JP2006166696A - 寄生インダクタンスの低下されたパワー半導体モジュール - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ハウジング(30)を備え、そこには1つの又は複数のハーフブリッジ回路装置が配設されるパワー半導体モジュールにおいて、各ハーフブリッジ回路装置はTOPパワースイッチとBOTパワースイッチとを有し、各パワースイッチはパワートランジスタ(10、12)と付設のパワーダイオード(20、22)とから構成され、正極性の直流端子(40)と負極性の直流端子(50)とを有し、ハーフブリッジ回路装置ごとに直接的には互いに電気接続されていない2つの交流端子(62、64)を有する。各TOPトランジスタはBOTスイッチのパワーダイオードと第1交流端子と接続されていて、各BOTトランジスタはTOPスイッチのパワーダイオードと第2交流端子と接続されている。
【選択図】図3
Description
12 パワートランジスタ
20 フリーホイールダイオード
22 フリーホイールダイオード
30 ハウジング
32a 第1ハウジング
32b 第2ハウジング
40 正極性の直流端子(直流ターミナル)
50 負極性の直流端子(直流ターミナル)
60 交流端子(交流ターミナル)
62 第1交流端子
64 第2交流端子
80 コイル
82 コイル
84 リラクタンスモータ
Claims (4)
- ハウジング(30)を備え、このハウジング(30)内には、ハーフブリッジ回路装置ごとに第1(TOP)パワースイッチと第2(BOT)パワースイッチとを備えた1つの又は複数のハーフブリッジ回路装置が配設されているパワー半導体モジュールにおいて、
各パワースイッチが、少なくとも1つのパワートランジスタ(10、12)と、それに付設の少なくとも1つのパワーダイオード(フリーホイールダイオード)(20、22)とから構成されていて、パワー半導体モジュールが少なくとも1つの正極性の直流端子(40)と少なくとも1つの負極性の直流端子(50)とを有し、ハーフブリッジ回路装置ごとに、電気的に直接的には互いに接続されていない少なくとも2つの交流端子(62、64)を有し、
各々少なくとも1つのTOPトランジスタ(10)が、BOTスイッチの少なくとも1つのパワーダイオード(22)と、第1交流端子(62)と接続されていて、各々少なくとも1つのBOTトランジスタ(12)が、TOPスイッチの少なくとも1つのパワーダイオード(20)と、第2交流端子(64)と接続されていることを特徴とするパワー半導体モジュール。 - ハウジング(32a、b)を備え、このハウジング(32a、b)内にはハーフブリッジ回路装置における並列配設された複数の同一部分回路が設けられているパワー半導体モジュールにおいて、
ハーフブリッジ回路装置が第1(TOP)パワースイッチと第2(BOT)パワースイッチとから構成されていて、各パワースイッチが、少なくとも1つのパワートランジスタ(10、12)と、それに付設の少なくとも1つのパワーダイオード(フリーホイールダイオード)(20、22)とから構成されていて、パワー半導体モジュールが少なくとも1つの正極性の直流端子(40)と少なくとも1つの負極性の直流端子(50)とを有し、
ハーフブリッジ回路の各部分回路が、BOTスイッチの少なくとも1つのパワーダイオード(22)を備えた少なくとも1つのTOPトランジスタ(10)と、交流端子(62)とから構成されていて、これらが回路に適して互いに接続されている、又は、TOPスイッチの少なくとも1つのパワーダイオード(20)を備えた少なくとも1つのBOTトランジスタ(12)と、交流端子(64)とから構成されていて、これらが回路に適して互いに接続されていることを特徴とするパワー半導体モジュール。 - 全てのTOPトランジスタ(10)が、互いに及びBOTスイッチのパワーダイオード(22)に対し、狭い間隔で隣接して配設されている、及び/又は、全てのBOTトランジスタ(12)が、互いに及びTOPスイッチのパワーダイオード(20)に対し、狭い間隔で隣接して配設されていることを特徴とする、請求項1又は2に記載のパワー半導体モジュール。
- トランジスタ(10、12)がIGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)として構成されていることを特徴とする、請求項1又は2に記載のパワー半導体モジュール。
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