JP2018523753A - 窒化ケイ素膜を堆積するための組成物及び方法 - Google Patents
窒化ケイ素膜を堆積するための組成物及び方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2018523753A JP2018523753A JP2018504170A JP2018504170A JP2018523753A JP 2018523753 A JP2018523753 A JP 2018523753A JP 2018504170 A JP2018504170 A JP 2018504170A JP 2018504170 A JP2018504170 A JP 2018504170A JP 2018523753 A JP2018523753 A JP 2018523753A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tert
- bis
- butyl
- plasma
- amyl
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
- C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
- C23C16/45553—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the use of precursors specially adapted for ALD
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/02—Pretreatment of the material to be coated
- C23C16/0227—Pretreatment of the material to be coated by cleaning or etching
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/34—Nitrides
- C23C16/345—Silicon nitride
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
- C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
- C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
- C23C16/45527—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the ALD cycle, e.g. different flows or temperatures during half-reactions, unusual pulsing sequence, use of precursor mixtures or auxiliary reactants or activations
- C23C16/45536—Use of plasma, radiation or electromagnetic fields
- C23C16/45542—Plasma being used non-continuously during the ALD reactions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45559—Diffusion of reactive gas to substrate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/515—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using pulsed discharges
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/54—Apparatus specially adapted for continuous coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
- H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
- H01L21/0217—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material being a silicon nitride not containing oxygen, e.g. SixNy or SixByNz
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02205—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition
- H01L21/02208—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si
- H01L21/02219—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si the compound comprising silicon and nitrogen
- H01L21/02222—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si the compound comprising silicon and nitrogen the compound being a silazane
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
- H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
- H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
- H01L21/02274—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition in the presence of a plasma [PECVD]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
- H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
- H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
- H01L21/0228—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition deposition by cyclic CVD, e.g. ALD, ALE, pulsed CVD
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
Description
a.反応器中に基材を提供する工程と、
b.以下の式I:
c.パージガスで反応器をパージする工程と、
d.反応器中にプラズマ含有源を導入して、化学吸着層の少なくとも一部と反応させ、少なくとも1つの反応部位を提供する工程であって、プラズマが、約0.01〜約1.5W/cm2の範囲の電力密度で生成される工程と、
e.任意選択で、不活性ガスで反応器をパージする工程と
を含み、所望の厚さの窒化ケイ素膜が得られるまで工程b〜eが繰り返される方法が提供される。
a.反応器中に基材を提供する工程と、
b.1,3−ビス(tert−ブチル)シクロジシラザン、1,3−ビス(tert−ブチル)−2−メチルシクロジシラザン、1,3−ビス(tert−ブチル)−2,4−ジメチルシクロジシラザン、1,3−ビス(tert−アミル)シクロジシラザン、1,3−ビス(tert−アミル)−2−メチルシクロジシラザン、1,3−ビス(tert−アミル)−2,4−ジメチルシクロジシラザン、1,3−ビス(tert−ブチル)−2−クロロシクロジシラザン、1,3−ビス(tert−ブチル)−2,4−ジクロロシクロジシラザン、1,3−ビス(tert−アミル)−2−クロロシクロジシラザン、1,3−ビス(tert−アミル)−2,4−ジクロロシクロジシラザン、1,3−ビス(tert−ブチル)−2,4,4−トリクロロシクロジシラザン、1,3−ビス(tert−ブチル)−2−ジメチルシクロジシラザン、1,3−ビス(tert−ブチル)−2−クロロ−2−メチルシクロジシラザン、1,3−ビス(tert−アミル)−2−ジメチルシクロジシラザン、1,3−ビス(tert−アミル)−2−クロロ−2−メチル−シクロジシラザン、1,3−ビス(tert−ブチル)−2−ビニルシクロジシラザン、1,3−ビス(tert−ブチル)−2−エチニルシクロジシラザン及びそれらの組み合わせからなる群より選択される少なくとも1つのシクロジシラザン前駆体を反応器中に導入する工程であって、少なくとも1つのシクロジシラザンが、基材の表面の少なくとも一部上で反応して化学吸着層を提供する工程と、
c.窒素、希ガス、及びそれらの組み合わせから選択される少なくとも1つを含むパージガスで反応器をパージする工程と、
d.反応器中にプラズマ含有源を導入して、化学吸着層の少なくとも一部と反応させ、少なくとも1つの反応部位を提供する工程であって、プラズマが、約0.01〜約1.5W/cm2の範囲の電力密度で生成される工程と、
e.任意選択で、不活性ガスで反応器をパージする工程と
を含み、所望の厚さの窒化ケイ素膜が得られるまで工程b〜eが繰り返される方法が提供される。
a.反応器中に基材を提供する工程と、
b.1,3−ビス(tert−ブチル)シクロジシラザン、1,3−ビス(tert−ブチル)−2−メチルシクロジシラザン、1,3−ビス(tert−ブチル)−2,4−ジメチルシクロジシラザン、1,3−ビス(tert−アミル)シクロジシラザン、1,3−ビス(tert−アミル)−2−メチルシクロジシラザン、1,3−ビス(tert−アミル)−2,4−ジメチルシクロジシラザン、1,3−ビス(tert−ブチル)−2−クロロシクロジシラザン、1,3−ビス(tert−ブチル)−2,4−ジクロロシクロジシラザン、1,3−ビス(tert−アミル)−2−クロロシクロジシラザン、1,3−ビス(tert−アミル)−2,4−ジクロロシクロジシラザン、1,3−ビス(tert−ブチル)−2,4,4−トリクロロシクロジシラザン、1,3−ビス(tert−ブチル)−2−ジメチルシクロジシラザン、1,3−ビス(tert−ブチル)−2−クロロ−2−メチルシクロジシラザン、1,3−ビス(tert−アミル)−2−ジメチルシクロジシラザン、1,3−ビス(tert−アミル)−2−クロロ−2−メチル−シクロジシラザン、1,3−ビス(tert−ブチル)−2−ビニルシクロジシラザン、1,3−ビス(tert−ブチル)−2−エチニルシクロジシラザン及びそれらの組み合わせからなる群より選択される少なくとも1つのシクロジシラザン前駆体を反応器中に導入する工程であって、少なくとも1つのシクロジシラザンが、基材の表面の少なくとも一部上で反応して化学吸着層を提供する工程と、
c.窒素、希ガス、及びそれらの組み合わせから選択される少なくとも1つを含むパージガスで反応器をパージする工程と、
d.反応器中にプラズマ含有源を導入して、化学吸着層の少なくとも一部と反応させ、少なくとも1つの反応部位を提供する工程であって、プラズマが、約0.01〜約1.5W/cm2の範囲の電力密度で生成される工程と、
e.任意選択で、不活性ガスで反応器をパージする工程と
を含み、所望の厚さの窒化ケイ素膜が得られるまで工程b〜eが繰り返される方法に関する。
a.反応器中に基材を提供する工程と、
b.1,3−ビス(tert−ブチル)シクロジシラザン、1,3−ビス(tert−ブチル)−2−メチルシクロジシラザン、1,3−ビス(tert−ブチル)−2,4−ジメチルシクロジシラザン、1,3−ビス(tert−アミル)シクロジシラザン、1,3−ビス(tert−アミル)−2−メチルシクロジシラザン、1,3−ビス(tert−アミル)−2,4−ジメチルシクロジシラザン、1,3−ビス(tert−ブチル)−2−クロロシクロジシラザン、1,3−ビス(tert−ブチル)−2,4−ジクロロシクロジシラザン、1,3−ビス(tert−アミル)−2−クロロシクロジシラザン、1,3−ビス(tert−アミル)−2,4−ジクロロシクロジシラザン、1,3−ビス(tert−ブチル)−2,4,4−トリクロロシクロジシラザン、1,3−ビス(tert−ブチル)−2−ジメチルシクロジシラザン、1,3−ビス(tert−ブチル)−2−クロロ−2−メチルシクロジシラザン、1,3−ビス(tert−アミル)−2−ジメチルシクロジシラザン、1,3−ビス(tert−アミル)−2−クロロ−2−メチル−シクロジシラザン、1,3−ビス(tert−ブチル)−2−ビニルシクロジシラザン、1,3−ビス(tert−ブチル)−2−エチニルシクロジシラザン及びそれらの組み合わせからなる群より選択される少なくとも1つのシクロジシラザン前駆体を反応器中に導入する工程であって、少なくとも1つのシクロジシラザンが、基材の表面の少なくとも一部上で反応して化学吸着層を提供する工程と、
c.窒素、希ガス、及びそれらの組み合わせから選択される少なくとも1つを含むパージガスで反応器をパージする工程と、
d.反応器中にプラズマ含有源を導入して、化学吸着層の少なくとも一部と反応させ、少なくとも1つの反応部位を提供する工程であって、プラズマが、約0.01〜約1.5W/cm2の範囲の電力密度で生成される工程と、
e.任意選択で、不活性ガスで反応器をパージする工程と
を含み、所望の厚さの窒化ケイ素膜が得られるまで工程b〜eが繰り返される方法に関する。
1,3−ビス(tert−ブチル)シクロジシラザン、1,3−ビス(tert−ブチル)−2−メチルシクロジシラザン、1,3−ビス(tert−ブチル)−2,4−ジメチルシクロジシラザン、1,3−ビス(tert−アミル)シクロジシラザン、1,3−ビス(tert−アミル)−2−メチルシクロジシラザン、1,3−ビス(tert−アミル)−2,4−ジメチルシクロジシラザン、1,3−ビス(tert−ブチル)−2−クロロシクロジシラザン、1,3−ビス(tert−ブチル)−2,4−ジクロロシクロジシラザン、1,3−ビス(tert−アミル)−2−クロロシクロジシラザン、1,3−ビス(tert−アミル)−2,4−ジクロロシクロジシラザン、1,3−ビス(tert−ブチル)−2,4,4−トリクロロシクロジシラザン、1,3−ビス(tert−ブチル)−2−ジメチルシクロジシラザン、1,3−ビス(tert−ブチル)−2−クロロ−2−メチルシクロジシラザン、1,3−ビス(tert−アミル)−2−ジメチルシクロジシラザン、1,3−ビス(tert−アミル)−2−クロロ−2−メチル−シクロジシラザン、1,3−ビス(tert−ブチル)−2−ビニルシクロジシラザン、1,3−ビス(tert−ブチル)−2−エチニルシクロジシラザンからなる群より選択されるシクロジシラザン前駆体であって、前駆体の純度が約98%以上であるシクロジシラザン前駆体と、
ヘリウム、アルゴン、窒素及びそれらの組み合わせからなる群より選択される不活性ガスを含む容器のヘッドスペースとを含むベッセルに関する。
a.反応器中に基材を提供する工程と、
b.以下の式I:
c.パージガスで反応器をパージする工程と、
d.反応器中にプラズマ含有源を導入して、化学吸着層の少なくとも一部と反応させ、少なくとも1つの反応部位を提供する工程であって、プラズマが、約0.01〜約1.5W/cm2の範囲の電力密度で生成される工程と、
e.任意選択で、不活性ガスで反応器をパージする工程と
を含み、所望の厚さの窒化ケイ素膜が得られるまで工程b〜eが繰り返される方法が提供される。アルゴン、希ガス、及び/又は不活性ガスの流れは、前駆体パルス中に反応チャンバーに少なくとも1つのシクロジシラザン前駆体の蒸気を輸送するのを助けるキャリアガスとして用いることができる。幾つかの実施形態において、反応チャンバーのプロセス圧力は約2Torr以下である。他の実施形態において、反応チャンバーのプロセス圧力は約10Torr以下である。方法の幾つかの実施形態において、水素を含むプラズマを、シクロジシラザンと表面との間の反応から生成された炭化水素を取り除くのを助けるために、工程dの前に挿入することができる。水素を含むプラズマは、水素プラズマ、水素/ヘリウム、水素/アルゴンプラズマ、水素/ネオンプラズマ、及びそれらの混合物からなる群より選択される。幾つかの実施形態において、プラズマ含有源を、少なくとも1つの窒素源の形態で反応器中に導入することがあるか、及び/又は堆積プロセスで使用される他の前駆体中に偶然存在する場合がある。適切な窒素含有源ガスとしては、例えば、アンモニア、ヒドラジン、モノアルキルヒドラジン、ジアルキルヒドラジン、窒素プラズマ、窒素/水素、窒素/ヘリウム、窒素/アルゴンプラズマ、アンモニアプラズマ、窒素/アンモニアプラズマ、アンモニア/ヘリウムプラズマ、アンモニア/アルゴンプラズマ、アンモニア/窒素プラズマ、NF3プラズマ、有機アミンプラズマ、及びそれらの混合物を挙げることができる。別の実施形態において、プラズマは、水素プラズマ、ヘリウムプラズマ、ネオンプラズマ、アルゴンプラズマ、キセノンプラズマ、水素/ヘリウムプラズマ、水素/アルゴンプラズマ、及びそれらの混合物からなる群より選択される。
a.反応器中に基材を提供する工程と、
b.1,3−ビス(tert−ブチル)シクロジシラザン、1,3−ビス(tert−ブチル)−2−メチルシクロジシラザン、1,3−ビス(tert−ブチル)−2,4−ジメチルシクロジシラザン、1,3−ビス(tert−アミル)シクロジシラザン、1,3−ビス(tert−アミル)−2−メチルシクロジシラザン、1,3−ビス(tert−アミル)−2,4−ジメチルシクロジシラザン、1,3−ビス(tert−ブチル)−2−クロロシクロジシラザン、1,3−ビス(tert−ブチル)−2,4−ジクロロシクロジシラザン、1,3−ビス(tert−アミル)−2−クロロシクロジシラザン、1,3−ビス(tert−アミル)−2,4−ジクロロシクロジシラザン、1,3−ビス(tert−ブチル)−2,4,4−トリクロロシクロジシラザン、1,3−ビス(tert−ブチル)−2−ジメチルシクロジシラザン、1,3−ビス(tert−ブチル)−2−クロロ−2−メチルシクロジシラザン、1,3−ビス(tert−アミル)−2−ジメチルシクロジシラザン、1,3−ビス(tert−アミル)−2−クロロ−2−メチル−シクロジシラザン、1,3−ビス(tert−ブチル)−2−ビニルシクロジシラザン、1,3−ビス(tert−ブチル)−2−エチニルシクロジシラザン及びそれらの組み合わせからなる群より選択される、脱離炭化水素基及び少なくとも2つのSi−H基を含む少なくとも1つのシクロジシラザン前駆体を反応器中に導入する工程であって、少なくとも1つのシクロジシラザンが、基材の表面の少なくとも一部上で反応して化学吸着層を提供する工程と、
c.窒素、希ガス、及びそれらの組み合わせから選択される少なくとも1つを含むパージガスで反応器をパージする工程と、
d.反応器中にプラズマ含有源を導入して、化学吸着層の少なくとも一部と反応させ、少なくとも1つの反応部位を提供する工程であって、プラズマが、約0.01〜約1.5W/cm2の範囲の電力密度で生成される工程と、
e.任意選択で、不活性ガスで反応器をパージする工程と
を含み、所望の厚さの窒化ケイ素膜が得られるまで工程b〜eが繰り返される方法が提供される。幾つかの実施形態において、プラズマ含有源を、少なくとも1つの窒素源の形態で反応器中に導入することがあるか、及び/又は堆積プロセスで使用される他の前駆体中に偶然存在する場合がある。適切な窒素含有源ガスとしては、例えば、アンモニア、ヒドラジン、モノアルキルヒドラジン、ジアルキルヒドラジン、窒素プラズマ、窒素/水素、窒素/ヘリウム、窒素/アルゴンプラズマ、アンモニアプラズマ、窒素/アンモニアプラズマ、アンモニア/ヘリウムプラズマ、アンモニア/アルゴンプラズマ、アンモニア/窒素プラズマ、NF3プラズマ、有機アミンプラズマ、及びそれらの混合物を挙げることができる。別の実施形態において、プラズマは、水素プラズマ、ヘリウムプラズマ、ネオンプラズマ、アルゴンプラズマ、キセノンプラズマ、水素/ヘリウムプラズマ、水素/アルゴンプラズマ、及びそれらの混合物からなる群より選択される。
a.反応器中に基材を提供する工程と、
b.1,3−ビス(tert−ブチル)シクロジシラザン、1,3−ビス(tert−ブチル)−2−メチルシクロジシラザン、1,3−ビス(tert−ブチル)−2,4−ジメチルシクロジシラザン、1,3−ビス(tert−アミル)シクロジシラザン、1,3−ビス(tert−アミル)−2−メチルシクロジシラザン、1,3−ビス(tert−アミル)−2,4−ジメチルシクロジシラザン、1,3−ビス(tert−ブチル)−2−クロロシクロジシラザン、1,3−ビス(tert−ブチル)−2,4−ジクロロシクロジシラザン、1,3−ビス(tert−アミル)−2−クロロシクロジシラザン、1,3−ビス(tert−アミル)−2,4−ジクロロシクロジシラザン、1,3−ビス(tert−ブチル)−2,4,4−トリクロロシクロジシラザン、1,3−ビス(tert−ブチル)−2−ジメチルシクロジシラザン、1,3−ビス(tert−ブチル)−2−クロロ−2−メチルシクロジシラザン、1,3−ビス(tert−アミル)−2−ジメチルシクロジシラザン、1,3−ビス(tert−アミル)−2−クロロ−2−メチル−シクロジシラザン、1,3−ビス(tert−ブチル)−2−ビニルシクロジシラザン、1,3−ビス(tert−ブチル)−2−エチニルシクロジシラザン及びそれらの組み合わせからなる群より選択される、脱離炭化水素基及び少なくとも2つのSi−H基を含む少なくとも1つのシクロジシラザン前駆体を反応器中に導入する工程であって、少なくとも1つのシクロジシラザンが、基材の表面の少なくとも一部上で反応して化学吸着層を提供する工程と、
c.窒素、希ガス、及びそれらの組み合わせから選択される少なくとも1つを含むパージガスで反応器をパージする工程と、
d.反応器中にプラズマ含有源を導入して、化学吸着層の少なくとも一部と反応させ、少なくとも1つの反応部位を提供する工程であって、プラズマが、約0.01〜約1.5W/cm2の範囲の電力密度で生成される工程と、
e.任意選択で、不活性ガスで反応器をパージする工程と、
f.AlCl3、トリメチルアルミニウム(TMA)、トリエチルアルミニウム、トリス(ジメチルアミノ)アルミニウム(TDMAA)、トリス(ジメチルアミノ)アルミニウム(TDMAA)、トリス(ジエチルアミノ)アルミニウム(TDEAA)、及び他の揮発性アルミニウム前駆体からなる群より選択されるアルミニウム前駆体から選択される少なくとも1つのアルミニウム前駆体を反応器中に導入する工程と、
g.不活性ガスで反応器をパージする工程と、
h.プラズマ含有源を反応器中に導入して、化学吸着層の少なくとも一部と反応させ、少なくとも1つの反応部位を提供する工程であって、プラズマが約0.01〜約1.5W/cm2の範囲の電力密度で生成される工程と、
i.任意選択で、不活性ガスで反応器をパージする工程と
を含み、所望の厚さのアルミニウム窒化ケイ素膜が得られるまで工程b〜iが繰り返される方法が提供される。幾つかの実施形態において、工程fの前に工程b〜eを複数回数繰り返して、より低いアルミニウム含有量を含むアルミニウム窒化ケイ素を含むナノラミネート構造を作り出すことができる。この又は別の実施形態において、工程f〜iを複数回繰り返して、より高いアルミニウム含有量を含むアルミニウム窒化ケイ素を含むナノラミネート構造を作り出す。幾つかの実施形態において、プラズマ含有源を、少なくとも1つの窒素源の形態で反応器中に導入することがあるか、及び/又は堆積プロセスで使用される他の前駆体中に偶然存在する場合がある。適切な窒素含有源ガスとしては、例えば、アンモニア、ヒドラジン、モノアルキルヒドラジン、ジアルキルヒドラジン、窒素プラズマ、窒素/水素、窒素/ヘリウム、窒素/アルゴンプラズマ、アンモニアプラズマ、窒素/アンモニアプラズマ、アンモニア/ヘリウムプラズマ、アンモニア/アルゴンプラズマ、アンモニア/窒素プラズマ、NF3プラズマ、有機アミンプラズマ、及びそれらの混合物を挙げることができる。他の実施形態において、プラズマは、水素プラズマ、ヘリウムプラズマ、ネオンプラズマ、アルゴンプラズマ、キセノンプラズマ、水素/ヘリウムプラズマ、水素/アルゴンプラズマ、及びそれらの混合物からなる群より選択される。
不活性雰囲気下において、−40℃で、THF(800mL)及びヘキサン(600mL)中のビス(tert−ブチルアミノ)シラン(BTBAS)(200g、1.14mol、1eq)の撹拌溶液に、ヘキサン(637g、2.28mol、2eq)中の2.5MのBuLi溶液をゆっくり加えて、反応温度を−30℃未満に維持した。反応溶液を周辺温度に加温して、ビス(tert−ブチルアミノ)シランジリチウムアミドとして試薬ビンに収集した。不活性雰囲気下において、−40〜−30℃で、THF(500g)及びヘキサン(500g)の撹拌溶液に、浸漬管を通じて15g/分の速度で、ビス(tert−ブチルアミノ)シランジリチウムアミドの溶液と、ジクロロシランガス(3.6ml/秒、全体で2560ml)とを同時に加えて、溶液中の2つの試薬のモル比を1:1に、温度を−20℃未満に維持した。反応溶液を室温に加温して、固形物をろ過した。溶媒を除去した後、粗製品を減圧蒸留(56〜7℃/7mmHg)により精製し、118.9gの純製品3(51.6%)を得た。BP:181℃;MS:C8H22N2Siについて計算されたm/z;[M],202;実測,187(M−CH3)。
不活性雰囲気下において、−40℃で、THF(1400g)中のビス(tert−ブチルアミノ)シラン(BTBAS)(200g、1.15mol、1eq)の撹拌溶液に、ヘキサン(639g、2.3mol、2eq)中の2.5MのBuLi溶液をゆっくり加えて、反応温度を−30℃未満に維持した。反応が終わり、反応温度を−40℃まで冷却した後、1237g中のメチルジクロロシラン(137g)の溶液を反応溶液に、−10℃未満の温度を維持できる速度で加えた。反応溶液を室温に加温して、固形物をろ過した。溶媒を除去して、粗製品を減圧蒸留(55℃/4mmHg)で生成して、118.1gの純製品4(47.6%)を得た。MS:C9H24N2Siについて計算されたm/z;[M],216;実測,201(M−CH3)。
シリコンウエハを、13.56MHzの直接プラズマ、シャワーヘッド設計を備えたCN−1反応器中に設置し、2torrのチャンバー圧力で300℃に加熱した。72℃の温度でベーパードローを使用して、シクロジシラザン前駆体として1,3−ビス(tert−ブチル)シクロジシラザンを反応器中に輸送した。ALDサイクルを表1に示したプロセス工程で構成し、以下のプロセスパラメータを使用した。
a.反応器へのシクロジシラザン前駆体の導入
窒素流:1000sccm
シクロジシラザン前駆体パルス:1秒間
b.不活性ガスによるパージ
窒素流:1000sccm
パージ時間:10秒間
c.窒素プラズマの導入
窒素流:1000sccm
窒素プラズマパルス:125Wのプラズマ電力で10秒間
d.パージ
窒素流:1000sccm
パージ時間:10秒間
シリコンウエハを、13.56MHzの直接プラズマ、シャワーヘッド設計を備えたCN−1反応器中に設置し、2torrのチャンバー圧力で300℃に加熱した。72℃の温度でベーパードローを使用して、シクロジシラザン前駆体として1,3−ビス(tert−ブチル)シクロジシラザンを反応器中に輸送した。ALDサイクルを表1に示したプロセス工程で構成し、以下のプロセスパラメータを使用した。
a.反応器へのシクロジシラザン前駆体の導入
アルゴン流:1000sccm
シクロジシラザン前駆体パルス:1秒間
b.不活性ガスによるパージ
アルゴン流:1000sccm
パージ時間:10秒間
c.アンモニアプラズマの導入
アルゴン流:1000sccm
アンモニア流:500sccm
プラズマパルス:125Wのプラズマ電力で10秒間
d.パージ
アルゴン流:1000sccm
パージ時間:10秒間
シリコンウエハを、13.56MHzの直接プラズマ、シャワーヘッド設計を備えたCN−1反応器中に設置し、2torrのチャンバー圧力で300℃に加熱した。72℃の温度でベーパードローを使用して、シクロジシラザン前駆体として1,3−ビス(tert−ブチル)シクロジシラザンを反応器中に輸送した。ALDサイクルを表1に示したプロセス工程で構成し、以下のプロセスパラメータを使用した。
a.反応器へのシクロジシラザン前駆体の導入
アルゴン流:1000sccm
シクロジシラザン前駆体パルス:1秒間
b.不活性ガスによるパージ
アルゴン流:1000sccm
パージ時間:10秒間
c.アンモニアプラズマの導入
アルゴン流:1000sccm
アンモニア流:250sccm
窒素流:250sccm
プラズマパルス:125Wのプラズマ電力で10秒間
d.パージ
アルゴン流:1000sccm
パージ時間:10秒間
シリコンウエハを、13.56MHzの直接プラズマ、シャワーヘッド設計を備えたCN−1反応器中に設置し、2torrのチャンバー圧力で300℃に加熱した。80℃の温度でベーパードローを使用して、シクロジシラザン前駆体の1,3−ビス(tert−ブチル)−2−メチルシクロジシラザンを反応器中に輸送した。ALDサイクルを表1に示したプロセス工程を含み、以下のプロセスパラメータを使用した。
a.反応器へのシクロジシラザン前駆体の導入
窒素流:1000sccm
シクロジシラザン前駆体パルス:0.4〜1秒間で可変
b.不活性ガスによるパージ
窒素流:1000sccm
パージ時間:10秒間
c.窒素プラズマの導入
窒素流:1000sccm
窒素プラズマパルス:125Wのプラズマ電力で10秒間
d.パージ
窒素流:1000sccm
パージ時間:10秒間
シリコンウエハを、13.56MHzの直接プラズマ、シャワーヘッド設計を備えたCN−1反応器中に設置し、2torrのチャンバー圧力で300℃に加熱した。80℃の温度でベーパードローを使用して、シクロジシラザン前駆体として1,3−ビス(tert−ブチル)−2−メチルシクロジシラザンを反応器中に輸送した。ALDサイクルを表1に示したプロセス工程で構成し、以下のプロセスパラメータを使用した。
a.反応器へのシクロジシラザン前駆体の導入
アルゴン流:1000sccm
シクロジシラザン前駆体パルス:1秒間
b.不活性ガスによるパージ
アルゴン流:1000sccm
パージ時間:10秒間
c.アンモニアプラズマの導入
アルゴン流:1000sccm
アンモニア流:500sccm
プラズマパルス:125Wのプラズマ電力で10秒間
d.パージ
アルゴン流:1000sccm
パージ時間:10秒間
Claims (26)
- 基材の少なくとも表面上に窒化ケイ素膜を形成するための方法であって、
a.反応器中に基材を提供する工程と、
b.脱離炭化水素基及び少なくとも2つのSi−H基を含み、以下の式A:
c.パージガスで前記反応器をパージする工程と、
d.前記反応器中にプラズマ含有源及び不活性ガスを導入して、前記化学吸着層の少なくとも一部と反応させ、少なくとも1つの反応部位を提供する工程であって、前記プラズマが、約0.01〜約1.5W/cm2の範囲の電力密度で生成される工程と、
e.任意選択で、不活性ガスで前記反応器をパージする工程と
を含み、所望の厚さの前記窒化ケイ素膜が得られるまで工程b〜eが繰り返される方法。 - 前記少なくとも1つのシクロジシラザン前駆体が、1,3−ビス(tert−ブチル)シクロジシラザン、1,3−ビス(tert−ブチル)−2−メチルシクロジシラザン、1,3−ビス(tert−ブチル)−2,4−ジメチルシクロジシラザン、1,3−ビス(tert−アミル)シクロジシラザン、1,3−ビス(tert−アミル)−2−メチルシクロジシラザン、1,3−ビス(tert−アミル)−2,4−ジメチルシクロジシラザン、1,3−ビス(tert−ブチル)−2−クロロシクロジシラザン、1,3−ビス(tert−ブチル)−2,4−ジクロロシクロジシラザン、1,3−ビス(tert−アミル)−2−クロロシクロジシラザン、1,3−ビス(tert−アミル)−2,4−ジクロロシクロジシラザン、1,3−ビス(tert−ブチル)−2,4,4−トリクロロシクロジシラザン、1,3−ビス(tert−ブチル)−2−ジメチルシクロジシラザン、1,3−ビス(tert−ブチル)−2−クロロ−2−メチルシクロジシラザン、1,3−ビス(tert−アミル)−2−ジメチルシクロジシラザン、1,3−ビス(tert−アミル)−2−クロロ−2−メチル−シクロジシラザン、1,3−ビス(tert−ブチル)−2−ビニルシクロジシラザン、1,3−ビス(tert−ブチル)−2−エチニルシクロジシラザン及びそれらの組み合わせからなる群より選択される、請求項1に記載の方法。
- 前記プラズマ含有源が、窒素/アルゴンプラズマ、アンモニアプラズマ、窒素/アンモニアプラズマ、アンモニア/ヘリウムプラズマ、アンモニア/アルゴンプラズマ、アンモニア/窒素プラズマ、NF3プラズマ、有機アミンプラズマ、及びそれらの混合物からなる群より選択される、請求項1に記載の方法。
- 前記窒化ケイ素膜が2.2g/cc以上の密度を有する、請求項1に記載の方法。
- 前記方法が、気相堆積プロセスであり、かつ、プラズマ化学気相堆積及びプラズマ周期的化学気相堆積から選択される少なくとも1つからなる群より選択される、請求項1に記載の方法。
- 前記方法が、約400℃以下の1つ又は複数の温度で行われる、請求項1に記載の方法。
- 前記方法が、約300℃以下の1つ又は複数の温度で行われる、請求項1に記載の方法。
- 工程bが前記反応器中に希ガスを導入することをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 基材の少なくとも表面上に窒化ケイ素膜を形成するための方法であって、
a.反応器中に基材を提供する工程と、
b.1,3−ビス(tert−ブチル)シクロジシラザン、1,3−ビス(tert−ブチル)−2−メチルシクロジシラザン、1,3−ビス(tert−ブチル)−2,4−ジメチルシクロジシラザン、1,3−ビス(tert−アミル)シクロジシラザン、1,3−ビス(tert−アミル)−2−メチルシクロジシラザン、1,3−ビス(tert−アミル)−2,4−ジメチルシクロジシラザン、1,3−ビス(tert−ブチル)−2−クロロシクロジシラザン、1,3−ビス(tert−ブチル)−2,4−ジクロロシクロジシラザン、1,3−ビス(tert−アミル)−2−クロロシクロジシラザン、1,3−ビス(tert−アミル)−2,4−ジクロロシクロジシラザン、1,3−ビス(tert−ブチル)−2,4,4−トリクロロシクロジシラザン、1,3−ビス(tert−ブチル)−2−ジメチルシクロジシラザン、1,3−ビス(tert−ブチル)−2−クロロ−2−メチルシクロジシラザン、1,3−ビス(tert−アミル)−2−ジメチルシクロジシラザン、1,3−ビス(tert−アミル)−2−クロロ−2−メチル−シクロジシラザン、1,3−ビス(tert−ブチル)−2−ビニルシクロジシラザン、1,3−ビス(tert−ブチル)−2−エチニルシクロジシラザン及びそれらの組み合わせからなる群より選択される少なくとも1つのシクロジシラザン前駆体を前記反応器中に導入する工程であって、前記少なくとも1つのシクロジシラザンが、前記基材の表面の少なくとも一部で反応して、化学吸着層を提供する工程と、
c.窒素、希ガス、及びそれらの組み合わせから選択される少なくとも1つを含むパージガスで前記反応器をパージする工程と、
d.前記反応器中にプラズマ含有源を導入して、前記化学吸着層の少なくとも一部と反応させ、少なくとも1つの反応部位を提供する工程であって、前記プラズマが、約0.01〜約1.5W/cm2の範囲の電力密度で生成される工程と、
e.任意選択で、不活性ガスで前記反応器をパージする工程と
を含み、所望の厚さの前記窒化ケイ素膜が得られるまで工程b〜eが繰り返される方法。 - 前記窒化ケイ素膜が2.2g/cc以上の密度を有する、請求項9に記載の方法。
- 前記方法が、プラズマ化学気相堆積及びプラズマ周期的化学気相堆積から選択される少なくとも1つからなる群より選択される気相堆積プロセスである、請求項9に記載の方法。
- 前記方法が、約400℃以下の温度で行われる、請求項9に記載の方法。
- 前記方法が、約300℃以下の温度で行われる、請求項9に記載の方法。
- 前記プラズマ含有源が、窒素/アルゴンプラズマ、アンモニアプラズマ、窒素/アンモニアプラズマ、アンモニア/ヘリウムプラズマ、アンモニア/アルゴンプラズマ、アンモニア/窒素プラズマ、NF3プラズマ、有機アミンプラズマ、及びそれらの混合物からなる群より選択される、請求項9に記載の方法。
- 工程bが、前記反応器中に希ガスを導入することをさらに含む、請求項9に記載の方法。
- 水素を含むプラズマが、工程dの前に挿入されて、前記シクロジシラザンと前記表面との間の反応から生成された炭化水素を除去するのを助けることができる、請求項9に記載の方法。
- 前記水素を含むプラズマが、水素プラズマ、水素/ヘリウム、水素/アルゴンプラズマ、水素/ネオンプラズマ、及びそれらの混合物からなる群より選択される、請求項16に記載の方法。
- 基材の少なくとも表面上に窒化ケイ素膜を形成するための方法であって、
a.反応器中に基材を提供する工程と、
b.1,3−ビス(tert−ブチル)シクロジシラザン、1,3−ビス(tert−ブチル)−2−メチルシクロジシラザン、1,3−ビス(tert−ブチル)−2,4−ジメチルシクロジシラザン、1,3−ビス(tert−アミル)シクロジシラザン、1,3−ビス(tert−アミル)−2−メチルシクロジシラザン、1,3−ビス(tert−アミル)−2,4−ジメチルシクロジシラザン、1,3−ビス(tert−ブチル)−2−クロロシクロジシラザン、1,3−ビス(tert−ブチル)−2,4−ジクロロシクロジシラザン、1,3−ビス(tert−アミル)−2−クロロシクロジシラザン、1,3−ビス(tert−アミル)−2,4−ジクロロシクロジシラザン、1,3−ビス(tert−ブチル)−2,4,4−トリクロロシクロジシラザン、1,3−ビス(tert−ブチル)−2−ジメチルシクロジシラザン、1,3−ビス(tert−ブチル)−2−クロロ−2−メチルシクロジシラザン、1,3−ビス(tert−アミル)−2−ジメチルシクロジシラザン、1,3−ビス(tert−アミル)−2−クロロ−2−メチル−シクロジシラザン、1,3−ビス(tert−ブチル)−2−ビニルシクロジシラザン、1,3−ビス(tert−ブチル)−2−エチニルシクロジシラザン及びそれらの組み合わせからなる群より選択される少なくとも1つのシクロジシラザン前駆体を前記反応器中に導入する工程であって、前記少なくとも1つのシクロジシラザンが、前記基材の表面の少なくとも一部で反応して、化学吸着層を提供する工程と、
c.窒素、希ガス、及びそれらの組み合わせから選択される少なくとも1つを含むパージガスで前記反応器をパージする工程と、
d.前記反応器中にプラズマ含有源を導入して、前記化学吸着層の少なくとも一部と反応させ、少なくとも1つの反応部位を提供する工程であって、前記プラズマが、約0.01〜約1.5W/cm2の範囲の電力密度で生成される工程と、
e.任意選択で、不活性ガスで前記反応器をパージする工程と
を含み、所望の厚さの前記窒化ケイ素膜が得られるまで工程b〜eが繰り返される方法。 - 前記窒化ケイ素膜が2.2g/cc以上の密度を有する、請求項18に記載の方法。
- 前記方法が、プラズマ化学気相堆積及びプラズマ周期的化学気相堆積から選択される少なくとも1つからなる群より選択される気相堆積プロセスである、請求項18に記載の方法。
- 前記方法が、約400℃以下の温度で行われる、請求項18に記載の方法。
- 前記プラズマ含有源が、窒素/アルゴンプラズマ、アンモニアプラズマ、窒素/アンモニアプラズマ、アンモニア/ヘリウムプラズマ、アンモニア/アルゴンプラズマ、アンモニア/窒素プラズマ、NF3プラズマ、有機アミンプラズマ、及びそれらの混合物からなる群より選択される、請求項18に記載の方法。
- 1,3−ビス(tert−ブチル)シクロジシラザン、1,3−ビス(tert−ブチル)−2−メチルシクロジシラザン、1,3−ビス(tert−ブチル)−2,4−ジメチルシクロジシラザン、1,3−ビス(tert−アミル)シクロジシラザン、1,3−ビス(tert−アミル)−2−メチルシクロジシラザン、1,3−ビス(tert−アミル)−2,4−ジメチルシクロジシラザン、1,3−ビス(tert−ブチル)−2−クロロシクロジシラザン、1,3−ビス(tert−ブチル)−2,4−ジクロロシクロジシラザン、1,3−ビス(tert−アミル)−2−クロロシクロジシラザン、1,3−ビス(tert−アミル)−2,4−ジクロロシクロジシラザン、1,3−ビス(tert−ブチル)−2,4,4−トリクロロシクロジシラザン、1,3−ビス(tert−ブチル)−2−ジメチルシクロジシラザン、1,3−ビス(tert−ブチル)−2−クロロ−2−メチルシクロジシラザン、1,3−ビス(tert−アミル)−2−ジメチルシクロジシラザン、1,3−ビス(tert−アミル)−2−クロロ−2−メチル−シクロジシラザン、1,3−ビス(tert−ブチル)−2−ビニルシクロジシラザン、及び1,3−ビス(tert−ブチル)−2−エチニルシクロジシラザンからなる群より選択される少なくとも1つのシクロジシラザン前駆体を含む、ケイ素含有膜の気相堆積のための組成物。
- ケイ素含有膜の堆積のためのシクロジシラザン前駆体を輸送するために使用されるベッセルであって、
1,3−ビス(tert−ブチル)シクロジシラザン、1,3−ビス(tert−ブチル)−2−メチルシクロジシラザン、1,3−ビス(tert−ブチル)−2,4−ジメチルシクロジシラザン、1,3−ビス(tert−アミル)シクロジシラザン、1,3−ビス(tert−アミル)−2−メチルシクロジシラザン、1,3−ビス(tert−アミル)−2,4−ジメチルシクロジシラザン、1,3−ビス(tert−ブチル)−2−クロロシクロジシラザン、1,3−ビス(tert−ブチル)−2,4−ジクロロシクロジシラザン、1,3−ビス(tert−アミル)−2−クロロシクロジシラザン、1,3−ビス(tert−アミル)−2,4−ジクロロシクロジシラザン、1,3−ビス(tert−ブチル)−2,4,4−トリクロロシクロジシラザン、1,3−ビス(tert−ブチル)−2−ジメチルシクロジシラザン、1,3−ビス(tert−ブチル)−2−クロロ−2−メチルシクロジシラザン、1,3−ビス(tert−アミル)−2−ジメチルシクロジシラザン、1,3−ビス(tert−アミル)−2−クロロ−2−メチル−シクロジシラザン、1,3−ビス(tert−ブチル)−2−ビニルシクロジシラザン、1,3−ビス(tert−ブチル)−2−エチニルシクロジシラザン、1,3−ビス(tert−ブチル)−2−ビニルシクロジシラザン、及び1,3−ビス(tert−ブチル)−2−エチニルシクロジシラザンからなる群より選択され、純度が約98%以上であるシクロジシラザン前駆体と、
ヘリウム、アルゴン、窒素及びそれらの組み合わせからなる群より選択される不活性ガスを含む前記ベッセルのヘッドスペースと
を含むベッセル。 - 前記ベッセルがステンレス鋼で構成されている、請求項24に記載のベッセル。
- 請求項1に記載の方法で製造されたケイ素含有膜。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201562199593P | 2015-07-31 | 2015-07-31 | |
US62/199,593 | 2015-07-31 | ||
PCT/US2016/044472 WO2017023693A1 (en) | 2015-07-31 | 2016-07-28 | Compositions and methods for depositing silicon nitride films |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018523753A true JP2018523753A (ja) | 2018-08-23 |
JP6600074B2 JP6600074B2 (ja) | 2019-10-30 |
Family
ID=56616074
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018504170A Active JP6600074B2 (ja) | 2015-07-31 | 2016-07-28 | 窒化ケイ素膜を堆積するための組成物及び方法 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11035039B2 (ja) |
EP (2) | EP3329032B1 (ja) |
JP (1) | JP6600074B2 (ja) |
KR (1) | KR102245160B1 (ja) |
CN (2) | CN107923040B (ja) |
IL (1) | IL256951B (ja) |
TW (3) | TWI683024B (ja) |
WO (1) | WO2017023693A1 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020094894A (ja) * | 2018-12-12 | 2020-06-18 | 株式会社日立製作所 | ナノポア形成方法及び分析方法 |
JP2022504261A (ja) * | 2018-10-03 | 2022-01-13 | バーサム マテリアルズ ユーエス,リミティド ライアビリティ カンパニー | ケイ素及び窒素を含有する膜を製造するための方法 |
JP2022545479A (ja) * | 2019-08-22 | 2022-10-27 | ディーエヌエフ カンパニー リミテッド | 新規なシリルシクロジシラザン化合物およびこれを用いたシリコン含有薄膜の製造方法 |
Families Citing this family (264)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9394608B2 (en) | 2009-04-06 | 2016-07-19 | Asm America, Inc. | Semiconductor processing reactor and components thereof |
US8802201B2 (en) | 2009-08-14 | 2014-08-12 | Asm America, Inc. | Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species |
US20130023129A1 (en) | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Asm America, Inc. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
US9017481B1 (en) | 2011-10-28 | 2015-04-28 | Asm America, Inc. | Process feed management for semiconductor substrate processing |
US10714315B2 (en) | 2012-10-12 | 2020-07-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
US20160376700A1 (en) | 2013-02-01 | 2016-12-29 | Asm Ip Holding B.V. | System for treatment of deposition reactor |
US11549181B2 (en) | 2013-11-22 | 2023-01-10 | Applied Materials, Inc. | Methods for atomic layer deposition of SiCO(N) using halogenated silylamides |
US11015245B2 (en) | 2014-03-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof |
US10858737B2 (en) | 2014-07-28 | 2020-12-08 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead assembly and components thereof |
US9890456B2 (en) | 2014-08-21 | 2018-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system for in situ formation of gas-phase compounds |
US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
US10458018B2 (en) | 2015-06-26 | 2019-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same |
US10211308B2 (en) | 2015-10-21 | 2019-02-19 | Asm Ip Holding B.V. | NbMC layers |
IL260069B2 (en) * | 2015-12-21 | 2024-02-01 | Versum Mat Us Llc | Preparations and methods using them for depositing a silicon-containing layer |
US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
US10865475B2 (en) | 2016-04-21 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides and silicides |
US10190213B2 (en) | 2016-04-21 | 2019-01-29 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides |
US10367080B2 (en) | 2016-05-02 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a germanium oxynitride film |
US20170323785A1 (en) | 2016-05-06 | 2017-11-09 | Lam Research Corporation | Method to deposit conformal and low wet etch rate encapsulation layer using pecvd |
US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
US10714385B2 (en) | 2016-07-19 | 2020-07-14 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition of tungsten |
US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
KR102532607B1 (ko) | 2016-07-28 | 2023-05-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 가공 장치 및 그 동작 방법 |
US10643826B2 (en) | 2016-10-26 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for thermally calibrating reaction chambers |
US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
US10229833B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-03-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
KR102546317B1 (ko) | 2016-11-15 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
KR20180068582A (ko) | 2016-12-14 | 2018-06-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
KR20180070971A (ko) | 2016-12-19 | 2018-06-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US10269558B2 (en) | 2016-12-22 | 2019-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US10867788B2 (en) | 2016-12-28 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US10529563B2 (en) | 2017-03-29 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
KR102457289B1 (ko) | 2017-04-25 | 2022-10-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
US10892156B2 (en) | 2017-05-08 | 2021-01-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US10770286B2 (en) * | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US10886123B2 (en) | 2017-06-02 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures |
US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
US10685834B2 (en) | 2017-07-05 | 2020-06-16 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures |
KR20190009245A (ko) | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물 |
US11018002B2 (en) | 2017-07-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US10541333B2 (en) | 2017-07-19 | 2020-01-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US11374112B2 (en) | 2017-07-19 | 2022-06-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
US11139191B2 (en) | 2017-08-09 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
KR102491945B1 (ko) | 2017-08-30 | 2023-01-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
US11056344B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method |
KR102401446B1 (ko) | 2017-08-31 | 2022-05-24 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
CN111295465B (zh) * | 2017-09-14 | 2022-12-09 | 弗萨姆材料美国有限责任公司 | 用于沉积含硅膜的组合物和方法 |
KR102630301B1 (ko) | 2017-09-21 | 2024-01-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치 |
US10844484B2 (en) | 2017-09-22 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
US10403504B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-09-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
US10319588B2 (en) | 2017-10-10 | 2019-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition |
US10923344B2 (en) | 2017-10-30 | 2021-02-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures |
US10910262B2 (en) | 2017-11-16 | 2021-02-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure |
US11022879B2 (en) | 2017-11-24 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer |
JP7206265B2 (ja) | 2017-11-27 | 2023-01-17 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | クリーン・ミニエンバイロメントを備える装置 |
CN111316417B (zh) | 2017-11-27 | 2023-12-22 | 阿斯莫Ip控股公司 | 与批式炉偕同使用的用于储存晶圆匣的储存装置 |
US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
CN111630203A (zh) | 2018-01-19 | 2020-09-04 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法 |
TWI799494B (zh) | 2018-01-19 | 2023-04-21 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 沈積方法 |
US11018047B2 (en) | 2018-01-25 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Hybrid lift pin |
USD880437S1 (en) | 2018-02-01 | 2020-04-07 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus |
US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
US11685991B2 (en) | 2018-02-14 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
US10731249B2 (en) | 2018-02-15 | 2020-08-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus |
KR102636427B1 (ko) | 2018-02-20 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 장치 |
US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
US11629406B2 (en) | 2018-03-09 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate |
US11114283B2 (en) | 2018-03-16 | 2021-09-07 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same |
KR102646467B1 (ko) | 2018-03-27 | 2024-03-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조 |
US11230766B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
US11088002B2 (en) | 2018-03-29 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate rack and a substrate processing system and method |
KR102501472B1 (ko) | 2018-03-30 | 2023-02-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
KR20190128558A (ko) | 2018-05-08 | 2019-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 산화물 막을 주기적 증착 공정에 의해 증착하기 위한 방법 및 관련 소자 구조 |
KR20190129718A (ko) | 2018-05-11 | 2019-11-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조 |
KR102596988B1 (ko) | 2018-05-28 | 2023-10-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
US11270899B2 (en) | 2018-06-04 | 2022-03-08 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer handling chamber with moisture reduction |
US11286562B2 (en) | 2018-06-08 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase chemical reactor and method of using same |
US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
KR102568797B1 (ko) | 2018-06-21 | 2023-08-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 시스템 |
WO2020003000A1 (en) | 2018-06-27 | 2020-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material |
KR20210024462A (ko) | 2018-06-27 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 필름 및 구조체 |
US10612136B2 (en) | 2018-06-29 | 2020-04-07 | ASM IP Holding, B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
KR20200002519A (ko) | 2018-06-29 | 2020-01-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10767789B2 (en) | 2018-07-16 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components |
US11053591B2 (en) | 2018-08-06 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-port gas injection system and reactor system including same |
US10883175B2 (en) | 2018-08-09 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein |
US10829852B2 (en) | 2018-08-16 | 2020-11-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution device for a wafer processing apparatus |
US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
US11239420B2 (en) * | 2018-08-24 | 2022-02-01 | Lam Research Corporation | Conformal damage-free encapsulation of chalcogenide materials |
US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR20200030162A (ko) | 2018-09-11 | 2020-03-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
US11049751B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith |
US20220037144A1 (en) * | 2018-09-24 | 2022-02-03 | Versum Materials Us, Llc | Methods for making silicon and nitrogen containing films |
CN110970344A (zh) | 2018-10-01 | 2020-04-07 | Asm Ip控股有限公司 | 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法 |
US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
JP7256263B2 (ja) * | 2018-10-05 | 2023-04-11 | バーサム マテリアルズ ユーエス,リミティド ライアビリティ カンパニー | ケイ素含有膜の高温原子層堆積 |
KR102592699B1 (ko) | 2018-10-08 | 2023-10-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치 |
US10847365B2 (en) | 2018-10-11 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD |
US10811256B2 (en) | 2018-10-16 | 2020-10-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for etching a carbon-containing feature |
KR102605121B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
KR102546322B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
USD948463S1 (en) | 2018-10-24 | 2022-04-12 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus |
US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
KR20200051105A (ko) | 2018-11-02 | 2020-05-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
US11031242B2 (en) | 2018-11-07 | 2021-06-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a boron doped silicon germanium film |
US10847366B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process |
US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
US11217444B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
KR102636428B1 (ko) | 2018-12-04 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치를 세정하는 방법 |
US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
JP2020096183A (ja) | 2018-12-14 | 2020-06-18 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム |
TWI819180B (zh) | 2019-01-17 | 2023-10-21 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法 |
KR20200091543A (ko) | 2019-01-22 | 2020-07-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
CN113330141B (zh) * | 2019-01-24 | 2023-10-17 | 应用材料公司 | 沉积氮化硅的方法 |
CN111524788B (zh) | 2019-02-01 | 2023-11-24 | Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法 |
JP2020136678A (ja) | 2019-02-20 | 2020-08-31 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置 |
KR20200102357A (ko) | 2019-02-20 | 2020-08-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법 |
KR102626263B1 (ko) | 2019-02-20 | 2024-01-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치 |
TW202104632A (zh) | 2019-02-20 | 2021-02-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備 |
JP2020133004A (ja) | 2019-02-22 | 2020-08-31 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材を処理するための基材処理装置および方法 |
KR20200108242A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체 |
KR20200108248A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
KR20200108243A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
KR20200116033A (ko) | 2019-03-28 | 2020-10-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치 |
KR20200116855A (ko) | 2019-04-01 | 2020-10-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자를 제조하는 방법 |
US11447864B2 (en) | 2019-04-19 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
KR20200125453A (ko) | 2019-04-24 | 2020-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
KR20200130121A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기 |
KR20200130118A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법 |
KR20200130652A (ko) | 2019-05-10 | 2020-11-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조 |
JP2020188254A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
JP2020188255A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD935572S1 (en) | 2019-05-24 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Gas channel plate |
USD922229S1 (en) | 2019-06-05 | 2021-06-15 | Asm Ip Holding B.V. | Device for controlling a temperature of a gas supply unit |
KR20200141003A (ko) | 2019-06-06 | 2020-12-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템 |
KR20200143254A (ko) | 2019-06-11 | 2020-12-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조 |
USD944946S1 (en) | 2019-06-14 | 2022-03-01 | Asm Ip Holding B.V. | Shower plate |
USD931978S1 (en) | 2019-06-27 | 2021-09-28 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead vacuum transport |
KR20210005515A (ko) | 2019-07-03 | 2021-01-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법 |
JP2021015791A (ja) | 2019-07-09 | 2021-02-12 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法 |
CN112216646A (zh) | 2019-07-10 | 2021-01-12 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板支撑组件及包括其的基板处理装置 |
KR20210010307A (ko) | 2019-07-16 | 2021-01-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210010820A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법 |
KR20210010816A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법 |
US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
CN112242296A (zh) | 2019-07-19 | 2021-01-19 | Asm Ip私人控股有限公司 | 形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法 |
CN112309843A (zh) | 2019-07-29 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法 |
CN112309899A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112309900A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
CN112323048B (zh) | 2019-08-05 | 2024-02-09 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于化学源容器的液位传感器 |
USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
JP2021031769A (ja) | 2019-08-21 | 2021-03-01 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置 |
USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
USD930782S1 (en) | 2019-08-22 | 2021-09-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor |
USD949319S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust duct |
KR20210024423A (ko) | 2019-08-22 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법 |
USD940837S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode |
KR20210024420A (ko) | 2019-08-23 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법 |
US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
KR20210029090A (ko) | 2019-09-04 | 2021-03-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법 |
KR20210029663A (ko) | 2019-09-05 | 2021-03-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
CN112593212B (zh) | 2019-10-02 | 2023-12-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法 |
TW202129060A (zh) | 2019-10-08 | 2021-08-01 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 基板處理裝置、及基板處理方法 |
TW202115273A (zh) | 2019-10-10 | 2021-04-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構 |
KR20210045930A (ko) | 2019-10-16 | 2021-04-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 산화물의 토폴로지-선택적 막의 형성 방법 |
US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
KR20210047808A (ko) | 2019-10-21 | 2021-04-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법 |
KR20210050453A (ko) | 2019-10-25 | 2021-05-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조 |
US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
KR20210052026A (ko) | 2019-10-31 | 2021-05-10 | 솔브레인 주식회사 | 실리콘 전구체 화합물 및 이를 이용한 박막의 제조 방법 |
KR20210052027A (ko) | 2019-10-31 | 2021-05-10 | 솔브레인 주식회사 | 실리콘 전구체 화합물, 이를 포함하는 박막 및 그 박막의 제조방법 |
KR20210054983A (ko) | 2019-11-05 | 2021-05-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
KR20210062561A (ko) | 2019-11-20 | 2021-05-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템 |
CN112951697A (zh) | 2019-11-26 | 2021-06-11 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
KR20210064658A (ko) | 2019-11-26 | 2021-06-03 | 에스케이트리켐 주식회사 | 실리콘 함유 박막 형성용 전구체, 이를 이용한 실리콘 함유 박막 형성 방법 및 상기 실리콘 함유 박막을 포함하는 반도체 소자. |
KR20210065848A (ko) | 2019-11-26 | 2021-06-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법 |
CN112885692A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112885693A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
JP2021090042A (ja) | 2019-12-02 | 2021-06-10 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 基板処理装置、基板処理方法 |
KR20210070898A (ko) | 2019-12-04 | 2021-06-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210078405A (ko) | 2019-12-17 | 2021-06-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 바나듐 나이트라이드 층을 포함하는 구조 |
KR20210080214A (ko) | 2019-12-19 | 2021-06-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조 |
TWI819257B (zh) * | 2019-12-20 | 2023-10-21 | 美商應用材料股份有限公司 | 具有可調整碳含量之碳氮化矽間隙填充 |
JP2021109175A (ja) | 2020-01-06 | 2021-08-02 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム |
US11993847B2 (en) | 2020-01-08 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Injector |
KR20210095050A (ko) | 2020-01-20 | 2021-07-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법 |
TW202130846A (zh) | 2020-02-03 | 2021-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成包括釩或銦層的結構之方法 |
TW202146882A (zh) | 2020-02-04 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統 |
US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
US11781243B2 (en) | 2020-02-17 | 2023-10-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon |
TW202203344A (zh) | 2020-02-28 | 2022-01-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 專用於零件清潔的系統 |
KR20210116240A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치 |
US11876356B2 (en) | 2020-03-11 | 2024-01-16 | Asm Ip Holding B.V. | Lockout tagout assembly and system and method of using same |
KR20210117157A (ko) | 2020-03-12 | 2021-09-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법 |
KR20210124042A (ko) | 2020-04-02 | 2021-10-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 |
TW202146689A (zh) | 2020-04-03 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法 |
TW202145344A (zh) | 2020-04-08 | 2021-12-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法 |
US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
US11996289B2 (en) | 2020-04-16 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods |
KR20210132600A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템 |
TW202140831A (zh) | 2020-04-24 | 2021-11-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成含氮化釩層及包含該層的結構之方法 |
TW202146831A (zh) | 2020-04-24 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法 |
KR20210134226A (ko) | 2020-04-29 | 2021-11-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 고체 소스 전구체 용기 |
KR20210134869A (ko) | 2020-05-01 | 2021-11-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환 |
KR20210141379A (ko) | 2020-05-13 | 2021-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구 |
KR20210143653A (ko) | 2020-05-19 | 2021-11-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210145078A (ko) | 2020-05-21 | 2021-12-01 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법 |
TW202200837A (zh) | 2020-05-22 | 2022-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於在基材上形成薄膜之反應系統 |
TW202201602A (zh) | 2020-05-29 | 2022-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
TW202218133A (zh) | 2020-06-24 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成含矽層之方法 |
TW202217953A (zh) | 2020-06-30 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
KR20220010438A (ko) | 2020-07-17 | 2022-01-25 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법 |
TW202204662A (zh) | 2020-07-20 | 2022-02-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於沉積鉬層之方法及系統 |
TW202212623A (zh) | 2020-08-26 | 2022-04-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法、半導體結構、及系統 |
USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
CN112242298B (zh) * | 2020-09-14 | 2022-06-07 | 北海惠科光电技术有限公司 | 一种氮化硅薄膜的制作方法、薄膜晶体管和显示面板 |
USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
US11979171B2 (en) | 2020-10-13 | 2024-05-07 | Microchip Technology Incorporated | Reduced complexity encoders and related systems, methods, and devices |
TW202229613A (zh) | 2020-10-14 | 2022-08-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 於階梯式結構上沉積材料的方法 |
KR20220053482A (ko) | 2020-10-22 | 2022-04-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리 |
TW202223136A (zh) | 2020-10-28 | 2022-06-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統 |
US11447865B2 (en) | 2020-11-17 | 2022-09-20 | Applied Materials, Inc. | Deposition of low-κ films |
TW202235675A (zh) | 2020-11-30 | 2022-09-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 注入器、及基板處理設備 |
US11946137B2 (en) | 2020-12-16 | 2024-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Runout and wobble measurement fixtures |
TW202231903A (zh) | 2020-12-22 | 2022-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成 |
US11551926B2 (en) | 2021-01-22 | 2023-01-10 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming a microelectronic device, and related systems and additional methods |
USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
USD1023959S1 (en) | 2021-05-11 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for substrate processing apparatus |
US20220406595A1 (en) * | 2021-06-22 | 2022-12-22 | Applied Materials, Inc. | Novel oxidants and strained-ring precursors |
USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
TW202344707A (zh) * | 2022-03-04 | 2023-11-16 | 美商恩特葛瑞斯股份有限公司 | 製備富矽氮化矽膜之方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1121481A (en) * | 1962-03-30 | 1968-07-31 | Monsanto Co | Production of cyclodisilazanes |
US3565934A (en) * | 1964-09-10 | 1971-02-23 | Monsanto Co | Diazadisiletidines and the preparation thereof |
US20050163927A1 (en) * | 2004-01-23 | 2005-07-28 | Mcswiney Michael L. | Forming a silicon nitride film |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4310477A (en) * | 1977-03-25 | 1982-01-12 | Ford Motor Company | Method of making a silicon nitride part |
JPH0831454B2 (ja) | 1989-04-21 | 1996-03-27 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US6528430B2 (en) | 2001-05-01 | 2003-03-04 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of forming silicon containing thin films by atomic layer deposition utilizing Si2C16 and NH3 |
US6391803B1 (en) | 2001-06-20 | 2002-05-21 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of forming silicon containing thin films by atomic layer deposition utilizing trisdimethylaminosilane |
US7446217B2 (en) * | 2002-11-14 | 2008-11-04 | Advanced Technology Materials, Inc. | Composition and method for low temperature deposition of silicon-containing films |
EP2193541A1 (en) | 2007-09-18 | 2010-06-09 | L'AIR LIQUIDE, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude | Method of forming silicon-containing films |
US20090155606A1 (en) | 2007-12-13 | 2009-06-18 | Asm Genitech Korea Ltd. | Methods of depositing a silicon nitride film |
JP2009260151A (ja) * | 2008-04-18 | 2009-11-05 | Tokyo Electron Ltd | 金属ドープ層の形成方法、成膜装置及び記憶媒体 |
US20100081293A1 (en) | 2008-10-01 | 2010-04-01 | Applied Materials, Inc. | Methods for forming silicon nitride based film or silicon carbon based film |
JP5874230B2 (ja) * | 2010-08-27 | 2016-03-02 | 東ソー株式会社 | 封止膜材料、封止膜及び用途 |
US8465811B2 (en) | 2011-01-28 | 2013-06-18 | Asm Japan K.K. | Method of depositing film by atomic layer deposition with pulse-time-modulated plasma |
US8771807B2 (en) * | 2011-05-24 | 2014-07-08 | Air Products And Chemicals, Inc. | Organoaminosilane precursors and methods for making and using same |
EP3929326A3 (en) * | 2011-06-03 | 2022-03-16 | Versum Materials US, LLC | Compositions and processes for depositing carbon-doped silicon-containing films |
US8586487B2 (en) | 2012-01-18 | 2013-11-19 | Applied Materials, Inc. | Low temperature plasma enhanced chemical vapor deposition of conformal silicon carbon nitride and silicon nitride films |
US9905415B2 (en) * | 2013-10-03 | 2018-02-27 | Versum Materials Us, Llc | Methods for depositing silicon nitride films |
WO2015105350A1 (en) | 2014-01-08 | 2015-07-16 | Dnf Co.,Ltd. | Novel cyclodisilazane derivative, method for preparing the same and silicon-containing thin film using the same |
TW201535513A (zh) * | 2014-02-18 | 2015-09-16 | Applied Materials Inc | 介電常數減少且機械性質強化的低k介電層 |
US9637823B2 (en) | 2014-03-31 | 2017-05-02 | Asm Ip Holding B.V. | Plasma atomic layer deposition |
US9576792B2 (en) * | 2014-09-17 | 2017-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of SiN |
-
2016
- 2016-07-28 US US15/745,275 patent/US11035039B2/en active Active
- 2016-07-28 EP EP16748443.5A patent/EP3329032B1/en active Active
- 2016-07-28 EP EP22190110.1A patent/EP4108803A1/en not_active Withdrawn
- 2016-07-28 JP JP2018504170A patent/JP6600074B2/ja active Active
- 2016-07-28 WO PCT/US2016/044472 patent/WO2017023693A1/en active Application Filing
- 2016-07-28 CN CN201680051055.2A patent/CN107923040B/zh active Active
- 2016-07-28 CN CN202110661732.5A patent/CN113403604A/zh active Pending
- 2016-07-28 KR KR1020187005616A patent/KR102245160B1/ko active IP Right Grant
- 2016-07-29 TW TW108124613A patent/TWI683024B/zh active
- 2016-07-29 TW TW106139056A patent/TWI672392B/zh active
- 2016-07-29 TW TW105124088A patent/TWI626329B/zh active
-
2018
- 2018-01-16 IL IL256951A patent/IL256951B/en unknown
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1121481A (en) * | 1962-03-30 | 1968-07-31 | Monsanto Co | Production of cyclodisilazanes |
US3565934A (en) * | 1964-09-10 | 1971-02-23 | Monsanto Co | Diazadisiletidines and the preparation thereof |
US20050163927A1 (en) * | 2004-01-23 | 2005-07-28 | Mcswiney Michael L. | Forming a silicon nitride film |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2022504261A (ja) * | 2018-10-03 | 2022-01-13 | バーサム マテリアルズ ユーエス,リミティド ライアビリティ カンパニー | ケイ素及び窒素を含有する膜を製造するための方法 |
JP7421551B2 (ja) | 2018-10-03 | 2024-01-24 | バーサム マテリアルズ ユーエス,リミティド ライアビリティ カンパニー | ケイ素及び窒素を含有する膜を製造するための方法 |
JP2020094894A (ja) * | 2018-12-12 | 2020-06-18 | 株式会社日立製作所 | ナノポア形成方法及び分析方法 |
JP7174614B2 (ja) | 2018-12-12 | 2022-11-17 | 株式会社日立製作所 | ナノポア形成方法及び分析方法 |
JP2022545479A (ja) * | 2019-08-22 | 2022-10-27 | ディーエヌエフ カンパニー リミテッド | 新規なシリルシクロジシラザン化合物およびこれを用いたシリコン含有薄膜の製造方法 |
JP7337257B2 (ja) | 2019-08-22 | 2023-09-01 | ディーエヌエフ カンパニー リミテッド | 新規なシリルシクロジシラザン化合物およびこれを用いたシリコン含有薄膜の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201938833A (zh) | 2019-10-01 |
TW201809338A (zh) | 2018-03-16 |
EP3329032B1 (en) | 2022-09-21 |
CN107923040A (zh) | 2018-04-17 |
IL256951A (en) | 2018-03-29 |
TWI672392B (zh) | 2019-09-21 |
TWI683024B (zh) | 2020-01-21 |
EP3329032A1 (en) | 2018-06-06 |
WO2017023693A1 (en) | 2017-02-09 |
TW201712141A (zh) | 2017-04-01 |
IL256951B (en) | 2021-12-01 |
TWI626329B (zh) | 2018-06-11 |
WO2017023693A8 (en) | 2017-03-30 |
JP6600074B2 (ja) | 2019-10-30 |
CN107923040B (zh) | 2021-06-25 |
CN113403604A (zh) | 2021-09-17 |
KR20180034581A (ko) | 2018-04-04 |
US11035039B2 (en) | 2021-06-15 |
KR102245160B1 (ko) | 2021-04-26 |
US20190085451A1 (en) | 2019-03-21 |
EP4108803A1 (en) | 2022-12-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6600074B2 (ja) | 窒化ケイ素膜を堆積するための組成物及び方法 | |
KR102478568B1 (ko) | 질화규소 막을 증착시키는 방법 | |
JP7177209B2 (ja) | 有機アミノジシラン前駆体、及びそれを含む膜の堆積方法 | |
JP7025534B2 (ja) | シリコン含有膜堆積用の組成物及び方法 | |
JP6871161B2 (ja) | ケイ素含有膜の堆積のための組成物及びそれを使用した方法 | |
KR102188750B1 (ko) | 콘포말한 금속 또는 메탈로이드 실리콘 니트라이드 막을 증착시키는 방법 및 얻어진 막 | |
TWI750577B (zh) | 用於含矽膜的組合物及使用其的方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180510 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190117 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190212 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20190510 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190808 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190903 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20191003 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6600074 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |