet. Das Modul besteht im wesentlichen aus einer planen Grundplatte (10),
löttechnisch (40) aufgebrachten thermisch leitenden sowie elektrisch isolierenden Substraten
(30), löttechnisch (41) aufgebrachten Halbleiterbauelementen (31) sowie elektrischen
Anschlüssen (32). Das Leistungshalbleitermodul ist mittels Schrauben (51) mit einem
Kühlkörper (50) thermisch leitend verbunden.
Durch diese Aufbaumethode ergeben sich die dargestellten, dem Stand der Technik
anhaftenden, Nachteile gegenüber der Erfindung. Schaltungsanordnungen erzeugen im
Betrieb mit großen Strömen bzw. großen Stromdichten erhebliche Wärmemengen die durch
die Grundplatte (10) auf den Kühlkörper (50) übertragen werden und von diesem abgeführt
werden müssen. Die Wärmeabführung ist unzureichend, da weder eine definierte
Wärmekupplung direkt an der Entstehungsstelle, noch ein ausreichender, dauerhafter und
gleichförmiger thermischer Kontakt zum Kühlkörper besteht. Die Wärmeabführung ist bei
Dauer- oder Wechselbetrieb nicht gewährleistet, dies kann somit zu einem vorzeitigen
Ausfall des Leistungshalbleitermoduls führen.
Fig. 2 zeigt den Aufbau eines Leistungshalbleitermoduls mit ausgestalteter
Grundplatte im Längsschnitt. In der Grundplatte (10) sind die zurückgestellten
Stanzausschnitte (2) erkennbar. Die Wärmenester werden gebildet durch die
Stanzausschnitte (2), löttechnisch (40) aufgebrachten thermisch leitenden sowie elektrisch
isolierenden Substraten (30), löttechnisch (41) aufgebrachten Halbleiterbauelementen (31)
sowie den elektrischen Anschlüssen (32). Das Lot (40) zur Verbindung der Substrate (30)
ist dabei in die Kapillare der Freistanzung (3) eingelaufen.
Die zurückgestellten Stanzausschnitte (2) zeigen einen kleinen Überstand auf der zum
Kühlkörper (50) befindlichen Seite der Grundplatte (10). Das Leistungshalbleitermodul ist
mittels Schrauben (51) mit einem Kühlkörper (50) thermisch leitend verbunden. Die
während des Betriebszustandes auftretende Wärme der einzelnen Wärmenester wird direkt
und sehr effektiv mittels des Stanzausschnittes (2) auf den Kühlkörper (50) übertragen und
optimal abgeleitet. Die mit definiertem Drehmoment angezogenen Schrauben gewährleisten
die optimale Wärmekupplung der Grundplatte (10) zum Kühlkörper (50).
Fig. 3 zeigt) im Längsschnitt einen eingebrachten Stanzausschnitt (2) in ein Stanzgut (1),
das im weiteren Herstellungsverfahren zur Grundplatte (10) vereinzelt wird. Die Herstellung
des Stanzausschnittes (2) erfolgt mittels Stempel (5) und Matrize (6).
Der Stanzausschnitt (2) ist zu ca. 90% der Materialdicke aus dem Stanzgut (1) abfalllos
ausgestanzt. Die abfalllose Freistanzung (3) umschließt den Stanzausschnitt (2) lückenlos,
so dass der Stanzausschnitt (2) ein separates, jedoch im Stanzgut (1) eingeklemmtes Teil
darstellt.
Fig. 4 zeigt eine Grundplatte (10) mit zurückgestelltem Stanzausschnitt (2) im Längsschnitt.
Der separierte, zurückgestellte Stanzausschnitt (2) bildet einen kleinen Überstand auf der
zum Kühlkörper (50) befindlichen Seite der Grundplatte (10). Die Größe des Überstandes ist
abhängig von der Geometrie sowie der Große der Grundplatte (10) als auch einer
möglichen Duchbiegung der Grundplatte vor der Montage auf einem Kühlkörper.
Fig. 5 zeigt einen Ausschnitt des in Fig. 2 dargestellten Längsschnitts durch ein
Leistungshalbleitermodul und eine Draufsicht auf diesen Ausschnitt. Das
Wärmenest besteht aus dem Stanzausschnitt (2), dem in die Kapilare der Freistanzung (3)
zur Grundplatte (10) eingelaufenen Lot (40) zur stoffschlüssigen Verbindung des thermisch
leitenden sowie elektrisch isolierenden Substrates (30), dem Halbleiterbauelement (31)
sowie dem Lot (41) zur stoffschlüssigen Verbindung des Halbleiterbauelements mit dem
Substrat (30).
Fig. 6 zeigt die Grundplatte (10) mit nur teilweise ausgestanztem Stanzausschnitt (2), im
Längsschnitt sowie in Draufsicht. Herbei ist der Stanzausschnitt (2) nicht vollständig
freigestanzt (3); es handelt sich also um kein separates, sondern um ein teilweise
freigestanztes, allerdings mit der Grundplatte (10) fest verbundenes Stanzteil (2). Anstelle der
Rückstellung ist der Stanzausschnitt (2) im Bereich seiner Verbindung mit der Grundplatte
(10) durch eine definierte zweifache Biegung dieses Bereiches derart gestaltet, dass die
Unterseite des Stanzausschnittes wieder parallel zur Unterseite der Grundplatte verläuft,
und sich wiederum ein Überstand (11) ergibt. Damit ist in gleichartiger Weise wie in Fig. 2
und 5 der optimierte thermische Kontakt des Wärmenests mit dem Kühlkörper gegeben.
Fig. 7 zeigt eine weitere Gestaltung einer Grundplatte (10) mit teilweise
freigestanztem und winkelig gebogenem Stanzausschnitt (2). Der Stanzausschnitt (2) ist wie
in Fig. 6 kein separates Stanzteil, er schließt allerdings im Unterschied zu Fig. 6 einen
definierten Winkel mit der Grundplatte (10) ein. Die Schaltungsanordnung des mit
definiertem Winkel gebogenen Stanzausschnittes (2) wird, wie in Fig. 2, mittels Schrauben
(51) mit definiertem Drehmoment auf einen Kühlkörper (50) aufgeschraubt. Der
Stanzausschnitt (2) liegt nun ideal plangebogen auf dem Kühlkörper (50) auf und die
Wärmeankopplung der Grundplatte (10) an den Kühlkörper (50) ist optimal.
Fig. 8 zeigt eine weitere Ausgestaltung einer Grundplatte (10). Der Überstand
(11) des Grundplattenbereichs des Wärmenestes (8) wird hier durch Prägetechnik erzielt. Die
Funktion ist wiederum analog derjenigen Wärmenester in den Fig. 2 und 5.
Claims (5)
1. Schaltungsanordnung bestehend aus einer Grundplatte (10), mindestens einem darauf
angeordneten thermisch leitenden und elektrisch isolierenden Substrat, mindestens
einem darauf befindlichen Halbleiterbauelement sowie elektrischen Anschlüssen, wobei
die Grundplatte auf einem Kühlkörper aufgebracht ist,
dadurch gekennzeichnet, dass
die Grundplatte (10) im Bereich mindestens eines Wärmenestes (2) derart gastaltet ist,
dass auf der dem Kühlkörper (50) zugewandten Fläche je Wärmenest ein Überstand (11)
herausgebildet ist und ausschließlich dieser Überstand (11) sich in thermisch leitendem
Kontakt mit dem Kühlkörper (50) befindet und somit die Wärmeableitung des mindestens
einen Wärmenestes ausschließlich über den jeweiligen Überstand (11) erfolgt.
2. Verfahren zur Herstellung einer Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, dass
der mindestens eine Überstand (11) der Grundplatte (10) durch lückenloses
Freistanzen und nur teilweises Zurücksetzen eines Stanzauschnittes (2) gebildet wird.
3. Verfahren zur Herstellung einer Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, dass
der mindestens eine Überstand (11) der Grundplatte (10) durch teilweises Freistanzen
eines Stanzausschnittes (2) gebildet wird.
4. Verfahren zur Herstellung einer Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, dass
der mindestens eine Überstand (11) der Grundplatts (10) durch Prägen gebildet wird.
5. Verfahren zur Herstellung einer Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, dass
der mindestens eine Überstand (11) der Grundplatte (10) durch Laserbearbeitung oder
spanabhebende Bearbeitung oder schweißtechnisch hergestellt wird.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2000164979 DE10064979C1 (de) | 2000-12-18 | 2000-12-18 | Schaltungsanordnung und Verfahren zur Herstellung einer solchen Anordnung |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2000164979 DE10064979C1 (de) | 2000-12-18 | 2000-12-18 | Schaltungsanordnung und Verfahren zur Herstellung einer solchen Anordnung |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE10064979C1 true DE10064979C1 (de) | 2002-02-28 |
Family
ID=7668954
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2000164979 Expired - Fee Related DE10064979C1 (de) | 2000-12-18 | 2000-12-18 | Schaltungsanordnung und Verfahren zur Herstellung einer solchen Anordnung |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE10064979C1 (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1501127A2 (de) * | 2003-07-23 | 2005-01-26 | Semikron Elektronik GmbH Patentabteilung | Leistungshalbleitermodul mit biegesteifer Grundplatte |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0594395A2 (de) * | 1992-10-20 | 1994-04-27 | Fujitsu General Limited | Leistungshalbleitermodul |
EP0750345A2 (de) * | 1995-06-19 | 1996-12-27 | eupec Europäische Gesellschaft für Leistungshalbleiter mbH & Co. KG | Leistungs-Halbleitermodul |
DE19651632A1 (de) * | 1996-12-12 | 1998-06-18 | Semikron Elektronik Gmbh | Leistungshalbleitermodul |
DE19707514A1 (de) * | 1997-02-25 | 1998-08-27 | Eupec Gmbh & Co Kg | Halbleitermodul |
JP2000031358A (ja) * | 1998-07-08 | 2000-01-28 | Sansha Electric Mfg Co Ltd | 電力用半導体モジュール |
-
2000
- 2000-12-18 DE DE2000164979 patent/DE10064979C1/de not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0594395A2 (de) * | 1992-10-20 | 1994-04-27 | Fujitsu General Limited | Leistungshalbleitermodul |
EP0750345A2 (de) * | 1995-06-19 | 1996-12-27 | eupec Europäische Gesellschaft für Leistungshalbleiter mbH & Co. KG | Leistungs-Halbleitermodul |
DE19651632A1 (de) * | 1996-12-12 | 1998-06-18 | Semikron Elektronik Gmbh | Leistungshalbleitermodul |
DE19707514A1 (de) * | 1997-02-25 | 1998-08-27 | Eupec Gmbh & Co Kg | Halbleitermodul |
JP2000031358A (ja) * | 1998-07-08 | 2000-01-28 | Sansha Electric Mfg Co Ltd | 電力用半導体モジュール |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1501127A2 (de) * | 2003-07-23 | 2005-01-26 | Semikron Elektronik GmbH Patentabteilung | Leistungshalbleitermodul mit biegesteifer Grundplatte |
EP1501127A3 (de) * | 2003-07-23 | 2007-10-24 | SEMIKRON Elektronik GmbH & Co. KG | Leistungshalbleitermodul mit biegesteifer Grundplatte |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE102009002191B4 (de) | Leistungshalbleitermodul, Leistungshalbleitermodulanordnung und Verfahren zur Herstellung einer Leistungshalbleitermodulanordnung | |
EP2043412B1 (de) | Stromschiene mit Wärmeableitung | |
DE102006008807B4 (de) | Anordnung mit einem Leistungshalbleitermodul und einem Kühlbauteil | |
WO2016134804A1 (de) | Elektrisches bauelement und verfahren zur herstellung eines elektrischen bauelements | |
EP3095307B1 (de) | Leiterplatte, schaltung und verfahren zur herstellung einer schaltung | |
DE102011088322B4 (de) | VERBINDUNGSSYSTEM ZUM ELEKTRISCHEN ANSCHLIEßEN ELEKTRISCHER GERÄTE, LEISTUNGSHALBLEITERMODULSYSTEM, VERFAHREN ZUM VERBINDEN EINES ELEKTRISCH LEITENDEN ERSTEN ANSCHLUSSES UND EINES ELEKTRISCH LEITENDEN ZWEITEN ANSCHLUSSES, UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG | |
EP0920055A2 (de) | Kühlvorrichtung für ein auf einer Leiterplatte angeordnetes, wärmeerzeugendes Bauelement | |
DE102009022110A1 (de) | Leiterplattenanordnung für thermisch belastete elektronische Bauelemente, insbesondere in Kraftfahrzeugsteuergeräten | |
DE102013100701B4 (de) | Halbleitermodulanordnung und verfahren zur herstellung einer halbleitermodulanordnung | |
DE102006052872A1 (de) | Elektrisches Leistungsmodul | |
DE4031051A1 (de) | Modul mit mindestens einem halbleiterschaltelement und einer ansteuerschaltung | |
WO2011113867A1 (de) | Schaltungseinheit mit stromschiene zur strom- und wärmeübertragung sowie ein verfahren zur herstellung dieser schaltungseinheit | |
DE102007021073B4 (de) | Verfahren zum Herstellen einer Schaltungsanordnung | |
DE102008015785B4 (de) | Elektroniksubstrat-Montagestruktur | |
EP0938252A2 (de) | Elektrische Schaltungsanordnung | |
DE10064979C1 (de) | Schaltungsanordnung und Verfahren zur Herstellung einer solchen Anordnung | |
DE60304390T2 (de) | Elektronikmodul | |
EP0652694B1 (de) | Steuergerät für ein Kraftfahrzeug | |
DE102019115573B4 (de) | Leistungselektronische Schalteinrichtung und Verfahren zur Herstellung | |
EP2006910A2 (de) | Leistungselektronikmodul | |
DE102019113021A1 (de) | Elektronikkomponente für ein Fahrzeug mit verbesserter elektrischer Kontaktierung eines Halbleiterbauelements sowie Herstellungsverfahren | |
WO2010112478A2 (de) | Druckunterstützung für eine elektronische schaltung | |
DE102016107249B4 (de) | Leiterplatte mit einer Aussparung für ein elektrisches Bauelement, System mit der Leiterplatte und Verfahren zur Herstellung der Leiterplatte | |
DE19549097A1 (de) | Halbleitergehäuse für die Oberflächenmontage | |
EP1864557B1 (de) | Verfahren zur herstellung eines elektronischen gerät und elektronisches gerät |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8100 | Publication of the examined application without publication of unexamined application | ||
D1 | Grant (no unexamined application published) patent law 81 | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |