JPH099644A - 電力用半導体装置 - Google Patents
電力用半導体装置Info
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- JPH099644A JPH099644A JP7154272A JP15427295A JPH099644A JP H099644 A JPH099644 A JP H099644A JP 7154272 A JP7154272 A JP 7154272A JP 15427295 A JP15427295 A JP 15427295A JP H099644 A JPH099644 A JP H099644A
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- module
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Abstract
(57)【要約】
【目的】２個のスイッチング素子モジュールを組合わせ
て１相分のブリッジアームを構成する電力用半導体装置
を対象に、その主回路，並びにスナバ回路の配線構造を
改良してスイッチングサージ電圧の低減化を図る。 【構成】１個組のスイッチング素子（ＩＧＢＴ）を内蔵
した上アーム用，下アーム用のモジュール１と２を相互
接続して１相分のブリッジアームを構成した電力用半導
体装置において、モジュール１と２の間でパッケージ上
面に配したコレクタ端子Ｃ，エミッタ端子Ｅの配列順
序，および配列ピッチを変えて直流電源側のＰ，Ｎ配線
バー３と４が平行に接近して並ぶようにモジュール１，
２の主回路端子Ｃ，Ｅに接続し、さらにこの端子間にス
ナバ回路６を接続する。これにより、配線バー３と４の
相互誘導作用により配線インダクタンスが小さく抑えら
れ、かつスナバ回路の配線長も短くなってスイッチング
サージ電圧が低減する。
て１相分のブリッジアームを構成する電力用半導体装置
を対象に、その主回路，並びにスナバ回路の配線構造を
改良してスイッチングサージ電圧の低減化を図る。 【構成】１個組のスイッチング素子（ＩＧＢＴ）を内蔵
した上アーム用，下アーム用のモジュール１と２を相互
接続して１相分のブリッジアームを構成した電力用半導
体装置において、モジュール１と２の間でパッケージ上
面に配したコレクタ端子Ｃ，エミッタ端子Ｅの配列順
序，および配列ピッチを変えて直流電源側のＰ，Ｎ配線
バー３と４が平行に接近して並ぶようにモジュール１，
２の主回路端子Ｃ，Ｅに接続し、さらにこの端子間にス
ナバ回路６を接続する。これにより、配線バー３と４の
相互誘導作用により配線インダクタンスが小さく抑えら
れ、かつスナバ回路の配線長も短くなってスイッチング
サージ電圧が低減する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、インバータ，スイッチ
ング電源などに適用する電力用半導体装置に関する。
ング電源などに適用する電力用半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】インバータ用の電力用半導体装置とし
て、各モジュールごとに１個組のパワースイッチング素
子を内蔵した上アーム用，下アーム用モジュールを直列
に相互接続して１相分のブリッジアームを構築した従来
の構成例を図４ないし図６に示す。なお、図４（ａ）は
上アーム用モジュールと下アーム用モジュールを組合わ
せて相互接続した半導体装置の平面図、図４（ｂ）はそ
の等価回路図、図５（ａ),（ｂ）および図６（ａ),
（ｂ）はそれぞれ図４における上アーム用，下アーム用
モジュールのパッケージ外形を表す平面図，側面図であ
る。
て、各モジュールごとに１個組のパワースイッチング素
子を内蔵した上アーム用，下アーム用モジュールを直列
に相互接続して１相分のブリッジアームを構築した従来
の構成例を図４ないし図６に示す。なお、図４（ａ）は
上アーム用モジュールと下アーム用モジュールを組合わ
せて相互接続した半導体装置の平面図、図４（ｂ）はそ
の等価回路図、図５（ａ),（ｂ）および図６（ａ),
（ｂ）はそれぞれ図４における上アーム用，下アーム用
モジュールのパッケージ外形を表す平面図，側面図であ
る。
【０００３】図４において、１，２は樹脂パッケージ１
ａ，２ａにパワースイッチング素子として１個のＩＧＢ
Ｔ（スイッチング素子としてＩＧＢＴの他にＭＯＳ−Ｆ
ＥＴ，ＢＪＴ，サイリスタなどを採用する場合もあ
る），およびフライホイールダイオードＦＤを組み込ん
だ上アーム用モジュール，および下アーム用モジュー
ル、３，４は直流電源側のＰ，Ｎ配線バー、５は出力側
の配線バー、６はスナバ回路、７は駆動回路側のリード
配線である。また、モジュール１，２には、樹脂パッケ
ージ１ａ，２ａの上面にコレクタＣ，エミッタＥの主回
路端子１ｂ，２ｂ、およびゲートＧ，エミッタｅの制御
端子１ｃ，２ｃがそれぞれ図５，図６で示すような位置
に配列している。
ａ，２ａにパワースイッチング素子として１個のＩＧＢ
Ｔ（スイッチング素子としてＩＧＢＴの他にＭＯＳ−Ｆ
ＥＴ，ＢＪＴ，サイリスタなどを採用する場合もあ
る），およびフライホイールダイオードＦＤを組み込ん
だ上アーム用モジュール，および下アーム用モジュー
ル、３，４は直流電源側のＰ，Ｎ配線バー、５は出力側
の配線バー、６はスナバ回路、７は駆動回路側のリード
配線である。また、モジュール１，２には、樹脂パッケ
ージ１ａ，２ａの上面にコレクタＣ，エミッタＥの主回
路端子１ｂ，２ｂ、およびゲートＧ，エミッタｅの制御
端子１ｃ，２ｃがそれぞれ図５，図６で示すような位置
に配列している。
【０００４】そして、前記モジュール１，２を用いて１
相分のブリッジアームを構成する際には、図４（ａ）の
ように上アーム用モジュール１と下アーム用モジュール
２とをパッケージ上面の主回路端子１ｂ，２ｂが横一列
に並ぶような向きに並置し、ここで、上アーム用モジュ
ール１のコレクタ端子Ｃ，および下アーム用モジュール
２のエミッタ端子Ｅに直流電源側のＰ，Ｎ配線バー３，
４を、また上アーム用モジュール１のエミッタ端子Ｅと
下アーム用モジュール２のコレクタ端子Ｃとの間にまた
がって出力側のＴ字形配線バー５を縦向きに接続し、さ
らにスナバ回路６を上アーム用モジュール１のコレクタ
端子Ｃと下アーム用モジュール２のエミッタ端子Ｅとの
間に接続するようにしている。
相分のブリッジアームを構成する際には、図４（ａ）の
ように上アーム用モジュール１と下アーム用モジュール
２とをパッケージ上面の主回路端子１ｂ，２ｂが横一列
に並ぶような向きに並置し、ここで、上アーム用モジュ
ール１のコレクタ端子Ｃ，および下アーム用モジュール
２のエミッタ端子Ｅに直流電源側のＰ，Ｎ配線バー３，
４を、また上アーム用モジュール１のエミッタ端子Ｅと
下アーム用モジュール２のコレクタ端子Ｃとの間にまた
がって出力側のＴ字形配線バー５を縦向きに接続し、さ
らにスナバ回路６を上アーム用モジュール１のコレクタ
端子Ｃと下アーム用モジュール２のエミッタ端子Ｅとの
間に接続するようにしている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、前記した従
来構成の半導体装置では、動作特性面で次記のような問
題点が残る。すなわち、図４（ａ）の構成ではモジュー
ル１の主回路端子１ｂとモジュール２の主回路端子２ｂ
が横一列に並んでおり、かつモジュール１，２に接続し
た直流側の配線バー３と４との間には出力側の配線バー
５が介在していることから、バー３と４との間の間隔Ｌ
が必然的に大きくなる。このために、 １）スナバ回路６を接続する際にはその配線長さも長く
なって配線インダクタンスが増し、このためにスナバ回
路６のサージ電圧抑制機能が低下する。
来構成の半導体装置では、動作特性面で次記のような問
題点が残る。すなわち、図４（ａ）の構成ではモジュー
ル１の主回路端子１ｂとモジュール２の主回路端子２ｂ
が横一列に並んでおり、かつモジュール１，２に接続し
た直流側の配線バー３と４との間には出力側の配線バー
５が介在していることから、バー３と４との間の間隔Ｌ
が必然的に大きくなる。このために、 １）スナバ回路６を接続する際にはその配線長さも長く
なって配線インダクタンスが増し、このためにスナバ回
路６のサージ電圧抑制機能が低下する。
【０００６】２）配線バー３，４に流れる互いに逆向き
の直流電流による相互誘導作用が十分に働かず、このた
めに主回路の配線インダクタンスが大きくなって、パワ
ースイッチング素子のターンＯＮ，ＯＦＦに伴って誘起
するスイッチングサージ電圧が高くなる。 本発明は上記の点にかんがみなされたものであり、２個
のスイッチング素子モジュールを組合わせて１相分のブ
リッジアームを構成する電力用半導体装置を対象に、前
記課題を解決してスイッチングサージ電圧の低減化に有
効な配線構造を確立した電力用半導体装置を提供するこ
とを目的とする。
の直流電流による相互誘導作用が十分に働かず、このた
めに主回路の配線インダクタンスが大きくなって、パワ
ースイッチング素子のターンＯＮ，ＯＦＦに伴って誘起
するスイッチングサージ電圧が高くなる。 本発明は上記の点にかんがみなされたものであり、２個
のスイッチング素子モジュールを組合わせて１相分のブ
リッジアームを構成する電力用半導体装置を対象に、前
記課題を解決してスイッチングサージ電圧の低減化に有
効な配線構造を確立した電力用半導体装置を提供するこ
とを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明によれば、各モジュールごとに１個組のパワ
ースイッチング素子を内蔵した上アーム用，下アーム用
モジュールを直列に相互接続して１相分のブリッジアー
ムを構成した電力用半導体装置で、前記モジュールのパ
ッケージ上面に並置して引出したコレクタ，エミッタの
主回路端子に直流電源側のＰ，Ｎ配線バー，および出力
側の配線バーを接続したものにおいて、上アーム用モジ
ュールと下アーム用モジュールとの間でコレクタ，エミ
ッタ端子の配列順序，および配列ピッチを変え、かつ上
アーム用と下アーム用モジュールのパッケージを各モジ
ュールの主回路端子列が平行となる向きに並べて前記の
各配線バーを接続して構成するものとする。
に、本発明によれば、各モジュールごとに１個組のパワ
ースイッチング素子を内蔵した上アーム用，下アーム用
モジュールを直列に相互接続して１相分のブリッジアー
ムを構成した電力用半導体装置で、前記モジュールのパ
ッケージ上面に並置して引出したコレクタ，エミッタの
主回路端子に直流電源側のＰ，Ｎ配線バー，および出力
側の配線バーを接続したものにおいて、上アーム用モジ
ュールと下アーム用モジュールとの間でコレクタ，エミ
ッタ端子の配列順序，および配列ピッチを変え、かつ上
アーム用と下アーム用モジュールのパッケージを各モジ
ュールの主回路端子列が平行となる向きに並べて前記の
各配線バーを接続して構成するものとする。
【０００８】また、前記構成の半導体装置においては、
上アーム用，下アーム用モジュールのうち、一方のモジ
ュールにはコレクタ端子とエミッタ端子を隣接して配置
し、他方のモジュールにはコレクタ端子とエミッタ端子
を前記と逆配列にした上で双方の端子間に主回路端子１
個分のスペースを空けて配置するものとする。そして、
スナバ回路は上アーム用モジュールのコレクタ端子と下
アーム用モジュールのエミッタ端子との間に接続するも
のとする。
上アーム用，下アーム用モジュールのうち、一方のモジ
ュールにはコレクタ端子とエミッタ端子を隣接して配置
し、他方のモジュールにはコレクタ端子とエミッタ端子
を前記と逆配列にした上で双方の端子間に主回路端子１
個分のスペースを空けて配置するものとする。そして、
スナバ回路は上アーム用モジュールのコレクタ端子と下
アーム用モジュールのエミッタ端子との間に接続するも
のとする。
【０００９】
【作用】上記の構成によれば、上アーム用モジュールの
コレクタ端子，下アーム用モジュールのエミッタ端子に
それぞれ接続した直流電源側の配線バーが近接，かつ平
行に配線されることになって、その配線バーの間の相互
誘導による配線インダクタンスの低減効果が大きくなる
ほか、さらに前記のコレクタ，エミッタ端子間に接続し
たスナバ回路の配線長も短くて済むことからその配線イ
ンダクタンスが小さくなり、これらの相乗効果でスイッ
チングサージ電圧が低減する。
コレクタ端子，下アーム用モジュールのエミッタ端子に
それぞれ接続した直流電源側の配線バーが近接，かつ平
行に配線されることになって、その配線バーの間の相互
誘導による配線インダクタンスの低減効果が大きくなる
ほか、さらに前記のコレクタ，エミッタ端子間に接続し
たスナバ回路の配線長も短くて済むことからその配線イ
ンダクタンスが小さくなり、これらの相乗効果でスイッ
チングサージ電圧が低減する。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の実施例を図１ないし図３に基
づいて説明する。なお、実施例の図中で図４ないし図６
に対応する同一部材には同じ符号が付してある。図示実
施例においては、１相分のブリッジアームを構成する上
アーム用モジュール１，下アーム用モジュール２につい
ては、パッケージ上面に配した端子配列がそれぞれ図
２，図３で示すように構成されている。なお、図２，図
３ではモジュールの樹脂パッケージを横向きに表してい
る。
づいて説明する。なお、実施例の図中で図４ないし図６
に対応する同一部材には同じ符号が付してある。図示実
施例においては、１相分のブリッジアームを構成する上
アーム用モジュール１，下アーム用モジュール２につい
ては、パッケージ上面に配した端子配列がそれぞれ図
２，図３で示すように構成されている。なお、図２，図
３ではモジュールの樹脂パッケージを横向きに表してい
る。
【００１１】すなわち、上アーム用モジュール１では、
右端に並ぶエミッタ端子Ｅとコレクタ端子Ｃとの間に主
回路端子１個分に相当するスペースＳが空けてあり、か
つ制御端子１ｃはパッケージ１ａの左端に設けてある。
これに対して、下アーム用モジュール２では、左端に並
ぶコレクタ端子Ｃとエミッタ端子Ｅとが必要な絶縁距離
を隔てて隣接し、制御端子２ｃはエミッタ端子Ｅとの間
に主回路端子１個分に相当するスペースＳを空けてパッ
ケージ１ａの右端側に設けてある。
右端に並ぶエミッタ端子Ｅとコレクタ端子Ｃとの間に主
回路端子１個分に相当するスペースＳが空けてあり、か
つ制御端子１ｃはパッケージ１ａの左端に設けてある。
これに対して、下アーム用モジュール２では、左端に並
ぶコレクタ端子Ｃとエミッタ端子Ｅとが必要な絶縁距離
を隔てて隣接し、制御端子２ｃはエミッタ端子Ｅとの間
に主回路端子１個分に相当するスペースＳを空けてパッ
ケージ１ａの右端側に設けてある。
【００１２】そして、前記の上アーム用モジュール１と
下アーム用モジュール２を組合わせて１相分のブリッジ
アームを組立てる場合には、図１（ａ）で示すように、
モジュール１のエミッタ端子Ｅとモジュール２のコレク
タ端子Ｃとが左右に並ぶように位置を揃えてパッケージ
１ａ，２ａを平行に設置し、この状態で図示のように直
流電源側のＰ，Ｎ配線バー３，４および出力側の配線バ
ー５をモジュール１，２のコレクタ端子Ｃ，エミッタ端
子Ｅに接続し、さらにモジュール１のコレクタ端子Ｃと
モジュール２のエミッタ端子Ｅとの間にスナバ回路６を
接続する。
下アーム用モジュール２を組合わせて１相分のブリッジ
アームを組立てる場合には、図１（ａ）で示すように、
モジュール１のエミッタ端子Ｅとモジュール２のコレク
タ端子Ｃとが左右に並ぶように位置を揃えてパッケージ
１ａ，２ａを平行に設置し、この状態で図示のように直
流電源側のＰ，Ｎ配線バー３，４および出力側の配線バ
ー５をモジュール１，２のコレクタ端子Ｃ，エミッタ端
子Ｅに接続し、さらにモジュール１のコレクタ端子Ｃと
モジュール２のエミッタ端子Ｅとの間にスナバ回路６を
接続する。
【００１３】前記の構成により、Ｐ，Ｎ配線バー３と４
とが互いに接近して平行に並び、出力側の配線バー５は
その外側に配線されている。これにより、直流電流が逆
方向に流れる配線バー３と４の間では相互誘導作用が有
効に働いて配線インダクタンスが十分小さくなる。ま
た、スナバ回路６を接続するリード線は極短い配線長で
済み、その配線インダクタンスも殆ど無視できる程度に
小さくなるので、これらの相乗効果により、パワースイ
ッチング素子のターンＯＮ，ＯＦＦに伴って誘起するス
イッチングサージ電圧が図４の従来構成と較べて低減す
る。
とが互いに接近して平行に並び、出力側の配線バー５は
その外側に配線されている。これにより、直流電流が逆
方向に流れる配線バー３と４の間では相互誘導作用が有
効に働いて配線インダクタンスが十分小さくなる。ま
た、スナバ回路６を接続するリード線は極短い配線長で
済み、その配線インダクタンスも殆ど無視できる程度に
小さくなるので、これらの相乗効果により、パワースイ
ッチング素子のターンＯＮ，ＯＦＦに伴って誘起するス
イッチングサージ電圧が図４の従来構成と較べて低減す
る。
【００１４】
【発明の効果】以上述べたように、本発明の構成によれ
ば、各モジュールごとに１個組のパワースイッチング素
子を内蔵した上アーム用，下アーム用モジュールを直列
に相互接続して１相分のブリッジアームを構成するのに
際して、スナバ回路の配線長の短縮，並びに直流電源側
のＰ，Ｎ配線バーの相互誘導による配線インダクタンス
を小さく抑えてスイッチングサージ電圧の低減化を図る
ことができる。
ば、各モジュールごとに１個組のパワースイッチング素
子を内蔵した上アーム用，下アーム用モジュールを直列
に相互接続して１相分のブリッジアームを構成するのに
際して、スナバ回路の配線長の短縮，並びに直流電源側
のＰ，Ｎ配線バーの相互誘導による配線インダクタンス
を小さく抑えてスイッチングサージ電圧の低減化を図る
ことができる。
【図１】本発明の実施例を示し、（ａ）は２個のスイッ
チング素子モジュールを相互接続して１相分のブリッジ
アームを構成した電力用半導体装置の平面図、（ｂ）は
等価回路図
チング素子モジュールを相互接続して１相分のブリッジ
アームを構成した電力用半導体装置の平面図、（ｂ）は
等価回路図
【図２】図１における上アーム用モジュールのパッケー
ジ外形図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図
ジ外形図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図
【図３】図１における下アーム用モジュールのパッケー
ジ外形図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図
ジ外形図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図
【図４】本発明の実施対象となる電力用半導体装置の従
来例の構成を示し、（ａ）は２個のスイッチング素子モ
ジュールを相互接続して１相分のブリッジアームを構成
した電力用半導体装置の平面図、（ｂ）は等価回路図
来例の構成を示し、（ａ）は２個のスイッチング素子モ
ジュールを相互接続して１相分のブリッジアームを構成
した電力用半導体装置の平面図、（ｂ）は等価回路図
【図５】図４における上アーム用モジュールのパッケー
ジ外形図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図
ジ外形図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図
【図６】図４における下アーム用モジュールのパッケー
ジ外形図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図
ジ外形図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図
１ 上アーム用モジュール（ＩＧＢＴ） ２ 下アーム用モジュール（ＩＧＢＴ） １ａ，２ａ 樹脂パッケージ １ｂ，２ｂ 主回路端子 １ｃ，２ｃ 制御端子 ３，４ 直流電源側の配線バー ５ 出力側の配線バー ６ スナバ回路 Ｃ コレクタ端子 Ｅ エミッタ端子
Claims (3)
- 【請求項１】各モジュールごとに１個組のパワースイッ
チング素子を内蔵した上アーム用，下アーム用モジュー
ルを直列に相互接続して１相分のブリッジアームを構成
した電力用半導体装置であり、前記モジュールのパッケ
ージ上面に並置して引出したコレクタ，エミッタの主回
路端子に直流電源側のＰ，Ｎ配線バー，および出力側の
配線バーを接続したものにおいて、上アーム用モジュー
ルと下アーム用モジュールとの間でコレクタ，エミッタ
端子の配列順序，および配列ピッチを変え、かつ上アー
ム用と下アーム用モジュールのパッケージを各モジュー
ルの主回路端子列が平行となる向きに並べて前記の各配
線バーを接続したことを特徴とする電力用半導体装置。 - 【請求項２】請求項１記載の電力用半導体装置におい
て、上アーム用，下アーム用モジュールのうち、一方の
モジュールにはコレクタ端子とエミッタ端子を隣接して
配置し、他方のモジュールにはコレクタ端子とエミッタ
端子を前記と逆配列にした上で双方の端子間に主回路端
子１個分のスペースを空けて配置したことを特徴とする
電力用半導体装置。 - 【請求項３】請求項１または２記載の電力用半導体装置
において、上アーム用モジュールのコレクタ端子と下ア
ーム用モジュールのエミッタ端子との間にスナバ回路を
接続したことを特徴とする電力用半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7154272A JPH099644A (ja) | 1995-06-21 | 1995-06-21 | 電力用半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7154272A JPH099644A (ja) | 1995-06-21 | 1995-06-21 | 電力用半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH099644A true JPH099644A (ja) | 1997-01-10 |
Family
ID=15580543
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7154272A Pending JPH099644A (ja) | 1995-06-21 | 1995-06-21 | 電力用半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH099644A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001087857A (ja) * | 1999-09-21 | 2001-04-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | アーク溶接機の主回路構成方法およびアーク溶接機 |
| JP2006166696A (ja) * | 2004-12-09 | 2006-06-22 | Semikron Elektronik Gmbh & Co Kg | 寄生インダクタンスの低下されたパワー半導体モジュール |
| US8766430B2 (en) | 2012-06-14 | 2014-07-01 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor modules and methods of formation thereof |
| US9041460B2 (en) | 2013-08-12 | 2015-05-26 | Infineon Technologies Ag | Packaged power transistors and power packages |
| JP2015149842A (ja) * | 2014-02-07 | 2015-08-20 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 電力変換装置 |
| US9685888B2 (en) | 2011-06-10 | 2017-06-20 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor module, upper and lower arm kit, and three-level inverter |
-
1995
- 1995-06-21 JP JP7154272A patent/JPH099644A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001087857A (ja) * | 1999-09-21 | 2001-04-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | アーク溶接機の主回路構成方法およびアーク溶接機 |
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| US9685888B2 (en) | 2011-06-10 | 2017-06-20 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor module, upper and lower arm kit, and three-level inverter |
| US10003280B2 (en) | 2011-06-10 | 2018-06-19 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor module, upper and lower arm kit, and three-level inverter |
| US8766430B2 (en) | 2012-06-14 | 2014-07-01 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor modules and methods of formation thereof |
| US9041460B2 (en) | 2013-08-12 | 2015-05-26 | Infineon Technologies Ag | Packaged power transistors and power packages |
| JP2015149842A (ja) * | 2014-02-07 | 2015-08-20 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 電力変換装置 |
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