JP4004715B2 - パワーモジュール - Google Patents

パワーモジュール Download PDF

Info

Publication number
JP4004715B2
JP4004715B2 JP2000161599A JP2000161599A JP4004715B2 JP 4004715 B2 JP4004715 B2 JP 4004715B2 JP 2000161599 A JP2000161599 A JP 2000161599A JP 2000161599 A JP2000161599 A JP 2000161599A JP 4004715 B2 JP4004715 B2 JP 4004715B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
power supply
supply wiring
nth
terminal
row
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2000161599A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2001346384A (ja
JP2001346384A5 (ja
Inventor
英治 末次
雅一 深田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP2000161599A priority Critical patent/JP4004715B2/ja
Priority to US09/705,770 priority patent/US6541838B1/en
Priority to CNB001350579A priority patent/CN1136649C/zh
Priority to FR0100320A priority patent/FR2809882B1/fr
Priority to DE10105086A priority patent/DE10105086B4/de
Publication of JP2001346384A publication Critical patent/JP2001346384A/ja
Publication of JP2001346384A5 publication Critical patent/JP2001346384A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4004715B2 publication Critical patent/JP4004715B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02P—CONTROL OR REGULATION OF ELECTRIC MOTORS, ELECTRIC GENERATORS OR DYNAMO-ELECTRIC CONVERTERS; CONTROLLING TRANSFORMERS, REACTORS OR CHOKE COILS
    • H02P25/00—Arrangements or methods for the control of AC motors characterised by the kind of AC motor or by structural details
    • H02P25/02—Arrangements or methods for the control of AC motors characterised by the kind of AC motor or by structural details characterised by the kind of motor
    • H02P25/08—Reluctance motors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
    • H01L2224/48472—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4911—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
    • H01L2224/49111—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain the connectors connecting two common bonding areas, e.g. Litz or braid wires
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01004—Beryllium [Be]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01015—Phosphorus [P]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01023—Vanadium [V]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01038—Strontium [Sr]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01042—Molybdenum [Mo]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01052—Tellurium [Te]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01068—Erbium [Er]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01074—Tungsten [W]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01075—Rhenium [Re]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/156—Material
    • H01L2924/15786—Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
    • H01L2924/15787—Ceramics, e.g. crystalline carbides, nitrides or oxides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19043—Component type being a resistor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/30107—Inductance

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Inverter Devices (AREA)
  • Dc-Dc Converters (AREA)
  • Power Conversion In General (AREA)

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、スイッチド・リラクタンス・モータ（以下、ＳＲモータ）の駆動に好適なパワーモジュールに関する。
【０００２】
【従来の技術】
図１０は、誘導電動機あるいは直流電動機等を駆動するための従来のパワーモジュールの回路構成を示す回路図である。このパワーモジュールでは、互いに直列に接続された２個のスイッチング素子８１を各々が有する３個の直列回路が、高電位側電源電位を伝えるＰ電源配線８５と低電位側電源電位を伝えるＮ電源配線８６との間に、互いに並列に接続されている。スイッチング素子８１として、例えばIGBTが用いられる。
【０００３】
各直列回路には、さらに、各スイッチング素子８１に逆並列に接続されたダイオード素子８２が備わっている。ここで、「逆並列接続」とは、スイッチング素子８１を流れる主電流の向きと、ダイオード素子８２を流れる順電流の向きとが互いに逆となるような向きでの並列接続を意味する。これにより、ダイオード素子８２は、スイッチング素子８１を逆電流による損傷から保護するフライホイールダイオードとして機能する。
【０００４】
直列回路に属する２個のスイッチング素子８１の接続部には、出力端子８３，８４または８５が接続されている。６個のスイッチング素子８１が、異なる位相で選択的にオン・オフすることにより、三相をなすＵ，Ｖ，Ｗ相の出力が出力端子８３，８４，８５からそれぞれ取り出される。したがって、出力端子８３，８４，８５を誘導電動機等の三相入力にそれぞれ接続することにより、誘導電動機等を駆動することができる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
近年に至って、従来の誘導電動機あるいは直流電動機とは異なる電動機であるＳＲモータが出現しているが、ＳＲモータの駆動のためには特殊な結線方式が必要とされ、図１０が示すパワーモジュールは使用できない。このため、ＳＲモータを駆動するための駆動装置としては、いずれもディスクリート素子であるスイッチング素子およびダイオード素子を用いるか、あるいは従来のパワーモジュールを組み合わせて用いるか、いずれかの形態が採用されていた。その結果、駆動装置が大型で、かつ汎用性に欠け、製造コストも高くなるという問題点があった。そして、このことが、ＳＲモータの普及を妨げる要因ともなっていた。
【０００６】
この発明は、従来の技術における上記した問題点を解消するためになされたもので、ＳＲモータを駆動でき、小型でかつ汎用性が高くしかも製造コストを節減できるパワーモジュールを提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
第１の発明のパワーモジュールは、基板と、前記基板に配設された第１および第２電源配線と、前記基板に配設され、各々が第１および第２出力端子を有する第１ないし第Ｎ（Ｎ≧２）端子対と、前記基板に配設され、各々が前記第１および第２電源配線に接続された第１ないし第Ｎ回路と、を備え、すべてのｎ（ｎ＝１〜Ｎ）に対して、前記第ｎ回路は、前記第１電源配線に接続された第１スイッチング素子と前記第２電源配線に接続された第１ダイオード素子とが逆直列に接続され、その接続部が前記第ｎ端子対の前記第１出力端子に接続されている第１直列回路と、前記第１電源配線に接続された第２ダイオード素子と前記第２電源配線に接続された第２スイッチング素子とが逆直列に接続され、その接続部が前記第ｎ端子対の前記第２出力端子に接続されている第２直列回路と、を備え、前記第１ないし第Ｎ回路が、この順序で配列されており、前記第１電源配線に接続されたすべてのスイッチング素子およびダイオード素子は、第１列をなすように配列し、前記第２電源配線に接続されたすべてのスイッチング素子およびダイオード素子は、前記第１列と並ぶ第２列をなすように配列し、前記第１列に沿った方向、前記第２列に沿った方向、および、これら第１および第２列が対向する方向のいずれにおいても、スイッチング素子とダイオード素子とが交互に配置されており、前記第１ないし第Ｎ端子対の各々において、前記第１出力端子の少なくとも一部分と前記第２出力端子の少なくとも一部分とは、前記第１列と前記第２列との間に配置されており、すべてのｎに対して、前記第ｎ回路に属する前記第１スイッチング素子と前記第１ダイオード素子とが第１ボンディングワイヤで接続され、当該第１ボンディングワイヤの中間部分が前記第ｎ端子対に属する前記第１出力端子の前記少なくとも一部分に接続されており、前記第ｎ回路に属する前記第２スイッチング素子と前記第２ダイオード素子とが第２ボンディングワイヤで接続され、当該第２ボンディングワイヤの中間部分が前記第ｎ端子対に属する前記第２出力端子の前記少なくとも一部分に接続されている。
【０００８】
第２の発明のパワーモジュールは、基板と、前記基板に配設された第１および第２電源配線と、前記基板に配設され、各々が第１および第２出力端子を有する第１ないし第Ｎ（Ｎ≧２）端子対と、前記基板に配設され、各々が前記第１および第２電源配線に接続された第１ないし第Ｎ回路と、を備え、すべてのｎ（ｎ＝１〜Ｎ）に対して、前記第ｎ回路は、前記第１電源配線に接続された第１スイッチング素子と前記第２電源配線に接続された第１ダイオード素子とが逆直列に接続され、その接続部が前記第ｎ端子対の前記第１出力端子に接続されている第１直列回路と、前記第１電源配線に接続された第２ダイオード素子と前記第２電源配線に接続された第２スイッチング素子とが逆直列に接続され、その接続部が前記第ｎ端子対の前記第２出力端子に接続されている第２直列回路と、を備え、前記第１ないし第Ｎ回路が、この順序で配列されており、前記第１電源配線に接続されたすべてのスイッチング素子およびダイオード素子は、第１列をなすように配列し、前記第２電源配線に接続されたすべてのスイッチング素子およびダイオード素子は、前記第１列と並ぶ第２列をなすように配列し、前記第１列に沿った方向、前記第２列に沿った方向、および、これら第１および第２列が対向する方向のいずれにおいても、スイッチング素子とダイオード素子とが交互に配置されており、前記第１ないし第Ｎ端子対の各々において、前記第１出力端子の少なくとも一部分と前記第２出力端子の少なくとも一部分とは、前記第１列と前記第２列との間に、それらに沿って延在する帯状に配置されており、前記第２電源配線は、前記第１および第２列の間にそれら沿って延在する帯状部分を有しており、当該帯状部分は、すべての前記第１および第２出力端子の前記少なくとも一部分と、平行に並ぶように配置されている。
【０００９】
第３の発明のパワーモジュールは、基板と、前記基板に配設された第１および第２電源配線と、前記基板に配設され、各々が第１および第２出力端子を有する第１ないし第Ｎ（Ｎ≧２）端子対と、前記基板に配設され、各々が前記第１および第２電源配線に接続された第１ないし第Ｎ回路と、を備え、すべてのｎ（ｎ＝１〜Ｎ）に対して、前記第ｎ回路は、前記第１電源配線に接続された第１スイッチング素子と前記第２電源配線に接続された第１ダイオード素子とが逆直列に接続され、その接続部が前記第ｎ端子対の前記第１出力端子に接続されている第１直列回路と、前記第１電源配線に接続された第２ダイオード素子と前記第２電源配線に接続された第２スイッチング素子とが逆直列に接続され、その接続部が前記第ｎ端子対の前記第２出力端子に接続されている第２直列回路と、を備え、前記第１ないし第Ｎ回路が、この順序で配列されており、前記第１電源配線に接続されたすべてのスイッチング素子およびダイオード素子は、第１列をなすように配列し、前記第２電源配線に接続されたすべてのスイッチング素子およびダイオード素子は、前記第１列と並ぶ第２列をなすように配列し、前記第１列に沿った方向、前記第２列に沿った方向、および、これら第１および第２列が対向する方向のいずれにおいても、スイッチング素子とダイオード素子とが交互に配置されており、前記第１ないし第Ｎ端子対の各々において、前記第１出力端子の少なくとも一部分と前記第２出力端子の少なくとも一部分とは、前記第１列と前記第２列との間に、それらに沿って延在する帯状に配置されており、前記第２電源配線は、前記第１および第２列の間にそれら沿って延在する帯状部分を有しており、当該帯状部分と、すべての前記第１および第２出力端子の前記少なくとも一部分とは、帯状の絶縁層の一方主面と他方主面とに別個に配設されることにより、前記絶縁層を挟んで互いに平行に対向している。
【００１０】
第４の発明のパワーモジュールでは、第２または第３の発明のパワーモジュールにおいて、前記第２電源配線は、前記第２列の中に侵入するように前記帯状部分から突起したＮ個の突起部を有しており、当該Ｎ個の突起部の各々は、同一回路に属する前記第１ダイオード素子と前記第２スイッチング素子との間に配置され、これらの第１ダイオード素子と前記第２スイッチング素子とを接続するボンディングワイヤの中間部分に接続されている。
【００１１】
第５の発明のパワーモジュールでは、第１ないし第４のいずれかの発明のパワーモジュールにおいて、前記第１電源配線は、前記第１列に沿って帯状に配設され、前記第１ないし第Ｎ回路の各々に属する前記第１スイッチング素子および前記第２ダイオード素子は、前記第１電源配線の上に配置されている。
【００１２】
第６の発明のパワーモジュールでは、第１ないし第５のいずれかの発明のパワーモジュールにおいて、前記基板に配設された前記第１ないし第Ｎ回路を前記基板と共同で収納するケースを、さらに備え、前記第１ないし第Ｎ端子対の各々の前記第１および第２出力端子の各々は、前記少なくとも一部分とは異なる部分であって前記ケースの外部に突出する部分である突出部を有しており、前記第１ないし第Ｎ端子対に属するすべての前記突出部は、異なる端子対の間に比べて同一の端子対の間で、より近くに配置されている。
【００１３】
第７の発明のパワーモジュールでは、第６の発明のパワーモジュールにおいて、前記第１ないし第Ｎ端子対の各々に属する前記第１および第２出力端子の各々は、Ｌ字型の平面輪郭をなすように一端が直角に交わる第１および第２帯状部を有し、前記第１帯状部は、前記少なくとも一部分に該当して前記第１および第２列に平行に配設され、前記第２帯状部の端部は前記突出部に該当し、前記第１ないし第Ｎ端子対の各々に属する前記第１および第２出力端子が双方で略Ｔ字型の平面輪郭をなすように、それらの前記第２帯状部どうしが平行に並んでいる。
【００１４】
第８の発明のパワーモジュールでは、第７の発明のパワーモジュールにおいて、前記第１ないし第Ｎ端子対の各々に属する前記第１および第２出力端子の前記第２帯状部どうしが、ボンディングワイヤで電気的に接続されている。
【００１５】
第９の発明のパワーモジュールでは、第７の発明のパワーモジュールにおいて、前記第１ないし第Ｎ端子対の各々に属する前記第１および第２出力端子の前記突出部どうしが、導電性の結合部材で電気的に接続されている。
【００１６】
第１０の発明のパワーモジュールでは、第７の発明のパワーモジュールにおいて、前記第１ないし第Ｎ端子対の各々に属する前記第１および第２出力端子が双方でＴ字型の平面輪郭をなすように、それらの前記第２帯状部どうしが、互いに一体的に連結されている。
【００１７】
【発明の実施の形態】
［1. 実施の形態１］
図１は、実施の形態１によるパワーモジュールの平面図である。また、図２は、図１のＡ−Ａ切断線に沿った断面図である。さらに、図３は図１のパワーモジュールの外観斜視図である。また、図４は、図１のパワーモジュールの回路図である。以下、これらの図を参照しつつ、実施の形態１によるパワーモジュールについて説明する。
【００１８】
［1.1. 回路構成］
実施の形態１のパワーモジュール１０１では、３個の回路Ｃ１〜Ｃ３が、高電位側電源電位を伝えるＰ電源配線５と低電位側電源電位を伝えるＮ電源配線６とに接続されている。すなわち、回路Ｃ１〜Ｃ３は、Ｐ電源配線５とＮ電源配線６との間に、互いに並列に接続されている。回路Ｃ１〜Ｃ３の各々は、互いに逆直列に接続されたスイッチング素子１ａとダイオード素子２ａとを有する直列回路Ｓ１と、互いに逆直列に接続されたスイッチング素子１ｂとダイオード素子２ｂとを有する直列回路Ｓ２とを、有している。
【００１９】
ここで、「逆直列接続」とは、スイッチング素子を流れる主電流の向きと、ダイオード素子を流れる順電流の向きとが互いに逆となるような向きでの直列接続を意味する。これにより、ダイオード素子２ａ，２ｂは、スイッチング素子１ａ，１ｂを逆電流による損傷から保護するフライホイールダイオードとして機能する。
【００２０】
スイッチング素子１ａと１ｂは、構造上互いに同一の素子であり、ダイオード素子２ａと２ｂは、構造上互いに同一の素子である。なお、本実施の形態では、図４が示すようにスイッチング素子１ａ，１ｂがパワーIGBTである例を挙げるが、本発明はこの例に限定されるものではない。
【００２１】
スイッチング素子１ａの第１主電極（IGBTではコレクタ）とダイオード素子２ｂのカソード電極は、Ｐ電源配線５に接続され、スイッチング素子１ｂの第２主電極（IGBTではエミッタ）とダイオード素子２ａのアノード電極は、Ｎ電源配線６に接続されている。また、スイッチング素子１ａの第２主電極は、ダイオード素子２ａのカソード電極とともに、出力端子３に接続されている。同様に、スイッチング素子１ｂの第１主電極は、ダイオード素子２ｂのアノード電極とともに、出力端子４に接続されている。回路Ｃ１〜Ｃ３には、各々が一組の出力端子３，４を含む端子対Ｔ１〜Ｔ３が、個別に接続されている。
【００２２】
６個のスイッチング素子１ａ，１ｂが、異なる位相で選択的にオン・オフすることにより、三相をなすＵ，Ｖ，Ｗ相の出力が端子対Ｔ１〜Ｔ３からそれぞれ取り出される。したがって、端子対Ｔ１〜Ｔ３に属する一組の出力端子３，４をＳＲモータの三相入力にそれぞれ接続することにより、ＳＲモータを駆動することができる。
【００２３】
［1.2. 素子、配線、および端子の配置］
パワーモジュール１０１では、基板として機能するベース板２０に、各種の配線、素子、および端子が配置され、それらはケース２１とベース板２０とによって収納されている。ベース板２０には、例えば放熱特性に優れた銅板が用いられる。平面輪郭が矩形であるベース板２０の上には、その一辺に沿うように、回路Ｃ１〜Ｃ３が、この順序で配列されている。
【００２４】
Ｐ電源配線５は、帯状の絶縁層２４の上に帯状に配設されている。絶縁層２４とＰ電源配線５とは、例えば主面に沿って金属箔が形成されベース板２０の上面に接着されたセラミック基板として形成される。回路Ｃ１〜Ｃ３に属するすべてのスイッチング素子１ａとダイオード素子２ｂとは、第１列をなすようにＰ電源配線５の上に固定され、それによりＰ電源配線５に電気的に接続されている。このため、Ｐ電源配線５とＰ電源配線５に接続される素子１ａ，２ｂとの間の電流経路が最短となるので、電流経路に発生するインダクタンスが低く抑えられる。このことは、パワーモジュール１０１の小型化にも同時に寄与する。
【００２５】
ベース板２０の上にはさらに、絶縁層２４とは間隔をもって、かつ絶縁層２４に平行に、６個の絶縁層２２が並んでおり、これらの絶縁層２２の上には導体層７が形成されている。絶縁層２２と導体層７とは、例えば主面に沿って金属箔が形成されベース板２０の上面に接着されたセラミック基板として形成される。回路Ｃ１〜Ｃ３に属するすべてのスイッチング素子１ｂとダイオード素子２ａは、導体層７の上に固定されるとともに電気的に接続されている。それにより、すべてのスイッチング素子１ｂとダイオード素子２ａは、第１列と平行に並ぶ第２列をなすように配列している。なお、すべてのスイッチング素子１ａ，１ｂおよびすべてのダイオード素子２ａ，２ｂは、ベアチップの形態で用いられている。
【００２６】
第１列に沿った方向、第２列に沿った方向、および、これら第１および第２列が対向する方向のいずれにおいても、スイッチング素子１ａ，１ｂとダイオード素子２ａ，２ｂとは、交互に配置されている。これにより、発熱の大きい６個のスイッチング素子１ａ，１ｂが、互いに最も遠く、しかも均等に離れて配置される。その結果、すべてのスイッチング素子１ａ，１ｂの間の熱干渉が低減され、局所的な温度上昇が緩和される。このことも、パワーモジュール１０１の小型化に寄与する。
【００２７】
Ｎ電源配線６は、ベース板２０の上に配設された絶縁層２３の上に形成されている。絶縁層２３とＮ電源配線６とは、例えば主面に沿って金属箔が形成されベース板２０の上面に接着されたセラミック基板として形成される。Ｎ電源配線６は、第１列と第２列との間にそれら平行に延在する帯状部分６１と、第２列の中に侵入するように帯状部分６１から突起した３個の突起部６２とを有している。３個の突起部６２の各々は、同一回路（回路Ｃ１〜Ｃ３の中の同一の回路。以下同様。）に属するダイオード素子２ａとスイッチング素子１ｂとの間に配置されている。そして、同一回路に属するダイオード素子２ａとスイッチング素子１ｂとは、それらの間に介在する突起部６２に中間部分が接続されたボンディングワイヤＷの一端と他端とにそれぞれ接続されている。このため、製造工程において、これらの間でワイヤボンディングを連続して行うことができるので、製造効率を高めることができる。
【００２８】
出力端子３，４は、いずれもＬ字型の平面輪郭を有する板状に形成されている。すなわち、出力端子３は、一端が直角に交わる第１帯状部４１および第２帯状部４２を有し、同様に出力端子４は、一端が直角に交わる第１帯状部４４および第２帯状部４５を有する。そして、同一回路に属する出力端子３，４では、それらの第２帯状部４２，４５が互いに近接して平行に並んでおり、それによって同一回路に属する出力端子３，４は、双方で略Ｔ字型の平面輪郭をなしている。このため、出力端子３，４に発生するインダクタンスがさらに低く抑えられる。また、すべての出力端子３，４の形状が同一のＬ字型であるので、単一の金型を用いてこれらを製造することができ、製造コストを節減することができる。
【００２９】
第２帯状部４２，４５はケース２１を貫通しており、それらの端部である突出部４３，４６はケース２１の外部へ突出している。突出部４３，４６は、同一端子対（端子対Ｔ１〜Ｔ３の中の同一の端子対。以下同様。）の間では、互いに近接し、異なる端子対の間では離れて設置されている。このため、同一端子対に属する突出部４３，４６の組を、外部において容易に接続することができ、それにより、パワーモジュール１０１の回路構成を、図１０に示した回路と同一とすることができる。すなわち、パワーモジュール１０１を誘導電動機あるいは直流電動機等の駆動用途へと転換することが可能となる。このように、パワーモジュール１０１は、ＳＲモータの駆動のみに用途が限定されない汎用性の高いパワーモジュールとして構成されている。
【００３０】
第１帯状部４１，４４は、第１列と第２列との間に、かつ、それらに平行に配置されている。このことも、パワーモジュール１０１のコンパクト化に寄与する。さらに、第１帯状部４１，４４は、Ｎ電源配線６の帯状部分６１の上に帯状に配設された絶縁層８の上に、帯状部分６１と平行に対向するように配設されている。これらの立体的構造は、図５の部分断面図にも描かれている。この二層構造によって、電流経路に発生するインダクタンスが、さらに低く抑えられるとともに、ベース板２０の面積をさらに節減し、パワーモジュール１０１をさらに小型化することが可能となる。
【００３１】
回路Ｃ１〜Ｃ３の各々において、スイッチング素子１ａとダイオード素子２ａとが、ボンディングワイヤＷで接続されており、しかも、その中間部分が出力端子３の第１帯状部４１に接続されている。同様に、スイッチング素子１ｂとダイオード素子２ｂとが、ボンディングワイヤＷで接続されており、しかも、その中間部分が出力端子４の第１帯状部４４に接続されている。このため、製造工程において、これらの間でワイヤボンディングを連続して行うことができるので、製造効率を高めることができる。
【００３２】
なお、図１の例では、ボンディングワイヤＷは、ダイオード素子２ａおよびスイッチング素子１ｂには、導体層７を通じて間接的に接続されているが、ダイオード素子２ａおよびスイッチング素子１ｂへ直接に接続されても良い。いずれであっても、ボンディングワイヤＷが接続されていることに変わりはない。
【００３３】
図２が示すように、ケース２１とベース板２０とで囲まれた内部には、好ましくはゲルなどの絶縁性封止材３０が充填される。また、Ｐ電源配線５およびＮ電源配線６には、それぞれ電源端子３１，３２が接続され、その端部がケース２１の外部に突出する（図３）。同様に、６個のスイッチング素子１ａ，１ｂの制御電極（IGBTではゲート電極）には、６本の制御端子３２が個別に接続されており、それらの端部がケース２１の外部に露出し突出している。外部の直流電源を電源端子３１，３２に接続し、外部の制御回路を制御端子３２に接続し、さらに３対の出力端子３，４の突出部４３，４６に負荷を接続することによって、パワーモジュール１０１が使用に供される。
【００３４】
［2. 実施の形態２］
出力端子３，４の第１帯状部４１，４４が、Ｎ電源配線６の帯状部分６１と二層構造をなすように形成される代わりに、図６が示すように、互いに平行に並ぶように配設されてもよい。このときには、第１帯状部４１，４４は、Ｎ電源配線６と同様に、ベース板２０の上に固定された絶縁層（図示を略する）の上に形成されると良い。第１帯状部４１，４４をこのように配設しても、電流経路に発生するインダクタンスを低減する効果は、相応に得られる。
【００３５】
［3. 実施の形態３］
実施の形態３のパワーモジュールでは、実施の形態１のパワーモジュール１０１において、図７が示すように端子対Ｔ１〜Ｔ３の各々に属する出力端子３，４の第２帯状部４２，４５どうしが、ボンディングワイヤ９によって電気的に接続されている。これによって、パワーモジュール１０１が図４から図１０の回路構成へと転換されている。このため、この実施の形態のパワーモジュールは、誘導電動機あるいは直流電動機等の駆動に用いることができる。また、ボンディングワイヤ９を除いて、ＳＲモータの駆動のためのパワーモジュール１０１がそのまま用いられるので、製造コストが節減される。
【００３６】
［4. 実施の形態４］
実施の形態４のパワーモジュールでは、実施の形態１のパワーモジュール１０１において、図８が示すように端子対Ｔ１〜Ｔ３の各々に属する出力端子３，４の組が、Ｔ字型の平面輪郭をなす平板状の単一の出力端子１０へ置き換えられている。出力端子１０は、出力端子３，４が双方でＴ字型の平面輪郭をなすように、それらの第２帯状部４２，４５（図１）どうしが、互いに一体的に連結されたものと等価である。
【００３７】
出力端子３，４の組が、出力端子１０へ置き換えられることによって、パワーモジュール１０１が図４から図１０の回路構成へと転換されている。このため、この実施の形態のパワーモジュールは、誘導電動機あるいは直流電動機等の駆動に用いることができる。また、出力端子１０を除いて、ＳＲモータの駆動のためのパワーモジュール１０１がそのまま用いられるので、製造コストが節減される。
【００３８】
［5. 実施の形態５］
実施の形態５のパワーモジュールでは、実施の形態１のパワーモジュール１０１において、図９が示すように端子対Ｔ１〜Ｔ３の各々に属する出力端子３，４の突出部４３，４６どうしが、ケース２１の外部で導電性の結合部材１１によって電気的に接続されている。例えば、板状の導電性部材の一端と他端が、それぞれ突出部４３，４６へ、ネジで締結されている。それにより、パワーモジュール１０１が図４から図１０の回路構成へと転換されている。
【００３９】
このため、この実施の形態のパワーモジュールは、誘導電動機あるいは直流電動機等の駆動に用いることができる。また、結合部材１１を除いて、ＳＲモータの駆動用途としてのパワーモジュール１０１がそのまま用いられるので、製造コストが節減される。さらに、結合部材１１はケース２１の外部で用いられるので、パワーモジュール１０１を入手したユーザが、自身で容易に改造を施すことができる。
【００４０】
［6. 変形例］
以上の実施の形態では、３個の回路Ｃ１〜Ｃ３が並列に接続された例について説明したが、例えば単相用として２個の回路Ｃ１，Ｃ２のみが並列に接続されたパワーモジュールを構成することも可能である。一般には、２以上の整数Ｎに対して、Ｎ個の回路Ｃ１〜ＣＮがＰ電源配線５とＮ電源配線６との間に並列に接続された形態で、本発明を実施することが可能である。
【００４１】
【発明の効果】
第１の発明のパワーモジュールでは、第１電源配線に接続される素子が第１列に配置され、第２電源配線に接続される素子が第１列に並ぶ第２列に配置され、出力端子の少なくとも一部分がそれらの間に配置されているので、モジュールをコンパクト化することができる。しかも、スイッチング素子とダイオード素子とが、交互に配置されているので、発熱量の大きいスイッチング素子どうしの熱干渉が低減される。さらに、第１列に配置される素子と第２列に配置される素子とを接続するボンディングワイヤが、それらの間に位置する出力端子の少なくとも一部分によって中継されているので、製造工程においてワイヤボンディングを連続して行うことができ、製造効率を高めることができる。
【００４２】
第２の発明のパワーモジュールでは、第１電源配線に接続される素子が第１列に配置され、第２電源配線に接続される素子が第１列に並ぶ第２列に配置され、出力端子の少なくとも一部分がそれらの間に配置されているので、モジュールをコンパクト化することができる。しかも、スイッチング素子とダイオード素子とが、交互に配置されているので、発熱量の大きいスイッチング素子どうしの熱干渉が低減される。さらに、第１列と第２列との間に第２電源配線の帯状部分と出力端子の少なくとも一部分とが、平行に並ぶように配置されているので、電流経路に発生するインダクタンスが低く抑えられる。
【００４３】
第３の発明のパワーモジュールは、第１電源配線に接続される素子が第１列に配置され、第２電源配線に接続される素子が第１列に並ぶ第２列に配置され、出力端子の少なくとも一部分がそれらの間に配置されているので、モジュールをコンパクト化することができる。しかも、スイッチング素子とダイオード素子とが、交互に配置されているので、発熱量の大きいスイッチング素子どうしの熱干渉が低減される。さらに、第１列と第２列との間に第２電源配線の帯状部分と出力端子の少なくとも一部分とが、絶縁層を挟んで互いに対向するように配置されているので、電流経路に発生するインダクタンスが低く抑えられるとともに、基板の面積を節減し、モジュールをさらに小型化することができる。
【００４４】
第４の発明のパワーモジュールでは、第２電源配線が突起部を有し、同一回路に属する第１ダイオード素子と第２スイッチング素子とを接続するボンディングワイヤが、それらの間に位置する突起部によって中継されているので、製造工程においてワイヤボンディングを連続して行うことができ、製造効率を高めることができる。
【００４５】
第５の発明のパワーモジュールでは、第１電源配線が第１列に沿って帯状に配設され、第１列に沿って配列する素子が第１電源配線の上に配置されているので、第１電源線と各素子との間の電流経路が最短であり、電流経路に発生するインダクタンスがさらに低く抑えられる。
【００４６】
第６の発明のパワーモジュールでは、出力端子の一部分がケースの外部に突出しており、この突出部が、異なる回路の間では離れて配置され、同一回路の間では近くに配置される。このため、同一回路に属する出力端子の組を、外部において容易に接続することができ、それにより、パワーモジュールを誘導電動機あるいは直流電動機等の駆動へと転用することができる。すなわち、ＳＲモータの駆動にのみ用途が限定されない汎用性の高いパワーモジュールが実現する。
【００４７】
第７の発明のパワーモジュールでは、すべての第１および第２出力端子がＬ字型であって、同一回路に属する第１および第２出力端子が、互いに略Ｔ字型の平面輪郭をなすように配置されているので、電流経路に発生するインダクタンスがさらに低く抑えられる。また、すべての出力端子の形状が同一のＬ字型であるので、単一の金型を用いてすべての出力端子を製造することができ、製造コストを節減することができる。
【００４８】
第８の発明のパワーモジュールでは、同一回路に属する第１および第２出力端子の第２帯状部どうしが、ボンディングワイヤで電気的に接続されているので、誘導電動機あるいは直流電動機等の駆動に用いることができる。また、ボンディングワイヤを除いて、ＳＲモータの駆動用途としてのパワーモジュールがそのまま用いられるので、製造コストが節減される。
【００４９】
第９の発明のパワーモジュールでは、同一回路に属する第１および第２出力端子の突出部どうしが、導電性の結合部材で電気的に接続されているので、誘導電動機あるいは直流電動機等の駆動に用いることができる。また、結合部材を除いて、ＳＲモータの駆動用途としてのパワーモジュールがそのまま用いられるので、製造コストが節減される。さらに、結合部材はケースの外部で適用されるので、ユーザの手で容易に改造することができる。
【００５０】
第１０の発明のパワーモジュールでは、同一回路に属する第１および第２出力端子が双方でＴ字型の平面輪郭をなすよう一体的に連結されているので、誘導電動機あるいは直流電動機等の駆動に用いることができる。また、出力端子を除いて、ＳＲモータの駆動用途としてのパワーモジュールがそのまま用いられるので、製造コストが節減される。
【図面の簡単な説明】
【図１】 実施の形態１のパワーモジュールの平面図である。
【図２】 図１のＡ−Ａ切断線に沿ったパワーモジュールの断面図である。
【図３】 図１のパワーモジュールの外観斜視図である。
【図４】 図１のパワーモジュールの回路図である。
【図５】 図１のパワーモジュールの部分断面図である。
【図６】 実施の形態２のパワーモジュールの部分平面図である。
【図７】 実施の形態３のパワーモジュールの部分平面図である。
【図８】 実施の形態４のパワーモジュールの部分平面図である。
【図９】 実施の形態５のパワーモジュールの部分平面図である。
【図１０】 従来のパワーモジュールの回路図である。
【符号の説明】
１ａ 第１スイッチング素子、１ｂ 第２スイッチング素子、２ａ 第１ダイオード素子、２ｂ 第２ダイオード素子、３ 第１出力端子、４ 第２出力端子、５ Ｐ電源配線（第１電源配線）、６ Ｎ電源配線（第２電源配線）、８ 絶縁層、９，Ｗ ボンディングワイヤ、１１ 締結部材、２０ ベース板（基板）、２１ ケース、４１ 第１帯状部、４２ 第２帯状部、４３，４６ 突出部、６１ 帯状部分、６２ 突起部分、Ｓ１ 第１直列回路、Ｓ２ 第２直列回路、Ｔ１〜Ｔ３ 第１〜第Ｎ端子対、Ｃ１〜Ｃ３ 第１〜第Ｎ回路。

Claims (10)

  1. 基板と、
    前記基板に配設された第１および第２電源配線と、
    前記基板に配設され、各々が第１および第２出力端子を有する第１ないし第Ｎ（Ｎ≧２）端子対と、
    前記基板に配設され、各々が前記第１および第２電源配線に接続された第１ないし第Ｎ回路と、を備え、
    すべてのｎ（ｎ＝１〜Ｎ）に対して、前記第ｎ回路は、
    前記第１電源配線に接続された第１スイッチング素子と前記第２電源配線に接続された第１ダイオード素子とが逆直列に接続され、その接続部が前記第ｎ端子対の前記第１出力端子に接続されている第１直列回路と、
    前記第１電源配線に接続された第２ダイオード素子と前記第２電源配線に接続された第２スイッチング素子とが逆直列に接続され、その接続部が前記第ｎ端子対の前記第２出力端子に接続されている第２直列回路と、を備え、
    前記第１ないし第Ｎ回路が、この順序で配列されており、
    前記第１電源配線に接続されたすべてのスイッチング素子およびダイオード素子は、第１列をなすように配列し、
    前記第２電源配線に接続されたすべてのスイッチング素子およびダイオード素子は、前記第１列と並ぶ第２列をなすように配列し、
    前記第１列に沿った方向、前記第２列に沿った方向、および、これら第１および第２列が対向する方向のいずれにおいても、スイッチング素子とダイオード素子とが交互に配置されており、
    前記第１ないし第Ｎ端子対の各々において、前記第１出力端子の少なくとも一部分と前記第２出力端子の少なくとも一部分とは、前記第１列と前記第２列との間に配置されており、
    すべてのｎに対して、前記第ｎ回路に属する前記第１スイッチング素子と前記第１ダイオード素子とが第１ボンディングワイヤで接続され、当該第１ボンディングワイヤの中間部分が前記第ｎ端子対に属する前記第１出力端子の前記少なくとも一部分に接続されており、前記第ｎ回路に属する前記第２スイッチング素子と前記第２ダイオード素子とが第２ボンディングワイヤで接続され、当該第２ボンディングワイヤの中間部分が前記第ｎ端子対に属する前記第２出力端子の前記少なくとも一部分に接続されている、パワーモジュール。
  2. 基板と、
    前記基板に配設された第１および第２電源配線と、
    前記基板に配設され、各々が第１および第２出力端子を有する第１ないし第Ｎ（Ｎ≧２）端子対と、
    前記基板に配設され、各々が前記第１および第２電源配線に接続された第１ないし第Ｎ回路と、を備え、
    すべてのｎ（ｎ＝１〜Ｎ）に対して、前記第ｎ回路は、
    前記第１電源配線に接続された第１スイッチング素子と前記第２電源配線に接続された第１ダイオード素子とが逆直列に接続され、その接続部が前記第ｎ端子対の前記第１出力端子に接続されている第１直列回路と、
    前記第１電源配線に接続された第２ダイオード素子と前記第２電源配線に接続された第２スイッチング素子とが逆直列に接続され、その接続部が前記第ｎ端子対の前記第２出力端子に接続されている第２直列回路と、を備え、
    前記第１ないし第Ｎ回路が、この順序で配列されており、
    前記第１電源配線に接続されたすべてのスイッチング素子およびダイオード素子は、第１列をなすように配列し、
    前記第２電源配線に接続されたすべてのスイッチング素子およびダイオード素子は、前記第１列と並ぶ第２列をなすように配列し、
    前記第１列に沿った方向、前記第２列に沿った方向、および、これら第１および第２列が対向する方向のいずれにおいても、スイッチング素子とダイオード素子とが交互に配置されており、
    前記第１ないし第Ｎ端子対の各々において、前記第１出力端子の少なくとも一部分と前記第２出力端子の少なくとも一部分とは、前記第１列と前記第２列との間に、それらに沿って延在する帯状に配置されており、
    前記第２電源配線は、前記第１および第２列の間にそれら沿って延在する帯状部分を有しており、
    当該帯状部分は、すべての前記第１および第２出力端子の前記少なくとも一部分と、平行に並ぶように配置されている、パワーモジュール。
  3. 基板と、
    前記基板に配設された第１および第２電源配線と、
    前記基板に配設され、各々が第１および第２出力端子を有する第１ないし第Ｎ（Ｎ≧２）端子対と、
    前記基板に配設され、各々が前記第１および第２電源配線に接続された第１ないし第Ｎ回路と、を備え、
    すべてのｎ（ｎ＝１〜Ｎ）に対して、前記第ｎ回路は、
    前記第１電源配線に接続された第１スイッチング素子と前記第２電源配線に接続された第１ダイオード素子とが逆直列に接続され、その接続部が前記第ｎ端子対の前記第１出力端子に接続されている第１直列回路と、
    前記第１電源配線に接続された第２ダイオード素子と前記第２電源配線に接続された第２スイッチング素子とが逆直列に接続され、その接続部が前記第ｎ端子対の前記第２出力端子に接続されている第２直列回路と、を備え、
    前記第１ないし第Ｎ回路が、この順序で配列されており、
    前記第１電源配線に接続されたすべてのスイッチング素子およびダイオード素子は、第１列をなすように配列し、
    前記第２電源配線に接続されたすべてのスイッチング素子およびダイオード素子は、前記第１列と並ぶ第２列をなすように配列し、
    前記第１列に沿った方向、前記第２列に沿った方向、および、これら第１および第２列が対向する方向のいずれにおいても、スイッチング素子とダイオード素子とが交互に配置されており、
    前記第１ないし第Ｎ端子対の各々において、前記第１出力端子の少なくとも一部分と前記第２出力端子の少なくとも一部分とは、前記第１列と前記第２列との間に、それらに沿って延在する帯状に配置されており、
    前記第２電源配線は、前記第１および第２列の間にそれら沿って延在する帯状部分を有しており、
    当該帯状部分と、すべての前記第１および第２出力端子の前記少なくとも一部分とは、帯状の絶縁層の一方主面と他方主面とに別個に配設されることにより、前記絶縁層を挟んで互いに平行に対向している、パワーモジュール。
  4. 前記第２電源配線は、前記第２列の中に侵入するように前記帯状部分から突起したＮ個の突起部を有しており、当該Ｎ個の突起部の各々は、同一回路に属する前記第１ダイオード素子と前記第２スイッチング素子との間に配置され、これらの第１ダイオード素子と前記第２スイッチング素子とを接続するボンディングワイヤの中間部分に接続されている、請求項２または請求項３に記載のパワーモジュール。
  5. 前記第１電源配線は、前記第１列に沿って帯状に配設され、
    前記第１ないし第Ｎ回路の各々に属する前記第１スイッチング素子および前記第２ダイオード素子は、前記第１電源配線の上に配置されている、請求項１ないし請求項４のいずれかに記載のパワーモジュール。
  6. 前記基板に配設された前記第１ないし第Ｎ回路を前記基板と共同で収納するケースを、さらに備え、
    前記第１ないし第Ｎ端子対の各々の前記第１および第２出力端子の各々は、前記少なくとも一部分とは異なる部分であって前記ケースの外部に突出する部分である突出部を有しており、
    前記第１ないし第Ｎ端子対に属するすべての前記突出部は、異なる端子対の間に比べて同一の端子対の間で、より近くに配置されている、請求項１ないし請求項５のいずれかに記載のパワーモジュール。
  7. 前記第１ないし第Ｎ端子対の各々に属する前記第１および第２出力端子の各々は、Ｌ字型の平面輪郭をなすように一端が直角に交わる第１および第２帯状部を有し、前記第１帯状部は、前記少なくとも一部分に該当して前記第１および第２列に平行に配設され、前記第２帯状部の端部は前記突出部に該当し、
    前記第１ないし第Ｎ端子対の各々に属する前記第１および第２出力端子が双方で略Ｔ字型の平面輪郭をなすように、それらの前記第２帯状部どうしが平行に並んでいる、請求項６に記載のパワーモジュール。
  8. 前記第１ないし第Ｎ端子対の各々に属する前記第１および第２出力端子の前記第２帯状部どうしが、ボンディングワイヤで電気的に接続されている、請求項７に記載のパワーモジュール。
  9. 前記第１ないし第Ｎ端子対の各々に属する前記第１および第２出力端子の前記突出部どうしが、導電性の結合部材で電気的に接続されている、請求項７に記載のパワーモジュール。
  10. 前記第１ないし第Ｎ端子対の各々に属する前記第１および第２出力端子が双方でＴ字型の平面輪郭をなすように、それらの前記第２帯状部どうしが、互いに一体的に連結されている請求項７に記載のパワーモジュール。
JP2000161599A 2000-05-31 2000-05-31 パワーモジュール Expired - Fee Related JP4004715B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000161599A JP4004715B2 (ja) 2000-05-31 2000-05-31 パワーモジュール
US09/705,770 US6541838B1 (en) 2000-05-31 2000-11-06 Power module
CNB001350579A CN1136649C (zh) 2000-05-31 2000-12-07 电力组件
FR0100320A FR2809882B1 (fr) 2000-05-31 2001-01-11 Module d'alimentation
DE10105086A DE10105086B4 (de) 2000-05-31 2001-02-05 Leistungsmodul

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000161599A JP4004715B2 (ja) 2000-05-31 2000-05-31 パワーモジュール

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2001346384A JP2001346384A (ja) 2001-12-14
JP2001346384A5 JP2001346384A5 (ja) 2005-10-27
JP4004715B2 true JP4004715B2 (ja) 2007-11-07

Family

ID=18665601

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000161599A Expired - Fee Related JP4004715B2 (ja) 2000-05-31 2000-05-31 パワーモジュール

Country Status (5)

Country Link
US (1) US6541838B1 (ja)
JP (1) JP4004715B2 (ja)
CN (1) CN1136649C (ja)
DE (1) DE10105086B4 (ja)
FR (1) FR2809882B1 (ja)

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10024377B4 (de) * 2000-05-17 2006-08-17 Infineon Technologies Ag Gehäuseeinrichtung und darin zu verwendendes Kontaktelement
JP2003060157A (ja) * 2001-08-08 2003-02-28 Mitsubishi Electric Corp パワーモジュール
FR2829661B1 (fr) * 2001-08-17 2004-12-03 Valeo Equip Electr Moteur Module de composants electroniques de puissance et procede d'assemblage d'un tel module
JP2005064479A (ja) * 2003-07-31 2005-03-10 Sanyo Electric Co Ltd 回路モジュール
DE102004059313B3 (de) * 2004-12-09 2006-05-04 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungshalbleitermodul mit verringerten parasitären Induktivitäten
JP5321124B2 (ja) 2009-02-23 2013-10-23 三菱電機株式会社 半導体スイッチング装置
JP5188653B2 (ja) * 2010-07-06 2013-04-24 三菱電機株式会社 インバータ
US9363894B2 (en) * 2010-09-24 2016-06-07 Semiconductor Components Industries, Llc Circuit device
JP5558401B2 (ja) * 2011-03-30 2014-07-23 三菱電機株式会社 電力変換装置
JP5866792B2 (ja) * 2011-04-08 2016-02-17 日産自動車株式会社 電力変換装置
JP5808630B2 (ja) * 2011-09-28 2015-11-10 株式会社ミツバ Ｓｒモータ用制御装置
JP5871064B2 (ja) * 2012-05-29 2016-03-01 日本精工株式会社 電動パワーステアリング装置用の半導体モジュール
JP2014064377A (ja) * 2012-09-20 2014-04-10 Fuji Electric Co Ltd 半導体モジュール
WO2014203678A1 (ja) * 2013-06-20 2014-12-24 富士電機株式会社 半導体モジュール
JP6207460B2 (ja) * 2014-05-19 2017-10-04 三菱電機株式会社 半導体装置
JP2017077102A (ja) * 2015-10-15 2017-04-20 株式会社Ihi 半導体パワーモジュール
US11515253B2 (en) * 2018-01-26 2022-11-29 Shindengen Electric Manufacturing Co., Ltd. Electronic module

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0064856B1 (en) 1981-05-12 1986-12-30 LUCAS INDUSTRIES public limited company A multi-phase bridge arrangement
US5025360A (en) 1989-12-20 1991-06-18 Sundstrand Corporation Inverter switch with parallel free-wheel diodes
JP2725952B2 (ja) 1992-06-30 1998-03-11 三菱電機株式会社 半導体パワーモジュール
DE59304797D1 (de) 1992-08-26 1997-01-30 Eupec Gmbh & Co Kg Leistungshalbleiter-Modul
JP3193827B2 (ja) * 1994-04-28 2001-07-30 三菱電機株式会社 半導体パワーモジュールおよび電力変換装置
JPH1169840A (ja) * 1997-08-22 1999-03-09 Aisin Seiki Co Ltd スイッチングアセンブリ
US6249024B1 (en) * 1998-12-09 2001-06-19 International Rectifier Corp. Power module with repositioned positive and reduced inductance and capacitance
JP4220094B2 (ja) * 1999-04-05 2009-02-04 三菱電機株式会社 パワー半導体モジュール
JP3501685B2 (ja) * 1999-06-04 2004-03-02 三菱電機株式会社 電力変換装置

Also Published As

Publication number Publication date
DE10105086B4 (de) 2009-04-23
JP2001346384A (ja) 2001-12-14
FR2809882B1 (fr) 2003-10-31
CN1136649C (zh) 2004-01-28
US6541838B1 (en) 2003-04-01
DE10105086A1 (de) 2001-12-13
FR2809882A1 (fr) 2001-12-07
CN1326262A (zh) 2001-12-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4004715B2 (ja) パワーモジュール
EP2202792B1 (en) Semiconductor device
US7542317B2 (en) Semiconductor device and power conversion apparatus using the same
JP5287359B2 (ja) 半導体モジュール
JP4640213B2 (ja) 電力半導体装置及びそれを使用したインバータブリッジモジュール
JP7143277B2 (ja) 半導体装置
JP2004208411A (ja) ハーフブリッジ回路用半導体モジュール
KR20140123935A (ko) 반도체 장치
CN112543994B (zh) 半导体装置
JP4138612B2 (ja) 電力用半導体装置
JP7428018B2 (ja) 半導体モジュール
CN111095760B (zh) 电力转换装置
JP7532813B2 (ja) 半導体モジュール
JP7183594B2 (ja) 半導体装置
JP3958156B2 (ja) 電力用半導体装置
CN113875006A (zh) 三电平功率模块
CN220233181U (zh) 一种功率模块
CN112701111A (zh) 一种三电平电路碳化硅功率模块
JP2022526411A (ja) 電子スイッチングユニット
US11887905B2 (en) Semiconductor device
JPH09135155A (ja) 半導体装置
JPH11177021A (ja) 半導体スイッチの電極構造
US20230245943A1 (en) Semiconductor module
JP2003243608A (ja) 電力用モジュール
JP7113936B1 (ja) 電力用半導体モジュール

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20050802

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20050802

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20070124

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070619

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20070725

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20070821

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20070822

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100831

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110831

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110831

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120831

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120831

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130831

Year of fee payment: 6

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees