JP2013045974A5 - - Google Patents

Description

本発明は、出力電極を、絶縁部材を介して第２の電極に積層し、第２の電極を、他の絶縁部材を介してヒートシンクに積層することによって、上記目的を達成する。

Claims (4)

1. 第１の電力系に電気的に接続される２つの端子部を有する第１の端子と、第２の電力系に電気的に接続される第２の端子とを有し、
   第１電極部と第２電極部を有する第１の半導体素子と、
   第１電極部と第２電極部を有し、前記第１の半導体素子と直列に接続される第２の半導体素子と、
   ヒートシンクと、
   前記第１の端子の一方の端子部と、前記第１の半導体素子の一方の半導体素子の第１電極部との間に接続された第１の電極と、
   前記第２の端子と、前記第１の半導体素子の第２電極部と、前記第２の半導体素子の第１電極部との間に接続された出力電極と、
   前記第１の端子の他方の端子部と、前記第２の半導体素子の第２電極部との間に接続された第２の電極と、
   を備える半導体モジュールであって、
   前記第２の電極が、第１の絶縁部材を介して前記ヒートシンクに積層され、
   前記出力電極が、第２の絶縁部材を介して前記第２の電極に積層されている半導体モジュール。
2. 前記第１の電極は、前記第２の絶縁部材を介して前記第２の電極に接続されている請求項１に記載の半導体モジュール。
3. 前記第１の電極は、前記第１の絶縁部材を介して前記ヒートシンクに接続され、
   前記第１の電極の面積と前記第２の電極の面積が略同一である請求項１に記載の半導体モジュール。
4. 前記第２の電極は、
   前記出力電極と同一面に形成された電極と、
   前記第１の絶縁部材上に形成された電極と、
   これら２つの電極を電気的に接続するスルーホールと、を含む請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体モジュール。