JP2019007877A - 光検出装置及び撮像システム - Google Patents
光検出装置及び撮像システム Download PDFInfo
- Publication number
- JP2019007877A JP2019007877A JP2017124862A JP2017124862A JP2019007877A JP 2019007877 A JP2019007877 A JP 2019007877A JP 2017124862 A JP2017124862 A JP 2017124862A JP 2017124862 A JP2017124862 A JP 2017124862A JP 2019007877 A JP2019007877 A JP 2019007877A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- voltage
- node
- circuit
- pixel
- waveform shaping
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims description 59
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title abstract description 8
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 claims abstract description 58
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims abstract description 16
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims abstract description 16
- 238000010791 quenching Methods 0.000 claims abstract description 16
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 33
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 111
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 63
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 23
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 22
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 12
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 10
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 6
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 6
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 6
- 230000006870 function Effects 0.000 description 6
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 6
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 5
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 description 1
- 230000002040 relaxant effect Effects 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
- G01J1/44—Electric circuits
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B60—VEHICLES IN GENERAL
- B60R—VEHICLES, VEHICLE FITTINGS, OR VEHICLE PARTS, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B60R11/00—Arrangements for holding or mounting articles, not otherwise provided for
- B60R11/04—Mounting of cameras operative during drive; Arrangement of controls thereof relative to the vehicle
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01C—MEASURING DISTANCES, LEVELS OR BEARINGS; SURVEYING; NAVIGATION; GYROSCOPIC INSTRUMENTS; PHOTOGRAMMETRY OR VIDEOGRAMMETRY
- G01C3/00—Measuring distances in line of sight; Optical rangefinders
- G01C3/02—Details
- G01C3/06—Use of electric means to obtain final indication
- G01C3/08—Use of electric radiation detectors
- G01C3/085—Use of electric radiation detectors with electronic parallax measurement
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14636—Interconnect structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14641—Electronic components shared by two or more pixel-elements, e.g. one amplifier shared by two pixel elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/02016—Circuit arrangements of general character for the devices
- H01L31/02019—Circuit arrangements of general character for the devices for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02027—Circuit arrangements of general character for the devices for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for devices working in avalanche mode
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/102—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier
- H01L31/107—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier the potential barrier working in avalanche mode, e.g. avalanche photodiodes
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
- G01J1/44—Electric circuits
- G01J2001/4413—Type
- G01J2001/442—Single-photon detection or photon counting
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
- G01J1/44—Electric circuits
- G01J2001/4446—Type of detector
- G01J2001/446—Photodiode
- G01J2001/4466—Avalanche
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T2207/00—Indexing scheme for image analysis or image enhancement
- G06T2207/30—Subject of image; Context of image processing
- G06T2207/30248—Vehicle exterior or interior
- G06T2207/30252—Vehicle exterior; Vicinity of vehicle
- G06T2207/30261—Obstacle
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T7/00—Image analysis
- G06T7/50—Depth or shape recovery
- G06T7/55—Depth or shape recovery from multiple images
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Radar, Positioning & Navigation (AREA)
- Remote Sensing (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
Description
本発明の第1実施形態による光検出装置について、図1乃至図6を用いて説明する。図1は、本実施形態による光検出装置の概略構成を示すブロック図である。図2は、本実施形態による光検出装置の画素の構成例を示す回路図である。図3は、本実施形態による光検出装置のスイッチ制御回路の構成例を示す回路図である。図4は、本実施形態による光検出装置の画素領域の構成例を示す回路図である。図5は、本実施形態による光検出装置の光電変換素子の構造を示す概略断面図である。図6は、本実施形態による光検出装置の光電変換素子の製造方法を示す工程断面図である。
本発明の第2実施形態による光検出装置について、図7を用いて説明する。第1実施形態による光検出装置と同様の構成要素には同一の符号を付し、説明を省略し或いは簡潔にする。図7は、本実施形態による光検出装置における画素の構成例を示す概略図である。
本発明の第3実施形態による光検出装置について、図8及び図9を用いて説明する。第1及び第2実施形態による光検出装置と同様の構成要素には同一の符号を付し、説明を省略し或いは簡潔にする。
本発明の第4実施形態による光検出装置について、図10を用いて説明する。第1乃至第3実施形態による光検出装置と同様の構成要素には同一の符号を付し、説明を省略し或いは簡潔にする。
本発明の第5実施形態による撮像システムについて、図11を用いて説明する。第1乃至第4実施形態による光検出装置と同様の構成要素には同一の符号を付し、説明を省略し或いは簡潔にする。図11は、本実施形態による撮像システムの概略構成を示すブロック図である。
本発明の第6実施形態による撮像システム及び移動体について、図12を用いて説明する。図12は、本実施形態による撮像システム及び移動体の構成を示す図である。
本発明は、上記実施形態に限らず種々の変形が可能である。
INV…波形整形部
R…負荷回路
SW…スイッチ
10…画素領域
12…画素
14…制御線
16…垂直出力線
18…光電変換部
20…スイッチ制御回路
22…定電流源
24…画素信号処理部
26…カウンタ回路
28…選択回路
80…共通配線
82…分岐配線
Claims (13)
- 第1のノードに一方の端子が接続されたクエンチ抵抗と、
第2のノードに一方の端子が接続された、アバランシェ増幅型のフォトダイオードと、
前記クエンチ抵抗の他方の端子及び前記フォトダイオードの他方の端子に接続された入力端子を有する波形整形回路と、
前記第2のノードと前記波形整形回路の前記入力端子との間の経路に配されたスイッチと、
を有することを特徴とする光検出装置。 - スイッチ制御回路を更に有し、
前記第1のノードは、第1の電圧を供給する第1の電源が接続されるノードであり、
前記スイッチ制御回路は、前記第1のノードに前記第1の電圧が供給されているときに前記スイッチを導通状態に制御し、前記第1のノードに前記第1の電圧が供給されていないときに前記スイッチを非導通状態に制御する
ことを特徴とする請求項1記載の光検出装置。 - 前記第2のノードは、前記第1の電圧よりも低い第2の電圧を供給する第2の電源が接続されるノードであり、
前記第1の電源は、前記波形整形回路を構成する素子の耐圧以下の電位差を生成する電源であり、
前記第2の電源は、前記波形整形回路を構成する素子の耐圧よりも大きい電位差を生成する電源である
ことを特徴とする請求項2記載の光検出装置。 - 前記第2のノードは、前記第1の電圧よりも高い第2の電圧を供給する第2の電源が接続されるノードであり、
前記第2の電源は、前記波形整形回路を構成する素子の耐圧以下の電位差を生成する電源であり、
前記第1の電源は、前記波形整形回路を構成する素子の耐圧よりも大きい電位差を生成する電源である
ことを特徴とする請求項2記載の光検出装置。 - 前記フォトダイオードは、前記第1の電圧と前記第2の電圧との間の電位差によりガイガーモードで動作するアバランシェフォトダイオードである
ことを特徴とする請求項3又は4記載の光検出装置。 - 少なくとも前記クエンチ抵抗と前記フォトダイオードとをそれぞれが含む複数の画素を有し、
前記複数の画素で1つの前記スイッチ制御回路が共用されている
ことを特徴とする請求項2乃至5のいずれか1項に記載の光検出装置。 - 前記複数の画素で1つの前記スイッチが共用されている
ことを特徴とする請求項6記載の光検出装置。 - 前記複数の画素の前記第1のノードに接続された複数の第1の配線と、
前記複数の第1の配線に接続され、前記第1の電源から供給される前記第1の電圧を、前記複数の第1の配線を介して前記複数の画素に供給する第2の配線と、を更に有し、
前記第1の電源は前記第2の配線の一端部側に接続されており、前記スイッチ制御回路は、前記第2の配線の他端部側に接続されている
ことを特徴とする請求項6又は7記載の光検出装置。 - 前記複数の画素は、1つの行又は1つの列を構成し、
複数の行又は複数の列に配された複数の前記第2の配線が、第3の配線に接続されている
ことを特徴とする請求項8記載の光検出装置。 - 前記スイッチ制御回路は、前記第1のノードと前記第2のノードとの間に接続され、前記スイッチに供給される制御信号の電圧を規定するインピーダンス素子を含む
ことを特徴とする請求項2乃至9のいずれか1項に記載の光検出装置。 - 前記スイッチ制御回路は、前記インピーダンス素子に流れる電流を規定する電流源を更に有する
ことを特徴とする請求項10記載の光検出装置。 - 請求項1乃至11のいずれか1項に記載の光検出装置と、
前記光検出装置から出力される信号を処理する信号処理部と
を有することを特徴とする撮像システム。 - 移動体であって、
請求項1乃至11のいずれか1項に記載の光検出装置と、
前記光検出装置からの信号に基づく視差画像から、対象物までの距離情報を取得する距離情報取得手段と、
前記距離情報に基づいて前記移動体を制御する制御手段と
を有することを特徴とする移動体。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017124862A JP6924085B2 (ja) | 2017-06-27 | 2017-06-27 | 光検出装置及び撮像システム |
US16/013,177 US11169022B2 (en) | 2017-06-27 | 2018-06-20 | Photo-detection device and imaging system |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017124862A JP6924085B2 (ja) | 2017-06-27 | 2017-06-27 | 光検出装置及び撮像システム |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019007877A true JP2019007877A (ja) | 2019-01-17 |
JP2019007877A5 JP2019007877A5 (ja) | 2020-08-13 |
JP6924085B2 JP6924085B2 (ja) | 2021-08-25 |
Family
ID=64692480
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017124862A Active JP6924085B2 (ja) | 2017-06-27 | 2017-06-27 | 光検出装置及び撮像システム |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11169022B2 (ja) |
JP (1) | JP6924085B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020183843A1 (ja) * | 2019-03-12 | 2020-09-17 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 制御回路および測距システム |
WO2021090691A1 (ja) * | 2019-11-05 | 2021-05-14 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | センシングデバイスおよび測距装置 |
US11056519B2 (en) | 2019-02-25 | 2021-07-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion device, imaging system, and mobile apparatus |
WO2022113734A1 (ja) * | 2020-11-24 | 2022-06-02 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像素子、および撮像装置、並びに電子機器 |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019075440A (ja) * | 2017-10-13 | 2019-05-16 | キヤノン株式会社 | 光検出装置、撮像装置、及び撮像システム |
EP3944612A1 (en) | 2017-10-31 | 2022-01-26 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Imaging apparatus and imaging system |
JP7154795B2 (ja) | 2018-03-29 | 2022-10-18 | キヤノン株式会社 | 撮像装置、撮像システム、および移動体 |
JP7117535B2 (ja) * | 2018-09-06 | 2022-08-15 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 固体撮像素子及び撮像システム |
EP3660473A1 (en) * | 2018-11-30 | 2020-06-03 | STMicroelectronics (Research & Development) Limited | Apparatus & method for controlling the voltage applied to a single photon avalanche photodiode (spad) |
US11108980B2 (en) * | 2019-02-04 | 2021-08-31 | Semiconductor Components Industries, Llc | Semiconductor devices with single-photon avalanche diode pixels |
JP7079753B2 (ja) * | 2019-06-11 | 2022-06-02 | 株式会社東芝 | 光検出装置、電子装置及び光検出方法 |
JP7443006B2 (ja) * | 2019-09-19 | 2024-03-05 | 株式会社東芝 | 光検出器及び距離測定装置 |
JP2021132095A (ja) | 2020-02-19 | 2021-09-09 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置、撮像システム、移動体 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004193675A (ja) * | 2002-12-06 | 2004-07-08 | Victor Co Of Japan Ltd | イメージセンサ |
JP2010521825A (ja) * | 2007-03-23 | 2010-06-24 | パーキンエルマー・カナダ・インコーポレーテッド | 電子なだれ電流装置のための二重抑制回路 |
US20110315856A1 (en) * | 2008-11-07 | 2011-12-29 | Nxp B.V. | Analog silicon photomultiplier using phase detection |
US20120158178A1 (en) * | 2010-12-20 | 2012-06-21 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Robot and method for creating path of the robot |
JP2014081253A (ja) * | 2012-10-16 | 2014-05-08 | Toyota Central R&D Labs Inc | 光検出器 |
US20150287841A1 (en) * | 2014-04-04 | 2015-10-08 | Applied Materials Israel, Ltd. | Method and device for control of avalanche photo-diode characteristics for high speed and high gain applications |
WO2016042734A1 (ja) * | 2014-09-19 | 2016-03-24 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 固体撮像装置 |
JP2016225453A (ja) * | 2015-05-29 | 2016-12-28 | シャープ株式会社 | 光センサ |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2426575A (en) * | 2005-05-27 | 2006-11-29 | Sensl Technologies Ltd | Photon detector using controlled sequences of reset and discharge of a capacitor to sense photons |
US7512210B2 (en) * | 2007-03-27 | 2009-03-31 | General Electric Company | Hybrid energy discriminating charge integrating CT detector |
JP5297276B2 (ja) | 2009-06-18 | 2013-09-25 | 浜松ホトニクス株式会社 | フォトダイオードアレイ |
JP5644294B2 (ja) | 2010-09-10 | 2014-12-24 | 株式会社豊田中央研究所 | 光検出器 |
GB2483518B8 (en) * | 2010-09-13 | 2015-07-22 | Toshiba Res Europ Ltd | A receiver for a quantum communication system |
JP6193171B2 (ja) * | 2014-04-11 | 2017-09-06 | 株式会社東芝 | 光検出器 |
JP2016033972A (ja) | 2014-07-31 | 2016-03-10 | キヤノン株式会社 | 撮像装置及び撮像システム |
KR102332752B1 (ko) * | 2014-11-24 | 2021-11-30 | 삼성전자주식회사 | 지도 서비스를 제공하는 전자 장치 및 방법 |
JP6494368B2 (ja) | 2015-03-30 | 2019-04-03 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置およびカメラ |
JP6579774B2 (ja) | 2015-03-30 | 2019-09-25 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置およびカメラ |
JP6609980B2 (ja) | 2015-04-30 | 2019-11-27 | 株式会社デンソー | 光飛行時間測定装置及び光学的測距装置 |
US9671284B1 (en) * | 2016-01-14 | 2017-06-06 | Kiskeya Microsystems Llc | Single-photon avalanche diode circuit with variable hold-off time and dual delay regime |
JP2017135168A (ja) | 2016-01-25 | 2017-08-03 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置及び情報処理装置 |
-
2017
- 2017-06-27 JP JP2017124862A patent/JP6924085B2/ja active Active
-
2018
- 2018-06-20 US US16/013,177 patent/US11169022B2/en active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004193675A (ja) * | 2002-12-06 | 2004-07-08 | Victor Co Of Japan Ltd | イメージセンサ |
JP2010521825A (ja) * | 2007-03-23 | 2010-06-24 | パーキンエルマー・カナダ・インコーポレーテッド | 電子なだれ電流装置のための二重抑制回路 |
US20110315856A1 (en) * | 2008-11-07 | 2011-12-29 | Nxp B.V. | Analog silicon photomultiplier using phase detection |
US20120158178A1 (en) * | 2010-12-20 | 2012-06-21 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Robot and method for creating path of the robot |
JP2014081253A (ja) * | 2012-10-16 | 2014-05-08 | Toyota Central R&D Labs Inc | 光検出器 |
US20150287841A1 (en) * | 2014-04-04 | 2015-10-08 | Applied Materials Israel, Ltd. | Method and device for control of avalanche photo-diode characteristics for high speed and high gain applications |
WO2016042734A1 (ja) * | 2014-09-19 | 2016-03-24 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 固体撮像装置 |
JP2016225453A (ja) * | 2015-05-29 | 2016-12-28 | シャープ株式会社 | 光センサ |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11056519B2 (en) | 2019-02-25 | 2021-07-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion device, imaging system, and mobile apparatus |
US11742364B2 (en) | 2019-02-25 | 2023-08-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion device, imaging system, and mobile apparatus |
WO2020183843A1 (ja) * | 2019-03-12 | 2020-09-17 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 制御回路および測距システム |
WO2021090691A1 (ja) * | 2019-11-05 | 2021-05-14 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | センシングデバイスおよび測距装置 |
KR20220092506A (ko) | 2019-11-05 | 2022-07-01 | 소니 세미컨덕터 솔루션즈 가부시키가이샤 | 센싱 디바이스 및 측거 장치 |
WO2022113734A1 (ja) * | 2020-11-24 | 2022-06-02 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像素子、および撮像装置、並びに電子機器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20180372539A1 (en) | 2018-12-27 |
US11169022B2 (en) | 2021-11-09 |
JP6924085B2 (ja) | 2021-08-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6924085B2 (ja) | 光検出装置及び撮像システム | |
US11309440B2 (en) | Imaging device and imaging system | |
JP6987562B2 (ja) | 固体撮像素子 | |
US11742364B2 (en) | Photoelectric conversion device, imaging system, and mobile apparatus | |
JP7327949B2 (ja) | 光電変換装置、光電変換システム、及び移動体 | |
JP2018088494A (ja) | 光検出装置および光検出システム | |
JP2018157127A (ja) | 固体撮像装置及び撮像システム | |
JP2018107748A (ja) | 固体撮像装置 | |
JP2022171975A (ja) | 光電変換装置及び撮像システム | |
JP2019068382A (ja) | 固体撮像装置および撮像システム | |
JP2020021775A (ja) | 固体撮像装置及び撮像システム | |
JP7395300B2 (ja) | 光電変換装置、光電変換システム、および移動体 | |
JP7224823B2 (ja) | 光検出装置 | |
US10504954B2 (en) | Imaging device, imaging system, and moving body | |
JP2021034559A (ja) | 光電変換装置、光電変換システム、および移動体 | |
JP2024012454A (ja) | 光電変換装置、光電変換システム、および移動体 | |
US20220190011A1 (en) | Photoelectric conversion apparatus having avalanche photodiodes, photoelectric conversion system, and moving body | |
JP2017037937A (ja) | 光電変換デバイス、測距装置および情報処理システム | |
JP2020191600A (ja) | 光電変換装置および光電変換システム | |
JP2020123846A (ja) | 光電変換装置、撮像システム、移動体 | |
JP2020057650A (ja) | 光検出装置、光検出システム | |
JP7492338B2 (ja) | 光電変換装置、光電変換システム及び移動体 | |
US20230420468A1 (en) | Photoelectric conversion device | |
JP7438730B2 (ja) | 光電変換装置、撮像システム及び移動体 | |
US20230387173A1 (en) | Photoelectric conversion device having expanded dynamic range and transfer electrodes |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD05 | Notification of revocation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7425 Effective date: 20171214 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20180126 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200623 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200623 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20210324 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210401 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210527 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210701 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210730 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6924085 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |